JP4583348B2 - 発光装置 - Google Patents

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ステファン タッシュ
ペーター パッフラー
グンドゥラ ロット
ヴァルター テウス
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Description

本発明は、発光素子を有する発光装置であって、特に、該発光素子が第１のスペクトル領域で発光し、かつ、アルカリ土類金属オルト珪酸塩の群に由来するかもしくはこの蛍光体の群を少なくとも含有しかつ該発光素子の発光の一部を吸収しかつ別のスペクトル領域で発光する蛍光体をさらに有している発光装置に関する。
該発光装置は、例えば無機ＬＥＤ、有機ＬＥＤ、レーザーダイオード、無機厚膜エレクトロルミネセンスシートまたは無機薄膜エレクトロルミネセンス部品である。
ＬＥＤはとりわけ、寿命が長い、場所をとらない、衝撃に強い、さらに狭いスペクトルバンドで発光するという特徴で際立っている。
多数の発光色、特別に広いスペクトルバンドの多数の発光色は、ＬＥＤの場合の活性半導体材料の固有の発光では、実現不可能であるか、非効率にしか実現することができない。とりわけこのことは、白色の発光を得る場合にあてはまる。
公知技術水準によれば、半導体では本来実現することができない発光色は、色変換技術によって得られる。
本質的にこの色変換の技術は、次の原理に基づいており、すなわち、少なくとも１つの蛍光体をＬＥＤダイの上に配置する。該蛍光体は、このダイの発光を吸収し、かつその後にフォトルミネセンス光を別の発光色で放出する。
蛍光体として基本的に有機系を使用することもできるし、無機系を使用することもできる。無機顔料の本質的な利点は、有機系に比べ耐環境性が高いことである。無機ＬＥＤの寿命が長いことに関連して、したがって色の安定を考慮すると無機系が有利である。
加工の容易さに関しては、必要な膜厚を得るのに過度に長い成長期間（Ｗａｃｈｓｔｕｍｚｅｉｔｅｎ）を有する有機の蛍光塗装系の代りに、無機の蛍光顔料を使用するのが有利であることは明らかである。該顔料は、マトリックス中に入れられ、さらにＬＥＤダイの上に置かれる。
上記の要求を満たす無機材料の数が少ないという理由から、現時点では多くの場合に、ＹＡＧ類からの材料が、色変換のための顔料として使用される。しかしながら、この材料には、該材料が５６０ｎｍ未満の発光最大値の場合にしか高い効率を示さないというが欠点がある。このような理由から青色ダイオード（４５０から４９０ｎｍ）と組み合わされたＹＡＧ顔料を用いて、冷たい感じの白色の発光色のみを実現することができる。特に照明分野での使用については、色温度および色再現に関して、光源に対するさらに高い要求がなされ、この要求は、現時点で使用されている白色ＬＥＤで満足されない。
さらにＷＯ ００／３３３８９から、青色ＬＥＤを用いて白色に近い光を得るために、とりわけＢａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋が蛍光体として使用されることが公知である。Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋の発光は、５０５ｎｍ、すなわち比較的短い波長にあり、その結果、この光は、著しく冷たい。
Ｓ．Ｈ．Ｍ． Ｐｏｏｒｔほかによる論文、″Ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｅｕ２＋−ａｋｔｉｖａｔｅｄ．″２９７ページ、では、Ｅｕ２＋活性化されたＢａ２ＳｉＯ４ならびにリン酸塩、例えばＫＢａＰＯ４およびＫＳｒＰＯ４の性質が研究されている。また同文献では、Ｂａ２ＳｉＯ４の発光が５０５ｎｍにあることが確認されている。研究された２つのリン酸塩の発光は、これに対して本質的にさらに短い波長（４２０ｎｍから４３０ｎｍ）にある。
国際公開第００／３３３８９号パンフレット
本発明の課題は、上記の発光装置を、蛍光体による第１の光源の紫外線もしくは青色の放射の著しく良好な吸収によって、高い光ルミネセンス効果で異なる光の色ならびに高い色の再現が実現される程度に変更することであり、この場合、一般照明のための光源に常用のＣＩＥ−偏差楕円内の色の位置が、約２６００Ｋと７０００Ｋの間の極めて近似した色温度の範囲内にあることが特に有利である。
上記課題は、本発明の発光装置によって解決される。本発明によれば、
窒化物半導体からなり、ピーク発光波長が４５０ｎｍから４９０ｎｍの範囲にあるＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体とを備えた発光装置において、
前記蛍光体は、
式：（２−ｘ−ｙ）ＢａＯ・ｘ（Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ ｂＡｌ２Ｏ３ ｃＢ２Ｏ３ ｄＧｅＯ２：ｙ Ｅｕ２＋
（式中、０．０１＜ｘ＜１．６、０．００５＜ｙ＜０．５、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５である）
で示される２価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなり、黄色光を発することを特徴とする発光装置が提供される。
また、本発明によれば、
マウントリードのカップ内に配置させたＧａＮ系半導体からなりピーク発光波長が４５０ｎｍから４９０ｎｍの範囲にあるＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体と、
前記蛍光体を含有する封止剤を前記カップ内に充填させたコーティング部材と、
前記コーティング部材、前記ＬＥＤ素子及び前記マウントリードの先端を被覆するモールド部材とを備えた発光装置において、
前記蛍光体は、
式：（２−ｘ−ｙ）ＢａＯ・ｘ（Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ ｂＡｌ２Ｏ３ ｃＢ２Ｏ３ ｄＧｅＯ２：ｙ Ｅｕ２＋
（式中、０．０１＜ｘ＜１．６、０．００５＜ｙ＜０．５、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５である）
で示される２価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなり、黄色光を発することを特徴とする発光装置が提供される。
また、本発明によれば、
筐体内にフリップチップ実装されたＧａＮ系化合物半導体からなりピーク発光波長が４５０ｎｍから４９０ｎｍの範囲にあるＬＥＤ素子と、
該ＬＥＤ素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体と、
前記蛍光体を含有する透明封止剤により前記ＬＥＤ素子が配設された筐体内を充填するモールド部材とを有する発光装置において、
前記蛍光体は、
式：（２−ｘ−ｙ）ＢａＯ・ｘ（Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ ｂＡｌ２Ｏ３ ｃＢ２Ｏ３ ｄＧｅＯ２：ｙ Ｅｕ２＋
（式中、０．０１＜ｘ＜１．６、０．００５＜ｙ＜０．５、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５である）
で示される２価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなり、黄色光を発することを特徴とする発光装置が提供される。
本発明によれば、珪酸バリウムの代りに珪酸ストロンチウムまたは珪酸バリウムと珪酸ストロンチウムオルト珪酸塩の混合形が使用される場合に、放射される光の波長が長くなることが意外にも見いだされた。珪素の部分のゲルマニウムによる置換ならびに付加的に存在するＰ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３および／またはＢ２Ｏ３も発光スペクトルへの影響を有し、その結果、該発光スペクトルは、それぞれの使用の場合について最適に調整することができる。
有利に前記の発光装置は、２価のユウロピウムおよび／またはマンガンで活性化されたアルカリ土類金属アルミン酸塩の群からの別の蛍光体および／または、Ｙ（Ｖ，Ｐ，Ｓｉ）Ｏ４：Ｅｕまたは次式：
Ｍｅ（３−ｘ−ｙ）ＭｇＳｉ２Ｏ３：ｘＥｕ，ｙＭｎ
（式中、
０．００５＜ｘ＜０．５、
０．００５＜ｙ＜０．５、
ＭｅはＢａおよび／またはＳｒおよび／またはＣａを表す）
で示されるアルカリ土類金属−マグネシウム−二珪酸塩：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋の群からのさらに別の赤く発光する蛍光体を有している。
さらに、少量の１価のイオン、殊にハロゲン化物、が蛍光体格子の中に組み込まれている場合が、結晶化度および放射率について有利であることが見いだされた。
第１のスペクトル領域が３００から５００ｎｍである場合は、有利である。この波長領域で、本発明による蛍光体は、良好に励起されることができる。
さらに、第２のスペクトル領域が４３０ｎｍから６５０ｎｍである場合は、有利である。この場合には合わせて、比較的純粋な白色が得られる。
有利に発光装置は、Ｒａ値＞７２を有する白色光を放射する。
以上のように、本発明による発光素子と蛍光体を有する発光装置は、ＬＥＤディスプレイ、バックライト装置、信号機、照光式スイッチ、各種センサ、各種インジケータに適している。
本発明の第１の実施の態様によれば、発光装置は、２つの異なる蛍光体を有しており、この場合、少なくとも一方は、アルカリ土類金属オルト珪酸塩蛍光体である。このようにして白の色調が特に正確に調整されることができる。
本発明による発光装置の機械的な実施に対して多くの可能性が存在する。一実施態様によれば、１個以上のＬＥＤチップが反射鏡内の基板上に配置されており、かつ、蛍光体が、反射鏡の上に配置されているレンズ中に分散されている。
しかし、１個以上のＬＥＤチップが反射鏡内の基板上に配置されており、かつ、蛍光体が該反射鏡に塗布されていることも可能である。
有利に該ＬＥＤチップは、ドーム様の形状を有する透明な封止用コンパウンドで充填されている。該封止用コンパウンドは、一方では機械的な保護を形成し、かつ、他方では該封止用コンパウンドは、さらに光学的性質を改善する（ＬＥＤダイの光の改善された発光）。
該蛍光体は、封止用コンパウンド中に分散されていてもよく、この封止用コンパウンドによって、できるだけガスが閉込められることなしに、基板上に配置されたＬＥＤチップとポリマーレンズが結合され、この場合、該ポリマーレンズと該封止用コンパウンドは、最大で０．１だけ違う屈折率を有する。該封止用コンパウンドによってＬＥＤダイが直接閉じ込められていてもよいし、しかしながら、該ＬＥＤダイが透明な封止用コンパウンドで充填されている（すなわちこの場合には透明な封止用コンパウンドと蛍光体を含有する封止用コンパウンドとが存在している）ことも可能である。近似している屈折率によって、境界面での反射による損失がほとんどない。
有利にポリマーレンズは、球形もしくは楕円形の窪みを有しており、該窪みは、前記の封止用コンパウンドによって充填されており、その結果、ＬＥＤアレイがポリマーレンズからわずかな距離で固定されている。このようにして、機械的な構造の大きさを減少させることができる。
蛍光体の均一な分布を達成するために、蛍光体が有利に無機のマトリックス中に懸濁されていることは有利である。
２つの蛍光体が使用される場合には、２つの蛍光体がそれぞれのマトリックス中に懸濁されており、この場合、これらマトリックスが光の伝搬の方向に相前後して配置されていることは有利である。このことによってマトリックスの濃度は、異なる蛍光体を一緒に分散させた場合に比べ減少させることができる。
次に、本発明の第１の実施態様での蛍光体の製造の重要な工程を説明する。
珪酸塩蛍光体の製造のために、選択した組成に応じて出発物質アルカリ土類金属炭酸塩、二酸化珪素ならびに酸化ユウロピウムの化学量論的量を密に混合し、かつ、蛍光体の製造に常用の固体反応で、還元性雰囲気下で、温度１１００℃および１４００℃で所望の蛍光体に変換する。この際、結晶化度にとって、反応混合物に少ない割合で、有利に０．２モル未満の割合で塩化アンモニウムまたは他のハロゲン化物を添加することは、有利である。必要に応じて珪素の一部をゲルマニウム、ホウ素、アルミニウム、リンで置換することもできるし、ユウロピウムの一部をマンガンで置換することもでき、このことは、熱により酸化物に分解する上記元素の化合物の相応量の添加によって行なわれる。この場合には反応条件の範囲は、維持される。
得られた珪酸塩は、波長５１０ｎｍから６００ｎｍで放射し、かつ１１０ｎｍまでの半値幅を有する。
上記の群からの蛍光体の１つまたは上記の群から組み合わせた蛍光体の使用によって、あるいは、２価のユウロピウムおよび／またはマンガンで活性化されたアルカリ土類金属アルミン酸塩および、Ｙ（Ｖ，Ｐ，Ｓｉ）Ｏ４：Ｅｕ２＋の群からのさらに別の赤く発光する蛍光体、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、蛍光体の群からの常用の蛍光体との組合せによって、定義された色温度を有する発光色および高い色再現性を得ることができ、このことは、次の実施例で示されているとおりである。
Ｔ＝２７７８Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．４Ｂａ０．６ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．４６１９、ｙ＝０．４２４７、Ｒａ＝７２、
Ｔ＝２９５０Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．４Ｂａ０．６ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．４３８０、ｙ＝０．４００４、Ｒａ＝７３、
Ｔ＝３４９７Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．６Ｂａ０．４ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．４０８６、ｙ＝０．３９９６、Ｒａ＝７４、
Ｔ＝４１８３Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．９Ｂａ０．０８Ｃａ０．０２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．３７６２、ｙ＝０．３８７３、Ｒａ＝７５、
Ｔ＝６６２４Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．９Ｂａ０．０２Ｃａ０．０８ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．３１０１、ｙ＝０．３３０６、Ｒａ＝７６、
Ｔ＝６３８５Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．６Ｂａ０．４ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋＋Ｓｒ０．４Ｂａ１．６ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．３１３５、ｙ＝０．３３９７、Ｒａ＝８２、
Ｔ＝４２１６Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．９Ｂａ０．０８Ｃａ０．０２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．３７１０、ｙ＝０．３６９６、Ｒａ＝８２、
Ｔ＝３９５４Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．６Ｂａ０．４ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋＋Ｓｒ０．４Ｂａ１．６ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋＋ＹＶＯ４：Ｅｕ３＋）；ｘ＝０．３７５６、ｙ＝０．３８１６、Ｒａ＝８４、
Ｔ＝６４８９Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．６Ｂａ０．４ＳｉＯ４＋Ｓｒ０．４Ｂａ１．６ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋＋アルミン酸バリウムマグネシウム：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．３１１５、ｙ＝０．３３９０、Ｒａ＝６６、
Ｔ＝５０９７Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．６Ｂａ０．４（Ｓｉ０．０８Ｂ０．０２）Ｏ４：Ｅｕ２＋＋Ｓｒ０．６Ｂａ１．４ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．３４２３、ｙ＝０．３４８５、Ｒａ＝８２、
Ｔ＝５０８４Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．６Ｂａ０．４（Ｓｉ０．０８Ｂ０．０２）Ｏ４：Ｅｕ２＋＋Ｓｒ０．６Ｂａ１．４ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋＋アルミン酸ストロンチウムマグネシウム：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．３４３０、ｙ＝０．３５３１、Ｒａ＝８３、
Ｔ＝３３６９Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．４Ｂａ０．６Ｓｉ０．９５Ｇｅ０．０５Ｏ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．４１３４、ｙ＝０．３９５９、Ｒａ＝７４、
Ｔ＝２７８７Ｋ（４６６ｎｍ＋Ｓｒ１．４Ｂａ０．６Ｓｉ０．９８Ｐ０．０２Ｏ４．０１：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．４６３０、ｙ＝０．４２８０、Ｒａ＝７２、
Ｔ＝２９１３Ｋ（４６４ｎｍ＋Ｓｒ１．４Ｂａ０．６Ｓｉ０．９８Ａｌ０．０２Ｏ４：Ｅｕ２＋）；ｘ＝０．４４２５、ｙ＝０．４０５０、Ｒａ＝７３。
本発明の１つの実施態様の場合には、色変換は、次のとおり実施される。
１個以上のＬＥＤチップを基板上で組み立てる。該ＬＥＤ上に直接、（一方ではＬＥＤチップの保護のために、他方ではＬＥＤチップ内で発生する光をより良好に放出させることができるようにするために）封止用材料を半球もしくは半楕円の形で配置する。この封止用材料は、各ダイをそれぞれ包含することもできるし、該封止用材料が全てのＬＥＤのための共通の１個の形であってもよい。このようにして装備した基板を反射鏡内に設置するか、または該反射鏡を該ＬＥＤチップの上にかぶせる。
該反射鏡にレンズを設置する。一方で該レンズは、装置の保護のために使用され、他方では該レンズ中に蛍光体顔料が混入される。このようにして該レンズは不透明かつ黄色の色の印象を与える。該レンズを通り抜けてくる青色光（紫外光を含む）は、光学部品の中の通過の際により長波光（黄色光）に変換が行われる。その結果、青色光と黄色光を合わせて白色の色の印象が得られる。例えば平面平行な板の間で生じるような導波作用による損失は、該レンズの不透明性および拡散性によって減少される。さらに反射鏡によって、すでに調整された光のみが該レンズに入射するよう配慮され、その結果、全反射作用が始めから減少される。
これとは別に、各ＬＥＤチップの上に反射鏡がかぶせられていてもよく、かつ、該反射鏡は、ドーム形に充填され、かつ、レンズがそれぞれの反射鏡の上もしくはこの装置全体の上に配置される。
照明の発光装置を製造するのに、単一のＬＥＤの代りにＬＥＤアレイを使用するのは有利である。本発明の他の実施態様の場合には、色の変換は、ＬＥＤチップが直接基板上に組み立てられるＬＥＤアレイで次のとおりに実施される。
ＬＥＤアレイを封止用コンパウンド（例えばエポキシ樹脂）を用いて、別の材料（例えばＰＭＭＡ）からなる透明なポリマーレンズに接着する。該ポリマーレンズおよび該封止用コンパウンドの材料は、できるだけ近似する屈折率を有するように、すなわち位相整合されているように選択される。該封止用コンパウンドは、ポリマーレンズの最大で球形のまたは楕円形の窪みの中に存在する。この窪みの形は、該封止用コンパウンド中に色変換物質が分散されているという点で重要であり、かつ、したがってこの形によって、角度に関係ない発光色が得られることが保証されることができる。これとは別に前記のアレイは、透明な封止用コンパウンドで充填することができ、かつ、引き続き、色変換物質が含有されている該封止用コンパウンドを用いて前記のポリマーレンズに接着することができる。
少なくとも２つの異なる蛍光体が使用されている特に良好な色再現性を有するＬＥＤにとって、これら蛍光体を一緒に１つのマトリックス中に分散させるのではなく、これら蛍光体を別々に分散させかつ重ねることが、有利である。これは、最終的な発光色が複数の色変換プロセスによって得られる組合せに特に該当する。すなわち、最長波の発光色が、１つの発光プロセスによって生成されるということであり、この場合、該発光プロセスは、次のとおり経過する：すなわち、第１の蛍光体によるＬＥＤ発光の吸収、第１の蛍光体の発光、第２の蛍光体による第１の蛍光体の発光の吸収、および第２の蛍光体の発光。特に、この種のプロセスにとって、それぞれの蛍光体を光の伝搬の方向に相前後して配置することは、有利であり、それというのも、そのことによって、種々の蛍光体を単一に分散させた場合よりも蛍光体の濃度を減少させることができる。
本発明は、上記実施例に限定されるものではない。蛍光体は、ポリマーレンズ（または別の光学部品）中に組み込まれていてもよい。該蛍光体をＬＥＤダイ上に直接配置することもできるし、透明な封止用コンパウンドの表面上に配置することもできる。また該蛍光体を分散粒子とともに１つのマトリックス中に組み込むこともできる。このことによって、マトリックス中での沈降が防止され、かつ、均一な発光が保証される。
以下、前述のフォトルミネッセンス効果を有する蛍光体を発光ダイオード（ＬＥＤ）ランプに使用する例をより詳しく説明する。
第１図は、本発明の発光装置の第２の実施の形態に係るＬＥＤランプの模式断面図であり、いわゆるレンズタイプのＬＥＤランプを示す。ＧａＮ系半導体からなる青色ＬＥＤ４は、青色ＬＥＤ４の発光をＬＥＤランプの上方に反射させるよう反射鏡としての役割を果たすカップ１０を形成したメタルステム３にマウント５を介して取り付けられる。青色ＬＥＤ４の一方の電極とリードフレーム２とを金製のボンディングワイヤ７により接続し、他方の電極とリードフレーム１とを金製のボンディングワイヤ６により接続する。青色ＬＥＤ４を固定するため、コーティング部材である内部樹脂８でカップ１０内を被覆する。更に、リードフレーム２及びメタルステム３を形成されたリードフレーム１をモールド部材である外部樹脂９で封止する。従って、青色ＬＥＤ４は、内部樹脂８及び外部樹脂９により二重に封止される。なお、メタルステム３とリードフレーム１は、マウントリードともいう。また、青色ＬＥＤ４についての詳細な説明は、後述する。
蛍光体１１を含有する内部樹脂８は、カップ１０の上縁の水平面よりも低くカップ１０内部に充填させる。これにより、複数のＬＥＤを近接して配置した場合に、ＬＥＤ間の混色が発生せず、ＬＥＤで平面ディスプレイを実現して解像度の良い画像を得ることができる。
内部樹脂８は、固化後に透明となるシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂を用いる。また、内部樹脂８は、前記の２価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属オルト珪酸塩及び／又はアルカリ土類金属オルト珪酸塩を主成分とする蛍光体１１が混入される。この蛍光体１１は、前述したように、フォトルミネッセンス効果を有し、青色ＬＥＤ４が発光する光を吸収して、吸収した光の波長と異なる波長の光を発光する。
なお、内部樹脂８として使用されるシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂の代わりに低融点ガラスを用いてもよい。低融点ガラスは、耐湿性に優れるとともに青色ＬＥＤ４に有害なイオンの侵入を阻止することができる。更に、青色ＬＥＤ４からの発光を吸収せずにそのまま透過できるため、吸収分を見込んで強く発光させる必要がない。
また、前記の蛍光体１１を混入した内部樹脂８であるシリコーン樹脂、エポキシ樹脂又は低融点ガラスに拡散材を更に混入してもよい。拡散材によって、発光した青色ＬＥＤ４からの光を乱反射し散乱光とするため、青色ＬＥＤ４からの光が蛍光体１１に当たりやすくなって、蛍光体１１から発色する光量を増加させることができる。この拡散材は、特に限定されるものでなく、周知の物質を使用することができる。
外部樹脂９は、固化後に透明となるエポキシ樹脂を用いることができる。
マウント５には、扱いやすさからエポキシ樹脂等の種々の樹脂が用いることができる。マウント５に用いられる樹脂は接着性を有すると共に、極めて小さい青色ＬＥＤ４の側面にマウント５がせり上がっても側面で各層間がショートしないよう絶縁性を有する樹脂が好ましい。
マウント５は、青色ＬＥＤ４から等方的に発せられる光を透過してカップ１０の表面の反射鏡で反射させＬＥＤランプの上方に放出させるため、透明な樹脂を用いる。特に、ＬＥＤランプを白色系の光源として用いる場合、マウント５は、白色光の妨げにならない白色としてもよい。
また、マウント５に蛍光体１１を含有させても良い。蛍光体１１を用いたＬＥＤランプは、蛍光体１１を用いないＬＥＤランプと比較して光の密度が極端に高くなる。つまり、青色ＬＥＤ４から放出される光は、蛍光体１１を透過しないため、青色ＬＥＤ４からの発光は、青色ＬＥＤ４近傍に設けられた蛍光体１１によって反射され、蛍光体１１によって励起された光として等方的に新たに放出され、カップ１０表面の反射鏡によっても反射され、ＬＥＤランプの各部分の屈折率の差によっても反射される。そのため、青色ＬＥＤ４の近傍に光が部分的に密に閉じこめられ、青色ＬＥＤ４近傍の光密度が極めて高くなり、ＬＥＤランプは高輝度に発光する。
青色ＬＥＤ４は等方的に発光し、その光はカップ１０の表面でも反射されるため、それらの光がマウント５中を透過するため、マウント５の中は極めて光密度が高い。そこで、マウント５中に蛍光体１１を含有させると、青色ＬＥＤ４から発せられるそれらの光はマウント５中の蛍光体１１で反射され、また、マウント５中の蛍光体１１によって励起された光として等方的に新たに放出される。このようにマウント５にも蛍光体１１を含有させると、ＬＥＤランプは更に高輝度となる。
また、マウント５にＡｇ等の無機材料を含有させた樹脂を用いることができる。上記の高輝度のＬＥＤランプを長時間使用すると、マウント５や内部樹脂８には、エポキシ樹脂等の樹脂が用いられているため、青色ＬＥＤ４極近傍の合成樹脂でできたマウント５や内部樹脂８が、茶色や黒色に着色され劣化し、発光効率が低下する。特に、青色ＬＥＤ４近傍のマウント５の着色が発光効率を大きく低下させる。マウント５は、青色ＬＥＤ４からの光による耐侯性だけでなく接着性、密着性等も要求されるが、この光による樹脂の劣化は、マウント５にＡｇ等の無機材料を含有させた樹脂を用いることで解消できる。このようなマウント５は、Ａｇペーストと蛍光体１１をマウントペーストに混ぜ合わせてメタルステム３上にマウント機器で塗布させ青色ＬＥＤ４を接着させることで簡単に形成させることができる。
マウント５は、Ａｇ含有のエポキシ樹脂の他に、無機材料を含有させた有機樹脂としてシリコーン樹脂を用いることもできる。マウント５中の無機材料は、樹脂との密着性が良好で、青色ＬＥＤ４からの光によって劣化しないことが必要である。そのため、無機材料としては、銀、金、アルミニウム、銅、アルミナ、シリカ、酸化チタン、窒化硼素、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＴＯから１種以上を選択して樹脂に含有させる。特に、銀、金、アルミニウム、銅等は、放熱性を向上させ、導電性を有するので導電性を期待する半導体装置に適用することができる。また、アルミナ、シリカ、酸化チタン、窒化硼素等は耐侯性に強く高反射率を維持させることができる。無機材料は分散性や電気的導通などを考慮してその形状を球状、針状やフレーク状等種々の形状にすることができる。マウント５の樹脂中の無機材料含有量は、放熱性や電気伝導性など種々に調節することができる。しかし、樹脂中の無機材料含有量を多くすると樹脂の劣化が少ないが、密着性が低下するため、５重量％以上から８０重量％以下とするが、さらに６０重量％以上から８０重量％以下とすればより最適に樹脂の劣化を防止することができる。
このようにマウント５に、青色ＬＥＤ４が発光した光によって劣化しにくいＡｇ等の無機材料を含有させることにより、マウント５の樹脂の光による劣化を抑えることができるため、劣化による着色部位を少なくし発光効率の低下を防ぎ、良好な接着性を得ることができる。また、蛍光体１１をマウント５にも含有させることによりＬＥＤランプの輝度を更に高めることができる。
これにより高輝度、長時間の使用においても発光効率の低下が極めて少ない高輝度な発光が可能なＬＥＤランプを提供することができる。さらに、熱伝導性の良い材料を用いることで青色ＬＥＤ４の特性を安定化させ、色むらを少なくすることもできる。
第２図は、第１図に示すＬＥＤランプの青色ＬＥＤ４の層構成を示す。青色ＬＥＤ４は、透明基板として例えばサファイア基板４１を有し、このサファイア基板４１上に、ＭＯＣＶＤ法等により窒化物半導体層として例えば、バッファ層４２、ｎ型コンタクト層４３、ｎ型クラッド層４４、ＭＱＷ（ｍｕｌｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）活性層４５、ｐ型クラッド層４６、およびｐ型コンタクト層４７を順次形成し、スパッタリング法，真空蒸着法等により、ｐ型コンタクト層４７上の全面に透光性電極５０、透光性電極５０上の一部にｐ電極４８、およびｎ型コンタクト層４３上の一部にｎ電極４９を形成したものである。
バッファ層４２は、例えば、ＡｌＮからなり、ｎ型コンタクト層４３は、例えば、ＧａＮからなる。
ｎ型クラッド層４４は、例えば、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）からなり、ｐ型クラッド層４６は、例えば、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）からなり、ｐ型コンタクト層４７は、例えば、ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ＜１、ｚ＜ｘ）からなる。また、ｐ型クラッド層４６のバンドギャップは、ｎ型クラッド層４４のバンドギャップより大きくする。ｎ型クラッド層４４およびｐ型クラッド層４６は、単一組成の構成であっても良く、超格子構造となるように、互いに組成が異なる厚み１００Å以下の上記の窒化物半導体膜が積層される構成であっても良い。膜厚を１００Å以下とすることにより、膜中にクラックや結晶欠陥が発生するのを防ぐことができる。
ＭＱＷ活性層４５は、ＩｎＧａＮからなる複数の井戸層と、ＧａＮからなる複数のバリア層とからなる。また、超格子層を構成するように、井戸層およびバリア層の厚みは１００Å以下、好ましくは６０〜７０Åにする。ＩｎＧａＮは、結晶の性質が他のＡｌＧａＮのようなＡｌを含む窒化物半導体と比べて柔らかいので、ＩｎＧａＮを活性層４５を構成する層に用いることにより、積層した各窒化物半導体層全体にクラックが入り難くなる。なお、ＭＱＷ活性層４５は、ＩｎＧａＮからなる複数の井戸層と、ＡｌＧａＮからなる複数のバリア層とから構成してもよい。また、ＡｌＩｎＧａＮからなる複数の井戸層と、ＡｌＩｎＧａＮからなる複数のバリア層とから構成してもよい。但し、バリア層のバンドギャップエネルギーは、井戸層のバンドギャップエネルギーより大きくする。
なお、ＭＱＷ活性層４５よりサファイア基板４１側、例えば、ｎ型コンタクト層４３のバッファ層４２側に反射層を形成してもよい。また、反射層は、ＭＱＷ活性層４５が積層されているサファイア基板４１の表面と反対側の表面に形成してもよい。反射層は、活性層４５からの放出光に対して最大の反射率を有しているものが好ましく、例えば、Ａｌから形成してもよく、ＧａＮ系の薄膜の多層膜から形成してもよい。反射層を設けることにより、活性層４５からの放出光を反射層で反射でき、活性層４５からの放出光の内部吸収を減少させ、上方への出力光を増大させることができ、マウント５への光入射を低減してその光劣化を防止することができる。
このように構成された青色ＬＥＤ４の発光波長の半値幅は、５０ｎｍ以下、好ましく４０ｎｍ以下とする。また、青色ＬＥＤ４のピーク発光波長は、３８０ｎｍから５００ｎｍの範囲の、例えば、４５０ｎｍにある。
このように構成されたＬＥＤランプにおいて、リードフレーム１、２間に電圧を印加すると、青色ＬＥＤ４が４５０ｎｍの波長の青色の光を発光する。青色の光は、内部樹脂８中の蛍光体１１を励起し、励起された蛍光体１１は、５６０〜５７０ｎｍの黄色の光を発光する。内部樹脂８中の青色の光と黄色の光が混合された光は、外部樹脂９を通過して外部に漏れ出るが、その混合された光は、人間の目では白色に見え、結果として、ＬＥＤランプは、白色に発光しているように見える。すなわち、蛍光体１１は、青色ＬＥＤ４が発光する青色の光により励起され、青色と補色関係にあり、青色より波長の長い黄色を発光する。本発明では、複数の蛍光体を組み合わせすることにより、より純粋に近い白色を得ることができる。
第３図は、本発明の発光装置の第３の実施の形態に係る面状光源用装置の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
この第３図に示す面状光源用装置は、例えば、液晶パネルのバックライト装置として適用され、液晶パネルの裏面側から液晶パネルに光を照射し、非発光性である液晶パネルの文字や画像に明るさやコントラストを与えることにより、その視認性を向上させるものであり、次の要素を備えて構成されている。
即ち、面状光源用装置は、透明の概略矩形状の導光板７０と、この導光板７０の側面にアレイ状に配列されて埋め込まれることにより導光板７０と光学的に接続された複数の青色ＬＥＤ４と、導光板７０の光の出射面７０ａを除く他の面を包囲して導光板７０に取り付けられた光を反射する光反射ケース７１と、導光板７０の出射面７０ａと対向する光の反射面７２に規則的で微細な凹凸模様を形成して成る光拡散模様７３と、導光板７０に出射面７０ａを覆い取り付けられ、内部に蛍光体１１を含有する透明のフィルム７４とを備えて構成されている。
また、各青色ＬＥＤ４は、ボンディングワイヤ及びリードフレーム等の電源供給用の手段を介して電源から所定電圧の駆動電圧が供給されるように光反射ケース７１に取り付けられている。光拡散模様７３は、青色ＬＥＤ４から出射された光を導光板７０の内部で拡散するものである。
このように構成された面状光源用装置において、各青色ＬＥＤ４に駆動電圧が印加されると、駆動された各青色ＬＥＤ４から光が出射される。この出射光は、導光板７０の中を所定方向に進み、反射面７２に形成された光拡散模様７３に当たって反射拡散しながら出射面７０ａからフィルム７４を通過して面状の出射光として出射される。青色ＬＥＤ４の出射光は、フィルム７４を通過する際に、一部が蛍光体１１により吸収され、同時に波長変換されて出射される。これによってフィルム７４の前面から観測される発光色は、それらの光を合成した色となり、例えば前述の原理から白色となる。
このように、第３の実施の形態の面状光源用装置によれば、青色ＬＥＤ４からの出射光を導光板７０に入射させ、この入射された光を導光板７０の反射面７２に形成された光拡散模様７３で反射拡散させながら出射面７０ａからフィルム７４へ出射し、このフィルム７４において、光の一部が蛍光体１１により吸収され、同時に波長変換されて出射されるように構成したので、従来のように、赤・緑・青の各色のＬＥＤを用いずとも、青色ＬＥＤ４のみで発光色を白色とすることができる。また、蛍光体１１と青色ＬＥＤ４とが直接接触しない構造となっているので、蛍光体１１の劣化を長期間抑制することができ、長期間に渡り面状光源の所定の色調を保持することができる。
この他、フィルム７４に含有される蛍光体１１の種類を変えることによって、白色のみならず他の色の発光色も実現可能となる。フィルム７４の取り付け構造を着脱容易な構造とすると共に、種類の異なる蛍光体１１を含有するフィルム７４を複数種類用意しておけば、フィルム７４を交換するだけで容易に面状光源の色調を可変させることができる。
また、蛍光体１１は、フィルム７４に含有させる他、フィルム７４の表面に塗布しても含有させたと同様の効果を得ることができる。
また、青色ＬＥＤ４は、導光板７０に埋め込まれることによって導光板７０と光学的に接続されているが、この他、青色ＬＥＤ４を導光板７０の端面に接着したり、青色ＬＥＤ４の発光を光ファイバー等の光伝導手段によって導光板７０の端面に導くことにより、青色ＬＥＤ４と導光板７０とを光学的に接続しても良い。また、青色ＬＥＤ４は１個でも良い。
図４は、本発明の発光装置の第４の実施の形態に係るＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型のＬＥＤランプを示す。
ＳＭＤ型のＬＥＤランプは以下の構成を有する。絶縁性を有するガラスエポキシ樹脂の基板８０の両面を覆い、かつ、電気的に離れて形成される２つの金によるパターン配線８１、８２によりメタルフレームを形成し、パターン配線８１、８２上にプラスチック製のカップ８３ａを有する枠体８３を設ける。カップ８３ａは、その表面が青色ＬＥＤ４の放出光を反射する反射鏡になっている。パターン配線８１、８２は非対称とし、パターン配線８２の上面は、枠体８３が形成する空間の底部の中央にまで形成されているが、他方のパターン配線８１は、枠体８３が形成する空間の底部に少しだけ露出している。
青色ＬＥＤ４は、パターン配線８２の上面に、銀フィラ含有エポキシ樹脂ペースト８４によって固着される。青色ＬＥＤ４のｐ電極とパターン配線８２は、金製のボンディングワイヤ６により接続し、青色ＬＥＤ４のｎ電極とパターン配線８１は、金製のボンディングワイヤ７により接続する。
枠体８３のカップ８３ａが形成する空間内は、固化後に透明となる封止剤８８を充填する。封止剤８８により青色ＬＥＤ４は、固定される。封止剤８８は、前記の２価のユーロピウムで活性化されたアルカリ土類金属オルト珪酸塩及び／又はアルカリ土類金属オルト珪酸塩を主成分とする蛍光体１１が混入される。封止剤８８は、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である。
蛍光体１１が混入された封止剤８８は、枠体８３のカップ８３ａが形成する空間内一杯に充填されてもよく、また、枠体８３の上縁から下がった部位まで充填されていてもよい。
なお、前記の蛍光体１１を混入した封止剤８８は、拡散材を更に混入してもよい。拡散材によって、発光した青色ＬＥＤ４からの光を乱反射し散乱光とするため、青色ＬＥＤ４からの光が蛍光体１１に当たりやすくなって、蛍光体１１から発光する光量を増加させることができる。この拡散材は、特に限定されるものでなく、周知の物質を使用することができる。
このように構成されたＳＭＤ型のＬＥＤランプにおいて、パターン配線８１、８２間に電圧を印加すると、青色ＬＥＤ４が４５０ｎｍの波長の青色の光を発光する。青色の光は、封止剤８８中の蛍光体１１を励起し、励起された蛍光体１１は、５６０〜５７０ｎｍの黄色の光を発光する。封止剤８８中の青色の光と黄色の光が混合された光は、外部に漏れ出るが、その混合された光は、人間の目では白色に見え、結果として、ＬＥＤランプは、白色に発光しているように見える。すなわち、蛍光体１１は、青色ＬＥＤ４が発光する青色の光により励起され、青色と補色関係にあり、青色より波長の長い黄色を発光する。本発明では、複数の蛍光体を組み合わせることにより、より純粋に近い白色を得ることができる。
第５図は、本発明の発光装置の第５の実施の形態に係るＬＥＤランプを示す。本実施の形態は、青色ＬＥＤ４を静電気等の過電圧から保護できるようにしたもので、図１の構成の光源に過電圧保護素子９１を追加した構成となっている。
第５図に示すように、過電圧保護素子９１は、青色ＬＥＤ４と同程度の大きさにチップ化されており、青色ＬＥＤ４とマウント５の間に配設される。本実施の形態においては、図１の場合と異なり、後述する理由から、青色ＬＥＤ４はフリップチップ（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）実装される。過電圧保護素子９１は、青色ＬＥＤ４及びリードフレーム１と接続するための電極９２，９３を備えている。電極９２は、図２に示したｐ電極４８に対向する位置に設けられている。また、電極９３は、ｎ電極４９に対向する位置に設けられ、更にボンディングワイヤ６との接続を容易にするため、過電圧保護素子９１の側面に延伸するように形成されている。過電圧保護素子９１上の電極９２，９３は、それぞれＡｕバンプ９４ａ，９４ｂを介して青色ＬＥＤ４のｐ電極４８，ｎ電極４９に接続される。この過電圧保護素子９１には、規定電圧以上の電圧が印加されると通電状態になるツェナーダイオード（ｚｅｎｅｒ ｄｉｏｄｅ）、パルス性の電圧を吸収するコンデンサ等を用いることができる。
第６図は、過電圧保護素子９１にツェナーダイオードを用いた場合の接続回路を示す。過電圧保護素子９１としてのツェナーダイオード９５は、青色ＬＥＤ４に電気的に並列接続され、青色ＬＥＤ４のアノード（ａｎｏｄｅ）とツェナーダイオード９５のカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）が接続され、青色ＬＥＤ４のカソードとツェナーダイオード９５のアノードが接続されている。リードフレーム１とリードフレーム２の間に過大な電圧が印加された場合、その電圧がツェナーダイオード９５のツェナー電圧を越えると、青色ＬＥＤ４の端子間電圧はツェナー電圧に保持され、このツェナー電圧以上になることはない。したがって、青色ＬＥＤ４に過大な電圧が印加されるのを防止でき、過大電圧から青色ＬＥＤ４を保護し、素子破壊や性能劣化の発生を防止することができる。
第７図は、過電圧保護素子９１にコンデンサを用いた場合の接続回路を示す。過電圧保護素子９１としてのコンデンサ９６は、表面実装用のチップ部品（ｃｈｉｐ ｔｙｐｅ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）を用いることができる。このような構造のコンデンサ９６は両側に帯状の電極が設けられており、この電極が青色ＬＥＤ４のアノード及びカソードに並列接続される。リードフレーム１とリードフレーム２の間に過大な電圧が印加された場合、この過大電圧によって充電電流がコンデンサ９６に流れ、コンデンサ９６の端子間電圧を瞬時に下げ、青色ＬＥＤ４に対する印可電圧が上がらないようにするため、青色ＬＥＤ４を過電圧から保護することができる。また、高周波成分を含むノイズが印加された場合も、コンデンサ９６がバイパス（ｂｙｐａｓｓ）コンデンサとして機能するので、外来ノイズを排除することができる。
上記したように、青色ＬＥＤ４は、第１図に対して上下を反転させたフリップチップ実装を行っている。その理由は、過電圧保護素子９１を設けたために、過電圧保護素子９１と青色ＬＥＤ４の両方に電気的な接続が必要になる。仮に、青色ＬＥＤ４と過電圧保護素子９１のそれぞれをボンディングワイヤにより接続した場合、ボンディング数が増えるために、生産性が低下し、また、ボンディングワイヤ同士の接触、断線等が増えるため、信頼性の低下を招く恐れがある。そこで、青色ＬＥＤ４をフリップチップ実装としている。すなわち、第２図に示したサファイア基板４１の下面を最上面にし、ｐ電極４８をＡｕバンプ９４ａを介して過電圧保護素子９１の電極９２に接続し、ｎ電極４９をＡｕバンプ９４ｂを介して過電圧保護素子９１の電極９３に接続し、ボンディングワイヤ６，７を青色ＬＥＤ４に接続しないで済むようにしている。なお、青色ＬＥＤ４をフリップチップにした場合、第２図に示した透光性電極５０は、非透光性の電極に代えることができる。また、ｐ電極４８の表面と同一高さになるように、ｎ電極４９を厚くし、あるいは、ｎ電極４２に新規に導電体を接続し、これを電極としてもよい。
以上説明したように、第５図の構成によれば、第１図に示した構成による光源としての基本的な効果に加え、過電圧保護素子９１を設けたことにより、静電気等による過電圧が印加されても、青色ＬＥＤ４を損傷させたり、性能劣化を招いたりすることがなくなる。また、過電圧保護素子９１がサブマウントとして機能するため、青色ＬＥＤ４をフリップチップ実装しても、ボンディングワイヤ６，７のチップ側におけるボンディング位置の高さは下がることがないので、第１図の構成の場合とほぼ同じ高さ位置でボンディングを行うことができる。
なお、第５図及び第６図において、過電圧保護素子９１に半導体素子を用いる場合、ツェナーダイオード９５に代えて一般のシリコンダイオードを用いることもできる。この場合、複数のシリコンダイオードを同一極性にして直列接続し、そのトータルの順方向電圧降下（約０．７Ｖ×個数）の値は、過電圧に対する動作電圧相当になるようにシリコンダイオードの使用本数を決定する。
また、過電圧保護素子９１には、可変抵抗素子（ｖａｒｉａｂｌｅｒｅｇｉｓｔｏｒ）を用いることもできる。この可変抵抗素子は印加電圧の増加に伴い抵抗値が減少する特性を持ち、ツェナーダイオード９５と同様に過電圧を抑制することができる。
第８図は、本発明の発光装置の第６の実施の形態に係る半導体発光装置を示す。
この第８図に示す半導体発光装置は、発光素子から発光された光を波長変換してレンズ型の樹脂封止体外部に放射するものであり、前述の第１図に示したリードフレーム１，２と、メタルステム３と、青色ＬＥＤ４と、マウント５と、ボンディングワイヤ６，７と、蛍光体１１を含まない内部樹脂８と、外部樹脂９と、カップ１０とを含む構成の他に、外部樹脂９の外面に密着して包囲し且つ蛍光体１１を含有する透光性の蛍光カバー１００を備えて構成されている。
蛍光カバー１００は、例えば樹脂基材中に青色ＬＥＤ４の発光によって励起されて蛍光を発する蛍光体１１が含有されて形成されている。樹脂基材は例えば、透光性のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン、ナイロン、シリコーン樹脂、塩化ビニル、ポリスチロール、ベークライト、ＣＲ３９（アクリル・グリコール・カーボネート樹脂）等であり、ウレタン、ナイロン、シリコーン樹脂は、蛍光カバー１００にある程度の弾力性を付与するため、外部樹脂９への装着が容易である。
また、蛍光カバー１００は、外部樹脂９の外面に密着する形状、即ち円筒形状のカバー上部に半球形状のカバーが一体形成された形状を成しており、外部樹脂９に着脱自在に取り付けられている。また、蛍光カバー１００は、蛍光体１１による光散乱を小さくするため薄いフィルム状とするのが好ましい。更に、蛍光カバー１００は、蛍光体１１を含有する樹脂の射出成形により所定の形状に形成した後、外部樹脂９に密着すると比較的簡単に完成できるが、外部樹脂９と蛍光カバー１００との間に空気層が形成されないようにするため、蛍光体１１を含む樹脂原料を外部樹脂９に直接噴霧した後、硬化させて蛍光カバー１００を形成してもよい。
このように構成された半導体発光装置において、青色ＬＥＤ４からの出射光は、内部樹脂８及び外部樹脂９を介して蛍光カバー１００に入射される。この入射光の一部が蛍光体１１により吸収され、同時に波長変換されて外部へ出射される。これによって蛍光カバー１００の外面から観測される発光色は、それらの光を合成した色となり、例えば前述の原理から白色となる。
このように、第６の実施の形態の半導体発光装置によれば、青色ＬＥＤ４の樹脂封止体である内部樹脂８及び外部樹脂９に蛍光体１１を含有せず、外部樹脂９の外面を被覆する蛍光カバー１００に蛍光体１１を含有させたので、内部樹脂８及び外部樹脂９では、蛍光体１１による光散乱が生じない。また、蛍光カバー１００は薄いフィルム状を成すので、蛍光体１１による光散乱は比較的小さい。このため、外部樹脂９のレンズ部の形状を任意形状（上記実施の形態では半球状）とすることによって所望の光指向性が得られ、波長変換に伴う輝度の低下を最小限に抑制することができる。
この他、蛍光カバー１００の基材に含有される蛍光体１１の種類を変えることによって、白色のみならず他の色の発光色も実現可能となる。蛍光カバー１００の取り付け構造を着脱容易な構造とすると共に、種類の異なる蛍光体１１を含有する蛍光カバー１００を複数種類用意しておけば、蛍光カバー１００を交換するだけで容易に出射光の色調を可変させることができる。
また、蛍光体１１は、蛍光カバー１００に含有させる他、蛍光カバー１００の表面に塗布しても含有させたと同様の効果を得ることができる。更に、市販の半導体発光素子に蛍光カバー１００を装着できるので、半導体発光装置を安価に製造することができる。
本発明の発光装置の第２の実施の形態に係るＬＥＤランプの断面図である。 第１図に示す青色ＬＥＤの層構成を示す断面図である。 本発明の発光装置の第３の実施の形態に係る面状光源用装置の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。 本発明の発光装置の第４の実施の形態に係るＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型のＬＥＤランプの断面図である。 本発明の発光装置の第５の実施の形態に係るＬＥＤランプの断面図である。 過電圧保護素子にツェナーダイオードを用いた場合の接続回路図である。 過電圧保護素子にコンデンサを用いた場合の接続回路図である。 本発明の発光装置の第６の実施の形態に係る半導体発光装置の断面図である。
符号の説明
１ リードフレーム
２ リードフレーム
３ メタルステム
４ 青色ＬＥＤ
５ マウント
６ ボンディングワイヤ
７ ボンディングワイヤ
８ 内部樹脂
９ 外部樹脂
１０ カップ
１１ 蛍光体
４１ サファイア基板
４２ バッファ層
４３ ｎ型コンタクト層
４４ ｎ型クラッド層
４５ ＭＱＷ活性層
４６ ｐ型クラッド層
４７ ｐ型コンタクト層
４８ ｐ電極
４９ ｎ電極
５０ 透光性電極
７０ 導光板
７０ａ 出射面
７１ 光反射ケース
７２ 反射面
７３ 光拡散模様
７４ フィルム
８１ パターン配線
８２ パターン配線
８３ 枠体
８３ａ カップ
８８ 封止剤
９１ 過電圧保護素子
９２ 電極
９３ 電極
９４ａ Ａｕバンプ
９４ｂ Ａｕバンプ
９５ ツェナーダイオード
９６ コンデンサ
１００ 蛍光カバー

Claims (14)

  1. 窒化物半導体からなり、ピーク発光波長が４５０ｎｍから４９０ｎｍの範囲にあるＬＥＤ素子と、
    前記ＬＥＤ素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体とを備えた発光装置において、
    前記蛍光体は、
    式：（２−ｘ−ｙ）ＢａＯ・ｘ（Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ ｂＡｌ２Ｏ３ ｃＢ２Ｏ３ ｄＧｅＯ２：ｙ Ｅｕ２＋
    （式中、０．０１＜ｘ＜１．６、０．００５＜ｙ＜０．５、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５である）
    で示される２価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなり、黄色光を発することを特徴とする発光装置。
  2. 前記アルカリ土類金属珪酸塩からなり黄色光を発する第１蛍光体の他に、前記第１蛍光体と異なり赤色光を発する第２蛍光体を備え、白の色調が調整されたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記アルカリ土類金属珪酸塩からなる蛍光体は、５６０〜５７０ｎｍの黄色光を発することを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記アルカリ土類金属珪酸塩からなる蛍光体は、前記ＬＥＤ素子を被覆しシリコーン樹脂、エポキシ樹脂又は低融点ガラスからなる被覆部材に混入されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記被覆部材は、拡散剤が混入されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記被覆部材は、さらに、透明な第２の被覆部材により覆われたことを特徴とする請求項４または５に記載の発光装置。
  7. 前記ＬＥＤ素子は、絶縁性を有し透明な接着剤によりフレームに固定され、
    前記アルカリ土類金属珪酸塩からなる蛍光体は、前記接着材に含有されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 前記ＬＥＤ素子から発光された光を導入して光出力面から出力する略矩形の導光板を備え、
    前記アルカリ土類金属珪酸塩からなる蛍光体は、前記導光板の前記光出力面上に面状に設けられたことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 前記ＬＥＤ素子は、発光層がインジウムを含み量子井戸構造からなることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 前記アルカリ土類金属珪酸塩からなる蛍光体は、ハロゲン化物を添加されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の発光装置。
  11. マウントリードのカップ内に配置させたＧａＮ系半導体からなりピーク発光波長が４５０ｎｍから４９０ｎｍの範囲にあるＬＥＤ素子と、
    前記ＬＥＤ素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体と、
    前記蛍光体を含有する封止剤を前記カップ内に充填させたコーティング部材と、
    前記コーティング部材、前記ＬＥＤ素子及び前記マウントリードの先端を被覆するモールド部材とを備えた発光装置において、
    前記蛍光体は、
    式：（２−ｘ−ｙ）ＢａＯ・ｘ（Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ ｂＡｌ２Ｏ３ ｃＢ２Ｏ３ ｄＧｅＯ２：ｙ Ｅｕ２＋
    （式中、０．０１＜ｘ＜１．６、０．００５＜ｙ＜０．５、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５である）
    で示される２価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなり、黄色光を発することを特徴とする発光装置。
  12. 前記ＬＥＤ素子は、前記カップ内に配置され、前記ＬＥＤ素子を覆うように且つ前記カップ上面縁部より低く前記アルカリ土類金属珪酸塩からなる蛍光体を配置したことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
  13. 筐体内にフリップチップ実装されたＧａＮ系化合物半導体からなりピーク発光波長が４５０ｎｍから４９０ｎｍの範囲にあるＬＥＤ素子と、
    該ＬＥＤ素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体と、
    前記蛍光体を含有する透明封止剤により前記ＬＥＤ素子が配設された筐体内を充填するモールド部材とを有する発光装置において、
    前記蛍光体は、
    式：（２−ｘ−ｙ）ＢａＯ・ｘ（Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ ｂＡｌ２Ｏ３ ｃＢ２Ｏ３ ｄＧｅＯ２：ｙ Ｅｕ２＋
    （式中、０．０１＜ｘ＜１．６、０．００５＜ｙ＜０．５、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５である）
    で示される２価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなり、黄色光を発することを特徴とする発光装置。
  14. 前記ＬＥＤ素子は、ツェナーダイオードからなるサブマウント上に配置され、かつ、周囲が前記アルカリ土類金属珪酸塩からなる蛍光体で覆われたことを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
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Families Citing this family (540)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29724848U1 (de) 1996-06-26 2004-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP4161603B2 (ja) * 2001-03-28 2008-10-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US7091656B2 (en) * 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
WO2002086978A1 (fr) * 2001-04-20 2002-10-31 Nichia Corporation Dispositif photoemetteur
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
EP1367655A4 (en) 2001-09-03 2009-05-06 Panasonic Corp SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING APPARATUS, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP4263453B2 (ja) 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
MXPA05005658A (es) 2002-12-02 2005-08-16 3M Innovative Properties Co Sistema de iluminacion que utiliza una pluralidad de fuentes luminosas.
DE10259946A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
TW577184B (en) * 2002-12-26 2004-02-21 Epistar Corp Light emitting layer having voltage/resistance interdependent layer
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
TWI351548B (en) * 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of liquid crystal display dev
JP2004273798A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光デバイス
US7465961B2 (en) 2003-03-25 2008-12-16 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic equipment, backlight structure and keypad for electronic equipment
CN101556985B (zh) 2003-04-30 2017-06-09 克利公司 具有小型光学元件的高功率发光器封装
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
AT412928B (de) * 2003-06-18 2005-08-25 Guenther Dipl Ing Dr Leising Verfahren zur herstellung einer weissen led sowie weisse led-lichtquelle
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
DE10331076B4 (de) * 2003-07-09 2011-04-07 Airbus Operations Gmbh Leuchtelement mit einer Leuchtdiode
KR101034055B1 (ko) 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2005073227A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Sharp Corp 撮像装置
JP2005064047A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7502392B2 (en) * 2003-09-12 2009-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser oscillator
JP2007506264A (ja) * 2003-09-15 2007-03-15 コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ．ブイ． 白色発光照明システム
US7723740B2 (en) 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
DE10354936B4 (de) * 2003-09-30 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
JP2005142311A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
US20050110401A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Lin Jung K. Light emitting diode package structure
US7403680B2 (en) * 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US7329887B2 (en) * 2003-12-02 2008-02-12 3M Innovative Properties Company Solid state light device
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US20050116235A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
US7456805B2 (en) 2003-12-18 2008-11-25 3M Innovative Properties Company Display including a solid state light device and method using same
US7573072B2 (en) * 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
US7009285B2 (en) * 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
JP4516337B2 (ja) * 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
KR100605211B1 (ko) 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100605212B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
WO2005101445A1 (en) * 2004-04-15 2005-10-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrically controllable color conversion cell
FR2869159B1 (fr) * 2004-04-16 2006-06-16 Rhodia Chimie Sa Diode electroluminescente emettant une lumiere blanche
KR100777501B1 (ko) * 2004-04-27 2007-11-28 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
DE102005020695B4 (de) * 2004-04-30 2006-06-22 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US7781789B2 (en) * 2006-11-15 2010-08-24 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
US8860051B2 (en) 2006-11-15 2014-10-14 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US20100289043A1 (en) * 2006-11-15 2010-11-18 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led) through multiple extractors
US20080121918A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-29 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency sphere led
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
TWI308397B (en) * 2004-06-28 2009-04-01 Epistar Corp Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof
CN101032034A (zh) * 2004-06-30 2007-09-05 克里公司 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR101209488B1 (ko) * 2004-07-06 2012-12-07 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 효율적인, 녹색 발광 인광체 및 적색 발광 인광체와의 조합
TW200614548A (en) * 2004-07-09 2006-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
CN100530711C (zh) 2004-08-06 2009-08-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 高性能led灯系统
US20060044782A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Robin Hsu Light-storing safety device
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
JP2006086300A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Sanken Electric Co Ltd 保護素子を有する半導体発光装置及びその製造方法
KR100668609B1 (ko) * 2004-09-24 2007-01-16 엘지전자 주식회사 백색광원소자
US7745832B2 (en) * 2004-09-24 2010-06-29 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate
JP2006114637A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP4880892B2 (ja) 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
JP4534717B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-01 豊田合成株式会社 発光装置
US7772609B2 (en) 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US7670872B2 (en) 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
WO2006061747A2 (en) * 2004-12-07 2006-06-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
DE112005002889B4 (de) * 2004-12-14 2015-07-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben
AU2005319965B2 (en) * 2004-12-22 2011-02-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US20060138443A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Iii-N Technology, Inc. Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes
US20060139335A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 International Business Machines Corporation Assembly and device for a display having a perimeter touch guard seal
CA2592055A1 (en) 2004-12-27 2006-07-06 Quantum Paper, Inc. Addressable and printable emissive display
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
TWI303111B (en) * 2005-01-19 2008-11-11 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting diode device and manufacturing method thereof
TWM286903U (en) * 2005-01-25 2006-02-01 Shu-Shiung Guo Jewelry lamp
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
EP1694047B1 (de) * 2005-02-16 2020-03-18 X-Rite Switzerland GmbH Beleuchtungseinrichtung für ein Farbmessgerät
US20060189013A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 3M Innovative Properties Company Method of making LED encapsulant with undulating surface
WO2006095949A1 (en) 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
KR100799839B1 (ko) * 2005-03-30 2008-01-31 삼성전기주식회사 파장변환용 형광체 혼합물과 이를 이용한 백색 발광장치
KR101142519B1 (ko) * 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
US7474286B2 (en) * 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US7733310B2 (en) 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
US7791561B2 (en) 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
JP4816207B2 (ja) * 2005-04-01 2011-11-16 ソニー株式会社 情報処理システムおよび方法
US8000005B2 (en) 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US8089425B2 (en) 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
US7690167B2 (en) * 2005-04-28 2010-04-06 Antonic James P Structural support framing assembly
KR100704492B1 (ko) * 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
KR100666189B1 (ko) 2005-06-30 2007-01-09 서울반도체 주식회사 발광 소자
US8088302B2 (en) * 2005-05-24 2012-01-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
WO2006131924A2 (en) 2005-06-07 2006-12-14 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
DE102005038698A1 (de) 2005-07-08 2007-01-18 Tridonic Optoelectronics Gmbh Optoelektronische Bauelemente mit Haftvermittler
KR100670478B1 (ko) * 2005-07-26 2007-01-16 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP4907121B2 (ja) 2005-07-28 2012-03-28 昭和電工株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
EP1750309A3 (en) * 2005-08-03 2009-07-29 Samsung Electro-mechanics Co., Ltd Light emitting device having protection element
WO2007015542A1 (ja) * 2005-08-04 2007-02-08 Nichia Corporation 蛍光体及び発光装置
JPWO2007018098A1 (ja) * 2005-08-05 2009-02-19 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 発光ユニット
US7329907B2 (en) 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US7501753B2 (en) * 2005-08-31 2009-03-10 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US7765792B2 (en) 2005-10-21 2010-08-03 Honeywell International Inc. System for particulate matter sensor signal processing
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
JP4899433B2 (ja) * 2005-11-15 2012-03-21 三菱化学株式会社 蛍光体、並びにそれを用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
US7914173B2 (en) * 2005-11-17 2011-03-29 Koninlijke Philips Electronics N.V. Lamp assembly
US7926300B2 (en) 2005-11-18 2011-04-19 Cree, Inc. Adaptive adjustment of light output of solid state lighting panels
KR101361883B1 (ko) 2005-11-18 2014-02-12 크리 인코포레이티드 고상 발광 타일들
JP5249773B2 (ja) * 2005-11-18 2013-07-31 クリー インコーポレイテッド 可変電圧ブースト電流源を有する固体照明パネル
US8514210B2 (en) 2005-11-18 2013-08-20 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements
US7943946B2 (en) * 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US20070133204A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Ilight Technologies, Inc. Illumination device with hue transformation
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
TWI421438B (zh) 2005-12-21 2014-01-01 克里公司 照明裝置
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US20070145879A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Abramov Vladimir S Light emitting halogen-silicate photophosphor compositions and systems
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
DE102006001195A1 (de) 2006-01-10 2007-07-12 Sms Demag Ag Verfahren zum Gieß-Walzen mit erhöhter Gießgeschwindigkeit und daran anschließendem Warmwalzen von relativ dünnen Metall-,insbesondere Stahlwerkstoff-Strängen,und Gieß-Walz-Einrichtung
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
CN101473453B (zh) * 2006-01-20 2014-08-27 科锐公司 通过在空间上隔开荧光片转换固态光发射器内的光谱内容
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
KR101283182B1 (ko) 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2007231250A (ja) 2006-02-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
DE102006005042A1 (de) * 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
TWI317756B (en) * 2006-02-07 2009-12-01 Coretronic Corp Phosphor, fluorescent gel, and light emitting diode device
US20100164365A1 (en) * 2006-02-10 2010-07-01 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, method for producing same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display, and illuminating device
US7884816B2 (en) 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
US7928462B2 (en) 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
KR100746338B1 (ko) * 2006-02-20 2007-08-03 한국과학기술원 백색 발광장치용 형광체, 이의 제조방법 및 형광체를이용한 백색 발광장치
US20070210282A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Association Suisse Pour La Recherche Horlogere (Asrh) Phosphorescent compounds
EP1999232B1 (en) * 2006-03-16 2017-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd Fluorescent material and light emitting diode using the same
US7285791B2 (en) * 2006-03-24 2007-10-23 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same
CN100590173C (zh) 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
JP5032043B2 (ja) 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
CN101410993B (zh) * 2006-03-28 2011-04-13 京瓷株式会社 发光装置
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP5091421B2 (ja) * 2006-04-07 2012-12-05 株式会社東芝 半導体発光装置
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US8451401B2 (en) 2006-04-19 2013-05-28 Mitsubishi Chemical Corporation Color image display device
CN102800786B (zh) * 2006-04-24 2015-09-16 克利公司 发光二极管和显示元件
US20090114939A1 (en) * 2006-04-27 2009-05-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
KR101340682B1 (ko) 2006-05-05 2013-12-12 크리, 인코포레이티드 조명 장치
US7755282B2 (en) * 2006-05-12 2010-07-13 Edison Opto Corporation LED structure and fabricating method for the same
CN101077973B (zh) * 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
JP2009538536A (ja) 2006-05-26 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 固体発光デバイス、および、それを製造する方法
JP4973011B2 (ja) * 2006-05-31 2012-07-11 豊田合成株式会社 Ｌｅｄ装置
WO2007142947A2 (en) * 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
JP5451382B2 (ja) * 2006-06-02 2014-03-26 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 有色及び白色光を生成する照明装置
US7661840B1 (en) 2006-06-21 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Lighting device with illuminated front panel
KR100939936B1 (ko) * 2006-06-21 2010-02-04 대주전자재료 주식회사 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 형광체 및 그제조방법
KR101258229B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device
CN100590172C (zh) 2006-07-26 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种含硅的led荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
KR100887068B1 (ko) * 2006-08-04 2009-03-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법
JP5205724B2 (ja) * 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2008022552A1 (fr) * 2006-08-15 2008-02-28 Luming Science And Technology Group Co., Ltd. Matériau luminescent à base de silicate avec pic multi-émission, son procédé de fabrication et son utilisation dans un dispositif d'éclairage
EP3624560A1 (en) * 2006-08-23 2020-03-18 IDEAL Industries Lighting LLC Lighting device and lighting method
KR20080018620A (ko) * 2006-08-25 2008-02-28 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US20080123023A1 (en) * 2006-08-30 2008-05-29 Trung Doan White light unit, backlight unit and liquid crystal display device using the same
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7910938B2 (en) * 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
DE102007020782A1 (de) * 2006-09-27 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
WO2008042351A2 (en) 2006-10-02 2008-04-10 Illumitex, Inc. Led system and method
US7713442B2 (en) 2006-10-03 2010-05-11 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US9048400B2 (en) * 2006-10-12 2015-06-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device with a wavelength converting layer and method for manufacturing the same
KR20090082449A (ko) * 2006-10-31 2009-07-30 티아이알 테크놀로지 엘피 광원
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7648650B2 (en) * 2006-11-10 2010-01-19 Intematix Corporation Aluminum-silicate based orange-red phosphors with mixed divalent and trivalent cations
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
US7813400B2 (en) 2006-11-15 2010-10-12 Cree, Inc. Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same
US8045595B2 (en) * 2006-11-15 2011-10-25 Cree, Inc. Self aligned diode fabrication method and self aligned laser diode
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
KR100687417B1 (ko) * 2006-11-17 2007-02-27 엘지이노텍 주식회사 형광체의 제조방법
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
US9310026B2 (en) 2006-12-04 2016-04-12 Cree, Inc. Lighting assembly and lighting method
EP2095018A1 (en) 2006-12-04 2009-09-02 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
JP2010512662A (ja) 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 透明発光ダイオード
US8013506B2 (en) 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
US20080169746A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode
US8109656B1 (en) 2007-01-12 2012-02-07 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity
US7686478B1 (en) 2007-01-12 2010-03-30 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with color-converting insert
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8456388B2 (en) * 2007-02-14 2013-06-04 Cree, Inc. Systems and methods for split processor control in a solid state lighting panel
CN101247043B (zh) * 2007-02-15 2010-05-26 葳天科技股份有限公司 发光二极管电路组件
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
US7864381B2 (en) * 2007-03-20 2011-01-04 Xerox Corporation Document illuminator with LED-driven phosphor
US9525850B2 (en) 2007-03-20 2016-12-20 Prysm, Inc. Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems
DE102007016229A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
DE102007016228A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
JP5222600B2 (ja) 2007-04-05 2013-06-26 株式会社小糸製作所 蛍光体
US7697183B2 (en) 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
US20080290359A1 (en) * 2007-04-23 2008-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
EP1987762A1 (de) 2007-05-03 2008-11-05 F.Hoffmann-La Roche Ag Oximeter
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
WO2008144673A2 (en) 2007-05-17 2008-11-27 Spudnik, Inc. Multilayered screens with light-emitting stripes for scanning beam display systems
US7712917B2 (en) 2007-05-21 2010-05-11 Cree, Inc. Solid state lighting panels with limited color gamut and methods of limiting color gamut in solid state lighting panels
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8133768B2 (en) 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8889216B2 (en) 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8456393B2 (en) * 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US7682525B2 (en) * 2007-06-27 2010-03-23 National Central University Material composition for producing blue phosphor by excitation of UV light and method for making the same
US7878657B2 (en) 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US7682524B2 (en) * 2007-06-27 2010-03-23 National Central University Phosphor for producing white light under excitation of UV light and method for making the same
KR100919461B1 (ko) * 2007-07-09 2009-09-28 심현섭 색온도가 변환되는 조명기기용 광원장치
WO2009012287A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
WO2009011205A1 (ja) 2007-07-19 2009-01-22 Sharp Kabushiki Kaisha 発光装置
US7663315B1 (en) 2007-07-24 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity
JP4980427B2 (ja) 2007-07-27 2012-07-18 シャープ株式会社 照明装置および液晶表示装置
US20090033612A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Roberts John K Correction of temperature induced color drift in solid state lighting displays
TWI342628B (en) * 2007-08-02 2011-05-21 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US8829820B2 (en) * 2007-08-10 2014-09-09 Cree, Inc. Systems and methods for protecting display components from adverse operating conditions
RU2467051C2 (ru) 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
US20090050912A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light emitting diode and outdoor illumination device having the same
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US7968899B2 (en) * 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
WO2009028818A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
DE102007043355A1 (de) 2007-09-12 2009-03-19 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED Leuchte für die energie-effiziente Wiedergabe von weißem Licht
DE102007043904A1 (de) * 2007-09-14 2009-03-19 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leucht-Vorrichtung
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
DE102007043903A1 (de) * 2007-09-14 2009-03-26 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leucht-Vorrichtung
US8519437B2 (en) * 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
US8217568B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-10 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device using the light emitting element
DE102007049799A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US9012937B2 (en) * 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US20090108269A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Led Lighting Fixtures, Inc. Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US20120037886A1 (en) 2007-11-13 2012-02-16 Epistar Corporation Light-emitting diode device
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8119028B2 (en) 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US7923925B2 (en) * 2007-11-20 2011-04-12 Group Iv Semiconductor, Inc. Light emitting device with a stopper layer structure
US8866410B2 (en) * 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
JP2010074117A (ja) * 2007-12-07 2010-04-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8823630B2 (en) * 2007-12-18 2014-09-02 Cree, Inc. Systems and methods for providing color management control in a lighting panel
US8172447B2 (en) 2007-12-19 2012-05-08 Oree, Inc. Discrete lighting elements and planar assembly thereof
US20090161369A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Keren Regev Waveguide sheet and methods for manufacturing the same
CN101482247A (zh) * 2008-01-11 2009-07-15 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
US8337029B2 (en) * 2008-01-17 2012-12-25 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8040070B2 (en) 2008-01-23 2011-10-18 Cree, Inc. Frequency converted dimming signal generation
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
TWI362413B (en) * 2008-02-25 2012-04-21 Ind Tech Res Inst Borate phosphor and white light illumination device utilizing the same
JP5227613B2 (ja) * 2008-02-27 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
WO2009109974A2 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
KR100986359B1 (ko) * 2008-03-14 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
TWI361829B (en) * 2008-03-20 2012-04-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
JP5665160B2 (ja) * 2008-03-26 2015-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置および照明器具
DE102009018603B9 (de) 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US7888688B2 (en) * 2008-04-29 2011-02-15 Bridgelux, Inc. Thermal management for LED
DE102008021662A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED mit Mehrband-Leuchtstoffsystem
US9287469B2 (en) 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
TW201007091A (en) * 2008-05-08 2010-02-16 Lok F Gmbh Lamp device
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8242525B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-14 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and LED lighting devices using the same
DE202008018269U1 (de) 2008-05-29 2012-06-26 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
DE102008025864A1 (de) 2008-05-29 2009-12-03 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
US7766509B1 (en) * 2008-06-13 2010-08-03 Lumec Inc. Orientable lens for an LED fixture
KR101438826B1 (ko) 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
AU2009262174A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Mario W. Cardullo UV generated visible light source
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
DE102008031029B4 (de) * 2008-06-30 2012-10-31 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronisches Bauelement mit einer Schutzschaltung für eine lichtemittierende Vorrichtung
CN102106009B (zh) 2008-07-03 2013-07-24 三星电子株式会社 波长转换发光二极管芯片和具有该芯片的发光二极管装置
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
US8698193B2 (en) * 2008-07-29 2014-04-15 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and method for manufacturing the same
US8080827B2 (en) * 2008-07-31 2011-12-20 Bridgelux, Inc. Top contact LED thermal management
JP5284006B2 (ja) * 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US20120181919A1 (en) * 2008-08-27 2012-07-19 Osram Sylvania Inc. Luminescent Ceramic Composite Converter and Method of Making the Same
JP5101701B2 (ja) * 2008-08-29 2012-12-19 シャープ株式会社 バックライト装置およびそれを備えた表示装置
US7859190B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-28 Bridgelux, Inc. Phosphor layer arrangement for use with light emitting diodes
JP2010067903A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Toshiba Corp 発光素子
US8174100B2 (en) * 2008-09-22 2012-05-08 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source using a light-emitting diode
CN102171843B (zh) * 2008-09-26 2014-03-26 徐镇 具有光调变功能之半导体发光组件及其制造方法
JP2012504860A (ja) * 2008-10-01 2012-02-23 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光抽出の増加及び非黄色のオフ状態色のための封止材における粒子を含むｌｅｄ
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
WO2010055831A1 (ja) * 2008-11-13 2010-05-20 国立大学法人名古屋大学 半導体発光装置
JP2010129583A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Citizen Electronics Co Ltd 照明装置
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
DE102008062413A1 (de) 2008-12-17 2010-07-01 Poly-Tech Service Gmbh LED-basiertes Beleuchtungssystem
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
TWI380483B (en) * 2008-12-29 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Led device and method of packaging the same
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
TWI376043B (en) * 2009-01-23 2012-11-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device package structure and manufacturing method thereof
US8183575B2 (en) * 2009-01-26 2012-05-22 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for providing a patterned electrically conductive and optically transparent or semi-transparent layer over a lighting semiconductor device
KR20100093981A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛
US8952717B2 (en) * 2009-02-20 2015-02-10 Qmc Co., Ltd. LED chip testing device
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
CN101894901B (zh) 2009-04-08 2013-11-20 硅谷光擎 用于多个发光二极管的封装
KR101004713B1 (ko) * 2009-04-22 2011-01-04 주식회사 에피밸리 디스플레이의 디밍 제어방법
US8328406B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Oree, Inc. Low-profile illumination device
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8921876B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US20100315325A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Light source unit and display apparatus including the same
EP2446487B1 (en) * 2009-06-24 2016-07-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing luminescent substances with oxyorthosilicate luminophores
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
WO2010150202A2 (en) 2009-06-24 2010-12-29 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
EP2453163A4 (en) * 2009-07-06 2013-08-14 Sharp Kk LIGHTING DEVICE, DISPLAY DEVICE AND TELEVISION RECEIVER
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
DE102009036462B4 (de) * 2009-08-06 2016-10-27 Trw Automotive Electronics & Components Gmbh Abgleichen des Farbortes von Leuchten und beleuchteten Bedien- oder Anzeigeeinheiten in einer gemeinsamen Umgebung
JP2011040494A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
US8084780B2 (en) * 2009-08-13 2011-12-27 Semileds Optoelectronics Co. Smart integrated semiconductor light emitting system including light emitting diodes and application specific integrated circuits (ASIC)
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
TWI361216B (en) * 2009-09-01 2012-04-01 Ind Tech Res Inst Phosphors, fabricating method thereof, and light emitting device employing the same
TWI528604B (zh) * 2009-09-15 2016-04-01 無限科技全球公司 發光、光伏或其它電子裝置及系統
EP2480816A1 (en) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US8678618B2 (en) * 2009-09-25 2014-03-25 Toshiba Lighting & Technology Corporation Self-ballasted lamp having a light-transmissive member in contact with light emitting elements and lighting equipment incorporating the same
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
TWI403003B (zh) * 2009-10-02 2013-07-21 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體及其製造方法
DE202009016962U1 (de) 2009-10-13 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffmischungen
CN102575159B (zh) 2009-10-13 2015-05-27 默克专利有限公司 含有铕掺杂的原硅酸盐的磷光体混合物
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
KR20120083933A (ko) * 2009-12-04 2012-07-26 아나톨리 바실리예비치 비신야코프 고체 백색광원용 복합 발광 물질
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
US8604461B2 (en) * 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
TWI461626B (zh) * 2009-12-28 2014-11-21 Chi Mei Comm Systems Inc 光源裝置及具有該光源裝置之可攜式電子裝置
WO2011096837A1 (ru) * 2010-02-05 2011-08-11 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Способ создания светоизлучающей поверхности и осветительное устройство для реализации способа
JP5257622B2 (ja) * 2010-02-26 2013-08-07 東芝ライテック株式会社 電球形ランプおよび照明器具
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
CN102194970B (zh) * 2010-03-12 2014-06-25 四川新力光源股份有限公司 脉冲电流驱动的白光led照明装置
CN102192422B (zh) * 2010-03-12 2014-06-25 四川新力光源股份有限公司 白光led照明装置
DE112010005456T5 (de) 2010-03-16 2013-06-13 "Dis Plus" Ltd. Verfahren zur Lichtstromfarbregelung einer Weißleuchtdiode und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CN102844404A (zh) 2010-03-31 2012-12-26 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 磷光体和含有它的leds
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
KR101298406B1 (ko) * 2010-05-17 2013-08-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWI422073B (zh) * 2010-05-26 2014-01-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
DE102010030473A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
DE112010005700T5 (de) * 2010-06-25 2013-05-02 Society With Limited Liability "Dis Plus" LED-Leuchte
EP2402648A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. TL retrofit LED module outside sealed glass tube
DE102010026344A1 (de) * 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
US8835199B2 (en) * 2010-07-28 2014-09-16 GE Lighting Solutions, LLC Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration
CN103261785A (zh) * 2010-08-04 2013-08-21 迪斯普拉斯有限责任公司 发光装置
DE102010034322A1 (de) * 2010-08-14 2012-02-16 Litec-Lp Gmbh Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe
RU2444676C1 (ru) * 2010-08-16 2012-03-10 Владимир Семенович Абрамов Светодиодный источник излучения
US8568009B2 (en) * 2010-08-20 2013-10-29 Dicon Fiberoptics Inc. Compact high brightness LED aquarium light apparatus, using an extended point source LED array with light emitting diodes
US8523385B2 (en) 2010-08-20 2013-09-03 DiCon Fibêroptics Inc. Compact high brightness LED grow light apparatus, using an extended point source LED array with light emitting diodes
JP5127965B2 (ja) 2010-09-02 2013-01-23 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
KR20120024104A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
DE102010041236A1 (de) * 2010-09-23 2012-03-29 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102130254B (zh) * 2010-09-29 2015-03-11 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光装置及其制造方法
US8357553B2 (en) * 2010-10-08 2013-01-22 Guardian Industries Corp. Light source with hybrid coating, device including light source with hybrid coating, and/or methods of making the same
EP2447338B1 (en) * 2010-10-26 2012-09-26 Leuchtstoffwerk Breitungen GmbH Borophosphate phosphor and light source
US9024341B2 (en) * 2010-10-27 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Refractive index tuning of wafer level package LEDs
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
EA029315B1 (ru) * 2010-11-08 2018-03-30 Август Геннадьевич КРАСНОВ Светодиод-лампа, светодиод с нормированной яркостью, мощный чип для светодиода
JP5770205B2 (ja) * 2010-11-22 2015-08-26 宇部マテリアルズ株式会社 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置
DE102010055265A1 (de) * 2010-12-20 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2014503117A (ja) * 2010-12-29 2014-02-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 広帯域出力及び制御可能な色を有する遠隔蛍光体ｌｅｄデバイス
KR101719636B1 (ko) * 2011-01-28 2017-04-05 삼성전자 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
CN102130282A (zh) * 2011-02-12 2011-07-20 西安神光安瑞光电科技有限公司 白光led封装结构及封装方法
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US9085732B2 (en) 2011-03-11 2015-07-21 Intematix Corporation Millisecond decay phosphors for AC LED lighting applications
CN102683543B (zh) * 2011-03-15 2015-08-12 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
DE212012000015U1 (de) 2011-03-18 2013-08-05 Merck Patent Gmbh Silicat-Leuchtstoffe
DE102011016567B4 (de) * 2011-04-08 2023-05-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes Bauelement
US8596815B2 (en) 2011-04-15 2013-12-03 Dicon Fiberoptics Inc. Multiple wavelength LED array illuminator for fluorescence microscopy
US8979316B2 (en) 2011-05-11 2015-03-17 Dicon Fiberoptics Inc. Zoom spotlight using LED array
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
KR101793518B1 (ko) * 2011-05-19 2017-11-03 삼성전자주식회사 적색 형광체 및 이를 포함하는 발광장치
US8986842B2 (en) 2011-05-24 2015-03-24 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Color conversion films comprising polymer-substituted organic fluorescent dyes
JP5863291B2 (ja) * 2011-06-28 2016-02-16 株式会社小糸製作所 平面発光モジュール
JP5772292B2 (ja) * 2011-06-28 2015-09-02 セイコーエプソン株式会社 生体センサーおよび生体情報検出装置
TWM418399U (en) * 2011-07-04 2011-12-11 Azurewave Technologies Inc Upright Stacked Light-emitting 2 LED structure
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
DE102011107893A1 (de) * 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Optoelektronisches Modul mit verbesserter Optik
US10490712B2 (en) 2011-07-21 2019-11-26 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
KR101772588B1 (ko) 2011-08-22 2017-09-13 한국전자통신연구원 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 ｍｉｔ 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치
JP5634352B2 (ja) 2011-08-24 2014-12-03 株式会社東芝 蛍光体、発光装置および蛍光体の製造方法
US8410508B1 (en) * 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
CN103000794B (zh) * 2011-09-14 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
JP5533827B2 (ja) * 2011-09-20 2014-06-25 豊田合成株式会社 線状光源装置
JP5236843B1 (ja) 2011-10-11 2013-07-17 パナソニック株式会社 発光装置およびこれを用いた照明装置
US20140347601A1 (en) * 2011-10-28 2014-11-27 Gary Gibson Luminescent layer with up-converting luminophores
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
JP2013110154A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Sanken Electric Co Ltd 発光装置
KR101323246B1 (ko) * 2011-11-21 2013-10-30 헤레우스 머티어리얼즈 테크놀로지 게엠베하 운트 코 카게 반도체 소자용 본딩 와이어, 그 제조방법, 반도체 소자용 본딩 와이어를 포함하는 발광다이오드 패키지
US9863605B2 (en) 2011-11-23 2018-01-09 Quarkstar Llc Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light
KR101894040B1 (ko) * 2011-12-06 2018-10-05 서울반도체 주식회사 엘이디 조명장치
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
RU2503884C2 (ru) * 2011-12-15 2014-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Система стационарного освещения и светоизлучающее устройство для этой системы
RU2502917C2 (ru) * 2011-12-30 2013-12-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером
US20130178001A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Wen-Lung Chin Method for Making LED LAMP
WO2013112542A1 (en) * 2012-01-25 2013-08-01 Intematix Corporation Long decay phosphors for lighting applications
US8801213B2 (en) * 2012-01-26 2014-08-12 Panasonic Corporation Lighting device having first and second organic electroluminescence element modules
CN103242839B (zh) * 2012-02-08 2015-06-10 威士玻尔光电(苏州)有限公司 蓝光激发黄绿色铝酸盐荧光粉生产方法
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) * 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
JP2015510954A (ja) 2012-03-06 2015-04-13 日東電工株式会社 発光デバイス用のセラミック体
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
RU2639565C2 (ru) 2012-03-30 2017-12-21 Люмиледс Холдинг Б.В. Светоизлучающий прибор с преобразующим длину волны боковым покрытием
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US9546319B2 (en) * 2012-05-22 2017-01-17 Koninklijke Philips N.V. Phosphors, such as new narrow-band red emitting phosphors for solid state lighting
CN102664230A (zh) * 2012-05-29 2012-09-12 邓崛 Led发光装置及其制造方法
CN103453333A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 致茂电子(苏州)有限公司 具有连续光谱的发光二极管光源
CN103511871A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯具
US9857519B2 (en) 2012-07-03 2018-01-02 Oree Advanced Illumination Solutions Ltd. Planar remote phosphor illumination apparatus
CN102757784B (zh) * 2012-07-20 2014-05-07 江苏博睿光电有限公司 一种硅酸盐红色荧光粉及其制备方法
JP5578739B2 (ja) 2012-07-30 2014-08-27 住友金属鉱山株式会社 アルカリ土類金属シリケート蛍光体及びその製造方法
US9305439B2 (en) * 2012-10-25 2016-04-05 Google Inc. Configurable indicator on computing device
CN103837945A (zh) * 2012-11-28 2014-06-04 浜松光子学株式会社 单芯光收发器
RU2628014C2 (ru) * 2012-12-06 2017-08-17 Евгений Михайлович Силкин Световой прибор
TWI578573B (zh) * 2013-01-28 2017-04-11 Harvatek Corp A plurality of blue light emitting diodes in white light
US9133990B2 (en) 2013-01-31 2015-09-15 Dicon Fiberoptics Inc. LED illuminator apparatus, using multiple luminescent materials dispensed onto an array of LEDs, for improved color rendering, color mixing, and color temperature control
US9235039B2 (en) 2013-02-15 2016-01-12 Dicon Fiberoptics Inc. Broad-spectrum illuminator for microscopy applications, using the emissions of luminescent materials
JP2014160772A (ja) * 2013-02-20 2014-09-04 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
CN103203470B (zh) * 2013-05-13 2015-04-01 兰州理工大学 镍基荧光粒子功能指示复合涂层及其制备方法
JP5861047B2 (ja) * 2013-05-14 2016-02-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体および当該蛍光体を用いた発光装置、ならびに当該発光装置を備える投影装置および車両
KR102096053B1 (ko) * 2013-07-25 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
JP6368357B2 (ja) * 2013-09-26 2018-08-01 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 固体照明用のニトリドアルモシリケート蛍光体
JP6323020B2 (ja) * 2014-01-20 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
KR20150122360A (ko) * 2014-04-23 2015-11-02 (주)라이타이저코리아 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
EP3149108B1 (en) 2014-09-11 2017-12-20 Philips Lighting Holding B.V. Pc-led module with enhanced white rendering and conversion efficiency
JP6563495B2 (ja) 2014-11-26 2019-08-21 エルイーディエンジン・インコーポレーテッド 穏やかな調光及び色調整可能なランプ用のコンパクトなｌｅｄエミッタ
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
CN107406766B (zh) 2015-03-24 2024-03-22 亮锐控股有限公司 具有蓝色颜料的蓝色发射磷光体转换led
DE202015103126U1 (de) * 2015-06-15 2016-09-19 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul
US9735323B2 (en) * 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
CN105087003B (zh) * 2015-09-02 2017-05-17 中国科学院长春应用化学研究所 一种橙黄光led荧光粉、其制备方法及其应用
US9478587B1 (en) 2015-12-22 2016-10-25 Dicon Fiberoptics Inc. Multi-layer circuit board for mounting multi-color LED chips into a uniform light emitter
WO2017121833A1 (en) 2016-01-14 2017-07-20 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2'-biphenoxy bridges
RU2639554C2 (ru) * 2016-03-01 2017-12-21 Николай Евгеньевич Староверов Герметичный светодиодный кластер повышенной эффективности (варианты)
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
FR3053757B1 (fr) * 2016-07-05 2020-07-17 Valeo Vision Dispositif d'eclairage et/ou de signalisation pour vehicule automobile
DE102016116439A1 (de) * 2016-09-02 2018-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit einem Gehäuse mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement
CN109803969B (zh) 2016-10-06 2022-08-05 巴斯夫欧洲公司 2-苯基苯氧基取代的苝双酰亚胺化合物及其用途
JP6932910B2 (ja) 2016-10-27 2021-09-08 船井電機株式会社 表示装置
KR101831899B1 (ko) * 2016-11-02 2018-02-26 에스케이씨 주식회사 다층 광학 필름 및 이를 포함하는 표시장치
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
JP6940764B2 (ja) 2017-09-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN108063176A (zh) * 2017-10-30 2018-05-22 东莞市豪顺精密科技有限公司 一种蓝光led灯及其制造工艺和应用
JP6645488B2 (ja) * 2017-11-09 2020-02-14 信越半導体株式会社 半導体型蛍光体
KR102428755B1 (ko) * 2017-11-24 2022-08-02 엘지디스플레이 주식회사 파장 변환이 가능한 광섬유 및 이를 사용하는 백라이트 유닛
JP7297756B2 (ja) 2017-12-19 2023-06-26 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア シアノアリール置換ベンゾ（チオ）キサンテン化合物
CN108198809B (zh) * 2018-01-02 2020-01-07 广东纬达斯电器有限公司 一种led照明装置
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
KR20200132946A (ko) 2018-03-20 2020-11-25 바스프 에스이 황색 광 방출 장치
US10816939B1 (en) 2018-05-07 2020-10-27 Zane Coleman Method of illuminating an environment using an angularly varying light emitting device and an imager
US11184967B2 (en) 2018-05-07 2021-11-23 Zane Coleman Angularly varying light emitting device with an imager
KR102372498B1 (ko) * 2018-12-17 2022-03-10 박신애 발광장치를 구비하는 조립식 화장실용 패널
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
KR20220030989A (ko) * 2019-06-28 2022-03-11 덴카 주식회사 형광체 플레이트 및 그것을 사용한 발광 장치
US11561338B2 (en) 2019-09-30 2023-01-24 Nichia Corporation Light-emitting module
US11112555B2 (en) 2019-09-30 2021-09-07 Nichia Corporation Light-emitting module with a plurality of light guide plates and a gap therein
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
EP4293732A1 (en) 2022-01-20 2023-12-20 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light-emitting device, lighting device, image display device, and indicator lamp for vehicles
KR102599819B1 (ko) 2022-01-20 2023-11-08 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54119381A (en) * 1978-03-08 1979-09-17 Mitsubishi Electric Corp Phosphor
JPS6013882A (ja) * 1983-07-05 1985-01-24 Matsushita Electronics Corp 螢光体
JPS62277488A (ja) * 1986-05-27 1987-12-02 Toshiba Corp 緑色発光螢光体
JPH05343034A (ja) * 1992-01-07 1993-12-24 Philips Gloeilampenfab:Nv 低圧水銀放電灯
JPH10188649A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Kasei Optonix Co Ltd 蓄光性発光素子
WO2000033389A1 (en) * 1998-11-30 2000-06-08 General Electric Company Light emitting device with phosphor having high luminous efficacy
JP2000244021A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Agilent Technol Inc 赤の不足を補償する蛍光体を使用したｌｅｄ
JP2004501512A (ja) * 2000-05-15 2004-01-15 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ Ｌｅｄ素子用の白色発光蛍光体ブレンド
JP2004505470A (ja) * 2000-07-28 2004-02-19 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト　フユール　エレクトリツシエ　グリユーラムペン　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB544160A (en) * 1940-08-27 1942-03-31 Gen Electric Co Ltd Improvements in luminescent materials
US3505240A (en) * 1966-12-30 1970-04-07 Sylvania Electric Prod Phosphors and their preparation
US4088923A (en) * 1974-03-15 1978-05-09 U.S. Philips Corporation Fluorescent lamp with superimposed luminescent layers
JPS5241484A (en) * 1975-09-25 1977-03-31 Gen Electric Fluorescent lamp structure using two kinds of phospher
JPS57160381A (en) * 1981-03-25 1982-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Speed controlling device of direct current motor
JPS59226088A (ja) 1983-06-07 1984-12-19 Toshiba Corp 緑色発光螢光体
US4661419A (en) * 1984-07-31 1987-04-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor and radiation image storage panel containing the same
JPS6244792A (ja) 1985-08-22 1987-02-26 三菱電機株式会社 Ｃｒｔデイスプレイ装置
US5226053A (en) * 1991-12-27 1993-07-06 At&T Bell Laboratories Light emitting diode
JP3215722B2 (ja) * 1992-08-14 2001-10-09 エヌイーシー三菱電機ビジュアルシステムズ株式会社 計測波形判定方法
US6013199A (en) * 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
DE19629920B4 (de) * 1995-08-10 2006-02-02 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor
JP3209096B2 (ja) * 1996-05-21 2001-09-17 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
JP3164016B2 (ja) * 1996-05-31 2001-05-08 住友電気工業株式会社 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE29724848U1 (de) * 1996-06-26 2004-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH1056236A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体レーザ素子
JP3065258B2 (ja) 1996-09-30 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた表示装置
JP3706452B2 (ja) * 1996-12-24 2005-10-12 ローム株式会社 半導体発光素子
CN1297016C (zh) 1997-01-09 2007-01-24 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元器件
KR100491482B1 (ko) * 1997-01-09 2005-05-27 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물반도체소자
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
WO1998039805A1 (de) * 1997-03-03 1998-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
JP3246386B2 (ja) 1997-03-05 2002-01-15 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
DE19730006A1 (de) * 1997-07-12 1999-01-14 Walter Dipl Chem Dr Rer N Tews Kompakte Energiesparlampe mit verbesserter Farbwiedergabe
US5847507A (en) † 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JP3257455B2 (ja) 1997-07-17 2002-02-18 松下電器産業株式会社 発光装置
US5982092A (en) * 1997-10-06 1999-11-09 Chen; Hsing Light Emitting Diode planar light source with blue light or ultraviolet ray-emitting luminescent crystal with optional UV filter
US6267911B1 (en) * 1997-11-07 2001-07-31 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Phosphors with long-persistent green phosphorescence
JP3627478B2 (ja) * 1997-11-25 2005-03-09 松下電工株式会社 光源装置
CN1086727C (zh) * 1998-01-14 2002-06-26 中日合资无锡帕克斯装饰制品有限公司 细颗粒蓄光性荧光粉及其制备方法
JP2924961B1 (ja) 1998-01-16 1999-07-26 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製法
JP3612985B2 (ja) * 1998-02-02 2005-01-26 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
DE19806213B4 (de) 1998-02-16 2005-12-01 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Kompakte Energiesparlampe
JPH11233832A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオードの形成方法
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6046465A (en) * 1998-04-17 2000-04-04 Hewlett-Packard Company Buried reflectors for light emitters in epitaxial material and method for producing same
JPH11354848A (ja) 1998-06-10 1999-12-24 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP2907286B1 (ja) * 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
JP2000029696A (ja) 1998-07-08 2000-01-28 Sony Corp プロセッサおよびパイプライン処理制御方法
JP3486345B2 (ja) * 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
TW473429B (en) * 1998-07-22 2002-01-21 Novartis Ag Method for marking a laminated film material
JP3584163B2 (ja) * 1998-07-27 2004-11-04 サンケン電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
KR100702273B1 (ko) * 1998-09-28 2007-03-30 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 조명 시스템
US6153894A (en) * 1998-11-12 2000-11-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device
JP2000150966A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP3708730B2 (ja) 1998-12-01 2005-10-19 三菱電線工業株式会社 発光装置
US6656608B1 (en) * 1998-12-25 2003-12-02 Konica Corporation Electroluminescent material, electroluminescent element and color conversion filter
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2000248280A (ja) 1999-02-26 2000-09-12 Yoshitaka Tateiwa 粗骨材の製造に関する土壌改良材及び製造する方法
JP3349111B2 (ja) 1999-03-15 2002-11-20 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
EP1167872A4 (en) 1999-03-29 2002-07-31 Rohm Co Ltd PLANE LIGHT SOURCE
JP2000284280A (ja) 1999-03-29 2000-10-13 Rohm Co Ltd 面状光源
JP2000349345A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP3337000B2 (ja) 1999-06-07 2002-10-21 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP2000345152A (ja) * 1999-06-07 2000-12-12 Nichia Chem Ind Ltd 黄色発光残光性フォトルミネッセンス蛍光体
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
JP2001217461A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合発光素子
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP2003282744A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Seiko Epson Corp 不揮発性記憶装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54119381A (en) * 1978-03-08 1979-09-17 Mitsubishi Electric Corp Phosphor
JPS6013882A (ja) * 1983-07-05 1985-01-24 Matsushita Electronics Corp 螢光体
JPS62277488A (ja) * 1986-05-27 1987-12-02 Toshiba Corp 緑色発光螢光体
JPH05343034A (ja) * 1992-01-07 1993-12-24 Philips Gloeilampenfab:Nv 低圧水銀放電灯
JPH10188649A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Kasei Optonix Co Ltd 蓄光性発光素子
WO2000033389A1 (en) * 1998-11-30 2000-06-08 General Electric Company Light emitting device with phosphor having high luminous efficacy
JP2000244021A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Agilent Technol Inc 赤の不足を補償する蛍光体を使用したｌｅｄ
JP2004501512A (ja) * 2000-05-15 2004-01-15 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ Ｌｅｄ素子用の白色発光蛍光体ブレンド
JP2004505470A (ja) * 2000-07-28 2004-02-19 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト　フユール　エレクトリツシエ　グリユーラムペン　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
EP1347517A4 (en) 2009-01-14
RU2003123094A (ru) 2005-02-20
JP2007189239A (ja) 2007-07-26
EP1352431A1 (de) 2003-10-15
WO2002054503A1 (fr) 2002-07-11
JP2004516688A (ja) 2004-06-03
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US20040051111A1 (en) 2004-03-18
ES2345534T3 (es) 2010-09-27
KR20030074641A (ko) 2003-09-19
TWI297723B (en) 2008-06-11
EP1352431B1 (de) 2010-04-21
KR100532638B1 (ko) 2005-12-01
US20050082574A1 (en) 2005-04-21
DE50115448D1 (de) 2010-06-02
CN1291503C (zh) 2006-12-20
EP2544247B1 (de) 2014-06-25
US20060267031A1 (en) 2006-11-30
ATE465518T1 (de) 2010-05-15
CN1483224A (zh) 2004-03-17
DE20122878U1 (de) 2010-04-08
EP1347517A1 (en) 2003-09-24
EP2006924B1 (de) 2014-01-22
KR100867788B1 (ko) 2008-11-10
WO2002054502A1 (de) 2002-07-11
EP2357678A1 (de) 2011-08-17
JP2011105951A (ja) 2011-06-02
JP4783306B2 (ja) 2011-09-28
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ATA21542000A (de) 2002-07-15
JP5519552B2 (ja) 2014-06-11
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US6809347B2 (en) 2004-10-26
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US7679101B2 (en) 2010-03-16
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JP2006319371A (ja) 2006-11-24
US6943380B2 (en) 2005-09-13
US20040090174A1 (en) 2004-05-13
EP2357678B1 (de) 2013-08-28
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KR20070013339A (ko) 2007-01-30
JP4045189B2 (ja) 2008-02-13
CN1502137A (zh) 2004-06-02
US7259396B2 (en) 2007-08-21
ES2437131T3 (es) 2014-01-09
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