KR20040074136A - 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 - Google Patents

유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040074136A
KR20040074136A KR10-2004-7011648A KR20047011648A KR20040074136A KR 20040074136 A KR20040074136 A KR 20040074136A KR 20047011648 A KR20047011648 A KR 20047011648A KR 20040074136 A KR20040074136 A KR 20040074136A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
organic
emitting layer
layer
manufacturing
Prior art date
Application number
KR10-2004-7011648A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100498852B1 (ko
Inventor
미야시타사토루
기구찌히로시
시모다타쯔야
칸베사다오
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 엡슨 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Publication of KR20040074136A publication Critical patent/KR20040074136A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100498852B1 publication Critical patent/KR100498852B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
    • Y10T428/24868—Translucent outer layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers

Abstract

본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법은 투명 기판(804) 상에 화소 전극(801, 802, 803)을 형성하는 공정과, 화소 전극 상에 유기 화합물로 이루어진 발광층(806, 807, 808)을 잉크젯 방식으로 패턴 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 간편하게 단시간에 정밀도가 높은 패터닝을 행하는 것이 가능하고, 막의 설계 및 발광 특성의 최적화를 간단하게 행할 수 있으며, 더욱이 발광 효율의 조정이 용이하다.

Description

유기 ＥＬ 소자의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC EL ELEMENT}
본 발명은 유기 EL 소자(organic electroluminescent element)의 제조 방법, 유기 EL 소자 및 유기 EL 표시 장치에 관한 것이다.
유기 EL 소자는 형광성 유기 화합물을 함유하는 박막을, 음극과 양극사이에 끼운 구성을 갖고, 상기 박막에 전자 및 정공(hole)을 주입하여 재결합시켜 여기자(exciton)를 생성시키고, 그 여기자가 실활(失活)할 때 광의 방출(형광·인광)을 이용하여 발광하는 소자이다.
이 유기 EL 소자의 특징은 10V 이하의 저전압에서 100~100,000cd/㎡ 정도의고휘도의 면발광이 가능하며, 또한 형광 물질의 종류를 선택함에 따라 청색으로부터 적색까지의 발광이 가능한 것이다.
유기 EL 소자는 저가의 대면적의 풀 컬러 표시 장치(full color display)를 실현하기 위한 것으로서 주목받고 있다(1989년 발간된 전자 정보 통신 학회 기술보고, 제98권, 제106호, 49페이지 참조). 이 보고에 의하면, 강한 형광을 발하는 유기 발광 재료를 발광층으로 사용하여, 청, 녹, 적색의 밝은 발광을 얻고 있다. 이는, 박막 형태로 강한 형광을 발하며, 핀홀 결함이 적은 유기색소를 사용함으로써 고휘도의 풀 컬러 표시를 실현할 수 있는 것이라고 생각된다.
더욱이, 일본 특허공개 평5-78655호 공보에는 발광 재료가 유기 전하 재료와 유기 발광 재료의 혼합물로 이루어진 유기 발광층을 설치하고, 이에 따라 농도소광(濃度消光)을 방지하여 고휘도의 풀 컬러 소자를 얻는 동시에 발광 재료의 선택 폭이 확대되는 것이 제안되어 있다.
또한, App1. Phys. Lett., 64(1994) p.815에는, 폴리비닐카바졸(PVK)을 발광 재료로 이용하고, 여기에 3원색 R, G 및 B에 상당하는 색소를 도핑(doping)함으로써, 백색 발광을 얻는다고 보고되어 있다. 그러나, 어떤 경우에도 실제의 풀 컬러 표시 패널의 구성 또는 제조 방법에 대해서는 개시되어 있지 않다.
전술된 유기 발광 재료를 이용한 유기 박막 EL 소자는 풀 컬러 표시 장치를 실현하기 위해 3원색을 발광하는 각 유기 발광층을 화소마다 배치할 필요가 있다. 그러나, 유기 발광층을 형성하는 폴리머 또는 전구체(precursor)가 포토리소그래피등의 패터닝 공정에 대하여 내성이 없고, 정밀도가 양호한 패터닝을 행하는 것이 매우 곤란하다는 문제점이 있었다.
또한, 진공 증착법에 의한 수개의 유기층을 형성하는 경우에는, 장시간을 요구하기 때문에, 효율적인 소자의 제조 방법이라 말할 수 없었다.
본 발명의 목적은, 간편하고 정밀도가 높은 패터닝을 행할 수 있는 동시에, 막 설계의 최적화를 간단하게 행할 수 있으며, 또한 발광 특성이 우수한 유기 EL 소자의 제조 방법, 유기 EL 소자 및 유기 EL 표시 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제1 실시예를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제2 실시예를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제3 실시예를 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제4 실시예를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제5 실시예를 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명의 유기 EL 소자의 일례를 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명의 유기 EL 소자를 이용한 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도.
도 8은 본 발명의 유기 EL 소자를 이용한 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도.
도 9는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 일례를 나타낸 단면도.
도 10은 본 발명의 유기 EL 소자의 제조에 이용되는 잉크젯용 프린터 헤드의 구성예를 나타낸 평면 사시도.
도 11은 본 발명의 유기 EL 소자의 제조에 이용되는 잉크젯용 프린터 헤드의 노즐부분의 단면도.
도 12는 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 다른 실시예를 나타낸 단면도.
도 13은 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 개략적 부분 단면도.
도 14는 전극에 인가되는 전압의 구동 파형의 일례를 나타낸 도면.
도 15는 본 발명의 유기 EL 소자의 다른 일례를 나타낸 부분 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101, 102, 103 : 투명 화소 전극
104 : 글래스 기판
105 : 격벽
106, 107, 108 : 발광층
109 : 잉크젯 프린트 장치
이러한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조 방법은, 투명 기판 상에 화소 전극을 형성하는 공정과, 상기 화소 전극 상에 유기 화합물로 이루어진 적어도 1색의 발광층을 패터닝 형성하는 공정과, 상기 화소 전극에 대향하는 음극을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 발광층의 형성을 잉크젯(inkjet) 방식에 의해 행하는 것을 특징으로 한다.
상기 유기 화합물은 고분자 유기 화합물인 것이 바람직하다. 이 경우, 고분자 유기 화합물은 정공 주입 수송형 재료인 것이 바람직하다. 이러한 상기 고분자 유기 화합물은 폴리파라페닐렌 비닐렌 및 그것의 유도체, 또는 그들 중 적어도 하나를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다.
더욱이, 상기 고분자 유기 화합물과 같이 유기 발광 재료 자신이 정공 주입 수송형 재료가 아닌 경우에는 발광층 중에 발광 재료와는 별도로 정공 주입 수송형 재료를 첨가하는 것도 가능하다.
상기 발광층은 3색으로서, 상기 3색의 상기 발광층 중 적어도 2색을 잉크젯 방식으로 패턴 형성하는 것이 바람직하다. 상기 3색은 적색, 녹색 및 청색으로서, 그들 중 적색 발광층과 녹색 발광층을 각각 잉크젯 방식으로 패턴 형성하는 것이 바람직하며, 이 경우 상기 청색 발광층은 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 청색 발광층은 전자 주입 수송형 재료로 이루어지는 것이 바람직하고, 예를 들면 알루미늄 퀴놀리놀 복합체(aluminum quinolynol complex)로 이루어진 것을 들 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법에서는, 적어도 1색의 상기 발광층과 정공 주입 수송층을 적층하는 것이 바람직하며, 또한 상기 음극 상에 보호막을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법에서는, 상기 투명 기판은 각 화소를 구동시키기 위한 박막 트랜지스터를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 화소 전극은 투명 화소 전극인 것이 바람직하다.
더욱이, 본 발명의 유기 EL 소자는, 투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 형성된 화소 전극과, 상기 화소 전극 상에 잉크젯 방식으로 패턴 형성된 유기 화합물로 만들어진 적어도 1색의 발광층과, 상기 발광층 상에 형성된 음극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 유기 화합물은 고분자 유기 화합물인 것이 바람직하며, 상기 고분자 유기 화합물은 정공 주입 수송형 재료인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 고분자 유기 화합물은 폴리파라페닐렌 비닐렌 및 그 유도체, 또는 그들 중 적어도 하나를 갖는 공중합체인 것이 바람직하다. 상기 발광층은 3색으로서, 상기 3색의 상기 발광층 중 적어도 2색은 잉크젯 방식으로 패턴 형성되는 것이 바람직하며, 상기 3색은 적색, 녹색, 청색으로서, 그들 중 적색 발광층과 녹색 발광층은 각각 잉크젯 방식으로 패턴 형성되는 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 상기 청색 발광층은 진공 증착법에 의해 형성되는 것이 보다 바람직하다.
상기 청색 발광층은 전자 주입 수송형 재료로 이루어진 것이 바람직하다. 이에 따라, 청색 발광층으로서는 알루미늄 퀴놀리놀 복합체를 포함하는 것을 들 수 있다.
또한, 적어도 1색의 상기 발광층과 정공 주입 수송층이 적층된 것이 바람직하며, 상기 음극 상에는 보호막이 형성되는 것이 보다 바람직하다.
더욱이, 상기 화소 전극은 투명 화소 전극인 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 상술된 유기 EL 소자를 갖는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법, 및 유기 EL 소자를 첨부도면에 나타낸 바람직한 실시예를 기준으로 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제1 실시예를 나타낸다. 도 1에서는 3색의 풀 컬러 유기 EL 소자의 제조 방법을 나타내고 있다. 도면에 나타낸 바와 같이, 투명 기판(104) 상에 화소 전극(101, 102, 103)을 형성하는 공정과, 상기 각 화소 전극 상에 유기 화합물로 이루어진 발광층(106, 107)을 패턴 형성하는 공정과, 음극(113)을 형성하는 공정을 갖는 유기 EL 소자의 제조 방법에 있어서, 발광층의 형성을 잉크젯 방식으로 행하는 것을 특징으로 한다.
투명 기판(104)은, 지지체임과 동시에 광을 추출하는 면으로서 기능한다. 따라서, 투명 기판(104)은 광의 투과 특성 및 열적 안정성 등을 고려하여 선택된다. 투명 기판 재료로는, 예를 들면 글래스 기판, 투명 플라스틱 등이 사용될 수 있으며, 내열성이 우수하다는 측면에서 글래스 기판이 바람직하다.
먼저, 투명 기판(104) 상에, 화소 전극(101, 102, 103)을 형성한다. 형성방법으로서는, 예를 들면 포토리소그래피, 진공 증착법, 스퍼터링법, 피로졸법 등을 들 수 있지만, 포토리소그래피에 의한 것이 바람직하다. 화소 전극으로서는 투명 화소 전극이 바람직하며, 투명 화소 전극을 구성하는 재료로는 산화주석막, ITO막, 산화인듐과 산화아연의 복합 산화물 등을 들 수 있다.
다음으로, 격벽(bank)(105)을 형성하고, 상기 각 투명 화소 전극사이를 매립한다.
이에 따라, 콘트라스트(contrast)의 향상, 발광 재료의 혼색의 방지, 화소와 화소사이로부터의 광의 누설 등을 방지할 수 있다.
격벽(105)을 구성하는 재료로는, EL 재료의 용매에 대해 내구성을 갖는 것이면 특히 한정되지 않고, 예를 들면 아크릴 수지, 에폭시 수지, 감광성 폴리이미드 등의 유기 재료, 액상 글래스 등의 무기 재료 등을 들 수 있다. 또한, 격벽(105)은 상기 재료에 카본블랙 등을 혼입하여 블랙 레지스트로 해도 된다.
이 격벽(105)의 형성 방법으로서는, 예를 들면 포토리소그래피 등을 들 수 있다.
더욱이, 각 화소 전극 상에 소정의 패턴으로 유기 발광층을 형성한다. 유기 발광층은 3색 설치하는 것이 바람직하며, 이 중 적어도 1색을 잉크젯 방식으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 1의 실시예에서는, 화소 전극(101, 102) 상에 각각 잉크젯 방식으로 적색 발광층(106) 및 녹색 발광층(107)을 형성한다.
여기서, 잉크젯 방식이란, 발광 재료를 용매에 용해 또는 분산시켜 토출액으로서 잉크젯 프린트 장치(109)의 헤드(110)로부터 토출시키고, 적색, 녹색, 청색과 같은 3원색 또는 그것의 중간색 중 적어도 1색의 화소를 형성하는 것이다.
이러한 잉크젯 방식에 따르면, 미세한 패턴을 간편하게 단시간에 행할 수 있다. 또한, 토출량의 증감에 따른 막 두께의 조정, 또는 잉크의 농도 조정에 따른 발색 밸런스, 휘도 등의 발광능을 용이하고 자유롭게 제어할 수 있다.
또한, 유기 발광 재료가 후술하는 공역(共役) 고분자 전구체인 경우에는, 잉크젯 방식에 의해 각 발광 재료를 토출하여 패터닝한 후, 가열 또는 광조사 등에 의해 전구체 성분을 공역화(성막)하여 발광층을 형성한다.
이어서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 청색 발광층(108)을 적색 발광층(106), 녹색 발광층(107) 및 화소 전극(103) 상에 형성한다. 이 경우, 적, 녹 청색의 3원색을 형성함은 물론, 적색 발광층(106) 및 녹색 발광층(107)과 격벽(105)의 단차를 매립하여 평탄화할 수 있다.
이러한 청색 발광층(108)의 형성방법으로는 특히 제한되지 않지만, 예를 들면 증착법, 습식법으로서 일반적인 성막법 또는 잉크젯법으로도 형성 가능하다.
또한, 청색 발광층(108)은, 예를 들면 알루미늄 퀴놀리놀 복합체와 같은 전자 주입 수송형 재료로 구성할 수 있다. 이 경우에는 캐리어의 주입 및 수송을 촉진하며, 발광효율을 향상시킬 수 있다. 더욱이 후술하는 정공 주입 수송 재료로 이루어진 층과 적층함으로써, 전극으로부터의 전자와 정공을 밸런스가 적절하게 발광층 중에 주입·수송할 수 있어 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 것이다.
더욱이, 정공 주입 수송형 재료 등과 적층하는 경우, 정공 주입 수송과 전자 주입 수송을 각각 다른 재료로 나누어 갖게 할 수 있기 때문에, 각각에 재료의 최적설계가 가능하게 된다. 또한 전자 주입 수송층의 형성방법으로는 특히 제한되지 않지만, 예를 들면 증착법, 습식법으로서 일반적인 성막법 또는 잉크젯법으로도 형성가능하다.
또한, 전자 주입 수송층을 형성할 수 있는 유기 화합물로는, PBD, OXD-8 등의 옥사디아졸 유도체, DSA, 알루미늄 퀴놀리놀 복합체, Bebq, 트리아졸 유도체, 아조메틴 복합체, 포르핀 복합체, 벤조옥사디아졸 복합체 등을 들 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 적층시켜 전자 주입 수송층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 유기 화합물에 후술하는 형광 색소를 도핑하여 전자 주입 수송층을 형성해도 된다. 더욱이, 상기 전자 주입 수송층이 발광기능을 갖는 것이어도 된다.
본 실시예와 같이, 유기 발광층 중 2색을 잉크젯 방식으로 형성하고, 다른 1색을 별도의 방법으로 형성함으로써, 잉크젯 방식에 너무 적절하지 않은 발색 재료이더라도 잉크젯 방식에 이용되는 다른 유기 발광 재료와 조합시킴으로써 풀 컬러 유기 EL 소자를 형성할 수 있으므로, 설계의 폭이 확대될 수 있다.
잉크젯 방식 이외의 발광층의 형성방법으로는, 예를 들면 포토리소그래피법, 진공 증착법, 인쇄법, 전사법, 딥핑법, 스핀 코트법, 캐스트법, 캐필러리법, 롤 코트법, 바 코트법 등을 들 수 있다.
최종적으로, 음극(대향전극)(113)을 형성하고, 본 발명의 유기 EL 소자를 제작한다. 음극(113)으로서는 금속 박막 전극이 바람직하며, 음극을 구성하는 금속으로는, 예를 들면 Mg, Ag, Al, Li 등을 들 수 있다. 또한 이들 외에 일 함수가 작은 재료를 이용할 수 있고, 예를 들면 알카리 금속, Ca 등의 알카리 토류 금속 및 이들을 포함하는 합금을 이용할 수 있다. 이러한 음극(113)은 증착법 및 스퍼터법 등에 의해 형성될 수 있다.
이상과 같은 공정을 거쳐 본 발명의 유기 EL 소자가 제조된다. 즉, 도 1에 나타낸 투명 기판(104) 상에 형성된 화소 전극(101 및 102) 상에, 각각 잉크젯 방식으로 패터닝된 유기 화합물로 이루어진 적색 발광층(106), 녹색 발광층(108)이 형성되고, 또한 상기 발광층(106, 107) 및 화소 전극(103) 상에 청색 발광층(108)이 진공 증착법으로 형성된다. 그리고, 그 위에 음극(113)이 설치되어, 본 발명의 유기 EL 소자를 완성한다.
더욱이, 도 6에 나타낸 바와 같이 음극(413) 상에 보호막(415)이 형성될 수도 있다. 보호막(415)을 형성함으로써, 음극(413) 및 각 발광층(406, 407, 408)의 열화, 손상 및 박리 등을 방지할 수 있다.
이러한 보호막(415)의 구성 재료로는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 액상 글래스 등을 들 수 있다. 또한, 보호막(415)의 형성 방법으로는, 예를 들면 스핀코팅법, 캐스팅법, 딥핑법, 바 코트법, 롤 코트법, 캐필러리법 등을 들 수 있다.
발광층은 유기 화합물로 이루어진 것이 바람직하며, 고분자 유기 화합물로 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 유기 화합물로 이루어진 발광층을 설치함으로써, 저전압으로 고휘도의 면발광을 가능하게 할 수 있다. 또한, 발광 재료를 폭넓게 선택 할 수 있어 EL 발광 소자의 합리적 설계가 가능하다.
특히, 고분자 유기 화합물은 성막성(成膜性)이 우수하며, 또한 고분자 유기화합물로 형성된 발광층의 내구성은 극히 양호하다. 또한, 가시 영역의 금지대폭과 비교적 높은 도전성을 갖고 있고, 특히 공역계 고분자는 이러한 경향이 현저하다.
유기 발광층 재료로는, 고분자 유기 화합물의 것, 또는 가열 등에 의해 공역화(성막)하는 공역 고분자 유기 화합물의 전구체 등이 이용된다.
공역화(성막)하기 전의 전구체를 발광 재료로 사용하는 경우에는, 잉크젯의 토출액으로서 점도 등의 조정이 용이하며, 정밀한 패터닝이 가능하며, 발광층의 발광 특성 및 막 특성을 용이하게 제어할 수 있다.
발광층을 형성하는 고분자 유기 화합물은 정공 주입 수송형 재료인 것이 바람직하다. 이에 따라, 캐리어의 주입 및 수송을 촉진하고 발광효율을 향상시킬 수 있다.
발광층을 형성할 수 있는 유기 화합물로는, 예를 들면 PPV (폴리(파라페닐렌 비닐렌)) 또는 그 유도체, PTV(폴리(2,5-티에닐렌 비닐렌) 등의 폴리알킬티오펜, PFV(폴리(2,5-푸릴렌 비닐렌)) 폴리파라페닐렌, 폴리알킬플루오렌 등의 폴리알리렌비닐렌, 피라졸린 다이머, 퀴놀리진 카본산, 벤조피릴륨 퍼크로레이트, 벤조피라노퀴놀리진, 루브렌, 페난트롤린 유러퓸 복합체 등을 들 수 있고, 이들을 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서도 공역 고분자 유기 화합물인 PPV 또는 그 유도체가 바람직하다. PPV 또는 그 유도체의 공역화(성막) 전의 전구체는, 물 또는 유기 용매에 용해가능하며, 잉크젯 방식에 의한 패턴 형성에 적합하다. 또한, 고분자이기 때문에 광학적으로도 고품질이고 내구성이 우수한 박막을 얻을 수 있다. 또한, PPV 또는 그 유도체는 강한 형광을 갖고, 2중 결합의 π 전자가 폴리머 체인 상에서 비극재화되는 도전성 고분자이기 때문에, PPV의 박막은 정공 주입 수송층으로도 기능하며, 고성능의 유기 EL 소자를 얻을 수 있다.
더욱이, 고분자 유기 발광층 재료를 사용하는 경우의 유기 EL 소자용 조성물은 적어도 1종의 형광 색소를 포함하는 것도 가능하다. 이에 따라, 발광층의 형광 특성을 변화시킬 수 있으며, 예를 들면 발광층의 발광 효율의 향상, 또는 광흡수 극대 파장(발광색)을 변화시키는 수단으로 유효하다.
즉, 형광 색소는 단지 발광 재료로 되는 것이 아니라, 발광기능도 갖는 색소 재료로 이용할 수 있다. 예를 들면, PPV 등과 같은 공역계 고분자 유기 화합물 분자 상의 캐리어 재결합에 의해 생성된 엑사이톤(여기자)의 에너지를 형광 색소 분자 상으로 거의 이송할 수 있다. 이 경우, 발광은 형광 양자 효율이 높은 형광 색소 분자 상으로 이송될 수 있다. 이 경우, 발광은 형광 양자효율이 높은 형광 색소 분자로부터만 발생되기 때문에, EL 소자의 전류 양자효율도 증가한다. 따라서,유기 EL 소자용 조성물 중에 형광 색소를 가함으로써, 동시에 발광층의 발광 스펙트럼도 형광 분자 스펙트럼으로 되기 때문에, 발광색을 변화시키기 위한 수단으로도 유효하다.
또한, 여기서 말하는 전류 양자 효율이란 발광 기능에 기초하여 발광 성능을 고찰하기 위한 척도로서, 하기 식으로 정의된다.
ηE= 방출되는 포톤의 에너지/입력 전기에너지
그리고, 형광 색소의 도프에 의한 광흡수 극대 파장의 변환에 의해, 예를 들면 적, 청, 녹의 3원색을 발광시킬 수 있으며, 그 결과 풀 컬러 표시 장치를 얻을 수 있다.
더욱이, 형광 색소를 도핑함으로써, EL 소자의 발광 효율을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다.
적색 발광층에 사용되는 형광 색소로는, 레이저 색소의 DCM 또는 로다민(rhodamine) 또는 로다민 유도체, 페릴렌 등을 이용할 수 있다. 이들 형광 색소는 저분자이기 때문에 용매에 용해가능하며, 또한 PPV 등과 상용성이 좋고, 균일하고 안정적인 발광층의 형성이 용이하다. 로다민 유도체 형광 색소로는, 예를 들면 로다민 B, 로다민 B 베이스, 로다민 6G, 로다민 101 과염소산염 등을 들 수 있으며, 이들을 2종 이상 혼합한 것이어도 된다.
또한, 녹색 발광층에 사용되는 형광 색소로는 퀴나크리돈, 루브렌, DCJT 및 그들의 유도체를 들 수 있다. 이들 형광 색소는 상기 적색형광 색소와 마찬가지로저분자이기 때문에 용매에 용해가능하고 또한 PPV등과 상용성이 좋아 발광층의 형성이 용이하다.
청색 발광층에 사용되는 형광 색소로는, 디스티릴비페닐 및 그 유도체를 들 수 있다. 이들 형광 색소는 상기 적색형광 색소와 마찬가지로 수용액에 용해가능하고 또한 PPV 등과 상용성이 좋아 발광층의 형성이 용이하다.
또한, 다른 청색 발광층에 사용되는 형광 색소로는, 쿠말린(coumarin), 및 쿠말린-1, 쿠말린-6, 쿠말린-7, 쿠말린120, 쿠말린138, 쿠말린152, 쿠말린153, 쿠말린311, 쿠말린314, 쿠말린334, 쿠말린337, 쿠말린343 등의 쿠말린 유도체를 들 수 있다.
더욱이, 다른 청색 발광층에 사용되는 발광 재료로는, 테트라페닐부타디엔(TPB) 또는 TPB 유도체, DPVBi 등을 들 수 있다. 이들 발광 재료도 상기 적색 형광 색소 등과 마찬가지로 저분자이기 때문에 용매에 용해가능하고 또한 PPV 등과 상용성이 좋아 발광층의 형성이 용이하다.
상술된 바와 같이 형광 색소 및 발광 재료는 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법에서 사용되는 잉크젯용 헤드의 구조를 도 10 및 11에 나타낸다.
상기 잉크젯용 헤드(10)는 예를 들면 스테인레스제 노즐플레이트(11)와 진동판(13)을 구비하며, 양자는 사절부재(리저버 플레이트)(15)를 통해 접합된다.
노즐 플레이트(11)와 진동판(13)사이에는, 사절부재(15)에 의해 복수의 공간(19) 및 액 저장소(21)가 형성된다. 각 공간(19) 및 액 저장소(21)의 내부는 본 발명의 조성물로 충전되며, 각 공간(19)과 액 저장소(21)는 공급구(23)를 통해 연통한다.
더욱이, 노즐 플레이트(11)에는 공간(19)으로부터 조성물을 제트(jet)상태로 분사하기 위한 노즐 구멍(25)이 설치된다. 한편, 진동판(13)에는 액 저장소(21)에 조성물을 공급하기 위한 구멍(27)이 형성된다.
또한, 진동판(13)의 공간(19)에 대향하는 면의 반대측의 면 상에는 상기 공간(19)의 위치에 대응하는 압전소자(29)가 접합된다.
이 압전소자(29)는 1쌍의 전극(31)사이에 위치하고, 통전하면 압전소자(29)가 외측으로 돌출하도록 요곡(撓曲)되며, 동시에 압전소자(29)가 접합되는 진동판(13)도 일체로 되어 외측으로 요곡된다. 이에 의해, 공간(19)의 용적이 증대된다. 따라서, 공간(19) 내에 증대된 용적분에 상당하는 조성물이 액 저장소(21)로부터 공급구(23)를 거쳐서 유입된다.
다음으로, 압전소자(29)로의 통전을 해제하면 그 압전소자(29)와 진동판(13)은 함께 원상태의 형상으로 복원된다. 이에 의해 공간(19)도 원래의 용적으로 복귀하므로 공간(19) 내부의 조성물의 압력이 상승하여, 노즐 구멍(25)으로부터 기판을 향해 조성물이 분출한다.
또한, 노즐 구멍(25)의 주변부에는 도 11에 나타낸 바와 같이 예를 들면 Ni-테트라플루오로에틸렌(Ni-tetrafluoroethylene) 공석(共析) 도금층으로 이루어진 발수층(26)이 설치되어 있다.
이러한 헤드를 사용하여, 예를 들면 적, 청, 녹색의 3원색에 대응하는 조성물을 소정의 패턴으로 토출시킴으로써 각 유기 발광층을 설치하여, 화소를 형성할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법에 있어서, 잉크젯 방식에 사용되는 유기 발광 재료 조성물은 이하의 특성을 갖는 것을 사용할 수 있다.
상기 조성물은, 잉크젯용 헤드에 설치된 상기 조성물을 토출하는 노즐의 노즐면(251)을 구성하는 재료에 대해 접촉각이 30°∼170°인 것이 바람직하며, 35°∼65°인 것이 보다 바람직하다. 조성물이 그 범위의 접촉각을 가짐으로써 조성물의 비행곡을 제어할 수 있어, 정밀한 패터닝이 가능하다.
즉, 이 접촉각이 30°미만인 경우, 조성물의 노즐면의 구성 재료에 대한 습윤성이 증대하기 때문에, 조성물을 토출할 때 조성물이 노즐 구멍의 주위에 비대칭하게 부착하는 일이 있다. 이 경우, 노즐 구멍에 부착된 조성물과 토출하고자 하는 부착물 상호간에 인력이 작용하기 때문에, 조성물은 불균일한 힘에 의해 토출되게 되어 목표 위치에 도달할 수 없는 소위 비행곡이 발생하며, 또한 비행곡 빈도가 증가하게 된다. 또한 170°를 초과하면, 조성물과 노즐 구멍의 상호작용이 극소화되어, 노즐 선단에서의 메니스커스(meniscus)의 형상이 안정되지 않기 때문에 조성물의 토출량, 토출 타이밍의 제어가 곤란하다.
여기서 비행곡이라 함은, 조성물을 상기 노즐로부터 토출시킬 때 도트(dot)의 착탄 위치가 목표 위치에 대해 50㎛ 이상의 어긋남이 발생하는 것을 의미한다. 또한, 비행곡의 빈도는 주파수 7200㎐로 연속 토출될 때 상기 비행곡이 발생할 때까지의 시간이다. 비행곡은 주로 노즐 구멍의 습윤성이 불균일한 경우 및 조성물의 고형 성분의 부착에 의한 노즐 구멍의 막힘 등에 의해 발생하며 헤드를 크리닝(cleaning)함으로써 해소할 수 있다. 이 비행곡의 빈도가 높으면 빈번한 헤드크리닝이 필요하며, 잉크젯 방식에 의한 EL 소자의 제조 효율을 저하시키는 조성물이라고 할 수 있다. 실용적인 레벨로는 비행곡의 빈도가 1000초 이상일 필요가 있다.
이러한 비행곡을 방지함으로써, 고정세(高精細)한 패터닝도 가능하며, 또한 정밀도 좋게 행할 수 있다.
또한, 상기 조성물의 점도는 1cp∼20cp인 것이 바람직하며, 2cp∼4cp가 보다 바람직하다. 조성물의 점도가 1cp 미만인 경우, 상기 전구체 및 형광 색소의 재료 중에 함유량이 과소하게 되어, 형성된 발광층이 충분한 발색능을 발휘할 수 없다. 한편, 20cp를 초과하는 경우에는, 노즐 구멍으로부터 조성물을 원활하게 토출시킬 수 없어, 노즐 구멍의 직경을 크게 하는 등의 장치의 사양을 변경하지 않는 한 패터닝이 곤란하다. 더욱이, 점도가 큰 경우에는, 조성물 중의 고형분의 석출이 용이하며, 노즐 구멍의 막힘의 발생 빈도가 높게 된다.
또한, 상기 조성물은 표면 장력이 20dyne/㎝ ~ 70dyne/㎝로 되는 것이 바람직하며, 25dyne/㎝ ~ 40dyne/㎝가 보다 바람직하다. 이 범위의 표면 장력을 유지함으로써 상술된 접촉각의 경우와 마찬가지로 비행곡을 제어하고, 비행곡의 빈도를 저하 및 억제시킬 수 있다. 표면 장력이 20dyne/㎝ 미만이면, 조성물의 노즐면의 구성 재료에 대한 습윤성이 증대하기 때문에, 상기 접촉각의 경우와 마찬가지의 비행곡이 발생하여 비행곡의 빈도가 높게 된다. 또한, 70dyne/㎝를 초과하면, 노즐선단에서의 메니스커스 형상이 안정되지 않기 때문에, 조성물의 토출량, 토출 타이밍의 제어가 곤란해진다.
또한, 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법에 적합한 유기 발색 재료 조성물은, 상술된 접촉각, 점도 및 표면장력들에 대해 적어도 하나에 대하여 수치 범위를 만족하는 것이면 되고, 2개 이상의 임의의 조합 특성에 대하여 조건을 만족하는 것이 보다 바람직하며, 더욱이 모든 특성들에 대해 만족하는 것이 더욱 바람직하다.
도 2는 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제2 실시예를 보여준다.
본 실시예에는, 제1 실시예와 마찬가지의 투명 기재(204) 상에 화소 전극(201, 202, 203), 및 격벽(205)을 형성한 후, 잉크젯 방식에 의해 적색 발광층(206) 및 녹색 발광층(207)을 설치한다.
화소 전극(203) 상에 정공 주입 수송층(208)을 형성하고, 그 위에 청색 발광층(210)을 적층하는 점이 상기 제1 실시예와 상이하다. 이와 같이 정공 주입 수송층(208)을 적층함으로써, 전술된 바와 같이 전극으로부터의 정공의 주입 및 수송을 촉진하여, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법에서는, 적어도 1색의 발광층과 정공 주입 수송층을 적층하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 발광효율을 향상시킬 수 있으며, 더욱이 박막 소자 자체의 안정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 적층된 발광층과 정공 주입 수송층의 계면부근에서, 양층에 함유되는 재료의 일부가 상호 타층측으로 함침 및 확산된 상태로 존재할 수도 있다.
정공 주입 수송층(208)은 발색하지 않는 층인 것이 바람직하다. 이에 따라,청색 발광층(210)의 화소 전극(203) 상을 발광부로 할 수 있어, 풀 컬러의 유기 EL 소자를 보다 용이하게 제작할 수 있다.
이러한 정공 주입 수송층(208)의 형성방법은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면 잉크젯 방식에 의해 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 정공 주입 수송층(208)을 정밀도 좋게 소정의 패턴으로 배치할 수 있다.
정공 주입 수송층(208)의 구성 재료로는, 예를 들면 TPD 등의 방향족 디아민계 화합물, MTDATA, 퀴나크리돈, 비스스틸 안트라센(bisstil anthracene) 유도체, PVK(polyvinyl carbazole), 동 프타로시아닌(phthalocyanine) 등의 프타로시아닌계 복합체, 포르핀계 화합물, NPD, TAD, 폴리아닐린(polyaniline) 등을 들 수 있으나, 이중에서도 PVK가 바람직하다. PVK를 사용함으로써, 발색하지 않는 정공 주입 수송층을 형성할 수 있다.
더욱이, 상기 제1 실시예와 마찬가지로 청색 발광층(210), 음극(211)을 형성함으로써 본 발명의 유기 EL 소자를 얻을 수 있다. 청색 발광층(210), 음극(211)의 구성재료 및 형성방법은 상기 실시예와 동일하다.
도 3은 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제3 실시예를 나타낸 도면이다.
본 실시예에서는, 제1 실시예와 마찬가지로 투명 기재(304) 상에 화소 전극(301, 302, 303) 및 격벽(305)을 형성한 후, 잉크젯 방식으로 적색 발광층(306), 녹색 발광층(307)을 설치한다.
다음으로, 정공 주입 수송층(308)을 적색 발광층(306), 녹색 발광층(307) 및화소 전극(303) 상의 전체면에 설치한다. 이와 같이 정공 주입 수송층(308)과 발광층(306, 307)을 적층함으로써, 전술된 바와 같이 전극으로부터의 정공의 주입, 수송을 촉진하여, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
더욱이, 상기와 마찬가지의 이유로 인해 정공 주입 수송층(308)에서는, 발색하지 않는 층을 설치하는 것이 바람직하다.
이러한 정공 주입 수송층(308)의 형성 방법은 특히 한정되지 않고, 예를 들면 잉크젯 방식, 진공 증착법, 딥핑법, 스핀코트법, 캐스트법, 캐필러리법, 롤 코트법, 바 코트법 등을 들 수 있다. 본 실시예에서는 진공 증착법으로 형성할 수 있다. 더욱이 정공 주입 수송층의 구성재료로는 상기 제2 실시예와 동일한 것이 사용될 수 있다.
더욱이, 정공 주입 수송층(308) 상에 청색 발광층(309) 및 음극(311)을 형성함으로써, 본 발명의 유기 EL 소자를 얻을 수 있다. 음극(311)의 구성재료 및 형성 방법은 상기 실시예와 동일하다.
도 4는 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제4 실시예를 나타낸 도면이다.
본 실시예에서는, 제1 실시예와 마찬가지로 투명 기재(804) 상에 화소 전극(208, 802, 803) 및 격벽(805)을 형성한 후, 잉크젯 방식으로 화소 전극(801, 802, 803) 상에 발광층(806, 807, 808)을 각각 잉크젯 방식으로 패턴 형성한다. 이에 따라, 예를 들면 각 발광층 재료의 토출량, 토출 회수, 형성 패턴을 용이하고 간편하게 조정할 수 있어, 각 발광층의 발광 특성, 막 두께 등의 막 특성을 용이하게제어할 수 있다.
또한, 각 발광층(806, 807, 808) 상에 전자 주입 수송층(811)을 형성한다. 전자 주입 수송층(811)은 음극으로부터의 전자의 주입을 용이하게 하고, 또한 음극으로부터 발광부분을 멀리함으로써 전극소광(電極消光)을 방지하여, 음극과의 양호한 콘택트(contact)를 형성하는 것에 기여한다. 전자 주입 수송층(811)으로는 도핑하지 않은 알루미늄 퀴놀리놀 복합체를 사용할 수 있다. 더욱이, 전자 주입 수송층(811)은 진공 증착법으로 형성할 수 있다.
더욱이, 전자 주입 수송층(811)의 형성방법은 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 잉크젯 방식, 진공 증착법, 딥핑법, 스핀 코트법, 캐스트법, 캐필러리법, 롤 코트법, 바 코트법 등이 사용될 수도 있다.
또한, 그 위에 음극(813)을 형성함으로써 본 발명의 유기 EL 소자를 얻을 수 있다. 음극(813)의 구성 재료 및 형성 방법은 상기 실시예와 동일하다.
도 5는 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법의 제5 실시예를 나타낸 도면이다.
본 실시예에서는, 우선 제1 실시예와 마찬가지로 투명 기재(804) 상에 화소 전극(801, 802, 803)을 형성한다. 그 위의 전체면에 예를 들면 PVK로 이루어진 정공 주입 수송층(815)을 예를 들면 스핀코트법으로 형성한다. 이에 따라, 정공 주입 수송층(815)을 패터닝할 필요없이 더 좋은 막을 형성할 수 있으므로 제조 효율이 향상된다.
더욱이, 정공 주입 수송층(815)의 형성방법은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 잉크젯 방식, 진공 증착법, 딥핑법, 스핀 코트법, 캐스트법, 캐필러리법, 롤 코트법, 바 코트법 등이 사용될 수도 있다.
또한, 상기와 동일한 이유에 의해, 정공 주입 수송층(815)은 발색하지 않는 층인 것이 바람직하다.
더욱이, 정공 주입 수송층(815) 상에 발광층(806, 807, 808)을 형성한다. 이 중 적어도 어느 하나의 색의 발광층은 잉크젯 장치(809)에 의한 잉크젯법에 의해 패턴 형성되는 것이 바람직하다.
그리고, 발광층 상에 음극(813)을 형성함으로써, 본 발명의 유기 EL 소자를 얻을 수 있다. 음극(813)의 구성 재료 및 형성 방법은 상기 실시예와 동일하다.
또한, 본 실시예의 제조 방법에서는 격벽을 설치하지 않지만, 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법에 의하면 R, G, B의 코팅을 정밀하게 행할 수 있어, 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다. 상술한 실시예와 마찬가지로 격벽을 설치하여 각 화소를 형성할 수도 있다.
본 발명의 유기 EL 소자는 상술된 제조 방법으로 제조할 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 후술되는 바와 같이 구성할 수 있다.
도 15는 본 발명의 유기 EL 소자의 다른 일례를 나타낸 부분단면도이다.
본 실시예의 유기 EL 소자는 투명 기판(61) 상에 반사층(62), 투명 도전성막(ITO막)(63), 정공 주입 수송층(64), 유기 발광층(65), 금속층(66), 투명 도전성막(ITO)(67)이 순차적으로 적층된 구성이다. 각 층의 재료 및 형성방법에 관해서 상기 각 실시예와 동일한 사항에 대해서는 설명을 생략하고, 상위점만을 설명한다.
본 실시예의 유기 EL 소자는 투명 기판(61)에 직접 A1 등의 금속박막으로 이루어진 반사층(62)이 설치되어 있다.
더욱이, 음극으로서 발광층(65) 상에 적층된 금속층(66)은 극히 얇으므로(10∼50Å 정도), 광투과성을 갖고 발광층(65)으로부터의 발색광을 투과한다. 한편, 극히 얇기 때문에 저항치가 높아 도전성이 불충분하며, 음극으로서의 기능을 충분히 발휘할 수 없기 때문에, 금속층(66) 상에는 투명 도전성막(ITO막)(67)이 적층된다. 또한, 이러한 금속층(66)은 예를 들면 Al-Li 합금 등으로 구성되며, 증착법, 스퍼터법 등으로 형성할 수 있다.
이와 같이 구성함에 따라, 전극으로부터 주입된 전류가 발광층(65) 안에서 변환된 광은 도면에서 화살표 방향으로 투과한다. 그 결과, 투명 기판(61)을 거치지 않고서 광을 추출할 수 있으므로, 보다 고휘도의 표시가 가능하다.
도 7은 본 발명의 유기 EL 소자 장치의 일례를 나타낸 도면이다.
본 실시예에서는, 글래스판(501) 상에 Al제의 버스라인(bus line)(게이트선)(511)을 포토리소그래피 패터닝으로 형성하고, 그 위에 도시되지 않은 박막 트랜지스터를 형성하고, ITO 투명 화소 전극(504) 등을 형성한다. 그 후, 실시예 1과 마찬가지로 하여 발광층(502(적), 503(녹))을 잉크젯 방식으로 형성하고, 청색 발광층(505)을 진공 증착법으로 형성한다. 다음으로, 음극(506)을 진공 증착법으로 형성하고 전술된 제1 실시예와 동일한 유기 EL 소자를 제작한다.
더욱이, 보호 기재(507)를 투명 기판(501)에 주변 시일(509)을 통하여 고정하도록 접합시킨다.
다음으로, 이것을 아르곤 가스 등과 같은 불활성 가스 분위기 중에서 밀봉 구멍(513)으로부터 불활성 가스(512)를 도입하여 최후로 밀봉 부재(508)로 밀봉한다. 불활성 가스(512)를 충전하여 밀봉함으로써, 수분 등으로 인한 외부로부터의 오염 및 환경변화로부터 유기 EL 소자를 방호할 수 있어, 유기 EL 표시 장치의 발광 특성을 유지할 수 있다. 밀봉 부재(508)는 불활성 가스(512)를 투과하지 않는 재료로 구성되는 것이 바람직하다.
은 패이스트(silver paste)(510)는 음극(506)과 게이트선(511)의 콘택트를 소자 상에서 실현하는 기능을 갖는다.
게이트선(511)은 표시화소의 선택을 위해 상기 표시 화소마다 형성된 TFT의 온(ON), 오프(OFF)를 행(行)단위로 제어하는 역할을 담당한다. 기입시에는, 1개의 행의 게이트선(511)의 전위를 선택 레벨로 하여 그 행의 TFT를 도통 상태로 한다. 이 때, 각 열(列)의 소스 전극 배선(도시되지 않음)으로부터 대응하는 화소의 영상 신호 전압을 공급하면, 영상 신호 전압은 TFT를 통해 화소 전극에 도달하며, 신호 전압 레벨까지 화소에 쌓인 전하를 충전 또는 방전할 수 있다.
도 8은 본 발명의 유기 EL 소자를 사용한 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 일례를 나타낸 도면이다. 실시예의 유기 EL 표시 장치는, 매트릭스 형태로 배치되며 또한 각각이 R, G, B의 발광부로 이루어진 복수의 발광화소로 이루어진 화상표시배열을 갖는 것이다.
이 도면에 나타낸 바와 같이, 기판(도시되지 않음) 상에 상호 직교하는 위치에 배열된 신호선(신호전극)(601)과 게이트선(게이트전극)(602)이 설치되며, 더욱이 각 화소마다 신호선(601)과 게이트선(602)에 접속된 박막 트랜지스터(TFT)(604)와, TFT(604) 상에 접속된 유기 EL 소자로 이루어진 발광층(605, 606)이 적층된다. 또한, 유기 발광층 중 적어도 하나의 색은 잉크젯 방식으로 형성된다.
도 9는 본 발명의 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 일례를 나타낸 단면도이다.
먼저, 투명 기판(904) 상에 소정의 박막 트랜지스터(915) 및 도시되지 않은 게이트선, 신호선 등을 형성한다. 다음으로, 상기 박막 트랜지스터(915) 등 소정의 기능 소자를 구비한 각 화소 전극(ITO)(901, 902, 903) 상에, 개개의 화소 전극을 피복하도록 정공 주입 수송층(911)을 형성한다. 정공 주입 수송형 재료는 상기 실시예와 동일한 것을 사용할 수 있다. 더욱이 정공 주입 수송층(911)의 형성 방법은 특히 한정되지 않고, 상기한 어느 방법으로 형성할 수도 있다.
더욱이, 각 발광층(906(적), 907(녹), 908(청))을 패터닝 형성한다. 발광층은, 적어도 1색을 잉크젯프린트 장치(910)를 이용한 잉크젯 방식으로 형성하는 것이면 된다.
최종적으로 반사 전극(913)을 형성하여, 본 발명의 유기 EL 표시 장치가 제작된다. 반사 전극(913)으로는, 예를 들면 두께가 0.1 ~ 0.2㎛ 정도의 Mg-Ag 전극 등으로 형성된다.
본 발명의 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 상기 실시예에서는, 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터가 이용되지만, 이것에 한정되는 것이 아니며, 다른 종류의 스위칭소자, 2단자 소자, 예를 들면 MIM 등의 스위칭 소자를 이용하는 것도가능하다. 더욱이 패시브(passive) 구동, 스태틱 구동(정지화(static image), 세그먼트 표시(segment display))도 가능하다.
더욱이, 1화소당 스위칭소자는 1개로 한정되지 않으며, 1화소에 복수의 스위칭 소자를 구비할 수도 있다.
도 12에, 1화소에 스위칭소자를 복수개 갖는 유기 EL 표시 장치의 일례를 나타낸다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(142)는 주사 전극(131)의 전위에 따라 신호 전극(132)의 전위를 커런트 박막 트랜지스터(current thin film transistor)(143)에 전달하고, 커런트 박막 트랜지스터(143)는 공통 전극(133)과 화소 전극(141)과의 도통을 제어하는 역할을 수행한다.
다음으로, 본 발명의 유기 EL 소자를 이용한 패시브 매트릭스(단순 매트릭스)형 유기 EL 표시 장치의 일례를 도면을 참조하여 설명한다.
도 13은 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 개략부분확대 단면도이다.
도면에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 유기 EL 표시 장치는, 유기 EL 소자를 제조할 때, 단책상(短冊狀)으로 형성된 주사 전극(53)과 신호 전극(54)이 유기 EL 소자(52)를 통해 상호 직교하도록 배치되어 있다.
이러한 패시브 매트릭스형의 구동은 펄스(pulse)적으로 주사 전극(53)을 차례로 선택하고, 그 주사 전극(53)을 선택할 때, 각 화소에 대응하는 신호 전극(54)을 선택하여 전압을 인가함으로써 행해진다. 이러한 선택은 콘트롤러(55)에 의해 제어된다.
또한, 패시브 구동형의 경우에는 캐소드(음극)가 패터닝되고, 각 라인마다분리하는 것이 필요하다. 예를 들면, 본 발명의 제3 실시예에서, 두께가 0.2㎛ 정도의 얇은 음극을 형성하는 경우, 이러한 음극은 격벽에 의해 촌단(寸斷)되어 자연히 패턴 형성된 상태로 된다.
음극은 예를 들면 마스크 증착(masking deposition)법, 레이저 커팅(laser cutting)법으로 패턴 형성된다.
도 14에 주사 전극(13) 및 신호 전극(14)에 인가되는 전압의 구동 파형의 일례를 나타낸다. 도면에 도시된 구동 파형에서, 선택된 화소에는 발광하기에 충분한 전압(Vs)을 인가한다. 더욱이, 표시하는 계조(階調)에 맞춰진 펄스폭의 파형에 의해 화소의 표시농도를 제어한다. 한편, 선택되지 않은 화소에는 발광 임계치 전압 이하의 전압(Vn)을 인가한다.
도 14에서, Tf는 1 조작 시간을 나타낸다. 여기서는 듀티비 1/100로 구동한다. 또한, 상기 제4 실시예의 유기 EL 소자로 이루어진 유기 EL 표시 장치의 청색 발광층(808)의 발광은 구동 전압 20V에서 100cd/㎡의 밝기이었다.
[실시예]
1. 유기 EL 소자의 제작
(실시예 1)
도 1에 도시한 바와 같이, 글래스 기판(104) 상에 ITO 투명 화소 전극(101, 102, 103)을 포토리소그래피에 의해 100㎛의 피치(pitch) 및 0.1㎛ 두께의 패턴을 형성한다.
다음으로, ITO 투명 화소 전극사이를 매립하고, 광차단층과 잉크 낙하 방지용 벽을 겸한 격벽(105)을 포토리소그래피로 형성한다. 격벽(105)은 20㎛의 폭 및 2.0㎛의 두께를 갖는다.
더욱이, 잉크젯 프린트용 장치(109)의 헤드(110)로부터 표 1 및 표 2에 표시된 적색 및 녹색의 각 발광 재료를 패터닝한 후, 질소 분위기 하에서 150℃로 4시간 가열 처리하고, 조성물 중의 전구체를 고분자화시킴으로써 각 발광층(106(적), 107(녹))을 형성했다.
이후, 도펀트(dopant)로서 페릴렌(perylene) 축합 방향족을 첨가한 알루미늄 퀴놀리놀 복합체를 진공 증착하여 0.1㎛의 전자 주입 수송층의 청색 발광층(108)을 형성하였다.
최종적으로, 음극으로 두께 0.8㎛의 Mg-Ag 전극(113)을 증착법으로 형성하여 유기 EL 소자를 제작했다.
(실시예 2)
실시예 1과 마찬가지로, 도 2에 나타낸 바와 같이 글래스 기판(204) 상에 ITO 투명 화소 전극(201, 202, 203)을 형성하고, ITO 투명 화소 전극을 매립하여 광차단층과 잉크 낙하 방지용 벽을 겸한 감광성 폴리이미드의 레지스트(격벽)(205)를 형성했다.
또한, 실시예 1과 마찬가지로 잉크젯 프린트용 장치(209)를 사용하여 표 1 및 표 2에 표시된 적색 및 녹색의 각 발광 재료를 패터닝 도포한 후, 질소 분위기 하에서 150℃로 4시간 가열 처리하고, 조성물 중의 전구체를 고분자화시켜 각 발광층(206(적), 207(녹))을 형성했다.
다음으로, 투명 화소 전극(203)상에 상기 잉크젯 프린트용 장치(209)를 이용하여 폴리비닐 카바졸(PVK)로 이루어진 정공 주입 수송층을 패터닝 형성했다. 그 위로부터 필라졸린 다이머(pyrazoline dimer)를 도포하여 청색 발광층(210)을 형성했다.
최종적으로, 음극으로서 두께가 0.8㎛인 Al-Li 전극(211)을 증착법으로 형성하여 유기 EL 소자를 제작했다.
(실시예 3)
먼저, 실시예 1과 마찬가지로 도 4에 나타낸 바와 같이 글래스 기판(804) 상에 각 ITO 투명 화소 전극(801, 802, 803) 및 격벽(805)을 형성했다.
다음으로, 표 1 및 표 2에 나타낸 발광 재료에 유기 정공 주입 수송형 재료를 혼합하고, 잉크젯 프린트용 장치(809)를 이용하여 각 발광층(806(적), 807(녹), 808(청))을 형성했다.
이어서, 도핑하지 않은 알루미늄 퀴놀리놀 복합체를 진공 증착하여 0.1㎛의 전자 주입 수송층(811)을 형성했다.
최종적으로, 음극으로서 두께가 0.2㎛의 Al-Li 전극(813)을 증착법으로 형성하여 유기 EL 소자를 제작했다.
(실시예 4)
실시예 1과 마찬가지로, 도 3에 나타낸 바와 같이 글래스 기판(304) 상에 각 ITO 투명 화소 전극(301, 302, 303) 및 격벽(305)을 형성했다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로 잉크젯 프린트용 장치(310)를 이용하여 표1 및 표 2에 나타낸 적색 및 녹색의 각 발광 재료를 패터닝 도포한 후, 질소 분위기 하에서 150℃로 4시간 가열 처리하고 조성물 중의 전구체를 고분자화시켜 각 발광층(306(적), 307(녹))을 형성했다.
발광층(306, 307) 및 투명 화소 전극(303)의 상부 전체면에 폴리비닐 카바졸(PVK)로 이루어진 정공 주입 수송층(308)을 도포하여 형성했다.
이 후, 정공 주입 수송층(308) 상에 디스티릴 유도체(distyryl derivative)에 의한 청색 발광층(309)을 진공 증착법으로 형성했다.
최종적으로, 음극으로서 두께가 0.8㎛의 Al-Li 전극(311)을 증착법으로 형성하여 유기 EL 소자를 제작했다. 이 경우, 음극(311)은 전술된 바와 같이 격벽(304)에 의해 자연적으로 촌단(寸斷) 및 절연되어, 각 화소 전극(301, 302, 303)에 따라 패터닝된 상태로 된다.
(실시예 5)
먼저 실시예 1과 마찬가지로 도 4에 나타낸 바와 같이 글래스 기판(804) 상에 각 ITO 투명 화소 전극(801, 802, 803) 및 격벽(805)을 형성했다.
또한, 잉크젯 프린트용 장치(809)를 사용하여 표 1 및 표 2에 나타낸 고분자 유기 발광 재료를 토출시켜 각 색 발광 재료를 패터닝 도포한 후, 질소 분위기 하에서 150℃로 4시간 가열처리하고, 조성물 중의 전구체를 고분자화시켜 적색, 녹색, 청색을 발색하는 각 발광층(806(적), 807(녹), 808(청))을 형성했다.
다음으로, 도핑하지 않은 알루미늄 퀴놀리놀 복합체를 진공 증착하여 0.1㎛의 전자 수송층(811)을 형성했다.
최종적으로, 음극으로서 두께가 0.8㎛인 Al-Li 전극(812)을 증착법으로 형성하여 유기 EL 소자를 제작했다.
2. 발광층의 발광 특성 및 막의 특성의 평가
전술된 실시예 1 내지 5에서 제작된 유기 EL 소자의 발광층의 발광 특성 및 막의 특성에 대해 하기 방법으로 평가했다.
① 발광개시전압
소정의 전압을 소자에 인가하여 1cd/㎡의 발광 휘도를 관측한 때의 인가전압을 발광개시전압[Vth]으로 하였다.
② 발광 수명
안정화 처리 후의 초기 휘도를 100%로 하고, 표준 파형으로 일정의 전류를 인가하여 연속적으로 발광시켜 휘도의 변화를 측정하여 초기 휘도에 대해 50%로 저하할 때의 시간을 발광 수명이라 한다.
이 경우, 구동조건은 실온:40℃, 습도:23%, 전류치:20mA/㎠이다.
③ 발광 휘도
전류치가 20mA/㎠일 때 휘도를 관측했다.
④ 흡수 극대 파장
각 발광층의 흡수 극대 파장을 측정했다.
⑤ 성막 안정성
발광층을 200℃로 60분간 가열한 후, 발광층의 크랙(crack) 및 변형 등의 결점의 발생상황을 현미경으로 관찰했다.
평가는 다음과 같이 행해졌다.
◎ : 매우양호
○ : 양호
× : 불량
이들의 결과를 표 3 및 4에 나타낸다.
표 3 및 4에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 5 어느 것도 각 발광층의 발광 특성 및 발광층의 막 특성이 우수한 것이었다. 특히, 발광층이 고분자 유기 화합물로 이루어진 경우에는 각 발광층 중에 결점이 전혀 관찰되지 않았으며, 매우 양호한 박막을 형성했다.
이상, 본 발명의 유기 EL 소자용 조성물 및 유기 EL 소자의 제조 방법에 대해서, 도시된 각 실시예에 따라서 설명하였지만, 본 발명은 그들에 의해 한정되는 것이 아니며, 예를 들면 각 층 사이에 임의의 기능성 중간층을 설치하는 공정이 추가될 수도 있다. 더욱이, 발광 특성을 변화시키기 위해 첨가되는 형광 색소는 이들에 한정되지 않는다.
또한, 각 층간에 버퍼층(buffer layer)으로서 예를 들면, 1, 2, 4-트리아졸 유도체(TAZ)로 이루어진 층을 설치할 수 있어, 발광 휘도 및 발광 수명 등을 더욱 향상시킬 수 있다.
더욱이, 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법은 EL 소자의 부착이 용이하도록, 수지 레지스트, 화소 전극 및 하층으로 이루어진 화면에 대해, 플라즈마(plasma), UV처리, 커플링 등의 표면 처리를 행하는 공정을 포함할 수 도 있다.더욱이, 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법을 무기 EL 소자의 제조 방법에 응용하는 것도 가능하다.
그리고, 본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 세그먼트 표시 및 전체면 동시발광의 정지 화상 표시, 예를 들면 그림, 문자, 라벨 등으로 된 로우 인포메이션(low information) 분야에 응용할 수 있거나, 또는 점, 선, 면 형상으로 된 광원으로도 이용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법에 의하면, 발광 재료의 폭넓은 선택에 의해 EL 발광 소자의 합리적 설계가 가능하다. 예를 들면, 발광 재료와 형광 색소의 조합 등으로 다양한 표시광을 얻을 수 있다.
또한, 유기 발광 재료를 사용함으로써 고휘도 및 긴 수명을 갖는 다종의 다양한 EL 소자 설계를 전개할 수 있다.
그리고, 적어도 1색의 유기 발광층, 정공 주입 수송층 및 전자 주입 수송층을 잉크젯 방식으로 패턴 형성 및 배열함으로써, 발광 소자의 사이즈 및 패턴도 임의로 정밀하게 설정하는 것이 가능하다.
발광 재료로서 가열경화에 의해 공역화(성막)하는 전구체를 사용하는 경우, 점도 등의 조건 설정의 자유도가 크게 되고, 잉크젯용의 토출액으로 적합한 조건으로서 조제하는 것이 용이하다.
또한, 본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법에 의하면, 막의 두께, 도트(dot) 수 등의 조건을 임의로 조정 가능하므로, 발광층의 발광 특성을 용이하게 제어할수 있다.
더욱이, 잉크젯 방식에 의하면, 헤드를 투명 기판 상에서 자유롭게 이동시킬 수 있으므로, 기판 사이즈를 한정함이 없이 임의의 크기의 소자를 형성할 수 있다. 또한, 필요한 장소에 필요한 분량만큼 재료를 배치할 수 있으므로, 폐액 등의 불필요함을 극력 배제할 수 있다. 이에 따라, 저가의 대화면 풀 컬러 표시 장치의 제조가 가능하다.
[표 1]
[표 2]
[표 3]
[표 4]
성막 안정성
R G B
실시예 1 ◎ ◎ ◎
실시예 2 ◎ ◎ ◎
실시예 3 ○ ○ ○
실시예 4 ◎ ◎ ◎
실시예 5 ◎ ◎ ◎

Claims (3)

  1. 기판에 화소 전극이 형성되고,
    상기 화소 전극의 상층에, 적어도 화소마다 적, 녹, 청으로부터 선택된 발광색을 갖는 유기 발광층이 형성되고,
    상기 유기 발광층의 상층에 대향 전극이 형성되는 유기 EL 소자의 제조 방법으로서,
    도전성 고분자 재료를 잉크젯법에 의해 도포하여 유기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    압전 소자의 압력에 의해 조성물을 토출하는 잉크젯 헤드를 사용하여, 상기 도전성 고분자 재료를 도포하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광층은 공역(共役) 고분자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조 방법.
KR10-2004-7011648A 1996-11-25 1997-11-25 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 KR100498852B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-1996-00313828 1996-11-25
JP31382896A JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 1996-11-25 有機ｅｌ表示装置の製造方法
PCT/JP1997/004283 WO1998024271A1 (fr) 1996-11-25 1997-11-25 Procede de production d'elements el organiques, elements el organiques et dispositif d'affichage el organique

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0705629A Division KR100498847B1 (ko) 1996-11-25 1997-11-25 유기el소자의제조방법,유기el소자및유기el표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040074136A true KR20040074136A (ko) 2004-08-21
KR100498852B1 KR100498852B1 (ko) 2005-07-04

Family

ID=18046006

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7011651A KR100493131B1 (ko) 1996-11-25 1997-11-25 유기 ｅｌ 소자
KR10-2004-7011649A KR100495744B1 (ko) 1996-11-25 1997-11-25 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 및 유기 ｅｌ 소자
KR10-2004-7011648A KR100498852B1 (ko) 1996-11-25 1997-11-25 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법
KR10-1998-0705629A KR100498847B1 (ko) 1996-11-25 1997-11-25 유기el소자의제조방법,유기el소자및유기el표시장치

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7011651A KR100493131B1 (ko) 1996-11-25 1997-11-25 유기 ｅｌ 소자
KR10-2004-7011649A KR100495744B1 (ko) 1996-11-25 1997-11-25 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 및 유기 ｅｌ 소자

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0705629A KR100498847B1 (ko) 1996-11-25 1997-11-25 유기el소자의제조방법,유기el소자및유기el표시장치

Country Status (8)

Country Link
US (7) US6863961B2 (ko)
EP (4) EP1376717A3 (ko)
JP (1) JP3899566B2 (ko)
KR (4) KR100493131B1 (ko)
CN (5) CN100477251C (ko)
DE (2) DE69727212T2 (ko)
TW (1) TW553579U (ko)
WO (1) WO1998024271A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100662839B1 (ko) * 2004-09-30 2006-12-28 세이코 엡슨 가부시키가이샤 기능막의 제조 방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR100770578B1 (ko) * 2004-11-30 2007-10-26 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 전계발광 소자

Families Citing this family (479)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100479000B1 (ko) * 1996-05-15 2005-08-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막디바이스,액정패널및전자기기및박막디바이스의제조방법
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US6462722B1 (en) 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
EP1255240B1 (en) 1997-02-17 2005-02-16 Seiko Epson Corporation Active matrix electroluminescent display with two TFTs and storage capacitor in each pixel
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
US6843937B1 (en) * 1997-07-16 2005-01-18 Seiko Epson Corporation Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element
GB9715907D0 (en) 1997-07-29 1997-10-01 Cambridge Consultants Electroluminescent device production process
WO1999010862A1 (fr) 1997-08-21 1999-03-04 Seiko Epson Corporation Afficheur a matrice active
JP3830238B2 (ja) * 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
JP3633229B2 (ja) * 1997-09-01 2005-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法および多色表示装置の製造方法
GB9718516D0 (en) 1997-09-01 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Methods of Increasing the Efficiency of Organic Electroluminescent Devices
EP0982974B1 (en) * 1997-09-02 2006-05-03 Seiko Epson Corporation Organic el element manufacturing process
CH692682A5 (de) * 1997-10-06 2002-09-13 Enz Electronic Ag Anzeigeeinrichtung.
EP1027723B1 (en) 1997-10-14 2009-06-17 Patterning Technologies Limited Method of forming an electric capacitor
GB2376344B (en) * 1997-10-14 2003-02-19 Patterning Technologies Ltd Method of forming an electronic device
JP3206646B2 (ja) * 1998-01-22 2001-09-10 日本電気株式会社 多色発光有機ｅｌパネルおよびその製造方法
GB9803763D0 (en) * 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
CN1293784C (zh) * 1998-03-17 2007-01-03 精工爱普生株式会社 薄膜构图衬底、薄膜形成方法和薄膜元件
JP3646510B2 (ja) 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
US7090890B1 (en) 1998-04-13 2006-08-15 The Trustees Of Princeton University Modification of polymer optoelectronic properties after film formation by impurity addition or removal
GB9813326D0 (en) 1998-06-19 1998-08-19 Cambridge Display Tech Ltd Backlit displays
JP3692844B2 (ja) * 1998-07-24 2005-09-07 セイコーエプソン株式会社 電界発光素子、及び電子機器
WO2000005703A1 (fr) * 1998-07-24 2000-02-03 Seiko Epson Corporation Afficheur
JP4258860B2 (ja) 1998-09-04 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 光伝達手段を備えた装置
ATE286346T1 (de) 1998-09-17 2005-01-15 Seiko Epson Corp Verfahren zur herstellung einer elektrolumineszensvorrichtung
JP2000227771A (ja) 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP2000228284A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP2000227770A (ja) 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
WO2000036664A2 (en) 1998-12-17 2000-06-22 Seiko Epson Corporation Light-emitting device
US6066357A (en) * 1998-12-21 2000-05-23 Eastman Kodak Company Methods of making a full-color organic light-emitting display
JP3900724B2 (ja) * 1999-01-11 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置
GB2347015A (en) * 1999-02-19 2000-08-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent displays
US6366025B1 (en) 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
US7821065B2 (en) * 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
JP2000277260A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Seiko Epson Corp 発光装置
US6878312B1 (en) 1999-03-29 2005-04-12 Seiko Epson Corporation Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefore
US6512504B1 (en) 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP2000323276A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物
GB2351840A (en) 1999-06-02 2001-01-10 Seiko Epson Corp Multicolour light emitting devices.
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
US8853696B1 (en) * 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TW527735B (en) * 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
AU4937300A (en) 1999-06-09 2000-12-28 Cambridge Display Technology Limited Method of producing organic light-emissive devices
KR100390110B1 (ko) 1999-06-10 2003-07-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치
TW512543B (en) 1999-06-28 2002-12-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
TW556357B (en) * 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
US7014521B1 (en) 1999-08-05 2006-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Display panel having a color filter and a protective layer of heat melted material and method of manufacturing the display panel
JP4226159B2 (ja) 1999-08-06 2009-02-18 シャープ株式会社 有機ｌｅｄディスプレイの製造方法
WO2001019142A1 (en) * 1999-09-03 2001-03-15 Uniax Corporation Encapsulation of organic electronic devices
JP2001092413A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置および電子装置
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
JP4854840B2 (ja) * 1999-10-12 2012-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
TW471011B (en) 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
JP2001196162A (ja) 1999-10-25 2001-07-19 Seiko Epson Corp 発光装置
US6587086B1 (en) 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
JP4590663B2 (ja) 1999-10-29 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法
JP4776769B2 (ja) * 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN1293642C (zh) * 1999-11-29 2007-01-03 皇家菲利浦电子有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
US7102280B1 (en) 1999-11-29 2006-09-05 Paulus Cornelis Duineveld Organic electroluminescent device and a method of manufacturing thereof
JP4477726B2 (ja) * 1999-12-09 2010-06-09 シャープ株式会社 有機ｌｅｄ素子の製造方法
KR100387166B1 (ko) * 1999-12-15 2003-06-12 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
EP1122793A2 (en) * 2000-02-01 2001-08-08 Canon Kabushiki Kaisha Production of organic luminescence device
TW495808B (en) * 2000-02-04 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus
TWI249363B (en) 2000-02-25 2006-02-11 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor
TW495809B (en) 2000-02-28 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film forming device, thin film forming method, and self-light emitting device
JP2001244066A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Seiko Epson Corp 発光装置
TW495812B (en) 2000-03-06 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device
DE10012205A1 (de) 2000-03-13 2001-09-27 Siemens Ag Leuchtdiode auf der Basis von löslichen organischen Materialien
US6936485B2 (en) * 2000-03-27 2005-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device
TWI226205B (en) 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
TW490997B (en) * 2000-03-31 2002-06-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element
JP2001341296A (ja) 2000-03-31 2001-12-11 Seiko Epson Corp インクジェット法による薄膜形成方法、インクジェット装置、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
KR100436303B1 (ko) 2000-03-31 2004-06-19 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 이엘소자 및 유기 이엘소자의 제조방법
JP3882523B2 (ja) * 2000-04-10 2007-02-21 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP4053209B2 (ja) * 2000-05-01 2008-02-27 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
US6692845B2 (en) * 2000-05-12 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4683766B2 (ja) * 2000-05-22 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型発光装置
TW536836B (en) 2000-05-22 2003-06-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and electrical appliance
US7339317B2 (en) 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
TW538246B (en) * 2000-06-05 2003-06-21 Semiconductor Energy Lab Display panel, display panel inspection method, and display panel manufacturing method
JP2001357974A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Tdk Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、および有機ｅｌ素子
JP2002008868A (ja) 2000-06-16 2002-01-11 Seiko Epson Corp 面発光装置
JP2002056989A (ja) 2000-08-11 2002-02-22 Seiko Epson Corp 発光装置
US6906458B2 (en) * 2000-08-11 2005-06-14 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing organic EL device, organic EL device and electronic apparatus
JP4675005B2 (ja) * 2000-08-18 2011-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
US6905784B2 (en) 2000-08-22 2005-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7430025B2 (en) 2000-08-23 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
ATE282077T1 (de) 2000-08-30 2004-11-15 Cambridge Display Tech Ltd Formulierung zur ablagerung einer konjugierten polymerschicht
US7153592B2 (en) * 2000-08-31 2006-12-26 Fujitsu Limited Organic EL element and method of manufacturing the same, organic EL display device using the element, organic EL material, and surface emission device and liquid crystal display device using the material
MY141175A (en) 2000-09-08 2010-03-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
US6617186B2 (en) 2000-09-25 2003-09-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for producing electroluminescent element
CN1302297C (zh) 2000-10-12 2007-02-28 三洋电机株式会社 滤色片形成方法、发光元件层形成方法、采用上述方法的彩色显示装置的制造方法或彩色显示装置
US6872586B2 (en) * 2000-10-17 2005-03-29 Seiko Epson Corporation Method of manufacture of active matrix substrate and liquid crystal display device
US6980272B1 (en) 2000-11-21 2005-12-27 Sarnoff Corporation Electrode structure which supports self alignment of liquid deposition of materials
KR100358503B1 (ko) * 2000-11-25 2002-10-30 주식회사 엘리아테크 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조방법
JP3628997B2 (ja) 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
CN1921136B (zh) * 2000-11-27 2012-05-09 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置及其制造方法
JP4021177B2 (ja) 2000-11-28 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器
EP1341616B1 (en) * 2000-12-06 2005-06-15 Holmes, Andrew Bruce Patterned deposition using compressed carbon dioxide
JP3876684B2 (ja) * 2000-12-21 2007-02-07 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタの製造装置、液晶装置の製造方法、液晶装置の製造装置、ｅｌ装置の製造方法、ｅｌ装置の製造装置、材料の吐出方法、ヘッドの制御装置、電子機器
JP2002190389A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法及び装置
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
JP4139085B2 (ja) * 2001-02-15 2008-08-27 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法
US20060082627A9 (en) 2001-02-27 2006-04-20 Bright Christopher J Formulation and method for depositing a material on a substrate
US8232116B2 (en) 2001-02-28 2012-07-31 Cambridge Display Technology Limited Method for fabricating a polymer L.E.D.
US6791115B2 (en) 2001-03-09 2004-09-14 Seiko Epson Corporation Light emitting device, display device and electronic instrument
US6787063B2 (en) 2001-03-12 2004-09-07 Seiko Epson Corporation Compositions, methods for producing films, functional elements, methods for producing functional elements, methods for producing electro-optical devices and methods for producing electronic apparatus
KR100883341B1 (ko) * 2001-04-26 2009-02-11 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전자 발광 디바이스와 전자발광 디바이스를 제조하기 위한방법
JP2004531859A (ja) * 2001-04-26 2004-10-14 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 有機エレクトロルミネセントデバイスとその製造方法
WO2002093662A2 (en) * 2001-05-14 2002-11-21 Cdt Oxford Limited A method of providing a layer including a metal or silicon or germanium and oxygen on a surface
JP3969698B2 (ja) * 2001-05-21 2007-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7199515B2 (en) 2001-06-01 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the element
JP2002367787A (ja) * 2001-06-05 2002-12-20 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US20020197393A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-26 Hideaki Kuwabara Process of manufacturing luminescent device
JP4683772B2 (ja) 2001-06-15 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003017248A (ja) 2001-06-27 2003-01-17 Sony Corp 電界発光素子
CN100343702C (zh) * 2001-07-04 2007-10-17 精工爱普生株式会社 成膜方法及装置、电光装置及其制造方法
JP2003022892A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の製造方法
JP5057619B2 (ja) * 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
GB2379083A (en) 2001-08-20 2003-02-26 Seiko Epson Corp Inkjet printing on a substrate using two immiscible liquids
JP2005501384A (ja) 2001-08-25 2005-01-13 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 電子冷光放射装置
JPWO2003030131A1 (ja) 2001-08-29 2005-01-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、並びに電子機器
WO2003022010A1 (fr) * 2001-08-30 2003-03-13 Fujitsu Limited Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent organique et dispositif electroluminescent organique correspondant
DK200101287A (da) * 2001-08-31 2003-03-01 Bang & Olufsen As Udlæsningsenhed og fremgangsmåde til dens fremstilling
JP2003086383A (ja) 2001-09-10 2003-03-20 Seiko Epson Corp 発光装置
GB2379415A (en) * 2001-09-10 2003-03-12 Seiko Epson Corp Monitoring the deposition of organic polymer droplets onto a substrate
US20030166311A1 (en) * 2001-09-12 2003-09-04 Seiko Epson Corporation Method for patterning, method for forming film, patterning apparatus, film formation apparatus, electro-optic apparatus and method for manufacturing the same, electronic equipment, and electronic apparatus and method for manufacturing the same
US6569706B2 (en) * 2001-09-19 2003-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Fabrication of organic light emitting diode using selective printing of conducting polymer layers
US6680578B2 (en) 2001-09-19 2004-01-20 Osram Opto Semiconductors, Gmbh Organic light emitting diode light source
US6590157B2 (en) * 2001-09-21 2003-07-08 Eastman Kodak Company Sealing structure for highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
US8698706B1 (en) 2001-10-23 2014-04-15 Imaging Systems Technology, Inc. Organic electroluminescent display device driving method and apparatus
US6861810B2 (en) * 2001-10-23 2005-03-01 Fpd Systems Organic electroluminescent display device driving method and apparatus
US8278828B1 (en) 2001-10-23 2012-10-02 Imaging Systems Technology Large area organic LED display
US10211268B1 (en) 2012-09-28 2019-02-19 Imaging Systems Technology, Inc. Large area OLED display
US7808451B1 (en) * 2001-10-23 2010-10-05 Imaging Systems Technology, Inc. Organic electroluminescent display device method and apparatus
JP4009817B2 (ja) 2001-10-24 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
GB2381644A (en) 2001-10-31 2003-05-07 Cambridge Display Tech Ltd Display drivers
GB2381643A (en) 2001-10-31 2003-05-07 Cambridge Display Tech Ltd Display drivers
JP4269134B2 (ja) 2001-11-06 2009-05-27 セイコーエプソン株式会社 有機半導体装置
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
JP4066661B2 (ja) * 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造装置および液滴吐出装置
US6921148B2 (en) * 2002-01-30 2005-07-26 Seiko Epson Corporation Liquid drop discharge head, discharge method and discharge device; electro optical device, method of manufacture thereof, and device for manufacture thereof; color filter, method of manufacture thereof, and device for manufacture thereof; and device incorporating backing, method of manufacture thereof, and device for manufacture thereof
US6878470B2 (en) 2002-02-08 2005-04-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Visible image receiving material, conductive pattern material and organic electroluminescence element, using member having surface hydrophilicity
JP2003266738A (ja) * 2002-03-19 2003-09-24 Seiko Epson Corp 吐出装置用ヘッドユニットおよびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ｐｄｐ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
AU2003217480A1 (en) * 2002-03-20 2003-09-29 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic thin-film device and its production method
GB0207134D0 (en) 2002-03-27 2002-05-08 Cambridge Display Tech Ltd Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained
WO2003100860A2 (en) * 2002-05-27 2003-12-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of providing a substrate surface with a patterned layer
US6858464B2 (en) * 2002-06-19 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting device
KR100478524B1 (ko) 2002-06-28 2005-03-28 삼성에스디아이 주식회사 고분자 및 저분자 발광 재료의 혼합물을 발광 재료로사용하는 유기 전계 발광 소자
KR100547501B1 (ko) * 2002-07-01 2006-01-31 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 전자 기기
TWI276366B (en) 2002-07-09 2007-03-11 Semiconductor Energy Lab Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus
JP2004055159A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置
JP4852224B2 (ja) * 2002-07-30 2012-01-11 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造装置
JP4165692B2 (ja) * 2002-08-05 2008-10-15 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
GB0218202D0 (en) 2002-08-06 2002-09-11 Avecia Ltd Organic light emitting diodes
JP3729262B2 (ja) 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
JP5247975B2 (ja) 2002-09-03 2013-07-24 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 光学装置
US7098060B2 (en) 2002-09-06 2006-08-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for producing full-color organic electroluminescent devices
JP4440523B2 (ja) * 2002-09-19 2010-03-24 大日本印刷株式会社 インクジェット法による有機ｅｌ表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置
KR100490539B1 (ko) 2002-09-19 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법
JP4701580B2 (ja) * 2002-09-30 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置およびその製造方法、電子機器
GB0224121D0 (en) * 2002-10-16 2002-11-27 Microemissive Displays Ltd Method of patterning a functional material on to a substrate
JP3997888B2 (ja) 2002-10-25 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
EP1416028A1 (en) 2002-10-30 2004-05-06 Covion Organic Semiconductors GmbH New method for the production of monomers useful in the manufacture of semiconductive polymers
CN101694871B (zh) 2002-11-11 2012-12-05 株式会社半导体能源研究所 发光装置的制造方法
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
US20040096570A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Michael Weaver Structure and method of fabricating organic devices
US6891326B2 (en) 2002-11-15 2005-05-10 Universal Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
AU2002360448A1 (en) * 2002-11-27 2004-06-23 Litrex Corporation Microdeposition system
GB0227778D0 (en) 2002-11-28 2003-01-08 Cambridge Display Tech Ltd Droplet-deposition related methods and apparatus
US20040108061A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 Eastman Kodak Company Apparatus and method for making a light-emitting display
WO2004058850A1 (ja) 2002-12-25 2004-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 高分子化合物、電界発光素子及び発光装置
US7112113B2 (en) * 2002-12-25 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device
JP4830254B2 (ja) * 2003-01-23 2011-12-07 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法及び電子機器
KR20050094882A (ko) * 2003-01-27 2005-09-28 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 유기 ｅｌ 디스플레이의 제조 방법
JP3966283B2 (ja) 2003-01-28 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 発光体とその製造方法及び製造装置、電気光学装置並びに電子機器
JP4595946B2 (ja) * 2003-01-28 2010-12-08 セイコーエプソン株式会社 発光体とその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
US7275812B2 (en) * 2003-01-29 2007-10-02 Fujifilm Corporation Ink jet head and recording apparatus using the same
US20040151829A1 (en) * 2003-01-31 2004-08-05 Eastman Kodak Company Optimizing OLED emission
JP4311050B2 (ja) * 2003-03-18 2009-08-12 セイコーエプソン株式会社 機能液滴吐出ヘッドの駆動制御方法および機能液滴吐出装置
JP2006524916A (ja) 2003-03-27 2006-11-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 感熱性材料を基材に転写するための方法およびドナー要素
JP2004304009A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Canon Inc 有機薄膜トランジスタ
JP2004298787A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Seiko Epson Corp 描画装置、電子光学装置及び電子機器
US7018007B2 (en) * 2003-04-16 2006-03-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ink-jet pocket printing
JP4120455B2 (ja) * 2003-04-22 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法及びデバイスの製造方法
ATE401672T1 (de) 2003-05-12 2008-08-15 Cambridge Entpr Ltd Herstellung einer polymeren vorrichtung
JP3823981B2 (ja) * 2003-05-12 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 パターンと配線パターン形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法
GB0311234D0 (en) 2003-05-16 2003-06-18 Isis Innovation Organic phosphorescent material and organic optoelectronic device
JP4103830B2 (ja) * 2003-05-16 2008-06-18 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法
US6998492B2 (en) * 2003-05-16 2006-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex and light-emitting element containing the same
DE112004000838T5 (de) * 2003-05-21 2006-03-30 Dow Global Technologies, Inc., Midland Mischung von Viskositätsmodifzierungsmittel und lumineszenter Verbindung
JP4651918B2 (ja) * 2003-05-21 2011-03-16 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法
JP2005019955A (ja) * 2003-05-30 2005-01-20 Seiko Epson Corp 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2007504342A (ja) 2003-05-30 2007-03-01 メルク パテント ゲーエムベーハー ポリマー
US7690781B2 (en) 2003-06-04 2010-04-06 Mimaki Engineering Co., Ltd. Ink jet printer using UV ink
TWI237413B (en) * 2003-06-06 2005-08-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Organic electro-luminescent device array and fabrication method thereof
EP1491568A1 (en) 2003-06-23 2004-12-29 Covion Organic Semiconductors GmbH Semiconductive Polymers
KR100527194B1 (ko) 2003-06-24 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자
US7153539B2 (en) * 2003-06-24 2006-12-26 Eastman Kodak Company Apparatus and method of color tuning a light-emitting display
US20040265481A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Yoshihiro Kobayashi Method for manufacturing electroluminescent element
JP3757960B2 (ja) * 2003-07-11 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法
US7438944B2 (en) 2003-07-11 2008-10-21 Seiko Epson Corporation Droplet information measuring method and apparatus therefor, film pattern forming method, device manufacturing method, droplet discharge apparatus, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
US20060172123A1 (en) * 2003-07-18 2006-08-03 Duineveld Paulus C Thin film patterning arrangement
US7275972B2 (en) 2003-08-22 2007-10-02 3M Innovative Properties Company Method of making an electroluminescent device having a patterned emitter layer and non-patterned emitter layer
US20050048314A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-03 Homer Antoniadis Light emitting polymer devices with improved efficiency and lifetime
DE10340711A1 (de) 2003-09-04 2005-04-07 Covion Organic Semiconductors Gmbh Elektronische Vorrichtung enthaltend organische Halbleiter
JP2005085604A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Seiko Epson Corp 有機金属化合物の薄膜形成方法、有機金属化合物薄膜、およびこれを備えた有機電子デバイスの製造方法、有機電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンスの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス、及び電子機器
KR100543003B1 (ko) 2003-09-15 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
TW200521599A (en) * 2003-10-14 2005-07-01 Seiko Epson Corp Electro-optical device, its manufacturing method and electronic instrument
JP2005123083A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布組成物および有機ｅｌ素子の製造方法
US20050100657A1 (en) * 2003-11-10 2005-05-12 Macpherson Charles D. Organic material with a region including a guest material and organic electronic devices incorporating the same
WO2005047363A1 (en) 2003-11-10 2005-05-26 Cambridge Display Technology Limited Dibenzosilol polymers, their preparation and uses
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR20050050487A (ko) * 2003-11-25 2005-05-31 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자
KR100659530B1 (ko) * 2003-11-26 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계발광소자
KR101137797B1 (ko) 2003-12-15 2012-04-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 집적회로장치의 제조방법, 비접촉형 박막집적회로장치 및 그 제조 방법, 비접촉형 박막 집적회로장치를 가지는 아이디 태그 및 동전
US7271076B2 (en) * 2003-12-19 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device
KR100970253B1 (ko) * 2003-12-19 2010-07-16 삼성전자주식회사 발광소자의 제조 방법
GB0329364D0 (en) 2003-12-19 2004-01-21 Cambridge Display Tech Ltd Optical device
US7566010B2 (en) 2003-12-26 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Securities, chip mounting product, and manufacturing method thereof
KR100663028B1 (ko) * 2003-12-30 2006-12-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
GB0401613D0 (en) 2004-01-26 2004-02-25 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitting diode
CN100502018C (zh) * 2004-02-06 2009-06-17 株式会社半导体能源研究所 薄膜集成电路的制造方法和元件基片
JP2005268202A (ja) * 2004-02-16 2005-09-29 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器
KR100712096B1 (ko) * 2004-02-19 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 제조방법
JP3994998B2 (ja) * 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
JP4281584B2 (ja) * 2004-03-04 2009-06-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US7067841B2 (en) * 2004-04-22 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic devices
JP2005317439A (ja) 2004-04-30 2005-11-10 Seiko Epson Corp 表示パネル及び表示装置
TWI262538B (en) * 2004-04-30 2006-09-21 Sharp Kk Component placement substrate and production method thereof
DE102004023420A1 (de) * 2004-05-12 2005-12-08 Lisa Dräxlmaier GmbH Verfahren zum Herstellen einer kombinierten Piezo-/Leuchtfolie und Betätigungselement mit einer derartigen Piezo-/Leuchtfolie
EP1747595A1 (en) * 2004-05-18 2007-01-31 MERCK PATENT GmbH Formulation for ink-jet printing comprising semiconducting polymers
CN101847653B (zh) 2004-05-21 2013-08-28 株式会社半导体能源研究所 发光元件及使用该元件的发光装置
EP1771257A4 (en) * 2004-05-27 2009-10-21 Sigma Lab Arizona Inc LARGE-FLOOR ELECTROLUMINESCENTS LIGHT-EMITTING DEVICES
JP2006013139A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置とその製造方法並びに電子機器
US20060001021A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Motorola, Inc. Multiple semiconductor inks apparatus and method
GB2416621A (en) 2004-07-27 2006-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Laminated interconnects for opto-electronic device modules
JP4103865B2 (ja) * 2004-07-27 2008-06-18 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US20060022174A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 General Electric Company Electroactive chemical composition and method of coating
GB2447637B (en) 2004-08-04 2009-11-18 Cambridge Display Tech Ltd Organic Electroluminescent Device
TWI233319B (en) * 2004-08-10 2005-05-21 Ind Tech Res Inst Full-color organic electroluminescence device and display panel using the same
KR20060019099A (ko) * 2004-08-26 2006-03-03 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
GB0427266D0 (en) 2004-12-13 2005-01-12 Cambridge Display Tech Ltd Phosphorescent OLED
US20060132028A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Lexmark International, Inc. Electroluminescent display construction using printing technology
US20070292602A1 (en) * 2004-12-17 2007-12-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method and Apparatus for Fabricating Organic Electroluminescent Display
GB0428445D0 (en) 2004-12-29 2005-02-02 Cambridge Display Tech Ltd Blue-shifted triarylamine polymer
GB0428444D0 (en) 2004-12-29 2005-02-02 Cambridge Display Tech Ltd Conductive polymer compositions in opto-electrical devices
US7268006B2 (en) 2004-12-30 2007-09-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same
US20060145598A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Macpherson Charles D Electronic devices and process for forming the same
EP1836001A4 (en) 2004-12-30 2009-08-05 Du Pont ORGANIC ELECTRONIC DEVICES AND ASSOCIATED METHODS
JP2006196298A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP4548121B2 (ja) 2005-01-14 2010-09-22 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
KR101108148B1 (ko) * 2005-02-03 2012-02-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP4311360B2 (ja) 2005-02-25 2009-08-12 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置および電子機器
TWI361018B (en) 2005-04-18 2012-03-21 Sony Corp Display device and a method of manufacturing the s
JP4793071B2 (ja) * 2005-04-18 2011-10-12 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US7510951B2 (en) 2005-05-12 2009-03-31 Lg Chem, Ltd. Method for forming high-resolution pattern with direct writing means
KR100833017B1 (ko) * 2005-05-12 2008-05-27 주식회사 엘지화학 직접 패턴법을 이용한 고해상도 패턴형성방법
DE102005022903A1 (de) 2005-05-18 2006-11-23 Merck Patent Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
GB0510382D0 (en) 2005-05-20 2005-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Ink jet printing compositions in opto-electrical devices
JP4613700B2 (ja) * 2005-06-01 2011-01-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4736544B2 (ja) * 2005-06-01 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
GB0514476D0 (en) * 2005-07-14 2005-08-17 Cambridge Display Tech Ltd Conductive polymer compositions in opto-electrical devices
US20070096640A1 (en) * 2005-08-19 2007-05-03 Gang Yu Methods for producing full color organic electroluminescent devices
WO2007023272A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Cambridge Display Technology Limited Organic electronic device structures and fabrication methods
GB0517195D0 (en) 2005-08-23 2005-09-28 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device structures and fabrication methods
JP2007103349A (ja) * 2005-09-08 2007-04-19 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、有機ｅｌ装置の製造方法、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法
GB0518968D0 (en) 2005-09-16 2005-10-26 Cdt Oxford Ltd Organic light-emitting device
JP4483757B2 (ja) 2005-09-30 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及び光学装置
US20070090758A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Kwasny David M Electroluminescent panel
JP2007122914A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びそれに用いる製造装置
US7990047B2 (en) * 2005-10-28 2011-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR101143006B1 (ko) 2005-10-28 2012-05-08 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2008010805A (ja) * 2005-11-11 2008-01-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100661642B1 (ko) * 2005-11-28 2006-12-26 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법과 이에 의한 표시장치
JP2007188862A (ja) 2005-12-13 2007-07-26 Canon Inc 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
GB0526185D0 (en) 2005-12-22 2006-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Electronic device
GB2433509A (en) 2005-12-22 2007-06-27 Cambridge Display Tech Ltd Arylamine polymer
GB0526393D0 (en) 2005-12-23 2006-02-08 Cdt Oxford Ltd Light emissive device
KR100900550B1 (ko) 2006-01-16 2009-06-02 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
GB2434915A (en) 2006-02-03 2007-08-08 Cdt Oxford Ltd Phosphoescent OLED for full colour display
CN100462846C (zh) * 2006-02-15 2009-02-18 虹创科技股份有限公司 薄膜图案层的制造方法
US9214636B2 (en) * 2006-02-28 2015-12-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US20070215883A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Dixon Michael J Electroluminescent Devices, Subassemblies for use in Making Electroluminescent Devices, and Dielectric Materials, Conductive Inks and Substrates Related Thereto
US7922553B2 (en) 2006-04-05 2011-04-12 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display device and production method thereof
TW200739982A (en) * 2006-04-06 2007-10-16 Nat Univ Chung Cheng Method for manufacturing full-color organic light-emitting diode array based on microcontact printing technology
WO2007117672A2 (en) * 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Methods of depositing nanomaterial & methods of making a device
GB2437113B (en) 2006-04-12 2008-11-26 Cambridge Display Tech Ltd Light-emissive display and method of manufacturing the same
WO2007120877A2 (en) * 2006-04-14 2007-10-25 Qd Vision, Inc. Transfer surface for manufacturing a light emitting device
JP4904903B2 (ja) * 2006-04-20 2012-03-28 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4795268B2 (ja) * 2006-04-20 2011-10-19 キヤノン株式会社 有機発光素子
GB2440934B (en) 2006-04-28 2009-12-16 Cdt Oxford Ltd Opto-electrical polymers and devices
WO2007145975A2 (en) * 2006-06-05 2007-12-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
WO2008105792A2 (en) * 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
WO2008111947A1 (en) * 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
WO2008015426A1 (en) 2006-08-01 2008-02-07 Cambridge Display Technology Limited Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
GB2441355B (en) 2006-08-31 2009-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Organic electronic device
GB0617167D0 (en) 2006-08-31 2006-10-11 Cdt Oxford Ltd Compounds for use in opto-electrical devices
GB2441354B (en) 2006-08-31 2009-07-29 Cambridge Display Tech Ltd Display drive systems
GB0618698D0 (en) 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
TWI378740B (en) * 2006-10-04 2012-12-01 Ritdisplay Corp Full-color organic light emitting diode display panel and method thereof
JP4605134B2 (ja) * 2006-10-05 2011-01-05 セイコーエプソン株式会社 液状体配置方法、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法
GB0620045D0 (en) 2006-10-10 2006-11-22 Cdt Oxford Ltd Otpo-electrical devices and methods of making the same
DE102007029915B4 (de) * 2006-12-20 2017-03-30 Lg Display Co., Ltd. Organisches Elektrolumineszenzbauteil und Verfahren zum Herstellen desselben
US20100035377A1 (en) * 2006-12-22 2010-02-11 Cbrite Inc. Transfer Coating Method
US8501272B2 (en) * 2006-12-22 2013-08-06 Cospheric Llc Hemispherical coating method for micro-elements
US20080166566A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
US20080218068A1 (en) 2007-03-05 2008-09-11 Cok Ronald S Patterned inorganic led device
JP4529988B2 (ja) * 2007-03-08 2010-08-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置ならびに電子機器
GB2448175B (en) 2007-04-04 2009-07-22 Cambridge Display Tech Ltd Thin film transistor
TWI343648B (en) * 2007-04-19 2011-06-11 Au Optronics Corp Organic electroluminescent structure and method of making the same
JP2008271317A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 照明光通信システムおよび照明光通信用の送信装置
KR100872396B1 (ko) * 2007-05-03 2008-12-08 한국기계연구원 발광 광고지 및 그 제조방법
CN101055922B (zh) * 2007-05-09 2012-04-25 友达光电股份有限公司 有机电致发光结构及其制作方法
KR100858824B1 (ko) 2007-05-31 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2008311059A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Rohm Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JP5773646B2 (ja) * 2007-06-25 2015-09-02 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法
TW200907469A (en) * 2007-08-14 2009-02-16 Ind Tech Res Inst Display panel and fabricating method thereof
GB2454867B (en) 2007-11-09 2010-02-03 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices comprising bus bar
US20090130296A1 (en) * 2007-11-15 2009-05-21 Universal Display Corporation Fabrication of Organic Electronic Devices by Ink-Jet Printing at Low Temperatures
GB2454890B (en) 2007-11-21 2010-08-25 Limited Cambridge Display Technology Light-emitting device and materials therefor
KR20100105673A (ko) 2007-12-14 2010-09-29 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전자 소자용 백플레인 구조물
GB2455726A (en) * 2007-12-18 2009-06-24 Motorola Inc Printable organic composition for organic electronics
GB2455747B (en) 2007-12-19 2011-02-09 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
US7888169B2 (en) * 2007-12-26 2011-02-15 Organicid, Inc. Organic semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4725577B2 (ja) * 2007-12-28 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
US8154700B2 (en) * 2007-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device having electrodes and organic active regions and processes of forming the same
GB2456788B (en) 2008-01-23 2011-03-09 Cambridge Display Tech Ltd White light emitting material
KR100922759B1 (ko) * 2008-02-26 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
GB0803950D0 (en) 2008-03-03 2008-04-09 Cambridge Display Technology O Solvent for printing composition
KR100994114B1 (ko) 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 방법
GB2458454B (en) 2008-03-14 2011-03-16 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
TWI363442B (en) * 2008-04-11 2012-05-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method and device for manufacturing patterned thin-film layer
GB2459895B (en) 2008-05-09 2011-04-27 Cambridge Display Technology Limited Organic light emissive device
TW201005813A (en) * 2008-05-15 2010-02-01 Du Pont Process for forming an electroactive layer
JP2010034484A (ja) * 2008-07-01 2010-02-12 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機エレクトロルミネッセンス素子
GB2462410B (en) 2008-07-21 2011-04-27 Cambridge Display Tech Ltd Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices
GB2462122B (en) 2008-07-25 2013-04-03 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent materials
GB0814161D0 (en) 2008-08-01 2008-09-10 Cambridge Display Tech Ltd Blue-light emitting material
GB2462314B (en) 2008-08-01 2011-03-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emiting materials and devices
GB0814971D0 (en) 2008-08-15 2008-09-24 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
GB2462844B (en) 2008-08-21 2011-04-20 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
GB2462688B (en) 2008-08-22 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
GB2463040B (en) 2008-08-28 2012-10-31 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting material
GB2463077B (en) 2008-09-02 2012-11-07 Sumitomo Chemical Co Electroluminescent material and device
GB2463493B (en) 2008-09-15 2012-11-14 Cambridge Display Tech Ltd An improved method for ink jet printing organic electronic devices
GB2464111B (en) 2008-10-02 2011-06-15 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
JP2012505298A (ja) * 2008-10-13 2012-03-01 日東電工株式会社 印刷可能な発光組成物
KR20100043011A (ko) * 2008-10-17 2010-04-27 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법, 전자 기기
EP2192636A1 (en) 2008-11-26 2010-06-02 Rijksuniversiteit Groningen Modulatable light-emitting diode
GB2466842B (en) 2009-01-12 2011-10-26 Cambridge Display Tech Ltd Interlayer formulation for flat films
GB2466843A (en) 2009-01-12 2010-07-14 Cambridge Display Tech Ltd Interlayer formulation for flat films
US9111886B2 (en) 2009-02-10 2015-08-18 Joled Inc. Method of repairing a defect of an organic EL display
JP2012519941A (ja) 2009-03-06 2012-08-30 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気活性層の形成方法
CN102362338A (zh) 2009-03-09 2012-02-22 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
CN102349132B (zh) 2009-03-09 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
GB2469497B (en) 2009-04-16 2012-04-11 Cambridge Display Tech Ltd Polymers comprising fluorene derivative repeat units and their preparation
GB0906554D0 (en) 2009-04-16 2009-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
GB2469498B (en) 2009-04-16 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Polymer and polymerisation method
GB2469500B (en) 2009-04-16 2012-06-06 Cambridge Display Tech Ltd Method of forming a polymer
JP5371544B2 (ja) * 2009-05-21 2013-12-18 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
CN102474937A (zh) * 2009-07-06 2012-05-23 先锋股份有限公司 显示装置及其制造方法
US8759550B2 (en) 2009-08-27 2014-06-24 Yeda Research And Development Co. Ltd. Oligo- and polyfurans, preparation and uses thereof
JP2011119212A (ja) * 2009-11-03 2011-06-16 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器
JP5326999B2 (ja) * 2009-11-04 2013-10-30 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
GB2475246B (en) 2009-11-10 2012-02-29 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic device and method
GB2475247B (en) 2009-11-10 2012-06-13 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectronic device and method
JP5515661B2 (ja) 2009-11-16 2014-06-11 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR101084177B1 (ko) 2009-11-30 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
TWI466351B (zh) * 2010-02-05 2014-12-21 Sony Corp 有機電激發光顯示器及製造彼之方法
GB2479120A (en) 2010-03-26 2011-10-05 Cambridge Display Tech Ltd Organic electrolumunescent device having conductive layer connecting metal over well defining layer and cathode
JP5678487B2 (ja) * 2010-04-09 2015-03-04 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置
GB2480323A (en) 2010-05-14 2011-11-16 Cambridge Display Tech Ltd OLED hole transport layer
GB2487342B (en) 2010-05-14 2013-06-19 Cambridge Display Tech Ltd Host polymer comprising conjugated repeat units and non-conjugated repeat units for light-emitting compositions, and organic light-emitting devices
GB2484253B (en) 2010-05-14 2013-09-11 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emitting composition and device
US9105847B2 (en) * 2010-06-24 2015-08-11 Joled Inc. Organic EL display and method of manufacturing the same
US9812647B2 (en) 2010-06-25 2017-11-07 Cambridge Display Technology, Ltd. Organic light-emitting device and method
GB2499969A (en) 2010-06-25 2013-09-11 Cambridge Display Tech Ltd Composition comprising an organic semiconducting material and a triplet-accepting material
US10744759B2 (en) 2010-06-29 2020-08-18 CARDINAL HEALTH SWITZERLAND 515 GmbH First drop dissimilarity in drop-on-demand inkjet devices and methods for its correction
JP5418435B2 (ja) * 2010-07-27 2014-02-19 セイコーエプソン株式会社 表示装置および電子機器
JP5471937B2 (ja) 2010-07-27 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 発光素子、表示装置および電子機器
US20130161679A1 (en) * 2010-09-02 2013-06-27 Showa Denko K.K. Electroluminescent element, electroluminescent element manufacturing method, display device, and illumination device
GB2483269A (en) 2010-09-02 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Organic Electroluminescent Device containing Fluorinated Compounds
GB2484537A (en) 2010-10-15 2012-04-18 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting composition
GB2485001A (en) 2010-10-19 2012-05-02 Cambridge Display Tech Ltd OLEDs
TWI514050B (zh) * 2010-12-06 2015-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 背光膜片及其製造方法與成型設備
CN102537753B (zh) * 2010-12-09 2016-05-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 背光膜片及其制造方法与成型设备
KR101839930B1 (ko) 2010-12-29 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP5819069B2 (ja) * 2011-01-20 2015-11-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置
GB2494096B (en) 2011-01-31 2013-12-18 Cambridge Display Tech Ltd Polymer
JP5912135B2 (ja) 2011-01-31 2016-04-27 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド ポリマー
GB201122316D0 (en) 2011-12-23 2012-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Polymer, polymer composition and organic light-emitting device
JP5051331B1 (ja) * 2011-02-28 2012-10-17 パナソニック株式会社 赤外発光素子の製造方法
JP5759760B2 (ja) * 2011-03-16 2015-08-05 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
JP5766483B2 (ja) 2011-03-30 2015-08-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 反転印刷用インキ組成物、それを用いた印刷方法および表示装置の製造方法
GB201105582D0 (en) 2011-04-01 2011-05-18 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emitting device and method
JP5760630B2 (ja) 2011-04-18 2015-08-12 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置およびその製造方法、電子機器
GB201107905D0 (en) 2011-05-12 2011-06-22 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting material, composition and device
WO2012157211A1 (ja) 2011-05-13 2012-11-22 ソニー株式会社 有機ｅｌ多色発光装置
JP5644677B2 (ja) * 2011-05-31 2014-12-24 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
GB201110564D0 (en) 2011-06-22 2011-08-03 Cambridge Display Tech Ltd Polymer and optoelectronic device
US9562136B2 (en) 2011-07-04 2017-02-07 Cambridge Display Technology, Ltd. Polymers, monomers and methods of forming polymers
GB201111742D0 (en) 2011-07-08 2011-08-24 Cambridge Display Tech Ltd Solution
GB201113563D0 (en) 2011-08-05 2011-09-21 Cambridge Display Tech Ltd Light emitting polymers and devices
GB201210131D0 (en) 2011-11-02 2012-07-25 Cambridge Display Tech Ltd Light emitting composition and device
WO2013088744A1 (ja) * 2011-12-15 2013-06-20 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
GB201200619D0 (en) 2012-01-16 2012-02-29 Cambridge Display Tech Ltd Polymer
JP5321700B2 (ja) * 2012-01-17 2013-10-23 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機ｅｌ照明および有機ｅｌ表示装置
GB2515909B (en) 2012-01-31 2020-07-15 Cambridge Display Tech Ltd Composition comprising a fluorescent light-emitting material and triplet-accepting polymer and use thereof
JP6302186B2 (ja) * 2012-08-01 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101927848B1 (ko) 2012-09-17 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법
JP2014072120A (ja) 2012-10-01 2014-04-21 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器
KR20150060737A (ko) * 2012-10-02 2015-06-03 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자, 유기 el 조명 및 유기 el 표시 장치
WO2014061019A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Yeda Research And Development Co. Ltd. Soluble conjugated oligomers
US9647220B2 (en) 2012-11-15 2017-05-09 Sony Corporation Organic multicolor light-emitting apparatus
KR101996434B1 (ko) * 2012-11-30 2019-07-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
GB2508410A (en) 2012-11-30 2014-06-04 Cambridge Display Tech Ltd Polymer and organic electronic device
US9832428B2 (en) 2012-12-27 2017-11-28 Kateeva, Inc. Fast measurement of droplet parameters in industrial printing system
US11673155B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US11141752B2 (en) 2012-12-27 2021-10-12 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
KR20220001519A (ko) 2012-12-27 2022-01-05 카티바, 인크. 정밀 공차 내로 유체를 증착하기 위한 인쇄 잉크 부피 제어를 위한 기법
US9352561B2 (en) 2012-12-27 2016-05-31 Kateeva, Inc. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US9700908B2 (en) 2012-12-27 2017-07-11 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
KR20150120376A (ko) 2013-02-20 2015-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치
GB2514818B (en) 2013-06-05 2015-12-16 Cambridge Display Tech Ltd Polymer and organic electronic device
KR20150005264A (ko) * 2013-07-05 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
CN107825886B (zh) 2013-12-12 2020-04-14 科迪华公司 制造电子设备的方法
CN103915571A (zh) * 2014-01-27 2014-07-09 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种amoled显示面板及膜层制作方法、显示装置
DE102014008722A1 (de) 2014-06-18 2015-12-24 Merck Patent Gmbh Zusammensetzungen für elektronische Vorrichtungen
CN106470997B (zh) 2014-06-25 2019-06-04 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
FR3023120A1 (fr) * 2014-06-25 2016-01-01 Dracula Technologies Dispositif electroluminescent et son procede de fabrication
CN104167431B (zh) * 2014-08-12 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件及应用其的oled显示装置
US10418427B2 (en) * 2014-09-25 2019-09-17 Joled Inc. Method for manufacturing organic EL display panel
CN107211503B (zh) 2015-02-13 2020-03-27 出光兴产株式会社 有机el发光装置和电子设备
CN104701458B (zh) 2015-03-24 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件及其制作方法、显示装置
CN105139766A (zh) * 2015-10-10 2015-12-09 卫明 一种冷光显示屏幕
KR102426711B1 (ko) * 2015-11-18 2022-07-29 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
CN105739210A (zh) * 2016-03-29 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置
US10002762B2 (en) * 2016-09-09 2018-06-19 International Business Machines Corporation Multi-angled deposition and masking for custom spacer trim and selected spacer removal
US11466021B2 (en) 2016-12-05 2022-10-11 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
WO2018104193A1 (de) 2016-12-05 2018-06-14 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
US11495751B2 (en) 2017-01-04 2022-11-08 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
CN110167940A (zh) 2017-01-30 2019-08-23 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
TW201835075A (zh) 2017-02-14 2018-10-01 德商麥克專利有限公司 用於有機電致發光裝置之材料
KR102525822B1 (ko) 2017-07-06 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 소자 및 그 제조 방법
CN111225919A (zh) 2017-10-24 2020-06-02 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
US20200312929A1 (en) * 2017-11-28 2020-10-01 Sakai Display Products Corporation Organic electroluminescence light-emitting element and manufacturing method thereof
KR102486552B1 (ko) 2018-01-15 2023-01-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
TWI811290B (zh) 2018-01-25 2023-08-11 德商麥克專利有限公司 用於有機電致發光裝置的材料
US11264437B2 (en) 2018-05-14 2022-03-01 Samsung Display Co., Ltd. Display devices
WO2019233904A1 (de) 2018-06-07 2019-12-12 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtungen
US20190378768A1 (en) * 2018-06-12 2019-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Display panel producing system and method of producing display panel
TWI678009B (zh) * 2018-06-22 2019-11-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製作方法
US11581497B2 (en) 2018-07-09 2023-02-14 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
KR20210089205A (ko) 2018-11-06 2021-07-15 메르크 파텐트 게엠베하 Oled 용 유기 전계 발광 재료로서 5,6-디페닐-5,6-디히드로디벤즈[c,e][1,2]아자포스포린 및 6-페닐-6h-디벤조[c,e][1,2]티아진-5,5-디옥사이드 유도체 및 유사한 화합물
KR20210091762A (ko) 2018-11-15 2021-07-22 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 디바이스용 재료
GB2579807A (en) 2018-12-14 2020-07-08 Sumitomo Chemical Co Composition and organic light-emitting device
TW202039493A (zh) 2018-12-19 2020-11-01 德商麥克專利有限公司 用於有機電致發光裝置之材料
GB2581141A (en) 2019-01-31 2020-08-12 Sumitomo Chemical Co Light-emitting composition
TW202122558A (zh) 2019-09-03 2021-06-16 德商麥克專利有限公司 用於有機電致發光裝置之材料
CN110649180B (zh) * 2019-09-30 2021-10-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板的制作方法、显示面板和显示装置
KR20220133937A (ko) 2020-01-29 2022-10-05 메르크 파텐트 게엠베하 벤즈이미다졸 유도체
CN112133734B (zh) * 2020-09-29 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
WO2022101171A1 (de) 2020-11-10 2022-05-19 Merck Patent Gmbh Schwefelhaltige verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
US20230416264A1 (en) 2020-12-02 2023-12-28 Merck Patent Gmbh Heterocyclic compounds for organic electroluminescent devices
CN116710454A (zh) 2021-01-25 2023-09-05 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的含氮化合物
WO2022184601A1 (de) 2021-03-02 2022-09-09 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
EP4308664A1 (de) 2021-03-18 2024-01-24 Merck Patent GmbH Heteroaromatische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
CN112909069A (zh) * 2021-03-26 2021-06-04 武汉天马微电子有限公司 一种显示模组及显示装置
WO2023213837A1 (de) 2022-05-06 2023-11-09 Merck Patent Gmbh Cyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2024061942A1 (de) 2022-09-22 2024-03-28 Merck Patent Gmbh Stickstoffenthaltende verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2024061948A1 (de) 2022-09-22 2024-03-28 Merck Patent Gmbh Stickstoffenthaltende heterocyclen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen

Family Cites Families (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US36711A (en) * 1862-10-21 Improvement in plows
US2520439A (en) * 1945-10-08 1950-08-29 Phillips Petroleum Co Wet grinding process
US3792308A (en) 1970-06-08 1974-02-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electrophoretic display device of the luminescent type
US4015166A (en) * 1972-09-06 1977-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. X-Y matrix type electroluminescent display panel
US3956032A (en) * 1974-09-24 1976-05-11 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Process for fabricating SiC semiconductor devices
US4007462A (en) 1975-12-24 1977-02-08 Recognition Equipment Incorporated Light absorption printing process
US4569305A (en) 1981-10-09 1986-02-11 Ferco S.R.L. Apparatus to provide the application of glue on preselected zones of printed circuit boards
JPS5975205A (ja) 1982-10-25 1984-04-27 Seiko Epson Corp カラ−フイルタの製造方法
US4792817A (en) 1983-08-29 1988-12-20 Diagraph Corporation Ink jet printing systems
JPS6140418A (ja) 1984-07-31 1986-02-26 Mitsubishi Motors Corp タ−ボ過給装置用タ−ビンハウジングの製造方法
US4683146A (en) 1984-04-16 1987-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing deposition films
JPS6178165A (ja) 1984-09-25 1986-04-21 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
US4687352A (en) 1984-12-29 1987-08-18 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Printer with an image reader
US4757235A (en) * 1985-04-30 1988-07-12 Nec Corporation Electroluminescent device with monolithic substrate
JPS6231174A (ja) 1985-08-02 1987-02-10 Mitsubishi Electric Corp 電界効果型トランジスタ
JPH0711631B2 (ja) 1985-10-09 1995-02-08 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造方法
EP0218117A3 (en) 1985-10-11 1989-11-23 Allied Corporation Cyclosilazane polymers as dielectric films in integrated circuit fabrication technology
JP2549840B2 (ja) 1986-03-25 1996-10-30 セイコーエプソン株式会社 液晶パネル
JPS62295028A (ja) 1986-06-16 1987-12-22 Toshiba Corp 液晶表示素子
JPS6315527A (ja) 1986-07-08 1988-01-22 Fujitsu Ltd 論理回路
US4891110A (en) 1986-11-10 1990-01-02 Zenith Electronics Corporation Cataphoretic process for screening color cathode ray tubes
US4983880A (en) * 1986-12-19 1991-01-08 Gte Products Corporation Edge breakdown protection in ACEL thin film display
US5131248A (en) * 1987-08-28 1992-07-21 Ihui Ho Structure of key and lock barrel for lock set
JPH01140188A (ja) 1987-11-26 1989-06-01 Komatsu Ltd 薄膜ｅｌ表示パネル
JP2653099B2 (ja) 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
US5132248A (en) 1988-05-31 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Direct write with microelectronic circuit fabrication
JP2578655B2 (ja) 1988-12-27 1997-02-05 カヤバ工業株式会社 電動パワーステアリング装置
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JPH03109526A (ja) 1989-06-20 1991-05-09 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 液晶表示装置用アクティブマトリックス基板
JPH0333824A (ja) 1989-06-30 1991-02-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 液晶材料の製膜方法
JPH03102324A (ja) 1989-09-18 1991-04-26 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPH03126921A (ja) 1989-10-12 1991-05-30 Sony Corp 液晶表示装置
JP2807510B2 (ja) 1989-11-29 1998-10-08 大日本印刷株式会社 転写シート及び液晶表示素子の製造方法
US5066512A (en) 1989-12-08 1991-11-19 International Business Machines Corporation Electrostatic deposition of lcd color filters
JPH03192334A (ja) 1989-12-22 1991-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネル
EP0443861B2 (en) * 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
JP2734464B2 (ja) 1990-02-28 1998-03-30 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH03269995A (ja) 1990-03-16 1991-12-02 Ricoh Co Ltd 電界発光素子の作製方法
JP3069139B2 (ja) 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
US5326692B1 (en) 1992-05-13 1996-04-30 Molecular Probes Inc Fluorescent microparticles with controllable enhanced stokes shift
US5041190A (en) 1990-05-16 1991-08-20 Xerox Corporation Method of fabricating channel plates and ink jet printheads containing channel plates
US5202261A (en) 1990-07-19 1993-04-13 Miles Inc. Conductive sensors and their use in diagnostic assays
US5250439A (en) 1990-07-19 1993-10-05 Miles Inc. Use of conductive sensors in diagnostic assays
US5477352A (en) * 1990-10-31 1995-12-19 Sharp Kaushiki Kaisha Liquid crystal display device with liquid crystal dispersed or impregnated in a perfluoro-type polymer of perfluoroalkyl acrylate or methacrylate
US5347154A (en) 1990-11-15 1994-09-13 Seiko Instruments Inc. Light valve device using semiconductive composite substrate
US5206749A (en) 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
JPH04253033A (ja) 1991-01-30 1992-09-08 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
WO1992022922A2 (en) * 1991-06-12 1992-12-23 Case Western Reserve University Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers
KR930005559B1 (ko) 1991-06-14 1993-06-23 삼성전관 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR940000143B1 (ko) 1991-06-25 1994-01-07 재단법인 한국전자통신연구소 대형 박막 트랜지스터(TFT) 액정 디스플레이 패널(LCD panel)의 제조방법
JPH05116941A (ja) 1991-10-30 1993-05-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透明導電膜の製造方法
US5214350A (en) 1991-09-11 1993-05-25 Zenith Electronics Identification of image displays and their component parts
JP3262815B2 (ja) 1991-10-21 2002-03-04 触媒化成工業株式会社 平滑ガラス基板およびその製造方法
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5276380A (en) 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
US5517037A (en) 1992-03-25 1996-05-14 Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. Polysilicon thin film with a particulate product of SiOx
JP2781492B2 (ja) 1992-04-01 1998-07-30 シャープ株式会社 カラー・エレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイ装置
DE4212501C1 (en) 1992-04-14 1993-08-05 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De Deposition of silicon nitride polymer layer on substrate - using linear or cyclic silazane in gas, giving good quality and high coating ratio
JP2760459B2 (ja) 1992-04-20 1998-05-28 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型基板
US5439519A (en) 1992-04-28 1995-08-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Solution applying apparatus
EP0905544B1 (en) 1992-06-01 2003-05-21 LG.Philips LCD Co., Ltd. A method of fabricating a liquid crystal display
JP2964780B2 (ja) 1992-06-10 1999-10-18 富士ゼロックス株式会社 配向性多層強誘電体薄膜およびその作製方法
US5997122A (en) 1992-06-30 1999-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet recording apparatus capable of performing liquid droplet diameter random variable recording and ink jet recording method using ink for liquid droplet random variable recording
GB9215929D0 (en) 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US5510066A (en) 1992-08-14 1996-04-23 Guild Associates, Inc. Method for free-formation of a free-standing, three-dimensional body
US5652067A (en) 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP3033067B2 (ja) 1992-10-05 2000-04-17 富士ゼロックス株式会社 多層強誘電体導膜の製造方法
JPH06204168A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 半導体装置
JPH06281958A (ja) 1993-03-25 1994-10-07 Sony Corp 液晶表示装置
JPH06281917A (ja) 1993-03-29 1994-10-07 Dainippon Printing Co Ltd 高分子分散型液晶表示装置及びその製造方法
JP2991270B2 (ja) 1993-04-26 1999-12-20 キヤノン株式会社 カラーフィルターの製造方法
WO1995001871A1 (en) 1993-07-09 1995-01-19 The Regents Of The University Of California Electroluminescent diodes utilizing blends of polymers
US5565216A (en) 1993-07-21 1996-10-15 Carson Products Company Hair relaxer compositions
JP3724592B2 (ja) 1993-07-26 2005-12-07 ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド 半導体基板の平坦化方法
JP2790163B2 (ja) 1993-07-29 1998-08-27 富士通株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法及びフラットディスプレイ装置の製造方法
JP2814049B2 (ja) 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3534445B2 (ja) 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたｅｌ素子
US5410806A (en) 1993-09-15 1995-05-02 Lsi Logic Corporation Method for fabricating conductive epoxy grid array semiconductors packages
JPH07101068A (ja) 1993-10-05 1995-04-18 Citizen Watch Co Ltd インクジェットプリンターヘッドの製造方法
JP3279091B2 (ja) 1993-10-07 2002-04-30 松下電器産業株式会社 有機電解液リチウム二次電池およびそのセパレータの製造法
JPH07122475A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Toshiba Corp レジスト塗布装置
JPH07134288A (ja) 1993-11-10 1995-05-23 Dainippon Printing Co Ltd 液晶光学素子及びその製造方法
TW417034B (en) 1993-11-24 2001-01-01 Canon Kk Color filter, method for manufacturing it, and liquid crystal panel
JP2860869B2 (ja) 1993-12-02 1999-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3017912B2 (ja) 1993-12-13 2000-03-13 シャープ株式会社 液晶表示装置用電極基板及び液晶表示装置
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子
JPH07192867A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP3463362B2 (ja) * 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
US5399390A (en) 1994-01-27 1995-03-21 Motorola, Inc. Liquid crystal display with polymeric substrate
ATE207620T1 (de) 1994-01-28 2001-11-15 Canon Kk Farbfilter, verfahren zu seiner herstellung, und flüssigkristalltafel
JP3813217B2 (ja) 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
JPH07294916A (ja) * 1994-04-21 1995-11-10 Toray Ind Inc 表示器
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5935331A (en) 1994-09-09 1999-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for forming films
US5665857A (en) 1994-09-12 1997-09-09 Motorola Conjugated polymer with built-in fluorescent centers and method of manufacture
JPH08122768A (ja) 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
JP3431700B2 (ja) 1994-11-14 2003-07-28 理想科学工業株式会社 孔版印刷用原紙の製版方法及び製版装置
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
JPH08188663A (ja) 1995-01-13 1996-07-23 Sekisui Chem Co Ltd 基材の表面処理方法
JPH08188658A (ja) 1995-01-13 1996-07-23 Sekisui Chem Co Ltd 基材の表面処理方法
US5610932A (en) 1995-01-25 1997-03-11 Physical Sciences, Inc. Solid state dye laser host
US5804917A (en) * 1995-01-31 1998-09-08 Futaba Denshi Kogyo K.K. Organic electroluminescent display device and method for manufacturing same
JP3208638B2 (ja) 1995-01-31 2001-09-17 双葉電子工業株式会社 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法
TW334474B (en) 1995-02-01 1998-06-21 Sumitomo Kagaku Kk Method for making a polymeric fluorescent substrate and organic electrolumninescent element
US5693428A (en) 1995-02-06 1997-12-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5693962A (en) 1995-03-22 1997-12-02 Motorola Full color organic light emitting diode array
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
KR100303134B1 (ko) 1995-05-09 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자및그제조방법.
JP3124722B2 (ja) 1995-07-31 2001-01-15 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法及び製造装置及びカラーフィルタの区画された領域間の混色の低減方法及びカラーフィルタの区画された領域へのインク付与位置の精度向上方法及びカラーフィルタの区画された領域の着色ムラ低減方法
US5593788A (en) 1996-04-25 1997-01-14 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high operational stability
US5652019A (en) * 1995-10-10 1997-07-29 Rockwell International Corporation Method for producing resistive gradients on substrates and articles produced thereby
JPH09123513A (ja) 1995-11-06 1997-05-13 Fuji Xerox Co Ltd 導電性高分子薄膜及びその製造方法、導電性高分子薄 膜の駆動方法並びに画像形成方法及び画像形成装置
US5830272A (en) 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US5688551A (en) * 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
US6195142B1 (en) 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
KR100479000B1 (ko) 1996-05-15 2005-08-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막디바이스,액정패널및전자기기및박막디바이스의제조방법
JP3036436B2 (ja) * 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機ｅｌ表示体の製造方法
US5779799A (en) 1996-06-21 1998-07-14 Micron Technology, Inc. Substrate coating apparatus
US6104311A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Addison Technologies Information storage and identification tag
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
EP0880306A4 (en) 1996-11-27 2000-07-05 Tdk Corp ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US6013982A (en) * 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
GB9701680D0 (en) 1997-01-28 1997-03-19 Cambridge Display Tech Ltd Viscosity modification of precursor solutions
US5972419A (en) 1997-06-13 1999-10-26 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display and method for making the same
GB9718516D0 (en) * 1997-09-01 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Methods of Increasing the Efficiency of Organic Electroluminescent Devices
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
JP4348746B2 (ja) 1998-02-18 2009-10-21 セイコーエプソン株式会社 機能素子、発光素子、光学デバイス、及び機能素子の製造方法
US6137221A (en) 1998-07-08 2000-10-24 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device with full color characteristics
JP4434411B2 (ja) 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
TW490997B (en) 2000-03-31 2002-06-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element
US6515310B2 (en) * 2000-05-06 2003-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric apparatus
JP3815269B2 (ja) 2000-07-07 2006-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
ATE282077T1 (de) * 2000-08-30 2004-11-15 Cambridge Display Tech Ltd Formulierung zur ablagerung einer konjugierten polymerschicht
JP3876684B2 (ja) * 2000-12-21 2007-02-07 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタの製造装置、液晶装置の製造方法、液晶装置の製造装置、ｅｌ装置の製造方法、ｅｌ装置の製造装置、材料の吐出方法、ヘッドの制御装置、電子機器
JP2004531859A (ja) 2001-04-26 2004-10-14 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 有機エレクトロルミネセントデバイスとその製造方法
JP4766218B2 (ja) * 2001-07-09 2011-09-07 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌアレイ露光ヘッドとその作製方法及びそれを用いた画像形成装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100662839B1 (ko) * 2004-09-30 2006-12-28 세이코 엡슨 가부시키가이샤 기능막의 제조 방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR100770578B1 (ko) * 2004-11-30 2007-10-26 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 전계발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US20010001050A1 (en) 2001-05-10
DE69736494D1 (de) 2006-09-21
US7662425B2 (en) 2010-02-16
CN1953239A (zh) 2007-04-25
CN1905157A (zh) 2007-01-31
US20030054186A1 (en) 2003-03-20
US20020136823A1 (en) 2002-09-26
KR20040096539A (ko) 2004-11-16
CN100392891C (zh) 2008-06-04
DE69727212D1 (de) 2004-02-19
CN1138458C (zh) 2004-02-11
EP1376717A2 (en) 2004-01-02
KR100498847B1 (ko) 2005-10-04
CN100477251C (zh) 2009-04-08
EP1376717A3 (en) 2004-02-04
KR19990081916A (ko) 1999-11-15
KR20040074137A (ko) 2004-08-21
EP1211916A1 (en) 2002-06-05
CN1953239B (zh) 2010-10-06
EP0880303B1 (en) 2004-01-14
US6863961B2 (en) 2005-03-08
US20100120185A1 (en) 2010-05-13
US8614545B2 (en) 2013-12-24
EP0880303A4 (en) 2000-05-03
EP1376716A3 (en) 2004-02-04
US6821553B2 (en) 2004-11-23
EP1211916B1 (en) 2006-08-09
CN1212114A (zh) 1999-03-24
US6838192B2 (en) 2005-01-04
KR100498852B1 (ko) 2005-07-04
KR100493131B1 (ko) 2005-06-02
JPH10153967A (ja) 1998-06-09
EP1376716A2 (en) 2004-01-02
US20050042477A1 (en) 2005-02-24
JP3899566B2 (ja) 2007-03-28
EP1376716B1 (en) 2013-08-21
US20020155215A1 (en) 2002-10-24
CN1897295A (zh) 2007-01-17
DE69736494T2 (de) 2007-02-15
US6833156B2 (en) 2004-12-21
CN1523938A (zh) 2004-08-25
WO1998024271A1 (fr) 1998-06-04
US20020041926A1 (en) 2002-04-11
KR100495744B1 (ko) 2005-06-16
EP0880303A1 (en) 1998-11-25
DE69727212T2 (de) 2004-11-04
TW553579U (en) 2003-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100498852B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법
JP3900724B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置
KR100403544B1 (ko) 유기발광소자의 제조방법
US6805979B2 (en) Transfer film and process for producing organic electroluminescent device using the same
JP4062352B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
US20020079832A1 (en) Electroluminescent device and a method of manufacturing thereof
JP3649125B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子
WO2010035643A1 (ja) パターン塗布用基板および有機ｅｌ素子
JP2001291587A (ja) 有機発光デバイスの製造方法及び該方法で製造された有機発光デバイス
JP2010205528A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2005056855A (ja) エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR20120113732A (ko) 발광 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130520

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150518

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term