JPH07192867A - 有機el素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
Abstract
(57)【要約】
【目的】 水分による発光特性の劣化が防止され、長期
に亘って安定な発光特性が維持されるとともに、長寿命
の有機EL素子を提供する。 【構成】 一対の電極2,4の間に有機発光材料3を挟
持する構造体10の外側に、水に対する接触角が80°
以上の超撥水性物質を含有する封止層5を配設する。
に亘って安定な発光特性が維持されるとともに、長寿命
の有機EL素子を提供する。 【構成】 一対の電極2,4の間に有機発光材料3を挟
持する構造体10の外側に、水に対する接触角が80°
以上の超撥水性物質を含有する封止層5を配設する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機EL(電界発光)
素子に関する。さらに詳しくは、主に、情報産業機器用
の各種ディスプレーや発光素子に好適に用いられる、長
期に亘って安定な発光特性が維持され、長寿命の有機E
L素子に関する。
素子に関する。さらに詳しくは、主に、情報産業機器用
の各種ディスプレーや発光素子に好適に用いられる、長
期に亘って安定な発光特性が維持され、長寿命の有機E
L素子に関する。
【0002】
【従来の技術】EL素子には無機EL素子と有機EL素
子とがあり、いずれのEL素子も自己発光性であるため
に視認性が高く、また完全固体素子であるために耐衝撃
性に優れるとともに取扱いが容易である。このため、グ
ラフィックディスプレイの画素やテレビ画像表示装置の
画素、または面光源等としての研究開発および実用化が
進められている。有機EL素子は、互いに対向する2つ
の電極の間に有機物を挟持する構造体であり、有機物は
さらに発光層,正孔注入層/発光層,発光層/電子注入
層,正孔注入層/発光層/電子注入層のような積層体
か、または、正孔注入材料と電子注入材料のうち少なく
とも一つと発光材料とを混合した構造になっている。電
極は通常陰極にはYb,Mg,Al,Inなどの仕事関
数の小さな物質が用いられ、陽極にはAu,Ni,IT
Oなどの仕事関数が大きな物質が用いられる。また発光
面則の電極は発光した光を通すように透明または半透明
である。このような有機EL素子は、発光材料に注入さ
れた電子と正孔とが再結合するときに生じる発光を利用
するものである。このため有機EL素子は、発光層の厚
さを薄くすることにより例えば4.5Vという低電圧で
の駆動が可能で応答も速いといった利点や輝度が注入電
流に比例するために高輝度のEL素子を得ることができ
るといった利点を有している。また、発光材料の蛍光性
の有機固体の種類を変えることにより、青、緑、黄、赤
の可視域すべての色で発光を得ることができる。有機E
L素子は、このような利点、特に低電圧での駆動が可能
であるという利点を有していることから、現在、実用化
のために研究が続けられている。
子とがあり、いずれのEL素子も自己発光性であるため
に視認性が高く、また完全固体素子であるために耐衝撃
性に優れるとともに取扱いが容易である。このため、グ
ラフィックディスプレイの画素やテレビ画像表示装置の
画素、または面光源等としての研究開発および実用化が
進められている。有機EL素子は、互いに対向する2つ
の電極の間に有機物を挟持する構造体であり、有機物は
さらに発光層,正孔注入層/発光層,発光層/電子注入
層,正孔注入層/発光層/電子注入層のような積層体
か、または、正孔注入材料と電子注入材料のうち少なく
とも一つと発光材料とを混合した構造になっている。電
極は通常陰極にはYb,Mg,Al,Inなどの仕事関
数の小さな物質が用いられ、陽極にはAu,Ni,IT
Oなどの仕事関数が大きな物質が用いられる。また発光
面則の電極は発光した光を通すように透明または半透明
である。このような有機EL素子は、発光材料に注入さ
れた電子と正孔とが再結合するときに生じる発光を利用
するものである。このため有機EL素子は、発光層の厚
さを薄くすることにより例えば4.5Vという低電圧で
の駆動が可能で応答も速いといった利点や輝度が注入電
流に比例するために高輝度のEL素子を得ることができ
るといった利点を有している。また、発光材料の蛍光性
の有機固体の種類を変えることにより、青、緑、黄、赤
の可視域すべての色で発光を得ることができる。有機E
L素子は、このような利点、特に低電圧での駆動が可能
であるという利点を有していることから、現在、実用化
のために研究が続けられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機EL素
子の発光材料や正孔注入材料、電子注入材料である有機
固体は水分、酸素等に侵され易い。また、有機固体上に
設けられる電極(対向電極)は、酸化により特性が劣化
する。このため、従来の有機EL素子を大気中で駆動さ
せると発光特性が急激に劣化する。したがって、実用的
な有機EL素子を得るためには有機固体に水分や酸素が
侵入しないように、また、対向電極が酸化されないよう
に、素子を封止して長寿命化を図る必要がある。
子の発光材料や正孔注入材料、電子注入材料である有機
固体は水分、酸素等に侵され易い。また、有機固体上に
設けられる電極(対向電極)は、酸化により特性が劣化
する。このため、従来の有機EL素子を大気中で駆動さ
せると発光特性が急激に劣化する。したがって、実用的
な有機EL素子を得るためには有機固体に水分や酸素が
侵入しないように、また、対向電極が酸化されないよう
に、素子を封止して長寿命化を図る必要がある。
【0004】このような有機EL素子の封止法として
は、気相重合法でパラキシレンの薄膜を膜厚0.1〜2
0μmで有機EL素子の上に設ける方法(特開平4−1
37483号公報)や、蒸着やスパッタ法でポリブタジ
エンなどの有機物やSiO2 などの無機物の保護膜を設
ける方法(特開平4−73886号公報)が開示されて
いるが、これらはどれも十分な封止とはいえなかった。
また、GeOなどの無機物の保護膜を設けた後ガラスの
板やフィルムで密封する方法(特開平4−212284
号公報)が開示されているが防湿性も十分とはいえない
し素子駆動時に無発光領域が生じ、満足すべきものはま
だ開発されていないのが現状である。また、無機EL素
子を封止する方法、すなわち、背面電極(対向電極)の
外側に背面ガラス板を設け、背面電極と背面ガラス板と
の間にシリコーンオイルを封入する方法を有機EL素子
に適用した場合には、酸素や水分が対向電極と有機固体
との界面に侵入し電極が剥離をおこしたり、また有機固
体が正孔注入層と電子注入層のうち少なくとも一つと発
光層とを積層した積層構造体の場合には積層構造体を構
成する各層の界面にシリコーンオイルが侵入して剥離が
起こる。これは、有機EL素子を構成する有機固体の表
面張力がシリコーンオイルより小さいことに起因してい
る。
は、気相重合法でパラキシレンの薄膜を膜厚0.1〜2
0μmで有機EL素子の上に設ける方法(特開平4−1
37483号公報)や、蒸着やスパッタ法でポリブタジ
エンなどの有機物やSiO2 などの無機物の保護膜を設
ける方法(特開平4−73886号公報)が開示されて
いるが、これらはどれも十分な封止とはいえなかった。
また、GeOなどの無機物の保護膜を設けた後ガラスの
板やフィルムで密封する方法(特開平4−212284
号公報)が開示されているが防湿性も十分とはいえない
し素子駆動時に無発光領域が生じ、満足すべきものはま
だ開発されていないのが現状である。また、無機EL素
子を封止する方法、すなわち、背面電極(対向電極)の
外側に背面ガラス板を設け、背面電極と背面ガラス板と
の間にシリコーンオイルを封入する方法を有機EL素子
に適用した場合には、酸素や水分が対向電極と有機固体
との界面に侵入し電極が剥離をおこしたり、また有機固
体が正孔注入層と電子注入層のうち少なくとも一つと発
光層とを積層した積層構造体の場合には積層構造体を構
成する各層の界面にシリコーンオイルが侵入して剥離が
起こる。これは、有機EL素子を構成する有機固体の表
面張力がシリコーンオイルより小さいことに起因してい
る。
【0005】一方、素子の安定化を図るため、有機EL
素子を液状フッ素化炭素で保護する有機EL素子(特開
平4−363890号公報)が開示されている。しかし
ながら、この液状フッ素化炭素も揮発性があるため長時
間有機EL素子を駆動するためには十分なものとはいえ
なかった。本発明は、上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、水分による発光特性の劣化が防止され、長期に
亘って安定な発光特性が維持されるとともに、長寿命の
有機EL素子を提供することを目的とする。
素子を液状フッ素化炭素で保護する有機EL素子(特開
平4−363890号公報)が開示されている。しかし
ながら、この液状フッ素化炭素も揮発性があるため長時
間有機EL素子を駆動するためには十分なものとはいえ
なかった。本発明は、上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、水分による発光特性の劣化が防止され、長期に
亘って安定な発光特性が維持されるとともに、長寿命の
有機EL素子を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、その少なくとも一方が透明または
半透明の互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を
挟持してなる構造体、およびその構造体の外側に配設し
た封止層を有する有機EL素子において、前記封止層
が、少なくとも一種類の超撥水性物質を含有するもので
あることを特徴とする有機EL素子が提供される。ま
た、前記超撥水性物質の水に対する接触角が、80°以
上であることを特徴とする有機EL素子が提供される。
さらに、前記超撥水性物質が、PTFEを含有するニッ
ケルメッキ膜またはPVCにフッ化グラファイトを混合
したフィルムであることを特徴とする有機EL素子が提
供される。
め、本発明によれば、その少なくとも一方が透明または
半透明の互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を
挟持してなる構造体、およびその構造体の外側に配設し
た封止層を有する有機EL素子において、前記封止層
が、少なくとも一種類の超撥水性物質を含有するもので
あることを特徴とする有機EL素子が提供される。ま
た、前記超撥水性物質の水に対する接触角が、80°以
上であることを特徴とする有機EL素子が提供される。
さらに、前記超撥水性物質が、PTFEを含有するニッ
ケルメッキ膜またはPVCにフッ化グラファイトを混合
したフィルムであることを特徴とする有機EL素子が提
供される。
【0007】以下、本発明の有機EL素子を具体的に説
明する。まず、本発明に用いられる有機EL素子の構造
体の構成から説明する。 1.有機EL素子の構造体 本発明に用いられる素子の構造体の構成は、特に限定さ
れるものではなく任意の構成を採ることができる。たと
えば、陽極/発光層/陰極、陽極/正孔注入層/発光層
/陰極、陽極/発光層/電子注入層/陰極、又は陽極/
正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極を挙げることが
できる。また各層が複数の層の積層体でもよいし、複数
の材料の混合層でもよい。これらの有機物各層はたとえ
ば特願平5−028659号に提案された有機物を入れ
た容器を電子線により加熱して、その有機物をその容器
から蒸発させ、かつ、その蒸発させた有機物を一方の電
極上に堆積させて有機物層を形成する方法を用いて形成
することができる。各層の厚さは特に限定されるもので
はない。陰陽の電極を除いた各層の厚さは通常5nm〜
5μmである。また材料は通常有機EL素子に使われる
ものなら特に限定されない。以下、具体的に、陽極/正
孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極からなる
有機EL素子の構造体の各構成について説明する。
明する。まず、本発明に用いられる有機EL素子の構造
体の構成から説明する。 1.有機EL素子の構造体 本発明に用いられる素子の構造体の構成は、特に限定さ
れるものではなく任意の構成を採ることができる。たと
えば、陽極/発光層/陰極、陽極/正孔注入層/発光層
/陰極、陽極/発光層/電子注入層/陰極、又は陽極/
正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極を挙げることが
できる。また各層が複数の層の積層体でもよいし、複数
の材料の混合層でもよい。これらの有機物各層はたとえ
ば特願平5−028659号に提案された有機物を入れ
た容器を電子線により加熱して、その有機物をその容器
から蒸発させ、かつ、その蒸発させた有機物を一方の電
極上に堆積させて有機物層を形成する方法を用いて形成
することができる。各層の厚さは特に限定されるもので
はない。陰陽の電極を除いた各層の厚さは通常5nm〜
5μmである。また材料は通常有機EL素子に使われる
ものなら特に限定されない。以下、具体的に、陽極/正
孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極からなる
有機EL素子の構造体の各構成について説明する。
【0008】基板 本発明に用いられる有機EL素子の構造体は、基板上に
て形成することが好ましい。本発明に用いられる基板
は、透明性を有するものが好ましく、具体的にはガラ
ス,透明プラスチック,石英などを挙げることができ
る。
て形成することが好ましい。本発明に用いられる基板
は、透明性を有するものが好ましく、具体的にはガラ
ス,透明プラスチック,石英などを挙げることができ
る。
【0009】電極 本発明に用いられる電極は、その少なくとも一方が透明
または半透明の互いに対向する一対の電極(陽極及び陰
極)からなる。透明または半透明とするのは透光性を得
るためである。 −1陽極 本発明に用いられる有機EL素子における陽極として
は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気
伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするもの
を好適に用いることができる。このような電極物質の具
体例としてはAuなどの金属,CuI,ITO,SnO
2 ,ZnOなどの誘電性を有した透明材料または半透明
材料を挙げることができる。該陽極は、これらの極物質
を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成
させることにより作成することができる。この電極より
発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくす
ることが望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数
百Ω/□以下とすることが好ましい。さらに膜厚は材料
にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜
200nmの範囲で選ぶことができる。
または半透明の互いに対向する一対の電極(陽極及び陰
極)からなる。透明または半透明とするのは透光性を得
るためである。 −1陽極 本発明に用いられる有機EL素子における陽極として
は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気
伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするもの
を好適に用いることができる。このような電極物質の具
体例としてはAuなどの金属,CuI,ITO,SnO
2 ,ZnOなどの誘電性を有した透明材料または半透明
材料を挙げることができる。該陽極は、これらの極物質
を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成
させることにより作成することができる。この電極より
発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくす
ることが望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数
百Ω/□以下とすることが好ましい。さらに膜厚は材料
にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜
200nmの範囲で選ぶことができる。
【0010】−2陰極 一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)
金属,合金,電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電
極物質とするものを用いることができる。このような電
極物質の具体例としては、ナトリウム,ナトリウム−カ
リウム合金,マグネシウム,リチウム,マグネシウム/
銅混合物,Al/(Al2 O3 ),インジウム,希土類
金属などを挙げることができる。該陰極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより、作成することができる。ま
た、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下とするこ
とが好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm,好ましく
は50〜200nmの範囲で選ぶことができる。なお、
このEL素子においては、該陽極又は陰極のいずれか一
方を透明又は半透明とすることが、電極自体が発光を透
過して、発光の取り出し効率を向上させるため好まし
い。
金属,合金,電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電
極物質とするものを用いることができる。このような電
極物質の具体例としては、ナトリウム,ナトリウム−カ
リウム合金,マグネシウム,リチウム,マグネシウム/
銅混合物,Al/(Al2 O3 ),インジウム,希土類
金属などを挙げることができる。該陰極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより、作成することができる。ま
た、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下とするこ
とが好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm,好ましく
は50〜200nmの範囲で選ぶことができる。なお、
このEL素子においては、該陽極又は陰極のいずれか一
方を透明又は半透明とすることが、電極自体が発光を透
過して、発光の取り出し効率を向上させるため好まし
い。
【0011】発光層 発光層の材料として使用可能な有機化合物としては、特
に限定はないが、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾ
ール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キ
レート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合
物等を挙げることができる。
に限定はないが、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾ
ール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キ
レート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合
物等を挙げることができる。
【0012】具体的に化合物名を示せば、例えば、特開
昭59−194393号公報に開示されているものを挙
げることができる。その代表例としては2,5−ビス
(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリ
ル)−1,3,4−チアジアゾール、4,4’−ビス
(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)ス
チルベン、4,4’−ビス[5,7−ジ−(2−メチル
−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル]スチルベ
ン、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベ
ンゾオキサゾリル)チオフェン、2,5−ビス[5−
α,α−ジメチルベンジル−2−ベンゾオキサゾリル]
チオフェン、2,5−ビス[5,7−ジ−(2−メチル
−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル]−3,4ジ
オフェニルチオフェン、2,5−ビス(5−メチル−2
−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、4,4’−ビス
(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニル、5−メチル−
2−[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリ
ル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール、2−[2
−(4−クロロフェニル)ビニル]ナフト[1,2−
d]オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、2−2’
−(p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾー
ル等のベンゾチアゾール系、2−[2−[4−(2−ベ
ンゾイミダゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾイミダゾ
ール、2−[2−(4−カルボキシフェニル)ビニル]
ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光
増白剤を挙げることができる。さらに、他の有用な化合
物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ1
971,628〜637頁および640頁に列挙されて
いる。
昭59−194393号公報に開示されているものを挙
げることができる。その代表例としては2,5−ビス
(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリ
ル)−1,3,4−チアジアゾール、4,4’−ビス
(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)ス
チルベン、4,4’−ビス[5,7−ジ−(2−メチル
−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル]スチルベ
ン、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベ
ンゾオキサゾリル)チオフェン、2,5−ビス[5−
α,α−ジメチルベンジル−2−ベンゾオキサゾリル]
チオフェン、2,5−ビス[5,7−ジ−(2−メチル
−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル]−3,4ジ
オフェニルチオフェン、2,5−ビス(5−メチル−2
−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、4,4’−ビス
(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニル、5−メチル−
2−[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリ
ル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール、2−[2
−(4−クロロフェニル)ビニル]ナフト[1,2−
d]オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、2−2’
−(p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾー
ル等のベンゾチアゾール系、2−[2−[4−(2−ベ
ンゾイミダゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾイミダゾ
ール、2−[2−(4−カルボキシフェニル)ビニル]
ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光
増白剤を挙げることができる。さらに、他の有用な化合
物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ1
971,628〜637頁および640頁に列挙されて
いる。
【0013】前記キレート化オキシノイド化合物として
は、例えば特開昭63−295695号公報に開示され
ているものを用いることができる。その代表例として
は、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス
(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ
[f]−8−キノリノール)亜鉛、ビス(2−メチル−
8−キノリノラート)アルミニウムオキシド、トリス
(8−キノリノ−ル)インジウム、トリス(5−メチル
−8−キノリノール)アルミニウム、8−キノリノール
リチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガ
リウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシ
ウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−
キノリノニル)メタン]等の8−ヒドロキシキノリン系
金属錯体やジリチウムエピントリジオン等を挙げること
ができる。
は、例えば特開昭63−295695号公報に開示され
ているものを用いることができる。その代表例として
は、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス
(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ
[f]−8−キノリノール)亜鉛、ビス(2−メチル−
8−キノリノラート)アルミニウムオキシド、トリス
(8−キノリノ−ル)インジウム、トリス(5−メチル
−8−キノリノール)アルミニウム、8−キノリノール
リチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガ
リウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシ
ウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−
キノリノニル)メタン]等の8−ヒドロキシキノリン系
金属錯体やジリチウムエピントリジオン等を挙げること
ができる。
【0014】また、前記スチリルベンゼン系化合物とし
ては、例えば欧州特許第0319881号明細書や欧州
特許第0373582号明細書に開示されているものを
用いることができる。その代表例としては、1,4−ビ
ス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3
−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチ
ルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−
ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス
(3−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(2−
メチルスチリル)−2−メチルベンゼン、1,4−ビス
(2−メチルスチリル)−2−エチルベンゼン等を挙げ
ることができる。
ては、例えば欧州特許第0319881号明細書や欧州
特許第0373582号明細書に開示されているものを
用いることができる。その代表例としては、1,4−ビ
ス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3
−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチ
ルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−
ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス
(3−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(2−
メチルスチリル)−2−メチルベンゼン、1,4−ビス
(2−メチルスチリル)−2−エチルベンゼン等を挙げ
ることができる。
【0015】また、特開平2−252793号公報に開
示されているジスチリルピラジン誘導体も発光層の材料
として用いることができる。その代表例としては、2,
5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビ
ス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2
−(1−ナフチル))ビニル]ピラジン、2,5−ビス
(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2
−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス
[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラジン等を挙げるこ
とができる。その他のものとして、例えば欧州特許第0
387715号明細書に開示されているポリフェニル系
化合物も発光層の材料として用いることもできる。
示されているジスチリルピラジン誘導体も発光層の材料
として用いることができる。その代表例としては、2,
5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビ
ス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2
−(1−ナフチル))ビニル]ピラジン、2,5−ビス
(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2
−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス
[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラジン等を挙げるこ
とができる。その他のものとして、例えば欧州特許第0
387715号明細書に開示されているポリフェニル系
化合物も発光層の材料として用いることもできる。
【0016】さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレー
ト化オキシノイド化合物、およびスチリルベンゼン系化
合物等以外に、例えば12−フタロペリノン(J. Appl.
Phys., 第27巻,L713(1988年))、1,4
−ジフェニル−1,3−ブタジエン、1,1,4,4−
テトラフェニル−1,3ブタジエン(以上Appl. Phys.
Lett.,第56巻,L799(1990年))、ナフタル
イミド誘導体(特開平2−305886号公報)、ペリ
レン誘導体(特開平2−189890号公報)、オキサ
ジアゾール誘導体(特開平2−216791号公報、ま
たは第38回応用物理学関係連合講演会で浜田らによっ
て開示されたオキサジアゾール誘導体)、アルダジン誘
導体(特開平2−220393号公報)、ピラジリン誘
導体(特開平2−220394号公報)、シクロペンタ
ジエン誘導体(特開平2−289675号公報)、ピロ
ロピロール誘導体(特開平2−296891号公報)、
スチリルアミン誘導体(Appl. Phys. Lett.,第56巻,
L799(1990年))、クマリン系化合物(特開平
2−191694号公報)、国際公開公報WO90/1
3148やAppl. Phys. Lett.,vol 58,18,P1982(1991)
に記載されているような高分子化合物等も、発光層の材
料として用いることができる。
ト化オキシノイド化合物、およびスチリルベンゼン系化
合物等以外に、例えば12−フタロペリノン(J. Appl.
Phys., 第27巻,L713(1988年))、1,4
−ジフェニル−1,3−ブタジエン、1,1,4,4−
テトラフェニル−1,3ブタジエン(以上Appl. Phys.
Lett.,第56巻,L799(1990年))、ナフタル
イミド誘導体(特開平2−305886号公報)、ペリ
レン誘導体(特開平2−189890号公報)、オキサ
ジアゾール誘導体(特開平2−216791号公報、ま
たは第38回応用物理学関係連合講演会で浜田らによっ
て開示されたオキサジアゾール誘導体)、アルダジン誘
導体(特開平2−220393号公報)、ピラジリン誘
導体(特開平2−220394号公報)、シクロペンタ
ジエン誘導体(特開平2−289675号公報)、ピロ
ロピロール誘導体(特開平2−296891号公報)、
スチリルアミン誘導体(Appl. Phys. Lett.,第56巻,
L799(1990年))、クマリン系化合物(特開平
2−191694号公報)、国際公開公報WO90/1
3148やAppl. Phys. Lett.,vol 58,18,P1982(1991)
に記載されているような高分子化合物等も、発光層の材
料として用いることができる。
【0017】本発明では、特に発光層の材料として、芳
香族ジメチリディン系化合物(欧州特許第038876
8号明細書や特開平3−231970号公報に開示のも
の)を用いることが好ましい。具体例としては、1,4
−フェニレンジメチリディン、4,4−フェニレンジメ
チリディン、2,5−キシレンジメチリディン、2,6
−ナフチレンジメチリディン、1,4−ビフェニレンジ
メチリディン、1,4−p−テレフェニレンジメチリデ
ィン、9,10−アントラセンジイルジルメチリディ
ン、4,4’−ビス(2,2−ジ−t−ブチルフェニル
ビニル)ビフェニル、4,4’−ビス(2,2−ジフェ
ニルビニル)ビフェニル等、およびそれらの誘導体を挙
げることができる。
香族ジメチリディン系化合物(欧州特許第038876
8号明細書や特開平3−231970号公報に開示のも
の)を用いることが好ましい。具体例としては、1,4
−フェニレンジメチリディン、4,4−フェニレンジメ
チリディン、2,5−キシレンジメチリディン、2,6
−ナフチレンジメチリディン、1,4−ビフェニレンジ
メチリディン、1,4−p−テレフェニレンジメチリデ
ィン、9,10−アントラセンジイルジルメチリディ
ン、4,4’−ビス(2,2−ジ−t−ブチルフェニル
ビニル)ビフェニル、4,4’−ビス(2,2−ジフェ
ニルビニル)ビフェニル等、およびそれらの誘導体を挙
げることができる。
【0018】このようにして形成される発光層の厚さに
ついては特に限定はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、通常5nm〜5μmの範囲が好ましい。
有機EL素子における発光層は、電界印加時に、陽極ま
たは正孔注入層から正孔を注入することができ、かつ陰
極または電子注入層から電子を注入することができる注
入機能、注入された電荷(電子と正孔)を電界の力で移
動させる輸送機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、
これを発光につなげる発光機能等を有している。なお、
正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさとの間に
は違いがあっても構わない。また、正孔と電子の移動度
で表される輸送機能に大小があってもよいが、少なくと
もどちらか一方を移動させることが好ましい。
ついては特に限定はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、通常5nm〜5μmの範囲が好ましい。
有機EL素子における発光層は、電界印加時に、陽極ま
たは正孔注入層から正孔を注入することができ、かつ陰
極または電子注入層から電子を注入することができる注
入機能、注入された電荷(電子と正孔)を電界の力で移
動させる輸送機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、
これを発光につなげる発光機能等を有している。なお、
正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさとの間に
は違いがあっても構わない。また、正孔と電子の移動度
で表される輸送機能に大小があってもよいが、少なくと
もどちらか一方を移動させることが好ましい。
【0019】正孔注入層 必要に応じて設けられる正孔注入層の材料としては、従
来より光伝導材料の正孔注入材料として慣用されている
ものや有機EL素子の正孔注入層に使用されている公知
のものの中から任意のものを選択して用いることができ
る。正孔注入層の材料は、正孔の注入、電子の障壁性の
いづれかを有するものであり、有機物あるいは無機物の
どちらでもよい。
来より光伝導材料の正孔注入材料として慣用されている
ものや有機EL素子の正孔注入層に使用されている公知
のものの中から任意のものを選択して用いることができ
る。正孔注入層の材料は、正孔の注入、電子の障壁性の
いづれかを有するものであり、有機物あるいは無機物の
どちらでもよい。
【0020】具体例としては、例えばトリアゾール誘導
体(米国特許3,112,197号明細書等参照)、オ
キサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号
明細書等参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−1
6096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体
(米国特許3,615,402号明細書、同第3,82
0,989号明細書、同第3,542,544号明細
書、特公昭45−555号公報、同51−10983号
公報、特開昭51−93224号公報、同55−171
05号公報、同56−4148号公報、同55−108
667号公報、同55−156953号公報、同56−
36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体およびピ
ラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細
書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−8
8064号公報、同55−88065号公報、同49−
105537号公報、同55−51086号公報、同5
6−80051号公報、同56−88141号公報、同
57−45545号公報、同54−112637号公
報、同55−74546号公報等参照)、フェニレンジ
アミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細
書、特公昭51−10105号公報、同46−3712
号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53
435号公報、同54−110536号公報、同54−
119925号公報等参照)、アリールアミン誘導体
(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,1
80,703号明細書、同第3,240,597号明細
書、同第3,658,520号明細書、同第4,23
2,103号明細書、同第4,175,961号明細
書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−3
5702号公報、同39−27577号公報、特開昭5
5−144250号公報、同56−119132号公
報、同56−22437号公報、西独特許第1,11
0,518号明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導
体(米国特許第3,526,501号明細書等参照)、
オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号
明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体
(特開昭56−46234号公報等参照)、フルオレノ
ン誘導体(特開昭54−110837号公報等参照)、
ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明
細書、特開昭54−59143号公報、同55−520
63号公報、同55−52064号公報、同55−46
760号公報、同55−85495号公報、同57−1
1350号公報、同57−148749号公報、特開平
2−311591号公報等参照)、スチルベン誘導体
(特開昭61−210363号公報、同61−2284
51号公報、同61−14642号公報、同61−72
255号公報、同62−47646号公報、同62−3
6674号公報、同62−10652号公報、同62−
30255号公報、同60−93445号公報、同60
−94462号公報、同60−174749号公報、同
60−175052号公報等参照)、シラザン誘導体
(米国特許第4,950,950号明細書)、ポリシラ
ン系(特開平2−204996号公報)、アニリン系共
重合体(特開平2−282263号公報)、特開平1−
211399号公報に開示されている導電性高分子オリ
ゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等を挙げることが
できる。
体(米国特許3,112,197号明細書等参照)、オ
キサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号
明細書等参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−1
6096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体
(米国特許3,615,402号明細書、同第3,82
0,989号明細書、同第3,542,544号明細
書、特公昭45−555号公報、同51−10983号
公報、特開昭51−93224号公報、同55−171
05号公報、同56−4148号公報、同55−108
667号公報、同55−156953号公報、同56−
36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体およびピ
ラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細
書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−8
8064号公報、同55−88065号公報、同49−
105537号公報、同55−51086号公報、同5
6−80051号公報、同56−88141号公報、同
57−45545号公報、同54−112637号公
報、同55−74546号公報等参照)、フェニレンジ
アミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細
書、特公昭51−10105号公報、同46−3712
号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53
435号公報、同54−110536号公報、同54−
119925号公報等参照)、アリールアミン誘導体
(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,1
80,703号明細書、同第3,240,597号明細
書、同第3,658,520号明細書、同第4,23
2,103号明細書、同第4,175,961号明細
書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−3
5702号公報、同39−27577号公報、特開昭5
5−144250号公報、同56−119132号公
報、同56−22437号公報、西独特許第1,11
0,518号明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導
体(米国特許第3,526,501号明細書等参照)、
オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号
明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体
(特開昭56−46234号公報等参照)、フルオレノ
ン誘導体(特開昭54−110837号公報等参照)、
ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明
細書、特開昭54−59143号公報、同55−520
63号公報、同55−52064号公報、同55−46
760号公報、同55−85495号公報、同57−1
1350号公報、同57−148749号公報、特開平
2−311591号公報等参照)、スチルベン誘導体
(特開昭61−210363号公報、同61−2284
51号公報、同61−14642号公報、同61−72
255号公報、同62−47646号公報、同62−3
6674号公報、同62−10652号公報、同62−
30255号公報、同60−93445号公報、同60
−94462号公報、同60−174749号公報、同
60−175052号公報等参照)、シラザン誘導体
(米国特許第4,950,950号明細書)、ポリシラ
ン系(特開平2−204996号公報)、アニリン系共
重合体(特開平2−282263号公報)、特開平1−
211399号公報に開示されている導電性高分子オリ
ゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等を挙げることが
できる。
【0021】正孔注入層の材料としては上記のものを使
用することができるが、ポルフィリン化合物(特開昭6
3−2956965号公報等に開示のもの)、芳香族第
三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物(米国特
許第4,127,412号明細書、特開昭53−270
33号公報、同54−58445号公報、同54−14
9634号公報、同54−64299号公報、同55−
79450号公報、同55−144250号公報、同5
6−119132号公報、同61−295558号公
報、同61−98353号公報、同63−295695
号公報等参照)、特に芳香族第三級アミン化合物を用い
ることが好ましい。
用することができるが、ポルフィリン化合物(特開昭6
3−2956965号公報等に開示のもの)、芳香族第
三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物(米国特
許第4,127,412号明細書、特開昭53−270
33号公報、同54−58445号公報、同54−14
9634号公報、同54−64299号公報、同55−
79450号公報、同55−144250号公報、同5
6−119132号公報、同61−295558号公
報、同61−98353号公報、同63−295695
号公報等参照)、特に芳香族第三級アミン化合物を用い
ることが好ましい。
【0022】上記ポルフィリン化合物の代表例として
は、ポルフィン、1,10,15,20−テトラフェニ
ル−21H,23H−ポルフィン銅(II)、1,10,
15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフ
ィン亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)−21H,23H−ポルフ
ィン、シリコンフタロシアニンオキシド、アルミニウム
フタロシアニンクロリド、フタロシアニン(無金属)、
ジリチウムフタロシアニン、銅テトラメチルフタロシア
ニン、銅フタロシアニン、クロムフタロシアニン、亜鉛
フタロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニウムフタロ
シアニンオキシド、Mgフタロシアニン、銅オクタメチ
ルフタロシアニン等を挙げることができる。
は、ポルフィン、1,10,15,20−テトラフェニ
ル−21H,23H−ポルフィン銅(II)、1,10,
15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフ
ィン亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)−21H,23H−ポルフ
ィン、シリコンフタロシアニンオキシド、アルミニウム
フタロシアニンクロリド、フタロシアニン(無金属)、
ジリチウムフタロシアニン、銅テトラメチルフタロシア
ニン、銅フタロシアニン、クロムフタロシアニン、亜鉛
フタロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニウムフタロ
シアニンオキシド、Mgフタロシアニン、銅オクタメチ
ルフタロシアニン等を挙げることができる。
【0023】また、前記芳香族第三級アミン化合物およ
びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,
N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノフェ
ニル、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス−(3−
メチルフェニル)−[1,1’−ビフェニル]−4,
4’−ジアミン、2,2−ビス(4−ジ−p−トリルア
ミノフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ジ−p−
トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N,
N’,N’−テトラ−p−トリル−4,4’−ジアミノ
フェニル、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフ
ェニル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−ジ
メチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン、
ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメ
タン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(4−メト
キシフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル、N,
N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノ
フェニルエーテル、4,4’−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル、N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−
[4(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、
4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニ
ル)ベンゼン、3−メトキシ−4’−N,N−ジフェニ
ルアミノスチルベンゼン、N−フェニルカルバゾール等
を挙げることができる。また、発光層の材料として示し
た前述の芳香族ジメチリディン系化合物も、正孔注入層
の材料として使用することができる。
びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,
N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノフェ
ニル、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス−(3−
メチルフェニル)−[1,1’−ビフェニル]−4,
4’−ジアミン、2,2−ビス(4−ジ−p−トリルア
ミノフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ジ−p−
トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N,
N’,N’−テトラ−p−トリル−4,4’−ジアミノ
フェニル、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフ
ェニル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−ジ
メチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン、
ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメ
タン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(4−メト
キシフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル、N,
N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノ
フェニルエーテル、4,4’−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル、N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−
[4(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、
4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニ
ル)ベンゼン、3−メトキシ−4’−N,N−ジフェニ
ルアミノスチルベンゼン、N−フェニルカルバゾール等
を挙げることができる。また、発光層の材料として示し
た前述の芳香族ジメチリディン系化合物も、正孔注入層
の材料として使用することができる。
【0024】正孔注入層としての厚さは特に制限されな
いが、通常は5nm〜5μmである。この正孔注入層
は、上述した材料の1種または2種以上からなる一層構
造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層
からなる複層構造であってもよい。
いが、通常は5nm〜5μmである。この正孔注入層
は、上述した材料の1種または2種以上からなる一層構
造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層
からなる複層構造であってもよい。
【0025】電子注入層 必要に応じて設けられる電子注入層は、陰極より注入さ
れた電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、
その材料としては従来公知の化合物の中から任意のもの
を選択して用いることができる。
れた電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、
その材料としては従来公知の化合物の中から任意のもの
を選択して用いることができる。
【0026】具体例としては、ニトロ置換フルオレノン
誘導体、特開昭57−149259号公報、同58−5
5450号公報、同63−104061号公報等に開示
されているアントラキノジメタン誘導体、Polymer Prep
rints,Japan Vol.37,No.3(1988)p.681等に記載されてい
るジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導
体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無
水物、カルボジイミド、Japanese Journal of Applied
Physics,27,L 269(1988)、特開昭60−69657号公
報、同61−143764号公報、同61−14815
9号公報等に開示されているフルオレニリデンメタン誘
導体、特開昭61−225151号公報、同61−23
3750号公報等に開示されているアントラキノジメタ
ン誘導体およびアントロン誘導体、Appl. Phys. Lett.,
55,15,1489や前述の第38回応用物理学関係連合講演会
で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体、
特開昭59−194393号公報に開示されている一連
の電子伝達性化合物等が挙げられる。なお、特開昭59
−194393号公報では前記電子伝達性化合物を発光
層の材料として開示しているが、本発明者の検討によれ
ば、電子注入層の材料としても用いることができること
が明らかとなった。
誘導体、特開昭57−149259号公報、同58−5
5450号公報、同63−104061号公報等に開示
されているアントラキノジメタン誘導体、Polymer Prep
rints,Japan Vol.37,No.3(1988)p.681等に記載されてい
るジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導
体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無
水物、カルボジイミド、Japanese Journal of Applied
Physics,27,L 269(1988)、特開昭60−69657号公
報、同61−143764号公報、同61−14815
9号公報等に開示されているフルオレニリデンメタン誘
導体、特開昭61−225151号公報、同61−23
3750号公報等に開示されているアントラキノジメタ
ン誘導体およびアントロン誘導体、Appl. Phys. Lett.,
55,15,1489や前述の第38回応用物理学関係連合講演会
で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体、
特開昭59−194393号公報に開示されている一連
の電子伝達性化合物等が挙げられる。なお、特開昭59
−194393号公報では前記電子伝達性化合物を発光
層の材料として開示しているが、本発明者の検討によれ
ば、電子注入層の材料としても用いることができること
が明らかとなった。
【0027】また、8−キノリノール誘導体の金属錯
体、具体的にはトリス(8−キノリノール)アルミニウ
ム、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノ−ル)ア
ルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノ
−ル)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリ
ノ−ル)アルミニウム等や、これらの金属錯体の中心金
属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、またはPbに置き
代わった金属錯体等も電子注入層の材料として用いるこ
とができる。その他に、メタルフリーあるいはメタルフ
タロシアニンまたはそれらの末端がアルキル基、スルホ
ン基等で置換されているものも望ましい。また、発光層
の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電
子注入層の材料として用いることができる。
体、具体的にはトリス(8−キノリノール)アルミニウ
ム、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノ−ル)ア
ルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノ
−ル)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリ
ノ−ル)アルミニウム等や、これらの金属錯体の中心金
属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、またはPbに置き
代わった金属錯体等も電子注入層の材料として用いるこ
とができる。その他に、メタルフリーあるいはメタルフ
タロシアニンまたはそれらの末端がアルキル基、スルホ
ン基等で置換されているものも望ましい。また、発光層
の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電
子注入層の材料として用いることができる。
【0028】電子注入層としての厚さは特に制限されな
いが、通常は5nm〜5μmである。この電子注入層
は、上述した材料の1種または2種以上からなる一層構
造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層
からなる複層構造であってもよい。
いが、通常は5nm〜5μmである。この電子注入層
は、上述した材料の1種または2種以上からなる一層構
造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層
からなる複層構造であってもよい。
【0029】2.封止層 前記構造体の外側に配設される封止層は、素子内部に酸
素や水分の侵入を防止するために設けられる。本発明に
用いられる封止層は、超撥水性物質を含有する。 超撥水性物質 本発明に用いられる超撥水性物質とは、水に対する接触
角が大きい物質をいい、80°以上の接触角を有するも
のが好ましく、120°以上がさらに好ましい。すなわ
ち、PTFE等のフッ素系樹脂(水に対する接触角80
°〜116°)よりも接触角が大きい物質が好ましい。
具体的には、フッ化グラファイト等のグラファイドイン
ターカーレーション、カルナウバロウ等の有機物、PT
FEの粉末を含有するニッケルメッキ膜等を挙げること
ができる。 構成 本発明における封止層の構成は、基体に超撥水性物質を
混合したものでもよく、基体表面に超撥水性物質からな
る層(膜,メッキ,フィルム等)を積層したものであっ
てもよい。また、基体として、超撥水性物質そのものを
用いてもよい。すなわち、 i)基体の中に超撥水性物質を混合する場合 超撥水性物質の混合率は特に限定されるものではない
が、70重量%以上が好ましい。この場合の基体として
は、特に制限はなくたとえば、アクリル系,フッ素系,
ポリカーボネート系,ポリエステル,ポリアミド,ポリ
スチレン,ポリエチレン,ポリプロピレン等の樹脂を用
いることができる。 ii)基体の表面に超撥水性物質を積層する場合 この場合の超撥水性物質の膜厚としては、特に制限はな
いが0.01μm〜10mmが好ましい。0.01〜1
mmが、さらに好ましい。この場合の基体としては、特
に制限はなく、たとえば、Al,Fe,Sn,Ni,Z
n等の金属及びそれらを含む合金、ガラス,セラミック
ス等の無機物、アクリル系,フッ素系,ポリカーボネー
ト系,ポリエステル,ポリアミド,ポリスチレン,ポリ
エチレン,ポリプロピレン等の樹脂を用いることができ
る。なお、本発明においては、超撥水性物質により水の
侵入を防止するため基体には防水,撥水の性質を特別に
は必要としない。さらに、構造体と封止層との間にさら
に、テフロン等の樹脂の蒸着膜、フッ素化炭化水素、た
とえば商品名:フロリナート等の不活性液体、Ar、N
i等の不活性気体等からなる保護層を設けてもよい。
素や水分の侵入を防止するために設けられる。本発明に
用いられる封止層は、超撥水性物質を含有する。 超撥水性物質 本発明に用いられる超撥水性物質とは、水に対する接触
角が大きい物質をいい、80°以上の接触角を有するも
のが好ましく、120°以上がさらに好ましい。すなわ
ち、PTFE等のフッ素系樹脂(水に対する接触角80
°〜116°)よりも接触角が大きい物質が好ましい。
具体的には、フッ化グラファイト等のグラファイドイン
ターカーレーション、カルナウバロウ等の有機物、PT
FEの粉末を含有するニッケルメッキ膜等を挙げること
ができる。 構成 本発明における封止層の構成は、基体に超撥水性物質を
混合したものでもよく、基体表面に超撥水性物質からな
る層(膜,メッキ,フィルム等)を積層したものであっ
てもよい。また、基体として、超撥水性物質そのものを
用いてもよい。すなわち、 i)基体の中に超撥水性物質を混合する場合 超撥水性物質の混合率は特に限定されるものではない
が、70重量%以上が好ましい。この場合の基体として
は、特に制限はなくたとえば、アクリル系,フッ素系,
ポリカーボネート系,ポリエステル,ポリアミド,ポリ
スチレン,ポリエチレン,ポリプロピレン等の樹脂を用
いることができる。 ii)基体の表面に超撥水性物質を積層する場合 この場合の超撥水性物質の膜厚としては、特に制限はな
いが0.01μm〜10mmが好ましい。0.01〜1
mmが、さらに好ましい。この場合の基体としては、特
に制限はなく、たとえば、Al,Fe,Sn,Ni,Z
n等の金属及びそれらを含む合金、ガラス,セラミック
ス等の無機物、アクリル系,フッ素系,ポリカーボネー
ト系,ポリエステル,ポリアミド,ポリスチレン,ポリ
エチレン,ポリプロピレン等の樹脂を用いることができ
る。なお、本発明においては、超撥水性物質により水の
侵入を防止するため基体には防水,撥水の性質を特別に
は必要としない。さらに、構造体と封止層との間にさら
に、テフロン等の樹脂の蒸着膜、フッ素化炭化水素、た
とえば商品名:フロリナート等の不活性液体、Ar、N
i等の不活性気体等からなる保護層を設けてもよい。
【0030】
【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明する。 実施例1 25mm×75mm×1.1mmのサイズのガラス基板
上にITO電極を100nmの厚さで成膜したものを透
明支持基板とした。これをイソプロピルアルコールで3
0分間超音波洗浄した後、純水で30分間洗浄し、最後
に再びイソプロピルアルコールで30分間超音波洗浄し
た。そしてこの透明支持基板を市販の真空蒸着装置(日
本真空技術社製)の基板ホルダーに固定し、モリブデン
製の抵抗加熱ボートにN,N’−ジフェニル−N,N’
−ビス−(3−メチルフェニル−[1,1’−ビフェニ
ル]−4,4’−ジアミン(TPD)を200mg入
れ、また異なるモリブデン製抵抗加熱ボートにトリス
(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)を20
0mg入れ真空チャンバー内を1×10-4Paまで減圧
した。その後、TPD入りの前記ボートを215〜22
0℃まで加熱し、TPDを蒸着速度0.1〜0.3nm
/sで基板上に堆積させ、膜厚60nmの正孔注入層を
成膜した。このときの基板温度は室温であった。これを
真空槽から取り出すことなく正孔注入層の上に、もう一
つのボートよりAlq3 を発光層として60nm積層蒸
着した。蒸着条件は、ボート温度が275℃で蒸着速度
が0.1〜0.2nm、基板温度は室温であった。次
に、モリブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウム1gを
入れ、また別のモリブデン製抵抗加熱ボートにインジウ
ム500mgを入れた。その後真空槽を2×10-4Pa
まで減圧してインジウムを0.03〜0.08nm/s
の蒸着速度で蒸発させ、同時に抵抗加熱法によりもう一
方のモリブデン製ボートからマグネシウムを1.7〜
2.8nm/sの蒸着速度で蒸着した。マグネシウム、
インジウムのボート温度は、それぞれ500℃、800
℃程度であった。以上の条件でマグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を発光層の上に150nm積層蒸着
し、対向電極とした。このようにしてITO/TPD/
Alq3 /Mg:Inの素子の構成で膜厚はそれぞれ1
00,60,60,150nmの構成体を作製した。こ
の構成体の初期性能は電圧6.5V、電流密度3mA/
cm2 、輝度100cd/m2 で電力変換効率1.6
lm/Wであった。
に説明する。 実施例1 25mm×75mm×1.1mmのサイズのガラス基板
上にITO電極を100nmの厚さで成膜したものを透
明支持基板とした。これをイソプロピルアルコールで3
0分間超音波洗浄した後、純水で30分間洗浄し、最後
に再びイソプロピルアルコールで30分間超音波洗浄し
た。そしてこの透明支持基板を市販の真空蒸着装置(日
本真空技術社製)の基板ホルダーに固定し、モリブデン
製の抵抗加熱ボートにN,N’−ジフェニル−N,N’
−ビス−(3−メチルフェニル−[1,1’−ビフェニ
ル]−4,4’−ジアミン(TPD)を200mg入
れ、また異なるモリブデン製抵抗加熱ボートにトリス
(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)を20
0mg入れ真空チャンバー内を1×10-4Paまで減圧
した。その後、TPD入りの前記ボートを215〜22
0℃まで加熱し、TPDを蒸着速度0.1〜0.3nm
/sで基板上に堆積させ、膜厚60nmの正孔注入層を
成膜した。このときの基板温度は室温であった。これを
真空槽から取り出すことなく正孔注入層の上に、もう一
つのボートよりAlq3 を発光層として60nm積層蒸
着した。蒸着条件は、ボート温度が275℃で蒸着速度
が0.1〜0.2nm、基板温度は室温であった。次
に、モリブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウム1gを
入れ、また別のモリブデン製抵抗加熱ボートにインジウ
ム500mgを入れた。その後真空槽を2×10-4Pa
まで減圧してインジウムを0.03〜0.08nm/s
の蒸着速度で蒸発させ、同時に抵抗加熱法によりもう一
方のモリブデン製ボートからマグネシウムを1.7〜
2.8nm/sの蒸着速度で蒸着した。マグネシウム、
インジウムのボート温度は、それぞれ500℃、800
℃程度であった。以上の条件でマグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を発光層の上に150nm積層蒸着
し、対向電極とした。このようにしてITO/TPD/
Alq3 /Mg:Inの素子の構成で膜厚はそれぞれ1
00,60,60,150nmの構成体を作製した。こ
の構成体の初期性能は電圧6.5V、電流密度3mA/
cm2 、輝度100cd/m2 で電力変換効率1.6
lm/Wであった。
【0031】次いで、アルミニウム(Al)からなる箱
にニッケル(Ni)メッキを施した。すなわち、NiS
O4・6H2O 28g/リットル、NiCl2・6H2O
45g/リットル、H3BO3 40g/リットル、パ
ーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩10g/
リットルおよびPTFE微粒子(粒径4μm程度のも
の)1g/リットルの成分からなる45℃の水溶液をホ
モジナイザーで13000回/分で攪拌してメッキ浴を
調製した。なお、試薬は、いずれも広島和光純薬社製の
ものを用いた。このメッキ浴中において、Ni金属片を
陽極に、Al箱を陰極に接続してNiメッキを施した。
Alの表面にはNi:PTFE=9:1程度の膜を作製
した。このNiとPTFEの膜は、超撥水性を示し、水
との接触角はほぼ180°であった。次いで、図2に示
すように、このメッキされたAlの箱をアルゴン(A
r)ガス中で、得られた構造体を被覆するようにして密
封し、端をエポキシ接着剤で固め、封止した。
にニッケル(Ni)メッキを施した。すなわち、NiS
O4・6H2O 28g/リットル、NiCl2・6H2O
45g/リットル、H3BO3 40g/リットル、パ
ーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩10g/
リットルおよびPTFE微粒子(粒径4μm程度のも
の)1g/リットルの成分からなる45℃の水溶液をホ
モジナイザーで13000回/分で攪拌してメッキ浴を
調製した。なお、試薬は、いずれも広島和光純薬社製の
ものを用いた。このメッキ浴中において、Ni金属片を
陽極に、Al箱を陰極に接続してNiメッキを施した。
Alの表面にはNi:PTFE=9:1程度の膜を作製
した。このNiとPTFEの膜は、超撥水性を示し、水
との接触角はほぼ180°であった。次いで、図2に示
すように、このメッキされたAlの箱をアルゴン(A
r)ガス中で、得られた構造体を被覆するようにして密
封し、端をエポキシ接着剤で固め、封止した。
【0032】実施例2 フッ化グラファイトは超撥水性を示し、水との接触角が
143°である。このフッ化グラファイトの1μm程度
の粉末を、溶融させたPVCに混合し、混練機で均一に
分散させた。この場合のフッ化グラファイトの混合率は
80重量%であった。このフッ化グラファイトを含有す
るPVCを厚さ0.1mmのフィルム状にし、図3で示
すように、得られた構造体に密着積層した。
143°である。このフッ化グラファイトの1μm程度
の粉末を、溶融させたPVCに混合し、混練機で均一に
分散させた。この場合のフッ化グラファイトの混合率は
80重量%であった。このフッ化グラファイトを含有す
るPVCを厚さ0.1mmのフィルム状にし、図3で示
すように、得られた構造体に密着積層した。
【0033】比較例1 封止層を設けなかったこと以外は実施例1と同様にして
有機EL素子を作製した。
有機EL素子を作製した。
【0034】比較例2 比較例1で得られた素子をデシケーターに入れ、デジケ
ーター内を窒素で置換した。
ーター内を窒素で置換した。
【0035】比較例3 封止層として住友スリーエム社製、商品名フロリナート
FC−43を用いた。これをプラスチック製の容器に入
れ、得られた構造体を浸漬した。さらに、この容器にプ
ラスチック製の蓋をかぶせ、接着剤を用いて容器とのす
り合わせ部分をシールした。素子のリード線は蓋に穴を
あけて取り出し、穴は接着剤でふさいで有機EL素子を
作製した。実施例と比較例の有機EL素子を、初期輝度
100cd/m2 で定電流(3mA/cm2)連続駆動
した。輝度は輝度計(ミノルタCS−100)で測定し
た。その結果を下記の表に示す。
FC−43を用いた。これをプラスチック製の容器に入
れ、得られた構造体を浸漬した。さらに、この容器にプ
ラスチック製の蓋をかぶせ、接着剤を用いて容器とのす
り合わせ部分をシールした。素子のリード線は蓋に穴を
あけて取り出し、穴は接着剤でふさいで有機EL素子を
作製した。実施例と比較例の有機EL素子を、初期輝度
100cd/m2 で定電流(3mA/cm2)連続駆動
した。輝度は輝度計(ミノルタCS−100)で測定し
た。その結果を下記の表に示す。
【0036】 [表] 輝度半減寿命(時間) 破壊寿命(時間) ────────────────────────── 実施例1 2500 20000以上 実施例2 2500 20000以上 比較例1 30 300 比較例2 120 2000 比較例3 1000 10000以上 ──────────────────────────
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって、
水分による劣化が防止され、大気中において長期間駆動
しても安定な発光性能を維持することができる長寿命の
有機EL素子を提供することができる。
水分による劣化が防止され、大気中において長期間駆動
しても安定な発光性能を維持することができる長寿命の
有機EL素子を提供することができる。
【図1】本発明の有機EL素子の具体例を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図2】本発明の有機EL素子の一実施例を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図3】本発明の有機EL素子の他の実施例を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
1 基板 2 陽極 3 有機発光材料 4 陰極 5 超撥水性物質を含有する封止層 10 構造体 20 有機EL素子
Claims (3)
- 【請求項1】 その少なくとも一方が透明または半透明
の互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を挟持し
てなる構造体、およびその構造体の外側に配設した封止
層を有する有機EL素子において、 前記封止層が、少なくとも一種類の超撥水性物質を含有
するものであることを特徴とする有機EL素子。 - 【請求項2】 前記超撥水性物質の水に対する接触角
が、80°以上であることを特徴とする請求項1記載の
有機EL素子。 - 【請求項3】 前記超撥水性物質が、ポリテトラフルオ
ロエチレン(PTFE)を含有するニッケルメッキ膜ま
たはポリ塩化ビニル(PVC)にフッ化グラファイトを
混合したフィルムであることを特徴とする請求項1また
は2記載の有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5349682A JPH07192867A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5349682A JPH07192867A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 有機el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07192867A true JPH07192867A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18405393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5349682A Pending JPH07192867A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 有機el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07192867A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100420749B1 (ko) * | 1995-11-30 | 2004-05-31 | 모토로라 인코포레이티드 | 유기소자의패시베이션방법및패시베이션유기소자 |
US6833156B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-12-21 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
JP2005100815A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 有機電界発光素子 |
US9203042B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electronic component and method for producing an electronic component |
WO2016076170A1 (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-19 | シャープ株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置、及び製造方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5349682A patent/JPH07192867A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100420749B1 (ko) * | 1995-11-30 | 2004-05-31 | 모토로라 인코포레이티드 | 유기소자의패시베이션방법및패시베이션유기소자 |
US6833156B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-12-21 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
JP2005100815A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 有機電界発光素子 |
US9203042B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electronic component and method for producing an electronic component |
WO2016076170A1 (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-19 | シャープ株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置、及び製造方法 |
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