JPH04255692A - 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス素子のパターン化方法に関し、さらに詳しくは有
機エレクトロルミネッセンス素子に紫外線を照射するこ
とによって容易にパターン化することのできる全く新た
な有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】エレク
トロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子という）は、自
己発光のため視認性が高く、また完全固体素子であるた
め耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、各種の表
示装置における発光素子等の利用が試みられている。特
に有機ＥＬ素子は陰極／発光層／正孔注入輸送層／陽極
，陰極／電子注入輸送層／発光層／陽極，陰極／電子注
入輸送層／発光層／正孔注入輸送層／陽極，陽極／発光
層／陰極等の構成のものが開発されている。これらは、
低電圧を印加するだけで発光する、高輝度高効率の発光
が得られる、多色表示が可能であるなどの優れた特性を
有しており、発光材料，電荷注入輸送層，電極材料等の
研究が盛んに行われている（「アプライド・フィズィク
ス・レターズ」第５１巻，９１３頁（１９８７年）；「
アプライド・フィズィクス・レターズ」第５５巻，１４
８９頁（１９８９年）；「ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィズィクス」第６５巻，３６１０頁（１９８９年
）等参照。）従来、有機ＥＬ素子を簡単にパターン化す
るにあたって、素子の対向電極はマスクを基板上にかけ
発光素子形成部分に電極を蒸着する方法によりパターン
化されているが、蒸着の廻り込みにより対向電極のパタ
ーン精度が悪くなるという問題があった。また、有機層
を形成する際のマスクと、対向電極を形成する際のマス
クが異なるため、マスク交換機構を持たない通常の蒸着
装置においては、対向電極形成前に一度真空を破り、真
空層を開けマスク交換を行ったり、マスクを設置する必
要があり、工程が複雑である。この場合、有機層と対向
電極の界面が汚染され、均一性等の良好なＥＬ素子を得
ることが困難であった。さらに、有機ＥＬ素子において
、陰極にマグネシウムと第二金属系の合金または混合物
の電極を二元蒸着法により形成し使用することが多いが
、これらを対向電極に使用した場合、電極を蒸着させる
際に廻り込みによるダレを生じる。そのため、マグネシ
ウムと第二金属系の廻り込みの程度が異なることから、
この部分の組成が対向電極面内とずれるため、発光の均
一性が損なわれるという問題があった。

【０００３】一方、最近、有機ＥＬ素子の高精細のパタ
ーン化方法が開示されている（特開平２−６６８７３号
公報）。この中では、対向電極のパターン化方法として
フォトリソグラフィーを用いた酸によるエッチング方法
が示されている。しかし、この方法は湿式であり、フォ
トレジスト組成物を溶媒で有機ＥＬ素子上に展開したり
、同じ溶媒で未露光部を洗い流したりする過程があり、
有機ＥＬ素子を構成する有機発光媒体（具体的にはアル
ミニウムキレート錯体）を無傷のまま保つ溶媒を選択し
なければならないという制限がある。また、発光媒体自
身も溶媒に強い材料を選ばなければならないという大き
な制限がある。上記のエッチング法では最終的に酸（具
体的には水１００に対して硫酸溶液１）による金属のエ
ッチングとその後の水洗が必要である。しかし、有機材
料は一般的に無機材料に比べ吸水性が高く、パターン化
された部分のエッジ部分よりの水の浸透，吸収がありＥ
Ｌ素子としての機能の大きな低下が考えられる。従って
、マスクによる対向電極のパターン化やフォトリソグラ
フィーを用いた酸によるパターン化（湿式方法）には大
きな欠点がある。そこで、本発明者らは上記の問題点を
解決すべく鋭意研究を重ねた。

【０００４】

【課題を解決するための手段】その結果、パターン化方
法として紫外線を用いたエッチングを行うことによって
効率良く有機ＥＬ素子を得ることができることを見出し
た。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものであ
る。すなわち本発明は、有機化合物を発光材料として用
いた有機ＥＬ素子のパターン化方法において、紫外線を
照射し該照射部分を非発光領域とすることを特徴とする
有機ＥＬ素子のパターン化方法を提供するものである。 本発明の有機ＥＬ素子のパターン化方法は、大きく次の
二方法に分けられる。一つは対向電極を作製する前にパ
ターン化する方法、他の一つは対向電極を作製した後に
パターン化する方法である。 （Ｉ）先ず、対向電極を作製する前にパターン化する方
法は、通常、紫外線照射の効果を大きくするため採られ
る方法であり、種々の有機ＥＬ素子構造が考えられる。 図３に示した陽極／発光層／陰極からなる３層構造の有
機ＥＬ素子を例として有機ＥＬ素子のパターン化を以下
説明する。 （Ａ）先ず、図１において、ＩＴＯ付きガラス基板１に
有機化合物よりなる発光層２を蒸着させる。次に図２に
おいて、特定のスリットを有するＵＶ（ウルトラバイオ
レット）マスク３で発光層２を遮蔽し、その上から紫外
線を照射する。図３において紫外線を照射後の発光層２
に対向電極４を蒸着し、配線５を施す。このようなパタ
ーン化を行うことによって、紫外線を照射していない発
光層の部位のみの発光が可能となる。 （Ｂ）また、図４及び図５にはＩＴＯ付きガラス基板７
と有機化合物よりなる発光層８をＸ−Ｙステージ（可動
システム）６上に置き、紫外線のスポット９を当てなが
ら素子を平面上で移動させることによってパターン化す
る方法が示されている。これとは逆に紫外線のスポット
９を可動化してパターン化してもよい。この方法は予め
（Ａ）と同様にＩＴＯ付きガラス基板１に有機化合物よ
りなる発光層２を蒸着させた素子を製造しておき、その
素子をＸ−Ｙステージ上で紫外線を照射させることによ
り行うパターン化である。このような工程を行う装置と
しては、レーザー加工装置，レジスト露光ステッパー等
がありコンピュータ，Ｘ−Ｙステージ及び紫外線レーザ
ーと一体化している。さらに、多層構造の有機ＥＬ素子
のパターン化に関しても、上記（Ａ），（Ｂ）と同様の
方法をとることが可能である。例えば、陽極／正孔注入
輸送層／発光層／陰極からなる多層構造を有し正孔注入
輸送層が有機化合物である有機ＥＬ素子のパターン化は
、次の様に行われる。図６において、ＩＴＯ付きガラス
基板ａに正孔注入輸送層ｂを積層させる。図７において
、特定のスリットを有するＵＶマスクｃを用い、これを
通して有機化合物よりなる正孔注入輸送層ｂを紫外線で
照射する。図８において、正孔注入輸送層ｂに発光層ｄ
を積層させる。図９において、対向電極ｅを蒸着し、配
線ｆを施す。このように正孔注入輸送層と発光層が積層
する構成では、正孔注入輸送層，発光層の各々もしくは
片方にパターン化を行ってもよい。また、この正孔注入
輸送層は正孔注入輸性発光層であっても構わない。

【０００５】（ＩＩ）対向電極を作製した後にパターン
化する方法は、ＥＬ素子では発光を外部に現さなければ
ならず、電極の一方もしくは両方が透明もしくは半透明
の場合が多いため採られる方法であり、種々の有機ＥＬ
素子構造が考えられる。具体的な例としては、ＩＴＯ付
きガラス基板上に発光層／電荷注入輸送層／陰極を積層
させ封止した後、ＩＴＯを通して上記（Ｉ）で説明した
方法（ＵＶマスクもしくは紫外線ビーム等）によって任
意のパターン化が可能である。この場合、注意しなけれ
ばならないことは、透明電極が基板に支持されている場
合である。この場合は、支持している基板も紫外線を透
過する必要がある。一般に電極の厚さが０．１μｍ程度
に比べ、基板は０．１〜１０ｍｍ程度と厚いので紫外線
を吸収しやすい。従って、各種の基板の中から紫外線を
吸収し難い石英，白板ガラス（ノンアルカリガラス）な
どを用いることが望ましい。しかし、青板ガラス（アル
カリガラス）やポリマー基板（ポリエチレンテレフタレ
ート，ポリエーテルスルホン，ポリカーボネート）でも
、基板の厚さが０．１〜１ｍｍ程度であれば３５０〜４
００ｎｍ程度の近紫外線の透過率が約１０％以上あり、
紫外線の出力が強ければ、あるいは照射時間を長くすれ
ばパターン化は可能である。また、本発明以外の方法で
もパターン化は可能であり、強力な紫外レーザー光を用
いて有機材料を焼き切ることや、蒸発させることによっ
てパターン化をおこなうことができる。しかし、このよ
うな方法では加工部分が凹凸状態になったり、強力なレ
ーザーが必要になり本発明の方法の効率性には及ばない
。

【０００６】本発明で使用する紫外線とは、波長４００
ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に入るものが好ましい。紫外線の
具体的な光源としては、高圧水銀ランプ，低圧水銀ラン
プ，水素（重水素）ランプ，希ガス（キセノン，アルゴ
ン，ヘリウム，ネオンなど）放電ランプ，窒素レーザー
，エキシマレーザー（例えばＸｅＣｌ，ＸｅＦ，ＫｒＦ
，ＫｒＣｌなど），水素レーザー，ハロゲンレーザー，
各種可視−赤外レーザーの高調波（例えばＹＡＧレーザ
ーのＴＨＧ（Ｔｈｉｒｄ　　ＨａｒｍｏｎｉｃＧｅｎｅ
ｒａｔｉｏｎ）光など）等が挙げられる。また、本発明
で用いる有機ＥＬ素子の有機材料としては、種々のもの
がある。例えば、発光材料として使用可能な有機化合物
としては、特に限定はないが、ベンゾチアゾール系，ベ
ンゾイミダゾール系，ベンゾオキサゾール系等の螢光増
白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベ
ンゼン系化合物等を挙げることができる。具体的に化合
物名を示せば、例えば、特開昭５９−１９４３９３号公
報に記載のものがあげられる。その代表例としては、２
，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオ
キサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール；４，４′
−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリ
ル）スチルベン；４，４′−ビス〔５，７−ジ−（２−
メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチ
ルベン；２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２
−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；２，５−ビス〔５
−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリ
ル）チオフェン；２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メ
チル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，
４−ジフェニルチオフェン；２，５−ビス（５−メチル
−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；４，４′−ビ
ス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル；５−メチ
ル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサ
イゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル；
２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１
，２−ｄ〕オキサゾールなどのベンゾオキサゾール系、
２，２′−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾ
チアゾールなどのベンゾチアゾール系、２−〔２−［４
−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル〕ベン
ゾイミダゾール；２−〔２−（４−カルボキシフェニル
）ビニル〕ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾー
ル系などの螢光増白剤が挙げられる。さらに他の有用な
化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイ
ズ１９７１，６２８〜６３７頁及び６４０頁に列挙され
ている。前記金属キレート化オキシノイド化合物として
は、例えば特開昭６３−２９５６９５号公報記載のもの
を用いることができる。その代表例としては、トリス（
８−キノリノール）アルミニウム；ビス（８−キノリノ
ール）マグネシウム；ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリ
ノール）亜鉛；ビス（２−メチル−８−キノリノラート
）アルミニウムオキシド；トリス（８−キノリノール）
インジウム；トリス（５−メチル−８−キノリノール）
アルミニウム；８−キノリノールリチウム；トリス（５
−クロロ−８−キノリノール）ガリウム；ビス（５−ク
ロロ−８−キノリノール）カルシウム；ポリ〔亜鉛（Ｉ
Ｉ）　−ビス　　（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル
）メタン〕などの８−ヒドロキシキノリン系金属錯体や
ジリチウムエピンドリジオンなどが挙げられる。また、
スチリルベンゼン系化合物としては、例えば欧州特許第
０３１９８８１号や欧州特許第０３７３５８２号に記載
のものを用いることができる。その代表例としては、１
，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン；１，４−
（３−メチルスチリル）ベンゼン；１，４−ビス−（４
−メチルスチリル）ベンゼン；ジスチリルベンゼン；１
，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン；１，４−
ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン；１，４−ビス（
２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン；１，４−ビ
ス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等が挙
げられる。さらに下記式で表わされる化合物も挙げるこ
とができる。

【０００７】

【化１】

【０００８】

【化２】

【０００９】

【化３】

【００１０】

【化４】

【００１１】

【化５】

【００１２】

【化６】

【００１３】

【化７】

【００１４】

【化８】

【００１５】

【化９】

【００１６】

【化１０】

【００１７】

【化１１】

【００１８】

【化１２】

【００１９】

【化１３】

【００２０】

【化１４】

【００２１】

【化１５】

【００２２】

【化１６】

【００２３】

【化１７】

【００２４】

【化１８】

【００２５】

【化１９】

【００２６】

【化２０】

【００２７】

【化２１】

【００２８】

【化２２】

【００２９】

【化２３】

【００３０】

【化２４】

【００３１】また、特開平２−２５２７９３号公報に記
載のジスチリルピラジン誘導体を発光材料として用いる
ことができる。その代表例としては、２，５−ビス（４
−メチルスチリル）ピラジン；２，５−ビス（４−エチ
ルスチリル）ピラジン；２，５−ビス〔２−（１−ナフ
チル）ビニル〕ピラジン；２，５−ビス（４−メトキシ
スチリル）ピラジン；２，５−ビス〔２−（４−ビフェ
ニル）ビニル〕ピラジン；２，５−ビス〔２−（１−ピ
レニル）ビニル〕ピラジンなどが挙げられる。その他の
ものとして、例えば欧州特許第０３８７７１５号明細書
に記載のポリフェニル系化合物も発光材料として用いる
こともできる。その具体例として下記式の化合物がある
。

【００３２】

【化２５】

【００３３】さらに、前記化合物以外に、例えば１２−
フタロペリノン〔「ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィズィクス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ）」第２７巻，Ｌ
７１３（１９８８年）〕；１，４−ジフェニル−１，３
−ブタジエン；１，１，４，４−テトラフェニル−１，
３−ブタジエン〔「アプライド・フィズィクス・レター
ズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）第５６巻，７９
９（１９９０年）〕，ナフタルイミド誘導体（特開平２
−３０５８８６号公報），ペリレン誘導体（特開平２−
１８９８９０号公報），オキサジアゾール誘導体（特開
平２−２１６７９１号公報），アルダジン誘導体（特開
平２−２２０３９３号公報），ピラジリン誘導体（特開
平２−２２０３９４号公報），シクロペンタジエン誘導
体（特開平２−２８９６７５号公報），ピロロピロール
誘導体（特開平２−２９６８９１号公報），スチリルア
ミン誘導体（アプライド・フィジックス・レター（Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）第５６巻，７９９（１９
９０年））、あるいはクマリン系化合物（特開平２−１
９１６９４号公報）を用いることができる。その代表例
としては、以下の化合物が挙げられる。

【００３４】

【化２６】

【００３５】

【化２７】

【００３６】

【化２８】

【００３７】などが挙げられる。この他に、芳香族ジメ
チリディン系化合物（欧州特許０３８８７６８号明細書
）に記載のものを用いることができ、その代表例として
は、

【００３８】

【化２９】

【００３９】

【化３０】

【００４０】

【化３１】

【００４１】

【化３２】

【００４２】

【化３３】

【００４３】

【化３４】

【００４４】

【化３５】

【００４５】

【化３６】

【００４６】

【化３７】

【００４７】

【化３８】

【００４８】

【化３９】

【００４９】

【化４０】

【００５０】などが挙げられる。さらに発光材料として
は特願平２−２４８７４９号明細書及び特願平２−２７
９３０４号明細書で示された以下の一般式（Ｉ）

【００
５１】

【化４１】

【００５２】〔Ｘ及びＹは、エレクトロルミネッセンス
素子能を有する螢光化合物を示し、同一であっても異な
ってもよい。また、Ｑは共役系を切る二価基を表わす。 〕 で表わされる化合物が挙げられる。一般式（Ｉ）におけ
るＸ及びＹが意味する発光材料とは、種々のエネルギー
で励起された場合に、可視光領域（４００〜７００ｎｍ
）の螢光を発する有機化合物である。本発明で使用する
発光材料の中には、近紫外部（３３０〜３８０ｎｍ）の
光を吸収し、可視部の短波長領域（４００〜４５０ｎｍ
）に紫乃至青色の螢光を発する螢光増白剤も含まれても
良い。上記Ｑは共役系を切る二価基であり、ここで共役
とは、π電子の非極在性によるもので、共役二重結合あ
るいは不対電子または孤立電子対によるものも含む。 具体的には、直鎖アルカンからＨ原子を１個ずつ除いた
二価基、例えば、

【００５３】

【化４２】

【００５４】

【化４３】

【００５５】等を表わしている。このように共役系を切
る二価の基を用いる理由は、上記で示されるＥＬ素子能
を有する発光材料ＸあるいはＹを、単独で本発明の有機
ＥＬ素子として用いた場合に得られるＥＬ発光色と、一
般式（Ｉ）で表わされる化合物を本発明の有機ＥＬ素子
として用いた場合に得られるＥＬ発光色とが変わらぬよ
うにする為である。つまり、短波長化あるいは長波長化
したりすることはないようにするためである。また、共
役系を切る二価基で接続するとガラス転移温度（Ｔｇ）
は、上昇することが確認でき、均一なピンホールフリー
の微結晶あるいはアモルファス性薄膜が得られることが
明らかにできた。更に、共役系を切る二価基で結合して
いることによりＥＬ発光が長波長化することなく、また
、合成あるいは精製が容易にできる長所を備えている。 なお、ＥＬ素子能を有するとは、例えば化合物を蒸着法
，スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法などの公知の方
法により薄膜化し、これを発光層として用いた場合に、
電界印加時に陽極又は正孔注入輸送層より正孔を注入す
ることができ、かつ陰極又は電子注入輸送層より電子を
注入することができる注入機能、注入した電荷（電子と
正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、電子と正孔の
再結合の場を提供し、これを発光につなげる発光機能等
を有していることである。Ｘ，Ｙの表わすＥＬ素子能を
有する螢光化合物を具体的に示せば、上に述べた各種発
光材料として使用可能な有機化合物が挙げられる。 前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の具体例としては
、次に示すものを挙げることができる。

【００５６】

【化４４】

【００５７】

【化４５】

【００５８】

【化４６】

【００５９】

【化４７】

【００６０】

【化４８】

【００６１】

【化４９】

【００６２】

【化５０】

【００６３】

【化５１】

【００６４】

【化５２】

【００６５】

【化５３】

【００６６】

【化５４】

【００６７】上記発光層の形成方法としては、例えば蒸
着法，スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法などの公知
の方法により薄膜化することにより形成することができ
るが、特に分子堆積膜であることがより好ましい。ここ
で分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形
成された薄膜や、該化合物の溶液状態又は液相状態から
固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆
積膜はＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは
、凝集構造，高次構造の相異や、それに起因する機能的
な相異により区分することができる。また、該発光層は
、特開昭５９−１９４３９３号公報などに開示されてい
るように、樹脂などの結着剤と該化合物とを溶剤に溶か
して溶液としたのち、これをスピンコート法などにより
薄膜化し、形成することができる。このようにして形成
された発光層の膜厚については特に制限はなく、適宜状
況に応じて選ぶことができるが、通常５ｎｍ〜５μｍの
範囲が好ましい。本発明のＥＬ素子における発光層は、
電界印加時に、陽極又は正孔注入輸送層より正孔を注入
することができ、かつ陰極又は電子注入輸送層より電子
を注入することができる注入機能、注入した電荷（電子
と正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、電子と正孔
の再結合の場を提供し、これを発光につなげる発光機能
などを有している。なお、正孔の注入されやすさと、電
子の注入されやすさには違いがあっても構わない。また
、正孔と電子の移動度で表される輸送機能に大小があっ
てもよいが、どちらか一方を移動することが好ましい。

【００６８】次に、本発明で用いる有機ＥＬ素子の正孔
注入輸送材料については、前記の好ましい性質を有する
ものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料におい
て、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているもの
やＥＬ素子の正孔注入輸送層に使用される公知のものの
中から任意のものを選択して用いることができる。該電
荷輸送材としては、例えばトリアゾール誘導体（米国特
許第３，１１２，１９７　号明細書等参照），オキサジ
アゾール誘導体（米国特許第３，１８９，４４７　号明
細書等参照），イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６
０９６号公報等参照），ポリアリールアルカン誘導体（
米国特許第３，６１５，４０２　号明細書，同３，８２
０，９８９　号明細書，同３，５４２，５４４　号明細
書，特公昭４５−５５５号公報，同５１−１０９８３号
公報，特開昭５１−９３２２４号公報，同５５−１７１
０５号公報，同５６−４１４８号公報，同５５−１０８
６６７号公報，同５５−１５６９５３号公報，同５６−
３６６５６号公報等参照），ピラゾリン誘導体及びピラ
ゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９　号明細
書，同４，２７８，７４６　号明細書，特開昭５５−８
８０６４号公報，同５５−８８０６５号公報，同４９−
１０５５３７号公報，同５５−５１０８６号公報，同５
６−８００５１号公報，同５６−８８１４１号公報，同
５７−４５５４５号公報，同５４−１１２６３７号公報
，同５５−７４５４６号公報等参照），フェニレンジア
ミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４　号明細書
，特公昭５１−１０１０５号公報，同４６−３７１２号
公報，同４７−２５３３６号公報，特開昭５４−５３４
３５号公報，同５４−１１０５３６号公報，同５４−１
１９９２５号公報等参照），アリールアミン誘導体（米
国特許第３，５６７，４５０　号明細書，同３，１８０
，７０３　号明細書，同３，２４０，５９７　号明細書
，同３，６５８，５２０　号明細書，同４，２３２，１
０３　号明細書，同４，１７５，９６１　号明細書，同
４，０１２，３７６　号明細書，特公昭４９−３５７０
２号公報，同３９−２７５７７号公報，特開昭５５−１
４４２５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同５
６−２２４３７号公報，西独特許第１，１１０，５１８
　号明細書等参照），アミノ置換カルコン誘導体（米国
特許第３，５２６，５０１　号明細書等参照），オキサ
ゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３　号明細
書などに記載のもの），スチリルアントラセン誘導体（
特開昭５６−４６２３４号公報等参照），フルオレノン
誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照），ヒ
ドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２　号明
細書，特開昭５４−５９１４３号公報，同５５−５２０
６３号公報，同５５−５２０６４号公報，同５５−４６
７６０号公報，同５５−８５４９５号公報，同５７−１
１３５０号公報，同５７−１４８７４９号公報，特開平
２−３１１５９１号公報等参照），スチルベン誘導体（
特開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４５
１号公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２２
５５号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３６
６７４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−３
０２５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０−
９４４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同６
０−１７５０５２号公報等参照）などを挙げることがで
きる。さらに、正孔注入輸送材料としては、シラザン誘
導体（米国特許第４９５０９５０号明細書），ポリシラ
ン系（特開平２−２０４９９６号公報），アニリン系共
重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、また特願平
１−２１１３９９号明細書で示された導電性高分子オリ
ゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。

【００６９】本発明においては、これらの化合物を正孔
注入輸送材料として使用することができるが、次に示す
ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公
報などに記載のもの）及び芳香族第三級アミン化合物及
びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１
２　号明細書，特開昭５３−２７０３３号公報，同５４
−５８４４５号公報，同５４−１４９６３４号公報，同
５４−６４２９９号公報，同５５−７９４５０号公報，
同５５−１４４２５０号公報，同５６−１１９１３２号
公報，同６１−２９５５５８号公報，同６１−９８３５
３号公報，同６３−２９５６９５号公報等参照），特に
該芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。 該ポルフィリン化合物の代表例としては、ポルフィン，
１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィン銅（ＩＩ），１，１０，１５，２０−テ
トラフェニル２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン亜銅（ＩＩ）
，５，１０，１５，２０−テトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン，シリコンフ
タロシアニンオキシド，アルミニウムフタロシアニンク
ロリド，フタロシアニン（無金属），ジリチウムフタロ
シアニン，銅テトラメチルフタロシアニン，銅フタロシ
アニン，クロムフタロシアニン，亜鉛フタロシアニン，
鉛フタロシアニン，チタニウムフタロシアニンオキシド
，マグネシウムフタロシアニン，銅オクタメチルフタロ
シアニンなどが挙げられる。また、該芳香族第三級アミ
ン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジア
ミノフェニル，Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（
３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル
（ＴＰＤＡ），２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミ
ノフェニル）プロパン，１，１−ビス（４−ジ−ｐ−ト
リルアミノフェニル）シクロヘキサン，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェ
ニル，１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン，ビス（４−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン，ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン
，Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシ
フェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル，Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル，４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）
クオードリフェニル，Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）
アミン，４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４（
ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン，４−Ｎ
，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベ
ンゼン，３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノスチルベンゼン，Ｎ−フェニルカルバゾールなどが挙
げられる。また、正孔注入輸送材料あるいは発光材料と
して示した芳香族ジメチリディン系化合物も使用可能で
ある。本発明のＥＬ素子における正孔注入輸送層は、上
記化合物を、例えば真空蒸着法，スピンコート法，キャ
スト法，ＬＢ法等の公知の薄膜化法により製膜して形成
することができる。正孔注入輸送層としての膜厚は、特
に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正
孔注入輸送層は、これらの正孔注入輸送材料一種又は二
種以上からなる一層で構成されてもよいし、あるいは、
前記正孔注入輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入
輸送層を積層したものであってもよい。また、本発明で
用いる有機ＥＬ素子の電子注入輸送層は、電子注入材料
から成るものであって、陰極より注入された電子を発光
層に伝達する機能を有している。このような電子注入材
料について特に制限はなく、従来公知の化合物の中から
任意のものを選択して用いることができる。該電子注入
材料の好ましい例としては、

【００７０】

【化５５】

【００７１】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、特
開昭５７−１４９２５９号，同５８−５５４５０号，同
６３−１０４０６１号公報等に記載されているアントラ
キノジメタン誘導体、Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｐｒｅｐｒｉｎ
ｔｓ，　Ｊａｐａｎ　Ｖｏｌ．　３７，　Ｎｏ．３　（
１９８８），ｐ．６８１　等に記載されている。

【００７２】

【化５６】

【００７３】などのジフェニルキノン誘導体、

【００７
４】

【化５７】

【００７５】などのチオピランジオキシド誘導体、

【０
０７６】

【化５８】

【００７７】等のナフタレンペリレン等複素環テトラカ
ルボン酸無水物あるいはカルボジイミドが挙げられる。 Ｊ．　Ｊ．　ＡＰＰｌ．　Ｐｈｙｓ．，　２７，　Ｌ　
２６９（１９８８）　等に記載されている。

【００７８】

【化５９】

【００７９】で表わされる化合物、特開昭６０−６９６
５７号，同６１−１４３７６４号，同６１−１４８１５
９号公報等に記載されているフレオレニリデンメタン誘
導体、特開昭６１−２２５１５１号，同６１−２３３７
５０号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘
導体及びアントロン誘導体、　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．
　Ｌｅｔｔ．　５５（１５）　１４８９等に記載されて
いるオキサジアゾール誘導体

【００８０】

【化６０】

【００８１】等を挙げることができる。特開昭５９−１
９４３９３号公報に記載されている一連の電子伝達性化
合物。上記公報では該物質は発光層を形成する材料とし
て開示されているが、我々は検討の結果、本発明の電子
注入輸送層を形成する材料として用いることができるこ
とがわかった。特に以下のものが望ましい。

【００８２】

【化６１】

【００８３】８−キノリノール誘導体の金属錯体で具体
的には次に挙げる化合物、即ち、トリス（８−キノリノ
ール）アルミニウム，トリス（５，７−ジクロロ−８−
キノリノール）アルミニウム，トリス（５，７−ジブロ
モ−８−キノリノール）アルミニウム，トリス（２−メ
チル−８−キノリノール）アルミニウム、ならびにアル
ミニウム，インジウム以外のマグネシウム，銅，ガリウ
ム，スズ，鉛の錯体等がある。メタルフリーあるいはメ
タルフタロシアニン，またはそれらの末端がアルキル基
，スルホン酸基等で置換されているものとして、例えば
以下のものがある。

【００８４】

【化６２】

【００８５】また、発光材料として示したジスチリルピ
ラジン誘導体も電子注入輸送材料として挙げられる。本
発明のＥＬ素子における電子注入輸送層は、上記化合物
を、例えば真空蒸着法，スピンコート法，キャスト法，
ＬＢ法等の公知の薄膜化法により製膜して形成すること
ができる。電子注入輸送層としての膜厚は、特に制限は
ないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この電子注入輸
送層は、これらの電子注入輸送材料１種又は２種以上か
らなる一層で構成されてもよいし、あるいは、前記層と
は別種の化合物からなる電子注入輸送層を積層したもの
であってもよい。さらに無機物であるｐ型−Ｓｉ，ｐ型
−ＳｉＣによる正孔注入輸送材料、ｎ型α−Ｓｉ，ｎ型
α−ＳｉＣによる電子注入輸送材料を電子注入輸送材料
として用いることができる。例えば、国際公開ＷＯ９０
／０５９９８に開示されている無機半導体等が挙げられ
る。このＥＬ素子における正極としては、仕事関数の大
きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化合物及び
これらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いら
れる。このような電極物質の具体例としてはＡｕなどの
金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ２，ＺｎＯなどの誘電性
透明材料が挙げられる。該正極は、これらの電極物質を
蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成さ
せることにより作製することができる。この電極より発
光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくする
ことが望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百
Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、
通常１０ｎｍ〜１μｍ，好ましくは１０〜２００ｎｍの
範囲で選ばれる。一方、陰極としては、仕事関数の小さ
い（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこ
れらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この
ような電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリ
ウム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネ
シウム／銅混合物，Ａｌ／Ａｌ２　Ｏ３，インジウムな
どが挙げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着や
スパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させるこ
とにより、作製することができる。また、電極としての
シート抵抗は　　数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通
常１０〜５００ｎｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範
囲で選ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極
又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であることが
、発光を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合
である。 次に、本発明の方法においてＥＬ素子を作製する好適な
例を、説明する。前記の陽極／正孔注入輸送層／発光層
／陰極からなるＥＬ素子の作製法について説明すると、
まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極用物
質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２０
０ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリン
グなどの方法により形成させ、陽極を作製する。次に、
この上に正孔注入輸送材料からなる薄膜を形成し、正孔
注入輸送層を設ける。該正孔注入輸送材料の薄膜化の方
法としては、前記のごとくスピンコート法，キャスト法
，蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、かつ
ピンホールが生成しにくいなどの点から、真空蒸着法が
好ましい。該正孔注入材料の薄膜化に、この蒸着法を採
用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類，
分子堆積膜の目的とする結晶構造，会合構造などにより
異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃，真空
度１０−５〜１０−３Ｐａ，蒸着速度０．０１〜５０ｎ
ｍ／ｓｅｃ　，基板温度−５０〜３００℃，膜厚５ｎｍ
〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの発
光層の形成後、その上に負極用物質からなる薄膜を、１
０〜５００ｎｍ好ましくは　　５０〜２００ｎｍの範囲
の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリングなど
の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望
のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作製にお
いては、作製順序を逆にして、陰極，発光層，正孔注入
輸送層，陽極の順に作製することも可能である。なお、
発光層，正孔注入輸送層等は前記の通り少なくとも一方
が紫外線の照射をうけているものとする。このようにし
て得られたＥＬ素子に、直流電圧を印加する場合には、
正極を＋，負極を−の極性として電圧５〜４０Ｖ程度を
印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧
を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、正極が＋，負極が−
の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流
の波形は任意でよい。

【００８６】

【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明する。 実施例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのサイズの白板ガラス
基板上にＩＴＯ電極を２０ｍｍ×６５ｍｍの面積蒸着法
にて１００ｎｍの厚さで作製したものを透明電極（ＨＯ
ＹＡ製）とした。この基板をイソプロピルアルコールに
て５分間超音波洗浄した後、超純水で５分間超音波洗浄
しイソプロピルアルコールに含浸し乾燥窒素ガスで乾燥
させた。この透明電極基板を市販の蒸着装置（日本真空
技術社製）の基板ホルダに固定し、モリブデン製の抵抗
加熱ボートにＮ，Ｎ’　−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’　−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４’　−ジアミノビフェ
ニル（ＴＰＤＡ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデ
ン製のボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム（Ａｌｑ３　）を２００ｍｇ入れて真空層を１×１０
−４Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤＡ入りの前記ボ
ートを２１５〜２２０℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜
０．３ｎｍ／秒で透明電極基板上に蒸着して、膜厚６０
ｎｍの正孔注入輸送層を製膜した。この時の基板湿度は
室温であった。これを真空層より取り出すことなく、正
孔注入輸送層の上に、もう一つのボートよりＡｌｑ３　
を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボー
ト温度が２３０℃で蒸着速度が０．０２〜０．０３ｎｍ
／秒、基板温度は室温であった。次にこれを取り出し、
発光層の中央上に１０ｍｍ×２０ｍｍのステンレススチ
ールの板を設置して、１２０ワットの低圧水銀ランプ（
主に１８５，２５４ｎｍの紫外線を発生する）を有する
ＵＶオゾン洗浄装置（サムコインターナショナル製　　
ＵＶ−３００）に入れ、オゾン発生器を起動することな
く低圧水銀ランプのみを２０秒起動し、上記作製中のＥ
Ｌ素子の発光層側よりＵＶ光を２０秒照射した。　　次
に上記基板を再び真空層に戻し、基板ホルダーに固定し
た。そして、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシ
ウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステンバスケッ
トに銀ワイヤー５００ｍｇを装着した。その後、真空層
を２×１０−４Ｐａまで減圧してから、銀を０．１ｎｍ
／秒の蒸着速度でかつマグネシウムを１．４ｎｍ／秒の
蒸着速度で同時蒸着し、マグネシウムと銀の混合金属電
極を発光層の上に１５０ｎｍ積層し対向電極とした。こ
の紫外光でパターン化した有機ＥＬ素子のＩＴＯを陽極
、マグネシウム混合電極を陰極として電圧を４Ｖ以上印
加すると紫外光を照射していない中央の１０ｍｍ×２０
ｍｍの領域のみから発光が観測されそれ以外の部分から
は発光は確認されなかった。発光領域の発光性能は７Ｖ
の電圧印加時に７ｍＡ／ｃｍ２　の電流が流れ２５０ｃ
ｄ／ｍ２　の輝度の緑色発光であった。 これにより紫外光の照射によりパターン化が可能である
ことが確認された。

【００８７】実施例２ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのサイズの白板ガラス
基板上にＩＴＯ電極を２０ｍｍ×６５ｍｍの面積蒸着法
にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明電極（ＨＯ
ＹＡ製）とした。この基板をイソプロピルアルコールに
て５分間超音波洗浄した後、超純水で５分間超音波洗浄
しイソプロピルアルコールに含浸し乾燥窒素ガスで乾燥
させた。この透明電極基板を市販の蒸着装置（日本真空
技術社製）の基板ホルダに固定し、モリブデン製の抵抗
加熱ボートにＮ，Ｎ’　−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’　−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４’　−ジアミノビフェ
ニル（ＴＰＤＡ）を２００ｍｇ入れ真空層を１×１０−
４Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤＡ入りの前記ボー
トを２１５〜２２０℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜０
．３ｎｍ／秒で透明電極基板上に蒸着して、膜厚６０ｎ
ｍの正孔注入輸送層を製膜した。この時の基板湿度は室
温であった。これを真空層より取り出し、正孔注入輸送
層の中央上に１０ｍｍ×２０ｍｍのステンレススチール
の板を設置して、１２０Ｗの低圧水銀ランプ（主に１８
５，２５４ｎｍの紫外線を発生する）を有するＵＶオゾ
ン洗浄装置（サムコインターナショナル製　　ＵＶ−３
００）に入れ、オゾン発生器を起動することなく低圧水
銀ランプのみを４０秒起動し、上記作製中のＥＬ素子の
正孔注入輸送層側よりＵＶ光を４０秒照射した。次に上
記基板を再び真空層に戻し、基板ホルダーに固定した。 そして、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＡｌｑ３　を
２００ｍｇを入れ、また違うモリブデン製の抵抗加熱ボ
ートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタング
ステンバスケットに銀ワイヤー５００ｍｇを装着した。 その後、真空層を２×１０−４Ｐａまで減圧してから、
まずＡｌｑ３　を２３０℃に加熱し蒸着速度０．０２〜
０．０３ｎｍ／秒で正孔注入輸送層の上に６０ｎｍ積層
した。次に銀を０．１ｎｍ／秒の蒸着速度でかつマグネ
シウムを１．４ｎｍ／秒の蒸着速度で同時蒸着し、マグ
ネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ
積層し対向電極とした。この紫外光でパターン化した有
機ＥＬ素子のＩＴＯを陽極、マグネシウム混合電極を陰
極として電圧を４Ｖ以上印加すると紫外光を照射してい
ない中央の１０ｍｍ×２０ｍｍの領域のみから緑色発光
が観測されそれ以外の部分からは発光は確認されなかっ
た。発光領域の発光性能は７Ｖの電圧印加時に６ｍＡ／
ｃｍ２　の電流が流れ２２０ｃｄ／ｍ２　の輝度の緑色
発光であった。

【００８８】実施例３ 発光材料が４，４’　−ビス〔２，２−（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ビニル〕ビフェニル（ＤＴＢＰＶＢＩ）で
ありＤＴＢＰＶＢＩを３４５℃に加熱し、蒸着速度０．
１〜０．３ｎｍ／秒で発光層を正孔注入輸送層に積層す
ることをのぞいて実施例１と同じ有機ＥＬ素子のパター
ン化を行った。この紫外光でパターン化した有機ＥＬ素
子のＩＴＯを陽極、マグネシウム混合電極を陰極として
電圧を５Ｖ以上印加すると紫外光を照射していない中央
の１０ｍｍ×２０ｍｍの領域のみから青色発光が観測さ
れそれ以外の部分からは発光は確認されなかった。発光
領域の発光性能は１２Ｖの電圧印加時に４０ｍＡ／ｃｍ
２　の電流が流れ１０００ｃｄ／ｍ２　の輝度の青色発
光であった。

【００８９】実施例４ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのサイズの白板ガラス
基板上にＩＴＯ電極を２０ｍｍ×６５ｍｍの面積蒸着法
にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明電極（ＨＯ
ＹＡ製）とした。この基板をイソプロピルアルコールに
て５分間超音波洗浄した後、超純水で５分間超音波洗浄
しイソプロピルアルコールに含浸し乾燥窒素ガスで乾燥
させた。この透明電極基板を市販の蒸着装置（日本真空
技術社製）の基板ホルダに固定し、モリブデン製の抵抗
加熱ボートにＮ，Ｎ’　−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’　−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４’　−ジアミノビフェ
ニル（ＴＰＤＡ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデ
ン製のボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム（Ａｌｑ３　）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０
−４Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤＡ入りの前記ボ
ートを２１５〜２２０℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜
０．３ｎｍ／秒で透明電極基板上に蒸着して、膜厚６０
ｎｍの正孔注入輸送層を製膜した。この時の基板温度は
室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正
孔注入輸送層の上に、もう一つのボートよりＡｌｑ３　
を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボー
ト温度が２３０℃で蒸着速度が０．０２〜０．０３ｎｍ
／秒、基板温度は室温であった。次に上記基板を再び真
空槽に戻し、ステンレススチール製のマスクを発光層の
上に設置し基板ホルダーに固定した。そして、モリブデ
ン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ
、また違うタングステンバスケットに銀ワイヤー５００
ｍｇを装着した。その後、真空槽を２×１０−４Ｐａま
で減圧してから、銀を０．１ｎｍ／秒の蒸着速度でかつ
マグネシウムを１．４ｎｍ／秒の蒸着速度で同時蒸着し
、マグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５
０ｎｍ積層し対向電極とした。マスクにより対向電極の
面積を１５ｍｍ×５０ｍｍとした。この有機ＥＬ素子を
真空槽から取り出しガラス基板に黒色のフェルトペンで
「ＥＬ」と書いた。この状態でガラス基板側から４００
Ｗの高圧水銀灯（理工化学産業社製　　ＵＶＬ−４００
Ｐ　　３６５ｎｍの紫外線が強い）で２０分間紫外光を
照射した。その後先ほどガラス基板上に書いた「ＥＬ」
の文字をジクロロメタンを用いて拭き取った。この状態
でＩＴＯを陽極、マグネシウム混合金属電極を陰極とし
て電圧を印加し、発光状態をガラス基板側より観察した
。その結果、８Ｖの電圧印加で「ＥＬ」の文字部分が強
い緑色発光を示しその輝度は１０００ｃｄ／ｍ２　であ
った。「ＥＬ」の文字以外の部分は８Ｖの電圧が印加し
ているにも関わらず発光は観測されなかった。また、非
発光部分も発光部分と同様に背面に金属電極があり「Ｅ
Ｌ」という発光が明確に判断された。

【００９０】実施例５ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのサイズの白板ガラス
基板上にＩＴＯ電極を２０ｍｍ×６５ｍｍの面積蒸着法
にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明電極（ＨＯ
ＹＡ製）とした。この基板をイソプロピルアルコールに
て５分間超音波洗浄した後、超純水で５分間超音波洗浄
しイソプロピルアルコールに含浸し乾燥窒素ガスで乾燥
させた。この透明電極基板を市販の蒸着装置（日本真空
技術社製）の基板ホルダに固定し、モリブデン製の抵抗
加熱ボートにＮ，Ｎ’　−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’　−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４’　−ジアミノビフェ
ニル（ＴＰＤＡ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデ
ン製のボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム（Ａｌｑ３　）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０
−４Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤＡ入りの前記ボ
ートを２１５〜２２０℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜
０．３ｎｍ／秒で透明電極基板上に蒸着して、膜厚６０
ｎｍの正孔注入輸送層を製膜した。この時の基板温度は
室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正
孔注入輸送層の上に、もう一つのボートよりＡｌｑ３　
を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボー
ト温度が２３０℃で蒸着速度が０．０２〜０．０３ｎｍ
／秒、基板温度は室温であった。次に上記基板を再び真
空槽に戻し、ステンレススチール製のマスクを発光層の
上に設置し基板ホルダーに固定した。そして、モリブデ
ン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ
、また違うタングステンバスケットに銀ワイヤー５００
ｍｇを装着した。その後、真空槽を２×１０−４Ｐａま
で減圧してから、銀を０．１ｎｍ／秒の蒸着速度でかつ
マグネシウムを１．４ｎｍ／秒の蒸着速度で同時蒸着し
、マグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５
０ｎｍ積層し対向電極とした。マスクにより対向電極の
面積を１５ｍｍ×５０ｍｍとした。この有機ＥＬ素子を
真空槽より取り出し、ガラス基板側から窒素ガスレーザ
ー（レーザーサイエンス社製　　ＶＳＬ−３３７）を３
ｍｍ×８ｍｍの面積照射した。この時のレーザー出力は
１０ｍＷ／ｃｍ２　であり、繰り返し周波数は２０Ｈｚ
であった。この状態で２０分間紫外光を照射したのちＩ
ＴＯを陽極、マグネシウム混合金属電極を陰極として７
Ｖの電圧を印加した。その結果、紫外光の非照射部分は
輝度５００ｃｄ／ｍ２　の緑色発光が観測されたが、紫
外光照射部分の輝度は１ｃｄ／ｍ２　以下であった。

【００９１】実施例６ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのサイズの白板ガラス
基板上にＩＴＯ電極を２０ｍｍ×６５ｍｍの面積蒸着法
にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明電極（ＨＯ
ＹＡ製）とした。この基板をイソプロピルアルコールに
て５分間超音波洗浄した後、超純水で５分間超音波洗浄
しイソプロピルアルコールに含浸し乾燥窒素ガスで乾燥
させた。この透明電極基板を市販の蒸着装置（日本真空
技術社製）の基板ホルダに固定し、モリブデン製の抵抗
加熱ボートにＮ，Ｎ’　−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’　−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４’　−ジアミノビフェ
ニル（ＴＰＤＡ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデ
ン製のボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム（Ａｌｑ３　）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０
−４Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤＡ入りの前記ボ
ートを２１５〜２２０℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜
０．３ｎｍ／秒で透明電極基板上に蒸着して、膜厚６０
ｎｍの正孔注入輸送層を製膜した。この時の基板温度は
室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正
孔注入輸送層の上に、もう一つのボートよりＡｌｑ３　
を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボー
ト温度が２３０℃で蒸着速度が０．０２〜０．０３ｎｍ
／秒、基板温度は室温であった。次に上記基板を再び真
空槽に戻し、ステンレススチール製のマスクを発光層の
上に設置し基板ホルダーに固定した。そして、モリブデ
ン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ
、また違うタングステンバスケットに銀ワイヤー５００
ｍｇを装着した。その後、真空槽を２×１０−４Ｐａま
で減圧してから、銀を０．１ｎｍ／秒の蒸着速度でかつ
マグネシウムを１．４ｎｍ／秒の蒸着速度で同時蒸着し
、マグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５
０ｎｍ積層し対向電極とした。マスクにより対向電極の
面積を１５ｍｍ×５０ｍｍとした。この有機ＥＬ素子を
真空槽から取り出し、市販のパルスステージ（制御系の
ついたＸ−Ｙステージ　　オブテック社製）にガラス基
板側を表にして設置した。次に実施例５で用いたと同じ
窒素ガスレーザーの出力ビームをレンズとアパーチャー
により直径１ｍｍの円形ビームとした。このときの出力
強度は１２０ｍＷ／ｃｍ２　であった。このビームをガ
ラスを通してＥＬ素子に照射し、同時にパルスステージ
を０．１ｍｍ／秒のスピードで３ｃｍ移動させた。この
ＥＬ素子にＩＴＯを陽極マグネシウム混合電極を陰極と
して７Ｖの電圧を印加して発光状態を確認した結果、平
均で５００ｃｄ／ｍ２　以上の緑色発光が観測されたが
、前記のビームを照射した３ｃｍの部分のみ１ｍｍの幅
で非発光状態となっていたことが確認された。これによ
りレーザー光を用いた微細パターン化が可能であること
が示された。

【００９２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、紫外線
を用いて有機ＥＬ素子のパターン化を行うことによって
、短時間で効率良い有機ＥＬ素子のパターン化を可能に
することができる。従って、本発明は、発光材料及び表
示素子の効率良い製造方法として、化学工業において利
用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】パターン化１段階の図

【図２】パターン化２段階の図

【図３】パターン化された有機ＥＬ素子の図

【図４】Ｘ
−Ｙステージのパターン化の図

【図５】図４を上からみ
た図

【図６】パターン化１段階の図

【図７】パターン化２段階の図

【図８】パターン化３段階の図

【図９】パターン化された有機ＥＬ素子の図

【符号の説
明】 １　　ＩＴＯ付きガラス基板 ２　　発光層 ３　　ＵＶマスク ４　　対向電極 ５　　配線 ６　　Ｘ−Ｙステージ ７　　ＩＴＯ付きガラス基板 ８　　発光層 ９　　紫外線のスポット ａ　　ＩＴＯ付きガラス基板 ｂ　　正孔注入輸送層 ｃ　　ＵＶマスク ｄ　　発光層 ｅ　　対向電極 ｆ　　配線

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　有機化合物を発光材料として用いた有
   機エレクトロルミネッセンス素子をパターン化するにあ
   たり、紫外線を発光材料からなる発光層に照射し該照射
   部分を非発光領域とすることを特徴とする有機エレクト
   ロルミネッセンス素子のパターン化方法。
2. 【請求項２】　　有機エレクトロルミネッセンス素子が
   電荷注入輸送層との積層素子であることを特徴とする請
   求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子のパタ
   ーン化方法。
3. 【請求項３】　　互いに対向する２つの電極間に有機化
   合物からなる発光材料の介在している有機エレクトロル
   ミネッセンス素子をパターン化するにあたり、対向電極
   を作製するに先立って作製中の素子に任意のパターンの
   紫外線を照射し、その後に対向電極を作製することを特
   徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
   素子のパターン化方法。
4. 【請求項４】　　少なくとも一方が透明もしくは半透明
   の互いに対向する２つの電極間に有機化合物からなる発
   光材料の介在している有機エレクトロルミネッセンス素
   子をパターン化するにあたり、該透明もしくは半透明電
   極を通して任意のパターンの紫外線を照射することを特
   徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
   素子のパターン化方法。
5. 【請求項５】　　有機化合物を電荷注入輸送材料として
   用いた有機エレクトロルミネッセンス素子をパターン化
   するにあたり、紫外線を電荷注入輸送材料からなる電荷
   注入輸送層に照射し該照射部分に対応する部分を非発光
   領域とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
   ンス素子のパターン化方法。
6. 【請求項６】　　有機エレクトロルミネッセンス素子が
   電荷注入輸送層との積層素子であることを特徴とする請
   求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子のパタ
   ーン化方法。
7. 【請求項７】　　互いに対向する２つの電極間に有機化
   合物からなる発光材料の介在している有機エレクトロル
   ミネッセンス素子をパターン化するにあたり、対向電極
   を作製するに先立って作製中の素子に任意のパターンの
   紫外線を照射しその後に対向電極作製することを特徴と
   する請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子
   のパターン化方法。
8. 【請求項８】　　少なくとも一方が透明もしくは半透明
   の互いに対向する２つの電極間に有機化合物からなる発
   光材料を介在している有機エレクトロルミネッセンス素
   子をパターン化するにあたり、該透明もしくは半透明電
   極を通して任意のパターンの紫外線を照射することを特
   徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス
   素子のパターン化方法。