KR100420749B1 - 유기소자의패시베이션방법및패시베이션유기소자 - Google Patents

유기소자의패시베이션방법및패시베이션유기소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 투명 플라스틱 지지 기판상에 위치되는 유기소자를 패시베이션하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 투명 폴리머막과 투명 유전체재료의 교대로 반복되는 층들로 구성된 다층 오버코팅으로 플라스틱 기판을 오버코팅하는 단계와, 오버 코팅된 투명 플라스틱 기판상에 유기소자를 형성하는 단계와, 오버코팅된 플라스틱 기판상에 형성된 유기소자를 밀봉하는 단계를 포함한다. 플라스틱 기판을 오버코팅하는데 사용된 폴리머 막층은 다층 오버코팅의 장벽 특성을 향상시키는 수단으로 작용하며, 유전체 재료는 유기소자를 부식시킬 수 있는, 유기 LED의 신뢰성을 손상하는 대기 성분에 대한 물리적 장벽으로 작용한다.

Description

유기 소자의 패시베이션 방법 및 패시베이션된 유기소자
본 발명은 유기소자에 관한 것으로, 특히, 플라스틱 기판상에 패시베이션된 유기소자를 형성하는 것에 관한 것이다.
현재, 폴리머 발광 소자와 같이, 유기 디스플레이들을 활용하는 장치는 디지털시계, 전화, 램탑 컴퓨터, 페이져, 셀룰러 전화, 계산기 등과 같이 매우 다양한 버추얼 및 다이렉트 뷰(virtual and direct view)형 디스플레이를 위한 잠재적인 후보들이다. 무기 반도체 발광 다이오드 소자와는 달리, 유기 발광소자는 일반적으로 단순하며 비교적 용이하게 염가로 제조된다. 또한, 다양한 컬러 및 큰 면적의 소자가 쉽게 얻어진다.
봉에서, 다양한 타입의 허메틱 밀봉이 사용되고, 일반적으로, 금속 또는 그 유사물과 같은 가장 일반적인 무기물 재료가 사용된다. 따라서 플라스틱 기판상내 유기 LED를 형성할때, 유기 LED로의 산소 및 수증기의 침투는 유기 LED 로부터 플라스틱 기판을 허메틱 밀봉하고 어레이 자체를 허메틱 밀봉함으로서 차단되어야 한다.
유기소자의 제조 및 패시베이션으로 발생되는 또다른 문제는 유기소자의 유기층이 매우 높은 온도(일반적으로 약 100℃ 이상)에 견디지 못한다는 사실에 있다. 많은 경우에, 유기층의 임계온도에 접근할지라도 특히 상승된 온도가 상대적으로 긴 주기 시간동안 유지된다면 유기재료가 열화되어 신뢰성 및 수명이 감소된다.
유기 LED의 형성에서, 어레이 자체 밀봉을 위한 다수의 허메틱 밀봉형태는 산소 및 수증기로부터 유기 소자를 보호하기 위해 사용된다. 전술한바와 같이, 오늘날 사용되는 가장 일반적인 허메틱 밀봉은 금속 캔 또는 금속화된 플라스틱 밀봉과 같은 무기물질로 구성된다. 이 타입의 밀봉은 제조하는데 매우 비싸며 조립하는데 많은 노력이 요구된다. 게다가, 금속 캔은 크고 무거워서 유기소자의 응용분야를 염격하게 제한한다.
유기소자를 허메틱 밀봉하는 최근의 수단은 유기소자에 대한 허메틱 밀봉을 달성하기 위해 세라믹, 유전체 또는 금속과 같은 무기재료로서 유기소자를 오버 코팅하는 것이다. 그러나, 유기소자는 그 재료의 증착에 일반적으로 요구되는 높은 온도에 영향을 받기 쉽다. 따라서, 세라믹, 유전체 또는 금속재료는 일반적으로 낮은 온도 범주에 직면하기 위하여 PECVD 법에 의해 증착되어야 한다. 상기 밀봉 방법에 대한 주요 문제는 PECVD 증착동안 유기소자에 대한 방사 손상의 가능성이 크다는 것이다. 따라서 유기 LED 에 손상을 끼치는 산소, 수분 그밖에 대기중의 성분들의 침투로부터 플라스틱 기판을 보호하기 위해 플라스틱 기판과 주위 대기사이에제 1 허메틱 밀봉이 존재하며 유사한 대기성분에 의해서 플라스틱 기판이 손상되는 것을 방지하기 위해 유기 소자의 어레이에 대한 제 2 허메틱 밀봉이 존재하는, 플라스틱 기판상에 유기소자를 형성하는 상대적으로 값싸고 편리한 방법을 안출하는 것이 바람직하다.
본 발명의 목적은 산소 및 수분이 플라스틱 기판을 통해서 침투하는 것을 방지하기 위해 플라스틱 기판을 오버코팅하는 새롭고 개선된 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 플라스틱 기판상에 패시베이션된 유기소자를 형성하는 개선된 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 상대적으로 편리하고 염가로 실행하기 위해 플라스틱 기판상에 패시베이션된 유기소자를 형성하는 새로 개선된 방법을 제공하기 위함이다.
발명의 요약
플라스틱 기판상에 다층 오버코팅을 증착하는 단계를 포함하는 투명 지지 기판상에 위치된 유기 소자를 형성하는 방법에 의해, 상술한 문제점들 및 기타의 문제점들이 적어도 부분적으로 해결되게 되며, 상술한 목적 및 기타의 목적들이 달성되게 된다. 다층 오버코팅은 강인한 투명 폴리머막과, 일산화 실리콘, 산화실리콘, 이산화실리콘 또는 질화 실리콘과 같은 투명 무기재료의 얇은, 교대로 반복되는 층으로 구성되며 이들은 플라스틱 기판의 하나 이상의 표면상에 증착된다.
다층 오버코팅은 플라스틱 기판의 하나 이상의 표면상에 증착되고 유기 LED가 그 위에 형성된다. 대안적으로, 플라스틱 기판의 모든 평면형 표면상에 다층 오버코팅이 증착되고, 그에 의해, 상기 기판 위에 유기 LED를 형성하기 이전에, 투명 무기 재료와 폴리머막의 교대로 반복되는 층들로 플라스틱 기판을 포장한다.
상기 다층 오버코팅은 플라스틱 기판을 통해 산소 및 수분의 확산에 의해 기판위에 유기 LED의 손상을 감소 및 제거하기 위해 제공된다.
바람직한 실시예에서는 폴리머막층 및 무기유전체 재료층이 플라스틱 기판을 통한 산소 및 수분의 침투에 대해서 보호를 위해 각각 다른 메카니즘에 의존한다. 폴리머막층은 플라스틱 기판을 통해서 수분 및 산소의 확산을 완화하는 보조물과 다층 오버코팅에 장벽 특성을 개선하는 수단으로서 사용된다. 플르오르화 폴리머, 파릴렌, 사이클로텐의 집단으로부터 선택된 투명폴리머로서 형성되는 것이 바람직하다. 투명유전체층은 플라스틱 기판을 통해서 수분 및 산소 확산을 차단하기 위한 물리적 장벽으로서 사용된다. 일산화실리콘, 산화실리콘, 이산화실리콘, 또는 질화실리콘의 투명유전체층으로서 형성하는 것이 바람직하다. 폴리머막층 및 투명유전체층 조합에서는, 산소 및 수분에 대한 장벽을 제조하여 유기 LED에 대한 손상을 방지한다. 투명 폴리막층과 투명유전체층의 조합으로 본 발명에 플라스틱 기판을 위한 다층 헤메틱 봉층을 형성한다. 수분 및 산소의 투과로부터 플라스틱 기판을 보호하기 위한 바람직한 실시예에서는 폴리머막층의 교호층 및 투명유전체층을 구성하는 두 개 이상의 층의 다층오버코팅으로 구성된다. 두 개 미만의 층이나, 다층 오버코팅을 포함하는 층들의 소정의 조합을 사용할 수도 있지만, 결과는 보다 덜 양호하다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따라 오버코팅된 투명 플라스틱 기판상에 형성된 유기 LED 어레이의 개략 단면도.
도 3은 본 발명에 따라 최상부 평면상의, 플라스틱 기판의 교대로 배치된 다층 오버코팅을 예시하는, 오버코팅된 투명 플라스틱 기판의 부분 확대 개략 단면도.
도 4 및 도 5는 유기 소자상에 증착된 복수의 층들을 가지는, 상기 유기 소자의 허메틱 밀봉을 예시하는, 본 발명에 따른 오버코팅된 투명 플라스틱 기판상의 유기 LED 어레이의 개략 단면도.
도 6 및 도 7은 금속 캔을 사용한 유기 소자의 하메틱 밀봉을 예시하는, 본 발명에 따른 오버코팅된 투명 플라스틱 기판상에 형성된 유기 LED 어레이의 개략 단면도.
도 8 및 도 9는 글로브 탑(glob top) 형태의 에폭시 캡슐을 사용한 유기소자의 허메틱 밀봉을 예시하는, 본 발명에 따른 오버코팅된 투명 플라스틱 기판상에 형성된 유기 LED 어레이의 개략 단면도.
도 10 및 도 11은 폴리머 적층 금속박층을 사용한 유기소자의 허메틱 밀봉을 예시하는, 본 발명에 따른 오버코팅된 투명 플라스틱 기판 상에 형성된 유기 LED어레이의 개략 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 유기 LED 11 :기판
12 : 어레이 13 : 투명층
14 : 활성 유기층 16 : 다층 오버 코팅
24 : 제 1 버퍼층
도면은 각 층의 두께가 축적대로 묘사하거나 편리한 비례 축적을 적용하기에 너무 얇기 때문에, 개략적으로 도시한다. 특별히 도면에 있어서 동일 문자는 도면전체를 통해서 동일 부품을 나타내며 도 1과 도 2는 본 발명에 따른 오버코팅된 투명플라스틱 기판상에 유기 LED(10)의 형성을 도시한 유기 LED 어레이의 개략 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(11)은 도시된 바와 같이, 특정 실시예에서, 광학적 투명 플라스틱으로 형성된다. 유기발광소자(LEDs)의 화소어레이(12)는 기판(11)상에 위치되며, 통상적으로 제조된 어레이(12)위에 다층오버코팅(16)은(현재 논의되는) 유기 LED 제조의 어떠한 방법에서 기판(11)의 상부 표면상에 증착된다. 특별한 예로서, 어레이(12)는 인듐 주석 옥사이드(ITO)등과 같은 전도성 재료의 투명층(13)과 그위에 위치된 유기 전자 발광층과 같은 활성 유기층(14)과 낮은 일 함수 금속의 얇은층을 구비하는 금속층으로 형성된 캐소드(15)를 구비한다. 유기층(14)은 통상적으로 공극투명층, 발광층과 전자 이송층으로 구성된다. 유기 LED의 어레이(12)와 특히 반응금속층은 주변분위기내의 산소 및 수분에 영향을 받기 쉬우므로 신뢰성 및 합당한 수명을 제공하도록 패시베이션 되어야한다.
전술된 바와 같이, 어레이(12)는 플라스틱기판(11)상에 형성된다. 플라스틱은 산소 및 수증기의 투과가 고유성질이므로, 플라스틱 기판상에 형성된어레이(12)를 보호하기 위해 허메틱 다층 오버코팅(16)이 기판(11)상에 증착되어야 한다. 플라스틱 기판(11)을 통해서 산소 및 수분의 확산을 감소하고 제거하기 위해, 다층 오버코팅(16)은 폴리머막(17) 및 투명 유전체 재료(18)(도 3에 도시된 것과 같은)의 두 개 이상의 교호층으로 구성되는 기판(11)상에 증착된다.
다층 오버코팅(16)의 종착은 플라스틱 기판(11)을 통해 산소 또는 수분의 침투로 유기 LED가 손상되는 것을 방지하기 위해 위치상의 방식으로 행해져야 한다. 따라서, 다층 오버코팅(16)은 기판(11)의 최상 또는 낮은 평면상 또는 선택적으로 기판의 모든 평면상에 증착되어야하고, 그것에 의해서 다층 오버코팅(16)으로 기판(11)을 포장한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 다층 오버코팅(16)은 기판(11)과 전도성 재료 어레이(12)의 투명층(13) 사이에 위치된 기판의 최상 평면상에 증착된다. 다른 실시예로 개시된 플라스틱 기판(11)의 하부 평면상에 증착된 것과 같은 다층 오버코팅(16)은 기판(11)(도시되지 않음)의 최상부 표면상에 직접 형성된 어레이(12) 가지거나, 또는 도 2 에 도시된 것과 같이, 다층 오버코팅(16)은 기판(11)을 완전히 둘러싸기 위해 다수개의 평면을 구성하는 기판(11)상에 증착된다.
유기 LED(10) 어레이(12)의 형성을 위한 다층 오버코팅(16)의 추가는 플라스틱 기판(11)상에 유기 LED의 형성을 허용한다.
전술 및 도 3에 도시된 것과 같이, 다층 오버코팅(16)은 투명 폴리머막(17)과 투명유전체 재료층(18)의 교호층으로 구성된다. 바람직한 실시예는 적어도 2개의 폴리머막층(17)과 유전체 재료층(18)으로 조합되어 형성된 것을 구비한다.
도시된 것과 반대의 교호층도 사용할 수 있다. 응용에서는, 폴리머막층(17)은 다층 오버코팅(16)의 장벽 특성을 개선하기 위해 제공되고, 그것에 의한 플라스틱 기판(11)을 통해서 수분과 산소의 침투에 확산을 완화한다. 폴리머 막층(17)의 형성에 사용되는 폴리머는 플르오르화폴리머, 파릴렌과 사이클로텐과 같은 견고한 폴리머 집단으로 터 선택된다. 폴리머막층(17)은 스핀코팅공정, 스퍼터링 공정 또는 기판(11)의 증기 코팅 딤핑 기판의 공정을 통해서 적용될 것이다. 유전체 재료층(18)은 기판(11)을 통해 수증기와 산소의 확산으로 유기 LED 소자(10)손상을 정지시키기 위해 물리적 장벽으로서 사용된다. 유전체 재료층(18)은 일산화실리콘(SiO), 일산화실리콘(SiOx), 이산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(Si3N4)중의 하나로 형성되고, 열적증착 스퍼터링 또는 PECVD 방법에 의해 폴리머막층(17)을 가지는 교호층으로 기판(11)에 적용되는 것이 바람직하다.
유기 LED 상에 증착되는 다수개층으로 구성되며, 다층 오버코팅된 플라스틱 기판(11)상에 형성된 허메틱 밀봉을 가지는 본 발명에 따른 유기 LED 소자(20)의 제 1 실시예는 도 4와 도 5에 나타나 있다. 플라스틱 기판(11)상에 어레이(12)가 형성되며 상술한 교호되는 다층 오버코팅(16)이 증착된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 다층 오버코팅(16)은 기판의 최상 표면상에 증착된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에서는 모든 기판의 평면상에 증착되는 다층 오버코팅(16)을 가지며 그것에 의해 기판(11)을 포장하고 기판(11)의 완전한 보호를 제공한다.
소자(20)의 어레이(12)에 허메틱 밀봉 형성에서는, 어레이(12)는 허메틱 밀봉 시스템(22)으로 오버 코팅되고, 적어도 어레이(12)의 일부 특성이 캡슐화된 시스템이 조화되도록 설계된 버퍼 시스템으로 구성된다.
특별한 예에서 다수개의 층을 구성하는 허메틱 밀봉 시스템(22)을 어레이(12)를 보호하기 위해 일반적으로 채용하는 유기 재료의 제 1 버퍼층(24)을 구비한다. 버퍼층(24)은 유기폴리머 또는 유기금속 복합체 일수 있다. 통상 유기폴리머는 파릴렌등이 간편하게 사용될 수 있다.
이 폴리머는(파릴렌 등) 어레이(12)의 열팽창계수에 가까운 낮은 열팽창계수(CTE)를 가지므로 열사이클 동안 응력이 거의 발생되지 않는다. 이러한 폴리머는 낮은 유전체 상수와 산소와 수분에 대한 저 침투성을 가진다.
유기폴리머 대신 버퍼층(24)과 같은 유기 금속 복합체를 조합하는 한예에 있어서, 3중 알루미늄층(8-퀴노오리노라토)(Alq)등은 어레이(12)위에 증착된다.
많은 유기소자가 활성층(에미터 그리고/또는 전자이송 재료와 같은)에 Alq가 사용되기 때문에, 이 재료는 어레이(12)로 유일하게 매칭될 수 있고, 추가 재료와 설비가 요구됨이 없이 어레이(12)에 버퍼층(24)을 부가하는 것이 편리하다 이 분야에 통상의 지식을 가진자들에 의해 이해될 수 있는 것과 같이, 유기소자의 특정 어레이에 활성층에 사용되는 다른 재료도 버퍼층(24)내에 사용될 수 있다.
버퍼층(24)은 열계수 매칭층(26)으로 커버 또는 코팅되며 그것은 버퍼 시스템내의 제 2층이다. 다음에, 열계수매칭층(26) 위로 저투과성 유기층(28)을 증착함으로써, 열 계수 매칭층(26)이 오버코팅된다. 열 계수 매칭 층(26)및 무기층(28)의통상적 예들은 하기와 같다. 이산화 실리콘(SiO2)은 열계수 매칭층(26)으로 사용되고 질화실리콘(Si3N4)은 무기층(28)으로 사용된다. 서로 다른 실시예에서, 리튬(Li) 또는 마그네슘(Mg)과 같은 낮은 일 함수 금속은 열계수 매칭층(26)으로 사용되고 또한 무기층내의 배출 가스등을 흡수하는 불순물 흡수재료로서 작용한다.
예로서, 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)과 같은 안정된 금속은 무기층(28)을 절연하기 위해 위치하는 유전체 매체(도시되지 않음)와 함께 무기층(28)으로 사용되고 안정된 금속의 구성에 의해서 어레이(12)의 치수감소를 방지한다. 예로서, 완전한 캡슐화 또는 어레이(12)의 허메틱 밀봉을 위해서 무기층(28)은 낮은 투과성을 가진다. 다수개의 층을 사용하는 허메틱 밀봉되는 어레이(12)의 추가적인 정보는 1995년 5월 1일자 출원되었으며 동일 양수인에 양도된 발명의 명칭이 "유기소재의 패시 베이션"인 계류중인 미국 특허 출원 제 08/43l,996 호에 언급되어 있다.
본 발명에 따른 유기 LED 소자(30)의 제 2 실시예는 유기 LED 를 캡슐화하는 금속캔(32)으로 구성되는 허메틱 밀봉을 가지며, 또한 형성된 다층 오버 코팅된 플라스틱 기판(11)은 도 6 과 7 에 도시된다. 도시된바와 같이, 상술된 다층 오버코팅(16)을 플라스틱 기판 상에 증착되며 플라스틱 기판(11)상에 어레이(12)를 형성한다. 도 6 에 도시된 바와같이, 다층 오버 코팅(16)은 기판(11)의 최상 표면상에 증착된다. 도 7 에 도시된 바와 같이, 다른 실시예는 다층 오버코팅(16)으로 둘러싸여진 기판(11)을 가진다. 어레이(12)의 허메틱 밀봉에 형성에서는 공지된 바와 같이 어레이(12)는 금속캔에 의해 봉입되고 그것에 의해 유기 LED 소자(30)가 대기성분으로부터 손상되는 것을 방지한다. 유기 LED 상에 증착된 다수개의 층으로부터 형성된 허메틱 밀봉을 가지며, 또한 오버 코팅된 플라스틱 기판(11)상에 형성된 본 발명에 따른 유기 LED소자(40,50)의 제 3 및 제 4 실시예가 도 8 내지 도 11에 나타난다. 유기소자 LED 의 패시베이션을 위한 다른 방법이 동일자로 출원되었으며 동일 양수인에 양도된 발명의 명칭이 "패시베이션된 유기 소자"로 계류중인 미국 특허 출원에 개시되었다. 도 8 내지 도 11 에 도시된 어레이(12)는 다층 오버코팅(16)이 증착된 기판(11)상에 형성된다. 도 8 내지 도 10 에 도시된 다층 오버코팅(16)은 전술된 것과 같이 기판(11)의 최상 표면상에 증착된다. 도 8 내지 도 11의 어레이(12)의 허메틱 밀봉 형성에서는, 인듐(In)등과 같은 안정 금속(54)의 층과 함께 제 1 캡핑 또는 오버코팅 어레이(12)를 만드는 개별 화소이다. 이 캠핑 또는 오버코팅은 어레이(12)를 만드는 개별 화소를 위한 기본적 보호 코팅으로 사용된다.
다음에, 안정금속(54)의 층과 함께 캡핑된 어레이(12)는 도 4 및 도 5에 도시된 것과 같은 본 발명의 이전 실시예로 설명된 것과 같은 통상이 동일한 층형성 기술로써 오버코팅된다. 제 1 버퍼 시스템(56)은 열계수 매칭층(58)에 따라서 어레이(12)상에 증착된다. 그 다음에, 열계수 매칭층(58)은 열계수 매칭층(58)을 넘어서 저 투과성 무기층(60)에 증착에 의해 오버코팅된다.
어레이(12)는 에폭시 캡슐의 층(42) 또는 폴리머 적층 금속박 층(52)으로 최종 밀봉된다. 도 8 와 도 9 에 도시된 것은 패시베이션되는 유기소자의 바람직한 실시예로 유기 LED 어레이(12)는 글롭·톱 에폭시 캡슐(42)로 밀봉된다. 유기 LED어레이(12)의 다른 실시예는 도 10 과 도 11 에 도시된 바와 같이 폴리머 적층 금속박(52)으로 밀봉된다.
본 발명에서 구체적인 실시예를 도시하고 기술하였지만, 통상의 지식을 가진자는 변경 또는 개선을 실시 할 수 있다. 따라서 본 발명은 본원에서 나타낸 특정형태에 제한되지 않으며, 첨부된 청구범위는 본 발명의 정신 및 범위로부터 벗어나지 않는 모든 변경을 내포하는 것이다.

Claims (4)

  1. 유기소자를 패시베이션하는 방법에 있어서,
    복수의 평면들로 구성된 투명 플라스틱 지지 기판을 하나 이상의 투명 폴리머막층과 하나 이상의 투명 유전체 재료층이 교대로 반복되는 층들로 오버코팅하는 단계와,
    상기 오버코팅된 투명 플라스틱지지 기판상에 복수의 화소를 형성하는 유기 소자를 제공하는 단계와,
    상기 투명지지 기판상에 제공된 유기 소자를 밀봉하는 단계를 포함하는 유기소자 패시베이션 방법.
  2. 유기소자를 패시베이션하는 방법에 있어서,
    복수의 평면들로 구성된 투명 플라스틱 지지 기판을 플루오르화 폴리머, 파릴렌 또는 사이클로텐 중 하나 이상으로 이루어진 폴리머의 층과, 일산화 실리콘, 산화실리콘, 이산화실리콘 또는 질화실리콘 중 하나 이상으로 이루어진 투명 유전체 재료층의 교대로 반복되는 층들로 오버코팅하는 단계와,
    오버코팅된 플라스틱 지지기판상에 복수개의 화소를 형성하는 유기 LED 어레이를 제공하는 단계와,
    금속 캔 포장제, 금속화된 플라스틱 포장제, 에폭시 포장제 또는 폴리머 적층 금속박 중 하나 이상으로 상기 기판상에 제공된 유기 소자를 밀봉하는 단계를포함하는 유기 소자 패시베이션 방법.
  3. 패시베이션된 유기소자에 있어서,
    하나 이상의 투명폴리머 막층과 하나 이상의 유전체 재료층이 교대로 배치된 층들로 오버코팅된 투명 플라스틱지지 기판과,
    상기 플라스틱 지지 기판상에 형성된, 복수의 화소를 형성하는 유기 소자와,
    상기 유기 소자를 밀봉하도록 배치된 밀봉층을 포함하는 패시베이션된 유기 소자.
  4. 패시베이션된 유기 소자에 있어서,
    플루오르화 폴리머, 파릴렌 또는 사이클로텐 중 하나 이상으로 이루어진 폴리머의 층과, 일산화 실리콘, 산화실리콘, 이산화실리콘 또는 질화실리콘 중 하나 이상으로 이루어진 투명 유전체 재료층의 교대로 반복되는 층들로 오버코팅된 투명 플라스틱 지지 기판과,
    상기 플라스틱 지지 기판상에 형성된, 복수개의 화소를 형성하는 유기 소자와,
    상기 유기 소자를 밀봉하도록 배치된 밀봉층을 포함하는 패시베이션된 유기 소자.
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TW (1) TW447146B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101194859B1 (ko) * 2006-05-02 2012-10-26 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그의 제조방법
KR101871047B1 (ko) * 2015-08-27 2018-06-25 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10038012B2 (en) 2002-12-27 2018-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, delamination method, and transferring method

Families Citing this family (329)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811177A (en) * 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5952778A (en) * 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
CA2295676A1 (en) * 1997-07-11 1999-01-21 Fed Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
US6198220B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
US6224948B1 (en) 1997-09-29 2001-05-01 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds
JP3887079B2 (ja) * 1997-09-29 2007-02-28 新日鐵化学株式会社 多重型多色発光有機電界発光素子
KR100249784B1 (ko) * 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US6635989B1 (en) * 1998-08-03 2003-10-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Encapsulation of polymer-based solid state devices with inorganic materials
US6080031A (en) * 1998-09-02 2000-06-27 Motorola, Inc. Methods of encapsulating electroluminescent apparatus
EP1054747A1 (en) * 1998-09-22 2000-11-29 Fed Corporation Color organic light-emitting device structure and method of fabrication
US7126161B2 (en) 1998-10-13 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having El layer and sealing material
CA2353506A1 (en) 1998-11-02 2000-05-11 3M Innovative Properties Company Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US7141821B1 (en) * 1998-11-10 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity gradient in the impurity regions and method of manufacture
US7022556B1 (en) 1998-11-11 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
US6277679B1 (en) 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US6228434B1 (en) 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making a conformal coating of a microtextured surface
US6207239B1 (en) 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer
US6217947B1 (en) 1998-12-16 2001-04-17 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures
US6207238B1 (en) * 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers
US6274204B1 (en) 1998-12-16 2001-08-14 Battelle Memorial Institute Method of making non-linear optical polymer
TW439308B (en) * 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6228436B1 (en) * 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making light emitting polymer composite material
CN1150639C (zh) * 1998-12-17 2004-05-19 剑桥显示技术有限公司 有机发光装置
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機el素子の製造方法
US7697052B1 (en) 1999-02-17 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic view finder utilizing an organic electroluminescence display
US6506461B2 (en) 1999-03-31 2003-01-14 Battelle Memorial Institute Methods for making polyurethanes as thin films
US6358570B1 (en) 1999-03-31 2002-03-19 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of oligomers and resins
KR20020011392A (ko) * 1999-04-28 2002-02-08 메리 이. 보울러 산소 및 수분 열화에 대한 내성이 개선된 가요성 유기전자 장치
US6680487B1 (en) 1999-05-14 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
TW527735B (en) 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
US6174613B1 (en) * 1999-07-29 2001-01-16 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for fabricating polymer-based electroluminescent displays
TW522453B (en) 1999-09-17 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JP3942770B2 (ja) * 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置及び電子装置
JP3423261B2 (ja) * 1999-09-29 2003-07-07 三洋電機株式会社 表示装置
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
US20100330748A1 (en) * 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US20070196682A1 (en) * 1999-10-25 2007-08-23 Visser Robert J Three dimensional multilayer barrier and method of making
US6866901B2 (en) * 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6413645B1 (en) * 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6623861B2 (en) 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US20090191342A1 (en) * 1999-10-25 2009-07-30 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6548912B1 (en) 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
JP4776769B2 (ja) * 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6646287B1 (en) 1999-11-19 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with tapered gate and insulating film
US20010053559A1 (en) * 2000-01-25 2001-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating display device
TW494447B (en) 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7129918B2 (en) * 2000-03-10 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving electronic device
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
US6492026B1 (en) * 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
US7579203B2 (en) * 2000-04-25 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20010052752A1 (en) * 2000-04-25 2001-12-20 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US7633471B2 (en) 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
JP5183838B2 (ja) * 2000-05-12 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6867539B1 (en) 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
JP2002056986A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 放熱効果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US7462372B2 (en) * 2000-09-08 2008-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
DE10044841B4 (de) 2000-09-11 2006-11-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Plasmaverkapselung für elektronische und mikroelektronische Bauelemente wie OLEDs sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP2002100469A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
US6924594B2 (en) * 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2002170678A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6537688B2 (en) 2000-12-01 2003-03-25 Universal Display Corporation Adhesive sealed organic optoelectronic structures
JP2004519081A (ja) * 2001-02-05 2004-06-24 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド プラスチック基板上の有機発光ダイオード
US6614057B2 (en) 2001-02-07 2003-09-02 Universal Display Corporation Sealed organic optoelectronic structures
US7222981B2 (en) * 2001-02-15 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US6576351B2 (en) 2001-02-16 2003-06-10 Universal Display Corporation Barrier region for optoelectronic devices
US6822391B2 (en) * 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
US6881447B2 (en) * 2002-04-04 2005-04-19 Dielectric Systems, Inc. Chemically and electrically stabilized polymer films
US20050274322A1 (en) * 2001-02-26 2005-12-15 Lee Chung J Reactor for producing reactive intermediates for low dielectric constant polymer thin films
US6624568B2 (en) * 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
US6664137B2 (en) * 2001-03-29 2003-12-16 Universal Display Corporation Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
WO2002091064A2 (en) * 2001-05-04 2002-11-14 General Atomics O2 and h2o barrier material
JP2002343580A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Pioneer Electronic Corp 発光ディスプレイ装置及びその製造方法
JP4041660B2 (ja) * 2001-05-31 2008-01-30 ユーディナデバイス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6692326B2 (en) 2001-06-16 2004-02-17 Cld, Inc. Method of making organic electroluminescent display
TWI264244B (en) 2001-06-18 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of fabricating the same
JP4244120B2 (ja) * 2001-06-20 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US6664730B2 (en) 2001-07-09 2003-12-16 Universal Display Corporation Electrode structure of el device
US7469558B2 (en) 2001-07-10 2008-12-30 Springworks, Llc As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US6888307B2 (en) * 2001-08-21 2005-05-03 Universal Display Corporation Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures
US7351300B2 (en) 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
KR20010099356A (ko) * 2001-09-21 2001-11-09 김경현 파릴렌코팅방법
US20090208754A1 (en) * 2001-09-28 2009-08-20 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
JP2003140561A (ja) * 2001-10-30 2003-05-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4019690B2 (ja) * 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6888305B2 (en) * 2001-11-06 2005-05-03 Universal Display Corporation Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror
US7404877B2 (en) 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US6753096B2 (en) * 2001-11-27 2004-06-22 General Electric Company Environmentally-stable organic electroluminescent fibers
US6597111B2 (en) 2001-11-27 2003-07-22 Universal Display Corporation Protected organic optoelectronic devices
SG114514A1 (en) * 2001-11-28 2005-09-28 Univ Singapore Organic light emitting diode (oled)
EP1459394B1 (en) 2001-12-13 2014-10-29 Koninklijke Philips N.V. Sealing structure for display devices
JP4010394B2 (ja) * 2001-12-14 2007-11-21 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子
US6903505B2 (en) 2001-12-17 2005-06-07 General Electric Company Light-emitting device with organic electroluminescent material and photoluminescent materials
US6765351B2 (en) * 2001-12-20 2004-07-20 The Trustees Of Princeton University Organic optoelectronic device structures
US7012363B2 (en) * 2002-01-10 2006-03-14 Universal Display Corporation OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies
JP3865056B2 (ja) * 2002-01-22 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 封止用基板の製造方法
US6936131B2 (en) 2002-01-31 2005-08-30 3M Innovative Properties Company Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US6884327B2 (en) 2002-03-16 2005-04-26 Tao Pan Mode size converter for a planar waveguide
US20030175142A1 (en) * 2002-03-16 2003-09-18 Vassiliki Milonopoulou Rare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications
JP2003282241A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP2003282240A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP2003282238A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP4010845B2 (ja) * 2002-03-28 2007-11-21 富士フイルム株式会社 発光素子
US6891330B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
EP1492387A1 (en) * 2002-03-29 2004-12-29 Pioneer Corporation Organic electroluminescence display panel
US20070216300A1 (en) * 2002-04-04 2007-09-20 International Display Systems, Inc. Organic opto-electronic device with environmentally protective barrier
US20050174045A1 (en) * 2002-04-04 2005-08-11 Dielectric Systems, Inc. Organic light-emitting device display having a plurality of passive polymer layers
US20050158454A1 (en) * 2002-04-04 2005-07-21 Dielectric Systems, Inc. Method and system for forming an organic light-emitting device display having a plurality of passive polymer layers
US6897474B2 (en) * 2002-04-12 2005-05-24 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
US6835950B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
KR100461844B1 (ko) * 2002-04-16 2004-12-20 (주)누리셀 다층박막 소자용 출발기판
KR100462469B1 (ko) * 2002-04-17 2004-12-17 한국전자통신연구원 접착식 유기-무기 복합막을 갖춘 엔캡슐레이션 박막과이를 포함하는 유기 전기발광 소자
US6949389B2 (en) 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
TW569644B (en) * 2002-08-06 2004-01-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Plastic substrate for organic electroluminescent display element, manufacturing method thereof and organic electroluminescent display element made by the substrate
WO2004014644A1 (ja) * 2002-08-07 2004-02-19 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho 密着層を備える積層体及び保護膜を備える積層体
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US7993773B2 (en) 2002-08-09 2011-08-09 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
JP3693118B2 (ja) * 2002-08-12 2005-09-07 セイコーエプソン株式会社 シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法並びに液体噴射ヘッド
US6929864B2 (en) * 2002-08-17 2005-08-16 3M Innovative Properties Company Extensible, visible light-transmissive and infrared-reflective film and methods of making and using the film
US7215473B2 (en) * 2002-08-17 2007-05-08 3M Innovative Properties Company Enhanced heat mirror films
US6818291B2 (en) * 2002-08-17 2004-11-16 3M Innovative Properties Company Durable transparent EMI shielding film
US6933051B2 (en) * 2002-08-17 2005-08-23 3M Innovative Properties Company Flexible electrically conductive film
AU2003261463A1 (en) 2002-08-27 2004-03-19 Symmorphix, Inc. Optically coupling into highly uniform waveguides
JP2004095330A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Tohoku Pioneer Corp 電子部品を覆う保護膜の形成方法および保護膜を備えた電子機器
US6887733B2 (en) * 2002-09-11 2005-05-03 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Method of fabricating electronic devices
US7449246B2 (en) * 2004-06-30 2008-11-11 General Electric Company Barrier coatings
US20040048033A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd. Oled devices with improved encapsulation
US7224116B2 (en) * 2002-09-11 2007-05-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of active electronic devices
US20050181212A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-18 General Electric Company Composite articles having diffusion barriers and devices incorporating the same
US7015640B2 (en) * 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
US20060208634A1 (en) * 2002-09-11 2006-09-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
US7193364B2 (en) * 2002-09-12 2007-03-20 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Encapsulation for organic devices
TW548853B (en) * 2002-09-13 2003-08-21 Ind Tech Res Inst Method of manufacturing flexible TFT display
US20040124421A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR100662297B1 (ko) * 2002-10-18 2007-01-02 엘지전자 주식회사 유기 el 소자
JP2004152563A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Canon Inc 表示装置
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
US7011983B2 (en) * 2002-12-20 2006-03-14 General Electric Company Large organic devices and methods of fabricating large organic devices
TW586329B (en) * 2003-01-29 2004-05-01 Au Optronics Corp Sealing structure and method of making the same
GB0302550D0 (en) * 2003-02-05 2003-03-12 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectronic device
US7042020B2 (en) * 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
CN1756856B (zh) 2003-02-27 2011-10-12 希莫菲克斯公司 电介质阻挡层膜
US7365442B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of thin-film electronic devices
US7018713B2 (en) 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US6888172B2 (en) * 2003-04-11 2005-05-03 Eastman Kodak Company Apparatus and method for encapsulating an OLED formed on a flexible substrate
US7510913B2 (en) 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
KR100496286B1 (ko) * 2003-04-12 2005-06-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
GB0311234D0 (en) * 2003-05-16 2003-06-18 Isis Innovation Organic phosphorescent material and organic optoelectronic device
EP1629543B1 (en) * 2003-05-16 2013-08-07 E.I. Du Pont De Nemours And Company Barrier films for flexible polymer substrates fabricated by atomic layer deposition
US7238628B2 (en) 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US20040238846A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-02 Georg Wittmann Organic electronic device
US6921929B2 (en) * 2003-06-27 2005-07-26 Lockheed Martin Corporation Light-emitting diode (LED) with amorphous fluoropolymer encapsulant and lens
US20050023974A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
US6998648B2 (en) * 2003-08-25 2006-02-14 Universal Display Corporation Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant
US20050051763A1 (en) * 2003-09-05 2005-03-10 Helicon Research, L.L.C. Nanophase multilayer barrier and process
JP4428979B2 (ja) * 2003-09-30 2010-03-10 三洋電機株式会社 有機elパネル
JP4716699B2 (ja) * 2003-09-30 2011-07-06 三洋電機株式会社 有機elパネル
JP4497881B2 (ja) * 2003-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 有機el素子および有機elパネル
JP2005123012A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法
US7052355B2 (en) * 2003-10-30 2006-05-30 General Electric Company Organic electro-optic device and method for making the same
KR100563057B1 (ko) * 2003-11-14 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 초박형 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
GB0327093D0 (en) * 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
US7495644B2 (en) * 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
JP4439260B2 (ja) * 2003-12-26 2010-03-24 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
JP4475942B2 (ja) * 2003-12-26 2010-06-09 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
JP2005197009A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及びその製造方法及び製造装置
US20050181535A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-18 Yun Sun J. Method of fabricating passivation layer for organic devices
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
DE102004026618A1 (de) * 2004-06-01 2005-12-29 Siemens Ag Röntgendetektor
US20050269943A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Michael Hack Protected organic electronic devices and methods for making the same
TWI272039B (en) 2004-06-18 2007-01-21 Sanyo Electric Co Electroluminescence panel
US20090110892A1 (en) * 2004-06-30 2009-04-30 General Electric Company System and method for making a graded barrier coating
US8034419B2 (en) * 2004-06-30 2011-10-11 General Electric Company Method for making a graded barrier coating
JP4792717B2 (ja) * 2004-07-07 2011-10-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP4363365B2 (ja) * 2004-07-20 2009-11-11 株式会社デンソー カラー有機elディスプレイおよびその製造方法
US20060063015A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 3M Innovative Properties Company Protected polymeric film
US7342356B2 (en) * 2004-09-23 2008-03-11 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer
US7506998B2 (en) * 2004-09-24 2009-03-24 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Illumination system
CN100454606C (zh) * 2004-09-30 2009-01-21 清华大学 一种有机电致发光器件
KR100637197B1 (ko) * 2004-11-25 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
DE602005017512D1 (de) 2004-12-08 2009-12-17 Symmorphix Inc Abscheidung von licoo2
KR100668408B1 (ko) * 2004-12-09 2007-01-16 한국전자통신연구원 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
GB2421626A (en) * 2004-12-24 2006-06-28 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
US20060145599A1 (en) * 2005-01-04 2006-07-06 Reza Stegamat OLEDs with phosphors
JP4631683B2 (ja) * 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
JP2006222071A (ja) * 2005-01-17 2006-08-24 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP2006216344A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Dainippon Printing Co Ltd フレキシブル透明電極基板および有機elディスプレイデバイス
JP4573672B2 (ja) * 2005-02-28 2010-11-04 三洋電機株式会社 有機elパネル
JP2006243127A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Victor Co Of Japan Ltd シートディスプレイ
KR100770257B1 (ko) * 2005-03-21 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP2006269338A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Dainippon Printing Co Ltd フレキシブル透明電極基板および有機elディスプレイデバイス
US7541671B2 (en) * 2005-03-31 2009-06-02 General Electric Company Organic electronic devices having external barrier layer
JP2006310070A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Dainippon Printing Co Ltd フレキシブル透明電極基板および有機elディスプレイデバイス
TWM281293U (en) * 2005-05-06 2005-11-21 Harvatek Corp Optoelectronic chip array package structure
KR100719554B1 (ko) * 2005-07-06 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
US7838133B2 (en) 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
US7549905B2 (en) * 2005-09-30 2009-06-23 International Display Systems, Inc. Method of encapsulating an organic light emitting device
US7621794B2 (en) * 2005-11-09 2009-11-24 International Display Systems, Inc. Method of encapsulating an organic light-emitting device
JP4702009B2 (ja) * 2005-11-22 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
TW200726311A (en) * 2005-12-30 2007-07-01 Au Optronics Corp Display panel structure with shielding structure
DE102006027393A1 (de) 2006-06-13 2007-12-20 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verkapselung für organisches Bauelement
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
TWI421607B (zh) * 2006-08-24 2014-01-01 Creator Technology Bv 可撓性裝置上的滲透阻障
US8088502B2 (en) 2006-09-20 2012-01-03 Battelle Memorial Institute Nanostructured thin film optical coatings
US8062708B2 (en) 2006-09-29 2011-11-22 Infinite Power Solutions, Inc. Masking of and material constraint for depositing battery layers on flexible substrates
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
KR101328879B1 (ko) * 2006-12-12 2013-11-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블기판 및 이를 구비한 플렉서블 표시장치
EP2125361B1 (en) 2006-12-28 2019-01-23 3M Innovative Properties Company Nucleation layer for thin film metal layer formation
BRPI0721301A2 (pt) * 2006-12-29 2014-03-25 3M Innovative Properties Co Método para cura de filmes contendo alcóxido metálico
BRPI0720867A2 (pt) * 2006-12-29 2014-03-04 3M Innovative Properties Company. Método para fabricação de filmes inorgânicos ou híbridos inorgânicos/orgânicos
US7416820B2 (en) * 2007-01-31 2008-08-26 International Business Machines Corporation Pellicle film optimized for immersion lithography systems with NA>1
JP5020710B2 (ja) * 2007-06-06 2012-09-05 キヤノン株式会社 撮像装置及び交換レンズ
KR100873704B1 (ko) * 2007-06-13 2008-12-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP5208591B2 (ja) 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
US20090162667A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Lumination Llc Lighting device having backlighting, illumination and display applications
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
TWI441937B (zh) 2007-12-21 2014-06-21 Infinite Power Solutions Inc 形成用於電解質薄膜之濺鍍靶材的方法
KR101563025B1 (ko) 2007-12-28 2015-10-23 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 가요성 캡슐화 필름 및 그의 제조 방법
US8518581B2 (en) 2008-01-11 2013-08-27 Inifinite Power Solutions, Inc. Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices
WO2009090423A1 (en) * 2008-01-14 2009-07-23 Merck Patent Gmbh Barrier coated substrate and electro-optical device
EP2091096A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Encapsulated electronic device and method of manufacturing
US7951620B2 (en) * 2008-03-13 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Water-barrier encapsulation method
CN101983469B (zh) 2008-04-02 2014-06-04 无穷动力解决方案股份有限公司 与能量采集关联的储能装置的无源过电压/欠电压控制和保护
US8350451B2 (en) 2008-06-05 2013-01-08 3M Innovative Properties Company Ultrathin transparent EMI shielding film comprising a polymer basecoat and crosslinked polymer transparent dielectric layer
WO2010002755A2 (en) * 2008-06-30 2010-01-07 3M Innovative Properties Company Method of making inorganic or inorganic/organic hybrid barrier films
FR2934417B1 (fr) 2008-07-25 2010-11-05 Centre Nat Rech Scient Composants electroniques a encapsulation integree
US8906523B2 (en) 2008-08-11 2014-12-09 Infinite Power Solutions, Inc. Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof
WO2010030743A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Infinite Power Solutions, Inc. Energy device with integral conductive surface for data communication via electromagnetic energy and method thereof
US20100080929A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 General Electric Company System and method for applying a conformal barrier coating
FR2936651B1 (fr) * 2008-09-30 2011-04-08 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation.
US8033885B2 (en) * 2008-09-30 2011-10-11 General Electric Company System and method for applying a conformal barrier coating with pretreating
US8508193B2 (en) 2008-10-08 2013-08-13 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
CN102239278A (zh) * 2008-12-05 2011-11-09 莲花应用技术有限责任公司 具有改进的阻隔层性能的薄膜的高速沉积
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US8219408B2 (en) * 2008-12-29 2012-07-10 Motorola Mobility, Inc. Audio signal decoder and method for producing a scaled reconstructed audio signal
US20100167002A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Vitex Systems, Inc. Method for encapsulating environmentally sensitive devices
JP5471035B2 (ja) 2009-05-26 2014-04-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法、および電子機器
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
KR101842675B1 (ko) 2009-07-08 2018-03-27 플라즈마시, 인크. 플라즈마 처리를 위한 장치 및 방법
US8599572B2 (en) 2009-09-01 2013-12-03 Infinite Power Solutions, Inc. Printed circuit board with integrated thin film battery
EP2292339A1 (en) 2009-09-07 2011-03-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Coating method and coating apparatus
US9101005B2 (en) * 2009-09-15 2015-08-04 Industrial Technology Research Institute Package of environmental sensitive element
US9472783B2 (en) * 2009-10-12 2016-10-18 General Electric Company Barrier coating with reduced process time
KR101117726B1 (ko) * 2009-12-15 2012-03-07 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이용 기판, 이를 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US8753711B2 (en) * 2009-12-18 2014-06-17 General Electric Company Edge sealing method using barrier coatings
KR101108161B1 (ko) 2009-12-24 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101359657B1 (ko) * 2009-12-30 2014-02-06 엘지디스플레이 주식회사 전자장치 및 유기전계발광장치, 다층보호막
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
KR101155904B1 (ko) 2010-01-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US9000442B2 (en) * 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
KR101108166B1 (ko) * 2010-02-09 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 실리콘 산화물막과 실리콘 리치 실리콘 질화물막을 포함하는 배리어층을 포함하는 유기 발광 장치
US9142804B2 (en) 2010-02-09 2015-09-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device including barrier layer and method of manufacturing the same
JP2011227369A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置及びその製造方法
US20110291544A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-01 Industrial Technology Research Institute Gas barrier substrate, package of organic electro-luminenscent device and packaging method thereof
GB2481367B (en) * 2010-06-04 2015-01-14 Plastic Logic Ltd Moisture Barrier for Electronic Devices
CN102947976B (zh) 2010-06-07 2018-03-16 萨普拉斯特研究有限责任公司 可充电、高密度的电化学设备
TWI641287B (zh) 2010-09-14 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 固態發光元件,發光裝置和照明裝置
JP5827104B2 (ja) 2010-11-19 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
JP6118020B2 (ja) 2010-12-16 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8765232B2 (en) 2011-01-10 2014-07-01 Plasmasi, Inc. Apparatus and method for dielectric deposition
US8735874B2 (en) 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
KR101922603B1 (ko) 2011-03-04 2018-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 조명 장치, 기판, 기판의 제작 방법
FR2977720A1 (fr) * 2011-07-08 2013-01-11 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation.
CN103988578B (zh) 2011-08-04 2017-07-21 3M创新有限公司 边缘受保护的阻隔组件
JP2014526985A (ja) * 2011-08-04 2014-10-09 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー エッジの保護されたバリアー性組立品
KR20130065219A (ko) 2011-12-09 2013-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5577373B2 (ja) * 2012-04-16 2014-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
US9761830B1 (en) 2012-05-14 2017-09-12 Eclipse Energy Systems, Inc. Environmental protection film for thin film devices
US9299956B2 (en) 2012-06-13 2016-03-29 Aixtron, Inc. Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices
US10526708B2 (en) 2012-06-19 2020-01-07 Aixtron Se Methods for forming thin protective and optical layers on substrates
US9812338B2 (en) * 2013-03-14 2017-11-07 Cree, Inc. Encapsulation of advanced devices using novel PECVD and ALD schemes
US9991399B2 (en) 2012-10-04 2018-06-05 Cree, Inc. Passivation structure for semiconductor devices
CN103904248B (zh) * 2012-12-25 2016-08-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
US9196849B2 (en) * 2013-01-09 2015-11-24 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Polymer/inorganic multi-layer encapsulation film
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
KR102034253B1 (ko) 2013-04-12 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102081285B1 (ko) * 2013-04-16 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착마스크, 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치
TWI557962B (zh) * 2013-08-23 2016-11-11 鴻海精密工業股份有限公司 有機發光二極體封裝結構及其製造方法
US9293730B2 (en) 2013-10-15 2016-03-22 Samsung Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
JP6322380B2 (ja) * 2013-10-17 2018-05-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
JPWO2016063869A1 (ja) * 2014-10-22 2017-08-03 コニカミノルタ株式会社 光取り出し基板、光取り出し基板の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20180241000A1 (en) * 2015-09-08 2018-08-23 Sharp Kabushiki Kaisha Organic el display device
KR102550694B1 (ko) * 2016-07-12 2023-07-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6297654B2 (ja) * 2016-09-29 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JPWO2018061237A1 (ja) * 2016-09-30 2019-07-11 パイオニア株式会社 発光装置
FR3061404B1 (fr) * 2016-12-27 2022-09-23 Packaging Sip Procede de fabrication collective de modules electroniques hermetiques
EP3843166A4 (en) * 2018-09-03 2021-10-27 LG Chem, Ltd. ENCAPSULATION FILM
CN110943066A (zh) * 2018-09-21 2020-03-31 联华电子股份有限公司 具有高电阻晶片的半导体结构及高电阻晶片的接合方法
US10834825B1 (en) 2019-05-08 2020-11-10 Raytheon Company Hermetic chip on board
US11588137B2 (en) 2019-06-05 2023-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11659758B2 (en) 2019-07-05 2023-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit, display module, and electronic device
JPWO2021009587A1 (ko) 2019-07-12 2021-01-21
JP2020024425A (ja) * 2019-09-26 2020-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20210079898A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN111430423B (zh) * 2020-04-02 2023-03-28 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制作方法、显示装置
US20220384366A1 (en) * 2021-06-01 2022-12-01 Cree, Inc. Multilayer encapsulation for humidity robustness and related fabrication methods

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04284395A (ja) * 1991-03-13 1992-10-08 Sharp Corp 白色有機el素子
JPH05182759A (ja) * 1991-12-26 1993-07-23 Pioneer Video Corp 有機el素子
JPH07161474A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
JPH07192867A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0332713A4 (en) * 1987-09-29 1989-12-18 Sumitomo Chemical Co DISPERSION TYPE ELECTROLUMINESCENCE ARRANGEMENT.
US5061657A (en) * 1990-07-18 1991-10-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of making integrated circuit to package electrical connections after encapsulation with an organic polymer
US5315129A (en) * 1990-08-20 1994-05-24 University Of Southern California Organic optoelectronic devices and methods
US5482896A (en) * 1993-11-18 1996-01-09 Eastman Kodak Company Light emitting device comprising an organic LED array on an ultra thin substrate and process for forming same
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
US5532550A (en) * 1993-12-30 1996-07-02 Adler; Robert Organic based led display matrix
US5478658A (en) * 1994-05-20 1995-12-26 At&T Corp. Article comprising a microcavity light source
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
US5587589A (en) * 1995-03-22 1996-12-24 Motorola Two dimensional organic light emitting diode array for high density information image manifestation apparatus
DE19603746A1 (de) * 1995-10-20 1997-04-24 Bosch Gmbh Robert Elektrolumineszierendes Schichtsystem

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04284395A (ja) * 1991-03-13 1992-10-08 Sharp Corp 白色有機el素子
JPH05182759A (ja) * 1991-12-26 1993-07-23 Pioneer Video Corp 有機el素子
JPH07161474A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
JPH07192867A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10038012B2 (en) 2002-12-27 2018-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, delamination method, and transferring method
KR101194859B1 (ko) * 2006-05-02 2012-10-26 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그의 제조방법
KR101871047B1 (ko) * 2015-08-27 2018-06-25 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10115774B2 (en) 2015-08-27 2018-10-30 Japan Display Inc. Display device and method of manufacturing the same

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