TWI523835B - 潛酸及其用途 - Google Patents

潛酸及其用途 Download PDF

Info

Publication number
TWI523835B
TWI523835B TW100106050A TW100106050A TWI523835B TW I523835 B TWI523835 B TW I523835B TW 100106050 A TW100106050 A TW 100106050A TW 100106050 A TW100106050 A TW 100106050A TW I523835 B TWI523835 B TW I523835B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
alkyl
cycloalkyl
phenyl
acid
Prior art date
Application number
TW100106050A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201139351A (en
Inventor
大和仁
朝倉利景
松本晃
田中慶太
西間雄一
Original Assignee
巴地斯顏料化工廠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 巴地斯顏料化工廠 filed Critical 巴地斯顏料化工廠
Publication of TW201139351A publication Critical patent/TW201139351A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI523835B publication Critical patent/TWI523835B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C381/00—Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
    • C07C381/12—Sulfonium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C25/00—Compounds containing at least one halogen atom bound to a six-membered aromatic ring
    • C07C25/18—Polycyclic aromatic halogenated hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C07C309/07—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
    • C07C309/08—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton containing hydroxy groups bound to the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C07C309/07—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
    • C07C309/12—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton containing esterified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C311/00—Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C311/50—Compounds containing any of the groups, X being a hetero atom, Y being any atom
    • C07C311/52—Y being a hetero atom
    • C07C311/53—X and Y not being nitrogen atoms, e.g. N-sulfonylcarbamic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C333/00—Derivatives of thiocarbamic acids, i.e. compounds containing any of the groups, the nitrogen atom not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C333/02—Monothiocarbamic acids; Derivatives thereof
    • C07C333/06—Monothiocarbamic acids; Derivatives thereof having nitrogen atoms of thiocarbamic groups bound to carbon atoms of rings other than six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D207/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D207/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D207/18—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
    • C07D207/22—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D207/24—Oxygen or sulfur atoms
    • C07D207/26—2-Pyrrolidones
    • C07D207/273—2-Pyrrolidones with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to other ring carbon atoms
    • C07D207/277—Carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
    • C07D207/28—2-Pyrrolidone-5- carboxylic acids; Functional derivatives thereof, e.g. esters, nitriles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D233/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
    • C07D233/04—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
    • C07D233/28—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D233/30—Oxygen or sulfur atoms
    • C07D233/32—One oxygen atom
    • C07D233/38—One oxygen atom with acyl radicals or hetero atoms directly attached to ring nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D241/00—Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings
    • C07D241/02—Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings not condensed with other rings
    • C07D241/06—Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings not condensed with other rings having one or two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D241/08—Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings not condensed with other rings having one or two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with oxygen atoms directly attached to ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D295/16—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms
    • C07D295/20—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms by radicals derived from carbonic acid, or sulfur or nitrogen analogues thereof
    • C07D295/205—Radicals derived from carbonic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D295/16—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms
    • C07D295/20—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms by radicals derived from carbonic acid, or sulfur or nitrogen analogues thereof
    • C07D295/215—Radicals derived from nitrogen analogues of carbonic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D493/08—Bridged systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
    • C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
    • C07C2601/14—The ring being saturated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2602/00—Systems containing two condensed rings
    • C07C2602/36—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common
    • C07C2602/42—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common the bicyclo ring system containing seven carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/56—Ring systems containing bridged rings
    • C07C2603/58—Ring systems containing bridged rings containing three rings
    • C07C2603/70—Ring systems containing bridged rings containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/74—Adamantanes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Furan Compounds (AREA)
  • Pyrane Compounds (AREA)
  • Pyrrole Compounds (AREA)

Description

潛酸及其用途
本發明係關於釋放強酸之新穎潛酸、包含該等化合物之化學增幅型光阻組合物及該等化合物作為潛酸之用途，該等化合物可在光化電磁輻射及電子束照射或熱處理下活化。
半導體製造中採用的化學增幅型抗蝕劑包含具有酸不穩定基團之聚合物及光酸產生劑(PAG)作為由光活化之潛酸。為獲得優良敏感性及解析度效能，較佳為釋放諸如全氟烷基磺酸(PFAS)(例如九氟丁烷磺酸)之強酸的PAG。
然而，由於該等酸具有長的擴散長度，所以使用此等酸尚無法獲得IC晶片進一步小型化所需之解析度。另外，自環境方面，對PFAS存在強烈擔憂。因此，若干產生非全氟烷基磺酸之強酸的PAG已報導如下：JP 2004-004561中所述之(金剛烷-1-基甲基)氧基羰基二氟甲烷磺酸三苯基鋶、US 6908722中所述之1,1,2,2-四氟-2-(降烷-2-基)乙烷磺酸三苯基鋶、EP 1710230中所述之1,1,3,3,3-五氟-2-苯甲醯氧基丙烷-1-磺酸三苯基鋶、WO 2008/132966中所述之2-萘基甲氧基四氟乙烷磺酸三苯基鋶、WO 2009/37980中所述之2-(1'-金剛烷)羰基氧基-1,1-二氟乙烷磺酸三苯基鋶、US 2006/276670中所述之2-五氟乙氧基-1,1,2-三氟乙烷磺酸三苯基鋶及Macromolecules(2007),40(23),8220-8224中所述之4-乙醯氧基-1,1,2-三氟丁烷磺酸三苯基鋶。
此項技術中，需要可產生具有短擴散長度及對光化輻射具有高透明度之有效強酸的潛酸。亦需要該等潛酸在如丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯、環戊酮等常用溶劑中具有優良溶解性。儘管α,α-二氟烷基磺酸以如上所述之強酸著稱，但大規模獲得氟有機化合物受到限制。因此，需要由簡單方法自可大規模獲得之氟有機化合物合成的α,α-二氟烷基磺酸及產生該等強酸之潛酸。
意外地，現已發現如下所述之產生強酸之潛酸具有高活性且極易溶於常用溶劑，且所產生之酸在光阻成像中展示高解析度及高圖案保真度所需之預期短擴散長度、低遮罩邊緣誤差因子、寬曝光寬容度及寬聚焦寬容度。本發明之強酸藉由簡單方法自2,2,3,3-四氟丙醇製備，2,2,3,3-四氟丙醇可以大的工業規模獲得且例如用作可記錄DVD媒體製造中記錄染料之旋塗溶劑。本發明之潛酸尤其適合作為化學增幅型光阻應用中酸催化反應之催化劑。此外，包含本發明潛酸之化學增幅型光阻組合物提供高感光速度及高解析度。
本發明之標的為產生式I或II之酸的化合物
X為CH2或CO；Y為O、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4、O(CO)NR4(CO)、OSO2、O(CS)或O(CS)NR4；其中對於該等基團每一者，氧原子均直接結合於X；或為NR4、S、NR4(CO)O、NR4(CS)O，其中N原子或S原子直接結合於X；R 1 為氫、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)、NR14(CO)、視情況經取代之伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基或伸雜芳基中之一或多個之C2-C18烯基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R1為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基；或R1為NR12R13；或R1為可含有一或多個雜原子之類固醇結構之單價C17-C50烴基；其中C3-C30環烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基未經取代或經取代；R 2 及R 3 各自獨立地為C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、C1-C18伸烷基、C1-C10伸鹵烷基、C2-C12伸烯基、C4-C30伸環烯基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18伸烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30伸環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30伸環烯基；或R2及R3各自獨立地為伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基或伸雜芳基；其中C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、C1-C18伸烷基、C1-C10伸鹵烷基、C2-C12伸烯基、C4-C30伸環烯基、摻雜C2-C18伸烷基、摻雜C3-C30伸環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、摻雜C4-C30伸環烯基、伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基或伸雜芳基未經取代或經取代；或R2及R3各自獨立地為直接鍵，其限制條件為R2與R3不同時為直接鍵；R 4 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R4為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基未經取代或經取代；或R1與R4連同R4所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 12 及R 13 各自獨立地為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R12及R13各自獨立地為Ar、(CO)R15、(CO)OR15或SO2R15；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基或Ar未經取代或經取代；或R12與R13連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 14 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R14為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基未經取代或經取代；R 15 為氫、Ar、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；其中Ar、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基或摻雜C4-C30環烯基未經取代或經取代；且Ar為苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基，其中苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基未經取代或經取代。
本發明之標的為如上定義之式I或II之化合物。
式I或II之酸表徵為經取代之1,1,2-三氟烷基磺酸，尤其為1,1,2-三氟甲基磺酸。
本發明之標的尤其關於如上所述之產生式I或II之酸的化合物，其中R 1 為氫、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基，或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R1為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基；或R1為NR12R13；或R1為可含有一或多個雜原子之類固醇結構之單價C17-C50烴基；其中C3-C30環烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基未經取代或經一或多個Z取代；Z為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或為經NR14(CO)OR11或NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；或為鹵素、NO2、CN、Ar、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15；苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之其他取代基一起或與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；R 2 及R 3 各自獨立地為C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18伸烷基、C1-C10伸鹵烷基、C2-C12伸烯基、C4-C30伸環烯基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18伸烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30伸環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30伸環烯基；或R2及R3各自獨立地為伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基或伸雜芳基；其中C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18伸烷基、C1-C10伸鹵烷基、C2-C12伸烯基、C4-C30伸環烯基、摻雜C2-C18伸烷基、摻雜C3-C30伸環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30伸環烯基、伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基或伸雜芳基未經取代或經一或多個Z取代；伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基、伸茀基或伸雜芳基上之基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基、伸茀基或伸雜芳基上之其他取代基一起或與伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基、伸茀基或伸雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；或R2及R3各自獨立地為直接鍵；R 4 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R4為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基未經取代或經一或多個Z取代；或R1與R4連同R4所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 11 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基，或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R11為Ar、(CO)R15、(CO)OR15、(CO)NR12R13或SO2R15；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基或摻雜C4-C30環烯基未經取代或經一或多個Z1取代；Z1為Ar、OH、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、苯基-C1-C3烷基、C3-C30環烷基、鹵素、NO2、CN、C1-C18烷氧基、苯氧基、苯氧羰基、苯硫基、苯硫基羰基、NR12R13、C1-C12烷基硫基、C2-C18烷氧羰基、C2-C10鹵烷醯基、鹵苯甲醯基、C1-C18烷基磺醯基、苯基磺醯基、(4-甲基苯基)磺醯基、C1-C18烷基磺醯氧基、苯基磺醯氧基、(4-甲基苯基)磺醯氧基、C1-C18烷醯基、C1-C18烷醯氧基、苯甲醯基及/或苯甲醯氧基；R 12 及R 13 各自獨立地為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R12及R13各自獨立地為Ar、(CO)R15、(CO)OR15或SO2R15；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基或摻雜C4-C30環烯基未經取代或經一或多個Z1取代；或R12與R13連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 14 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R14為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基未經取代或經一或多個Z1取代；R 15 為氫、Ar、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基或摻雜C4-C30環烯基未經取代或經一或多個Z1取代；Ar為苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基，其中苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基未經取代或經一或多個Z2取代，基團Z2為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基環上之其他取代基一起或與苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基環之一個碳原子一起形成5、6或7員環；且Z 2 為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或為經NR14(CO)OR11或NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；或為鹵素、NO2、CN、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15、OSO2R15、苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基及/或雜芳基；苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之基團Z2為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之其他取代基一起或與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環。
本發明之一特定標的為產生式I或II之酸的化合物，其具有式IIIa、IIIb、IVa或IVb
其中R 21 、R 22 及R 2 3 各自獨立地為Ar1、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基或C4-C30環烯基未經取代或經一或多個Z取代；或R21與R22視情況連同直接鍵、O、S、NR14或(CO)一起形成稠環系統；或R21與R22視情況連同直接鍵、C1-C6伸烷基、O、S、NR14或(CO)一起形成5、6或7員環；其中所有R21、R22及R23均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；Z為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C18烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或為經NR14(CO)OR11或NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；或為鹵素、NO2、CN、Ar、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15；R 24 及R 25 各自獨立地為Ar1；或R24與R25視情況連同直接鍵、O、S、NR14或(CO)一起形成稠環；或R24與R25視情況連同C1-C2伸烷基、O、S、NR14或(CO)一起形成5、6或7員環；其中所有R24及R25均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；Ar為苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基，其中苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基未經取代或經一或多個Z2取代；Ar 1 為苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基，其中該苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基未經取代或經一或多個Z取代，或經 取代；基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或-OSO2R15，視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基環上之其他取代基一起或與苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基環之一個碳原子一起形成5、6或7員環；Z 2 為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或為經NR14(CO)OR11或 NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；或為鹵素、NO2、CN、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15、OSO2R15、苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基及/或雜芳基；苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之基團Z2為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之其他取代基一起或與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；a為0或1；
R 11 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基，或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R11為Ar、(CO)R15、(CO)OR15、(CO)NR12R13或SO2R15；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基或摻雜C4-C30環烯基未經取代或經一或多個Z1取代；Z 1 為Ar、OH、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、苯基-C1-C3烷基、C3-C30環烷基、鹵素、NO2、CN、C1-C18烷氧基、苯氧基、苯氧羰基、苯硫基、苯硫基羰基、NR12R13、C1-C12烷基硫基、C2-C18烷氧羰基、C2-C10鹵烷醯基、鹵苯甲醯基、C1-C18烷基磺醯基、苯基磺醯基、(4-甲基苯基)磺醯基、C1-C18烷基磺醯氧基、苯基磺醯氧基、(4-甲基苯基)磺醯氧基、C1-C18烷醯基、C1-C18烷醯氧基、苯甲醯基及/或苯甲醯氧基；且R 1 、R 2 、R 3 、X、Y、R 12 、R 13 、R 14 及R 15 如上定義。
本發明之另一特定標的為產生式I或II之酸的化合物，其具有式IIIc、IIId、IIIe、IVc或IVe
A為C1-C10鹵烷基、CN、(CO)OR11或SO2R15；Ar 2 為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或Ar2為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基；其中苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基未經取代或經一或多個Z取代；苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之其他取代基一起或與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；其中所有Ar2均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；Ar' 2 為C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、C1-C18伸烷基、C1-C10伸鹵烷基、C2-C12伸烯基、C4-C30伸環烯基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18伸烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30伸環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30伸環烯基；或Ar'2為直接鍵、伸苯基、伸萘基、 、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或
其中伸苯基、伸萘基、、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或未經取代或經一或多個Z取代；伸苯基、伸萘基、、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或上之基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15、視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與伸苯基、伸萘基、、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或上之其他取代基一起或與伸苯基、伸萘基、、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或之一個碳原子一起形成5、6或7員環；其中所有Ar'2除直接鍵外均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；或Ar'2為基團-Ar"2-A1-Y1-A1-Ar"2-；Ar"2為伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基，其中伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基未經取代或經一或多個Z取代；伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基上之基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基上之其他取代基一起或與伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；其中所有基團Ar"2視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；A 1 為直接鍵、O、S、NR14、CO、O(CO)、S(CO)、NR14(CO)、SO、SO2或OSO2；或A1為未經取代或經一或多個C1-C4鹵烷基、鹵素、OR11及/或SR14取代之C1-C18伸烷基，或為未經取代或經一或多個C1-C12烷基、C1-C4鹵烷基、鹵素、OR11及/或SR14取代之伸苯基；Y 1 為未經取代或經一或多個OR11、SR14、鹵素或苯基取代之C1-C18伸烷基；或Y1為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)、S(CO)、NR14(CO)、SO、SO2或OSO2中之一或多個之C2-C18伸烷基，且其中摻雜C2-C18伸烷基未經取代或經一或多個OR11、SR14、鹵素或苯基取代；R 26 及R 27 各自獨立地為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R26及R27各自獨立地為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基未經取代或經一或多個Z取代；或R26與R27一起為1.2-伸苯基或1.2-或2,3-或1,8-伸萘基，或R26與R27視情況連同直接鍵、C1-C4伸烷基、C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、C1-C4伸鹵烷基、C2-C4伸烯基、C4-C30伸環烯基、O、S、NR14、(CO)一起形成5、6或7員環；苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或 OSO2R15，視情況經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之其他取代基一起或與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；其中所有R26及R27視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；且R 1 、R 2 、R 3 、X 、Y、R 11 、R 1 2 、R 13 、R 14 、R 15 及Z如上定義。
若式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物中R1為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基，則該等包含可聚合雙鍵之潛酸化合物可例如與含有酸可分離之溶解抑制基團的單體及/或包含可聚合雙鍵之其他單體共聚合。
化合物(Vc及Vd)為本發明之該等新穎可聚合潛酸之特定實例：
其中Y、X、R21、R22、R23、R24及R25如上定義，且R16為氫或C1-C10烷基。
式(Ve)及(Vf)之化合物展示在作為聚合物主鏈之一部分聚合後分別衍生自化合物Vc及Vd之單體單元：
尤其關注例如以下化合物作為可聚合之潛酸：
此等物質可根據已知之方法，例如自甲基丙烯酸、甲基丙烯酸酐、甲基丙烯醯氯或甲基丙烯醯基異氰酸酯分別與相應醇中間化合物B(，其中Q+為質子或任何陽離子物質)或相應醇鹽陰離子製備。
因此，本發明之另一標的為如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)的用途，其係用於藉由使該等包含可聚合基團之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物與至少一種包含可聚合雙鍵之其他可聚合單體聚合來製備聚合物。
該反應之適合共聚單體描述於下文中。對於用於正型光阻組合物，至少一種共聚單體較佳包含酸不穩定基團。
因此，所關注之另一領域為使如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與至少一種包含可聚合雙鍵及酸不穩定基團(其提高在鹼性顯影劑水溶液中之溶解性)之單體以及視情況選用之包含可聚合雙鍵之其他單體聚合的方法。
關注一種產生式I或II之酸的化合物，其具有如上所述之式IIIa、IIIb、IVa或IVb，其中X為CH2；Y為O、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4、O(CO)NR4(CO)、OSO2、O(CS)或O(CS)NR4；其中對於該等基團每一者，氧原子均直接結合於X；或為NR4、S、NR4(CO)O、NR4(CS)O，其中N原子或S原子直接結合於X；R 1 為氫、C1-C18烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有一或多個O、S、NR14或CO之C2-C18烷基；或為雜有一或多個O、S、NR14或CO之C2-C18烯基；或為雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之C3-C30環烷基；或為雜有一或多個O、S、NR14、CO或O(CO)之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或R1為NR12R13；其中C3-C30環烷基、C1-C18烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基未經取代或經一或多個Z取代；R 2 及R 3 各自獨立地為C3-C30伸環烷基、C1-C18伸烷基、C2-C18伸烯基、C4-C30伸環烯基；R 4 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基；R 11 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基，或R11為Ar；R 12 及R 13 各自獨立地為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基；或R12及R13各自獨立地為(CO)R15、(CO)OR15或SO2R15；或R12與R13連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 14 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、苯基-C1-C3烷基；或R14為苯基、萘基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基；其中C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、苯基、萘基、C1-C18烷基磺醯基未經取代或經一或多個Z1取代；R 15 為氫、Ar、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基，其中Ar、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基未經取代或經一或多個Z2取代；Ar為苯基、聯苯基或萘基，其中苯基、聯苯基或萘基未經取代或經一或多個Z2取代；R 21 、R 22 及R 23 各自獨立地為Ar1、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基，其中Ar1、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基未經取代或經一或多個Z取代；或R21與R22視情況連同直接鍵、O、S、NR14或(CO)一起形成稠環系統；或R21與R22視情況連同C1-C6伸烷基、O、S、NR14或(CO)一起形成5、6或7員環；Z為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基；或為經NR14(CO)OR11或 NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；或為(CO)R15、(CO)OR11、O(CO)OR11、NR14(CO)OR11、OR11、NR12R13及/或SR14；R24及R25各自獨立地為Ar1；Ar 1 為苯基、聯苯基、萘基，尤其為苯基或萘基，其中苯基、聯苯基或萘基未經取代或經一或多個Z取代，基團Z為C1-C18烷基、(CO)R15、(CO)OR11、OR11、NR12R13，視情況經由基團C1-C18烷基、R11、R12、R13及/或 R15，與苯基、聯苯基或萘基環之一個碳原子一起形成5、6或7員環；Z 2 為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基或(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11；R 11 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基，或R11為Ar；且Z 1 為Ar。
尤其關注上文所述之產生式I或II之酸的化合物，其中X為CH2；Y為O、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4、O(CO)NR4(CO)、OSO2或O(CS)NR4；其中對於該等基團每一者，氧原子均直接結合於X；R 1 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C2-C12烯基或C4-C30環烯基；或為雜有一或多個O之C2-C18烷基；或為雜有一或多個O之C2-C18烯基；或為雜有一或多個O、CO、O(CO)或NR14(CO)之C3-C30環烷基；或R1為NR12R13；或為雜有一或多個O、CO或O(CO)之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；其中C1-C18烷基、C3-C30環烷基、C4-C30環烯基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基未經取代或經一或多個Z取代；Z為C1-C18烷基、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、鹵素、(CO)OR11、O(CO)R11、OR11、SR14或NR14(CO)OR11，或為經NR14(CO)OR11或NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；R 2 及R 3 各自獨立地為C3-C30伸環烷基或C1-C18伸烷基；R 4 為氫；R 11 為氫、C1-C18烷基或Ar；R 12 及R 13 各自獨立地為氫、C3-C30環烷基或C1-C18烷基；或R12及R13各自獨立地為(CO)R15或SO2R15；或R12與R13連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 14 為氫、C1-C18烷基、C1-C18烷醯基、C1-C18烷基磺醯基、苯基、苯基磺醯基，其中苯基或C1-C18烷基磺醯基未經取代或經一或多個Z1取代；R 15 為氫或Ar；Ar為未經取代或為經一或多個Z2取代之苯基；Z 2 為C1-C18烷基或(CO)R15；且Z 1 為Ar。
另外關注上文所述之產生式I或II之酸的化合物，其中X為CH2；Y為O、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4、O(CO)NR4(CO)、OSO2或O(CS)NR4；其中對於該等基團每一者，氧原子均直接結合於X；R 1 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基或C4-C30環烯基；或為雜有一或多個O之C2-C18烷基；或為雜有一或多個O、CO、O(CO)或NR14(CO)之C3-C30環烷基；或R1為NR12R13；或為雜有一或多個CO之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；其中C1-C18烷基、C4-C30環烯基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基未經取代或經一或多個Z取代；Z為C1-C18烷基、(CO)OR11或NR14(CO)OR11，或為經NR14(CO)OR11或NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；R 2 及R 3 各自獨立地為C3-C30伸環烷基或C1-C18伸烷基；R 4 為氫；R 11 為氫或C1-C18烷基；R 12 及R 13 各自獨立地為氫、C3-C30環烷基或C1-C18烷基；或R12及R13各自獨立地為(CO)R15或SO2R15；或R12及R13連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 1 4 為氫、C1-C18烷基、C1-C18烷醯基或C1-C18烷基磺醯基；R 15 為氫或Ar；且Ar為未經取代或為經一或多個Z取代之苯基。
Y為例如O、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4、O(CO)NR4(CO)、OSO2或O(CS)NR4；其中對於該等基團每一者，氧原子均直接結合於X；或Y為例如O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4、OSO2或O(CS)NR4。
R 1 為例如氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C4-C30環烯基，或為雜有一或多個O、CO、O(CO)或NR14(CO)之C2-C18烷基，或為雜有一或多個O、CO、O(CO)或NR14(CO)之C3-C30環烷基，或R1為NR12R13，或為雜有一或多個O、CO、O(CO)或NR14(CO)之C3-C30環烷基-C1-C18烷基，其中C1-C18烷基、C4-C30環烯基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基未經取代或經一或多個Z取代。
Z為例如C1-C18烷基、(CO)OR11、O(CO)R15、NR14(CO)OR11、OR11、OSO2R15，或為經NR14(CO)OR11或NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基。
Z作為取代基C1-C18烷基，較佳為甲基、乙基、丙基、丁基或己基。
Z作為取代基C4-C30環烯基，較佳為環戊烯基、環己烯基、。
Z作為取代基C3-C30環烷基-C1-C18烷基，較佳為或。
R 2 及R 3 例如各自獨立地為C3-C30伸環烷基、C1-C18伸烷基、C4-C30伸環烯基或直接鍵，其限制條件為R2與R3不同時為直接鍵。
R 4 例如為氫或C1-C18烷基。
R 11 例如為氫、C1-C18烷基、(CO)R15、(CO)NR12R13或SO2R15。
R 12 及R 13 例如各自獨立地為氫、C3-C30環烷基或C1-C18烷基，或各自獨立地為(CO)R15或SO2R15，或R12與R13連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環。
R 14 例如為氫、C1-C18烷基、C1-C18烷醯基或C1-C18烷基磺醯基。
R 1 5 例如為氫、Ar或C1-C18烷基。
Ar例如為未經取代或經一或多個Z2取代之苯基，其中Z為C1-C18烷基、O(CO)R15、OR11或OSO2R15。
若關於R12、R13、R14、R15定義之任何基團經取代，則其經一或多個如上定義之Z1取代。
若關於R1、R2、R3、R4、Ar1、Ar2、Ar'2、Ar"2定義之任何基團經取代，則其經一或多個如上定義之Z取代。
若關於Ar定義之任何基團經取代，則其經一或多個如上定義之Z2取代。
尤其關注如實例1-54中所給出之式(I)化合物以及以下式(a)-(m)之化合物：
除以上式中存在之陽離子之外，亦可用作本發明之磺醯基化合物中之陽離子的適合鋶陽離子例如揭示於以下：WO 2008/056795第13-23頁；US 6855476第11-14欄、第19-20欄；US 2007/0122750第9-16頁；US 2008/0182203第1頁化學式1、第2頁化學式2-4；US 2009/0068591第44頁上所示之式、第45頁式54、第47頁式56及57、第48頁式62、第52頁式67、第53頁式73、第54頁式76、式80之陽離子部分；US 2006/0194982第5-11頁；WO 2007/118794第60頁及其後各頁：實例1-6、13、15、17、19之式之陽離子部分；EP 1036789通式(1)、第12頁上之式[0115]、第14頁上之式[0127]及[0129]、第15頁上之式之化合物VII及VIII；及US 7611817第7-11欄。
鋶陽離子尤其適合，其中如上定義之R21及R22相同且R23與R21及R22不同。
具有該等不對稱鋶陽離子之本發明化合物顯示優良溶解性。
R21及R22為未經取代之苯基且R23為經取代之Ar1或萘基的化合物尤其適合。Ar1較佳經表示鹵素或SR14之Z取代。特別關注R21及R22為未經取代之苯基且R23為經SR14取代之萘基或Ar1的化合物。在此狀況下Ar1較佳為苯基。
具有R21、R22及R23之此等較佳定義且顯示優良溶解性之化合物在分子(式IIIa及IVa)之陰離子部分中較佳具有環烷基(或伸環烷基)取代基。亦即在式IIIa及IVa之化合物中，其中R21、R22及R23如前面段落中所定義，X尤其表示CH2，Y較佳為O(CO)且R1為例如雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；在此等狀況下R1尤其為雜有一或多個O、CO或O(CO)之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；在此等狀況下R1尤其較佳為樟腦基。
較佳化合物為實例55、56及57之化合物；尤其為實例55及57之化合物。
作為本發明化合物中之陽離子，關注例如以下式s1-s54中所示之鋶離子。
。尤其較佳為具有鋶陽離子s12、s15、s16、s18、s19、s42、s43、s45、s47、s48、s49、s50、s51、s52、s53、s54，尤其s49、s50、s51、s52、s53、s54之本發明化合物。
此外，式i1-i5中所示之錪陽離子尤其適用。
優先提及如上文及全文中所給出的產生式I或II之酸之化合物(以及式IIIa、IIIb、IVa、IVb、IIIc、IIId、IIIe、IVc、IVe、Ia、IIa等之化合物)不意欲僅指該等化合物，而是指申請專利範圍之所有類別。亦即指包含產生式I或II之酸之化合物(以及式IIIa、IIIb、IVa、IVb、IIIc、IIId、IIIe、IVc、IVe、Ia、IIa等之化合物)的組合物，包含該等化合物之光引發劑及/或光酸產生劑混合物，以及採用該等化合物之用途或方法請求項。
在本申請案之上下文中任何定義之基團R1、R2、R3、X、Y、Y1、R4、R11、R12、R13、R14、R15、Ar、Ar1、Ar2、Z、Z1、Z2、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、E、A、A1、Ar'2、Ar"2均意謂具有相同含義，不管其存在於何式中。
在本文定義之上下文中NR 4 不意欲定義銨基，而為經一個基團R4取代之N原子，即N(R4)。
C 1 -C 18 烷基為直鏈或分支鏈且為例如C1-C16、C1-C12、C1-C8、C1-C6或C1-C4烷基。實例為甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、2,4,4-三甲基戊基、2-乙基己基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基及十八烷基，較佳為C1-C4烷基，諸如甲基、異丙基或丁基。
雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之C 2 -C 18 烷基例如經不連續O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)摻雜1至5次，例如1至3次或1或2次。因此，所得結構單元為例如：O(CH2)2OH、O(CH2)2OCH3、O(CH2CH2O)2CH2CH3、CH2-O-CH3、CH2CH2-O-CH2CH3、[CH2CH2O]y-CH3(其中y=1-5)、(CH2CH2O)5CH2CH3、CH2-CH(CH3)-O-CH2-CH2CH3、CH2-CH(CH3)-O-CH2-CH3、S(CH2)2SCH3、(CH2)2NR14CH3、(CH2)2O(CO)CH3、(CH2)2(CO)CH3或(CH2)2NR14(CO)CH3，其中R14如上文所給出來定義。
若在本發明之上下文中，例如烷基或伸烷基之基團雜有一或多個所定義之基團，例如O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)，則「摻雜」基團不僅意謂處於例如烷基或伸烷基之所摻雜基團之間，而且亦意謂在末端。
C 3 -C 30 環烷基為單環或多環脂族環，例如單環、雙環或三環脂族環，例如C3-C20、C3-C18、C3-C12、C3-C10環烷基。
單環之實例為環丙基、環丁基、環戊基、環己基或環庚基，尤其為環戊基及環己基。
多環之實例為全氫蒽基、全氫菲基、全氫萘基、全氫茀基、全氫基、全氫苉基、金剛烷基、二環[1.1.1]戊基、二環[4.2.2]癸基、二環[2.2.2]辛基、二環[3.3.2]癸基、二環[4.3.2]十一烷基、二環[4.3.3]十二烷基、二環[3.3.3]十一烷基、二環[4.3.1]癸基、二環[4.2.1]壬基、二環[3.3.1]壬基、二環[3.2.1]辛基、及其類似基團。
在本發明中定義C3-C30環烷基亦涵蓋「螺」-環烷基化合物，例如螺[5.2]辛基、螺[5.4]癸基、螺[5.5]十一烷基。作為本發明化合物中各別定義之主題的多環環烷基之更多實例列於EP 878738第11及12頁中，其中必須添加鍵結於式(1)-(46)以實現「某基」之鍵。熟習此項技術者知曉此實情。一般而言，環脂族環可形成重複結構單元。
該C3-C30環烷基視情況進一步經C1-C18烷基取代，其係指如等結構。
C 3 -C 30 環烷基-C 1 -C 18 烷基係指如上定義之任何環烷基經由烷基鍵聯。實例為如之結構，例如。該C3-C30環烷基-C1-C18烷基視情況進一步經C1-C18烷基取代，其係指如等結構，例如。
雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之C 3 -C 30 環烷基或C 3 -C 30 環烷基-C 1 -C 18 烷基為雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之單環或多環脂族環，例如
C 2 - C 12 烯基為例如單或多不飽和直鏈或分支鏈，且為例如C2-C8、C2-C6或C2-C4烯基。實例為烯丙基、甲基烯丙基、乙烯基、1,1-二甲基烯丙基、1-丁烯基、3-丁烯基、2-丁烯基、1,3-戊二烯基、5-己烯基或7-辛烯基，尤其為烯丙基或乙烯基。
作為可聚合基團之C 2 -C 12 烯基在分子中一位置處具有不飽和鍵以使雙鍵可自由進行聚合反應。實例為烯丙基、甲基烯丙基或乙烯基。
雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)、NR14(CO)、視情況經取代之伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基或伸雜芳基之C 2 -C 18 烯基為雜有一或多個以上提及之二價基團的直鏈或分支鏈烯基。實例為
C 4 -C 30 環烯基為單環或多環且單或多不飽和環，例如為單環、雙環、三環或四環單或多不飽和環，例如C4-C20、C4-C18、C4-C12、C4-C10環烯基。環烯基之實例為環丁烯基、環戊烯基、環己烯基、環庚烯基。以上定義亦涵蓋橋連烯基，例如等，尤其為環戊烯基、環己烯基、。
雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之C 4 -C 30 環烯基為雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之單環或多環且單或多不飽和環，例如
C 1 -C 18 伸 烷基為直鏈或分支鏈伸烷基，例如為C1-C2伸烷基、C2-C5伸烷基。實例為亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基。
雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之C 2 -C 18 伸烷基例如經「不連續O」、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)摻雜例如1至5次，例如1至3次或1或2次。
在本申請案之上下文中此定義中之「摻雜」亦意謂包含具有一或多個該等所定義之基團連接於相應摻雜鏈之一個末端或兩個末端上的C2-C18伸烷基。因此，所得結構單元為例如：-O(CH2)2-、-O(CH2)2OCH2-、-O(CH2CH2O)2-、-S(CH2)2-、-(CH2)2NH-、-(CH2)2O(CO)CH2-、-CH2CH2NHCO-。
C 3 -C 30 伸環烷基為單環或多環脂族環，例如為單環、雙環或三環脂族環，例如C3-C20、C3-C18、C3-C12、C3-C10伸環烷基。單環之實例為伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基或伸環庚基。多環之實例為全氫伸蒽基、全氫伸菲基、全氫伸萘基、全氫伸茀基、全氫伸基、全氫伸苉基、伸金剛烷基、二環[1.1.1]伸戊基、二環[4.2.2]伸癸基、二環[2.2.2]伸辛基、二環[3.3.2]伸癸基、二環[4.3.2]伸十一烷基、二環[4.3.3]伸十二烷基、二環[3.3.3]伸十一烷基、二環[4.3.1]伸癸基、二環[4.2.1]伸壬基、二環[3.3.1]伸壬基、二環[3.2.1]伸辛基、及其類似基團。在本發明中定義C3-C30伸環烷基亦涵蓋「螺」-伸環烷基化合物，例如螺[5.2]伸辛基、螺[5.4]伸癸基、螺[5.5]伸十一烷基。作為本發明化合物中各別定義之主題的多環伸環烷基之更多實例列於EP 878738第11及12頁中，其中必須添加兩個鍵結於式(1)-(46)以實現「伸某基」之鍵。熟習此項技術者知曉此實情。
雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之C 3 -C 30 伸環烷基為雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之單環或多環脂族環，例如
C 2 -C 12 伸烯基為例如單或多不飽和直鏈或分支鏈且為例如C2-C8、C2-C6或C2-C4伸烯基。實例為-CH=CHCH2-、-CH=C(CH3)CH2-、-CH=C(CH3)-、。
C 4 -C 30 伸環烯基為單環或多環且單或多不飽和環，例如為單環、雙環、三環或四環單或多不飽和環，例如為C4-C20、C4-C18、C4-C12、C4-C10伸環烯基；例如為
雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之C 4 -C 30 伸環烯基為雜有一或多個O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)之單環或多環且單或多不飽和環、例如為
經取代之苯基在苯環上具有1至5個、例如1、2或3個、尤其1或2個取代基。取代較佳在苯環之4-位、3,4-位、3,5-位或3,4,5-位。
當基團苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基經一或多個基團取代時，其例如經單至五取代，例如單、二或三取代，尤其單或二取代。
當苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，經由基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之其他取代基一起或與苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環時，例如獲得以下結構單元：
若取代基C1-C18烷基自聯苯基、萘基或茀基環之一個碳原子至該環之另一碳原子形成伸烷基橋，則尤其形成伸乙基、伸丙基及伸丁基橋且例如獲得以下結構：等。就此而論，根據本申請案之定義亦意欲涵蓋分支鏈伸烷基橋：。若該等伸烷基橋與其他苯環縮合，則例如得到如以下之結構：。若R21與R22連同直接鍵、C1-C4伸烷基、O、S、NR14或(CO)一起形成稠環系統，則例如獲得如以下之結構單元：等。若R21與R22連同直接鍵、C1-C4伸烷基、O、S、NR14或(CO)一起形成5、6或7員環，則例如獲得如以下之結構單元：等。
C 1 -C 18 烷醯基為例如C1-C12、C1-C8、C1-C6、C1-C4、C2-C12、C2-C8、C2-C6或C2-C4烷醯基，其中烷基部分為直鏈或分支鏈。實例為甲醯基、乙醯基、丙醯基、丁醯基或己醯基，尤其為乙醯基。
C 1 -C 18 烷氧基為例如C1-C12、C1-C8、C1-C6、C1-C4烷氧基，且為直鏈或分支鏈。實例為甲氧基、乙氧基、丙氧基、正丁氧基、第三丁氧基、辛氧基及十二烷氧基。
C 2 -C 18 烷氧羰基為(C1-C17烷基)-O-C(O)-，其中C1-C17烷基為直鏈或分支鏈且如上定義，具有多達適當數目之碳原子。實例為C2-C10、C2-C8、C2-C6或C2-C4烷氧羰基，諸如甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、丁氧羰基或戊氧羰基。
C 1 -C 10 鹵烷基為例如C1-C8、C1-C6或C1-C4烷基經鹵素單取代或多取代，烷基部分係例如如上定義。烷基上存在例如1至23個鹵素取代基。實例為氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、九氟丁基或2-溴丙基，尤其為三氟甲基或三氯甲基。較佳為C1-C10氟烷基。
C 2 -C 10 鹵烷醯基為(C1-C9鹵烷基)-C(O)-，其中C1-C9鹵烷基如上定義，具有多達適當數目之碳原子。實例為氯乙醯基、三氯乙醯基、三氟乙醯基、五氟丙醯基、全氟辛醯基或2-溴-丙醯基，尤其為三氟乙醯基或三氯乙醯基。
鹵苯甲醯基為苯甲醯基經鹵素及/或C1-C4鹵烷基單取代或多取代，C1-C4-鹵烷基如上定義。實例為五氟苯甲醯基、三氯苯甲醯基、三氟甲基苯甲醯基，尤其為五氟苯甲醯基。
鹵素為氟、氯、溴或碘，尤其為氯或氟，較佳為氟。
苯基-C 1 -C 3 烷基為例如苯甲基、2-苯基乙基、3-苯基丙基、α-甲基苯甲基或α,α-二甲基苯甲基，尤其為苯甲基。
若R12與R13連同其所鍵結之氮原子一起形成視情況雜有O、NR14或CO之5、6或7員環，則例如獲得如以下之結構：等。
可含有一或多個雜原子之類固醇結構之單價C17-C50烴基為具有四環系統之單價基團，諸如，在此基團中可含有一或多個雜原子(例如O、S或N)。其亦可具有一或多個不飽和鍵及一或多個官能基；例如為
定義C 1 -C 18 烷基磺醯基係指如上詳細描述之相應基團C1-C18烷基鍵聯於磺醯基(-SO2-)。相應地，苯基磺醯基及(4-甲基苯基)磺醯基亦指相應基團鍵聯於磺醯基。
C 2 -C 18 烷醯氧基為(C1-C17烷基)-C(O)-O-，其中C1-C17烷基為直鏈或分支鏈且如上定義，具有多達適當數目之碳原子。實例為C2-C10、C2-C8、C2-C6或C2-C4烷醯氧基，諸如乙醯氧基、乙醯基氧基、丙醯氧基、丁醯氧基或己醯氧基。
C 1 -C 1 8 烷基磺醯氧基為(C1-C18烷基)-S(O)2-O-，其中C1-C18烷基為直鏈或分支鏈且如上定義，具有多達適當數目之碳原子。實例為C1-C10、C1-C8、C1-C6或C1-C4烷基磺醯氧基，諸如為甲烷磺醯氧基、丙烷磺醯氧基或己烷磺醯氧基。相應地，苯基磺醯氧基亦指相應基團鍵聯於-S(O)2-O-基團。
在本申請案中，術語「雜芳基」意謂包含單環或多環系統，例如為稠環系統，其中一或多個環視情況尤其經一或多個C1-C20烷基及/或C1-C20烷氧基取代。C5-C20雜芳基包含一或多個，例如1-3個或1個或尤其1個選自由O、S或N組成之群之雜原子作為雜原子。雜芳基為例如C5-C20雜芳基、C5-C18雜芳基、C5-C12雜芳基，且表示未經取代及經取代之基團，例如3-噻吩基、2-噻吩基、 (其中R12及R13如上定義)、噻嗯基、異苯并呋喃基、基、啡噁噻基、(其中E為S、O或NR14且R14如上定義)。其實例為吡唑基、噻唑基、噁唑基、異噻唑基或異噁唑基。亦包括例如呋喃基、吡咯基、1,2,4-三唑基、或具有稠合芳族基之5員雜環，例如苯并咪唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基及苯并噻唑基。
「雜芳基」之其他實例為咪唑基、吡啶基(尤其3-吡啶基)、(其中R11如上定義)、嘧啶基、吡嗪基、1,3,5-三嗪基、2,4-、2,2-或2,3-二嗪基、吲哚嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、異喹啉基、喹啉基、啡噁嗪基或吩嗪基。在本申請案中，術語「雜芳基」亦表示基團硫代基、基、(其中m為0或1且R11、R12、R13如上定義)、
、蒽醌基。每一雜芳基均可如上文或請求項1中所述攜帶取代基。
伸萘基為；伸聯苯基為；伸蒽基為。類似地，鍵結可位於伸菲基之不同環上。伸雜芳基為如上所述之雜芳環之二價基團，例如為。
具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵且作為基團R21、R22、R23、R24及R25之取代基的基團為在與酸反應後可提高本發明化合物在鹼性顯影劑中之溶解性的酸可裂解基團。此作用例如描述於US 4883740中。
適合作為該等取代基之基團之實例為例如已知之原酸酯、三苯甲基及苯甲基、羧酸之第三丁酯、苯酚之碳酸第三丁酯或苯酚之矽烷基醚，例如OSi(CH3)3、CH2(CO)OC(CH3)3、(CO)OC(CH3)3、O(CO)OC(CH3)3或-O-C(E1)(E3)(OE2)，其中E1及E2各自獨立地為氫、C1-C5烷基、C3-C8環烷基、苯基-C1-C3烷基或E1與E2一起為C2-C5伸烷基，且E3為未經取代或經鹵素取代之C1-C5烷基、未經取代或經鹵素取代之C3-C8環烷基、或苯基-C1-C3烷基，或若E1與E2一起並不為C2-C5伸烷基，則E3與E2一起可為可雜有O或S之C2-C5伸烷基。
申請專利範圍及整個說明書中術語「及/或」或「或/及」意謂表示不僅可存在所定義之替代物(取代基)之一，而且若干所定義之替代物(取代基)亦可一起存在，即不同替代物(取代基)之混合物。術語「視情況」意欲涵蓋所定義之兩種相應選擇。術語「至少」意謂定義一個或一個以上，例如一或兩個或三個，較佳為一或兩個。
本發明中產生式I或II之酸的化合物分為離子型化合物與非離子型化合物。由例如式IIIa、IIIb、IVa、IVb表示之離子型化合物藉由離子交換反應自式Ia或IIa所表示之化合物合成。例如式IIIc、IIId、IIIe、IVc、IVe所表示之非離子型化合物的一種製備方法為與相應磺醯基鹵化物反應，該等磺醯基鹵化物係自式Ia或IIa表示之化合物在鹵化試劑存在下合成。熟習此項技術者非常清楚適當反應以及必須採用之反應條件。
如下所定義之式Ia及IIa之化合物例如自化合物B()製備，其中Q+為質子、金屬陽離子(諸如鋰、鈉、鉀)、(未)經取代之銨及吡錠鹽(諸如三乙銨)或任何其他陽離子物質。
舉例而言，鏈末端之羥基與羧酸或磺酸衍生物酯化，如下文所述之實例中：
其中基團表示如上在式I化合物中所定義之R1-Y-；或表示如上在式II化合物中所定義之R3-R2-Y-。
酯化例如使用羧酸或磺酸、酸鹵化物(亦即羧酸鹵化物或亦即磺酸鹵化物)或酸酐進行。酸鹵化物可藉由已知之方法，例如使羧酸與磺醯氯、乙二醯氯、磷醯氯等反應來製備。熟習此項技術者非常清楚適當反應以及必須使用之反應條件。
舉例而言，藉由化合物B與氯甲酸膽甾醇酯在諸如三乙胺及N,N-二甲基胺基吡啶之鹼存在下進行酯化，隨後進行陽離子交換來獲得化合物(I)。
在另一實例中，藉由化合物B與去氫膽醯氯(dehydrocholic acid chloride)在諸如三乙胺及N,N-二乙基胺基吡啶之鹼存在下進行酯化，隨後進行陽離子交換來獲得化合物(m)。
在另一實例中，藉由使化合物B與氯乙醯氯在諸如吡啶之鹼存在下進行酯化來獲得化合物C()。
藉由使化合物C與去氫膽酸鈉反應且用三苯基鋶陽離子置換(陽離子交換)Q+來獲得化合物(IIIf)。
作為衍生化之另一實例，化合物B之羥基進一步與異氰酸酯化合物反應，形成如上關於Y所定義之-O(CO)NR4-(亦即R4=H)基團。
作為另一實例，化合物B之羥基可轉化為諸如碘基、溴基、氯基、甲苯磺酸酯基、甲磺酸酯基、三氟乙酸酯基等離去基。此等化合物與諸如醇、硫醇、胺、醯胺等親核試劑進行取代反應，形成O、NR4、S作為以上定義之Y。熟習此項技術者非常清楚適當反應以及必須採用之反應條件。
亦可藉由用諸如鉻酸、過錳酸鹽及硝酸之氧化劑氧化，使化合物B之羥基轉化為羧酸。所得羧酸進一步與醇或胺反應，得到酯及醯胺，作為如下文所示之實例：
其中CO及基團分別表示如上文在式I、IIIa、IIIb、IIIc、IIId及IIIe之化合物中所定義之X及R1-Y，或如上文在式II、IVa、IVb、IVc及IVe之化合物中所定義之R3-R2-Y-。
熟習此項技術者非常清楚適當反應以及必須採用之反應條件。
中間化合物B係根據以下反應流程及根據已知之方法自2,2,3,3-四氟丙醇(TFP)獲得：
在步驟(a)中，用鹼消除TFP，得到2,3,3-三氟-2-丙烯-1-醇(化合物A)，如J. Org. Chem. 5640(1989)中所述。在步驟(b)中，根據自例如J. Am. Chem. Soc.,75,4595(1953)及Green Chem.,9,30(2007)之文獻獲知之類似反應，使化合物A與亞硫酸酯進行磺化反應，得到1,1,2-三氟-3-羥基丙烷-1-磺酸或其鹽(化合物B)。
雖然在本文所呈現之本發明實例中，在反應已結束從而產生最終陰離子結構後置換(交換)陽離子Q+，但熟習此項技術者顯而易知，在化合物B階段或視情況在稍後反應順序中之任何鹽中間階段，陽離子Q+可與鋶或錪離子或任何其他所需陽離子交換。因此，本發明之範疇及工作不侷限於任何陽離子交換之任何特定方法或順序。
式I及II之酸及產生式I及II之酸的化合物為新穎的。例如由式Ia及IIa表示之其鹽亦為新穎化合物。因此，本發明係關於式Ia或IIa化合物，
其中Q + 為陽離子，尤其為質子、鋰、鈉、鉀、銫、鎂、鈣、具有一或多個氮原子且帶正電荷之未經取代或經一或多個(NR28R29R30R31)+取代的雜芳基；R 28 、R 29 、R 30 及R 31 彼此獨立地具有如請求項1中所定義的R12及R13之含義之一；或R28、R29、R30連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14、CO及/或視情況在橋頭雜有CR15或N的多環；且X、Y、R 1 、R 2 及R 3 、R 14 及R 15 如上定義。
(NR28R29R30R31)+之實例為視情況經一或多個C1-C10烷基取代之吡錠、銨、四(C1-C10烷基)銨、三(C1-C10烷基)銨、二(C1-C10烷基)銨或單(C1-C10烷基)銨。
適合陽離子之實例為質子、鹼金屬(尤其為鋰或鈉)、鎓類化合物(例如鋶、錪、鏻陽離子)、四級銨化合物、染料陽離子、陽離子型過渡金屬配位錯合化合物。四烷基銨之實例為四(C1-C4烷基)銨。此係指以下式之化合物：N(C1-C4烷基)4 +，其中C1-C4烷基可具有如上所指示具有多達相應數目之碳原子的定義。適當銨化合物之實例為四甲銨、四乙銨、四丙銨及四丁銨，尤其為四甲銨及四丁銨。苯甲基三(C1-C4烷基)銨亦為適合的。其為C6H5-CH2-N(C1-C4烷基)3 +，其中C1-C4烷基可具有如上所指示具有多達相應數目之碳原子的定義。該等基團之實例為苯甲基三甲銨、苯甲基三乙銨、苯甲基三丙銨及苯甲基三丁銨，尤其為苯甲基三甲銨及苯甲基三丁銨。然而，三烷銨離子亦為適合的，例如三甲銨。式+PRwRxRyRz及+NRwRxRyRz之鏻及銨相對離子為適合的，其中Rw、Rx、Ry及Rz彼此獨立地為氫、未經取代或經取代之烷基、環烷基、烯基、苯基或芳烷基。此等烷基、環烷基、烯基、苯基及芳烷基之取代基之實例為鹵基、羥基、雜環烷基(例如環氧基、吖丙啶基、氧雜環丁烷基、呋喃基、吡咯啶基、吡咯基、噻吩基、四氫呋喃基等)、二烷基胺基、胺基、羧基、烷基羰基及芳基羰基、及芳氧羰基及烷氧羰基。
四價氮亦可為5或6員環之一部分，該5或6員環又可稠合於其他環系統。此等系統亦可包括其他雜原子，例如S、N、O。四價氮亦可為多環環系統之一部分，例如氮鎓螺槳烷(azoniapropellane)。此等系統亦可含有其他雜原子，例如S、N、O。
適合銨鹽及鏻鹽可例如經無色電子受體(例如二苯甲酮)取代，諸如。
其他關注之四級銨化合物為例如三甲基十六烷基銨或十六烷基吡錠化合物。
用於式Ia及IIa之化合物中之陽性相對離子Q+的其他實例包括以下：芳基-CH2-Z(R)3，其中Z為P、S或N且R為烷基或芳基。諸如之化合物(Yagci等人在J. Polym. Sci. Part A: Polymer Chem. 1992,30,1987及Polymer 1993,34(6),1130中描述)或諸如之化合物(其中R'=未經取代或經取代之苯甲基或苯甲醯甲基(描述於JP-A-07 70221中))亦適合。在此等化合物中，吡錠中之芳環亦可經取代。
產生式I或II之酸的化合物包括如上所述之式IIIa、IIIb、IVa、IVb、IIIc、IIId、IIIe、IVc及IVe之化合物，其可用作輻射敏感酸供體。
藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與單體共聚合所製備之聚合物亦可用作輻射敏感酸供體。
因此，本發明之標的為一種組合物，其包含：(a)至少一種如上所述之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物作為潛酸供體；及(b)在酸作用下固化或交聯或降低組合物在顯影劑中之溶解性的化合物。
本發明之另一標的為一種組合物，其包含(a)或(a)及(b)藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與至少一種其他共聚單體共聚合所製備之聚合物作為組分。
本發明之又一標的為一種組合物，其包含：(a)至少一種如上所述之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物作為潛酸供體；及(c)在與酸反應後提高組合物在顯影劑中之溶解性的化合物。
本發明之又一標的為一種組合物，其包含(a)或(a)及(c)藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與至少一種其他共聚單體共聚合所製備之聚合物作為組分。
因此，本發明係關於一種化學增幅型(負型及正型)光阻組合物，其包含(a)　至少一種如上定義之產生式I或II之酸的化合物作為感光性酸供體；及(b)　在酸作用下交聯之化合物；或(c)　在酸作用下提高於顯影劑中之溶解性的化合物。
本發明之一標的為一種化學增幅型正型抗蝕劑組合物，其包含至少一種如上定義之產生式I或II之酸的化合物作為輻射敏感酸供體(a)；及不溶於或基本上不溶於顯影劑中且在酸作用下變得可溶之化合物(c)。
該至少一種如上定義之產生式I或II之酸的化合物包括如上所述之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，及藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與單體共聚合所製備之聚合物。
因此，本發明之標的亦為一種如上所述之化學增幅型光阻組合物，其為正型光阻組合物，包含(a)及(c)藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc或IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與至少一種包含可聚合雙鍵及酸不穩定基團(在酸作用下提高聚合物在鹼性顯影劑水溶液中之溶解速率)之其他單體聚合所獲得之聚合物作為組分。
本發明係關於一種化學增幅型抗蝕劑組合物，其包含藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc或IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與至少一種包含可聚合雙鍵之其他單體聚合所獲得之聚合物作為輻射敏感酸供體。
本發明之標的亦為一種化學增幅型負型抗蝕劑組合物，其包含至少一種如上定義之產生式I或II之酸的化合物作為感光性酸供體(a)；及在酸作用下交聯或聚合之化合物(b)，其中經塗佈及乾燥之抗蝕劑組合物可溶於顯影劑且在酸作用下變得不溶或基本上不溶。
另外包含其他添加劑(d)的如上所述之化學增幅型正型抗蝕劑組合物為本發明之另一標的。
應瞭解，化學增幅型光阻為一種抗蝕劑組合物，其中輻射敏感組分提供催化量之酸，該酸隨後催化抗蝕劑之至少一種酸敏感組分的化學反應。此反應引起抗蝕劑之照射與未照射區域之間產生溶解性差異。由於此過程具有催化性質，故當一個酸分子穿過反應性聚合物基質自一個反應位點擴散至下一反應位點時，只要其未由任何副反應捕獲或破壞，其即可在多個位點引發反應。因此，低酸濃度足以誘發抗蝕劑之曝光與未曝光區域之間產生高溶解性差異。因此，僅需要低濃度之潛酸化合物。因此，可調配在光學成像之曝光波長下具有高對比度及高透明度之抗蝕劑，其又在高感光性下產生急劇升降之垂直影像概況。然而，由於此催化過程，故需要潛酸催化劑具有足夠化學穩定性及熱穩定性(只要未經照射)，以在抗蝕劑儲存期間或在加工期間不產生酸，該等催化劑在大多數情況下在酸產生後需要烘烤步驟以開始或完成產生溶解性差異之催化反應。亦需要在液體抗蝕劑調配物及固體抗蝕劑膜中潛在催化劑具有優良溶解性以避免產生任何粒子，該等粒子會干擾此等抗蝕劑在微電子製造過程中之應用。
相比之下，不基於化學增幅機制之正型抗蝕劑材料必須含有高濃度之潛酸，此係因為僅在曝光下由潛酸產生之酸濃度有助於曝光區域在鹼性顯影劑中之溶解性提高。因為低酸濃度對改變該抗蝕劑之溶解速率僅具有一點影響且反應通常在此處無曝光後烘烤之情況下進行，所以與化學增幅型正型抗蝕劑相比，對潛酸之化學穩定性及熱穩定性的要求較低。此等抗蝕劑亦需要高得多的曝光劑量以產生足夠的酸，從而實現曝光區域中在鹼性顯影劑中之足夠溶解性，以及具有相對低之光學透明度(由於所需潛酸之濃度高)，因此亦獲得較低解析度且傾斜之影像。因此，與化學增幅型抗蝕劑相比，基於非化學增幅型技術之抗蝕劑組合物在感光性、解析度及影像品質方面均較差。
根據上文，容易認識到對於化學增幅型抗蝕劑而言，潛在催化劑之化學穩定性及熱穩定性至關重要，且由於酸擴散要求、酸強度要求及熱穩定性及化學穩定性要求不同，所以可用於非化學增幅型抗蝕劑中之潛酸未必可用於化學增幅型抗蝕劑。
本發明之標的為如上定義之產生式I或II之酸的化合物或藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc或IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與包含可聚合雙鍵之單體聚合所獲得之聚合物的用途，其係用於製備化學增幅型抗蝕劑或彩色濾光片。
包含可聚合雙鍵之該單體為例如如上所述之包含酸不穩定基團之單體。
由於在照射抗蝕劑期間或之後抗蝕劑物質發生酸催化反應而出現的照射與未照射部分之間的抗蝕劑溶解性差異可取決於抗蝕劑中存在之其他組分而具有兩種類型。若本發明之組合物包含使組合物在顯影劑中之溶解性在照射後提高的組分，則抗蝕劑為正型。
因此，本發明係關於一種作為正型抗蝕劑之化學增幅型光阻組合物。
另一方面，若調配物之組分使組合物之溶解性在照射後降低，則抗蝕劑為負型。
因此，本發明亦關於一種作為負型光阻之化學增幅型組合物。
較佳為化學增幅型正型光阻組合物。
下文將如下單體或聚合化合物稱為溶解抑制劑，其在未曝光區域中降低抗蝕劑調配物中另外存在之鹼溶性黏合劑樹脂之溶解速率，且其在未曝光區域中基本上不溶於鹼以便使抗蝕劑膜在鹼性溶液中顯影後仍保持於未曝光區域中，但其在酸存在下裂解或能夠重排以使得其反應產物變得可溶於鹼性顯影劑中。
作為一特定實施例，本發明包括化學增幅型正型可鹼性顯影光阻組合物，其包含：(a)至少一種產生式I或II之酸之化合物；如上所提及，產生式I或II之酸之該等化合物包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物；及(c1)至少一種具有酸不穩定基團之聚合物，該等酸不穩定基團在酸存在下分解且提高照射區域中抗蝕劑膜在鹼性顯影劑水溶液中之溶解性。
本發明之另一實施例為化學增幅型正型可鹼性顯影光阻組合物，其包含(a)至少一種產生式I或II之酸之化合物；及(c2)至少一種具有至少一個酸不穩定基團之單體或寡聚物溶解抑制劑，該酸不穩定基團在酸存在下分解，因此提高組合物在鹼性顯影劑水溶液中之溶解性，以及至少一種鹼溶性聚合物。
本發明之另一特定實施例在於化學增幅型正型可鹼性顯影光阻組合物，其包含：(a)至少一種產生式I或II之酸之化合物；及(c1)至少一種具有酸不穩定基團之聚合物，該等酸不穩定基團在酸存在下分解且提高曝光區域中在鹼性顯影劑中之溶解性；(c2)具有至少一個酸不穩定基團之單體或寡聚物溶解抑制劑，該酸不穩定基團在酸存在下分解且提高曝光區域中之鹼溶性；及/或(c3)仍使未曝光區域中之抗蝕劑膜保持基本上不溶於鹼性顯影劑中之濃度的鹼溶性單體、寡聚物或聚合物化合物。
因此，本發明係關於一種化學增幅型光阻組合物，其包含(a)至少一種如上定義之產生式I或II之酸的化合物或藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc或IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與至少一種包含可聚合雙鍵之其他單體及視情況選用之包含酸不穩定基團之單體聚合所獲得之聚合物作為感光性酸供體；及(c1)至少一種具有酸不穩定基團之聚合物，該等酸不穩定基團在酸存在下分解以提高在鹼性顯影劑水溶液中之溶解性；及/或(c2)至少一種具有酸不穩定基團之單體或寡聚物溶解抑制劑，該等酸不穩定基團在酸存在下分解以提高在鹼性顯影劑水溶液中之溶解性；及/或(c3)至少一種鹼溶性單體、寡聚物或聚合物化合物。
除組分(a)外，組合物可包含其他感光性酸供體及/或(d)其他添加劑。
該等化學增幅型正型抗蝕劑系統係描述於例如E. Reichmanis,F. M. Houlihan,O. Nalamasu,T. X. Neenan,Chem. Mater. 1991,3,394；或C. G. Willson,「Introduction to Microlithography」，第2版；L. S. Thompson,C. G. Willson,M. J. Bowden編，Amer. Chem. Soc,Washington DC,1994，第139頁中。
在酸存在下分解以產生芳族羥基、羧基、酮基及醛基且提高在鹼性顯影劑水溶液中之溶解性的酸不穩定基團的適合實例為例如烷氧基烷基醚基、四氫呋喃醚基、四氫哌喃醚基、第三烷基酯基、三苯甲醚基、矽烷醚基、碳酸烷基酯基(例如第三丁氧基羰氧基-)、三苯甲酯基、矽烷酯基、烷氧基甲酯基、異丙苯酯基、縮醛基、縮酮基、四氫哌喃酯基、四氫呋喃酯基、第三烷基醚基、第三烷基酯基及其類似基團。該基團之實例包括烷酯，諸如甲酯及第三丁酯；縮醛類酯，諸如甲氧基甲酯、乙氧基甲酯、1-乙氧基乙酯、1-異丁氧基乙酯、1-異丙氧基乙酯、1-乙氧基丙酯、1-(2-甲氧基乙氧基)乙酯、1-(2-乙醯氧基乙氧基)乙酯、1-[2-(1-金剛烷基氧基)乙氧基]乙酯、1-[2-(1-金剛烷基羰氧基)乙氧基]乙酯、四氫-2-呋喃酯及四氫-2-哌喃酯；及脂環酯，諸如異酯。
具有能夠在酸作用下分解以增強包含此聚合物之抗蝕劑膜於鹼性顯影溶液中之溶解性之官能基的聚合物(其可併入本發明之正型抗蝕劑中)可在其主鏈及/或側鏈中、較佳在其側鏈中具有酸不穩定基團。
如例如EP 254853、EP 878738、EP 877293、JP-A-2-25850、JP-A-3-223860及JP-A-4-251259中所揭示，適用於本發明中之具有酸不穩基團的聚合物可藉由將鹼溶性基團部分或完全轉化成各別酸不穩定基團之聚合物類似反應來獲得，或藉由已連接有酸不穩定基團之單體(共)聚合直接獲得。
已連接有酸不穩定基團之單體適於與如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)共聚合以製備聚合物。另外可使用其他不含酸不穩定基團之共聚單體進行共聚合，以提高黏著、機械性質、乾式蝕刻穩定性及本申請案中之其他重要性質，諸如以下詳細描述之性質。包含酸不穩定基團以及光潛酸部分之該等聚合物適合作為如上所述之組合物中之組分(a)+(c)。
下文給出已連接有酸不穩定基團之適合單體的特定實例。
在本發明中聚合物主鏈之側位具有酸不穩定基團之聚合物較佳為具有例如矽烷醚基、縮醛基、縮酮基及烷氧基烷酯基(稱為「低活化能封端基團」)之聚合物，該等基團在相對低之曝光後烘烤溫度(通常在室溫與110℃之間)下完全裂解；及具有例如在緊鄰酯鍵之氧原子處含有二級或三級碳原子之第三丁酯基或第三丁氧羰基(TBOC)或其他酯基(稱為「高活化能封端基團」)之聚合物，該等基團需要較高烘烤溫度(通常>90℃)以在酸存在下完成解封反應(deblocking reaction)。亦可應用混合系統，其中高活化能封端基團以及低活化能封端基團兩者皆存在於一種聚合物內。或者，各自利用不同封端基團化學性質之聚合物的聚合物摻合物可用於本發明之感光性正型抗蝕劑組合物中。
具有酸不穩定基團之較佳聚合物為包含以下不同單體類型之聚合物及共聚物：1)含有酸不穩定基團之單體，該等基團在酸存在下分解以提高在鹼性顯影劑水溶液中之溶解性，及2)不含酸不穩定基團且不含有助於鹼溶性及/或黏著於基板之基團的單體，3)有助於聚合物於鹼性水溶液中之溶解性的單體。
類型1)單體之實例為：
非環狀或環狀(甲基)丙烯酸第二及第三烷基酯，諸如丙烯酸丁酯(包括丙烯酸第三丁酯)、甲基丙烯酸丁酯(包括甲基丙烯酸第三丁酯)、(甲基)丙烯酸3-側氧基環己酯、(甲基)丙烯酸四氫哌喃酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸降酯、(2-四氫哌喃基)氧基降醇丙烯酸酯、(2-四氫哌喃基)氧基甲基三環十二烷甲醇甲基丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三甲基矽烷基甲酯、(2-四氫哌喃基)氧基降醇丙烯酸酯、(2-四氫哌喃基)氧基甲基三環十二烷甲醇甲基丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三甲基矽烷基甲酯、鄰/間/對(3-側氧基環己氧基)苯乙烯、鄰/間/對(1-甲基-1-苯基乙氧基)苯乙烯、鄰/間/對四氫哌喃氧基苯乙烯、鄰/間/對金剛烷氧基苯乙烯、鄰/間/對環己氧基苯乙烯、鄰/間/對降氧基苯乙烯；非環狀或環狀烷氧羰基苯乙烯，諸如鄰/間/對丁氧羰基苯乙烯(包括對第三丁氧羰基苯乙烯)、鄰/間/對(3-側氧基環己氧羰基)苯乙烯、鄰/間/對(1-甲基-1-苯基乙氧羰基)苯乙烯、鄰/間/對四氫哌喃氧基羰基苯乙烯、鄰/間/對金剛烷氧基羰基苯乙烯、鄰/間/對環己氧基羰基苯乙烯、鄰/間/對降氧基羰基苯乙烯；非環狀或環狀烷氧基羰氧基苯乙烯，諸如鄰/間/對丁氧基羰氧基苯乙烯(包括對第三丁氧基羰氧基苯乙烯)、鄰/間/對(3-側氧基環己氧基羰氧基)苯乙烯、鄰/間/對(1-甲基-1-苯基乙氧基羰氧基)苯乙烯、鄰/間/對四氫哌喃氧基羰氧基苯乙烯、鄰/間/對金剛烷氧基羰氧基苯乙烯、鄰/間/對環己氧基羰氧基苯乙烯、鄰/間/對降氧基羰氧基苯乙烯；非環狀或環狀烷氧基羰基烷氧基苯乙烯，諸如鄰/間/對丁氧基羰基甲氧基苯乙烯、對第三丁氧基羰基甲氧基苯乙烯、鄰/間/對(3-側氧基環己氧基羰基甲氧基)苯乙烯、鄰/間/對(1-甲基-1-苯基乙氧基羰基甲氧基)苯乙烯、鄰/間/對四氫哌喃氧基羰基甲氧基苯乙烯、鄰/間/對金剛烷氧基羰基甲氧基苯乙烯、鄰/間/對環己氧基羰基甲氧基苯乙烯、鄰/間/對降氧基羰基甲氧基苯乙烯；三甲基矽烷氧基苯乙烯、二甲基(丁基)矽烷氧基苯乙烯；不飽和乙酸烷酯，諸如乙酸異丙烯酯及其衍生物。
帶有低活化能酸不穩定基團之類型1)單體包括例如對或間(1-甲氧基-1-甲基乙氧基)-苯乙烯、對或間(1-甲氧基-1-甲基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-甲氧基-1-甲基丙氧基)苯乙烯、對或間(1-甲氧基-1-甲基丙氧基)甲基苯乙烯、對或間(1-甲氧基乙氧基)-苯乙烯、對或間(1-甲氧基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-乙氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-乙氧基-1-甲基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-乙氧基-1-甲基丙氧基)苯乙烯、對或間(1-乙氧基-1-甲基丙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-乙氧基乙氧基)-甲基苯乙烯、對(1-乙氧基苯基-乙氧基)苯乙烯、對或間(1-正丙氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-正丙氧基-1-甲基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-正丙氧基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-正丙氧基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-異丙氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-異丙氧基-1-甲基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-異丙氧基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-異丙氧基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-異丙氧基-1-甲基丙氧基)苯乙烯、對或間(1-異丙氧基-1-甲基丙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-異丙氧基丙氧基)苯乙烯、對或間(1-異丙氧基丙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-正丁氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-正丁氧基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-異丁氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-第三丁氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-正戊氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-異戊氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-正己氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-環己氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-三甲基矽烷基氧基-1-甲基乙氧基)-苯乙烯、對或間(1-三甲基矽烷基氧基-1-甲基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-苯甲基氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-苯甲基氧基-1-甲基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-甲氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-甲氧基-1-甲基乙氧基)-甲基苯乙烯、對或間(1-三甲基矽烷基氧基-1-甲基乙氧基)苯乙烯、對或間(1-三甲基矽烷基氧基-1-甲基乙氧基)-甲基苯乙烯。具有烷氧基烷基酯酸不穩定基團之聚合物之其他實例在US 5225316及EP 829766中給出。具有縮醛封端基團之聚合物之實例在US 5670299、EP 780732、US 5627006、US 5558976、US 5558971、US 5468589、EP 704762、EP 762206、EP 342498、EP 553737中給出且描述於ACS Symp. Ser. 614,Microelectronics Technology，第35-55頁(1995)及J. Photopolymer Sci. Technol.第10卷，第4期(1997)，第571-578頁中。本發明中所用之聚合物不限於此等實例。
關於具有縮醛基作為酸不穩定基團之聚合物，可如例如H.-T. Schacht,P. Falcigno,N. Muenzel,R. Schulz及A. Medina,ACS Symp. Ser. 706(Micro- and Nanopatterning Polymers)，第78-94頁，1997；H.-T. Schacht,N. Muenzel,P. Falcigno,H. Holzwarth及J. Schneider,J. Photopolymer Science and Technology，第9卷，(1996),573-586中所述併有酸不穩定交聯。自抗蝕劑圖案之耐熱性的角度而言，此交聯系統為較佳。
具有高活化能酸不穩定基團之單體為例如對第三丁氧基羰氧基苯乙烯、丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸異酯。
適於ArF抗蝕劑技術之類型1)單體尤其包括例如丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯、丙烯酸2-正丁基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸2-正丁基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸2-(1-金剛烷基)異丙酯、丙烯酸2-(1-金剛烷基)異丙酯、甲基丙烯酸2-(1-金剛烷基)異丁酯、丙烯酸2-(1-金剛烷基)異丁酯、甲基丙烯酸2-(1-金剛烷基)異己酯、丙烯酸2-(1-金剛烷基)異己酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸1-甲基環己酯、丙烯酸1-甲基環己酯、甲基丙烯酸1-乙基環己酯、丙烯酸1-乙基環己酯、甲基丙烯酸1-(正丙基)環己酯、丙烯酸1-(正丙基)環己酯、甲羥戊酸內酯甲基丙烯酸酯(MLMA)、四氫-2-甲基丙烯醯基氧基-2H-哌喃及四氫-2-丙烯醯基氧基-2H-哌喃。包含酸不穩定金剛烷基部分之其他單體揭示於JP-A-2009-269953、JP-A-2010-008912、JP-A-2010-001461及WO 2008/132966A1中。
如例如JP-A-2009-280799、JP-A-2009-301020、JP-A-2010-002599、JP-A-2010-002762、JP-A-2010-013627、JP-A-2010-013627、JP-A-2010-020256中所示，具有酸不穩定基團之特定烯烴亦適於ArF抗蝕劑技術。
類型2)之共聚單體之實例為：
芳族乙烯基單體，諸如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、α-甲基伸萘基、乙烯合萘(acenaphthylene)；乙烯基脂環化合物，諸如乙烯基降烷、乙烯基金剛烷、乙烯基環己烷；(甲基)丙烯酸烷酯，諸如甲基丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯腈、乙烯基環己烷、乙烯基環己醇、衣康酸酐以及順丁烯二酸酐。
適於ArF抗蝕劑技術之類型2)共聚單體尤其包括例如α-丙烯醯氧基-γ-丁內酯、α-甲基丙烯醯氧基-γ-丁內酯、α-丙烯醯氧基-β,β-二甲基-γ-丁內酯、α-甲基丙烯醯氧基-β,β-二甲基-γ-丁內酯、α-丙烯醯氧基-α-甲基-γ-丁內酯、α-甲基丙烯醯氧基-α-甲基-γ-丁內酯、β-丙烯醯氧基-γ,β-甲基丙烯醯氧基-α-甲基-γ-丁內酯、5-丙烯醯氧基-2,6-降烷甲內酯、5-甲基丙烯醯氧基-2,6-降烷甲內酯、2-降烯、5-降烯-2-甲酸甲酯、5-降烯-2-甲酸第三丁酯、5-降烯-2-甲酸1-環己基-1-甲基-乙酯、5-降烯-2-甲酸1-(4-甲基環己基)-1-甲基乙酯、5-降烯-2-甲酸1-甲基-1-(4-側氧基環己基)乙酯、5-降烯-2-甲酸1-(1-金剛烷基)-1-甲基乙酯、5-降烯-2-甲酸1-甲基環己酯、5-降烯-2-甲酸2-甲基-2-金剛烷酯、5-降烯-2-甲酸2-乙基-2-金剛烷酯、5-降烯-2,3-二甲酸酐、2(5H)-呋喃酮、3-乙烯基-γ-丁內酯、3-甲基丙烯醯氧基雙環[4,3,0]壬烷、3-丙烯醯氧基雙環[4,3,0]壬烷、甲基丙烯酸1-金剛烷酯、丙烯酸1-金剛烷酯、3-甲基丙烯醯氧基甲基四環[4,4,0,12,5,17,10]十二烷、3-丙烯醯氧基甲基四環[4,4,0,12,5,17,10]十二烷、2-甲基丙烯醯氧基降烷、2-丙烯醯氧基降烷、2-甲基丙烯醯氧基異烷、2-丙烯醯氧基異烷、2-甲基丙烯醯氧基甲基降烷、2-丙烯醯氧基甲基降烷。
適於ArF技術之其他包含內酯部分之單體揭示於例如JP-A-2009-221111、JP-A-2010-002910、JP-A-2009-269953、JP-A-2010-008912中。其他適於ArF技術之烯烴公開於例如JP-A-2009-235176、JP-A-2010-002593、JP-A-2009-235176、WO 2008/035640中。
類型3)之共聚單體之實例為：
乙烯基芳族化合物，諸如羥基苯乙烯；丙烯酸化合物，諸如甲基丙烯酸；乙基羰氧基苯乙烯及其衍生物。此等聚合物描述於例如US 5827634、US 5625020、US 5492793、US 5372912、EP 660187、US 5679495、EP 813113及EP 831369中。其他實例為巴豆酸、異巴豆酸、3-丁烯酸、丙烯酸、4-戊烯酸、丙炔酸、2-丁炔酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸及乙炔甲酸。本發明中所用之聚合物不限於此等實例。
適於ArF抗蝕劑技術之類型3)共聚單體尤其包括例如丙烯酸3-羥基-1-金剛烷酯、甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛烷酯、丙烯酸3,5-二羥基-1-金剛烷酯、甲基丙烯酸3,5-二羥基-1-金剛烷酯、2-羥基-5-降烯、5-降烯-2-甲酸、5-降烯-2-甲酸1-(4-羥基環己基)-1-甲基乙酯、5-降烯-2-甲酸2-羥基-1-乙酯、5-降烯-2-甲醇、8-羥甲基-4-甲基丙烯醯氧基甲基三環[5.2.1.02.6]癸烷、8-羥基-甲基-4-丙烯醯氧基甲基三環[5.2.1.02.6]癸烷、4-羥甲基-8-甲基丙烯醯氧基甲基三環[5.2.1.02.6]癸烷、4-羥甲基-8-丙烯醯氧基甲基三環[5.2.1.02.6]癸烷。
適於ArF抗蝕劑技術之其他包含親水性部分之單體揭示於例如JP-A-2009-269953、JP-A-2010-008912、JP-A-2009-221394、JP-A-2009-237559、JP-A-2009-269845、JP-A-2009-276363、JP-A-2009-276363、JP-A-2009-301017、WO-A-2008-035640中。適於ArF正型抗蝕劑之其他適合單體及聚合物揭示於US 6746818；US 2006/0194982-A、US 7569324；US 2009/0068591-A；US 2008/0182203-A；US 2008/0160448-A；US 2007/0122750-A；US 2008/0085469-A；US 2009/0274978-A及EP1710230中。
聚合物中酸不穩定單體之含量可在寬範圍內變化且視其他共聚單體之量及經脫除保護基之聚合物的鹼溶性而定。通常，聚合物中具有酸不穩定基團之單體的含量在5 mol%與60 mol%之間。若含量過少，則曝光區域中顯影速率過低且產生抗蝕劑殘餘物。若酸不穩定共聚單體之含量過高，則在顯影之後抗蝕劑圖案界限不清晰(經腐蝕)，且在顯影期間不再能解析狹窄特徵及/或抗蝕劑與基板之黏著鬆動。
具有酸不穩定基團之共聚物較佳具有約3,000至約200,000、更佳約5,000至約50,000之Mw，且分子量分佈為3或3以下，更佳分子量分佈為約2或2以下。非酚系聚合物，例如諸如丙烯酸第三丁酯或甲基丙烯酸第三丁酯之丙烯酸烷酯與諸如乙烯基降基或乙烯基環己醇化合物之乙烯基脂環化合物的共聚物，亦可藉由此自由基聚合或其他已知程序製備，且適合具有約8,000至約50,000之Mw及約3或3以下之分子量分佈。為達到控制聚合物及其類似物之玻璃轉移點之目的，可適當地添加適量之其他共聚單體。
在本發明中，可使用兩種或兩種以上具有酸不穩定基團之聚合物的混合物。舉例而言，可使用具有極易於裂解之酸不穩定基團(諸如縮醛基或四氫哌喃氧基)之聚合物與具有較難裂解之酸可裂解基團(諸如第三烷酯基)之聚合物的混合物。此外，可藉由摻合兩種或兩種以上具有不同酸可裂解基團之聚合物來組合不同大小之酸可裂解基團，諸如第三丁酯基與2-甲基-金剛烷基或1-乙氧基-乙氧基與四氫哌喃氧基。亦可使用非交聯樹脂與交聯樹脂之混合物。本發明中此等聚合物之量以所有固體組分之總量計較佳為30重量%至99重量%、更佳50重量%至98重量%。此外可將不具有酸不穩定基團之鹼溶性樹脂或單體或寡聚物化合物併入組合物中以控制鹼溶性。
EP 780732、EP 679951及US 5817444中給出具有不同酸不穩定基團之聚合物的聚合物摻合物之實例。
本發明中較佳使用單體及寡聚物溶解抑制劑(c2)。用於本發明之具有酸不穩定基團之單體或寡聚物溶解抑制劑為分子結構中具有至少一個酸不穩定基團之化合物，該酸不穩定基團在酸存在下分解以提高在鹼性顯影劑水溶液中之溶解性。實例為烷氧基甲醚基、四氫呋喃醚基、四氫哌喃醚基、烷氧基乙醚基、三苯甲基醚基、矽烷基醚基、碳酸烷酯基、三苯甲基酯基、矽烷基酯基、烷氧基甲酯基、胺基甲酸乙烯酯基、胺基甲酸第三烷酯基、三苯甲基胺基、異丙苯酯基、縮醛基、縮酮基、四氫哌喃酯基、四氫呋喃酯基、第三烷基醚基、第三烷酯基及其類似基團。用於本發明之酸可分解溶解抑制化合物之分子量為3,000或3,000以下、較佳100至3,000、更佳200至2,500。
在EP 0831369中將具有酸不穩定基團之單體及寡聚物溶解抑制劑之實例稱為式(I)至(XVI)。具有酸不穩定基團之其他適合溶解抑制劑展示於US 5356752、US 5037721、US 5015554、JP-A-05-045869、JP-A-05-158233、JP-A-06-080913、JP-A-05-257275、JP-A-05-297583、JP-A-05-303197、JP-A-05-303200、JP-A-05-341510、JP-A-06-080913、JP-A-05-297581、JP-A-05-297583、JP-A-05-303197、JP-A-05-303200及JP-A-05-341510中。組合物亦可含有聚合物溶解抑制劑(舉例而言，如例如US 5354643中所述之聚縮醛或例如US 5498506中所述之聚-N,O-縮醛)合併鹼溶性聚合物或合併含有在曝光後提高抗蝕劑膜在顯影劑中之溶解性之酸不穩定基團的聚合物或合併此兩類聚合物。
在具有酸不穩定基團之溶解抑制劑與產生式I或II之酸之化合物、鹼溶性聚合物及/或具有酸不穩定基團之聚合物組合用於本發明之情況下，溶解抑制劑之量以感光性組合物之所有固體組分之總量計為3重量%至55重量%、較佳5重量%至45重量%、最佳10重量%至35重量%。
本發明中可使用可溶於鹼性水溶液(c3)之聚合物。此等聚合物之實例包括清漆型酚醛樹脂、氫化清漆型酚醛樹脂、丙酮-連苯三酚樹脂、聚(鄰羥基苯乙烯)、聚(間羥基苯乙烯)、聚(對羥基苯乙烯)、氫化聚(羥基苯乙烯)、經鹵素或烷基取代之聚(羥基苯乙烯)、羥基苯乙烯/N上經取代之順丁烯二醯亞胺共聚物、鄰/對及間/對羥基苯乙烯共聚物、部分鄰烷基化聚(羥基苯乙烯)[例如具有5 mol%至30 mol%之羥基取代度的鄰甲基化、鄰(1-甲氧基)乙基化、鄰(1-乙氧基)乙基化、鄰2-四氫哌喃基化及鄰(第三丁氧羰基)甲基化聚羥基苯乙烯)]、鄰醯化聚(羥基苯乙烯)[例如具有5 mol%至30 mol%之羥基取代度之鄰乙醯化及鄰(第三丁氧基)羰基化聚(羥基苯乙烯)]、苯乙烯/順丁烯二酸酐共聚物、苯乙烯/羥基苯乙烯共聚物、α-甲基苯乙烯/羥基苯乙烯共聚物、羧化甲基丙烯酸系樹脂及其衍生物。其他適合者為聚(甲基)丙烯酸[例如聚(丙烯酸)]、(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸酯共聚物[例如丙烯酸/丙烯酸甲酯共聚物、甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯共聚物，或甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸第三丁酯共聚物]、(甲基)丙烯酸/烯烴共聚物[例如丙烯酸/乙烯共聚物]、(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯醯胺共聚物[例如丙烯酸/丙烯醯胺共聚物]、(甲基)丙烯酸/氯乙烯共聚物[例如丙烯酸/氯乙烯共聚物]、(甲基)丙烯酸/乙酸乙烯酯共聚物[例如丙烯酸/乙酸乙烯酯共聚物]、順丁烯二酸/乙烯醚共聚物[例如順丁烯二酸/甲基乙烯醚共聚物]、順丁烯二酸單酯/甲基乙烯酯共聚物[例如順丁烯二酸單甲酯/甲基乙烯醚共聚物]、順丁烯二酸/(甲基)丙烯酸共聚物[例如順丁烯二酸/丙烯酸共聚物或順丁烯二酸/甲基丙烯酸共聚物]、順丁烯二酸/(甲基)丙烯酸酯共聚物[例如順丁烯二酸/丙烯酸甲酯共聚物]、順丁烯二酸/氯乙烯共聚物、順丁烯二酸/乙酸乙烯酯共聚物及順丁烯二酸/烯烴共聚物[例如順丁烯二酸/乙烯共聚物及順丁烯二酸/1-氯丙烯共聚物]。然而，不應認為用於本發明之鹼溶性聚合物限於此等實例。
較佳鹼溶性聚合物(c3)為清漆型酚醛樹脂、聚(鄰羥基苯乙烯)、聚(間羥基苯乙烯)、聚(對羥基苯乙烯)、各別羥基苯乙烯單體與例如對乙烯基環己醇之共聚物、經烷基取代之聚(羥基苯乙烯)、部分經鄰或間烷基化及鄰或間醯化之聚(羥基苯乙烯)、苯乙烯/羥基苯乙烯共聚物、及α-甲基苯乙烯/羥基苯乙烯共聚物。清漆型酚醛樹脂係藉由在酸催化劑存在下使作為主要成份之一或多種既定單體與一或多種醛進行加成-縮合而獲得。
適用於製備鹼溶性樹脂之單體的實例包括羥基化芳族化合物，諸如苯酚、甲酚(亦即間甲酚、對甲酚及鄰甲酚)、二甲苯酚(例如2,5-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚及2,3-二甲苯酚)、烷氧基酚(例如對甲氧基酚、間甲氧基酚、3,5-二甲氧基酚、2-甲氧基-4-甲基酚、間乙氧基酚、對乙氧基酚、間丙氧基酚、對丙氧基酚、間丁氧基酚及對丁氧基酚)、二烷基酚(例如2-甲基-4-異丙基酚)及其他羥基化芳族化合物，包括間氯酚、對氯酚、鄰氯酚、二羥基聯苯、雙酚A、苯基苯酚、間苯二酚及萘酚。此等化合物可單獨使用或以其兩者或兩者以上之混合物形式使用。不應認為清漆型酚醛樹脂之主要單體限於以上實例。
與酚系化合物聚縮合以獲得清漆型酚醛樹脂之醛的實例包括甲醛、對甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、苯乙醛、α-苯丙醛、β-苯丙醛、鄰羥基苯甲醛、間羥基苯甲醛、對羥基苯甲醛、鄰氯苯甲醛、間氯苯甲醛、對氯苯甲醛、鄰硝基苯甲醛、間硝基苯甲醛、鄰甲基苯甲醛、間甲基苯甲醛、對甲基苯甲醛、對乙基苯甲醛、對正丁基苯甲醛、糠醛、氯乙醛及由此等醛衍生之縮醛，諸如二乙醇縮氯乙醛。此等醛中之較佳者為甲醛。
此等醛可單獨使用或以其兩者或兩者以上之組合使用。酸催化劑之實例包括鹽酸，硫酸、甲酸、乙酸及草酸。
由此獲得之清漆型酚醛樹脂的重量平均分子量適合為1,000至30,000。若其重量平均分子量低於1,000，則在顯影期間未曝光部分上薄膜容易減少地過多。若其重量平均分子量超過50,000，則顯影速率可能過低。清漆型酚醛樹脂之分子量之尤其較佳範圍為2,000至20,000。
除了清漆型酚醛樹脂以外，以上展示為鹼溶性聚合物之聚(羥基苯乙烯)及其衍生物及共聚物各具有2,000或2,000以上、較佳4,000至200,000、更佳5,000至50,000之重量平均分子量。自獲得具有改良耐熱性之聚合物薄膜的角度而言，期望其重量平均分子量為至少5,000或5,000以上。
本發明上下文中之重量平均分子量意謂藉由凝膠滲透層析法測定且相對於聚苯乙烯標準校準之重量平均分子量。
在本發明中，鹼溶性聚合物可以兩種或兩種以上鹼溶性聚合物之混合物形式使用。在使用鹼溶性聚合物與具有在酸作用下分解以增強在鹼性顯影溶液中之溶解性之基團的聚合物之混合物的情況下，鹼溶性聚合物之添加量以感光性組合物(不包括溶劑)之總量計較佳為至多80重量%、更佳為至多60重量%、最佳為至多40重量%。不希望量超過80重量%，因為抗蝕劑圖案之厚度會顯著減小，從而導致不良影像及低解析度。
在鹼溶性聚合物連同溶解抑制劑一起使用且無具有在酸作用下分解以增強在鹼性顯影溶液中之溶解性之基團的聚合物之情況下，鹼溶性聚合物之量較佳為40重量%至90重量%，更佳為50重量%至85重量%，最佳為60重量%至80重量%。若其量小於40重量%，則造成諸如敏感性降低之不良後果。另一方面，若其超過90重量%，則抗蝕劑圖案之薄膜厚度會顯著減小，從而導致不良的解析度及影像重現。
在化學增幅型系統中使用本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)係依據自聚合物移除保護基之原則進行，通常產生正型抗蝕劑。在許多應用中正型抗蝕劑優於負型抗蝕劑，尤其係因為其較高解析度。然而，亦關注使用正型抗蝕劑機制產生負型影像，以便組合正型抗蝕劑之高解析度優點與負型抗蝕劑之特性。此可藉由引入如例如EP361906中所述之所謂影像倒轉步驟來達成。為達到此目的，在顯影步驟之前用例如氣態鹼處理成像照射抗蝕劑物質(image-wise irradiated resist material)，藉此成像中和已產生之酸。接著，在整個區域上進行第二次照射且進行熱後處理，接著以通常方式顯影負型影像。
本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe 之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)尤其適用作成像步驟之ArF抗蝕劑技術(亦即使用ArF準分子雷射(193 nm)之技術)中的光潛酸。此技術需要使用特定聚合物/共聚物。適合調配物及適合聚合物/共聚物之製備公開於例如Proceedings of SPIE 2438,474(1995)；Proceedings of SPIE 3049,44(1997)；Proceedings of SPIE 3333,144(1998)；J. Photopolym. Sci. Technol. 14,631(2001)；Proceedings of SPIE 3333,546(1998); J. Photopolym. Sci. Technol. 13,601(2000)；JP2001-242627A；JP2001-290274A；JP2001-235863A；JP2001-228612A；Proceedings of SPIE 3333,144(1998)；JP2001-5184A，以Lithomax α-7K購自Mitsubishi Rayon；JP2001-272783A；美國專利申請案第09/413763號(申請於1999年10月7日)；EP 1091249；JP2000-292917A；JP2003-241385A；J. Photopolym. Sci. Technol. 14,631(2001)；Proceedings of SPIE 3333,11(1998)；ACS 1998(University of Texas)；JP2001-290274A；JP2001-235863A；JP2001-228612A；Proceedings of SPIE 3999,13(2000)；JP2001-296663A；美國專利申請案第09/567814號(申請於2000年5月9日)；EP 1128213；Proceedings of SPIE 3049,104(1997)；J. Photopolym. Sci. Technol. 10,521(1997)；JP2001-290274A；JP2001-235863A；JP2001-228612A；Proceedings of SPIE 4345,680(2001)；J. Vac. Sci. Technol. B 16(6)，第3716頁，1998；Proceedings of SPIE 2724,356(1996)；Proceedings of SPIE 4345,67(2001)；Proceedings of SPIE 3333,546(1998)；Proceedings of SPIE 4345,87(2001)；Proceedings of SPIE 4345,159(2001)；Proceedings of SPIE 3049,92(1997)；Proceedings of SPIE 3049,92(1997)；Proceedings of SPIE 3049,92(1997)；Proceedings of SPIE 3999,2(2000)；Proceedings of SPIE 3999,23(2000)；Proceedings of SPIE 3999,54(2000)；Proceedings of SPIE 4345,119(2001)中。
前述公開案中所揭示之調配物以引用的方式併入本文中。應瞭解，本發明之化合物尤其適用作此等所引用公開案中所述之所有聚合物/共聚物及組合物中的光潛酸。
本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)適用作雙層抗蝕劑中之光潛酸。此技術需要使用特定聚合物/共聚物。適合調配物及適合聚合物/共聚物之製備公開於例如Proc. SPIE 4345,361-370(2001)、Proc. SPIE 4345,406-416(2001)、JP-A-2002-278073、JP-A-2002-30116、JP-A-2002-30118、JP-A-2002-72477、JP-A-2002-348332、JP-A-2003-207896、JP-A-2002-82437、US2003/65101、US2003/64321中。
本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)適用作多層抗蝕劑中之光潛酸。此技術需要使用特定聚合物/共聚物。適合調配物及適合聚合物/共聚物之製備公開於例如JP-A-2003-177540、JP-A-2003-280207、JP-A-2003-149822、JP-A-2003-177544中。
為得到精細孔圖案，將熱流動方法或化學收縮技術(所謂RELACS(化學收縮輔助之解析度增強微影)方法)應用於化學增幅型抗蝕劑。本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)適用作熱流動方法或RELACS方法之抗蝕劑中的光潛酸。此等技術需要使用特定聚合物/共聚物。適合調配物及適合聚合物/共聚物之製備公開於例如JP-A-2003-167357、JP-A-2001-337457、JP-A-2003-66626、US 2001/53496、Proceedings of SPIE 5039,789(2003)、IEDM98,Dig.,333(1998)、Proceedings Silicon Technology 11 ,12(1999)中。
本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)適用作成像步驟之EUV抗蝕劑(亦即使用遠紫外線(13 nm)光源之技術)中的光潛酸。此技術需要使用特定聚合物/共聚物。適合調配物及適合聚合物/共聚物之製備公開於例如JP-A-2009221194、JP-A-2009221195、JP-A-2010002593中。
本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)適用作成像步驟之EB(電子束)或X射線抗蝕劑(亦即使用EB或X射線之技術)中的光潛酸。此等技術需要使用特定聚合物/共聚物。適合調配物及適合聚合物/共聚物之製備公開於例如JP-A-2002-99088、JP-A-2002-99089、JP-A-2002-99090、JP-A-2002-244297、JP-A-2003-5355、JP-A-2003-5356、JP-A-2003-162051、JP-A-2002-278068、JP-A-2002-333713、JP-A-2002-31892中。
本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)適用作用於浸漬式微影之化學增幅型抗蝕劑中的光潛酸。如Y. Wei及L. Brainard自SPIE(2008),Proceedings of SPIE 5040,667(2003)、Proceedings of SPIE 5040,679(2003)、Proceedings of SPIE 5040,690(2003)、Proceedings of SPIE 5040,724(2003)公開之「Advanced Process for 193-nm Immersion Lithography」中所述，此技術在透鏡與抗蝕劑之間使用液體介質來降低抗蝕劑圖案之最小特徵尺寸。
本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)適用作用所謂的雙重圖案化技術進行浸漬式微影之化學增幅型光阻中的光潛酸。如Y. Wei及L. Brainard自SPIE(2008)、Proc. SPIE，第6349卷，22(2006)、JP-A-2009-223294、JP-A-2009-251216,JP-A-2009-300978、JP-A-2009-301007、JP-A-2010-014886、JP-A-2010-020109公開之「ADVanced Process for 193-nm Immersion Lithography」第9章中所述，此技術使用曝光方法兩次，用以實現最小特徵密度。
本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)適用作正型及負型感光性聚醯亞胺中之光潛酸。此技術需要使用特定聚合物/共聚物。適合調配物及適合聚合物/共聚物之製備公開於例如JP-A-2002-356555、JP-A-2002-356554、JP-A-2002-303977、JP-A-2002-284875、JP-A-2002-268221、JP-A-2002-162743、JP-A-2002-122993、JP-A-2002-99084、JP-A-2002-40658、JP-A-2002-37885、JP-A-2003-26919中。
前述公開案中所揭示之調配物以引用的方式併入本文中。應瞭解，本發明之化合物尤其適用作此等所引用公開案中所述之所有聚合物/共聚物及組合物中的光潛酸。
產生特徵上負型抗蝕劑之酸敏感組分(b)尤其為能夠在酸下(例如在照射式I化合物期間所形成之酸)自身及/或與組合物之一或多種其他組分進行陽離子聚合或酸催化聚合或交聯反應的化合物。其實例包括環醚，尤其環氧化物及氧雜環丁烷，以及乙烯醚及含羥基之化合物。亦可使用內酯化合物及環狀硫醚以及乙烯基硫醚。其他實例包括胺基塑膠或甲階酚醛樹脂。此等實例尤其為三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、環氧樹脂、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂及醇酸樹脂或其混合物。胺基樹脂、酚系樹脂及環氧樹脂非常適合。酸可固化樹脂一般為已知的且描述於例如Wagner,Sarx/Lackkunstharze(Munich,1971)，第86至123頁及第229至238頁；或Ullmann/Encyclopdie der techn. Chemie，第4版，第15卷(1978)，第613至628頁；或Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry,Verlag Chemie,1991，第18卷，第360頁及其後各頁，第A19卷，第371頁及其後各頁中。
舉例而言，可使用所有習用環氧化物，諸如芳族、脂族或環脂族環氧樹脂。此等環氧化物為分子中具有至少一個、較佳至少兩個環氧基之化合物。其實例為脂族或環脂族二醇或多元醇之縮水甘油醚及β-甲基縮水甘油醚，例如乙二醇、丙-1,2-二醇、丙-1,3-二醇、丁-1,4-二醇、二乙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、甘油、三羥甲基丙烷或1,4-二羥甲基環己烷之縮水甘油醚及β-甲基縮水甘油醚，或2,2-雙(4-羥基環己基)丙烷及N,N-雙(2-羥乙基)苯胺之縮水甘油醚及β-甲基縮水甘油醚；二酚及多酚之縮水甘油醚，例如間苯二酚，4,4'-二羥苯基-2,2-丙烷、清漆型酚醛樹脂或1,1,2,2-肆(4-羥苯基)乙烷之縮水甘油醚。其實例包括苯基縮水甘油醚、對第三丁基縮水甘油醚、鄰甲苯酚基縮水甘油醚、聚四氫呋喃縮水甘油醚、正丁基縮水甘油醚、2-乙基己基縮水甘油醚、C12/15烷基縮水甘油醚及環己烷二甲醇二縮水甘油醚。其他實例包括N-縮水甘油基化合物，例如伸乙脲、1,3-伸丙脲或5-二甲基-乙內醯脲或4,4'-亞甲基-5,5'-四甲基二乙內醯脲之縮水甘油基化合物，或諸如異氰尿酸三縮水甘油酯之化合物。
用於本發明調配物中之縮水甘油醚組分的其他實例為例如藉由使多元酚與過量氯醇(諸如表氯醇)反應所獲得之多元酚之縮水甘油醚，例如2,2-雙(2,3-環氧基丙氧基酚)丙烷之縮水甘油醚。可與本發明結合使用之縮水甘油醚環氧化物之其他實例描述於例如US 3 018 262及Lee及Neville,「Handbook of Epoxy Resins」,McGraw-Hill Book Co.,New York(1967)中。
亦存在大量適用作組分(b)之市售縮水甘油醚環氧化物，諸如甲基丙烯酸縮水甘油酯、雙酚A之二縮水甘油醚，例如可以商標名EPON 828、EPON 825、EPON 1004及EPON 1010(Shell)；DER-331、DER-332及DER-334(Dow Chemical)獲得之縮水甘油醚；苯酚甲醛清漆型酚醛樹脂之1,4-丁二醇二縮水甘油醚，例如DEN-431、DEN-438(DowChemical)；及間苯二酚二縮水甘油醚；烷基縮水甘油醚，諸如C8-C10縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑7)、C12-C14縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑8)、丁基縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑61)、甲酚基縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑62)、對第三丁基苯基縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑65)；多官能縮水甘油醚，諸如1,4-丁二醇之二縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑67)、新戊二醇之二縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑68)、環己烷二甲醇之二縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑107)、三羥甲基乙烷三縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑44)、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑48)、脂族多元醇之多縮水甘油醚(例如HELOXY調節劑84)(所有HELOXY縮水甘油醚均可獲自Shell)。
包含丙烯酸酯之共聚物的縮水甘油醚亦適合，諸如苯乙烯-甲基丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸縮水甘油酯。其實例包括1:1苯乙烯/甲基丙烯酸縮水甘油酯、1:1甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸縮水甘油酯、62.5:24:13.5甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸乙酯/甲基丙烯酸縮水甘油酯。
縮水甘油醚化合物之聚合物例如亦可包含其他官能基，其限制條件為此等官能基不削弱陽離子固化。
其他適合之市售縮水甘油醚化合物為多官能液體及固體清漆型酚醛縮水甘油醚樹脂，例如PY 307、EPN 1179、EPN 1180、EPN 1182及ECN 9699。
應瞭解，不同縮水甘油醚化合物之混合物亦可用作組分(b)。
縮水甘油醚(a5)為例如式XX化合物：
x為1至6之數字；且R50為單價至六價烷基或芳基。
較佳為例如式XX之縮水甘油醚化合物，其中x為數字1、2或3；且當x=1時，R50為未經取代或經C1-C12烷基取代之苯基、萘基、蒽基、聯苯基、C1-C20烷基或雜有一或多個氧原子之C2-C20烷基，或當x=2時，R50為1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、C6-C10伸環烷基、未經取代或經鹵基取代之C1-C40伸烷基、雜有一或多個氧原子之C2-C40伸烷基，或基團，或當x=3時，R50為基團 ；z為1至10之數字；且R60為C1-C20伸烷基、氧或。縮水甘油醚(a5)為例如式(XXa)化合物，其中R70為未經取代或經C1-C12烷基取代之苯基、萘基、蒽基、聯苯基、C1-C20烷基、雜有一或多個氧原子之C2-C20烷基；或式之基團；R50為伸苯基、C1-C20伸烷基、雜有一或多個氧原子之C2-C20伸烷基，或基團；且R60為C1-C20伸烷基或氧。
較佳為式XXb之縮水甘油醚化合物：
R50為伸苯基、C1-C20伸烷基、雜有一或多個氧原子之C2-C20伸烷基，或基團；且R60為C1-C20伸烷基或氧。
其他實例為可藉由使每分子含有至少兩個游離醇羥基及/或酚羥基之化合物與適當表氯醇在鹼性條件下反應，或者在酸催化劑存在下反應且隨後進行鹼處理而獲得之多縮水甘油醚及聚(β-甲基縮水甘油基)醚。亦可使用不同多元醇之混合物。
該等醚可由來自以下之聚(表氯醇)製備：非環醇，諸如乙二醇、二乙二醇及高碳聚(氧伸乙基)二醇、丙-1,2-二醇及聚(氧伸丙基)二醇、丙-1,3-二醇、丁-1,4-二醇、聚(氧基四亞甲基)二醇、戊-1,5-二醇、己-1,6-二醇、己-2,4,6-三醇、甘油、1,1,1-三羥甲基-丙烷、異戊四醇及山梨糖醇；環脂族醇，諸如1,3-環己二醇(resorcitol)、對環己二醇(quinitol)、雙(4-羥基環己基)甲烷、2,2-雙(4-羥基環己基)丙烷及1,1-雙(羥甲基)環己-3-烯；及具有芳環核之醇，諸如N,N-雙(2-羥乙基)苯胺及p,p'-雙(2-羥乙基胺基)二苯基甲烷。其亦可由以下物質製備：單核酚，諸如間苯二酚及氫醌；及多核酚，諸如雙(4-羥苯基)甲烷、4,4-二羥基二苯、雙(4-羥苯基)碸、1,1,2,2-肆(4-羥苯基)乙烷、2,2-雙(4-羥苯基)-丙烷(雙酚A)及2,2-雙(3,5-二溴-4-羥苯基)丙烷。
適用於製備多縮水甘油醚及聚(β-甲基縮水甘油基)醚之其他羥基化合物為可藉由使諸如甲醛、乙醛、三氯乙醛及糠醛之醛與諸如苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、3,5-二甲基酚、4-氯酚及4-第三丁基酚之酚縮合所獲得的清漆型酚醛樹脂。
聚(N-縮水甘油基)化合物可藉由例如使表氯醇與含有至少兩個胺基氫原子之胺(諸如苯胺、正丁胺、雙(4-胺基苯基)甲烷、雙(4-胺基苯基)-丙烷、雙(4-甲胺基苯基)甲烷及雙(4-胺基苯基)醚)、碸及亞碸的反應產物脫除氯化氫而獲得。其他適合的聚(N-縮水甘油基)化合物包括異氰尿酸三縮水甘油酯，及諸如伸乙基脲及1,3-伸丙基脲之環狀伸烷基脲及諸如5,5-二甲基乙內醯脲之乙內醯脲的N,N'-二縮水甘油基衍生物。
聚(S-縮水甘油基)化合物亦適合。其實例包括諸如乙-1,2-二硫醇及雙(4-巰基甲基苯基)醚之二硫醇的二-S-縮水甘油基衍生物。
亦開始考慮縮水甘油基或β-甲基縮水甘油基鍵結於不同類型之雜原子的環氧樹脂作為組分(b)，例如4-胺基酚之N,N,O-三縮水甘油基衍生物、水楊酸或對羥基苯甲酸之縮水甘油醚/縮水甘油酯、N-縮水甘油基-N'-(2-縮水甘油基氧基丙基)-5,5-二甲基-乙內醯脲及2-縮水甘油基氧基-1,3-雙(5,5-二甲基-1-縮水甘油基乙內醯脲-3-基)丙烷。較佳為雙酚之二縮水甘油醚。其實例包括雙酚A之二縮水甘油醚(例如ARALDIT GY 250)、雙酚F之二縮水甘油醚及雙酚S之二縮水甘油醚。特定較佳為雙酚A之二縮水甘油醚。
具有技術上重要意義之其他縮水甘油基化合物為羧酸、尤其二羧酸及聚羧酸之縮水甘油酯。其實例為丁二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸及六氫鄰苯二甲酸、間苯二甲酸或偏苯三甲酸或二聚脂肪酸之縮水甘油酯。
不為縮水甘油基化合物之聚環氧化物之實例為乙烯基-環己烷及二環戊二烯之環氧化物、3-(3',4'-環氧環己基)-8,9-環氧基-2,4-二氧雜螺[5.5]十一烷、3,4-環氧基環己烷甲酸之3',4'-環氧環己基甲酯、(3,4-環氧基環己烷甲酸3,4-環氧環己基-甲酯)、二環氧化丁二烯(butadiene diepoxide)或二環氧化異戊二烯(isoprene diepoxide)、環氧化亞麻油酸衍生物或環氧化聚丁二烯。
其他適合的環氧化合物為例如檸檬烯一氧化物、環氧化大豆油、雙酚A及雙酚F環氧樹脂(諸如GY 250(A)、GY 282(F)、GY 285(F))，及含有環氧基之可光致固化矽氧烷。
其他適合的陽離子可聚合或可交聯組分(b)亦可見於例如US 3117099、US 4299938及US 4339567中。
在脂族環氧化物之群中，尤其適合的為具有由10、12、14或16個碳原子組成之未分支鏈之單官能性符號α-烯烴環氧化物。
因為現今大量的不同環氧化合物均可購得，所以黏合劑之特性可在寬範圍內變化。舉例而言，視組合物之預期用途而定，一種可能的變化為使用不同環氧化合物之混合物及添加增韌劑及反應稀釋劑。
例如當藉由噴霧實現施加時，環氧樹脂可用溶劑稀釋以有助於施加，但環氧化合物較佳以少溶劑狀態(solvent-less state)使用。在室溫下呈黏性至固體之樹脂可熱施加。
在負型抗蝕劑系統中，產生式I或II之酸的化合物亦可用作例如聚(縮水甘油基)甲基丙烯酸酯之酸催化交聯的酸產生劑，該酸產生劑可經光化學活化。該等交聯反應描述於例如Chae等人，Pollimo 1993,17(3),292中。
所有習用乙烯醚均亦適用作組分(b)，諸如芳族、脂族或環脂族乙烯醚以及含矽之乙烯醚。此等乙烯醚為在分子中具有至少一個、較佳至少兩個乙烯醚基之化合物。適用於本發明組合物中之乙烯醚之實例包括三乙二醇二乙烯醚、1,4-環己烷二甲醇二乙烯醚、4-羥丁基乙烯醚、碳酸伸丙酯之丙烯醚、十二烷基乙烯醚、第三丁基乙烯醚、第三戊基乙烯醚、環己基乙烯醚、2-乙基己基乙烯醚、乙二醇單乙烯醚、丁二醇單乙烯醚、己二醇單乙烯醚、1,4-環己烷二甲醇單乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚、乙二醇二乙烯醚、乙二醇丁基乙烯醚、丁-1,4-二醇二乙烯醚、己二醇二乙烯醚、二乙二醇二乙烯醚、三乙二醇二乙烯醚、三乙二醇甲基乙烯醚、四乙二醇二乙烯醚、pluriol-E-200二乙烯醚、聚四氫呋喃二乙烯醚-290、三羥甲基丙烷三乙烯醚、二丙二醇二乙烯醚、十八基乙烯醚、(4-環己基-亞甲基氧基乙烯)-戊二酸甲酯及(4-丁氧基乙烯)-間苯二甲酸酯。
含有羥基之化合物之實例包括聚酯多元醇(諸如聚己內酯或聚酯己二酸酯多元醇)、二醇及聚醚多元醇、蓖麻油、羥基官能性乙烯基及丙烯酸系樹脂、纖維素酯(諸如乙酸丁酸纖維素)及苯氧基樹脂。
其他陽離子可固化調配物可見於例如EP 119425中。
作為組分(b)，較佳為環脂族環氧化物或基於雙酚A之環氧化物。
產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)亦可例如用作含有矽氧烷基之樹脂的光可活化硬化劑。彼等樹脂可例如經由酸催化水解而進行自縮合，或可與諸如多官能醇、含有羥基之丙烯酸系或聚酯樹脂、部分水解之聚乙烯縮醛或聚乙烯醇之第二樹脂組分交聯。該類型之聚矽氧烷聚縮合描述於例如J.J. Lebrun,H. Pode,Comprehensive Polymer Science，第5卷，第593頁，Pergamon Press,Oxford,1989中。
胺基樹脂尤其較佳作為酸可固化樹脂(b)，諸如非醚化或醚化三聚氰胺、尿素、胍或縮二脲樹脂，尤其甲基化三聚氰胺樹脂或丁基化三聚氰胺樹脂、相應甘脲及脲酮(urone)。在此情形中，「樹脂」應理解為兩種習用技術混合物，其一般亦包含寡聚物與純化合物及高純度化合物。N-六(甲氧基甲基)三聚氰胺及四甲氧基甲基甘脲及N,N'-二甲氧基甲基脲酮為最佳的酸可固化樹脂。
以負型抗蝕劑組合物之總固體含量計，交聯劑組分一般應以2重量%至40重量%、較佳5重量%至30重量%之濃度存在。
負型抗蝕劑中產生式I或II之酸之化合物的濃度以組合物之總固體含量計一般為0.1重量%至30重量%、較佳為至多20重量%。1重量%至15重量%尤其較佳。
亦可將黏合劑添加至本發明之組合物中，當光可聚合化合物為液體或黏性物質時此尤其有利。黏合劑之量以總固體計可為例如5重量%至95重量%，較佳為10重量%至90重量%且尤其為40重量%至90重量%。將根據使用領域及諸如於水性及有機溶劑系統中之可顯影性、對基板之黏著性及對氧氣之敏感性的所需特性來選擇黏合劑。適合的黏合劑為例如具有約2000至2 000 000，較佳5000至1 000 000之分子量的聚合物。其實例為：丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之均聚物及共聚物，例如甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸乙酯/甲基丙烯酸之共聚物、聚(甲基丙烯酸烷酯)、聚(丙烯酸烷酯)；酚系樹脂、纖維素衍生物，諸如纖維素酯及醚，例如乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、甲基纖維素、乙基纖維素；聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇縮甲醛、聚烯烴、環化橡膠、聚醚(諸如聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、聚四氫呋喃)；聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚胺基甲酸酯、氯化聚烯烴、聚氯乙烯、氯乙烯/偏二氯乙烯之共聚物、偏二氯乙烯與丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯及乙酸乙烯酯之共聚物、聚乙酸乙烯酯、共聚(乙烯/乙酸乙烯酯)、諸如聚己內醯胺及聚(六亞甲基己二醯胺)之聚合物、諸如聚(乙二醇對苯二甲酸酯)及聚(己二醇丁二酸酯)之聚酯；及聚醯胺。
適當時，負型組合物可包含成膜聚合物黏合劑。此黏合劑較佳為鹼溶性酚系樹脂。非常適於達成此目的的為例如清漆型酚醛樹脂，其衍生自例如乙醛或糠醛、但尤其甲醛之醛，以及酚，例如未經取代之酚、經單氯取代或二氯取代之酚(諸如對氯酚)、經C1-C9烷基單取代或二取代之酚(諸如鄰、間或對甲酚、各種二甲苯酚、對第三丁基酚、對壬基酚)、對苯基苯酚、間苯二酚、雙(4-羥苯基)甲烷或2,2-雙(4-羥苯基)丙烷。基於烯系不飽和酚之均聚物及共聚物亦適合，例如經乙烯基及1-丙烯基取代之酚(諸如對乙烯基酚或對(1-丙烯基)酚)之均聚物，或此等酚與一或多種烯系不飽和物質(例如苯乙烯)之共聚物。黏合劑之量一般應為30重量%至95重量%，或較佳為40重量%至80重量%。
適合調配物及使用本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)製備用於負型抗蝕劑之適合聚合物/共聚物例如公開於JP-A-2010-015089、JP-A-2003-43688、JP-A-2003-114531、JP-A-2003-233185、JP-A-2003-186195、US 6576394中。
化學增幅型負型可溶劑顯影光阻需要使用當藉由酸催化時與自身及/或與調配物中之其他組分進行交聯反應或聚合的特定組分。適合調配物例如公開於US 4882245、US 5026624、US 6391523中。
當藉由酸催化時與自身及/或與其他組分進行交聯反應或聚合之適合組分(b)包括例如環氧化雙酚A甲醛清漆型酚醛樹脂及環氧化四溴雙酚A甲醛清漆型酚醛樹脂。較佳環氧樹脂含有平均8個環氧基，其由雙酚A與甲醛之清漆型酚醛樹脂縮合產物之縮水甘油醚組成，平均分子量為約1400公克/莫耳，環氧基當量為約215公克/莫耳。此類樹脂例如可以商標名EPON Resin SU-8購自Shell Chemical。
各種聚合物均可用作化學增幅型負型可溶劑顯影光阻中之黏合劑樹脂。適合的實例包括作為表氯醇與雙酚A之間的縮合產物之苯氧基多元醇樹脂。此類型樹脂例如由Union Carbide Corporation以商標PKHC銷售。
正型及負型抗蝕劑組合物除了感光性酸供體(a)外亦可包含其他感光性酸供體化合物(a1)、其他添加劑(d)、其他光引發劑(e)及/或敏化劑(f)。
因此，本發明之標的亦為如上所述之化學增幅型抗蝕劑組合物，其除了組分(a)及(b)，或組分(a)及(c1)、(c2)、(c3)，或組分(a)及(c)外亦包含其他添加劑(d)、其他感光性酸供體化合物(a1)、其他光引發劑(e)及/或敏化劑(f)。
在正型及負型抗蝕劑中，本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)亦可連同其他已知之光潛酸(a1)(例如鎓鹽、6-硝基苯甲基磺酸酯、雙磺醯基重氮甲烷化合物、含有氰基之肟磺酸酯化合物等)一起使用。用於化學增幅型抗蝕劑之已知光潛酸之實例描述於US 5731364、US 5800964、EP 704762、US 5468589、US 5558971、US 5558976、US 6004724、GB 2348644及尤其EP 794457及EP 795786中。
若光潛酸之混合物用於本發明之抗蝕劑組合物中，則混合物中產生式I或II之酸之化合物與其他光潛酸(a1)之重量比較佳為1:99至99:1。
適於與產生式I或II之酸之化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)混合使用之光潛酸(a1)的實例為：
(1)鎓鹽化合物，例如錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、重氮鹽、吡錠鹽。較佳為三氟甲磺酸二苯基錪、芘磺酸二苯基錪、十二烷基苯磺酸二苯基錪、三氟甲磺酸三苯基鋶、九氟丁烷磺酸三苯基鋶、六氟銻酸三苯基鋶、六氟銻酸二苯基錪、萘磺酸三苯基鋶、甲苯磺酸(羥苯基)苯甲基甲鋶、雙(4-第三丁基苯基)錪雙(九氟丁烷磺醯基)亞胺、參(三氟甲烷基磺醯基)甲基雙(4-第三丁基苯基)錪、三苯基鋶雙(三氟甲烷磺醯基)亞胺、三苯基鋶(八氟丁烷-1,4-二磺醯基)亞胺、參(三氟甲烷磺醯基)甲基三苯基鋶、參(三氟甲烷磺醯基)甲基第三丁基二苯鋶、三苯基鋶1,3-二磺醯基六氟伸丙基醯亞胺、肆(五氟苯基)硼酸三芳基鋶(例如肆(五氟苯基)硼酸三苯基鋶)、肆(五氟苯基)硼酸二芳基錪(例如肆(五氟苯基)硼酸二苯基錪)、三氟參(五氟乙基)磷酸二苯基[4-(苯硫基)苯基]鋶及其類似物；錪陽離子亦可為4-甲基苯基-4'-異丁基苯基錪或4-甲基苯基-4'-異丙基苯基錪。尤其較佳為三氟甲磺酸三苯基鋶、六氟銻酸二苯基錪。其他實例描述於JP-A-2002-229192、JP-A-2003-140332、JP-A-2002-128755、JP-A-2003-35948、JP-A-2003-149800、JP-A-2002-6480、JP-A-2002-116546、JP-A-2002-156750、US 6458506、US 2003/27061、US 5554664、WO 2007/118794中。
(2)含鹵素之化合物
含鹵烷基之雜環化合物、含鹵烷基之烴化合物及其類似物。較佳為(三氯甲基)-均三嗪衍生物，諸如苯基-雙(三氯甲基)-均三嗪、甲氧基苯基-雙(三氯甲基)-均三嗪、萘基-雙(三氯甲基)-均三嗪及其類似物；1.1-雙(4-氯苯基)-2,2,2-三氯乙烷；及其類似物。
(3)例如式之碸化合物，其中Ra及Rb彼此獨立地為各自可具有至少一個取代基之烷基、環烷基或芳基，例如 。該等化合物揭示於例如US 2002/0172886-A、JP-A-2003-192665、US 2002/9663-A中。更多實例為β-酮碸、β-磺醯基碸及其α-重氮衍生物及其類似物。較佳為苯甲醯甲基苯基碸、基苯甲醯甲基碸、雙(苯基磺醯基)甲烷、雙(苯基磺醯基)重氮甲烷。
(4)磺酸酯化合物，例如烷基磺酸酯、鹵烷基磺酸酯、芳基磺酸酯、亞胺基磺酸酯、醯亞胺基磺酸酯及其類似物。較佳醯亞胺基磺酸酯化合物為例如N-(三氟甲磺醯基氧基)丁二醯亞胺、N-(三氟甲磺醯基氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(三氟甲磺醯基氧基)萘醯亞胺、N-(三氟甲磺醯基氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(三氟甲磺醯基氧基)-雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(三氟甲磺醯基氧基)-7-氧雜雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(三氟甲磺醯基氧基)-7-氧雜雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(三氟甲磺醯基氧基)-雙環-[2,2,1]-庚-5,6-氧基-2,3-二甲醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)丁二醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)萘醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)-雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)-7-氧雜雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)-7-氧雜雙環-[2,2,1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)-雙環-[2,2,1]-庚-5,6-氧基-2,3-二甲醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯基氧基)丁二醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯基氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯基氧基)萘醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯基氧基)萘醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯基氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯基氧基)-雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯基氧基)-7-氧雜雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯基氧基)-雙環-[2,2,1]-庚-5,6-氧基-2,3-二甲醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯基氧基)丁二醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯基氧基)-萘醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯基氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯基氧基)-雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯基氧基)-7-氧雜雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯基氧基)-雙環-[2,2,1]-庚-5,6-氧基-2,3-二甲醯亞胺及其類似物。
其他適合的磺酸酯化合物較佳為例如安息香甲苯磺酸酯、連苯三酚參三氟甲磺酸酯、連苯三酚甲烷磺酸三酯、硝基苯甲基-9,10-二乙氧基蒽-2-磺酸酯、α-(4-甲苯-磺醯基氧基亞胺基)-苯甲基氰化物、α-(4-甲苯-磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苯甲基氰化物、α-(4-甲苯-磺醯基氧基亞胺基)-2-噻吩基甲基氰化物、α-(甲烷磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(丁磺醯基氧基亞胺基)-1-環戊烯基乙腈、(4-甲磺醯基氧基亞胺基-環己-2,5-亞二烯基)-苯基乙腈、(5-甲磺醯基氧基亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)-苯基乙腈、(5-甲磺醯基氧基亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)-乙腈、(5-丙磺醯基氧基亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)-乙腈、(5-(對甲苯磺醯基氧基亞胺基)-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)-乙腈、(5-(10-樟腦磺醯基氧基亞胺基)-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)-乙腈、(5-甲磺醯基氧基亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)-(2-氯苯基)-乙腈、2,2,2-三氟-1-{4-(3-[4-{2,2,2-三氟-1-(1-丙烷磺醯基氧基亞胺基)-乙基}-苯氧基]-丙氧基)-苯基}-乙酮肟1-丙烷磺酸酯、2,2,2-三氟-1-{4-(3-[4-{2,2,2-三氟-1-(1-對甲苯磺醯基氧基亞胺基)-乙基}-苯氧基]-丙氧基)-苯基}-乙酮肟1-對甲苯磺酸酯、2-[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-十二氟-1-(九氟丁磺醯基氧基亞胺基)-庚基]-茀、2-[2,2,3,3,4,4,4-七氟-1-(九氟丁磺醯基氧基亞胺基)-丁基]-茀、2-[2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-(九氟丁磺醯基氧基亞胺基)-戊基]-茀、8-[2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-(九氟丁磺醯基氧基亞胺基)-戊基]-丙二烯合茀及其類似物。
在本發明之輻射敏感樹脂組合物中，尤其較佳之磺酸酯化合物包括連苯三酚甲烷磺酸三酯、N-(三氟甲磺醯基氧基)雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)萘醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯基氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(三氟甲磺醯基氧基)-雙環-[2,2,1]-庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(莰基磺醯基氧基)萘醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯基氧基)鄰苯二甲醯亞胺及其類似物。
(5)二疊氮醌化合物，例如聚羥基化合物之1,2-二疊氮醌磺酸酯化合物。較佳為具有例如1,2-二疊氮苯醌-4-磺醯基、1,2-二疊氮萘醌-4-磺醯基、1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯基、1,2-二疊氮萘醌-6-磺醯基或其類似基團之1,2-二疊氮醌磺醯基之化合物。尤其較佳為具有1,2-二疊氮萘醌-4-磺醯基或1,2-二疊氮萘醌-5-磺醯基之化合物。尤其適合者為：諸如2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,4,6-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮、2,2',3,4-四羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮、2,2',4,4'-四羥基二苯甲酮、2,2',3,4,4'-五羥基二苯甲酮、2,2'3,2,6'-五羥基二苯甲酮、2,3,3',4,4'5'-六羥基二苯甲酮、2,3',4,4',5'6-六羥基二苯甲酮及其類似物之(多)羥苯基芳基酮的1,2-二疊氮醌磺酸酯；諸如雙(4-羥苯基)乙烷、雙(2,4-二羥苯基)乙烷、2,2-雙(4-羥苯基)丙烷、2,2-雙(2,4-二羥苯基)丙烷、2,2-雙(2,3,4-三羥苯基)丙烷及其類似物之雙[(多)羥基苯基]烷烴之1,2-二疊氮醌磺酸酯；諸如4,4'-二羥基三苯基甲烷、4,4',4"-三羥基三苯基甲烷、4,4'5,5'-四甲基-2,2',2"-三羥基三苯基甲烷、2,2,5,5'-四甲基-4,4',4"-三羥基三苯基甲烷、1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-1-苯乙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-1-(4-[1-(羥基苯基)-1-甲基乙基]-苯基)乙烷及其類似物之(多)羥基苯基烷烴的1,2-二疊氮醌磺酸酯；諸如2,4,4-三甲基-2',4',7-三羥基-2-苯基黃烷、2,4,4-三甲基-2',4',5',6,7-五羥基-2-苯基黃烷及其類似物之(多)羥基苯基黃烷的1,2-二疊氮醌磺酸酯。適於與本發明化合物混合使用之光潛酸的其他實例描述於JP-A-2003-43678、JP-A-2003-5372、JP-A-2003-43677、JP-A-2002-357904、JP-A-2002-229192、JP-A-2009-269953、JP-A-2010-008912中。
本發明之正型及負型光阻組合物可視情況含有一或多種通常熟習此項技術者已知之以習用量用於光阻中之添加劑(d)，例如染料、顏料、增塑劑、界面活性劑、流動改進劑、濕潤劑、增黏劑、搖變劑、著色劑、填充劑、溶解促進劑、酸增殖劑、光敏劑、有機酸性化合物及/或氟化醇及有機鹼性化合物。特別在ArF浸漬式微影中，抗蝕劑表面之疏水性/親水性之控制為至關緊要的。用於達成此目的之添加劑可獲得且為熟習此項技術者已知(實例如下文所給出)。
例如US 7569324中給出可包含在抗蝕劑調配物中之有機酸性衍生物及氟化醇之實例，其量為每100重量份抗蝕劑組合物之總固體包含至多5重量份且尤其至多1重量份。有機酸性化合物及氟化醇不侷限於其中所給出之該等實例。
可用於本發明之抗蝕劑組合物中例如以淬滅未曝光或部分曝光區域中之酸及/或在由光潛酸產生之酸在抗蝕劑膜內擴散時能夠抑制擴散速率之有機鹼性化合物(所謂的淬滅劑)的實例為鹼性比苯酚強之化合物，尤其為含氮之鹼性化合物。此等化合物可為離子型，例如四烷基銨鹽，或為非離子型。較佳有機鹼性化合物為每分子具有兩個或兩個以上具有不同化學環境之氮原子的含氮鹼性化合物。尤其較佳為含有至少一個經取代或未經取代之胺基與至少一個含氮環結構之化合物，及具有至少一個烷基胺基之化合物。該等較佳化合物之實例包括胍、胺基吡啶、胺基烷基吡啶、胺基吡咯啶、吲唑、咪唑、吡唑、吡嗪、嘧啶、嘌呤、咪唑啉、吡唑啉、哌嗪、胺基嗎啉及胺基烷基嗎啉。未經取代之化合物或其經取代之衍生物均適合。較佳取代基包括胺基、胺基烷基、烷基胺基、胺基芳基、芳基胺基、烷基、烷氧基、醯基、醯氧基、芳基、芳氧基、硝基、羥基及氰基。尤其較佳的有機鹼性化合物之特定實例包括胍、1,1-二甲基胍、1,1,3,3-四甲基胍、2-胺基吡啶、3-胺基吡啶、4-胺基吡啶、2-二甲胺基吡啶、4-二甲胺基吡啶、2-二乙胺基吡啶、2-(胺基甲基)-吡啶、2-胺基-3-甲基吡啶、2-胺基-4-甲基吡啶、2-胺基-5-甲基吡啶、2-胺基-6-甲基吡啶、3-胺基乙基吡啶、4-胺基乙基吡啶、3-胺基吡咯啶、哌嗪、N-(2-胺基乙基)哌嗪、N-(2-胺基乙基)哌啶、4-胺基-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-哌啶并哌啶、2-亞胺基哌啶、1-(2-胺基乙基)吡咯啶、吡唑、3-胺基-5-甲基吡唑、5-胺基-3-甲基-1-對甲苯吡唑、吡嗪、2-(胺基甲基)-5-甲基吡嗪、嘧啶、2,4-二胺基嘧啶、4,6-二羥基嘧啶、2-吡唑啉、3-吡唑啉、N-胺基嗎啉及N-(2-胺基乙基)嗎啉。
適合的有機鹼性化合物之其他實例描述於DE 4408318、US 5609989、US 5556734、EP 762207、DE 4306069、EP 611998、EP 813113、EP 611998及US 5498506、JP-A-2003-43677、JP-A-2003-43678、JP-A-2002-226470、JP-A-2002-363146、JP-A-2002-363148、JP-A-2002-363152、JP-A-2003-98672、JP-A-2003-122013、JP-A-2002-341522及US 7569324中，該等化合物例如尤其適用作化學增幅型抗蝕劑之淬滅劑。然而，適於本發明之有機鹼性化合物不限於此等實例。
含氮鹼性化合物可單獨使用或其兩者或兩者以上組合使用。含氮鹼性化合物之添加量以每100重量份感光性樹脂組合物(不包括溶劑)計通常為0.001重量份至10重量份，較佳為0.01重量份至5重量份。若其量小於0.001重量份，則無法實現本發明之作用。另一方面，若其超過10重量份，則可能引起未曝光部分之敏感性降低及可顯影性減弱。
諸如EP 710885、US 5663035、US 5595855、US 5525453及EP 611998中所述，組合物可進一步含有在光化輻射下分解之鹼性有機化合物(「自殺鹼(suicide base)」)。
適用於本發明組合物之染料(d)的實例為油溶性染料及鹼性染料，例如油溶黃(Oil Yellow)#101、油溶黃#103、油溶粉(Oil Pink)#312、油溶綠(Oil Green)BG、油溶藍(Oil Blue)BOS、油溶藍#603、油溶黑(Oil Black)BY、油溶黑BS、油溶黑T-505(均由Orient Chemical Industries Ltd.,Japan製造)、晶體紫(crystal violet)(CI 42555)、甲基紫(methyl violet)(CI 42535)、若丹明B(rhodamine B)(CI 45170B)、孔雀綠(malachite green)(CI 42000)及亞甲基藍(methylene blue)(CI 52015)。
可進一步添加光譜敏化劑(f)以敏化光潛酸以展現在比遠紫外線更長之波長區域中的吸收，藉此可使本發明之感光性組合物對例如i線或g線輻射敏感。適合的光譜敏化劑之實例包括二苯甲酮、p,p'-四甲基二胺基二苯甲酮、p,p'-四乙基乙胺基二苯甲酮、9-氧硫(thioxanthone)、2-氯-9-氧硫、蒽酮、芘、苝、啡噻嗪、二苯基乙二酮、吖啶橙、苯并黃素(benzoflavin)、鯨蠟黃素T(cetoflavin T)、9,10-二苯基蒽、9-茀酮、苯乙酮、菲、2-硝基茀、5-硝基乙烷合萘、苯醌、2-氯-4-硝基苯胺、N-乙醯基-對硝基苯胺、對硝基苯胺、N-乙醯基-4-硝基-1-萘胺、苦醯胺、蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、3-甲基-1,3-二氮雜-1,9-苯并蒽酮、二苯亞甲基丙酮、1,2-萘醌、3-醯基香豆素衍生物、3,3'-羰基-雙(5,7-二甲氧基羰基香豆素)、3-(芳醯基亞甲基)噻唑啉、伊紅(eosin)、若丹明、紅螢素(erythrosine)及蔻(coronene)。然而，適合的光譜敏化劑不限於此等實例。此等光譜敏化劑亦可用作吸收光源發射之遠紫外線的吸光劑。在此情況下，吸光劑減少來自基板之光反射且減輕抗蝕劑膜內多次反射之影響，藉此減少駐波之作用。該等敏化劑化合物之特定實例揭示於WO 06/008251第36頁第30行至第38頁第8行中，其揭示內容以引用的方式併入本文中。
其他適合之添加劑(d)為「酸增殖劑」，其為加速酸形成或增加酸濃度之化合物。該等化合物亦可與本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)組合用於正型或負型抗蝕劑中，或組合用於成像系統中以及所有塗佈應用中。該等酸增殖劑描述於例如Arimitsu,K.等人，J. Photopolym. Sci. Technol. 1995,8，第43頁；Kudo,K.等人，J. Photopolym. Sci. Technol. 1995,8，第45頁；Ichimura,K.等人，Chem: Letters 1995，第551頁中。
必要時，本發明之組合物亦可含有自由基可聚合組分，諸如烯系不飽和單體、寡聚物或聚合物。此等自由基可聚合組分可添加至組分(a)或(b)中。然而，該等自由基可固化組分亦可為(b1)、(b2)、(b3)、(a4)、(a5)或(a6)之一部分。適合物質含有至少一個烯系不飽和雙鍵且能夠進行加成聚合。該等化合物亦為組分(ax)之標的，因此，以下描述亦指組分(ax)。
適合單體之實例包括例如WO 2008/138724第34頁第25行至第38頁第19行中所述之單體。該案之揭示內容以引用的方式併入本文中。
亦可使用可同等進行自由基交聯與陽離子交聯之化合物。該等化合物含有例如乙烯基與環脂族環氧基。其實例描述於JP 2-289611-A及US 6048953中。
亦可使用兩種或兩種以上該等自由基可聚合物質之混合物。
調配物亦可包含染料及/或白色或彩色顏料作為其他添加劑(d)。視預期用途而定，可使用無機顏料與有機顏料。熟習此項技術者已知該等添加劑；其一些實例為二氧化鈦顏料(例如金紅石或銳鈦礦型)、碳黑、氧化鋅(諸如鋅白)、氧化鐵(諸如氧化鐵黃、氧化鐵紅)、鉻黃、鉻綠、鎳鈦黃、深藍(ultramarine blue)、鈷藍、釩酸鉍、鎘黃及鎘紅。有機顏料之實例為單偶氮顏料或雙偶氮顏料及其金屬錯合物、酞菁顏料、多環顏料(諸如苝、蒽醌、硫靛、喹吖啶酮及三苯甲烷顏料)、及二酮基吡咯并吡咯、異吲哚啉酮(例如四氯異吲哚啉酮)、異吲哚啉、二噁嗪、苯并咪唑酮及喹酞酮顏料。該等顏料可個別地或以混合物形式用於調配物中。視預期用途而定，將顏料以此項技術中習用之量，例如以總重量計1重量%至60重量%或10重量%至30重量%之量添加至調配物中。
調配物例如亦可包含多種類別之有機染料。其實例包括偶氮染料、次甲基染料、蒽醌染料及金屬錯合物染料。習用濃度以總重量計為例如0.1%至20%，尤其為1%至5%。
可選擇所添加之顏料、潛在顏料或染料或該等顏料及染料之不同顏色之前驅體，以便使其在由於照射而由錪鹽形成之酸存在下經歷變色。接著該等組合物藉由變色顯示其經照射且可例如用作例如紫外線輻射、電子束、X射線等的照射劑量指示劑。
在ArF浸漬式微影中，表面疏水性之控制對實現高產量及低缺陷而言為重要的。用於達成此目的之添加劑亦可作為其他添加劑(c)用於調配物中。典型實例描述於JP-A-2009-270086、JP-A-2009-282508、JP-A-2010-002870及JP-A-2010-020284中。
用於改良抗蝕劑效能(諸如解析度、圖案輪廓、製程寬容度、線邊緣粗糙度、穩定性)之其他添加劑(d)描述於JP-A-2002-122992、JP-A-2002-303986、JP-A-2002-278071、JP-A-2003-57827、JP-A-2003-140348、JP-A-2002-6495、JP-A-2002-23374、JP-A-2002-90987、JP-A-2002-91004、JP-A-2002-131913、JP-A-2002-131916、JP-A-2002-214768、JP-A-2001-318464、JP-A-2001-330947、JP-A-2003-57815、JP-A-2003-280200、JP-A-2002-287362、JP-A-2001-343750中。該等化合物亦可與本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)組合用於正型或負型抗蝕劑中。
通常，為將本發明之感光性組合物施加至基板，將組合物溶解於適當溶劑中。此等溶劑之較佳實例包括二氯乙烷、環己酮、環戊酮、2-庚酮、γ-丁內酯、甲基乙基酮、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙酸2-甲氧基乙酯、乙酸2-乙氧基乙酯、2-乙氧基乙醇、二乙二醇二甲醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、N,N-二甲基甲醯胺、二甲亞碸、N-甲基吡咯啶酮及四氫呋喃。此等溶劑可單獨使用或以混合物形式使用。溶劑之較佳實例為酯，諸如乙酸2-甲氧基乙酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯及乳酸乙酯。宜使用該等溶劑，此係因為本發明之產生式I或II之酸的化合物與該等溶劑具有良好相容性及在該等溶劑中具有較佳溶解性。
可將界面活性劑添加至溶劑中。適合界面活性劑之實例包括非離子型界面活性劑，諸如聚氧乙烯烷基醚，例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬酯基醚、聚氧乙烯乙醯基醚及聚氧乙烯油烯基醚；聚氧乙烯烷基芳基醚，例如聚氧乙烯辛基酚醚及聚氧乙烯壬基酚醚；聚氧乙烯/聚氧丙烯嵌段共聚物；脫水山梨糖醇/脂肪酸酯，例如脫水山梨糖醇單月桂酸酯、脫水山梨糖醇單棕櫚酸酯、脫水山梨糖醇單硬脂酸、脫水山梨糖醇單油酸酯、脫水山梨糖醇三油酸酯；氟化學界面活性劑，諸如F-top EF301、EF303及EF352(由New Akita Chemical Company,Japan製造)、Megafac F171及F17.3(由Dainippon Ink & Chemicals,Inc.,Japan製造)、Fluorad FC 430及FC431(由Sumitomo 3M Ltd.,Japan製造)、Asahi Guard AG710及Surflon S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105及SC106(由Asahi Grass Col,Ltd.,Japan製造)；有機矽氧烷聚合物KP341(由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.,Japan製造)；及丙烯酸系或甲基丙烯酸系(共)聚合物Poly-flow Now.75及NO.95(由Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.,Japan製造)。其他實例描述於JP-A-2001-318459、JP-A-2002-6483中。界面活性劑之添加量以每100重量份本發明組合物之固體組分計通常為2重量份或2重量份以下，理想地為0.5重量份或0.5重量份以下。該等界面活性劑可單獨添加或其兩者或兩者以上組合添加。
藉助於已知之塗佈方法，例如藉由旋塗、浸漬、刮刀塗佈、簾式傾倒技術、刷塗、噴霧及滾塗，將溶液均勻地施加於基板上。亦可將感光性層施加於臨時的可撓性支撐物上，接著藉由塗層轉印(層壓)塗佈最終基板。
所施加之量(塗層厚度)及基板(塗佈基板)之性質視所需應用領域而定。塗層厚度之範圍原則上可包括約0.01 μm至100 μm以上之值。
在塗佈操作之後，一般藉由加熱移除溶劑，從而在基板上形成光阻層。當然，乾燥溫度必須低於抗蝕劑之某些組分可能發生反應或分解之溫度。一般而言，乾燥溫度在60℃至160℃範圍內。
抗蝕劑層可視情況經保護性上塗層塗佈，該上塗層可用以保護抗蝕劑層以免接觸在浸漬式微影之情況使用之浸漬流體。
接著對抗蝕劑塗層成像照射。表述「成像照射」包括使用光化輻射以預定圖案照射，亦即經由含有預定圖案之遮罩(例如透明片、鉻遮罩或主光罩)照射與使用例如在電腦控制下在抗蝕劑表面上直接書寫且因此產生影像之雷射束或電子束照射。產生圖案之另一種方式為干擾兩個光束或影像，如例如全像應用中所用。如例如A. Bertsch;J.Y. Jezequel;J.C. Andre,Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry 1997,107第275-281頁及K. P. Nicolay,Offset Printing 1997,6，第34-37頁所述，亦可使用由液晶製成之遮罩，該等液晶可逐個像素定址以產生數位影像。
在照射及必要時熱處理之後，使用顯影劑以本身已知之方式移除組合物之照射部位(在正型抗蝕劑之情況下)或未照射部位(在負型抗蝕劑之情況下)。
為加速催化反應且因此在顯影劑中產生抗蝕劑塗層之照射區與未照射區之間的足夠溶解性差異，較佳在顯影之前加熱塗層。亦可在照射期間進行或開始加熱。較佳使用60℃至160℃之溫度。時間視加熱方法而定，且必要時，熟習此項技術者容易藉助於一些常規實驗來確定最佳時期。一般為幾秒至幾分鐘。舉例而言，當使用加熱板時，10秒至300秒之時期極適合，且當使用對流烘箱時1分鐘至30分鐘極適合。重要的是抗蝕劑上未照射部位中之本發明之潛酸供體在彼等加工條件下穩定。
接著顯影塗層，移除在照射後更易溶於顯影劑之一部分塗層。必要時，輕微攪拌工件、在顯影劑浴中輕輕刷塗塗層或噴霧顯影可加速該製程步驟。抗蝕劑技術中習用之鹼性顯影劑水溶液可例如用於顯影。該等顯影劑包含例如氫氧化鈉或氫氧化鉀、相應碳酸鹽、碳酸氫鹽、矽酸鹽或偏矽酸鹽，但較佳為無金屬鹼，諸如氨或胺(例如乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺、甲基二乙胺)、烷醇胺(例如二甲基乙醇胺、三乙醇胺)、氫氧化四級銨(例如氫氧化四甲銨或氫氧化四乙銨)。顯影劑溶液一般高達0.5 N，但通常在使用之前以適合方式稀釋。舉例而言，具有約0.1-0.3當量濃度之溶液極適合。顯影劑之選擇視可光固化表面塗料之性質而定，尤其視所用黏合劑或所得光解產物之性質而定。必要時，顯影劑水溶液亦可包含相對少量之濕潤劑及/或有機溶劑。可添加至顯影劑流體中之典型有機溶劑為例如環己酮、2-乙氧基乙醇、甲苯、丙酮、異丙醇以及兩種或兩種以上此等溶劑之混合物。典型的水性/有機顯影劑系統係基於ButylcellosolveRTM/水。
本發明之標的亦為一種光阻施加方法，其包含以下步驟：(1)　向基板施加如上所定義之組合物；(2)　在60℃與160℃之間的溫度下施加後烘烤該組合物；(3)　用波長範圍為10 nm至1500 nm之電磁輻射或用電子束進行成像照射；(4)　視情況在60℃與160℃之間的溫度下曝光後烘烤該組合物；及(5)　用溶劑或鹼性顯影劑水溶液顯影。
較佳為一種用波長在10 nm至450 nm範圍內、尤其10 nm至260 nm範圍內之單色或多色輻射進行成像照射的方法。
光阻組合物可用於所有基板上且與熟習此項技術者已知之所有曝光技術一起使用。舉例而言，可使用半導體基板，諸如矽、砷化鎵、鍺、銻化銦；此外，由諸如二氧化矽、氮化矽、氮化鈦、矽氧烷之氧化物或氮化物層覆蓋之基板；以及金屬基板及用諸如鋁、銅、鎢等金屬進行金屬塗佈之基板。基板亦可用聚合物材料塗佈，例如在塗佈光阻之前塗佈來自聚合物材料之有機抗反射塗層、絕緣層及介電塗層。
光阻層可藉由所有常見技術，諸如直接書寫(亦即用雷射束或電子束或投影微影以步進及重複模式或掃描模式)或經由遮罩藉由接觸印刷來曝光。
在投影微影之情況下，可使用寬範圍之光學條件，諸如相干、部分相干或非相干照射。此包括離軸照明技術，例如環形照明及四極照明，其中僅使輻射穿過透鏡之某些區域(不包括透鏡中心)。
用以複製圖案之遮罩可為硬遮罩或可撓性遮罩。遮罩可包括透明、半透明及不透明圖案。圖案大小亦可包括等於或低於投影光學(projection optics)之解析度限度且以某種方式置於遮罩上以在穿過遮罩之後改變照射之空中影像、強度及相調變的圖案。此包括相移遮罩及半色調相移遮罩。
光阻組合物之圖案化方法可用以產生具有任何所需幾何尺寸及形狀之圖案，例如稠密及獨立線、接觸孔、溝槽、點等。
本發明之光阻具有極佳微影特性，尤其高敏感性，及對成像輻射之高抗蝕劑透明度。
本發明組合物之可能使用領域如下：用作電子設備之光阻，諸如抗蝕刻劑、抗離子植入劑、電鍍抗蝕劑或阻焊劑；製造積體電路或薄膜電晶體抗蝕劑(TFT)；製造印刷板，諸如平版印刷板或網版印刷模板；用於模型蝕刻或用於立體微影或全像攝影技術，其用於各種應用，例如J. Photochem. Photobio.A,158,163(2003),Chem. Mater. 14,3656(2002)中所述之3D光學資訊儲存器。
本發明之組合物亦適用於製造金屬間介電層、緩衝層、半導體裝置之鈍化塗層且適用於製造光電子設備之波導。對於MEMS(微電子機械系統)應用，本發明之組合物可用作抗蝕刻劑、物質沈積之模具、及裝置本身之三維物件。相應地改變塗佈基板及加工條件。該實例描述於US 6391523中。
本發明之產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)亦可與如上所述之敏化劑化合物組合用於如例如WO 03/021358中所述之全像資料儲存(HDS)系統中。
本發明之組合物亦包括黏著劑，如例如用於在製造數位多功能光碟(DVD)中之黏接(DVD黏合)且如例如WO 99/66506、WO 99/63017、JP 11241055 A2 Heisei、JP11181391 A2 Heisei、WO 98/31765中所述，以及作為可撓性包裝之輻射可固化之層壓黏著劑(例如參見US 5328940)、光學黏著劑(例如德國專利申請案DD 225985)及壓敏黏著劑(例如US 4988741及EP 115870)。
在需要對紙、玻璃、金屬、矽、聚碳酸酯、丙烯酸酯聚合物及其他聚合物基板具有良好黏著性且在固化期間僅顯示微小收縮率之硬塗層、黏接物或光聚合之尺寸穩定三維模型(例如用於快速原型設計)的情況下，宜使用本發明之組合物。
本發明之組合物亦顯著適用作影像藉助於成像照射施加之所有類型基板的塗佈組合物，該等基板包括木材、織物、紙張、陶瓷、玻璃、塑膠(諸如聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚烯烴或乙酸纖維素)，尤其呈薄膜形式，但尤其用於塗佈金屬，諸如Ni、Fe、Zn、Mg、Co或尤其Cu及Al，以及Si、氧化矽或氮化矽。
本發明亦關於產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物)或藉由如上定義之式IIIa、IIIc或IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與至少一種包含可聚合雙鍵且可進一步包含酸不穩定基團之其他單體聚合所獲得之聚合物的用途，其係用作在酸作用下提高其於顯影劑中之溶解性之組合物中的酸供體；以及根據請求項1至4中任一請求項的產生式I或II之酸的化合物或藉由如請求項2中所定義之式IIIa或IIIb之化合物或如請求項3中所定義之式IIIc或IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與至少一種包含可聚合雙鍵且可進一步包含酸不穩定基團之其他單體聚合所獲得之聚合物的用途，其係用作在酸作用下提高於顯影劑中之溶解性之組合物中的酸供體。
本發明之標的進一步為一種使可在酸作用下交聯及/或聚合之化合物交聯及/或聚合的方法，此方法包含添加產生式I或II之酸之化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物)至上述組合物中及用波長為10-1500 nm之光成像照射或在整個區域上照射。
本發明亦關於產生式I或II之酸的化合物或藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc或IIIe之化合物(其中如C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與至少一種包含可聚合雙鍵之其他單體共聚合所獲得之共聚物的用途，其係在製備以下各物中用作感光性酸供體：經著色及未經著色之表面塗料、黏著劑、層壓黏著劑、結構黏著劑、壓敏黏著劑、印刷墨水、印刷板、凸版印刷板、平版印刷板、凹版印刷板、無加工印刷板、網版印刷模板、牙科用組合物、彩色濾光片、隔片、電致發光顯示器及液晶顯示器(LCD)、波導、光開關、彩色打樣系統、抗蝕劑、電子設備之光阻、消耗性塗料、電鍍抗蝕劑、用於液體薄膜與乾燥薄膜之抗蝕刻劑、阻焊劑、紫外線及可見雷射導向成像系統之光阻材料、在印刷電路板之連續累積層中形成介電層之光阻材料、影像記錄材料、用於記錄全像影像之影像記錄材料、光學資訊儲存器或全像資料儲存器、脫色材料、用於影像記錄材料之脫色材料、使用微膠囊之影像記錄材料、磁性記錄材料、微機械零件(MEMS)及微流裝置、電鍍遮罩、蝕刻遮罩、玻璃纖維電纜塗層、微電子電路；尤其關於產生式I或II之酸之化合物在製備以下各物中用作感光性酸供體之用途：表面塗料、印刷墨水、印刷板、牙科用組合物、彩色濾光片、抗蝕劑或影像記錄材料，或用於記錄全像影像之影像記錄材料；以及關於一種製備以下各物之製備方法：經著色及未經著色之表面塗料、黏著劑、層壓黏著劑、結構黏著劑、壓敏黏著劑、印刷墨水、印刷板、凸版印刷板、平版印刷板、凹版印刷板、無加工印刷板、網版印刷模板、牙科用組合物、彩色濾光片、隔片、電致發光顯示器及液晶顯示器(LCD)、波導、光開關、彩色打樣系統、抗蝕劑、電子設備之光阻、消耗性塗料、電鍍抗蝕劑、用於液體薄膜與乾燥薄膜之抗蝕刻劑、阻焊劑、紫外線及可見雷射導向成像系統之光阻材料、電子束抗蝕劑材料、在印刷電路板之連續累積層中形成介電層之光阻材料、影像記錄材料、用於記錄全像影像之影像記錄材料、光學資訊儲存器或全像資料儲存器、脫色材料、用於影像記錄材料之脫色材料、使用微膠囊之影像記錄材料、磁性記錄材料、微機械零件、微機械零件(MEMS)及微流裝置、電鍍遮罩、蝕刻遮罩、玻璃纖維電纜塗層、微電子電路；尤其關於一種製備以下各物之方法：表面塗料、印刷墨水、印刷板、牙科用組合物、彩色濾光片、抗蝕劑或影像記錄材料，或記錄全像影像之影像記錄材料。
本發明之標的亦為產生式I或II之酸的化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)之用途，其係在製備彩色濾光片或化學增幅型抗蝕劑材料中用作感光性酸供體；以及關於一種製備彩色濾光片或化學增幅型抗蝕劑材料之方法。
本發明進一步關於一種彩色濾光片，其係藉由在透明基板上自包含酸可交聯或酸可固化樹脂或酸溶解樹脂及至少一種顏料及/或染料提供紅色、綠色及藍色(子)像素單元及視情況選用之黑色基質且在基板表面上或在彩色濾光片層之表面上提供透明電極而製造，其中該感光性組合物包含如上定義之產生式I或II之酸的化合物或藉由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc或IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)與包含可聚合雙鍵之單體聚合所獲得之聚合物作為酸供體。
熟習此項技術者清楚用於提供色要素之適合顏料或染料，以及黑色基質及相應的適合樹脂，如例如JP-A-9-203806、JP-A-10-282650、JP-A-10-333334、JP-A-11-194494、JP-A-10-203037、JP-A-2003-5371中所示。
如以上已提及，在光可交聯組合物中，產生式I或II之酸之化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)所獲得之共聚物)充當潛在固化催化劑：當用光照射時，其釋放出催化交聯或聚合反應之酸。此外，藉由輻射釋放出之酸可例如催化適合酸敏感保護基自聚合物結構移除，或催化在聚合物主鏈中含有酸敏感基團之聚合物裂解。其他應用為例如基於例如由酸敏感保護基保護之顏料之pH值或溶解性改變的變色系統。
如例如JP Hei 4 328552-A或US 5237059中所述，當本發明之產生式I或II之酸的化合物連同在pH值改變時顏色改變之著色劑一起使用時，該化合物亦可用以產生所謂的「印出(print-out)」影像。亦可根據EP 199672使用該等變色系統監測對熱或輻射敏感之商品。
除了顏色改變外，在可溶性顏料分子之酸催化脫保護(如例如EP 648770、EP 648817及EP 742255中所述)期間顏料晶體可沈澱；當潛在顏料前驅體之顏色不同於沈澱顏料晶體之顏色時，此可用於產生如例如EP 654711中所述之彩色濾光片或印出影像及指示劑應用。
使用pH值敏感性染料或潛在顏料合併產生式I或II之酸之化合物的組合物可用作電磁輻射(諸如γ輻射、電子束、紫外光或可見光)之指示劑，或簡單用後即棄式放射性測量計。尤其對於人眼不可見之光(如紫外光或紅外光)而言，該等放射性測量計受到關注。
最終，可藉助於光誘發轉化為游離酸使難溶於鹼性顯影劑水溶液中的產生式I或II之酸之化合物可溶於顯影劑中，因而其可與適合的成膜樹脂組合用作溶解性增強劑。
可藉由酸催化交聯且因此可藉由本發明產生式I或II之酸之光潛酸化合物交聯的樹脂為例如多官能醇或含羥基之丙烯酸系及聚酯樹脂或部分水解之聚乙烯縮醛或聚乙烯醇與多官能縮醛衍生物的混合物。在某些條件下，例如縮醛官能化樹脂之酸催化自縮合亦有可能。
一般而言，適合的酸可固化樹脂為所有可藉由酸催化劑加速固化之樹脂，諸如胺基塑膠或甲階酚醛樹脂。此等樹脂為例如三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、環氧樹脂、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂及醇酸樹脂，但尤其為丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂或醇酸樹脂與三聚氰胺樹脂之混合物。亦包括經改質之表面塗佈之樹脂，諸如經丙烯酸系改質之聚酯及醇酸樹脂。表述丙烯酸系、聚酯及醇酸樹脂所涵蓋之個別類型之樹脂的實例描述於例如Wagner,Sarx,Lackkunstharze(Munich,1971)，第86-123頁及第229-238頁，或Ullmann,Encyclopdie der techn. Chemie，第4版，第15卷(1978)，第613-628頁，或Ullmann,Encyclopedia of Industrial Chemistry,Verlag Chemie,1991，第18卷，第360頁及其後各頁，第A19卷，第371頁及其後各頁中。
在塗佈應用中，表面塗料較佳包含胺基樹脂。其實例為醚化或非醚化三聚氰胺、尿素、胍或縮二脲樹脂。在包含醚化胺基樹脂(諸如甲基化或丁基化三聚氰胺樹脂(N-甲氧基甲基三聚氰胺或N-丁氧基甲基三聚氰胺)或甲基化/丁基化甘脲)之表面塗料固化中，酸催化尤其重要。其他樹脂組合物之實例為多官能醇或含羥基丙烯酸系及聚酯樹脂或部分水解之聚乙酸乙烯酯或聚乙烯醇與多官能二氫哌喃基衍生物(諸如3,4-二氫-2H-哌喃-2-甲酸之衍生物)的混合物。亦可使用酸催化使聚矽氧烷交聯。此等含有矽氧烷基之樹脂可例如藉助於酸催化水解進行自縮合，或與諸如多官能醇、含羥基之丙烯酸系或聚酯樹脂、部分水解之聚乙烯縮醛或聚乙烯醇之第二樹脂組分交聯。聚矽氧烷之此類聚縮合描述於例如J.J. Lebrun,H. Pode,Comprehensive Polymer Science，第5卷，第593頁，Pergamon Press,Oxford,1989中。適於製備表面塗料之其他陽離子可聚合物質為可藉由陽離子機制聚合之烯系不飽和化合物，諸如乙烯醚，例如甲基乙烯醚、異丁基乙烯醚、三羥甲基丙烷三乙烯醚、乙二醇二乙烯醚；環狀乙烯醚，例如3,4-二氫-2-甲醯基-2H-哌喃(二聚丙烯醛)或2-羥甲基-3,4-二氫-2H-哌喃之3,4-二氫-2H-哌喃-2-甲酸酯；乙烯酯，諸如乙酸乙烯酯及硬脂酸乙烯酯；單烯烴及二烯烴，諸如α-甲基苯乙烯、N-乙烯基吡咯啶酮或N-乙烯基咔唑。
為達成某些目的，使用具有含可聚合不飽和基團之單體或寡聚物組分之樹脂混合物。亦可使用產生式I或II之酸之化合物(包括如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物)固化該等表面塗料。在此方法中，可另外使用自由基聚合引發劑或光引發劑。前者在熱處理期間引發不飽和基團之聚合，後者在紫外線照射期間引發不飽和基團之聚合。
本發明進一步關於一種組合物，其包含(a)至少一種產生式I或II之酸的化合物作為感光性酸供體。
如上所提及，產生式I或II之酸的化合物為例如如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由任何如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1含有至少一個雙鍵，作為可聚合基團)與任何其他可聚合單體所獲得之聚合物。
(b)在酸作用下固化之化合物；或(c)在酸作用下提高溶解性的化合物。
本發明尤其關於一種組合物，其包含(a)至少一種如上定義之式Ia、IIa、IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物作為酸供體；及(b)在酸作用下固化或交聯之化合物；以及關於一種組合物，其包含至少一種如上定義之式Ia、IIa、IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物作為酸供體；及在酸作用下分解之化合物。
根據本發明，產生式I或II之酸之化合物可連同其他感光性酸供體化合物(a1)、其他光引發劑(e)、敏化劑(f)及/或添加劑(d)一起使用。
適合之感光性酸供體化合物(a1)、敏化劑(f)及添加劑(d)如上所述。
其他光引發劑(e)之實例為如例如WO2008/138724第40頁第15行至第41頁第26行中所揭示之自由基光引發劑。該案之揭示內容以引用的方式併入本文中。
組合物亦可包含熱可固化組分作為其他添加劑(d)。實例揭示於WO 2008/040648第30頁第24行至第34頁第5行中。該案之揭示內容以引用的方式併入本文中。
亦可向樹脂中添加例如光敏化劑，其改變或提高光譜敏感性以便可減少照射時期及/或可使用其他光源。光敏化劑之實例為芳族酮或芳族醛(如例如US 4017652中所述)、3-醯基-香豆素(如例如US 4366228、EP 738928、EP 022188中所述)、酮基香豆素(如例如US 5534633、EP 538997、JP 8272095-A中所述)、苯乙烯基-香豆素(如例如EP 624580中所述)、3-(芳醯基亞甲基)-噻唑啉、9-氧硫、縮合芳族化合物(諸如苝)、芳族胺(如例如US 4069954或WO 96/41237中所述)或陽離子及鹼性著色劑(如例如US 4026705中所述)(例如伊紅、若丹寧及紅螢素著色劑)，以及如例如JP 8320551-A、EP 747771、JP 7036179-A、EP 619520、JP 6161109-A、JP 6043641、JP 6035198-A、WO 93/15440、EP 568993、JP 5005005-A、JP 5027432-A、JP 5301910-A、JP 4014083-A、JP 4294148-A、EP 359431、EP 103294、US 4282309、EP 39025、EP 5274、EP 727713、EP 726497或DE 2027467中所述之染料及顏料。
視預期用途而定，其他習用添加劑為光學增亮劑、填充劑、顏料、著色劑、濕潤劑或流動改進劑及增黏劑。
產生式I或II之酸之化合物亦可用於例如混合系統中。此等系統係基於藉由兩種不同反應機制完全固化之調配物。其實例為包含能夠進行酸催化交聯反應或聚合反應之組分且亦包含藉由第二種機制交聯之其他組分的系統。第二種機制之實例為自由基完全固化、氧化交聯或濕度引發交聯。第二種固化機制可純粹地熱引發，必要時使用適合催化劑，或亦使用第二種光引發劑藉助於光引發。適合的其他光引發劑如上所述。
如例如EP 245639中所述，若組合物包含自由基可交聯組分，則亦可藉由添加在熱條件下形成自由基之組分來幫助尤其經著色(例如用二氧化鈦)之組合物之固化過程，該等組分諸如為偶氮化合物(例如2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、三氮烯、苯并噻二唑(diazosulfide)、五氮二烯(pentazadiene)或過氧化物(諸如氫過氧化物或過氧化碳酸酯，例如氫過氧化第三丁基)。添加諸如鈷鹽之氧化還原引發劑能夠藉由與來自空氣之氧氣進行氧化交聯來幫助固化。
表面塗料可藉由一種此項技術中習用之方法，例如藉由噴霧、塗刷或浸漬來施加。當使用適合的表面塗料時，亦可例如藉由陽極電泳沈積進行電施加。乾燥之後，照射表面塗料薄膜。必要時，接著藉助於熱處理使表面塗料薄膜完全固化。
本發明之產生式I或II之酸的化合物亦可用於固化由複合物製造之模型。複合物由浸有光固化調配物之自行支撐式基質材料(例如玻璃纖維織物)組成。
由EP 592139已知磺酸酯衍生物可用作酸產生劑，其在適用於玻璃、鋁及鋼表面之表面處理及清潔之組合物中可藉由光活化。在有機矽烷系統中使用該等化合物產生與使用游離酸時所獲得之組合物相比儲存穩定性顯著更佳之組合物。本發明之產生式I或II之酸的化合物亦適用於此應用。
本發明之產生式I或II之酸的化合物亦可用於成形聚合物，該等聚合物經酸誘發轉變至具有使用光微影所需之特性的狀態。舉例而言，如例如M.L. Renak;C. Bazan;D. Roitman;Advanced materials 1997,9,392中所述，產生式I或II之酸之化合物可用於圖案化發射性共軛聚合物。該等圖案化發射性聚合物可用於製造微尺度圖案化發光二極體(LED)，該等發光二極體可用於製造顯示器及資料儲存媒體。可以類似方式照射聚醯亞胺之前驅體(例如具有改變於顯影劑中之溶解性的酸不穩定保護基的聚醯亞胺前驅體)以形成圖案化聚醯亞胺層，該等聚醯亞胺層可在製造微晶片及印刷電路板中充當保護塗層、絕緣層及緩衝層。
本發明之調配物亦可用作積體電路製造中之保形塗層、可光致成像絕緣層及介電質(當其用於印刷電路板之連續累積系統中時)、應力緩衝層。
已知如例如聚苯胺之共軛聚合物可藉助於質子摻雜由半導狀態轉變為導電狀態。本發明之產生式I或II之酸的化合物亦可用於成像照射包含該等共軛聚合物之組合物以形成嵌埋於絕緣材料(非曝光區域)中之導電結構(曝光區域)。此等材料可用作製造電氣裝置及電子裝置之佈線及連接零件。
如上所提及，產生式I或II之酸之化合物為例如如上定義之式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物，以及由任何如上定義之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物(其中作為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1含有至少一個雙鍵，為可聚合基團)與任何其他可聚合單體所獲得之聚合物。
包含產生式I或II之酸之化合物的組合物之適合輻射源為發射波長約10奈米至1500奈米(例如10奈米至1000奈米或較佳10奈米至700奈米)之輻射以及電子束輻射及高能電磁輻射(諸如X射線)的輻射源。點源與平面投射器(燈毯)皆適合。實例為：碳弧燈、氙弧燈、中壓汞燈、高壓汞燈及低壓汞燈、視情況摻雜有金屬鹵化物之燈(金屬鹵化物燈)、微波激發之金屬蒸氣燈、準分子燈、超光化射線螢光管、螢光燈、氬氣白熾燈、電子閃光燈、照相用泛光燈、電子束及X射線束(藉助於同步加速器或雷射電漿產生)。根據預期用途及輻射源之類型及/或強度，輻射源與待照射之本發明基板之間的距離可在例如2 cm至150 cm範圍內。適合之輻射源為汞蒸氣燈，尤其中壓及高壓汞燈，必要時，可自該等輻射源之輻射中濾去其他波長之發射線。尤其相對短波長輻射為此情況。然而，亦可使用能夠在適當波長範圍內發射之低能燈(例如螢光管)。其實例為Philips TL03燈。可使用之另一類輻射源為發光二極體(LED)，其作為小頻帶發射源或作為寬頻帶(白光)源在整個光譜內發射不同波長。雷射輻射源尤其適合，例如準分子雷射，諸如以248 nm照射之KrF雷射、193 nm之ArF雷射或157 nm之F2雷射及EUV(遠紫外線)源。亦可使用可見光範圍及紅外線範圍內之雷射。波長為13 nm之EUV(遠紫外線)源亦適合作為光源。波長為365奈米、405奈米及436奈米之汞i線、h線及g線之輻射、波長為248 nm之KrF雷射輻射及193奈米之ArF雷射輻射及波長為13 nm之EUV輻射尤其適合。輻射曝光可視乾式或浸漬式微影而定。尤其較佳為包含經由投影透鏡來自ArF準分子雷射器之波長為193 nm之輻射的浸漬式微影，其中諸如水、甘油或乙二醇之液體作為塗佈基板與投影透鏡之間的浸漬流體。其他適合的雷射束源為例如氬離子雷射器，其發射波長為454奈米、458奈米、466奈米、472奈米、478奈米、488奈米及514奈米之輻射。亦可使用發射1064 nm之光及其二次及三次諧波(分別為532 nm及355 nm)的Nd-YAG雷射器。例如在442 nm下發射之氦/鎘雷射器或在紫外線範圍內發射之雷射器亦適合。就彼類型照射而言，並非絕對需要使用光罩與光聚合塗層接觸來產生正型或負型抗蝕劑；受控雷射束能夠在塗層上直接書寫。為達到此目的，本發明之物質極宜具有高敏感性，允許在相對低強度下高速度書寫。照射時，表面塗層之照射區中之組合物中的本發明化合物分解形成酸。
與習用之高強度輻射紫外線固化相比，本發明之化合物在相對低強度之輻射作用下實現活化。該輻射包括例如日光(陽光)及與日光等效之輻射源。陽光與紫外線固化中常用之人工輻射源的光在光譜組成及強度上有所不同。本發明化合物之吸收特徵亦適於利用陽光作為固化之天然輻射源。應瞭解，可用以活化本發明化合物之與日光等效的人工光源為低強度投射器，諸如某些螢光燈，例如Philips TL05專用螢光燈或Philips TL09專用螢光燈。具有高日光含量之燈及日光本身尤其能夠以不黏方式令人滿意地固化表面塗料層之表面。在該種情況下，昂貴的固化裝置不必要且組合物尤其可用於外部整理。用日光或與日光等效之光源固化為一種節能方法且防止外部施加中散發出揮發性有機組分。與適於平坦組分之輸送帶法相比，日光固化亦可用於靜態或固定物件及結構上之外部整理。
待固化之表面塗層可直接曝光於陽光或與日光等效之光源。然而，亦可在透明層(例如玻璃片或塑膠薄片)後進行固化。
以下實例更詳細地說明本發明。除非另有說明，否則說明書之其餘部分及申請專利範圍中之份數及百分比均以重量計。在提及具有三個以上碳原子之烷基而未提及特定異構體之情況下，在各情況下意謂正異構體。
製備實例 實例1： 1.1：2,3,3-三氟-2-丙烯-1-醇
添加6.6 g(50 mmol)2,2,3,3-四氟-1-丙醇至10 ml THF中且冰浴冷卻。向溶液中逐份添加2.0 g(50 mmol)60% NaH。在室溫(r.t.)下攪拌懸浮液2小時後，添加31 ml 1.6 M正丁基鋰之己烷溶液至反應混合物中，同時以冰鹽浴冷卻。在室溫下攪拌反應混合物隔夜，傾倒至冰水中，且用HCl酸化。用第三丁基甲基醚(TBME)萃取產物。用鹽水、水洗滌有機相，經MgSO4乾燥，且濃縮。粗產物未經進一步純化即用於下一步中。藉由1H-NMR及19F-NMR譜(CDCl3)確認結構。δ[ppm]: 4.28(d,2H),-180.6(m,1F),-120.0(m,1F),-102.6(m,1F)。
1.2：1,1,2-三氟-3-羥基丙烷-1-磺酸鈉
將亞硫酸鈉(0.80 g；6.0 mmol)與實例1.1之化合物(6.0 mmol)於水(6 mL)中之混合物在90℃下攪拌2.5小時。冷卻至室溫後，在減壓下餾出水,得到呈固體狀之1,1,2-三氟-3-羥基丙烷-1-磺酸二鈉鹽。在用酸中和後,粗產物未經進一步純化即用於下一步中。藉由1H-NMR及19F-NMR譜(DMSO-d6)確認結構呈1,1,2-三氟-3-羥基丙烷-1-磺酸鈉形式。δ[ppm]: 3.48-3.61(m,1H),4.04(dd,1H),4.69-4.92(m,1H),5.08(bs,1H),-206.0(m,1F),-120.3(d,1F),-110.9(d,1F)。
添加1.58 g(7.3 mmol)實例1.2之化合物、1.32 g(7.3 mmol)1-金剛烷甲酸及72 mg(0.73 mmol)硫酸至10 ml甲苯中，且在130℃下攪拌隔夜。向反應混合物中添加5 ml水，且用乙酸乙酯萃取有機產物。藉由旋轉蒸發器濃縮有機相，且添加5 ml水至殘餘物中並用1 N NaOH中和。添加TBME且分離，包括不必要之有機副產物。獲得呈水溶液形式之實例1.3之化合物。水溶液未經進一步純化即用於下一步中。部分濃縮溶液且藉由1H-NMR及19F-NMR譜(DMSO-d6)確認實例1.3之化合物之結構。δ[ppm]: 1.60-2.00(m,15H),4.20-4.32(m,1H),4.60(dd,1H),4.96-5.18(m,1H),-206.7(m,1F),-119.6(d,1F),-111.6(d,1F)。
向57.5 ml含有實例1.3之化合物(2.53 g：6.7 mmol)之4.4%水溶液中添加2.3 g(6.7 mmol)溴化三苯基鋶及30 ml CH2Cl2，且在室溫下攪拌反應混合物隔夜，傾倒至水中，且用CH2Cl2萃取。用水洗滌有機相，經MgSO4乾燥且濃縮。藉由矽膠急驟層析法，以CH2Cl2及甲醇(20:1)作為溶離劑來純化殘餘物，得到3.26 g(5.3 mmol；78%)呈淺黃色固體狀之實例1.4之標題化合物。藉由1H-NMR及19F-NMR譜(DMSO-d6)確認結構。δ[ppm]: 1.60-2.00(m,15H),4.20-4.32(m,1H),4.60(dd,1H),4.96-5.18(m,1H),7.74-7.90(m,15H),-206.7(m,1F),-119.6(d,1F),-111.5(d,1F)。
實例2-37：
根據實例1.1-1.4或Bull. Chem. Soc. Jpn.,1988,61,707-714中所述之方法，使用相應離析劑獲得實例2至37之化合物。中間物及產物之結構及物理資料列於表1中。
實例55：製備
將0.75 g三氟甲磺酸(4-苯基噻吩基)二苯基鋶懸浮於5 mL蒸餾水中。在周圍溫度下，添加0.65 g相應吡錠鹽於5 mL二氯甲烷中之溶液。接著在周圍溫度下攪拌乳液3小時。分離各相且用二氯甲烷洗滌水相2次。合併之有機相經硫酸鈉乾燥，過濾且濃縮至約3 mL。標題化合物自第三丁基甲基醚中結晶且以無色固體狀獲得(1.06 g)。如上表1中所指示，藉由1H-NMR進一步確認結構。
實例56：製備
使用實例55之製備方法，其中用0.75 g三氟甲磺酸(4-氟苯基)二苯基鋶替換三氟甲磺酸(4-苯基噻吩基)二苯基鋶。獲得呈無色固體狀之標題化合物(0.93 g)。如上表1中所指示，藉由1H-NMR進一步確認結構。
實例57：製備
遵循實例55之製備方法，其中用0.75 g三氟甲磺酸1-萘基二苯基鋶替換三氟甲磺酸(4-苯基噻吩基)二苯基鋶。獲得呈微黃色固體狀之標題化合物(1.10 g)。如上表1中所指示，藉由1H-NMR進一步確認結構。
應 用實例 實例A1：
用VUVES 4500(ArF雷射器)(Litho Tech Japan)作為曝光工具，量測ArF模型抗蝕劑調配物中之感光性。正色調抗蝕劑利用數量平均分子量為7600之γ-丁內酯甲基丙烯酸酯與2-甲基金剛烷基甲基丙烯酸酯之共聚物(54/46 mol-%，Mitsubishi Rayon Co.,Ltd)。至於溶劑，採用得自Tokyo Kasei Kogyo Co. LTD.之丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)。調配物之確切組成及光酸產生劑(PAG)之量描述於表2中。
抗蝕劑調配物以120 nm厚度旋塗於矽晶圓上，預先在該矽晶圓上施加80 nm厚度之得自Brewer Science之ARC29A的底部抗反射塗層且在120℃下預烘烤1分鐘。用各種曝光劑量曝光後，在120℃下施加曝光後烘烤1分鐘，接著抗蝕劑在得自Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd.之NMD-3顯影劑(其為2.38%氫氧化四甲基銨水溶液)中顯影1分鐘。
作為感光性之量度，測定「最小露光量(Dose to Clear)」(E0)，其為在1分鐘顯影下剛好足夠完全移除抗蝕劑膜之劑量。所需劑量愈小，抗蝕劑調配物愈敏感。結果收集於表3中，且證明本發明之組合物適於製備正色調抗蝕劑。
實 例A2：
為測定自PAG產生之酸的移動率，在此情況下利用Proc. of SPIE第6923卷692317(2008)中所述之雙層方法。雙層形成兩個膜之堆疊層狀結構，其由矽晶圓上含有PAG之上層及無PAG之下層組成，兩層之間無互混。僅在上層膜中，酸經由光分解過程均勻分佈。
除不使用PAG以外，藉由與實例1中所述相同之材料及程序，製備無PAG膜作為4吋矽晶圓上之下層，厚度為120 nm。同時，將實例1中所述之抗蝕劑調配物塗佈在實體支撐在矽晶圓上之聚(二甲基矽氧烷)基板上，且在與下層相同之條件下預烘烤，形成上層。
在120℃下，將製備在聚(二甲基矽氧烷)基板上之含PAG上層面對面壓印至聚矽氧晶圓上之無PAG下層膜上，歷時1分鐘。堆疊冷卻至室溫(約23℃)後，移除PDMS[聚(二甲基矽氧烷)]基板。接著藉由Canon PLA521-FA曝光雙層3分鐘，以光化學方式分解上層中之所有PAG且產生酸，在110℃下進行曝光後烘烤1分鐘，且如實例A1中所述顯影。測定此過程後之厚度損耗，用TPS nf(九氟丁烷磺酸三苯基鋶)之資料校正，且用作酸移動率之量度。數值愈小，意味照射後產生之酸的擴散長度愈小，即酸移動率愈低，從而可在抗蝕劑應用中產生高解析度。表4中收集之結果證實，本發明之組合物在酸移動率方面適於ArF光阻。
實例A3：
為測定本發明之光酸產生劑化合物之溶解性，在攪拌下，向所稱之量之待測試化合物中添加環己酮作為溶劑。測定完全溶解光酸產生劑化合物所需之環己酮之量。溶劑量愈低，所測試化合物之溶解性愈佳。結果收集於表5中。

Claims (15)

  1. 一種產生式I或II之酸的化合物， X為CH2或CO；Y為O、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4、O(CO)NR4(CO)、OSO2、O(CS)或O(CS)NR4；其中對於該等基團之每一者，氧原子均直接結合於X；或為NR4、S、NR4(CO)O、NR4(CS)O，其中N原子或S原子直接結合於X；R 1 為氫、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)、NR14(CO)、視情況經取代之伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基或伸雜芳基中之一或多個之C2-C18烯基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R1為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基；或R1為NR12R13；或R1為可含有一或多個雜原子之類固醇結構之單價C17-C50烴基；其中該C3-C30環烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基係未經取代或經取代；R 2 及R 3 各自獨立地為C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、C1-C18伸烷基、C1-C10伸鹵烷基、C2-C12伸烯基、C4-C30伸環烯基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18伸烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30伸環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30伸環烯基；或R2及R3各自獨立地為伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基或伸雜芳基；其中該C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、C1-C18伸烷基、C1-C10伸鹵烷基、C2-C12伸烯基、C4-C30伸環烯基、摻雜C2-C18伸烷基、摻雜C3-C30伸環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、摻雜C4-C30伸環烯基、伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸聯苯基或伸雜芳基係未經取代或經取代；或R2及R3各自獨立地為直接鍵，其限制條件為R2及R3不同時為直接鍵；R 4 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R4為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基；其中該C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基係未經取代或經取代；或R1與R4連同R4所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 12 及R 13 各自獨立地為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R12及R13各自獨立地為Ar、(CO)R15、(CO)OR15或SO2R15；其中該C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C36環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基或Ar係未經取代或經取代；或R12與R13連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 14 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、CO或O(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R14為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基；其中該C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、雜芳基、C1-C18烷醯基、苯甲醯基、C2-C18烷氧羰基、苯氧羰基、C1-C18烷基磺醯基或苯基磺醯基係未經取代或經取代；R 15 為氫、Ar、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；其中該Ar、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基或摻雜C4-C30環烯基係未經取代或經取代；且Ar為苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基，其中該苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基係未經取代或經取代。
  2. 如請求項1之產生式I或II之酸的化合物，其具有式IIIa、IIIb、IVa或IVb 其中R 21 、R 22 及R 23 各自獨立地為Ar1、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；其中該C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基或C4-C30環烯基係未經取代或經一或多個Z取代；或R21與R22視情況連同直接鍵、O、S、NR14或(CO)一起形成稠環系統；或R21與R22視情況連同直接鍵、C1-C6伸烷基、O、S、NR14或(CO)一起形成5、6或7員環；其中所有R21、R22及R23均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；Z為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或為經NR14(CO)OR11或NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；或為鹵素、NO2、CN、Ar、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15；R 24 及R 25 各自獨立地為Ar1；或R24與R25視情況連同直接鍵、O、S、NR14或(CO)一起形成稠環；或R24與R25視情況連同C1-C2伸烷基、O、S、NR14或(CO)一起形成5、6或7員環；其中所有R24及R25均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；Ar為苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基，其中該苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基係未經取代或經一或多個Z2取代；Ar 1 為苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基，其中該苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基係未經取代或經一或多個Z取代，或經取代；該等基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或-OSO2R15視情況經由該等基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15與該苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基環上之其他取代基一起或與該苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基或雜芳基環之一個碳原子一起形成5、6或7員環；Z 2 為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或為經NR14(CO)OR11或NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；或為鹵素、NO2、CN、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15、OSO2R15、苯基、聯苯基、茀基、萘基、蒽基、菲基及/或雜芳基；該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之該等基團Z2為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由該等基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之其他取代基一起或與該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；a為0或1； R 11 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基，或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R11為Ar、(CO)R15、(CO)OR15、(CO)NR12R13或SO2R15；其中該C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C13烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基或摻雜C4-C30環烯基係未經取代或經一或多個Z1取代；Z 1 為Ar、OH、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、苯基-C1-C3烷基、C3-C30環烷基、鹵素、NO2、CN、C1-C18烷氧基、苯氧基、苯氧羰基、苯硫基、苯硫基羰基、NR12R13、C1-C12烷基硫基、C2-C18烷氧羰基、C2-C10鹵烷醯基、鹵苯甲醯基、C1-C18烷基磺醯基、苯基磺醯基、(4-甲基苯基)磺醯基、C1-C18烷基磺醯氧基、苯基磺醯氧基、(4-甲基苯基)磺醯氧基、C1-C18烷醯基、C1-C18烷醯氧基、苯甲醯基及/或苯甲醯氧基；且R 1 、R 2 、R 3 、X、Y、R 12 、R 13 、R 14 及R 15 如請求項1中所定義。
  3. 如請求項1之產生式I或II之酸的化合物，其具有式IIIc、IIId、IIIe、IVc或IVe A為C1-C10鹵烷基、CN、(CO)OR11或SO2R15；Ar 2 為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或Ar2為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基；其中該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基係未經取代或經一或多個Z取代；該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之該等基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由該等基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之其他取代基一起或與該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；其中所有Ar2均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；Ar' 2 為C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、C1-C18伸烷基、C1-C10伸鹵烷基、C2-C12伸烯基、C4-C30伸環烯基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18伸烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30伸環烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基；或為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30伸環烯基；或Ar'2為直接鍵、伸苯基、伸萘基、、、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或 其中該伸苯基、伸萘基、、、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或係未經取代或經一或多個Z取代；該伸苯基、伸萘基、、、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或上之該等基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由該等基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與該伸苯基、伸萘基、、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或上之其他取代基一起或與該伸苯基、伸萘基、、二伸苯基、伸雜芳基、氧基二伸苯基或之一個碳原子一起形成5、6或7員環；其中所有Ar'2除直接鍵外均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；或Ar'2為基團-Ar"2-A1-Y1-A1-Ar"2-；Ar" 2 為伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基，其中該伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基係未經取代或經一或多個Z取代；該伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基上之該等基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由該等基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與該伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基上之其他取代基一起或與該伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基或伸雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；其中所有基團Ar"2均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；A 1 為直接鍵、O、S、NR14、CO、O(CO)、S(CO)、NR14(CO)、SO、SO2或OSO2；或A1為未經取代或經一或多個C1-C4鹵烷基、鹵素、OR11及/或SR14取代之C1-C18伸烷基，或為未經取代或經一或多個C1-C12烷基、C1-C4鹵烷基、鹵素、OR11及/或SR14取代之伸苯基；Y 1 為未經取代或經一或多個OR11、SR14、鹵素或苯基取代之C1-C18伸烷基；或Y1為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)、S(CO)、NR14(CO)、SO、SO2或OSO2中之一或多個之C2-C18伸烷基，且其中該摻雜C2-C18伸烷基係未經取代或經一或多個OR11、SR14、鹵素或苯基取代；R 26 及R 27 各自獨立地為C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C2-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；或各自獨立地為雜有O、S、NR14、CO、O(CO)或NR14(CO)中之一或多個之C4-C30環烯基；或R26及R27各自獨立地為苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基；其中該C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C1-C10鹵烷基、C2-C12烯基、C4-C30環烯基、苯基-C1-C3烷基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基、摻雜C4-C30環烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基係未經取代或經一或多個Z取代；或R26及R27一起為1,2-伸苯基或1,2-或2,3-或1,8-伸萘基，或R26與R27視情況連同直接鍵、C1-C4伸烷基、C3-C30伸環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18伸烷基、C1-C4伸鹵烷基、C2-C4伸烯基、C4-C30伸環烯基、O、S、NR14、(CO)一起形成5、6或7員環；該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之該等基團Z為C1-C18烷基、C2-C12烯基、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及/或OSO2R15，視情況經由該等基團C1-C18烷基、C2-C12烯基、R11、R12、R13、R14及/或R15，與該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基上之其他取代基一起或與該苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基或雜芳基之一個碳原子一起形成5、6或7員環；其中所有R26及R27均視情況另外經具有在酸作用下裂解之-O-C-鍵或-O-Si-鍵之基團取代；且R 1 、R 2 、R 3 、X、Y、R 11 、R 12 、R 13 、R 14 及R 15 如請求項1中所定義且Z如請求項2中所定義。
  4. 如請求項1至3中任一項之產生式I或II之酸的化合物，其中X為CH2；Y為O、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4、O(CO)NR4(CO)、OSO2或O(CS)NR4；其中對於該等基團之每一者，氧原子均直接結合於X；R 1 為氫、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、C1-C18烷基、C2-C12烯基或C4-C30環烯基；或為雜有一或多個O之C2-C18烷基；或為雜有一或多個O之C2-C18烯基；或為雜有一或多個O、CO、O(CO)或NR14(CO)之C3-C30環烷基；或R1為NR12R13；或為雜有一或多個O、CO或O(CO)之C3-C30環烷基-C1-C18烷基；其中該C1-C18烷基、C3-C30環烷基、C4-C30環烯基、摻雜C2-C18烷基、摻雜C3-C30環烷基、摻雜C3-C30環烷基-C1-C18烷基係未經取代或經一或多個Z取代；Z為C1-C18烷基、C3-C30環烷基、C3-C30環烷基-C1-C18烷基、鹵素、(CO)OR11、O(CO)R11、OR11、SR14或NR14(CO)OR11，或為經NR14(CO)OR11或NR14(CO)NR12R13中之一或多個取代之C5-C30環烷基-C1-C4烷基；R 2 及R 3 各自獨立地為C3-C30伸環烷基或C1-C18伸烷基；R 4 為氫；R 11 為氫、C1-C18烷基或Ar；R 12 及R 13 各自獨立地為氫、C3-C30環烷基或C1-C18烷基；或R12及R13各自獨立地為(CO)R15或SO2R15；或R12與R13連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14或CO之5、6或7員環；R 14 為氫、C1-C18烷基、C1-C18烷醯基、C1-C18烷基磺醯基、苯基、苯基磺醯基，其中該苯基或C1-C18烷基磺醯基係未經取代或經一或多個Z1取代；R 15 為氫或Ar；A r為未經取代或經一或多個Z2取代之苯基；Z 2 為C1-C18烷基或(CO)R15；且Z 1 為Ar。
  5. 一種式Ia或IIa之化合物， Q+為質子、鋰、鈉、鉀、銫、鎂、鈣、具有一或多個氮原子且帶正電荷之未經取代或經一或多個(NR28R29R30R31)+取代之雜芳基；R 28 、R 29 、R 30 及R 31 彼此獨立地具有如請求項1中所定義的R12及R13之含義之一；或R28、R29、R30連同其所連接之氮原子一起形成視情況雜有一或多個O、NR14、CO及/或視情況在橋頭雜有CR15或N的多環；且X、Y、R 1 、R 2 及R 3 、R 14 及R 15 如請求項1中所定義。
  6. 一種化學增幅型正型抗蝕劑組合物，其包含至少一種如請求項1至4中任一項之產生式I或II之酸的化合物作為輻射敏感酸供體(a)；及不溶或基本上不溶於顯影劑中且在酸作用下變得可溶之化合物(c)。
  7. 一種化學增幅型抗蝕劑組合物，其包含藉由如請求項2所定義之式IIIa或IIIb之化合物或如請求項3所定義之式IIIc或IIIe之化合物(其中為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)視情況與包含可聚合雙鍵之其他單體聚合所獲得之聚合物作為輻射敏感酸供體。
  8. 如請求項6或7之化學增幅型正型抗蝕劑組合物，其另外包含其他添加劑(d)。
  9. 一種如請求項2所定義之式IIIa及IIIb之化合物或如請求項3所定義之式IIIc及IIIe之化合物(其中為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)的用途，其係用於藉由該等包含可聚合基團之式IIIa、IIIb、IIIc及IIIe之化合物視情況與包含可聚合雙鍵之其他單體聚合來製備聚合物。
  10. 一種化學增幅型負型抗蝕劑組合物，其包含至少一種如請求項1至4中任一項之產生式I或II之酸的化合物作為感光性酸供體(a)；及在酸作用下交聯或聚合之化合物(b)，其中該經塗佈及乾燥之抗蝕劑組合物可溶於顯影劑且在酸作用下變得不溶或基本上不溶。
  11. 一種光阻施加方法，其包含以下步驟：(1)將如請求項6至10中任一項之組合物施加於基板；(2)在60℃與160℃之間的溫度下施加後烘烤該組合物；(3)用波長範圍為10 nm至1500 nm之電磁輻射或用電子束成像照射；(4)視情況在60℃與160℃之間的溫度下曝光後烘烤該組合物；及(5)用溶劑或鹼性顯影劑水溶液顯影之。
  12. 一種組合物，其包含(a)至少一種如請求項2、3或5之式Ia、IIa、IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物作為酸供體；及(b)在酸作用下固化或交聯之化合物。
  13. 一種組合物，其包含至少一種如請求項2、3或5之式Ia、IIa、IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及IVe之化合物作為酸供體；及在酸作用下分解之化合物。
  14. 一種如請求項1至4中任一項之產生式I或II之酸的化合物或藉由如請求項2所定義之式IIIa或IIIb之化合物或如請求項3所定義之式IIIc或IIIe之化合物(其中為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)視情況與包含可聚合雙鍵之其他單體聚合所獲得之聚合物的用途，其係用作可在酸作用下交聯或固化之組合物中的酸供體。
  15. 一種如請求項1至4中任一項之產生式I或II之酸的化合物或藉由如請求項2所定義之式IIIa或IIIb之化合物或如請求項3所定義之式IIIc或IIIe之化合物(其中為C2-C12烯基或摻雜C2-C18烯基之R1為含有至少一個雙鍵之可聚合基團)視情況與包含可聚合雙鍵且可進一步包含酸不穩定基團之其他單體聚合所獲得之聚合物的用途，其係用作在酸作用下於顯影劑中之溶解性提高之組合物中的酸供體。
TW100106050A 2010-02-24 2011-02-23 潛酸及其用途 TWI523835B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10154465 2010-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201139351A TW201139351A (en) 2011-11-16
TWI523835B true TWI523835B (zh) 2016-03-01

Family

ID=42289764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100106050A TWI523835B (zh) 2010-02-24 2011-02-23 潛酸及其用途

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP2539316B1 (zh)
JP (1) JP5850863B2 (zh)
KR (1) KR101813298B1 (zh)
CN (1) CN102781911B (zh)
TW (1) TWI523835B (zh)
WO (1) WO2011104127A1 (zh)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5879696B2 (ja) * 2010-03-03 2016-03-08 住友化学株式会社 塩及びレジスト組成物
JP5756672B2 (ja) * 2010-04-27 2015-07-29 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
WO2012018097A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP5557657B2 (ja) 2010-09-02 2014-07-23 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤
JP5743593B2 (ja) * 2011-02-18 2015-07-01 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
JP5934536B2 (ja) * 2011-04-07 2016-06-15 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2012242813A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
EP2527918A2 (en) * 2011-05-27 2012-11-28 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresist composition
JP6135058B2 (ja) * 2011-07-25 2017-05-31 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5802510B2 (ja) * 2011-09-30 2015-10-28 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法
JP5732364B2 (ja) * 2011-09-30 2015-06-10 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP2013079232A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
TWI477483B (zh) * 2011-10-17 2015-03-21 Jsr Corp Sense of radiation linear resin composition
JP5588954B2 (ja) * 2011-11-29 2014-09-10 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP5745391B2 (ja) * 2011-12-05 2015-07-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP5816543B2 (ja) 2011-12-27 2015-11-18 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP6079217B2 (ja) * 2011-12-28 2017-02-15 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び酸発生剤
JP6013218B2 (ja) * 2012-02-28 2016-10-25 信越化学工業株式会社 酸発生剤、化学増幅型レジスト材料、及びパターン形成方法
JP6038284B2 (ja) * 2012-04-19 2016-12-07 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ スルホニウム化合物、それらの製造および使用
JP5960027B2 (ja) * 2012-08-31 2016-08-02 セントラル硝子株式会社 含フッ素酸増幅剤の保存方法
WO2014046097A1 (ja) * 2012-09-21 2014-03-27 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び酸発生剤
JP6306852B2 (ja) * 2012-11-09 2018-04-04 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
KR101507827B1 (ko) * 2012-11-19 2015-04-06 금호석유화학 주식회사 광산발생제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
JP6343467B2 (ja) * 2013-03-27 2018-06-13 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
JP6287439B2 (ja) * 2013-04-18 2018-03-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2014222338A (ja) * 2013-05-14 2014-11-27 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
KR101432446B1 (ko) * 2013-06-13 2014-08-20 삼성전기주식회사 포토레지스트 현상용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 현상방법
JP6311254B2 (ja) * 2013-09-24 2018-04-18 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6398159B2 (ja) * 2013-09-24 2018-10-03 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6472097B2 (ja) * 2014-12-05 2019-02-20 東洋合成工業株式会社 スルホン酸誘導体、それを用いた光酸発生剤、レジスト組成物及びデバイスの製造方法
WO2016142507A1 (en) * 2015-03-12 2016-09-15 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Compositions and methods that promote charge complexing copper protection during low pka driven polymer stripping
JP6530957B2 (ja) * 2015-05-08 2019-06-12 東洋合成工業株式会社 レジスト組成物、スルホン酸誘導体、該スルホン酸誘導体の製造方法及びデバイスの製造方法
JP6991792B2 (ja) * 2016-09-02 2022-02-03 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
KR102228070B1 (ko) 2017-11-01 2021-03-12 주식회사 엘지화학 화학 증폭형 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 필름
JP7224971B2 (ja) * 2018-03-08 2023-02-20 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7224970B2 (ja) * 2018-03-08 2023-02-20 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7345544B2 (ja) * 2018-10-09 2023-09-15 常州強力先端電子材料有限公司 トリフェニルスルホニウム塩化合物及びその使用
WO2020076122A1 (ko) * 2018-10-11 2020-04-16 주식회사 엘지화학 화합물, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물, 이를 포함하는 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴의 제조 방법
US11834419B2 (en) 2018-10-11 2023-12-05 Lg Chem, Ltd. Compound, photoresist composition comprising same, photoresist pattern comprising same, and method for manufacturing photoresist pattern
JP7028136B2 (ja) * 2018-10-24 2022-03-02 信越化学工業株式会社 新規オニウム塩、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法
JP7056524B2 (ja) 2018-11-15 2022-04-19 信越化学工業株式会社 新規塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法
JP7441642B2 (ja) * 2019-01-04 2024-03-01 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US20210108065A1 (en) * 2019-10-15 2021-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Polymers and photoresist compositions
TW202346263A (zh) * 2022-05-23 2023-12-01 日商Jsr 股份有限公司 感放射線性樹脂組成物及圖案形成方法

Family Cites Families (281)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3018262A (en) 1957-05-01 1962-01-23 Shell Oil Co Curing polyepoxides with certain metal salts of inorganic acids
NL259330A (zh) 1959-12-24
DE2027467C3 (de) 1970-06-04 1974-08-15 Kalle Ag, 6202 Wiesbaden-Biebrich Photopolymerisierbare Kopiermasse
US4017652A (en) 1974-10-23 1977-04-12 Ppg Industries, Inc. Photocatalyst system and ultraviolet light curable coating compositions containing the same
US4026705A (en) 1975-05-02 1977-05-31 General Electric Company Photocurable compositions and methods
US4069954A (en) 1976-08-12 1978-01-24 Rauch Frank E Golfer's wrist band for carrying tees and ball position markers
US4162162A (en) 1978-05-08 1979-07-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Derivatives of aryl ketones and p-dialkyl-aminoarylaldehydes as visible sensitizers of photopolymerizable compositions
US4282309A (en) 1979-01-24 1981-08-04 Agfa-Gevaert, N.V. Photosensitive composition containing an ethylenically unsaturated compound, initiator and sensitizer
EP0022188B1 (en) 1979-06-18 1984-10-03 EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) Co-initiator compositions for photopolymerization containing 3-acyl-substituted coumarins, photopolymerizable composition and photographic element
US4299938A (en) 1979-06-19 1981-11-10 Ciba-Geigy Corporation Photopolymerizable and thermally polymerizable compositions
US4339567A (en) 1980-03-07 1982-07-13 Ciba-Geigy Corporation Photopolymerization by means of sulphoxonium salts
DE3162597D1 (en) 1980-04-21 1984-04-19 Du Pont Derivatives of aryl ketones as sensitizers of photopolymerizable compounds for the visible spectral range, and photopolymerizable compositions comprising the said sensitizers
US4366228A (en) 1980-09-05 1982-12-28 Eastman Kodak Company Photopolymerizable compositions featuring novel co-initiators
US4454218A (en) 1982-09-13 1984-06-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company N-Alkylindolylidene and N-alkylbenzo-thiazolylidene alkanones as sensitizers for photopolymer compositions
CA1243147A (en) 1983-02-07 1988-10-11 Union Carbide Corporation Photocopolymerizable compositions based on epoxy and hydroxyl containing organic materials and substituted cycloaliphatic monoepoxide reactive diluents
CA1243146A (en) 1983-02-07 1988-10-11 Joseph V. Koleske Photocopolymerizable compositions based on hydroxyl- containing organic materials and substituted cycloaliphatic monoepoxide reactive diluents
DD225985A1 (de) 1983-05-18 1985-08-14 Univ Schiller Jena Lichthaertbare esterether-optikklebstoffe
DE3660255D1 (en) 1985-04-12 1988-07-07 Ciba Geigy Ag Oxime sulphonates containing reactive groups
US4882245A (en) 1985-10-28 1989-11-21 International Business Machines Corporation Photoresist composition and printed circuit boards and packages made therewith
DE3612442A1 (de) 1986-04-12 1987-10-22 Bayer Ag Verfahren zur herstellung von uv-gehaerteten deckend pigmentierten beschichtungen
JPS6336240A (ja) 1986-07-28 1988-02-16 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン レジスト構造の作成方法
DE3721741A1 (de) 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
DE3725741A1 (de) 1987-08-04 1989-02-16 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3730785A1 (de) 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3817012A1 (de) 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern
JPH0225850A (ja) 1988-07-15 1990-01-29 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法
EP0359431B1 (en) 1988-09-07 1993-12-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Halomethyl-1,3,5-triazines containing a sensitizer moiety
KR900005232A (ko) 1988-09-29 1990-04-13 존 에이 페니 음화 상 생성방법.
US5026624A (en) 1989-03-03 1991-06-25 International Business Machines Corporation Composition for photo imaging
JP2873482B2 (ja) 1989-02-09 1999-03-24 関西ペイント株式会社 光架橋性樹脂組成物
JPH0643641B2 (ja) 1989-08-10 1994-06-08 鐘紡株式会社 無塵衣
US4988741A (en) 1989-11-27 1991-01-29 General Electric Company Controlled release compositions and use
JPH03223860A (ja) 1990-01-30 1991-10-02 Wako Pure Chem Ind Ltd 新規レジスト材料
JP2844839B2 (ja) 1990-05-08 1999-01-13 富士通株式会社 ホログラム記録材料とホログラム製造方法
JP3008594B2 (ja) 1990-08-31 2000-02-14 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
US5225316A (en) 1990-11-26 1993-07-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company An imagable article comprising a photosensitive composition comprising a polymer having acid labile pendant groups
JPH04295458A (ja) 1991-03-22 1992-10-20 Fuji Photo Film Co Ltd 光照射により酸を発生する化合物
JPH04294148A (ja) 1991-03-25 1992-10-19 Canon Inc 液体噴射記録ヘッド
JPH06161109A (ja) 1991-03-25 1994-06-07 Canon Inc 光重合性組成物
JPH04328552A (ja) 1991-04-26 1992-11-17 Konica Corp 感光性組成物
JP2988756B2 (ja) 1991-04-26 1999-12-13 協和醗酵工業株式会社 光重合開始剤およびこれを含有する光重合性組成物
JP3030672B2 (ja) 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
JPH0527432A (ja) 1991-07-08 1993-02-05 Canon Inc 光重合性組成物
DE4125260A1 (de) 1991-07-31 1993-02-04 Hoechst Ag Oligomere verbindungen mit saeurelabilen schutzgruppen und damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE4125258A1 (de) 1991-07-31 1993-02-04 Hoechst Ag Verbindungen mit saeurelabilen schutzgruppen und damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
JPH0545869A (ja) 1991-08-19 1993-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
US5415976A (en) 1991-10-25 1995-05-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Aminoketone sensitizers for photopolymer compositions
EP0538997B1 (en) 1991-10-25 1998-07-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Aminoketone sensitizers for aqueous soluble photopolymer compositions
JPH05158233A (ja) 1991-12-04 1993-06-25 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
DE69218393T2 (de) 1991-12-16 1997-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resistmaterial
FR2686607B1 (fr) 1992-01-24 1995-03-17 Celliose Lobo Entreprise Systeme photosensible sous irradiation visible et ultra-violette pour compositions filmogenes pigmentees photoreticulables.
JPH05213855A (ja) * 1992-01-31 1993-08-24 Mitsubishi Kasei Corp フルオロアルキルスルホン酸基を有する化合物及びその製造方法
DE4202845A1 (de) 1992-01-31 1993-08-05 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
JPH05297583A (ja) 1992-04-23 1993-11-12 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05257275A (ja) 1992-03-11 1993-10-08 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05297581A (ja) 1992-04-22 1993-11-12 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JP2761823B2 (ja) 1992-04-27 1998-06-04 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05303197A (ja) 1992-04-27 1993-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JP3399974B2 (ja) 1992-04-28 2003-04-28 日立化成工業株式会社 新規な光開始剤、光開始剤系及びこれを用いた光重合性組成物
EP0568993B1 (en) 1992-05-06 1998-08-12 Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd. Chemical amplification resist composition
JPH05341510A (ja) 1992-06-11 1993-12-24 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
DE4222968A1 (de) 1992-07-13 1994-01-20 Hoechst Ag Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
US5328940A (en) 1992-07-20 1994-07-12 Lord Corporation Radiation-curable compositions containing hydroxy-terminated polyurethanes and an epoxy compound
JPH0635198A (ja) 1992-07-21 1994-02-10 Mitsubishi Kasei Corp 光重合性組成物
JP3028161B2 (ja) 1992-08-28 2000-04-04 太陽化学株式会社 卵殻膜を配合した塗料
GB9220986D0 (en) 1992-10-06 1992-11-18 Ciba Geigy Ag Chemical composition
EP0605089B1 (en) 1992-11-03 1999-01-07 International Business Machines Corporation Photoresist composition
US5372912A (en) 1992-12-31 1994-12-13 International Business Machines Corporation Radiation-sensitive resist composition and process for its use
KR100355254B1 (en) 1993-02-15 2003-03-31 Clariant Finance Bvi Ltd Positive type radiation-sensitive mixture
DE4306069A1 (de) 1993-03-01 1994-09-08 Basf Ag Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen mit verbessertem Kontrast
DE4408318C2 (de) 1993-03-12 1999-09-09 Toshiba Kk Positiv arbeitende Lichtempfindliche Zusammensetzung
EP0619520B1 (en) 1993-04-09 1996-01-31 Mitsubishi Chemical Corporation Photopolymerizable composition
JP3084677B2 (ja) 1993-05-11 2000-09-04 キヤノン株式会社 スチリルクマリン化合物、光増感剤、感光性樹脂組成物、ホログラム記録媒体
JPH0736179A (ja) 1993-07-19 1995-02-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型感光性樹脂組成物
JP3412199B2 (ja) 1993-09-01 2003-06-03 東洋インキ製造株式会社 重合性組成物およびその硬化物の製造方法
EP0648770B1 (de) 1993-10-13 2000-05-17 Ciba SC Holding AG Pyrrolo[3,4-c]pyrrole
EP0648817B1 (de) 1993-10-13 1999-11-10 Ciba SC Holding AG Neue Fluoreszenzfarbstoffe
EP0654711B1 (en) 1993-11-22 1999-06-02 Ciba SC Holding AG Compositions for making structured color images and application thereof
JP3116751B2 (ja) 1993-12-03 2000-12-11 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3203995B2 (ja) 1993-12-24 2001-09-04 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3573358B2 (ja) 1994-02-25 2004-10-06 クラリアント インターナショナル リミテッド 放射線感応性組成物
US5663035A (en) 1994-04-13 1997-09-02 Hoechst Japan Limited Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound
TW394861B (en) 1994-04-25 2000-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition
US5558971A (en) 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material
JP3549592B2 (ja) 1994-11-02 2004-08-04 クラリアント インターナショナル リミテッド 放射線感応性組成物
JP3400586B2 (ja) 1995-02-10 2003-04-28 富士写真フイルム株式会社 光重合性組成物
US5593812A (en) 1995-02-17 1997-01-14 International Business Machines Corporation Photoresist having increased sensitivity and use thereof
US5554664A (en) 1995-03-06 1996-09-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-activatable salts with fluorocarbon anions
JP3589360B2 (ja) 1995-03-22 2004-11-17 富士写真フイルム株式会社 感光性印刷版
JP2937800B2 (ja) 1995-03-29 1999-08-23 日華化学株式会社 ソルダーフォトレジストインキ用組成物
US5744511A (en) 1995-04-19 1998-04-28 Tokuyama Corporation Visible ray polymerization initiator and visible ray polymerizable composition
US5700624A (en) 1995-05-09 1997-12-23 Shipley Company, L.L.C. Positive acid catalyzed resists having an alkali soluble resin with acid labile groups and inert blocking groups
EP0742255B1 (en) 1995-05-12 2004-04-14 Ciba SC Holding AG Colouration of high molecular weight organic materials in the mass with soluble phthalocyanine precursors
US5609989A (en) 1995-06-06 1997-03-11 International Business Machines, Corporation Acid scavengers for use in chemically amplified photoresists
WO1996041237A1 (en) 1995-06-07 1996-12-19 E.I. Du Pont De Nemours And Company Sensitizers and photoacid precursors
JP3441246B2 (ja) 1995-06-07 2003-08-25 富士写真フイルム株式会社 光重合性組成物
DE19533607A1 (de) 1995-09-11 1997-03-13 Basf Ag Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
DE19533608A1 (de) 1995-09-11 1997-03-13 Basf Ag Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
JP3456808B2 (ja) 1995-09-29 2003-10-14 東京応化工業株式会社 ホトレジスト組成物
ATE244904T1 (de) 1995-12-21 2003-07-15 Wako Pure Chem Ind Ltd Polymerzusammensetzung und rezistmaterial
US5731364A (en) 1996-01-24 1998-03-24 Shipley Company, L.L.C. Photoimageable compositions comprising multiple arylsulfonium photoactive compounds
JPH09203806A (ja) 1996-01-29 1997-08-05 Mitsubishi Chem Corp カラーフィルター用ネガ型感光性組成物
JP3587325B2 (ja) 1996-03-08 2004-11-10 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
DE69712253T2 (de) 1996-03-11 2002-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd Positiv-arbeitende fotoempfindliche Zusammensetzung
US6048953A (en) 1996-06-03 2000-04-11 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Curable liquid resin composition
US5861231A (en) 1996-06-11 1999-01-19 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component
US6090526A (en) 1996-09-13 2000-07-18 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
JP3679206B2 (ja) 1996-09-20 2005-08-03 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法
JP3679205B2 (ja) 1996-09-20 2005-08-03 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
WO1998013342A1 (fr) * 1996-09-26 1998-04-02 Nippon Soda Co., Ltd. Sels de sulfonium, initiateurs de polymerisation cationique et compositions durcissables
WO1998031765A1 (fr) 1997-01-20 1998-07-23 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Composition adhesive et ses applications
JP3688839B2 (ja) 1997-01-20 2005-08-31 富士写真フイルム株式会社 ネガ型画像記録材料
JP3896631B2 (ja) 1997-04-01 2007-03-22 凸版印刷株式会社 黒色感光性樹脂組成物及びこれを用いたカラーフィルタの製造方法
DE69821049T2 (de) 1997-05-09 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung
EP0878738B1 (en) 1997-05-12 2002-01-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive resist composition
JPH10333334A (ja) 1997-06-03 1998-12-18 Toppan Printing Co Ltd 感光性着色組成物及びそれを用いたカラーフィルタ
TW550439B (en) 1997-07-01 2003-09-01 Ciba Sc Holding Ag New oxime sulfonates as latent acids and compositions and photoresists comprising said oxime sulfonates
JP4204113B2 (ja) 1997-12-04 2009-01-07 株式会社Ａｄｅｋａ 新規な芳香族スルホニウム化合物、これからなる光酸発生剤およびこれを含む光重合性組成物、光造形用樹脂組成物ならびに光学的立体造形法
JPH11181391A (ja) 1997-12-22 1999-07-06 Nippon Kayaku Co Ltd 接着剤組成物、接着体、接着方法及び光ディスクの製造方法
JPH11194494A (ja) 1998-01-05 1999-07-21 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性樹脂組成物及び感光性転写シート
JPH11241055A (ja) 1998-02-24 1999-09-07 Nippon Kayaku Co Ltd 接着剤組成物、接着体、接着方法及び光ディスクの製造方法
US6180200B1 (en) 1998-06-01 2001-01-30 Dsm N. V. Cationic and hybrid radiation curable pressure sensitive adhesives for bonding of optical discs
TW509937B (en) 1998-06-19 2002-11-11 Dainippon Ink & Chemicals Video disc and its manufacturing method
WO2000010056A1 (en) 1998-08-14 2000-02-24 Shipley Company, L.L.C. Photoacid generators and photoresists comprising same
TW575792B (en) * 1998-08-19 2004-02-11 Ciba Sc Holding Ag New unsaturated oxime derivatives and the use thereof as latent acids
SG78412A1 (en) 1999-03-31 2001-02-20 Ciba Sc Holding Ag Oxime derivatives and the use thereof as latent acids
JP4124907B2 (ja) 1999-04-06 2008-07-23 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4368458B2 (ja) 1999-06-22 2009-11-18 三菱レイヨン株式会社 化学増幅型レジスト組成物
US6692888B1 (en) 1999-10-07 2004-02-17 Shipley Company, L.L.C. Copolymers having nitrile and alicyclic leaving groups and photoresist compositions comprising same
JP2001228612A (ja) 2000-02-15 2001-08-24 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2001235863A (ja) 2000-02-22 2001-08-31 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
US6777157B1 (en) 2000-02-26 2004-08-17 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising same
AU2001238706A1 (en) 2000-02-27 2001-09-03 Shipley Company, L.L.C. Photoacid generators and photoresists comprising same
JP4135848B2 (ja) 2000-02-28 2008-08-20 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4475372B2 (ja) 2000-03-22 2010-06-09 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4604367B2 (ja) 2000-03-27 2011-01-05 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
EP1143300A1 (en) 2000-04-03 2001-10-10 Shipley Company LLC Photoresist compositions and use of same
JP2001290274A (ja) 2000-04-07 2001-10-19 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP4562240B2 (ja) 2000-05-10 2010-10-13 富士フイルム株式会社 ポジ型感放射線性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP3802732B2 (ja) 2000-05-12 2006-07-26 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4177952B2 (ja) 2000-05-22 2008-11-05 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2002072477A (ja) 2000-06-12 2002-03-12 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
US6576394B1 (en) 2000-06-16 2003-06-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Negative-acting chemically amplified photoresist composition
JP2002006483A (ja) 2000-06-20 2002-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
JP2002006480A (ja) 2000-06-22 2002-01-09 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP4529316B2 (ja) 2000-06-23 2010-08-25 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩
JP3841392B2 (ja) 2000-06-23 2006-11-01 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP2002023374A (ja) 2000-07-07 2002-01-23 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JP4226808B2 (ja) 2000-07-12 2009-02-18 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2002030116A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法
JP2002030118A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法
JP4479072B2 (ja) 2000-07-19 2010-06-09 住友化学株式会社 電子線用レジスト組成物
JP3956088B2 (ja) 2000-07-19 2007-08-08 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP2002037885A (ja) 2000-07-27 2002-02-06 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポジ型含フッ素ポリイミド前駆体およびポジ型感光性含フッ素ポリイミド前駆体組成物
JP2002040658A (ja) 2000-07-27 2002-02-06 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性樹脂組成物、これを用いた半導体装置及び電子部品
JP2002082437A (ja) 2000-09-06 2002-03-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
US6391523B1 (en) 2000-09-15 2002-05-21 Microchem Corp. Fast drying thick film negative photoresist
JP2002091004A (ja) 2000-09-20 2002-03-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JP2002099084A (ja) 2000-09-25 2002-04-05 Toshiba Chem Corp 感光性樹脂組成物およびその製造方法
JP2002099088A (ja) 2000-09-26 2002-04-05 Yasuhiko Shirota 感放射線性組成物
JP2002099089A (ja) 2000-09-26 2002-04-05 Yasuhiko Shirota 感放射線性組成物
JP4484348B2 (ja) 2000-10-13 2010-06-16 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2002122993A (ja) 2000-10-19 2002-04-26 Toshiba Chem Corp 感光性樹脂組成物およびポジ型パターン形成方法
JP4288445B2 (ja) 2000-10-23 2009-07-01 信越化学工業株式会社 新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
JP2002131913A (ja) 2000-10-26 2002-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JP2002131916A (ja) 2000-10-27 2002-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
WO2002042845A2 (en) 2000-11-03 2002-05-30 Shipley Company, L.L.C. Photoacid generators and photoresists comprising same
JP2002156750A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP2002162743A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Toshiba Chem Corp 感光性樹脂組成物およびその製造方法
JP4320520B2 (ja) 2000-11-29 2009-08-26 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3773845B2 (ja) 2000-12-29 2006-05-10 三星電子株式会社 ポジティブ型感光性ポリイミド前駆体およびこれを含む組成物
JP2002214768A (ja) 2001-01-18 2002-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd 感放射線性ポジ型レジスト組成物
JP3880860B2 (ja) 2001-01-22 2007-02-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4543558B2 (ja) 2001-02-02 2010-09-15 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3796568B2 (ja) 2001-02-21 2006-07-12 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3915895B2 (ja) 2001-03-01 2007-05-16 信越化学工業株式会社 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2002268221A (ja) 2001-03-09 2002-09-18 Toshiba Chem Corp 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP4534371B2 (ja) 2001-03-16 2010-09-01 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4092083B2 (ja) 2001-03-21 2008-05-28 富士フイルム株式会社 電子線又はｘ線用ネガ型レジスト組成物
JP2002278071A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP4514978B2 (ja) 2001-03-28 2010-07-28 國宏 市村 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP2002357904A (ja) 2001-03-29 2002-12-13 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
WO2002082184A1 (en) 2001-04-04 2002-10-17 Arch Specialty Chemicals, Inc. Silicon-containing acetal protected polymers and photoresists compositions thereof
KR20030029053A (ko) 2001-04-05 2003-04-11 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드 포토레지스트용 퍼플루오로알킬설폰산 화합물
JP2002303977A (ja) 2001-04-05 2002-10-18 Toshiba Chem Corp 感光性樹脂組成物およびポジ型パターン形成方法
JP2003057827A (ja) 2001-04-13 2003-02-28 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP4174193B2 (ja) 2001-05-09 2008-10-29 富士フイルム株式会社 電子線またはｘ線用ポジ型レジスト組成物
TW565748B (en) 2001-05-17 2003-12-11 Fuji Photo Film Co Ltd Positive radiation-sensitive composition
JP3710758B2 (ja) 2001-05-21 2005-10-26 東京応化工業株式会社 厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法
JP2002356555A (ja) 2001-05-30 2002-12-13 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
JP2002356554A (ja) 2001-05-30 2002-12-13 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
JP4044741B2 (ja) 2001-05-31 2008-02-06 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3936553B2 (ja) 2001-05-31 2007-06-27 信越化学工業株式会社 塩基性化合物及びその製造方法
JP4044740B2 (ja) 2001-05-31 2008-02-06 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2003057815A (ja) 2001-06-05 2003-02-28 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型レジスト組成物
JP3991191B2 (ja) 2001-06-14 2007-10-17 信越化学工業株式会社 ラクトン構造を有する新規（メタ）アクリレート化合物、重合体、フォトレジスト材料、及びパターン形成法
JP2003005372A (ja) 2001-06-19 2003-01-08 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2003005355A (ja) 2001-06-20 2003-01-08 Fuji Photo Film Co Ltd 電子線又はｘ線用ネガ型レジスト組成物
JP2003005356A (ja) 2001-06-20 2003-01-08 Fuji Photo Film Co Ltd 電子線又はｘ線用ネガ型レジスト組成物
JP2003005371A (ja) 2001-06-21 2003-01-08 Toppan Printing Co Ltd 黒色感光性樹脂組成物、それを用いたカラーフィルタ及びその製造方法
CN1276303C (zh) 2001-06-29 2006-09-20 Jsr株式会社 酸发生剂及辐射敏感树脂组合物
JP4313965B2 (ja) 2001-09-20 2009-08-12 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP2003026919A (ja) 2001-07-23 2003-01-29 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd アルカリ現像型感光性樹脂組成物及びパターン形成方法
JP3753424B2 (ja) 2001-07-30 2006-03-08 東京応化工業株式会社 厚膜用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト基材およびこれを用いたバンプ形成方法
JP4281305B2 (ja) 2001-07-31 2009-06-17 住友化学株式会社 ３層レジスト中間層用樹脂組成物
JP4710193B2 (ja) 2001-08-01 2011-06-29 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4715058B2 (ja) 2001-08-02 2011-07-06 Ｊｓｒ株式会社 感放射性樹脂組成物
JP4054978B2 (ja) 2001-08-24 2008-03-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2003066626A (ja) 2001-08-30 2003-03-05 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物及びサーマルフローパターン形成方法
US6780546B2 (en) 2001-08-30 2004-08-24 Inphase Technologies, Inc. Blue-sensitized holographic media
US20030064321A1 (en) 2001-08-31 2003-04-03 Arch Specialty Chemicals, Inc. Free-acid containing polymers and their use in photoresists
JP4221988B2 (ja) 2001-09-27 2009-02-12 住友化学株式会社 ３層レジスト中間層用樹脂組成物
JP3991214B2 (ja) 2001-09-28 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP3849486B2 (ja) 2001-10-19 2006-11-22 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP3907165B2 (ja) 2001-11-05 2007-04-18 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP3909818B2 (ja) 2001-11-12 2007-04-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2003162051A (ja) 2001-11-27 2003-06-06 Fuji Photo Film Co Ltd レジスト組成物
JP4057807B2 (ja) 2001-12-03 2008-03-05 東京応化工業株式会社 微細レジストパターン形成方法
JP3895224B2 (ja) 2001-12-03 2007-03-22 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP3841398B2 (ja) 2001-12-17 2006-11-01 富士写真フイルム株式会社 ネガ型レジスト組成物
JP2003207896A (ja) 2002-01-16 2003-07-25 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
BR0307501A (pt) * 2002-02-06 2004-12-07 Ciba Sc Holding Ag Derivados de sulfonato e o uso destes como ácidos latentes
JP3877605B2 (ja) 2002-02-08 2007-02-07 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2004004561A (ja) 2002-02-19 2004-01-08 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP3813890B2 (ja) 2002-03-22 2006-08-23 富士写真フイルム株式会社 ３層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP3972702B2 (ja) 2002-03-25 2007-09-05 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物
JP2002341522A (ja) 2002-04-25 2002-11-27 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
JP5131888B2 (ja) 2002-09-25 2013-01-30 株式会社Ａｄｅｋａ 新規な芳香族スルホニウム塩化合物、これからなる光酸発生剤およびこれを含む光重合性組成物、光学的立体造形用樹脂組成物並びに光学的立体造形法
JP3841742B2 (ja) 2002-11-14 2006-11-01 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法
US20070249484A1 (en) 2004-07-21 2007-10-25 Johannes Benkhoff Process for the Photoactivation and use of a Catalyst by an Inverted Two-Stage Procedure
US7304175B2 (en) 2005-02-16 2007-12-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
JP4816921B2 (ja) * 2005-04-06 2011-11-16 信越化学工業株式会社 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
TWI332122B (en) 2005-04-06 2010-10-21 Shinetsu Chemical Co Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process
US7834209B2 (en) * 2005-06-07 2010-11-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Hydrofluoroalkanesulfonic acids from fluorovinyl ethers
CN1971421B (zh) 2005-11-21 2012-05-30 住友化学株式会社 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物
CN101466804B (zh) 2006-04-13 2012-02-22 西巴控股有限公司 硫鎓盐引发剂
JP5124806B2 (ja) * 2006-06-27 2013-01-23 信越化学工業株式会社 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4718390B2 (ja) * 2006-08-01 2011-07-06 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法
JP4918095B2 (ja) 2006-09-20 2012-04-18 東京応化工業株式会社 レジスト保護膜形成用組成物及びこれを用いたレジストパターンの形成方法
KR101035742B1 (ko) 2006-09-28 2011-05-20 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규 광산 발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴형성 방법
EP2125713B1 (en) 2006-10-04 2012-04-18 Basf Se Sulphonium salt photoinitiators
KR100829615B1 (ko) 2006-10-11 2008-05-14 삼성전자주식회사 광산 발생제, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 패턴형성 방법
WO2008056795A1 (fr) 2006-11-10 2008-05-15 Jsr Corporation Sel d'onium d'acide sulfonique et résine polymérisables
DE102008006913A1 (de) 2007-01-25 2008-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Photosäuregenerator, Photoresistzusammensetzung mit selbigem und Musterbildungsverfahren mit selbiger
WO2008132966A1 (ja) 2007-04-17 2008-11-06 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5535063B2 (ja) 2007-05-11 2014-07-02 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア オキシムエステル光重合開始剤
KR100960252B1 (ko) 2007-09-12 2010-06-01 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 산발생제
WO2009037980A1 (ja) 2007-09-18 2009-03-26 Central Glass Company, Limited ２－ブロモ－２，２－ジフルオロエタノール及び２－（アルキルカルボニルオキシ）－１，１－ジフルオロエタンスルホン酸塩類の製造方法
JP5210612B2 (ja) * 2007-12-05 2013-06-12 東京応化工業株式会社 新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
WO2009084373A1 (ja) 2007-12-28 2009-07-09 Sumitomo Chemical Company, Limited 含フッ素化合物、含フッ素重合体、並びに該重合体を含む組成物および膜
JP5206972B2 (ja) 2008-02-20 2013-06-12 信越化学工業株式会社 レジストパターンの形成方法並びにこれに用いるポジ型レジスト材料
JP5453834B2 (ja) 2008-02-22 2014-03-26 住友化学株式会社 エステル化合物及びその製造方法
CN101514173A (zh) 2008-02-22 2009-08-26 住友化学株式会社 多羟基化合物和含有其的化学放大型抗蚀剂组合物
TWI452432B (zh) 2008-03-03 2014-09-11 Sumitomo Chemical Co 化學放大型光阻組成物及浸漬式微影用之化學放大型光阻組成物
JP5460074B2 (ja) * 2008-03-10 2014-04-02 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4678413B2 (ja) 2008-03-13 2011-04-27 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4623324B2 (ja) 2008-03-18 2011-02-02 信越化学工業株式会社 水酸基を有する単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5515232B2 (ja) 2008-03-26 2014-06-11 信越化学工業株式会社 高分子化合物及びその製造方法、並びにレジスト材料及びパターン形成方法
JP5007827B2 (ja) 2008-04-04 2012-08-22 信越化学工業株式会社 ダブルパターン形成方法
CN101565486A (zh) 2008-04-21 2009-10-28 住友化学株式会社 聚合物和含有该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物
TWI518456B (zh) 2008-04-21 2016-01-21 住友化學股份有限公司 化學放大型正阻劑組成物
JP4569786B2 (ja) 2008-05-01 2010-10-27 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4678419B2 (ja) 2008-05-02 2011-04-27 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4650644B2 (ja) 2008-05-12 2011-03-16 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP5381298B2 (ja) 2008-05-12 2014-01-08 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP5101541B2 (ja) 2008-05-15 2012-12-19 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
CN101581882A (zh) 2008-05-16 2009-11-18 住友化学株式会社 化学放大型正性抗蚀剂组合物
TWI462938B (zh) 2008-05-21 2014-12-01 Sumitomo Chemical Co 聚合物及含有該聚合物之化學放大型阻劑組成物
JP5237173B2 (ja) 2008-06-03 2013-07-17 信越化学工業株式会社 重合性化合物、高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5401126B2 (ja) 2008-06-11 2014-01-29 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP4990844B2 (ja) 2008-06-17 2012-08-01 信越化学工業株式会社 パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
JP5029839B2 (ja) 2008-06-19 2012-09-19 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5051387B2 (ja) 2008-06-19 2012-10-17 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5314944B2 (ja) 2008-06-20 2013-10-16 富士フイルム株式会社 液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5172494B2 (ja) 2008-06-23 2013-03-27 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素高分子化合物
JP5376847B2 (ja) 2008-06-30 2013-12-25 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤
JP5222638B2 (ja) 2008-07-02 2013-06-26 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5172505B2 (ja) 2008-07-07 2013-03-27 東京応化工業株式会社 ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5035151B2 (ja) 2008-07-10 2012-09-26 Ｊｓｒ株式会社 パターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法
JP5600384B2 (ja) 2008-07-14 2014-10-01 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2010002910A (ja) 2009-07-03 2010-01-07 Fujifilm Corp 液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120123716A (ko) 2012-11-09
JP5850863B2 (ja) 2016-02-03
EP2539316A1 (en) 2013-01-02
KR101813298B1 (ko) 2017-12-28
EP2539316B1 (en) 2019-10-23
TW201139351A (en) 2011-11-16
JP2013520458A (ja) 2013-06-06
CN102781911B (zh) 2015-07-22
CN102781911A (zh) 2012-11-14
WO2011104127A1 (en) 2011-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI523835B (zh) 潛酸及其用途
US8580478B2 (en) Latent acids and their use
TWI393999B (zh) 肟衍生物及其作為潛酸之作用
TWI496766B (zh) 鋶衍生物及其作為潛酸之用途
JP4560507B2 (ja) ハロゲン化オキシム誘導体及び潜在的酸としてのそれらの使用
TWI687411B (zh) 潛酸及其用途
JP4294317B2 (ja) オニウム塩及びその潜在的酸としての使用
KR100753350B1 (ko) 요오도늄 염 및 광개시제로서의 이의 용도
TWI433833B (zh) 鹽起始劑
JP4620325B2 (ja) オキシム誘導体及び潜在的酸としてのその使用
US7326511B2 (en) Sulfonate derivatives and the use thereof as latent acids
KR20100074261A (ko) 술포늄 염 개시제
JP2009541254A (ja) オキシムスルホネート及び潜酸としてのその使用
JP4408220B2 (ja) 置換オキシム誘導体及びその潜在酸としての使用
KR20110025211A (ko) 술포늄 유도체 및 잠재성 산으로서의 그의 용도
TWI303243B (en) Onium salts and the use therof as latent acids