TWI359441B - Processes and systems for laser crystallization pr - Google Patents

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TWI359441B
TWI359441B TW093128076A TW93128076A TWI359441B TW I359441 B TWI359441 B TW I359441B TW 093128076 A TW093128076 A TW 093128076A TW 93128076 A TW93128076 A TW 93128076A TW I359441 B TWI359441 B TW I359441B
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James S Im
Paul Christiaan Van Der Wilt
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Description

1359441 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種薄膜處理技術，特別是一種 於以線型光束來處理半導體薄膜之位置控制技術，以得 此薄膜之特定區域的均勻性以在其中建立微結構（例如 膜電晶體元件）。 【先前技術】 已知半導體薄膜（例如矽薄膜）可供液晶顯示器之 素使用。某些先前技術之系統使用線型光束（其被塑形成 殊之線型）。第 4A圖係顯示此線型光束脈衝200及其 廓。特別的是此線型光束脈衝200可由一長度L及一 度W所定義。第4A圖之線型光束脈衝200的輪廓具有 凸起上部 205，其大部分具有低於完全融化能量密度臨 值的能量密度。此線型光束脈衝200的輪廓亦具有一前 部分2 1 0與一後緣部分2 1 5。此前緣部分2 1 0之能量密 始於一低能量密度或可忽略之能量密度，接著達到一結 化臨界值，然後以低於完全融化能量密度臨界值之方式 束以達到此凸起上部205。此後緣部分215之能量密度 於此凸起上部 205之邊緣（低於完全融化能量密度臨 值），通過結晶臨界值然後結束於一低能量密度或可忽略 能量密度。此線型光束之長度L可介於10至50公分以 標示出樣本上薄膜之重要區段。傳統系統通常使用線型 束脈衝以超過1 0倍之能量密度來照射樣本之相同區段 關 到 薄 像 特 輪 寬 界 緣 度 晶 結 始 界 之 便 光 以 5 1359441 低於完全融化能量密 到更均勻之薄膜但是 型光束之系統200現 部分（亦即前緣部分： 應區段時，此區段可 如第4B圖所元 勻問題，藉由連續地 直到整個區域完全被 線型光束200之連續 此區域之重要部分先 下一脈衝3 1 0照射。 射再被後續脈衝320 部分被後下一個脈衝 域之提供使得相鄰脈 分一，較佳約為2 0分 藉由維持線型. 化能量密度臨界值可 是如第6A圖及第6B 全融化能量密度臨界 於完全融化能量密度 這些區段之間有一狹 完全融化。並且，當 區域為非晶形式。 可理解的是可： 度臨界值之能量密度。如此雖然可得 過程卻是極度地緩慢。的確，使用線 在並不適角一於袄速製程。並且當邊緣 2 1 〇與一後緣部分2 1 5 )照射薄膜之對 能會產生不均勻。 ;，有其他嘗試克服伴隨此系統之不均 掃瞄樣本170之顯示區域220、225 照射為止。如第5圖所示，通常是以 脈衝照射樣本之區域來進行的，如此 被光束2 0 0之第一脈衝3 0 0照射再被 此區段相當大的部分先被脈衝3 1 0照 照射。並且被脈衝3 2 0照射區域之大 3 3 0照射。被相鄰脈衝照射之重疊區 衝之距離為脈衝上部寬度之1〇至1〇0 ‘之一。 光束脈衝200之能量密度高於完全融 降低薄膜照射區域之非均勻性。特別 圖所示，相對於照射能量密度低於完 值2 5 0之薄膜區段，照射能量密度高 250之薄膜區段形成小多晶粒。介於 窄區域其晶粒非常大，因為薄膜幾乎 能量密度低於結晶臨界值時，被照射 由維持線型光束脈衝200低於完全
6 1359441 融化能量密度臨界值之能量密度來減少薄膜被照射區域之 非均勻性。特別的是，如第6C圖及第6D圖所示，被光束 脈ΊίΓ 2 0 0以高;ϊΓ結晶臨界值與低於完全融化^量密度臨 界值2 5 0間之恆定能量密度照射之薄膜區域具有大略均勻 之晶粒。 然而，使用傳統方法仍有其缺點。例如當薄膜被照 射區域需要重疊時，其處理時間很缓慢。這是因為需要確 認薄膜之前照射區域的重要部分的照射。
【發明内容】
本發明之一目的在提供一改良之製程及系統，其以 線型光束脈衝照射基板之至少一薄膜區段以至少部分融化 這些區段，並使被照射區段沒有被下一個線型光束脈衝再 次照射到。藉由此種方式，薄膜之融化區段再固化於其上 形成大致均勻之結晶區域。由於此薄膜再固化區域之均勻 性，這些區域可以設置薄膜電晶體元件。因此相較於其他 部分，以此種方式設置之薄膜電晶體元件至少會有相似之 效能特性。本發明之另一目的在於提供連續移動及照射此 薄膜樣本之一或多個區段（例如不停地）以加速達到上述均 勻性。 在本發明之一實施例中，提供一處理半導體薄膜樣 本之製程及系統，以及此薄膜樣本之至少一部份。特別的 是，一光束產生器可控制以預設重複速度發射連續照射光 束脈衝。每一個照射脈衝可被塑形以定義至少一個線型光 7 1359441 束脈衝 部份之 其後， 部分融 及結晶 光束脈 得此第 緊跟於 之輪廓 第一線 被被第 被第一 份被第 上部之 脈衝的 二線型 分。並 包含一 前緣及 地融化 第二線 量密度 部份及 來4里擊此薄膜樣本《這些線型光束脈衝包含至少一 強度足以至少部分地融化薄膜樣本之被照射區域。 ----- -· 以第一線型光束脈衝照兩一此樣本之第一部份以i厂少 化此第一部份，並使被照射之第一部份可以再固化 。在此薄膜樣本之第一部份照射後，以第二個線型 衝照射一第二部分以至少部分融化此第二部份並使 二部份再固化及結晶。第二線型光束脈衝的照射可 第一線型光束脈衝的照射之後，每個線型光束脈衝 可包含一前緣部分、一上部及一後緣部分。例如被 型光束脈衝的上部撞擊的第一部分之一區段可避免 二線型光束脈衝的後緣部分照射。 在本發明之另一實施例中，此薄膜樣本之第一部份 線型光束脈衝的上部照射，且此薄犋樣本之第二名 二線型光束脈衝的上部照射。每一線型光束脈^ 能量密度都高於-完全融化臨界值1 一線型幻 的前緣及後緣部分可照射此第—部份之部分且旁 光束脈衝的前緣及後緣部分可照射此第二部份之名 且第一線型光束脈衝及第二個的前緣及後緣部分？ 第-區段及第…。第一及第二線型光束脈^ 後緣部分的每個第m能量密度足以至少部< 個別的第一部份及/或個別的第二部份。並且第一石 型光束脈衝之前緣及後緣部分的每個第二區段之截 低於-臨界值，其足以至少部分地融化個別的第— 個別的第二部份。可在第一部份之照射及薄膜樣才
1359441 相對於第一部份被光束賣衝撞擊移動一特定距離後照射此 第二部份。第一線型光束脈衝之前緣部分的第一區段可具 有一第一長度.且第二線一型―走：束衝 後緣部分的第—區段 可具有一第二長度。上部可具有一第三長度。此特定距= 可大於第三長度與第一長度及第二長度中之較大者的總 和 °
再依據本發明之另一實施例，接收伴隨薄膜樣本被 照射位置之資料。然後依據所接收到之資料在第一部份之 照射後及第二部份之照射前薄膜樣本被相對於光束之揸擊 移動一特定距離。此照射光束脈衝可被一光罩塑形以定義 一線型光束脈衝。並且第一及第二線型光束脈衝可至少部 分地融化薄膜之個別第一及第二部分。此外此薄膜樣本可 相對於光束脈衝之撞擊週期地並依據照射光束脈衝之照射 頻率被移動一特定距離。薄膜樣本之第一及第二部分可包 含像素區域，並且第一及第二部分可包含用以形成至少一 個薄膜電晶體元件之主動區域的區域。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明較佳 之實施例詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。 【實施方式】 應該理解的是依據本發明可以不同系統及方法以線 型光束脈衝使半導體薄膜（例如矽薄膜）上之一或多個區域 至少部分融化然後固化及結晶’同時連續地移動樣本且沒 有重複地照射之前的被照射及再固化區域以在此薄膜上產 9 1359441
生大致均勻區域。產生此區域及半導體薄膜結晶化之系統 及製程之實施例更詳述於後。但是必須理解的是本發明絕 一―非於―此—處I述—系統—製—程及-半—導一體— 薄-藤飞—實—施例—。_—— 美國專利第09/526,585號申請案（585號申請案）描 述某些提供連續動作連續橫向固化（sequential lateral solidification; SLS)之系統，本發明在此引入其揭露以作為 參考。依據本發明之實施例可使用類似系統來產生上述半 導體薄膜之至少部分照射、固化及結晶部分，其可以線型 光束之控制及加速方式來處理整個半導體薄膜。特別的 是’本發明之系統可用於具有非晶薄膜（例如矽薄膜）之樣 本170上藉由光束脈衝照射促進半導體薄膜上特定區域之 融化固化及結晶。如第.1 A圖所示，範例之系統包含一光 源 110(例如一 Lambda Physik model LPX-3151 XeCl pulse excimer laser)產生一照射光束（例如一雷射光束）、一用以 改變雷射光束能量密度之可控制光束能量密度調變器 120、MicroLas雙板可變衰減器130 (例如MicroLas所生 產之裝置）、光束轉向鏡（beam steering mirror)140、143、 147及160、光束展開及準直透鏡141及142、一光束均勻 器 144、一 聚光鏡（condenser lens)145、一視野透鏡（field lens)148、一可被固定於光學平移台（translating stage，未 顯示）上之投射光罩150、一目鏡161、一可控制快門、一 將照射光束脈衝164聚焦於樣本17〇(其上有半導體薄膜， 固定於樣本移動台180上）上之多元投射鏡（multi-element projective lens)163、一由減震及自動舉升系統191、192、 10 1359441 W3及194所支撐之花岗岩光學桌190、一電腦設置1〇0(例 如一依據本發明執行電腦設置程式之通用電腦設置或是一 蒋)—,其^^一^:瘃丁1〇一、一光飞能一#密度調 變器120、可變衰減器130、快門及樣本台180。 此樣本移動台180可由電腦丨〇6所控制以於平面
χ-Υ方向及Z方向上達成樣本40之移動。以此種方式此 電腦1 0 6控制此樣本4 0相對於照射光束脈衝1 6 4之相對位 置。此電腦1 0 0亦控制照射光束脈衝1 6 4之重複及能量密 度。熟悉該項技藝者應該理解的是除了脈衝式準分子雷射 11 〇外，照射光束脈衝可由其他已知短能量脈衝光源以下 述方式產生，其適用於至少部分融化（可能整個厚度完全融 化）半導體（例如矽）樣本1 7 0薄膜上之選擇區域。已知光源 可為脈衝固態雷射、連續波雷射（chopped c〇ntinuous wave laser)、脈衝電子束及脈衝離子束等。典型上光源n〇所產 生之照射光束脈衝可提供1〇 mJ/cm2至1 J/cm2之光束強 度、1 〇至300奈秒之脈衝持續期間（FWHM)以及1 〇Hz至 3o〇Hz之脈衝重複速度。 第1 A圖系統實施例所示之電腦設置i 〇 〇經由樣本台 180控制樣本170之移動以執行樣本17〇之半導體薄膜的 處理。此電腦設置100亦控制固定於適當光罩/雷射光束移 動台（為簡化描述未顯示）上之光罩15〇及/或光源11〇之移 動，以沿著一光束控制路徑改變相對於樣本丨7 〇之半導體 薄膜之照射光束脈衝164的強度分佈方式。其他可能改變 照射光束脈衝強度分佈方式之方法係由電腦設置i 〇〇控制 11 1359441 一光束轉向鏡。坌1Δ固 # ^ 第1Α圖之範例糸統可依據下列詳述方式 執 ^fT 樣本 1 7 0 之 jk s» 〇A ·** 丰導體缚膜的處理。本發明之範例系統的 光罩1 5 0可良奸从—蓋，-------- 地疋義出光束脈衝164之輪廓並減低Τ導 得、 部分及邊緣區域之不均勻性然後結晶。 接位二!/β圖所示’樣本170之一半導體薄膜175可直 接位於例如一姑a
半導體薄膜175與玻璃基板 暄—多個中間層177(intermediate layer)e此半導 之厚度可介於100至iOOOO埃（1微米）之間以 伸' 上某些必要區域至少部分融化或整個厚度完全融 。依據本發明實施例’此半導㈣膜175(例如非晶梦薄 夸!1 β匕含间純度之矽鍺矽化鍺等。亦可以使用其他元 '、或疋半導體材料來製作此半導體薄膜175。中間層 /”7(位於半導體薄膜i7s下方）可包含二氧化矽、氮化矽及 或氧化物、氮化物或其他適用於樣本17〇半導體薄膜175 晶教成長之混合物的物質。玻璃基板172之溫度可介於室 滿 $ 4¾. 王攝氏800度之間。因為玻璃基板丨72靠近薄膜175, ftr*
以伴隨預熱之玻璃基板172高溫可有效地在樣本17〇半 導發薄膜1 75之照射再固化後結晶區域成長大晶粒。 半導體薄膜175可由光束脈衝164照射，由光罩150 依據本發明第2圖之實施例修飾光束脈衝164之形狀。最 好光罩150之尺寸為剖面面積大於光束脈衝丨64之剖面面 積。如此可由光罩150之一或多個開放或透明區域形成脈 衝光束之形狀及剖面。第2圖所示之光罩15〇實施例包含 狹長形狀之開放或透明區域157。此形狀係由一不透明 12 1359441 或光束無法通過區域155所定義。此開放或透明區域 157(長度為L寬度為W)允許光束脈衝穿過照射半導體薄 膜一m飞—少-部…區―身v $.先一罩.—】5_〇飞—开厂之晃表_藏__ 對應於此開放或透明區域1 5 7之形狀。 光束脈衝200之範例如第4A圖所示，圖中顯示此光 束脈衝之第一範例輪廓，其具有由第1A圖所示光學系統 所及第2圖光罩15〇塑形之特殊區段尺寸。特別的是塑形 之光束脈衝200可具有一特殊寬度w，（例如3〇〇微米至 微米）及一特殊長度L，（例如1〇公分至5〇公分），且此寬 度W及長度L’係與光罩15〇之開放或透明區域157的寬 度W及長度L有關。如此，光罩15〇所產生之光束脈衝 2〇〇長度延伸至L以較佳地處理半導體薄膜丨75之整個長 度。如第3圖所示，此整個樣本17〇可被光束164之光束 脈衝200所照射，其詳述如下。光束脈衝2〇〇之輪廓22〇 包含一上部205 —前緣部分21〇及一後緣部分215(其均可 延伸一距離）。上部205可延伸一距離a，在此距離A中能 量密度係等於或向於完全融化臨界值。此距離A可介於 2 0 0微米至1釐米。前緣部分2丨〇可延伸一距離b丨（例如介 於50微米至100微米）且後緣部分215可延伸一距離B2(例 如介於50微米至1〇〇微米）。前緣部分21〇具有一長度Bip 之區段’其由結晶臨界值延伸至完全融化臨界值，約略為 長度B1之一半。類似地’後緣部分215具有一長度B2p 之區段’其由結晶臨界值延伸至完全融化臨界值，約略為 長度B2之一半。 13 1359441 第4C圖顯示光束脈衝2〇〇輪廓之第二實施例，其亦 可由第光學系統及第2圖之光罩m所塑形。在 第一實施例中，先束脈12-0-d 凡全融化臨界值。特別的是，輪廓22〇,包含一上部2〇5， +刖緣部分210 ’及一後緣部分215、上部2 02,可延伸一距 + 在此距離C中此1密度約略相等。此距離C可介於 200微米ϋ米。前緣部分210，可延伸一距離D1(例如 介於50微来至100微米）且後緣部分215，可延伸一距離 D2(例如介於50微米至1〇〇微米）。前緣部分21〇,具有一 長度D 1 p之區段，其由結晶臨界值約略相等之點延伸至結 晶臨界值之低點。類似地，後緣部分215，具有一長度D2p 之區段，其由結晶臨界值延伸至—能量密度約略相等之高 點。 如第3圖所示’依據本發明’線型光束164之脈衝 200以控制方式照射樣本17〇上之薄膜1<75之所有列。例 如，此電腦設置100控制光源11〇發射一起始光束以使光 束164(不論是由光罩150或光學系統所塑形）藉由樣本台 180之移動照射樣本170半導體薄膜175之每一列，在本 台180上樣本170之擺放位置係依據樣本17〇之列的位 置’亦即相對於線型光束164之方向。特別的是，電腦設 置1〇〇具有一記憶體設置（未顯示），其儲存半導體薄膜175 所有被光束脈衝200照射列之位置。因此此樣本1 7〇相對 於線型光束164之相對運動及光源ho之啟動係依據這些 14 1359441 列之位置而執行》線型光束1 64對半導體薄膜！ 75之照射 持續直到樣本1 70之半導體薄膜1 75所有列都被照射到， 以產生再固化-及均勻晶粒材料區域。依據本發明γ較佳實_ 施例，至少半導體薄膜1 75列中欲形成微結構（例如TFTs) 之區域被脈衝200之上部2〇5所照射且完全融化，以使這 些區域（例如像素）可較佳地被第4A圖之上部2〇5照射一 次。亦可以第4C圖所示之上部2〇5,照射半導體薄膜ι75〇 在此實施例中上部205,之能量密度低於薄膜175之完全融 化臨界值，藉以僅部分地融化薄膜175。當然第4A圖中前 緣部分2 1 0及後緣部分2 i 5亦可以類似方式照射半導體薄 膜175’其中之某些限制詳述如後。 第7圖顯示本發明樣本17〇半導體薄膜ι75相對於 線型光束164(由第1A圖之光學系統及或第2圖之光罩ι5〇 所塑形）之脈衝200的順序移動。在此樣本17〇半導體薄膜 1 75照射之範例中’樣本丨7〇係以相對於線型光束丨64之 方向的X-Y方向移動。當樣本17〇以此方式移動至一位 置’在此位置上線型光束164指到半導體薄膜175之第一 列510時’光源11〇會被電腦設置ι〇〇所啟動，以使第一 線型光束脈衝410照射且以第4c圖所示之光束脈衝200 使其至少部分融化’或是較佳地以第4 A圖所示之光束脈 衝200使半導體薄膜175第一列51〇之一或多個部分 511-519完全融化。第7圖第一線型光束脈衝410之長度 及寬度約略對應於第4A圖脈衝200之長度及寬度。較佳 地第一脈衝410凸起上部2〇5之寬度a夠寬以便照射及完 15 1359441 全地融化部分5U-519之整個剖面區域。這些部分可指定 用來擺放某些結構（例如TFTs)用來定義像素。再固化部分 (部分·融化）可能具有較小之晶粒區域，但是其包一含不均句一 材料β 一旦以第4 C圖實施例之輪廓2 2 〇，上部2 〇 5照射並 上述半導體薄膜175第一列510之部分511_519至少部分 融化，融化部分511-519會再固化及結晶所以其上之晶粒 可均勻地成長。依據本發明之另一實施例及如前所述線 型光束164可具有足夠之能量密度以第4Α圖實施例之輪 廓220的上部205完全融化（遍及整個厚度）半導體薄膜175 整個列510或疋至少部分511_519。半導體薄膜175之完 全融化及再固化部分具有結晶晶粒，其通f與線型光束 164之邊緣靈敏度無冑。如&，能4密度波動t負面效應 對再固化區域TFT元件之不均勾性可減至最小。 在第列5 1 〇以上述線型脈衝4 1 0照射且部分或全 部地融化後，樣本170(藉由電腦設置100之控制）於Y方 向被移動以使光束i 64照射樣本i 7〇之半導體薄膜丄7 5的 第歹J 520。對於第一列5 1 0及第二列520，光源、11 〇被電 腦設2 1〇〇啟動以產生第二線型脈衝42〇，其以上述相對 ;第歹5 1 0之相同方式照射至少部分或完全融化第二列 或多個區段521-529。樣本170移動一距離D(以 使線型光束164之^昭私 …、射可由第一列510移動至第二列）。此 距離D亦可·箱^爲彳金 …象素列週期性’因為樣本1 7 0之移動距離 D係為樣纟170上之其他列所進行的。 16 1359441 較佳地，此距離D預設為使第二線型脈衝52〇 / 之Ί良 緣部分215’不會與第一線型脈衝510之前緣部分2 z 1 U 重 …疊》例如；此距離D可量測為由第一脈衝41 0之！·如、 〜上邵205, 的中央至第二脈衝420之上部205’的中央。然而，亦^ h可能 第二線型脈衝520之後緣部分215’的某些區段與第_線型 脈衝510之前緣部分210的某些區段重疊。最好p 取XT k些部分 之能量密度僅小於結晶臨界值。如此較佳地輪廟22〇，, 之後 續脈衝200沒有任何部分與薄膜175被脈衝2〇〇 加 工那205
照射之區段重疊。這是因為平坦上部205，部分融化薄膜 1 7 5，在被照射區域產生均勻尺寸晶粒。 如果此被照射區域有後續照射， 此區域之均勻性可 能會打折扣。類似地，若使用具有第 束脈衝2 0 0，就必須考量類似的移動距離， 脈衝200之輪廓220沒有任何部分應該與薄 光束脈衝2 00之上部205照射的區段重疊。 4A圖輪廓220之光 使用光束脈衝200之第4C圖的實施例，上部2〇5 密度高於完全融化臨界值，且後續光束脈衝應該沒 膜175之前融化區段重疊之部分，以避免重疊區段 照射發生不均勻。 除了後續先束 膜I75被之前 然而，相對於 之能量 有與薄 因重複
樣本170可以上述相同方式相對於樣本〗 τ 1 ,。之移動 再被移動距離D,以照射半導體薄膜U5之第二 —' 夕5 2 〇 〇 在此移動後此線型光束164撞擊薄膜175之第=别 ^ 牟—列，照射 且部分融化其上一或多個部分。 因此，對於第4A圖之實施例而言，前緣部分21〇 17 1359441 之寬度B1(或是寬度BlP)加上後缘部分2]5之寬度B2(或 是寬度B2P)應該小於距離D。如此，第二線型脈衝410之 重疊。對於第4 C圖之實施例而言，以類似方式，前緣部 分210’之寬度D1(或是寬度DIP)及後緣部分215,之寬度 D2(或是寬度D2P)應該都小於距離D。 依據本發明之實施例’樣本170相對於光束164撞 擊之移動係連續地進行（例如沒有停止）。此電腦設置1 〇〇 可控制光源1 10依據預設頻率產生對應脈衝2〇〇。如此可 定義樣本170相對於被線型脈衝41〇及42〇撞擊之半導體 薄膜1 75之連續移動速度v，以使半導體薄膜i ?5之個別 歹J 5 1 〇及5 2 0被脈衝正確地照射，例如，樣本1 7 〇之移動 速度V可定義如下： V = D X flaser 、中f laser係為雷射之頻率。因此，若此距離D為200微 米且此頻率f|aser為3〇〇Hz，則速度v約等於6 cm/sec，其 為一恆定速度。 依據本發明之另一實施例，當樣本丨7〇相對於光束 164撞擊之移動並非連續時，可依據由移動台18〇所提供 之-位置訊號來控制光源、110之啟動。此訊號可標示樣本 -相對於線型光纟i 64撞擊之位置。依據此訊號相關之 資料，此電腦設置100可控制光源11〇之啟動及樣本17〇 18 1359441 之移動以達成半導體薄膜1 7 5特定部分（例如列）之有效照 射。因此半導體薄膜1 7 5至少部分位置之照射控制可藉由 -----線型充束-1-料達成。-----------------
以上關於線型光束1 6 4之描述係針對高斯形狀光束 脈衝，其範例如第4A圖及第4C圖所示。依據本發明之其 他實施例，亦可能使用高帽形線型光束 2 5 0，其範例輪廓 如第8圖所示。特別的是，此線型光束250的能量密度大 於半導體薄膜175之完全融化臨界值。必須理解的是線型 光束250之能量密度亦可大於或等於半導體薄膜175之結 晶臨界值，或是大於完全融化臨界值。如第8圖所示，通 常此高帽形線型光束250沒有任何前緣或後緣部分，因此 樣本170之移動距離D不需要像高斯形狀光束脈衝一樣 大。此高帽形線型光束250可由具有刀刃邊緣隙縫之光罩 所產生以使光源1 1 0提供一雷射光束，然後由此光罩將雷 射光束塑形。
第9A圖係顯示第7圖所示之半導體薄膜175第一列 5 1 0之第一及第二照射、再固化結晶部分5 1 1及5 1 2。特別 的是，第9A圖顯示整個TFT元件610及620可位於第一 列5 1 0之個別的第一部分5 11及第二部分5 1 2中。位於第 一列5 1 0第一部份5 1 1之第一 TFT元件61 0包含一閘極 612、一汲極614、一源極616及一主動區域618。類似地， 第二TFT元件620包含一閘極622、一汲極624、一源極 626及一主動區域628。 第9B圖係顯示半導體薄膜175第一列510之第一及 19 1-359441 第二照射、再固化結晶部分5 11及5 12的另一實施例，此 薄膜1 7 5之上有個別之TFT元件6 1 0 ’及62 0 ’。在此實施例 中，僅有TF T元伴6 1 0 ’及飞20 ’―個別主動區域618’及628’ 形成於個別之第一及第二照射、再固化結晶部分5 1 1及5 1 2 中，同時TFT元件610’及620’之其他部分係位於部分511 及512之邊緣。特別的是，第一 TFT元件610’包含一整個 位於第一列510之第一部份511申之主動區域618，，同時 第一 TFT元件6 1 0’之閘極6 1 2 ’、汲極6 1 4 ’與源極6 1 6 ’與 第一部份5 11之邊緣重疊。此外，對於第二TFT元件620’ 而言，其主動區域628’整個位於第一列510之第二部分512 中，同時第二TFT元件620’之閘極622’、汲極624’與源 極626’直接位於第二部份512之邊緣上。應該理解的是閘 極 612、612、622 及 6225、汲極 614、614、624 及 624, 與源極616、616’、626及626’可形成於第一及第二區域 511、512及邊緣區域上。 應該理解的是以上描述可相同地應用於半導體薄膜 175之所有部分511-519、521-529等上。並且經由本發明 所述之系統及製程所達成之均勻性，上述主動區域 618、 628、618’及628’可設置於部分511-519中。 第10圖係顯示樣本170藉由樣本移動台達成相對於 第1A圖之光學系統或第2圖之光罩所塑形之線型光束的 脈衝撞擊之順序移動的實施例"在此實施例中，樣本 170 相對於線型光束脈衝4 1 0、420撞擊之相對移動大致上類似 於上述第3圖所述樣本之相對移動。然而，在此實施例中 20 1359441 線型光束脈衝164之長度約為筮3阁 巧弟·>圖貫施例線型光束脈衝 164之長度l的一半。例如，坌1 第10圖線型光束脈衝164之 輪廓可為-15公分，其照射寬度％ 見復小於30公分之樣本17〇-。 因此’經由此光束長度整個樣本 佩不1 7 0沿兩路徑被照射。特 別的疋’樣本170之·—半被以（·；·}·，势 亍散U上述第7圖所述之方式照射， 例如照射樣本之一半區段同時移動樣本17〇於χγ方向。 當線型光束脈衝164之撞擊完成樣本17()之—半照射時（例 如由開始照射處移動至相反緣），樣本會沿者負χ方向被 移動’且樣本17〇之第二半被照射同時…”沿者正Υ 方向被移動。因此整個樣本17G可被線型光束脈衝164沿 兩路徑照射。特別的是，樣纟17G之__半以上述第7圖之 方式照射，例如照射樣本之一半同時沿著γ方向移動樣本 17〇。當線型光束賣衝164完成樣本170之整個一半區段撞 擊（亦即由照射開始處到達相反邊緣），此樣本17〇沿著一X =向破移動，樣本！ 7G之另—半被照射同時移動樣本沿 者+ γ方向。如此整個樣本170可被線型光束脈衝164照 於兩路徑上。本發明亦可使用較短波長之線型光束，所 以大量的路徑可選用以完成樣本17〇之處理。 第Π圖係顯示一表示本發明處理過程範例之流程 圖，其至少部分在第1A圖電腦設置1〇〇之控制下使用本 月第7圖及第1〇圖所示之範例技術。在步驟1〇〇〇中， A圖系統10之硬體元件至少部分被電腦設置所啟 動，例如光源110、光束能量密度調變器12〇及衰減器13〇。 在步騍1 005中，樣本170被裝載在樣本移動台18〇上。必 21 1-359441 須注意的是此樣本之裝载可以手動或在電腦設置i00之控 制下以已知載入設備自動地進行《接著，在步驟1010中’ '樣本移動台—Γ8Ό—被移〜動—(足電-腺1置—Γ0-0-之—控-制下一是-較-佳-的-)— 至一起始位置。 在步驟1015中，如果有需要的話，系統中其他不同 之光學元件手動地或在電腦設置100之控制下被調整及/ 或對準以得到適當之對焦及對準。在步驟1 020中，以預設
之脈衝能量等級、脈衝期間及重複速度使照射/雷射光束 111達到穩定。在步驟1〇24中，判定是否每一光束脈衝164 具有至少使半導體薄膜丨7 5被照射部分部分融化（完全融 化較佳）且不會過熱之足夠能量。在步驟1〇25中，光東U1 之衰減被光源110或在電腦設置1〇〇之控制下被調整，且 步驟1024被再次執行以判定是否每—光束脈衝ι64具有至 少使半導體薄膜1 7 5被照射部分部分融化之足夠能量。 在步驟1 027中’樣本17〇被定位至指向線型光束
1 64之脈衝4 1 0以撞擊半導體薄膜丨75之第一列5丨〇。然 後，在步驟1030中，以光罩強度圖案方式（使用第2圖之 光罩）照射半導體薄膜1 75之個別列且至少部分融化。之 後，半導體薄膜175之被照射列（及或其上部份）可固化及 結晶》在步称1〇45中’判定半導體薄膜175是否有任何列 仍需照射，亦即是否半導體薄膜175之照射、融化及再固 化已經完成。若不，在步驟1〇5〇中，樣本175被移動以使 線型光束164脈衝撞擊樣本丨7〇之下一列，且過程 步驟mo照射半導體.薄棋175之現在列。然而， 22 1359441 1 Ο 4 5中判定樣本1 7 0之照射及結晶已完成且硬體元件與第 1 Α圖之系統的光束11 1可被關閉的話，則此處理可結束於 ^~^ί^Γ〇5 5~° - ____________ 使用本發明之系統及處理方式可得到比傳統系統及 處理更快之結晶速度，此結晶速度係提供如下： 結晶速度==光束長度.X雷射頻率X間距
例如，傳統系統及處理方式所提供之結晶速度係： 50公分χ20微米X300赫茲=30平方公分/秒 相對地，本發明之系統及處理方式可得之結晶速度係： 50公分χ300微米x300赫兹=450平方公分/秒 前述僅為本發明原理之說明，依據本發明之教示對 於熟悉該項技藝者不同實施例之改良及改變明顯 · 例如，雖然上述實施例已經針對半導體薄膜之至少 部分或全部的固化及結晶進行說明，但是本發明仍適用於 其他材料處理技術，例如微匹配（micro-matching)、光剝敍 (photo-ablation)及微圖案化（micro-patterning)技術’包含 國際專利申請案 PCT/US0 1/12799及美國專利申請案第 23 1359441 09/390,535 號、第 09/390,537 號及第 0 9/526,585 號之所述 做為參考。上述專利申請案中所述不同之光罩圖案及光束 圖案—亦可使用於本發明之一系統及處理方式中一來產生線型光 束脈衝。可以理解的是雖然此處未具體地顯示或說明但是 熟悉該項技藝者可以推得數種落於本發明之精神與範圍中 之不同系統及方法。 【圖式簡單說明】
第1 A圖係本發明照射系統一實施例之示意方塊 圖，其以預設控制方式以線型光束脈衝使半導體薄膜之被 選定區域被連續地掃瞄，至少部分地融化，並且這些區域 不再被照射； 第1B圖係一樣本之放大側視剖面，其包含一半導體 薄膜； 第2圖係本發明第1 A圖之系統所用光罩之一實施例 俯視圖；
第3圖係以範例說明以第1A圖之系統及第2圖之光 罩連續移動照射整個半導體薄膜； 第 4A圖係一線型光束脈衝之剖面輪廓，其可由第 1A圖之光學系統或是第2圖之光罩所塑形，且其能量密度 高於完全融化臨界值可用於照射第一實施例之半導體薄 膜； 第4 B圖係以範例說明傳統系統連續掃瞄半導體薄 膜之過程，其重複照射之前的被照射區域或是光束之能量 24 1-359441 密度低於一完全融化臨界值； 第 4C圖係本發明第二實施例之線型光束脈衝的剖 面輪靡，其能一量密度高一於結晶臨界直且抵於完全忌化臨界 值； 第5圖係多個線型光束脈衝重複照射半導體薄膜之 前被照射部分之輪廓說明； 第6A圖及第6B圖係傳統系統及方法使用能量密度 高於完全融化臨界值之線型光束脈衝照射結果的範例；
第6C圖及第6D圖係傳統系統及方法使用能量密度 介於結晶臨界值與完全融化臨界值間之線型光束脈衝照射 結果的範例； 第7圖係本發明半導體薄膜相對於第1 A圖之光學系 統或第2圖之光罩所塑形之線型光束脈衝之連續移動的實 施例； 第8圖係第1A圖之光學系統及/或第2圖之光罩所 塑形之另一實施例之一剖面輪廓，其具有不重要之斜邊部 分；
第9A圖係對應於第7圖之區域之兩被照射再固化結 晶區域，其中整個薄膜電晶體元件位於經由本發明之完全 融化及再固化方法所形成小的均勻晶粒區域； 第9B圖係對應於第7圖之區域之兩被照射再固化結 晶區域*其47僅有薄膜電晶體元件之主動區域的整個剖面 位於經由本發明之完全融化及再固化方法所形成小的均勻 晶粒區域中^同時其他區域位於結晶區域之間； 25 1359441 第10圖係本發明半導體薄膜相對於第1A圖之光學 系統或第2圖之光罩所塑形之線型光束脈衝之連續移動的 —-實 I 例-;Κ------------------------------------------ 第1 1圖係在第1 Α圖電腦設置之至少部分控制下使 用第7圖及第10圖之技術來表示本發明製程之一流程圖。 【主要元件符號說明】 11 0光源 120光束能量密度調變器 1 3 0衰減器 140、143、147及160光束轉向鏡 141及142光束展開及準直透鏡 144光束均勻器 145聚光鏡 1 4 8視野透鏡 150光罩 161目鏡 1 64光束脈衝 163多元投射鏡 170樣本 180樣本移動台 190光學桌 191、192、193及194減震及舉升系統 26 1359441 100電腦設置 175半導體薄膜 177 _中間層 — 172玻璃基板 157透明區域 155不透明區域 2 0 0光束脈衝 205上部 2 1 0前緣部分 2 1 5後緣部分 510第一列 410第一線型光束脈衝 5 11 - 5 1 9 部分 520第二列 610及620TFT元件 6 1 2閘極 6 1 4汲極 6 1 6源極 61 8主動區域 622閘極 624汲極 626源極 628主動區域 1359441 610’及 620TFT 元件’ 61 8’及628’主動區域 ------612’閘極 _ 6 1 4 ’汲極 6 1 6 ’源極 622’閘極 6 2 4 ’汲極 626’源極
111照射/雷射光束
28

Claims (1)

1359441 十、申請專利範圍： 1. 一種處理一基板上一薄膜樣本之至少一區段的方法至 …少包含下…列步驟：…_ — — (a) 以一預設重複速度控制一照射光束產生器以發射 連續照射光束脈衝； (b) 使每一照射光束脈衝被塑形以定義至少—線型光 束脈衝’其中每一線型光束脈衝之輪廓包含一上部一前 緣部分及一後緣部分，提供該線型光束脈衝以撞擊該薄膜 樣本； (c) 以至少該線型光束脈衝之第一線型光束脈衝的該 上部照射該薄臈樣本之一第一部份以至少部分融化該第一 部份’被照射的該第一部份可再固化及結晶以於其中形成 約略均勻之區域；及 (d) 在步驟（c)後以至少該線型光束脈衝之第二線型光 束脈衝的該上部照射該薄膜樣本之一第二部份以至少部分 融化該第二部份，被照射之該第二部份可再固化及結晶以 於其中形成約略均勻之區域； 其中該第二線型光束脈衝之發射係緊接於該第—線 型光束脈衝之發射之後，其中避免與至少該第一線型光束 脈衝的該上部相對應的該薄膜樣本之該第一部份之至少一 區段被該第二線型光束脈衝之該後緣部分照射到。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述各線型光 29 1359441 束脈衝上部之能量密度高於一完全融化臨界值。 %WW \'WWW^ Γ3ΠΙ ^WW~£ 束脈衝上部之能量密度低於一完全融化臨界值。 4.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述第一線型 光束脈衝的該前緣及該後緣部分照射該第一部份之一部 分，且其中上述第二線型光束脈衝的該前緣及該後緣部分
照射該第二部份之一部分。 5.如申請專利範圍第1項所述之方法， 其中上述第一及第二線型光束脈衝之該前緣及該後 緣部分之各者具有第一及一第二區段， 其中上述第一及第二線型光束脈衝之該前緣及該後 緣部分之該第一區段的每一者能量密度足以至少部分融化 各別該第一部份及該第二部分之至少一者，且
其中上述第一及第二線型光束脈衝之該前緣及該後 緣部分之該第二區段的每一者能量密度係低於一足以至少 部分融化各別該第一部份及該第二部分之至少一者之臨界 值0 6.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述步驟（d) 係於步驟（c)完成之後以及該薄膜樣本相對於該光束脈衝 30 1359441 之該第一部份的撞擊移動一特定距離後才執行。 7.如申請專利範圍第6項所述泛：方法，其卡上述第一冢髮 光束脈衝的前緣部分具有一第一長度，其甲上述第一線型 光束脈衝的上部具有一第二長度，且上述第二線型光束脈 衝的後缘部分具有一第三長度，且其中上述特定距離大於 該第一長度、該第二長度及該第三長度之總和。
8.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述第一線型 光束脈衝的前緣部分的一區段具有第一長度且能量密度介 於一完全融化臨界值與一結晶臨界值之間，其中上述第一 線型光束脈衝的上部具有一第二長度且能量密度高於該完 全融化臨界值，且上述第二線型光束脈衝的後緣部分具有 一第三長度且能量密度低於該完全融化臨界值，且其中在 該薄膜樣本相對於該光束脈衝之該第一部份的撞擊移動一 特定距離後，上述特定距離係至少大於該第一及第二長度 之總和以及該第二及第三長度之總和。 9.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述光束脈衝 具有一高斯形狀（Gaussian shape)。 1 0 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述薄膜樣 本之該第一部份被上述第一線型光束脈衝的上部照射，其 31 1359441 t上述薄膜樣本之該第二部份被上述第二線型光束脈衝的 上部照射，其中上述第一及第二線型光束脈衝之各者的該 上部具有一約略恆定之能量密度，且其中該第一及第二被 照射區域係部分被上述第一及第二線型光束脈衝之各者所 融化。
11.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述第二線 型光束脈衝沒有任何部分照射到再固化及結晶的被照射的 上述第一部份的任何區段。 12.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述薄膜樣 本之第一部份避免被上述第二線型光束脈衝的後緣部分照 射到之至少一區段包含一主動區域。 13.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述薄膜樣 本之該第一及該第二部分包含一薄膜元件之主動區域。
1 4 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述照射光 束脈衝被一光罩塑形以定義上述線型光束脈衝。 15.如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含下列步驟 (g):在步驟（c)之後與步驟（d)之前，依據該照射光束產生 器之照射頻率將該薄膜樣本相對於上述光束脈衝之撞擊以 32 1359441 週期式移動一特定距離。 1 6.如申請專利範圍第1項所述之方法_，其中^上述薄膜樣 本之第一及第二部分包含像素區域。 17.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述第一及 第二部分包含用以於其上形成至少一薄膜電晶體元件之主
18. —種處理一基板上一薄膜樣本之至少一區段的方法， 其至少包含下列步驟： (a) 以一預設重複速度控制一照射光束產生器以發 射連續照射光束脈衝；
(b) 使每一照射光束脈衝塑形以定義至少一線型光 束脈衝，其中每一線型光束脈衝之輪廓包含一上部、一前 緣部分及一後緣部分，該至少一線型光束脈衝係用以撞擊 該薄膜樣本； (c) 以至少該線型光束脈衝之第一線型光束脈衝的 該上部照射該薄膜樣本之第一部份以至少部分融化該第一 部份，該經照射之第一部份可再固化及結晶以於其中形成 約略均勻之區域；及 (d) 在步驟（c)後以至少該線型光束脈衝之第二線型 光束脈衝的該上部照射該薄膜樣本之一第二部份以至少部 33 1359441 分融化該第：部份’被照射之該第：部份可再固化及結晶 以於其中形成約略均勻之區域； 其中該-第-二、線-束脈-¾之-;㈣]飞 線型光束脈衝之一發射之後，其中避免與至少該第一線型 光束脈衝的該上部相對應的該薄膜樣本之該第—部份之至 ^ 區段被該第二線型光束脈衝之該後緣部分照射到· (e) 接收關於該薄膜樣本上被照射位置之資料；
(f) 在步驟（c)後及步驟（d)之前，依據接收之該資料 將該薄膜樣本相對於該光束脈衝之撞擊移動一特定距離 19.如申請專利範圍第is項所述之方法，其中上述各線型 光束脈衝上部之能量密度高於一完全融化臨界值。 2 0.如申請專利範圍第i 8項所述之方法，其中上述各線型 光束脈衝上部之能量密度低於一完全融化臨界值。
21· —種用於處理一基板上薄膜樣本之至少一區段的系 統，至少包含‘· 一處理設置，其係經配置以在實施一電腦程式時執行 下列步驟： (a) 控制一照射光束產生器以按一預設重複速度發射 連續照射光束脈衝； (b) 控制每一照射光束脈衝之形狀以定義至少一線型 34 Γ359441 光束衝其中母一線型光束脈衝之輪廓包含一上部、一 月丨緣部刀& &缘部分’該至少一線型光束脈衝係用以撞 —n薄 ϋγ ;-------------------------------------- (c) 控制以至少該線型光束脈衝之第一線型光束脈衝 的^上部“?、射该薄膜樣本之一第一部份以至少部分融化該 第部伤孩經照射之第一部份可再固化及結晶以於其中 形成約略均勻之區域；及 (d) 在步驟（C)後控制以至少該線型光束脈衝之第二線 型光束脈衝的該上部照射該薄膜樣本之一第二部份以至少 ° 融化該第二部份’被照射之該第二部份可再固化及結 曰曰以於其中形成約略均勻之區域； 其中該處理設置控制該第二線型光束脈衝之一發射 乂緊接於該第一線型光束脈衝之一發射之後，其中避免與 S 少笛认 ^弟一線型光束脈衝的該上部相對應的該薄膜樣本之 該第 —Λ #份之至少一區段被該第二線型光束脈衝之該後緣 部分照射到。 2 2 ’ 申請專利範圍第21項所述之系統，其中上述線型光 束脈衝上部之能量密度高於一完全融化臨界值。 2 3 r . 申請專利範圍第21項所述之系統，其中上述線型光 束脈衝上部之能量密度低於一完全融化臨界值。 35 Γ359441 24 ·如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中當執行上 電腦程式時，上述處理設置可控制上述第一線型光束脈 的該前鎂及該後緣部分之各者照射該第一部份之一部分 且其中上述第二線型光束脈衝的該前緣及該後緣部分之 者照射該第二部份之一部分。 25 ·如申請專利範圍第21項所述之系統，其中 上述第一及第二線型光束脈衝之該前緣及該後緣 分之各者具有第一及一第二區段， 其中上述第一及第二線型光束脈衝的前緣及後緣 分之該第一區段之各者的能量密度足以至少部分融化該 一部份及該第二部分各自之至少一者，且 上述第一及第二線型光束脈衝之前緣及後緣部分 該第二區段之各者的能量密度係低於一足以至少部分融 該第一部份及該第二部分之各者之至少一者的臨界值。 26. 如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中當在執行 述電腦程式時，上述處理設置可在上述步驟（c)完成後及 該薄膜樣本相對於該光束脈衝之第一部份的撞擊移動一 定距離後執行步驟（d)。 27. 如申請專利範圍第21項所述之系統，其中上述第一 型光束脈衝的前緣部分具有一第一長度，其中上述第一 述 衝 ， 各 部 部 第 之 化 上 在 特 線 線 36 Γ359441 型光束脈衝的上部具有一第二長度，且上述第二線型光束 脈衝的後緣部分具有一第三長度，且其中在該薄膜樣本相 對於—_該光—束衝之_勒―—f:7W _的撞_^^二 上述特定距離大於該第一長度、該第二長度及該第三長度 之總和。
28.如申請專利範圍第21項所述之系統，其中上述第一線 型光束脈衝的前緣部分的一區段具有一第一長度且能量密 度介於該完全融化臨界值與該結晶臨界值之間，其中上述 第一線型光束脈衝的上部具有一第二長度且能量密度高於 該完全融化臨界值，且上述第二線型光束脈衝的後緣部分 具有一第三長度且能量密度低於該完全融化臨界值，且其 中在該薄膜樣本相對於該光束脈衝之該第一部份的撞擊移 動一特定距離後，上述特定距離至少為該第一及該第二長 度之總和及與該第二及該第三長度之總和中之較大者。
29.如申請專利範圍第21項所述之系統，其中上述光束脈 衝具有一高斯形狀。 3 0.如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中上述薄膜樣 本之該第一部份被上述第一線型光束脈衝的上部照射，其 中上述薄膜樣本之該第二部份被上述第二線型光束脈衝的 上部照射，其中上述第一及第.二線型光束脈衝的該上部-具 37 1.359441 有約略恆定之能量密度，且其中被照射之第一及第二部分 被上述第一及第二線型光束脈衝之各者部分地融化。 一- — — —-—— - — — - ' 31.如申請專利範圍第21項所述之系統，其中上述第二線 型光束脈衝沒有任何部分照射到再固化及結晶的被照射的 上述第一部份的任何區段。
3 2.如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中上述薄膜樣 本之第一部份避免被上述第二線型光束脈衝的後緣部分照 射到之至少一區段包含一主動區域。 3 3 ·如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中上述薄膜樣 本之第一及第二部分包含一薄膜元件之主動區域。 3 4.如申請專利範圍第2 1項所述之系統，其中上述照射光 束脈衝被一光罩塑形以定義上述線型光束脈衝。
35.如申請專利範圍第21項所述之系統，其中當執行該電 腦程式時，該處理設置可更被配置以執行下列步驟（g):在 步驟（c)之後與步驟（d)之前，依據該照射光束產生器之照射 頻率將該薄膜樣本相對於上述光束脈衝之撞擊以週期式移 動一特定距離。 38 1*359441 36如申請專利範圍第21項所述之系統，其中 本之第一及第二部分包含像素區域。 3 7.如申請專利範圍第21項所述之系統，其中 第二部分包含用以於其上形成至少一薄膜電^ 件之主動區域。 3 8. 一種處理一基板上薄臈樣本之至少一區段 少包含： 一處理設置’其係被配置成當一電腦程式 執行下列步驟： (a) 控制一照射光束產生器以一預設重複 續照射光束脈衝； (b) 控制每一照射光束脈衝之形狀以定義 光束脈衝’其中每一線型光束脈衝之輪廓包含 前緣部分及一後緣部分，該至少一線型光束脈 擊該薄膜樣本； (c) 控制至少以該線型光束脈衝之第一線 的該上部照射該薄膜樣本之第一部份以至少部 一部份’被照射的該第一部份可再固化及結晶 成約略均勻之區域；及 (d) 在步驟（c)後控制至少以該線型光束脈 型光束脈衝的該上部照射該薄膜樣本之第.二部 上述薄膜樣 上述第一及 5日體（TFT)元 的系統，至 被實施時可 速度發射連 至少一線型 一上部、一 衝係用以撞 型光束脈衝 份融化該第 以於其中形 衝之第二線 份以至少部 1359441 刀融化該第一部份’被照射之該第二部份可再固化及結晶 中形成力略均勻之區域，其令該處理設置可控制該 第二線型-光一束脈w之一發一癖^之二 射之後Z、中避免與至少該第—線型光束脈衝的該上部 相對應的該薄膜樣本之該第—部份之至少一區段被該第二 線型光束脈衝之該後緣部分照射到； (e) 接收與該溥膜樣本被照射位置有關之資料；及 (f) 在步驟（c)之後與步驟（d)之前，依據該接收之資料 將該薄《本相對於上述光束脈衝之撞擊以週期式移動一 特定距離。 39. —種基板上薄膜樣本之一區段，其至少包含： 一被照射及結晶之第一部分；及 一被照射及結晶之第-邱公，咕势_时、 曰·^昂—邵刀，該第二部分與該第一部 分無重疊； 其中該第-及第二部分各者被線型光東脈衝照射，其 中每-該線型光束脈衝之輪廟包含一上部、一前緣部分及 一後緣部分，肖至少一線型光束脈衝係提供以撞擊該薄膜 樣本， 其中該第一部份被第—線型光束脈衝的至少該上部 照射以至少部分融化該第一部份，被照射之該第一部份可 再固化及結晶以於其中形成約略均勻之區域， 其中在該第一部份之照射後，該第二部份被第二線型 40 1.359441 光束脈衝的至少該上部照射以至少部分 二部份， 成一約略 刀嘁化該第 被照射之該第二部份可再固化及結晶以於 ， 、/、宁形 均勻之區—域厂： — 其中該第二線型光束脈衝之一 型光束脈衝之發射之後，且 發射緊接 於該第一線 其中該第一線型光束脈衝之上部衝描 $之第一部份的 一區段避免被第二線型光束脈衝之後緣部分照射。
4〇·如申請專利範圍第38項所述之系統，其中上述各線型 光束脈衝上部之能量密度高於一完全融化臨界值。 41.如申請專利範圍第38項所述之系統，其中上述各線型 光束脈衝上部之能量密度低於一完全融化臨界值。
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