JP2004031809A - フォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】結晶粒の粒径が大きくて高品質の多結晶材料を形成可能なフォトマスクを提供する。
【解決手段】本発明に係るフォトマスクは、矩形状の第1スリット1が複数ずつ形成された複数の第1マスク部2a,2b,2cと、矩形状の第2スリット3が複数形成された第2マスク部4とを備えている。第1スリット1が形成された第1マスク部2を用いてポリシリコンの結晶粒を大きくする処理を行った後、この処理で形成された突起部20の高さを、第2スリット3が形成された第2マスク部4を用いて低くするため、半導体薄膜21の表面を平坦化することができ、電気的特性の優れたポリシリコンTFTを形成することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明に係るフォトマスクは、矩形状の第1スリット1が複数ずつ形成された複数の第1マスク部2a,2b,2cと、矩形状の第2スリット3が複数形成された第2マスク部4とを備えている。第1スリット1が形成された第1マスク部2を用いてポリシリコンの結晶粒を大きくする処理を行った後、この処理で形成された突起部20の高さを、第2スリット3が形成された第2マスク部4を用いて低くするため、半導体薄膜21の表面を平坦化することができ、電気的特性の優れたポリシリコンTFTを形成することができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体薄膜の形成に用いられるフォトマスクに関し、特に、非晶質材料を多結晶材料に変質させるためにレーザー光を照射させるフォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶表示素子(以下、LCDと記す)は、パーソナルコンピュータ、プロジェクタ、小型テレビ及び携帯情報端末などに広く利用されている。現在のLCDは、画素ごとに半導体素子である薄膜トランジスタ(TFT)を設けたアクティブマトリクス型LCDが主流となっている。
【0003】
従来から、アクティブマトリクス型LCD用のTFTをガラス基板上に形成する場合、半導体材料としてアモルファスシリコン(a−Si)を採用するのが一般的であり、現在でも広く用いられている。
【0004】
近年では、a−Siよりも移動度が大きいポリシリコン(p−Si)を半導体材料とするアクティブマトリクス基板が実用化されている。半導体材料としてp−Siを採用することにより、画像を表示するための駆動回路の一部をアクティブマトリクス基板上に形成できるようになり、従来セルパネルに外付けしていた部品が不要となって、製造コスト削減と狭額縁化が可能となる。
【0005】
しかしながら、現在実用化されているp−Siを半導体材料とするアクティブマトリクス基板に搭載可能な駆動回路が限られており、その他の回路は依然としてセルパネルに外付けされている。より多くの駆動回路をアクティブマトリクス基板上に作り込むことにより、さらなるコスト削減と高機能化が可能となるが、そのためには半導体であるp−Siの移動度をさらに高くする必要がある。p−Siの移動度を向上させるためには、p−Siの結晶粒の大粒径化と、結晶性の向上が不可欠である。
【0006】
p−Siの大粒径化を実現する方法としては、例えば特願2002−31908号に記載されている方法がある。この方法では、繰り返しパターンをもつ領域を複数設けたマスクを介してレーザ光をa−Si薄膜上に照射し、かつ基板を載せたステージを等速で走査することにより、基板上のa−Si薄膜を高速に結晶化してp−Si薄膜を得ることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法により結晶化したp−Si薄膜には、マスクのパターンに依存して周期的な粒界が形成される。粒界部には、他の部分に比べて隆起したような突起が形成される。この突起は、パターン開口部の周辺部から中央部へ向かって、すなわち薄膜の低温部から高温部に向かって結晶が成長する際、パターン開口部の中央で結晶粒同士がぶつかり合うことにより生じる。TFT素子のチャネル部にこのような粒界が存在するとTFT素子の性能の一つである移動度が低下する要因となり、また突起によって半導体と絶縁膜の界面に問題を生じて移動度が低下したり、絶縁膜におけるリーク電流増加の原因ともなる。
【0008】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、結晶粒の粒径が大きくて高品質の多結晶材料を形成可能なフォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明は、レーザー光源からのレーザー光を通過させて、半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させるフォトマスクにおいて、前記多結晶材料の結晶粒のサイズを拡大するための少なくとも一つの第1領域と、前記多結晶材料の表面形態を平坦化するための少なくとも一つの第2領域と、を備える。
【0010】
本発明では、半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させるためのフォトマスクに第1及び第2領域を設けるため、多結晶材料の結晶粒のサイズを大きくしつつ、多結晶材料の表面形態を平坦化することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るフォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【0012】
図1は本発明に係るフォトマスクの一例を示す外形図である。図1のフォトマスクは、矩形状の第1スリット1が複数(例えば、9つ)ずつ形成された複数の第1マスク部2a,2b,2cと、矩形状の第2スリット3が複数(例えば、3つ)形成された第2マスク部4とを備えている。
【0013】
第1スリット1は、半導体薄膜中の多結晶材料の結晶粒のサイズを拡大するためのものであり、第2スリット3は、多結晶材料の表面形態を平坦化するためのものである。
【0014】
第1スリット1の長手方向サイズは、第2スリット3の長手方向サイズと略等しく、第1スリット1の短手方向サイズは、第2スリット3の短手方向サイズよりも大きい。
【0015】
第2スリット3の総数は、すべての第1マスク部2a,2b,2cの第1スリット1の総数に等しい。
【0016】
図2は従来のマスクの外形図である。従来のマスクは、図1と同様の第1マスク部2a,2b,2cを有するが、第2マスク部4は持たない。
【0017】
図3は図1のマスクを有する結晶化装置の概略構成を示すブロック図である。図3の結晶化装置は、2次元(XY)方向に移動可能なステージ11と、ステージ11に真空吸着されるガラス基板12と、ステージ11の移動を制御するステージ移動制御部13と、エキシマレーザー光を放射するレーザー光源14と、エキシマレーザー光を屈折させる屈折光学系15と、図1のマスク16と、マスク16の第1及び第2スリット1,3を通過したレーザー光を集光させるレンズ17と、レンズ17の焦点調節を行う焦点調節部18とを備えている。
【0018】
ステージ11は、ガラス基板12を図3のX方向に第1マスク部2a,2b,2cの距離分だけ順に移動させる。ステージ11がガラス基板12を移動させるたびに、ガラス基板12にレーザー光が照射される。例えば、図1のように、3つの第1マスク部2a,2b,2cが設けられている場合、まず最初に第1マスク部2aを通過したレーザー光がガラス基板12に照射される。この場合、ガラス基板12には、図4(a)の斜線部h1で示す領域にレーザー光が照射される。
【0019】
次に、第1マスク部2の距離だけガラス基板12が移動された後、第1マスク部2を通過したレーザー光がガラス基板12に照射される。この場合、ガラス基板12には、図4(b)の斜線部h2で示す領域にレーザー光が照射される。
【0020】
次に、第1マスク部2の距離だけガラス基板12が移動された後、第1マスク部2を通過したレーザー光がガラス基板12に照射される。この場合、ガラス基板12には、図4(c)の斜線部h3で示す領域にレーザー光が照射される。
【0021】
図5はレーザー光の照射範囲をより詳しく示した図である。まず、1ショット目は、図5(a)の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射される。次に、2ショット目は図5(b)の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射され、3ショット目は図5(c)の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射され、4ショット目は図5(d)の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射される。第2マスク部4があるために、ショット数が多くなるにつれて、狭い幅でレーザー光が照射される範囲が次第に広がる。
【0022】
これに対して、図6は従来のレーザー光の照射範囲を示した図である。図6に示すように、レーザー光の照射幅は常に一定である。
【0023】
図7は図4(c)のA−A線断面図である。図示のように、3回に分けてレーザー光を照射すると、レーザー光の照射エリアの中央付近に突起部が形成される。
【0024】
以下、突起部が形成される理由を説明する。マスク16を使ってレーザー光を照射すると、マスク16のスリットのエッジに形成される固液界面から結晶成長が開始され、レーザー光による熱の拡散方向とは反対側であるスリットの中央に向かって結晶粒が成長していく。スリットのエッジからスリットの中央に向かって成長した結晶粒は、スリットの中央付近で互いに衝突することにより結晶成長が停止する。このとき、結晶粒界がスリットの中央付近に発生するとともに、突起部も形成される。
【0025】
本実施形態では、複数の第1マスク部2でのレーザー光照射が終了した後に、第2マスク部4によるレーザー光照射を行う。第2マスク部4の第2スリット3は、第1スリット1よりもスリットの幅が狭く、かつ投影レンズ17の分解能よりも幅が狭い。このため、第2スリット3を通過するレーザー光の強度は、第1スリット1を通過するレーザー光の強度よりも弱くなり、半導体薄膜を完全には溶融しない程度の強度である。
【0026】
第2スリット3は、図7の突起部20の周辺にレーザー光を照射可能な位置に配置されてレーザー光照射を行う。これにより、突起部20の周辺のみが溶融されて再結晶化される。この場合の結晶成長は、横方向成長ではないため、図8に示すように、突起部20の高さが低くなり、半導体薄膜21の表面が平坦になる。
【0027】
このように、本実施形態では、第1スリット1が形成された第1マスク部2を用いてポリシリコンの結晶粒を大きくする処理を行った後、この処理で形成された突起部20の高さを、第2スリット3が形成された第2マスク部4を用いて低くするため、半導体薄膜21の表面を平坦化することができ、電気的特性の優れたポリシリコンTFTを形成することができる。
【0028】
上述した実施形態では、マスク16に形成するスリットの幅を狭くしてレーザー光の強度を弱くしているが、これ以外の手法によりレーザー光の強度を弱くしてもよい。例えば、スリットを形成する代わりに、マスク16の材料を変更することによりレーザー光の強度を弱くしてもよい。通常のマスク16は、基板上にクロムが蒸着されており、クロムによりレーザー光が遮光される。逆に、クロムが蒸着されていない部分はレーザー光を透過する。よって、クロムを通常の遮光部よりも薄く蒸着することにより、レーザー光を弱く透過することができる。このため、上述した第2マスク部4については、レーザー光を透過させるべき部分にクロムを薄く蒸着すればよい。
【0029】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させるためのフォトマスクに第1及び第2領域を設けるため、多結晶材料の結晶粒のサイズを大きくしつつ、多結晶材料の表面形態を平坦化することができる。したがって、多結晶材料中に形成されるトランジスタの電気的特性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るフォトマスクの一例を示す外形図。
【図2】従来のマスクの外形図。
【図3】図1のマスクを有する結晶化装置の概略構成を示すブロック図。
【図4】レーザー光の照射領域を説明する図。
【図5】レーザー光の照射範囲をより詳しく示した図。
【図6】従来のレーザー光の照射範囲を示した図。
【図7】図4(c)のA−A線断面図。
【図8】レーザー光照射後のA−A線断面図。
【符号の説明】
1 第1スリット
2a,2b,2c 第1マスク部
3 第2スリット
4 第2マスク部
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体薄膜の形成に用いられるフォトマスクに関し、特に、非晶質材料を多結晶材料に変質させるためにレーザー光を照射させるフォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶表示素子(以下、LCDと記す)は、パーソナルコンピュータ、プロジェクタ、小型テレビ及び携帯情報端末などに広く利用されている。現在のLCDは、画素ごとに半導体素子である薄膜トランジスタ(TFT)を設けたアクティブマトリクス型LCDが主流となっている。
【0003】
従来から、アクティブマトリクス型LCD用のTFTをガラス基板上に形成する場合、半導体材料としてアモルファスシリコン(a−Si)を採用するのが一般的であり、現在でも広く用いられている。
【0004】
近年では、a−Siよりも移動度が大きいポリシリコン(p−Si)を半導体材料とするアクティブマトリクス基板が実用化されている。半導体材料としてp−Siを採用することにより、画像を表示するための駆動回路の一部をアクティブマトリクス基板上に形成できるようになり、従来セルパネルに外付けしていた部品が不要となって、製造コスト削減と狭額縁化が可能となる。
【0005】
しかしながら、現在実用化されているp−Siを半導体材料とするアクティブマトリクス基板に搭載可能な駆動回路が限られており、その他の回路は依然としてセルパネルに外付けされている。より多くの駆動回路をアクティブマトリクス基板上に作り込むことにより、さらなるコスト削減と高機能化が可能となるが、そのためには半導体であるp−Siの移動度をさらに高くする必要がある。p−Siの移動度を向上させるためには、p−Siの結晶粒の大粒径化と、結晶性の向上が不可欠である。
【0006】
p−Siの大粒径化を実現する方法としては、例えば特願2002−31908号に記載されている方法がある。この方法では、繰り返しパターンをもつ領域を複数設けたマスクを介してレーザ光をa−Si薄膜上に照射し、かつ基板を載せたステージを等速で走査することにより、基板上のa−Si薄膜を高速に結晶化してp−Si薄膜を得ることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法により結晶化したp−Si薄膜には、マスクのパターンに依存して周期的な粒界が形成される。粒界部には、他の部分に比べて隆起したような突起が形成される。この突起は、パターン開口部の周辺部から中央部へ向かって、すなわち薄膜の低温部から高温部に向かって結晶が成長する際、パターン開口部の中央で結晶粒同士がぶつかり合うことにより生じる。TFT素子のチャネル部にこのような粒界が存在するとTFT素子の性能の一つである移動度が低下する要因となり、また突起によって半導体と絶縁膜の界面に問題を生じて移動度が低下したり、絶縁膜におけるリーク電流増加の原因ともなる。
【0008】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、結晶粒の粒径が大きくて高品質の多結晶材料を形成可能なフォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明は、レーザー光源からのレーザー光を通過させて、半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させるフォトマスクにおいて、前記多結晶材料の結晶粒のサイズを拡大するための少なくとも一つの第1領域と、前記多結晶材料の表面形態を平坦化するための少なくとも一つの第2領域と、を備える。
【0010】
本発明では、半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させるためのフォトマスクに第1及び第2領域を設けるため、多結晶材料の結晶粒のサイズを大きくしつつ、多結晶材料の表面形態を平坦化することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るフォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【0012】
図1は本発明に係るフォトマスクの一例を示す外形図である。図1のフォトマスクは、矩形状の第1スリット1が複数(例えば、9つ)ずつ形成された複数の第1マスク部2a,2b,2cと、矩形状の第2スリット3が複数(例えば、3つ)形成された第2マスク部4とを備えている。
【0013】
第1スリット1は、半導体薄膜中の多結晶材料の結晶粒のサイズを拡大するためのものであり、第2スリット3は、多結晶材料の表面形態を平坦化するためのものである。
【0014】
第1スリット1の長手方向サイズは、第2スリット3の長手方向サイズと略等しく、第1スリット1の短手方向サイズは、第2スリット3の短手方向サイズよりも大きい。
【0015】
第2スリット3の総数は、すべての第1マスク部2a,2b,2cの第1スリット1の総数に等しい。
【0016】
図2は従来のマスクの外形図である。従来のマスクは、図1と同様の第1マスク部2a,2b,2cを有するが、第2マスク部4は持たない。
【0017】
図3は図1のマスクを有する結晶化装置の概略構成を示すブロック図である。図3の結晶化装置は、2次元(XY)方向に移動可能なステージ11と、ステージ11に真空吸着されるガラス基板12と、ステージ11の移動を制御するステージ移動制御部13と、エキシマレーザー光を放射するレーザー光源14と、エキシマレーザー光を屈折させる屈折光学系15と、図1のマスク16と、マスク16の第1及び第2スリット1,3を通過したレーザー光を集光させるレンズ17と、レンズ17の焦点調節を行う焦点調節部18とを備えている。
【0018】
ステージ11は、ガラス基板12を図3のX方向に第1マスク部2a,2b,2cの距離分だけ順に移動させる。ステージ11がガラス基板12を移動させるたびに、ガラス基板12にレーザー光が照射される。例えば、図1のように、3つの第1マスク部2a,2b,2cが設けられている場合、まず最初に第1マスク部2aを通過したレーザー光がガラス基板12に照射される。この場合、ガラス基板12には、図4(a)の斜線部h1で示す領域にレーザー光が照射される。
【0019】
次に、第1マスク部2の距離だけガラス基板12が移動された後、第1マスク部2を通過したレーザー光がガラス基板12に照射される。この場合、ガラス基板12には、図4(b)の斜線部h2で示す領域にレーザー光が照射される。
【0020】
次に、第1マスク部2の距離だけガラス基板12が移動された後、第1マスク部2を通過したレーザー光がガラス基板12に照射される。この場合、ガラス基板12には、図4(c)の斜線部h3で示す領域にレーザー光が照射される。
【0021】
図5はレーザー光の照射範囲をより詳しく示した図である。まず、1ショット目は、図5(a)の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射される。次に、2ショット目は図5(b)の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射され、3ショット目は図5(c)の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射され、4ショット目は図5(d)の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射される。第2マスク部4があるために、ショット数が多くなるにつれて、狭い幅でレーザー光が照射される範囲が次第に広がる。
【0022】
これに対して、図6は従来のレーザー光の照射範囲を示した図である。図6に示すように、レーザー光の照射幅は常に一定である。
【0023】
図7は図4(c)のA−A線断面図である。図示のように、3回に分けてレーザー光を照射すると、レーザー光の照射エリアの中央付近に突起部が形成される。
【0024】
以下、突起部が形成される理由を説明する。マスク16を使ってレーザー光を照射すると、マスク16のスリットのエッジに形成される固液界面から結晶成長が開始され、レーザー光による熱の拡散方向とは反対側であるスリットの中央に向かって結晶粒が成長していく。スリットのエッジからスリットの中央に向かって成長した結晶粒は、スリットの中央付近で互いに衝突することにより結晶成長が停止する。このとき、結晶粒界がスリットの中央付近に発生するとともに、突起部も形成される。
【0025】
本実施形態では、複数の第1マスク部2でのレーザー光照射が終了した後に、第2マスク部4によるレーザー光照射を行う。第2マスク部4の第2スリット3は、第1スリット1よりもスリットの幅が狭く、かつ投影レンズ17の分解能よりも幅が狭い。このため、第2スリット3を通過するレーザー光の強度は、第1スリット1を通過するレーザー光の強度よりも弱くなり、半導体薄膜を完全には溶融しない程度の強度である。
【0026】
第2スリット3は、図7の突起部20の周辺にレーザー光を照射可能な位置に配置されてレーザー光照射を行う。これにより、突起部20の周辺のみが溶融されて再結晶化される。この場合の結晶成長は、横方向成長ではないため、図8に示すように、突起部20の高さが低くなり、半導体薄膜21の表面が平坦になる。
【0027】
このように、本実施形態では、第1スリット1が形成された第1マスク部2を用いてポリシリコンの結晶粒を大きくする処理を行った後、この処理で形成された突起部20の高さを、第2スリット3が形成された第2マスク部4を用いて低くするため、半導体薄膜21の表面を平坦化することができ、電気的特性の優れたポリシリコンTFTを形成することができる。
【0028】
上述した実施形態では、マスク16に形成するスリットの幅を狭くしてレーザー光の強度を弱くしているが、これ以外の手法によりレーザー光の強度を弱くしてもよい。例えば、スリットを形成する代わりに、マスク16の材料を変更することによりレーザー光の強度を弱くしてもよい。通常のマスク16は、基板上にクロムが蒸着されており、クロムによりレーザー光が遮光される。逆に、クロムが蒸着されていない部分はレーザー光を透過する。よって、クロムを通常の遮光部よりも薄く蒸着することにより、レーザー光を弱く透過することができる。このため、上述した第2マスク部4については、レーザー光を透過させるべき部分にクロムを薄く蒸着すればよい。
【0029】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させるためのフォトマスクに第1及び第2領域を設けるため、多結晶材料の結晶粒のサイズを大きくしつつ、多結晶材料の表面形態を平坦化することができる。したがって、多結晶材料中に形成されるトランジスタの電気的特性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るフォトマスクの一例を示す外形図。
【図2】従来のマスクの外形図。
【図3】図1のマスクを有する結晶化装置の概略構成を示すブロック図。
【図4】レーザー光の照射領域を説明する図。
【図5】レーザー光の照射範囲をより詳しく示した図。
【図6】従来のレーザー光の照射範囲を示した図。
【図7】図4(c)のA−A線断面図。
【図8】レーザー光照射後のA−A線断面図。
【符号の説明】
1 第1スリット
2a,2b,2c 第1マスク部
3 第2スリット
4 第2マスク部
Claims (7)
- レーザー光源からのレーザー光を通過させて、半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させるフォトマスクにおいて、
前記多結晶材料の結晶粒のサイズを拡大するための少なくとも一つの第1領域と、
前記多結晶材料の表面形態を平坦化するための少なくとも一つの第2領域と、を備えることを特徴とするフォトマスク。 - 前記第2領域は、前記第1領域よりもレーザー光の強度を弱くすることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記第1領域のそれぞれは、所定の間隔を隔てて少なくとも一列に配置され、前記第2領域のそれぞれは、所定の間隔を隔てて少なくとも一列に配置され、前記第1領域の列は、前記第2領域の列と所定の間隔を隔てて配置されることを特徴とする請求項1または2に記載のフォトマスク。
- 前記第1領域の総数は、前記第2領域の総数に等しいことを特徴とする請求項1及至3のいずれかに記載のフォトマスク。
- それぞれ同数の前記第1領域からなる複数のグループが形成され、これら複数のグループは、前記半導体薄膜上のそれぞれ異なる領域に対して、同一パルスのレーザー光によって一括して照射するために用いられることを特徴とする請求項1及至4のいずれかに記載のフォトマスク。
- 前記第1領域の長手方向サイズは、前記第2領域の長手方向サイズに略等しく、
前記第1領域の短手方向サイズは、前記第2領域の短手方向サイズより大きいことを特徴とする請求項1及至5のいずれかに記載のフォトマスク。 - 半導体薄膜中の多結晶材料の結晶粒のサイズを拡大するための少なくとも一つの第1領域と、前記多結晶材料の表面形態を平坦化するための少なくとも一つの第2領域と、を備えるフォトマスクを用いた半導体薄膜の結晶化方法であって、前記第1領域を通過したレーザー光源からのレーザー光を前記半導体薄膜に照射して、前記半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させ、前記第2領域を通過したレーザー光源からのレーザー光を前記半導体薄膜に照射して、前記半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させる際に形成された突起部の高さを低くするステップと、を備える半導体薄膜の結晶化方法。
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JP2002188383A JP2004031809A (ja) | 2002-06-27 | 2002-06-27 | フォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2002188383A JP2004031809A (ja) | 2002-06-27 | 2002-06-27 | フォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法 |
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JP2004031809A true JP2004031809A (ja) | 2004-01-29 |
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Cited By (32)
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