JP4467276B2 - 半導体薄膜を製造する方法と装置 - Google Patents
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Description
図1のブロック図は、本発明の多結晶半導体薄膜の製造に利用し得るレーザ照射装置の一例を模式的に示している。このレーザ照射装置は第1と第2のレーザ発振器11、12、第1と第2のアッテネータ13、14、第1と第2の均一照射光学系15、16、第1と第2のマスク17、18、XY方向に所定の速度で移動し得るステージ19、結像レンズ20、ミラー21、ハーフミラー22、および制御装置23を備えている。
第1マスク17としては、主レーザ光1のビーム断面を整形するために矩形状の透過部を有するものが用いられ得る。その矩形状の透過部の幅は特に限定されるものではないが、結像面上においてラテラル結晶成長距離の2倍程度に投影されるものであればよい。本発明の実施形態においては、その幅が結像面上で20μm程度になるように設定され得る。
図3の模式的断面図は、本実施形態で用いられる具体的な半導体基板31の層構造を例示している。この半導体基板31は、ガラス基礎基板32上に順次積層された厚さ100nmの酸化珪素(SiO2)膜33と厚さ50nmの非晶質珪素(a−Si)膜34を含んでいる。この積層構造を有する基板31は、ガラス基礎基板32上にプラズマCVD法により酸化珪素膜33を成膜し、その上に非晶質珪素膜34をプラズマCVD法により成膜することにより作製し得る。
Claims (3)
- 断面が単一の矩形状の主レーザ光ビームを半導体薄膜に照射してその照射領域における前記半導体薄膜を全厚にわたって溶融させた後に凝固させて結晶化を行う方法であって、複数の矩形が規則的に並んだ断面形状を有する副レーザ光ビームが、前記主レーザ光ビームの矩形状断面の長辺と前記副レーザ光ビームの矩形状断面の長辺とが垂直に交わるように前記半導体薄膜へ付加的に照射され、この際に前記主レーザ光ビームと前記副レーザ光ビームとの照射が所定期間重畳されることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
- レーザ光源と、
主レーザ光ビームを単一の矩形状断面に整形する第1のマスクと、
副レーザ光ビームを複数の矩形が規則的に並んだ断面形状に整形する第2のマスクと、
結像レンズと、
前記主レーザ光ビームと前記副レーザ光ビームとの照射を所定期間重畳させる制御装置を含み、
前記主レーザ光ビームの矩形断面像の長辺と前記副レーザ光ビームの矩形断面像の長辺とが垂直に交わって結像されるように前記第1と第2のマスクが配置されていることを特徴とする半導体薄膜の製造装置。 - 前記第2マスクにおいては前記副レーザ光ビームの複数の矩形状透過部とそれらの透過部間の遮光部とが周期的に配列されていることを特徴とする請求項2に記載の製造装置。
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