JP2001044120A - レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置 - Google Patents
レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置Info
- Publication number
- JP2001044120A JP2001044120A JP11221021A JP22102199A JP2001044120A JP 2001044120 A JP2001044120 A JP 2001044120A JP 11221021 A JP11221021 A JP 11221021A JP 22102199 A JP22102199 A JP 22102199A JP 2001044120 A JP2001044120 A JP 2001044120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- heat treatment
- laser light
- pulse laser
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高移動度の薄膜トランジスタを実現するため
に、結晶性に優れた基板上膜材料を形成するレーザ熱処
理方法を提供する。 【解決手段】 基板上膜材料９に対する吸収係数が異な
る、第１のパルスレーザ光３と第２のパルスレーザ光４
をそれぞれ上記基板上膜材料の同一部分に線状に集光し
て照射するレーザ熱処理方法。
に、結晶性に優れた基板上膜材料を形成するレーザ熱処
理方法を提供する。 【解決手段】 基板上膜材料９に対する吸収係数が異な
る、第１のパルスレーザ光３と第２のパルスレーザ光４
をそれぞれ上記基板上膜材料の同一部分に線状に集光し
て照射するレーザ熱処理方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】高移動度の薄膜トランジスタ
を実現するために、結晶性に優れた多結晶珪素膜を形成
するレーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置に関す
る。
を実現するために、結晶性に優れた多結晶珪素膜を形成
するレーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶パネルの画素部は、ガラスま
たは合成石英基板上の非晶質または多結晶珪素膜で作製
された薄膜トランジスタのスイッチングにより、画像を
構成している。もし、このパネル上に画素トランジスタ
を駆動するドライバ回路（主として外部に独立して設置
してある）を同時に構成することが可能となれば、液晶
パネルの製造コスト・信頼性等の面で飛躍的なメリット
が生じることになる。しかし現在は、トランジスタ能動
層を構成する珪素膜の結晶性が悪いため、移動度に代表
される薄膜トランジスタの性能が低く、高速性・高機能
性が要求される集積回路の作製は困難である。高移動度
薄膜トランジスタ実現を目的とする、珪素膜結晶性改善
手法として、一般的にレーザによる熱処理が行われてい
る。
たは合成石英基板上の非晶質または多結晶珪素膜で作製
された薄膜トランジスタのスイッチングにより、画像を
構成している。もし、このパネル上に画素トランジスタ
を駆動するドライバ回路（主として外部に独立して設置
してある）を同時に構成することが可能となれば、液晶
パネルの製造コスト・信頼性等の面で飛躍的なメリット
が生じることになる。しかし現在は、トランジスタ能動
層を構成する珪素膜の結晶性が悪いため、移動度に代表
される薄膜トランジスタの性能が低く、高速性・高機能
性が要求される集積回路の作製は困難である。高移動度
薄膜トランジスタ実現を目的とする、珪素膜結晶性改善
手法として、一般的にレーザによる熱処理が行われてい
る。
【０００３】珪素膜の結晶性と薄膜トランジスタの移動
度の関係は以下のように説明される。レーザ熱処理によ
り得られる珪素膜は一般に多結晶である。多結晶の結晶
粒界には結晶欠陥が局在しており、これが薄膜トランジ
スタ能動層のキャリア移動を阻害する。従って、薄膜ト
ランジスタの移動度を高くするには、キャリアが能動層
を移動中に結晶粒界を横切る回数を少なくし、かつ結晶
欠陥密度を小さくすれば良い。レーザ熱処理の目的は、
結晶粒径が大きくかつ結晶粒界における結晶欠陥が少な
い多結晶珪素膜の形成である。
度の関係は以下のように説明される。レーザ熱処理によ
り得られる珪素膜は一般に多結晶である。多結晶の結晶
粒界には結晶欠陥が局在しており、これが薄膜トランジ
スタ能動層のキャリア移動を阻害する。従って、薄膜ト
ランジスタの移動度を高くするには、キャリアが能動層
を移動中に結晶粒界を横切る回数を少なくし、かつ結晶
欠陥密度を小さくすれば良い。レーザ熱処理の目的は、
結晶粒径が大きくかつ結晶粒界における結晶欠陥が少な
い多結晶珪素膜の形成である。
【０００４】図１１は従来のレーザ熱処理装置の一例を
示す図である。ここにおいて、51は熱処理用レーザとし
て一般的に使われている紫外光を発する350nm未満の代
表的なパルスレーザ光源であるエキシマレーザ（KrF
（波長：248nm）、XeCl（波長：308nm）等）、52はエキ
シマレーザ光、53はビーム強度分布を均一にするための
ビームホモジナイザ、54はビームを集光するための集光
光学系、55は非晶質珪素膜、56はガラスまたは石英基板
である。
示す図である。ここにおいて、51は熱処理用レーザとし
て一般的に使われている紫外光を発する350nm未満の代
表的なパルスレーザ光源であるエキシマレーザ（KrF
（波長：248nm）、XeCl（波長：308nm）等）、52はエキ
シマレーザ光、53はビーム強度分布を均一にするための
ビームホモジナイザ、54はビームを集光するための集光
光学系、55は非晶質珪素膜、56はガラスまたは石英基板
である。
【０００５】次に従来のレーザ熱処理手法について説明
する。エキシマレーザ51から出射されたエキシマレーザ
光52がビームホモジナイザ53を経て集光光学系54により
非晶質珪素膜55上に照射される。エキシマレーザ光52の
照射により照射領域における非晶質珪素55が溶融され
る。その後温度が低下するに従って溶融した珪素が再結
晶化して、多結晶珪素膜を形成する。しかし、エキシマ
レーザ光による熱処理で得られたポリシリコンの平均結
晶粒径は数100nmと非常に小さい。これは、エキシマレ
ーザの時間パルス幅が一般的に数10nsecしかないため、
再結晶時間が短く、大きな結晶粒が成長できないからで
ある。
する。エキシマレーザ51から出射されたエキシマレーザ
光52がビームホモジナイザ53を経て集光光学系54により
非晶質珪素膜55上に照射される。エキシマレーザ光52の
照射により照射領域における非晶質珪素55が溶融され
る。その後温度が低下するに従って溶融した珪素が再結
晶化して、多結晶珪素膜を形成する。しかし、エキシマ
レーザ光による熱処理で得られたポリシリコンの平均結
晶粒径は数100nmと非常に小さい。これは、エキシマレ
ーザの時間パルス幅が一般的に数10nsecしかないため、
再結晶時間が短く、大きな結晶粒が成長できないからで
ある。
【０００６】以上のように形成された多結晶珪素膜を能
動層として作製されたMOSトランジスタの移動度（ｎチ
ャネル）のレーザ光照射エネルギー密度に対する依存性
の例として、文献１（DIGEST OF TECHNICAL PAPERS AM-
LCD 96, TFTp2-4 pp113-116(1996)）にあるものを示
す。レーザ光源51としてKrFエキシマレーザを用いてお
り、非晶質珪素膜55の厚みは50nmの例である。照射条件
により得られる結果は少し変化するが、例えば照射強度
260 mJ/cm2で最高移動度100cm2/Vsが得られている。し
かし、照射エネルギー密度に対する移動度の依存性が大
きく、±５mJ/cm2の範囲内でしか最高移動度の8割以上
の移動度が得られず、同手法を生産ラインに導入する
際、レーザ出力、および光学系の集光性を極めて厳密に
制御しないと製作されたトランジスタの特性がばらつく
という問題がある。これは、珪素におけるエキシマレー
ザ光の吸収率が大きいために、わずかな照射エネルギー
密度の変化により溶融状態が異なり、再結晶過程が変化
するためと考えられる。
動層として作製されたMOSトランジスタの移動度（ｎチ
ャネル）のレーザ光照射エネルギー密度に対する依存性
の例として、文献１（DIGEST OF TECHNICAL PAPERS AM-
LCD 96, TFTp2-4 pp113-116(1996)）にあるものを示
す。レーザ光源51としてKrFエキシマレーザを用いてお
り、非晶質珪素膜55の厚みは50nmの例である。照射条件
により得られる結果は少し変化するが、例えば照射強度
260 mJ/cm2で最高移動度100cm2/Vsが得られている。し
かし、照射エネルギー密度に対する移動度の依存性が大
きく、±５mJ/cm2の範囲内でしか最高移動度の8割以上
の移動度が得られず、同手法を生産ラインに導入する
際、レーザ出力、および光学系の集光性を極めて厳密に
制御しないと製作されたトランジスタの特性がばらつく
という問題がある。これは、珪素におけるエキシマレー
ザ光の吸収率が大きいために、わずかな照射エネルギー
密度の変化により溶融状態が異なり、再結晶過程が変化
するためと考えられる。
【０００７】また、特開平８−１４８４２３号公報には
非晶質珪素膜を、第１のレーザ光と第２のレーザ光の、
２つのレーザ光により溶融再結晶化させるものが記述さ
れているが、ここでは、第２のレーザ光は補助加熱に用
いるべく、第１のレーザ光と同一波長のレーザ光か、基
板で吸収する波長のレーザ光を用いることが記述されて
いる。また、第１のレーザ光としてはエキシマレーザ光
を用いることが示唆されている。
非晶質珪素膜を、第１のレーザ光と第２のレーザ光の、
２つのレーザ光により溶融再結晶化させるものが記述さ
れているが、ここでは、第２のレーザ光は補助加熱に用
いるべく、第１のレーザ光と同一波長のレーザ光か、基
板で吸収する波長のレーザ光を用いることが記述されて
いる。また、第１のレーザ光としてはエキシマレーザ光
を用いることが示唆されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】エキシマレーザを光源
とした、従来の代表的なレーザ熱処理方法では、レーザ
光のパルス時間幅が短いために、また膜での吸収が大き
いため表面での加熱となり、横方向への結晶成長が十分
行われず、たとえ同一波長の第２のレーザ光を補助加熱
として用いても、やはり表面だけの加熱となり、結晶粒
径が小さいものしか得られず、薄膜トランジスタの移動
度が最大でも100 cm2/Vs、通常では60cm2/Vs程度と低い
値しか得られないことが問題であった。また、照射エネ
ルギー密度に対する移動度の依存性が極めて大きいため
に一定の移動度が得られず、作製されたトランジスタの
特性にばらつきがあることが問題であった。
とした、従来の代表的なレーザ熱処理方法では、レーザ
光のパルス時間幅が短いために、また膜での吸収が大き
いため表面での加熱となり、横方向への結晶成長が十分
行われず、たとえ同一波長の第２のレーザ光を補助加熱
として用いても、やはり表面だけの加熱となり、結晶粒
径が小さいものしか得られず、薄膜トランジスタの移動
度が最大でも100 cm2/Vs、通常では60cm2/Vs程度と低い
値しか得られないことが問題であった。また、照射エネ
ルギー密度に対する移動度の依存性が極めて大きいため
に一定の移動度が得られず、作製されたトランジスタの
特性にばらつきがあることが問題であった。
【０００９】本発明の目的は、高性能の薄膜トランジス
タを作製するのに必要な結晶性に優れた薄膜を形成する
レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置を提供するこ
とである。
タを作製するのに必要な結晶性に優れた薄膜を形成する
レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置を提供するこ
とである。
【００１０】また、生産性の高い、安定なレーザ熱処理
方法およびレーザ熱処理装置を提供することを第２の目
的とする。
方法およびレーザ熱処理装置を提供することを第２の目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１の
レーザ熱処理方法は、基板上膜材料に対する吸収係数が
異なる、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光
をそれぞれ、上記基板上膜材料の同一部分に線状に集光
して照射するものである。
レーザ熱処理方法は、基板上膜材料に対する吸収係数が
異なる、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光
をそれぞれ、上記基板上膜材料の同一部分に線状に集光
して照射するものである。
【００１２】本発明に係る請求項２のレーザ熱処理方法
は、上記第１のパルスレーザ光を、紫外域、あるいは真
空紫外域のパルスレーザ光とし、上記第2のパルスレー
ザ光は可視域のパルスレーザ光としたものである。
は、上記第１のパルスレーザ光を、紫外域、あるいは真
空紫外域のパルスレーザ光とし、上記第2のパルスレー
ザ光は可視域のパルスレーザ光としたものである。
【００１３】本発明に係る請求項３のレーザ熱処理方法
は、第１のパルスレーザ光として、エキシマレーザ光ま
たはフッ素レーザ光を用いるものである。
は、第１のパルスレーザ光として、エキシマレーザ光ま
たはフッ素レーザ光を用いるものである。
【００１４】本発明に係る請求項４のレーザ熱処理方法
は、第２のパルスレーザ光として、Ndイオンドープある
いはYbイオンドープの結晶あるいはガラスを励起媒質と
したQスイッチ発振固体レーザの高調波を用いるもので
ある。
は、第２のパルスレーザ光として、Ndイオンドープある
いはYbイオンドープの結晶あるいはガラスを励起媒質と
したQスイッチ発振固体レーザの高調波を用いるもので
ある。
【００１５】本発明に係る請求項５のレーザ熱処理方法
は、第１のレーザ光の照射と第２のレーザ光の照射との
タイミングのずれを200nsec以下としたものである。
は、第１のレーザ光の照射と第２のレーザ光の照射との
タイミングのずれを200nsec以下としたものである。
【００１６】本発明に係る請求項６のレーザ熱処理方法
は、基板上膜材料として、非晶質または多結晶珪素膜を
用いるものである。
は、基板上膜材料として、非晶質または多結晶珪素膜を
用いるものである。
【００１７】本発明に係る請求項７のレーザ熱処理方法
は、非晶質または多結晶珪素膜の表面における第１のレ
ーザ光の照射エネルギー密度が1500mJ/cm2以下100mJ/cm
2以上としたものである。
は、非晶質または多結晶珪素膜の表面における第１のレ
ーザ光の照射エネルギー密度が1500mJ/cm2以下100mJ/cm
2以上としたものである。
【００１８】本発明に係る請求項８のレーザ熱処理方法
は、非晶質または多結晶珪素膜の表面における第２のレ
ーザ光の照射エネルギー密度が1000mJ/cm2以下100mJ/cm
2以上としたものである。
は、非晶質または多結晶珪素膜の表面における第２のレ
ーザ光の照射エネルギー密度が1000mJ/cm2以下100mJ/cm
2以上としたものである。
【００１９】本発明に係る請求項９のレーザ熱処理装置
は、基板上膜材料に対する吸収係数が異なる第１のパル
スレーザ光と第２のパルスレーザ光を発生する、第１の
パルスレーザ光源と第２のパルスレーザ光源を備えたも
のである。
は、基板上膜材料に対する吸収係数が異なる第１のパル
スレーザ光と第２のパルスレーザ光を発生する、第１の
パルスレーザ光源と第２のパルスレーザ光源を備えたも
のである。
【００２０】本発明に係る請求項１０のレーザ熱処理装
置は、第１のパルスレーザ光源を、紫外域、あるいは真
空紫外域のレーザ光源とし、第２のパルスレーザ光源は
可視域のパルスレーザ光源としたものである。
置は、第１のパルスレーザ光源を、紫外域、あるいは真
空紫外域のレーザ光源とし、第２のパルスレーザ光源は
可視域のパルスレーザ光源としたものである。
【００２１】本発明に係る請求項１１のレーザ熱処理装
置は、第１のパルスレーザ光源を、エキシマレーザまた
はフッ素レーザとしたものである。
置は、第１のパルスレーザ光源を、エキシマレーザまた
はフッ素レーザとしたものである。
【００２２】本発明に係る請求項１２のレーザ熱処理装
置は、第２のパルスレーザ光源を、Ndイオンドープある
いはYbイオンドープの結晶あるいはガラスを励起媒質と
したQスイッチ発振固体レーザの高調波としたものであ
る。
置は、第２のパルスレーザ光源を、Ndイオンドープある
いはYbイオンドープの結晶あるいはガラスを励起媒質と
したQスイッチ発振固体レーザの高調波としたものであ
る。
【００２３】本発明に係る請求項１３のレーザ熱処理装
置は、基板上膜材料に照射される第１のレーザ光の光軸
と第２のレーザ光の光軸が一致しているものである。
置は、基板上膜材料に照射される第１のレーザ光の光軸
と第２のレーザ光の光軸が一致しているものである。
【００２４】本発明に係る請求項１４のレーザ熱処理装
置は、基板上膜材料に照射される第１のレーザ光の光軸
と第２のレーザ光の光軸が異なるものである。
置は、基板上膜材料に照射される第１のレーザ光の光軸
と第２のレーザ光の光軸が異なるものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は本発明のレ
ーザ熱処理装置の構成図である。１は第１のパルスレー
ザ光源、２は第２のパルスレーザ光源、３は第１のパル
スレーザ光、４は第２のパルスレーザ光、５は第１のパ
ルスレーザ光のアッテネータ、６は第２のパルスレーザ
光のアッテネータ、７は第１のパルスレーザ光の線状ビ
ーム成形光学系、８は第２のパルスレーザ光の線状ビー
ム成形光学系、９は基板上膜材料である非晶質珪素膜、
１０は基板である。基板１０は移動ステージに設置して
あり、広い面積にわたるレーザ熱処理が可能となってい
る。
ーザ熱処理装置の構成図である。１は第１のパルスレー
ザ光源、２は第２のパルスレーザ光源、３は第１のパル
スレーザ光、４は第２のパルスレーザ光、５は第１のパ
ルスレーザ光のアッテネータ、６は第２のパルスレーザ
光のアッテネータ、７は第１のパルスレーザ光の線状ビ
ーム成形光学系、８は第２のパルスレーザ光の線状ビー
ム成形光学系、９は基板上膜材料である非晶質珪素膜、
１０は基板である。基板１０は移動ステージに設置して
あり、広い面積にわたるレーザ熱処理が可能となってい
る。
【００２６】次に、レーザ熱処理方法について説明す
る。第１のパルスレーザ光源１より出射した第１のパル
スレーザ光３はアッテネータ５で光強度調整された後、
７において線状ビームに成形され、非晶質珪素膜９に照
射される。第２のパルスレーザ光４は、第１のパルスレ
ーザ光３のパルス立ち上がり時刻に対して同時もしくは
ある特定の時間だけ後にずらして、第２のパルスレーザ
光源２から発振され、アッテネータ６で光強度調整され
た後、８において線状ビームに成形され、非晶質珪素膜
９に照射される。この際、図２に示すように、非晶質珪
素膜表面において、第２のパルスレーザ光によって照射
される線状エリアの幅方向は、第１のパルスレーザ光に
よって照射された線状エリアの幅方向を完全に包含して
いなければならない。すなわち、非晶質珪素膜表面にお
いて、第２のパルスレーザ光の幅は第１のパルスレーザ
光の幅よりも広くなければならない。
る。第１のパルスレーザ光源１より出射した第１のパル
スレーザ光３はアッテネータ５で光強度調整された後、
７において線状ビームに成形され、非晶質珪素膜９に照
射される。第２のパルスレーザ光４は、第１のパルスレ
ーザ光３のパルス立ち上がり時刻に対して同時もしくは
ある特定の時間だけ後にずらして、第２のパルスレーザ
光源２から発振され、アッテネータ６で光強度調整され
た後、８において線状ビームに成形され、非晶質珪素膜
９に照射される。この際、図２に示すように、非晶質珪
素膜表面において、第２のパルスレーザ光によって照射
される線状エリアの幅方向は、第１のパルスレーザ光に
よって照射された線状エリアの幅方向を完全に包含して
いなければならない。すなわち、非晶質珪素膜表面にお
いて、第２のパルスレーザ光の幅は第１のパルスレーザ
光の幅よりも広くなければならない。
【００２７】ここで、第１のレーザ光としてエキシマレ
ーザ光を用い、エキシマレーザより非晶質珪素膜の吸収
係数が小さく、しかも非晶質珪素膜で吸収する波長の第
２のパルスレーザ光を時間的に同時もしくは若干の遅延
時間を設定して照射してやれば、再結晶化過程において
光エネルギーを追加補償することになるため、再結晶化
時間を延長でき、結晶粒径を大きくすることが可能とな
る。具体的には、第１のパルスレーザ光としてKrFやXeC
l等のエキシマレーザ、あるいはフッ素レーザといっ
た、紫外域あるいは真空紫外域のレーザ光であれば珪素
に対する吸収係数が十分高いので、これらのレーザ光を
用いることができる。また、第２のパルスレーザ光とし
ては、第１のパルスレーザ光よりも吸収率が小さくなる
可視域のパルスレーザ光が適している。すなわち、Nd:Y
AGレーザ、Nd:YLFレーザやYb:YAGレーザ、あるいはNd:
ガラスレーザやYb:ガラスレーザといったNdイオンドー
プあるいはYbイオンドープの結晶あるいはガラスを励起
媒質としたQスイッチ発振の固体レーザの高調波を用い
ることができる。
ーザ光を用い、エキシマレーザより非晶質珪素膜の吸収
係数が小さく、しかも非晶質珪素膜で吸収する波長の第
２のパルスレーザ光を時間的に同時もしくは若干の遅延
時間を設定して照射してやれば、再結晶化過程において
光エネルギーを追加補償することになるため、再結晶化
時間を延長でき、結晶粒径を大きくすることが可能とな
る。具体的には、第１のパルスレーザ光としてKrFやXeC
l等のエキシマレーザ、あるいはフッ素レーザといっ
た、紫外域あるいは真空紫外域のレーザ光であれば珪素
に対する吸収係数が十分高いので、これらのレーザ光を
用いることができる。また、第２のパルスレーザ光とし
ては、第１のパルスレーザ光よりも吸収率が小さくなる
可視域のパルスレーザ光が適している。すなわち、Nd:Y
AGレーザ、Nd:YLFレーザやYb:YAGレーザ、あるいはNd:
ガラスレーザやYb:ガラスレーザといったNdイオンドー
プあるいはYbイオンドープの結晶あるいはガラスを励起
媒質としたQスイッチ発振の固体レーザの高調波を用い
ることができる。
【００２８】実際に第１のパルスレーザ光としてKrFエ
キシマレーザ、第２のパルスレーザ光としてNd:YAGレー
ザの第２高調波を用いて行った例について説明する。時
間パルス幅は半値でKrFエキシマレーザが15nsec、Nd:YA
Gレーザの第２高調波が60nsecである。第１のパルスレ
ーザ光の役割は非晶質珪素膜を溶融して再結晶化を起こ
させることである。そのため、珪素に対する吸収係数が
高い紫外光を発振するエキシマレーザを選択した。第２
のパルスレーザ光の役割は再結晶時間の延長である。よ
って、照射時に珪素膜は溶融しているため、あまり強い
光強度は必要ない（強度の強い光を照射するとレーザア
ブレーションが起こり、珪素膜が基板から剥離してしま
う）。むしろ、再結晶時間の延長には時間パルス幅が長
いことの方が重要である。従って、珪素に対する吸収係
数があまり高くなく、時間パルス幅が長い、Nd:YAGレー
ザの第２高調波を選択した。
キシマレーザ、第２のパルスレーザ光としてNd:YAGレー
ザの第２高調波を用いて行った例について説明する。時
間パルス幅は半値でKrFエキシマレーザが15nsec、Nd:YA
Gレーザの第２高調波が60nsecである。第１のパルスレ
ーザ光の役割は非晶質珪素膜を溶融して再結晶化を起こ
させることである。そのため、珪素に対する吸収係数が
高い紫外光を発振するエキシマレーザを選択した。第２
のパルスレーザ光の役割は再結晶時間の延長である。よ
って、照射時に珪素膜は溶融しているため、あまり強い
光強度は必要ない（強度の強い光を照射するとレーザア
ブレーションが起こり、珪素膜が基板から剥離してしま
う）。むしろ、再結晶時間の延長には時間パルス幅が長
いことの方が重要である。従って、珪素に対する吸収係
数があまり高くなく、時間パルス幅が長い、Nd:YAGレー
ザの第２高調波を選択した。
【００２９】なお、本実施の形態１では、図１に示すよ
うに、２つのレーザ光の光軸が異なっている。すなわ
ち、２つのレーザ光を任意の方向より照射してよいた
め、レーザ発振器の設置位置を自由にでき、装置設計及
び生産が容易になる。
うに、２つのレーザ光の光軸が異なっている。すなわ
ち、２つのレーザ光を任意の方向より照射してよいた
め、レーザ発振器の設置位置を自由にでき、装置設計及
び生産が容易になる。
【００３０】実施の形態２.実施の形態２では、第１の
パルスレーザ光の照射と第２のパルスレーザ光の照射の
タイミングについて述べる。レーザ光照射による非晶質
珪素膜の表面温度の経時変化をシミュレーションにより
求めた。計算モデルとしては、図３に示すように、レー
ザ光照射により非晶質珪素膜中に導入された熱が基板へ
と散逸していく１次元モデルを考える。なお、表面から
の放射による熱損失は考慮していない。先ず図４に照射
エネルギー密度200mJ/cm2のKrFエキシマレーザ光を照射
した場合の表面温度の経時変化のシミュレーション結果
を示す。図の横軸（Time）はパルス立ち上がりからの時
間、縦軸（Temperature）は表面温度を示す。再結晶化
時間とほぼ同等である表面溶融時間は80nsec程度であ
る。次に、照射エネルギー密度300mJ/cm2のNd:YAGレー
ザの第２高調波を遅延時間0nsec, 50nsec,100nsecで重
畳照射した場合のシミュレーション結果を各々図５
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。これらの結果から、10
0nsec以上では、第２のレーザ光の重畳照射による再結
晶化時間延長の効果はないことが予想される。しかし、
実際に実験を行った結果、遅延時間200nsecまでは重畳
の効果があることが、形成された多結晶珪素膜の平均結
晶粒径の顕微鏡による観察から確認できた。従って、遅
延時間は200nsec以内、好ましくは100nsec以内が適当で
ある。
パルスレーザ光の照射と第２のパルスレーザ光の照射の
タイミングについて述べる。レーザ光照射による非晶質
珪素膜の表面温度の経時変化をシミュレーションにより
求めた。計算モデルとしては、図３に示すように、レー
ザ光照射により非晶質珪素膜中に導入された熱が基板へ
と散逸していく１次元モデルを考える。なお、表面から
の放射による熱損失は考慮していない。先ず図４に照射
エネルギー密度200mJ/cm2のKrFエキシマレーザ光を照射
した場合の表面温度の経時変化のシミュレーション結果
を示す。図の横軸（Time）はパルス立ち上がりからの時
間、縦軸（Temperature）は表面温度を示す。再結晶化
時間とほぼ同等である表面溶融時間は80nsec程度であ
る。次に、照射エネルギー密度300mJ/cm2のNd:YAGレー
ザの第２高調波を遅延時間0nsec, 50nsec,100nsecで重
畳照射した場合のシミュレーション結果を各々図５
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。これらの結果から、10
0nsec以上では、第２のレーザ光の重畳照射による再結
晶化時間延長の効果はないことが予想される。しかし、
実際に実験を行った結果、遅延時間200nsecまでは重畳
の効果があることが、形成された多結晶珪素膜の平均結
晶粒径の顕微鏡による観察から確認できた。従って、遅
延時間は200nsec以内、好ましくは100nsec以内が適当で
ある。
【００３１】実施の形態３.実施の形態３では、本発明
のレーザ熱処理方法により、非晶質珪素膜から形成した
多結晶珪素膜の平均結晶粒径について述べる。第１のレ
ーザとしてはKrFエキシマレーザを、第２のレーザとし
てはNd:YAGレーザの第２高調波を用いた。KrFエキシマ
レーザの照射エネルギー密度を200mJ/cm2に固定して、
遅延時間25nsecでNd:YAGレーザの第２高調波を照射した
結果を図６に示す。図において、横軸はNd:YAGレーザの
第２高調波の照射エネルギー密度（YAG2ω energy dens
ity）で、縦軸は平均結晶粒径（Grain size）である。K
rFエキシマレーザのみによる熱処理により形成された多
結晶珪素膜の平均結晶粒径は〜100nmであった。しか
し、Nd:YAGレーザの第２高調波を重畳照射して得られた
多結晶珪素膜の平均結晶粒径は最大で1.2μm程度であ
る。MOSトランジスタの能動層中でのキャリアの移動は
個々の結晶粒界における欠陥により阻害されるので、MO
Sトランジスタの移動度を向上させるには結晶粒径を大
きくすることが必須である。本発明のレーザ熱処理方法
による、結晶粒径の増大が実証された。
のレーザ熱処理方法により、非晶質珪素膜から形成した
多結晶珪素膜の平均結晶粒径について述べる。第１のレ
ーザとしてはKrFエキシマレーザを、第２のレーザとし
てはNd:YAGレーザの第２高調波を用いた。KrFエキシマ
レーザの照射エネルギー密度を200mJ/cm2に固定して、
遅延時間25nsecでNd:YAGレーザの第２高調波を照射した
結果を図６に示す。図において、横軸はNd:YAGレーザの
第２高調波の照射エネルギー密度（YAG2ω energy dens
ity）で、縦軸は平均結晶粒径（Grain size）である。K
rFエキシマレーザのみによる熱処理により形成された多
結晶珪素膜の平均結晶粒径は〜100nmであった。しか
し、Nd:YAGレーザの第２高調波を重畳照射して得られた
多結晶珪素膜の平均結晶粒径は最大で1.2μm程度であ
る。MOSトランジスタの能動層中でのキャリアの移動は
個々の結晶粒界における欠陥により阻害されるので、MO
Sトランジスタの移動度を向上させるには結晶粒径を大
きくすることが必須である。本発明のレーザ熱処理方法
による、結晶粒径の増大が実証された。
【００３２】実施の形態４.実施の形態４では、本発明
のレーザ熱処理方法により、非晶質珪素膜より形成した
多結晶珪素膜を用いて作製したMOSトランジスタについ
て述べる。特性の評価についてはMOSトランジスタの代
表的なパラメータである移動度（Mobility）を用いて行
う。第１のパルスレーザ光源としてはKrFエキシマレー
ザを、第２のパルスレーザ光源としてはNd:YAGレーザの
第２高調波（２ω）を用いた。先ず、比較のためにKrF
エキシマレーザのみで熱処理を行って形成した多結晶珪
素膜を用いて作製したMOSトランジスタのｎチャネル移
動度の照射エネルギー密度（fluence）依存性を図７に
示す。図から明らかなように最高でも移動度は60cm2/Vs
程度しかない。次に、KrFエキシマレーザの照射エネル
ギー密度を240mJ/cm2に固定して、様々な照射エネルギ
ー密度のNd:YAGレーザの第２高調波（２ω）を重畳照射
した。その際、遅延時間は25nsec, 50nsec, 100nsecの
３種類を設定した。こうして形成された多結晶珪素膜を
用いて作製されたMOSトランジスタのｎチャネル移動度
を、各々の遅延時間に関してそれぞれ図８（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に示す。これらの本発明に関する実験結
果より、照射エネルギー密度240mJ/cm2のKrFエキシマレ
ーザのみでの熱処理では移動度は30cm2/Vs程度である
が、Nd:YAGレーザの第２高調波を重畳照射することによ
り、４倍の値である120cm2/Vs程度が達成されることが
わかった。
のレーザ熱処理方法により、非晶質珪素膜より形成した
多結晶珪素膜を用いて作製したMOSトランジスタについ
て述べる。特性の評価についてはMOSトランジスタの代
表的なパラメータである移動度（Mobility）を用いて行
う。第１のパルスレーザ光源としてはKrFエキシマレー
ザを、第２のパルスレーザ光源としてはNd:YAGレーザの
第２高調波（２ω）を用いた。先ず、比較のためにKrF
エキシマレーザのみで熱処理を行って形成した多結晶珪
素膜を用いて作製したMOSトランジスタのｎチャネル移
動度の照射エネルギー密度（fluence）依存性を図７に
示す。図から明らかなように最高でも移動度は60cm2/Vs
程度しかない。次に、KrFエキシマレーザの照射エネル
ギー密度を240mJ/cm2に固定して、様々な照射エネルギ
ー密度のNd:YAGレーザの第２高調波（２ω）を重畳照射
した。その際、遅延時間は25nsec, 50nsec, 100nsecの
３種類を設定した。こうして形成された多結晶珪素膜を
用いて作製されたMOSトランジスタのｎチャネル移動度
を、各々の遅延時間に関してそれぞれ図８（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に示す。これらの本発明に関する実験結
果より、照射エネルギー密度240mJ/cm2のKrFエキシマレ
ーザのみでの熱処理では移動度は30cm2/Vs程度である
が、Nd:YAGレーザの第２高調波を重畳照射することによ
り、４倍の値である120cm2/Vs程度が達成されることが
わかった。
【００３３】実施の形態５.実施の形態５では、第１の
パルスレーザ光源としてはKrFエキシマレーザを、第２
のパルスレーザ光源としてはNd:YAGレーザの第２高調波
を用いた場合の、MOSトランジスタのｎチャネル移動度
に対する、KrFエキシマレーザの照射エネルギー密度の
依存性について述べる。図９はKrFエキシマレーザ単独
（図中ＥＸＬで示される線）の場合と、第１のレーザと
してKrFエキシマレーザを、第２のレーザとしてNd:YAG
レーザの第２高調波を用いた場合（図中ＥＸＬ+ＹＡＧ
２ωで示される線）のエキシマレーザの照射エネルギー
密度に対する移動度の関係を示す実験値である。この図
でわかるように、エキシマレーザとNd:YAGレーザを用い
た場合、エキシマレーザ単独で得られる移動度よりも大
きい移動度が得られ、しかもエキシマレーザ単独の場合
は高移動度が得られるエキシマレーザの照射エネルギー
密度の範囲が狭いのに比べ、エキシマレーザとNd:YAGレ
ーザを用いた場合はエキシマレーザの照射エネルギー密
度の依存性が非常に小さい。すなわち、エキシマレーザ
とNd:YAGレーザを用いた場合は、エキシマレーザの出力
変動による影響をあまり受けないことがわかる。
パルスレーザ光源としてはKrFエキシマレーザを、第２
のパルスレーザ光源としてはNd:YAGレーザの第２高調波
を用いた場合の、MOSトランジスタのｎチャネル移動度
に対する、KrFエキシマレーザの照射エネルギー密度の
依存性について述べる。図９はKrFエキシマレーザ単独
（図中ＥＸＬで示される線）の場合と、第１のレーザと
してKrFエキシマレーザを、第２のレーザとしてNd:YAG
レーザの第２高調波を用いた場合（図中ＥＸＬ+ＹＡＧ
２ωで示される線）のエキシマレーザの照射エネルギー
密度に対する移動度の関係を示す実験値である。この図
でわかるように、エキシマレーザとNd:YAGレーザを用い
た場合、エキシマレーザ単独で得られる移動度よりも大
きい移動度が得られ、しかもエキシマレーザ単独の場合
は高移動度が得られるエキシマレーザの照射エネルギー
密度の範囲が狭いのに比べ、エキシマレーザとNd:YAGレ
ーザを用いた場合はエキシマレーザの照射エネルギー密
度の依存性が非常に小さい。すなわち、エキシマレーザ
とNd:YAGレーザを用いた場合は、エキシマレーザの出力
変動による影響をあまり受けないことがわかる。
【００３４】実施の形態６.実施の形態６では、第１の
パルスレーザ光の照射エネルギー密度について述べる。
第１のパルスレーザ光としては、非晶質珪素膜を溶融し
て再結晶化が可能な状態にする能力が要求されるが、吸
収係数とのかね合いから真空紫外域、紫外域のパルスレ
ーザが適当である。吸収係数は波長が長くなるに従い小
さくなるが、紫外域で比較的長い波長のレーザであるXe
Clエキシマレーザでレーザ熱処理実験を行った場合、照
射エネルギー密度が1000mJ/cm2以上ではアブレーション
が起こり、膜が基板から剥離する。また、照射エネルギ
ー密度の下限の方は、吸収係数の高い紫外域の代表的な
レーザであるKrFエキシマレーザを用いたレーザ熱処理
実験により、100mJ/cm2と規定できた。
パルスレーザ光の照射エネルギー密度について述べる。
第１のパルスレーザ光としては、非晶質珪素膜を溶融し
て再結晶化が可能な状態にする能力が要求されるが、吸
収係数とのかね合いから真空紫外域、紫外域のパルスレ
ーザが適当である。吸収係数は波長が長くなるに従い小
さくなるが、紫外域で比較的長い波長のレーザであるXe
Clエキシマレーザでレーザ熱処理実験を行った場合、照
射エネルギー密度が1000mJ/cm2以上ではアブレーション
が起こり、膜が基板から剥離する。また、照射エネルギ
ー密度の下限の方は、吸収係数の高い紫外域の代表的な
レーザであるKrFエキシマレーザを用いたレーザ熱処理
実験により、100mJ/cm2と規定できた。
【００３５】実施の形態７.実施の形態７では、第２の
パルスレーザ光の照射エネルギー密度について述べる。
第２のパルスレーザ光は、第１のレーザ光照射により非
晶質珪素膜が溶融している液体状態へ照射される。役割
としては、再結晶化時間の延長である。再結晶時間の延
長の効果があるのは100mJ/cm2以上である。また、アブ
レーションが起こらない照射エネルギー密度である必要
がある。第２のパルスレーザ光として代表的なNd:YAGレ
ーザの第２高調波を用いた場合、1500mJ/cm2以上でアブ
レーションが起こった。したがって、第２のパルスレー
ザ光の照射エネルギー密度は1500mJ/cm2以下100mJ/cm2
以上が適当である。
パルスレーザ光の照射エネルギー密度について述べる。
第２のパルスレーザ光は、第１のレーザ光照射により非
晶質珪素膜が溶融している液体状態へ照射される。役割
としては、再結晶化時間の延長である。再結晶時間の延
長の効果があるのは100mJ/cm2以上である。また、アブ
レーションが起こらない照射エネルギー密度である必要
がある。第２のパルスレーザ光として代表的なNd:YAGレ
ーザの第２高調波を用いた場合、1500mJ/cm2以上でアブ
レーションが起こった。したがって、第２のパルスレー
ザ光の照射エネルギー密度は1500mJ/cm2以下100mJ/cm2
以上が適当である。
【００３６】実施の形態８.実施の形態８では、本発明
のレーザ熱処理方法において、２つのレーザ光を照射す
る他の方法について述べる。図１０は実施の形態８によ
るレーザ熱処理方法を実現するレーザ熱処理装置を示す
図である。図において1〜10は図１と同様の部材を示
す。11はダイクロイックミラーあるいは偏光ビームスプ
リッターであり、第１のパルスレーザ光を透過し、第２
のパルスレーザ光を反射して、基板上膜材料に照射する
第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光の光軸を
一致させるように作用する。すなわち、本実施の形態８
の特徴は、基板上膜材料に照射する２つのレーザ光の光
軸が同一であることにある。２つのレーザ光をあらかじ
めダイクロイックミラーもしくは偏光ビームスプリッタ
11により重畳しておくために、ターゲット位置での光軸
調整が不要になり、レーザ熱処理を容易に行うことが可
能となる。
のレーザ熱処理方法において、２つのレーザ光を照射す
る他の方法について述べる。図１０は実施の形態８によ
るレーザ熱処理方法を実現するレーザ熱処理装置を示す
図である。図において1〜10は図１と同様の部材を示
す。11はダイクロイックミラーあるいは偏光ビームスプ
リッターであり、第１のパルスレーザ光を透過し、第２
のパルスレーザ光を反射して、基板上膜材料に照射する
第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光の光軸を
一致させるように作用する。すなわち、本実施の形態８
の特徴は、基板上膜材料に照射する２つのレーザ光の光
軸が同一であることにある。２つのレーザ光をあらかじ
めダイクロイックミラーもしくは偏光ビームスプリッタ
11により重畳しておくために、ターゲット位置での光軸
調整が不要になり、レーザ熱処理を容易に行うことが可
能となる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザ熱
処理方法およびレーザ熱処理装置は、基板上膜材料にレ
ーザ光を吸収させて熱処理するレーザ熱処理方法におい
て、該基板上膜材料に対する吸収係数が異なる、第１の
パルスレーザ光と第２のパルスレーザ光をそれぞれ上記
基板上膜材料の同一部分に線状に集光して照射するよう
にしたので、結晶粒径が大きく、高移動度の薄膜トラン
ジスタの作製に適した高品質の薄膜が得られる効果があ
る。
処理方法およびレーザ熱処理装置は、基板上膜材料にレ
ーザ光を吸収させて熱処理するレーザ熱処理方法におい
て、該基板上膜材料に対する吸収係数が異なる、第１の
パルスレーザ光と第２のパルスレーザ光をそれぞれ上記
基板上膜材料の同一部分に線状に集光して照射するよう
にしたので、結晶粒径が大きく、高移動度の薄膜トラン
ジスタの作製に適した高品質の薄膜が得られる効果があ
る。
【００３８】また、本発明のレーザ熱処理方法およびレ
ーザ熱処理装置は、上記第１のパルスレーザ光は、紫外
域、あるいは真空紫外域のパルスレーザ光とし、上記第
2のパルスレーザ光は可視域のパルスレーザ光としたの
で、確実に結晶粒径が大きく、高移動度の薄膜トランジ
スタの作製に適した高品質の薄膜が得られる効果があ
る。
ーザ熱処理装置は、上記第１のパルスレーザ光は、紫外
域、あるいは真空紫外域のパルスレーザ光とし、上記第
2のパルスレーザ光は可視域のパルスレーザ光としたの
で、確実に結晶粒径が大きく、高移動度の薄膜トランジ
スタの作製に適した高品質の薄膜が得られる効果があ
る。
【００３９】さらに、本発明のレーザ熱処理方法および
レーザ熱処理装置は、第１のレーザ光として、エキシマ
レーザ（ArF, KrF, XeCl）、フッ素レーザを用いるもの
で、安定かつ生産性の高いレーザ熱処理ができるという
効果がある。
レーザ熱処理装置は、第１のレーザ光として、エキシマ
レーザ（ArF, KrF, XeCl）、フッ素レーザを用いるもの
で、安定かつ生産性の高いレーザ熱処理ができるという
効果がある。
【００４０】さらに、本発明のレーザ熱処理方法および
レーザ熱処理装置は、第２のレーザ光として、Ndイオン
ドープあるいはYbイオンドープの結晶あるいはガラスを
励起媒質としたQスイッチ発振固体レーザの高調波を用
いるもので、効率の良いレーザ熱処理を行うことができ
るという効果がある。
レーザ熱処理装置は、第２のレーザ光として、Ndイオン
ドープあるいはYbイオンドープの結晶あるいはガラスを
励起媒質としたQスイッチ発振固体レーザの高調波を用
いるもので、効率の良いレーザ熱処理を行うことができ
るという効果がある。
【００４１】さらに、本発明のレーザ熱処理方法は、第
１のパルスレーザ光の照射と第２のパルスレーザ光の照
射のタイミングのずれを200nsec以下としたもので、確
実に結晶粒径が大きく、高移動度の薄膜トランジスタの
作製に適した高品質の薄膜が得られる効果がある。
１のパルスレーザ光の照射と第２のパルスレーザ光の照
射のタイミングのずれを200nsec以下としたもので、確
実に結晶粒径が大きく、高移動度の薄膜トランジスタの
作製に適した高品質の薄膜が得られる効果がある。
【００４２】さらに、本発明のレーザ熱処理方法は、基
板上膜材料として、非晶質または多結晶珪素膜を用いる
もので、高移動度の薄膜トランジスタの作製が可能とな
る。
板上膜材料として、非晶質または多結晶珪素膜を用いる
もので、高移動度の薄膜トランジスタの作製が可能とな
る。
【００４３】さらに、本発明のレーザ熱処理方法は、非
晶質または多結晶珪素膜の表面における第１のレーザ光
の照射エネルギー密度を1000mJ/cm2以下100mJ/cm2以上
としたもので、質の高いレーザ熱処理が可能となる。
晶質または多結晶珪素膜の表面における第１のレーザ光
の照射エネルギー密度を1000mJ/cm2以下100mJ/cm2以上
としたもので、質の高いレーザ熱処理が可能となる。
【００４４】さらに、本発明のレーザ熱処理方法は、非
晶質または多結晶珪素膜の表面における第２のレーザ光
の照射エネルギー密度を1500mJ/cm2以下100mJ/cm2以上
としたもので、結晶性に優れた薄膜の形成が可能とな
る。
晶質または多結晶珪素膜の表面における第２のレーザ光
の照射エネルギー密度を1500mJ/cm2以下100mJ/cm2以上
としたもので、結晶性に優れた薄膜の形成が可能とな
る。
【００４５】さらに、本発明のレーザ熱処理装置は、レ
ーザ光照射時における第１のレーザ光と第２のレーザ光
の光軸を一致させて照射するため、ターゲット位置にお
ける光軸調整が不要となる効果がある。
ーザ光照射時における第１のレーザ光と第２のレーザ光
の光軸を一致させて照射するため、ターゲット位置にお
ける光軸調整が不要となる効果がある。
【００４６】さらに、本発明のレーザ熱処理装置は、レ
ーザ光照射時における第１のレーザ光と第２のレーザ光
の光軸が異なる、すなわち、２つのレーザ光を任意の方
向より照射してよいため、レーザ発振器の設置位置を自
由にでき、装置設計及び生産が容易になる。
ーザ光照射時における第１のレーザ光と第２のレーザ光
の光軸が異なる、すなわち、２つのレーザ光を任意の方
向より照射してよいため、レーザ発振器の設置位置を自
由にでき、装置設計及び生産が容易になる。
【図１】 この発明の実施の形態１を示すレーザ熱処理
装置を示す概観図である。
装置を示す概観図である。
【図２】 ２本のレーザ光による照射面積の相対位置を
表す図である。
表す図である。
【図３】 この発明の実施の形態２を説明するための、
レーザ光照射時の熱伝導シミュレーションの計算モデル
を説明する図である。
レーザ光照射時の熱伝導シミュレーションの計算モデル
を説明する図である。
【図４】 この発明の実施の形態２を説明するための、
KrFエキシマレーザ照射による珪素膜表面温度の経時変
化のシミュレーション結果を示す図である。
KrFエキシマレーザ照射による珪素膜表面温度の経時変
化のシミュレーション結果を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態２を説明するための、
KrFエキシマレーザ照射と同時、50nsec後、100nsec後に
Nd:YAGレーザ第２高調波を照射した場合の珪素膜表面温
度経時変化のシミュレーション結果を示す図である。
KrFエキシマレーザ照射と同時、50nsec後、100nsec後に
Nd:YAGレーザ第２高調波を照射した場合の珪素膜表面温
度経時変化のシミュレーション結果を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態３を説明するための、
レーザ熱処理方法により得られた多結晶珪素膜の平均粒
径を示す図である。
レーザ熱処理方法により得られた多結晶珪素膜の平均粒
径を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態４を説明するための、
KrFエキシマレーザのみによるレーザ熱処理で得られた
多結晶珪素膜を用いて作製されたMOSトランジスタのｎ
チャネル移動度を示す図である。
KrFエキシマレーザのみによるレーザ熱処理で得られた
多結晶珪素膜を用いて作製されたMOSトランジスタのｎ
チャネル移動度を示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態４を説明するための、
レーザ熱処理方法において遅延時間を25nsecｓ、50nse
c、100nsecとして得られた多結晶珪素膜を用いて作製さ
れたMOSトランジスタのｎチャネル移動度を示す図であ
る。
レーザ熱処理方法において遅延時間を25nsecｓ、50nse
c、100nsecとして得られた多結晶珪素膜を用いて作製さ
れたMOSトランジスタのｎチャネル移動度を示す図であ
る。
【図９】 この発明の実施の形態５を説明するための、
KrFエキシマレーザの照射エネルギー密度の依存性を説
明する図である。
KrFエキシマレーザの照射エネルギー密度の依存性を説
明する図である。
【図１０】 この発明の実施の形態８を示すレーザ熱処
理装置を示す概観図である。
理装置を示す概観図である。
【図１１】 従来のレーザ熱処理装置を示す概観図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ 第１のパルスレーザ光源 ２ 第２のパルスレーザ光源 ３ 第１のパルスレーザ光 ４ 第２のパルスレーザ光 ９ 基板上膜材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 時岡 秀忠 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 佐藤 行雄 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 井上 満夫 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 笹川 智広 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 宮坂 光敏 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F052 AA02 BA07 BA11 BA15 BB02 BB03 BB07 DA01 DA02 JA01
Claims (14)
- 【請求項１】 基板上膜材料にレーザ光を吸収させて熱
処理するレーザ熱処理方法において、上記基板上膜材料
に対する吸収係数が異なる、第１のパルスレーザ光と第
２のパルスレーザ光をそれぞれ上記基板上膜材料の同一
部分に線状に集光して照射するレーザ熱処理方法。 - 【請求項２】 上記第１のパルスレーザ光は、紫外域、
あるいは真空紫外域のパルスレーザ光であり、上記第２
のパルスレーザ光は可視域のパルスレーザ光であること
を特徴とする請求項１記載のレーザ熱処理方法。 - 【請求項３】 上記第１のパルスレーザ光は、エキシマ
レーザ光またはフッ素レーザ光であることを特徴とする
請求項２記載のレーザ熱処理方法。 - 【請求項４】 上記第２のパルスレーザ光は、Ndイオン
ドープあるいはYbイオンドープの結晶あるいはガラスを
励起媒質としたQスイッチ発振固体レーザの高調波であ
ることを特徴とする請求項２または３記載のレーザ熱処
理方法。 - 【請求項５】 上記第１のパルスレーザ光の照射と、上
記第２のパルスレーザ光の照射とのタイミングのずれが
200nsec以下であることを特徴とする請求項１乃至４の
いずれかに記載のレーザ熱処理方法。 - 【請求項６】 上記基板上膜材料として、非晶質または
多結晶珪素膜を用いることを特徴とする請求項１乃至５
のいずれかに記載のレーザ熱処理方法。 - 【請求項７】 上記非晶質または多結晶珪素膜の表面に
おける第１のパルスレーザの照射エネルギー密度が1000
mJ/cm2以下100mJ/cm2以上であることを特徴とする請求
項６記載のレーザ熱処理方法。 - 【請求項８】 上記非晶質または多結晶珪素膜の表面に
おける第２のパルスレーザ光の照射エネルギー密度が15
00mJ/cm2以下100mJ/cm2以上であることを特徴とする請
求項６または７記載のレーザ熱処理方法。 - 【請求項９】 レーザ光源からのレーザ光を線状ビーム
に成形して基板上膜材料に照射してこの基板上膜材料に
上記レーザ光を吸収させて熱処理するレーザ熱処理装置
において、上記基板上膜材料に対する吸収係数が異なる
第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光を発生す
る、第１のパルスレーザ光源と第２のパルスレーザ光源
を備えたことを特徴とするレーザ熱処理装置。 - 【請求項１０】 上記第１のパルスレーザ光源は、紫外
域、あるいは真空紫外域のレーザ光源であり、上記第２
のパルスレーザ光源は可視域のパルスレーザ光源である
ことを特徴とする請求項９記載のレーザ熱処理装置。 - 【請求項１１】 上記第１のパルスレーザ光源は、エキ
シマレーザまたはフッ素レーザであることを特徴とする
請求項１０記載のレーザ熱処理装置。 - 【請求項１２】 上記第２のパルスレーザ光源は、Ndイ
オンドープあるいはYbイオンドープの結晶あるいはガラ
スを励起媒質としたQスイッチ発振固体レーザの高調波
であることを特徴とする請求項１０または１１記載のレ
ーザ熱処理装置。 - 【請求項１３】 上記基板上膜材料に照射される上記第
１のパルスレーザ光の光軸と、上記第２のパルスレーザ
光の光軸とが一致していることを特徴とする請求項９乃
至１２のいずれかに記載のレーザ熱処理装置。 - 【請求項１４】 上記基板上膜材料に照射される上記第
１のパルスレーザ光の光軸と、上記第２のパルスレーザ
光の光軸とが異なることを特徴とする請求項９乃至１２
のいずれかに記載のレーザ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11221021A JP2001044120A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11221021A JP2001044120A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044120A true JP2001044120A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=16760253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11221021A Withdrawn JP2001044120A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001044120A (ja) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001156018A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法 |
| JP2002110544A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-04-12 | Regents Of The Univ Of California | レーザアニールによる薄膜結晶成長 |
| JP2004207691A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-22 | Sharp Corp | 半導体薄膜の製造方法、その製造方法により得られる半導体薄膜、その半導体薄膜を用いる半導体素子および半導体薄膜の製造装置 |
| JP2004221597A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Microlas Lasersyst Gmbh | 非晶質半導体層を結晶化するための装置および方法 |
| JP2004266102A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法。 |
| WO2005020300A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 薄膜半導体の製造方法 |
| WO2005020301A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 薄膜半導体の製造方法および製造装置 |
| JP2005109315A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Sharp Corp | 半導体薄膜を製造する方法と装置およびその薄膜を含む半導体デバイス |
| JP2005223301A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-08-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| US6943086B2 (en) | 2001-10-10 | 2005-09-13 | Hitachi, Ltd. | Laser annealing apparatus, TFT device and annealing method of the same |
| JP2007027612A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Sony Corp | 照射装置および照射方法 |
| EP1872397A1 (en) * | 2005-04-13 | 2008-01-02 | Applied Materials, Inc. | Dual wavelength thermal flux laser anneal |
| CN100365760C (zh) * | 2002-12-18 | 2008-01-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制作方法，半导体器件以及电子产品 |
| US7326630B2 (en) | 2003-04-04 | 2008-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device utilizing laser irradiation |
| KR100808337B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2008-02-27 | 샤프 가부시키가이샤 | 레이저 빔을 이용한 반도체 결정화 방법 및 장치 |
| US7381632B2 (en) | 2004-07-26 | 2008-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor thin film crystallization device and semiconductor thin film crystallization method |
| CN100444333C (zh) * | 2002-10-07 | 2008-12-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 照射激光的方法、激光照射系统和半导体器件的制造方法 |
| US7700462B2 (en) * | 2003-02-28 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2010272587A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Japan Steel Works Ltd:The | 半導体不純物の活性化方法 |
| WO2011148788A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール方法及び装置 |
| WO2013010876A1 (de) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Fraunhofer-Ges. Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Verfahren und vorrichtung zum glätten und polieren von werkstückoberflächen durch bearbeitung mit zwei energetischen strahlungen |
| WO2013037496A1 (de) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zum struturieren von werkstückoberflächen durch bearbeitung mit zwei energetischen strahlungen |
| JP2013211415A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | V Technology Co Ltd | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
| US20140113440A1 (en) * | 2001-09-25 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device |
| DE102015114240A1 (de) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleitersubstrats mittels Laserstrahlung |
| US10020193B1 (en) | 2015-06-15 | 2018-07-10 | Tdk Corporation | Method for laser annealing with laser beam radiated via through hole |
-
1999
- 1999-08-04 JP JP11221021A patent/JP2001044120A/ja not_active Withdrawn
Cited By (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4514861B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法 |
| JP2001156018A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法 |
| JP2002110544A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-04-12 | Regents Of The Univ Of California | レーザアニールによる薄膜結晶成長 |
| US10910219B2 (en) | 2001-09-25 | 2021-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device |
| US10366885B2 (en) | 2001-09-25 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device |
| US9748099B2 (en) * | 2001-09-25 | 2017-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device |
| US20140113440A1 (en) * | 2001-09-25 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device |
| US7834353B2 (en) | 2001-10-10 | 2010-11-16 | Hitachi Displays, Ltd. | Method of manufacturing display device |
| US6943086B2 (en) | 2001-10-10 | 2005-09-13 | Hitachi, Ltd. | Laser annealing apparatus, TFT device and annealing method of the same |
| US7326623B2 (en) | 2001-10-10 | 2008-02-05 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing display device |
| US7410508B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
| US7927935B2 (en) | 2002-05-17 | 2011-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for crystallizing semiconductor with laser beams |
| US7660042B2 (en) | 2002-05-17 | 2010-02-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
| US7541230B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-06-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
| KR100808337B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2008-02-27 | 샤프 가부시키가이샤 | 레이저 빔을 이용한 반도체 결정화 방법 및 장치 |
| US7528023B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
| KR101019137B1 (ko) | 2002-10-07 | 2011-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 레이저 조사방법 및 레이저 조사장치, 및 반도체장치의제조방법 |
| US7674663B2 (en) | 2002-10-07 | 2010-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of irradiating laser, laser irradiation system, and manufacturing method of semiconductor device |
| CN100444333C (zh) * | 2002-10-07 | 2008-12-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 照射激光的方法、激光照射系统和半导体器件的制造方法 |
| JP2004207691A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-22 | Sharp Corp | 半導体薄膜の製造方法、その製造方法により得られる半導体薄膜、その半導体薄膜を用いる半導体素子および半導体薄膜の製造装置 |
| CN100365760C (zh) * | 2002-12-18 | 2008-01-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制作方法，半导体器件以及电子产品 |
| JP2004221597A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Microlas Lasersyst Gmbh | 非晶質半導体層を結晶化するための装置および方法 |
| US7700462B2 (en) * | 2003-02-28 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
| US7569441B2 (en) | 2003-02-28 | 2009-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2004266102A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法。 |
| JP4515034B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7326630B2 (en) | 2003-04-04 | 2008-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device utilizing laser irradiation |
| JP4590880B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2010-12-01 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP2005223301A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-08-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| WO2005020300A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 薄膜半導体の製造方法 |
| US7179725B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-02-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating a polycrystalline film by crystallizing an amorphous film with laser light |
| US7223644B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing polycrystalline silicon film and method of manufacturing semiconductor device and thin-film transistor |
| CN100397576C (zh) * | 2003-08-22 | 2008-06-25 | 三菱电机株式会社 | 薄膜半导体的制造方法及制造装置 |
| WO2005020301A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 薄膜半導体の製造方法および製造装置 |
| JP2005109315A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Sharp Corp | 半導体薄膜を製造する方法と装置およびその薄膜を含む半導体デバイス |
| US7381632B2 (en) | 2004-07-26 | 2008-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor thin film crystallization device and semiconductor thin film crystallization method |
| US8890024B2 (en) | 2005-04-13 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Annealing apparatus using two wavelengths of continuous wave laser radiation |
| US9839976B2 (en) | 2005-04-13 | 2017-12-12 | Applied Materials, Inc. | Annealing apparatus using two wavelengths of radiation |
| US11945045B2 (en) | 2005-04-13 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Annealing apparatus using two wavelengths of radiation |
| EP1872397A4 (en) * | 2005-04-13 | 2009-05-06 | Applied Materials Inc | THERMAL FLUX LASER RECEIVER WITH DOUBLE WAVE LENGTH |
| US8242407B2 (en) | 2005-04-13 | 2012-08-14 | Applied Materials, Inc. | Annealing apparatus using two wavelengths of continuous wave laser radiation |
| US10857623B2 (en) | 2005-04-13 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Annealing apparatus using two wavelengths of radiation |
| US7595208B2 (en) | 2005-04-13 | 2009-09-29 | Applied Materials, Inc. | Method of laser annealing using two wavelengths of radiation |
| EP1872397A1 (en) * | 2005-04-13 | 2008-01-02 | Applied Materials, Inc. | Dual wavelength thermal flux laser anneal |
| US8907247B2 (en) | 2005-04-13 | 2014-12-09 | Applied Materials, Inc. | Annealing apparatus using two wavelengths of laser radiation |
| US8653408B2 (en) | 2005-04-13 | 2014-02-18 | Applied Materials, Inc. | Annealing apparatus using two wavelengths of continuous wave laser radiation |
| US7772134B2 (en) | 2005-04-13 | 2010-08-10 | Applied Materials, Inc. | Method of annealing using two wavelengths of continuous wave laser radiation |
| US8765618B2 (en) | 2005-04-13 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Annealing apparatus using two wavelengths of continuous wave laser radiation |
| JP2007027612A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Sony Corp | 照射装置および照射方法 |
| JP2010272587A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Japan Steel Works Ltd:The | 半導体不純物の活性化方法 |
| KR101790813B1 (ko) * | 2010-05-27 | 2017-10-26 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 레이저 어닐 방법 및 장치 |
| CN103038862A (zh) * | 2010-05-27 | 2013-04-10 | 株式会社V技术 | 激光退火方法及其装置 |
| JP2011249607A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | V Technology Co Ltd | レーザアニール方法及び装置 |
| WO2011148788A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール方法及び装置 |
| WO2013010876A1 (de) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Fraunhofer-Ges. Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Verfahren und vorrichtung zum glätten und polieren von werkstückoberflächen durch bearbeitung mit zwei energetischen strahlungen |
| WO2013037496A1 (de) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zum struturieren von werkstückoberflächen durch bearbeitung mit zwei energetischen strahlungen |
| JP2013211415A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | V Technology Co Ltd | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
| US10020193B1 (en) | 2015-06-15 | 2018-07-10 | Tdk Corporation | Method for laser annealing with laser beam radiated via through hole |
| DE102015114240A1 (de) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleitersubstrats mittels Laserstrahlung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001044120A (ja) | レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置 | |
| JP4216068B2 (ja) | 多結晶シリコン膜の製造方法および製造装置ならびに半導体装置の製造方法 | |
| US6861328B2 (en) | Semiconductor device, manufacturing method therefor, and semiconductor manufacturing apparatus | |
| US7109073B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| US6955956B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| KR100740124B1 (ko) | 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| US20070178674A1 (en) | Laser annealing device and method for producing thin-film transistor | |
| WO2001097266A1 (fr) | Procede de production d'un dispositif a semi-conducteur en couche mince | |
| US7651931B2 (en) | Laser beam projection mask, and laser beam machining method and laser beam machine using same | |
| JP2004207337A (ja) | 薄膜トランジスタ、その製造方法及び表示デバイス | |
| JPH07187890A (ja) | レーザーアニーリング方法 | |
| JP2007281420A (ja) | 半導体薄膜の結晶化方法 | |
| JP2003051447A (ja) | 結晶シリコン膜の横成長を制御するパルス幅方法 | |
| JP2000260731A (ja) | レーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置および半導体デバイス | |
| JP3252403B2 (ja) | レーザ照射装置及びシリコン薄膜の形成方法 | |
| JP2004039660A (ja) | 多結晶半導体膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、およびパルスレーザアニール装置 | |
| US20040084679A1 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacture thereof | |
| JP2006086447A (ja) | 半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置 | |
| JPH09213651A (ja) | 半導体薄膜の製造装置および半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH10125614A (ja) | レーザ照射装置 | |
| JP2002083769A (ja) | 半導体薄膜及び半導体薄膜の製造方法 | |
| CN114068307A (zh) | 低温多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| JPH08181069A (ja) | 多結晶薄膜の形成方法及び薄膜半導体素子 | |
| WO2007108157A1 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、レーザー結晶化装置及び半導体装置 | |
| JP2005217301A (ja) | 半導体デバイス、その前駆体および半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040901 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040901 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051018 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080424 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080625 |