WO2011148788A1 - レーザアニール方法及び装置 - Google Patents

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WO2011148788A1
WO2011148788A1 PCT/JP2011/060875 JP2011060875W WO2011148788A1 WO 2011148788 A1 WO2011148788 A1 WO 2011148788A1 JP 2011060875 W JP2011060875 W JP 2011060875W WO 2011148788 A1 WO2011148788 A1 WO 2011148788A1
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pulse laser
amorphous silicon
silicon film
optical system
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PCT/JP2011/060875
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康一 梶山
通伸 水村
邦幸 濱野
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株式会社ブイ・テクノロジー
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Definitions

  • the present invention relates to a laser annealing method and apparatus for forming a low-temperature polysilicon film by annealing an amorphous silicon film by irradiating pulsed laser light in a thin film transistor liquid crystal panel or the like, and in particular, forming a thin film transistor using a microlens array.
  • the present invention relates to a laser annealing method and apparatus capable of annealing only a region to be processed.
  • an amorphous silicon film is formed on a glass substrate, and continuous laser light having a linear beam shape is applied to the amorphous silicon film from one end of the substrate in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the beam.
  • the low temperature polysilicon film is formed by scanning in this manner. By scanning the linear laser beam, the amorphous silicon film is heated and melted by the laser beam, and then the molten silicon is rapidly cooled by the passage of the laser beam and solidified to be crystallized to form a low-temperature polysilicon film.
  • the entire amorphous silicon film is heated to a high temperature upon irradiation with laser light, and the entire amorphous silicon film becomes a low temperature polysilicon film by melting and solidifying. For this reason, since regions other than the region where a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) is to be formed are also annealed, there is a problem that processing efficiency is poor.
  • TFT thin film transistor
  • each microlens condenses the pulse laser beam onto a plurality of minute regions on the amorphous silicon film, and individually and individually pulse lasers to the minute regions corresponding to each transistor.
  • a method of annealing by irradiating light has been proposed (Patent Document 3). This method has an advantage that the use efficiency of the laser beam is increased because only the amorphous silicon film in a plurality of TFT formation regions is annealed.
  • the amorphous silicon film is irradiated with an excimer laser of XeCl gas having a high absorption rate with respect to the amorphous silicon film.
  • This excimer laser has a fundamental wavelength of 308 nm.
  • YAG laser is used and the fundamental wavelength of this YAG laser is 1064 nm, this is made a harmonic wave of 3 times (wavelength is 355 nm), and the laser beam has good absorption characteristics for the amorphous silicon film. Used for laser annealing.
  • the YAG laser has low apparatus cost and running cost, but the fundamental wavelength is 1064 nm. Since such a long wavelength laser beam is not absorbed by the amorphous silicon film, the third harmonic having a wavelength of 355 nm is used. It is necessary to use wave laser light. Since the third harmonic can be used only about 30% of the output of the fundamental wave, there is a problem that a sufficient output cannot be obtained.
  • Patent Document 4 discloses a surface heat treatment apparatus including an optical system that guides a first laser beam having a longer wavelength to a workpiece by delaying the first laser beam having a longer wavelength than a second laser beam having a shorter wavelength.
  • the optical path of the fundamental wavelength laser beam (wavelength: 1.06 ⁇ m) output from the YAG laser is made longer than the optical path of the second harmonic laser beam (wavelength: 0.53 ⁇ m), and output.
  • the first laser beam with a high output with a time difference is irradiated, so that the surface of the workpiece is extremely shallow and efficiently heat-treated.
  • Patent Document 5 the first layer on the surface of the workpiece is irradiated with the first light pulse to be processed, and then the second light having a wavelength different from that of the first light pulse is delayed.
  • An ultra-laser surface treatment apparatus is disclosed for processing a second layer below the first layer by irradiation with a pulse.
  • the laser beam having the same wavelength is separated from the beam spot in the descending order of power density in order to increase the grain size by increasing the time constant during cooling.
  • a laser heating method for irradiating a sample while scanning is disclosed.
  • the laser beam irradiated first has an energy density sufficient to melt the polycrystalline silicon film, and the laser beam irradiated in the next order has the same wavelength but does not melt the polycrystalline silicon film. Have sufficient heating power.
  • a laser annealing apparatus is disclosed that obtains a maximum grain size of 2000 mm by dividing the pulse into pulses having different outputs and irradiating the surface of the thin film continuously to increase the time for melting and recrystallization. Yes.
  • Patent Document 8 discloses a light source device that irradiates a material with a plurality of types of light energy having different wavelengths simultaneously or with a time difference for the purpose of uniformly and satisfactorily crystallizing a semiconductor material. Yes. In this case, first, when the light having the smaller energy is irradiated, the entire irradiated semiconductor layer is melted, and then solidification (crystallization) starts from the outermost surface. Thereafter, when light with high energy is irradiated with a slight delay, the outermost surface of the semiconductor layer which has started to solidify is melted again, and finally the crystal grains become more uniform throughout the semiconductor layer.
  • the above-described prior art irradiates the irradiated object with laser light having the same wavelength or a plurality of wavelengths with a time difference for the purpose of uniformizing the crystal grain size, increasing the crystal grain size, and the like.
  • the energy of the laser beam emitted from the laser light source cannot be effectively used by using a low-cost laser light source device such as a YAG laser.
  • the present invention has been made in view of such problems, and a low-cost laser light source device such as a YAG laser is used when laser annealing an amorphous silicon film to form a low-temperature polysilicon film.
  • a low-cost laser light source device such as a YAG laser is used when laser annealing an amorphous silicon film to form a low-temperature polysilicon film.
  • Another object of the present invention is to provide a laser annealing method and apparatus capable of efficiently transferring a phase to an amorphous silicon film by applying sufficient energy.
  • the laser annealing method includes a laser irradiation unit that outputs a first pulsed laser beam and a second pulsed laser beam having higher harmonics than the first pulsed laser beam, Irradiating the amorphous silicon film with a second pulsed laser beam, and melting the amorphous silicon film by the irradiation of the second pulsed laser beam; At a time before the melted portion solidifies, a part of the first pulse laser beam is delayed by a first delay time from the irradiation of the second pulse laser beam, and then the melting of the amorphous silicon film is performed.
  • Irradiating the part After the melted portion is solidified, after the other part or the remaining part of the first pulse laser beam is delayed by a second delay time from the irradiation of the part of the first pulse laser beam. Irradiating the melted portion of the amorphous silicon film; Have The second pulse laser light energy and the energy of the first pulse laser light divided into two or more are sequentially applied to the annealing target portion.
  • the second pulse laser beam has a wavelength of 550 nm or less, and the first pulse laser beam has a wavelength exceeding 550 nm.
  • a first laser annealing apparatus outputs a first oscillator that outputs a first pulsed laser beam, and a second pulsed laser beam that has a higher harmonic than the first pulsed laser beam.
  • the first optical system delays a part of the first pulse laser beam by the first delay time from the irradiation of the second pulse laser beam by the second optical system, and the amorphous silicon film
  • the first delay time is such that the part of the first pulse laser beam is irradiated at a point in time after the amorphous silicon film is melted by irradiation with the second pulse laser beam and before the melted portion is solidified.
  • the second delay time is equal to the second pulse time of the first pulse laser beam at a time before the melted portion where melting is maintained by irradiation of the part of the first pulse laser beam is solidified.
  • the second pulse laser beam has a wavelength of 550 nm or less, and the first pulse laser beam has a wavelength exceeding 550 nm.
  • a second laser annealing apparatus includes a laser light source that outputs a fundamental wave of pulsed laser light, a wavelength converter that converts the fundamental wave into one or more higher harmonics, and the fundamental wave
  • a first optical system that guides and irradiates the amorphous silicon film with a first pulse laser beam having a wave or a lower-order harmonic, and a second higher-order harmonic than the first pulse laser beam.
  • the first optical system delays a part of the first pulse laser beam by the first delay time from the irradiation of the second pulse laser beam by the second optical system, and the amorphous silicon film
  • the first delay time is such that the part of the first pulse laser beam is irradiated at a point in time after the amorphous silicon film is melted by irradiation with the second pulse laser beam and before the melted portion is solidified.
  • the second delay time is equal to the second pulse time of the first pulse laser beam at a time before the
  • the laser light source is a YAG laser light source having a fundamental wave wavelength of 1064 nm
  • the first pulse laser beam is a second harmonic wave having the fundamental wave or wavelength of 533 nm
  • the second pulse laser beam is a third harmonic having a wavelength of 355 nm.
  • the first delay is caused before the melted portion is solidified. Irradiation with a part of the first pulsed laser beam having a wavelength exceeding 550 nm, for example, is performed with a delay of time. Accordingly, the first pulsed laser beam that is not absorbed by the solid amorphous silicon film is irradiated with a part of the first pulsed laser beam while the region melted by the second pulsed laser beam is melted.
  • the melted portion that is melted to become metal Si is sufficiently absorbed, and the energy of the first pulse laser beam is applied to the melted portion. Thereafter, the remaining part or the other part of the first pulse laser beam is delayed by the second delay time, and is irradiated to the molten part in which the molten state is maintained. Thereby, even if a laser light source having a long wavelength such as a YAG laser is used, the amorphous silicon film can be melted and sufficiently large energy can be applied.
  • the first pulse laser beam that is a fundamental wave having a high energy (high beam intensity) or a low-order harmonic is divided into two or more, and the first pulse laser beam As a part and the remainder of the first pulse laser beam, or a part of the first pulse laser beam and another part of the first pulse laser beam (hereinafter, another part of the first pulse laser beam) (Or the remainder), after being divided, the molten portion is irradiated with a second delay time between them.
  • the second pulse laser beam which is a harmonic with low energy (low beam intensity)
  • a part of the first pulse laser beam which is divided with high energy and the same first pulse laser beam Is irradiated with a first delay time and a second delay time between each other, compared to the case of two waves of a fundamental wave and a higher-order harmonic.
  • the laser light is irradiated with a substantially constant intensity for a longer time, and the amorphous silicon film can absorb the energy of the laser light with higher efficiency.
  • the second pulse laser beam output from the second oscillator may use a harmonic such as a second order or a third order instead of a fundamental wavelength.
  • the second laser annealing apparatus can also be reduced in cost.
  • FIG. 1 It is a figure which shows a laser annealing apparatus. It is a schematic diagram which shows the part of the light source of the laser annealing apparatus which concerns on embodiment of this invention. It is a graph of the irradiation timing of the laser beam which shows the operation
  • FIG. 1 is a diagram showing a laser annealing apparatus using a microlens.
  • the laser annealing apparatus shown in FIG. This is an apparatus for polycrystallizing and forming a polysilicon film.
  • the laser beam emitted from the oscillator 1 is shaped into a parallel beam by the lens group 2 and irradiated to the irradiated object 6 through the microlens array including a large number of microlenses 5. To do.
  • FIG. 1 is a diagram showing a laser annealing apparatus using a microlens.
  • the laser oscillator 1 uses, for example, a YAG laser as a light source, and emits two laser beams having wavelengths of 355 nm and 1064 nm with a delay time therebetween.
  • a large number of microlenses 5 are arranged on a transparent substrate 4, and the laser light is focused on a thin film transistor formation scheduled area set on a thin film transistor substrate as an irradiated body 6.
  • the transparent substrate 4 is arranged in parallel to the irradiation object 6, and the microlenses 5 are arranged at a pitch of an integer multiple (for example, 2) of 2 or more of the arrangement pitch of the transistor formation scheduled regions.
  • the irradiated body 6 of the present embodiment is, for example, a thin film transistor, and a polysilicon channel region is formed by irradiating a laser beam to the channel region formation scheduled region of the a-Si film.
  • a mask 3 for irradiating only the channel formation scheduled region with the laser beam is arranged by the microlens 5, and the channel region is defined in the irradiated object 6 by this mask 3. .
  • the laser oscillator 1 of the present embodiment includes a YAG laser light source 11 having a fundamental wave wavelength of 1064 nm, a first wavelength converter 12 that converts the fundamental wave into a second harmonic, And a second wavelength converter 13 for converting to a third-order harmonic.
  • the first wavelength converter 12 converts the fundamental wave from the laser light source 11 into a second harmonic (SHG) having a wavelength of 533 nm, and outputs the fundamental wave and the second harmonic.
  • the second wavelength converter 13 combines the second harmonic and the fundamental wave to generate a third harmonic (THG).
  • the third harmonic having a wavelength of 355 nm, the second harmonic, and the fundamental wave Is output.
  • the distance between the mirror 24 and the mirror 25 and the distance between the mirror 15 and the mirror 16 are the distance between the mirror 23 and the mirror 24 and the distance between the mirror 15 and the mirror 14.
  • the third harmonic (wavelength: 355 nm) output from the second wavelength converter 13 is irradiated to the irradiated object 18 on which the amorphous silicon film is formed by the second optical system 20 including the lens 17.
  • a part of the fundamental wave (wavelength: 1064 nm) output from the second wavelength converter 13 passes through the third optical system 21 including the mirror 14, the mirror 15, the mirror 16, and the like, and the lens.
  • the irradiated object 18 is irradiated by 17.
  • the fourth optical system 22 is configured.
  • the third optical system 21 and the fourth optical system 22 constitute a first optical system 19 that guides the fundamental wave.
  • the second harmonic wave (wavelength: 533 nm) output from the second wavelength converter 13 is also used to irradiate the amorphous silicon film with or without being delayed to the third harmonic wave (wavelength: 355 nm). May be used.
  • a part of the fundamental wave output from the second wavelength converter 13 is reflected by the mirror 14 and the remaining part is transmitted through the mirror 14.
  • the amount of reflection and the amount of transmission are, for example, 50%, respectively.
  • the fundamental wave reflected by the mirror 14 is called a P wave
  • the fundamental wave transmitted through the mirror 14 is called an S wave.
  • the optical path of the third optical system 21 through which the fundamental P wave is guided extends from the second wavelength converter 13 through the mirrors 14, 15, 16 to the irradiated object 18 from the lens 17.
  • the optical path length is 3 m, for example.
  • the fundamental wave output from the second wavelength converter 13 is folded back by the mirrors 14 and 15.
  • An optical path length of 3 m can be secured. Accordingly, 50% of the fundamental wave P-wave is guided through the third optical system 21 and the third harmonic is irradiated to the irradiated object 18 through the second optical system, so that the optical path of both There is a difference of about 3 m in length, and due to this difference in optical path length, the P wave of the fundamental wave is irradiated to the amorphous silicon film with a delay of about 10 ns with respect to the third harmonic.
  • the S wave of the fundamental wave that has been transmitted through the mirror 14 and reflected by the mirrors 23, 24, and 25 is guided through the fourth optical system 22 and irradiated onto the irradiated object 18.
  • the fourth optical system 22 extends from the second wavelength converter 13 through the mirrors 14, 23, 24, 25, and 16 to the irradiated object 18 from the lens 17, and the optical path length is, for example, , 6 m.
  • the optical path length is, for example, if the physical distance between the mirrors 23 and 24 and the mirror 25 is about 3 m, the fundamental wave output from the second wavelength converter 13 is folded back by the mirrors 23 and 24, so The optical path length can be secured. Therefore, 50% of the fundamental wave is guided through the fourth optical system 22, and 50% of the fundamental wave is guided through the third optical system 21.
  • the S wave of the fundamental wave is delayed by about 10 ns with respect to the S wave of the fundamental wave and is irradiated onto the amorphous silicon film. . Therefore, the third harmonic, the P wave, and the S wave are irradiated to the melted portion of the irradiated object 18 with a delay time of about 10 ns therebetween.
  • An attenuator 26 that adjusts the intensity of the laser beam guided through the third optical system 21 and the fourth optical system 22 is disposed between the mirror 16 and the lens 17 of the third optical system 21. ing.
  • the operation of the laser annealing apparatus of the present embodiment configured as described above will be described.
  • the fundamental wave of the YAG laser even if the amorphous silicon film is irradiated, the amorphous silicon film is not easily absorbed, and the fundamental wave of the YAG laser cannot melt the amorphous silicon film and transmits the amorphous silicon film. As a result, it reaches the underlying glass substrate and damages the glass substrate. For this reason, conventionally, in the case of a YAG laser, laser annealing is performed using the third harmonic (wavelength is 355 nm).
  • the YAG laser light source 11 outputs a pulse of the fundamental wave (wavelength: 1064 nm) for only one shot. Then, this laser light is converted into the second harmonic (SHG) by the first wavelength converter 12 and converted to the third harmonic (THG) by the second wavelength converter 13 to which the second harmonic and the fundamental wave are input. Converted. Then, the third harmonic is applied to the irradiated object 18 through the lens 17 and locally melts the irradiated object 18. On the other hand, the P wave of the fundamental wave is delayed via the third optical system 21 including the mirrors 14, 15, and 16, for example, delayed by 10 ns with respect to the third harmonic, Irradiate the melted part.
  • the S wave of the fundamental wave is delayed via the fourth optical system 22 including the mirrors 23, 24, and 25.
  • the S wave is delayed by 10 ns with respect to the P wave, and the melted portion of the irradiated object 18. Is irradiated.
  • FIG. 3A shows that after the third harmonic is irradiated, the P wave of the fundamental wave is irradiated with a delay of, for example, 10 ns, and the S wave of the fundamental wave is irradiated with a delay of, for example, 10 ns.
  • the amorphous silicon film is melted. If only the third harmonic is irradiated, the solidification of the amorphous silicon film is started after about 50 ns. Therefore, when the fundamental P wave is irradiated with a delay of 10 ns after the third harmonic irradiation, the fundamental P wave is irradiated to the molten metal Si.
  • the fundamental wave P wave is irradiated to the molten metal Si
  • the fundamental wave S wave is irradiated with a delay of 10 ns
  • the fundamental wave S wave is applied to the molten metal Si. Is sufficiently absorbed and gives a large heat source to the melt.
  • the fundamental wave has higher energy than the harmonics and the intensity of the laser light is higher. In this embodiment, the fundamental wave is divided into 50% energy, and the P wave and the intensity are about half.
  • the amount of heat is only about 30% of that of the fundamental wave.
  • the energy of the laser beam having a wavelength of 1064 nm of the fundamental wave is 10
  • the energy of the laser beam having a wavelength of 533 nm of the second harmonic is 5
  • the energy of the laser beam having a wavelength of 355 nm of the third harmonic is The energy of the laser beam.
  • the YAG laser light source 11 has the advantage that the apparatus cost is low and the running cost is low.
  • the fundamental wave Since the fundamental wave has high energy, in the case of only the third harmonic wave and the fundamental wave, the fundamental wave is irradiated as a high energy density wave at a time.
  • the fundamental wave is divided into two as a P wave and an S wave having the same energy density as the third harmonic wave, and is delayed by a predetermined delay time. Irradiated to the melted portion of the silicon film. Therefore, in the case of the present embodiment, the laser beam is irradiated with a substantially constant intensity for a longer time than in the case of two waves of the fundamental wave and the third harmonic wave, and the laser beam is more efficient. Is absorbed by the amorphous silicon film.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.
  • the laser light source is not limited to a YAG laser, and various lasers can be used.
  • the amorphous silicon film absorbs short-wavelength laser light, but does not absorb long-wavelength laser light. Therefore, the amorphous silicon film was first melted by irradiating with short-wavelength laser light with low energy but good absorption efficiency. Thereafter, after a certain delay time, a feature of the present invention resides in that a laser beam having a long wavelength and a large energy is divided and irradiated onto molten silicon in a metal state. Therefore, various laser light sources can be used as long as such three-stage laser light irradiation is possible.
  • the laser beam of optical energy may be divided into three or more instead of being divided into two as in the above embodiment, and each may be delayed by a predetermined delay time.
  • the degree of division is not limited to 50% as in the above embodiment, and the division ratio may be changed, for example, 40% and 60%.
  • the same light source of the YAG laser is used, the first optical system 19 is used, and the fundamental wave is delayed from the third harmonic to perform two-stage laser light irradiation.
  • the present invention is not limited to this, and another laser light source may be used for short-wavelength irradiation and subsequent long-wavelength irradiation.
  • the timing at which the first oscillator outputs the first pulse laser beam having the long wavelength is delayed by a predetermined delay from the timing at which the second oscillator outputs the second pulse laser beam having the short wavelength.
  • the pulse timing may be controlled so as to delay by the time.
  • the second pulse laser beam irradiated first has a short wavelength of 550 nm or less. If it is 550 nm or less, the second pulse laser beam is absorbed by the amorphous silicon film, and the amorphous silicon film can be sufficiently heated and melted. Therefore, the first pulse laser beam having a large energy has a wavelength exceeding 550 nm. A long wavelength exceeding 550 nm is not easily absorbed by the amorphous silicon film and does not melt the amorphous silicon film, but can give large energy to the molten metal Si.
  • the fundamental wavelength is used as the first pulse laser beam having a long wavelength.
  • a laser beam having a second harmonic of 533 nm may be used instead of the fundamental wavelength.
  • the second harmonic of 533 nm has a smaller energy than the fundamental wavelength, but the second harmonic can also be used according to the overall energy level to be given to the amorphous silicon film.
  • the fourth harmonic and the fifth harmonic can be used.
  • LBO crystal LiB 3 O 5
  • KTP crystal KTP crystal
  • a BBO crystal ⁇ -BaB 2 O 4
  • the amorphous silicon film may be irradiated while sequentially delaying the third harmonic wave, the second harmonic wave, and the fundamental wavelength laser light.
  • the amorphous silicon film can be laser-annealed using a low-cost laser light source, it is extremely useful for an annealing technique using laser light.
  • laser light source 2 lens group 3: mask 4: transparent substrate 5: micro lens 6: irradiated object 7: light shielding plate 11: YAG laser light source 12: first wavelength converter 13: second wavelength converters 14 and 15 , 16, 23, 24, 25: mirror 17: lens 18: irradiated object 19: first optical system 20: second optical system 21: third optical system 22: fourth optical system

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Abstract

アモルファスシリコン膜をレーザアニールして、低温ポリシリコン膜を形成する際に、ＹＡＧレーザのような低コストのレーザ光源装置を使用しても、アモルファスシリコン膜に対して、十分なエネルギを与えて効率的に相転移させることができるレーザアニール方法及び装置を提供する。 ＹＡＧレーザ光源１１からの基本波を、波長変換器１２，１３で第２高調波及び第３高調波に変換し、第３高調波のレーザ光を被照射体１８に照射すると共に、基本波は、約３ｍの第３の光学系２１及び約６ｍの第４の光学系２２を経由させ、約１０ｎｓ及び約２０ｎｓ遅延させて、被照射体１８に照射する。これにより、第３高調波で溶融したアモルファスシリコン膜の溶融部は基本波がＰ波とＳ波とに分割されて照射されるので、アモルファスシリコン膜には吸収されないＹＡＧ基本波が溶融Ｓｉに吸収されてその加熱に有効に使用される。

Description

レーザアニール方法及び装置
　本発明は、薄膜トランジスタ液晶パネル等において、アモルファスシリコン膜をパルスレーザ光の照射によりアニールして低温ポリシリコン膜を形成するレーザアニール方法及び装置に関し、特に、マイクロレンズアレイを使用して、薄膜トランジスタを形成すべき領域のみをアニールすることができるレーザアニール方法及び装置に関する。
　液晶パネルにおいては、ガラス基板上にアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜に対して、基板の一端から、線状のビーム形状を有する連続レーザ光を、前記ビームの長手方向に垂直の方向に走査することにより、低温ポリシリコン膜を形成している。この線状のレーザ光の走査により、アモルファスシリコン膜がレーザ光により加熱されて一旦溶融し、その後、レーザ光の通過により溶融シリコンが急冷され、凝固することにより結晶化して、低温ポリシリコン膜が形成される（特許文献１、２）。
　しかし、この低温ポリシリコン膜の形成装置においては、アモファスシリコン膜の全体がレーザ光の照射を受けて高温になり、アモルファスシリコン膜の溶融凝固により全体が低温ポリシリコン膜となる。このため、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）を形成すべき領域以外の領域もアニールされるため、処理効率が悪いという問題点がある。
　そこで、マイクロレンズアレイを使用し、各マイクロレンズにより、アモルファスシリコン膜上で、微小な複数個の領域にパルスレーザ光を集光させ、各トランジスタに対応する微小領域に、同時に個別的にパルスレーザ光を照射してアニールする方法が提案されている（特許文献３）。この方法では、複数個のＴＦＴ形成予定領域のアモルファスシリコン膜のみをアニール処理するため、レーザ光の利用効率が高くなるという利点がある。
　しかしながら、これらの従来のアモルファスシリコン膜のレーザアニール装置においては、アモルファスシリコン膜に対し、アモルファスシリコン膜に対する吸収率が高いＸｅＣｌガスのエキシマレーザを照射している。このエキシマレーザは基本波長が３０８ｎｍである。又は、ＹＡＧレーザを使用し、このＹＡＧレーザの基本波長が１０６４ｎｍであるため、これを３倍の高調波（波長が３５５ｎｍ）にして、アモルファスシリコン膜に対する吸収特性が良好なレーザ光にした後、レーザアニールに使用している。
　このため、エキシマレーザを使用した場合は、そのエキシマレーザ装置の装置コストが高く、また、ＸｅＣｌガスを使用すると共にランプの寿命が短いために、ランニングコストも高いという問題点がある。
　一方、ＹＡＧレーザに関しては、装置コスト及びランニングコストは低いのであるが、基本波長が１０６４ｎｍであり、このような長波長のレーザ光は、アモルファスシリコン膜で吸収されないため、波長が３５５ｎｍの第３高調波のレーザ光を使用する必要がある。この第３高調波は、基本波の出力の３０％程度しか利用できないため、十分な出力が得られないという難点がある。
　一方、特許文献４には、波長が長い第１のレーザビームを波長が短い第２のレーザビームよりも遅延させて被加工物に導く光学系を備えた表面熱処理装置が開示されている。この装置は、ＹＡＧレーザから出力された基本波長のレーザ光（波長：１．０６μｍ）の光学路を、第２高調波のレーザ光（波長：０．５３μｍ）の光学路より長くして、出力が低い第２のレーザビームの照射の後、時間差をもって出力が高い第１のレーザビームを照射することにより、被加工物の表面を極めて浅く、能率良く熱処理するようにしたものである。
　また、特許文献５には、被加工物の表面の第１層を第１の光パルスにより照射して加工し、その後、遅延して、第１の光パルスとは波長が異なる第２の光パルスにより照射して第１層より下層の第２層を加工するには超レーザ表面処理装置が開示されている。
　更に、特許文献６には、冷却時の時定数を長くすることにより、グレインサイズを揃えることを目的として、同一波長のレーザビームを電力密度の高い順にビームスポット以上の距離を離して連動して走査しながら試料に照射するレーザ加熱方法が開示されている。先に照射されるレーザビームは、多結晶シリコン膜を溶融するのに十分なエネルギ密度を有し、次順に照射されるレーザビームは、波長は同一であるものの、多結晶シリコン膜を溶融しない程度に十分な加熱力をもつものである。
　更にまた、特許文献７には、レーザアニールによる再結晶時の粒径を大きくするために、３つのレーザ装置を使用し、従来の１出力パルスに相当するエネルギを、ｎ＝３発の段階的に出力が異なるパルスに分割し、これを連続的に薄膜の表面に照射することにより、溶融して再結晶する時間を長くすることにより、最大２０００Åの粒径を得るレーザアニール装置が開示されている。
　更にまた、特許文献８には、半導体材料を均一且つ良好に結晶化させることを目的として、波長が異なる複数種類の光エネルギの光を、同時に又は時間差をもって材料に照射する光源装置が開示されている。この場合、先ず、エネルギが小さい方の光を照射すると、照射された半導体層の全体が溶融し、その後、最表面から固化（結晶化）が始まる。その後、少し遅れてエネルギが高い光を照射すると、半導体層の固化し始めた最表面が再度溶融し、最終的に半導体層の全体にわたり、結晶粒がより均一なものとなる。
特許第３９４５８０５号公報 特開２００４－２８２０６０号公報 特開２００４－３１１９０６号公報 特公昭６４－１０４５号公報 特開昭５６－２９３２３号公報 特公平４－２０２５４号公報 特開平３－６００１５号公報 特開平６－１６３４０６号公報
　しかしながら、上述の従来技術は、結晶粒径の均一化、結晶粒径の長大化等を目的として、同一波長又は複数の波長のレーザ光を時間差をおいて被照射体に照射するものであるが、ＹＡＧレーザのような低コストのレーザ光源装置を使用して、レーザ光源から出射されるレーザ光のエネルギを有効に使用できるものではなかった。
　本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、アモルファスシリコン膜をレーザアニールして、低温ポリシリコン膜を形成する際に、ＹＡＧレーザのような低コストのレーザ光源装置を使用しても、アモルファスシリコン膜に対して、十分なエネルギを与えて効率的に相転移させることができるレーザアニール方法及び装置を提供することを目的とする。
　本発明に係るレーザアニール方法は、第１のパルスレーザ光と、前記第１のパルスレーザ光よりも高次の高調波の第２のパルスレーザ光とを出力するレーザ照射部を有し、前記第２のパルスレーザ光をアモルファスシリコン膜に照射し、前記第２のパルスレーザ光の照射により前記アモルファスシリコン膜が溶融する工程と、
その溶融部が凝固する前の時点で、前記第１のパルスレーザ光の一部を前記第２のパルスレーザ光の照射より第１の遅延時間だけ遅延させた後、前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射する工程と、
この溶融部が凝固する前の時点で、前記第１のパルスレーザ光の他の一部又は残部を前記第１のパルスレーザ光の前記一部の照射より第２の遅延時間だけ遅延させた後、前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射する工程と、
を有し、
アニール対象部に前記第２のパルスレーザ光のエネルギと、前記第１のパルスレーザ光の２又は複数に分割されたエネルギとを、順次付与することを特徴とする。
　このレーザアニール方法において、例えば、前記第２のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍ以下であり、前記第１のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍを超えるものである。
　本発明に係る第１のレーザアニール装置は、第１のパルスレーザ光を出力する第１の発振器と、前記第１のパルスレーザ光よりも高次の高調波の第２のパルスレーザ光を出力する第２の発振器と、前記第１のパルスレーザ光をアモルファスシリコン膜に照射する第１の光学系と、前記第２のパルスレーザ光を前記アモルファスシリコン膜に照射して溶融部を形成する第２の光学系と、を有し、
前記第１の光学系は、前記第２の光学系による前記第２のパルスレーザ光の照射よりも第１の遅延時間だけ遅延させて前記第１のパルスレーザ光の一部を前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射させる第３の光学系と、前記第３の光学系による前記第１のパルスレーザ光の一部の照射よりも第２の遅延時間だけ遅延させて前記第１のパルスレーザ光の他の一部又は残部を前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射させる第４の光学系とを有し、
前記第１の遅延時間は、前記第２のパルスレーザ光による照射により前記アモルファスシリコン膜が溶融した後、溶融部が凝固する前の時点で前記第１のパルスレーザ光の前記一部が照射されるものであり、
前記第２の遅延時間は、前記第１のパルスレーザ光の前記一部の照射により溶融が維持されている前記溶融部が凝固する前の時点で前記第１のパルスレーザ光の前記他の一部又は残部が照射されるものであることを特徴とする。
　この第１のレーザアニール装置において、前記第２のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍ以下であり、前記第１のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍを超えるものである。
　本発明に係る第２のレーザアニール装置は、パルス発振のレーザ光の基本波を出力するレーザ光源と、前記基本波を１又は複数の高次の高調波に変換する波長変換器と、前記基本波又は低次の高調波の第１のパルスレーザ光を前記アモルファスシリコン膜に導光して照射する第１の光学系と、前記第１のパルスレーザ光よりも高次の高調波の第２のパルスレーザ光を前記アモルファスシリコン膜に導光して照射することにより溶融部を形成する第２の光学系と、を有し、
前記第１の光学系は、前記第２の光学系による前記第２のパルスレーザ光の照射よりも第１の遅延時間だけ遅延させて前記第１のパルスレーザ光の一部を前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射させる第３の光学系と、前記第３の光学系による前記第１のパルスレーザ光の一部の照射よりも第２の遅延時間だけ遅延させて前記第１のパルスレーザ光の他の一部又は残部を前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射させる第４の光学系とを有し、
前記第１の遅延時間は、前記第２のパルスレーザ光による照射により前記アモルファスシリコン膜が溶融した後、溶融部が凝固する前の時点で前記第１のパルスレーザ光の前記一部が照射されるものであり、
前記第２の遅延時間は、前記第１のパルスレーザ光の前記一部の照射により溶融が維持されている前記溶融部が凝固する前の時点で前記第１のパルスレーザ光の前記他の一部又は残部が照射されるものであることを特徴とする。
　この第２のレーザアニール装置において、例えば、前記レーザ光源は、基本波の波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ光源であり、前記第１のパルスレーザ光は、前記基本波又は波長が５３３ｎｍの第２高調波であり、前記第２のパルスレーザ光は、波長が３５５ｎｍの第３高調波である。
　本発明によれば、高次の高調波（例えば、波長が５５０ｎｍ以下）である第２のパルスレーザ光による照射によりアモルファスシリコン膜が溶融した後、溶融部が凝固する前に、第１の遅延時間だけ遅延して、波長が例えば５５０ｎｍを超える第１のパルスレーザ光の一部による照射が行われる。これにより、第２のパルスレーザ光により溶融した領域が溶融した状態のまま、第１のパルスレーザ光の一部による照射を受けるので、固体のアモルファスシリコン膜には吸収されない第１のパルスレーザ光であっても、溶融して金属Ｓｉとなった溶融部においては、十分に吸収され、第１のパルスレーザ光のエネルギが溶融部に付与される。そして、その後、第１のパルスレーザ光の残部又は他の一部が、第２の遅延時間だけ遅延して、溶融状態が維持されている溶融部に照射される。これにより、ＹＡＧレーザのように波長が長いレーザ光源を使用しても、アモルファスシリコン膜を溶融させることができると共に、十分に大きなエネルギを付与することができる。そして、本発明においては、エネルギが高い（ビーム強度が高い）基本波又は低次の高調波である第１のパルスレーザ光は、２つ又はそれ以上に分割し、第１のパルスレーザ光の一部及び第１のパルスレーザ光の残部として、又は第１のパルスレーザ光の一部及び第１のパルスレーザ光の他の一部（以降、第１のパルスレーザ光の更に他の一部又は残部）として、分割された後、相互間に第２の遅延時間だけおいて、溶融部に照射される。このため、エネルギが低い（ビーム強度が低い）高調波である第２のパルスレーザ光と、エネルギが高いが分割された第１のパルスレーザ光の一部と、同様の第１のパルスレーザ光の他の一部とが、相互間に第１の遅延時間及び第２の遅延時間をおいて照射されるので、基本波と高次の高調波との２個の波の場合に比して、より長時間、ほぼ一定の強度でレーザ光が照射され、より高効率でレーザ光のエネルギをアモルファスシリコン膜に吸収させることができる。
　なお、本発明の第１のレーザアニール装置において、前記第２の発振器から出力される第２のパルスレーザ光は、基本波長ではなく、２次又は３次等の高調波を使用すればよいので、この第２のレーザアニール装置も、低コストにすることができる。
レーザアニール装置を示す図である。 本発明の実施形態に係るレーザアニール装置の光源の部分を示す模式図である。 本実施形態の動作を示すレーザ光の照射タイミングのグラフ図である。
　以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、マイクロレンズを使用したレーザアニール装置を示す図である。図１に示すレーザアニール装置は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタのような半導体装置の製造工程において、例えば、そのチャネル領域形成予定領域のみにレーザ光を照射してアニールし、このチャネル領域形成予定領域を多結晶化して、ポリシリコン膜を形成するための装置である。このマイクロレンズを使用したレーザアニール装置は、発振器１から出射されたレーザ光を、レンズ群２により平行ビームに整形し、多数のマイクロレンズ５からなるマイクロレンズアレイを介して被照射体６に照射する。レーザ発振器１は、図２にて後述するように、例えば、ＹＡＧレーザを光源とするものであり、波長が３５５ｎｍ及び１０６４ｎｍの２つのレーザ光を両者間に遅延時間を設けて出射するものである。マイクロレンズアレイは、透明基板４に多数のマイクロレンズ５が配置されたものであり、レーザ光を被照射体６としての薄膜トランジスタ基板に設定された薄膜トランジスタ形成予定領域に集光させるものである。透明基板４は被照射体６に平行に配置され、マイクロレンズ５は、トランジスタ形成予定領域の配列ピッチの例えば２以上の整数倍（例えば２）のピッチで配置されている。本実施形態の被照射体６は、例えば、薄膜トランジスタであり、そのａ－Ｓｉ膜のチャネル領域形成予定領域にレーザ光を照射して、ポリシリコンチャネル領域を形成する。マイクロレンズ5の上方には、マイクロレンズ５により、チャネル形成予定領域のみにレーザ光を照射するためのマスク３が配置されており、このマスク３により、被照射体６においてチャネル領域が画定される。
　本実施形態のレーザ発振器１は、図２に示すように、基本波の波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ光源１１と、この基本波を２次の高調波に変換する第１の波長変換器１２と、３次の高調波に変換する第２の波長変換器１３とを有する。第１の波長変換器１２はレーザ光源１１からの基本波を、波長が５３３ｎｍの第２高調波（ＳＨＧ）に変換して、基本波と第２高調波を出力する。第２の波長変換器１３は、この第２高調波と基本波を合成して第３高調波（ＴＨＧ）を生成し、波長が３５５ｎｍの第３高調波と、第２高調波及び基本波とを出力する。なお、図２において、ミラー２４とミラー２５との間の距離及びミラー１５とミラー１６との間の距離は、ミラー２３とミラー２４との間の距離及びミラー１５とミラー１４との間の距離に比べて、極めて大きいものであるが、図示上は、理解の容易のために縦と横との縦横比が、実際の物理的寸法に比して、著しく大きくなるように描画している。
　第２の波長変換器１３から出力された第３高調波（波長：３５５ｎｍ）は、レンズ１７を含む第２の光学系２０により、アモルファスシリコン膜が形成された被照射体１８に照射される。一方、第２の波長変換器１３から出力された基本波（波長：１０６４ｎｍ）は、その一部が、ミラー１４，ミラー１５，ミラー１６等を含む第３の光学系２１を経由して、レンズ１７により被照射体１８に照射される。また、基本波の残部は、ミラー１４を透過し、ミラー２３、ミラー２４、ミラー２５で反射し、ミラー１６を透過してレンズ１７により被照射体１８に照射され、ミラー２３，２４，２５は、第４の光学系２２を構成する。そして、この第３の光学系２１及び第４の光学系２２により、基本波を導光する第１の光学系１９が構成される。なお、第２の波長変換器１３から出力された第２高調波（波長：５３３ｎｍ）も、第３高調波（波長：３５５ｎｍ）に遅延させて、又は遅延させずに、アモルファスシリコン膜の照射に使用しても良い。
　第２の波長変換器１３から出力された基本波は、その一部がミラー１４で反射し、残部がミラー１４を透過する。この反射量及び透過量は、例えば、夫々５０％である。このミラー１４で反射する基本波をＰ波といい、ミラー１４を透過する基本波をＳ波という。この基本波のＰ波が導光される第３の光学系２１の光路は、第２の波長変換器１３から、ミラー１４，１５，１６を経て、レンズ１７から被照射体１８に至るものであり、この光路長は、例えば、３ｍである。例えば、ミラー１４，１５と、ミラー１６との間の物理的距離を約１．５ｍにすれば、第２の波長変換器１３から出力された基本波は、ミラー１４，１５で折り返されるので、３ｍの光路長を確保することができる。従って、基本波のうちの５０％のＰ波は、第３の光学系２１を導光され、第３高調波は第２の光学系を経て被照射体１８に照射されるので、両者の光路長には、約３ｍの差があり、この光路長の差により、基本波のＰ波は、第３高調波に対して、約１０ｎｓ遅延して、アモルファスシリコン膜に照射される。
　また、ミラー１４を透過してミラー２３，２４，２５により反射した基本波のうちのＳ波は、第４の光学系２２を導光されて被照射体１８に照射される。この第４の光学系２２は、第２の波長変換器１３から、ミラー１４、２３，２４，２５，１６を経て、レンズ１７から被照射体１８に至るものであり、この光路長は、例えば、６ｍである。例えば、ミラー２３，２４と、ミラー２５との間の物理的距離を約３ｍにすれば、第２の波長変換器１３から出力された基本波は、ミラー２３，２４で折り返されるので、６ｍの光路長を確保することができる。従って、基本波のうちの５０％のＳ波は、第４の光学系２２を導光され、基本波のうちの５０％のＰ波は、第３の光学系２１を導光されるので、両者の光路長には、約３ｍの差があり、この光路長の差により、基本波のＳ波は、基本波のＳ波に対して、約１０ｎｓ遅延して、アモルファスシリコン膜に照射される。よって、第３高調波と、Ｐ波と、Ｓ波とは、それらの間に約１０ｎｓの遅延時間をおいて、被照射体１８の溶融部に照射される。なお、第３の光学系２１のミラー１６とレンズ１７との間には、第３の光学系２１及び第４の光学系２２を導光されるレーザ光の強度を調整するアッテネータ２６が配置されている。
　次に、上述のごとく構成された本実施形態のレーザアニール装置の動作について説明する。ＹＡＧレーザの基本波の場合は、アモルファスシリコン膜に照射されても、このアモルファスシリコン膜では吸収されにくく、ＹＡＧレーザ基本波は、アモルファスシリコン膜を溶融させることができないと共に、アモルファスシリコン膜を透過して、その下地のガラス基板に到達し、ガラス基板を損傷させる。このため、従来、ＹＡＧレーザの場合は、第３高調波（波長が３５５ｎｍ）を使用して、レーザアニールが行われている。
　しかし、本実施形態においては、ＹＡＧレーザ光源１１から、基本波（波長が１０６４ｎｍ）のレーザ光を１ショットだけ、パルス出力する。そうすると、このレーザ光は第１波長変換器１２で第２高調波（ＳＨＧ）に変換され、第２高調波と基本波が入力された第２波長変換器１３で第３高調波（ＴＨＧ）に変換される。そして、この第３高調波はレンズ１７を介して、被照射体１８に照射され、被照射体１８を局部的に溶融させる。一方，基本波のうちのＰ波は、ミラー１４，１５，１６を含む第３光学系２１を経由して遅延され、例えば、第３高調波に対して１０ｎｓ遅延して、被照射体１８の溶融部に照射される。更に、基本波のうちのＳ波は、ミラー２３，２４，２５を含む第４光学系２２を経由して遅延され、例えば、Ｐ波に対して１０ｎｓ遅延して、被照射体１８の溶融部に照射される。
　図３（ａ）は、第３高調波が照射された後、基本波のＰ波が例えば１０ｎｓ遅延して照射され、更に基本波のＳ波が例えば１０ｎｓ遅延して照射されたことを示す。そして、この第３高調波が照射されると、第３高調波の波長は３５５ｎｍであるので、アモルファスシリコン膜が溶融する。仮に、この第３高調波の照射のみの場合には、アモルファスシリコン膜の凝固が約５０ｎｓ後に開始される。そこで、第３高調波の照射後、１０ｎｓ遅延して基本波のＰ波が照射された場合には、この基本波のＰ波は、溶融状態の金属Ｓｉに照射されるので、固体アモルファスシリコン膜に照射された場合と異なり、基本波の波長でも、溶融部に十分吸収され、この溶融部に大きな熱源を付与する。また、基本波のＰ波が溶融状態の金属Ｓｉに照射された後、１０ｎｓ遅延して基本波のＳ波が照射された場合には、この基本波のＳ波は、溶融状態の金属Ｓｉには十分に吸収され、この溶融部に大きな熱源を与える。そして、基本波は、高調波よりもエネルギが大きく、レーザ光の強度が高くなるが、本実施形態では、基本波は、そのエネルギが５０％ずつに分割され、強度が約半分のＰ波及びＳ波が約１０ｎｓの遅延時間で遅延して溶融部に照射されるので、エネルギ及びレーザ光強度がほぼそろった３つのパルスレーザ光が、相互間に約１０ｎｓの遅延時間で遅延してアモルファスシリコン膜に局部的に照射される。これにより、第３高調波と、基本波のＰ波と、基本波のＳ波との３波の全てから熱を付与されて、アモルファスシリコン膜には全体で図３（ｂ）に示す熱が付与される。
　これにより、アモルファスシリコン膜には極めて大きな熱が付与される。ＹＡＧレーザの第３高調波の場合は、その熱量が基本波の場合の３０％程度しかない。例えば、ＹＡＧレーザの場合、基本波の１０６４ｎｍの波長のレーザ光のエネルギが１０であるとすると、第２高調波の５３３ｎｍの波長のレーザ光のエネルギは５、第３高調波の３５５ｎｍの波長のレーザ光のエネルギは３である。このため、第３高調波を単独で照射した場合は、アモルファスシリコン膜に付与される熱量は少ない。このため、アモルファスシリコン膜に十分な熱を与えてアニールしようとすると、ＹＡＧレーザの出力を極めて大きくする必要があり、従来は、その出力の損失が極めて大きいものであった。
　これに対し、本実施形態においては、第３高調波の照射によりアモルファスシリコン膜に付与される熱量は少なくても、溶融したシリコンが凝固する前に、即ち、第３高調波の照射後５０ｎｓ以内に、基本波を２回に分けて順次照射するので、この基本波から大きな熱量が溶融部に付与される。これにより、ＹＡＧレーザ光源１１から発せられたレーザ光のエネルギを無駄にすることなく、高効率でアモルファスシリコン膜の加熱に使用することができる。しかも、このＹＡＧレーザ光源１１は、装置コストが低く、ランニングコストも低いという利点がある。基本波はエネルギが高いので、第３高調波と基本波との２つのみの場合は、基本波は一度に高エネルギ密度の波として照射される。これに対し、本実施形態の場合は、基本波は、第３高調波とエネルギ密度が同程度のＰ波及びＳ波として、２個に分割されて、所定の遅延時間だけ遅延して、アモルファスシリコン膜の溶融部に照射される。従って、本実施形態の場合は、基本波と第３高調波との２個の波の場合に比して、より長時間、ほぼ一定の強度でレーザ光が照射され、より高効率でレーザ光のエネルギがアモルファスシリコン膜に吸収される。
　本発明は、上記実施形態に限らず、種々の変形が可能である。レーザ光源は、ＹＡＧレーザに限らず、種々のレーザを使用することができる。アモルファスシリコン膜は短波長のレーザ光を吸収するが、長波長のレーザ光は吸収しないため、先ず、エネルギは小さいものの吸収効率が良い短波長のレーザ光を照射してアモルファスシリコン膜を溶融させた後、一定の遅延時間の後、金属状態の溶融シリコンに、長波長でエネルギが大きなレーザ光を分割して照射することに本発明の特徴がある。そこで、このような３段階のレーザ光の照射が可能であれば、種々のレーザ光源を使用することができる。また、光エネルギのレーザ光は、上記実施形態のように２個に分割するのではなく、３個以上に分割して、夫々、所定の遅延時間で遅延させてもよい。更に、分割の程度は、上記実施形態のように、５０％に限らず、例えば、４０％と６０％というように、分割割合を変えてもよい。
　例えば、上記実施形態では、ＹＡＧレーザの同一の光源を使用し、第１の光学系１９を使用して、基本波を第３高調波よりも遅延させて２段階のレーザ光の照射を行っているが、これに限らず、別のレーザ光源を使用して、短波長の照射とこれに続く長波長の照射とを行ってもよい。この場合は、第１の発振器が、長波長の第１のパルスレーザ光を出力するタイミングを、第２の発振器が、短波長の第２のパルスレーザ光を出力するタイミングよりも、所定の遅延時間だけ遅らせるように、パルスのタイミングを制御すればよい。
　この場合に、先に照射される第２のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍ以下の短波長とすることが好ましい。この５５０ｎｍ以下であれば、第２のパルスレーザ光は、アモルファスシリコン膜で吸収され、アモルファスシリコン膜を十分に加熱して溶融させることができる。従って、エネルギが大きな後発の第１のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍを超えるものである。この波長が５５０ｎｍを超える長波長は、アモルファスシリコン膜に対して吸収されにくく、これを溶融させるには至らないが、溶融金属Ｓｉに対して大きなエネルギを与えることができる。
　また、上記実施形態においては、長波長の第１のパルスレーザ光として、基本波長を使用したが、基本波長の代わりに、第２高調波の５３３ｎｍのレーザ光を使用してもよい。この５３３ｎｍの第２高調波は、基本波長に比べればエネルギが小さいが、アモルファスシリコン膜に与えるべき全体のエネルギの大きさに応じて、第２高調波も使用することができる。
　更に、例えば、第４高調波、及び第５高調波等も使用することができる。なお、第２、第３高調波発生素子としては、ＬＢＯ結晶（ＬｉＢ３Ｏ５）又はＫＴＰ結晶（ＫＴｉＯＰＯ４）を使用できることが周知である。また、第４高調波発生素子としては、ＢＢＯ結晶（β－ＢａＢ２Ｏ４）を使用できることが周知である。
　更にまた、第３高調波、第２高調波、基本波長のレーザ光を、順次、遅延させながら、アモルファスシリコン膜に照射してもよい。
　本発明によれば、低コストのレーザ光源を使用して、アモルファスシリコン膜をレーザアニールすることができるので、レーザ光を使用したアニール技術に極めて有用である。
１：レーザ光源
２：レンズ群
３：マスク
４：透明基板
５：マイクロレンズ
６：被照射体
７：遮光板
１１：ＹＡＧレーザ光源
１２：第１波長変換器
１３：第２波長変換器
１４，１５，１６、２３，２４，２５：ミラー
１７：レンズ
１８：被照射体
１９：第１光学系
２０：第２光学系
２１：第３光学系
２２：第４光学系

Claims (6)

  1. 第１のパルスレーザ光と、前記第１のパルスレーザ光よりも高次の高調波の第２のパルスレーザ光とを出力するレーザ照射部を有し、前記第２のパルスレーザ光をアモルファスシリコン膜に照射し、前記第２のパルスレーザ光の照射により前記アモルファスシリコン膜が溶融する工程と、
    その溶融部が凝固する前の時点で、前記第１のパルスレーザ光の一部を前記第２のパルスレーザ光の照射より第１の遅延時間だけ遅延させた後、前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射する工程と、
    この溶融部が凝固する前の時点で、前記第１のパルスレーザ光の他の一部又は残部を前記第１のパルスレーザ光の前記一部の照射より第２の遅延時間だけ遅延させた後、前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射する工程と、
    を有し、
    アニール対象部に前記第２のパルスレーザ光のエネルギと、前記第１のパルスレーザ光の２又は複数に分割されたエネルギとを、順次付与することを特徴とするレーザアニール方法。
  2. 前記第２のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍ以下であり、前記第１のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍを超えることを特徴とする請求項１に記載のレーザアニール方法。
  3. 第１のパルスレーザ光を出力する第１の発振器と、前記第１のパルスレーザ光よりも高次の高調波の第２のパルスレーザ光を出力する第２の発振器と、前記第１のパルスレーザ光をアモルファスシリコン膜に照射する第１の光学系と、前記第２のパルスレーザ光を前記アモルファスシリコン膜に照射して溶融部を形成する第２の光学系と、を有し、
    前記第１の光学系は、前記第２の光学系による前記第２のパルスレーザ光の照射よりも第１の遅延時間だけ遅延させて前記第１のパルスレーザ光の一部を前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射させる第３の光学系と、前記第３の光学系による前記第１のパルスレーザ光の一部の照射よりも第２の遅延時間だけ遅延させて前記第１のパルスレーザ光の他の一部又は残部を前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射させる第４の光学系とを有し、
    前記第１の遅延時間は、前記第２のパルスレーザ光による照射により前記アモルファスシリコン膜が溶融した後、溶融部が凝固する前の時点で前記第１のパルスレーザ光の前記一部が照射されるものであり、
    前記第２の遅延時間は、前記第１のパルスレーザ光の前記一部の照射により溶融が維持されている前記溶融部が凝固する前の時点で前記第１のパルスレーザ光の前記他の一部又は残部が照射されるものであることを特徴とするレーザアニール装置。
  4. 前記第２のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍ以下であり、前記第１のパルスレーザ光は、波長が５５０ｎｍを超えることを特徴とする請求項３に記載のレーザアニール装置。
  5. パルス発振のレーザ光の基本波を出力するレーザ光源と、前記基本波を１又は複数の高次の高調波に変換する１又は複数の波長変換器と、前記基本波又は低次の高調波の第１のパルスレーザ光を前記アモルファスシリコン膜に導光して照射する第１の光学系と、前記第１のパルスレーザ光よりも高次の高調波の第２のパルスレーザ光を前記アモルファスシリコン膜に導光して照射することにより溶融部を形成する第２の光学系と、を有し、
    前記第１の光学系は、前記第２の光学系による前記第２のパルスレーザ光の照射よりも第１の遅延時間だけ遅延させて前記第１のパルスレーザ光の一部を前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射させる第３の光学系と、前記第３の光学系による前記第１のパルスレーザ光の一部の照射よりも第２の遅延時間だけ遅延させて前記第１のパルスレーザ光の他の一部又は残部を前記アモルファスシリコン膜の前記溶融部に照射させる第４の光学系とを有し、
    前記第１の遅延時間は、前記第２のパルスレーザ光による照射により前記アモルファスシリコン膜が溶融した後、溶融部が凝固する前の時点で前記第１のパルスレーザ光の前記一部が照射されるものであり、
    前記第２の遅延時間は、前記第１のパルスレーザ光の前記一部の照射により溶融が維持されている前記溶融部が凝固する前の時点で前記第１のパルスレーザ光の前記他の一部又は残部が照射されるものであることを特徴とするレーザアニール装置。
  6. 前記レーザ光源は、基本波の波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ光源であり、前記第１のパルスレーザ光は、前記基本波又は波長が５３３ｎｍの第２高調波であり、前記第２のパルスレーザ光は、波長が３５５ｎｍの第３高調波であることを特徴とする請求項５に記載のレーザアニール装置。
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