JP3201395B2 - 半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
半導体薄膜の製造方法Info
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- JP3201395B2 JP3201395B2 JP32407199A JP32407199A JP3201395B2 JP 3201395 B2 JP3201395 B2 JP 3201395B2 JP 32407199 A JP32407199 A JP 32407199A JP 32407199 A JP32407199 A JP 32407199A JP 3201395 B2 JP3201395 B2 JP 3201395B2
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- Japan
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- thin film
- semiconductor thin
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体薄膜の製造
方法に関わり、特に基板上に半導体薄膜を堆積し、この
半導体薄膜に高エネルギービームを連続的に照射しなが
ら繰り返し操作する結晶化処理工程の改良に関する。
方法に関わり、特に基板上に半導体薄膜を堆積し、この
半導体薄膜に高エネルギービームを連続的に照射しなが
ら繰り返し操作する結晶化処理工程の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知の如く、従来の２次元半導体装置の
素子を微細化してこれを高集積化及び高速化するには限
界があり、これを越える手段として多層に素子を形成す
るいわゆる３次元半導体装置が提案された。そして、こ
れを実現するため、基板上の多結晶あるいは非晶質半導
体に高エネルギービームを照射しながら走査して、粗大
粒の多結晶若しくは単結晶の半導体層を形成する結晶化
処理方法がいくつか提案されている。
素子を微細化してこれを高集積化及び高速化するには限
界があり、これを越える手段として多層に素子を形成す
るいわゆる３次元半導体装置が提案された。そして、こ
れを実現するため、基板上の多結晶あるいは非晶質半導
体に高エネルギービームを照射しながら走査して、粗大
粒の多結晶若しくは単結晶の半導体層を形成する結晶化
処理方法がいくつか提案されている。
【０００３】従来の方法でよく用いられている高エネル
ギービームの走査方法を図１に示す。このうち図１ａは
特によく用いられているビームの走査方法である。ある
方向へ（Ｘ方向）への操作と、これと垂直な方向（Ｙ方
向）の比較的遅い送りとからなっている。しかしこの方
法では、ビームの未照射領域を形成しないように、実線
で表わせられるＸ軸の正方向に繰り返し照射すると、図
１ａに示すようにビームの重複した照射領域１２が発生
する。このため、１回のみのビーム照射領域１１と、重
複した照射領域１２にあるシリコ層が受けるエネルギー
量が異なるため、その照射領域によって結晶化率または
屈折率などの物性値が異なるシリコン層が形成されてし
まう。さらに、ビーム強度が大きいときには、照射の重
複部分では、高エネルギーが集中して、半導体薄膜が蒸
発してしまうなどの大きな指傷を受けた。
ギービームの走査方法を図１に示す。このうち図１ａは
特によく用いられているビームの走査方法である。ある
方向へ（Ｘ方向）への操作と、これと垂直な方向（Ｙ方
向）の比較的遅い送りとからなっている。しかしこの方
法では、ビームの未照射領域を形成しないように、実線
で表わせられるＸ軸の正方向に繰り返し照射すると、図
１ａに示すようにビームの重複した照射領域１２が発生
する。このため、１回のみのビーム照射領域１１と、重
複した照射領域１２にあるシリコ層が受けるエネルギー
量が異なるため、その照射領域によって結晶化率または
屈折率などの物性値が異なるシリコン層が形成されてし
まう。さらに、ビーム強度が大きいときには、照射の重
複部分では、高エネルギーが集中して、半導体薄膜が蒸
発してしまうなどの大きな指傷を受けた。
【０００４】一方、図１ｂに示すのはＸ軸に正の方向の
走査速度と負の方向の走査速度を同じくして、操作の無
駄をなくすために考えられた走査方法である。しかしこ
の場合もビームのＸ軸方向の照射で、アニールが重複す
る領域１２があり、半導体薄膜のエネルギー吸収量の違
いによるシリコン層（半導体薄膜）の膜質の違いや、エ
ネルギー集中によるビーム損傷を避けることは困難とな
っていた。
走査速度と負の方向の走査速度を同じくして、操作の無
駄をなくすために考えられた走査方法である。しかしこ
の場合もビームのＸ軸方向の照射で、アニールが重複す
る領域１２があり、半導体薄膜のエネルギー吸収量の違
いによるシリコン層（半導体薄膜）の膜質の違いや、エ
ネルギー集中によるビーム損傷を避けることは困難とな
っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１ａの方法ではビー
ムが照射している地点のＸ座標を時間の関数で表わす
と、ビームがＸの負の方向の速度が必ず０となり、ここ
でビームが停滞することになる。このため、半導体薄膜
の一地点に高エネルギーが集中して、半導体薄膜が蒸発
してしまうなどの大きな損傷を受けた。
ムが照射している地点のＸ座標を時間の関数で表わす
と、ビームがＸの負の方向の速度が必ず０となり、ここ
でビームが停滞することになる。このため、半導体薄膜
の一地点に高エネルギーが集中して、半導体薄膜が蒸発
してしまうなどの大きな損傷を受けた。
【０００６】一方、図１ｂに示すのはＸ軸に正の方向の
走査速度と負の方向の走査速度を同じくして、操作の無
駄をなくすために考えられた走査方法である。第２図の
方法の場合もビームのＸ軸方向の速度が必ず０になる地
点があり、半導体薄膜の一地点に高エネルギーが集中す
ることによる損傷を避けることは困難となっていた。
走査速度と負の方向の走査速度を同じくして、操作の無
駄をなくすために考えられた走査方法である。第２図の
方法の場合もビームのＸ軸方向の速度が必ず０になる地
点があり、半導体薄膜の一地点に高エネルギーが集中す
ることによる損傷を避けることは困難となっていた。
【０００７】さらに、図１ａの場合も、図１ｂの場合も
ビームをＸ紬方向に繰り返し走査するために照射領域が
重複する部分１２が生じるため、重複する部分１２とそ
うでない部分１１の間で、シリコン層（半導体層）が受
けるエネルギー量が異なり、結晶化率、または屈折率な
どの物性が異なるシリコン層（半導体薄膜）が生じた。
ビームをＸ紬方向に繰り返し走査するために照射領域が
重複する部分１２が生じるため、重複する部分１２とそ
うでない部分１１の間で、シリコン層（半導体層）が受
けるエネルギー量が異なり、結晶化率、または屈折率な
どの物性が異なるシリコン層（半導体薄膜）が生じた。
【０００８】本発明の目的は、かかる従来の欠点を取り
除き、基板上の半導体薄膜上で高出力のエネルギービー
ムが一点に集中して損傷を及ぼすことを防止し、均一な
物性で良質の半導体薄膜結晶層を従来に比べ簡便に製造
することができ、３次元半導体装置の素子形成用基板の
作成等に有用な半導体薄膜結晶層の製造方法を提供する
ことにある。
除き、基板上の半導体薄膜上で高出力のエネルギービー
ムが一点に集中して損傷を及ぼすことを防止し、均一な
物性で良質の半導体薄膜結晶層を従来に比べ簡便に製造
することができ、３次元半導体装置の素子形成用基板の
作成等に有用な半導体薄膜結晶層の製造方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、 基板上に半
導体薄膜を堆積し、該半導体薄膜に高出力エネルギービ
ームを照射して、前記半導体薄膜の結晶粒径の拡大又は
結晶化を行う半導体薄膜の製造方法において、ビーム源
からの前記高出力エネルギービームをレンズにより前記
半導体薄膜の全幅を照射できるよう前記半導体薄膜の幅
方向に拡大させ且つ板状の平行ビームに変形させ、当該
変形させたビームを凸レンズにより前記平行ビームの幅
と等しくなるような幅で、且つエネルギー密度を高めた
状態で前記半導体薄膜の全幅にわたって照射しながら前
記半導体薄膜の長手方向に走査することを特徴とする。
導体薄膜を堆積し、該半導体薄膜に高出力エネルギービ
ームを照射して、前記半導体薄膜の結晶粒径の拡大又は
結晶化を行う半導体薄膜の製造方法において、ビーム源
からの前記高出力エネルギービームをレンズにより前記
半導体薄膜の全幅を照射できるよう前記半導体薄膜の幅
方向に拡大させ且つ板状の平行ビームに変形させ、当該
変形させたビームを凸レンズにより前記平行ビームの幅
と等しくなるような幅で、且つエネルギー密度を高めた
状態で前記半導体薄膜の全幅にわたって照射しながら前
記半導体薄膜の長手方向に走査することを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の骨子は、エネルギービームの形状が板
状になっていることにある。
状になっていることにある。
【００１１】すなわち本発明は、絶縁体基板上に半導体
薄膜を堆積し、この薄膜にレーザービームなどの高出力
エネルギービームを連続的に照射して、上記薄膜の結晶
粒径増大化もしくは単結晶化をはかる半導体薄膜結晶層
の製造方法に於て、ビーム源のエネルギービームを凸レ
ンズと凹レンズに透過させて、板状に変形したものであ
る。
薄膜を堆積し、この薄膜にレーザービームなどの高出力
エネルギービームを連続的に照射して、上記薄膜の結晶
粒径増大化もしくは単結晶化をはかる半導体薄膜結晶層
の製造方法に於て、ビーム源のエネルギービームを凸レ
ンズと凹レンズに透過させて、板状に変形したものであ
る。
【００１２】これによって、図１ａや図１ｂで示され
た、ビームの走査の繰り返しによって生じる、シリコン
層（半導体薄膜）のビーム照射の重複部分がなくなり、
シリコン層（半導体薄膜）全面にわたって均一なエネル
ギー照射ができる。
た、ビームの走査の繰り返しによって生じる、シリコン
層（半導体薄膜）のビーム照射の重複部分がなくなり、
シリコン層（半導体薄膜）全面にわたって均一なエネル
ギー照射ができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
説明する。
【００１４】第２図は本発明の一実施例に使用したレー
ザーアニール装置を示す概略構成図である。図中２１は
レーザー発振部、２２は凹レンズ、２３は凸レンズ、２
４は鏡、２５は凸レンズ、２６は試料である。
ザーアニール装置を示す概略構成図である。図中２１は
レーザー発振部、２２は凹レンズ、２３は凸レンズ、２
４は鏡、２５は凸レンズ、２６は試料である。
【００１５】次に、上記装置を用いた半導体薄膜結晶層
の製造方法について説明する。まず図３ａに示すが如く
１辺２５〔ｃｍ〕正方形のガラス基板（絶縁体基板）３
１表面全面に１００（ｎｍ）のシリコン層（半導体薄
膜）３２を形成する。レーザーの発振波長はＸｅＣｌエ
キシマレーザーの３０８〔ｎｍ〕とした。レーザービー
ムの大きさは、１辺５〔ｍｍ〕の正方形であり、エネル
ギー強度は５００〔ｍＪ／パルス〕であり、レーザーの
パルス幅は約５０〔ｎｓ〕であり、発振周波数は１２０
〔Ｈｚ〕とした。また、レーザービームの走査方法とし
て、鏡２４をＹ軸方向に１〔ｍｍ／ｓ〕の速度で動作し
てレーザービームを走査した。Ｘ軸方向のレーザービー
ムの幅は凹レンズ２２と凸レンズ２３の距離を変化させ
て調節する。さらに、レーザー発信部出口でのレーザー
ビームのエネルギー密度は、２０００〔ｍＪ／（ｃｍ２
・パルス）〕であるが、凸レンズ２３を透過直後では、
ビームの幅が５０倍となるため、４００〔ｍＪ／ｃｍ２
・パルス）〕と５０分の１となる。アニール効果を減少
させないため、凸レンズ２５でエネルギー密度を再び２
０００〔ｍＪ／（ｃｍ２・パルス）〕に高める。エネル
ギー密度は、試料と凸レンズ２５の距離で調整できる。
この距離を少なくするには曲率の大きい凸レンズを使用
すれば実現できる。これにより、図２に示すが如くレー
ザービームの走査方向はＹ軸方向のみとなるため、図１
の照射例でみられたようなシリコン層（半導体薄膜）の
アニールの重複を防止でき、これにより均一な物性で良
質なシリコン層（半導体薄膜）を得られるアニールが可
能となった。即ち、レーザービームの大きさが５ｍｍで
凸レンズを透過直後のビーム幅が５０倍となるため、２
５ｃｍの幅になり、この幅は基板の幅２５ｃｍに相当す
る。凸レンズ２５を透過後のビームの幅は第２図のよう
に基板の幅に相当するので、エネルギー線が平行ビーム
のまま基板に照射されることになる。
の製造方法について説明する。まず図３ａに示すが如く
１辺２５〔ｃｍ〕正方形のガラス基板（絶縁体基板）３
１表面全面に１００（ｎｍ）のシリコン層（半導体薄
膜）３２を形成する。レーザーの発振波長はＸｅＣｌエ
キシマレーザーの３０８〔ｎｍ〕とした。レーザービー
ムの大きさは、１辺５〔ｍｍ〕の正方形であり、エネル
ギー強度は５００〔ｍＪ／パルス〕であり、レーザーの
パルス幅は約５０〔ｎｓ〕であり、発振周波数は１２０
〔Ｈｚ〕とした。また、レーザービームの走査方法とし
て、鏡２４をＹ軸方向に１〔ｍｍ／ｓ〕の速度で動作し
てレーザービームを走査した。Ｘ軸方向のレーザービー
ムの幅は凹レンズ２２と凸レンズ２３の距離を変化させ
て調節する。さらに、レーザー発信部出口でのレーザー
ビームのエネルギー密度は、２０００〔ｍＪ／（ｃｍ２
・パルス）〕であるが、凸レンズ２３を透過直後では、
ビームの幅が５０倍となるため、４００〔ｍＪ／ｃｍ２
・パルス）〕と５０分の１となる。アニール効果を減少
させないため、凸レンズ２５でエネルギー密度を再び２
０００〔ｍＪ／（ｃｍ２・パルス）〕に高める。エネル
ギー密度は、試料と凸レンズ２５の距離で調整できる。
この距離を少なくするには曲率の大きい凸レンズを使用
すれば実現できる。これにより、図２に示すが如くレー
ザービームの走査方向はＹ軸方向のみとなるため、図１
の照射例でみられたようなシリコン層（半導体薄膜）の
アニールの重複を防止でき、これにより均一な物性で良
質なシリコン層（半導体薄膜）を得られるアニールが可
能となった。即ち、レーザービームの大きさが５ｍｍで
凸レンズを透過直後のビーム幅が５０倍となるため、２
５ｃｍの幅になり、この幅は基板の幅２５ｃｍに相当す
る。凸レンズ２５を透過後のビームの幅は第２図のよう
に基板の幅に相当するので、エネルギー線が平行ビーム
のまま基板に照射されることになる。
【００１６】これに対して、従来のようにＸ軸方向のビ
ームを繰り返すアニールのように、照射の重なり部分が
ある場合には、シリコン層の物性のばらつきや、重なり
部分でのビーム損傷が認められた。なお本発明は上述し
た実施例に限定されるものではない。実施例では、ガラ
ス基板（絶縁体基板）全面にシリコン層を形成し、シリ
コン層の全領域をアニールする例を示したが、シリコン
層の必要な部分だけをアニールしたい場合にはその必要
な大きさの幅にビームの大きさを調整した板状のビーム
で照射すればよい。また、シリコンの溶融再結晶化によ
る結晶成長だけでなく、他の半導体や金属などにも適用
することが可能である。さらに、イオン注入層の活性化
に本発明を適用し、アニール領域を均一にすることも可
能である。
ームを繰り返すアニールのように、照射の重なり部分が
ある場合には、シリコン層の物性のばらつきや、重なり
部分でのビーム損傷が認められた。なお本発明は上述し
た実施例に限定されるものではない。実施例では、ガラ
ス基板（絶縁体基板）全面にシリコン層を形成し、シリ
コン層の全領域をアニールする例を示したが、シリコン
層の必要な部分だけをアニールしたい場合にはその必要
な大きさの幅にビームの大きさを調整した板状のビーム
で照射すればよい。また、シリコンの溶融再結晶化によ
る結晶成長だけでなく、他の半導体や金属などにも適用
することが可能である。さらに、イオン注入層の活性化
に本発明を適用し、アニール領域を均一にすることも可
能である。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ビームの繰り返し走査
によって生じる照射領域の重複部分がなくなるので速度
が０に近い付近、すなわちビームの走査方向の反転領域
が、アニール領域にないため、ビームが停留することが
なくなり、また照射の重複部分がなくなるので、アニー
ル領域におけるシリコン層（半導体薄膜）の物性のばら
つきがなくなり、さらにビーム損傷を未然に防止するこ
とができる。このため均一で良質の半導体薄膜結晶層を
積層することができ、３次元半導体装置の素子形成基板
として実用上十分な特性をもたせることが可能となる。
によって生じる照射領域の重複部分がなくなるので速度
が０に近い付近、すなわちビームの走査方向の反転領域
が、アニール領域にないため、ビームが停留することが
なくなり、また照射の重複部分がなくなるので、アニー
ル領域におけるシリコン層（半導体薄膜）の物性のばら
つきがなくなり、さらにビーム損傷を未然に防止するこ
とができる。このため均一で良質の半導体薄膜結晶層を
積層することができ、３次元半導体装置の素子形成基板
として実用上十分な特性をもたせることが可能となる。
【図１】ａ、ｂはエネルギービームの走査方法の例を示
す模式図。
す模式図。
【図２】本発明の１実施例方法に使用したレーザーアニ
ール装置を示す概略構成図。
ール装置を示す概略構成図。
【図３】上記実施例にかかわるシリコン薄膜結晶層の製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例である。
２１…レーザー発振部 ２２…凹レンズ ２３…凸レンズ ２４…鏡 ２５…凸レンズ ２６…試料 ３１…ガラス基板（絶縁体基板） ３２…シリコン層（半導体薄膜）
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に半導体薄膜を堆積し、該半導
体薄膜に高出力エネルギービームを照射して、前記半導
体薄膜の結晶粒径の拡大又は結晶化を行う半導体薄膜の
製造方法において、 ビーム源からの前記高出力エネルギービームをレンズに
より前記半導体薄膜の全幅を照射できるよう前記半導体
薄膜の幅方向に拡大させ且つ板状の平行ビームに変形さ
せ、当該変形させたビームを凸レンズにより前記平行ビ
ームの幅と等しくなるような幅で、且つエネルギー密度
を高めた状態で前記半導体薄膜の全幅にわたって照射し
ながら前記半導体薄膜の長手方向に走査することを特徴
とする半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32407199A JP3201395B2 (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32407199A JP3201395B2 (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 半導体薄膜の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087977A Division JP3033120B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133613A JP2000133613A (ja) | 2000-05-12 |
| JP3201395B2 true JP3201395B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=18161832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32407199A Expired - Lifetime JP3201395B2 (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201395B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8440581B2 (en) | 2009-11-24 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification |
| US9646831B2 (en) | 2009-11-03 | 2017-05-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Advanced excimer laser annealing for thin films |
| WO2011056787A1 (en) * | 2009-11-03 | 2011-05-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing |
| US9087696B2 (en) | 2009-11-03 | 2015-07-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing |
| US8309474B1 (en) * | 2011-06-07 | 2012-11-13 | Ultratech, Inc. | Ultrafast laser annealing with reduced pattern density effects in integrated circuit fabrication |
-
1999
- 1999-11-15 JP JP32407199A patent/JP3201395B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000133613A (ja) | 2000-05-12 |
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| JPH0113209B2 (ja) | ||
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010522 |
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