JP2004221597A - 非晶質半導体層を結晶化するための装置および方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 62
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 13
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02686—Pulsed laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
【課題】融解線によって非晶質半導体層を結晶化する為の方法と装置を提供する。
【解決手段】非晶質半導体層を結晶化するための方法であって、半導体層の線状第１領域が放射パルスの照射によって融解され、半導体層の線状第１領域の照射が少なくとも２つの連続する放射パルスを含み、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。そして非晶質半導体層を結晶化するための装置であって、放射パルス源と、放射パルスの照射によって半導体層の線状第１領域を融解できるように整えられた照射器とを有し、少なくとも２つの連続する放射パルスで半導体層を照射できるように放射パルス源が整えられており、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。
【選択図】 図３
【解決手段】非晶質半導体層を結晶化するための方法であって、半導体層の線状第１領域が放射パルスの照射によって融解され、半導体層の線状第１領域の照射が少なくとも２つの連続する放射パルスを含み、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。そして非晶質半導体層を結晶化するための装置であって、放射パルス源と、放射パルスの照射によって半導体層の線状第１領域を融解できるように整えられた照射器とを有し、少なくとも２つの連続する放射パルスで半導体層を照射できるように放射パルス源が整えられており、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。
【選択図】 図３
Description
本発明は、半導体層の線状領域が放射パルスの照射によって融解される非晶質半導体層結晶化方法、および放射パルスの源と照射によって半導体層の線状領域を融解するように整えられた照射器とを有する非晶質半導体層結晶化装置に関する。
２０〜２００ｎｍの厚さで例えばガラス基板またはプラスチック基板に被着される薄い非晶質シリコン層がエキシマレーザ放射光の照射によって融解でき、冷却時に固化して多結晶層となることは公知である。いわゆるＳＬＳ（逐次的横方向結晶化，Sequential lateral Solidification）法では、これがシリコン層中に整列した微結晶の微細構造を生成するのに利用されている。このため、代表的にはシリコン層の３μｍ幅の線がエキシマシーザ光を照射して融解されている。冷却時、未融解線縁から出発して制御下に結晶成長が生じ、初期の微細構造を生じるようになっている。このように処理された膜は、工業的にごく多面的に利用可能な材料であることを実証したのであり、例えば液晶または発光有機分子をベースにしたフラットスクリーン用の薄膜太陽電池および薄膜トランジスタを製造するのに適している。
自発的な、それゆえに不規則で望ましくない結晶形成が生じてしまう前に、整列した結晶が線の両縁から完全に成長するように線幅は選択されている。線の中心で自発的結晶が形成されるまでに、冷却をするよりも前に、５０ｎｍの代表的層厚と３０ｎｓのパルス長とにおいて長さ１．５μｍの規則的結晶が両方の線縁から線中心に向かって成長させることができることが判明した。そのことから、障害となる不規則な結晶を防止するために線が幅３μｍ以下でなければならないとの境界条件が帰結する。
公知の方法では、高パルスエネルギーのエキシマレーザと高解像度の紫外線光学系とで変換されている。この光学系はマスクと縮小光学系とを備えている。その際、マスクは、複数の平行線を有する線構造を担持するように備えており、これらの線が対物レンズで縮小してシリコン層上に結像されるようになる。公知の方法は、僅か３μｍ幅の相応に鋭く限定された融解線を前提としているので、光学系の焦点深度が重要な役割を果たしている。公知の系は、約２５μｍの焦点深度範囲において融解線を十分に鋭く結像することができる。代表的基板は、確かに小さな縮尺で十分な平坦度を有するのではあるが、しかし、１５インチスクリーンの高さは、その全面にわたって１００〜２００μｍの範囲内で変化している。それゆえに基板の小さな部分のみを照射で同時に処理できるだけであり、さらには、それ自体で適合する高価な集束光学系が不可欠である。
非特許文献１により、線マスクの他にかみそり刃稜をなお利用するＳＬＳ法が公知となっている。その際、かみそり刃稜はシリコン層の直接的な近傍にあり、片側で線を鋭く限定するのに寄与している。開示されたこの方法では、約５μｍ幅の線が照射され、次に基板は線の縦方向に垂直に０．３μｍだけずらされ、こうして第１線と重なり合う他の第２線が融解され、これが継続されていく。こうして、整列した結晶の隣り合う約０．３μｍ幅の一群の線が生じるようになる。小さな線幅と、照射ごとに常に単一の線が融解されるため、この方法はきわめて手間がかかる。
非特許文献２では、J.S. Im他は、角度を成して交わる２つの線の一方の領域に単結晶域が生じることを示している。しかし、やはり照射ごとに制御された結晶の長さの成長、つまり照射前の線幅は、迅速に始まる自発的結晶化によって数μｍに限定されている。
自発的結晶化を遅らせることにより、幅広の融解線が可能になる。その場合結像鮮鋭度に対する要求も厳しくはなくなり、一層大きな焦点深度範囲内で処理することができる。大きなパルス長のレーザパルスを使用することによって線の中心で自発的結晶化を遅らせることができることが知られている。それとともに、幅広の線も完全に制御下に結晶化させることが可能である。その原因は、長いパルスが基板の加熱をもたらすことにある。その結果さらに、自発的結晶化が遅く始まり、線縁から微結晶が一層長く制御下に成長できることになる。例えばレーザパルスが２．３倍延長されると結晶化長は１．５μｍから２．０μｍに延長することができる。しかし、同時に完全融解のためのエネルギー密度も２０％増大させて７５０ｍＪ／ｃｍ2としなければならない。さらに、パルス長の増大自体がパルスエネルギーの約１５〜２０％を消費する。大きなエネルギー需要は、不利なことに同時処理可能な面積を小さくするかまたは所要の装置支出を増やすことになる。
Sposili et al., Line-scan sequential lateral solidification of Si thin film, Phys. A67, 273-276 (1998) J.S. Im et al., Control Super-Lateral Growth of Si Films for Microstructural Manipulation and Optimization, Phys. stat. sol. (a) 166, 603 (1998)
Sposili et al., Line-scan sequential lateral solidification of Si thin film, Phys. A67, 273-276 (1998) J.S. Im et al., Control Super-Lateral Growth of Si Films for Microstructural Manipulation and Optimization, Phys. stat. sol. (a) 166, 603 (1998)
本発明の課題は、融解線によって非晶質半導体層を結晶化するための、特別良好な結晶化を可能とする方法および装置を提供することである。特に、比較的幅広の線も完全に結晶化されねばならない。その際特に、融解線中で自発的結晶化を遅らせることが達成されねばならず、特に、一層大きな焦点深度も達成されねばならない。また特にエネルギー需要は極力小さく抑えられねばならない。
この課題は、請求項１の特徴を有する非晶質半導体層を結晶化するための方法と請求項８の特徴を有する非晶質半導体層を結晶化するための装置とによって解決される。
好ましい半導体層は、シリコン層であるが、しかし例えば非元素半導体を利用することも考えられる。半導体層は、好ましくは厚さが２０〜２００ｎｍ、特別好ましくは約５０ｎｍであり、好ましくはガラスまたはプラスチックからなる基板、特別好ましくはＳｉＯ2被覆基板に被着されている。
前記少なくとも１つの線状第１領域は、好ましくは直線である。他の実施形態において、第１領域は、角度を成して交わる線状部分領域を含む少なくとも１つの先端を有している。前記少なくとも１つの線状第１領域は、好ましくはその全長に亘って統一的線幅を有している。
脈動放射線は、好ましくはレーザ放射線、特別好ましくは波長３０８ｎｍのレーザ放射線である。放射パルス源は、好ましくは少なくとも１つのエキシマレーザ、特別好ましくは少なくとも１つのＸｅＣｌレーザを含んでいる。しかし、例えば照射用に脈動電子ビームの使用も考えられる。前記少なくとも１つの線状第１領域は、少なくとも２つの連続する放射パルスで照射することによって好ましくは完全に融解されている。
本発明に係る装置の１つの実施形態において、放射パルス源は、両方の連続するレーザパルスを生成するために、調整可能な遅れ（時間遅延）を有する２つ以上の同期化されたエキシマレーザを含んでいる。好適な同期化装置は、専門家においては、例えばLambda Physik AG社の機器LPA 97により公知である。他の実施形態において、例えばMicroLas Lasersystem GmbHから入手可能な現状の技術による光学パルス伸長装置（パルスエクステンダー）が使用されている。
少なくとも２つのビームを組合せて少なくとも２つの互いに相対的に遅れたパルスを有する１つのビームとすることは、本発明の１つの実施形態においていわゆるインテガイザー（インテグレータ・ホモジナイザー）において実施することができる。その際、両方のビームが均一化されかつ相互に投影されるようになる。本発明の他の実施形態において、ビームは、それらの共振器を連結することによって組合せられている。その際、２つ以上のレーザから放出される出力ビームは、少なくとも１つのビーム分割器と１つの鏡とに向けられ、鏡で反射された放射光は、ビーム分割器を介して戻されてレーザの共振器内に達するようになる。少なくとも２つのレーザをこのように配置することで、レーザのレーザ放射光は、一種の「多重化」として重ねられ、すなわちレーザ放射線が実質的に空間的に（局所的に）一致するようになる。
少なくとも２つの共振器を連結する場合ビーム分割器は、好ましくは約５０％の透過率を有している。しかし、連結された放射光の全体で発生されるレーザパワーは、この透過率にそう敏感には左右されず、最良の結果としては、ビーム分割器の透過率値３０〜７０％、好ましくは４０〜６０％の範囲内で達成されることになる。
この実施形態の特別好ましい１構成によれば、個々のレーザから放出される出力放射光は、相反する側でビーム分割器に衝突している。３つ以上のレーザを連結して利用する場合、相応に付加的ビーム分割器が使用されている。この実施形態の好ましい１構成によれば、ビーム分割器が両方のレーザの出力放射光を一部透過させ、一部は反射するようになっている。その際、一方のレーザの透過放射光は、他方のレーザの反射放射光と共直線的であり、すなわち空間内の同じ個所にある。
本発明の好ましい１つの実施形態によれば、使用されるレーザは、放出波長およびパルス長が同じであり、例えば２つ以上の同じエキシマレーザを利用することができる。本発明に係る方法は、２つ以上のレーザ管の「多重化」と理解することができる。
好ましくは２つの放射パルスのエネルギー密度が調整可能であり、好ましくはさらに、２つ以上のパルスの間の遅延時間も調整可能であるように放射パルス源は整えられている。その場合パルスの間隔とその相対エネルギーは、与えられた放射パルスの総エネルギーにおいて自発的結晶化を最大限遅らせることができるように最適化することができる。本発明の特別好ましい１つの実施形態において、レーザパルスの総パワー密度は照射された半導体層領域の場所で４００ｍＪ／ｃｍ2を超え、特別好ましくは約４４０ｍＪ／ｃｍ2である。本方法および本装置の好ましい実施形態において、２つの連続する放射パルスの時間間隔は８００ｎｓ以下、特別好ましくは４００ｎｓ以下である。放射パルスの長さは好ましくは１０〜１００ｎｓ、特別好ましくは約３０ｎｓである。本発明に係る照射器は、好ましくはマスクを含み、特別好ましくはラインマスクである。本発明の他の実施形態において干渉ビーム、回折光学系または屈折光学系が使用されている。
本発明の好ましい１つの実施形態において、少なくとも２つの連続する放射パルスの第１放射パルスおよび最終放射パルスの強度がピークの時の時間間隔は、１００ｎｓ以上、特別好ましくは２００ｎｓ以上である。特別好ましい１つの実施形態において前記少なくとも１つの線状第１領域は、正確に２つの連続するレーザパルスで照射されている。
その際、両方の放射パルスの第１放射パルスは、好ましくは基板を予熱するのに役立つようになる。熱は放散し、その場合もはや融解には利用できない。第２放射パルスがはじめて半導体層を融解することになる。予熱によって融解線はゆっくりと冷え、自発的結晶化が遅らされるようになる。
線状第１領域は、線幅が好ましくは３μｍを超え、特別好ましくは４μｍを超え、特別好ましくは８μｍである。本発明の好ましい１つの実施形態において、相互に離間した複数の線状第１照射領域が同時に照射されている。これらの領域は、好ましくはすべて同じ線幅を有し、好ましくは平行な直線区間のパターンを形成する。このパターンは好ましくは０．５ｃｍ2以上の面積にわたって延びている。第１線状領域の間の空隙は、好ましくはやはり線状であり、特別好ましくは直線的区間である。それらは好ましくは第１線状領域よりも細く、特別好ましくは約１μｍ細い。
本発明に係る方法の特別好ましい１つの実施形態では、線状第１領域の照射後に少なくとも１つの線状第２領域がレーザ光で照射され、前記少なくとも１つの線状第２領域は、少なくとも部分的に線状第１領域の間の空隙を含んでいる。その際、線状第２領域は特別好ましくは第１線状領域と一致し、特別好ましくは第１線状領域の間の空隙を完全に含み、さらには隣接する線状第１領域内に部分的に入り込み、特別好ましくは約０．５μｍ入り込むことになる。
線状第１領域と同様に、半導体層の前記少なくとも１つの線状第２領域の照射は、好ましくは少なくとも２つの連続する放射パルスを含み、２つの連続する放射パルスの強度のピーク時の時間間隔は好ましくは１０００ｎｓ以下である。本発明に係る方法の好ましい１つの実施形態において、半導体層の前記少なくとも１つの線状第２領域の照射は、半導体層の前記少なくとも１つの線状第１領域の照射の上で論議した特徴の１つまたは複数を含んでいる。
本発明に係る方法の特別好ましい１つの実施形態において、前記少なくとも１つの線状第２領域の照射は、第１線状領域がすでに再び固化した後にはじめて行われている。
本発明に係る装置の好ましい１つの実施形態において、マスクは、その平面で摺動可能に配置されている。これにより、線状第２領域は、線状第１領域と同じマスクで照射することができる。本発明の他の実施形態において、半導体層を被着した基板は、その平面で摺動可能に配置されている。
以下、本発明の実施例が図面を基に詳しく説明される。
図１に示すように、レーザビーム１２のレーザパルスは、まず、台１６に取付けられた照射器１０のマスク１４に入射している。マスク１４は、台１６によって、その台１６の平面で摺動させることができるようになっている。レーザビームは、引き続き２つの鏡１８、２０を介して縮小光学系２２に向けられている。縮小光学系２２は、５×の縮小倍率でシリコン層２４上にマスク１４を結像している。シリコン層２４は、厚さが５０ｎｍであり、ＳｉＯ2で被覆されたガラス基板２６上に被着されている。
マスク１４は、レーザ光に対して透明な平行線のパターンを代表的には１０ｍｍ×５０ｍｍの区域内で担持されている。線はそれぞれ幅が４０μｍ、長さが２ｍｍである。レーザ光に対して不透明な線の間の空隙は幅が３５μｍになっている。
８μｍ幅の平行線のパターンを有するシリコン層２４の約２０ｍｍ2大の面が第１レーザパルスで照射されている。そのことでシリコン層２４が加熱されている。その直後に続く第２レーザパルスの照射は、照射された線の完全融解を引き起こしている。各線の両縁から僅か約４μｍ長の平行に整列した微結晶が線の中心へと成長するようになる。シリコン層２４が第１レーザパルスで加熱されるので、成長の間、線の中心で自発的に結晶化することはない。
引き続きマスク１４は、台１６によって線の縦方向に垂直な方向に３７．５μｍだけずらされる。次にシリコン層２４の照射済み線の間のまだ照射されていない空隙と、照射済み線の外縁のそれぞれ０．５μｍ幅の領域が、やはり第１レーザパルスで照射される。再びシリコン層２４が加熱されることになる。その直後に同じ領域を第２レーザパルスで照射するとこの領域が融解する。再度、各線の両縁から約４μｍ長の平行に整列した微結晶が線の中心に向かって成長する。層が第１レーザパルスで加熱されるので、この成長の間も線の中心で自発的に結晶化することはない。結果としてシリコン層の約０．５ｃｍ2大の面積が、完全に、そして平行に整列した微結晶で微細構造化されることになる。
密に連続するレーザパルスの対を有するレーザビーム１２は、そのレーザパルスを相互に僅かに遅らせられた２つのレーザビームの組合せによって得られている。図１のマスク１４にそれが入射する前に２つのレーザビーム１２０，１３０を１つのビーム１２へと組合せる装置が図２に示してある。レーザビーム１２０，１３０は、現状の技術による波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザから生じ、まず鏡１４０，１５０によって現状の技術による２つの分離されたホモジナイザー１６０，１７０に向けられる。ホモジナイザー１６０，１７０は、出射するレーザビームが１平面１８０で一致するように整えられている。レーザビームの均一化は、マスク１４の均一な照明を確保するために重要である。こうして、すべての融解線に沿ってシリコン層２４を完全に融解することができる。これらのことは、融解線の縁から中心に向けて制御下に指向的に結晶を形成させるための前提条件である。
図３に示すように、両方のレーザビームのパルス長は約１００ｎｓであり、電子遅延装置によって約８００ｎｓだけ相互にずらされている。第１レーザパルスが１０００ｍＪのエネルギーを有する一方、第２レーザパルスは８００ｍＪＷｓで多少弱められている。第１レーザパルスは、シリコン層２４の予熱に役立つだけであるのに対して、第２レーザパルスは本来の融解を引き起こすようになっている。
２つのレーザビームを組合せてマスク１２に入射する１つのビーム１２とする選択的装置が図４に示してある。符号２１０は、現状の技術による第１エキシマレーザである。周知の如く、レーザ２１０は、端鏡２１２と出射鏡２１４とを有している。レーザ管は、窓２１６，２１８によって密閉されている。管内の活性レーザ媒質は、符号２２０で示唆されている。レーザ２１０は、出力ビーム２２２を放出している。
その横に他のレーザ２１０ａが配置されており、図示した実施例において、このレーザは前記レーザ２１０と同一構造であり、相対応する部材は同じ符号を有し、第２レーザ２１０ａではそれぞれ「ａ」が加えてある。
出力ビーム２２２，２２２ａは、半透鏡の態様のビーム分割器２２４に向けられている。図示した実施例では、ビーム分割器２２４が約５０％の透過率を有している。これは、第１レーザ２１０の図１で左から入射する出力ビーム２２２が約５０％は実質的に直線的にビーム分割器２２４を通過し、そこで鏡２２６に１００％反射で衝突することを意味している。第２レーザ２１０ａの出力ビーム２２２ａは、同様に約５０％がビーム分割器２２４で反射し、出力ビーム２２２の前記部分と共直線的に鏡２２６に衝突している。鏡２２６で１００％反射された両方のビームは、再びビーム分割器２２４に達し、一部がそこを通過し、一部が反射される。こうしてビームは戻って両方のレーザ２１０，２１０ａの共振器内に達し、場合によってはそこでレーザ効果によって増幅されることになる。両方の放出レーザビーム２２２，２２２ａが波長およびパルス時間の点で一致する限り、鏡からビーム分割器を介して反射して戻る放射光部分は第１レーザからのものか、または第２レーザからのものかの区別がもはや可能ではない。すでに数回の循環後には、そもそも利用可能なレーザエネルギーの９０％以上が出力ビーム２２８で放出されることになる。出力ビーム２２８は、パワーのきわめて高いレーザの両方の出力ビームの共直線的重なり（組合せ）である。
ビーム分割器２２４の透過率Ｔが約Ｔ＝５０％の最適値を有することが判明した。しかし脈動出力ビーム２２８内の全体として達成される出力パワーは、この透過率に特別敏感に左右されるのではなく、最適値から±３０％の透過率変更も良好な結果をなおもたらすことが十分にある。ビーム分割器２２４の透過率は、好ましくはＴ＝４０％〜Ｔ＝６０％である。パルス長は、両方のレーザビームの多重化によって、単一レーザ２１０，２１０ａのパルス長と比較して多少大きくなる。
図５に示す実施例は、同様に２つの組合せられたレーザを示しており、個々のレーザ２１０，２１０ａとビーム分割器２２４と鏡２２６は図１の上記実施例と同一機能である。図５の実施例では両方のレーザ２１０，２１０ａが狭い空間に平行に配置されており、レーザ２１０の出力放射光２２２は転向鏡２３０を介して、ビーム分割器２２４で反射した放射光に関してもビーム分割器２２４を通過した放射光に関しても上記共直線性が達成されるように、ビーム分割器２２４に向けられている。全体として言える点として、図４と図５に示す光路が共直線的であり、すなわち特にレーザ共振器の領域では両方向に走るビームが共直線的である。
２つを超えるレーザを組合せる場合、例えば図５の実施例において転向鏡２３０とビーム分割器２２４との間のレーザビーム２２２の光路中に他の（図示しない）ビーム分割器を配置することができる。
他の選択案として、現状の技術から知られているような光学パルス伸長装置３１０が図６に示してある。この装置の主要特徴として、ビーム分割器３２０，３３０と鏡３４０，３５０，３６０，３７０，３８０，３９０とレンズ系４００，４１０，４２０，４３０とによって入射ビーム４４０の部分ビームは再び組合せられる前に異なる長さの進路を通過する。これにより、部分ビーム相互の相対遅延が達成される。
Claims (13)
- 少なくとも１つの線状第１領域を備え、該線状第１領域が少なくとも２つの連続する放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）の照射によって融解される非晶質半導体層（２４）を結晶化するための方法であって、２つの連続する放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）の強度のピークの時の時間間隔が１０００ｎｓ以下であることを特徴とする非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 前記少なくとも２つの連続する放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）の第１放射パルスおよび最終放射パルスの強度のピークの時の時間間隔が８０ｎｓ以上であることを特徴とする請求項１記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 前記少なくとも１つの線状第１領域が、正確に２つの連続する放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）で照射されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 前記少なくとも１つの線状第１領域が３μｍを超える線幅を有していることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 相互に離間した複数の線状第１領域が同時に照射されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 線状第１領域の照射後に少なくとも１つの線状第２領域が放射光（１２）で照射され、前記少なくとも１つの線状第２領域が少なくとも部分的に線状第１領域の間の空隙を含むことを特徴とする請求項５に記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 線状第１領域が再び固化した後に、はじめて線状第２領域の照射が始まることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）の放射パルス源と、放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）の照射によって半導体層（２４）の少なくとも１つの線状第１領域を融解できるように整えられた照射器（１０）とを備え、少なくとも２つの連続する放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）で半導体層（２４）の少なくとも１つの線状第１領域を照射できるように放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）の放射パルス源が整えられている非晶質半導体層（２４）を結晶化するための装置であって、２つの連続する放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）の強度のピークの時の時間間隔が１０００ｎｓ以下であることを特徴とする非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 前記少なくとも２つの放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）の第１放射パルスおよび最終放射パルスのピークの時の時間間隔が８０ｎｓ以上となるように放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）の放射パルス源が整えられていることを特徴とする請求項８に記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 正確に２つの連続する放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）で前記少なくとも１つの第１線状領域が照射されるようにパルス状放射光（１２）の放射パルス源が整えられていることを特徴とする請求項８または９に記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 前記少なくとも１つの線状第１領域が３μｍを超える幅を備えていることを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 相互に離間した複数の第１線状領域が同時に照射されるように照射器が整えられていることを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 前記少なくとも１つの線状第１領域の照射後に少なくとも１つの線状第２領域が放射パルス（Ｐ１，Ｐ２）で照射されるように装置が整えられており、前記少なくとも１つの線状第２領域が少なくとも部分的に線状第１領域の間の空隙を含むことを特徴とする請求項１２に記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10301482A DE10301482A1 (de) | 2003-01-16 | 2003-01-16 | Vorrichtung und Verfahren zur Kristallisation amorpher Siliziumschichten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004221597A true JP2004221597A (ja) | 2004-08-05 |
Family
ID=32602615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004007439A Pending JP2004221597A (ja) | 2003-01-16 | 2004-01-15 | 非晶質半導体層を結晶化するための装置および方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004221597A (ja) |
| DE (1) | DE10301482A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2003
- 2003-01-16 DE DE10301482A patent/DE10301482A1/de not_active Withdrawn
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- 2004-01-15 JP JP2004007439A patent/JP2004221597A/ja active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10301482A1 (de) | 2004-07-29 |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100909 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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