JP2004221597A - 非晶質半導体層を結晶化するための装置および方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 62
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 13
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
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- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02686—Pulsed laser beam
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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Abstract
【解決手段】非晶質半導体層を結晶化するための方法であって、半導体層の線状第1領域が放射パルスの照射によって融解され、半導体層の線状第1領域の照射が少なくとも2つの連続する放射パルスを含み、2つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が1000ns以下である。そして非晶質半導体層を結晶化するための装置であって、放射パルス源と、放射パルスの照射によって半導体層の線状第1領域を融解できるように整えられた照射器とを有し、少なくとも2つの連続する放射パルスで半導体層を照射できるように放射パルス源が整えられており、2つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が1000ns以下である。
【選択図】 図3
Description
Sposili et al., Line-scan sequential lateral solidification of Si thin film, Phys. A67, 273-276 (1998) J.S. Im et al., Control Super-Lateral Growth of Si Films for Microstructural Manipulation and Optimization, Phys. stat. sol. (a) 166, 603 (1998)
Claims (13)
- 少なくとも1つの線状第1領域を備え、該線状第1領域が少なくとも2つの連続する放射パルス(P1,P2)の照射によって融解される非晶質半導体層(24)を結晶化するための方法であって、2つの連続する放射パルス(P1,P2)の強度のピークの時の時間間隔が1000ns以下であることを特徴とする非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 前記少なくとも2つの連続する放射パルス(P1,P2)の第1放射パルスおよび最終放射パルスの強度のピークの時の時間間隔が80ns以上であることを特徴とする請求項1記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 前記少なくとも1つの線状第1領域が、正確に2つの連続する放射パルス(P1,P2)で照射されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 前記少なくとも1つの線状第1領域が3μmを超える線幅を有していることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 相互に離間した複数の線状第1領域が同時に照射されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 線状第1領域の照射後に少なくとも1つの線状第2領域が放射光(12)で照射され、前記少なくとも1つの線状第2領域が少なくとも部分的に線状第1領域の間の空隙を含むことを特徴とする請求項5に記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 線状第1領域が再び固化した後に、はじめて線状第2領域の照射が始まることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための方法。
- 放射パルス(P1,P2)の放射パルス源と、放射パルス(P1,P2)の照射によって半導体層(24)の少なくとも1つの線状第1領域を融解できるように整えられた照射器(10)とを備え、少なくとも2つの連続する放射パルス(P1,P2)で半導体層(24)の少なくとも1つの線状第1領域を照射できるように放射パルス(P1,P2)の放射パルス源が整えられている非晶質半導体層(24)を結晶化するための装置であって、2つの連続する放射パルス(P1,P2)の強度のピークの時の時間間隔が1000ns以下であることを特徴とする非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 前記少なくとも2つの放射パルス(P1,P2)の第1放射パルスおよび最終放射パルスのピークの時の時間間隔が80ns以上となるように放射パルス(P1,P2)の放射パルス源が整えられていることを特徴とする請求項8に記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 正確に2つの連続する放射パルス(P1,P2)で前記少なくとも1つの第1線状領域が照射されるようにパルス状放射光(12)の放射パルス源が整えられていることを特徴とする請求項8または9に記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 前記少なくとも1つの線状第1領域が3μmを超える幅を備えていることを特徴とする請求項8から請求項10のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 相互に離間した複数の第1線状領域が同時に照射されるように照射器が整えられていることを特徴とする請求項8から請求項11のいずれかに記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
- 前記少なくとも1つの線状第1領域の照射後に少なくとも1つの線状第2領域が放射パルス(P1,P2)で照射されるように装置が整えられており、前記少なくとも1つの線状第2領域が少なくとも部分的に線状第1領域の間の空隙を含むことを特徴とする請求項12に記載の非晶質半導体層を結晶化するための装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10301482A DE10301482A1 (de) | 2003-01-16 | 2003-01-16 | Vorrichtung und Verfahren zur Kristallisation amorpher Siliziumschichten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004221597A true JP2004221597A (ja) | 2004-08-05 |
Family
ID=32602615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004007439A Pending JP2004221597A (ja) | 2003-01-16 | 2004-01-15 | 非晶質半導体層を結晶化するための装置および方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004221597A (ja) |
DE (1) | DE10301482A1 (ja) |
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- 2003-01-16 DE DE10301482A patent/DE10301482A1/de not_active Withdrawn
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---|---|
DE10301482A1 (de) | 2004-07-29 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100325 |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100909 |
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A02 | Decision of refusal |
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