JPH10256178A - レーザ熱処理方法及びその装置 - Google Patents

レーザ熱処理方法及びその装置

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JPH10256178A
JPH10256178A JP5334097A JP5334097A JPH10256178A JP H10256178 A JPH10256178 A JP H10256178A JP 5334097 A JP5334097 A JP 5334097A JP 5334097 A JP5334097 A JP 5334097A JP H10256178 A JPH10256178 A JP H10256178A
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JP
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temperature
processed
heat treatment
laser
laser beam
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JP5334097A
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English (en)
Inventor
Kuniaki Gotou
訓顕 後藤
Hiroshi Ito
弘 伊藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、被処理物を長時間にわたって熱処理
温度以上に維持して被処理物を改質する。 【解決手段】被処理物３に膜損傷を発生させる温度以上
とならない強度の第１のパルスレーザ光Ｌ1 を照射し、
この第１のパルスレーザ光Ｌ1 の照射後、下地２の温度
が最も高くなったときに被処理物３に対して被処理物３
に膜損傷を発生させずかつ被処理物３の熱処理温度Ｔp
以上となる強度の第２のパルスレーザ光Ｌ2を照射す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば基板上に形
成された薄膜に対してパルスレーザ光を照射して微細な
配線を形成するなどの膜質の改質を行なうレーザ熱処理
方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置などの製造工
程においては、基板に形成された薄膜に対してパルスレ
ーザ光を照射し、薄膜を熱処理温度以上に加熱すること
により、膜質の改質等の熱処理を行なっている。
【０００３】このような熱処理においては、図４に示す
ように、薄膜等の被処理物の温度が被処理物の熱処理温
度ＴP以上に維持された時間ｔpの間だけ被処理物が改質
され、ｔpの時間がある時間以上保持されなければ改質
が起こらない。
【０００４】従って、実際に被処理物の熱処理を行なう
ためには、時間ｔpはある所定の時間以上でなければな
らない。この時間ｔpは、図４に示すように、被処理物
に照射するパルスレーザ光の強度が高い程長くすること
ができるが、強度が高すぎると被処理物である薄膜や下
地である基板に損傷を与えてしまうため、パルスレーザ
光の強度は制限される。この結果として時間ｔpの長さ
も制限される。
【０００５】一方、時間ｔpを長くする方法として薄膜
の形成された基板を高い温度に保持することが行なわれ
ている。図５は基板を高い温度に保持してパルスレーザ
光を照射して熱処理を行なったときの被処理物の温度変
化を示している。
【０００６】この図から分かるように基板を高い温度に
保持してパルスレーザ光を照射することによって、時間
ｔpを長くすることができる。すなわち、パルスレーザ
光の照射により加熱された被処理物は、この被処理物と
接している下地への熱伝導によりその温度は低下してい
く。このときの温度の低下する速度は、被処理物とこの
被処理物と接しいる下地との温度差の小さいほぼ遅くな
る。
【０００７】なお、図５は２つの基板（下地）保持温度
の場合の被処理物の温度変化を示している。この結果、
被処理物の最高到達温度は同じでも、図５に示すように
下地温度が高いほど、時間ｔpは長くなる。
【０００８】このような事から、被処理物及びその下地
を含めた基板全体をヒータ等により常温以上に保持した
状態で、被処理物にパルスレーザ光を照射する方法が一
般的に行なわれている。
【０００９】しかしながら、被処理物及びその下地を含
めた基板全体を常温以上に保持してパルスレーザ光を照
射する方法では、基板を長い時間高い温度で保持する
と、熱処理温度に比べてかなり低い温度でも、基板ダメ
ージを与えてしまい、保持時間にも制限がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、被処理
物を改質させるための時間ｔpをパルスレーザ光の強度
を高くすることで長くできるが、強度が高すぎると被処
理物である薄膜や下地である基板に損傷を与えてしまう
ためパルスレーザ光の強度は制限され、時間ｔpの長さ
も制限される。
【００１１】又、被処理物及びその下地を含めた基板全
体を常温以上に保持しても、この保持温度が熱処理温度
に比べてかなり低くても、基板ダメージを与えてしま
い、保持時間にも制限がある。
【００１２】そこで本発明は、被処理物を長時間にわた
って熱処理温度以上に維持して被処理物の改質ができる
レーザ熱処理方法及びその装置を提供することを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、被処
理物にパルスレーザ光を照射して被処理物を熱処理する
レーザ熱処理方法において、被処理物に対して損傷を発
生させる温度以上とならない強度のパルスレーザ光を照
射し、この後、被処理物に対して被処理物に損傷を発生
させずかつ被処理物の溶融温度以上となる強度のパルス
レーザ光を少なくとも１回所定の間隔で照射するレーザ
熱処理方法である。
【００１４】請求項２によれば、下地上に載置された被
処理物にパルスレーザ光を照射して被処理物を熱処理す
るレーザ熱処理方法において、被処理物に損傷を発生さ
せる温度以上とならない強度の第１のパルスレーザ光を
照射する第１の工程と、第１のパルスレーザ光の照射
後、下地の温度が最も高くなったときに被処理物に対し
て被処理物に損傷を発生させずかつ被処理物の溶融温度
以上となる強度の第２のパルスレーザ光を照射する第２
の工程と、を有するレーザ熱処理方法である。
【００１５】請求項３によれば、請求項２記載のレーザ
熱処理方法において、第１のパルスレーザ光及び第２の
パルスレーザ光の波長を等しくしている。請求項４によ
れば、請求項１記載のレーザ熱処理方法において、損傷
を発生させる温度は１０００℃以上であり、溶融温度は
７００℃である。
【００１６】請求項５によれば、被処理物にパルスレー
ザ光を照射して被処理物を熱処理するレーザ熱処理装置
において、パルスレーザ光を強度可変に出力するレーザ
出力手段と、このレーザ出力手段から出力される前記パ
ルスレーザ光を、被処理物に対して損傷を発生させる温
度以上とならない強度に制御し、この後、被処理物に対
して被処理物に損傷を発生させずかつ被処理物の溶融温
度以上となる強度でかつ少なくとも１つ所定の間隔で出
力制御する出力制御手段と、を備えたレーザ熱処理装置
である。
【００１７】請求項６によれば、下地上に載置された被
処理物にパルスレーザ光を照射して被処理物を熱処理す
るレーザ熱処理装置において、パルスレーザ光を強度可
変に出力する２台のレーザ装置と、これらレーザ装置う
ち一方のレーザ装置から被処理物に対して損傷を発生さ
せる温度以上とならない強度のパルスレーザ光を出力制
御する第１の出力制御手段と、一方のレーザ装置からパ
ルスレーザ光を出力した後、下地の温度が最も高くなっ
たときに他方のレーザ装置から被処理物に対して被処理
物に損傷を発生させずかつ被処理物の溶融温度以上とな
る強度のパルスレーザ光を出力制御する第２の出力制御
手段と、を備えたレーザ熱処理装置である。
【００１８】請求項７によれば、請求項４又は５記載の
レーザ熱処理装置において、パルスレーザ光をカライド
スコープを通過させて被処理物に照射する。請求項８に
よれば、請求項５記載のレーザ熱処理装置において、２
台のレーザ装置は、それぞれ同一波長のパルスレーザ光
を出力する。請求項９によれば、請求項５又は６記載の
レーザ熱処理装置において、損傷を発生させる温度は１
０００℃以上であり、溶融温度は７００℃である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
について図面を参照して説明する。本発明のレーザ熱処
理方法は、基板等の下地上に形成されたシリコン化合物
などから成る薄膜等の被処理物に対して膜の損傷を発生
させる温度例えば１０００℃以上とならない強度のパル
スレーザ光を照射し、この後、被処理物に対してこの被
処理物に膜の損傷を発生させずかつ被処理物の溶融温度
例えば７００℃となる強度のパルスレーザ光を少なくと
も１つ所定の間隔で照射するものである。
【００２０】より具体的には、被処理物に膜損傷を発生
させる温度例えば１０００℃以上とならない強度の第１
のパルスレーザ光を照射する第１の工程と、この第１の
パルスレーザ光の照射後、下地の温度が最も高くなった
ときに被処理物に対してこの被処理物に膜損傷を発生さ
せずかつ被処理物の溶融温度例えば７００℃以上となる
強度の第２のパルスレーザ光を照射する第２の工程とを
有している。
【００２１】すなわち、図１はパルスレーザ光照射後の
被処理物及びこれに接する下地の温度変化を示す。第１
のパルスレーザ光を照射することにより、従来技術のヒ
ータ加熱では基板へのダメージにより制限されている温
度より、はるかに高い温度まで被処理物と接する下地が
加熱される。
【００２２】この場合、下地が加熱されている時間は、
１ｓ以下と非常に短時間であるため、基板はダメージを
受けない。このように高い温度状態にある被処理物及び
これに接する下地に対して、第２のパルスレーザ光を照
射するので、従来技術に比べ、長い時間、被処理物を熱
処理温度以上に維持することが可能となる。
【００２３】又、本発明は、第１及び第２のパルスレー
ザ光を同一波長を用いる。一般的にレーザ光の膜での吸
収は、波長により大きく依存しており、最もよく吸収さ
れるレーザ光の波長は決まっている。
【００２４】この事から、第１のパルスレーザ光と第２
のパルスレーザ光とも、最も膜に吸収される波長を用い
ることにより、非常に効率のよい熱処理が可能となる。
又、同一波長の第１及び第２のパルスレーザ光を合成す
る方法として、カライドスコープを用い、カライドスコ
ープを出射したレーザ光を結像レンズで被処理物面上に
結像する方法を用いれば、第１及び第２のパルスレーザ
光が同一波長である事から、第１のパルスレーザ光と第
２のパルスレーザ光とも、被処理物面上の全く同一位置
に、完全に同一の形状でかつ強度分布を均一化した状態
で照射でき、レーザ光の照射部分全体を均一に熱処理で
きる。
【００２５】次に本発明の第１の実施の形態について具
体的に説明する。図２はレーザ熱処理装置の構成図であ
る。ヒータテーブル１上には、基板等の下地２が載置さ
れている。この下地２は、その表面上に薄膜等の被処理
物３が形成されている。
【００２６】このヒータテーブル１は、被処理物３及び
下地２が熱影響を受けない最高温度Ｔｂとなるように温
度設定する機能を有している。一方、２台のレーザ装
置、すなわち第１、第２のレーザ装置４、５が設けられ
ている。これら第１及び第２のレーザ装置４、５は、そ
れぞれ同一波長の第１、第２のパルスレーザ光Ｌ1 、Ｌ
2 を出力するもので、それぞれ第１、第２のパルスレー
ザ光Ｌ1 、Ｌ2 の強度を独立して設定可能となってい
る。
【００２７】これら第１及び第２のレーザ装置４、５の
設定波長は、被処理物３に対して最もよく吸収される波
長となっている。又、第１のレーザ装置４は、被処理物
３に対して膜損傷を発生させる温度例えば１０００℃以
上に加熱せず、かつ被処理物３を熱処理温度（溶融温度
例えば７００℃）Ｔp以上に加熱する強度Ｉ1 の第１の
パルスレーザ光Ｌ1 を出力するように設定されている。
【００２８】第２のレーザ装置５は、被処理物３に対し
てこの被処理物３に膜損傷を発生させずかつ被処理物３
を熱処理温度Ｔp以上に加熱する強度Ｉ2 の第２のパル
スレーザ光Ｌ2 を出力するように設定されている。
【００２９】なお、これら第１及び第２のレーザ装置
４、５は、例えばＹＡＧレーザ、エキシマレーザが用い
られる。又、これら第１及び第２のレーザ装置４、５の
うち第１のレーザ装置４は、駆動装置７から出力される
第１の駆動信号ｄ1 を受けて第１のパルスレーザ光Ｌ1
を出力動作し、第２のレーザ装置５は、第１の駆動信号
ｄ1 を遅延出力する遅延装置８からの第２の駆動信号ｄ
2 を受けて第２のパルスレーザ光Ｌ2 を出力動作するも
のとなっている。
【００３０】すなわち、駆動装置７は、第１のレーザ装
置４に対して第１の駆動信号ｄ1 を出力し、この第１の
レーザ装置４から被処理物３に対して膜損傷を発生させ
る温度以上とならない強度の第１のパルスレーザ光Ｌ1
を出力制御する第１の出力制御手段としての機能を有し
ている。
【００３１】遅延装置８は、第１のレーザ装置４から第
１のパルスレーザ光Ｌ1 を出力した後、下地２の温度が
最も高くなったタイミングに第２のレーザ装置５に対し
て第２の駆動信号ｄ2 を出力し、第２のレーザ装置５か
ら被処理物３に対してこの被処理物３に膜損傷を発生さ
せずかつ被処理物３の溶融温度以上となる強度の第２の
パルスレーザ光Ｌ2 を出力制御する第２の出力制御手段
としての機能を有している。
【００３２】第１のレーザ装置４から出力される第１の
パルスレーザ光Ｌ1 の光路上には、各高反射ミラー９、
１０が配置され、第１のパルスレーザ光Ｌ1 を高反射ミ
ラー１１に導くものとなっている。
【００３３】第２のレーザ装置５から出力される第２の
パルスレーザ光Ｌ2 の光路上には、高反射ミラー１１が
配置されている。この高反射ミラー１１の反射光路上に
は、入射レンズ１２、カライドスコープ１３、結像レン
ズ１４が同一光軸上に配置されている。
【００３４】入射レンズ１２は、第１、第２のパルスレ
ーザ光Ｌ1 、Ｌ2 を集束してカライドスコープ１３に入
射するものであり、カライドスコープ１３は、これら第
１、第２のパルスレーザ光Ｌ1 、Ｌ2 を合成するととも
にその強度分布を均一化する光学的な機能を有してい
る。
【００３５】結像レンズ１４は、カライドスコープ１３
の出射面を被処理物３の表面上に結像させるためのもの
である。次に上記の如く構成された装置の作用について
説明する。
【００３６】ヒータテーブル１上に被処理物３の形成さ
れた下地２が載置されると、これら被処理物３及び下地
２は、ヒータテーブル１により熱影響を受けない最高温
度Ｔｂに加熱される。
【００３７】駆動装置７から第１の駆動信号ｄ1 が出力
されると、第１のレーザ装置４は、第１の駆動信号ｄ1
を受けて第１のパルスレーザ光Ｌ1 を出力する。この第
１のパルスレーザ光Ｌ1 は、被処理物３に対して膜損傷
を発生させる温度以上に加熱せず、かつ被処理物３を熱
処理温度Ｔp以上に加熱する強度Ｉ1 であり、各高反射
ミラー９〜１１をで各反射して入射レンズ１２に導かれ
る。
【００３８】この第１のパルスレーザ光Ｌ1 は、入射レ
ンズ１２からカライドスコープ１３に入射すると、その
強度分布が均一化されて出射し、結像レンズ１４により
被処理物３に結像される。
【００３９】このように第１のパルスレーザ光Ｌ1 が被
処理物３に照射されると、この被処理物３及び下地２の
温度は、図３に示すように上昇する。この被処理物３の
温度は、第１のパルスレーザ光Ｌ1 が被処理物３に照射
されてからｔ1 秒後に熱処理温度Ｔp以上の最高到達温
度に達し、その後低下していき、ｔp1 時間の間、熱処
理温度Ｔp以上が維持される。なお、時間ｔp1 は、従来
技術における熱処理温度Ｔp以上の温度の維持時間であ
る。
【００４０】下地２の温度は、被処理物３の温度が最高
到達温度に達した後も上昇を続け、被処理物３の温度が
最高到達温度に達してからｔ2 秒後に最高到達温度に達
する。
【００４１】続いて、遅延装置８は、駆動装置７から出
力された第１の駆動信号ｄ1 を入力し、第１のレーザ装
置４から第２のパルスレーザ光Ｌ1 を出力した後、下地
２の温度が最も高くなったタイミング、すなわち第１の
駆動信号ｄ1 を入力してから（ｔ1 ＋ｔ2 ）秒後に第２
の駆動信号ｄ2 を第２のレーザ装置５に対して出力す
る。
【００４２】この第２のレーザ装置５は、第２の駆動信
号ｄ2 を受けて第２のパルスレーザ光Ｌ2 を出力する。
この第２のパルスレーザ光Ｌ2 は、被処理物３に対して
この被処理物３に膜損傷を発生させずかつ被処理物３を
熱処理温度Ｔp以上に加熱する強度Ｉ2 であり、高反射
ミラー１１で反射して入射レンズ１２に導かれる。
【００４３】この第２のパルスレーザ光Ｌ2 は、入射レ
ンズ１２からカライドスコープ１３に入射すると、その
強度分布が均一化されて出射し、結像レンズ１４により
被処理物３に結像される。
【００４４】このように第２のパルスレーザ光Ｌ2 が被
処理物３に照射されると、この被処理物３及び下地２の
温度は、再び図３に示すように上昇する。この被処理物
３の温度は、第２のパルスレーザ光Ｌ2 の照射により再
び熱処理温度Ｔp以上の最高到達温度に達し、その後低
下していき、ｔp2 時間の間、熱処理温度Ｔp以上が維持
される。
【００４５】このとき下地２の温度は、加熱前の下地２
の保持温度Ｔbに比べてはるかに高い温度となっている
ので、被処理物３の温度下降は、第１のパルスレーザ光
Ｌ1を照射したときよりもはるかに遅い。
【００４６】従って、被処理物３の熱処理温度Ｔp以上
となる時間ｔp2 は、時間ｔp1 に比べて長くなる。この
結果、被処理物３は、（ｔp1 ＋ｔp2 ）時間の間熱処理
温度Ｔp以上の温度に維持されて熱処理、例えば膜質の
改質が行われる。
【００４７】このように上記一実施の形態においては、
被処理物３に膜損傷を発生させる温度以上とならない強
度の第１のパルスレーザ光Ｌ1 を照射し、この第１のパ
ルスレーザ光Ｌ1 の照射後、下地２の温度が最も高くな
ったときに被処理物３に対して被処理物３に膜損傷を発
生させずかつ被処理物３の熱処理温度Ｔp以上となる強
度の第２のパルスレーザ光Ｌ2 を照射するようにしたの
で、従来技術に比べて２倍以上の長い時間（ｔp1 ＋ｔ
p2 ）にわたって被処理物３を熱処理温度Ｔp以上の温度
に維持することができ、被処理物３を確実に改質でき
る。
【００４８】従って、例えば長時間高温に保持すること
が困難なガラス基板上に形成された薄膜等に対して、極
めて有効に熱処理できる。又、第１のパルスレーザ光Ｌ
1 及び第２のパルスレーザ光Ｌ2 の波長を、薄膜等の被
処理物３に対して最も吸収される波長を用いているの
で、非常に効率のよい熱処理が可能となる。
【００４９】さらに、カライドスコープ１３を出射した
レーザ光を結像レンズ１４で被処理物３面上に結像する
ので、第１及び第２のパルスレーザ光Ｌ1 、Ｌ2 が同一
波長である事から、第１のパルスレーザ光Ｌ1 と第２の
パルスレーザ光Ｌ2 とも、被処理物３面上の全く同一位
置に、完全に同一の形状でかつ強度分布を均一化した状
態で照射でき、レーザ光の照射部分全体を均一に熱処理
できる。
【００５０】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく次の通り変形してもよい。例えば、被
処理物３へのパルスレーザ光の照射は、第１及び第２の
パルスレーザ光Ｌ1 、Ｌ2 の照射に限らず、さらに第
３、第４、…第ｎのパルスレーザ光を照射するようにし
てもよい。この場合、被処理物３の温度は、熱処理温度
Ｔｐ以上でかつ被処理物３に対して膜損傷を発生させる
温度以下である。
【００５１】
【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項１、
２、４によれば、被処理物を長時間にわたって熱処理温
度以上に維持して被処理物の改質ができるレーザ熱処理
方法を提供できる。
【００５２】又、本発明の請求項３によれば、被処理物
に対して最も吸収される波長を用いていることにより被
処理物を長時間にわたって熱処理温度以上に維持して被
処理物の改質ができ、そのうえ非常に効率のよい熱処理
とすることができるレーザ熱処理方法を提供できる。
【００５３】又、本発明の請求項５〜９によれば、被処
理物を長時間にわたって熱処理温度以上に維持して被処
理物の改質ができるレーザ熱処理装置を提供できる。
又、本発明の請求項７によれば、被処理物に対して最も
吸収される波長を用いていることにより被処理物を長時
間にわたって熱処理温度以上に維持して被処理物の改質
ができ、そのうえ被処理物面上の全く同一位置に、完全
に同一の形状でかつ強度分布を均一化した状態で照射で
き、レーザ光の照射部分全体を均一に熱処理できるレー
ザ熱処理装置を提供できる。
【００５４】又、本発明の請求項８によれば、被処理物
に対して最も吸収される波長を用いていることにより被
処理物を長時間にわたって熱処理温度以上に維持して被
処理物の改質ができ、そのうえ非常に効率のよい熱処理
とすることができるレーザ熱処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】パルスレーザ光照射後の被処理物及び下地の温
度変化を示す図。
【図２】本発明に係わるレーザ熱処理装置の第１の実施
の形態を示す構成図。
【図３】レーザ熱処理における被処理物及び下地の温度
変化を示す図。
【図４】従来におけるレーザ熱処理方法での被処理物の
温度変化を示す図。
【図５】従来におけるレーザ熱処理方法での被処理物を
保温保持した場合の温度変化を示す図。
【符号の説明】
１…ヒータテーブル、 ２…下地、 ３…被処理物、 ４…第１のレーザ装置、 ５…第２のレーザ装置、 ７…駆動装置、 ８…遅延装置、 ９〜１１…高反射ミラー、 １２…入射レンズ、 １３…カライドスコープ、 １４…結像レンズ。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理物にパルスレーザ光を照射して前
    記被処理物を熱処理するレーザ熱処理方法において、 前記被処理物に対して損傷を発生させる温度以上となら
    ない強度のパルスレーザ光を照射し、この後、前記被処
    理物に対して前記被処理物に損傷を発生させずかつ前記
    被処理物の溶融温度以上となる強度のパルスレーザ光を
    少なくとも１回所定の間隔で照射することを特徴とする
    レーザ熱処理方法。
  2. 【請求項２】 下地上に載置された被処理物にパルスレ
    ーザ光を照射して前記被処理物を熱処理するレーザ熱処
    理方法において、 前記被処理物に損傷を発生させる温度以上とならない強
    度の第１のパルスレーザ光を照射する第１の工程と、 前記第１のパルスレーザ光の照射後、前記下地の温度が
    最も高くなったときに前記被処理物に対して前記被処理
    物に損傷を発生させずかつ前記被処理物の溶融温度以上
    となる強度の第２のパルスレーザ光を照射する第２の工
    程と、を有することを特徴とするレーザ熱処理方法。
  3. 【請求項３】 前記第１のパルスレーザ光及び前記第２
    のパルスレーザ光の波長を等しくしたことを特徴とする
    請求項２記載のレーザ熱処理方法。
  4. 【請求項４】 前記損傷を発生させる温度は１０００℃
    以上であり、前記溶融温度は７００℃であることを特徴
    とする請求項１記載のレーザ熱処理方法。
  5. 【請求項５】 被処理物にパルスレーザ光を照射して前
    記被処理物を熱処理するレーザ熱処理装置において、 前記パルスレーザ光を強度可変に出力するレーザ出力手
    段と、 このレーザ出力手段から出力される前記パルスレーザ光
    を、前記被処理物に対して損傷を発生させる温度以上と
    ならない強度に制御し、この後、前記被処理物に対して
    前記被処理物に損傷を発生させずかつ前記被処理物の溶
    融温度以上となる強度でかつ少なくとも１つ所定の間隔
    で出力制御する出力制御手段と、を具備したことを特徴
    とするレーザ熱処理装置。
  6. 【請求項６】 下地上に載置された被処理物にパルスレ
    ーザ光を照射して前記被処理物を熱処理するレーザ熱処
    理装置において、 前記パルスレーザ光を強度可変に出力する２台のレーザ
    装置と、 これらレーザ装置うち一方のレーザ装置から前記被処理
    物に対して損傷を発生させる温度以上とならない強度の
    前記パルスレーザ光を出力制御する第１の出力制御手段
    と、 前記一方のレーザ装置から前記パルスレーザ光を出力し
    た後、前記下地の温度が最も高くなったときに他方の前
    記レーザ装置から前記被処理物に対して前記被処理物に
    損傷を発生させずかつ前記被処理物の溶融温度以上とな
    る強度の前記パルスレーザ光を出力制御する第２の出力
    制御手段と、を具備したことを特徴とするレーザ熱処理
    装置。
  7. 【請求項７】 前記パルスレーザ光をカライドスコープ
    を通過させて前記被処理物に照射することを特徴とする
    請求項４又は５記載のレーザ熱処理装置。
  8. 【請求項８】 ２台のレーザ装置は、それぞれ同一波長
    のパルスレーザ光を出力することを特徴とする請求項５
    記載のレーザ熱処理装置。
  9. 【請求項９】 前記損傷を発生させる温度は１０００℃
    以上であり、前記溶融温度は７００℃であることを特徴
    とする請求項５又は６記載のレーザ熱処理装置。
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