JPH09171971A - レーザーアニール処理装置 - Google Patents
レーザーアニール処理装置Info
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- JPH09171971A JPH09171971A JP7333237A JP33323795A JPH09171971A JP H09171971 A JPH09171971 A JP H09171971A JP 7333237 A JP7333237 A JP 7333237A JP 33323795 A JP33323795 A JP 33323795A JP H09171971 A JPH09171971 A JP H09171971A
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- laser
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 アニール処理の変動を小さくして品質を向上
させると共に、レーザ光のエネルギー損失を生じないレ
ーザアニール処理装置を提供する。 【解決手段】 レーザー光Ｌを第１の照射位置Ｐ１へ選
択的に伝送し、その位置で基板１５にレーザ光を照射す
る。この間に第２の照射位置Ｐ２からレーザ光を照射後
の基板１５を載せた移動載置台１７を移動させると共
に、未処理基板をのせた移動載置台を第２照射位置Ｐ２
に移動させる。第１照射位置Ｐ１での照射が完了する
と、レーザ光を第２照射位置Ｐ２へ伝送してＰ２で基板
に照射する。この間にレーザ光を照射後の基板を載せた
移動載置台１７をＰ１から移動させると共に、未処理基
板を載せた移動載置台をＰ１へ移動させる。未処理基板
の照射位置への搬入及び処理後基板の照射位置からの搬
出時間をＳ、照射時間をＡとし、ｎを（Ｓ／Ａ＋１）と
すればレーザ発振が安定しアニール処理も一定で品質も
向上する。
させると共に、レーザ光のエネルギー損失を生じないレ
ーザアニール処理装置を提供する。 【解決手段】 レーザー光Ｌを第１の照射位置Ｐ１へ選
択的に伝送し、その位置で基板１５にレーザ光を照射す
る。この間に第２の照射位置Ｐ２からレーザ光を照射後
の基板１５を載せた移動載置台１７を移動させると共
に、未処理基板をのせた移動載置台を第２照射位置Ｐ２
に移動させる。第１照射位置Ｐ１での照射が完了する
と、レーザ光を第２照射位置Ｐ２へ伝送してＰ２で基板
に照射する。この間にレーザ光を照射後の基板を載せた
移動載置台１７をＰ１から移動させると共に、未処理基
板を載せた移動載置台をＰ１へ移動させる。未処理基板
の照射位置への搬入及び処理後基板の照射位置からの搬
出時間をＳ、照射時間をＡとし、ｎを（Ｓ／Ａ＋１）と
すればレーザ発振が安定しアニール処理も一定で品質も
向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーアニール
処理装置に関し、更に詳しくは、アニール処理のバラツ
キを小さくでき、品質を向上させることが出来るレーザ
ーアニール処理装置に関するものである。
処理装置に関し、更に詳しくは、アニール処理のバラツ
キを小さくでき、品質を向上させることが出来るレーザ
ーアニール処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のレーザーアニール処理装
置の一例の要部平面図である。また、図７は、その要部
側面図である。このレーザーアニール処理装置６０は、
レーザー光Ｌを発生するエキシマレーザー発生装置１１
と、前記レーザー光Ｌを照射位置Ｐへ伝送するレーザー
伝送装置６２と、絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成
された基板１５を乗せてレール１４上を移動する複数の
移動載置台１７と、前記エキシマレーザー発生装置１１
等を制御する制御装置６３とを具備している。なお、２
０は、前記レーザー光Ｌを基板１５に照射するための光
学系である。また、Ｒは、照射位置Ｐの近傍を囲むエン
クロージャである。また、ＥＮはエンクロージャＲの入
口であり、ＥＸはエンクロージャＲの出口である。絶縁
基板は例えばガラス製であり、非晶質半導体薄膜は例え
ば非晶質シリコン薄膜である。
置の一例の要部平面図である。また、図７は、その要部
側面図である。このレーザーアニール処理装置６０は、
レーザー光Ｌを発生するエキシマレーザー発生装置１１
と、前記レーザー光Ｌを照射位置Ｐへ伝送するレーザー
伝送装置６２と、絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成
された基板１５を乗せてレール１４上を移動する複数の
移動載置台１７と、前記エキシマレーザー発生装置１１
等を制御する制御装置６３とを具備している。なお、２
０は、前記レーザー光Ｌを基板１５に照射するための光
学系である。また、Ｒは、照射位置Ｐの近傍を囲むエン
クロージャである。また、ＥＮはエンクロージャＲの入
口であり、ＥＸはエンクロージャＲの出口である。絶縁
基板は例えばガラス製であり、非晶質半導体薄膜は例え
ば非晶質シリコン薄膜である。
【０００３】制御装置６３は、次の手順でレーザーアニ
ール処理を行う。 未処理の基板１５を乗せた移動載置台１７を移動し、
照射位置Ｐに未処理の基板１５を搬入する。 エキシマレーザー発生装置１１をオンしてレーザー光
Ｌを発生させる。レーザー光Ｌは、レーザー伝送装置６
２を介して、基板１５の表面に照射される。この状態
で、移動載置台１７に乗せた基板１５を２次元的に移動
し、レーザー光Ｌで基板１５の全面を走査する。これに
より、基板１５の表面の非晶質半導体薄膜を結晶化させ
ることが出来る。 エキシマレーザー発生装置１１をオフし、処理済の基
板１５を乗せた移動載置台１７を移動し、照射位置Ｐか
ら処理済の基板１５を搬出する。同時に、未処理の基板
１５を乗せた移動載置台１７を移動し、照射位置Ｐに未
処理の基板１５を搬入する。 上記ととを繰り返す。
ール処理を行う。 未処理の基板１５を乗せた移動載置台１７を移動し、
照射位置Ｐに未処理の基板１５を搬入する。 エキシマレーザー発生装置１１をオンしてレーザー光
Ｌを発生させる。レーザー光Ｌは、レーザー伝送装置６
２を介して、基板１５の表面に照射される。この状態
で、移動載置台１７に乗せた基板１５を２次元的に移動
し、レーザー光Ｌで基板１５の全面を走査する。これに
より、基板１５の表面の非晶質半導体薄膜を結晶化させ
ることが出来る。 エキシマレーザー発生装置１１をオフし、処理済の基
板１５を乗せた移動載置台１７を移動し、照射位置Ｐか
ら処理済の基板１５を搬出する。同時に、未処理の基板
１５を乗せた移動載置台１７を移動し、照射位置Ｐに未
処理の基板１５を搬入する。 上記ととを繰り返す。
【０００４】図８は、上記従来のレーザーアニール処理
装置６０の動作のタイムチャートである。Ｓは、照射位
置Ｐへの未処理の基板１５の搬入および照射位置Ｐから
の処理済の基板１５の搬出の時間＝エキシマレーザー発
生装置１１のオフ時間を表している。Ａは、基板１５へ
のレーザー光Ｌの照射の時間＝エキシマレーザー発生装
置１１のオン時間を表している。
装置６０の動作のタイムチャートである。Ｓは、照射位
置Ｐへの未処理の基板１５の搬入および照射位置Ｐから
の処理済の基板１５の搬出の時間＝エキシマレーザー発
生装置１１のオフ時間を表している。Ａは、基板１５へ
のレーザー光Ｌの照射の時間＝エキシマレーザー発生装
置１１のオン時間を表している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のレーザーア
ニール処理装置６０では、レーザー光Ｌを１枚の基板１
５に照射する毎にエキシマレーザー発生装置１１をオフ
している。しかし、エキシマレーザー発生装置１１をオ
フする時間Ｓが長くなると、レーザー発振特性の安定性
が悪くなり、アニール処理のバラツキが大きくなり、品
質が低下するという問題点がある。これを防止するため
には、エキシマレーザー発生装置１１を連続的にオンし
ておき、照射位置Ｐへの未処理の基板１５の搬入および
照射位置Ｐからの処理済の基板１５の搬出の時間Ｓの間
はレーザー伝送装置６２によるレーザー光Ｌの伝送を遮
断することが考えられる。しかし、この場合には、レー
ザー光Ｌのエネルギーの約１／２が無駄になってしまう
という問題点がある。そこで、本発明の目的は、アニー
ル処理のバラツキを小さくでき、品質を向上させること
が出来ると共に、レーザー光のエネルギーを無駄にしな
いレーザーアニール処理装置を提供することにある。
ニール処理装置６０では、レーザー光Ｌを１枚の基板１
５に照射する毎にエキシマレーザー発生装置１１をオフ
している。しかし、エキシマレーザー発生装置１１をオ
フする時間Ｓが長くなると、レーザー発振特性の安定性
が悪くなり、アニール処理のバラツキが大きくなり、品
質が低下するという問題点がある。これを防止するため
には、エキシマレーザー発生装置１１を連続的にオンし
ておき、照射位置Ｐへの未処理の基板１５の搬入および
照射位置Ｐからの処理済の基板１５の搬出の時間Ｓの間
はレーザー伝送装置６２によるレーザー光Ｌの伝送を遮
断することが考えられる。しかし、この場合には、レー
ザー光Ｌのエネルギーの約１／２が無駄になってしまう
という問題点がある。そこで、本発明の目的は、アニー
ル処理のバラツキを小さくでき、品質を向上させること
が出来ると共に、レーザー光のエネルギーを無駄にしな
いレーザーアニール処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成された基板
（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射し、前記非晶質半導
体薄膜を結晶化させるレーザーアニール処理装置におい
て、レーザー光（Ｌ）を発生するレーザー発生手段（１
１）と、前記レーザー光（Ｌ）を第１の照射位置から第
ｎの照射位置のいずれかへ選択的に伝送するレーザー伝
送手段（１２）と、未処理の基板（１５）を乗せて第１
の照射位置（Ｐ１）から第ｎ（≧２）の照射位置（Ｐ
２）のいずれかへ搬入すると共に前記レーザー光（Ｌ）
を照射した後の基板（１５）を当該照射位置から搬出す
る複数の移動載置台（１７）とを具備し、照射位置への
未処理の基板（１５）の搬入および照射位置からの処理
済の基板（１５）の搬出の時間をＳとし、基板（１５）
へのレーザー光（Ｌ）の照射時間をＡとするとき、ｎを
（Ｓ／Ａ＋１）以上の最小の整数としたことを特徴とす
るレーザーアニール処理装置（１０）を提供する。
は、絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成された基板
（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射し、前記非晶質半導
体薄膜を結晶化させるレーザーアニール処理装置におい
て、レーザー光（Ｌ）を発生するレーザー発生手段（１
１）と、前記レーザー光（Ｌ）を第１の照射位置から第
ｎの照射位置のいずれかへ選択的に伝送するレーザー伝
送手段（１２）と、未処理の基板（１５）を乗せて第１
の照射位置（Ｐ１）から第ｎ（≧２）の照射位置（Ｐ
２）のいずれかへ搬入すると共に前記レーザー光（Ｌ）
を照射した後の基板（１５）を当該照射位置から搬出す
る複数の移動載置台（１７）とを具備し、照射位置への
未処理の基板（１５）の搬入および照射位置からの処理
済の基板（１５）の搬出の時間をＳとし、基板（１５）
へのレーザー光（Ｌ）の照射時間をＡとするとき、ｎを
（Ｓ／Ａ＋１）以上の最小の整数としたことを特徴とす
るレーザーアニール処理装置（１０）を提供する。
【０００７】上記第１の観点によるレーザーアニール処
理装置（１０）では、例えば、レーザー光（Ｌ）を第１
の照射位置（Ｐ１）へ選択的に伝送し、第１の照射位置
（Ｐ１）で基板（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射す
る。そして、この間に、第２の照射位置（Ｐ２）からレ
ーザー光（Ｌ）を照射した後の基板（１５）を載せた移
動載置台（１７）を移動させると共に、未処理の基板
（１５）を乗せた移動載置台（１７）を第２の照射位置
（Ｐ２）に移動させる。第１の照射位置（Ｐ１）での照
射が終わると、レーザー光（Ｌ）を第２の照射位置（Ｐ
２）へ選択的に伝送し、第２の照射位置（Ｐ２）で基板
（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射する。そして、この
間に、第１の照射位置（Ｐ１）からレーザー光（Ｌ）を
照射した後の基板（１５）を載せた移動載置台（１７）
を移動させると共に、未処理の基板（１５）を乗せた移
動載置台（１７）を第１の照射位置（Ｐ１）に移動させ
る。このとき、照射位置への未処理の基板（１５）の搬
入および照射位置からの処理済の基板（１５）の搬出の
時間をＳとし、基板（１５）へのレーザー光（Ｌ）の照
射時間をＡとするとき、ｎを（Ｓ／Ａ＋１）以上の最小
の整数とすれば、エキシマレーザー発生手段（１１）を
連続的にオンして使用することが出来るから、レーザー
発振特性の安定性が良くなり、アニール処理のバラツキ
が小さくなり、品質を向上することが出来る。また、レ
ーザー光（Ｌ）のエネルギーの無駄もない。さらに、レ
ーザー光（Ｌ）を基板（１５）に照射するまでの待機時
間もなくなるか又は短くなるから、スループットを向上
することも出来る。
理装置（１０）では、例えば、レーザー光（Ｌ）を第１
の照射位置（Ｐ１）へ選択的に伝送し、第１の照射位置
（Ｐ１）で基板（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射す
る。そして、この間に、第２の照射位置（Ｐ２）からレ
ーザー光（Ｌ）を照射した後の基板（１５）を載せた移
動載置台（１７）を移動させると共に、未処理の基板
（１５）を乗せた移動載置台（１７）を第２の照射位置
（Ｐ２）に移動させる。第１の照射位置（Ｐ１）での照
射が終わると、レーザー光（Ｌ）を第２の照射位置（Ｐ
２）へ選択的に伝送し、第２の照射位置（Ｐ２）で基板
（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射する。そして、この
間に、第１の照射位置（Ｐ１）からレーザー光（Ｌ）を
照射した後の基板（１５）を載せた移動載置台（１７）
を移動させると共に、未処理の基板（１５）を乗せた移
動載置台（１７）を第１の照射位置（Ｐ１）に移動させ
る。このとき、照射位置への未処理の基板（１５）の搬
入および照射位置からの処理済の基板（１５）の搬出の
時間をＳとし、基板（１５）へのレーザー光（Ｌ）の照
射時間をＡとするとき、ｎを（Ｓ／Ａ＋１）以上の最小
の整数とすれば、エキシマレーザー発生手段（１１）を
連続的にオンして使用することが出来るから、レーザー
発振特性の安定性が良くなり、アニール処理のバラツキ
が小さくなり、品質を向上することが出来る。また、レ
ーザー光（Ｌ）のエネルギーの無駄もない。さらに、レ
ーザー光（Ｌ）を基板（１５）に照射するまでの待機時
間もなくなるか又は短くなるから、スループットを向上
することも出来る。
【０００８】第２の観点では、本発明は、絶縁基板上に
非晶質半導体薄膜が形成された基板（１５）にレーザー
光（Ｌ）を照射し、前記非晶質半導体薄膜を結晶化させ
るレーザーアニール処理装置において、レーザー光
（Ｌ）を発生するレーザー発生手段（１１）と、前記レ
ーザー光（Ｌ）を第１の照射位置から第ｎ（≧２）の照
射位置のいずれかへ選択的に伝送するレーザー伝送手段
（１２）と、未処理の基板（１５）を乗せて第１の照射
位置（Ｐ１）から第ｎ（≧２）の照射位置（Ｐ２）のい
ずれかへ搬入すると共に前記レーザー光（Ｌ）を照射し
た後の基板（１５）を当該照射位置から搬出する複数の
移動載置台（１７）とを具備したことを特徴とするレー
ザーアニール処理装置（１０）を提供する。
非晶質半導体薄膜が形成された基板（１５）にレーザー
光（Ｌ）を照射し、前記非晶質半導体薄膜を結晶化させ
るレーザーアニール処理装置において、レーザー光
（Ｌ）を発生するレーザー発生手段（１１）と、前記レ
ーザー光（Ｌ）を第１の照射位置から第ｎ（≧２）の照
射位置のいずれかへ選択的に伝送するレーザー伝送手段
（１２）と、未処理の基板（１５）を乗せて第１の照射
位置（Ｐ１）から第ｎ（≧２）の照射位置（Ｐ２）のい
ずれかへ搬入すると共に前記レーザー光（Ｌ）を照射し
た後の基板（１５）を当該照射位置から搬出する複数の
移動載置台（１７）とを具備したことを特徴とするレー
ザーアニール処理装置（１０）を提供する。
【０００９】上記第２の観点によるレーザーアニール処
理装置（１０）では、例えば、レーザー光（Ｌ）を第１
の照射位置（Ｐ１）へ選択的に伝送し、第１の照射位置
（Ｐ１）で基板（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射す
る。そして、この間に、第２の照射位置（Ｐ２）からレ
ーザー光（Ｌ）を照射した後の基板（１５）を載せた移
動載置台（１７）を移動させると共に、未処理の基板
（１５）を乗せた移動載置台（１７）を第２の照射位置
（Ｐ２）に移動させる。第１の照射位置（Ｐ１）での照
射が終わると、レーザー光（Ｌ）を第２の照射位置（Ｐ
２）へ選択的に伝送し、第２の照射位置（Ｐ２）で基板
（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射する。そして、この
間に、第１の照射位置（Ｐ１）からレーザー光（Ｌ）を
照射した後の基板（１５）を載せた移動載置台（１７）
を移動させると共に、未処理の基板（１５）を乗せた移
動載置台（１７）を第１の照射位置（Ｐ１）に移動させ
る。このように、エキシマレーザー発生手段（１１）を
連続的にオンして使用するか又はエキシマレーザー発生
手段（１１）をオフする時間（Ｓ）を短くできるから、
レーザー発振特性の安定性が良くなり、アニール処理の
バラツキが小さくなり、品質を向上することが出来る。
また、レーザー光（Ｌ）のエネルギーの無駄もない。さ
らに、レーザー光（Ｌ）を基板（１５）に照射するまで
の待機時間もなくなるか又は短くなるから、スループッ
トを向上することも出来る。
理装置（１０）では、例えば、レーザー光（Ｌ）を第１
の照射位置（Ｐ１）へ選択的に伝送し、第１の照射位置
（Ｐ１）で基板（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射す
る。そして、この間に、第２の照射位置（Ｐ２）からレ
ーザー光（Ｌ）を照射した後の基板（１５）を載せた移
動載置台（１７）を移動させると共に、未処理の基板
（１５）を乗せた移動載置台（１７）を第２の照射位置
（Ｐ２）に移動させる。第１の照射位置（Ｐ１）での照
射が終わると、レーザー光（Ｌ）を第２の照射位置（Ｐ
２）へ選択的に伝送し、第２の照射位置（Ｐ２）で基板
（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射する。そして、この
間に、第１の照射位置（Ｐ１）からレーザー光（Ｌ）を
照射した後の基板（１５）を載せた移動載置台（１７）
を移動させると共に、未処理の基板（１５）を乗せた移
動載置台（１７）を第１の照射位置（Ｐ１）に移動させ
る。このように、エキシマレーザー発生手段（１１）を
連続的にオンして使用するか又はエキシマレーザー発生
手段（１１）をオフする時間（Ｓ）を短くできるから、
レーザー発振特性の安定性が良くなり、アニール処理の
バラツキが小さくなり、品質を向上することが出来る。
また、レーザー光（Ｌ）のエネルギーの無駄もない。さ
らに、レーザー光（Ｌ）を基板（１５）に照射するまで
の待機時間もなくなるか又は短くなるから、スループッ
トを向上することも出来る。
【００１０】なお、一つの照射位置で基板（１５）にレ
ーザー光（Ｌ）を照射している間に他の照射位置に未処
理の基板（１５）を乗せた移動載置台（１７）を移動さ
せたり，他の照射位置からレーザー光（Ｌ）を照射した
後の基板（１５）を載せた移動載置台（１７）を移動さ
せたりする制御手段（１３）を備えて自動化するのが好
ましい。
ーザー光（Ｌ）を照射している間に他の照射位置に未処
理の基板（１５）を乗せた移動載置台（１７）を移動さ
せたり，他の照射位置からレーザー光（Ｌ）を照射した
後の基板（１５）を載せた移動載置台（１７）を移動さ
せたりする制御手段（１３）を備えて自動化するのが好
ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施形態により本
発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。
発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。
【００１２】−第１の実施形態− 図１は、本発明の第１の実施形態にかかるレーザーアニ
ール処理装置の要部平面図である。このレーザーアニー
ル処理装置１０は、レーザー光Ｌを発生するエキシマレ
ーザー発生装置１１と、前記レーザー光Ｌを第１の照射
位置Ｐ１または第２の照射位置Ｐ２へ選択的に伝送する
レーザー伝送装置１２と、絶縁基板上に非晶質半導体薄
膜を形成された基板１５を乗せてレール１４，１４Ａ，
１４Ｂ上を移動する複数の移動載置台１７と、前記エキ
シマレーザー発生装置１１等を制御する制御装置１３と
を具備している。なお、２１は、エキシマレーザー発生
装置１１で発生されたレーザー光Ｌを第１の照射位置Ｐ
１へ伝送するか第２の照射位置Ｐ２へ伝送するかを切り
替える進路変更ミラーである。また、２２Ａ，２０Ａ
は、前記レーザー光Ｌを第１の照射位置Ｐ１で基板１５
に照射するための光学系である。また、２２Ｂ，２０Ｂ
は、前記レーザー光Ｌを第２の照射位置Ｐ２で基板１５
に照射するための光学系である。また、Ｒは、照射位置
Ｐ１，Ｐ２の近傍を囲むエンクロージャである。また、
ＥＮはエンクロージャＲの入口であり、ＥＸＡはエンク
ロージャＲの第１の照射位置Ｐ１経由の出口であり、Ｅ
ＸＢはエンクロージャＲの第２の照射位置Ｐ２経由の出
口である。絶縁基板は例えばガラス製であり、非晶質半
導体薄膜は例えば非晶質シリコン薄膜である。
ール処理装置の要部平面図である。このレーザーアニー
ル処理装置１０は、レーザー光Ｌを発生するエキシマレ
ーザー発生装置１１と、前記レーザー光Ｌを第１の照射
位置Ｐ１または第２の照射位置Ｐ２へ選択的に伝送する
レーザー伝送装置１２と、絶縁基板上に非晶質半導体薄
膜を形成された基板１５を乗せてレール１４，１４Ａ，
１４Ｂ上を移動する複数の移動載置台１７と、前記エキ
シマレーザー発生装置１１等を制御する制御装置１３と
を具備している。なお、２１は、エキシマレーザー発生
装置１１で発生されたレーザー光Ｌを第１の照射位置Ｐ
１へ伝送するか第２の照射位置Ｐ２へ伝送するかを切り
替える進路変更ミラーである。また、２２Ａ，２０Ａ
は、前記レーザー光Ｌを第１の照射位置Ｐ１で基板１５
に照射するための光学系である。また、２２Ｂ，２０Ｂ
は、前記レーザー光Ｌを第２の照射位置Ｐ２で基板１５
に照射するための光学系である。また、Ｒは、照射位置
Ｐ１，Ｐ２の近傍を囲むエンクロージャである。また、
ＥＮはエンクロージャＲの入口であり、ＥＸＡはエンク
ロージャＲの第１の照射位置Ｐ１経由の出口であり、Ｅ
ＸＢはエンクロージャＲの第２の照射位置Ｐ２経由の出
口である。絶縁基板は例えばガラス製であり、非晶質半
導体薄膜は例えば非晶質シリコン薄膜である。
【００１３】制御装置１３は、次の手順でレーザーアニ
ール処理を行う。 図２に示すように、未処理の基板１５を乗せた移動載
置台１７を移動し、第１の照射位置Ｐ１に未処理の基板
１５を搬入する。 レーザー光Ｌを第１の照射位置Ｐ１へ伝送するように
進路変更ミラー２１を切り替え、エキシマレーザー発生
装置１１をオンしてレーザー光Ｌを発生させる。レーザ
ー光Ｌは、レーザー伝送装置１２を介して、第１の照射
位置Ｐ１で基板１５の表面に照射される。この状態で、
移動載置台１７に乗せた基板１５を２次元的に移動し、
レーザー光Ｌで基板１５の全面を走査する。これによ
り、基板１５の表面の非晶質半導体薄膜を結晶化させる
ことが出来る。上記の第１の照射位置Ｐ１でのレーザー
光Ｌの照射中に、図２に示すように、未処理の基板１５
を乗せた移動載置台１７を移動し、第２の照射位置Ｐ２
に未処理の基板１５を搬入する。 図３に示すように、レーザー光Ｌを第２の照射位置Ｐ
２へ伝送するように進路変更ミラー２１を切り替える。
レーザー光Ｌは、レーザー伝送装置１２を介して、第２
の照射位置Ｐ２で基板１５の表面に照射される。この状
態で、移動載置台１７に乗せた基板１５を２次元的に移
動し、レーザー光Ｌで基板１５の全面を走査する。これ
により、基板１５の表面の非晶質半導体薄膜を結晶化さ
せることが出来る。上記の第２の照射位置Ｐ２でのレー
ザー光Ｌの照射中に、図３に示すように、処理済の基板
１５を乗せた移動載置台１７を移動し、第１の照射位置
Ｐ１から処理済の基板１５を搬出する。続いて、未処理
の基板１５を乗せた移動載置台１７を移動し、第１の照
射位置Ｐ１に未処理の基板１５を搬入する。
ール処理を行う。 図２に示すように、未処理の基板１５を乗せた移動載
置台１７を移動し、第１の照射位置Ｐ１に未処理の基板
１５を搬入する。 レーザー光Ｌを第１の照射位置Ｐ１へ伝送するように
進路変更ミラー２１を切り替え、エキシマレーザー発生
装置１１をオンしてレーザー光Ｌを発生させる。レーザ
ー光Ｌは、レーザー伝送装置１２を介して、第１の照射
位置Ｐ１で基板１５の表面に照射される。この状態で、
移動載置台１７に乗せた基板１５を２次元的に移動し、
レーザー光Ｌで基板１５の全面を走査する。これによ
り、基板１５の表面の非晶質半導体薄膜を結晶化させる
ことが出来る。上記の第１の照射位置Ｐ１でのレーザー
光Ｌの照射中に、図２に示すように、未処理の基板１５
を乗せた移動載置台１７を移動し、第２の照射位置Ｐ２
に未処理の基板１５を搬入する。 図３に示すように、レーザー光Ｌを第２の照射位置Ｐ
２へ伝送するように進路変更ミラー２１を切り替える。
レーザー光Ｌは、レーザー伝送装置１２を介して、第２
の照射位置Ｐ２で基板１５の表面に照射される。この状
態で、移動載置台１７に乗せた基板１５を２次元的に移
動し、レーザー光Ｌで基板１５の全面を走査する。これ
により、基板１５の表面の非晶質半導体薄膜を結晶化さ
せることが出来る。上記の第２の照射位置Ｐ２でのレー
ザー光Ｌの照射中に、図３に示すように、処理済の基板
１５を乗せた移動載置台１７を移動し、第１の照射位置
Ｐ１から処理済の基板１５を搬出する。続いて、未処理
の基板１５を乗せた移動載置台１７を移動し、第１の照
射位置Ｐ１に未処理の基板１５を搬入する。
【００１４】図２に示すように、レーザー光Ｌを第１
の照射位置Ｐ１へ伝送するように進路変更ミラー２１を
切り替える。レーザー光Ｌは、レーザー伝送装置１２を
介して、第１の照射位置Ｐ１で基板１５の表面に照射さ
れる。この状態で、移動載置台１７に乗せた基板１５を
２次元的に移動し、レーザー光Ｌで基板１５の全面を走
査する。これにより、基板１５の表面の非晶質半導体薄
膜を結晶化させることが出来る。上記の第１の照射位置
Ｐ１でのレーザー光Ｌの照射中に、図２に示すように、
処理済の基板１５を乗せた移動載置台１７を移動し、第
２の照射位置Ｐ２から処理済の基板１５を搬出する。続
いて、未処理の基板１５を乗せた移動載置台１７を移動
し、第２の照射位置Ｐ２に未処理の基板１５を搬入す
る。 上記ととを繰り返す。
の照射位置Ｐ１へ伝送するように進路変更ミラー２１を
切り替える。レーザー光Ｌは、レーザー伝送装置１２を
介して、第１の照射位置Ｐ１で基板１５の表面に照射さ
れる。この状態で、移動載置台１７に乗せた基板１５を
２次元的に移動し、レーザー光Ｌで基板１５の全面を走
査する。これにより、基板１５の表面の非晶質半導体薄
膜を結晶化させることが出来る。上記の第１の照射位置
Ｐ１でのレーザー光Ｌの照射中に、図２に示すように、
処理済の基板１５を乗せた移動載置台１７を移動し、第
２の照射位置Ｐ２から処理済の基板１５を搬出する。続
いて、未処理の基板１５を乗せた移動載置台１７を移動
し、第２の照射位置Ｐ２に未処理の基板１５を搬入す
る。 上記ととを繰り返す。
【００１５】図４は、上記のレーザーアニール処理装置
１０の動作のタイムチャートである。Ｓは、照射位置Ｐ
１，Ｐ２への未処理の基板１５の搬入および照射位置Ｐ
１，Ｐ２からの処理済の基板１５の搬出の時間を表して
いる。Ａは、基板１５へのレーザー光Ｌの照射の時間を
表している。また、Ｓ＝Ａとしている。
１０の動作のタイムチャートである。Ｓは、照射位置Ｐ
１，Ｐ２への未処理の基板１５の搬入および照射位置Ｐ
１，Ｐ２からの処理済の基板１５の搬出の時間を表して
いる。Ａは、基板１５へのレーザー光Ｌの照射の時間を
表している。また、Ｓ＝Ａとしている。
【００１６】図４から判るように、エキシマレーザー発
生装置１１は連続してオンになっている。従って、レー
ザー発振特性の安定性が良くなり、アニール処理のバラ
ツキが小さくなり、品質を向上することが出来る。ま
た、レーザー光Ｌのエネルギーの無駄もない。さらに、
１枚の基板１５を処理するのに要する時間Ｔは、 Ｔ＝Ａ であることが判る。これに対して、図８のタイムチャー
トを参照すると、従来のレーザーアニール処理装置６０
では、１枚の基板１５を処理するのに要する時間Ｔは、 Ｔ＝Ｓ＋Ａ であることが判る。従って、１枚の基板１５を処理する
のに要する時間Ｔを短縮することができ、スループット
を向上することが出来る。
生装置１１は連続してオンになっている。従って、レー
ザー発振特性の安定性が良くなり、アニール処理のバラ
ツキが小さくなり、品質を向上することが出来る。ま
た、レーザー光Ｌのエネルギーの無駄もない。さらに、
１枚の基板１５を処理するのに要する時間Ｔは、 Ｔ＝Ａ であることが判る。これに対して、図８のタイムチャー
トを参照すると、従来のレーザーアニール処理装置６０
では、１枚の基板１５を処理するのに要する時間Ｔは、 Ｔ＝Ｓ＋Ａ であることが判る。従って、１枚の基板１５を処理する
のに要する時間Ｔを短縮することができ、スループット
を向上することが出来る。
【００１７】−第２の実施形態− 第２の実施形態では、Ｓ＝２・Ａとする。この場合、図
５にタイムチャートを示すように、第１の照射位置Ｐ１
から第３の照射位置Ｐ３まで設ければ、エキシマレーザ
ー発生装置１１を連続的にオンにすることが出来る。
５にタイムチャートを示すように、第１の照射位置Ｐ１
から第３の照射位置Ｐ３まで設ければ、エキシマレーザ
ー発生装置１１を連続的にオンにすることが出来る。
【００１８】なお、一般に、ｎを（Ｓ／Ａ＋１）以上の
最小の整数として、第１の照射位置Ｐ１から第ｎの照射
位置Ｐｎまで設ければ、エキシマレーザー発生装置１１
を連続的にオンして使用することが出来る。
最小の整数として、第１の照射位置Ｐ１から第ｎの照射
位置Ｐｎまで設ければ、エキシマレーザー発生装置１１
を連続的にオンして使用することが出来る。
【００１９】
【発明の効果】本発明のレーザーアニール処理装置によ
れば、レーザー発生手段（１１）を連続的にオンして使
用するか又はエキシマレーザー発生手段（１１）をオフ
する時間を短くできるから、レーザー発振特性の安定性
が良くなり、アニール処理のバラツキが小さくなり、品
質を向上することが出来る。また、レーザー光（Ｌ）の
エネルギーの無駄もない。さらに、レーザー光（Ｌ）を
基板（１５）に照射するまでの待機時間もなくなるか又
は短くなるから、スループットを向上することも出来
る。
れば、レーザー発生手段（１１）を連続的にオンして使
用するか又はエキシマレーザー発生手段（１１）をオフ
する時間を短くできるから、レーザー発振特性の安定性
が良くなり、アニール処理のバラツキが小さくなり、品
質を向上することが出来る。また、レーザー光（Ｌ）の
エネルギーの無駄もない。さらに、レーザー光（Ｌ）を
基板（１５）に照射するまでの待機時間もなくなるか又
は短くなるから、スループットを向上することも出来
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のレーザーアニール処
理装置の要部平面図である。
理装置の要部平面図である。
【図２】図１のレーザーアニール処理装置の要部側面図
である。
である。
【図３】図１のレーザーアニール処理装置の別の要部側
面図である。
面図である。
【図４】図１のレーザーアニール処理装置の動作のタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図５】本発明の第２の実施形態のレーザーアニール処
理装置の動作のタイムチャートである。
理装置の動作のタイムチャートである。
【図６】従来のレーザーアニール処理装置の一例の要部
平面図である。
平面図である。
【図７】図６のレーザーアニール処理装置の要部側面図
である。
である。
【図８】図６のレーザーアニール処理装置の動作のタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
１０，６０ レーザーアニール処理装
置 １１ エキシマレーザー発生装
置 １４，１４Ａ，１４Ｂ レール １５ 基板 １７ 移動載置台 １２，６２ レーザー伝送装置 Ｌ レーザー光 ２０，２０Ａ，２０Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ 光学系 ２１ 進路変更ミラー Ｒ エンクロージャ
置 １１ エキシマレーザー発生装
置 １４，１４Ａ，１４Ｂ レール １５ 基板 １７ 移動載置台 １２，６２ レーザー伝送装置 Ｌ レーザー光 ２０，２０Ａ，２０Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ 光学系 ２１ 進路変更ミラー Ｒ エンクロージャ
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成さ
れた基板（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射し、前記非
晶質半導体薄膜を結晶化させるレーザーアニール処理装
置において、 レーザー光（Ｌ）を発生するレーザー発生手段（１１）
と、前記レーザー光（Ｌ）を第１の照射位置から第ｎの
照射位置のいずれかへ選択的に伝送するレーザー伝送手
段（１２）と、未処理の基板（１５）を乗せて第１の照
射位置（Ｐ１）から第ｎ（≧２）の照射位置（Ｐ２）の
いずれかへ搬入すると共に前記レーザー光（Ｌ）を照射
した後の基板（１５）を当該照射位置から搬出する複数
の移動載置台（１７）とを具備し、 照射位置への未処理の基板（１５）の搬入および照射位
置からの処理済の基板（１５）の搬出の時間をＳとし、
基板（１５）へのレーザー光（Ｌ）の照射時間をＡとす
るとき、ｎを（Ｓ／Ａ＋１）以上の最小の整数としたこ
とを特徴とするレーザーアニール処理装置（１０）。 - 【請求項２】 絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成さ
れた基板（１５）にレーザー光（Ｌ）を照射し、前記非
晶質半導体薄膜を結晶化させるレーザーアニール処理装
置において、 レーザー光（Ｌ）を発生するレーザー発生手段（１１）
と、前記レーザー光（Ｌ）を第１の照射位置から第ｎ
（≧２）の照射位置のいずれかへ選択的に伝送するレー
ザー伝送手段（１２）と、未処理の基板（１５）を乗せ
て第１の照射位置（Ｐ１）から第ｎ（≧２）の照射位置
（Ｐ２）のいずれかへ搬入すると共に前記レーザー光
（Ｌ）を照射した後の基板（１５）を当該照射位置から
搬出する複数の移動載置台（１７）とを具備したことを
特徴とするレーザーアニール処理装置（１０）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7333237A JPH09171971A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | レーザーアニール処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7333237A JPH09171971A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | レーザーアニール処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09171971A true JPH09171971A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18263863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7333237A Pending JPH09171971A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | レーザーアニール処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09171971A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006519498A (ja) * | 2003-02-19 | 2006-08-24 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 逐次的横方向結晶化技術を用いて結晶化させた複数の半導体薄膜フィルムを処理するシステム及びプロセス |
| US7622374B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-11-24 | Infineon Technologies Ag | Method of fabricating an integrated circuit |
| US7642482B2 (en) * | 2005-12-16 | 2010-01-05 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Laser crystallization apparatus and crystallization method |
| US8415670B2 (en) | 2007-09-25 | 2013-04-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films |
| US8426296B2 (en) | 2007-11-21 | 2013-04-23 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films |
| US8440581B2 (en) | 2009-11-24 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification |
| US8859436B2 (en) | 1996-05-28 | 2014-10-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon |
| US8883656B2 (en) | 2002-08-19 | 2014-11-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns |
| WO2015174347A1 (ja) * | 2014-05-12 | 2015-11-19 | 株式会社日本製鋼所 | レーザアニール装置、レーザアニール処理用連続搬送路、レーザ光照射手段およびレーザアニール処理方法 |
| US9466402B2 (en) | 2003-09-16 | 2016-10-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP7333237A patent/JPH09171971A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8859436B2 (en) | 1996-05-28 | 2014-10-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon |
| US8883656B2 (en) | 2002-08-19 | 2014-11-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns |
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| US8440581B2 (en) | 2009-11-24 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification |
| WO2015174347A1 (ja) * | 2014-05-12 | 2015-11-19 | 株式会社日本製鋼所 | レーザアニール装置、レーザアニール処理用連続搬送路、レーザ光照射手段およびレーザアニール処理方法 |
| CN105830201A (zh) * | 2014-05-12 | 2016-08-03 | 株式会社日本制钢所 | 激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径、激光照射单元以及激光退火处理方法 |
| KR20170005390A (ko) * | 2014-05-12 | 2017-01-13 | 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 | 레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법 |
| JPWO2015174347A1 (ja) * | 2014-05-12 | 2017-06-01 | 株式会社日本製鋼所 | レーザアニール装置、レーザアニール処理用連続搬送路、レーザ光照射手段およびレーザアニール処理方法 |
| TWI692811B (zh) * | 2014-05-12 | 2020-05-01 | 日商日本製鋼所股份有限公司 | 雷射退火裝置、雷射退火處理用連續搬運路徑、雷射光照射手段以及雷射退火處理方法 |
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