JPH11340160A - レーザアニーリング装置及び方法 - Google Patents
レーザアニーリング装置及び方法Info
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- JPH11340160A JPH11340160A JP14922698A JP14922698A JPH11340160A JP H11340160 A JPH11340160 A JP H11340160A JP 14922698 A JP14922698 A JP 14922698A JP 14922698 A JP14922698 A JP 14922698A JP H11340160 A JPH11340160 A JP H11340160A
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- Japan
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- processing substrate
- laser
- substrate
- width direction
- homogenizers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積の処理基板であっても往復動作を繰り
返すことなく、短時間で処理できるレーザアニーリング
装置を提供すること。 【解決手段】 処理基板１に照射すべきレーザ光を発生
するための２つレーザ装置２Ａ、２Ｂと、それぞれのレ
ーザ装置からのレーザ光を、処理基板上においてその幅
方向のサイズの１／２以上の長さを持つ断面のビームに
なるように変換する２つのホモジナイザ３Ａ、３Ｂと、
処理基板をその幅方向と異なる方向に移動させる移動機
構とを備える。２つのホモジナイザにより形成される２
つのビームが処理基板上においてその幅方向に一列にな
るように照射し、かつ処理基板をその幅方向と異なる方
向に移動させて処理基板の全面にわたるアニーリングを
行う。
返すことなく、短時間で処理できるレーザアニーリング
装置を提供すること。 【解決手段】 処理基板１に照射すべきレーザ光を発生
するための２つレーザ装置２Ａ、２Ｂと、それぞれのレ
ーザ装置からのレーザ光を、処理基板上においてその幅
方向のサイズの１／２以上の長さを持つ断面のビームに
なるように変換する２つのホモジナイザ３Ａ、３Ｂと、
処理基板をその幅方向と異なる方向に移動させる移動機
構とを備える。２つのホモジナイザにより形成される２
つのビームが処理基板上においてその幅方向に一列にな
るように照射し、かつ処理基板をその幅方向と異なる方
向に移動させて処理基板の全面にわたるアニーリングを
行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造技術に用
いられるレーザアニーリング装置に関し、特に大面積の
処理基板のアニーリングに適したレーザアニーリング装
置及び方法に関する。
いられるレーザアニーリング装置に関し、特に大面積の
処理基板のアニーリングに適したレーザアニーリング装
置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造技術において、シリコンウェ
ハをアニールすることがしばしば必要となる。ここで、
「アニール」とは、シリコンウェハを高温で熱処理して
焼きなますことをいう。このようなアニールは、イオン
注入した不純物を電気的に活性化させたり、不安定性を
除去するために電荷を中和し不活性化するために使用さ
れる。
ハをアニールすることがしばしば必要となる。ここで、
「アニール」とは、シリコンウェハを高温で熱処理して
焼きなますことをいう。このようなアニールは、イオン
注入した不純物を電気的に活性化させたり、不安定性を
除去するために電荷を中和し不活性化するために使用さ
れる。
【０００３】アニールする装置はアニーリング装置と呼
ばれる。このアニーリング装置の１つにレーザアニーリ
ング装置がある。このレーザアニーリング装置は、アモ
ルファスシリコン薄膜に、エキシマレーザ装置からパル
ス発振されたレーザ光を照射して多結晶化するための装
置である。すなわち、アモルファスシリコン薄膜に高エ
ネルギのレーザ光が当たると、レーザ光はアモルファス
シリコン薄膜に吸収され、瞬間的に溶融状態になり、再
結晶化が起こる。その結果、アモルファスシリコン薄膜
は多結晶化する。この技術は、例えば液晶パネルの薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するための多結晶シリコ
ン薄膜の作製に用いられる。
ばれる。このアニーリング装置の１つにレーザアニーリ
ング装置がある。このレーザアニーリング装置は、アモ
ルファスシリコン薄膜に、エキシマレーザ装置からパル
ス発振されたレーザ光を照射して多結晶化するための装
置である。すなわち、アモルファスシリコン薄膜に高エ
ネルギのレーザ光が当たると、レーザ光はアモルファス
シリコン薄膜に吸収され、瞬間的に溶融状態になり、再
結晶化が起こる。その結果、アモルファスシリコン薄膜
は多結晶化する。この技術は、例えば液晶パネルの薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するための多結晶シリコ
ン薄膜の作製に用いられる。
【０００４】図６を参照して、レーザアニーリング装置
の中のプロセスチャンバについて説明する。プロセスチ
ャンバ１０の内壁下面上にはレール１３が敷設されてい
る。このレール１３に沿ってステージ１４がスライド１
５を介して所定の水平方向（図面の左右方向）に沿って
摺動可能に設けられている。ステージ１４上にはピン１
６を介して処理基板１７が搭載されている。このステー
ジ１４は、モータ１００にリードスクリュー１０１、ベ
ローズ１０２およびロッド１０３を介して連結されてい
る。すなわち、モータ１００の回転が、リードスクリュ
ー１０１とロッド１０３の組み合わせによって、上記所
定の水平方向の直線運動に変換され、ステージ１４は所
定の水平方向に沿って摺動される。ベローズ１０２は、
真空と大気とを遮蔽するためのものである。また、プロ
セスチャンバ１０にはターボ分子ポンプ１８が取り付け
られている。更に、プロセスチャンバ１０にはＮ2 ガス
の導入口が設けられると共に、排気のためのドライポン
プ１２が取り付けられている。
の中のプロセスチャンバについて説明する。プロセスチ
ャンバ１０の内壁下面上にはレール１３が敷設されてい
る。このレール１３に沿ってステージ１４がスライド１
５を介して所定の水平方向（図面の左右方向）に沿って
摺動可能に設けられている。ステージ１４上にはピン１
６を介して処理基板１７が搭載されている。このステー
ジ１４は、モータ１００にリードスクリュー１０１、ベ
ローズ１０２およびロッド１０３を介して連結されてい
る。すなわち、モータ１００の回転が、リードスクリュ
ー１０１とロッド１０３の組み合わせによって、上記所
定の水平方向の直線運動に変換され、ステージ１４は所
定の水平方向に沿って摺動される。ベローズ１０２は、
真空と大気とを遮蔽するためのものである。また、プロ
セスチャンバ１０にはターボ分子ポンプ１８が取り付け
られている。更に、プロセスチャンバ１０にはＮ2 ガス
の導入口が設けられると共に、排気のためのドライポン
プ１２が取り付けられている。
【０００５】このプロセスチャンバ１０では、図示しな
いレーザ装置から出射されたレーザ光が、ホモジナイザ
等の光学系６０によってその断面形状が細長い線形状に
された後、プロセスウィンドー１１を透過してプロセス
チャンバ１０内の処理基板１７に照射され、レーザアニ
ーリングが行われる。
いレーザ装置から出射されたレーザ光が、ホモジナイザ
等の光学系６０によってその断面形状が細長い線形状に
された後、プロセスウィンドー１１を透過してプロセス
チャンバ１０内の処理基板１７に照射され、レーザアニ
ーリングが行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、処理基板１
７が液晶ガラス基板の場合、そのサイズは約３００（ｍ
ｍ）×４００（ｍｍ）である。これに対し、これまでの
光学系６０により得られる断面線形状のビームのサイズ
は、図７に示すように、幅約０．８ｍｍ、長さ約１５０
ｍｍである。これは、断面線形状の長さを大きくし過ぎ
ると、単位長当たりの照射エネルギーが低下してしま
い、レーザアニーリングに不適となるからである。この
ため、光学系６０を処理基板１７の移動方向に直角な方
向に移動可能にし、処理基板１７の１回の往復動作で、
みかけ上図７に矢印で示すような軌跡により全面照射を
行うようにしている。
７が液晶ガラス基板の場合、そのサイズは約３００（ｍ
ｍ）×４００（ｍｍ）である。これに対し、これまでの
光学系６０により得られる断面線形状のビームのサイズ
は、図７に示すように、幅約０．８ｍｍ、長さ約１５０
ｍｍである。これは、断面線形状の長さを大きくし過ぎ
ると、単位長当たりの照射エネルギーが低下してしま
い、レーザアニーリングに不適となるからである。この
ため、光学系６０を処理基板１７の移動方向に直角な方
向に移動可能にし、処理基板１７の１回の往復動作で、
みかけ上図７に矢印で示すような軌跡により全面照射を
行うようにしている。
【０００７】しかしながら、液晶ガラス基板のような処
理基板１７は、４００（ｍｍ）×５００（ｍｍ）、５５
０（ｍｍ）×６５０（ｍｍ）というように、大面積化し
つつある。このような大面積の処理基板１７に対して、
上記の方法でレーザアニーリングを行う場合、処理基板
１７の複数回の往復動作が必要となり、処理時間が長く
なってしまうという問題点がある。
理基板１７は、４００（ｍｍ）×５００（ｍｍ）、５５
０（ｍｍ）×６５０（ｍｍ）というように、大面積化し
つつある。このような大面積の処理基板１７に対して、
上記の方法でレーザアニーリングを行う場合、処理基板
１７の複数回の往復動作が必要となり、処理時間が長く
なってしまうという問題点がある。
【０００８】それ故、本発明の課題は、大面積の処理基
板であっても往復動作を繰り返すことなく、短時間で処
理できるレーザアニーリング装置を提供することにあ
る。
板であっても往復動作を繰り返すことなく、短時間で処
理できるレーザアニーリング装置を提供することにあ
る。
【０００９】本発明の他の課題は、大面積の処理基板に
適したレーザアニーリング方法を提供することにある。
適したレーザアニーリング方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、処理基
板に照射すべきレーザ光を発生するためのｎ（ただし、
ｎは２以上の整数）個のレーザ装置と、それぞれのレー
ザ装置からのレーザ光を、前記処理基板上においてその
幅方向のサイズの１／ｎ以上の長さを持つ断面のビーム
になるように変換するｎ個のホモジナイザと、該ｎ個の
ホモジナイザを前記処理基板の幅方向と異なる方向に移
動させる移動機構とを備え、前記ｎ個のホモジナイザに
より形成されるｎ個のビームが前記処理基板上において
その幅方向に一列になるように照射し、かつ前記ｎ個の
ホモジナイザを移動させて前記処理基板の全面にわたる
アニーリングを行うことを特徴とするレーザアニーリン
グ装置が提供される。
板に照射すべきレーザ光を発生するためのｎ（ただし、
ｎは２以上の整数）個のレーザ装置と、それぞれのレー
ザ装置からのレーザ光を、前記処理基板上においてその
幅方向のサイズの１／ｎ以上の長さを持つ断面のビーム
になるように変換するｎ個のホモジナイザと、該ｎ個の
ホモジナイザを前記処理基板の幅方向と異なる方向に移
動させる移動機構とを備え、前記ｎ個のホモジナイザに
より形成されるｎ個のビームが前記処理基板上において
その幅方向に一列になるように照射し、かつ前記ｎ個の
ホモジナイザを移動させて前記処理基板の全面にわたる
アニーリングを行うことを特徴とするレーザアニーリン
グ装置が提供される。
【００１１】本発明によればまた、処理基板に照射すべ
きレーザ光を発生するためのｎ（ただし、ｎは２以上の
整数）個のレーザ装置と、それぞれのレーザ装置からの
レーザ光を、前記処理基板上においてその幅方向のサイ
ズの１／ｎ以上の長さを持つ断面のビームになるように
変換するｎ個のホモジナイザと、前記処理基板をその幅
方向と異なる方向に移動させる移動機構とを備え、前記
ｎ個のホモジナイザにより形成されるｎ個のビームが前
記処理基板上においてその幅方向に一列になるように照
射し、かつ前記処理基板を移動させて前記処理基板の全
面にわたるアニーリングを行うことを特徴とするレーザ
アニーリング装置が提供される。
きレーザ光を発生するためのｎ（ただし、ｎは２以上の
整数）個のレーザ装置と、それぞれのレーザ装置からの
レーザ光を、前記処理基板上においてその幅方向のサイ
ズの１／ｎ以上の長さを持つ断面のビームになるように
変換するｎ個のホモジナイザと、前記処理基板をその幅
方向と異なる方向に移動させる移動機構とを備え、前記
ｎ個のホモジナイザにより形成されるｎ個のビームが前
記処理基板上においてその幅方向に一列になるように照
射し、かつ前記処理基板を移動させて前記処理基板の全
面にわたるアニーリングを行うことを特徴とするレーザ
アニーリング装置が提供される。
【００１２】なお、ｎ個の線状のビーム各々の端部が互
いに重なるように照射されることが好ましい。
いに重なるように照射されることが好ましい。
【００１３】また、前記各ホモジナイザと前記処理基板
との間にそれぞれ、前記ホモジナイザからのビームの断
面形状を規定するためのマスクと、イメージングレンズ
とを配置し、マスクイメージング法による照射によって
アニーリングを行うようにしても良い。
との間にそれぞれ、前記ホモジナイザからのビームの断
面形状を規定するためのマスクと、イメージングレンズ
とを配置し、マスクイメージング法による照射によって
アニーリングを行うようにしても良い。
【００１４】本発明によるレーザアニーリング方法は、
処理基板に、その幅方向のサイズの１／ｎ（ただし、ｎ
は２以上の整数）以上の長さを持つ断面のｎ個のビーム
を、前記処理基板上においてその幅方向に一列になるよ
うに照射し、前記処理基板または前記ｎ個のビームを前
記処理基板の幅方向と異なる方向に移動させることによ
り、前記処理基板の全面にわたるアニーリングを行うこ
とを特徴とする。
処理基板に、その幅方向のサイズの１／ｎ（ただし、ｎ
は２以上の整数）以上の長さを持つ断面のｎ個のビーム
を、前記処理基板上においてその幅方向に一列になるよ
うに照射し、前記処理基板または前記ｎ個のビームを前
記処理基板の幅方向と異なる方向に移動させることによ
り、前記処理基板の全面にわたるアニーリングを行うこ
とを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１〜図３を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。図１は、本発明によるレ
ーザアニーリング装置の要部の構成を示し、例えば図６
で説明した光学系６０に至るまでの構成である。したが
って、図１に示された構成をそのまま図６に示されたプ
ロセスチャンバに適用することができる。
実施の形態について説明する。図１は、本発明によるレ
ーザアニーリング装置の要部の構成を示し、例えば図６
で説明した光学系６０に至るまでの構成である。したが
って、図１に示された構成をそのまま図６に示されたプ
ロセスチャンバに適用することができる。
【００１６】図１において、本形態においては、処理基
板１へのレーザ照射系を２組備えた点に特徴を有する。
すなわち、レーザ光を発生するためのレーザ装置２Ａ、
２Ｂと、レーザ装置２Ａ、２Ｂからのレーザ光を処理基
板１上においてその幅方向のサイズの１／２以上の長さ
を持つ断面線状のビームになるように変換する２つのホ
モジナイザ３Ａ、３Ｂと、処理基板１をその幅方向に直
角な方向に移動させるためのステージ及び駆動機構（図
示せず）とを備えている。ステージとその駆動機構は、
図６で説明したものと同じで良い。レーザ装置２Ａ、２
Ｂとホモジナイザ３Ａ、３Ｂとの間の経路にはそれぞ
れ、エネルギー調整用のアッテネータ４Ａ、４Ｂ、レー
ザ光の垂直方向の拡がり角を補正するための補正光学系
５Ａ、５Ｂ、レーザ光の水平方向の拡がり角を補正する
ための補正光学系６Ａ、６Ｂ、折り返しミラー７Ａ、７
Ｂが配置されている。
板１へのレーザ照射系を２組備えた点に特徴を有する。
すなわち、レーザ光を発生するためのレーザ装置２Ａ、
２Ｂと、レーザ装置２Ａ、２Ｂからのレーザ光を処理基
板１上においてその幅方向のサイズの１／２以上の長さ
を持つ断面線状のビームになるように変換する２つのホ
モジナイザ３Ａ、３Ｂと、処理基板１をその幅方向に直
角な方向に移動させるためのステージ及び駆動機構（図
示せず）とを備えている。ステージとその駆動機構は、
図６で説明したものと同じで良い。レーザ装置２Ａ、２
Ｂとホモジナイザ３Ａ、３Ｂとの間の経路にはそれぞ
れ、エネルギー調整用のアッテネータ４Ａ、４Ｂ、レー
ザ光の垂直方向の拡がり角を補正するための補正光学系
５Ａ、５Ｂ、レーザ光の水平方向の拡がり角を補正する
ための補正光学系６Ａ、６Ｂ、折り返しミラー７Ａ、７
Ｂが配置されている。
【００１７】図２を参照して、ホモジナイザ３Ａについ
て言えば、複数の光学レンズ３−１〜３−４の組合せに
より、レーザ光の入射位置が異なっていてもある照射位
置では同じ断面形状を持つ線状のビームが得られる。特
に、本形態によるホモジナイザでは、図３に示すよう
に、処理基板１上で幅約０．４ｍｍ、長さ約３００ｍｍ
の線状のビームを生成できるようにしている。勿論、単
位長当たりの照射エネルギーは、図７に示したものと同
じである。
て言えば、複数の光学レンズ３−１〜３−４の組合せに
より、レーザ光の入射位置が異なっていてもある照射位
置では同じ断面形状を持つ線状のビームが得られる。特
に、本形態によるホモジナイザでは、図３に示すよう
に、処理基板１上で幅約０．４ｍｍ、長さ約３００ｍｍ
の線状のビームを生成できるようにしている。勿論、単
位長当たりの照射エネルギーは、図７に示したものと同
じである。
【００１８】本形態では、上記のようなホモジナイザ３
Ａ、３Ｂからの２つ線状のビームが処理基板１上におい
てその幅方向に一列になるように照射される。
Ａ、３Ｂからの２つ線状のビームが処理基板１上におい
てその幅方向に一列になるように照射される。
【００１９】但し、ホモジナイザから得られる線状のビ
ームのエネルギー密度は、図４に示すように、長さ方向
の端部において低下することが避けられない。このた
め、処理基板１上における２つの線状のビームの一方の
端部が処理基板１の幅方向の中心部付近で数ｍｍ程度重
なり、他方の端部は処理基板１の端部から外れるように
照射される。その結果、処理基板１をその幅方向に直角
な方向に移動させることにより、処理基板１の全面にわ
たって均一なエネルギーでアニーリングを行うことがで
きる。したがって、約６００ｍｍの幅を持つ処理基板１
に対応することができる。勿論、処理基板１の移動は１
回だけで良い。
ームのエネルギー密度は、図４に示すように、長さ方向
の端部において低下することが避けられない。このた
め、処理基板１上における２つの線状のビームの一方の
端部が処理基板１の幅方向の中心部付近で数ｍｍ程度重
なり、他方の端部は処理基板１の端部から外れるように
照射される。その結果、処理基板１をその幅方向に直角
な方向に移動させることにより、処理基板１の全面にわ
たって均一なエネルギーでアニーリングを行うことがで
きる。したがって、約６００ｍｍの幅を持つ処理基板１
に対応することができる。勿論、処理基板１の移動は１
回だけで良い。
【００２０】なお、図１において、制御部８は、レーザ
装置２Ａ、２Ｂに対してレーザの発振周波数を規定する
トリガパルスを出力する。そして、レーザ装置２Ａ、２
Ｂにおける発振のタイミングをそろえるために、制御部
８とレーザ装置２Ｂとの間には、ジッタ調整部９が設け
られる。
装置２Ａ、２Ｂに対してレーザの発振周波数を規定する
トリガパルスを出力する。そして、レーザ装置２Ａ、２
Ｂにおける発振のタイミングをそろえるために、制御部
８とレーザ装置２Ｂとの間には、ジッタ調整部９が設け
られる。
【００２１】図５を参照して、他の形態について説明す
る。この形態では、ホモジナイザ３Ａ、３Ｂと処理基板
１との間にそれぞれ、ホモジナイザ３Ａ、３Ｂからのビ
ームの断面形状を規定するためのマスク２０Ａ、２０Ｂ
と、イメージングレンズ２１Ａ、２１Ｂとを配置し、マ
スクイメージング法による照射によってアニーリングを
行うようにしている。マスクイメージング法自体は周知
であり、マスクの開口で規定される断面形状のビームが
処理基板１上にそのまま投影される。したがって、ホモ
ジナイザ３Ａ、３Ｂからのビームに振れが生じても、そ
の影響を受けること無く、高い位置決め精度での照射が
可能になるという利点がある。
る。この形態では、ホモジナイザ３Ａ、３Ｂと処理基板
１との間にそれぞれ、ホモジナイザ３Ａ、３Ｂからのビ
ームの断面形状を規定するためのマスク２０Ａ、２０Ｂ
と、イメージングレンズ２１Ａ、２１Ｂとを配置し、マ
スクイメージング法による照射によってアニーリングを
行うようにしている。マスクイメージング法自体は周知
であり、マスクの開口で規定される断面形状のビームが
処理基板１上にそのまま投影される。したがって、ホモ
ジナイザ３Ａ、３Ｂからのビームに振れが生じても、そ
の影響を受けること無く、高い位置決め精度での照射が
可能になるという利点がある。
【００２２】なお、上記の形態では、レーザ照射系を２
組備える場合について説明したが、処理基板の面積に応
じて３組以上備える場合も考えられる。また、上記の形
態では、ステージを駆動機構により移動させて処理基板
を移動させる例について説明したが、処理基板は固定と
し、レーザ照射系を移動させることにより処理基板全面
に対するアニーリングを行うこともできる。
組備える場合について説明したが、処理基板の面積に応
じて３組以上備える場合も考えられる。また、上記の形
態では、ステージを駆動機構により移動させて処理基板
を移動させる例について説明したが、処理基板は固定と
し、レーザ照射系を移動させることにより処理基板全面
に対するアニーリングを行うこともできる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、処理基板へのレーザ照射系を複数組備えることによ
り、大面積の処理基板でも短時間でアニーリング処理を
行うことができる。
ば、処理基板へのレーザ照射系を複数組備えることによ
り、大面積の処理基板でも短時間でアニーリング処理を
行うことができる。
【図１】本発明の実施の形態によるレーザアニーリング
装置の要部の構成を示す図である。
装置の要部の構成を示す図である。
【図２】図１に示したレーザアニーリング装置に使用さ
れるホモジナイザの構成を説明するための面である。
れるホモジナイザの構成を説明するための面である。
【図３】本発明で使用されるホモジナイザにより得られ
る線状のレーザビームと処理基板との関係を説明するた
めの図である。
る線状のレーザビームと処理基板との関係を説明するた
めの図である。
【図４】図１の処理基板上に照射される２つの線状のレ
ーザビームとそれらのエネルギー密度の関係を説明する
ための図である。
ーザビームとそれらのエネルギー密度の関係を説明する
ための図である。
【図５】本発明の他の実施の形態によるレーザアニーリ
ング装置の要部の構成を示す図である。
ング装置の要部の構成を示す図である。
【図６】従来のレーザアニーリング装置に使用されるプ
ロセスチャンバを示す断面図である。
ロセスチャンバを示す断面図である。
【図７】図６に示す光学系により得られる線状のレーザ
ビームと処理基板との関係を説明するための図である。
ビームと処理基板との関係を説明するための図である。
１、１７ 処理基板 ２Ａ、２Ｂ レーザ装置 ３Ａ、３Ｂ ホモジナイザ ４Ａ、４Ｂ アッテネータ ５Ａ、５Ｂ 補正光学系 ６Ａ、６Ｂ 補正光学系 ７Ａ、７Ｂ 折り返しミラー ８ 制御部 ９ ジッタ調整部
Claims (5)
- 【請求項１】 処理基板に照射すべきレーザ光を発生す
るためのｎ（ただし、ｎは２以上の整数）個のレーザ装
置と、それぞれのレーザ装置からのレーザ光を、前記処
理基板上においてその幅方向のサイズの１／ｎ以上の長
さを持つ断面のビームになるように変換するｎ個のホモ
ジナイザと、該ｎ個のホモジナイザを前記処理基板の幅
方向と異なる方向に移動させる移動機構とを備え、前記
ｎ個のホモジナイザにより形成されるｎ個のビームが前
記処理基板上においてその幅方向に一列になるように照
射し、かつ前記ｎ個のホモジナイザを移動させて前記処
理基板の全面にわたるアニーリングを行うことを特徴と
するレーザアニーリング装置。 - 【請求項２】 処理基板に照射すべきレーザ光を発生す
るためのｎ（ただし、ｎは２以上の整数）個のレーザ装
置と、それぞれのレーザ装置からのレーザ光を、前記処
理基板上においてその幅方向のサイズの１／ｎ以上の長
さを持つ断面のビームになるように変換するｎ個のホモ
ジナイザと、前記処理基板をその幅方向と異なる方向に
移動させる移動機構とを備え、前記ｎ個のホモジナイザ
により形成されるｎ個のビームが前記処理基板上におい
てその幅方向に一列になるように照射し、かつ前記処理
基板を移動させて前記処理基板の全面にわたるアニーリ
ングを行うことを特徴とするレーザアニーリング装置。 - 【請求項３】 請求項１あるいは２記載のレーザアニー
リング装置において、ｎ個のビーム各々の端部が互いに
重なるように照射されることを特徴とするレーザアニー
リング装置。 - 【請求項４】 請求項２記載のレーザアニーリング装置
において、前記各ホモジナイザと前記処理基板との間に
それぞれ、前記ホモジナイザからのビームの断面形状を
規定するためのマスクと、イメージングレンズとを配置
し、マスクイメージング法による照射によってアニーリ
ングを行うことを特徴とするレーザアニーリング装置。 - 【請求項５】 処理基板に、その幅方向のサイズの１／
ｎ（ただし、ｎは２以上の整数）以上の長さを持つ断面
のｎ個のビームを、前記処理基板上においてその幅方向
に一列になるように照射し、前記処理基板または前記ｎ
個のビームを前記処理基板の幅方向と異なる方向に移動
させることにより、前記処理基板の全面にわたるアニー
リングを行うことを特徴とするレーザアニーリング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14922698A JPH11340160A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | レーザアニーリング装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14922698A JPH11340160A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | レーザアニーリング装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340160A true JPH11340160A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15470631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14922698A Pending JPH11340160A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | レーザアニーリング装置及び方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH11340160A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-05-29 JP JP14922698A patent/JPH11340160A/ja active Pending
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| A02 | Decision of refusal |
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