KR20170005390A - 레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법 - Google Patents

레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법 Download PDF

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Abstract

피처리체(100)에 레이저광(42)을 조사해서 어닐 처리를 하는 레이저 어닐 장치(1)에 있어서, 피처리체(100)를 일정한 방향으로 연속적으로 반송하는 연속 반송로(2)와, 연속 반송로(2)에 의해 반송되는 피처리체(100)에 레이저광(42)을 조사하는 레이저광 조사 수단을 구비하고, 상기 연속 반송로(2)는 연속 반송로(2)의 일부로서 연속 반송로(2)의 상류측에 피처리체(100)를 반입해서 반송하는 반입 반송 반송로(2a)와, 연속 반송로(2)의 일부로서 반입 반송 반송로(2a)의 하류측에서 피처리체(100)를 반송하면서 피처리체(100)에 레이저광(42)을 조사해서 어닐 처리를 행하는 조사 영역 반송로(2b)와, 연속 반송로(2)의 일부로서 조사 영역 반송로(2b)의 하류측에서 어닐 처리를 거친 피처리체(100)를 반송하면서 반출하는 반출 반송로(2c)를 갖는다.

Description

레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법{LASER ANNEALING DEVICE, SERIAL CONVEYANCE PATH FOR LASER ANNEALING, LASER BEAM RADIATION MEANS, AND LASER ANNEALING METHOD}
본 발명은 피처리체에 레이저광을 조사해서 어닐 처리를 하는 레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법에 관한 것이다.
피처리체의 어닐 처리에 있어서는, 예를 들면 규소 기판이나 유리 기판 등에 설치된 아모퍼스 반도체에 레이저광을 조사해서 결정화하거나, 다결정의 반도체에 레이저광을 조사해서 단결정화하거나, 반도체에 레이저광을 조사해서 개질하거나, 불순물의 활성화나 안정화를 하거나 하는 어닐 처리가 행하여지고 있다.
또한, 어닐 처리의 목적은 상기에 한정되는 것은 아니고, 피처리체에 레이저광을 조사해서 열 처리를 행하는 모든 처리가 포함된다.
어닐 처리를 행하는 레이저 어닐 장치는 도 10에 나타내는 바와 같이, 처리실(30) 내에 스테이지(31)가 주사 방향을 따라 왕복 이동(X축 방향) 가능하게 배치되어 있다. 이 예에서는 질소 가스에 의한 부상 이동에 의해 스테이지(31)가 X방향으로 이동할 수 있다. 또한, 처리실(30) 내에는 프로세스시에 질소 가스 분위기로 조정되고, 레이저의 조사 위치에는 산소 농도를 더욱 낮춘 질소 가스를 피처리체 주변으로 분출해서 실드하는 밀봉부(34)를 갖고 있다.
어닐 처리시에는 도 11의 플로우도에 나타내는 바와 같이, 처리실(30)의 근방에 기판 상에 반도체막을 형성한 판 형상의 피처리체(100)를 준비하고, 처리실(30)에 설치한 게이트(35)측으로 스테이지(31)를 이동시켜서 게이트(35)를 통과해서 처리실(30) 내로 피처리체(100)를 반입하여 스테이지(31) 상에 피처리체(100)를 싣는다. 이후, 게이트(35)는 폐쇄되어 처리실(30) 내를 질소 가스 분위기로 유지한다. 스테이지(31)의 이동에 따라 피처리체(100)를 이동시키고, 그 피처리체(100)의 반도체막에 레이저광(42)을 조사함으로써 레이저광(42)을 상대적으로 주사하면서 피처리체(100)에 조사해서 어닐 처리를 한다. 또한, 스테이지(31)를 X축과 직교하는 방향(Y축 방향)이나, 스테이지(31)를 회전(θ축 회전)시킴으로써 피처리체(100)의 처리성을 높이도록 한 것도 있다.
상기 피처리체(100)의 전면에 어닐 처리를 행하면 스테이지(31)를 반입 위치까지 되돌리고, 게이트(35)를 개방하여 처리실(30) 내로부터 어닐 처리한 피처리체(100)를 인출하여 소정 위치까지 이동시킨다. 이어서, 처리실(30)의 근방에 어닐 처리가 되어 있지 않은 새로운 피처리체(100)를 준비하고, 상기와 마찬가지의 처리를 반복해서 행한다.
또한, 상기 장치에서는 반입, 반출 게이트를 1개 갖는 것에 대하여 설명했지만, 처리실의 대향벽에 각각 반입용 게이트와 반출용 게이트를 설치한 장치도 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이 장치에서는 어닐 처리를 완료한 반도체 기판은 반출용 게이트로부터 인출할 수 있다. 단, 다음 피처리체를 반입할 때에는 스테이지를 반입측으로 이동시키고, 반입측 게이트로부터 새로운 피처리체를 반입하고 있다.
상기한 바와 같이, 종래의 레이저 어닐 장치에서는 반입구로부터 1매의 피처리체를 장치 내로 반입하고, 어닐 처리 후 반출구(대개의 경우, 반입구와 동일)로부터 반출하고 있다(배치 처리).
일본 특허공개 평 09-139355호 공보
상기한 바와 같이, 피처리체의 어닐 처리는 피처리체마다의 배치 처리로 해서 행하여지고 있다. 이것은 피처리체의 이동이 피처리체를 유지한 스테이지의 이동과 함께 행하여지고 있는 것에 기인하고 있고, 장치의 구조에 의해 결정되어 있다. 이 경우, 반입·반출을 포함한 피처리체의 처리를 완료하는 것이 다음 피처리체의 처리를 개시하는 조건이 된다. 따라서, 반출입에 걸리는 시간, 장치 내를 반송하는 시간은 피처리체마다 필요하게 된다.
반출입 시간·반송 시간은 프로세스와는 무관계여서, 택트타임 향상의 관점에서 가능한 한 삭감하는 것이 요구된다. 이 반출입 시간·반송 시간은 장치에 따라 다르지만 수 십초 이상이 되고, 프로세스 시간에 대하여 수 분의 일의 시간을 요하여 생산 효율을 저하시키는 원인이 되고 있다.
본원 발명은 상기 사정을 배경으로서 이루어진 것이며, 프로세스 처리 시간 이외의 시간을 가능한 한 적게 하여 생산 효율을 높일 수 있는 레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 레이저 어닐 장치 중, 제 1 본 발명은 피처리체에 레이저광을 조사해서 어닐 처리를 하는 레이저 어닐 장치에 있어서,
상기 피처리체를 일정한 방향으로 연속적으로 반송하는 연속 반송로와,
상기 연속 반송로에 의해 반송되는 상기 피처리체에 상기 레이저광을 조사하는 레이저광 조사 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 연속 반송로에 의해 반송되는 피처리체에 대하여 레이저광을 조사해서 어닐 처리를 행할 수 있다. 처리된 피처리체는 다음 피처리체의 반입 작업에 지장이 발생하는 일 없이 반출할 수 있다.
제 2 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 1 본 발명에 있어서, 상기 레이저광이 조사되는 처리실과, 상기 연속 반송로의 상류측에 위치하고 상기 처리실에 형성된 반입구와, 상기 연속 반송로의 하류측에 위치하고 상기 처리실에 형성된 반출구를 구비하고, 상기 반입구로부터 상기 반출구에 걸쳐서 상기 연속 반송로가 위치하고 있는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에서는 반입이나 반출과 독립된 처리실 내의 연속 반송로에 의해 피처리체를 연속 반송할 수 있고, 피처리체의 안정 지지가 용이하게 되어 양호한 어닐성을 확보할 수 있다.
제 3 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 1 또는 제 2 본 발명에 있어서, 상기 연속 반송로는 상기 피처리체에 상기 레이저광이 조사되면서 상기 피처리체가 반송되는 조사 영역 반송로와, 상기 조사 영역 반송로의 상류측 및 하류측에 위치하는 반출입 반송로를 갖고,
상기 반출입 반송로는 상기 조사 영역 반송로의 반송 속도보다 큰 반송 속도로 상기 피처리체의 반송이 가능한 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 어닐 프로세스 이외의 반송을 보다 고속으로 행함으로써 반입, 반출 작업을 프로세스시의 반송 속도에 제한되지 않고 실행할 수 있어 작업성이 개선된다.
제 4 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 3 본 발명에 있어서, 상기 반출입 반송로는 반송 속도가 가변인 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 반송 시기에 따라서 반송 속도를 바꿈으로써 보다 효율적인 작업이 가능하게 된다.
제 5 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 4 본 발명에 있어서, 상기 반출입 반송로는 적어도 상기 조사 영역 반송로와 같은 반송 속도와, 그 반송 속도보다 큰 반송 속도로 반송 가능한 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 프로세스시의 반송 속도에 맞출 필요가 있는 시기에서는 이 반송 속도에서의 반송을 가능하게 하고, 기타 시기의 반송에서는 고속 반송을 할 수 있다.
제 6 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 1~제 5 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 연속 반송로가 상기 피처리체를 지지하는 지지 수단과, 상기 지지 수단에 의해 지지된 상기 피처리체를 반송 방향을 따라 이동시키는 이동 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에서는 피처리체를 지지하는 수단과 피처리체를 이동시키는 수단을 다른 구성으로 함으로써 연속 반송시의 피처리체의 안정 지지와 평탄성의 확보가 용이하게 되고, 레이저광을 조사했을 때의 초점 심도가 적정하게 유지되어 양호한 어닐성을 확보할 수 있다.
제 7 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 6 본 발명에 있어서, 상기 지지 수단이 가스의 상방 분출에 의해 상기 피처리체를 부상시켜서 지지하는 가스 부상 수단인 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 반도체 기판의 자세 제어가 용이하게 되어 반도체 기판의 안정 유지를 손상시키지 않고 이동할 수 있다.
제 8 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 7 본 발명에 있어서, 상기 가스 부상 수단이 상기 가스로서 불활성 가스를 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 피처리체의 가스 부상과 함께 분출된 불활성 가스에 의해 피처리체의 조사 영역을 불활성인 분위기로 유지하는 효과를 증장시킬 수 있다.
제 9 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 6~제 8 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 이동 수단은 상기 피처리체를 상기 연속 반송로의 하류측으로 반송한 후, 상기 연속 반송로의 상류측으로 복귀 이동이 가능한 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 이동 수단이 복귀 이동함으로써 피처리체의 연속 반송을 가능하게 한다. 이때, 이동 수단의 복귀 이동을 피처리체의 반송 속도보다 크게 함으로써 피처리체간의 간격을 작게 해서 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 이동 수단의 복귀 이동은 환상으로 이동시켜서 복귀시키는 것이어도 좋고, 또한 왕복 이동에 의해 이동시키는 것이어도 좋으며, 이동 형태는 특별히 한정되는 것은 아니다.
제 10 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 1~제 9 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 연속 반송로에 있어서 상기 레이저광이 조사되는 상기 피처리체의 표면 영역을 적어도 덮는 국소 가스를 분사하는 국소 가스 밀봉부를 갖는 것을 특징으로 한다.
제 11 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 10 본 발명에 있어서, 상기 국소 가스가 불활성 가스인 것을 특징으로 한다.
상기 각 본 발명에 의하면, 레이저광이 조사되는 영역 또는 그 주위를 청정한 환경에 둘 수 있어 처리실 전체에 대한 환경 제어를 용이하게 한다.
제 12 본 발명의 레이저 어닐 장치는 상기 제 10 또는 제 11 본 발명에 있어서, 상기 국소 가스를 제외한 분위기가 공기인 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 분위기를 용이하고 또한 저렴하게 조정할 수 있다.
제 13 본 발명의 레이저 어닐 처리용 연속 반송로는 피처리체를 일정한 방향으로 연속적으로 반송하면서 레이저 어닐 처리를 행하는 연속 반송로로서,
상기 연속 반송로의 일부로서 연속 반송로의 상류측에서 피처리체를 반입해서 반송하는 반입 반송로와,
상기 연속 반송로의 일부로서 상기 반입 반송로의 하류측에서 상기 반입 반송로를 거친 상기 피처리체를 반송하면서 상기 피처리체에 레이저광을 조사해서 어닐 처리를 행하는 조사 영역 반송로와,
상기 연속 반송로의 일부로서 상기 조사 영역 반송로의 하류측에서 상기 어닐 처리를 거친 상기 피처리체를 반송하면서 반출하는 반출 반송로를 갖는 것을 특징으로 한다.
제 14 본 발명의 레이저 어닐 처리용 연속 반송로는 상기 제 13 본 발명에 있어서, 상기 반입 반송로 및 상기 반출 반송로에 있어서의 반송 속도를 상기 조사 영역 반송로에 있어서의 반송 속도보다 크게 해서 상기 피처리체를 반송 가능한 것을 특징으로 한다.
제 15 본 발명의 레이저 어닐 처리용 연속 반송로는 상기 제 13 또는 제 14 본 발명에 있어서, 상기 연속 반송로는 적어도 상기 조사 영역 반송로에 있어서 가스의 상방 분출에 의해 상기 피처리체를 부상시키면서 반송 방향을 따라 이동시키는 것을 특징으로 한다.
제 16 본 발명의 레이저광 조사 수단은 레이저광을 출력하는 레이저 광원과, 연속 반송로에 의해 연속해서 반송되고 상기 연속 반송로의 조사 영역에 도달한 피처리체에 대하여 상기 레이저광을 안내하여 상대적으로 주사하면서 조사하는 광학계 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저광 조사 수단.
제 17 본 발명의 레이저 어닐 처리 방법은 피처리체를 일정 방향으로 연속적으로 반송하는 연속 반송로에 의해 상기 피처리체를 반송하면서 상기 피처리체에 레이저광을 조사하여 어닐 처리를 행하는 레이저 어닐 처리 방법으로서,
상기 연속 반송로의 일부로서 연속 반송로의 상류측에서 피처리체를 반입해서 반송하는 반입 반송 공정과,
상기 연속 반송로의 일부로서 상기 반입 반송 공정이 행하여진 연속 반송로의 하류측에서 상기 피처리체를 반송하면서 상기 레이저광을 조사하여 어닐 처리를 행하는 어닐 처리 공정과,
상기 연속 반송로의 일부로서 상기 어닐 처리가 행하여진 연속 반송로의 하류측에서 상기 피처리체를 반송하면서 반출하는 반출 반송 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
제 18 본 발명의 레이저 어닐 처리 방법은 상기 제 17 본 발명에 있어서, 상기 반입 반송 공정 및 상기 반출 반송 공정에 있어서의 상기 연속 반송로의 반송 속도를 상기 어닐 처리 공정에 있어서의 상기 연속 반송로의 반송 속도보다 크게 해서 반송 가능한 것을 특징으로 한다.
제 19 본 발명의 레이저 어닐 처리 방법은 상기 제 17 또는 제 18 본 발명에 있어서, 상기 각 공정 중, 적어도 상기 어닐 처리 공정에서 가스의 상방 분출에 의해 상기 피처리체를 부상시키면서 반송 방향을 따라 이동시키는 것을 특징으로 한다.
(발명의 효과)
상기 본 발명에 의하면, 피처리체의 어닐 처리 프로세스 이외의 시간을 최대한 작게 해서 생산성을 대폭 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 있어서의 레이저 어닐 장치의 개략을 나타내는 정면 단면도이다.
도 2는 마찬가지로, 처리실 내의 평면 개략도(A도) 및 일부를 확대한 정면도(B도)이다.
도 3은 마찬가지로, 레이저 어닐 처리의 플로우도이다.
도 4는 마찬가지로, 흡착부의 동작을 상세하게 나타낸 플로우도이다.
도 5는 마찬가지로, 프로세스시의 사시도이다.
도 6은 종래예에 있어서의, 동작시의 레이저 발진과 반출입의 타임 차트를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시형태에 있어서의, 동작시의 레이저 발진과 반출입의 타임 차트를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시형태에 있어서의 프로세스시의 사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서의 평면도 및 측면도를 나타내는 도면이다.
도 10은 종래의 레이저 어닐 장치의 동작을 설명하는 도면이다.
도 11은 마찬가지로, 레이저 어닐 처리의 플로우도이다.
이하에, 본 발명의 일실시형태를 첨부 도면에 의거하여 설명한다.
도 1은 레이저 어닐 장치의 개략을 나타내는 것이며 (A)도에서는 처리실을 확대해서 나타내고, (B)도에서는 시스템 전체의 개략을 나타내고 있다. 이 실시형태에서는 피처리체(100)로서 유리 기판 상에 반도체막이 형성된 것을 처리 대상으로 한다.
처리실(1)은 도 1에 나타내는 바와 같이 직육면체형상의 벽부를 갖고, 장척 방향의 대향벽에 반입구(1a)(도시 좌측)와 반출구(1b)(도시 우측)가 각각 형성되어 있다. 반입구(1a), 반출구(1b)는 개방된 것이어도 좋고, 또한 개폐 가능한 구성으로 할 수 있다. 개폐 가능한 구성으로서는 간이한 밀봉 구조로 하는 것도 가능하다. 또한, 반입구와 반출구는 연속 반송로의 일정한 반송 방향을 따라 갖는 것이면 좋고, 설치 위치가 특정한 것에 한정되는 것은 아니다.
처리실(1) 내에는 반입구(1a) 내측으로부터 반출(1b) 내측에 걸쳐서 연속 반송로(2)가 설치되어 있다. 연속 반송로(2)에는 가스 부상 장치(20)가 배치되어 있다. 가스 부상 장치(20)는 하방으로부터 상방을 향해서 가스를 분출하여 상방의 피처리체(100)를 부상 지지하는 것이며, 본 발명의 가스 부상 수단, 즉 지지 수단에 상당한다.
또한, 가스 부상 장치(20)는 도시하지 않은 분출 위치를 복수 가짐으로써 피처리체(100)의 자세, 휨 등을 조정할 수 있다.
또한, 가스 부상 장치(20)의 양측에는 도 2에 나타내는 바와 같이 길이 방향을 따라 가이드(28, 29)가 배치되어 있고, 가이드(28, 29)에는 가이드를 따라 각각 이동 가능한 슬라이드부(21, 25)가 설치되어 있다. 슬라이드부(21, 25)는 그 위치에 따라 이동 속도를 변경할 수 있다. 슬라이드부(21, 25) 상에는 길이 방향으로 위치를 바꿔서 상하로 위치 조정이 가능한 복수의 승강부(22, 26)가 설치되어 있다. 이 예에서는 각 슬라이드부(21, 25)에 각각 2개의 승강부(22, 22) 및 승강부(26, 26)를 갖고 있다. 복수의 승강부(22, 22) 또는 승강부(26, 26)에서는 서로의 상승 위치를 바꿔서 피처리체(100)의 지지 상태를 조정할 수 있도록 해도 좋다.
승강부(22, 26) 상에는 흡착부(23, 27)를 갖고 있어, 가스 부상 장치(20)에 의해 부상하고 있는 피처리체(100)를 흡착한다. 가이드(28), 슬라이드부(21), 승강부(22), 흡착부(23) 및 가이드(29), 슬라이드부(25), 승강부(26), 흡착부(27)는 이것들이 협동해서 본 발명의 이동 수단을 구성한다.
상기에 있어서의 가스 부상 장치(20)와, 가이드(28), 슬라이드부(21), 승강부(22), 흡착부(23) 및 가이드(29), 슬라이드부(25), 승강부(26), 흡착부(27)는 본 발명의 연속 반송로(2)를 구성하고 있다.
또한, 이 실시형태에서는 연속 반송로(2)가 처리실(1) 내에 걸쳐서 설치되어 있는 것으로서 설명했지만, 처리실(1) 밖으로 연속 반송로(2)가 신장되어 있는 것이어도 좋다. 또한, 처리실(1)이 본 발명으로서 필수로 되는 것은 아니다.
처리실(1)의 외부에는 도 1에 나타내는 바와 같이, 레이저광을 출력하는 레이저 광원(40)을 갖고 있다. 본 발명으로서는 레이저광의 종별은 특별히 한정되는 것은 아니고, 또한 연속파, 펄스파 중 어느 것이라도 좋다. 레이저광의 광로에는 미러, 렌즈 등에 의해 구성되는 광학계 부재(41)가 배치되어 있고, 이 예에서는 라인빔 형상으로 한 레이저광(42)이 처리실(1) 내로 도입되어서 연속 반송로(2) 상의 피처리체(100)에 조사된다. 레이저 광원(40), 광학계 부재(41)는 본 발명의 레이저광 조사 수단을 구성한다.
또한, 연속 반송로(2)에서는 반송시에 피처리체(100)의 반송 방향 선단이 레이저광(42)의 조사 위치에 도달하는 위치부터 피처리체(100)의 반송 방향 후단이 레이저광(42)의 조사 위치로부터 벗어나기 직전의 위치까지가 조사 영역으로 되어 있고, 도 1에 나타내는 바와 같이 이 사이의 연속 반송로(2)의 일부가 조사 영역 반송로(2b)를 구성한다. 조사 영역 반송로(2b)의 상류측에 있는 연속 반송로(2)의 일부가 반입 반송로(2a)를 구성하고, 조사 영역 반송로(2b)의 하류측에 있는 연속 반송로(2)의 일부가 반출 반송로(2c)를 구성하고 있다. 또한, 도 1에서는 도시 좌측의 경계선은 피처리체(100)의 후단측이 기준이 되고, 도시 우측의 경계선은 피처리체(100)의 선단측이 기준이 된다. 또한, 조사 영역 반송로는 상기 반송로의 범위를 적어도 포함하는 것으로 하고, 이것보다 넓은 반송로의 범위를 조사 영역 반송로로 해도 좋다.
조사 영역 반송로(2b)에서는 프로세스 처리에 있어서의 반송 속도로 피처리체(100)가 이동할 필요가 있고, 상기한 이동 수단은 프로세스 처리에 있어서의 주사 속도에 따른 반송 속도로 이동한다. 또한, 레이저광(42)의 조사 위치를 변경할 수 있는 구성의 경우, 이동 수단에 의한 반송 속도는 레이저광(42)의 조사 위치를 포함해서 레이저광(42)이 상대적으로 주사 속도로 이동하도록 반송 속도를 결정한다.
반입 반송로(2a) 및 반출 반송로(2c)에서는 조사 영역 반송로(2b)보다 고속으로 피처리체(100)가 이동할 수 있고, 이 동안에 상기 이동 수단을 상대적으로 고속으로 이동시킬 수 있다. 또한, 반입 반송로(2a) 및 반출 반송로(2c)에서는 조사 영역 반송로(2b)에 근접하는 범위에서는 반송 간격의 조정 또는 레이저광의 조사에 대비하는 등 하기 위해서, 조사 영역 반송로(2b)와 같은 속도로 피처리체(100)를 반송하도록 해도 좋다.
또한, 레이저 어닐 장치(1)에는 도 1의 B에 나타내는 바와 같이 처리실(1)의 반입구(1a)측에 연통되도록 반입실(10)이 인접되어 있고, 반입실(10)의 실내는 밀폐 가능하게 되어 있다. 반입실(10)에서는 어닐 처리 전의 복수의 피처리체(100)가 수용되는 수용실(11)과, 수용실(11)로부터 인출된 피처리체(100)를 세정하는 세정부(12)와, 세정부(12)에 의해 세정된 피처리체(100)를 반입구(1a)를 통과해서 처리실(1)로 소정 간격을 두고 연속해서 반입 가능한 반입 장치(13)를 갖고 있다. 피처리체(100)를 반입할 때의 소정 간격은 선행하는 피처리체(100)와 겹쳐지지 않고 반입시에 간섭하지 않는 것이면 좋고, 특정 범위에 한정되는 것은 아니다. 또한, 반도체 기판끼리로 소정 간격을 다른 것으로 해도 좋다.
상기 수용실(11)의 수용 방법은 특별하게 한정되는 것은 아니고, 세로 배치, 가로 배치 등 적당한 방법으로 피처리체(100)를 수용할 수 있으면 좋다. 세정부는 배치식, 매엽식 중 어느 것이라도 좋고, 세정 방법은 웨트 세정, 드라이 세정 또는 이것들이 복합된 어느 것이라도 좋다.
또한, 처리실(1)의 반출구(1b)측에 반출실(15)이 인접되어 있고, 반출실(15)의 실내는 반출구(1b)에 연통해서 밀폐 가능하게 되어 있다.
반출실(15) 내에는 처리실(1)의 연속 반송로로부터 어닐 처리가 완료된 피처리체(100)를 연속해서 인출하는 반출 장치(14)가 설치되어 있다.
또한, 처리실(1) 내에는 처리실(1) 외부로부터 공기를 받아들여서 처리실(1) 내로 공기를 분출하는 공기 송출부(4, 5)가 각각 반입구(1a), 반출구(1b)에 근접해서 설치되어 있다.
또한, 레이저광(42)이 조사되는 영역의 상방에는 레이저광 조사 영역 및 그 주위를 덮는 국소 가스를 하방으로 분사하는 국소 가스 밀봉부(3)를 갖고 있다. 또한, 국소 가스의 분사 영역은 적어도 레이저광이 조사되는 영역을 포함하는 것을 전제로 하여, 적당한 범위를 정할 수 있다.
또한, 이 예에서는 국소 가스로서 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스가 사용되고 있다. 또한, 레이저광(42)은 국소 가스 밀봉부(3) 내를 통과해서 피처리체(100)에 조사된다.
또한, 가스 부상 장치(20)에서는 적어도 국소 가스 밀봉부(3)와 동등 범위에서는 부상 가스로서 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 이 범위 이외에서는 부상 가스로서 저렴한 공기 등을 사용하도록 해도 좋다.
이어서, 상기 레이저 어닐 장치를 사용한 레이저 어닐 처리에 대해서 도 1~4를 참조하면서 설명한다.
수용실(11) 내에는 복수의 피처리체(100)가 수용되어서 공급 가능하게 되어 있다. 또한, 수용실(11)에는 레이저 어닐 처리 중에 새로운 피처리체(100)를 보충할 수 있도록 해도 좋다. 또한, 도 3, 4에서는 처리실에 순차 반입되는 피처리체를 구별하기 위해서, 반입순으로 피처리체 100a, 100b, 100c로 표시하고 있다.
수용실(11) 내의 피처리체(100)는 세정부(12)에 있어서 배치식 또는 매엽식에 의해 웨트 또는 드라이에서의 세정이 행하여진다. 처리실(1)에서는 연속 반송로(2)에 있어서 가스 부상 장치(20)에 의해 가스 분사 또는 가스 분사의 준비가 행하여지고, 슬라이드부(21), 슬라이드부(25) 중 적어도 한쪽을 가이드(28) 또는 가이드(29)를 따라 반입구(1a) 측으로 이동시켜 둔다.
한편, 레이저 광원(40)에서는 레이저광을 출력하고, 광학계 부재(41)에 의해 라인빔을 생성한다. 대기 상태에서는 레이저광(42)은 광학계 부재(41) 내의 일부 부재에 의해 처리실(1) 내에 빔을 조사하지 않고, 처리실 밖의 적당한 개소로 퇴피시킨다.
우선, 도 3에 의해 피처리체(100a, 100b)의 이동을 간략하게 설명한다.
반입실(10)에서는 세정부(12)에 의해 세정된 피처리체(100a)를 반입구(1a)로부터 처리실(1) 내로 반입하고, 연속 반송로(2)의 반입 반송로(2a)에 의해 상대적으로 고속으로 반송한다. 피처리체(100)가 레이저광(42)의 조사 영역에 도달하면, 연속 반송로(2)의 조사 영역 반송로(2b)에 의해 피처리체(100)가 소정의 반송 속도(비교적 저속)로 반송되면서 처리실(1) 내에 도입된 레이저광(42)이 표면에 조사된다. 피처리체(100a)가 조사 영역을 통과함으로써 피처리체(100a)에 대하여 레이저광(42)이 상대적으로 주사되어서, 피처리체(100a)의 소정 영역이 어닐 처리된다. 어닐 처리된 피처리체(100)는 조사 영역 반송로(2b)를 벗어나서 연속 반송로(2)의 반출 반송로(2c)에 의해 상대적으로 고속으로 반출구(1b) 근방까지 반송되고, 반출 장치(14)에 의해 즉시 처리실(1)로부터 반출실(15)로 반출된다.
또한, 상기 프로세스시에 다음 피처리체(100b)가 피처리체(100a)의 어닐 처리 중에 처리실(1) 내로 반입되어서 반입 반송로(2a)에 의해 고속으로 반송되어, 피처리체(100a)와 소정 간격을 갖고 조사 영역 반송로(2b)에 도달한다. 피처리체(100b)는 조사 영역 반송로(2b)에서 상기와 마찬가지로 소정 속도로 반송되면서 어닐 처리된다. 어닐 처리가 종료되면 상기와 마찬가지로 반출 반송로(2c)를 통과해서 상대적으로 고속으로 반송되고, 반출 장치(14)에 의해 처리실(1)로부터 반출실(15)로 반출된다. 도면에는 나타내고 있지 않지만, 이후 마찬가지로 해서 새로운 반도체 기판을 처리실(1) 내로 반입해서 연속된 처리를 행하는 것이 가능하게 된다.
이어서, 연속 반송로(2)에 있어서의 동작을 도 2 및 도 4에 의거하여 설명한다.
초기 상태에서는 가이드(28, 29)를 따라 슬라이드부(21, 25)는 반입구(1a)측의 초기 위치에 위치하고 있다. 피처리체(100a)에 대해서는 가이드(28)측의 이동 수단이 동작하는 것으로 해서 설명한다.
피처리체(100a)가 처리실(1)에 반입되면, 승강부(22)가 적당한 위치로 상승하여 흡착부(23)에 의해 피처리체(100a)의 이면측을 흡착한다. 슬라이드부(21)에서는 흡착부(23)에 의해 피처리체(100a)의 흡착이 이루어지면, 미리 정한 속도로 반출구(1b)측으로 이동한다. 이것에 의해, 피처리체(100a)가 연속 반송로(2)를 따라 이동한다. 이동 속도는 반입 반송로(2a) 및 반출 반송로(2c)에서는 비교적 고속으로 이동하고, 조사 영역 반송로(2b)에서는 프로세스시의 주사 속도에 따라 비교적 저속으로 이동한다.
피처리체(100a)는 조사 영역 반송로(2b)에서 레이저광(42)이 상대적으로 주사되면서 조사되어, 피처리체(100a)의 필요 영역이 어닐 처리된다. 어닐 처리된 후의 피처리체(100a)는 연속 반송로(2)에 의해 반출구(1b) 근방까지 반송되면, 흡착부(23)에 의한 흡착을 해제하고 승강부(22)를 하강시킨다. 피처리체(100a)는 상기한 바와 같이 반출 장치(14)에 의해 즉시 처리실(1)로부터 반출실(15)로 반출된다.
이때, 슬라이드부(21)는 가이드(28)를 따라 반입구(1a)측의 초기 위치로 왕복 이동에 의해 복귀 이동하고, 후의 반도체 기판의 유지에 사용된다. 복귀 이동시의 이동 속도는 피처리체를 반송할 때의 속도보다 고속으로 이동시켜서 다음 피처리체에 대비한다.
또한, 이들 일련의 동작시에 다음 피처리체(100b)가 처리실(1) 내로 반입되면, 가스 부상 장치(20)에 의해 공기 부상됨과 아울러 슬라이드부(25) 상의 승강부(26)를 적당한 높이로 승강시키고, 흡착부(27)에 의해 피처리체(100b)를 이면측으로부터 흡착하여 캔틸레버 상태로 한다. 슬라이드부(25)에서는 흡착부(27)에 의해 피처리체(100b)의 흡착이 이루어지면, 상기와 마찬가지로 미리 정한 속도로 반출구(1b)측으로 이동시킨다. 이것에 의해 피처리체(100b)가 연속 반송로(2)를 따라 이동하고, 레이저광(42)에 의해 어닐 처리된다. 어닐 처리된 피처리체(100b)는 연속 반송로(2)에 의해 반출구(1b) 근방까지 반송되고, 흡착부(27)에 의한 흡착을 해제하고 승강부(26)를 하강시켜서 반출 장치(14)에 의해 즉시 처리실(1)로부터 반출실(15)로 반출된다.
슬라이드부(25)는 가이드(29)를 따라 반입구(1a)측의 초기 위치로 왕복 이동에 의해 복귀 이동하고, 후의 피처리체의 유지에 사용된다. 복귀 이동시의 이동 속도는 피처리체를 반송할 때의 속도보다 고속으로 이동시켜서 다음 피처리체에 대비한다.
다음 피처리체는 처리실(1) 내로 반입된 후, 슬라이드부(21)측의 흡착부(23)에 의해 흡착되어서 반출구(1b)측으로 반송된다. 상기 순서를 반복함으로써, 도 5에 나타내는 바와 같이 피처리체(100a, 100b)를 연속적으로 처리실 내로 반입하여 어닐 처리, 반출 처리를 행할 수 있다.
상기 각 동작은 도시하지 않은 제어부에 의해 제어할 수 있고, 반입 장치, 반출 장치와 이동 수단을 동기시키면서 제어부에 의해 동작을 제어할 수 있다. 제어부는 CPU와 이것에 소정 동작을 실행시키는 프로그램, 동작 파라미터를 기억한 기억부 등에 의해 구성할 수 있다.
종래, 어닐 처리에 대하여 반도체 기판의 반입, 반출에 필요로 하는 시간은 어닐 처리 시간의 약 1/4이다. 본건 실시형태에서는 반입, 반출에 필요로 하는 시간을 거의 제로로 함으로써 생산성은 약 25% 향상되게 된다.
상기한 바와 같이, 이동 수단을 복수 설치하고 각각 시기를 달리해서 이동 동작함으로써 복수의 피처리체를 대기시키지 않고 효율적으로 반송하는 것이 가능하게 된다.
본원 발명에서는 상기한 바와 같이 효율적인 처리가 가능하게 되지만, 레이저광의 발진 동작에 있어서도 효율이 향상되는 효과가 있다.
도 6은 종래의 장치에 있어서의 레이저 광원의 발진 동작을 나타내는 것이다. 조사 프로세스 동안에는 처리실 내로의 반도체 기판의 반입 처리 및 반출 처리를 필요로 하고 있다.
레이저 발진에서는 안정적으로 운용하기 위해서, 연속된 발진 상태를 유지시킬 필요가 있다. 따라서, 반송 시간 등 생산에 기여하지 않는 시간에도 레이저는 계속해서 발진해야 한다. 이 때문에, 레이저 어닐 장치에서는 레이저 발진을 계속하고, 필요시에 광학계 부재를 통해서 레이저광(42)을 처리실(1) 내로 도입하고 있다. 한편으로, 엑시머 레이저 등에 내측 밀봉된 가스는 레이저의 발진 횟수에 따라 열화되기 때문에 가스는 정기적으로 교환해야 한다.
도 6의 종래예에서는 조사 프로세스 동안에 반입, 반출의 시간을 필요로 하고 그 동안에도 레이저 광원의 발진이 계속되기 때문에, 쓸데없는 발진이 많아져서 생산성이 나쁘다.
도 7은 본 실시형태의 타임 차트를 나타내는 것이며 3개의 기판을 처리하는 예를 나타내고 있지만, 반도체 기판의 반출, 반입을 다른 반도체 기판의 조사 프로세스 중에 거의 행할 수 있어, 쓸데없는 발진 시간을 최대한 작게 해서 생산성을 높일 수 있다.
또한, 상기 각 실시형태에서는 레이저광의 장척폭이 기판 한 변 길이일 경우에 대하여 설명했다. 따라서, 반도체 기판을 하나의 방향으로 이동시킴으로써 레이저광을 상대적으로 주사해서 어닐 처리를 완료할 수 있다. 그러나, 레이저광 장척폭이 기판의 한 변 길이에 도달하지 않을 경우도 있다.
이하에서는 레이저광 장척폭이 기판의 1/2변 길이일 경우에 대해서 도 8에 의거하여 설명한다.
처리실(1) 내에서는 하나의 방향으로 반도체 기판을 반송하는 연속 반송로(200a)와, 이것과 반대 방향으로 반도체 기판을 반송하는 연속 반송로(200b)가 병설되어 있다. 이 예에서는 연속 반송로(200a)의 반송 방향 상류측에 반입구(1a)를 갖고 있다. 연속 반송로(200a)의 반송 방향 하류측에 연속 반송로(200b)의 반송 방향 상류측이 위치하고 있고, 연속 반송로(200b)의 반송 방향 하류측에 반출구(1b)가 위치하고 있다. 연속 반송로(200a)의 반송 방향 하류측과 연속 반송로(200b)의 반송 방향 상류측 사이에는 양쪽 반송로를 건너질러서 피처리체를 반송하는 연속 반송로를 갖고 있다. 또한, 이 실시형태에서는 처리실(1)로 반입되는 피처리체(100)를 구별하기 위해서, 그 순으로 피처리체 100a, 100b, 100c, 100d로 표시하고 있다.
연속 반송로(200a) 상에는 반입된 피처리체(100)의 반송 방향을 기준으로 해서 좌측에 레이저광(42a)이 조사된다. 레이저광(42a)의 조사 영역 상방에는 레이저광(42a)의 조사 영역 및 그 주위에 질소 가스 등을 분사해서 밀봉하는 국소 가스 밀봉부(3a)가 설치되어 있다.
연속 반송로(200b) 상에는 반입된 피처리체(100)의 반송 방향을 기준으로 해서 우측에 레이저광(42b)이 조사된다. 레이저광(42b)의 조사 영역 상방에는 레이저광(42b)의 조사 영역 및 그 주위에 질소 가스 등을 분사해서 밀봉하는 국소 가스 밀봉부(3b)가 설치되어 있다.
도면 중에서, 도시하지 않은 반입 장치에 의해 반입구(1a)에 최초로 반입된 피처리체(100a)는 도면 중의 피처리체(100d)와 마찬가지로 연속 반송로(200a)에 의해 반송되고, 국소 가스 밀봉부(3a)에 의해 국소 가스가 분사되어서 밀봉되면서 레이저광(42a)이 조사되어, 반송 방향 좌측이 어닐 처리된다. 피처리체(100a)는 도면 중의 피처리체(100c)와 마찬가지로 반송로(2a)의 반송 방향 하류단에 도달하고, 도면 중의 피처리체(100b)와 마찬가지로 연속 반송로(200b)의 반송 방향 상류측으로 반송되고, 연속 반송로(200b)에 의해 하류측으로 반송된다.
연속 반송로(200b)를 반송되는 피처리체(100a)는 국소 가스 밀봉부(3b)에 의해 국소 가스가 분사되어서 레이저광 조사 영역 및 그 주변이 밀봉되면서 피처리체(100a)에 레이저광(42b)이 조사되어, 반송 방향 우측이 어닐 처리된다. 연속 반송로(200a) 상에서의 어닐 처리와 연속 반송로(200b) 상에서의 어닐 처리에 의해, 피처리체(100a)의 필요한 영역이 어닐 처리되게 된다.
피처리체(100a)는 도 8에 나타내는 바와 같이, 연속 반송로(200b)의 반송 방향 하류단에 도달하여, 도시하지 않은 반출 장치에 의해 반출구(1b)를 통과해서 처리실(1) 밖으로 반출된다.
상기 순서에 의해, 피처리체(100b, 100c, 100d)가 순차적으로 반입, 반송되어서 연속해서 어닐 처리가 행하여진다. 레이저광 장척폭이 반도체 기판의 한 변 길이에 도달하지 않을 경우에도 기판의 가로폭 전반에 걸쳐 어닐 처리를 행할 수 있다.
또한, 연속 반송로가 2개의 반송로에서 기판의 한 변 길이를 전부 처리할 수 없는 경우에는, 연속 반송로의 병주수를 늘려서 마찬가지로 대응할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 피처리체의 방향을 바꾸지 않고 연속 반송로(200a)를 연속 반송로(200b)에 걸치도록 했지만, 피처리체의 방향을 바꿔서 반송하도록 해도 좋다.
상기 각 실시형태에서는 연속 반송로가 전체 길이에 걸쳐서 가스 부상 장치를 구비하는 것에 대하여 설명했지만, 본 발명으로서는 가스 부상 장치를 구비하는 것을 필수로 되는 것은 아니고, 또한 연속 반송로의 일부, 예를 들면 조사 영역 반송로(2b)에서만 가스 부상을 행하도록 해도 좋다.
도 9는 이 실시형태의 연속 반송로(2d)를 나타내는 것이다. 반입 반송로(2a) 및 반출 반송로(2c)에서는, 예를 들면 반송 방향과 직교하는 방향으로 회전축을 갖는 유동 상태의 회전 롤러(20a)를 반송 방향으로 간격을 두고 배치하여 피처리체의 지지를 가능하게 한다. 따라서, 회전 롤러(20a)는 본 발명의 지지 수단을 구성한다. 회전 롤러(20a)는 회전 구동되는 것으로 하는 것도 가능하지만, 상기한 이동 수단을 별도로 갖는 것이 바람직하다.
반입 반송로(2a)에 반입된 피처리체는 회전 롤러(20a)에 의해 지지되고, 이동 수단에 의해 반송 방향으로 이동한다. 피처리체는 조사 영역 반송로(2b)에 도달하면 가스 부상 장치(20)에 의해 지지되고, 그 후 반출 반송로(2c)에 도달하면 반입 반송로(2a)와 마찬가지로 회전 롤러(20a)에 의해 지지되면서 이동 수단에 의해 반송된다.
피처리체의 지지는 조사 영역 반송로(2b) 이외에서는 조사 영역 반송로(2b) 정도로는 안정된 지지나 평탄성이 요구되지 않으므로, 조사 영역 반송로(2b)에 있어서의 피처리체의 지지와는 다른 구성으로 피처리체를 지지하도록 해도 좋다.
이상, 본 발명에 대해서 상기 실시형태에 의거하여 설명을 행하였지만, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한은 적당한 변경이 가능하다.
1 : 처리실 2 : 연속 반송로
2a : 반입 반송로 2b : 조사 영역 반송로
2c : 반출 반송로 2d : 연속 반송로
3 : 국소 가스 밀봉부 4 : 공기 송출부
5 : 공기 송출부 10 : 반입실
11 : 수납실 12 : 세정부
13 : 반입 장치 14 : 반출 장치
15 : 반출실 20 : 가스 부상 장치
20a : 회전 롤러 21 : 슬라이드부
22 : 승강부 23 : 흡착부
25 : 슬라이드부 26 : 승강부
27 : 흡착부 40 : 레이저 광원
41 : 광학계 부재 42 : 레이저광
100, 100a, 100b, 100c, 100d : 피처리체

Claims (19)

  1. 피처리체에 레이저광을 조사해서 어닐 처리를 하는 레이저 어닐 장치에 있어서,
    상기 피처리체를 일정한 방향으로 연속적으로 반송하는 연속 반송로와,
    상기 연속 반송로에 의해 반송되는 상기 피처리체에 상기 레이저광을 조사하는 레이저광 조사 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저광이 조사되는 처리실과,
    상기 연속 반송로의 상류측에 위치하고 상기 처리실에 형성된 반입구와,
    상기 연속 반송로의 하류측에 위치하고 상기 처리실에 형성된 반출구를 구비하고,
    상기 반입구로부터 상기 반출구에 걸쳐서 상기 연속 반송로가 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 연속 반송로는 상기 피처리체에 상기 레이저광이 조사되면서 상기 피처리체가 반송되는 조사 영역 반송로와, 상기 조사 영역 반송로의 상류측 및 하류측에 위치하는 반출입 반송로를 갖고,
    상기 반출입 반송로는 상기 조사 영역 반송로의 반송 속도보다 큰 반송 속도로 상기 피처리체의 반송이 가능한 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 반출입 반송로는 반송 속도가 가변인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반출입 반송로는 적어도 상기 조사 영역 반송로와 같은 반송 속도와, 그 반송 속도보다 큰 반송 속도로 반송 가능한 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연속 반송로는 상기 피처리체를 지지하는 지지 수단과, 상기 지지 수단에 의해 지지된 상기 피처리체를 반송 방향을 따라 이동시키는 이동 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지 수단은 가스의 상방 분출에 의해 상기 피처리체를 부상시켜서 지지하는 가스 부상 수단인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스 부상 수단은 상기 가스로서 불활성 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이동 수단은 상기 피처리체를 상기 연속 반송로의 하류측으로 반송한 후, 상기 연속 반송로의 상류측으로 복귀 이동이 가능한 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연속 반송로에 있어서 상기 레이저광이 조사되는 상기 피처리체의 표면 영역을 적어도 덮는 국소 가스를 분사하는 국소 가스 밀봉부를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 국소 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 국소 가스를 제외한 분위기는 공기인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 장치.
  13. 피처리체를 일정한 방향으로 연속적으로 반송하면서 레이저 어닐 처리를 행하는 연속 반송로로서,
    상기 연속 반송로의 일부로서 연속 반송로의 상류측에서 피처리체를 반입해서 반송하는 반입 반송로와,
    상기 연속 반송로의 일부로서 상기 반입 반송로의 하류측에서 상기 반입 반송로를 거친 상기 피처리체를 반송하면서 상기 피처리체에 레이저광을 조사해서 어닐 처리를 행하는 조사 영역 반송로와,
    상기 연속 반송로의 일부로서 상기 조사 영역 반송로의 하류측에서 상기 어닐 처리를 거친 상기 피처리체를 반송하면서 반출하는 반출 반송로를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리용 연속 반송로.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반입 반송로 및 상기 반출 반송로에 있어서의 반송 속도를 상기 조사 영역 반송로에 있어서의 반송 속도보다 크게 해서 상기 피처리체를 반송 가능한 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리용 연속 반송로.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 연속 반송로는 적어도 상기 조사 영역 반송로에 있어서 가스의 상방 분출에 의해 상기 피처리체를 부상시키면서 반송 방향을 따라 이동시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리용 연속 반송로.
  16. 레이저광을 출력하는 레이저 광원과, 연속 반송로에 의해 연속해서 반송되고 상기 연속 반송로의 조사 영역에 도달한 피처리체에 대하여 상기 레이저광을 안내하여 조사하는 광학계 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저광 조사 수단.
  17. 피처리체를 일정 방향으로 연속적으로 반송하는 연속 반송로에 의해 상기 피처리체를 반송하면서 상기 피처리체에 레이저광을 조사해서 어닐 처리를 행하는 레이저 어닐 처리 방법으로서,
    상기 연속 반송로의 일부로서 연속 반송로의 상류측에서 피처리체를 반입해서 반송하는 반입 반송 공정과,
    상기 연속 반송로의 일부로서 상기 반입 반송 공정이 행하여진 연속 반송로의 하류측에서 상기 피처리체를 반송하면서 상기 레이저광을 조사해서 어닐 처리를 행하는 어닐 처리 공정과,
    상기 연속 반송로의 일부로서 상기 어닐 처리가 행하여진 연속 반송로의 하류측에서 상기 피처리체를 반송하면서 반출하는 반출 반송 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 반입 반송 공정 및 상기 반출 반송 공정에 있어서의 상기 연속 반송로의 반송 속도를 상기 어닐 처리 공정에 있어서의 상기 연속 반송로의 반송 속도보다 크게 해서 반송 가능한 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리 방법.
  19. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 각 공정 중, 적어도 상기 어닐 처리 공정에서 가스의 상방 분출에 의해 상기 피처리체를 부상시키면서 반송 방향을 따라 이동시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리 방법.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6018659B2 (ja) * 2015-02-27 2016-11-02 株式会社日本製鋼所 雰囲気形成装置および浮上搬送方法
JP6215281B2 (ja) * 2015-10-27 2017-10-18 株式会社日本製鋼所 被処理体搬送装置、半導体製造装置および被処理体搬送方法
JP6887234B2 (ja) 2016-09-21 2021-06-16 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6764305B2 (ja) 2016-10-04 2020-09-30 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法
JP6754266B2 (ja) * 2016-10-14 2020-09-09 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6968243B2 (ja) * 2016-10-14 2021-11-17 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP2018085472A (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 株式会社ブイ・テクノロジー レーザアニール装置
JP6775449B2 (ja) * 2017-03-16 2020-10-28 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6829118B2 (ja) 2017-03-16 2021-02-10 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP7083645B2 (ja) * 2018-01-11 2022-06-13 Jswアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置、レーザ処理方法及び半導体装置の製造方法
JP7120833B2 (ja) 2018-07-10 2022-08-17 Jswアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置
CN110047781B (zh) * 2019-03-14 2021-08-24 云谷(固安)科技有限公司 激光退火设备及激光退火方法
JP7306860B2 (ja) 2019-04-11 2023-07-11 Jswアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置
JP7095166B2 (ja) * 2020-08-21 2022-07-04 Jswアクティナシステム株式会社 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP7159363B2 (ja) * 2021-01-21 2022-10-24 Jswアクティナシステム株式会社 レーザ照射装置
WO2023199485A1 (ja) * 2022-04-14 2023-10-19 Jswアクティナシステム株式会社 搬送装置、移載方法、搬送方法、及び半導体装置の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09139355A (ja) 1995-11-16 1997-05-27 Japan Steel Works Ltd:The レーザーアニール処理装置
JPH09171971A (ja) * 1995-12-21 1997-06-30 Japan Steel Works Ltd:The レーザーアニール処理装置
JP2008153261A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Mitsubishi Electric Corp レーザアニール装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4370175A (en) * 1979-12-03 1983-01-25 Bernard B. Katz Method of annealing implanted semiconductors by lasers
JPS6218721A (ja) * 1985-07-17 1987-01-27 Fujitsu Ltd 連続処理装置
JP3249606B2 (ja) * 1992-11-06 2002-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー処理方法並びに半導体素子およびその作製方法
JP2000021774A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多結晶シリコン薄膜の製造方法
JP4974416B2 (ja) * 2001-01-30 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザアニール装置
JP2003163164A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Sharp Corp 結晶性半導体薄膜及びその形成方法
JP2004103628A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Hitachi Ltd レーザアニール装置及びtft基板のレーザアニール方法
JP4610178B2 (ja) * 2002-11-15 2011-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2005026554A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4159433B2 (ja) * 2003-09-08 2008-10-01 三菱電機株式会社 レーザアニーリング装置
JP5078460B2 (ja) * 2007-06-28 2012-11-21 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
WO2011095560A2 (de) * 2010-02-03 2011-08-11 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung des scheibenförmigen grundmaterials einer solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen silizium-solarzelle
JP5408678B2 (ja) * 2011-11-07 2014-02-05 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09139355A (ja) 1995-11-16 1997-05-27 Japan Steel Works Ltd:The レーザーアニール処理装置
JPH09171971A (ja) * 1995-12-21 1997-06-30 Japan Steel Works Ltd:The レーザーアニール処理装置
JP2008153261A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Mitsubishi Electric Corp レーザアニール装置

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Publication number Publication date
JP6560198B2 (ja) 2019-08-14
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WO2015174347A1 (ja) 2015-11-19

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