JP6887234B2 - レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 177
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 171
- 238000005339 levitation Methods 0.000 claims description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
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- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0732—Shaping the laser spot into a rectangular shape
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
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- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
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- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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-
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Description
まず、比較例にかかるレーザ照射装置について説明する。
図1は、比較例にかかるレーザ照射装置を説明するための平面図である。図2は、図1に示すレーザ照射装置の切断線II−IIにおける断面図である。図1、図2に示すように、レーザ照射装置101は、浮上ユニット110、搬送ユニット111、及びレーザ光源114を備える。
以下、図面を用いて実施の形態1にかかるレーザ照射装置について説明する。図4は、実施の形態1にかかるレーザ照射装置を説明するための平面図である。図5は、図4に示すレーザ照射装置の切断線V−Vにおける断面図である。図6は、図4に示すレーザ照射装置の切断線VI−VIにおける断面図である。
例えば、被処理体16の平面形状は4辺を有する四角形(矩形状)であり、搬送ユニット11(保持機構12)は、被処理体16の4辺中の1辺のみを保持している。そして、搬送ユニット11(保持機構12)は、被処理体16が搬送されている期間においてレーザ光が照射されない位置を保持している。
次に、実施の形態2について説明する。図13は、実施の形態2にかかるレーザ照射装置2を説明するための平面図である。本実施の形態にかかるレーザ照射装置2では、浮上ユニット60が4つの領域60a〜60d(実線と破線で囲まれた矩形状の領域)を備えており、被処理体66がこれらの4つの領域60a〜60dを順次搬送されて処理される場合について説明する。これ以外の構成については、実施の形態1で説明したレーザ照射装置1と同様であるので、重複した説明は適宜、省略する。
次に、その他の実施の形態として、上記で説明したレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態では、レーザ照射装置としてレーザアニール装置を用いることで、基板上に形成した非晶質膜にレーザ光を照射して非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、半導体装置はTFT(Thin Film transistor)を備える半導体装置であり、この場合はアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して結晶化させてポリシリコン膜を形成することができる。
図15は、半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。上記で説明した本実施の形態にかかるレーザ照射装置は、TFTアレイ基板の製造に好適である。以下、TFTを有する半導体装置の製造方法について説明する。
次に、TFTを備える半導体装置を用いたデバイスの一例として、有機ELディスプレイについて説明する。図16は、有機ELディスプレイの概要を説明するための断面図であり、有機ELディスプレイの画素回路を簡略化して示している。図16に示す有機ELディスプレイ300は、各画素PXにTFTが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
10 浮上ユニット
11、31、41、51 搬送ユニット
12、32_1〜32_4、42_1、42_2、52_1、52_2 保持機構
13、53 移動機構
14 レーザ光源
15、25、 レーザ光、レーザ照射位置
16 被処理体
18 回転機構
60 浮上ユニット
61_1〜61_4 搬送ユニット
62_1〜62_4 保持機構
63_1〜63_4 移動機構
65 レーザ光、レーザ照射位置
66 被処理体
68 回転機構
Claims (29)
- レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、
前記浮上している被処理体を搬送する搬送ユニットと、を備えるレーザ照射装置であって、
前記搬送ユニットは、平面視した際に前記搬送ユニットが前記レーザ光の照射位置と重畳しない位置を保持して前記被処理体を搬送し、
前記浮上ユニットには、前記被処理体の水平面を保持しながら前記被処理体を回転させる回転機構が設けられており、
前記レーザ照射装置は、前記搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射した後、前記回転機構を用いて前記被処理体を回転させ、再度、前記被処理体を搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射する、
レーザ照射装置。 - 前記回転機構は、前記被処理体の水平面を保持しながら前記被処理体を180度回転させるように構成されており、
前記レーザ照射装置は、前記搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送方向に搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射した後、前記回転機構を用いて前記被処理体を180度回転させ、前記被処理体を前記搬送方向と逆方向に搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射する、
請求項1に記載のレーザ照射装置。 - 前記レーザ光は、前記被処理体が搬送された際に前記被処理体の搬送方向と垂直な方向の一部に照射され、
前記搬送ユニットは、前記被処理体の前記搬送方向と垂直な方向における端部を保持して前記被処理体を搬送する、請求項1に記載のレーザ照射装置。 - 前記搬送ユニットは、
前記被処理体を保持する保持機構と、
前記保持機構と連結され、前記浮上ユニットの搬送方向と垂直な方向における端部において前記搬送方向に移動する移動機構と、を備え、
前記保持機構で前記被処理体を保持しつつ、前記移動機構が前記搬送方向に移動することで前記被処理体が搬送される、
請求項1に記載のレーザ照射装置。 - 前記保持機構は、前記被処理体の前記レーザ光が照射される面と逆側の面を吸引することで前記被処理体を保持する、請求項4に記載のレーザ照射装置。
- 前記保持機構は、前記被処理体の両面を把持することで前記被処理体を保持する、請求項4に記載のレーザ照射装置。
- レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、
前記浮上している被処理体を搬送する搬送ユニットと、を備えるレーザ照射装置であって、
前記浮上ユニットは、前記被処理体が搬送される第1乃至第4の領域を備え、
前記搬送ユニットは、
前記被処理体を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送する第1の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第2の領域から前記第3の領域に搬送する第2の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第3の領域から前記第4の領域に搬送する第3の搬送ユニットと、
前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送する第4の搬送ユニットと、を備え、
前記被処理体が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に前記レーザ光が前記被処理体に照射され、
前記第1の搬送ユニットは、平面視した際に前記第1の搬送ユニットが前記レーザ光の照射位置と重畳しない位置を保持して前記被処理体を搬送する、
レーザ照射装置。 - 前記浮上ユニットを平面視した際の形状は矩形状であり、
前記第1の搬送ユニットは前記浮上ユニットの第1の辺に沿って移動することで、前記被処理体を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送し、
前記第2の搬送ユニットは前記浮上ユニットの第2の辺に沿って移動することで、前記被処理体を前記第2の領域から前記第3の領域に搬送し、
前記第3の搬送ユニットは前記浮上ユニットの第3の辺に沿って移動することで、前記被処理体を前記第3の領域から前記第4の領域に搬送し、
前記第4の搬送ユニットは前記浮上ユニットの第4の辺に沿って移動することで、前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送する、
請求項7に記載のレーザ照射装置。 - 前記レーザ光は、前記被処理体が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送された際に前記被処理体の一部に照射され、
前記浮上ユニットの前記第1乃至第4の領域のいずれかには前記被処理体の水平面を保持しながら前記被処理体を180度回転させる回転機構が設けられており、
前記レーザ照射装置は、
前記第1の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射し、
前記第2乃至第4の搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送させつつ、前記回転機構を用いて前記被処理体を180度回転させ、
前記第1の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射する、
請求項7に記載のレーザ照射装置。 - 前記第1の搬送ユニットは、
前記被処理体を保持する保持機構と、
前記保持機構と連結され、前記浮上ユニットの搬送方向と垂直な方向における端部において前記搬送方向に移動する移動機構と、を備え、
前記保持機構で前記被処理体を保持しつつ、前記移動機構が前記搬送方向に移動することで前記被処理体が搬送される、
請求項7に記載のレーザ照射装置。 - 前記保持機構は、前記被処理体の前記レーザ光が照射される面と逆側の面を吸引することで前記被処理体を保持する、請求項10に記載のレーザ照射装置。
- 前記保持機構は、前記被処理体の両面を把持することで前記被処理体を保持する、請求項11に記載のレーザ照射装置。
- レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、
前記被処理体を搬送する複数の搬送ユニットと、を備えるレーザ照射装置であって、
前記被処理体の平面形状は4辺を有する四角形であり、
前記浮上ユニットの平面視における外周は4辺を有し、
前記複数の搬送ユニットのそれぞれは、前記浮上ユニットの前記4辺それぞれに沿って移動可能なように配置され、
前記複数の搬送ユニットはそれぞれ前記被処理体を保持する保持機構を有し、
前記保持機構は、前記被処理体の前記4辺のうち平面視において前記浮上ユニットと重ならない1辺のみを保持し、
前記保持機構は、前記被処理体が搬送されている期間において前記レーザ光が照射されない位置にある、
レーザ照射装置。 - 前記保持機構は、前記被処理体の前記レーザ光が照射される面と逆側の面を吸引することで前記被処理体を保持する、請求項13に記載のレーザ照射装置。
- 前記保持機構は、前記被処理体の両面を把持することで前記被処理体を保持する、請求項13に記載のレーザ照射装置。
- 被処理体を浮上ユニットを用いて浮上させながら搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体にレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、
前記搬送ユニットは、平面視した際に前記搬送ユニットが前記レーザ光の照射位置と重畳しない位置を保持して前記被処理体を搬送し、
前記被処理体に前記レーザ光を照射する際、前記搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射した後、前記浮上ユニットに設けられている回転機構を用いて前記被処理体の水平面を保持しながら前記被処理体を回転させ、再度、前記被処理体を搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射する、
レーザ照射方法。 - 前記被処理体に前記レーザ光を照射する際、前記搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送方向に搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射した後、前記浮上ユニットに設けられている回転機構を用いて前記被処理体の水平面を保持しながら前記被処理体を180度回転させ、前記被処理体を前記搬送方向と逆方向に搬送して前記被処理体に前記レーザ光を照射する、請求項16に記載のレーザ照射方法。
- 前記レーザ光は、前記被処理体が搬送された際に前記被処理体の搬送方向と垂直な方向の一部に照射され、
前記搬送ユニットは、前記被処理体の前記搬送方向と垂直な方向における端部を保持して前記被処理体を搬送する、請求項16に記載のレーザ照射方法。 - 前記搬送ユニットが備える保持機構は、前記被処理体の前記レーザ光が照射される面と逆側の面を吸引することで前記被処理体を保持する、請求項16に記載のレーザ照射方法。
- 前記搬送ユニットが備える保持機構は、前記被処理体の両面を把持することで前記被処理体を保持する、請求項16に記載のレーザ照射方法。
- 被処理体を浮上ユニットを用いて浮上させながら第1乃至第4の搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体にレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、
前記第1の搬送ユニットを用いて前記被処理体を第1の領域から第2の領域に搬送し、
前記第2の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第2の領域から第3の領域に搬送し、
前記第3の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第3の領域から第4の領域に搬送し、
前記第4の搬送ユニットを用いて前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送し、
前記被処理体が前記第1の領域から前記第2の領域に搬送される際に前記レーザ光が前記被処理体に照射され、
前記第1の搬送ユニットは、平面視した際に前記第1の搬送ユニットが前記レーザ光の照射位置と重畳しない位置を保持して前記被処理体を搬送する、
レーザ照射方法。 - 前記浮上ユニットを平面視した際の形状は矩形状であり、
前記第1の搬送ユニットは前記浮上ユニットの第1の辺に沿って移動することで、前記被処理体を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送し、
前記第2の搬送ユニットは前記浮上ユニットの第2の辺に沿って移動することで、前記被処理体を前記第2の領域から前記第3の領域に搬送し、
前記第3の搬送ユニットは前記浮上ユニットの第3の辺に沿って移動することで、前記被処理体を前記第3の領域から前記第4の領域に搬送し、
前記第4の搬送ユニットは前記浮上ユニットの第4の辺に沿って移動することで、前記被処理体を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送する、
請求項21に記載のレーザ照射方法。 - 被処理体を浮上ユニットを用いて浮上させながら複数の搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送して前記被処理体にレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、
前記被処理体の平面形状は4辺を有する四角形であり、
前記浮上ユニットの平面視における外周は4辺を有し、
前記複数の搬送ユニットのそれぞれは、前記浮上ユニットの前記4辺それぞれに沿って移動可能なように配置され、
前記複数の搬送ユニットはそれぞれ前記被処理体を保持する保持機構を有し、
前記保持機構は、前記被処理体の前記4辺中の平面視において前記浮上ユニットと重ならない1辺のみを保持するとともに、前記被処理体が搬送されている期間において前記被処理体の前記レーザ光が照射されない位置を保持する、
レーザ照射方法。 - 前記保持機構は、前記被処理体の前記レーザ光が照射される面と逆側の面を吸引することで前記被処理体を保持する、請求項23に記載のレーザ照射方法。
- 前記保持機構は、前記被処理体の両面を把持することで前記被処理体を保持する、請求項23に記載のレーザ照射方法。
- (a)基板上に非晶質膜を形成するステップと、
(b)前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記(b)のステップは、前記基板を浮上ユニットを用いて浮上させながら搬送ユニットを用いて前記基板を搬送して前記非晶質膜にレーザ光を照射するステップであり、
前記搬送ユニットは、平面視した際に前記搬送ユニットが前記レーザ光の照射位置と重畳しない位置を保持して前記基板を搬送し、
前記基板に前記レーザ光を照射する際、前記搬送ユニットを用いて前記基板を搬送して前記基板に前記レーザ光を照射した後、前記浮上ユニットに設けられている回転機構を用いて前記基板の水平面を保持しながら前記基板を回転させ、再度、前記基板を搬送して前記基板に前記レーザ光を照射する、
半導体装置の製造方法。 - (a)基板上に非晶質膜を形成するステップと、
(b)前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記(b)のステップは、前記基板を浮上ユニットを用いて浮上させながら第1乃至第4の搬送ユニットを用いて前記基板を搬送して前記非晶質膜にレーザ光を照射するステップであり、
前記第1の搬送ユニットを用いて前記基板を第1の領域から第2の領域に搬送し、
前記第2の搬送ユニットを用いて前記基板を前記第2の領域から第3の領域に搬送し、
前記第3の搬送ユニットを用いて前記基板を前記第3の領域から第4の領域に搬送し、
前記第4の搬送ユニットを用いて前記基板を前記第4の領域から前記第1の領域に搬送し、
前記基板を前記第1の領域から前記第2の領域に搬送した際に前記レーザ光を前記基板に照射し、
前記第1の搬送ユニットは、平面視した際に前記第1の搬送ユニットが前記レーザ光の照射位置と重畳しない位置を保持して前記基板を搬送する、
半導体装置の製造方法。 - (a)基板上に非晶質膜を形成するステップと、
(b)前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記(b)のステップは、前記基板を浮上ユニットを用いて浮上させながら複数の搬送ユニットを用いて前記基板を搬送して前記非晶質膜にレーザ光を照射するステップであり、
前記基板の平面形状は4辺を有する四角形であり、
前記浮上ユニットの平面視における外周は4辺を有し、
前記複数の搬送ユニットのそれぞれは、前記浮上ユニットの前記4辺それぞれに沿って移動可能なように配置され、
前記複数の搬送ユニットはそれぞれ前記基板を保持する保持機構を有し、
前記保持機構は、前記基板の前記4辺中の平面視において前記浮上ユニットと重ならない1辺のみを保持するとともに、前記基板が搬送されている期間において前記基板の前記レーザ光が照射されない位置を保持する、
半導体装置の製造方法。 - 前記回転機構は、前記浮上ユニットを固定した状態で、前記被処理体を回転させることができる請求項1に記載のレーザ照射装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016183676A JP6887234B2 (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
US16/327,842 US11355343B2 (en) | 2016-09-21 | 2017-06-02 | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device |
CN201780055165.0A CN109690739B (zh) | 2016-09-21 | 2017-06-02 | 激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法 |
PCT/JP2017/020641 WO2018055840A1 (ja) | 2016-09-21 | 2017-06-02 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
KR1020197009593A KR20190051007A (ko) | 2016-09-21 | 2017-06-02 | 레이저 조사 장치, 레이저 조사 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
SG11201901520QA SG11201901520QA (en) | 2016-09-21 | 2017-06-02 | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device |
TW106129992A TW201814811A (zh) | 2016-09-21 | 2017-09-01 | 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016183676A JP6887234B2 (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018049897A JP2018049897A (ja) | 2018-03-29 |
JP6887234B2 true JP6887234B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=61690311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016183676A Active JP6887234B2 (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11355343B2 (ja) |
JP (1) | JP6887234B2 (ja) |
KR (1) | KR20190051007A (ja) |
CN (1) | CN109690739B (ja) |
SG (1) | SG11201901520QA (ja) |
TW (1) | TW201814811A (ja) |
WO (1) | WO2018055840A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7083645B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2022-06-13 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ処理装置、レーザ処理方法及び半導体装置の製造方法 |
KR20200126234A (ko) | 2019-04-29 | 2020-11-06 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈 |
WO2024009470A1 (ja) * | 2022-07-07 | 2024-01-11 | Jswアクティナシステム株式会社 | 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 |
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JP6854605B2 (ja) * | 2016-08-29 | 2021-04-07 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP6764305B2 (ja) * | 2016-10-04 | 2020-09-30 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法 |
JP6829118B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2021-02-10 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP6983578B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-12-17 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP7083645B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2022-06-13 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ処理装置、レーザ処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2021019036A (ja) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-09-21 JP JP2016183676A patent/JP6887234B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-02 SG SG11201901520QA patent/SG11201901520QA/en unknown
- 2017-06-02 WO PCT/JP2017/020641 patent/WO2018055840A1/ja active Application Filing
- 2017-06-02 KR KR1020197009593A patent/KR20190051007A/ko unknown
- 2017-06-02 US US16/327,842 patent/US11355343B2/en active Active
- 2017-06-02 CN CN201780055165.0A patent/CN109690739B/zh active Active
- 2017-09-01 TW TW106129992A patent/TW201814811A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201901520QA (en) | 2019-03-28 |
CN109690739A (zh) | 2019-04-26 |
JP2018049897A (ja) | 2018-03-29 |
US11355343B2 (en) | 2022-06-07 |
TW201814811A (zh) | 2018-04-16 |
US20190198326A1 (en) | 2019-06-27 |
CN109690739B (zh) | 2023-11-10 |
WO2018055840A1 (ja) | 2018-03-29 |
KR20190051007A (ko) | 2019-05-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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