CN112582322A - 激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径以及激光退火处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种激光退火装置(1)，对被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理，包括将被处理体(100)在一定方向上连续传送的连续传送路径(2)、对在连续传送路径(2)传送的被处理体(100)照射激光(42)的激光照射单元，连续传送路径(2)具备在连续传送路径(2)的上游侧搬入被处理体(100)进行传送的搬入传送路径(2a)、在搬入传送路径(2a)的下游侧传送被处理体(100)并向被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理的照射区域传送路径(2b)、以及在照射区域传送路径(2b)的下游侧将经过退火处理后的被处理体(100)传送并搬出的搬出传送路径(2c)。

Description

激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径以及激光退火 处理方法
本申请是发明名称为“激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径、激光照射单元以及激光退火处理方法”、国际申请日为2015年5月8日、申请号为201580003126.7(国际申请号为PCT/JP2015/063344)的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及对被处理体照射激光来进行退火处理的激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径、激光照射单元以及激光退火处理方法。
背景技术
在被处理体的退火处理中，有进行如下的退火处理：例如对硅基板或玻璃基板等非晶半导体照射激光来使其结晶，或者对多晶半导体照射激光来使其变为单晶，或者对半导体照射激光来改变性质，或者使杂质活性化或稳定化。
此外，退火处理的目的不限于上述目的，包括了对被处理体照射激光来进行热处理的全部处理。
进行退火处理的激光退火装置如图10所示，在处理室30内，配置有平台31可沿着扫描方向往返移动(X轴方向)。在该示例中，通过在氮气中悬浮移动，平台31能在X方向移动。此外，处理室30内在工艺进行过程中在氮气气氛下进行调整，且在激光的照射位置上设有气密部34，使氧浓度更低的氮气向被处理体周边喷出以进行遮挡。
在退火处理时，如图11的流程图所示，在处理室30的附近，准备在基板上形成有半导体膜的板状被处理体100，使平台31向设置在处理室30的出入口35侧移动并通过出入口35，将被处理体100搬入处理室30内，并将被处理体100放置在平台31上。之后，出入口35被关闭并在处理室30内保持氮气气氛。使被处理体100伴随平台31的移动而移动，并对该被处理体100的半导体膜照射激光42，从而相对地扫描激光并照射被处理体100来进行退火处理。通过将平台31绕与X轴正交的方向(Y轴方向)旋转或使平台31旋转(θ轴旋转)，来提高被处理体100的处理性。
在该被处理体100的整个面上进行了退火处理后，使平台31返回到搬入位置，打开出入口35从处理室30内取出退火处理后的被处理体100，并移动到规定位置。接着，在处理室30的附近准备未退火处理的新的被处理体100，重复进行与上述相同的处理。
在上述装置中，虽然对于具有一个搬入、搬出的出入口的情况进行了说明，但是已知也有在处理室的相对壁上分别设置搬入用出入口和搬出用出入口的装置(例如参照专利文献1)。在该装置中，能将退火处理结束后的半导体基板从搬出用出入口取出。但是，在将下一个被处理体搬入时，要使平台移动至搬入侧，从搬入侧的出入口搬入新的被处理体。
如上所述，在以往的退火处理装置中，由搬入口将1个被处理体搬入装置内，经退火处理后，从搬出口(一般情况下，与搬入口为同一出入口)搬出(批量处理)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平09－139355号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
如上所述，被处理体的退火处理是作为每个被处理体的批量处理来进行的。这是由于被处理体的移动与保持被处理体的平台的移动一同进行，是由装置的结构决定的。在该情况下，完成包含了搬入、搬出的被处理体的处理成为开始下一个被处理体的处理的条件。因而，每个被处理体都需要搬入搬出所涉及的时间、在装置内传送的时间。搬入搬出时间、传送时间都和工艺无关，从提高生产节拍的观点出发，需要尽可能减少。虽然该搬入搬出时间、传送时间根据装置而不同，但是在数十秒以上，需要工艺时间的数分之一的时间，从而成为生产效率降低的原因。
本申请的发明是以上述情况为背景而完成的，其目的在于，提供一种激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径、激光照射单元以及激光退火处理方法，能尽可能减少工艺处理时间以外的时间，从而能提高生产效率。
解决技术问题的技术方案
在本发明的激光退火装置中，第一项发明的特征如下，在向被处理体照射激光进行退火处理的激光退火装置中，具备将所述被处理体向一定方向连续地传送的连续传送路径、以及向用所述连续传送路径传送的所述被处理体照射所述激光的激光照射单元。
根据上述本发明，能够对通过连续传送路径传送的被处理体照射激光来进行退火处理。处理后的被处理体能不影响下一个被处理体的搬入作业地搬出。
第二项发明的激光退火装置在所述第一项发明的基础上，包括：照射所述激光的处理室、位于所述连续传送路径的上游侧并且设置于所述处理室的搬入口、以及位于所述连续传送路径的下游侧并且设置于所述处理室的搬出口，所述连续传送路径位于从所述搬入口到所述搬出口的整个路径。
在上述的本发明中，能够通过与搬入和搬出独立的处理室内的连续传送路径来连续传送被处理体，能容易地稳定支承被处理体，能确保良好的退火性。
第三项发明的激光退火装置在所述的第一项或第二项发明的基础上，所述连续传送路径具备：向所述被处理体照射所述激光并且传送所述被处理体的照射区域传送路径、和位于所述照射区域传送路径的上游侧及下游侧的搬出搬入传送路径，所述搬出搬入传送路径能以比所述照射区域传送路径的传送速度更大的传送速度来传送所述被处理体。
根据上述本发明，通过将退火工艺以外的传送以更高速地进行，能执行搬入、搬出作业而不被工艺时的传送速度所限制，从而改善作业性。
第四项发明的激光退火装置在所述第三项发明的基础上，所述搬出搬入传送路径的传送速度可变。
根据上述本发明，通过根据传送时期改变传送速度，能进行更有效的作业。
第五项发明的激光退火装置在所述第四项发明的基础上，所述搬出搬入传送路径至少能以与所述照射区域传送路径相同的传送速度和比该传送速度更大的传送速度进行传送。
根据上述的本发明，在需要与工艺进行时的传送速度相匹配的时期，能以该传送速度进行传送，在其他时期的传送中能进行高速传送。
第六项发明的激光退火装置在所述第一至第五项发明中任意一个的基础上，所述连续传送路径具备支承所述被处理体的支承单元、以及使所述支承单元所支承的所述被处理体沿传送方向移动的移动单元。
在上述本发明中，通过将支承被处理体的单元和使被处理体移动的单元设为不同的结构，能容易地实现连续传送时被处理体的稳定支承和确保平坦性，能适当地保持照射激光时的焦点深度，并能确保良好的退火性。
第七项发明的激光退火装置在所述第六项发明的基础上，所述支承单元是通过向上方吹出气体使所述被处理体悬浮以进行支承的气体悬浮单元。
根据上述本发明，半导体基板的姿势控制变得简单，能不损害半导体的稳定保持来进行移动。
第八项发明的激光退火装置在所述第七项发明的基础上，所述气体悬浮单元使用惰性气体作为所述气体。
根据上述本发明，不仅能促进被处理体进行气体悬浮，并且还能促进利用吹出的惰性气体来将被处理体的照射区域保持在惰性气氛中的效果。
第九项发明的激光退火装置在所述第六至第八项发明中任意一个的基础上，所述移动单元在将所述被处理体传送到所述连续传送路径的下游侧后，能返回移动到所述连续传送路径的上游侧。
根据上述本发明，通过移动单元返回移动，能连续传送被处理体。此时，通过将移动单元的返回移动设为比被处理体的传送速度更大，能减小被处理体间的间隔从而提高生产效率。
移动单元的返回移动可以是环状移动着返回，也可以是通过往返运动来移动，并不特别限定移动方式。
第十项发明的激光退火装置在所述第一至第九项发明中任意一个的基础上，具备局部气密部，该局部气密部设置在所述连续传送路径中，喷射至少覆盖被所述激光照射的所述被处理体的表面区域的局部气体。
第十一项发明的激光退火装置在所述第十项发明的基础上，所述局部气体为惰性气体。
根据上述各本发明，能将激光照射的区域或其周围置于干净的环境，使对于处理室整体的环境控制变得简单。
第十二项发明的激光退火装置在所述第十或第十一项发明的基础上，除了所述局部气体以外的气氛为空气。
根据上述本发明，能容易且低价地调节气氛。
第十三项发明的激光退火处理用连续传送路径是将被处理体在一定方向上连续地传送并且进行激光退火处理的连续传送路径，包括：搬入传送路径，该搬入传送路径作为所述连续传送路径的一部分，在连续传送路径的上游侧搬入被处理体并进行传送；照射区域传送路径，该照射区域传送路径作为所述连续传送路径的一部分，在所述搬入传送路径的下游侧传送经过所述搬入传送路径后的所述被处理体并且对所述被处理体照射激光进行退火处理；以及搬出传送路径，该搬出传送路径作为所述连续传送路径的一部分，在所述照射区域传送路径的下游侧传送经过所述退火处理后的所述被处理体并且进行搬出。
第十四项发明的激光退火处理用连续传送路径在所述第十三项发明的基础上，所述搬入传送路径及所述搬出传送路径能以比所述照射区域传送路径的传送速度大的传送速度来传送所述被处理体。
第十五项发明的激光退火处理用连续传送路径在所述第十三或第十四项发明的基础上，所述连续传送路径中的至少所述照射区域传送路径中，通过向上方吹出气体使所述被处理体悬浮并沿传送方向移动。
第十六项发明的激光照射单元包括：输出激光的激光光源、以及光学系统构件，该光学系统构件对于通过连续传送路径连续传送至所述连续传送路径的照射区域的被处理体，引导所述激光进行相对扫描并照射。
第十七项发明的激光退火处理方法是通过将被处理体在一定方向上连续传送的连续传送路径，传送所述被处理体并对所述被处理体照射激光进行退火处理的激光退火处理方法，包括：搬入传送工序，在所述连续传送路径的一部分中，在连续传送路径的上游侧，搬入被处理体并进行传送；退火处理工序，在所述连续传送路径的一部分中，在进行了所述搬入传送工序后的连续传送路径的下游侧，传送所述被处理体并照射所述激光来进行退火处理；以及搬出传送工序，在所述连续传送路径的一部分中，在进行了所述退火处理后的连续传送路径的下游侧，传送所述被处理体并搬出。
第十八项发明的激光退火处理方法在所述第十七项发明的基础上，所述搬入传送工序及所述搬出传送工序中，能以比所述退火处理工序中的所述连续传送路径的传送速度更大的所述连续传送路径的传送速度进行传送。
第十九项发明的激光退火处理方法在所述第十七或第十八项发明的基础上，所述各工序中至少在所述退火处理工序中，通过向上方吹出气体使所述被处理体悬浮并沿传送方向移动。
技术效果
根据上述本发明，能极力减少被处理体的退火处理工艺以外的时间，从而能大幅度地提高生产性。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的激光退火装置的概要的正面剖视图。
图2是同一激光退火装置的处理室内的平面简要图(A图)及将一部分放大的正面图(B图)。
图3是同一激光退火装置的激光退火处理的流程图。
图4是详细地示出了同一激光退火装置的吸附部的动作的流程图。
图5是同一激光退火装置在实施工艺时的立体图。
图6是表示现有实施例的动作时的激光振荡和搬出搬入的时序图。
图7是表示本发明的一个实施方式在动作时的激光振荡和搬出搬入的时序图。
图8是本发明的其他实施方式在实施工艺时的立体图。
图9是表示本发明的又一实施方式的平面图及侧面图。
图10是用于说明现有的激光退火装置的动作的图。
图11是图10的激光退火装置的激光退火处理的流程图。
具体实施方式
以下对于本发明的一个实施方式基于附图进行说明。
图1示出了激光退火装置的概要，在(A)图中放大表示了处理室，在(B)图中示出了系统整体的概要。在该实施方式中，将在玻璃基板上形成有半导体膜的被处理体100作为处理对象。
处理室1如图1所示，具有长方体形状的壁部，在长边方向的相对壁上分别设置搬入口1a(图示左侧)和搬出口1b(图示右侧)。搬入口1a、搬出口1b可以是开放的，也可以设为可开关的结构。作为可开关的结构，可以设为简单的密封结构。搬入口和搬出口只要沿着连续传送路径的一定传送方向设置即可，设置位置没有特别限定。
在处理室1内，从搬入口1a内侧到搬出口1b内侧设置连续传送路径2。在连续传送路径2上配置有气体悬浮装置20。气体悬浮装置20自下而上喷出气体，对上方的被处理体100进行悬浮支承，相当于本发明的气体悬浮单元即支承单元。
气体悬浮装置20通过具有多个未图示的喷出位置，能调整被处理体100的姿势、弯曲等。
在气体悬浮装置20的两侧，如图2所示，沿着长边方向配置导轨28、29，在导轨28、29上设有可分别沿着导轨移动的滑动部21、25。滑动部21、25能根据其位置变更移动速度。在滑动部21、25上设有能沿长边方向改变位置并能上下调整位置的多个升降部22、26。在该实施例中，各滑动部21、25分别具有两个升降部22、22及升降部26、26。在多个升降部22、22或升降部26、26中，也可以改变彼此的上升位置从而调整被处理体100的支承状态。
在升降部22、26上具有吸附部23、27，对通过气体悬浮装置20悬浮的被处理体100进行吸附。导轨28、滑动部21、升降部22、吸附部23及导轨29、滑动部25、升降部26、吸附部27协同动作构成本发明的移动单元。
上述的气体悬浮装置20、导轨28、滑动部21、升降部22、吸附部23及导轨29、滑动部25、升降部26、吸附部27构成本发明的连续传送路径8。
在该实施方式中，对连续传送路径2延伸设置在整个处理室1内的情况进行了说明，但是连续传送路径2也可以伸长到处理室1外。处理室1并非本发明所必须的。
在处理室1的外部，如图1所示，具有输出激光的激光光源40。作为本发明激光的种类没有特别限定，可以是连续波、脉冲波中的任意一种。在激光的光路上配置由反射镜、透镜等构成的光学系统构件41，在该实施例中，具有线束形状的激光42被导入处理室1内，并照射到连续传送路径2上的被处理体100。激光光源40、光学系统构件41构成本发明的激光照射单元。
在连续传送路径2中，从传送时被处理体100的传送方向前端到达激光42的照射位置的位置到被处理体100的传送方向后端将要从激光42的照射位置离开前的位置为止的区域成为照射区域，如图1所示，在该照射区域间的一部分连续传送路径2构成照射区域传送路径2b。在照射区域传送路径2b的上游侧的一部分连续传送路径2构成搬入传送路径2a，在照射区域传送路径2b的下游侧的一部分连续传送路径2构成搬出传送路径2c。在图1中，图示左侧的边界线是以被处理体100的后端侧为基准，图示右侧的边界线是以被处理体100的前端侧为基准。照射区域传送路径至少包含上述的传送路径的范围，也可以是将比之更宽的传送路径的范围作为照射区域传送路径。
在照射区域传送路径2b中，被处理体100需要以工艺处理的传送速度移动，所述移动单元以与工艺处理的扫描速度对应的传送速度移动。在能变更激光42的照射位置的结构的情况下，移动单元的传送速度决定了激光42在包含激光42的照射位置在内的位置上以扫描速度相对移动的情况下的传送速度。
在搬入传送路径2a及搬出传送路径2c中，被处理体100能以比照射区域传送路径2b更高的速度移动，在其间能使所述移动单元以相对的高速移动。在搬入传送路径2a及搬出传送路径2c中，在接近照射区域传送路径2b的范围内，为了调整传送间隔或进行激光照射等，可以以与照射区域传送路径2b相同的速度传送被处理体100。
而且，如图1B所示，搬入室10以与处理室1的搬入口1a侧连通的方式与激光退火装置1相邻，搬入室10的室内可以实现密闭。在搬入室10中，具有收纳退火处理前的多个被处理体100的收纳室11、将从收纳室11取出的被处理体100洗净的洗净部12、以及搬入装置13，该搬入装置13将在洗净部12洗净的被处理体100通过搬入口1a并隔开规定间隔地连续搬入处理室1中。搬入被处理体100时的规定间隔只要使其不与之前的被处理体100重叠从而在搬入时不发生干扰即可，不限定于特定的范围。半导体基板彼此间的规定间隔可以设为不同间隔。
上述收纳室11的收纳方法并无特别限定，可以是用纵向放置、横向放置等适当的方法来收纳被处理体100。洗净部可以是批量式、单片式中的任意一种，洗净方法可以是湿洗、干洗或湿洗和干洗的组合中的任意一种。
而且，搬出室15与处理室1的搬出口1b侧相邻，搬出室15的室内与搬出口1b连通，并且可以实现密闭。
在搬出室15内，设置从处理室1的连续传送路径将完成退火处理的被处理体100连续取出的搬出装置14。
在处理室1内，从处理室1外部取入空气并向处理室1内吹出空气的空气送出部4、5分别靠近搬入口1a、搬出口1b来设置。
而且，在照射激光42的区域的上方具有将覆盖激光照射区域及其周围的局部气体向下方喷射的局部气体密封部3。局部气体的喷射区域以至少包含激光照射的区域为前提，能确定合适的范围。
在该实施例中，使用惰性气体、例如氮气作为局部气体。激光42从局部气体密封部3穿过而照射到被处理体100上。
气体悬浮装置20优选为至少在与局部气体密封部3同等的范围内，使用惰性气体、例如氮气作为悬浮气体。在该范围以外，可以使用便宜的空气等作为悬浮气体。
接着，对于使用上述激光退火装置的激光退火处理参照图1～4进行说明。
在收纳室11内可收纳并提供多个被处理体100。在收纳室11中，也可以在激光退火处理过程中补充新的被处理体100。在图3、4中，为了区别依次搬入处理室的被处理体，按照搬入顺序用被处理体100a、100b、100c来表示。
收纳室11内的被处理体100在洗净部12通过批量式或单片式地进行湿洗或干洗。在处理室1内，在连续传送路径2中用气体悬浮装置20进行气体喷射或气体喷射的准备，将滑动部21、滑动部25的至少一方沿着导轨28或导轨29向搬入口1a侧移动。
另一方面，在激光光源40中，输出激光，通过光学系统构件41生成线束。在待机状态下，激光42通过光学系统构件41内的一部分构件不向处理室1内照射射束，而是移动到处理室外的适当位置。
首先，在图3中对于被处理体100a、100b的移动进行简略说明。
在搬入室10中，将用洗净部12洗净的被处理体100a从搬入口1a搬入处理室1内，通过连续传送路径2的搬入传送路径2a以相对高速地传送。若被处理体100到达激光42的照射区域，则通过连续传送路径2的照射区域传送路径2b以规定的传送速度(较低的低速)传送被处理体100，并使导入至处理室1内的激光42照射在表面上。被处理体100a通过照射区域时，激光42对被处理体100a激光42进行相对扫描，被处理体100a的规定区域进行退火处理。退火处理后的被处理体100穿过照射区域传送路径2b并通过连续传送路径2的搬出传送路径2c以相对高速传送到搬出口1b附近，通过搬出装置14立即从处理室1搬出至搬出室15。
在进行上述工艺时，下一个被处理体100b在被处理体100a的退火处理过程中搬入至处理室1内，并在搬入传送路径2a高速地传送，且与被处理体100a隔开规定间隔地到达照射区域传送路径2b。被处理体100b在照射区域传送路径2b以与上述相同的规定的速度传送并进行退火处理。退火处理完成时，与上述相同，通过搬出传送路径2c以相对高速传送，通过搬出装置14从处理室1搬出至搬出室15。虽然未图示，下面同样能将新的半导体基板搬入至处理室1内进行连续处理。
接着，对于连续传送路径2的动作基于图2及图4进行说明。
在初始状态下，沿着导轨28、29，滑动部21、25位于搬入口1a侧的初始位置。对于被处理部100a，对导轨28侧的移动单元的动作情况进行说明。
被处理部100a搬入处理室1时，升降部22a上升至合适的位置，通过吸附部23吸附被处理部100a的背面侧。滑动部21在吸附部23吸附了被处理体100a时，以预定的速度向搬出口1b侧移动。由此，被处理体100a沿着连续传送路径2移动。移动速度在搬入传送路径2a及搬出传送路径2c中较高速地移动，在照射区域传送路径2b中，根据进行工艺时的扫描速度较低速地移动。
被处理体100a在照射区域传送路径2b中被激光42相对地进行扫描并照射，被处理体100a的需要区域进行退火处理。退火处理后的被处理体100a通过连续传送路径2传送到搬出口1b附近时，解除吸附部23的吸附，升降部22下降。被处理部100a如上所述通过搬出装置14立即从处理室1搬出至搬出室15。
此时，滑动部21沿着导轨28通过往返运动返回移动到搬入口1a侧的初始位置，用于保持之后的半导体基板。返回移动时的移动速度比传送被处理体时的速度更快，以此方式地移动来准备下一个被处理体。
在上述一系列的动作中，下一个被处理体100b搬入处理室1内时，用气体悬浮装置20来空气悬浮，并且使滑动部25上的升降部26升降至合适高度，通过吸附部27从背面侧吸附被处理体100b，使其呈悬臂状态。在滑动部25中，通过吸附部27吸附了被处理体100b时，以与上述相同的预定的速度向搬出口1b侧移动。由此，被处理体100b沿着连续传送路径2移动，通过激光42进行退火处理。退火处理后的被处理体100b通过连续传送路径2传送到搬出口1b附近，解除吸附部27的吸附，使升降部26下降，并通过搬出装置14立即从处理室1搬出至搬出室15。
滑动部25沿着导轨29通过往返运动返回移动到搬入口1a侧的初始位置，用于保持之后的被处理体。返回移动时的移动速度比传送被处理体时的速度更快，以此方式移动来准备下一个被处理体。
下一个被处理体搬入处理室1内后，用滑动部21侧的吸附部23吸附并传送至搬出口1b侧。通过重复上述步骤，如图5所示，能将被处理体100a、100b连续地搬入至处理室内，并进行退火处理、搬出处理。
上述各动作能通过未图示的控制部控制，可以使搬入装置、搬出装置和移动单元同步，并通过控制部控制动作。控制部能由CPU和保存使其执行规定动作的程序、动作参数的存储部等构成。
以往，对于退火处理，半导体基板的搬入、搬出所要的时间约为退火处理时间的约1/4。在本实施方式中，搬入搬出所要的时间基本为零，生产率提高约25％。
如上所述，通过设置多个移动单元，并且各自在不同时期进行移动动作，能高效地传送而无需使多个被处理体待机。
在本申请发明中，如上所述能高效地处理，在激光的振荡动作方面也有提高效率的效果
图6是表示以往的装置的激光光源的振荡动作的情况。在照射工艺期间，需要进行向处理室内搬入和搬出半导体基板的搬入处理及搬出处理。
为了在激光振荡时稳定地运用，需要保持连续的振荡状态。因而，在传送时间等对于生产没有贡献的时间，激光也必须持续振荡。因此，在激光退火装置中，激光持续振荡，在需要时通过光学系统构件将激光42导入处理室1内。一方面，内封在准分子激光器等中的气体会随着激光的振荡次数产生劣化，因此气体必须定期地进行更换。
在图6的以往实施例中，在照射工艺期间需要搬入、搬出的时间，在其间激光光源也持续振荡，因此无用的振荡变多，生产率变差。
图7表示本实施方式的时序图，虽然表示处理三个基板的示例，但半导体基板的搬出、搬入几乎都能在其他半导体基板的照射工艺期间进行，能极力减少无用的振荡时间从而提高生产率。
在上述各实施方式中，对于激光的长边宽度为基板1边长的情况进行说明。因而，通过使半导体基板在一个方向上移动，能相对地扫描激光并完成退火处理。但是，也有激光长边宽度未达到基板的一边长的情况。
以下，对于激光长边宽度为基板的1/2边长的情况基于图8进行说明。
在处理室1内，并排设置有沿一个方向传送半导体基板的连续传送路径200a、以及沿与此相反的方向传送半导体基板的连续传送路径200b。在该实施例中，在连续传送路径200a的传送方向上游侧具有搬入口1a。连续传送路径200b的传送方向上游侧位于连续传送路径200a的传送方向下游侧，搬出口1b位于连续传送路径200b的传送方向下游侧。在连续传送路径200a的传送方向下游侧和连续传送路径200b的传送方向上游侧之间，具有连接两条传送路径并传送被处理体的连续传送路径。在该实施方式中，为了区别搬入处理室1的被处理体100，按照该顺序用被处理体100a、100b、100c、100d来表示。
在连续传送路径200a上，以搬入的被处理体100的传送方向为基准，向左侧照射激光42a。在激光42a的照射区域上方设有局部气体密封部3a，向激光42a的照射区域及其周围喷射氮气等来进行密封。
在连续传送路径200b上，以搬入的被处理体100的传送方向为基准，激光42b向右侧照射。在激光42b的照射区域上方设有局部气体密封部3b，向激光42b的照射区域及其周围喷射氮气等来进行密封。
在图中，通过未图示的搬入装置第一个被搬入至搬入口1a的被处理体100a与图中的被处理体100d相同，在连续传送路径200a中传送，局部气体密封部3a喷射局部气体进行密封，同时照射激光42a，在传送方向左侧进行退火处理。被处理体100a与图中的被处理体100c相同地到达传送路径2a的传送方向下游侧，与图中的被处理体100b相同地传送至连续传送路径200b的传送方向上游侧，通过连续传送路径200b传送至下游侧。
在连续传送路径200b上传送的被处理体100a在局部气体密封部3b被喷射局部气体，使得激光照射区域及其周边被密封并且激光42b照射被处理体100a，在传送方向右侧进行退火处理。通过在连续传送路径200a上的退火处理和连续传送路径200b上进行的退火处理，在被处理体100a的需要退火区域进行退火处理。
被处理体100a如图8所示，到达连续传送路径200b的传送方向下游侧，用未图示的搬出装置通过搬出口1b搬出至处理室1外。
通过上述步骤，被处理体100b、100c、100d连续依次地搬入、传送进行退火处理。激光长边宽度未达到半导体基板的一个边长的情况下，基板的大致整个横向宽度也能进行退火处理。
在连续传送路径为两个传送路径但基板的一个边长处理不完的情况下，可以增加连续传送路径的并排设置数并同样地进行应对。
在上述实施方式中，不改变被处理体的朝向地从连续传送路径200a传送至连续传送路径200b，然而也可以改变被处理体的朝向进行传送。
在上述各实施方式中，对于连续传送路径整个全长具备气体悬浮装置的情况进行了说明，但是本发明不一定要具备气体悬浮装置，此外，可以仅在连续传送路径的一部分例如照射区域传送路径2b进行气体悬浮。
图9表示该实施方式的连续传送路径2d的情况。在搬入传送路径2a及搬出传送路径2c中，例如，将在与传送方向正交的方向上具有旋转轴的游动状态的旋转辊子20a在传送方向上隔开间隔地进行配置，从而能支承被处理体。因而，旋转辊子20a构成本发明的支承单元。旋转辊子20a虽然也能设为旋转驱动，优选为另外具有所述的移动单元。
搬入至搬入传送路径2a的被处理体被旋转辊子20a支承，通过移动单元在传送方向上移动。被处理体到达照射区域传送路径2b时被气体悬浮装置20支承，之后，到达搬出传送路径2c时，与搬入传送路径2a相同，用旋转辊子20a支承，并且通过移动单元传送。
被处理体的支承在照射区域传送路径2b以外均不要求像在照射区域传送路径2b那样稳定地支承或要求平坦，因此可以用与照射区域传送路径2b的被处理体的支承不同的结构来支承被处理体。
以上，对于本发明基于上述实施方式进行了说明，但是只要不脱离本发明的范围可以进行适当的变更。
标号说明
1 处理室
2 连续传送路径
2a 搬入传送路径
2b 照射区域传送路径
2c 搬出传送路径
2d 连续传送路径
3 局部气体密封部
4 空气送出部
5 空气送出部
10 搬入室
11 收纳室
12 洗净部
13 搬入装置
14 搬出装置
15 搬出室
20 气体悬浮装置
20a 旋转辊子
21 滑动部
22 升降部
23 吸附部
25 滑动部
26 升降部
27 吸附部
40 激光光源
41 光学系统构件
42 激光
100、100a、100b、100c、100d 被处理体。

Claims (14)

1.一种激光退火装置，向被处理体照射激光进行退火处理，其特征在于，具备：
能够在同一时期内向一个规定的传送方向将多个所述被处理体以沿着所述传送方向排列的方式连续地进行传送的连续传送路径、以及
向在所述连续传送路径上传送的所述被处理体照射所述激光的激光照射单元，且所述激光在照射工艺期间以外也持续振荡，
所述连续传送路径具备支承所述被处理体的支承单元和具有升降部的移动单元，该移动单元在所述支承单元的两侧对受到所述支承单元支承的所述被处理体进行进一步支承并使其沿着传送方向移动，所述升降部能够调整所述两侧的支承位置的升降，
所述支承单元是通过向上方吹出气体使所述被处理体悬浮从而进行支承的气体悬浮单元，
所述被处理体在传送过程中以悬臂状态在所述两侧中的一侧受到所述支承单元的支承，紧跟在所述被处理体之后传送来的被处理体以悬臂状态在另一侧受到所述支承单元的支承。
2.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，包括：
照射所述激光的处理室、
位于所述连续传送路径的上游侧并且设置于所述处理室的搬入口、以及
位于所述连续传送路径的下游侧并且设置于所述处理室的搬出口，
所述连续传送路径位于从所述搬入口到所述搬出口的整个路径。
3.如权利要求1或2所述的激光退火装置，其特征在于，
所述连续传送路径具备向所述被处理体照射所述激光并且传送所述被处理体的照射区域传送路径、以及位于所述照射区域传送路径的上游侧及下游侧的搬出搬入传送路径，
所述搬出搬入传送路径能以比所述照射区域传送路径的传送速度更大的传送速度传送所述被处理体。
4.如权利要求3所述的激光退火装置，其特征在于，
所述搬出搬入传送路径的传送速度可变。
5.如权利要求4所述的激光退火装置，其特征在于，
所述搬出搬入传送路径至少能以与所述照射区域传送路径相同的传送速度和比该传送速度更大的传送速度进行传送。
6.如权利要求1或2所述的激光退火装置，其特征在于，
所述气体悬浮单元使用惰性气体作为所述气体。
7.如权利要求1或2所述的激光退火装置，其特征在于，
所述移动单元在将所述被处理体传送到所述连续传送路径的下游侧后，能返回移动到所述连续传送路径的上游侧。
8.如权利要求1或2所述的激光退火装置，其特征在于，
具备喷射局部气体的局部气体密封部，该局部气体至少覆盖在所述连续传送路径中被所述激光照射的所述被处理体的表面区域。
9.如权利要求8所述的激光退火装置，其特征在于，
所述局部气体为惰性气体。
10.如权利要求8所述的激光退火装置，其特征在于，
除了所述局部气体以外的气氛为空气。
11.一种激光退火处理用连续传送路径，能够在同一时期内向一个规定的传送方向将多个被处理体以沿着所述传送方向排列的方式连续地传送并且进行激光退火处理，其特征在于，包括：
搬入传送路径，该搬入传送路径作为所述连续传送路径的一部分，在连续传送路径的上游侧搬入被处理体进行传送；
照射区域传送路径，该照射区域传送路径作为所述连续传送路径的一部分，在所述搬入传送路径的下游侧传送经过所述搬入传送路径后的所述被处理体并且对所述被处理体照射激光进行退火处理，且所述激光在照射工艺期间以外也持续振荡；以及
搬出传送路径，该搬出传送路径作为所述连续传送路径的一部分，在所述照射区域传送路径的下游侧传送经过所述退火处理后的所述被处理体并且进行搬出，
所述连续传送路径的至少照射区域传送路径上，利用支承单元通过向上方吹出气体使所述被处理体悬浮，并且利用具有升降部的移动单元使所述被处理体沿传送方向移动，该移动单元在所述支承单元的两侧对受到所述支承单元支承的所述被处理体进行进一步支承，所述升降部能够调整所述两侧的支承位置的升降，
所述被处理体在传送过程中以悬臂状态在所述两侧中的一侧受到所述支承单元的支承，紧跟在所述被处理体之后传送来的被处理体以悬臂状态在另一侧受到所述支承单元的支承。
12.如权利要求11所述的激光退火处理用连续传送路径，其特征在于，
所述搬入传送路径及所述搬出传送路径能以比所述照射区域传送路径的传送速度更大的传送速度传送所述被处理体。
13.一种激光退火处理方法，通过在同一时期内向一个规定的传送方向将多个被处理体以沿着所述传送方向排列的方式连续传送的连续传送路径来传送所述被处理体并对所述被处理体照射激光进行退火处理，其特征在于，包括：
搬入传送工序，该搬入传送工序在所述连续传送路径的一部分中进行，在连续传送路径的上游侧搬入被处理体并进行传送；
退火处理工序，该退火处理工序在所述连续传送路径的一部分中进行，在进行所述搬入传送工序的连续传送路径的下游侧，传送所述被处理体并照射所述激光来进行退火处理，且所述激光在照射工艺期间以外也持续振荡；以及
搬出传送工序，该搬出传送工序在所述连续传送路径的一部分中进行，在进行所述退火处理的连续传送路径的下游侧，传送所述被处理体并进行搬出，
所述连续传送路径在所述各工序中的至少所述退火处理工序中，利用支承单元通过向上方吹出气体来使所述被处理体悬浮，并且利用具有升降部的移动单元使所述被处理体沿传送方向移动，该移动单元在所述支承单元的两侧对受到所述支承单元支承的所述被处理体进行进一步支承，所述升降部能够调整所述两侧的支承位置的升降，
所述被处理体在传送过程中以悬臂状态在所述两侧中的一侧受到所述支承单元的支承，紧跟在所述被处理体之后传送来的被处理体以悬臂状态在另一侧受到所述支承单元的支承。
14.如权利要求13所述的激光退火处理方法，其特征在于，
所述搬入传送工序及所述搬出传送工序中的所述连续传送路径能以比所述退火处理工序中的所述连续传送路径的传送速度更大的传送速度进行传送。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6018659B2 (ja) 2015-02-27 2016-11-02 株式会社日本製鋼所 雰囲気形成装置および浮上搬送方法
JP6215281B2 (ja) * 2015-10-27 2017-10-18 株式会社日本製鋼所 被処理体搬送装置、半導体製造装置および被処理体搬送方法
JP6887234B2 (ja) * 2016-09-21 2021-06-16 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6764305B2 (ja) 2016-10-04 2020-09-30 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法
JP6754266B2 (ja) * 2016-10-14 2020-09-09 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6968243B2 (ja) * 2016-10-14 2021-11-17 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP2018085472A (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 株式会社ブイ・テクノロジー レーザアニール装置
JP6775449B2 (ja) * 2017-03-16 2020-10-28 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6829118B2 (ja) 2017-03-16 2021-02-10 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP7083645B2 (ja) * 2018-01-11 2022-06-13 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置、レーザ処理方法及び半導体装置の製造方法
JP7120833B2 (ja) 2018-07-10 2022-08-17 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置
CN110047781B (zh) * 2019-03-14 2021-08-24 云谷（固安）科技有限公司 激光退火设备及激光退火方法
JP7306860B2 (ja) * 2019-04-11 2023-07-11 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置
JP7095166B2 (ja) * 2020-08-21 2022-07-04 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP7159363B2 (ja) * 2021-01-21 2022-10-24 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ照射装置
WO2023199485A1 (ja) * 2022-04-14 2023-10-19 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 搬送装置、移載方法、搬送方法、及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4370175A (en) * 1979-12-03 1983-01-25 Bernard B. Katz Method of annealing implanted semiconductors by lasers
JPS6218721A (ja) * 1985-07-17 1987-01-27 Fujitsu Ltd 連続処理装置
JP3249606B2 (ja) * 1992-11-06 2002-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー処理方法並びに半導体素子およびその作製方法
JPH09139355A (ja) 1995-11-16 1997-05-27 Japan Steel Works Ltd:The レーザーアニール処理装置
JPH09171971A (ja) * 1995-12-21 1997-06-30 Japan Steel Works Ltd:The レーザーアニール処理装置
JP2000021774A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多結晶シリコン薄膜の製造方法
JP4974416B2 (ja) * 2001-01-30 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザアニール装置
JP2003163164A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Sharp Corp 結晶性半導体薄膜及びその形成方法
JP2004103628A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Hitachi Ltd レーザアニール装置及びｔｆｔ基板のレーザアニール方法
JP4610178B2 (ja) * 2002-11-15 2011-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2005026554A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4159433B2 (ja) * 2003-09-08 2008-10-01 三菱電機株式会社 レーザアニーリング装置
JP5037926B2 (ja) * 2006-12-14 2012-10-03 三菱電機株式会社 レーザアニール装置
JP5078460B2 (ja) * 2007-06-28 2012-11-21 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
JP2013519224A (ja) * 2010-02-03 2013-05-23 リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー．カーゲー 太陽電池セル、特に結晶または多結晶シリコン太陽電池セルのディスク状基板材料を熱処理するための方法および装置
JP5408678B2 (ja) * 2011-11-07 2014-02-05 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置

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