TWI723059B - 被處理體搬送裝置、半導體製造裝置及被處理體搬送方法 - Google Patents

被處理體搬送裝置、半導體製造裝置及被處理體搬送方法 Download PDF

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Abstract

本發明在搬送被處理體而在搬送中進行處理時，防止處理不均等的發生。一種被處理體搬送裝置，其搬送被處理體，包括：搬送路徑，供被處理體移動；氣體浮起部，在搬送路徑上利用氣體來使被處理體浮起；移動保持部，保持利用氣體浮起部而浮起的被處理體，與被處理體一同於搬送路徑上移動；以及處理區域搬送路徑，位於搬送路徑上且具有進行針對被處理體的規定處理的處理區域，移動保持部至少沿著搬送路徑的移動方向而具有二個以上的保持部，各保持部可在被處理體的移動中進行被處理體的保持解除與保持的切換。

Description

被處理體搬送裝置、半導體製造裝置及被處理 體搬送方法
本發明是有關於一種利用氣體(gas)來使被處理體浮起而於搬送路徑上移動的被處理體搬送裝置、半導體製造裝置及被處理體搬送方法。
在被處理體的退火(anneal)處理中，例如為了下述等目的來進行退火處理，即：對設於矽基板或玻璃基板等的非晶(amorphous)半導體照射雷射(laser)光來使其結晶化；對非單晶的半導體照射雷射光來使其單晶化；對半導體照射雷射光來使其改質；進行雜質的活化或穩定化。
另外，退火處理的目的並不限定於所述，包含對被處理體照射雷射光來進行熱處理的所有處理。
在退火處理中，一邊使半導體移動，一邊將雷射光照射至半導體，藉此來進行基於雷射光掃描的處理。此時，藉由相對於半導體來適當地決定雷射光的焦點，從而進行適當的退火處理，若相對於半導體的焦點位置發生偏離，將無法適當地進行退火處理，處理容易變得不均勻。因此，在使半導體移動時，亦必須保持被處理體的姿勢以維持平坦度。
以往，半導體是載置於載台(stage)上，藉由移動該載 台來進行半導體的移動。然而，難以使載台以穩定的姿勢移動，而且，由於半導體被載置於載台，因此會受到基板下側的結構/形狀的影響。例如，載台上表面並非完全平坦，而是具有進行基板交接的銷(pin)或槽形形狀等，會產生雷射光照射的處理不均。
因此，提出有一種裝置，利用氣體來使基板浮起，並局部握持該基板等來移動，藉此來提高生產效率(例如參照專利文獻1)。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-280321號公報
然而，在氣體中浮起的裝置中，當於照射區域(area)附近，在利用握持部來握持基板背面的狀態下照射雷射光時，仍有可能因握持部的表面形狀引起的雷射光的不均勻反射、或者因基板與握持部表面形狀引起的不均勻導熱而產生照射不均。尤其，最近，大型的基板處理的必要性亦增加，握持部的數量亦必須增加，容易產生照射不均。
本發明是以所述情況為背景而完成，目的之一在於提供一種可改善因被處理體下側的結構/形狀及被處理體保持造成的處理不均等的被處理體搬送裝置、半導體製造裝置及被處理體搬送方法。
另外，上述內容中，舉雷射退火裝置作為課題的示例，而作為本發明，以解決此課題者的形態進行了說明，但本發明並不限定於對雷射退火裝置的適用，可廣泛適用於在搬送被處理體並在搬送中進行處理的裝置中消除處理不均等而尋求均等性的裝置。
即，本發明的被處理體搬送裝置中的第1形態是一種被處理體搬送裝置，其搬送被處理體，所述被處理體搬送裝置的特徵在於包括：搬送路徑，供所述被處理體移動；氣體浮起部，在所述搬送路徑上利用氣體來使所述被處理體浮起；移動保持部，保持利用所述氣體浮起部而浮起的所述被處理體，與所述被處理體一同於所述搬送路徑上移動；以及處理區域搬送路徑，位於所述搬送路徑上且具有進行針對所述被處理體的規定處理的處理區域，所述移動保持部至少沿著所述搬送路徑的移動方向而具有二個以上的保持部，各保持部可在所述被處理體的移動中進行所述被處理體的保持解除與保持的切換。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於包括：控制部，控制所述移動保持部的動作，所述控制部獲取所述移動保持部於所述搬送路徑上的位置資訊，並基於所述位置資訊來控制下述動作，即，在所述處理區域搬送路徑上進行解除所述保持部對所述被處理體的保持的動作，而在所述處理區域搬送路徑以外的搬送路徑上，進行所述保持。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，沿著所述搬送路徑的移動方向的二個以上的保持部位於沿著移動方向的同一軸上。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，在所述處理區域搬送路徑上，具有與處理區域搬送路徑以外的搬送路徑的氣體浮起部不同的第2氣體浮起部。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，所述保持部在所述保持的解除時，成為與所述被處理體非接觸的狀態。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，所述保持部具有升降機構，所述升降機構具有在下表面側保持所述被處理體的下側保持部，並使所述下側保持部升降，且進行下述動作，即，在所述保持時，所述下側保持部上升，而在所述保持解除時，所述下側保持部下降。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，所述保持部具有升降機構，所述升降機構具有在上表面側保持所述被處理體的上側保持部，並使所述上側保持部升降，且進行下述動作，即，在所述保持時，所述上側保持部下降，而在所述保持解除時，所述上側保持部上升。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，所述保持部具有靜電保持部或吸引保持部。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發 明，其特徵在於，所述保持部可進行保持力的變更。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，所述保持部是變更具有保持力的保持面的大小來進行保持力的變更。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，所述保持部在到達所述處理區域搬送路徑之前將所述保持力變更為小，在通過所述處理區域搬送路徑後，減小所述保持力而再次開始保持，隨後恢復至通常的所述保持力。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，所述規定處理為雷射退火。
另一形態的被處理體搬送裝置搬送被處理體，所述被處理體搬送裝置的特徵在於包括：搬送路徑，供所述被處理體移動；氣體浮起部，在所述搬送路徑上利用氣體來使所述被處理體浮起；移動保持部，保持利用所述氣體浮起部而浮起的所述被處理體，與所述被處理體一同於所述搬送路徑上移動；處理區域搬送路徑，位於所述搬送路徑上且具有進行針對所述被處理體的規定處理的區域；位置偵測部，獲取所述處理區域搬送路徑上的被處理體的位置；高度位置調整部，進行所述被處理體的高度位置調整；以及位置控制部，控制所述高度位置調整部，所述位置控制部接收所述位置偵測部的偵測結果，並基於所述偵測結果，藉由所述高度位置調整部來調整所述被處理體於所 述處理區域搬送路徑上的位置。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，所述移動保持部至少沿著所述搬送路徑的移動方向而具有二個以上的保持部，且可進行所述保持部的保持位置的調整，從而可作為所述位置調整部來進行所述被處理體的位置調整。
另一形態的被處理體搬送裝置是如所述形態的本發明，其特徵在於，各所述保持部可在所述被處理體的移動中進行所述被處理體的保持解除與保持的切換。
本發明的半導體製造裝置中的第1形態的特徵在於包括所述形態的本發明所述的被處理體搬送裝置，且由所述被處理體搬送裝置所搬送的被處理體為半導體。
本發明的被處理體搬送方法中的第1形態是一種被處理體搬送方法，其搬送被處理體，所述被處理體搬送方法的特徵在於包括：氣體浮起步驟，利用氣體來使所述被處理體浮起；以及搬送步驟，利用保持部來保持浮起的所述被處理體，並使所述保持部與所述被處理體一同於搬送路徑上移動，在所述搬送步驟中，利用沿著移動方向的多個保持部來保持所述被處理體，在所述保持部已到達包含於所述搬送路徑中且進行針對所述被處理體的規定處理的處理區域搬送路徑的狀態下，解除位於處理區域搬送路徑的所述保持部的保持，當解除了保持 的所述保持部已經過所述處理區域搬送路徑時，進行所述保持。
另一形態的被處理體搬送方法是如所述形態的本發明，其特徵在於，在解除所述保持部的保持時，使所述保持部成為與所述被處理體非接觸的狀態。
即，根據本發明，可避免因被處理體下側的結構/形狀及被處理體保持造成的處理不均，從而對於規定處理，可在被處理體中進行均等的處理。
1:處理室
1a:搬入口
1b:搬出口
2:搬送路徑
2b:照射區域搬送路徑
3:局部氣體密封部
10:控制部
14:位置控制部
15A、15B:雷射位移計
20:氣體浮起裝置
28A、28B:導軌
30:滑動部
32、33:升降部
34、35:支持部
40、41、42A、42B、43A、43B:吸附部
100:被處理體
200:雷射光源
201:光學系統構件
202:雷射光
203:照射區域
204:照射位置
圖1是表示本發明的一實施形態中的、省略了移動保持部的雷射退火裝置的概略的正面剖面圖。
圖2是表示本發明的一實施形態中的、被處理體搬送裝置的概略的正面圖。
圖3是表示本發明的一實施形態中的、被處理體搬送裝置的概略的平面圖。
圖4是表示本發明的另一實施形態中的被處理體搬送裝置的概略的正面圖。
圖5是表示又一實施形態中的被處理體搬送裝置的概略的正面圖。
圖6是表示又一實施形態中的被處理體搬送裝置的概略的正面圖。
以下，基於附圖來說明本發明的一實施形態的雷射退火裝置。
另外，本實施形態的雷射退火裝置相當於半導體製造裝置。
圖1表示雷射退火裝置的概略，本實施形態中，作為被處理體100，將於玻璃基板上形成有半導體膜者作為處理對象。移動保持部於圖上省略。
雷射退火裝置具有進行被處理體100的搬送與處理的處理室1。處理室1如圖1所示，具有長方體形狀的壁部，且在長條方向的相向壁分別設有搬入口1a(圖示左側)與搬出口1b(圖示右側)。搬入口1a、搬出口1b亦可為開放者，而且，雖未圖示，但搬入口1a、搬出口1b亦可設於同側，而且，可採用可開閉的構成。作為可開閉的構成，亦可採用簡易的密封結構。
在處理室1內，從搬入口1a內側遍及搬出口1b內側而設有搬送路徑2，在搬送路徑2中，配置有氣體浮起裝置20。氣體浮起裝置20是從下方朝向上方噴出氣體，以支持位於上方的被處理體100浮起者，相當於本發明的氣體浮起部。
另外，氣體浮起裝置20具有多個未圖示的噴出位置，藉此可調整被處理體100的姿勢、撓曲等。
而且，在搬送路徑2的兩側，如圖3所示，沿著長邊方向而配置有導軌(guide)28A、導軌28B，在導軌28A、導軌28B上，如圖2、圖3所示，設有可沿著導軌28A、導軌28B而分別移 動的滑動部30。在滑動部30上，設有可升降且可上下調整位置的升降部32、升降部33。該圖中，對於導軌28A、導軌28B，分別圖示有一個滑動部30，但其數量可設為適宜的數量。而且，設於滑動部的升降部的數量亦可選定適宜的數量。
在升降部32、升降部33上，如圖3所示，具有支持部34、支持部35，升降部32、升降部33上升而可由支持部34、支持部35來支持利用氣體浮起裝置20而浮起的被處理體100的下表面側，而且，升降部32、升降部33下降而可解除支持被處理體100的支持部34、支持部35的支持，從而可切換支持與解除。
本實施形態中，滑動部30、升降部32、升降部33及支持部34、支持部35相當於本發明的移動保持部，升降部32、升降部33及支持部34、支持部35相當於本發明的保持部。
進而，在處理室1的外部，如圖1所示，具有輸出雷射光的雷射光源200。作為本發明，雷射光的種類並無特別限定，而且，連續波、脈衝波中的任一種皆可。在雷射光的光路上，配置有包含反射鏡(mirror)、透鏡(lens)等的光學系統構件201，本例中，將設為線束(line beam)形狀的雷射光202導入處理室1內而照射至搬送路徑2上的被處理體100。
進而，在處理室1內，在雷射光202所照射的區域的上方，固定設置有局部氣體密封(seal)部3，該局部氣體密封部3將覆蓋雷射光照射區域203及其周圍的局部氣體噴射向下方。另外，局部氣體的噴射區域可以至少包含雷射光所照射的區域為前 提而決定適宜的範圍。
雷射光源200、光學系統構件201構成本發明的雷射光照射部。本實施形態中，藉由將雷射光202照射至被處理體100來進行雷射退火處理，本實施形態中，雷射退火處理相當於本發明的規定處理。
另外，在搬送路徑2中，當搬送時，對被處理體100照射雷射光202的區域成為照射區域203，如圖1所示，在夾著照射區域203的移動方向的前後的周邊，搬送路徑2的一部分構成照射區域搬送路徑2b。照射區域搬送路徑2b相當於本發明的處理區域搬送路徑。例如，可設為與局部氣體密封部3等同的長度範圍，照射區域搬送路徑2b成為若雷射光202不移動則固定的區域。但是，若雷射光202移動，則照射區域搬送路徑2b將與其一致地移動。
另外，對於將照射區域搬送路徑2b設定於哪個範圍，至少要選定在被處理體100的保持中對雷射照射存在影響的所有範圍。而且，藉由使對保持部的保持進行換持的位置處於照射區域搬送路徑2b外而設為與照射區域203隔開的部位，從而可使保持對高度位置的影響不會影響到照射位置204，因而在照射處理中，無需始終使Z軸進行動作，可獲得穩定且均勻的照射結果。
但是，若照射區域搬送路徑2b過長，則會對被處理體100的保持造成影響，因此理想的是設定為適當的範圍。作為本發明，並不限定於特定範圍，例如可列舉相對於照射區域而分別在移動 方向前後具有300mm~1000mm的長度者。
在照射區域搬送路徑2b中，被處理體100必須以製程(process)處理中的搬送速度來移動，滑動部30以與製程處理中的掃描速度相應的搬送速度來移動。另外，在為可變更雷射光202的照射位置204的構成的情況下，對於移動保持部的搬送速度，是以下述方式來決定搬送速度，即，包含雷射光202的照射位置204在內，雷射光202相對地以掃描速度移動。另外，就速度的控制或處理的均勻性的方面而言，理想的是將掃描速度設為固定地進行。
另外，在照射區域搬送路徑2b中，為了維持被處理體100的平坦性，亦可與其他搬送路徑區別開來，以進行較照射區域搬送路徑2b以外的搬送路徑更精密的氣體浮起。精密的氣體浮起例如可使氣體的吹出口變為高密度，或者藉由供排氣平衡(balance)而精密地控制浮起量來進行。
包含所述照射區域搬送路徑2b的搬送路徑2、氣體浮起裝置20、導軌28A、導軌28B、滑動部30、升降部32、升降部33、支持部34、支持部35構成本發明的被處理體搬送裝置。
進而，在雷射退火裝置中，具有進行移動保持部的動作或雷射光的輸出控制等的控制部10，對滑動部30的搬送、升降部32、升降部33的升降動作等進行控制。控制部10可包含中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)、由CPU所執行的程式(program)、保存有程式或動作參數(parameter)的記憶部等。
接下來，對使用所述雷射退火裝置的雷射退火處理進行說明。以下的動作是藉由控制部10的控制來執行。
於處理室1中，在搬送路徑2中，由氣體浮起裝置20進行氣體噴射或氣體噴射的準備，滑動部30預先沿著導軌28A、導軌28B而移動至搬入口1a側。
另一方面，在雷射光源200中，輸出雷射光，藉由光學系統構件201而生成線束。在待機狀態下，雷射光202可藉由光學系統構件201內的一部分構件而不將光束照射至處理室1內，而退避至處理室1外的適當部位。
被處理體100由利用升降部32、升降部33上升至保持位置的支持部34、支持部35予以支持，並利用滑動部30沿著導軌28A、導軌28B，沿著圖2的右方而在搬送路徑2上移動。被處理體100是由支持部34、支持部35支持下側，且可藉由升降部32、升降部33及滑動部30，而在確保某固定速度且高的姿勢穩定性的狀態下，使被處理體100自身移動而進行掃描。支持部位設為對於雷射退火區域前後的照射區域無影響的部位。
保持有被處理體100的支持部35在沿著導軌28A、導軌28B的移動時，在到達照射區域搬送路徑2b的狀態下，利用升降部33下降至規定位置為止，與被處理體100成為非接觸狀態。理想的是，在非接觸狀態下，以對雷射退火無影響的距離來非接觸。而且，對於被處理體的保持，在藉由靜電吸附等來非接觸地保持的情況下，可遠離至無雷射退火的影響的距離為止而進行保 持解除。到達照射區域搬送路徑2b的支持部35在即將到達照射區域搬送路徑2b之前，預先與被處理體100成為非接觸狀態。被處理體100由未位於照射區域搬送路徑2b中的支持部34(亦可為具有其他支持部者)予以保持。
在照射區域搬送路徑2b中，被處理體100以規定的搬送速度受到搬送，且導入至處理室1內的雷射光202照射至表面，從而對被處理體100的規定區域進行退火處理。此時，從局部氣體密封部3朝向被處理體100噴出局部氣體。藉由將雷射光202照射至被處理體100的處理，例如非晶質半導體膜進行結晶化。此時，支持部34、支持部35均未位於照射區域搬送路徑2b中，因此可排除被處理體保持對雷射光照射的影響而避免照射不均。
當到達照射區域搬送路徑2b的支持部35移動而經過了照射區域搬送路徑2b時，利用升降部33來使支持部35上升以再次開始被處理體100的支持，被處理體100在由支持部34、支持部35所支持的狀態下進行藉由雷射光照射的處理。
在被處理體100推進移動而支持部34到達照射區域搬送路徑2b的狀態下，支持部34利用升降部32下降至規定位置為止，與被處理體100成為非接觸狀態。到達照射區域搬送路徑2b的支持部34在即將到達照射區域搬送路徑2b之前，預先與被處理體100成為非接觸狀態。被處理體100由未位於照射區域搬送路徑2b中的支持部35(亦可具有其他支持部)予以保持。
當到達照射區域搬送路徑2b的支持部34移動而經過了 照射區域搬送路徑2b時，利用升降部32來使支持部34上升，以藉由吸附來再次開始被處理體100的保持，被處理體100在由支持部34、支持部35所保持的狀態下進行藉由雷射光照射的處理。
在進而具有其他支持部的情況下，在到達照射區域搬送路徑2b的支持部中進行同樣的動作，且在照射區域搬送路徑2b中始終處於未利用支持部來支持的狀態。
在支持部34、支持部35的換持時，是由位於相同方向的軸上的支持部來換持，因此可降低照射中的基板換持時的振動。
當經退火處理的被處理體100藉由搬送路徑2而搬送至搬出口1b附近時，利用升降部32、升降部33來使支持部34、支持部35下降以解除支持。被處理體100藉由未圖示的搬出裝置而從處理室1的搬出口1b予以搬出。
隨後，滑動部30沿著導軌28A、導軌28B，藉由往復運動而復位移動至搬入口1a側的初始位置，以用於之後的被處理體的保持。復位移動時的移動速度可較搬送被處理體時的速度而高速地移動，以備下個被處理體。而且，亦可將導軌設置成環狀而返回至初始位置。
另外，所述中，藉由支持來進行被處理體的保持，但保持方法並不限定於此，亦可藉由握持或吸附、靜電夾盤等來進行。
例如，在進行握持的情況下，可在被處理體100的上側配置按抵部，且在升降部32、升降部33中，與支持部34、支持部35逆向地進行移動，藉此來進行握持及握持解除。
(實施形態2)
以下，基於圖4來說明藉由吸附來進行被處理體的保持的被處理體搬送裝置中的另一形態。
另外，對於與所述實施形態同樣的構成，省略或簡化其說明。
本實施形態中，亦在搬送路徑2中配置有氣體浮起裝置20以及導軌28A、導軌28B，且在導軌28A、導軌28B上設有滑動部30，在滑動部30上分別設有升降部32、升降部33。
本實施形態中，如圖4所示，在升降部32上設有吸附部40，在升降部33上設有吸附部41，升降部32、升降部33上升而由吸附部40、吸附部41來吸附保持利用氣體浮起裝置20浮起的被處理體100。吸附部40、吸附部41連接於未圖示的吸附裝置，在吸附部40、吸附部41的上表面進行被處理體100的吸附。而且，對於吸附部40、吸附部41，可在吸附部40、吸附部41上選擇性地連接未圖示的氣體供給部，以對吸附面供給氣體而進行吸附解除。進行吸附解除的氣體的種類並無特別限定，理想的是使用不會對雷射處理造成影響的惰性氣體(例如氮氣)。
本實施形態中，滑動部30、升降部32、升降部33及吸附部40、吸附部41相當於本發明的移動保持部，升降部32、升降部33及吸附部40、吸附部41相當於本發明的保持部。
在搬送路徑2中，滑動部30以與製程處理中的掃描速度相應的搬送速度來移動。進而，在雷射退火裝置中，具有進行移動保持部的動作或雷射光的輸出控制等的控制部10(如圖1所 示)，對滑動部30的搬送、升降部32、升降部33的升降動作、升降位置調整、吸附部40、吸附部41的吸附、吸附解除動作進行控制。控制部10可包含CPU、由CPU所執行的程式、保存有程式或動作參數的記憶部等。
包含所述照射區域搬送路徑2b的搬送路徑2、氣體浮起裝置20、導軌28A、導軌28B、滑動部30、升降部32、升降部33、吸附部40、吸附部41構成本發明的被處理體搬送裝置。
接下來，對使用所述雷射退火裝置的雷射退火處理進行說明。以下的動作是藉由控制部10的控制來執行。
於處理室1中，在搬送路徑2中，由氣體浮起裝置20進行氣體噴射或氣體噴射的準備，滑動部30預先沿著導軌28A、導軌28B而移動至搬入口1a側。
對於被處理體100，使升降部32、升降部33上升至保持位置為止，利用吸附部40、吸附部41來吸附該被處理體100，並利用滑動部30，沿著導軌28A、導軌28B而朝圖4左方移動。
保持有被處理體100的吸附部40如圖4左圖所示，在到達照射區域搬送路徑2b的狀態下，用於進行吸附解除的氮氣被送往吸附部40而吸附被解除，吸附部40利用升降部32下降至規定位置為止，與被處理體100成為非接觸狀態。到達照射區域搬送路徑2b的吸附部40在即將到達照射區域搬送路徑2b之前，預先與被處理體100成為非接觸狀態。被處理體100由未位於照射區域搬送路徑2b中的吸附部41予以保持。
在照射區域搬送路徑2b中，被處理體100以規定的搬送速度受到搬送，且導入至處理室1內的雷射光202照射至表面，從而對被處理體100的規定區域進行退火處理。例如，半導體膜進行結晶化。此時，吸附部40、吸附部41均未位於照射區域搬送路徑2b中，因此可排除被處理體保持對雷射光照射的影響而避免照射不均。
當到達照射區域搬送路徑2b的吸附部40移動而經過了照射區域搬送路徑2b時，利用升降部32來使吸附部40上升，以藉由吸附來再次開始被處理體100的保持，被處理體100在由吸附部40、吸附部41所保持的狀態下進行藉由雷射光照射的處理。
在被處理體100推進移動而吸附部41到達照射區域搬送路徑2b的狀態下，如圖4右圖所示，用於進行吸附解除的氮氣被送往吸附部41而吸附部41的吸附被解除，吸附部41利用升降部33下降至規定位置為止，與被處理體100成為非接觸狀態。到達照射區域搬送路徑2b的吸附部41在即將到達照射區域搬送路徑2b之前，預先與被處理體100成為非接觸狀態。被處理體100由未位於照射區域搬送路徑2b中的吸附部40予以保持。
當到達照射區域搬送路徑2b的吸附部41移動而經過了照射區域搬送路徑2b時，利用升降部33來使吸附部41上升，以藉由吸附來再次開始被處理體100的保持，被處理體100在由吸附部40、吸附部41所保持的狀態下進行藉由雷射光照射的處理。
在進而具有其他吸附部的情況下，在到達照射區域搬送路徑 2b的吸附部中進行同樣的動作，且在照射區域搬送路徑2b中始終處於未利用吸附部來保持的狀態。
所述實施形態中，在吸附部中，可連續地進行吸附與吸附解除，從而可快速地在照射中進行基板的換持。
當經退火處理的被處理體100藉由搬送路徑2而搬送至搬出口1b附近時，吸附部40、吸附部41的吸附被解除，利用升降部32、升降部33來使吸附部40、吸附部41下降。被處理體100藉由未圖示的搬出裝置而從處理室1予以搬出。
此時，滑動部30沿著導軌28A、導軌28B而復位移動至搬入口1a側的初始位置。
本實施形態中，由於並非對被處理體100的整個面進行真空吸附，因此在被處理體搬入/搬出時防止異物附著於被處理體的背面及防止帶電方面具有效果。
另外，關於所述支持部或吸附部對被處理體的保持，在位於照射區域搬送路徑2b前後的保持部中進行保持的解除或保持的再次開始。因此，保持的解除或保持的再次開始有可能會使被處理體產生小的振動，或者導致因換持造成的偏離等。
(實施形態3)
以下的實施形態中，在保持的解除、保持的再次開始時，階段性地或者連續地變更保持部的保持力，從而可減小保持的解除、保持的再次開始時的變動。另外，對於與所述各實施形態同樣的構成，標註相同的符號並省略或簡化其說明。
如圖5所示，本實施形態中，在各移動保持部中，在升降部32的上部具有吸附部42A、吸附部42B，在升降部33的上部具有吸附部43A、吸附部43B，吸附部42A、吸附部42B、吸附部43A、吸附部43B相當於本發明的保持部。而且，該些保持部與滑動部30、升降部32、升降部33相當於本發明的移動保持部。該移動保持部的動作是由控制部10來控制。
吸附部42A、吸附部42B、吸附部43A、吸附部43B可分別獨立地進行吸附動作、吸附解除動作，亦藉由控制部10來控制該動作。
包含所述照射區域搬送路徑2b的搬送路徑2、氣體浮起裝置20、導軌28A、導軌28B、滑動部30、升降部32、升降部33、吸附部42A、吸附部42B、吸附部43A、吸附部43B構成本發明的被處理體搬送裝置。
以下，對被處理體搬送裝置的動作進行說明。
在圖5中，被處理體移動至圖示左方，左方的圖是剛剛經過了照射區域搬送路徑2b之後，使升降部32上升以備吸附。吸附部43A、吸附部43B位於照射區域搬送路徑2b外，因此處於藉由真空抽吸而進行吸附的狀態。
當被處理體推進移動時，如圖的位置中央所示，僅利用吸附部42A、吸附部42B中的吸附部42B來開始吸附，而不利用吸附部42A來進行吸附。此時，減小保持面而較通常減少了保持力，因此可減小因吸附造成的變動。另一方面，在吸附部43A、吸附 部43B中，由於接近照射區域搬送路徑2b，因此正進行吸附的吸附部43A、吸附部43B中，吸附部43A繼續吸附，而對吸附部43B供給氮氣以進行吸附解除。藉此，因吸附解除造成的變動變小。
當被處理體100進一步移動時，如圖5的右圖所示，在吸附部42A、吸附部42B中，利用未進行吸附的吸附部42A來再次開始吸附，進行藉由吸附部42A、吸附部42B的通常保持力的保持。
另一方面，在吸附部43A、吸附部43B中，吸附部43B的氮氣供給停止，並停止吸附部43A中的吸附，進行藉由氮氣供給的吸附解除。藉此可減小因吸附動作解除造成的變動。另外，在停止吸附部43B的吸附解除之後，亦可在吸附部42A中進行吸附解除。
所述形態中，在吸附以外亦變更保持力，藉此可將吸附解除、吸附再次開始時的變動抑制為較小。
吸附部具備可吸附被處理體下側的結構，而且對於吸附解除使用氮。並且，在換持被處理體的時序(timing)，暫時同時進行吸附，以防止因被處理體的換持造成的偏離等。
(實施形態4)
另外，如所述各實施形態所示，當根據保持部的位置來進行保持的切換時，有可能對被處理體的姿勢存在影響。例如，在握持靠近照射區域的部位的情況下，握持部的高度會影響到玻璃基板的平坦度，因此在照射中亦必須根據玻璃基板的平坦度來調整 握持部高度。因此，在製程處理中，必須對被處理體進行高度方向的調整，以使被處理體表面位於焦點深度內。
對此，考慮對位於照射區域搬送路徑2b或其附近的被處理體100的位置進行偵測，以控制被處理體100的姿勢。以下，基於圖6來說明本實施形態。
本實施形態中，在被固定的局部氣體密封部3中，設置有對與被處理體100的距離進行計測的雷射位移計15A、雷射位移計15B。雷射位移計的數量可適宜設定，例如藉由在掃描方向不同的位置進行測定，從而可獲知被處理體相對於掃描方向的斜率狀態。而且，藉由在與掃描方向交叉的方向的不同位置進行測定，從而可獲知寬度方向上的被處理體100的斜率。雷射位移計15A、雷射位移計15B相當於位置偵測部。雷射位移計15A、雷射位移計15B對位於照射區域搬送路徑2b或其附近的被處理體的高度位置進行偵測，以獲取位於照射區域搬送路徑2b的被處理體的位置資訊。另外，對被處理體100的距離或高度進行偵測的位置偵測部並不限定於特定者，可使用適宜的感測器等。
雷射位移計15A、雷射位移計15B的測定結果被適時通知給位置控制部14。位置控制部14對移動保持部中的保持高度進行控制，可包含CPU、由CPU所執行的程式、保存有程式或動作參數的記憶部等。
在移動保持部中，與所述實施形態同樣，具有滑動部30與升降部32、升降部33、支持部34、支持部35。另外，移動保 持部的構成亦可採用所述的其他實施形態的保持部。
而且，亦可由控制部10兼作位置控制部14。
本實施形態中，包含照射區域搬送路徑2b的搬送路徑2、氣體浮起裝置20、導軌28A、導軌28B、滑動部30、升降部32、升降部33、支持部34、支持部35構成本發明的被處理體搬送裝置。
位置控制部14在收到雷射位移計15A、雷射位移計15B的偵測結果時，算出被處理體100的斜率，對此，算出支持部34、支持部35所需的位置調整量。此時，亦可在寬度方向上進行支持部34、支持部35的位置調整。在位置控制部14中，基於算出結果來適宜調整支持部34、支持部35的保持高度，從而可準確地控制被處理體100至少在照射區域搬送路徑2b中的姿勢。因此，升降部32、升降部33、支持部34、支持部35相當於位置調整部。
另外，本實施形態中，作為藉由移動保持部來進行照射區域搬送路徑2b中的被處理體的姿勢控制的情況進行了說明，但亦可設置不同於移動保持部的位置調整部，利用該位置調整部來控制被處理體的姿勢。位置調整部的構成並無特別限定，亦可藉由不同於移動保持部的保持部或者氣體浮起的調整等來進行。本實施形態中，在照射區域搬送路徑中，進行保持部34、支持部35的解除，但對於支持部34、支持部35，亦可不進行處理區域搬送路徑中的支持部的解除動作。
所述各實施形態中，對適用於雷射退火裝置的被處理體搬送裝置進行了說明，但本發明的被處理體搬送裝置的適用範圍 並不限定於雷射退火裝置，可適用於雷射剝離(laser lift off)裝置等被處理體搬送裝置，本發明的適用範圍並無特別限定。
而且，對於本發明，基於所述實施形態進行了說明，但本發明並不限定於所述實施形態的說明，只要不脫離本發明的範圍，則可進行本實施形態的適宜變更。
28A、28B:導軌
30:滑動部
32、33:升降部
34、35:支持部
100:被處理體

Claims (17)

  1. 一種被處理體搬送裝置，其搬送被處理體，所述被處理體搬送裝置的特徵在於包括：搬送路徑，供所述被處理體移動；氣體浮起部，在所述搬送路徑上利用氣體來使所述被處理體浮起；移動保持部，保持利用所述氣體浮起部而浮起的所述被處理體，與所述被處理體一同於所述搬送路徑上移動；以及處理區域搬送路徑，位於所述搬送路徑上且具有進行針對所述被處理體照射雷射的雷射退火處理的處理區域，所述移動保持部至少沿著所述搬送路徑的移動方向而具有二個以上的保持部，各所述保持部可在所述被處理體的移動中進行所述被處理體的保持解除與保持的切換，所述保持部可進行保持力的變更，在到達所述處理區域搬送路徑之前將所述保持力變更為小，在通過所述處理區域搬送路徑後，減小所述保持力而再次開始保持，隨後恢復至通常的所述保持力。
  2. 一種被處理體搬送裝置，其搬送被處理體，所述被處理體搬送裝置的特徵在於包括：搬送路徑，供所述被處理體移動；氣體浮起部，在所述搬送路徑上利用氣體來使所述被處理體浮起； 移動保持部，保持利用所述氣體浮起部而浮起的所述被處理體，與所述被處理體一同於所述搬送路徑上移動；處理區域搬送路徑，位於所述搬送路徑上且具有進行針對所述被處理體照射雷射的雷射退火處理的處理區域；以及第2氣體浮起部，在所述處理區域搬送路徑上，與所述處理區域搬送路徑以外的所述搬送路徑的所述氣體浮起部不同，且較所述處理區域搬送路徑以外的所述搬送路徑的所述氣體浮起部更精密地利用氣體來使所述被處理體浮起，所述移動保持部至少沿著所述搬送路徑的移動方向而具有二個以上的保持部，各所述保持部可在所述被處理體的移動中進行所述被處理體的保持解除與保持的切換。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的被處理體搬送裝置，其中所述保持部可進行保持力的變更。
  4. 如申請專利範圍第1項或第3項所述的被處理體搬送裝置，其中所述保持部是變更具有所述保持力的保持面的大小來進行所述保持力的變更。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的被處理體搬送裝置，其包括：控制部，控制所述移動保持部的動作，所述控制部獲取所述移動保持部於所述搬送路徑上的位置資 訊，並基於所述位置資訊來控制下述動作，即，在所述處理區域搬送路徑上進行解除所述保持部對所述被處理體的保持的動作，而在所述處理區域搬送路徑以外的搬送路徑上，進行所述保持。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的被處理體搬送裝置，其中沿著所述搬送路徑的移動方向的二個以上的保持部位於沿著移動方向的同一軸上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的被處理體搬送裝置，其中在所述處理區域搬送路徑上，具有與處理區域搬送路徑以外的搬送路徑的氣體浮起部不同的第2氣體浮起部。
  8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的被處理體搬送裝置，其中所述保持部在所述保持的解除時，成為與所述被處理體非接觸的狀態。
  9. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的被處理體搬送裝置，其中所述保持部具有升降機構，所述升降機構具有在下表面側保持所述被處理體的下側保持部，並使所述下側保持部升降，且進行下述動作，即，在所述保持時，所述下側保持部上升，而在所述保持解除時，所述下側保持部下降。
  10. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的被處 理體搬送裝置，其中所述保持部具有升降機構，所述升降機構具有在上表面側保持所述被處理體的上側保持部，並使所述上側保持部升降，且進行下述動作，即，在所述保持時，所述上側保持部下降，而在所述保持解除時，所述上側保持部上升。
  11. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的被處理體搬送裝置，其中所述保持部具有靜電保持部或吸引保持部。
  12. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的被處理體搬送裝置，其包括：位置偵測部，獲取所述處理區域搬送路徑上的所述被處理體的位置；高度位置調整部，進行所述被處理體的高度位置調整；以及位置控制部，控制所述高度位置調整部，所述位置控制部接收所述位置偵測部的偵測結果，並基於所述偵測結果，藉由所述高度位置調整部來調整所述被處理體於所述處理區域搬送路徑上的位置。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的被處理體搬送裝置，其中所述移動保持部至少沿著所述搬送路徑的移動方向而具有二個以上的保持部，且可進行所述保持部的保持位置的調整，從而可作為所述位置調整部來進行所述被處理體的位置調整。
  14. 一種半導體製造裝置，其特徵在於包括如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述的被處理體搬送裝置，且由所述被處理體搬送裝置所搬送的被處理體為半導體。
  15. 一種被處理體搬送方法，其搬送被處理體，所述被處理體搬送方法的特徵在於包括：氣體浮起步驟，利用氣體來使所述被處理體浮起；以及搬送步驟，利用保持部來保持浮起的所述被處理體，並使所述保持部與所述被處理體一同於搬送路徑上移動，在所述搬送步驟中，利用沿著移動方向的多個所述保持部來保持所述被處理體，在所述保持部已到達包含於所述搬送路徑中且進行針對所述被處理體照射雷射的雷射退火處理的處理區域搬送路徑的狀態下，解除位於處理區域搬送路徑的所述保持部的保持，當解除了保持的所述保持部已經過所述處理區域搬送路徑時，進行所述保持，所述保持中，所述保持部在到達所述處理區域搬送路徑之前將所述保持部的保持力變更為小，在所述保持部已到達所述處理區域搬送路徑的狀態下，解除位於所述處理區域搬送路徑的所述保持部的保持，當解除了保持的所述保持部已經過所述處理區域搬送路徑時，減小所述保持力而再次開始保持，隨後以通常的保持力進行所述保持。
  16. 一種被處理體搬送方法，其搬送被處理體，所述被處理體搬送方法的特徵在於包括： 氣體浮起步驟，利用氣體來使所述被處理體浮起；以及搬送步驟，利用保持部來保持浮起的所述被處理體，並使所述保持部與所述被處理體一同於搬送路徑上移動，在所述搬送步驟中，利用沿著移動方向的多個所述保持部來保持所述被處理體，在所述保持部已到達包含於所述搬送路徑中且進行針對所述被處理體照射雷射的雷射退火處理的處理區域搬送路徑的狀態下，解除位於處理區域搬送路徑的所述保持部的保持，當解除了保持的所述保持部已經過所述處理區域搬送路徑時，進行所述保持，在所述被處理體已到達所述處理區域搬送路徑的狀態下，利用第2氣體浮起部以較所述處理區域搬送路徑以外的所述搬送路徑中的氣體浮起部所進行的氣體浮起更精密地利用氣體來使所述被處理體浮起。
  17. 如申請專利範圍第15項或第16項所述的被處理體搬送方法，其中在解除所述保持部的保持時，使所述保持部成為與所述被處理體非接觸的狀態。
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