JPH065537A - 半導体層のアニール方法 - Google Patents
半導体層のアニール方法Info
- Publication number
- JPH065537A JPH065537A JP18566592A JP18566592A JPH065537A JP H065537 A JPH065537 A JP H065537A JP 18566592 A JP18566592 A JP 18566592A JP 18566592 A JP18566592 A JP 18566592A JP H065537 A JPH065537 A JP H065537A
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- JP
- Japan
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- laser
- semiconductor layer
- emitted
- annealing
- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パルスレーザ光の照射によりアモルファスシ
リコン層を結晶化してポリシリコン層とする際、ポリシ
リコンの結晶粒径を大きくする。 【構成】 パルスレーザ源１から出射された１つの出射
レーザ光２を５つの分割レーザ光４ａ〜４ｅに分割す
る。各分割レーザ光４ａ〜４ｅは、光路長が相互に異な
る光路を通過し、かつ光路長が長くなるほど減衰され、
この後合成される。これにより得られたアニール用レー
ザ光８は、パルス幅が長くかつ該パルス幅のある時点以
降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強度以下
のレーザ光となる。したがって、このアニール用レーザ
光８を半導体層（アモルファスシリコン層）９に照射す
ると、一度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすること
ができ、ひいては結晶粒径を大きくすることができる。
リコン層を結晶化してポリシリコン層とする際、ポリシ
リコンの結晶粒径を大きくする。 【構成】 パルスレーザ源１から出射された１つの出射
レーザ光２を５つの分割レーザ光４ａ〜４ｅに分割す
る。各分割レーザ光４ａ〜４ｅは、光路長が相互に異な
る光路を通過し、かつ光路長が長くなるほど減衰され、
この後合成される。これにより得られたアニール用レー
ザ光８は、パルス幅が長くかつ該パルス幅のある時点以
降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強度以下
のレーザ光となる。したがって、このアニール用レーザ
光８を半導体層（アモルファスシリコン層）９に照射す
ると、一度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすること
ができ、ひいては結晶粒径を大きくすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体層のアニール方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ等の半導体装置の技術
分野では、ＣＷ(continuous wave)レーザ光やパルスレ
ーザ光を照射してアニールすることにより、アモルファ
スシリコン層を結晶化してポリシリコン層としたり、ポ
リシリコン層を再結晶化して単結晶シリコン層としたり
することがある。
分野では、ＣＷ(continuous wave)レーザ光やパルスレ
ーザ光を照射してアニールすることにより、アモルファ
スシリコン層を結晶化してポリシリコン層としたり、ポ
リシリコン層を再結晶化して単結晶シリコン層としたり
することがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＷレ
ーザ光照射によるアニールの場合には、基板温度を５０
０〜６００℃程度と高くしなければならず、このため基
板としてガラス基板を用いることとすると、高価なガラ
ス基板を用いる必要がある。一方、パルスレーザ光照射
によるアニールの場合には、例えばＸｅＣｌエキシマレ
ーザで３０８ｎｍというように数百ｎｍのレーザ光を数
〜数十ｎｍのパルス幅で照射することになるので、短時
間の照射で液相成長による（再）結晶化が行なわれるこ
ととなり、このため一度溶融したシリコンの凝固速度が
速く、ひいては結晶粒径をある程度以上に大きくするこ
とができない。この結果、例えばアモルファスシリコン
層を結晶化してなるポリシリコン層を活性層とする薄膜
トランジスタの場合、ポリシリコンの結晶粒径が小さい
と、移動度を高くすることができないことになる。この
発明の目的は、パルスレーザ光照射によるアニールにお
いて、結晶粒径を大きくすることのできる半導体層のア
ニール方法を提供することにある。
ーザ光照射によるアニールの場合には、基板温度を５０
０〜６００℃程度と高くしなければならず、このため基
板としてガラス基板を用いることとすると、高価なガラ
ス基板を用いる必要がある。一方、パルスレーザ光照射
によるアニールの場合には、例えばＸｅＣｌエキシマレ
ーザで３０８ｎｍというように数百ｎｍのレーザ光を数
〜数十ｎｍのパルス幅で照射することになるので、短時
間の照射で液相成長による（再）結晶化が行なわれるこ
ととなり、このため一度溶融したシリコンの凝固速度が
速く、ひいては結晶粒径をある程度以上に大きくするこ
とができない。この結果、例えばアモルファスシリコン
層を結晶化してなるポリシリコン層を活性層とする薄膜
トランジスタの場合、ポリシリコンの結晶粒径が小さい
と、移動度を高くすることができないことになる。この
発明の目的は、パルスレーザ光照射によるアニールにお
いて、結晶粒径を大きくすることのできる半導体層のア
ニール方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
パルスレーザ源から出射された出射レーザ光をアモルフ
ァスシリコンやポリシリコン等からなる半導体層に照射
して該半導体層をアニールする際、前記パルスレーザ源
から出射された出射レーザ光に基づいて、パルス幅が前
記出射レーザ光のそれよりも長くかつ該パルス幅のある
時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強
度以下であるアニール用レーザ光を形成し、該アニール
用レーザ光を前記半導体層に照射するようにしたもので
ある。請求項２記載の発明は、パルスレーザ源から出射
された１つの出射レーザ光を複数のレーザ光に分割し、
各分割レーザ光の半導体層に到達するまでの各距離を光
学系によって異ならせるとともに、各光路におけるレー
ザ強度の減衰率を変え、この後複数の分割レーザ光を合
成して前記半導体層に照射するようにしたものである。
請求項３記載の発明は、パルスレーザ源から連続して出
射された複数の出射レーザ光の半導体層に到達するまで
の各距離を光学系によって異ならせるとともに、各光路
におけるレーザ強度の減衰率を変え、この後複数の出射
レーザ光を合成して前記半導体層に照射するようにした
ものである。
パルスレーザ源から出射された出射レーザ光をアモルフ
ァスシリコンやポリシリコン等からなる半導体層に照射
して該半導体層をアニールする際、前記パルスレーザ源
から出射された出射レーザ光に基づいて、パルス幅が前
記出射レーザ光のそれよりも長くかつ該パルス幅のある
時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強
度以下であるアニール用レーザ光を形成し、該アニール
用レーザ光を前記半導体層に照射するようにしたもので
ある。請求項２記載の発明は、パルスレーザ源から出射
された１つの出射レーザ光を複数のレーザ光に分割し、
各分割レーザ光の半導体層に到達するまでの各距離を光
学系によって異ならせるとともに、各光路におけるレー
ザ強度の減衰率を変え、この後複数の分割レーザ光を合
成して前記半導体層に照射するようにしたものである。
請求項３記載の発明は、パルスレーザ源から連続して出
射された複数の出射レーザ光の半導体層に到達するまで
の各距離を光学系によって異ならせるとともに、各光路
におけるレーザ強度の減衰率を変え、この後複数の出射
レーザ光を合成して前記半導体層に照射するようにした
ものである。
【０００５】
【作用】この発明によれば、パルス幅が長くかつ該パル
ス幅のある時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に
対応する強度以下であるアニール用レーザ光を半導体層
に照射することになるので、長時間の照射で液相成長に
よる（再）結晶化が行なわれることとなり、しかもある
時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強
度以下となり、このため一度溶融したシリコンの凝固速
度を遅くすることができ、したがって結晶粒径を大きく
することができる。
ス幅のある時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に
対応する強度以下であるアニール用レーザ光を半導体層
に照射することになるので、長時間の照射で液相成長に
よる（再）結晶化が行なわれることとなり、しかもある
時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強
度以下となり、このため一度溶融したシリコンの凝固速
度を遅くすることができ、したがって結晶粒径を大きく
することができる。
【０００６】
【実施例】図１はこの発明の一実施例における半導体層
のアニール方法で使用するアニール装置の概略構成を示
したものである。このアニール装置では、パルスレーザ
源１から出射された１つの出射レーザ光２をビームスプ
リッタ３で複数の例えば５つの分割レーザ光４ａ〜４ｅ
に分割し、各分割レーザ光４ａ〜４ｅをミラー群５によ
って光路長が相互に異なる光路を通過させた後各光減衰
器６ａ〜６ｂによって適宜に減衰し、この後これらの分
割レーザ光４ａ〜４ｅを集光器７で合成し、これにより
得られたアニール用レーザ光８を半導体層９の表面に照
射するようになっている。
のアニール方法で使用するアニール装置の概略構成を示
したものである。このアニール装置では、パルスレーザ
源１から出射された１つの出射レーザ光２をビームスプ
リッタ３で複数の例えば５つの分割レーザ光４ａ〜４ｅ
に分割し、各分割レーザ光４ａ〜４ｅをミラー群５によ
って光路長が相互に異なる光路を通過させた後各光減衰
器６ａ〜６ｂによって適宜に減衰し、この後これらの分
割レーザ光４ａ〜４ｅを集光器７で合成し、これにより
得られたアニール用レーザ光８を半導体層９の表面に照
射するようになっている。
【０００７】すなわち、このアニール装置では、５つの
分割レーザ光４ａ〜４ｅの各光路長がこの順で長くなっ
ている。そこで、例えば図２（Ａ）に示すように、ある
時点Ｔでパルスレーザ源１から出射レーザ光２がパルス
幅ｔ、レーザ強度Ｐ0で出射されたとする。すると、最
も短い光路を進む分割レーザ光４ａは、ミラー群５のミ
ラーによって１回も反射されることなく、対応する光減
衰器６ａによって適宜に減衰され、そして図２（Ｂ）に
示すように、時点Ｔから所定の時間（例えばｔ）経過し
た後、レーザ強度Ｐ1（＜Ｐ0）で集光器７に入射され
る。なお、この分割レーザ光４ａは減衰させなくてもよ
いので、レーザ強度Ｐ0で集光器７に入射させるように
してもよい。次の分割レーザ光４ｂは、ミラー群５のう
ち対応するミラーによって所定の回数反射されるととも
に各反射ごとに適宜に減衰され、また対応する光減衰器
６ｂによっても適宜に減衰され、そして図２（Ｃ）に示
すように、時点Ｔから所定の時間（３ｔ／２）経過した
後、レーザ強度Ｐ2（＜Ｐ1）で集光器７に入射される。
次の分割レーザ光４ｃは、ミラー群５のうち対応するミ
ラーによって所定の回数反射されるとともに各反射ごと
に適宜に減衰され、また対応する光減衰器６ｃによって
も適宜に減衰され、そして図２（Ｄ）に示すように、時
点Ｔから所定の時間（２ｔ）経過した後、レーザ強度Ｐ
3（＜Ｐ2）で集光器７に入射される。次の分割レーザ光
４ｄは、ミラー群５のうち対応するミラーによって所定
の回数反射されるとともに各反射ごとに適宜に減衰さ
れ、また対応する光減衰器６ｄによっても適宜に減衰さ
れ、そして図２（Ｅ）に示すように、時点Ｔから所定の
時間（５ｔ／２）経過した後、レーザ強度Ｐ4（＜Ｐ3）
で集光器７に入射される。次の最も長い光路を進む分割
レーザ光４ｅは、ミラー群５のうち対応するミラーによ
って所定の回数反射されるとともに各反射ごとに適宜に
減衰され、また対応する光減衰器６ｅによっても適宜に
減衰され、そして図２（Ｆ）に示すように、時点Ｔから
所定の時間（３ｔ）経過した後、レーザ強度Ｐ5（＜
Ｐ4）で集光器７に入射される。
分割レーザ光４ａ〜４ｅの各光路長がこの順で長くなっ
ている。そこで、例えば図２（Ａ）に示すように、ある
時点Ｔでパルスレーザ源１から出射レーザ光２がパルス
幅ｔ、レーザ強度Ｐ0で出射されたとする。すると、最
も短い光路を進む分割レーザ光４ａは、ミラー群５のミ
ラーによって１回も反射されることなく、対応する光減
衰器６ａによって適宜に減衰され、そして図２（Ｂ）に
示すように、時点Ｔから所定の時間（例えばｔ）経過し
た後、レーザ強度Ｐ1（＜Ｐ0）で集光器７に入射され
る。なお、この分割レーザ光４ａは減衰させなくてもよ
いので、レーザ強度Ｐ0で集光器７に入射させるように
してもよい。次の分割レーザ光４ｂは、ミラー群５のう
ち対応するミラーによって所定の回数反射されるととも
に各反射ごとに適宜に減衰され、また対応する光減衰器
６ｂによっても適宜に減衰され、そして図２（Ｃ）に示
すように、時点Ｔから所定の時間（３ｔ／２）経過した
後、レーザ強度Ｐ2（＜Ｐ1）で集光器７に入射される。
次の分割レーザ光４ｃは、ミラー群５のうち対応するミ
ラーによって所定の回数反射されるとともに各反射ごと
に適宜に減衰され、また対応する光減衰器６ｃによって
も適宜に減衰され、そして図２（Ｄ）に示すように、時
点Ｔから所定の時間（２ｔ）経過した後、レーザ強度Ｐ
3（＜Ｐ2）で集光器７に入射される。次の分割レーザ光
４ｄは、ミラー群５のうち対応するミラーによって所定
の回数反射されるとともに各反射ごとに適宜に減衰さ
れ、また対応する光減衰器６ｄによっても適宜に減衰さ
れ、そして図２（Ｅ）に示すように、時点Ｔから所定の
時間（５ｔ／２）経過した後、レーザ強度Ｐ4（＜Ｐ3）
で集光器７に入射される。次の最も長い光路を進む分割
レーザ光４ｅは、ミラー群５のうち対応するミラーによ
って所定の回数反射されるとともに各反射ごとに適宜に
減衰され、また対応する光減衰器６ｅによっても適宜に
減衰され、そして図２（Ｆ）に示すように、時点Ｔから
所定の時間（３ｔ）経過した後、レーザ強度Ｐ5（＜
Ｐ4）で集光器７に入射される。
【０００８】そして、これらの分割レーザ光４ａ〜４ｅ
を合成して得られたアニール用レーザ光８は、図２
（Ｇ）に示すように、パルス幅が３ｔと長くなり、また
このパルス幅のｔの時点までのレーザ強度がＰ（シリコ
ンの融点または凝固点に対応する強度）以上となり、パ
ルス幅のｔの時点以降のレーザ強度がＰ以下となる。し
たがって、パルス幅が３ｔと長くかつ該パルス幅のｔの
時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強
度以下であるアニール用レーザ光８が半導体層９に照射
され、長時間の照射で液相成長による（再）結晶化が行
なわれることとなり、しかもある時点以降のレーザ強度
がシリコンの凝固点に対応する強度以下となり、このた
め一度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすることがで
き、ひいては結晶粒径を大きくすることができる。この
結果、例えばアモルファスシリコン層を結晶化してなる
ポリシリコン層を活性層とする薄膜トランジスタの場
合、ポリシリコンの結晶粒径を大きくすることができる
ので、移動度を高くすることができる。なお、参考とし
て光路差が３ｍあると、レーザ光の時間差は略１０ｎｓ
ｅｃとなる。
を合成して得られたアニール用レーザ光８は、図２
（Ｇ）に示すように、パルス幅が３ｔと長くなり、また
このパルス幅のｔの時点までのレーザ強度がＰ（シリコ
ンの融点または凝固点に対応する強度）以上となり、パ
ルス幅のｔの時点以降のレーザ強度がＰ以下となる。し
たがって、パルス幅が３ｔと長くかつ該パルス幅のｔの
時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強
度以下であるアニール用レーザ光８が半導体層９に照射
され、長時間の照射で液相成長による（再）結晶化が行
なわれることとなり、しかもある時点以降のレーザ強度
がシリコンの凝固点に対応する強度以下となり、このた
め一度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすることがで
き、ひいては結晶粒径を大きくすることができる。この
結果、例えばアモルファスシリコン層を結晶化してなる
ポリシリコン層を活性層とする薄膜トランジスタの場
合、ポリシリコンの結晶粒径を大きくすることができる
ので、移動度を高くすることができる。なお、参考とし
て光路差が３ｍあると、レーザ光の時間差は略１０ｎｓ
ｅｃとなる。
【０００９】なお、上記実施例では、パルスレーザ源１
から出射された１つの出射レーザ光２を５つの分割レー
ザ光４ａ〜４ｅに分割し、ミラー群５および各光減衰器
６ａ〜６ｅを通過した後の各分割レーザ光４ａ〜４ｅを
合成して１つのアニール用レーザ光８を得ているが、こ
れに限定されるものではない。例えば、図３に示すよう
に、５つの出射レーザ光１１〜１５をパルスレーザ源か
ら連続して出射させるとともに回転多面鏡等によって分
散し、ミラー群および各光減衰器を通過した後の各出射
レーザ光１５ａ〜１１ａを合成して１つのアニール用レ
ーザ光１６を得るようにしてもよい。この場合、図３
（Ａ）の如く出射レーザ光１１〜１５をこの順に出射し
たとき、最後の出射レーザ光１５を最も短い光路で、最
も低い減衰率で通過した出射レーザ光１５ａとし（図３
（Ｂ））、最後から２番目の出射レーザ光１４を２番目
に短い光路で、２番目に低い減衰率で通過した出射レー
ザ光１４ａとし（図３（Ｃ））、最後から３番目の出射
レーザ光１３を３番目に短い光路で、３番目に低い減衰
率で通過した出射レーザ光１３ａとし（図３（Ｄ））、
最後から４番目の出射レーザ光１２を４番目に短い光路
で、４番目に低い減衰率で通過した出射レーザ光１２ａ
とし（図３（Ｅ））、一番最初に出射した出射レーザ光
１１を最も長い光路で、最も高い減衰率で通過した出射
レーザ光１１ａとし（図３（Ｆ））、これら出射レーザ
光１１ａ〜１５ａを合成して、図３（Ｇ）に示す如く、
パルス幅が広くかつ時間と共に強度が小さくなるレーザ
光１６となして半導体層に照射する。
から出射された１つの出射レーザ光２を５つの分割レー
ザ光４ａ〜４ｅに分割し、ミラー群５および各光減衰器
６ａ〜６ｅを通過した後の各分割レーザ光４ａ〜４ｅを
合成して１つのアニール用レーザ光８を得ているが、こ
れに限定されるものではない。例えば、図３に示すよう
に、５つの出射レーザ光１１〜１５をパルスレーザ源か
ら連続して出射させるとともに回転多面鏡等によって分
散し、ミラー群および各光減衰器を通過した後の各出射
レーザ光１５ａ〜１１ａを合成して１つのアニール用レ
ーザ光１６を得るようにしてもよい。この場合、図３
（Ａ）の如く出射レーザ光１１〜１５をこの順に出射し
たとき、最後の出射レーザ光１５を最も短い光路で、最
も低い減衰率で通過した出射レーザ光１５ａとし（図３
（Ｂ））、最後から２番目の出射レーザ光１４を２番目
に短い光路で、２番目に低い減衰率で通過した出射レー
ザ光１４ａとし（図３（Ｃ））、最後から３番目の出射
レーザ光１３を３番目に短い光路で、３番目に低い減衰
率で通過した出射レーザ光１３ａとし（図３（Ｄ））、
最後から４番目の出射レーザ光１２を４番目に短い光路
で、４番目に低い減衰率で通過した出射レーザ光１２ａ
とし（図３（Ｅ））、一番最初に出射した出射レーザ光
１１を最も長い光路で、最も高い減衰率で通過した出射
レーザ光１１ａとし（図３（Ｆ））、これら出射レーザ
光１１ａ〜１５ａを合成して、図３（Ｇ）に示す如く、
パルス幅が広くかつ時間と共に強度が小さくなるレーザ
光１６となして半導体層に照射する。
【００１０】上述せる実施例において、ミラー群の代わ
りに、複数本のグラスファイバを用い、その長さを相互
に異ならせることによって光路長を変え、半導体層に到
達する時間を調整するようにしてもよい。さらに、上記
実施例では、半導体層を（再）結晶化する場合について
説明したが、この発明はこれに限らず、例えば半導体層
に注入した不純物を活性化する場合に適用し、拡散層の
深さを自由に制御することができる。
りに、複数本のグラスファイバを用い、その長さを相互
に異ならせることによって光路長を変え、半導体層に到
達する時間を調整するようにしてもよい。さらに、上記
実施例では、半導体層を（再）結晶化する場合について
説明したが、この発明はこれに限らず、例えば半導体層
に注入した不純物を活性化する場合に適用し、拡散層の
深さを自由に制御することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、パルス幅が長くかつ該パルス幅のある時点以降のレ
ーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強度以下である
アニール用レーザ光を半導体層に照射しているので、一
度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすることができ、
したがって結晶粒径を大きくすることができる。この結
果、例えばアモルファスシリコン層を結晶化してなるポ
リシリコン層を活性層とする薄膜トランジスタの場合、
ポリシリコンの結晶粒径を大きくすることができるの
で、移動度を高くすることができる。
ば、パルス幅が長くかつ該パルス幅のある時点以降のレ
ーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強度以下である
アニール用レーザ光を半導体層に照射しているので、一
度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすることができ、
したがって結晶粒径を大きくすることができる。この結
果、例えばアモルファスシリコン層を結晶化してなるポ
リシリコン層を活性層とする薄膜トランジスタの場合、
ポリシリコンの結晶粒径を大きくすることができるの
で、移動度を高くすることができる。
【図１】この発明の一実施例における半導体層のアニー
ル方法で使用するアニール装置の概略構成図。
ル方法で使用するアニール装置の概略構成図。
【図２】この一実施例におけるレーザ光のタイムチャー
ト。
ト。
【図３】この発明の他の実施例におけるレーザ光のタイ
ムチャート。
ムチャート。
【符号の説明】 １ パルスレーザ源 ２ 出射レーザ光 ３ ビームスプリッタ ４ａ〜４ｅ 分割レーザ光 ５ ミラー群 ６ａ〜６ｂ 減衰器 ７ 集光器７ ８ アニール用レーザ光 ９ 半導体層
Claims (4)
- 【請求項１】 パルスレーザ源から出射された出射レー
ザ光をアモルファスシリコンやポリシリコン等からなる
半導体層に照射して該半導体層をアニールする際、前記
パルスレーザ源から出射された出射レーザ光に基づい
て、パルス幅が前記出射レーザ光のそれよりも長くかつ
該パルス幅のある時点以降のレーザ強度がシリコンの凝
固点に対応する強度以下であるアニール用レーザ光を形
成し、該アニール用レーザ光を前記半導体層に照射する
ようにしたことを特徴とする半導体層のアニール方法。 - 【請求項２】 パルスレーザ源から出射された１つの出
射レーザ光を複数のレーザ光に分割し、各分割レーザ光
の半導体層に到達するまでの各距離を光学系によって異
ならせるとともに、各光路におけるレーザ強度の減衰率
を変え、この後複数の分割レーザ光を合成して前記半導
体層に照射するようにしたことを特徴とする半導体層の
アニール方法。 - 【請求項３】 パルスレーザ源から連続して出射された
複数の出射レーザ光の半導体層に到達するまでの各距離
を光学系によって異ならせるとともに、各光路における
レーザ強度の減衰率を変え、この後複数の出射レーザ光
を合成して前記半導体層に照射するようにしたことを特
徴とする半導体層のアニール方法。 - 【請求項４】 前記光学系を通過した後の各レーザ光を
光減衰器で減衰するようにしたことを特徴とする請求項
１ないし３記載の半導体層のアニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18566592A JPH065537A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体層のアニール方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18566592A JPH065537A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体層のアニール方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065537A true JPH065537A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16174731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18566592A Pending JPH065537A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体層のアニール方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065537A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6621636B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus and method of laser irradiation |
| US6955956B2 (en) | 2000-12-26 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2005294409A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | コヒーレント光結合装置 |
| JP2011215287A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Hitachi Zosen Corp | 光出力減衰器 |
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- 1992-06-22 JP JP18566592A patent/JPH065537A/ja active Pending
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