JPH11186163A - 薄膜形成方法および薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成方法および薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH11186163A JPH11186163A JP34837897A JP34837897A JPH11186163A JP H11186163 A JPH11186163 A JP H11186163A JP 34837897 A JP34837897 A JP 34837897A JP 34837897 A JP34837897 A JP 34837897A JP H11186163 A JPH11186163 A JP H11186163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- laser
- laser light
- silicon thin
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
た非晶質シリコン薄膜を迅速にアニールして多結晶化で
きる薄膜形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 高出力のエキシマレーザ光を2つに分け
て、必要なエネルギーに制御したのちレーザー光の形状
を線状に成形して2つの横並びのレーザー光107a,
107bを作り、これを非晶質シリコンに照射して多結
晶化する。
Description
において薄膜トランジスタの形成に使用される薄膜形成
方法および薄膜形成装置に関するものである。
ーザー光で多結晶シリコン薄膜に加工する際、1つのレ
ーザー発振装置から1つのレーザー光を線状形状に成形
するレーザー加工装置を用いて、その1つのレーザー光
を非晶質シリコン薄膜に照射することにより多結晶シリ
コン薄膜を形成していた。
状に成形する装置では光学系の制約等の理由により安定
した形状の線状のレーザー光を得るためには線状に成形
されたレーザー光の長さが300mmより大きくするこ
とが困難であり、高出力のレーザー発振装置を用いても
300mm以上のガラス基板上に堆積された非晶質シリ
コン薄膜をレーザー光を用いて多結晶化するためには、
何回かに分けて照射を行う必要がある。
シリコン薄膜を一度のレーザー照射で多結晶シリコン薄
膜に形成できる薄膜形成方法および薄膜形成装置を提供
することを目的とする。
分離し、分離されたレーザー光をそれぞれ線状に成形加
工し、この加工されたレーザー光を横並びにして基板上
の非晶質シリコン薄膜に照射して多結晶化することを特
徴とする。
さのガラス基板上に堆積された非晶質シリコンを一度の
照射により多結晶化できる。
基板上に堆積した非晶質シリコン薄膜を多結晶化するに
際し、レーザー光を分離し、分離されたレーザー光をそ
れぞれ線状に成形加工し、この加工されたレーザー光を
横並びにして前記基板上の非晶質シリコン薄膜に照射し
て多結晶化することを特徴とする。
において、レーザーがエキシマレーザーであることを特
徴とする。請求項3記載の薄膜形成方法は、請求項1ま
たは請求項2において、レーザー光が非晶質シリコン薄
膜に照射される際のエネルギー密度が200mJ/cm
2以上で400mJ/cm2以下であることを特徴とす
る。
〜請求項3の何れかにおいて、非晶質シリコン薄膜に照
射される際のレーザー光の相互間のエネルギー密度のバ
ラツキが±5%以下であることを特徴とする。
〜請求項4の何れかにおいて、2つ以上横並びの線状に
加工されたレーザー光が1つのレーザー発振装置により
発振されることを特徴とする。
を発振させるための第1の装置と、第1の装置から出力
されたレーザー光を2つに分離する第2の装置と、少な
くとも1つ以上の前記2つに分離されたレーザー光のエ
ネルギーを制御する第3の装置と、少なくとも2つ以上
のレーザー光の形状を成形する第4の装置とを備え、前
記第4の装置で成形されたレーザー光を横並びに照射す
るように構成したことを特徴とする。
において、レーザーがエキシマレーザーであること特徴
とする。請求項8記載の薄膜形成装置は、請求項6また
は請求項7において、第4の装置で加工されたレーザー
の形状が線状であり、幅100μm以上で500μm以
下、長さ150mm以上で300mm以下であることを
特徴とする。
施の形態に基づいて説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の薄膜形成方法を実現す
る薄膜形成装置を示す。
出力150W以上のエキシマレーザー光を、分離装置1
02により2つのレーザー光に分離する。この分離装置
102は、レーザーのエネルギーの制御も兼ねるものと
する。
ー光103は、照射に必要なエネルギーに制御された状
態となってミラー111を介して第1の加工装置106
aに導入される。
ーザー光105は、ミラー112を介してエネルギー制
御装置104によりレーザー光と同等のエネルギーに制
御され、ミラー113を介してレーザー光114として
第2の加工装置106bへ導入される。
は、導入されたレーザー光を線状のレーザー光に加工す
る装置で、具体的には、第1,第2の加工装置106
a,106bは何れも幅100μmから500μm、長
さ150mmから300mmの形状に成形された線状の
レーザー光を出射するもので、第1の加工装置106a
から出射した線状レーザー光107aと第2の加工装置
106bから出射した線状レーザー光107bとが図1
と図2に示すように横並びになるように第1,第2の加
工装置106a,106bが配置されている。
からの線状レーザー光107a,107bの照射を受け
るガラス基板110の上には、非晶質シリコン薄膜10
9が形成されており、横並びの2つの線状レーザー光1
07a,107bが非晶質シリコン薄膜109へ照射さ
れることにより、300mm程度から600mm程度の
幅の基板110の非晶質シリコン薄膜109のほとんど
全幅を、一度の照射で多結晶シリコン薄膜108に形成
することができ、線状レーザー光107a,107bを
移動させて、または基板110を移動させて、あるいは
両方を反対方向に移動させるなどして、両者を相対移動
させながらレーザー光を照射することによって、基板1
10の非晶質シリコン薄膜109のほとんど全面を、安
定した多結晶シリコン薄膜108にすることができる。
結晶シリコン薄膜108の上に多数の薄膜トランジスタ
を形成して液晶表示装置を製造することによって、迅速
に良好な液晶表示装置が得られる。
晶質シリコン薄膜109に照射される際のエネルギー密
度が200mJ/cm2以上で400mJ/cm2以下
で、レーザー光107a,107bの相互間のエネルギ
ー密度のバラツキが±5%以下である場合に特に良好な
結果が得られた。
より得られたレーザー光を、分離装置102により2つ
のレーザー光に分離し、第1,第2の加工装置106
a,106bからの横並びの2つの線状レーザー光10
7a,107bを非晶質シリコン109に照射したが、
3つ以上のレーザー光を第1,第2の加工装置106
a,106bに代わる加工装置でそれぞれに線状に加工
し、これらを横並びにして非晶質シリコン109に照射
して良好な多結晶薄膜を得ることもできる。
m以上の大きさの基板上に堆積された非晶質シリコン薄
膜であっても複数のレーザー光を横並びに配置すること
により一度の照射で基板全面の多結晶化を実現すること
ができる。
の正面図
ザー光 112 ミラー 104 エネルギー制御装置 113 ミラー 106b 第2の加工装置 107a 線状レーザー光 107b 線状レーザー光 110 ガラス基板 109 非晶質シリコン薄膜 108 多結晶シリコン薄膜
Claims (8)
- 【請求項1】 基板上に堆積した非晶質シリコン薄膜を
多結晶化するに際し、レーザー光を分離し、分離された
レーザー光をそれぞれ線状に成形加工し、この加工され
たレーザー光を横並びにして前記基板上の非晶質シリコ
ン薄膜に照射して多結晶化する薄膜形成方法。 - 【請求項2】 レーザーがエキシマレーザーである請求
項1に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項3】 レーザー光が非晶質シリコン薄膜に照射
される際のエネルギー密度が200mJ/cm2以上で
400mJ/cm2以下である請求項1または請求項2
記載の薄膜形成方法。 - 【請求項4】 非晶質シリコン薄膜に照射される際のレ
ーザー光の相互間のエネルギー密度のバラツキが±5%
以下である請求項1〜請求項3の何れかに記載の薄膜形
成方法。 - 【請求項5】 2つ以上横並びの線状に加工されたレー
ザー光が1つのレーザー発振装置により発振されること
を特徴とする請求項1〜請求項4の何れかに記載の薄膜
の形成方法。 - 【請求項6】 レーザーを発振させるための第1の装置
と、 第1の装置から出力されたレーザー光を2つに分離する
第2の装置と、 少なくとも1つ以上の前記2つに分離されたレーザー光
のエネルギーを制御する第3の装置と、 少なくとも2つ以上のレーザー光の形状を成形する第4
の装置とを備え、前記第4の装置で成形されたレーザー
光を横並びに照射するように構成した薄膜形成装置。 - 【請求項7】 レーザーがエキシマレーザーであること
特徴とする請求項6に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項8】 第4の装置で加工されたレーザーの形状
が線状であり、幅100μm以上で500μm以下、長
さ150mm以上で300mm以下であることを特徴と
する請求項6または請求項7記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34837897A JPH11186163A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34837897A JPH11186163A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11186163A true JPH11186163A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18396629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34837897A Ceased JPH11186163A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11186163A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332235A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶化方法及び装置 |
US6977775B2 (en) | 2002-05-17 | 2005-12-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
US7097709B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser annealing apparatus |
US7138303B2 (en) | 2000-11-20 | 2006-11-21 | Nec Corporation | Method for manufacturing a thin film transistor having high mobility and high on-current |
CN100369190C (zh) * | 2002-05-17 | 2008-02-13 | 夏普株式会社 | 用于通过激光束使半导体结晶化的装置 |
JP2008147429A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
EP2447984A1 (en) * | 2010-11-01 | 2012-05-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser crystallization system and method of manufacturing display apparatus using the same |
US8471257B2 (en) | 2008-09-18 | 2013-06-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Motherboard, production method of motherboard, and device substrate |
CN106298451A (zh) * | 2016-08-18 | 2017-01-04 | 昆山国显光电有限公司 | 激光晶化方法及装置 |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP34837897A patent/JPH11186163A/ja not_active Ceased
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7138303B2 (en) | 2000-11-20 | 2006-11-21 | Nec Corporation | Method for manufacturing a thin film transistor having high mobility and high on-current |
US7285809B2 (en) | 2000-11-20 | 2007-10-23 | Nec Corporation | Thin film transistor having high mobility and high on-current |
US7660042B2 (en) | 2002-05-17 | 2010-02-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
US7541230B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-06-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
US7927935B2 (en) | 2002-05-17 | 2011-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for crystallizing semiconductor with laser beams |
US6977775B2 (en) | 2002-05-17 | 2005-12-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
CN100369190C (zh) * | 2002-05-17 | 2008-02-13 | 夏普株式会社 | 用于通过激光束使半导体结晶化的装置 |
CN100394541C (zh) * | 2002-05-17 | 2008-06-11 | 夏普株式会社 | 用于通过激光束使半导体结晶化的方法 |
JP2003332235A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶化方法及び装置 |
US7410508B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
US7528023B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams |
US7115457B2 (en) | 2002-05-17 | 2006-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for crystallizing semiconductor with laser beams |
US7097709B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser annealing apparatus |
JP2008147429A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
US8471257B2 (en) | 2008-09-18 | 2013-06-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Motherboard, production method of motherboard, and device substrate |
EP2447984A1 (en) * | 2010-11-01 | 2012-05-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser crystallization system and method of manufacturing display apparatus using the same |
US8673751B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-03-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser crystallization system and method of manufacturing display apparatus using the same |
US9209050B2 (en) | 2010-11-01 | 2015-12-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser crystallization system and method of manufacturing display apparatus using the same |
CN106298451A (zh) * | 2016-08-18 | 2017-01-04 | 昆山国显光电有限公司 | 激光晶化方法及装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1063049B1 (en) | Apparatus with an optical system for laser heat treatment and method for producing semiconductor devices by using the same | |
TWI258810B (en) | Method and apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams | |
CN100488697C (zh) | 激光束加工机 | |
TW429629B (en) | Method for fabricating thin film semiconductor apparatus | |
JP2003528461A (ja) | 連続運動順次横方向凝固を実現する方法およびシステム | |
CN1774791A (zh) | 对基片上薄膜区域作激光结晶处理以提供本质上均匀性的工艺和系统以及这样的薄膜区域结构 | |
TW200527516A (en) | Laser annealing apparatus and annealing method of semiconductor thin film using the same | |
JP2002524874A (ja) | 薄い半導体膜の二重パルスレーザー結晶化 | |
JP2006123228A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
JP2004311906A (ja) | レーザ処理装置及びレーザ処理方法 | |
JPH01256114A (ja) | レーザアニール方法 | |
JPH11186163A (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
TW588128B (en) | Method and apparatus for forming a semiconductor thin film | |
JP2007324519A (ja) | レーザアニール装置及び表示装置の製造方法 | |
JP2000012460A (ja) | 薄膜の形成方法および薄膜形成装置 | |
JP4668508B2 (ja) | 半導体結晶化方法 | |
JP2004006703A (ja) | 半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法ならびにその装置 | |
JP2001185504A (ja) | レーザアニール方法及び装置 | |
KR100611040B1 (ko) | 레이저 열처리 장치 | |
JPH0531354A (ja) | レーザ照射装置 | |
JP2002064060A (ja) | 非結晶薄膜のレーザーアニール方法とその装置 | |
JPH0562924A (ja) | レーザアニール装置 | |
JPH065537A (ja) | 半導体層のアニール方法 | |
JPH09213651A (ja) | 半導体薄膜の製造装置および半導体薄膜の製造方法 | |
JPH03289128A (ja) | 半導体薄膜結晶層の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041215 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20070406 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070508 |
|
AA92 | Notification of invalidation |
Effective date: 20070529 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971092 |