JP3422290B2 - 半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
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Description
にパルスレーザ光を照射してアニールを行う半導体薄膜
の製造方法に関し、特に液晶ディスプレイや密着型イメ
ージセンサ等の絶縁性基板上に形成される多結晶シリコ
ン薄膜トランジスタの活性層を形成する、レーザアニー
ル工程の構成に関する。
iと記載する)薄膜トランジスタの製造技術を適用する
ことにより、安価なガラス基板上に駆動回路を備えた液
晶表示装置を形成することが可能となっている。pol
y−Si薄膜の形成法としては、プロセス温度の低温化
および高スループット化の観点から、エキシマレーザ光
を照射することによりアモルファスシリコン(以下a−
Siと略称する)薄膜を結晶化させてpoly−Si薄
膜を得るエキシマレーザ結晶化法が用いられる。
ーザ光がパルスレーザ光であるために薄膜が熱処理され
る時間が限られてしまい、得られる結晶粒の大きさが制
限されてしまうという問題がある。そのためpoly−
Si薄膜トランジスタ(TFT)のキャリアの電界効果
移動度が100cm2/Vs程度に留まり、液晶表示装
置等は実現できても、DRAM等の高周波数駆動の高集
積回路は実現不可能であった。
の技術としては、例えば、特開平10−275781号
公報、或いは、第42回応用物理学関係連合講演会講演
予稿集第2分冊694頁(著者、石原他)により開示さ
れているように、複数のパルスレーザを合成して照射す
る技術が知られている。
は、例えば、MRS Bulletin 21巻(19
96年)、3月号、39頁(著者、Im他)により開示
されているように、島状に形成した非晶質シリコン薄膜
に、幅5μmの極めて微細な線状ビームを0.75μm
ピッチでスキャン照射することにより、結晶粒界がほぼ
平行に整列している一方向成長多結晶シリコン薄膜を形
成する技術が知られている。
化技術の第1の技術においては、各レーザ照射領域にお
いては大粒径化するものの、液晶表示装置に用いられる
数百ミリメートル四方の面積の基板において、均質に大
粒径化を果たすことは困難であった。又、大粒径化技術
の第2の技術においても、スループットが低下するとい
う問題、サブミクロンのステージ動作精度を確保するた
め搬送系が複雑化するという問題が残る。
れたものであって、高スループットで大面積基板上、高
均一でかつ高移動度の半導体薄膜の作製方法を提供する
ことにある。
造方法は、非単結晶半導体薄膜に複数のパルスレーザを
連続して同一箇所に照射することにより照射領域中に微
結晶化領域と微結晶化領域に隣接する粗大結晶粒とを有
する半導体薄膜を製造する方法であって、各パルスのエ
ネルギー密度が、前記非単結晶半導体薄膜のパルスレー
ザの照射により微結晶化するエネルギー密度しきい値を
超えないことを特徴とし、前記複数のパルスレーザの各
パルスレーザのエネルギー密度は、前記非単結晶半導体
薄膜がパルスレーザの照射により微結晶化するエネルギ
ー密度しきい値よりも低く、連続する前記複数のパルス
レーザの前後のパルスレーザのうち、前のパルスレーザ
のエネルギー密度は後のパルスレーザのエネルギー密度
以上であり、前記複数のパルスレーザの全てのエネルギ
ー密度の和が前記エネルギー密度しきい値を超え、前記
前後のパルスレーザの照射間隔は、前記前のパルスレー
ザの半値幅であるパルス幅の6倍以下、望ましくは、前
記前後のパルスレーザの照射間隔は、前記前のパルスレ
ーザの半値幅であるパルス幅の1倍以上4倍以下であ
る、というものである。
前記多結晶又は単結晶半導体薄膜が、長軸方向の結晶粒
の長さが短軸方向の結晶粒の長さの2倍を超え、かつ、
前記結晶粒が前記短軸方向に列を成して並ぶ組織を含
み、前記非単結晶半導体薄膜に前記複数のパルスレーザ
を連続して同一箇所に行う照射が、前記非単結晶半導体
薄膜の上を前記長軸方向の結晶粒の長さ以下のピッチで
前記長軸方向に移動して繰り返し行われるスキャン照射
である、というものである。
非単結晶半導体薄膜が、減圧化学気相成長(LPCV
D)法、プラズマ化学気相成長(PECVD)法、スパ
ッタ法のいずれかの方法により形成される、或いは、照
射領域中に微結晶化領域と微結晶化領域に隣接する粗大
結晶粒とを有する前記半導体薄膜が、ガラス基板の上に
形成される、という形態をとることもできる、というも
のである。
方法が主張する基本的な構成について説明する前に、本
発明の背景となる、結晶化現象について図3(a)を参
照して説明しておく。
構造でない薄膜を非単結晶薄膜というが、非単結晶薄膜
の微結晶化は、薄膜の溶融状態の変化により、再結晶化
時の核発生機構が、基板薄膜界面を核発生サイトとした
不均一核発生から、均一核発生へと変化することにより
発生すると考えられている。この核発生機構の変化は、
薄膜の到達温度と冷却速度に依存する。
値Euを越えるエネルギー密度を有する図3(a)のよ
うなビームプロファイルを有する長尺線状レーザ光を照
射したとき、ビームプロファイル上の微結晶化しきい値
Euの直下となる地点に粗大な結晶粒が形成される。即
ち、平面的な結晶粒径分布を見ると、微結晶化領域9の
隣接地点に粗大結晶粒10が形成される。従って、ビー
ムプロファイルが非単結晶シリコン薄膜の微結晶化しき
い値以上のレーザ光を非単結晶シリコン薄膜に照射する
とき、形成される結晶粒の粒径および発生位置を一次元
に制御することが可能となる。特にビーム後半部81に
おいて形成される粗大結晶粒10を種結晶とし、その粒
径以下でレーザ光をスキャンするとき、種結晶は途切れ
ることなく成長を続ける。ビーム前半部80で形成され
た粗大結晶粒をも含む多結晶組織は、その後のスキャン
照射により微結晶化されるため、ビーム後半部81で形
成された種結晶の粒成長を妨げることがない。即ち、微
結晶化現象を利用することにより、パルスレーザ光スキ
ャン照射法における結晶組織の不均質性を回避すること
が可能となる。
ーム後半部81で形成される種結晶の結晶粒径を拡大す
れば良く、これには同一箇所に複数個のパルスレーザを
同期させてパルス幅程度の時間内に連続的に照射する、
ダブルパルス法が有効である。薄膜が先発のパルスレー
ザによる溶融中に、次発のパルスレーザを照射すること
により、薄膜の溶融時間が延長され、かつ凝固速度も低
減し、得られる結晶粒径が拡大する。
ブルパルス法において、図1に示すように、nを1以上
の整数とするとき、n発目のパルスのエネルギー密度を
En、パルス幅をWn、(n+1)発目のパルスのエネ
ルギー密度をE(n+1)、n発目のパルスと(n+
1)発目のパルスとの照射間隔をtn、薄膜の微結晶化
しきい値をEuとするとき、Eu>En≧E(n+
1)、tn≦6Wn、E1+E2+・・・+En+E
(n+1)>Euの条件でスキャン照射することによ
り、大粒径を有する半導体薄膜を大面積に渡り均質に形
成できる。従って本発明により、高均一、高移動度を有
する薄膜トランジスタ素子が大面積基板上に実現可能と
なる。
させた実施形態について、以下に説明する。
1の実施形態について、図2〜5を参照して説明する。
ン酸化膜2が膜厚200nmとなるようにプラズマ化学
気相成長(PECVD)法により成膜され、その上にa
−Si薄膜3を成膜した。成膜法としては、減圧化学気
相成長(LPCVD)法、PECVD法、スパッタ法な
どが有るが、ここでは膜中にガスを含まないLPCVD
法を用いた。膜厚は50nmとした(図5(a))。
辺方向が例えば100mm、短辺方向が10〜20μm
のディメンジョンを有する波長308nm、パルス幅
(W1)50nsのXeClレーザ光50を照射すると
きの微結晶化しきい値(Eu)は470mJ/cm2で
ある。ここで図2に示した2個の光源4、5を制御装置
6で同期させ、光学系7を通ってチャンバ8内に設置さ
れたガラス基板1のa−Si薄膜3にダブルパルス照射
を行った。ダブルパルス照射条件としては、第1のレー
ザ光のエネルギー密度(E1)を400mJ/cm2、
第2のレーザ光のエネルギー密度(E2)を240mJ
/cm2、照射間隔(t1)を100nsとした(t1
=2W1)。
条件のダブルパルス照射を行うと、異方性を有する長円
形状の粗大結晶粒10が形成され、その隣接領域は微結
晶化領域9となる。粗大結晶粒10の粒径は長軸方向1
1で2.8μm、短軸方向12で1.2μmであった。
本ダブルパルス照射条件を用いて、粗大結晶粒径以下の
2.0μmのスキャンピッチ13でスキャン照射するこ
とにより、図3(b)に示すような、連続成長した結晶
粒領域16を得ることができる。このときのステージ動
作精度は、粒径と照射ピッチを考慮すれば0.7μm以
下が要求される。
比較例を図3(c)に示す。レーザ結晶化法を用いて、
500mJ/cm2のレーザ光を単発で照射したとき、
図3(c)に示すように、微結晶領域19の境界部には
粒径0.8μmのほぼ等軸的な結晶粒20が形成され
た。本条件で連続成長させるには、スキャンピッチを
0.6μm以下とする必要があり、スループットは低下
する。またステージ動作精度は0.2μm以下が要求さ
れるため、照射距離全域にわたり連続成長した結晶粒を
安定的に再現性良く得ることは難しい。
E1、E2およびt1を変化させたときに得られる、異
方性を有する粗大結晶粒の長軸方向の粒径を示す。E1
がEuを越えるときはE2およびt1の如何に関わら
ず、粒径拡大効果は小さい(図4(a))。これはE1
により既に基板界面近傍の温度が、核発生が過度に抑制
された温度に到達しているためで有ると考えられる。基
板界面での核発生を適度に保持しつつ、粒成長を促進さ
せるためにa−Si薄膜の上層を溶融させて、粗大な結
晶粒を形成するには、E1をEu以下にする必要がある
(図4(b)、(c))。また(E1+E2)がEu以
下の場合、照射条件によっては、微結晶化せずに連続成
長が阻害されるという問題と、a−Si薄膜上層の溶融
が不足するために粒径拡大効果が小さくなるという問題
がある。
2の実施形態について、図5(b)を参照して説明す
る。
窒化膜22をPECVD法により100nm、続いてL
PCVD法によりa−Si膜23を75nmの膜厚に成
膜した。a−Si膜23に波長248nmでパルス幅
(W1、W2)38nsのKrFレーザ光60を照射す
るときのEuは500mJ/cm2である(図5
(b))。ここでE1=380mJ/cm2、E2=2
60mJ/cm2、E3=200mJ/cm2、t1=8
0ns、t2=50ns(t1=2.1W1、t2=
1.3W2)、の条件で照射したとき、粗大結晶粒の長
軸および短軸方向の粒径は、それぞれ3.3μmおよび
1.4μmとなり、長軸方向、短軸方向共に第1の実施
形態よりも大きい粒径が得られた。従って、第1の実施
形態よりも広いスキャンピッチでスキャン照射すること
が可能となり、ステージ動作精度も、第1の実施形態よ
りも緩和されることになる。
3の実施形態について、図5(c)を参照して説明す
る。
ECVD法により100nmの膜厚に成膜した後に、同
じくPECVD法によりa−Si膜43を50nmの膜
厚に成膜した。ここで、PECVD法によるa−Si膜
43は第1、2の実施形態によるa−Si膜よりも多量
の水素を含有しているので、400℃のアニールを30
分施し、a−Si膜33の脱水素処理を行った。a−S
i膜43に波長248nmでパルス幅(W1)38ns
のKrFレーザ光70を照射するときのEuは460m
J/cm2である(図5(c))。KrFレーザ光70
をa−Si膜43に、E1=350mJ/cm2、E2
=200mJ/cm2、t1=60ns(t1=1.6
W1)、の条件で照射したとき、粗大結晶粒の長軸およ
び短軸方向の粒径は、それぞれ2.5μmおよび1.2
μmとなった。本実施形態では、PECVD法によるa
−Si膜を用いた場合においても、第1、2の実施形態
におけると同様の粗大結晶粒を得ようとするものであ
る。従って、第1の実施形態にほぼ近いスキャンピッチ
でスキャン照射することが可能となり、ステージ動作精
度も、従来よりは大幅に改善されることになる。
介したに過ぎないが、発明者の経験から、本発明に用い
る複数のパルスレーザの照射間隔tnはパルスレーザの
幅との関係において、tn≦6Wnの関係を満たしてい
ることが肝要であり、一層望ましい関係としては、Wn
≦tn≦4Wn、の関係を満たしていることである。
造方法によれば、a−Si膜に、前述の条件を満たす複
数のパルスレーザを照射することにより、長軸方向が短
軸方向の2倍を超える粗大結晶粒が得られ、基板の広い
範囲に渡って大きなスキャンピッチでスキャン照射する
ことが可能となり、高いスループットが得られる。
よって粗大結晶粒が得られることにより、基板をパルス
レーザに対して移動させるステージ動作精度も、従来よ
りも大幅に緩和することができ、ステージの製造コスト
を大幅に下げることが可能となる。
部分である相前後するパルスレーザの相互関係を示すパ
ルス形状図である。
スレーザの照射装置及び被照射物の様子を模式的に示す
構成図である。
半導体薄膜の結晶状態を示す半導体薄膜の拡大平面図で
ある。
スレーザ照射により得られる粗大結晶粒の長軸方向の粒
径とパルスレーザ間隔との関係を、パルスレーザのエネ
ルギー密度をパラメータとして示すグラフである。
ルスレーザの被照射物の様子を示す断面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 非単結晶半導体薄膜に複数のパルスレー
ザを連続して同一箇所に照射することにより照射領域中
に微結晶化領域と微結晶化領域に隣接する粗大結晶粒と
を有する半導体薄膜を製造する方法であって、各パルス
のエネルギー密度が、前記非単結晶半導体薄膜のパルス
レーザの照射により微結晶化するエネルギー密度しきい
値を超えないことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項2】 前記複数のパルスレーザの各パルスレー
ザのエネルギー密度は、前記非単結晶半導体薄膜がパル
スレーザの照射により微結晶化するエネルギー密度しき
い値よりも低く、連続する前記複数のパルスレーザの前
後のパルスレーザのうち、前のパルスレーザのエネルギ
ー密度は後のパルスレーザのエネルギー密度以上であ
り、前記複数のパルスレーザの全てのエネルギー密度の
和が前記エネルギー密度しきい値を超える請求項1記載
の半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項3】 前記前後のパルスレーザの照射間隔は、
前記前のパルスレーザの半値幅であるパルス幅の6倍以
下である請求項2記載の半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項4】 前記前後のパルスレーザの照射間隔は、
前記前のパルスレーザの半値幅であるパルス幅の1倍以
上4倍以下である請求項2記載の半導体薄膜の製造方
法。 - 【請求項5】 前記複数のパルスレーザの照射により前
記多結晶又は単結晶半導体薄膜が、長軸方向の結晶粒の
長さが短軸方向の結晶粒の長さの2倍を超え、かつ、前
記結晶粒が前記短軸方向に列を成して並ぶ組織を含む請
求項1、2、3又は4記載の半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項6】 前記非単結晶半導体薄膜に前記複数のパ
ルスレーザを連続して同一箇所に行う照射が、前記非単
結晶半導体薄膜の上を前記長軸方向の結晶粒の長さ以下
のピッチで前記長軸方向に移動して繰り返し行われるス
キャン照射である請求項5記載の半導体薄膜の製造方
法。 - 【請求項7】 前記非単結晶半導体薄膜が、減圧化学気
相成長(LPCVD)法、プラズマ化学気相成長(PE
CVD)法、スパッタ法のいずれかの方法により形成さ
れる請求項1、2、3、4、5又は6記載の半導体薄膜
の製造方法。 - 【請求項8】 照射領域中に微結晶化領域と微結晶化領
域に隣接する粗大結晶粒とを有する前記半導体薄膜が、
ガラス基板の上に形成される請求項1、2、3、4、
5、6又は7記載の半導体薄膜の製造方法。
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Ishihara R.,Yeh W.C.,Hattori T.and Matsumura M.,Effects of Light Pulse Duration on Eximer−Laser Crystallization Characteristics of silicon Thin Film,Jpn.J.Appl.Phys.,1995年 4月,Part 1,No.4A,,pp.1759−1764 |
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