JP2000010058A - 空間光変調装置 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/12—Function characteristic spatial light modulator
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、画素構造に起因する信号成分を消
去した信号画像の劣化の少ない空間光変調装置を提供す
る。 【解決手段】 透過型液晶素子４から光アドレス型平行
配向液晶空間光変調器６への書き込み光による信号画像
の伝達において、結像レンズ５の開口数ＮＡLと、透過
型液晶素子４の画素構造のピッチＰと、書き込み用光源
１からの光の波長λとの間に、１／２Ｐ＜ＮＡL／λ＜
１／Ｐという条件を付することによって、画素構造に起
因する信号成分を消去し、かつ透過型液晶素子４におい
て生成可能な信号画像のすべての空間周波数の範囲につ
いて劣化を生じない空間光変調装置を実現することがで
きる。
去した信号画像の劣化の少ない空間光変調装置を提供す
る。 【解決手段】 透過型液晶素子４から光アドレス型平行
配向液晶空間光変調器６への書き込み光による信号画像
の伝達において、結像レンズ５の開口数ＮＡLと、透過
型液晶素子４の画素構造のピッチＰと、書き込み用光源
１からの光の波長λとの間に、１／２Ｐ＜ＮＡL／λ＜
１／Ｐという条件を付することによって、画素構造に起
因する信号成分を消去し、かつ透過型液晶素子４におい
て生成可能な信号画像のすべての空間周波数の範囲につ
いて劣化を生じない空間光変調装置を実現することがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ビームの断面に特
定の変調を生じさせる素子である空間光変調器を用いた
空間光変調装置に関するものである。
定の変調を生じさせる素子である空間光変調器を用いた
空間光変調装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】空間光変調装置は、光情報処理やコンピ
ュータ合成ホログラム（ＣＧＨ）などの用途に用いら
れ、特に信号画像の作成の容易さから電気アドレスによ
って信号画像を作成する空間光変調装置が有用である。
さらに、これらの用途に関しては位相変調を効率良く行
える装置が必要とされている。
ュータ合成ホログラム（ＣＧＨ）などの用途に用いら
れ、特に信号画像の作成の容易さから電気アドレスによ
って信号画像を作成する空間光変調装置が有用である。
さらに、これらの用途に関しては位相変調を効率良く行
える装置が必要とされている。
【０００３】このような空間光変調装置としては、例え
ば透過型液晶素子による装置が考えられる。この場合比
較的安価に入手できる等の利点があるが、これまでにコ
ンピュータ合成ホログラム等で必要とされる２πを超え
る位相変調量は達成されていない。
ば透過型液晶素子による装置が考えられる。この場合比
較的安価に入手できる等の利点があるが、これまでにコ
ンピュータ合成ホログラム等で必要とされる２πを超え
る位相変調量は達成されていない。
【０００４】電気アドレスが可能な他の装置として、光
アドレス型空間光変調器を用い、入射される書き込み光
の生成に電気アドレス型素子を用いた空間光変調装置が
ある。このような空間光変調装置として、例えば電子情
報通信学会信学技報（１９９７−１０）ｐ９５−ｐ９９
に、電気アドレス型素子として透過型液晶素子を用い、
また光アドレス型空間光変調器として光アドレス型平行
配向液晶空間光変調器（ＰＡＬ−ＳＬＭ）を用いたもの
が示されている。この装置では、透過型液晶素子及び光
アドレス型平行配向液晶空間光変調器の間に結像レンズ
を設置して、結像レンズを介して透過型液晶素子からの
書き込み光が光アドレス型平行配向液晶空間光変調器に
到達する。平行配向液晶を用いた光アドレス型空間光変
調器を用いることによって、２π以上の位相変調が可能
となり、また位相のみの変調を行えるため高い回折効率
を得ることができる。
アドレス型空間光変調器を用い、入射される書き込み光
の生成に電気アドレス型素子を用いた空間光変調装置が
ある。このような空間光変調装置として、例えば電子情
報通信学会信学技報（１９９７−１０）ｐ９５−ｐ９９
に、電気アドレス型素子として透過型液晶素子を用い、
また光アドレス型空間光変調器として光アドレス型平行
配向液晶空間光変調器（ＰＡＬ−ＳＬＭ）を用いたもの
が示されている。この装置では、透過型液晶素子及び光
アドレス型平行配向液晶空間光変調器の間に結像レンズ
を設置して、結像レンズを介して透過型液晶素子からの
書き込み光が光アドレス型平行配向液晶空間光変調器に
到達する。平行配向液晶を用いた光アドレス型空間光変
調器を用いることによって、２π以上の位相変調が可能
となり、また位相のみの変調を行えるため高い回折効率
を得ることができる。
【０００５】透過型液晶素子から光アドレス型空間光変
調器への書き込み光の伝達方法としては、結像レンズに
よるものの他に、透過型液晶素子の出力端及び光アドレ
ス型空間光変調器の書き込み光入力端を各々ファイバ光
学プレートによって構成して、それら二つのファイバ光
学プレートを光学的に接続する方法、もしくは透過型液
晶素子の出力端及び光アドレス型空間光変調器の書き込
み光入力端を単一のファイバ光学プレートによって構成
・接続する方法が知られている（特開平７−７２５０３
号）。
調器への書き込み光の伝達方法としては、結像レンズに
よるものの他に、透過型液晶素子の出力端及び光アドレ
ス型空間光変調器の書き込み光入力端を各々ファイバ光
学プレートによって構成して、それら二つのファイバ光
学プレートを光学的に接続する方法、もしくは透過型液
晶素子の出力端及び光アドレス型空間光変調器の書き込
み光入力端を単一のファイバ光学プレートによって構成
・接続する方法が知られている（特開平７−７２５０３
号）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記二
つの空間光変調装置の場合、透過型液晶素子の画素構造
に起因して生じる信号成分が消去されず、それによって
伝達されるべき信号画像が影響を受けるという問題があ
る。
つの空間光変調装置の場合、透過型液晶素子の画素構造
に起因して生じる信号成分が消去されず、それによって
伝達されるべき信号画像が影響を受けるという問題があ
る。
【０００７】本発明は、画素構造を有する電気アドレス
型素子から光アドレス型空間光変調器へ書き込み光によ
って信号画像が伝達される空間光変調装置において、画
素構造に起因する信号成分を消去し、かつ信号画像の劣
化を抑えることができる空間光変調装置を提供すること
を目的とする。
型素子から光アドレス型空間光変調器へ書き込み光によ
って信号画像が伝達される空間光変調装置において、画
素構造に起因する信号成分を消去し、かつ信号画像の劣
化を抑えることができる空間光変調装置を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明による請求項１に記載の空間光変調装置
は、書き込み光の生成に用いられる書き込み用光源と、
書き込む情報に関する電気信号によってアドレスされる
と共に画素構造を有して構成され書き込み用光源からの
光が入射される電気アドレス型素子と、電気アドレス型
素子において生成・出射された書き込み光を結像するた
めの結像レンズと、一対の透明電極の間に光アドレス層
及び光変調層が順次積層されている光アドレス型空間光
変調器と、光アドレス型空間光変調器への読み出し光を
発生させる読み出し用光源とを有する空間光変調装置に
おいて、結像レンズの電気アドレス型素子側の開口数Ｎ
ＡLと、電気アドレス型素子の画素構造のピッチＰと、
書き込み用光源からの光の波長λとの間に、ＮＡL／λ
＜１／Ｐの関係が成り立つことを特徴とする。
めに、本発明による請求項１に記載の空間光変調装置
は、書き込み光の生成に用いられる書き込み用光源と、
書き込む情報に関する電気信号によってアドレスされる
と共に画素構造を有して構成され書き込み用光源からの
光が入射される電気アドレス型素子と、電気アドレス型
素子において生成・出射された書き込み光を結像するた
めの結像レンズと、一対の透明電極の間に光アドレス層
及び光変調層が順次積層されている光アドレス型空間光
変調器と、光アドレス型空間光変調器への読み出し光を
発生させる読み出し用光源とを有する空間光変調装置に
おいて、結像レンズの電気アドレス型素子側の開口数Ｎ
ＡLと、電気アドレス型素子の画素構造のピッチＰと、
書き込み用光源からの光の波長λとの間に、ＮＡL／λ
＜１／Ｐの関係が成り立つことを特徴とする。
【０００９】このような装置においては、結像レンズの
開口数にＮＡL／λ＜１／Ｐという条件を加えることに
よって、光アドレス型空間光変調器へ到達する書き込み
光において電気アドレス型素子の画素構造に起因する信
号成分を消去することができる。
開口数にＮＡL／λ＜１／Ｐという条件を加えることに
よって、光アドレス型空間光変調器へ到達する書き込み
光において電気アドレス型素子の画素構造に起因する信
号成分を消去することができる。
【００１０】さらに、請求項２に記載の空間光変調装置
は、請求項１記載の空間光変調装置において、結像レン
ズの電気アドレス型素子側の開口数ＮＡLと、電気アド
レス型素子の画素構造のピッチＰと、書き込み用光源か
らの光の波長λとの間に、さらにＮＡL／λ＞１／２Ｐ
の関係が成り立つことを特徴とする。
は、請求項１記載の空間光変調装置において、結像レン
ズの電気アドレス型素子側の開口数ＮＡLと、電気アド
レス型素子の画素構造のピッチＰと、書き込み用光源か
らの光の波長λとの間に、さらにＮＡL／λ＞１／２Ｐ
の関係が成り立つことを特徴とする。
【００１１】電気アドレス型素子においては、生成され
る信号画像の空間周波数が画素構造のピッチＰによって
決まる最大空間周波数１／２Ｐ以下に制限されるが、結
像レンズの開口数にさらにＮＡL／λ＞１／２Ｐという
条件を付することによって、このような信号画像に含ま
れる空間周波数の全ての範囲について劣化を生じること
なく書き込み光を伝達することができ、したがって画素
構造に起因する信号成分を消去して、かつ信号画像の劣
化を生じない空間光変調装置を実現することができる。
る信号画像の空間周波数が画素構造のピッチＰによって
決まる最大空間周波数１／２Ｐ以下に制限されるが、結
像レンズの開口数にさらにＮＡL／λ＞１／２Ｐという
条件を付することによって、このような信号画像に含ま
れる空間周波数の全ての範囲について劣化を生じること
なく書き込み光を伝達することができ、したがって画素
構造に起因する信号成分を消去して、かつ信号画像の劣
化を生じない空間光変調装置を実現することができる。
【００１２】また、請求項３に記載の空間光変調装置
は、書き込み光の生成に用いられる書き込み用光源と、
書き込む情報に関する電気信号によってアドレスされる
と共に画素構造を有して構成され書き込み用光源からの
光が入射される電気アドレス型素子と、一対の透明電極
の間に光アドレス層及び光変調層が順次積層されている
光アドレス型空間光変調器と、光アドレス型空間光変調
器への読み出し光を発生させる読み出し用光源とを有す
る空間光変調装置において、電気アドレス型素子の光ア
ドレス型空間光変調器に面する出力端が一様な屈折率を
有する光伝達層によって構成され、光アドレス型空間光
変調器の電気アドレス型素子に面する書き込み光入力端
が入射画像の解像度を保って画像が伝達される屈折率分
布を有するファイバ光学プレートによって構成されて、
光伝達層と、ファイバ光学プレートとが光学的に接続さ
れ、ファイバ光学プレートの開口数ＮＡFOPと、電気ア
ドレス型素子の画素構造のピッチＰと、光伝達層の厚さ
ｄと、書き込み用光源からの光の波長λに対応する光伝
達層の屈折率ｎGとの間に、ＮＡFOP＞ｎG・Ｐ／ｄの関
係が成り立つことを特徴とする。
は、書き込み光の生成に用いられる書き込み用光源と、
書き込む情報に関する電気信号によってアドレスされる
と共に画素構造を有して構成され書き込み用光源からの
光が入射される電気アドレス型素子と、一対の透明電極
の間に光アドレス層及び光変調層が順次積層されている
光アドレス型空間光変調器と、光アドレス型空間光変調
器への読み出し光を発生させる読み出し用光源とを有す
る空間光変調装置において、電気アドレス型素子の光ア
ドレス型空間光変調器に面する出力端が一様な屈折率を
有する光伝達層によって構成され、光アドレス型空間光
変調器の電気アドレス型素子に面する書き込み光入力端
が入射画像の解像度を保って画像が伝達される屈折率分
布を有するファイバ光学プレートによって構成されて、
光伝達層と、ファイバ光学プレートとが光学的に接続さ
れ、ファイバ光学プレートの開口数ＮＡFOPと、電気ア
ドレス型素子の画素構造のピッチＰと、光伝達層の厚さ
ｄと、書き込み用光源からの光の波長λに対応する光伝
達層の屈折率ｎGとの間に、ＮＡFOP＞ｎG・Ｐ／ｄの関
係が成り立つことを特徴とする。
【００１３】さらに、請求項４に記載の空間光変調装置
は、請求項３記載の空間光変調装置において、ファイバ
光学プレートの開口数ＮＡFOPと、電気アドレス型素子
の画素構造のピッチＰと、光伝達層の厚さｄと、書き込
み用光源からの光の波長λに対応する光伝達層の屈折率
ｎGとの間に、さらにＮＡFOP＜２ｎG・Ｐ／ｄの関係が
成り立つことを特徴とする。
は、請求項３記載の空間光変調装置において、ファイバ
光学プレートの開口数ＮＡFOPと、電気アドレス型素子
の画素構造のピッチＰと、光伝達層の厚さｄと、書き込
み用光源からの光の波長λに対応する光伝達層の屈折率
ｎGとの間に、さらにＮＡFOP＜２ｎG・Ｐ／ｄの関係が
成り立つことを特徴とする。
【００１４】上記二つの空間光変調装置は、結像レンズ
を用いずに、電気アドレス型素子の出力端を構成する光
伝達層と光アドレス型空間光変調器の書き込み光入力端
を構成するファイバ光学プレートとを光学的に接続し
て、書き込み光の伝達を行う。この場合、ファイバ光学
プレートの開口数ＮＡFOPにＮＡFOP＞ｎG・Ｐ／ｄ及び
ＮＡFOP＜２ｎG・Ｐ／ｄという条件を付することによっ
て、結像レンズの場合と同様に画素構造に起因する信号
成分を消去して、かつ信号画像の劣化を生じない空間光
変調装置を実現することができる。
を用いずに、電気アドレス型素子の出力端を構成する光
伝達層と光アドレス型空間光変調器の書き込み光入力端
を構成するファイバ光学プレートとを光学的に接続し
て、書き込み光の伝達を行う。この場合、ファイバ光学
プレートの開口数ＮＡFOPにＮＡFOP＞ｎG・Ｐ／ｄ及び
ＮＡFOP＜２ｎG・Ｐ／ｄという条件を付することによっ
て、結像レンズの場合と同様に画素構造に起因する信号
成分を消去して、かつ信号画像の劣化を生じない空間光
変調装置を実現することができる。
【００１５】また、請求項５に記載の空間光変調装置
は、請求項１〜４のいずれか一項記載の空間光変調装置
において、電気アドレス型素子は、透過型液晶素子であ
ることを特徴とする。
は、請求項１〜４のいずれか一項記載の空間光変調装置
において、電気アドレス型素子は、透過型液晶素子であ
ることを特徴とする。
【００１６】電気アドレス型素子として透過型液晶素子
を用いることによって、より信号画像の歪みの少ない書
き込み光を生成することができる。
を用いることによって、より信号画像の歪みの少ない書
き込み光を生成することができる。
【００１７】また、請求項６に記載の空間光変調装置
は、請求項１〜５のいずれか一項記載の空間光変調装置
において、光アドレス型空間光変調器は、光アドレス層
として光導電層を用い、光変調層として液晶層を用いた
光アドレス型空間光変調器であることを特徴とする。
は、請求項１〜５のいずれか一項記載の空間光変調装置
において、光アドレス型空間光変調器は、光アドレス層
として光導電層を用い、光変調層として液晶層を用いた
光アドレス型空間光変調器であることを特徴とする。
【００１８】光アドレス層として光導電層を用い、光変
調層として液晶層を用いた光アドレス型空間光変調器を
用いることによって、高い回折効率を得ることができ
る。
調層として液晶層を用いた光アドレス型空間光変調器を
用いることによって、高い回折効率を得ることができ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による空
間光変調装置の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。
間光変調装置の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００２０】図１に本発明に係る空間光変調装置の一実
施形態の構成図を示す。このような装置を用いて伝達す
る情報としては、例えば計算機によって計算されたコン
ピュータ合成ホログラムなどがあるが、このような情報
は電気信号発生器３によってビデオ信号に変換され、ピ
ッチがＰである画素構造を有する透過型液晶素子４に供
給されて信号画像が生成される。電気アドレス型素子と
しては陰極線管もしくは透過型液晶素子等が考えられる
が、画像歪みが無く、高いコントラスト特性を持つ透過
型液晶素子が特に有効である。
施形態の構成図を示す。このような装置を用いて伝達す
る情報としては、例えば計算機によって計算されたコン
ピュータ合成ホログラムなどがあるが、このような情報
は電気信号発生器３によってビデオ信号に変換され、ピ
ッチがＰである画素構造を有する透過型液晶素子４に供
給されて信号画像が生成される。電気アドレス型素子と
しては陰極線管もしくは透過型液晶素子等が考えられる
が、画像歪みが無く、高いコントラスト特性を持つ透過
型液晶素子が特に有効である。
【００２１】書き込み用光源１から出射された光はコリ
メートレンズ２によってコリメートされ、コリメート光
として透過型液晶素子４に入射される。これによって透
過型液晶素子４において信号画像を伝達する書き込み光
が生成される。ここで、透過型液晶素子４によって生成
される信号画像において、生成・伝達可能な信号画像の
最大空間周波数は１／２Ｐ（交互に白黒を表示した場
合）であり、一方、画素構造に起因する信号成分の空間
周波数は、信号画像の最大空間周波数の２倍の１／Ｐで
ある。
メートレンズ２によってコリメートされ、コリメート光
として透過型液晶素子４に入射される。これによって透
過型液晶素子４において信号画像を伝達する書き込み光
が生成される。ここで、透過型液晶素子４によって生成
される信号画像において、生成・伝達可能な信号画像の
最大空間周波数は１／２Ｐ（交互に白黒を表示した場
合）であり、一方、画素構造に起因する信号成分の空間
周波数は、信号画像の最大空間周波数の２倍の１／Ｐで
ある。
【００２２】信号画像の変調には、光アドレス型平行配
向液晶空間光変調器６が用いられる。光アドレス型平行
配向液晶空間光変調器６は、書き込み部６ａと読み出し
部６ｂとを有している。透過型液晶素子４から出射され
た書き込み光は、透過型液晶素子４側の開口数ＮＡLの
結像レンズ５を通過して光アドレス型平行配向液晶空間
光変調器６の書き込み部６ａに入射・結像される。一
方、読み出し用光源１０から出射された読み出し光は、
空間フィルタ９及びレンズ８を通じて光アドレス型平行
配向液晶空間光変調器６の読み出し部６ｂに入射され
る。光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６によって
変調された書き込み光からの信号画像の情報は、変調画
像として読み出し光の反射光により読み出され、ハーフ
ミラー７によって所定の方向へ反射されて出力される。
向液晶空間光変調器６が用いられる。光アドレス型平行
配向液晶空間光変調器６は、書き込み部６ａと読み出し
部６ｂとを有している。透過型液晶素子４から出射され
た書き込み光は、透過型液晶素子４側の開口数ＮＡLの
結像レンズ５を通過して光アドレス型平行配向液晶空間
光変調器６の書き込み部６ａに入射・結像される。一
方、読み出し用光源１０から出射された読み出し光は、
空間フィルタ９及びレンズ８を通じて光アドレス型平行
配向液晶空間光変調器６の読み出し部６ｂに入射され
る。光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６によって
変調された書き込み光からの信号画像の情報は、変調画
像として読み出し光の反射光により読み出され、ハーフ
ミラー７によって所定の方向へ反射されて出力される。
【００２３】なお、図１にはこのような空間光変調装置
の回折効率等を測定するために用いられるフーリエ変換
レンズ１１及びフーリエ面１２も合わせて図示されてい
る。
の回折効率等を測定するために用いられるフーリエ変換
レンズ１１及びフーリエ面１２も合わせて図示されてい
る。
【００２４】図２に図１に示す空間光変調装置において
用いられる光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６の
構造の拡大構成図を示す。光アドレス型平行配向液晶空
間光変調器６は、誘電体多層膜ミラー６３を境に書き込
み部６ａと読み出し部６ｂとに分けられている。書き込
み部６ａは、光導電層６１と、透明電極６４ａと、書き
込み光入力端である透明基板６５ａ及び反射防止コート
６６ａとから構成される。透明基板６５ａは好ましくは
ガラス製であり、書き込み光を透過させて光導電層６１
に入射させる。光導電層６１は好ましくはアモルファス
シリコン製であり、特定の波長域の光が入射されること
によって結晶構造が可逆的に変化し、入射光の明暗に対
応してインピーダンスが変化して導電性を示す光導電性
を有する。なお、必要があれば光導電層６１と誘電体多
層膜ミラー６３との間に光遮蔽層を設置しても良い。
用いられる光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６の
構造の拡大構成図を示す。光アドレス型平行配向液晶空
間光変調器６は、誘電体多層膜ミラー６３を境に書き込
み部６ａと読み出し部６ｂとに分けられている。書き込
み部６ａは、光導電層６１と、透明電極６４ａと、書き
込み光入力端である透明基板６５ａ及び反射防止コート
６６ａとから構成される。透明基板６５ａは好ましくは
ガラス製であり、書き込み光を透過させて光導電層６１
に入射させる。光導電層６１は好ましくはアモルファス
シリコン製であり、特定の波長域の光が入射されること
によって結晶構造が可逆的に変化し、入射光の明暗に対
応してインピーダンスが変化して導電性を示す光導電性
を有する。なお、必要があれば光導電層６１と誘電体多
層膜ミラー６３との間に光遮蔽層を設置しても良い。
【００２５】読み出し部６ｂは、液晶層６２と、透明電
極６４ｂと、読み出し光入力端である好ましくはガラス
製の透明基板６５ｂ及び反射防止コート６６ｂとから構
成される。液晶層６２としては好ましくはネマティック
液晶が用いられ、配向層６２ｃ及びスペーサー６２ｄに
よって配置・固定される。液晶層６２の両側に位置する
配向層６２ｃとしては、例えばポリイミド等が用いら
れ、液晶層６２の液晶分子が透明電極６４ａ及び６４ｂ
に対して平行になるように一様に配向させる。
極６４ｂと、読み出し光入力端である好ましくはガラス
製の透明基板６５ｂ及び反射防止コート６６ｂとから構
成される。液晶層６２としては好ましくはネマティック
液晶が用いられ、配向層６２ｃ及びスペーサー６２ｄに
よって配置・固定される。液晶層６２の両側に位置する
配向層６２ｃとしては、例えばポリイミド等が用いら
れ、液晶層６２の液晶分子が透明電極６４ａ及び６４ｂ
に対して平行になるように一様に配向させる。
【００２６】透明電極６４ａ及び６４ｂとしては、好ま
しくはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。ま
た、誘電体多層膜ミラー６３としては、読み出し光の波
長に対応する所定の波長域の光を反射させるように多層
膜として形成されたものを用いて、これによって読み出
し光を反射して出力を行う。
しくはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。ま
た、誘電体多層膜ミラー６３としては、読み出し光の波
長に対応する所定の波長域の光を反射させるように多層
膜として形成されたものを用いて、これによって読み出
し光を反射して出力を行う。
【００２７】このような光アドレス型平行配向液晶空間
光変調器６の構成において、書き込み部６ａに書き込み
光が入射すると、光導電層６１の結晶構造が変化してそ
の電気抵抗が変化する。このとき、透明電極６４ａ及び
６４ｂの間には数ボルトの交流電圧が印加されている
が、光導電層６１の電気抵抗が変化することによって、
液晶層６２に与えられる電圧が変化する。液晶層６２の
液晶分子の傾きは液晶層６２に対して与えられた電圧の
変化によって変化し、これによる液晶層６２の屈折率の
変化によって、誘電体多層膜ミラー６３からの読み出し
光の反射光が変化し、位相変調された画像として出力さ
れる。
光変調器６の構成において、書き込み部６ａに書き込み
光が入射すると、光導電層６１の結晶構造が変化してそ
の電気抵抗が変化する。このとき、透明電極６４ａ及び
６４ｂの間には数ボルトの交流電圧が印加されている
が、光導電層６１の電気抵抗が変化することによって、
液晶層６２に与えられる電圧が変化する。液晶層６２の
液晶分子の傾きは液晶層６２に対して与えられた電圧の
変化によって変化し、これによる液晶層６２の屈折率の
変化によって、誘電体多層膜ミラー６３からの読み出し
光の反射光が変化し、位相変調された画像として出力さ
れる。
【００２８】図１及び図２に示した実施形態による本発
明の第１の実施例について説明する。透過型液晶素子４
としては、画素数６４０×４８０、画素構造のピッチＰ
＝４０μm、対角３２mmのものを用い、書き込み用光源
１には波長λ＝６８０nmの半導体レーザ、読み出し用光
源１０には波長λ＝６３３nmのHe−Neレーザを用いた。
このとき、画素構造に起因する信号成分の空間周波数は
１／Ｐ＝２５lp/mmであり、信号画像の最大空間周波数
は１／２Ｐ＝１２．５lp/mmである。また、結像レンズ
５として結像倍率１．０、開口数ＮＡL＝０．０１３の
ものを用いた。このときＮＡL／λ＝１９lp/mmであり、
この開口数ＮＡLは、条件１／２Ｐ＜ＮＡL／λ＜１／Ｐ
を満たしている。
明の第１の実施例について説明する。透過型液晶素子４
としては、画素数６４０×４８０、画素構造のピッチＰ
＝４０μm、対角３２mmのものを用い、書き込み用光源
１には波長λ＝６８０nmの半導体レーザ、読み出し用光
源１０には波長λ＝６３３nmのHe−Neレーザを用いた。
このとき、画素構造に起因する信号成分の空間周波数は
１／Ｐ＝２５lp/mmであり、信号画像の最大空間周波数
は１／２Ｐ＝１２．５lp/mmである。また、結像レンズ
５として結像倍率１．０、開口数ＮＡL＝０．０１３の
ものを用いた。このときＮＡL／λ＝１９lp/mmであり、
この開口数ＮＡLは、条件１／２Ｐ＜ＮＡL／λ＜１／Ｐ
を満たしている。
【００２９】図３に、理想的な無収差レンズに対する光
学伝達関数（ＯＴＦ）曲線を様々なσについて示す。こ
こでσは一般に、入射光学系の開口数をσ1、結像レン
ズ系の開口数σ2としたときσ＝σ1／σ2によって定義
される。また、横軸は規格化空間周波数ｓであり、空間
周波数νを用いてｓ＝ν・λ／σ2により定義される。
本実施例においては結像レンズ５の開口数がＮＡL＝
０．０１３と小さな値であり、その特性はほぼ無収差レ
ンズとみなすことができる。また、書き込み用光源１と
して点光源とみなせる半導体レーザを用いているのでσ
1はほぼ０であり、よってσもほぼ０である。したがっ
て、本実施例における結像レンズ５の光学伝達関数は、
図３に示すσ＝０の場合とみなすことができる。このと
き、空間周波数について、規格化空間周波数ｓ＝１に対
応する限界空間周波数νc＝ＮＡL／λが生じ、νcより
も大きい空間周波数を持つ成分については光学伝達関数
が０となって、このような光学系においては伝達されな
い。本実施例においては、νc＝ＮＡL／λ＝１９lp/mm
であり、したがって空間周波数２５lp/mmである画素構
造に起因する信号成分は伝達されずに消去され、一方１
２．５lp/mm以下の空間周波数を持つ信号画像は、劣化
することなく伝達される。
学伝達関数（ＯＴＦ）曲線を様々なσについて示す。こ
こでσは一般に、入射光学系の開口数をσ1、結像レン
ズ系の開口数σ2としたときσ＝σ1／σ2によって定義
される。また、横軸は規格化空間周波数ｓであり、空間
周波数νを用いてｓ＝ν・λ／σ2により定義される。
本実施例においては結像レンズ５の開口数がＮＡL＝
０．０１３と小さな値であり、その特性はほぼ無収差レ
ンズとみなすことができる。また、書き込み用光源１と
して点光源とみなせる半導体レーザを用いているのでσ
1はほぼ０であり、よってσもほぼ０である。したがっ
て、本実施例における結像レンズ５の光学伝達関数は、
図３に示すσ＝０の場合とみなすことができる。このと
き、空間周波数について、規格化空間周波数ｓ＝１に対
応する限界空間周波数νc＝ＮＡL／λが生じ、νcより
も大きい空間周波数を持つ成分については光学伝達関数
が０となって、このような光学系においては伝達されな
い。本実施例においては、νc＝ＮＡL／λ＝１９lp/mm
であり、したがって空間周波数２５lp/mmである画素構
造に起因する信号成分は伝達されずに消去され、一方１
２．５lp/mm以下の空間周波数を持つ信号画像は、劣化
することなく伝達される。
【００３０】本実施例による空間光変調装置の回折効率
についての測定を行った。また比較のため、従来例とし
てＮＡL／λ＞１／Ｐである結像倍率１．０、開口数Ｎ
ＡL＝０．０２のレンズを結像レンズとして用いた場合
についても同様の測定を行った。
についての測定を行った。また比較のため、従来例とし
てＮＡL／λ＞１／Ｐである結像倍率１．０、開口数Ｎ
ＡL＝０．０２のレンズを結像レンズとして用いた場合
についても同様の測定を行った。
【００３１】伝達する信号画像として透過型液晶素子４
に矩形波格子が表示され、信号画像を伝達する書き込み
光が生成されて光アドレス型平行配向液晶空間光変調器
６に入射された。この時、光アドレス型平行配向液晶空
間光変調器６の液晶層６２の液晶分子の配向方向と、読
み出し光の偏光方向は平行であり、したがって読み出し
光の位相のみの変調を行うことができる。この位相変調
された光が、フーリエ変換レンズ１１によってフーリエ
変換され、フーリエ面１２で回折像として観測されて回
折効率が測定される。得られた回折像では、開口数ＮＡ
L＝０．０２の従来例において画素構造に起因する回折
成分が生じたのに対して、本発明による開口数ＮＡL＝
０．０１３での例においてはそのような回折成分は観測
されなかった。
に矩形波格子が表示され、信号画像を伝達する書き込み
光が生成されて光アドレス型平行配向液晶空間光変調器
６に入射された。この時、光アドレス型平行配向液晶空
間光変調器６の液晶層６２の液晶分子の配向方向と、読
み出し光の偏光方向は平行であり、したがって読み出し
光の位相のみの変調を行うことができる。この位相変調
された光が、フーリエ変換レンズ１１によってフーリエ
変換され、フーリエ面１２で回折像として観測されて回
折効率が測定される。得られた回折像では、開口数ＮＡ
L＝０．０２の従来例において画素構造に起因する回折
成分が生じたのに対して、本発明による開口数ＮＡL＝
０．０１３での例においてはそのような回折成分は観測
されなかった。
【００３２】図４に一次回折光についての回折効率の、
従来の装置及び本発明による装置を用いた測定結果をい
くつかの空間周波数に対して示す。回折効率は、得られ
た回折像について（一次回折光強度／全光量）×１００
％によって定義される。開口数ＮＡL＝０．０１３の結
像レンズ５を用いた本発明による装置についての測定結
果では、最大空間周波数である１２．５lp/mmを含め
て、理論限界の４０．５％に近い、高い回折効率がすべ
ての測定点において得られている。一方、開口数ＮＡL
＝０．０２の結像レンズを用いた従来の装置についての
測定結果は、画素構造に起因する回折成分が生じている
ために、本発明による装置よりも回折効率が低くなって
いる。
従来の装置及び本発明による装置を用いた測定結果をい
くつかの空間周波数に対して示す。回折効率は、得られ
た回折像について（一次回折光強度／全光量）×１００
％によって定義される。開口数ＮＡL＝０．０１３の結
像レンズ５を用いた本発明による装置についての測定結
果では、最大空間周波数である１２．５lp/mmを含め
て、理論限界の４０．５％に近い、高い回折効率がすべ
ての測定点において得られている。一方、開口数ＮＡL
＝０．０２の結像レンズを用いた従来の装置についての
測定結果は、画素構造に起因する回折成分が生じている
ために、本発明による装置よりも回折効率が低くなって
いる。
【００３３】以上の結果から、条件１／２Ｐ＜ＮＡL／
λ＜１／Ｐを満たす開口数ＮＡLを有する結像レンズ５
を用いて構成された空間光変調装置によって、画素構造
に起因する信号成分を消去して、かつ透過型液晶素子４
において生成可能な信号画像のすべての空間周波数の範
囲について劣化を生じない空間光変調装置を実現するこ
とができる。
λ＜１／Ｐを満たす開口数ＮＡLを有する結像レンズ５
を用いて構成された空間光変調装置によって、画素構造
に起因する信号成分を消去して、かつ透過型液晶素子４
において生成可能な信号画像のすべての空間周波数の範
囲について劣化を生じない空間光変調装置を実現するこ
とができる。
【００３４】第２の実施例として、開口数ＮＡL＝０．
００７の結像レンズ５を用いた場合について説明する。
その他の条件は第１の実施例と同様である。この場合、
限界空間周波数νc＝ＮＡL／λ＝１０．３lp/mmとな
り、νc＜１／Ｐであるので画素構造に起因する信号成
分は消去される。しかし、信号画像については、νcは
最大空間周波数である１２．５lp/mmよりも小さく、し
たがって信号画像の一部を損なうこととなる。しかし、
１０．３lp/mm以下の空間周波数の信号画像成分につい
ては、劣化することなく伝達される。したがって、条件
ＮＡL／λ＜１／Ｐを満たす開口数ＮＡLを有する結像レ
ンズ５を用いて構成された空間光変調装置によって、画
素構造に起因する信号成分を消去した空間光変調装置を
実現することができる。
００７の結像レンズ５を用いた場合について説明する。
その他の条件は第１の実施例と同様である。この場合、
限界空間周波数νc＝ＮＡL／λ＝１０．３lp/mmとな
り、νc＜１／Ｐであるので画素構造に起因する信号成
分は消去される。しかし、信号画像については、νcは
最大空間周波数である１２．５lp/mmよりも小さく、し
たがって信号画像の一部を損なうこととなる。しかし、
１０．３lp/mm以下の空間周波数の信号画像成分につい
ては、劣化することなく伝達される。したがって、条件
ＮＡL／λ＜１／Ｐを満たす開口数ＮＡLを有する結像レ
ンズ５を用いて構成された空間光変調装置によって、画
素構造に起因する信号成分を消去した空間光変調装置を
実現することができる。
【００３５】第３の実施例として、書き込み用光源１と
して中心発光波長６６０nm、半値幅３０nm（λ＝６６０
±３０nm）の赤色ＬＥＤを用いた場合について説明す
る。その他の条件は第１の実施例と同様である。この場
合においても、赤色ＬＥＤからの光はコリメートレンズ
２によってコリメートされており、ほぼ点光源とみなせ
るので、入射光学系の開口数σ1はほぼ０であり、した
がって第１の実施例と同様にσはほぼ０である。この光
源及び開口数ＮＡL＝０．０１３の結像レンズ５を用い
た場合の限界空間周波数は、一番短い波長である６３０
nmの光に対して２０．６lp/mm、一番長い波長である６
９０nmの光に対して１８．８lp/mmであるので、このよ
うな装置は条件１／２Ｐ＜ＮＡL／λ＜１／Ｐを満た
し、したがって、本実施例においても画素構造に起因す
る信号成分を消去して、かつ透過型液晶素子４において
生成可能な信号画像のすべての空間周波数の範囲につい
て劣化を生じない空間光変調装置を実現することができ
る。
して中心発光波長６６０nm、半値幅３０nm（λ＝６６０
±３０nm）の赤色ＬＥＤを用いた場合について説明す
る。その他の条件は第１の実施例と同様である。この場
合においても、赤色ＬＥＤからの光はコリメートレンズ
２によってコリメートされており、ほぼ点光源とみなせ
るので、入射光学系の開口数σ1はほぼ０であり、した
がって第１の実施例と同様にσはほぼ０である。この光
源及び開口数ＮＡL＝０．０１３の結像レンズ５を用い
た場合の限界空間周波数は、一番短い波長である６３０
nmの光に対して２０．６lp/mm、一番長い波長である６
９０nmの光に対して１８．８lp/mmであるので、このよ
うな装置は条件１／２Ｐ＜ＮＡL／λ＜１／Ｐを満た
し、したがって、本実施例においても画素構造に起因す
る信号成分を消去して、かつ透過型液晶素子４において
生成可能な信号画像のすべての空間周波数の範囲につい
て劣化を生じない空間光変調装置を実現することができ
る。
【００３６】第４の実施例として、書き込み用光源１と
して白色光源であるキセノンランプを用いた場合につい
て説明する。用いたキセノンランプのギャップ長は２mm
で、焦点距離１００mmのコリメートレンズ２を用いた。
この場合、入射光学系の開口数σ1＝０．０１であり、
結像レンズ５の開口数がＮＡL＝０．０１３であると
き、σは１に近い値となる。また、波長λについては、
光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６の書き込み光
に対する感度特性が波長６００〜７００nmの光に対して
高いので、その領域の光を主に考慮すれば良い。このと
き、σ＝１に対する図３に示した光学伝達関数曲線にお
いて、画素構造に起因する信号成分の空間周波数である
１／Ｐ＝２５lp/mm前後の領域においても光学伝達関数
は０にならないが、そのような空間周波数領域に対する
光学伝達関数の値は小さく、伝達された画素構造に起因
する信号成分はつぶれたものとなり、したがって画素構
造による影響を低減した空間光変調装置を実現できる。
して白色光源であるキセノンランプを用いた場合につい
て説明する。用いたキセノンランプのギャップ長は２mm
で、焦点距離１００mmのコリメートレンズ２を用いた。
この場合、入射光学系の開口数σ1＝０．０１であり、
結像レンズ５の開口数がＮＡL＝０．０１３であると
き、σは１に近い値となる。また、波長λについては、
光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６の書き込み光
に対する感度特性が波長６００〜７００nmの光に対して
高いので、その領域の光を主に考慮すれば良い。このと
き、σ＝１に対する図３に示した光学伝達関数曲線にお
いて、画素構造に起因する信号成分の空間周波数である
１／Ｐ＝２５lp/mm前後の領域においても光学伝達関数
は０にならないが、そのような空間周波数領域に対する
光学伝達関数の値は小さく、伝達された画素構造に起因
する信号成分はつぶれたものとなり、したがって画素構
造による影響を低減した空間光変調装置を実現できる。
【００３７】また、コリメートレンズに焦点距離の大き
いレンズを用いる方法や、キセノンランプからの光を集
光レンズで結像させ、結像面における最高輝度点上に小
さい直径のピンホールを設置することによって見かけ上
キセノンランプのアーク長を短くして点光源に近い光源
とする方法などにより、キセノンランプを用いた場合に
おいても入射光学系の開口数を小さくすることが可能で
ある。このような方法を用いることによって、画素構造
による影響をさらに低減した空間光変調装置を実現でき
る。
いレンズを用いる方法や、キセノンランプからの光を集
光レンズで結像させ、結像面における最高輝度点上に小
さい直径のピンホールを設置することによって見かけ上
キセノンランプのアーク長を短くして点光源に近い光源
とする方法などにより、キセノンランプを用いた場合に
おいても入射光学系の開口数を小さくすることが可能で
ある。このような方法を用いることによって、画素構造
による影響をさらに低減した空間光変調装置を実現でき
る。
【００３８】図５に本発明に係る空間光変調装置の他の
実施形態の構成図を示す。本実施形態においては、透過
型液晶素子４及び光アドレス型平行配向液晶空間光変調
器６が結像レンズを用いずに直接接続される。
実施形態の構成図を示す。本実施形態においては、透過
型液晶素子４及び光アドレス型平行配向液晶空間光変調
器６が結像レンズを用いずに直接接続される。
【００３９】図６に図５に示す空間光変調装置において
用いられる透過型液晶素子４及び光アドレス型平行配向
液晶空間光変調器６の構造及びその接続方法の拡大構成
図を示す。透過型液晶素子４は図１に示したものと同じ
構成であり、その出力端である光伝達層は、好ましくは
ガラス基板である透明基板４２から構成されている。ま
た、光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６は、図１
及び図２に示したものとほぼ同じ構成であるが、書き込
み部６ａの書き込み光入力端としてファイバ光学プレー
ト６７が用いられている。透過型液晶素子４の透明基板
４２及び光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６のフ
ァイバ光学プレート６７は直接接続され、これによって
書き込み光が伝達される。
用いられる透過型液晶素子４及び光アドレス型平行配向
液晶空間光変調器６の構造及びその接続方法の拡大構成
図を示す。透過型液晶素子４は図１に示したものと同じ
構成であり、その出力端である光伝達層は、好ましくは
ガラス基板である透明基板４２から構成されている。ま
た、光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６は、図１
及び図２に示したものとほぼ同じ構成であるが、書き込
み部６ａの書き込み光入力端としてファイバ光学プレー
ト６７が用いられている。透過型液晶素子４の透明基板
４２及び光アドレス型平行配向液晶空間光変調器６のフ
ァイバ光学プレート６７は直接接続され、これによって
書き込み光が伝達される。
【００４０】本実施形態においては透過型液晶素子４の
出力端の光伝達層として透明基板４２を用いたが、必要
に応じて透明な液状もしくはグリース状等のものを封入
して用いても良い。
出力端の光伝達層として透明基板４２を用いたが、必要
に応じて透明な液状もしくはグリース状等のものを封入
して用いても良い。
【００４１】図５及び図６に示した実施形態による本発
明の第５の実施例について説明する。透過型液晶素子４
としては第１の実施例と同様のピッチＰ＝４０μmのも
のを用い、また透明基板４２としては厚さ１mmのガラス
基板が用いられた。また、ファイバ光学プレート６７は
ピッチ３μmで厚さ５mmのものが用いられた。このよう
な場合、ファイバ光学プレート６７のピッチは透過型液
晶素子４のピッチＰに比べて充分小さく、その伝達可能
な限界空間周波数はおよそ１６７lp/mmである。しか
し、ファイバ光学プレート６７に書き込み光が入射する
前に透明基板４２において信号画像が広がるので、本実
施例における限界空間周波数はファイバ光学プレート６
７の限界空間周波数よりも低い値となる。
明の第５の実施例について説明する。透過型液晶素子４
としては第１の実施例と同様のピッチＰ＝４０μmのも
のを用い、また透明基板４２としては厚さ１mmのガラス
基板が用いられた。また、ファイバ光学プレート６７は
ピッチ３μmで厚さ５mmのものが用いられた。このよう
な場合、ファイバ光学プレート６７のピッチは透過型液
晶素子４のピッチＰに比べて充分小さく、その伝達可能
な限界空間周波数はおよそ１６７lp/mmである。しか
し、ファイバ光学プレート６７に書き込み光が入射する
前に透明基板４２において信号画像が広がるので、本実
施例における限界空間周波数はファイバ光学プレート６
７の限界空間周波数よりも低い値となる。
【００４２】図７に、本実施例における限界空間周波数
を説明するための接続部分の拡大図を示す。限界空間周
波数νcは、透過型液晶素子４のピッチＰ、透明基板４
２の厚さｄ、書き込み用光源１からの光の波長λに対応
する透明基板４２の屈折率ｎG、入射光学系の開口数σ1
及びファイバ光学プレート６７の開口数ＮＡFOPによっ
て決定される。本実施例においては、入射光として散乱
光を用いたため、入射光学系の開口数σ1はファイバ光
学プレート６７の開口数ＮＡFOPに比べて大きい。この
時、透過型液晶素子４の画像表示部４１から出射される
書き込み光のうち、透明基板４２を通過後ファイバ光学
プレート６７に入射して伝達される光の最大角度をθと
して、限界空間周波数はνc＝１／（ｔａｎθ・ｄ）と
なる。画素構造に起因する信号成分を消去するための条
件νc＜１／Ｐを適用すると、ファイバ光学プレート６
７の開口数ＮＡFOPに対する条件ＮＡFOP＞ｎG・Ｐ／ｄ
が得られる。同様に、最大空間周波数まで信号画像を劣
化させないための条件νc＞１／２Ｐを適用することに
よって、条件ＮＡFOP＜２ｎG・Ｐ／ｄが得られる。
を説明するための接続部分の拡大図を示す。限界空間周
波数νcは、透過型液晶素子４のピッチＰ、透明基板４
２の厚さｄ、書き込み用光源１からの光の波長λに対応
する透明基板４２の屈折率ｎG、入射光学系の開口数σ1
及びファイバ光学プレート６７の開口数ＮＡFOPによっ
て決定される。本実施例においては、入射光として散乱
光を用いたため、入射光学系の開口数σ1はファイバ光
学プレート６７の開口数ＮＡFOPに比べて大きい。この
時、透過型液晶素子４の画像表示部４１から出射される
書き込み光のうち、透明基板４２を通過後ファイバ光学
プレート６７に入射して伝達される光の最大角度をθと
して、限界空間周波数はνc＝１／（ｔａｎθ・ｄ）と
なる。画素構造に起因する信号成分を消去するための条
件νc＜１／Ｐを適用すると、ファイバ光学プレート６
７の開口数ＮＡFOPに対する条件ＮＡFOP＞ｎG・Ｐ／ｄ
が得られる。同様に、最大空間周波数まで信号画像を劣
化させないための条件νc＞１／２Ｐを適用することに
よって、条件ＮＡFOP＜２ｎG・Ｐ／ｄが得られる。
【００４３】ここで、透明基板４２の屈折率をｎG＝
１．５とするとｎG・Ｐ／ｄ＝０．０６、２ｎG・Ｐ／ｄ
＝０．１２であり、したがって０．０６＜ＮＡFOP＜
０．１２を満たすファイバ光学プレート６７を用いるこ
とによって、本実施例においても画素構造に起因する信
号成分を消去して、かつ透過型液晶素子４において生成
可能な信号画像のすべての空間周波数の範囲について劣
化を生じない空間光変調装置を実現することができる。
１．５とするとｎG・Ｐ／ｄ＝０．０６、２ｎG・Ｐ／ｄ
＝０．１２であり、したがって０．０６＜ＮＡFOP＜
０．１２を満たすファイバ光学プレート６７を用いるこ
とによって、本実施例においても画素構造に起因する信
号成分を消去して、かつ透過型液晶素子４において生成
可能な信号画像のすべての空間周波数の範囲について劣
化を生じない空間光変調装置を実現することができる。
【００４４】
【発明の効果】本発明による空間光変調装置は、以上詳
細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、電気アドレス型素子と光アドレス型空間光変調器と
の間の書き込み光の伝達に結像レンズを用いた場合にお
いて、結像レンズの開口数ＮＡLに対してＮＡL／λ＜１
／Ｐという条件を付することによって、電気アドレス型
素子の画素構造に起因する信号成分を消去することがで
き、さらにＮＡL／λ＞１／２Ｐという条件を付するこ
とによって、ピッチＰの電気アドレス型素子によって生
成可能な信号画像に含まれる空間周波数の全ての成分範
囲について、劣化を生じることなく信号画像を伝達する
ことができる。
細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、電気アドレス型素子と光アドレス型空間光変調器と
の間の書き込み光の伝達に結像レンズを用いた場合にお
いて、結像レンズの開口数ＮＡLに対してＮＡL／λ＜１
／Ｐという条件を付することによって、電気アドレス型
素子の画素構造に起因する信号成分を消去することがで
き、さらにＮＡL／λ＞１／２Ｐという条件を付するこ
とによって、ピッチＰの電気アドレス型素子によって生
成可能な信号画像に含まれる空間周波数の全ての成分範
囲について、劣化を生じることなく信号画像を伝達する
ことができる。
【００４５】また、書き込み光の伝達に電気アドレス型
素子の出力端の光伝達層と光アドレス型空間光変調器の
書き込み光入力端のファイバ光学プレートとを用いた場
合において、ファイバ光学プレートの開口数ＮＡFOPに
対してＮＡFOP＞ｎG・Ｐ／ｄという条件を付することに
よって、画素構造に起因する信号成分を消去することが
でき、さらにＮＡFOP＜２ｎG・Ｐ／ｄという条件を付す
ることによって、信号画像に含まれる空間周波数の全て
の成分範囲について、劣化を生じることなく信号画像を
伝達することができる。
素子の出力端の光伝達層と光アドレス型空間光変調器の
書き込み光入力端のファイバ光学プレートとを用いた場
合において、ファイバ光学プレートの開口数ＮＡFOPに
対してＮＡFOP＞ｎG・Ｐ／ｄという条件を付することに
よって、画素構造に起因する信号成分を消去することが
でき、さらにＮＡFOP＜２ｎG・Ｐ／ｄという条件を付す
ることによって、信号画像に含まれる空間周波数の全て
の成分範囲について、劣化を生じることなく信号画像を
伝達することができる。
【００４６】電気アドレス型素子については、透過型液
晶素子を用いることによって、より信号画像の歪みの少
ない書き込み光を生成することができる。また、光アド
レス型空間光変調器については、光アドレス層に光導電
層を用い、光変調層に液晶層を用いた光アドレス型空間
光変調器を用いることによって、高い回折効率を得るこ
とができる。
晶素子を用いることによって、より信号画像の歪みの少
ない書き込み光を生成することができる。また、光アド
レス型空間光変調器については、光アドレス層に光導電
層を用い、光変調層に液晶層を用いた光アドレス型空間
光変調器を用いることによって、高い回折効率を得るこ
とができる。
【図１】本発明による空間光変調装置に係る一実施形態
の構成図である。
の構成図である。
【図２】図１に示す空間光変調装置における光アドレス
型平行配向液晶空間光変調器の拡大構成図である。
型平行配向液晶空間光変調器の拡大構成図である。
【図３】無収差レンズに対する光学伝達関数曲線を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】第１の実施例の空間光変調装置の回折効率を従
来例と対比するグラフである。
来例と対比するグラフである。
【図５】本発明による空間光変調装置に係る他の実施形
態の構成図である。
態の構成図である。
【図６】図５に示す空間光変調装置における透過型液晶
素子及び光アドレス型平行配向液晶空間光変調器の拡大
構成図である。
素子及び光アドレス型平行配向液晶空間光変調器の拡大
構成図である。
【図７】第５の実施例の空間光変調装置の限界空間周波
数を説明するための拡大図である。
数を説明するための拡大図である。
１…書き込み用光源、２…コリメートレンズ、３…電気
信号発生器、４…透過型液晶素子、４１…画像表示部、
４２…透明基板、５…結像レンズ、６…光アドレス型平
行配向液晶空間光変調器、６ａ…書き込み部、６ｂ…読
み出し部、６１…光導電層、６２…液晶層、６２ｃ…配
向層、６２ｄ…スペーサー、６３…誘電体多層膜ミラ
ー、６４ａ、６４ｂ…透明電極、６５ａ、６５ｂ…透明
基板、６６ａ、６６ｂ…反射防止コート、６７…ファイ
バ光学プレート、７…ハーフミラー、８…レンズ、９…
空間フィルタ、１０…読み出し用光源、１１…フーリエ
変換レンズ、１２…フーリエ面。
信号発生器、４…透過型液晶素子、４１…画像表示部、
４２…透明基板、５…結像レンズ、６…光アドレス型平
行配向液晶空間光変調器、６ａ…書き込み部、６ｂ…読
み出し部、６１…光導電層、６２…液晶層、６２ｃ…配
向層、６２ｄ…スペーサー、６３…誘電体多層膜ミラ
ー、６４ａ、６４ｂ…透明電極、６５ａ、６５ｂ…透明
基板、６６ａ、６６ｂ…反射防止コート、６７…ファイ
バ光学プレート、７…ハーフミラー、８…レンズ、９…
空間フィルタ、１０…読み出し用光源、１１…フーリエ
変換レンズ、１２…フーリエ面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊田 晴義 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 原 勉 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA12 AA15 BA02 CA02 DA05 DA08 EA14 EB17 GA05 KA01 KA14 KA15 2H092 LA01 LA06 LA08 PA07 PA12 QA06 5C094 AA03 AA06 AA10 BA43 DA13 ED01 ED11 ED12 ED15 FB16 GA01
Claims (6)
- 【請求項１】 書き込み光の生成に用いられる書き込み
用光源と、書き込む情報に関する電気信号によってアド
レスされると共に画素構造を有して構成され前記書き込
み用光源からの光が入射される電気アドレス型素子と、
前記電気アドレス型素子において生成・出射された書き
込み光を結像するための結像レンズと、一対の透明電極
の間に光アドレス層及び光変調層が順次積層されている
光アドレス型空間光変調器と、前記光アドレス型空間光
変調器への読み出し光を発生させる読み出し用光源とを
有する空間光変調装置において、 前記結像レンズの前記電気アドレス型素子側の開口数Ｎ
ＡLと、前記電気アドレス型素子の画素構造のピッチＰ
と、前記書き込み用光源からの光の波長λとの間に、Ｎ
ＡL／λ＜１／Ｐの関係が成り立つことを特徴とする空
間光変調装置。 - 【請求項２】 前記結像レンズの前記電気アドレス型素
子側の開口数ＮＡLと、前記電気アドレス型素子の画素
構造のピッチＰと、前記書き込み用光源からの光の波長
λとの間に、さらにＮＡL／λ＞１／２Ｐの関係が成り
立つことを特徴とする請求項１記載の空間光変調装置。 - 【請求項３】 書き込み光の生成に用いられる書き込み
用光源と、書き込む情報に関する電気信号によってアド
レスされると共に画素構造を有して構成され前記書き込
み用光源からの光が入射される電気アドレス型素子と、
一対の透明電極の間に光アドレス層及び光変調層が順次
積層されている光アドレス型空間光変調器と、前記光ア
ドレス型空間光変調器への読み出し光を発生させる読み
出し用光源とを有する空間光変調装置において、 前記電気アドレス型素子の前記光アドレス型空間光変調
器に面する出力端が一様な屈折率を有する光伝達層によ
って構成され、前記光アドレス型空間光変調器の前記電
気アドレス型素子に面する書き込み光入力端が入射画像
の解像度を保って画像が伝達される屈折率分布を有する
ファイバ光学プレートによって構成されて、前記光伝達
層と、前記ファイバ光学プレートとが光学的に接続さ
れ、 前記ファイバ光学プレートの開口数ＮＡFOPと、前記電
気アドレス型素子の画素構造のピッチＰと、前記光伝達
層の厚さｄと、前記書き込み用光源からの光の波長λに
対応する前記光伝達層の屈折率ｎGとの間に、ＮＡFOP＞
ｎG・Ｐ／ｄの関係が成り立つことを特徴とする空間光
変調装置。 - 【請求項４】 前記ファイバ光学プレートの開口数ＮＡ
FOPと、前記電気アドレス型素子の画素構造のピッチＰ
と、前記光伝達層の厚さｄと、前記書き込み用光源から
の光の波長λに対応する前記光伝達層の屈折率ｎGとの
間に、さらにＮＡFOP＜２ｎG・Ｐ／ｄの関係が成り立つ
ことを特徴とする請求項３記載の空間光変調装置。 - 【請求項５】 前記電気アドレス型素子は、透過型液晶
素子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一
項記載の空間光変調装置。 - 【請求項６】 前記光アドレス型空間光変調器は、前記
光アドレス層として光導電層を用い、前記光変調層とし
て液晶層を用いた光アドレス型空間光変調器であること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の空間光
変調装置。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002277851A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置 |
| JP2010517103A (ja) * | 2007-01-30 | 2010-05-20 | エフ ポザット エイチユー，リミテッド ライアビリティ カンパニー | 画像転写装置 |
| WO2010074149A1 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光制御装置および光制御方法 |
| WO2010074148A1 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光制御装置および光制御方法 |
| CN103370648A (zh) * | 2011-02-15 | 2013-10-23 | 浜松光子学株式会社 | 空间光调制装置以及空间光调制方法 |
| US9250459B2 (en) | 2011-02-15 | 2016-02-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spatial light modulator, and spatial light modulating method |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555449B1 (en) * | 1996-05-28 | 2003-04-29 | Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication |
| JP3878758B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2007-02-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 空間光変調装置 |
| GB9828287D0 (en) * | 1998-12-23 | 1999-02-17 | Secr Defence Brit | Image display system |
| JP2001100172A (ja) | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置 |
| US6830993B1 (en) * | 2000-03-21 | 2004-12-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method |
| AU2002211507A1 (en) | 2000-10-10 | 2002-04-22 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method and apparatus for processing thin metal layers |
| JP4824855B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2011-11-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 空間光変調器および光パルス波形制御装置 |
| KR100910016B1 (ko) | 2001-10-25 | 2009-07-30 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 위상 변조 장치 및 위상 변조 방법 |
| TWI229763B (en) | 2001-10-29 | 2005-03-21 | Sipix Imaging Inc | An improved electrophoretic display with holding electrodes |
| US6577429B1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-06-10 | Eastman Kodak Company | Laser projection display system |
| US7261920B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-08-28 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
| US7972472B2 (en) | 2002-04-24 | 2011-07-05 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure for in-mold decoration |
| US8002948B2 (en) | 2002-04-24 | 2011-08-23 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
| TWI240842B (en) | 2002-04-24 | 2005-10-01 | Sipix Imaging Inc | Matrix driven electrophoretic display with multilayer back plane |
| US7156945B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-01-02 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure for in-mold decoration |
| KR20050047103A (ko) * | 2002-08-19 | 2005-05-19 | 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 다양한 조사 패턴을 포함하는 원 샷 반도체 가공 시스템 및방법 |
| TWI378307B (en) * | 2002-08-19 | 2012-12-01 | Univ Columbia | Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions |
| JP5164378B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2013-03-21 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 逐次的横方向結晶化技術を用いて結晶化させた複数の半導体薄膜フィルムを処理するシステム及びプロセス |
| TWI359441B (en) * | 2003-09-16 | 2012-03-01 | Univ Columbia | Processes and systems for laser crystallization pr |
| US7364952B2 (en) * | 2003-09-16 | 2008-04-29 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for processing thin films |
| WO2005029549A2 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method and system for facilitating bi-directional growth |
| WO2005029546A2 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination |
| US7164152B2 (en) * | 2003-09-16 | 2007-01-16 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Laser-irradiated thin films having variable thickness |
| US7318866B2 (en) * | 2003-09-16 | 2008-01-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths |
| TWI366859B (en) * | 2003-09-16 | 2012-06-21 | Univ Columbia | System and method of enhancing the width of polycrystalline grains produced via sequential lateral solidification using a modified mask pattern |
| US7311778B2 (en) | 2003-09-19 | 2007-12-25 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single scan irradiation for crystallization of thin films |
| US6894765B2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing |
| US7645337B2 (en) * | 2004-11-18 | 2010-01-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films |
| US8221544B2 (en) * | 2005-04-06 | 2012-07-17 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Line scan sequential lateral solidification of thin films |
| KR101368570B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2014-02-27 | 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 박막의 고수율 결정화 |
| US8179296B2 (en) | 2005-09-30 | 2012-05-15 | The Massachusetts Institute Of Technology | Digital readout method and apparatus |
| JP2009518864A (ja) * | 2005-12-05 | 2009-05-07 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 膜を加工するためのシステム及び方法並びに薄膜 |
| US20100226495A1 (en) | 2007-10-29 | 2010-09-09 | Michael Kelly | Digital readout method and apparatus |
| WO2009039482A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors |
| TWI418037B (zh) | 2007-09-25 | 2013-12-01 | Univ Columbia | 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法 |
| KR20100105606A (ko) | 2007-11-21 | 2010-09-29 | 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 에피택셜하게 텍스쳐화된 후막의 제조를 위한 시스템 및 방법 |
| WO2009067688A1 (en) | 2007-11-21 | 2009-05-28 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films |
| US8012861B2 (en) | 2007-11-21 | 2011-09-06 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films |
| US8569155B2 (en) * | 2008-02-29 | 2013-10-29 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Flash lamp annealing crystallization for large area thin films |
| JP2011515833A (ja) * | 2008-02-29 | 2011-05-19 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 薄膜のためのフラッシュ光アニーリング |
| WO2009108936A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Lithographic method of making uniform crystalline si films |
| WO2010056990A1 (en) | 2008-11-14 | 2010-05-20 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for the crystallization of thin films |
| US9646831B2 (en) | 2009-11-03 | 2017-05-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Advanced excimer laser annealing for thin films |
| US9087696B2 (en) | 2009-11-03 | 2015-07-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing |
| US8440581B2 (en) * | 2009-11-24 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification |
| WO2011066275A2 (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Actively addressable aperture light field camera |
| US10787701B2 (en) | 2010-04-05 | 2020-09-29 | Prognosys Biosciences, Inc. | Spatially encoded biological assays |
| EP2453285B1 (en) | 2010-11-16 | 2013-04-03 | Olympus Corporation | Illumination optical system |
| GB201106254D0 (en) | 2011-04-13 | 2011-05-25 | Frisen Jonas | Method and product |
| WO2014117079A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Depth of field 3d imaging slm microscope |
| DK3013983T3 (da) | 2013-06-25 | 2023-03-06 | Prognosys Biosciences Inc | Spatialt kodede biologiske assays ved brug af en mikrofluidisk anordning |
| US10568516B2 (en) | 2015-06-22 | 2020-02-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Methods and devices for imaging and/or optogenetic control of light-responsive neurons |
| US10444417B2 (en) * | 2017-09-26 | 2019-10-15 | The Boeing Company | Optical limiters for facilitating aperture protection |
| CN111007730B (zh) * | 2019-10-22 | 2023-09-26 | 上海瑞立柯信息技术有限公司 | 一种空间光调制器控制系统及其控制方法 |
| CN113126373B (zh) * | 2020-01-10 | 2022-10-11 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 反射式光寻址液晶空间光调制器 |
| US11921271B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-03-05 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Univeristy | Multifocal macroscope for large field of view imaging of dynamic specimens |
| EP4153775A1 (en) | 2020-05-22 | 2023-03-29 | 10X Genomics, Inc. | Simultaneous spatio-temporal measurement of gene expression and cellular activity |
| WO2022147296A1 (en) | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 10X Genomics, Inc. | Cleavage of capture probes for spatial analysis |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667820A (en) | 1979-11-09 | 1981-06-08 | Fuji Xerox Co Ltd | Liquid crystal picture recording device |
| US4370024A (en) * | 1980-05-06 | 1983-01-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Dynamic binary fourier filtered imaging system |
| CA2019121A1 (en) | 1989-06-16 | 1990-12-16 | Tadao Iwaki | Optical pattern recognition apparatus |
| US5132811A (en) * | 1989-08-10 | 1992-07-21 | Seiko Instruments Inc. | Holographic operating optical apparatus |
| US5083854A (en) * | 1990-02-15 | 1992-01-28 | Greyhawk Systems, Inc. | Spatial light modulator with improved aperture ratio |
| JP3179472B2 (ja) | 1990-11-16 | 2001-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH04289837A (ja) | 1991-03-19 | 1992-10-14 | Seiko Epson Corp | 投射型表示装置 |
| FR2678602A1 (fr) | 1991-07-02 | 1993-01-08 | Atochem | Procede de preparation de nitrure de silicium par carbonitruration de silice et nitrure de silicium sous forme de particules exemptes de whiskers. |
| US5475513A (en) * | 1993-06-02 | 1995-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Projection type image display device maintaining resolution of an image unaffected by parallax |
| JPH09113928A (ja) | 1995-10-19 | 1997-05-02 | Sharp Corp | 投影型画像表示装置 |
| JP2000090270A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 画像照合装置 |
| JP2001013464A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 画像処理装置 |
-
1998
- 1998-06-18 JP JP10171196A patent/JP2000010058A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-17 WO PCT/JP1999/003225 patent/WO1999066368A1/ja active Application Filing
- 1999-06-17 AU AU41672/99A patent/AU4167299A/en not_active Abandoned
- 1999-06-17 EP EP99925350A patent/EP1089117A4/en not_active Withdrawn
- 1999-06-17 US US09/719,777 patent/US6348990B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002277851A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調装置 |
| JP2010517103A (ja) * | 2007-01-30 | 2010-05-20 | エフ ポザット エイチユー，リミテッド ライアビリティ カンパニー | 画像転写装置 |
| US8610993B2 (en) | 2008-12-24 | 2013-12-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light control device and light control method |
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