JP2597705B2 - 電気光学材料層を有する電荷保持媒体 - Google Patents
電気光学材料層を有する電荷保持媒体Info
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- JP2597705B2 JP2597705B2 JP1066796A JP6679689A JP2597705B2 JP 2597705 B2 JP2597705 B2 JP 2597705B2 JP 1066796 A JP1066796 A JP 1066796A JP 6679689 A JP6679689 A JP 6679689A JP 2597705 B2 JP2597705 B2 JP 2597705B2
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- Japan
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- electro
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- layer
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- charge holding
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶、電気光学結晶等の電気光学素子を電荷
保持媒体に組み込み、電気光学的に静電パターンを読み
取れるようにした電荷保持媒体に関するものである。
保持媒体に組み込み、電気光学的に静電パターンを読み
取れるようにした電荷保持媒体に関するものである。
従来、高解像度撮影技術として銀塩写真法、電子写真
技術、テレビ撮影技術、固体撮像素子（CCD等）を利用
した撮影技術等が使用されているが、これらのものは画
像記録が高品質、光解像であれば処理工程が複雑であ
り、工程が簡便であれば記憶機能の欠如あるいは画質の
基本的劣化等があった。
技術、テレビ撮影技術、固体撮像素子（CCD等）を利用
した撮影技術等が使用されているが、これらのものは画
像記録が高品質、光解像であれば処理工程が複雑であ
り、工程が簡便であれば記憶機能の欠如あるいは画質の
基本的劣化等があった。
出願人はこれらに対し、高品質、高解像であると共に
処理工程が簡便で、長時間の記憶が可能であり、記憶し
た文字、線画、画像、コード（1,0）情報を目的に応じ
た画質で任意に反復記録再生することができる電圧印加
露光による電荷保持媒体静電潜像形成方法を既に提案し
ている（特願昭63−121592号）。
処理工程が簡便で、長時間の記憶が可能であり、記憶し
た文字、線画、画像、コード（1,0）情報を目的に応じ
た画質で任意に反復記録再生することができる電圧印加
露光による電荷保持媒体静電潜像形成方法を既に提案し
ている（特願昭63−121592号）。
上記出願に係る電荷保持媒体の静電パターンは極めて
高解像度を有することが特徴であるが、これを精度良く
読み取るのは極めて困難であり、例えば、電位読みとり
の方法では、読み取りヘッドのスキャン密度に依存して
しまい、高解像な読み取りを行うことはできない。
高解像度を有することが特徴であるが、これを精度良く
読み取るのは極めて困難であり、例えば、電位読みとり
の方法では、読み取りヘッドのスキャン密度に依存して
しまい、高解像な読み取りを行うことはできない。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、電気光
学的に静電パターンを読み取り、分子レベルの高精度で
静電パターンを読み取ることができる電荷保持媒体を提
供することを目的とする。
学的に静電パターンを読み取り、分子レベルの高精度で
静電パターンを読み取ることができる電荷保持媒体を提
供することを目的とする。
そのために本発明の電荷保持媒体は、透明支持体上に
導電層及び光導電層が形成された感光体と空隙を介して
対向配置され、感光体側の面に絶縁層が形成された第１
の透明支持体と、第１の透明支持体と電気光学材料層を
挟んで対向配置され、電気光学材料層側の面に導電層が
形成された第２の透明支持体とを有し、感光体の導電層
と第２の透明支持体に形成された導電層との間に電圧を
印加した状態で露光して前記絶縁層に露光像に対応した
電荷像を形成し、該電荷像により電気光学材料層中に電
界を形成するようにしたことを特徴とする。
導電層及び光導電層が形成された感光体と空隙を介して
対向配置され、感光体側の面に絶縁層が形成された第１
の透明支持体と、第１の透明支持体と電気光学材料層を
挟んで対向配置され、電気光学材料層側の面に導電層が
形成された第２の透明支持体とを有し、感光体の導電層
と第２の透明支持体に形成された導電層との間に電圧を
印加した状態で露光して前記絶縁層に露光像に対応した
電荷像を形成し、該電荷像により電気光学材料層中に電
界を形成するようにしたことを特徴とする。
本発明の電荷保持媒体は、電荷保持媒体内に液晶、電
気光学結晶等の電気光学材料層を組み込み、感光体と空
隙を介して対向して電圧印加露光して電荷保持媒体に電
荷像を形成し、この電荷像により電気光学材料層内に電
界を形成してその光学的性質を変化させ、この光学的性
質の変化を透過光、または反射光で読み取ることにより
電荷像を分子レベルの精度で読み取ることが可能とな
る。
気光学結晶等の電気光学材料層を組み込み、感光体と空
隙を介して対向して電圧印加露光して電荷保持媒体に電
荷像を形成し、この電荷像により電気光学材料層内に電
界を形成してその光学的性質を変化させ、この光学的性
質の変化を透過光、または反射光で読み取ることにより
電荷像を分子レベルの精度で読み取ることが可能とな
る。
以下、実施例を図面に基づき説明する。
第１図、第２図は本発明の電荷保持媒体を説明するた
めの図である。図中、101は感光体、101aはガラス、101
bは透明電極、101cは光導電層、103は電荷保持媒体、10
3aは絶縁層、103bはガラス、103cは配向層、103dは液
晶、103eは配向層、103fは電極、103gはガラス、105、1
07は偏光板である。
めの図である。図中、101は感光体、101aはガラス、101
bは透明電極、101cは光導電層、103は電荷保持媒体、10
3aは絶縁層、103bはガラス、103cは配向層、103dは液
晶、103eは配向層、103fは電極、103gはガラス、105、1
07は偏光板である。
第１図において、1mm厚のガラス101a上に1000Å厚のI
TOからなる透明電極101bを形成し、この上に10μｍ程度
の光導電層101cを形成して感光体101を構成する。この
感光体101に対して、10μｍ程度の空隙を介して電荷保
持媒体103を配置する。電荷保持媒体103は1mm厚のガラ
ス103b上に10μｍ厚の絶縁層103aを形成する。ガラス10
3bは、1000Å厚のITO電極103fを蒸着により形成したガ
ラス103gとで液晶103dをサンドイッチし、ガラス103b、
電極103fの内面には配向層103c、103eを形成する。そし
て、電源Ｅにより電極101b、103f間に電圧を印加する。
暗所であれば光導電層101cは高抵抗体であるため、電極
間には何の変化も生じない。感光体101側より光を入射
すると、光が入射した部分の光導電層101cは導電性を示
し、絶縁層103aとの間に放電が生じて絶縁層上に画像状
に電荷が蓄積される。
TOからなる透明電極101bを形成し、この上に10μｍ程度
の光導電層101cを形成して感光体101を構成する。この
感光体101に対して、10μｍ程度の空隙を介して電荷保
持媒体103を配置する。電荷保持媒体103は1mm厚のガラ
ス103b上に10μｍ厚の絶縁層103aを形成する。ガラス10
3bは、1000Å厚のITO電極103fを蒸着により形成したガ
ラス103gとで液晶103dをサンドイッチし、ガラス103b、
電極103fの内面には配向層103c、103eを形成する。そし
て、電源Ｅにより電極101b、103f間に電圧を印加する。
暗所であれば光導電層101cは高抵抗体であるため、電極
間には何の変化も生じない。感光体101側より光を入射
すると、光が入射した部分の光導電層101cは導電性を示
し、絶縁層103aとの間に放電が生じて絶縁層上に画像状
に電荷が蓄積される。
なお、配向層103c、103eは配向の方向が90゜直交する
ように配置されており、そのため液晶の分子は配向層10
3c、103e間で90゜ねじれており、そのため例えば紙面に
垂直方向に偏光した光がガラス103g側から入射すると、
液晶中で90゜旋回が生じて絶縁層103aからは紙面に平行
方向に偏光した光として出射することになる。
ように配置されており、そのため液晶の分子は配向層10
3c、103e間で90゜ねじれており、そのため例えば紙面に
垂直方向に偏光した光がガラス103g側から入射すると、
液晶中で90゜旋回が生じて絶縁層103aからは紙面に平行
方向に偏光した光として出射することになる。
こうして絶縁層103a上に蓄積された電荷によって電極
103eには逆極性の電荷が誘起され、その結果、蓄積電荷
から電極103eに対して図に示すように電気力線が延び、
この電界によって電荷が蓄積された位置に対向した部分
の液晶は分子配列が変化し、ガラス103g側から入射した
光は、90゜の旋回を受けない。
103eには逆極性の電荷が誘起され、その結果、蓄積電荷
から電極103eに対して図に示すように電気力線が延び、
この電界によって電荷が蓄積された位置に対向した部分
の液晶は分子配列が変化し、ガラス103g側から入射した
光は、90゜の旋回を受けない。
第２図に示すように、電荷保持媒体101の両側に偏光
板105、107をその偏光方向が直交するように配置する。
この状態では電荷の影響により分子の配列が乱された部
分では偏光方向が90゜の旋回を受けないため、偏光板10
7を通過した偏光は偏光板105を通ることができず、一
方、電荷パターンが形成されず分子配列が乱されていな
い部分では、90゜の旋回が生ずるため偏光板105を通過
する。したがって、偏光板105側からみると、電荷が形
成された部分は暗く見え、光が通過する部分は明るく見
えることになり、結局静電パターンを観察することがで
きる。なお、上記説明では絶縁層上に電荷が蓄積してい
るとしているが、液晶が強誘電性液晶の場合には高速応
答性とメモリ性を有し、必ずしも長期に渡る電荷の存在
は必要がない。但し、電荷が存在しない場合には分子配
列の乱れは連続的でなくなり、あるレベルより大きい電
界強度の所では乱れがほぼそのまま残り、あるレベルよ
り以下の電界強度の所では乱れが殆ど残らず、そのため
観察される像は２値画像となる。したがって、写真調の
画像として読み取るためには、電荷が絶縁層上に残るよ
うにしておく必要がある。なお、第２図のように光を入
射させて光学的に読み取る場合には、反射防止層を設け
ることが望ましい。また、電極103fにパターンを設けて
おくことにより、電極パターンと露光パターンとのAND
演算を行わせることができ、具体的には電極パターンと
露光パターンの重なり具合を目視することにより、例え
ばピントズレ等の検出に利用することが可能である。
板105、107をその偏光方向が直交するように配置する。
この状態では電荷の影響により分子の配列が乱された部
分では偏光方向が90゜の旋回を受けないため、偏光板10
7を通過した偏光は偏光板105を通ることができず、一
方、電荷パターンが形成されず分子配列が乱されていな
い部分では、90゜の旋回が生ずるため偏光板105を通過
する。したがって、偏光板105側からみると、電荷が形
成された部分は暗く見え、光が通過する部分は明るく見
えることになり、結局静電パターンを観察することがで
きる。なお、上記説明では絶縁層上に電荷が蓄積してい
るとしているが、液晶が強誘電性液晶の場合には高速応
答性とメモリ性を有し、必ずしも長期に渡る電荷の存在
は必要がない。但し、電荷が存在しない場合には分子配
列の乱れは連続的でなくなり、あるレベルより大きい電
界強度の所では乱れがほぼそのまま残り、あるレベルよ
り以下の電界強度の所では乱れが殆ど残らず、そのため
観察される像は２値画像となる。したがって、写真調の
画像として読み取るためには、電荷が絶縁層上に残るよ
うにしておく必要がある。なお、第２図のように光を入
射させて光学的に読み取る場合には、反射防止層を設け
ることが望ましい。また、電極103fにパターンを設けて
おくことにより、電極パターンと露光パターンとのAND
演算を行わせることができ、具体的には電極パターンと
露光パターンの重なり具合を目視することにより、例え
ばピントズレ等の検出に利用することが可能である。
なお、上記実施例では電気光学材料層を透過する光に
ついて主として述べてきたが、反射光を利用するように
してもよく、その場合には電極103fは透明である必要は
なく、Al電極でもよい。
ついて主として述べてきたが、反射光を利用するように
してもよく、その場合には電極103fは透明である必要は
なく、Al電極でもよい。
また、液晶に代えて電界により屈折率が変化する電気
光学結晶を用いてもよく、この屈折率の変化にともなう
光の位相差を、例えば入射光を基準信号として比較する
ことにより求め、静電パターンを容易に求めることがで
きる。
光学結晶を用いてもよく、この屈折率の変化にともなう
光の位相差を、例えば入射光を基準信号として比較する
ことにより求め、静電パターンを容易に求めることがで
きる。
電気光学効果には電界に比例して屈折率が変化するポ
ッケルス効果と、電界の２乗に比例して屈折率が変化す
るケル効果があり、本発明に使用できる材料はケル係数
の大きなKTiO3、BaTiO3、LiNbO3の単結晶やニトロベン
ゼン等の液体および、ポッケルス係数の大きなKDP、LiT
aO3結晶群などがある。
ッケルス効果と、電界の２乗に比例して屈折率が変化す
るケル効果があり、本発明に使用できる材料はケル係数
の大きなKTiO3、BaTiO3、LiNbO3の単結晶やニトロベン
ゼン等の液体および、ポッケルス係数の大きなKDP、LiT
aO3結晶群などがある。
〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、電荷保持媒体上に高解
像度の静電パターンを形成し、形成された静電荷像によ
り電気光学素子内に電界を形成してその光学的性質を変
化させ、光学的性質の変化を光学的に読み取ることによ
り分子レベルの高精度で読み取ることが可能となる。
像度の静電パターンを形成し、形成された静電荷像によ
り電気光学素子内に電界を形成してその光学的性質を変
化させ、光学的性質の変化を光学的に読み取ることによ
り分子レベルの高精度で読み取ることが可能となる。
第１図、第２図は本発明の電荷保持媒体を説明するため
の図である。 101……感光体、101a……ガラス、101b……透明電極、1
01c……光導電層、103……電荷保持媒体、103a……絶縁
層、103b……ガラス、103c……配向層、103d……液晶、
103e……配向層、103f……電極、103g……ガラス、10
5、107……偏光板。
の図である。 101……感光体、101a……ガラス、101b……透明電極、1
01c……光導電層、103……電荷保持媒体、103a……絶縁
層、103b……ガラス、103c……配向層、103d……液晶、
103e……配向層、103f……電極、103g……ガラス、10
5、107……偏光板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 誠 東京都新宿区市谷加賀町１丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−193121（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】透明支持体上に導電層及び光導電層が形成
された感光体と空隙を介して対向配置され、感光体側の
面に絶縁層が形成された第１の透明支持体と、第１の透
明支持体と電気光学材料層を挟んで対向配置され、電気
光学材料層側の面に導電層が形成された第２の透明支持
体とを有し、感光体の導電層と第２の透明支持体に形成
された導電層との間に電圧を印加した状態で露光して前
記絶縁層に露光像に対応した電荷像を形成し、該電荷像
により電気光学材料層中に電界を形成するようにしたこ
とを特徴とする電気光学材料層を有する電荷保持媒体。 - 【請求項２】電気光学材料層が液晶からなり、第１の透
明支持体、及び導電層面に配向層が設けられている請求
項１記載の電荷保持媒体。 - 【請求項３】電気光学材料層が電気光学結晶からなる請
求項１記載の電荷保持媒体。 - 【請求項４】導電層に所定のパターンを形成した請求項
１記載の電荷保持媒体。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066796A JP2597705B2 (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 電気光学材料層を有する電荷保持媒体 |
| PCT/JP1990/000341 WO1990010892A1 (en) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Electrostatic data recording medium and electrostatic data recording/reproducing method |
| ES90904692T ES2144395T3 (es) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Procedimiento de grabacion y reproduccion de informacion electrostatica. |
| DE69033448T DE69033448T2 (de) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Verfahren zur elektrostatischen Aufzeichnung und Wiedergabe von Informationen |
| CA002028814A CA2028814A1 (en) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method |
| EP90904692A EP0592662B1 (en) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Electrostatic information recording and reproducing method |
| US08/462,563 US5587264A (en) | 1989-03-16 | 1995-06-05 | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method |
| US08/703,653 US5718996A (en) | 1989-03-16 | 1996-08-27 | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066796A JP2597705B2 (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 電気光学材料層を有する電荷保持媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02245734A JPH02245734A (ja) | 1990-10-01 |
| JP2597705B2 true JP2597705B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=13326190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1066796A Expired - Lifetime JP2597705B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-18 | 電気光学材料層を有する電荷保持媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2597705B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514504A (en) * | 1991-01-31 | 1996-05-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Information recording medium, and information recording a reproducing method |
| DE69425184T2 (de) * | 1993-04-26 | 2001-03-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelektrische Sensor, Aufzeichnungssystem, und Verfahren für Datenaufzeichnung und Reprographie |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193121A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Olympus Optical Co Ltd | メモリ−性光ライトバルブ |
-
1989
- 1989-03-18 JP JP1066796A patent/JP2597705B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02245734A (ja) | 1990-10-01 |
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