JPH03246560A

JPH03246560A - 記録方法

Info

Publication number: JPH03246560A
Application number: JP4383990A
Authority: JP
Inventors: Ryoyu Takanashi; 高梨　稜雄; Shintaro Nakagaki; 中垣　新太郎; Tsutae Asakura; 浅倉　伝; Masato Furuya; 正人古屋; Takehisa Koyama; 剛久小山; Yuji Uchiyama; 裕治内山
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1990-02-23
Filing date: 1990-02-23
Publication date: 1991-11-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は高解像度、高感度を目的とする記録方法に係り
、特に光導電層に電磁放射線束を入射させ、記録層に記
録する記録方法に関する。

（従来技術）従来、高解像度を目的とした記録方式に静電潜像（電荷
像）を利用したものが見られる。

この記録方式は、記録媒体を誘電体層と電極によって構
成しておき、この誘電体層の面と微少な間隔を隔てて、
光導電層の片面に透明電極を有する記録ヘッド（書込ヘ
ッド）を光導電層と誘電体層とが対向するように対向配
置させ、記録ヘッドの光導電層に被写体を光学レンズに
よって結像させるものである。光導電層は入射光の強弱
（明暗）に応じて電気抵抗値が変化するため、結像によ
る明暗は光導電層の電気抵抗の変化を引き起すから、記
録ヘッドの透明電極と記録媒体の電極間に所定の電圧を
与えると、電気抵抗値の変化に応じた電界が誘電体と先
導電層間にかかることになり、誘電体層の表面には、光
導電層と誘電体層間の放電により被写体の光学像の明暗
に応じた電荷像が記録されることになる。再生に際して
は、再生ヘッドか用いられるが、これは、透明電極面と
誘電体ミラー面とに挟持された光変調層によって構成さ
れている。光変調層は印加された電界の大きさに応して
、そのに入射した光の物理的状態を変化させる特性を有
するもので、例えば、電気光学効果を有するニオブ酸リ
チウム、あるいはネマチック液晶の層が用いられている
。その再生の原理は、再生ヘッドと記録済みの記録媒体
を、誘電体ミラー面と誘電体層が微少間隔を隔てて配設
すると、光変調層と透明電極間に、誘電体層に記録され
た電荷像に応じた電界が誘電体ミラーを介して与えられ
る。この時、再生ヘッドの透明電極側から例えばレーザ
ー光源から放射された光を偏光子を通過させて直線偏光
の光束としてから光偏向器により２方向に偏光している
状態のものとして出射させ、この光をコリメータレンズ
によって平行光とし、更にビームスプリッタに入射した
光束はレンズにて集光されて再生ヘッドの透明電極側に
読取光として入射させる。読取光は光変調層を通過し、
誘電体ミラーによって反射されるが、この反射光は電荷
像によって与えられた光変調層の電界中を通過すること
になるため各部の電界の大きさに応じた偏光面の回転量
の変化（物理量の変化）を受けることになり、この回転
量の変化を、例えば検光子等を介して光の明暗に変換す
ることにより、記録媒体に記録された電荷像を映像、あ
るいは映像に対応した電気信号に変換することが出来る
。

本出願人は、先に出願した特願昭６３−２８９７０７号
の優先権主張出願特願平１−２９１６１３０号において
、上記の高解像度を目的とした記録・再生方式に用いら
れる記録媒として、光変調層部材と電荷像形成層部材を
備えた記録媒体、あるいはメモリー機能を有する光変調
層部材と光導電層部材を備えた新しいタイプの記録媒体
を提案した。

後者のタイプの記録媒体には、メモリー機能を有する光
変調層部材として高分子一液晶複合膜を用いたものであ
る。こらは高分子一液晶複合膜に、例えば、ポリエステ
ル樹脂・ポリカーボネート樹脂等の高分子材料中に、高
い体積抵抗率を有するネマチック液晶を分散させること
によって構成されている。

第３図は、高分子一液晶複合膜からなる光変調層と光導
電層を備えた記録媒体１０の断面図である。同図におい
て、１１は光変調層であり、ポリエステル樹脂等からな
る高分子材料１２と、高分子材料１２中の細孔に封入さ
れた液晶１３とからなる。１４は光電導層であり、光変
調層１１の一方の面に形成されている。１５は光変調層
１２の他方の面に密着して形成された電極である。

上記の記録媒体１０は、高分子材料１２中の細孔の大き
さを小さくして、高分子材料１２の液晶１３に加えられ
る細孔の壁の力が大きくなるようになされると、光変調
層１１の液晶１３に電界か印加されて、光変調層１１が
透明な状態になるような傾向で液晶１３に生じた配向状
態か、前記した印加電界の除去後においても保持され続
けるようになるため、メモリ機能を有することになる。

なお、液晶としてスメクチックタイプの液晶を用いても
よいことは勿論のことである。

第４図は第３図に示す記録媒体を用いた記録時の動作を
説明するための説明図であり、以下同図を用いて説明す
る。

同図において１６は、記録ヘッドであり、ガラス等から
なる透明基板１７面に透明電極１８が形成されている。

記録に際して、記録媒体１０は、その光導電層１４が記
録ヘッド１６の透明電極１８と微少間隔ｔだけはなれて
対向する様に配設すると共に、透明電極１８と電極１５
とに直流電源Ｖ５を接続し、被写体１つの光学像を撮像
レンズ２０によって、記録ヘッド１６を介して光導電層
１４に結像させる。

光導電層１４の電気抵抗値は、結像された被写体１９の
光学像によって変化するが、記録ヘッド１６の透明電極
１８と光変調層１１の電極１５には直流電源Ｖ、が接続
されているため、光導電層１４と光変調層１１との界面
２１の電界強度は、光導電層１４の電気抵抗値の変化パ
ターンに従って変化し、透明電極１８との放電によって
光導電層１４と光変調層１１との界面２１に形成される
電荷像は被写体１９の光学像に対応する電荷像となる。

電荷像が形成されると、その電荷像による電界が光変調
層１１に加わるために、光変調層１１には、これに対応
した液晶１３の変化が生じ、前記の理由から記録が行わ
れる。

再生に際して、光導電層１４に電荷像か記録された状態
の記録媒体１０における光変調層１４に一定の光強度の
読取り光（再生光）を照射すると、光変調層１４の透過
光または反射光は光導電層１４に形成された電荷像の情
報を有しているものになっていることは明らかである。

（発明が解決しようとする課題）記録層として用いている高分子一液晶複合膜からなる光
変調層１１が比較的低インピーダンス（１０〜１０１１
Ω・ｃｍ）を有している場合、光導電層１４と光変調層
１１の界面において形成される電荷像は、小さな時定数
で充電され短時間で消失する。

従って、上述の様に、記録ヘッド１６の透明電極１８と
光導電層１４に空間があると、これが電荷注入阻止層２
２を形成し、界面２１へ移動する電荷量が抑制され、光
変調層１１に印加される有効電界は小さくなり、感度が
低下する等の不都合があった。

また、高分子一液晶複合膜からなる光変調層１１では印
加電界が所定のしきい値以上にならないと光の透過率変
化（メモリ動作）が生じないので、光導電層１４に対し
て電荷阻止層２２か形成されていると、高い外部印加圧
電が必要となる等の不都合があった。

（課題を解決するための手段）本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
少なくとも第１の電極層、光導電層、記録層及び第２の
電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を前記光
導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所定の直
流電圧を印加して前記電磁放射線束に対応した像を前記
記録層に記録する記録方法において、前記光導電層を電
荷注入型としたことを特徴とした記録方法を提供しよう
とするものである。

（実施例）［実施例１］第１図は本発明になる記録方式の第１実施例を説明する
ための説明図であるが、前記従来例の構成要素と同一の
構成要素には同一符号を付し説明を省略する。

同図において、３０は本発明の１実施例に用いられる記
録媒体であり、第４図に示す記録媒体１０を形成する光
導電層１４の表面に透明電極３１を形成した構成としで
ある。

記録に際しては、透明電極３１と、光変調層１１の裏面
に密着して形成した電極１５とに電源Ｖ、を接続し、被
写体１９の光学像を撮像レンズ２０によって透明電極３
１を介して光導電層１４に結像させる。

光導電層１４の電気抵抗値は、結像された被写体１９の
光学像によって変化するが、光導電層１４の透明電極３
１と光変調層１１の電極１５には直流電源Ｖｂが接続さ
れているため、光導電層１４と光変調層１１の界面２１
の電界強度は光導電層１４の電気抵抗値の変化パターン
に従って変化し、光導電層１４と光変調層１１との界面
２１に形成される電荷像は、被写体１９の光学像に対応
する電荷像となる。

この時、本発明になる上記の記録方式によれば、高分子
一液晶複合膜からなる光変調層が比較的低いインピーダ
ンス（１０９〜１０１１Ω・ｃＸｎ）を有した場合でも
、光導電層１４に直接透明電極３１を形成した電荷注入
型としであるため、光変調層１１の界面２１への電荷供
給量を増大させることが出来るため、高電源を用いるこ
とにて光変調層１１に高感度で被写体１９の像を記録保
持することが出来る。言い換えるなら、光導電層１４か
ら光変調層１１の表面に、単位時間当りに供給される電
荷量を高電源を用いることなく光変調層を介して放電す
る電荷量より大とすることが出来る。

［実施例２〕第２図は本発明になる記録方式の第２実施例を説明する
ための説明図であるが、前記と同様の構成要素には同一
符号を付し、簡略化するために前記実施例と異なる点の
みを説明する。

本実施例が、第１図に示す第１実施例のものと異なる点
は、記録に際して、光導電体層１４と高分子一液晶複合
膜からなる光変調層１１を分離して、両層１１，１４が
気中にて対向するように配置した点である。

すなわち、記録媒体４０を光変調層１１の裏面に電極１
５を形成したものとして構成し、光導電層１４に透明電
極３１を形成したものを記録ヘッド４１として構成した
点である。

記録に際しては、記録ヘッド４１の光導電層１４と記録
媒体４０の光変調層１５が微少間隔ｄを隔て対向するよ
うに配置せしめると共に、透明電極３１と電極１５に直
流電源■５を接続し、被写体１９の光学像を撮像レンズ
２０によって透明電極３１を介して光電層１４に結像さ
せ、気中放電によって光変調層１１の表面に電荷像を形
成し、光変調層に像の記録を行うものである。この場合
にも、光導電層を電荷注入型としであるため供給電荷量
は増大し、高感度で低印加電圧での記録が可能となる。

また、この実施例の変形として、微少間隔ｄの空間を誘
電体層とし光導電層１４及び光変調層１１を一体に形成
した記録媒を用いても勿論かまわない。

（発明の効果）上述の様に、本発明になる記録方法によれば、少なくと
も第１の電極層、光導電層、記録層及び第２の電極を有
し、記録対象に対応した電磁放射線束を前記光導電層に
入射させると共に、前記２つの電極に所定の直流電圧を
印加して前記電磁放射線束に対応した像を前記記録層に
記録する記録方法において、前記光導電層を電荷注入型
としたため、第１及び第２の電極層間の印加電圧を低く
しても高感度の記録を記録層に行うことの出来る記録方
式の提供を可能とする。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明になる記録方式の第１実施例を説明す
るための説明図、第２図は本発明になる記録方式の第２
実施例を説明するための説明図、第３図は高分子一液晶
複合膜からなる光変調層と光導電層を備えた記録媒体の
断面図、第４図は、第３図に示す記録媒体を用いた記録
時の動作を説明するための説明図である。１０．３０．４０・・・記録媒体、１１・・・光変調層
、１２・・・高分子材料、１３・・・液晶、１４・・・
光導電層、１５・・・電極、１つ・・・被写体、２０・
・・撮像レンズ、３１・・・透明電極、Ｖｂ・・・直流
電源。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少なくとも第１の電極層、光導電層、記録層及び
第２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を
前記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所
定の直流電圧を印加して前記電磁放射線束に対応した像
を前記記録層に記録する記録方法において、前記光導電
層を電荷注入型としたことを特徴とした記録方法。
（２）記録層を少なくとも光変調層部材を含んで構成し
たことを特徴とする請求項第１項記載の記録方法。
（３）光変調層をメモリ機能を有する光変調層により構
成したことを特徴とする請求項第２項記載の記録方法。
（４）光導電層の非導電部において、光導電層から光変
調層に単位時間あたり供給される電荷量を、光変調層に
形成された電荷像が前記光変調層を介して放電する電荷
量より大としたことを特徴とする請求項第３項記載の記
録方法。