JPH02245731A - 静電パターン情報の電気光学的読み取り方法及び装置 - Google Patents
静電パターン情報の電気光学的読み取り方法及び装置Info
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- JPH02245731A JPH02245731A JP1066793A JP6679389A JPH02245731A JP H02245731 A JPH02245731 A JP H02245731A JP 1066793 A JP1066793 A JP 1066793A JP 6679389 A JP6679389 A JP 6679389A JP H02245731 A JPH02245731 A JP H02245731A
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- Liquid Crystal (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野コ
本発明は液晶、電気光学効果材料等の電気光学素子を用
いて静電パターンを読み取るようにした静電パターンの
電気光学的読み取り方法に関するものである。
いて静電パターンを読み取るようにした静電パターンの
電気光学的読み取り方法に関するものである。
従来、高解像度撮影技術として銀塩写真法、電子写真技
術、テレビ撮影技術、固体撮像素子（ＣＣＤ等）を利用
した撮影技術等が使用されているが、これらのものは画
像記録が高品質、高解像であれば処理工程が複雑であり
、工程が簡便であれば記憶機能の欠如あるいは画質の基
本的劣化等があった。
術、テレビ撮影技術、固体撮像素子（ＣＣＤ等）を利用
した撮影技術等が使用されているが、これらのものは画
像記録が高品質、高解像であれば処理工程が複雑であり
、工程が簡便であれば記憶機能の欠如あるいは画質の基
本的劣化等があった。
出願人はこれらに対し、高品質、高解像であると共に処
理工程が簡便で、長時間の記憶が可能であり、記憶した
文字、線画、画像、コード（１゜０）情報を目的に応じ
た画質で任意に反復記録再生することができる電圧印加
露光による電荷保持媒体静電潜像形成方法を既に提案し
ている（特願昭６３−１２１５９２号 ）。
理工程が簡便で、長時間の記憶が可能であり、記憶した
文字、線画、画像、コード（１゜０）情報を目的に応じ
た画質で任意に反復記録再生することができる電圧印加
露光による電荷保持媒体静電潜像形成方法を既に提案し
ている（特願昭６３−１２１５９２号 ）。
上記出願に係る電荷保持媒体における静電パターンは極
めて高解像度を有することが特徴であるが、これを精度
良く読み取るのは極めて困難であり、例えば、電位読み
とりの方法では、読み取りヘッドのスキャン密度に依存
してしまい、高解像な読み取りを行うことはできない。
めて高解像度を有することが特徴であるが、これを精度
良く読み取るのは極めて困難であり、例えば、電位読み
とりの方法では、読み取りヘッドのスキャン密度に依存
してしまい、高解像な読み取りを行うことはできない。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、高解像度
を有する電荷保持媒体の静電パターンを分子レベルの精
度で読み取ることができる静電パターンの電気光学的読
み取り方法を提供することを目的とする。
を有する電荷保持媒体の静電パターンを分子レベルの精
度で読み取ることができる静電パターンの電気光学的読
み取り方法を提供することを目的とする。
そのために本発明の静電パターンの電気光学的読み取り
方法は、電界の影１により光学的性質が変化する電気光
学素子を、支持体上に電極及び絶縁層が形成され、電荷
が蓄積された電荷保持媒体と対向配置するとともに、電
気光学素子と電荷保持媒体の電極同士を短絡し、電気光
学素子へ光を入射させ、透過光または反射光により電荷
パターンを読み取ることを特徴とする。また、電気光学
素子が例えば強誘電性液晶を用いた場合のようにメモリ
性を有する液晶素子である場合、電気光学素子と電荷保
持媒体の電極同士を短絡して電荷パターン情報を液晶素
子に記憶させ、次いで偏光板を介して液晶素子へ光を入
射させて透過光または反射光を偏光板を介して読み取る
ことを特徴とする。また、電気光学素子が電気光学効果
材料からなり、電界による電気光学効果材料の屈折率変
化を利用して電荷パターンを読み取ることを特徴とする
。
方法は、電界の影１により光学的性質が変化する電気光
学素子を、支持体上に電極及び絶縁層が形成され、電荷
が蓄積された電荷保持媒体と対向配置するとともに、電
気光学素子と電荷保持媒体の電極同士を短絡し、電気光
学素子へ光を入射させ、透過光または反射光により電荷
パターンを読み取ることを特徴とする。また、電気光学
素子が例えば強誘電性液晶を用いた場合のようにメモリ
性を有する液晶素子である場合、電気光学素子と電荷保
持媒体の電極同士を短絡して電荷パターン情報を液晶素
子に記憶させ、次いで偏光板を介して液晶素子へ光を入
射させて透過光または反射光を偏光板を介して読み取る
ことを特徴とする。また、電気光学素子が電気光学効果
材料からなり、電界による電気光学効果材料の屈折率変
化を利用して電荷パターンを読み取ることを特徴とする
。
本発明は、静電パターンが形成された電荷保持媒体に液
晶、電気光学効果材料等の電気光学素子を近接配置し、
電荷保持媒体の蓄積電荷による電界により電気光学素子
の光学的性質を変化させ、この光学的性質の変化を透過
光、または反射光で読み取ることにより静電パターンを
分子レベルの精度で読み取ることが可能となる。
晶、電気光学効果材料等の電気光学素子を近接配置し、
電荷保持媒体の蓄積電荷による電界により電気光学素子
の光学的性質を変化させ、この光学的性質の変化を透過
光、または反射光で読み取ることにより静電パターンを
分子レベルの精度で読み取ることが可能となる。
以下、実施例を図面に基づき説明する。
第１図、第２図は本発明の静電パターンの電気光学的読
み取り方法を説明するための図、第３図は電荷保持媒体
への静電パターン記録方法を説明するための図である。
み取り方法を説明するための図、第３図は電荷保持媒体
への静電パターン記録方法を説明するための図である。
図中、１０１は静電パターン読み取り装置、１０１ａ、
１０１ｈは反射防止層、１０１ｂ、１０１ｇはガラス、
１０１ｃは透明電極、１０１ｄ、１０１ｆは配向層、１
０１ｅは液晶、１０３は電荷保持媒体、１０３ａは絶縁
層、１０３ｂは電極、１０３Ｃはガラス支持体、１０３
ｄは反射防止層、１０５．１０７は偏光板、１０９は感
光体、１０９ａは支持体、１０９ｂは電極、１０９Ｃは
光導電層である。
１０１ｈは反射防止層、１０１ｂ、１０１ｇはガラス、
１０１ｃは透明電極、１０１ｄ、１０１ｆは配向層、１
０１ｅは液晶、１０３は電荷保持媒体、１０３ａは絶縁
層、１０３ｂは電極、１０３Ｃはガラス支持体、１０３
ｄは反射防止層、１０５．１０７は偏光板、１０９は感
光体、１０９ａは支持体、１０９ｂは電極、１０９Ｃは
光導電層である。
第１図において、電荷保持媒体１０３は透明なガラス支
持体１０３ｃに透明電極１０３ｂ、絶縁層１０３ａが積
層されると共に、背面には反射防止層１０３ｄが形成さ
れており、絶縁層１０３ａ上には後述するような方法で
電荷が画像状に蓄積されている。これと近接して対向配
置された静電パターン読み取り装置１０１は、例えば液
晶１０１ｅを配向層１０１ｄ、１ｏ１ｆ、ガラス１０１
ｂ、１０１ｇでサンドイッチし、さらにガラスの表面側
に反射防止層１０１ａ、１０１ｈを設けた構造で、さら
に本発明においてはガラス１０１ｂと配向層１０１ｄ間
に透明電極１０１ｃが設けられ、静電パターンが形成さ
れた電荷保持媒体の電極１０３ｂと短絡するようにして
いる。配向層１０１ｄ、１０１ｆは配向の方向が９０°
直交するように配置されており、そのため液晶の分子は
配向層ｔｏｌｄ、１０１ｆ間で９０°ねじれており、そ
のため例えば紙面に垂直方向に偏光した光が反射防止層
１０１ｈ側から入射すると、液晶中で９０゛旋回が生じ
て反射防止層１０１ａからは紙面に平行方向に偏光した
光として出射することになる。
持体１０３ｃに透明電極１０３ｂ、絶縁層１０３ａが積
層されると共に、背面には反射防止層１０３ｄが形成さ
れており、絶縁層１０３ａ上には後述するような方法で
電荷が画像状に蓄積されている。これと近接して対向配
置された静電パターン読み取り装置１０１は、例えば液
晶１０１ｅを配向層１０１ｄ、１ｏ１ｆ、ガラス１０１
ｂ、１０１ｇでサンドイッチし、さらにガラスの表面側
に反射防止層１０１ａ、１０１ｈを設けた構造で、さら
に本発明においてはガラス１０１ｂと配向層１０１ｄ間
に透明電極１０１ｃが設けられ、静電パターンが形成さ
れた電荷保持媒体の電極１０３ｂと短絡するようにして
いる。配向層１０１ｄ、１０１ｆは配向の方向が９０°
直交するように配置されており、そのため液晶の分子は
配向層ｔｏｌｄ、１０１ｆ間で９０°ねじれており、そ
のため例えば紙面に垂直方向に偏光した光が反射防止層
１０１ｈ側から入射すると、液晶中で９０゛旋回が生じ
て反射防止層１０１ａからは紙面に平行方向に偏光した
光として出射することになる。
絶縁層１０３には第３図に示すように、感光体を通して
の画像露光により、静電パターンが形成されている。
の画像露光により、静電パターンが形成されている。
第３図において、１叩厚のガラスからなる光導電層支持
体１０９ａ上に１０００人厚のＩｒＯからなる透明な感
光体電極１０９ｂを形成し、この上にＩＯμｍ程度の光
導電層１０９Ｃを形成して感光体１０９を構成する。こ
の感光体１０９に対して、ＩＯμｍ程度の空隙を介して
電荷保持媒体１０３を配置する。電荷保持媒体１０３は
ｌ ｍｍ厚のガラスからなる絶縁層支持体１０３Ｃ上に
１０００人厚のＩｒＯ電極１０３ｂを蒸着により形成し
、この電極１０３ｂ上に１０μｍ厚の絶縁層１０３ａを
形成する。そして、電源Ｅにより電極１０３ｂ、１０９
ｂ間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層１０９Ｃ
は高抵抗体であるため、電極間には何の変化も生じない
。感光体１０９側より光を入射すると、光が入射した部
分の光導電層１０９ｃは導電性を示し、絶縁層１０３ａ
との間に放電が生じて絶縁層上に電荷が蓄積される。な
お、本実施例では電荷保持媒体１０３の背面側に反射防
止層１０３ｄを設け、電荷保持媒体と電気光学素子を近
接させたまま電荷保持媒体側から光を照射して電気光学
的読み取りをできるようにしている。
体１０９ａ上に１０００人厚のＩｒＯからなる透明な感
光体電極１０９ｂを形成し、この上にＩＯμｍ程度の光
導電層１０９Ｃを形成して感光体１０９を構成する。こ
の感光体１０９に対して、ＩＯμｍ程度の空隙を介して
電荷保持媒体１０３を配置する。電荷保持媒体１０３は
ｌ ｍｍ厚のガラスからなる絶縁層支持体１０３Ｃ上に
１０００人厚のＩｒＯ電極１０３ｂを蒸着により形成し
、この電極１０３ｂ上に１０μｍ厚の絶縁層１０３ａを
形成する。そして、電源Ｅにより電極１０３ｂ、１０９
ｂ間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層１０９Ｃ
は高抵抗体であるため、電極間には何の変化も生じない
。感光体１０９側より光を入射すると、光が入射した部
分の光導電層１０９ｃは導電性を示し、絶縁層１０３ａ
との間に放電が生じて絶縁層上に電荷が蓄積される。な
お、本実施例では電荷保持媒体１０３の背面側に反射防
止層１０３ｄを設け、電荷保持媒体と電気光学素子を近
接させたまま電荷保持媒体側から光を照射して電気光学
的読み取りをできるようにしている。
こうして絶縁層１０３ａ上に蓄積された電荷によって電
極１０３ｂには逆極性の電荷が誘起され、この電極と接
続されて同電位にある読み取り装置の電極１０１ｃにも
同様に表面電荷と逆極性の電荷が誘起される。その結果
、蓄積電荷から電極１０１ｃに対して図に示すように電
気力線が延び、この電界によって電荷が蓄積された位置
に対向した部分の液晶は分子配列が変化し、反射防止層
１ｏｔｈ側から入射した光は、９０゛の旋回を受けない
。
極１０３ｂには逆極性の電荷が誘起され、この電極と接
続されて同電位にある読み取り装置の電極１０１ｃにも
同様に表面電荷と逆極性の電荷が誘起される。その結果
、蓄積電荷から電極１０１ｃに対して図に示すように電
気力線が延び、この電界によって電荷が蓄積された位置
に対向した部分の液晶は分子配列が変化し、反射防止層
１ｏｔｈ側から入射した光は、９０゛の旋回を受けない
。
いま、液晶１０１ｅがメモリ性を有するものとすると、
電荷保持媒体と離しても静電パターンは液晶の乱れとし
て保存されている。第２図に示すように、静電パターン
読み取り装置１０１の両側に偏光板１０５．１０７をそ
の偏光方向が直交するように配置する。この状態では電
荷の影響により分子の配列が乱された部分では偏光方向
が９０°の旋回を受けないため、偏光板１０７を通過し
た偏光は偏光板１０５を通ることができず、一方、電荷
パターンが形成されず分子配列が乱されていない部分で
は、９０°の旋回が生ずるため偏光板１０５を通過する
。したがって、偏光板１０５側からみると、電荷が形成
された部分は暗く見え、光が通過する部分は明るく見え
ることになり、結局静電パターンを観察することができ
る。なお、メモリ性を有しているとは言え、読み取り装
置を電荷保持媒体から離して液晶に対する電界の影響を
取り除くと、分子配列の乱れは連続的でなくなり、ある
レベルより大きい電界強度の所では乱れがほぼそのまま
残り、あるレベルより以下の電界強度の所では乱れが殆
ど残らず、そのため観察される像は２値画像となる。し
たがって、写真調の画像として読み取るためには、電荷
保持媒体と対向させ、電極同士を短絡した状態で読み取
る必要があり、そのためには電荷保持媒体１０３を透明
とし、かつ背面には反射防止層１０３ｄを設けておく必
要がある。
電荷保持媒体と離しても静電パターンは液晶の乱れとし
て保存されている。第２図に示すように、静電パターン
読み取り装置１０１の両側に偏光板１０５．１０７をそ
の偏光方向が直交するように配置する。この状態では電
荷の影響により分子の配列が乱された部分では偏光方向
が９０°の旋回を受けないため、偏光板１０７を通過し
た偏光は偏光板１０５を通ることができず、一方、電荷
パターンが形成されず分子配列が乱されていない部分で
は、９０°の旋回が生ずるため偏光板１０５を通過する
。したがって、偏光板１０５側からみると、電荷が形成
された部分は暗く見え、光が通過する部分は明るく見え
ることになり、結局静電パターンを観察することができ
る。なお、メモリ性を有しているとは言え、読み取り装
置を電荷保持媒体から離して液晶に対する電界の影響を
取り除くと、分子配列の乱れは連続的でなくなり、ある
レベルより大きい電界強度の所では乱れがほぼそのまま
残り、あるレベルより以下の電界強度の所では乱れが殆
ど残らず、そのため観察される像は２値画像となる。し
たがって、写真調の画像として読み取るためには、電荷
保持媒体と対向させ、電極同士を短絡した状態で読み取
る必要があり、そのためには電荷保持媒体１０３を透明
とし、かつ背面には反射防止層１０３ｄを設けておく必
要がある。
上記実施例では読み取り装置の電気光学素子を透過する
光について主として述べてきたが、反射光を利用するよ
うにしてもよく、その場合は電極１０１ｃは透明である
必要はなく、／ｌ電極でもよく、また反射防止層１０１
ａは省略することができる。
光について主として述べてきたが、反射光を利用するよ
うにしてもよく、その場合は電極１０１ｃは透明である
必要はなく、／ｌ電極でもよく、また反射防止層１０１
ａは省略することができる。
また、液晶に代えて電界により屈折率が変化する電気光
学効果材料を用いてもよく、この屈折率の変化にともな
う光の位を目差を、例えば入射光を基準信号として比較
することにより求め、静電パターンを容易に求めること
ができる。
学効果材料を用いてもよく、この屈折率の変化にともな
う光の位を目差を、例えば入射光を基準信号として比較
することにより求め、静電パターンを容易に求めること
ができる。
以上のように本発明によれば、電荷保持媒体上に形成さ
れた高解像度の静電パターンを、電気光学素子の光学的
性質の変化に変換し、この光学的性質の変化を光学的に
読みとることにより分子レベルの高精度で読み取ること
が可能となる。
れた高解像度の静電パターンを、電気光学素子の光学的
性質の変化に変換し、この光学的性質の変化を光学的に
読みとることにより分子レベルの高精度で読み取ること
が可能となる。
第１図、第２図は本発明の静電パターンの電気光学的読
み取り方法を説明するための図、第３図は電荷保持媒体
への静電パターン記録方法を説明するための図である。 １０１・・・静電パターン読み取り装置、１０１ａ、１
０１ｈ・・・反射防止層、１０１ｂ、１０１ｇ・・・ガ
ラス、１０１ｃ・・・透明電極、１０１ｄ、１０１ｆ・
・・配向層、１０１ｅ・・・液晶、１０３・・・電荷保
持媒体、１０３ ａ−・・絶縁層、１０３ ｂ−・・電
極、１０３Ｃ・・・ガラス支持体、１０３ｄ・・・反射
防止層、１０５．１０７・・・偏光板。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 儒（外５名）ネ２図 ＠＠＠＠＠ Ｏ（＄
み取り方法を説明するための図、第３図は電荷保持媒体
への静電パターン記録方法を説明するための図である。 １０１・・・静電パターン読み取り装置、１０１ａ、１
０１ｈ・・・反射防止層、１０１ｂ、１０１ｇ・・・ガ
ラス、１０１ｃ・・・透明電極、１０１ｄ、１０１ｆ・
・・配向層、１０１ｅ・・・液晶、１０３・・・電荷保
持媒体、１０３ ａ−・・絶縁層、１０３ ｂ−・・電
極、１０３Ｃ・・・ガラス支持体、１０３ｄ・・・反射
防止層、１０５．１０７・・・偏光板。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 儒（外５名）ネ２図 ＠＠＠＠＠ Ｏ（＄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）電界の影響により光学的性質が変化する電気光学
素子を、支持体上に電極及び絶縁層が形成され、電荷が
蓄積された電荷保持媒体と対向配置するとともに、電気
光学素子と電荷保持媒体の電極同士を短絡し、電気光学
素子へ光を入射させ、透過光または反射光により電荷パ
ターンを読み取ることを特徴とする静電パターンの電気
光学的読み取り方法。（２）電気光学素子がメモリ性を
有する液晶素子であり、電気光学素子と電荷保持媒体の
電極同士を短絡して電荷パターン情報を液晶素子に記憶
させ、次いで偏光板を介して液晶素子へ光を入射させて
透過光または反射光を偏光板を介して読み取ることを特
徴とする電気光学的読み取り方法。 （３）電気光学素子の両面に反射防止層を設けた請求項
１または２記載の電気光学的読み取り方法。 （４）電荷保持媒体の電気光学素子と反対側の面に反射
防止層を設け、電荷保持媒体と電気光学素子の電極同士
を短絡した後、電荷保持媒体を通して光を入射させたこ
とを特徴とする請求項１記載の静電パターンの電気光学
的読み取り方法。 （５）電気光学素子が電気光学効果材料からなり、電界
による電気光学効果材料の屈折率変化を利用して電荷パ
ターンを読み取ることを特徴とする請求項１記載の電気
光学的読み取り方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066793A JP2681384B2 (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 静電パターン情報の電気光学的読み取り方法及び装置 |
| CA002028814A CA2028814A1 (en) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method |
| PCT/JP1990/000341 WO1990010892A1 (en) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Electrostatic data recording medium and electrostatic data recording/reproducing method |
| ES90904692T ES2144395T3 (es) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Procedimiento de grabacion y reproduccion de informacion electrostatica. |
| DE69033448T DE69033448T2 (de) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Verfahren zur elektrostatischen Aufzeichnung und Wiedergabe von Informationen |
| EP90904692A EP0592662B1 (en) | 1989-03-16 | 1990-03-15 | Electrostatic information recording and reproducing method |
| US08/462,563 US5587264A (en) | 1989-03-16 | 1995-06-05 | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method |
| US08/703,653 US5718996A (en) | 1989-03-16 | 1996-08-27 | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066793A JP2681384B2 (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 静電パターン情報の電気光学的読み取り方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02245731A true JPH02245731A (ja) | 1990-10-01 |
| JP2681384B2 JP2681384B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=13326101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1066793A Expired - Fee Related JP2681384B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-18 | 静電パターン情報の電気光学的読み取り方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681384B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583670A (en) * | 1992-01-10 | 1996-12-10 | Dia Nippon Printing Co., Ltd. | Polymer dispersed liquid crystal information recording medium with information recording layer comprising acrylic or methacrylic resin having molecular weight of 25,000 to 100,000 and information recording and reproducing method |
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
| JP2008129601A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Lg Electronics Inc | 平面表示装置非接触式検査用電気光学モジュレータ組立体、これを用いた検査装置及び検査方法、並びにこの検査方法を用いた平板表示装置の製造方法 |
Citations (3)
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1989
- 1989-03-18 JP JP1066793A patent/JP2681384B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2681384B2 (ja) | 1997-11-26 |
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