JPH02127649A - 電荷像記録媒体及び電荷像の読取り方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電荷像記録媒体及び電荷像の読取り方式に関す
る。

（従来の技術） 被写体を撮像して得た映像信号は、編集、トリミング、
その他の画像信号処理が容易であるとともに、記録再生
ならびに記録再生消去が容易であるという特徴を有して
いるために、放送の分野以外に多くの分野１例えば、印
刷、電子出版、計測などの多くの分野での利用も試みら
れるようになり、例えば動画のような複数の時間に対応
した光学像情報の撮像記録や、−枚の画像の撮像記録を
従来装置に比べて解像度が一層高い状態で行うことを可
能にする装置の出現が強く要望されるようになった。

ところで、従来から一般的に使用されて来ている撮像装
置では、被写体の光学像を撮像レンズにより撮像素子の
光電変換部に結像させるようにしていて、撮像素子で前
記の被写体の光学像を電気的な画像情報に変換し、その
電気的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号として
出力させるようにしており、撮像装置の構成に当って使
用されＩるべき撮像素子としては各種の撮像管や各種の
固体撮像素子が使用されていることは周知のとおりであ
る。

さて、高画質・高解像度の再生画像を得るためには、そ
れと対応した映像信号を発生させうる撮像装置が必要と
されるが、撮像素子として撮像管を使用した撮像装置で
は、撮像管における電子ビーム径の微小化に限界があっ
て電子ビーム径の微小化による高解像度化が望めないこ
と、及び、撮像管のターゲット容量はターゲット面積と
対応して増大するものであるために、ターゲット面積の
増大による高解像度化も実現できないこと、また、例え
ば動画の撮像装置の場合には高解像度化に伴って映像信
号の周波数帯域が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚ以上にもなる
ためにＳ／Ｎの点で問題になる、等の理由によって、高
画質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像信
号を発生させることは困菫である。

このように、従来の撮像装置ではそれの構成に不可欠な
撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生画像
を再生させうるような映像信号を良好に発生させること
ができなかったので、高画質・高解像度の再生画像を再
生させうるような映像信号を良好に発生させることがで
きる撮像装置の出現が望まれており、また、編集、トリ
ミング、その他の画像信号処理が容易である他に、可逆
性を有する記録部材を使用して高い解像度を有する画像
の記録再生も容易に行えるという利点を有する映像信号
を用いた機器を導入しようとしている。

例えば、印刷、電子出版、計測などの多くの分野では、
−枚の画像の撮像記録を従来の撮像装置に比べて一層解
像度の高い状態で実現させうる撮像装置の出現が強く要
望された。

前記のような問題点の解決のために、本出願人・会社で
は先に、被写体の光学像に対応した光学像情報を撮像レ
ンズにより可逆性を有する電荷像記録媒体に結像させて
記録媒体に記録再生の対象にされている情報を電荷像と
して記録し再生したり、時系列的な電気信号を電荷像と
して記録再生したりできる撮像装置や記録再生装置を提
案している。

（発明が解決しようとする課題） そして、前記した既提案の撮像装置や記録再生装置の実
施により、前記したような従来の問題点が良好に解決で
き、高い精細度を有する画像情報が記録再生できる装置
を提供し得たが、電荷像記録媒体に記録されている電荷
像の読取りは、電荷像に基づいて生じる電界の強度検出
によって行われるが、電荷像記録媒体の電荷から発する
電気力線は必らずしも電荷像記録媒体の面に垂直である
とは限らない。

そのために、電荷像記録媒体に記録されている電荷像に
基づいて発生している電界の強度を検出するための検出
手段として、光変調材を用いた部材を含んで構成されて
いる光学的な読取りヘッドが使用されている場合でも、
あるいは静電的な読取りヘッドが使用されている場合で
あっても、検出の対象にされている電荷のまわりに存在
している電荷の影響が検出結果に現われることにより解
像度の低下が起こることが問題になり、それの改善策が
求められた。

（課題を解決するための手段） 本発明は電極と誘電体層部材と電荷移動抑止層部材と光
導電層部材とを積層してなる電荷像記録媒体及び透明電
極と光導電体の微粒子層を内在させてある誘電体層部材
と光導電層部材とを積層してなる電荷像記録媒体と、前
記した構成形態の電荷記録媒体に記録されている電荷像
の光学的または静電的な読出しに際しては電荷像記録媒
体における電界の強度を読出すべき部分と対応している
光導電層部材側から微小な径の光束を入射させるように
した電荷像の読取り方式、及び光導電層部材を有してお
らず少なくとも電極と誘電体層部材を備えて構成されて
いる電荷像記録媒体に形成された記録再生の対象にされ
ている電荷像に基づいて発生している電界の強度を、電
荷像の光学的または静電的に読出す際に、光学的な読取
りヘッドまたは静電的な読取りヘッドと電荷像記録媒体
との間に光導電体製の部材を配置して、電荷像記録媒体
における電界の強度を読出すべき部分と対応している部
分における光導電体製の部材に微小な径の光束を入射さ
せるようにした電荷像の読取り方式を提供するものであ
る。

（作用） 電極と誘電体層部材と電荷移動抑止層部材と光導電層部
材とを積層してなる電荷像記録媒体及び透明電極と光導
電体の微粒子層を内在させてある誘電体層部材と光導電
層部材とを積層してなる電荷像記録媒体における電荷移
動抑止層部材よりも内部に記録された電荷像は長期間に
わたって良好に保存できるとともに、前記の電荷像記録
媒体に記録されている電荷像の読出しに当って、電荷像
記録媒体における電界の強度を読出すべき部分と対応し
ている部分における光導電層部材に微小な径の光束を入
射させるようにして高解像度で電荷像の読取りを行い、
また、光導電層部材を有しておらず少なくとも電極と誘
電体層部材を備えて構成されている電荷像記録媒体に記
録された電荷像を光学的または静電的に読出す際には、
光学的な読取りヘッドまたは静電的な読取りヘッドと電
荷像記録媒体との間に光導電体製の部材を配置して、電
荷像記録媒体における電界の強度を読出すべき部分と対
応している部分における光導電体製の部材に微小な径の
光束を入射させるようにして高解像度で電荷像の読取り
を行う。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の電荷像記録媒体及び
電荷像の読取り方式の具体的な内容について詳細に説明
する。第１図及び第２図は本発明の電荷像記録媒体の一
部の側断面図、第３図乃至第８図は電荷像記録媒体に記
録再生の対象にされている情報を電荷像として記録する
記録系の構成例を示すブロック図、第９図乃至第１６図
は電荷像記録媒体に記録されている電荷像を読出す際に
使用される再生系の構成例を示すブロック図である。

第１図及び第２図は本発明の電荷像記録媒体の一部の側
断面図であって、第１図に示す本発明の電荷像記録媒体
ＲＭは光導電層部材ＰＣＬと電荷移動抑止層部材ＥＳＬ
と誘電体層部材Ｉ　Ｌと透明電極Ｅｔとを積層してなる
電荷像記録媒体ＲＭであり、また、第２図に示す本発明
の電荷像記録媒体ＲＭは透明電極Ｅｔと光導電体の微粒
子ＰＣＧの層を内在させてある誘電体層部材ＩＬと光導
電層部材ＰＣＬとを積層してなる電荷像記録媒体ＲＭで
ある。

前記した第１図及び第２図に示されている電荷像記録媒
体ＲＭにおいて透明電極Ｅｔはそれを例えば金属の薄膜
、ネサ膜などを用いて構成することができ、また光導電
層部材ＰＣＬとしては適当な光導電材料による薄膜によ
って構成することができる。また誘電体層部材ＩＬは高
い絶縁抵抗値を有する誘電体材料を使用して構成される
ものであり、それは例えば適当な高分子材料膜を用いて
構成されたものが使用されてよい。

さらに、前記した第１図に示されている本発明の電荷像
記録媒体ＲＭを構成するのに使用されている電荷移動抑
止層部材ＥＳＬは、それに大きな電界が加えられたとき
に、トンネル効果によりトンネル電流が流れるような薄
い誘電体膜で構成されているものであって、この電荷移
動抑止層部材ＥＳＬは５例えば、二酸化シリコンの薄層
、あるいはアルミナの薄層などを用いて構成したものを
使用できる。

また第２図に示す本発明の電荷像記録媒体ＲＭにおける
光導電体の微粒子ＰＣＧの層は、高い絶縁抵抗値を有す
る誘電体層部材ＩＬ上に適当な手段により光導電体の微
粒子ＰＣＧを分布させた状態で付着して構成できるが、
例えば、高い絶縁抵抗値を有する誘電体層部材ＩＬの面
上に適当なマスクパターンを介して光導電体材料を蒸着
またはスパッタリングして、誘電体層部材ＩＬの面上に
無数の光導電体の微粒子ＰＣＧが互いに分離して分布し
ている状態のものとして構成させてもよく、前記した無
数の光導電体の微粒子ＰＣＧが互いに分離して分布して
いる状態の層の上に、次に高い絶縁抵抗値を有する誘電
体層部材の薄層を重ねることにより、光導電体の微粒子
ＰＣＧの層を内在させてある誘電体層部材ＩＬが構成さ
れる。

なお、第２図示の本発明の電荷像記録媒体ＲＭにおいて
高い絶縁抵抗値を有する誘電体層部材ＩＬ上に適当な手
段により構成させた光導電体の微粒子ＰＣＧの層の上に
構成させる高い絶縁抵抗値を有する誘電体層部材の薄層
には、後述されている記録動作、そ、の他の動作時など
においてトンネル電流が流れるから、その薄層としては
例えば二酸化シリコンの薄層、あるいはアルミナの薄層
などが用いられるようにしてもよい。

前記した第１図及び第２図に示されている電荷像記録媒
体ＲＭは、それらにおける各構成層を誘電体層部材ＩＬ
上に積層させるのに、順次の各構成部材を順次に蒸着法
またはスパッタリング法、その他の手段によって順次に
成膜することにより構成することができる。

前記した電荷像記録媒体ＲＭは、ディスク状、シート状
、テープ状、カード状、その他、どのような構成形態の
ものとして構成されてもよい。

第３図は第１図に示されている構成態様の電荷像記録媒
体ＲＭに電荷像記録を行う場合に使用される記録系の概
略構成を例示したものであり、また、第４図及び第５図
は第２図に示されている構成態様の電荷像記録媒体ＲＭ
に電荷像記録を行う場合に使用される記録系の概略構成
を例示しており、さらに第６図乃至第８図は他の構成の
電荷像記録媒体ＲＭに電荷像記録を行う場合に使用され
る記録系の概略構成を例示している。

第３図と第４図及び第６図ならびに第７図に示されてい
る電荷像の記録系において、Ｏは被写体、Ｌは撮像レン
ズ、ＷＨは書込みヘッド、ＲＭは電荷像記録媒体、ｖｂ
は電源であり、第３図及び第４図に例示されている記録
系で使用されている番込みヘッドＷＨは、透明な支持基
板ＢＰに透明電極Ｅｔｗを付着させた構成態様のもので
あり、また、第６図及び第７図に例示されている記録系
で使用されている書込みヘッドＷＨは、透明な支持基板
ＢＰに透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬとを積層し
た構成態様のものである。

第３図及び第４図に示されている記録系では、被写体Ｏ
の光学像が撮像レンズＬと書込みヘッドＷＨとを介して
電荷像記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬに結像
され、また、第６図及び第７図に示されている記録系で
は、被写体０の光学像が撮像レンズＬにより書込みヘッ
ドＷ）（における光導電層部材ＰＣＬに結像される。

前記した各記録系の構成例において、ｌＦ込みヘッドＷ
Ｈにおける透明＠極Ｅｔｗには電源ｖｂの負電極が接続
されており、また、電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅ（また
は透明電極Ｅｔ）には電源ｖｂの正極が接続されている
。

まず、第１図に示されている構成態様の電荷像記録媒体
ＲＭが使用されている第３図に例示されている記録系に
おいて、被写体Ｑの光学像が撮像レンズＬと書込みヘッ
ドＷＨとを介して電荷像記録媒体ＲＭにおける光導電層
部材ＰＣＬに結像されると、光導電層部材ＰＣＬの電気
抵抗値は、それに結像された被写体０の光学像に従って
変化する。

既述のように、前記した書込みヘッドＷＨにおける透明
電極Ｅｔｗと電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間
には電源ｖｂが接続されているから、前記のように電荷
像記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、
それに結像された被写体Ｑの光学像に従って変化するこ
とにより、電荷像記録媒体ＲＭにおける光導電層部材Ｐ
ＣＬと電荷移動抑止層部材ＥＳＬとの境界の部分と電極
Ｅとの間の電界の大きさが、前記した被写体０の光学像
に対応しているものになり、電荷移動抑止層部材ＥＳＬ
にトンネル効果による電流が流れて、電荷移動抑止層部
材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に被写体Ｏの光学
像に対応する電荷像が記録される。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの内部に位置している
電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界
に記録された電荷像は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材
ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとによって包囲されているた
めに長期間にわたり安定に保持された状態となされる。

次に、第２図に示されている構成態様の電荷像記録媒体
ＲＭが使用されている第４図示の記録系において、被写
体Ｏの光学像が撮像レンズＬと書込みヘッドＷＩ−１に
おける透明電極Ｅｔｗを介して電荷像記録媒体ＲＭの光
導電層部材ＰＣＬに結像されると、光導電層部材ＰＣＬ
の電気抵抗値は、それに結像された被写体Ｑの光学像に
従って変化する。

既述のように、前記した書込みヘッドＷＨにおける透明
電極Ｅｔｗと電荷像記録媒体ＲＭの透明型１ｉＥｔとの
間には電源ｖｂが接続されているから、前記のように電
荷像記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が
、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化する
ことにより、前記した光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部
材ＩＬどの境界の部分と透明電極Ｅｔとの間の電界の大
きさが、前記した被写体Ｏの光学像に対応しているもの
になる。

それにより電荷像記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬと
誘電体層部材ＩＬとの境界には、書込みヘッドＷＨの透
明電極Ｅｔｗと電荷像記録媒体ＲＭにおける透明電極Ｅ
ｔとに接続されている電源ｖｂの極性に従って定まる極
性を示す電荷によって第４図中に例示されているように
被写体○の光学像に対応している電荷像が生じる。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬ
と誘電体層部１’ＩＬとの境界に被写体Ｏの光学像に対
応している電荷像を生じさせた電荷像記録媒体ＲＭに対
して、第５図の（ａ）に例示しであるように電荷像記録
媒体ＲＭの透明電極Ｅｔ側から記憶用光源Ｅｗの光を照
射すると、その光が誘電体層部材ＩＬ中に埋設されてい
る光導電体の微粒子の層における光導電体の微粒子ＰＣ
Ｇに与えられることにより光導電体の微粒子ＰＣＧには
電子−正孔対が発生する。

前記した光導電体の微粒子ＰＣＧ中に発生した電子−正
孔対と、光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部材ＩＬとの境
界に形成されている電荷像の負電荷との間の電界によっ
て、前記した光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部材ＩＬと
の境界の負電荷は、トンネル効果によりトンネル電流と
して誘電体層部材工りにおける薄層の部分を突抜けて、
誘電体層部材ＩＬ中に内在している光導電体の微粒子Ｐ
ＣＧの層の光導電体の微粒子ＰＣＧに達し、前記した光
導電体の微粒子ＰＣＧ中の電子−正孔対における正孔と
中和するから、前記した光導電体の微粒子ＰＣＧは負に
帯電した状態となされて、被写体Ｏの光学像に対応する
電荷像は第５図の（ｂ）に例示しであるように電荷像記
録媒体ＲＭにおける光導電体の微粒子ＰＣＧによって記
録された状態になされる。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの内部の誘電体層部材
ＩＬ中に存在している光導電体の微粒子ＰＣＧに記録さ
れた電荷像は、絶縁体製の誘電体層部材ＩＬによって包
囲されているために長期間にわたり安定に保持された状
態となされる。

なお、第２図に例示されている構成の電荷像記録媒体Ｒ
Ｍにおいて、それの光導電層部材ＰＣＬを例えば可視光
の波長域で光導電特性を示すようなもので構成し、また
光導電体の微粒子ＰＣＧを可視光の波長域以外の波長域
の光（例えば赤外光）で光導電特性を示すようなもので
構成することは望ましい実施の態様である。

次に、第６図及び第７図などに例示されている記録系で
使用されている書込みヘッドＷＨは、既述のように透明
な支持基板ＢＰに透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬ
とが積層された構成態様のものであり、被写体Ｏの光学
像は撮像レンズＬにより書込みヘッドＷＨにおける光導
電層部材ＰＣＬに結像される。

第６図に示されている記録系において電荷像を記録する
のに使用されている電荷像記録媒体ＲＭは、電極Ｅと誘
電体層部材ＩＬと電荷移動抑止層部材ＥＳＬとの積層構
成のものであり、また、第７図に示されている記録系に
おいて電荷像を記録するのに使用されている電荷像記録
媒体ＲＭは、電極Ｅと光導電体の微粒子ＰＣＧの層を内
在させてある絶縁体製の誘電体層部材ＩＬとの積層構成
のものである。

第６図に例示されている記録系において、被写体０の光
学像が撮像レンズＬによって書込みヘッドＷＨの光導電
層部材ＰＣＬに結像されると、光導電層部材ＰＣＬの電
気抵抗値が、それに結像された被写体Ｏの光学像に従っ
て変化する。

既述のように、前記した書込みヘッドＷＨにおける透明
電極Ｅｔｗと電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間
には電源ｖｂが接続されているから、前記のように書込
みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、そ
れに結像された被写体０の光学像に従って変化すること
により、書込みヘッドＷＨにおける光導電層部材ＰＣＬ
の表面と電荷像記録媒体ＲＭの電荷移動抑止層部材ＥＳ
Ｌとの間の電界の大きさが、前記した被写体０の光学像
に対応して変化しているものになり、電荷移動抑止層部
材ＥＳＬの表面には放電によって被写体０の光学像と対
応する電荷像が形成され、前記のように電荷移動抑止層
部材ＥＳＬの表面に形成された被写体０の光学像と対応
する電荷像は、その電荷と電極Ｅとの間の電界によって
電荷移動抑止層部材ＥＳＬ中をトンネル電流として突抜
けて流れて、電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材
ＩＬとの境界に第６図中に示されているように被写体Ｏ
の光学像に対応する電荷像が記録される。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの内部に位置している
電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界
に記録された電荷像は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材
ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとによって包囲されているた
めに長期間にわたり安定に保持された状態となされる。

次に、第７図示の記録系において、被写体０の光学像が
撮像レンズＬによって書込みヘッドＷＨの光導電層部材
ＰＣＬに結像されると、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値が、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化
する。

既述のように、前記した書込みヘッドＷＨにおける透明
電極Ｅｔｗと電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間
には電源ｖｂが接続されているから、前記のように書込
みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、そ
れに結像された被写体０の光学像に従って変化すること
により、書込みヘッドＷＨにおける光導電層部材ＰＣＬ
の表面と電荷像記録媒体ＲＭの誘電体層部材ＩＬとの間
ノの電界の大きさが、前記した被写体○の光学像に対応
して変化しているものになり、電荷像記録媒体ＲＭの誘
電体層部材ＩＬの表面には放電によって被写体Ｏの光学
像と対応する電荷像が形成される。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの誘電体層部材ＩＬの
表面に被写体０の光学像に対応している電荷像が生じた
電荷像記録媒体ＲＭに対して、第５図の（ａ）を参照し
て既述したと同様に、電荷像記録媒体ＲＭに記憶用光源
Ｅｗの光を照射して、その光が誘電体層部材ＩＬ中に埋
設されている光導電体の微粒子の層における光導電体の
微粒子ＰＣＧに与えられることにより光導電体の微粒子
ＰＣＧには電子−正孔対を発生させると、前記のように
光導電体の微粒子ＰＣＧ中に発生した電子−正孔対と、
誘電体層部材ＩＬの表面に形成されている電荷像の負電
荷との間の電界によって、前記した誘電体層部材Ｉ　Ｌ
の一表面の負電荷は、トンネル効果によりトンネル電流
として誘電体層部材ＩＬにおける薄層の部分を突抜けて
、誘電体層部材ＩＬ中に内在している光導電体の微粒子
ＰＣ，Ｇの層の光導電体の微粒子ＰＣＧに達し、前記し
た光導電体の微粒子ＰＣＧ中の電子−正孔対における正
孔と中和するから、前記した光導電体の微粒子ＰＣＧは
負に帯電した状態となされて、被写体Ｏの光学像に対応
する電荷像は第７図中に例示されているように電荷像記
録媒体ＲＭにおける光導電体の微粒子ＰＣＧにより記録
された状態になされる。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの内部の誘電体層部材
ＩＬ中に存在している光導電体の微粒子ＰＣＧに記録さ
れた電荷像は、絶縁体製の誘電体層部材ＩＬによって包
囲されているために長期間にわたり安定に保持された状
態となされる。

第８図は時系列的な情報信号を電荷像記録媒体ＲＭに記
録させるようにした記録系の一例構成を示すブロック図
であって、この第８図においてＲＭは円盤型の電荷像記
録媒体であり、この第８図中に示されている電荷像記録
媒体ＲＭは、電極Ｅと誘電体層部材ＩＬと電荷移送抑止
層部材ＳＥＬと光導電層部材ＰＣＬとが積層された構造
のものであって図中の矢印８の方向に移動している。

この電荷像記録媒体ＲＭは図示されていない回転駆動機
構によって所定の回転数で回転される。

第８図中において１はレーザ光源、２はレンズ、３は偏
光子、４は光変調器、５は記録の対象にされている情報
信号源、６は検光子、７はレンズであり、レーザ光源１
から出射されたレーザ光束は情報信号源５から出力され
た情報信号によって光変調器４において強度変調された
後にレンズ７から出射されて、書込みヘッドＷＨの透明
電極ＥｔＷを透過して電荷像記録媒体ＲＭの光導電層部
材ＰＣＬに与えられる。

前記のように情報信号によって強度変調されているレー
ザ光束が光導電層部材Ｐ　ＣＬに入射されると、光導電
層部材ＰＣＬにおけるレーザ光束が与えられた部分の電
気抵抗値が低下する。そして、前記した書込みヘッドＷ
Ｈにおける透明電極ＥｔＷと電荷像記録媒体ＲＭにおけ
る電極Ｅとの間には電源ｖｂが接続されているから、前
記のように電荷像記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの
電気抵抗値が、それに結像されたレーザ光束の強度に従
って変化することにより、電荷像記録媒体ＲＭにおける
光導電層部材ＰＣＬと電荷移動抑止層部材ＥＳＬとの境
界の部分と電極Ｅとの間の電界の大きさが、前記したレ
ーザ光束の強度に対応しているものになり、電荷移動抑
止層部材ＥＳＬにトンネル効果による電流が流れて、電
荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に
はレーザ光束の強度に対応する電荷像が記録される。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの内部に位置している
電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界
に記録された電荷像は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材
ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとによって包囲されているた
めに長期間にわたり安定に保持された状態となされる。

さて、第３図乃至第８図を参照して説明したようにして
記録の対象にされている情報が電荷像として記録されて
いる電荷像記録媒体ＲＭからの電荷像の読取りは、電荷
像の電荷に基づいて発生した電界を光学的な読取り手段
あるいは静電的な読取り手段を用いて行われる。

第９図乃至第１２図は電荷像記録媒体ＲＭからの電荷像
の読取りを光学的な読取り手段によって行うようにした
場合の本発明の電荷像の読取り方式の実施例のブロック
図であり、また、第１３図乃至第１６図は電荷像記録媒
体ＲＭからの電荷像の読取りを静電的な読取り手段によ
って行うようにした場合の本発明の電荷像の読取り方式
の実施例のブロック図であって、第９図乃至第１２図に
例示されている光学的な読取り手段による本発明の電荷
像記録媒体ＲＭからの電荷像の読取りは、電荷像記録媒
体の内部に形成された電荷像に基づいて発生している電
界の強度を、光変調材を用いた部材を含んで構成されて
いる光学的な読取りヘッドＲＨを用いて光情報として読
出す際に、電荷像記録媒体における電界の強度を読出す
べき部分と対応している光導電層部材側から微小な径の
光束を入射させて電荷像の読取りが行われており、また
、第１３図乃至第１６図に例示されている静電的な読取
り手段による本発明の電荷像記録媒体ＲＭからの電荷像
の読取りは、電荷像記録媒体の内部に形成された電荷像
に基づいて発生している電界の強度を、透明電極を含ん
で構成されている静電的な読取りヘッドＲＨｅによって
電圧として読出す際に、電荷像記録媒体における電界の
強度を読出すべき部分と対応している光導電層部材側か
ら微小な径の光束を入射させて電荷像の読取りが行われ
ている。

まず、第９図乃至第１２図中に符号ＲＨを付して示され
ている光変調材を用いた部材を含んで構成されている光
学的な読取りヘッドＲＨ１すなわち、透明電極Ｅｔｒと
光変調材層ＰＭＬと誘電体７ミラーＤＭＬとの積層体か
らなる光学的な読取りヘッドＲＨによる電荷像の光学的
な読取り動作について説明する。

すなわち、誘電体ミラーＤＭＬと例えばニオブ酸リチウ
ム単結晶（あるいはネマチック液晶）のような材料で作
られている光変調材層ＰＭＬと透明電極Ｅｔｒとによっ
て構成されている光学的な読取りヘッドにおける光変調
材層ＰＭＬは、電荷像記録媒体ＲＭの内部に形成されて
いる電荷像による電界により、その中を通過する光の偏
光面を変化させるから、光学的な読取りヘッドＲＨをそ
れの誘電体ミラーＤＭＬの面が電荷像記録媒体ＲＭの面
に対向するようにして配置し、光学的な読取りヘッドＲ
Ｈにおける透明電極Ｅｔｒ側から電荷像読取り用のレー
ザ光束を入射させると、そのレーザ光束は光変調材層Ｐ
ＭＬを通過した後に誘電体ミラーＤＭＬで反射して再び
透明電極Ｅｔｒ側から光学的な読取りヘッドＲＨから出
射するが。

このレーザ光束は前記した電荷像記録媒体ＲＭの内部に
形成されている電荷像と対応して偏光面が変化している
ものになっている。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの内部に形成されてい
る電荷像と対応して偏光面が変化している光は、それを
検光子ＡＮＳに供給することにより、検光子ＡＮＳから
＋−ｉそれに入射した光における偏光面の変化に対応し
て光量が変化している光が出射されることになるから、
その光を光電変換器ＰＤに与えて光電変換すると、光電
変換器ＰＤの出力信号は電荷像記録媒体ＲＭの内部に形
成されている電荷像と対応する電気信号となる。

このように、第９図乃至第１２図中に示されている光学
的な読取りヘッドＲＨは、それにより電荷像記録媒体Ｒ
Ｍの内部に形成されている電荷像の読取り動作を行うこ
とができるのであり、前記した電荷像の読取りに使用さ
れるレーザ光束として径の小さなものを使用すれば、高
い精細度で電荷像の読取りを行いうるようにも考えられ
るが、前記した読取り用のレーザ光束として径の小さな
ものを使用しても、既述もしたように電荷像の電荷から
発する電気力線は電荷像記録媒体ＲＭの面に垂直なもの
ばかりではないために、読取り用のレーザ光束によって
読取られる電荷像の情報は。

本来そのレーザ光束によって読取られるべき電荷の情報
の他に、その電荷の周辺の電荷の情報とが混合している
ものとなっているので、電荷像の読取りに使用するレー
ザ光束として径の小さなものを使用したところで電荷像
を正確に読出すことはできない。

それで本発明の電荷像記録媒体からの電荷像の読取り方
式においては、電荷像記録媒体ＲＭの内部に形成された
電荷像に基づいて発生している電界の強度を、光変調材
を用いた部材を含んで構成されている光学的な読取りヘ
ッドＲＨを用いて光情報として読出す際に、電荷像記録
媒体ＲＭにおける電界の強度を読出すべき部分と対応し
ている光導電層部材ＰＣＬ側から微小な径の光束を入射
させて電荷像の読取りが行われるようにして、読取り用
のレーザ光束によって読取られる電荷像の情報が、本来
そのレーザ光束によって読取られるべき電荷の情報だけ
となされうるようにしているのである。

第９図乃至第１２図においてＬＳＩは電荷像読取り用レ
ーザ光ＰＩ２１　を放射するレーザ光源、ＬＳ２は光導
電層部材の照射用レーザ光Ｐｉを放射するレーザ光源、
ＢＳＩ、ＢＳ２はビームスプリッタ、ＲＨは光変調材を
用いた部材を含んで構成されている光学的な読取りヘッ
ドＲＨ，すなわち、透明電極Ｅｔｒと光変調材層ＰＭＬ
と誘電体ミラー　Ｄ　Ｍ、　Ｌとの積層体からなる光学
的な読取りヘッド、ＲＭは電荷像記録媒体、ＡＮＳは検
光子、ＰＤは光電変換器である。

前記したレーザ光＠ＬＳＩから放射された電荷像読取り
用レーザ光ＰΩ１は、特定な偏光面を示すようになされ
ているレーザ光束であり、このレーザ光束ＰＩはビーム
スプリッタＢＳＩ、ＢＳ２を透過した後に、光学的な読
取りヘッドＲＨへそれの透明電極Ｅｔｒ側から入射し、
次いでそのレーザ光束ＰＱＩは光変調材層ＰＭＩ、を通
過した後に誘電体ミラーＤＭＬで反射し、反射光ＰＱ１
ｒは再び光変調材層ＰＭＬを通過した後に透明電極Ｅｔ
ｒｆｉから出射してビームスプリッタＢＳ２に入射し、
そこで反射したレーザ光束ＰＱ１ｒは検光子ＡＮＳに入
射し、検光子ＡＮＳから出射したレーザ光束レーザ光束
ＰＱ１ｒは光電変換器ＰＤによって電気信号に変換され
るのである。

ところで、前記のように光学的な読取りヘッドＲＨに入
射して光変調材層ＰＭＬ内を１往復して光学的な読取り
ヘッドＲＨから出射するレーザ光束ＰＱ１ｒは、電荷像
記録媒体ＲＭの内部に形成されている電荷像による電界
が与えられている光変調材層ＰＭＬ内で、前記の電荷像
による電界強度と対応して偏光面が変化した状態にされ
ているのであるが１本発明の電荷像の読取り方式におい
て。

前記した光学的な読取りヘッドＲＨの光変調材層ＰＭＬ
に与えられる電荷像による電界は、レーザ光源ＬＳ２か
ら放射されてビームスプリッタＢＳ１、ＢＳ２及び光学
的な読取りヘッドＲＨを通過した後に光導電層部材ＰＣ
Ｌを照射する光導電層部材の照射用レーザ光ＰＱ２で照
射されることにより電気抵抗が低下した状態にされた光
導電層部材ＰＣＬにおける微小な面積部分を介して光学
的な読取りヘッドＲＨの光変調材層ＰＭＬに与えられた
電荷像による電界であるために、本発明の電荷像の読取
り方式においては高い解像度で電荷像の読取りが行われ
得るのである。

前述した第９図乃至第１２図に示されている実施例にお
いては、２つのレーザ光源ＬＳＩ、ＬＳ２から個別に放
射させた２つのレーザ光の一方のものを電荷像読取り用
レーザ光ＰΩｌとして使用し。

他方のレーザ光を光導電層部材の照射用レーザ光ＰＱ２
として使用しており、また、光学的な読取りヘッドＲＨ
における誘電体ミラーＤＭＬとしては前記した電荷像読
取り用レーザ光Ｐｕｔを反射させ、光導電層部材の照射
用レーザ光ＰＱ２を透過させるような波長選択性を備え
ているものを使用して、前記した光導電層部材の照射用
レーザ光ＰＱＺにより光導電層部材ＰＣＬの微小な面積
の部分だけの電気抵抗を低下させ、前記のようにして電
気抵抗値が低下された状態の光導電層部材ＰＣＬの微小
な面積の部分を介して光学的な読取りヘッドＲＨの光変
調材層ＰＭＬに対して電荷像記録媒体ＲＭの内部に記録
されている状態の電荷像の電界が与えられるようにして
いるが、本発明の実施に当っては１例えば光学的な読取
りヘッドＲＨにおける誘電体ミラーＤＭＬをハーフミラ
−として構成し、１個のレーザ光源から放射された１つ
のレーザ光束を前記した光学的な読取りヘッドＲＨにお
ける誘電体ミラーＤＭＬによって、電荷像読取り用レー
ザ光束と光導電層部材の照射用し一ザ光束とに２分し、
前記のようにハーフミラ−として構成された誘電体ミラ
ーＤＭＬによって２分したレーザ光束の内の誘電体ミラ
ーＤＭＬを透過した光導電層部材の照射用レーザ光束は
、光導電層部材ＰＣＬの微小な面積の部分だけの電気抵
抗を低下させるのに用い、前記の光導電層部材の照射用
レーザ光束によって電気抵抗値が低下された状態の光導
電層部材ＰＣＬの微小な面積の部分を介して光学的な読
取りヘッドＲＨの光変調材層ＰＭＬに対して電荷像記録
媒体ＲＭの内部に記録されている状態の電荷像の電界が
与えられるようにし、また、前記したハーフミラ−構成
の誘電体ミラーＤ　Ｍ　Ｌで反射されたレーザ光束によ
って電荷像の読取りが行われるような構成にされてもよ
いことは勿論である。

また、光変調材層ＰＭＬと誘電体ミラーＤＭＬとの積層
体からなる光学的な読取りヘッドＲＨとして、それの光
変調材層ＰＭＬが液晶を用いて構成されているものの場
合には、光導電層部材ＰＣＬに入射する光導電層部材の
照射用レーザ光束を断続的に入射させるようにすること
により、液晶に交流的な動作を行わせるようにすること
もできる。

前記したところから明らかなように９本発明の電荷像記
録媒体ＲＭからの電荷像の読取り方式を光学的な読取り
ヘッドＲＨを使用して実施する際には、光学的な読取り
ヘッドＲＨの光変調材層ＰＭＬに対して微小な面積の部
分だけを介して電荷像の電界が与えられるようにするた
めに、微小な径の光導電層部材の照射用レーザ光により
微小な面積の部分の電気抵抗値の低下を起こさせる光導
電層部材ＰＣＬの存在が必要とされているから。

電荷像の記録に使用される電荷像記録媒体ＲＭ自体に光
導電層部材ＰＣＬを備えていないような場合には、第１
２図及び第１３図に例示されている実施例のように光学
的な読取りヘッドＲＨとして、それ自体に光導電層部材
ＰＣＬを備えているように構成された光学的な読取りヘ
ッドＲＨが使用されるのである。

次に、第１３図乃至第１６図に例示されている静電的な
読取り手段による本発明の電荷像記録媒体ＲＭからの電
荷像の読取り方式について説明する。

第１３図乃至第１６図中に符号ＲＨｅを付して示されて
いる静電的な読取りヘッドＲＨｅは、少なくとも透明支
持体ＢＰと透明電極Ｅｔｒとの積層体を備えてなる静電
的な読取りヘッドＲＨｅであるが、第１５図及び第１６
図中に例示されている静電的な読取りヘッドＲＨｅは透
明支持体ＢＰと透明電極Ｅｔｒとと光導電層部材ＰＣＬ
との積層体よりなる静電的な読取りヘッドＲＨｅとなさ
れている。

第１３図乃至第１６図において静電的な読取りヘッドＲ
Ｈｅにおける透明支持体ＢＰに設けられている透明電極
Ｅｔｒには、電界効果トランジスタＦＥＴのゲートが接
続されており、また、前記の電界効果トランジスタＦＥ
Ｔのドレインには電源が接続されており、さらに前記の
電界効果トランジスタＦＥＴのソースには出力端子９が
接続されているとともに負荷抵抗ＲΩを介して接地され
ている。

第１３図乃至第１６図において静電的な読取りヘッドＲ
Ｈｅの透明電極Ｅｔｒに電荷像記録媒体ＲＭの内部に形
成されている電荷像の電荷と対応して静電誘導により発
生した電圧が電界効果トランジスタＦＥＴのゲートに与
えられることにより、前記の電界効果トランジスタＦＥ
Ｔのソースに接続された出力端子９に検出された電圧が
出力される。

このようにして第１３図乃至第１６図中に示されている
静電的な読取りヘッドＲＨｅを使用することにより電荷
像記録媒体ＲＭの内部に形成されている電荷像の読取り
動作を行うことができるので、前記した電荷像の読取り
に使用される透明電極として面積の小さなものを使用す
れば、高い精細度で電荷像の読取りを行うことができる
。

しかし、前記した透明電極の大きさを小さく形成するこ
とは困難であり、また電荷像の電荷から発する電気力線
は電荷像記録媒体ＲＭの面に垂直なものばかりではない
ために、読取り用の透明電極Ｅｔｒによって読取られる
電荷像の情報は、本来その透明電極Ｅｔｒによって読取
られるべき電荷の情報の他に、その電荷の周辺の電荷の
情報とが混合しているものとなっている。

それで、電荷像の読取りに使用する透明電極Ｅｔｒとし
て小面積のものを使用したところで電荷像を正確に読出
すことはできない。

そのために本発明の電荷像記録媒体からの電荷像の読取
り方式においては、電荷像記録媒体ＲＭの内部に形成さ
れた電荷像に基づいて発生している電界の強度を、透明
電極を含んで構成されている静電的な読取りヘッドＲＨ
ｅによって電圧として読出す際に、電荷像記録媒体にお
ける電界の強度を読出すべき部分と対応している光導電
層部材ＰＣＬに対し微小な径の光束を入射させて電荷像
の読取りが行われるようにすることにより、高解像度の
電荷像を良好に電気信号に変換することができるように
したのである。

すなわち、第１３図乃至第１６図においてＬＳは光導電
層部材の照射用レーザ光源であり、レーザ光源ＬＳから
放射された微小な径の光導電層部材の照射用レーザ光Ｐ
Ｑが透明電極を含んで構成されている静電的な読取りヘ
ッドＲＨｅに入射され、光導電層部材ＰＣＬに前記した
微小な径の光導電層部材の照射用レーザ光ＰＱが入射さ
れるようにし、レーザ光束ＰＱが入射した部分の光導電
層部材ＰＣＬの電気抵抗値を低下させるようにしている
。

そして、前記のように光導電層部材の照射用レーザ光Ｐ
Ｑで照射されることにより電気抵抗が低下した状態にさ
れた光導電層部材ＰＣＬにおける微小な面積部分を介し
て、電荷像記録媒体ＲＭに記録されている電荷像に基づ
く電界が、静電的な読取りヘッドＲＨｅの透明電極Ｅｔ
ｒに与えられることにより、静電的な読取りヘッドＲＨ
ｅの透明電極Ｅｔｒに与えられた電荷像の電圧は、まわ
りの電荷の影響を受けていないものとなるから本発明の
電荷像の読取り方式においては高い解像度で電荷像の読
取りが行われ得るのである。

前記したところから明らかなように、本発明の電荷像記
録媒体ＲＭからの電荷像の読取り方式を静電的な読取り
ヘッドＲＨｅを使用して実施する際には、電圧検出用の
電極に対して微小な面積の部分だけを介して電荷像の電
界が与えられるようにするために、微小な径の光導電層
部材の照射用レーザ光により微小な面積の部分の電気抵
抗値の低下を起こさせる光導電層部材ＰＣＬの存在が必
要とされているから、電荷像の記録に使用される電荷像
記録媒体ＲＭ自体に光導電層部材ＰＣＬを備えていない
ような場合には、第１５図及び第１６図に例示されてい
る実施例のように静電的な読取りヘッドＲＨｅとして、
それ自体に光導電層部材ＰＣＬを備えているように構成
された静電的な読取りヘッドＲＨｅが使用されるのであ
る。

なお、本発明の電荷像の読取り方式の実施に当り、読取
りたい部分の光導電層部材ＰＣＬに光を入射させた状態
で読取られた信号と、光を入射させない状態で得られる
信号との差信号を得るようにすれば、かぶりや、他の部
分の影響のない真の信号成分が発生できることはいうま
でもない。

また、光学的な読取りヘッドＲＨと静電的な読取りヘッ
ドＲＨａとの何れの場合においても、それらの寸法を光
導電層部材の照射用レーザ光束を通過させ得る程度に小
さなものとして、電荷像記録媒体ＲＭと相対的に移動さ
せて時系列信号が得られるようにしてもよいし、または
例えば電荷像記録媒体ＲＭと同程度の大きさのものにし
て光導電層部材の照射用レーザ光束を偏向して読取りヘ
ッドに入射させるようにしてもよい。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明は電極と誘電体層部材と電荷移動抑止層部材と光導電
層部材とを積層してなる電荷像記録媒体及び透明電極と
光導電体の微粒子層を内在させてある誘電体層部材と光
導電層部材とを積層してなる電荷像記録媒体と、前記し
た構成形態の電荷記録媒体に記録されている電荷像の光
学的または静電的な読出しに際しては電荷像記録媒体に
おける電界の強度を読出すべき部分と対応している光導
電層部材側から微小な径の光束を入射させるようにした
電荷像の読取り方式５及び光導電層部材を有しておらず
少なくとも電極と誘電体層部材を備えて構成されている
電荷像記録媒体に形成された記録再生の対象にされてい
る電荷像に基づいて発生している電界の強度を、電荷像
の光学的または静電的に読出す際に、光学的な読取りヘ
ッドまたは静電的な読取りヘッドと電荷像記録媒体との
間に光導電体製の部材を配置して、電荷像記録媒体にお
ける電界の強度を読出すべき部分と対応している部分に
おける光導電体製の部材に微小な径の光束を入射させる
ようにした電荷像の読取り方式であって、電極と誘電体
層部材と電荷移動抑止層部材と光導電層部材とを積層し
てなる電荷像記録媒体及び透明電極と光導電体の微粒子
層を内在させてある誘電体層部材と光導電層部材とを積
層してなる電荷像記録媒体における電荷移動抑止層部材
よりも内部に記録された電荷像は長期間にわたって良好
に保存できるとともに、前記の電荷像記録媒体に記録さ
れている電荷像の読出しに当り、電荷像記録媒体におけ
る電界の強度を読出すべき部分と対応している部分にお
ける光導電層部材に微小な径の光束を入射させるように
して高解像度で電荷像の読取りを行い、また、光導電層
部材を有しておらず少なくとも電極と誘電体層部材を備
えて構成されている電荷像記録媒体に記録された電荷像
を光学的または静電的に読出す際には、光学的な読取り
ヘッドまたは静電的な読取りヘッドと電荷像記録媒体と
の間に光導電体製の部材を配置して、電荷像記録媒体に
おける電界の強度を読出すべき部分と対応している部分
における光導電体製の部材に微小な径の光束を入射させ
るようにして高解像度で電荷像の読取りを行うことがで
きるので１本発明によれば従来の問題点を良好に解決で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の電荷像記録媒体の一部の側
断面図、第３図乃至第８図は電荷像記録媒体に記録再生
の対象にされている情報を電荷像として記録する記録系
の構成例を示すブロック図、第９図乃至第１６図は電荷
像記録媒体に記録されている電荷像を読出す際に使用さ
れる再生系の構成例を示すブロック図である。 ＲＭ・・・電荷像記録媒体、ＰＣＬ・・・光導電層部材
。 ＥＳＬ・・・電荷移動抑止層部材、ＩＬ・・・誘電体層
部材、Ｅｔ、Ｅｔｗ・・・透明電極、ＰＣＧ・・・光導
電体の微粒子、○・・・被写体、Ｌ・・・撮像レンズ、
ＷＨ・・・書込みヘッド、ｖｂ・・・電源、ＢＰ・・・
透明な支持基板、Ｅｗ・・・記憶用光源、 特許出願人　　日本ビクター株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電極と誘電体層部材と電荷移動抑止層部材と光導電
   層部材とを積層してなる電荷像記録媒体 ２、電荷移動抑止層部材として二酸化シリコンの薄層を
   用いた請求項１に記載の電荷像記録媒体 ３、電荷移動抑止層部材としてアルミナの薄層を用いた
   請求項１に記載の電荷像記録媒体４、透明電極と光導電
   体の微粒子層を内在させてある誘電体層部材と光導電層
   部材とを積層してなる電荷像記録媒体 ５、電極と誘電体層部材と電荷移動抑止層部材と光導電
   層部材とを積層してなる電荷像記録媒体における誘電体
   層部材と電荷移動抑止層部材との境界部分に形成された
   記録再生の対象にされている電荷像に基づいて発生して
   いる電界の強度を、光変調材を用いた部材を含んで構成
   されている光学的な読取りヘッドによって光情報として
   読出す際に、電荷像記録媒体における電界の強度を読出
   すべき部分と対応している光導電層部材側から微小な径
   の光束を入射させるようにした電荷像の読取り方式 ６、透明電極と光導電体の微粒子層を内在させてある誘
   電体層部材と光導電層部材とを積層してなる電荷像記録
   媒体における光導電体の微粒子層に形成された記録再生
   の対象にされている電荷像に基づいて発生している電界
   の強度を、光変調材を用いた部材を含んで構成されてい
   る光学的な読取りヘッドによって光情報として読出す際
   に、電荷像記録媒体における電界の強度を読出すべき部
   分と対応している光導電層部材側から微小な径の光束を
   入射させるようにした電荷像の読取り方式 ７、少なくとも電極と誘電体層部材を備えて構成されて
   いる電荷像記録媒体に形成された記録再生の対象にされ
   ている電荷像に基づいて発生している電界の強度を、光
   変調材を用いた部材を含んで構成されている光学的な読
   取りヘッドによって光情報として読出す際に、電荷像記
   録媒体と光学的な読取りヘッドとの間に光導電体製の部
   材を配置して、電荷像記録媒体における電界の強度を読
   出すべき部分と対応している部分における光導電体製の
   部材に微小な径の光束を入射させるようにした電荷像の
   読取り方式 ８、電極と誘電体層部材と電荷移動抑止層部材と光導電
   層部材とを積層してなる電荷像記録媒体における誘電体
   層部材と電荷移動抑止層部材との境界部分に形成された
   記録再生の対象にされている電荷像に基づいて発生して
   いる電界の強度を、透明電極を含んで構成されている静
   電的な読取りヘッドによって電圧として読出す際に、電
   荷像記録媒体における電界の強度を読出すべき部分と対
   応している光導電層部材側から微小な径の光束を入射さ
   せるようにした電荷像の読取り方式 ９、透明電極と光導電体の微粒子層を内在させてある誘
   電体層部材と光導電層部材とを積層してなる電荷像記録
   媒体における光導電体の微粒子層に形成された記録再生
   の対象にされている電荷像に基づいて発生している電界
   の強度を、透明電極を含んで構成されている静電的な読
   取りヘッドによって電圧として読出す際に、電荷像記録
   媒体における電界の強度を読出すべき部分と対応してい
   る光導電層部材側から微小な径の光束を入射させるよう
   にした電荷像の読取り方式 １０、少なくとも電極と誘電体層部材を備えて構成され
   ている電荷像記録媒体に形成された記録再生の対象にさ
   れている電荷像に基づいて発生している電界の強度を、
   透明電極を含んで構成されている静電的な読取りヘッド
   によって電圧として読出す際に、静電的な読取りヘッド
   における透明電極と電荷像記録媒体との間に光導電体製
   の部材を配置して、電荷像記録媒体における電界の強度
   を読出すべき部分と対応している部分における光導電体
   製の部材に微小な径の光束を入射させるようにした電荷
   像の読取り方式