JPS58189673A - 潜像読出し装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、静電潜像の如く検出器に形成され九潜像を読
み出し、適正な電気信号を得るための方法及び装置に関
する。

光導電層を含む多層型検出器に像露光して静電潜像を形
成し、検出器を光走査することＫより静電潜像を時系列
電気信号として読出す方法は特開昭５４−３１２１９号
その他で既に知られている１、ここでは周知の方法の１
つを説明した後、そ摘 の問題点を指遍しその解決を図る。

第１図は静電潜像読出し方法のブロック図で１０１は透
明１１極、１０２は光導電体層、１０３け絶縁体ｊ―、
１０４は１０２と１０３の境界面、１０５は電極、１０
６と１０７はスイッチ、１０８は直流電源、１０９は出
力端子、１１０は出力抵抗、１１１は全面照射光、１１
２，１１３，１１４は電荷。１１５はネガフィルムでｕ
ｓ−１１）は透明部、１１５−（２）は不透明部。

１１６　Ｖｉ透過光、１１７はレーザなどのビーム光、
１１８は回転鏡または振動鏡、１１フイ１）、　１１７
−（２）は１１７の振動鏡１１８　Ｋよる反射光、１１
０１Ｆｉ電流、ｖｌｏｌは出力電圧である。第１図（４
）で、１０６をオンし、１０７をオフ１７て、１０８を
１０１と１０５の間に、図示のように印加して、層１０
２と１０３を充電する。この状態で光１１１により全面
を照射すると、１０２の抵抗が低下し、電荷の注入を生
じ、１０１０ｔ＃Ｔは図示のように１０４ＶＣ達し、電
荷は１１２．１１３のようンこ蓄積される。これを１次
帯電と言う。

次１・（、光１１１を除さ、即ち暗状態Ｑこして、１０
６をオフし、１０７をオンすると、第１図（ｆ３）に示
されるように、１０１に１１４が現われるつこの状態−
６紀１図（０のように、ネガフィルム１１５を介して光
１１１を全面に照射すると、１１５−（１）の部分は光
１１６が電極１０１Ｖこ達し、光導へ 電層１０２の１１６が照射した部分の抵抗力；低１゛ｌ
７、界１ｆｉ　１０４の１１２と、電極１０１の１１４
と１０５の１１３の電荷は消滅する。従って、１１５−
（２）の音ト分圧相当する部分のみ電荷が残る。これを
像露光と言い、残った電荷ノ；ターンを靜″ｉｔ潜像と
言うＯこの後、第１図（２）に示すように、ス・イツチ
１０６をオフ、１０７をオンにした状愈で、１１８に１
１７を当て、その反射光１１７−（１１出７−（２＋で
１０１を照射すれば、照射された部分の１０２の抵抗力
；低下ｔ、、絶縁ｊｉ１１０３（＋）電荷１１２が出力
抵抗１１０を、介シテ放出すレ、ｌｌ０Ｉカｌレテ、１
０９　Ｋ　ＶＩＯＩが生じる０第１図（Ｄ）は１１７の
反射光が１１７（１１力・ら１１７−（２）まで走査し
た状態を示している。このようにして、静電潜像は電流
１１０１または電圧ＶＩＯＩとして読出すことができる
。

図からも明らかなように、電流１１０１は１１６＞ｆ照
射した部分では流れず、１１６が照射されなかった部分
のみ流れる。即ち、儂の明部では電流が流れず、儂の暗
部で電流が流れる。

上述の説明では、明部では電荷が完全に消滅し、暗部で
は電荷が完全に保持されるものとしたが、この方法にお
いては明暗に中間調がある場合は、それに順じた静電潜
像が形成され、その静電潜像に順じた電流または電圧が
得られるものである。

第２図は第１図の方法による出力例で、横軸は時間、即
ちビーム光１１７の走査方向で、縦軸は電流１１０１　
ｔたは電圧■１０１である０２０１は明部Ｏ波形で、２
０２は暗部の波形、２０３は中間調の波形例を示してい
る０ビデオ信号と同様に、２次元画像の時系列電気信号
が得られる。

第３図は前述した従来例を２次元光走査して、静電温償
を読出す様子を示す。３０１は第１図の透明電極１０１
を下方からみたのに相当する０３０２〜３０６は光走査
の軌跡である。光走査の主走査は矢印の方向、即ち図上
左より右へ走査する。

副走査は図上、上よゆ下に：　３０２．３０３，３０４
，３０５　（ｉＤ順で走査し、図示していなりが、多数
本走査して、最後３０６を走査して終わる。この時間経
過をたどると、３０７，３０８，３０９，３１０，３１
１，３１２，３１３゜３１４の順で最後３１５，３１６
で終わることは明らかである。

第４図は、第１図従来例て像露光を暗く全面一様にして
、第３図のごとく２次元光走査をした場合の、理想的な
電流波形を示している。横軸は時間で、縦軸は電流であ
る。４０２〜４０６は各々３０２〜３０６の光走査に対
応し、４０７〜４１６　＃′ｉ各々３０７〜３１６の位
置に対応してｂる。また４１７は検出器外の所を光走査
していて、信号がない状態を表わしている。４１８はこ
の間に多数本光走査がなされている時間を省略している
。第４図に示される理想的な状態では４０２〜４０６の
各光走査により得られる電流は皆等しく、４０７〜４１
６は全てＩ４０１となっている。

第５図は、第１図（Ｏの１１２の単位面積当りの電荷量
の時間的変化を示している。横軸は時間縦軸は単位面積
当りの電荷量で、単位面積当りの電荷量は５０１のごと
く時間が経過するとともに減衰する。これは第１図の光
電導層１０２の暗抵抗が有限であるので、暗室中に放置
しても、第１図の１１２と１１４の電荷が時間の経過と
共に中和され、１１２の電荷量が減衰するためである。

これをダーク・ディケイと呼ぶ。

父、５０２は４１８に相当する時間的省略を示している
。ここで−例として検知器の大きさを４００　Ｘ　４０
０■、光走査を０．１閣間隔で行ない、各光走査に於い
て、Ｏ６１鰭間隔を１画素とし、１画素当り１μ式の時
間がかかるとすれば、３０７〜３１６又は４０７〜４１
６までの時間Ｔは４１７の部分を考慮に入れなくても Ｔ＝　％”　ｘ猫×１熾 ＝１６ｓｅｃ となる。光走査を非常に速くすれば、第５図に示される
ようなダークディケイは成る程度無視できるが、上述し
た常識的な計算から得られた数値はダークディケイを無
視し得ないことを示している。

従って、第３図に示された光走査によって得られる現実
の電流波形は第４図と第５図を合成したものとなり、第
６図に示されている。横軸は時間、縦軸は電流を示して
いる。部分波形６０２〜６１６は各々３０２〜３１６　
、４０２〜４１６に対応している。６１７は４１７と同
様である。６１８は４１８゜５０２に相当する時間的省
略を示している。この図は第４図と同様に第１図従来例
の場合で、電流が大きい程、像が暗いと判断される。１
６０１〜６０９は６０７〜６１６の部分に対応する電流
値で、ｌ６０１〜６０９の順で小さくなっている。従っ
て、前述したように検出器全面を同一の照度で像露光し
たに本かかわらず、第６図で明らかなように初めに光走
査した部分よりも後から光走査した部分の方が、さも明
るいごとく認繊されてしまうっ即ち、第３図において上
部より下部の方が明るいとｇＲされ、再生倫に於いてシ
ェーディング現象が起ってしまう。

これまで、ダークディケイが生じることは予想されたと
は舊え、現実の画像悪化に結びつけられていない。と鱒
うのは、実験機の場合、検出器の寸法は例示した寸法に
比べて蓬かに小さく、また走査速度を上げるため走査光
のエネルギーを高めており、あるいはダークディケイの
少ない高価な材料を選び得るからである。しかしながら
、実施の立場から艶れば、画面寸法が大きい方が望まし
いし、また検出器の寿命を増加させるために走査光のエ
ネルギーは抑制されあるいけ材料の使用は低価格のもの
に限定されることになる。

本発明の目的は、潜偉に関する情報が時間経過で変化す
る現象に対処し、これを補償して所望の信号を得ること
になる。なお、先に従来技術として説明した例は、潜像
を与えるだめの原版としてネガフィルムを使用する複写
機の罐光過程を使用したが、原版を投影レンズで投影す
る装置、更には立体物の投影あるいは透過儂を記録する
装置の露光過糧にも適用できる。また、露光エネルギー
として可視光、または赤外光の如き不可視光もしくはＸ
線の如き放射線など、潜像を形成できるエネルギーであ
ればなんでも良い。殊に光導電体がＸＩ！ＫＩＩ＆度を
持つことはゼロラジオグラフィーによって周知であり、
Ｘ線検査機器、特に医用Ｘ線検査機器に電子写真的手段
を利用することは、記録体に大版錯塩フィルムを使用し
なくても済むこと、感度の向上によってＸ線染量を減ら
せること、もしくは読み出した信号を直ちにビデオ画像
と１〜で観察しあるいは種々の電気的な操作を加えられ
る利点によって要望が強い。また光導電体のＸ線に対す
る感度が著しく低いか、ｔＸとんどなかったとしても螢
光スクリーンのような像変換器を介在させれ目′、潜像
を形成することができる。

他方、潜像を読み出すだめの読出し走査につい又も、後
述の実施例では最も望ましい例としてレーザー光による
二次元走査を採用しているが、別の放射エネルギーで照
射しても良い。また走査の際は、検出器を固定してエネ
ルギ一点のｈを移動させる代りに検出器を移送し２、あ
るいｒ、Ｉ−Ｌ不ルギ一点の移動と検出器の移送を組合
せても良い。

本発明の実施例は、第６図の出力波形を第７図の波形の
様に補正することを求められる。第７図の信号部分７０
２〜７０８は第６図の信号部分６０２〜６０８に各々対
応しており、第７図中に破線で示した波形を実線の通り
補正すれば適正な画像が得られる。

ここに第６図と第７図は検出器の全面を同一の照度で像
４元した場合について説明しているが、通常の部用状態
では検出器全面が同一の照度であることはほとんど無く
、照度分布そして得られる電気信号はう／ダムであるっ
従ってこの甘１では補正の基準となるものが存在しない
ことになる。

以下、本発明の詳細な説明する。

第８図囚（８）中、８０１はネサガラス等の層状透明電
極で、ここで透明とは使用放射エネルギーを透過させる
ことを意味するものとする。８０２はＳｅ系あるいはＣ
ｄｓ系等の光導電体層、８０３は絶縁体層で、８０４は
両層の境界面。８０５は層状電極で％ｗ面から続出し走
査する場合は透明電極とする。これら８０１乃至８０５
０部材が一体化されて検出器８００を構成する。

まだ８０６と８０７はそれぞれスイッチで、並列に接続
されて電極８０５に結合される一方、スイッチ８０６は
直流電＃８０８の陽極に結合され、スイッチ８０７は接
地される。８０９は出力端子、８１Ｏは出力抵抗である
。

更に８１１は露光々で、例えば不図示のノ・ロゲン電球
から供給される。８１５はネガフィルムで、８１５ａは
透明領域、８１５ｂは不透明領域である。８１６はネガ
フィルムを透過し九透過光で、ネガフィルムのパターン
に対応した光分布を持つ。そして検出器８００にはネガ
フィルムのパターンに対志し九靜電温償が形成されるわ
けで、不透明領域８１５ｂで連光された暗部には電荷８
１２〜８１４が蓄積され、明るくなる程単位面積当シの
電荷量は少なくなっている。

次に８２０は本発明で特徴的な遮蔽板で、静電温償の形
成される範囲の外側で、検出器８００に密接させた位置
に配置するものとし、露光々の入射を遮って、検出器８
００のこの領域（参照領域）を常に暗状態に置く。従っ
て検出器８００の遮蔽された領域には常に電荷８２１〜
８２３が蓄積される。以上の過程は、第１図のＩｃ）に
相当する。

続いて遮蔽板８２０を取外し、検出器８００の前方に光
学走査器をセットするか、検出器８００を取外して読取
り専用機の光学走査器の前にセットし、あるいは裏側か
ら第１図■と第３図に描く様にレーザー光点で二次元走
査すると第９図に示す様な電流波形例が得られる０なお
、光学走査器についてはガルバノミラ−とポリゴンミラ
ーを配し九普通の走査器を使用すれば良第９図の波形は
、ｍ儂が任意の中間調の縦縞模様の場合で、部分波形９
０２〜９１８は第６図の部分波形６０２〜６１８にそれ
ぞれ対応する。９２へ９２１　、９２２　、９２３　、
９２４は参照信号で水平走査の初頭に現われ、１蔽板８
２０に遮蔽された領域を光走査した時に得られる。そし
てこれら参照信号は、もし検出器にダークディケイがな
けれは同じ大きさになるはずのものであるから、信号９
２０と９２１の比あるいは９２１と９２２の比等々は潜
傷を形成した電荷がダークディケイして減少する比率を
示す。部分波形９０２゜９０３・・９０６が減少する比
率と参照信号９２０等が減少する比率は等しい。

即ち第１０図はダークディケイを表わした図で、４５図
と同様、単位面積当りの電荷量に関している。１００１
ｍは暗部に於けるダークディケイ、１００１ｂは少し光
が照射された領域のダー　　　゛クデイケイ、１（１０
１ｃは強い光が照射された場合のゲータディケイである
。但し、１００２は時間的に省略した部分を示す。１０
０１ａ　、ｂ　、ｃは時間に対して同じ比率で減少して
おり、また電荷量と光走査して得られる電流値は比例し
ているので、参照信号９２０〜９２４と部分波形９０２
〜９１６は時間に対し同じ比率で減少することがわかる
。

従って参照信号９２０〜９２４を＃照基準として部分波
形９０２〜９１６をあるべき強度に補正すれば、第９図
の電気波形は第１１図の波形の通り補正できる。但し、
第１１図の横軸は時間、縦軸は電圧を表わすものとし、
図中、破線の波形は比砿のために２ｇ９図の電流波形を
電圧波形に変換して示したものである。

第１１図の信号１１２０．１１２１〜１１２４は参照信
号９２０〜９２４に相当しており、縦軸に市つ７ て付られｆｔ　Ｖ１１０２〜Ｖｌｔｏｉは各々信号１１
２０〜八 １１２４の電圧を示す。最も高電圧のｖｌｌｏｌは基準
電圧で、暗状態の領域で発生すべき電圧であるが、電圧
Ｖ１１０２で代用することもあり得る。

ここでは電圧Ｖ１１０１を基準電圧としｓ　ＶＩＩＯＩ
とＶ１１０２〜Ｖ］１０６のそれぞれの差に相当する分
にけ、信号処理回路の増ｌｌ＠器の利得を逐次調整すれ
ば実線で示す補正された電圧波形が得られる。ネガフィ
ルム８１５の１象が一様の縦縞模様であれば、Ｅ述した
理由から補正後の部分波形１１０２’〜１１０６’は皆
等しくなる。

第１２図は検出器からの出力信号を補正するだめの磁気
回路例を示す。符番８００は前述しり検出５，８３０は
ガルバノミラ−で、ガルバノミラ−は軸を中心に往復回
転し、不図示のレーデ−光諏からのビームを図面に垂直
な方向へ４１するために役立つ。８３１はポリゴンミラ
ーで、軸を中心ＫＪＪ回転し、ビームを図面内で七★す
るために役立つ。なお、走査器は撞々の変形がロエ能で
、音番舖向素子の採用、更にはＬＥＤの二次元アレイを
投影し％ＬＥＤを順次点滅させても良い。

Ｒｅｆは、１象露光時に連光した参ＷＩＡ領１或、ｏｐ
。

〜ＯＩ’、　ハオペレー／ヨアルアンプ、０Ｍ４トｏに
はワンンヨノトマルチバイブレータ、ＦＥＴ、〜Ｆ　Ｅ
　’ｌ’、はＮチャンネル電界効果トランジスタ、Ｒ４
−ルは抵抗Ｓ　Ｃ，−、−Ｃ，はコンデンサ、込〜Ｄ４
はダイオードを表わしている。また、この電気回路例で
は、第８図（４）の出力抵抗８１０の替＃）Ｋ１オペレ
ーショナルアンプＯＰ１と抵抗Ｒ１から成る電流電圧変
換器を用いる。

今、検出器８００がレーザービームで走査され九とする
と、検出器の成る微小部分に蓄積された電荷は矢印で示
す電流１１２０１の如く抵抗Ｒ。

トオペレーショナルアンプＯＰｌを介して放出される。

オペレーショナルアンプＯＰＩの出力例は第１３図の（
ａ）に示す通やとする。電圧■はＶ−１１２０１×Ｒ＋
　となる。

第１３図の出力波形（ａ）は第９図の第１番目と第２番
目の部分波形と対応するものとし、第３゜第４番目に対
応する信号は省略している。第９図の参照信号に相当す
る信号１３２０〜１３２４の電圧をＶ１３０１〜ｖｔ３
ｏｓとし、その走査時間をＴ。

とする。ま九検出器の透光領域Ｒｅｆを除い友、静電温
償の１帰された有効領域の走査時間をＴ。

今回の水平走査から次−の水平走査までの走査時間、即
ち画像信号のない部分の時間をＴ、とする。

この走には例えば等速走査レンズ（ｊ　θレンズ）８３
２を介して行えば検出器の表面を一定速度で走査するこ
とになるから、各主走査（水平走會）における各時間Ｔ
、　、　Ｔ、、　Ｔ、を等しくすることができる。及に
好適の結像レンズを介して走査したとすれば、主走査、
副走査共に電気的補正全快することがある。

ワンンヨットマルチバイプレータＯＭ、ｉｉ参Ｍ信号１
３２０〜１３２４の立上りからパルス幅がＴ。

の負のパルス（第１３図す及び勇１２図の信号線、他も
同様）を発生させ、ワン／ヨツトマルチパイプレ／−タ
ＯＭ、は負のパルス（ｂ）の立上りからパルス幅Ｔｔの
正のパルス（ｃ）を発生させる。波形信号（ａ）はオペ
レーショナルアンプｏｐ、、ｖｔＷ効果トランジスタＦ
ＥＴ、、抵抗Ｒ１とＲ１、コンデンサＣ１で構成される
サンプルホールド回路へ入力される。電界効果トランジ
スタＰ″ＥＴ１のゲートはダイオードＤ３、コンデンサ
Ｃ３を介してワンショットマルチバイブレータＯＭ、の
出力（ｂ）につながっており、パルス（ｂ）が負の時の
み導通し、正の時は開放状態である。

従って電圧■□３０１〜ｖ１３０５と予め設定した基準
電圧Ｖｒｖｆの差に相当する電圧がサンプルホールドさ
れ、その反転電圧波形がオペレーショナルアンプＯＰ、
の出力（ｄ）となる。波形信号（ａ）の他の一方は、抵
抗Ｒ４と電界効果トランジスタＦＥＴ。

で構成される減衰器で減衰され、オペレーショナルアン
プＯＰｍと抵抗Ｒ，Ｒ，から成る反転増幅器で反転増幅
される。電界効果トランジスタＦｇｒ。

のゲートは並列され九ダイオードへとコンデンサＣ１を
介してオペレーショナルアンプＯＰ、の出力（ａ）につ
ながっている。この電界効果トランジスタＦＥＴ、はゲ
ート電圧によ）等価的に可変インピーダンスとして働き
、ゲート電圧が高い程インピーダンスは大きく、ゲート
電圧が低い程インピーダンスは小さい。よって信号（ｅ
）は等価的に波形信号（ａ）を抵抗Ｒ４と電界効果トラ
ンジスタＦＥＴ、で抵抗分割したものに相当し、シ痒効
釆トランジスタＦＥＴ、のゲートには（ｄ）の波形が加
わるので、信号（ｅ）は波形（ａ）の参照信号１３２０
〜１３２４の電圧が大きい程大きく減衰し、小さい程小
さく減衰した波形が得られる。その結果、ダークディケ
イによる参照信号１３２０〜１３２４の電圧低下を補正
できる。

他方、信号（ｅ）の反転増幅された信号（ｆ）はコンデ
ンサＣ６と電界効果トランジスタＦＥＴ、から成る同期
クランプ回路で直流再生される。電界効果トランジスタ
ＦＥＴ、のゲートはダイオードＤ、とコンデンサＣ３を
介して信号線（ｂ）　Ｋつながっており、電界効果トラ
ンジスタＦＥＴ、の場合と同様にパルス（ｂ）が負のと
きのみ導通し、パルス（ｂ）が正の時は開放状態である
。従って波形信号（ｆ）はパルス（ｂ）が負の時、即ち
参照信号１３２０〜１３２４に対応する時間Ｔ、の間ゼ
ロボルトにクランプされ、波形信号（ｇ）となる。波形
信号（ｇ）は抵抗Ｒ１、電界効果トランジスタＦＥＴ、
でブランキング期間Ｔ、を合成される。

＃Ｌ界効米トランジスタドＥＴ４のゲートはグイオ−ド
Ｄ、とコンデンサＣ１の並列を介してワンショットマル
チバイブレータＯＭ、の出力線（ｅ）につながっており
、電界効果トランジスタＦＥＴ、　、ＦＥＴ。

の場合と同様に信号（ｅ）が負のとき導通して波形信号
（ｇ）の時間Ｔ、をゼロボルトにした信号（ｈ）を作る
。この信号（ｈ）は元の信号（ａ）に比べて位相が反転
しており、像露光の際の明部は電圧が嵩く、暗部は電圧
が低くなっている。

また、この信号（ｈ）はオペレーショナルアンプＯＰ４
のバッファを介してビデオ（ＶＩＤＥＯ）信号として時
系列電気画像信号となる。信号（′ｂ）は同期信号とし
てテレビジョンなどの負の水平同期信号などと同様の水
平同期信号Ｈｓｙｎｃとして取扱える。

ビデオ信号ＶＩＤＥＯと水平同期信号Ｈｓｙｎｃは静止
画ディスファイルへ記憶することができるし、ビデオ信
号をＡ／Ｄ変換して電子デジタルファイルなどへ記憶で
きる。また信号をそのまま、あるいは記憶装置から銃出
し、陰極管や液晶ディスプレイパネル等の表示器へ表示
したり、レーザープリンターなどの各種記録機器で画像
再生できる。

なお、１蒙露尤の有効画面より前に即ち第８図（Ｂ）　
Ｋ：示す処の上部を遮蔽して、光走査の初めにその遮蔽
１７た部分の信号を垂直同期信号とすることができるし
、第１番目の参照信号１３２０を垂直同期信号にするこ
ともできる。

本実施例では遮蔽した部分を主走査の初めに走査する例
を述べたが、各主走査の最後に走査しても補正し得るし
、読み出した信号を一旦記憶し、その後補正する方法を
とれば遮蔽した部分をどの時点で走査しても補正処理は
可能である０ また上部では遮蔽板８２０を着脱したが、第８図の透明
電極８０１の一端部を帯状に不透明電極とするのも良く
、この場合は透明電極８０５の側から光走査するものと
する。あるいは像露光を透明電極８０５の側から行うの
であれば、絶縁層８０３の端部を不透明にすることで代
用できる。

更に上述の検出器の画面は潜像の形成される領域と参照
領域を連続させていたが、分離−した構造とし、別々の
信号線から出力を取出しても良いし、あるいは撮影装置
と読出し装置を別体とし、読出し装置に参照部を固設し
て像露光を除いた他の工程は並列して実施し、撮影装置
でｔｓｇ光が終つ死後、検出器を参照部に隣接配置して
、これらを続けて走査しても良い。他に検出器の材料、
構造そして寸法が定まれば一定の特性を示すから、各主
走査ごとのダークディティ特性を実験的手法で検出して
これを記憶しておき、はんの一部の遮光領域からの信号
と記憶した情報から全体を補正することも可能である。

以上説明した例では像露光をする際に１光することで参
照信号を得ていたが、潜傷形成のプロセスが異なれば、
即ち第１４図に従って次に説明するプロセスでは摩露光
時に参照領域を全面照射することになる。第１４図の（
４）でスイッチ１０７をオフし、スイッチ１０６をオン
すると透明電極１０１と１０５にはそれぞれ電荷１１２
と１１３が充電される。このプロセスでは第１図と１っ
て、全面照射しないから電荷１１２は光導電層１０２に
注入されることなく電極に止まる。

この状態で（Ｂ）の様にネガフィルム１１５を通して像
露光を行うと、透過光１１６が照射し九範囲は光導電層
１０２の抵抗が低ドして電荷の注入を生じ、電荷１１２
は境界面１０４へ移動し電荷３１２−ｔｌｌＫなる。透
過光１１６が照射されなかった部分の電荷１１２はその
まま電極に止まる。

次に第１４図００様に暗状態でスイッチ１０６をオフし
、スイッチ１０７をオンすると、２つの電極１０１と１
０５は短絡されるから、電荷１１２は出力抵抗を介して
放出され、透過光ｌ１６が照射されなかつ友範囲の電荷
は消滅する。

また照射され死所には負電荷１１４が現われる。

その後の読出し過程は既述のプロセスと同じであるが、
電荷の残つ九部分は逆圧なっている。

従って、第１５図の出力波形も逆転し、２０１’は明部
、２０２’は暗部、２０３’は中間調の波形である。

第１６図は本発明の別の実施例に関する像露光過程を示
す。図中、第８図と同一の部材には同じ番号を付すもの
とする。但し、スイッチ８０６と８０７のオン、オフは
逆で、電荷の状態も異なる。

新たに加入し九８３４は参照信号用の露光ランプで、同
図ＣＢ）Ｋ示す様に棒状をしている。また８３５は遮光
板で、露光ランプ８３４からの光を潜傷形成領域へ侵入
させないために設けている。露光ランプ８３４の点燈は
露光々８１１の照射と同期して実施され、その結果、露
光ランプ８３４に照射された領域の電荷はネガフィルム
８１５の透明領域に対応する領域の電荷傾向と同じにな
る。

なお、棒状の露光ランプ８３４の代りに、キセノン放電
管からの光を光学ファイバー等の光伝送部材で参照領域
全体へ光伝送して全面露光するのも良く、また露光ラン
プ８３４あるいは光伝送部材の射光趨と検出器透明電極
８０１の間に拡散板８３６を挿入する方が望ましい。

この様に静電潜傷形成および参照信号用露光が終わった
検知Ｓは第１２図に示すと類似の構成で読み出されるが
、但し、電気回路の一部、オペレーショナルアンプＯＰ
ｓの近傍を第１７図の通り変更し、オペレーショナルア
ンプＯＰ、を正転増幅器とする。処理回路の作用説明は
第１２図の場合と大重量じなので省略するが、各出力信
号は第１８図の通ねである。第１８図の波形信号は第１
３図の波形信号に対して明暗が逆転している。

第１９図は撮影装置に本発明を適用した実施例である。

図（３）は撮影機、（Ｂ）は読取機の横断面を示し、こ
こでは像露光時に、検出器の一部を成す参照領域を溝光
するプロセスを使用する。

８００は一上述した多層型検出器、８２０は遮蔽板であ
る。１４０１は被写体で、図示の如く人１体の様な立体
あるいは原稿の様な平面原版である。１４０２は照明光
源、１４０３は撮影レンズ、１４０４はンヤツターであ
る。照明光源１４０２をキセノン放電管として、シャッ
ター１４０４の開放と同期させて発光させても良１．Ａ
。

１４０７はケース、１４０７’はケースの菱で、Ｔｊ１
１４０７’は検出器８００を挿着、搬出するために設け
る。なお、静電潜傷の形成された検出器を外光から守る
丸めにカセットを利用するのが実用的である。また、電
気系統等は省略した。

１４０９は全面露光用の光源で、ケース１４０７の内部
に検出器へ向けて配置する。

第１図を使って既に説明した通り、スイッチを操作し、
光源１４０９を発光させて第１回国（Ｂ）の過程を実現
した後、被写体１４０１へ撮影レンズ１４０３をフォー
カスするか、撮影し／ズ１４０３のフォーカス位置に被
写体を配置し、照明光源１４０２を発光させてシャッタ
ー１４０４を開放すると、被写体１４０１の潅が撮影レ
ンズ１４０３の作用で検出器８００上に結傷され、＠１
図Ｃ）と第８回頭で説明した過程が実現される。検出器
８００には被写体の靜′区潜１象と、遮蔽板に対向した
領域に参照情報が蓄積される。

次に第１９図田）で、１４０９はケース、１４０９’は
ケースの人出蓋である。１４１１はレーザービームの発
生器で、図面には描いていないがと一ム會図面に垂直に
Ｆから上へ発生させる。このビームはビームエキスパン
ダへ入射させてビーム径を若干拡大させておく。１４１
２はガルバノミラ−で、レーザー発生器１４１１から来
るビームが入射し、図面に垂直な面内で走査される（副
走査）。１４１３はポリゴンミラーで、等速回転し、ガ
ルバノミラ−１４１２で反射したビームを図ｔＫ平行な
方向へ走査する（主走ｆ）。１４１４は走査用レンズで
ある。

図（４）の撮影機で漕儂形吠の行われ九検出器８００は
蓋１４Ｑ７’を開けてケース１４０７から取出され、読
取機の蓋１４０９’　を開けて、ケース１４０９内に挿
着される。ここで、レーザー発生器１４１１％ガルバノ
ミラ−１４１２、ポリゴンミラー１４１３を作動させれ
ば、レーザ−ビームは検出器ＳＯＯ上を二次元走査し、
静電潜像を読出すことができる。この信号読出しについ
ては既に第１２図で説明した通りである。

なお、回国の撮影機では検出器の中心と撮影機の光軸は
参照領域（遮蔽板）の幅の半分だけ変位する。ま九遮蔽
板８２０を！に設けなくても、ケース１４０７の一部に
凹みを作って、そこへ検知器を差込み遮光しても良い。

更に検知器８００をカセットに収納する場合はカセット
の側面に蓋を設け、像露光と読出し時にはカセットを撮
影機と読取機に装着し、カセットから横内に検出器を挿
入するか、あるいはカセットの正面にスライド１を付け
、このカセットごと横内へ挿着して像露光時Ｋｌｉを開
くことで実現できる。また遮蔽板はカセットのケースで
代用することもできる。

第２０図は、参照情報を全面露光で入力するプロセスを
使用した場合の撮影機を示すもので、８３４はｔｊ照信
号用の露光ランプ、８３５は４光板である。ｊｌ光う／
ブ８３４はシャッターの面照射用の光＠１１４０８は検
出器８ｏｏを裏側から照射する位置に移している。この
場合の被写体１４０１は反射型原稿である。

第２１図は、本発明を適用した装置に係る全システムの
概要を示している。１５０１と１５０２は前述し九４＃
）の撮影機と読取機で、　８００は検出器である。４［
横１５（１２で静電潜像を電気信号に変換し、電気信号
は、第１２図で説明した電気信号処理系を含む電気信号
処理部で処理された後、１５０５の記憶部で記憶し、ま
た１　５０６のテレビ受像器で表示されるか、１５０７
のレーザープリンターあるいはインクジェット式記録装
置でｉｉｉ儂として記録される。あるいは記憶部１５０
５に記憶された電気信号を所望の時点で電気信号処理部
１５０４を介して読出し、表示器１５ｏ６で表示し、あ
るいは記憶装置１５０７で記録することもできる。

第２２図は、医用Ｘ線撮影装置に本発明を適用した列を
示す。図中、１６（ｊｔは被検者である０また１　６０
２ＦｉＸ線発生器で、被検者１６０１を照射する機能を
持っｏ　１６０３は前面パネルで、Ｘａを透過し光を遮
断する材料で作られており、被検者と接触する。１６０
５は遮蔽板で、Ｘ線を遮断するため鉛のような材料を選
択する。遮蔽板は前面パネル１６０３に固設する。１６
０６は外箱、１６０７は検出器８００を出し入れするた
めの蓋である。１６０ｇは検出器８００を全面照射する
ための照明光源である。

本例の場合も、第１回国（Ｂ）で説明し九過程は予め実
施するものとし、次いでＸ線発生器１６０２を作動させ
てＸ線を被検者へ曝射する。被検者１６０１を透過した
Ｘ線は前面パネルを透過して検出器８００　ＫＸＭ透視
儂Ｖ′こ当る静電潜像を形成する。以降の過程は第１９
図の［Ｆ］）そして第１２図で説明した通りであるから
説明を省く０ 第２３図は、第２２図の例を変形した例である。ここで
１６０９は参照領域をｔｌ！Ａ明するための光源で、Ｘ
＠発生器の駆動に同期させて点燈する。また１６１０は
光散乱性の反射斜面で、光ｆｌＡ１６０９から来る光を
検出５８００へ向けて反射する。この例では検出器８ｏ
ｏの前面に螢光層などのＸ線−光変換物質層１６ｏ８を
設けて、単にＸ線が光導電層へ作用するだけでなく螢光
々が作用を高める様にしている。なお、このＸａ−光変
換物質層１６０８は検出器の反対情の而に設けても良い
。

第２４図は、第２２図のＸ線直接撮影装置に信号読取機
を結合した例である。ここでは外箱１６０６の内側にレ
ーザー発生器１６１１、ポリコンミラー１６１３を配置
し、レーザービーム１６１２で検知器８ｏｏを走査する
。なお、レンズ系や一走査器は省略した。

前述した様にＸ＠曝射によって検出器８ｏ。

の有効ｇＡ域には被検者１６０１のＸ線透過儂相当の静
電潜像が形成されるが、検出器８００の参照領域へ同・
うＸ線は鉛の遮蔽板１６ｏ５で遮断されるから、この部
分は暗状態に置かれ、検山谷が光走査された時には参照
信号を提供し、ダークディケイによる電気信号の劣化を
補正することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図（４）（Ｂ）　Ｉｃ）　Ｑ））は周知の静電潜傷
形成と読出しプロセスを説明する丸めの図。第２図は続
出した波形の図。第３図は検出器の二次元走査を示す図
。第４図は二次元走査した時の理想波形図。第５図は単
位面積当シの電荷量のダークディケイを示す図。第６図
は二次元走査した時の実際の出力波形図。第７図は補正
を行った後の出力波形図。第８図（Ａ）（Ｂ）は本発明
の実施例を示すプロセス説明図。第９図は出力電気信号
の電流波形図。第１０図は儂露光の光量が異なる場合の
ダークディケイを示す図。第１１図は補正を行った後の
電圧波形図。第１２図は電気回路図。第１３図（ａ）〜
（ｈ）は電気処理路段階の電圧波形図。第１４図（Ａ）
　（Ｂ）　ＩＣ）は−知の別の静電潜傷形成プロセスを
示す図。第１５図は読出した波形の図。第１６図（４）
の）は別の実施例を示すプロセ図（ａ）〜（ｈ）は電気
処理路段階の′電圧波形図。第１９図（Ａ）ＣＢ）は１
本発明の適用例である撮影機と読取鳴の横断面図。第２
０図は別の適用例の横断面ｌ凶。＄２１図はシステム全
体を示すブロック図。第２２図は他の適用例であるＸ線
直接撮影装置の横断面図で、第２３図と７４２４図は各
々変形例を示す横断面図でちる。 間中、１０１と８０１は邊明″題極、１０２と８０２は
光導電層、１０３と８０３は絶縁層、１０４と８０４は
境界面、１０５と８０５は透明１Ｅ！＠、１０６と１０
７及び８０６と８０７はスイッチ、１０８と８０８は直
流電源、１０９と８０９は出力膚子、１１０と８ＩＯは
出力抵抗、１１５と８１５はネガフィルム、１１１と８
１１は全面照射光、１１８は走査器、８２０は遮蔽板、
９２０と９２１〜９２４は参照信号、８００は検出器、
８３０はガルバノミラ−１８３１はポリゴンミラー、８
３２は等速走査レンズ、ＯＰ、　〜ＯＰ、はオヘレー／
ヨナルアンプ、ＯＭ。 と０隨はワ／ショットマルチバイブレータ、ＦＥＴ、〜
Ｆ　Ｅ　Ｔ、は電界効果トランジスタ、８３４ｉ照明光
ｍ、８３５ｔｌ！光板、１６０２ＵＸｍ発生器である。 出願人　　キャノン株式会社 ご効で 代理人　　丸　島　儀　−猛１３・号 ムｌ二・′１ 擢２図 男３図 拓４図 粥５図 ・　　ｔｍ ト側 ５ １５σ５ １６１１　　／〆１ ｔ６ｊｌ 第１頁の続き ０発　明　者　小泉祐一部 川崎市中原区今井上町５３番地ハ ヤノン株式会社小杉事業所内 ０発　明　者　川崎数− 川崎市中原区今井上町５３番地Ａ ヤノン株式会社小杉事業所内 ０発　明　者　北島信夫 東京都大田区下丸子３丁目３０肴 ２号キャノン株式会社内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）潜像の記録された検出器を放射エネルギーで走査
   し、前へ記潜像に応じた電気信号を読出す方法に於いて
   、前記検出器に記録された情報の時間経過による変化に
   対応する参照信号を発生させる段階と、前記参照信号を
   参照して前記電気信号を修正する段階を有する潜像続出
   し方法。 （２）前記参照信号は検出器と同一構造の構造体を放射
   エネルギーで走査して発生させる特許請求の範囲第１項
   記載の潜像読出し方法。 （３）前記構造体は、温償記鎌時に遮蔽状ＩＭＫ置かれ
   る％詐情求の範囲第２項記載の潜像続出し方法。 （４）前記構造体は、潜會記鎌時に全面照射される特許
   請求の範囲第２項記載の潜像続出し方法０ （５）前記参照信号を走査の同期信号とする特許請求の
   範囲第１項又は第２項記載の潜像続出ｌ一方法。 （６）　　前記参照信号である同期信号に同期して、前
   記電気イ６号を同期クラ７プする特許請求の範囲第１項
   又は第５項記載の潜像読出し方法。 （刀　前記修正する段階は、前記参照信号に従って前記
   電気１６号の増幅率を調整する過程である特許請求の範
   囲第１項記載の潜像読出し方法。 （８）　前記潜像はＸ−で形成された靜電漕儂である特
   許請求の範囲第１項記載の潜像続出し方法０ （９）　　前記放射エネルギーによる走査はレーザ光に
   よる２次元走査である特＃！Ｆ請求の範囲第１項記載の
   ａ慣読出し方法。 帽　検出器に記録された靜電潜偉を電気信号として読出
   す第１銃出し手段と、前記検出器と同一構造を有する参
   照器の参照信号を読出す第２読出し手段と、前記電気信
   号を前記参照信号により補正するための補正手段を具え
   る潜像読出し装置。 ａυ　前記第１続出し手段と前記第２読出し手段は同一
   の光走査器を含む特許請求の範囲第１θ項記載の潜像読
   出し装置。 αり　前記検出器と前記参照器の表面は連続している特
   許請求の範囲第１０項記載の潜像読出し装置。 Ｏｊ　　前記参照器の片面は静電潜像を形成するエネル
   ギーを遮断する物質で覆われている特許請求の範囲！１
   ２項記載の潜像読出し装置。 ＣＩ４　　前記検出器は半導体層と絶縁層の合体層及び
   これを挾む電極層を具備する特許請求の範囲第１０項記
   載の潜＊ａ出し装置８つ