JPH04277717A - 電磁放射線情報記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電磁放射線情報記録装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】被写体の光学像を撮像装置により撮像し
て得た映像信号は、編集、トリミング、その他の画像信
号処理が容易であるとともに、既記録信号を消去できる
可逆性を有する記録部材を使用して記録再生が容易に行
えるという特徴を有しているが、映像信号を発生するた
めに従来から一般的に使用されて来ている撮像装置は、
撮像レンズによって撮像素子における光電変換部に結像
された被写体の光学像を、撮像素子の光電変換部で被写
体の光学像に対応する電気的な画像情報に変換し、その
電気的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号として
出力させうるような構成形態のものであって、撮像装置
の構成に当っては前記した撮像素子として従来から各種
の撮像管や各種の固体撮像素子が使用されていることは
周知のとおりである。

【０００３】そして、高画質・高解像度の再生画像を得
るようにするためには、高画質・高解像度の再生画像を
再生させうるような映像信号を発生させることのできる
撮像装置が必要とされるが、撮像素子として撮像管が使
用されている撮像装置においては、撮像管における電子
ビーム径の微小化に限界があるために、電子ビーム径の
微小化による高解像度化が望めないこと、及び、撮像管
のターゲット容量はターゲット面積と対応して増大する
ものであるために、ターゲット面積の増大による高解像
度化も実現することができないこと、また、例えば動画
の撮像装置の場合には高解像度化に伴って映像信号の周
波数帯域が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚ以上にもなるために
Ｓ／Ｎの点で問題になる、等の理由によって、撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させうるよう
な映像信号を発生させることは困難である。

【０００４】また、従来の撮像装置で使用されている撮
像素子は、記録の対象にされる光情報を光電変換して発
生させた電気信号が映像信号として送出された後に、被
写体の新らたな光学像と対応する映像信号が発生されう
るような構成のものであって、順次の被写体像と対応し
て発生された電気信号を記憶しておく機能は撮像装置自
体には有していなかったから、従来、撮像によって得た
電気的な情報信号を記録しておくことが必要とされる場
合には、撮像装置によって発生された映像信号を例えば
磁気録画装置を用いるなどして記録しておくようにされ
ていたが、撮像内容が記録されていることは種々の点で
有益なために、撮像装置自体に記憶機能を有するような
装置の出現が要望された。それで本出願人会社では前記
のような要望を満たすことができるような装置の一つと
して、図９に例示してあるように第１，第２の電極Ｅｔ
１，Ｅｔ２との間に少なくとも光導電層部材ＰＣＬと光
変調材層部材（例えば、液晶、ＰＬＺＴ、高分子ー液晶
複合膜、その他の光変調材料）ＰＭＬとを含んで構成さ
れている構成部分と、前記した第１，第２の電極Ｅｔ１
，Ｅｔ２間に所定の電圧を供給する手段とを備えており
、前記の光導電層部材ＰＣＬに記録の対象にされている
電磁放射線束を入射させて、前記した光変調材層部材Ｐ
ＭＬに記録の対象にされている電磁放射線情報を記録さ
せるようにした電磁放射線情報記録装置についての多く
の提案を行なっている。

【０００５】図９においてＯは被写体、Ｌは撮像レンズ
、ＢＰ１，ＢＰ２は基板、Ｅｔ１，Ｅｔ２は電極、ＰＣ
Ｌは光導電層部材、ＰＭＬは光変調材層部材、Ｒは抵抗
、Ｖｂは電源（動作用電源）であり、前記の透明電極Ｅ
ｔ１，Ｅｔ２間に電源Ｖｂからの電圧を印加して、基板
ＢＰ１上に積層されている電極Ｅｔ１と光導電層部材Ｐ
ＣＬにおける光導電層部材ＰＣＬに、被写体Ｏの光学像
を撮像レンズＬによって結像させると、前記した光導電
層部材ＰＣＬのインピーダンスが被写体の光学像と対応
して変化することにより、光導電層部材ＰＣＬと光変調
材層部材ＰＭＬとの間の空隙に、被写体の光学像と対応
する強度分布を示すような気中放電が生じて、光導電層
部材ＰＣＬと対向している光変調材層部材ＰＭＬの面上
に被写体の光学像と対応する電荷像パターンが形成され
る。そして、前記した電荷像パターンと対応して生じる
電界が光変調材層部材ＰＭＬに印加されることにより、
前記した電荷像パターンによる電界強度の分布、すなわ
ち、被写体の光学像と対応して光変調材層部材ＰＭＬが
読出し光の状態を変化させうるような態様で光変調材層
部材ＰＭＬに対して記録の対象にされている電磁放射線
情報の記録が行なわれる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述したところから明
らかなように、光変調材層部材ＰＭＬに対して行なわれ
る電磁放射線情報の記録動作は、光導電層部材ＰＣＬと
対向している光変調材層部材ＰＭＬの面上に形成された
被写体の光学像と対応している電荷像パターンによって
生じる電界が光変調材層部材ＰＭＬに印加されることに
よって、前記の電荷像パターンによる電界強度の分布、
すなわち、被写体の光学像と対応して光変調材層部材Ｐ
ＭＬが読出し光の状態を変化させうるような態様で光変
調材層部材ＰＭＬに対して記録の対象にされている電磁
放射線情報の記録が行なわれるのであるが、前述のよう
な記録方法が被写体からの入射光量に限界のある撮像装
置に応用されるような場合に、限りのある入射光量の範
囲内で良好な記録動作が行なわれるためには高感度の記
録が行なわれることが必要とされるが、光導電層部材Ｐ
ＣＬの構成材料として使用される感光体自体の感度には
限界があるために、それの改善策が求められた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は所定の動作用電
圧が印加されるようになされている第１の電極と第２の
電極との間に少なくとも光導電層部材と光変調材層部材
とを含んで構成されており、前記した光導電層部材に入
射された記録の対象にされている電磁放射線束と対応す
る記録が前記した光変調材層部材に行なわれるようにな
されている電磁放射線情報記録装置において、前記した
光変調材層部材に記録されている情報が予め定められて
いるコントラスト比を有する再生像として再生できるよ
うな厚さを備えている光変調材層部材を用いるとともに
、前記した光導電層部材として前記した光変調材層部材
よりも厚さの大きなものを用いて構成してなる電磁放射
線情報記録装置を提供する。

【０００８】

【作用】所定の動作用電圧が印加されるようになされて
いる第１の電極と第２の電極との間に設けられている光
導電層部材と光変調材層部材とを含んで構成されている
構成部分において、それに記録されている情報が予め定
められているコントラスト比を有する再生像として再生
できるような厚さの光変調材層部材に比べて、厚さの大
きな光導電層部材が使用されていることにより、光変調
材層部材に印加される電圧が大きくなって高感度で、し
かも必要なコントラスト比を有する再生像が得られるよ
うな記録動作が行なわれる。

【０００９】

【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の電磁放射
線情報記録装置の具体的な内容を詳細に説明する。図１
及び図２は本発明の電磁放射線情報記録装置のそれぞれ
異なる実施例の概略構成を示すブロック図であり、また
、図３乃至図６は本発明の電磁放射線情報記録装置の構
成原理及び動作原理の説明に使用される図、図７は光変
調材層部材の電圧に対する透過率の変化特性曲線例図、
図８は露光量と光変調材層部材の電圧との関係を示す特
性曲線例図、図９は従来の電磁放射線情報記録装置のブ
ロック図である。図１及び図２においてＯは被写体、Ｌ
は撮像レンズ、ＰＳは光学的シャッタ、ＢＰ１，ＢＰ２
は基板、Ｅｔ１，Ｅｔ２は第１，第２の電極（透明電極
Ｅｔ１，Ｅｔ２）、ＰＣＬは光導電層部材、ＰＭＬは光
変調材層部材（例えば、液晶、ＰＬＺＴ、高分子ー液晶
複合膜、その他の光変調材料を用いて構成させた光変調
材層部材）、Ｖｂは電源（動作用電源）であり、また図
２においてＳはスペーサである。図１に示されている電
磁放射線情報記録装置において、基板ＢＰ１に透明電極
Ｅｔ１と光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬと
透明電極Ｅｔ２と基板ＢＰ２とを積層してなる構成部分
における透明電極Ｅｔ１と透明電極Ｅｔ２との間には動
作用電源Ｖｂが接続されており、また、図２に示されて
いる電磁放射線情報記録装置において、基板ＢＰ１に透
明電極Ｅｔ１と光導電層部材ＰＣＬとを積層してなる一
方の構成部材と、基板ＢＰ２に透明電極Ｅｔ２と光変調
材層部材ＰＭＬとを積層してなる他方の構成部材とはス
ペーサＳを介して前記した一方の構成部材における光導
電層部材ＰＣＬの面と前記した光変調材層ＰＭＬの面と
の間に所定の空隙が形成されるようになされていて、前
記の一方の構成部材における透明電極Ｅｔ１と、前記の
他方の構成部材における透明電極Ｅｔ２との間には動作
用電源Ｖｂが接続されている。

【００１０】図１及び図２に示されている各電磁放射線
情報記録装置が電磁放射線情報の記録動作を行なう場合
には、各図中に示されている透明電極Ｅｔ１，Ｅｔ２間
に電源Ｖｂからの電圧が印加されている状態にしておい
て、基板ＢＰ１上に積層されている電極Ｅｔ１と光導電
層部材ＰＣＬにおける光導電層部材ＰＣＬに対して、被
写体Ｏの光学像が撮像レンズＬによって結像させる。そ
して、前記のように被写体Ｏの光学像が結像された光導
電層部材ＰＣＬは、それのインピーダンスが被写体の光
学像と対応して変化して、光導電層部材ＰＣＬと対向し
ている光変調材層部材ＰＭＬの面上に被写体の光学像と
対応する電荷像パターンを形成させ、前記した電荷像パ
ターンと対応して生じた電界が光変調材層部材ＰＭＬに
印加されることにより、前記した光変調材層部材ＰＭＬ
には電荷像パターンによる電界強度の分布、すなわち、
被写体の光学像と対応して読出し光の状態を変化させう
るような態様で光変調材層部材ＰＭＬに記録の対象にさ
れている電磁放射線情報の記録が行なわれる。前記した
光変調材層部材ＰＭＬが、例えば高分子材料における多
数の微細な孔中にネマティック液晶またはスメクテイッ
ク液晶を封入した構成態様の高分子ー液晶複合膜が使用
されていた場合には、前記した高分子ー液晶複合膜にお
ける多数の微細な孔中における液晶の配向の状態が被写
体Ｏの光学像と対応して変化した状態になされるために
、高分子ー液晶複合膜は被写体Ｏの光学像と対応して光
の透過率が変化している状態になされる。そして、前記
した液晶の配向状態が印加電界の除去後においても保持
された状態になされることにより、高分子材料中に前記
した高分子材料の融点よりも低い融点の液晶を分散させ
て構成した高分子ー液晶メモリ膜は情報記録媒体として
使用でき、また、高分子ー液晶複合膜における多数の微
細な孔中における液晶の配向の状態が被写体Ｏの光学像
と対応して変化した状態として記録された記録内容は、
高分子ー液晶複合膜を加熱して高分子ー液晶複合膜にお
ける多数の微細な孔中の液晶の配向の状態をランダムな
状態にすることにより消去できる。

【００１１】ここで、光変調材層部材ＰＭＬとして使用
される高分子ー液晶複合膜の構成の概略と、高分子ー液
晶複合膜における多孔質の高分子材料膜中にランダムに
分布している状態で形成されている無数の微小な細孔中
に封入された状態の液晶によって情報が記録されうるこ
とについて説明する。高分子ー液晶複合膜における液晶
を封入させた状態でランダムに存在している高分子材料
膜における無数の微小な細孔は高精細度の記録再生が実
現できるように、その細孔の径は小さい方がよく、例え
ば０．５ミクロン程度以下の径のものとなされることが
望ましい。また前記した高分子ー液晶複合膜の構成のた
めに使用される液晶としては、室温でネマチック相、あ
るいはスメクティック相を形成するものの内で、体積抵
抗率が高いもの、粘度が高いものを使用すると、記録さ
れた記録情報を高いコントラスト比で再生させたり、記
録性能を高める上で良い結果が得られ、さらに、高分子
ー液晶複合膜の構成のために使用する液晶として、高分
子材料の融点よりも低い融点のものを使用すれば記録情
報の消去が容易となる。

【００１２】既述のように図１及び図２における透明電
極Ｅｔ１，Ｅｔ２間に動作用電源Ｖｂを接続して、透明
電極Ｅｔと電極Ｅ間に設けられている光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＰＭＬとを前記した動作用電源Ｖｂ
から電圧が供給されている透明電極Ｅｔと電極Ｅ２間に
生じた電界中におき、被写体Ｏの光学像が撮像レンズＬ
によって光導電層部材ＰＣＬに結像されると、光導電層
部材ＰＣＬのインピーダンスは、被写体Ｏの光学像と対
応して変化している状態になり、光導電層部材ＰＣＬと
電極Ｅとの間の電界強度分布は前記した被写体Ｏの光学
像の光量分布と対応しているものとなる。それで光導電
層部材ＰＣＬと電極Ｅとの間の電界中に置かれている高
分子ー液晶複合膜ＰＭＬには、前記した被写体Ｏの光学
像に対応している強度分布を示す電界が印加されること
になるから、高分子ー液晶複合膜ＰＭＬにおける多孔質
の高分子材料膜中にランダムに分布して形成されている
無数の微小な細孔のそれぞれの中に封入された状態のネ
マティック液晶またはスメクティック液晶は、それに印
加される電界強度がある閾値を超えている状態において
、それに印加される電界強度が大きくなるのに従って高
分子ー液晶複合膜ＰＭＬの透明度が増加している状態と
なるように電界強度の大きさに従い配向の状態が変化す
るが、前記のように高分子ー液晶複合膜ＰＭＬに印加さ
れた電界によって変化した細孔中の液晶の配向の状態は
前記した電界が除去されてもそのままの状態に保持され
る。

【００１３】すなわち高分子ー液晶複合膜ＰＭＬにおけ
る多孔質の高分子材料膜中にランダムに分布して形成さ
れている無数の微小な細孔のそれぞれの中に封入されて
いるネマティック液晶またはスメクティック液晶は、そ
れにある閾値以上の電界が印加される以前には、細孔壁
表面の力を大きく受けている液晶分子も含めて全体とし
てネマティック相の状態で微小な細孔中に封入された状
態になされているから細孔中に封入されている液晶分子
は細孔壁の表面の力を受けるが細孔壁に近い液晶分子に
なる程前記の力は大きく加わる。したがって径の小さな
細孔になる程細孔中に封入されている液晶分子に加わる
細孔壁の表面の力の影響が大になる。前記のように細孔
壁の表面の力を受けている状態で細孔中に封入されてい
る液晶に対して、ある閾値以上の電界強度の電界が印加
された場合には、細孔壁の表面からの力を受けている状
態で細孔中にネマティック相またはスメクティック相の
状態で封入されている液晶分子は、前記した細孔壁の表
面から加えられている力に抗して電界の方向に配向する
ように変位する。

【００１４】そして電界の印加に対応して液晶分子に生
じる変位の態様は、印加される電界の強度に応じて変化
し、液晶に印加される電界が弱い状態のときは細孔壁の
表面から加えられている力が弱い液晶分子、すなわち、
主として細孔の中心部付近に位置する液晶分子だけが印
加された電界の方向に向くような傾向で変位し、液晶に
印加される電界の強度が次第に強くなるのにつれて、細
孔壁の表面から加えられている力が強い液晶分子、すな
わち、細孔壁に近くに位置する液晶分子も印加された電
界の方向に液晶の分子軸の方向が向くような傾向で変位
するという変位の態様で液晶分子が配向する。このよう
に高分子ー液晶複合膜ＰＭＬにおける多孔質の高分子材
料膜中にランダムに分布して形成されている無数の微小
な細孔中にネマティック相の状態で封入されている液晶
分子は、電界の印加時に前記した細孔壁の表面から加え
られている力に抗して液晶の分子軸の方向が電界の方向
に向くような傾向で変位するような変位の態様で配向さ
れるが、前記のように印加された電界によって配向され
た液晶の分子は、既述した細孔壁の表面の力によって、
そのままの姿態に保持されるから、前記のように電界の
印加によって変化された液晶の配向の状態は印加された
電界が除去された後においても、そのままの状態に保持
されるのであり、記録の対象にされている情報が電界強
度の変化の形で与えられることにより、その記録の対象
にされている情報を高分子ー液晶複合膜ＰＭＬにおける
多孔質の高分子材料膜中にランダムに分布して形成され
ている無数の微小な細孔中にネマティック相の状態で封
入されている液晶分子の配向の状態として記憶できるの
である。また、前記のようにして記録の対象にされてい
る情報が記録された高分子ー液晶複合膜ＰＭＬにおける
記録情報の消去は、高分子ー液晶複合膜ＰＭＬにおける
多孔質の高分子材料膜中にランダムに分布して形成され
ている無数の微小な細孔中に封入されている液晶が、そ
の液晶の融点以上で、かつ、高分子材料の融点よりも低
い温度に加熱されるようにして、液晶分子が細孔壁の表
面からの力に打勝つ活発な熱運動によって等方性相の状
態になされ、それが冷却されてネマティック相またはス
メクティック相の状態に戻されることにより高分子ー液
晶複合膜ＰＭＬは不透明状態に戻されて消去が行なわれ
る。

【００１５】図１及び図２にそれぞれ示されている本発
明の電磁放射線情報記録装置においては、光変調材層部
材ＰＭＬに対して被写体の光学像と対応して読出し光の
状態を変化させうるような態様で光変調材層部材ＰＭＬ
に対して行なわれる記録の対象にされている電磁放射線
情報の記録が高感度の状態で行なわれるようにするため
に、被写体像の結像によって光導電層部材ＰＣＬ中に発
生した電子ー正孔対における電子と正孔とが電界に方向
で互に反対の向きに大きく移動することにより被写体像
と対応して光導電層部材ＰＣＬに大きな電位変化が生じ
るように、それの厚さが大きくなされているのであり、
また、光変調材層部材ＰＭＬはそれの厚さを光変調材層
部材ＰＭＬに記録されている情報が予め定められている
コントラスト比を有する再生像として再生できるような
厚さのものとされている。図４乃至図６は前記した光導
電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬなどの各構成部
分が密着した状態で構成されている場合に、光導電層部
材ＰＣＬの厚さｄｃと光変調材層部材ＰＭＬの厚さｄｍ
との和の厚さｄ（ただしｄ＝ｄｃ＋ｄｍ）を一定にした
状態において、図４に示されているように光導電層部材
ＰＣＬの厚さｄｃと光変調材層部材ＰＭＬの厚さｄｍと
がｄｃ＞ｄｍの関係になされている場合（本発明の電磁
放射線情報記録装置で採用している光導電層部材ＰＣＬ
の厚さｄｃと光変調材層部材ＰＭＬの厚さｄｍとの関係
）と、図５に示されているように光導電層部材ＰＣＬの
厚さｄｃと光変調材層部材ＰＭＬの厚さｄｍとがｄｃ＝
ｄｍのように等しい関係になされている場合と、図６に
示されているように光導電層部材ＰＣＬの厚さｄｃと光
変調材層部材ＰＭＬの厚さｄｍとがｄｃ＜ｄｍのような
関係になされている場合とのそれぞれの場合を示してい
る図である。

【００１６】図４乃至図６に示されているように、光導
電層部材ＰＣＬの厚さｄｃと光変調材層部材ＰＭＬの厚
さｄｍとの和の厚さｄ（ただしｄ＝ｄｃ＋ｄｍ）を一定
にした状態において、光導電層部材ＰＣＬの厚さｄｃを
次第に大きくして行くと、同じ露光量の状態において光
導電層部材ＰＣＬに発生する電位変化は大きくなる。図
８は光導電層部材ＰＣＬの厚さを変化させたときに、そ
の光導電層部材ＰＣＬと直列的に設けられている光変調
材層部材ＰＭＬの両端に印加される電圧（光変調材層間
電圧）Ｖｍが、露光量の変化につれてどのように変化す
るのかを示している特性曲線図であり、図８において光
導電層部材ＰＣＬの厚さが薄い場合の実線図示の曲線と
、光導電層部材ＰＣＬの厚さが厚い場合の一点鎖線図示
の曲線とを比べてみると、光導電層部材ＰＣＬの厚さが
薄い場合と厚い場合とにおいて、光変調材層部材ＰＭＬ
の両端に印加される電圧（光変調材層間電圧）Ｖｍを同
じにするために必要な露光量は、光導電層部材ＰＣＬの
厚さが厚い場合の露光量Ｐ２の方が光導電層部材ＰＣＬ
の厚さが厚い場合の露光量Ｐ１に比べて大きい、すなわ
ち、光導電層部材ＰＣＬの厚さが厚い場合の方が光導電
層部材ＰＣＬの厚さが薄い場合に比べて高い感度を有し
ていることが判かる。

【００１７】次に、図７は光変調材層部材ＰＭＬの厚さ
を変化させたときに、光変調材層部材ＰＭＬにおける閾
値電圧と動作電圧範囲とが変化していることを示してい
る特性曲線であり、図７において光変調材層部材ＰＭＬ
の厚さが厚い場合の実線図示の曲線と、光変調材層部材
ＰＭＬの厚さが薄い場合の一点鎖線図示の曲線とを比べ
てみると、光変調材層部材ＰＭＬの厚さが薄い場合には
光変調材層部材ＰＭＬの厚さが厚い場合に比べて閾値が
低下するとともに、動作電圧範囲についても光変調材層
部材ＰＭＬの厚さが厚い場合の動作電圧範囲Ｖｍ２に比
べて、光変調材層部材ＰＭＬの厚さが薄い場合の動作電
圧範囲Ｖｍ１が小さく、したがって、光変調材層部材Ｐ
ＭＬの厚さが薄い場合には、小さな動作電圧によって被
写体の光学像と対応して読出し光の状態を変化させうる
ような態様とすることができる、すなわち光変調材層部
材ＰＭＬの厚さを薄くした方が感度を向上させることが
できることになる。

【００１８】それで、図６に例示されている構成例のよ
うに光導電層部材ＰＣＬの厚さｄｃと光変調材層部材Ｐ
ＭＬの厚さｄｍとがｄｃ＜ｄｍのような関係になされて
いる場合には解像度の点において有利であるが、光導電
層部材ＰＣＬの厚さｄｃが小さなために感度が低く、ま
た、図５に示されているように光導電層部材ＰＣＬの厚
さｄｃと光変調材層部材ＰＭＬの厚さｄｍとがｄｃ＝ｄ
ｍのように等しい関係になされている場合には解像度が
最も低くなる。本発明の電磁放射線情報記録装置では、
再生像において必要なコントラスト比が得られるような
厚さｄｍを有する光変調材層部材ＰＭＬを用いた上で、
前記した光変調材層部材ＰＭＬの厚さｄｍよりも大きな
厚さｄｃを有する光導電層部材ＰＣＬを用いた図４に示
されているような構成とすることにより、高感度を有す
るとともに解像度の低下もなく、しかも必要とされるコ
ントラスト比を有する再生像が得られるような電磁放射
線情報記録装置が容易に提供できるようにしたのである
。 図４中に示されている光導電層部材ＰＣＬは単層型のも
のであるが、本発明の電磁放射線情報記録装置の実施に
当って使用される光導電層部材ＰＣＬとしては、図３に
例示してあるように電荷発生層１と電荷輸送層２を有す
る機能分離型の光導電層部材ＰＣＬが使用されてもよい
。

【００１９】

【発明の効果】以上、詳細に説明したところから明らか
なように本発明の電磁放射線情報記録装置では、所定の
動作用電圧が印加されるようになされている第１の電極
と第２の電極との間に設けられている光導電層部材と光
変調材層部材とを含んで構成されている構成部分におい
て、それに記録されている情報が予め定められているコ
ントラスト比を有する再生像として再生できるような厚
さの光変調材層部材に比べて、厚さの大きな光導電層部
材が使用されていることにより、光変調材層部材に印加
される電圧が大きくなって高感度で、しかも必要なコン
トラスト比を有する再生像が得られるような記録動作を
行なうことができるのであり、本発明によれば既述した
従来の問題点は良好に解決できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電磁放射線情報記録装置ブロック図で
ある。

【図２】本発明の電磁放射線情報記録装置ブロック図で
ある。

【図３】本発明の電磁放射線情報記録装置の構成原理及
び動作原理の説明に使用される図である。

【図４】本発明の電磁放射線情報記録装置の構成原理及
び動作原理の説明に使用される図である。

【図５】本発明の電磁放射線情報記録装置の構成原理及
び動作原理の説明に使用される図である。

【図６】本発明の電磁放射線情報記録装置の構成原理及
び動作原理の説明に使用される図である。

【図７】光変調材層部材の電圧に対する透過率の変化特
性曲線例図である。

【図８】露光量と光変調材層部材の電圧との関係を示す
特性曲線例図である。

【図９】従来の電磁放射線情報記録装置ブロック図であ
る。

【符号の説明】

Ｏ…被写体、Ｌ…撮像レンズ、ＰＳ…光学的シャッタ、
ＢＰ１，ＢＰ２…基板、Ｅｔ１，Ｅｔ２…第１，第２の
電極（透明電極Ｅｔ１，Ｅｔ２）、ＰＣＬ…光導電層部
材、ＰＭＬ…光変調材層部材、Ｓ…スペーサ、

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　所定の動作用電圧が印加されるように
   なされている第１の電極と第２の電極との間に少なくと
   も光導電層部材と光変調材層部材とを含んで構成されて
   おり、前記した光導電層部材に入射された記録の対象に
   されている電磁放射線束と対応する記録が前記した光変
   調材層部材に行なわれるようになされている電磁放射線
   情報記録装置において、前記した光変調材層部材に記録
   されている情報が予め定められているコントラスト比を
   有する再生像として再生できるような厚さを備えている
   光変調材層部材を用いるとともに、前記した光導電層部
   材として前記した光変調材層部材よりも厚さの大きなも
   のを用いて構成してなる電磁放射線情報記録装置。
2. 【請求項２】　　光変調材層部材として高分子ー液晶複
   合膜を用いてなる電磁放射線情報記録装置。