JPH0350971A - 撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は撮像装置に関する。

（従来の技術） 被写体を撮像して得た映像信号は、編集、トリミング、
その他の画像信号処理が容品であるとともに、記録再生
ならびに記録再生消去も容易であるという特徴を有して
いるために、放送の分野以外に多くの分野、例えば、印
刷、電子出版、計測などの多くの分野での利用も試みら
れるようになり、例えば動画のような複数の時間に対応
した光学像情報の撮像記録や、−枚の画像の撮像記録を
従来装置に比べて解像度が一層高い状態で行うことを可
能にする装置の出現が強く要望されるようになった。

しかし、撮像素子として各種の撮像管や各種の固体撮像
素子を使用している従来の一般的な撮像装置において、
撮像素子として撮像管を使用した撮像装置では、撮像管
における電子ビーム径の微小化に限界があって電子ビー
ム径の微小化による高解像度化が望めないこと、及び、
撮像管のターゲット容量はターゲット面積と対応して増
大するものであるために、ターゲット面積の増大による
高解像度化も実現できないこと、また１例えば動画の撮
像装置の場合には高解像度化に伴って映像信号の周波数
帯域が数十ＭＨｚ〜数百Ｍ　Ｈｚ以上にもなるためにＳ
／Ｎの点で問題になる、等の理由によって、高画質・高
解像度の再生画像を再生させうるような映像信号を発生
させることは困難であったので、高画質・高解像度の再
生画像を再生させうるような映像信号を良好に発生させ
ることができる撮像装置の出現が強く要望された。

そして、本出願人会社では前記の問題点を解決できる撮
像装置として、先に、被写体の光学像に対応した光学像
情報を撮像レンズにより所定の電圧が印加された２枚の
透明電極の間に、少なくとも光導電層部材と、光変調材
層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
電層部材側の透明電極を通して、撮像レンズにより被写
体の光学像を光導電層部材に結像させて、光導電層部材
と光変調材層部材との間に前記した被写体の光学像と対
応する電荷像を生じさせ、前記の電荷像による電界によ
って前記した光変調材層部材がその中を通過する光の偏
光面の傾きの状態を変化させるようにし、また、前記し
た光変調材層部材を通過させた読出し光束を検光子によ
って光強度の変化している状態の光として取り出し、そ
れを光電変換して被写体の光学像に対応した電気信号と
する撮像装置を提案している。

（発明が解決しようとする課題） ところで、前記した既提案の撮像装置では、それの構成
部材の一つとして使用されている光−光変換素子におけ
る光変調材層部材として、光変調材層部材に印加された
電界強度に応じて光の偏光面の傾きの状態を変化させる
ような動作を行うものが用いられていたから、光変調材
層部材を通過することにより被写体の光学像と対応する
電荷像の電界強度により光の偏光面の傾きの状態が変化
している読出し光を、検光子によって光強度が変化して
いる状態の光として取り出すことが必要である他に、効
率が低いという欠点があった。

また、前記した光変調材層部材としてシイステッドネマ
ティック液晶層による光変調材層部材が使用された場合
には、スペーサを用いて作ったセルにツィステッドネマ
ティック液晶を注入しなければならないという複雑な工
程が必要とされるという欠点がある他に、大型な光−光
変換素子を作る場合には、均一な厚さのツィステッドネ
マティック液晶層による光変調材層部材を構成させるこ
とが困難であり、さらに光変調材層部材としてネマティ
ック液晶層を使用した光−光変換素子では、高解像度の
画像の書込み読出し動作を行うことが困難であった。さ
らに、前記した光変調材層部材として例えばニオブ酸リ
チウムの単結晶、その他の固体素子が使用された場合に
は、半波長電圧が高くまた。取扱いが容易でない等の問
題点があった。

（課題を解決するための手段） 本発明は所定の電圧が印加された２枚の透明電極の間に
、少なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる
光変調材層部材とによって構成した光−光変換素子にお
ける光導ＷＩＭ部材側の透明電極を通して、撮像レンズ
により被写体の電磁放射線像を光導電層部材に結像させ
て、光導電層部材と光変調材層部材との間に前記した被
写体の電磁放射線像と対応する電荷像を生じさせる手段
と、前記の電荷像による電界によって前記した光変調材
層部材に光に対する散乱の度合いを生じさせる手段と、
電磁放射線を用いて前記した光変調材層部材における被
写体の電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度合い
の変化像を読出す手段とを備えてなる撮像装置を提供す
る。

（作用） 光−光変換素子の２つの透明電極間に電圧を与えて、散
乱モードで動作しうる光変調材層部材に電界が加わるよ
うにしておき、また、光−光変換素子における光導電層
部材側に撮像レンズを介して被写体の光学像を光導電層
部材に結像させると、光導電層部材の電気抵抗値はそれ
に到達した入射光による光学像と対応して変化するため
に、光導電層部材と誘電体ミラーとの境界面には光導電
層部材に結像した被写体の光学像と対応した電荷像が生
じる。

前記の状態において、電源の電圧が印加されている２つ
の透明電極間に、前記した光導電層部材に対して直列的
な関係に設けられている光変調材層部材には、被写体の
光学像と対応した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の
電界が加わる。

この状態で光変調材層部材はそれに印加された電界強度
に対応して光に対する散乱の度合いが変化しているから
、光変調材層部材に読出し光を投射すると、光変調材層
部材を通過する読出し光の透過状態が変化する。

それにより前記した光学像に対応した電荷像に従って光
量が変化している状態の光として光変調材層部材から出
射する。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の撮像装置の具体的な
内容を詳細に説明する。第１図乃至第８図は本発明の撮
像装置の実施例の側面図であり、また、第９図は説明の
ための光−光変換素子の側面図、第１０図は動画の撮像
の説明に使用するタイミングチャートである。

まず、第１図においてＯは被写体、Ｌは撮像レンズ、Ｐ
ＰＣｅは光−光変換素子、ｖｂは電源、ＷＬは壽込み光
、ＲＬは読出し光である。

前記した光−光変換素子ＰＰＣｅは透明電極Ｅｔ１と、
光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラーＤＭＬと、高分子
材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用
いて構成した光変調材層部材ＨＬＬと、透明電１Ｅｔ２
とを積層した構成態様のものとなされている（第２図及
び第７図乃至第９図中に示されている光−光変換素子Ｐ
ＰＣも、第１図中に示されている光−光変換素子と同じ
構成層のものである）。

なお、第１図及び第２図ならびに第７図乃至第９図中に
示されている光−光変換素子では、光導電層部材ＰＣＬ
と、高分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶
複合膜を用いて構成した光変調材層部材ＨＬＬとの間に
、誘電体ミラーＤＭＬを設けているが、光導電層部材Ｐ
ＣＬが読出し光ＲＬを反射するとともに、読出し光ＲＬ
に感度を有しないものであれば、誘電体ミラーＤＭＬを
省いてもよい、この点は第３図以降の図中にＰＰＣｍの
図面符号を用いて示しである光−光変換素子における誘
電体ミラーＤＭＬについても同様である）。

ここで、第１図を参照して光−光変換素子ＰＰＣθにお
ける光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子
一液晶複合膜について説明する。

前記した光変調材層部材ＨＬＬとして使用されている高
分子一液晶複合膜は１例えば、ポリエステル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が１０１４Ω
０以上の高分子材料中に、室温において液晶相を示し、
かつ、高い体積抵抗率を有するネマティック液晶を分散
させることによって構成されている。

次に、前記した高分子一液晶複合膜による光変調材層部
材ＨＬＬを用いて構成されている光−光変換素子の製作
例について述べると、（１）英国ＢＤＨ社製の室温ネマ
ティック液晶Ｅ−４４を３グラム計量し、前記した３グ
ラムの室温ネマティック液晶Ｅ−４４を２ｏグラムのＰ
ＭＭＡのクロロホルム１０％溶液に添加して攪拌した後
に静置する。

一方の面に透明電極Ｅｔ２として例えばＩＴ○の膜を形
成させたガラス板（第１図及び第２図中では図示が省略
されている）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけ
るＩＴ○膜による透明電極Ｅｔｚ上に、前記のように静
置しておいた液晶を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液を
バーコータによって塗布して高分子一液晶複合膜による
光変調材層部材ＨＬＬを構成させる。

前記した高分子材料としては前記したＰＭＭＡの他に、
溶剤に溶けてフィルム状に塗布することができ、かつ、
高い体積抵抗率を有する高分子材料であれば何でもよい
が、特に透明度の良好なポリカーボネート、ＰＥＩなど
は良好に使用できるのである（この点は後述されている
（２）　、　（３）の他の実施例についても同様である
）。

前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち、ガラス板（第１図及び第
２図中では図示が省略されている）と透明電極Ｅｔｌと
光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとがＭＭされ
た構造体とを、単に貼り合わせると第１図及び第２図中
に示されるような光−光変換素子が構成できる。

（２）チッソ株式会社製の室温ネマティック液晶ＬＩＸ
ＯＮ５０１ＤＭＬ（またはＬＩＸＯＮ５０２８）を３グ
ラム計量し、前記した３グラムの室温ネマティック液晶
ＬＩＸＯＮ５０１ＤＭＬ（＊たはＬＩＸＯＮ５０２８　
）を１０重量％の２０グラムのＰＭＭＡのクロロホルム
溶液に添加して攪拌した後に静置する。

一方の面に透明電極Ｅｔ２としてＩＴＯの膜を形成させ
たガラス板（第１図及び第２図中では図示が省略されて
いる）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけるＩＴ
Ｏ膜による透明電極ＥｔＺ上に、前記のように静置して
おいた液晶を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液をバーコ
ータによって塗布して高分子一液晶複合膜による光変調
材層部材ＨＬＬを構成させる。

前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち。

ガラス板（第１図及び第２図中では図示が省略されてい
る）と透明電極Ｅｔｌと光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとが積層された構造体とを、単に貼り合わせ
ると第１図及び第２図に示されるような構成の光−光変
換素子が得られることになる。

（３）メルク・ジャパン社製の室温ネマティック液晶Ｚ
ＬＩＥｔ２２ＤＭＬＤＭＬをＥｔｌグラム計量し、前記
した３グラムの室温ネマティック液晶ＺＬＩＥｔ２２Ｄ
ＭＬＤＭＬをを１０重量％の２０グラムのＰＭＭＡのク
ロロホルム溶液に添加して攪拌した後に静置する。

一方の面に透明電極Ｅｔ２としてＩＴＯの膜を形成させ
たガラス板（第１図及び第２図中では図示が省略されて
いる）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけるＩＴ
Ｏ膜による透明電極Ｅｔ２上に、前記のように静置して
おいた液晶を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液をバーコ
ータによって塗布して高分子一液晶複合膜による光変調
材層部材ＨＬＬを構成させる。

前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち。

ガラス板と透明電極Ｅｔｌと光導電層部材ＰＣＬと誘電
体ミラーＤＭＬとが積層された構造体とを、単に貼り合
せると第１図及び第２図に示されるような構成の光−光
変換素子が得られることになる。

前記した高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶複
合膜は、それの膜厚のばらつきが±０゜１ミクロンの範
囲となるように成膜することは容易であり、従来の光−
光変換素子に比べて製作が容易である。

前記のようにして製作された高分子一液晶複合膜による
光変調材層部材ＨＬＬにおける液晶は、高分子材料中に
存在する無数の細孔中に閉じ込められた状態となされて
いるが、前記した光変調材層部材ＨＬＬとして使用され
る高分子一液晶複合膜における前記の細孔は、第３図乃
至第６図を参照して後述されている実施例中に示されて
いる光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて、それの光変調材
層部材ＨＬＭとして使用されている高分子一液晶複合膜
で高分子材料中に液晶を閉じ込めている無数の細孔に比
べて寸法が大きなものとされている。

また、前記した（１）〜（３）の製作例の内で製作例の
（２）　、　（３）で使用しているネマティック液晶は
。

それの比抵抗がＩ　Ｘ　１０””０口というように高い
値を示すものであるために、その液晶を分散させる高分
子材料として体積抵抗率が１０１４Ω口以上のものを用
いて作られた高分子一液晶複合膜による光変調材層部材
ＨＬＬを備えた光−光変換素子では高い解像度の画像情
報の書込み読出し動作を行うことができ、また、光変調
材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合
膜に与えられる電界は直流電界であっても、液晶として
高抵抗のもの（イオンの混−人一量一が極めて少い液晶
）が使用されていることにより、長時間の経過によって
も画像の解像度の低下が生じないようにできる。

すなわち、高分子一液晶複合膜を用いた光変調材層部材
において、多くのイオンを含んでいるために体積抵抗率
の低い液晶が用いられた場合には。

光変調材層部材に印加された電界によって液晶に含まれ
ているイオンが移動して、光変調材層部材に電界を与え
ている電荷像による電界の強度を低下させるために、液
晶分子の光学軸の傾きが減少し、前記した液晶分子の光
学軸の傾きの減少によって電荷像による電界が乱れて電
荷像の解像度の劣化が生じるのであるが、前記した製作
例の（２）。

（Ｅｔｌ）で使用しているネマティック液晶のように、
それの比抵抗がＩ　Ｘ　１０Ｌ３Ω備というように高い
値を示すものであり、また、その液晶を分散させる高分
子材料として体積抵抗率が１０１４Ω１以上のものを用
いて作られた高分子一液晶複合膜による光変調材層部材
ＨＬ　Ｌを備えた光−光変換素子では、液晶には多くの
イオンが含まれていないためにイオンによる前述のよう
な不都合な動作が行われず、したがって前記した構成の
光−光変換素子では、高い解像度の画像情報の書込み読
出し動作が行われるのである。

さて、第１図に示されている本発明の撮像装置において
、光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅの２つの透明電極Ｅｔｌ
、　ＥｔＺ間に電源ｖｂから電圧を与えて、散乱モード
で動作しうる光変調材層部材として構成されている高分
子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜に
よる光変調材層部材ＨＬＬ間に電界が加わるようにして
おき、また、光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅにおける光導
電層部材ＰＣＬ側に撮像レンズＬを介して被写体○の光
学像を光導電層部材ＰＣＬに結像させると、前記した光
導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入射光
による光学像と対応して変化するために、光導電層部材
ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部
材に結像した被写体の光学像と対応した電荷像が生じる
。

前記の状態において、電源ｖｂの電圧が印加されている
２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に、前記した光導電
層部材ＰＣＬに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜
による光変調材層部材ＨＬＬには、被写体の光学像と対
応した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わ
る。

この状態で光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている
高分子一液晶複合膜では、前記の電荷像による電界によ
り液晶の配向状態が変化し、被写体の電磁放射線像と対
応した液晶の配向状態の変化像が生じる。

前記のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生じた電荷像による電界に基づいて、
光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液
晶複合膜に被写体の電磁放射線像と対応して生じた液晶
の配向状態の変化像は、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとの境界面に生じている電荷像が存在してい
る限り、そのままの状態に保持されている。

すなわち、前記した電荷像によって光変調材層部材ＨＬ
Ｌとして用いられている高分子一液晶複合膜に与えられ
る電界は直流電界であるが、液晶として高抵抗のもの（
イオンの混入量が極めて少い液晶）が使用されているこ
とにより、既述のように長時間の経過によっても画像の
解像度の低下が生じないようにできる。

なお、第１図示の撮像装置において、光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅにおける２つの透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔｚ間に接
続する電源として交流電源を用いても記録、再生動作を
行うことができることはいうまでもないが、透明電極Ｅ
ｔｌ、　ＥｔＺ間に交流電源を接続して記録動作を行っ
た場合には、前記したような電荷像の記録が行われない
ために記録動作と同時に再生動作を行うことが必要とさ
れる。

次に前述のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（誘電体ミラーＤＭ
Ｌが使用されない場合には、電荷像は光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＨＬ　Ｌとして用いられている高分
子一液晶複合膜との境界面に生じることはいうまでもな
い）を消去すると、光変調材層部材ＨＬＬとして用いら
れている高分子一液晶複合膜に与えられる電界がなくな
るために高分子一液晶複合膜中の液晶が等方性相になっ
て、読出し光ＲＬを光変調材層部材ＨＬＬに入射させて
も画像情報は再生されない、すなわち消去が行われるこ
とになる。

それで、消去動作としては前記のように光導電層部材Ｐ
ＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（
誘電体ミラーＤＭＬが使用されない場合には、電荷像は
光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＨＬＬとして用い
られている高分子一液晶複合膜との境界面に生じること
はいうまでもない）が消去されるようにすればよく、そ
のためには例えば第２図に例示されているように、消去
用の光源ＥＬＳからの消去光ＥＬをレンズＬｅを介して
光−光変換素子ＰＰＣｅの透明電極Ｅｔｌ側から光−光
変換素子ＰＰＣｅに入射させて、それの光導電層部材Ｐ
ＣＬの電気抵抗値を低下させるようにすればよい。なお
、前記の消去動作時における光−光変換素子ＰＰＣｅの
２つの透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２は、前記した両者が短
絡された状態にされていても、あるいは両者が接地され
ていてもよい。

第１図を参照して既述した撮像動作により、被写体の光
学像と対応する電荷像が光−光変換素子ＰＰＣｅにおけ
る光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面
（誘電体ミラーＤＭＬが使用されない場合には、光導電
層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＨＬＬとして用いられて
いる高分子一液晶複合膜との境界面）に生じて、その電
荷像による電界が光変調材層部材ＨＬＬに印加されてい
る状態において、光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃａにおける
透明電極Ｅｔ２側から読出し光ＲＬを図示されていない
ない光源から入射すると、その読出し光ＲＬは透明電極
Ｅｔ２→光変調材層部材ＨＬ　Ｌとして用いられている
高分子一液晶複合膜→誘電体ミラ＝ｏＭｒ＝の経路で誘
電体ミラーＤＭＬに達し、そこで反射された後に光変調
材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合
膜→透明電極Ｅｔ２の経路で光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃ
ｓから出射する。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅから出射され
た読出し光ＲＬは、光導″ＷＬ層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとの境界面（誘電体ミラーＤＭＬが使用され
ない場合には、光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材Ｈ
ＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜との境界
面）に生じている電荷像による電界と対応して光の強度
が変化している状態のものになっている。

すなわち、光変調材層部材ＨＬ　Ｌとして用いられてい
る高分子一液晶複合膜における液晶に、被写体の光学像
と対応した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が
加わることにより、前記の液晶がそれに印加された電界
強度と対応して配向の状態を変化して、光変調材層部材
ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜中を前
記のように往復通過する読出し光ＲＬに対して異なる散
乱動作を行うから、光変調材層部材ＨＬＬに読出し光を
投射すると、光変調材層部材ＨＬＬを通過した後に出射
した読出し光ＲＬは、それの光強度が被写体の光学像と
対応して変化しているものになるのである。

このように光−光変換素子ＰＰＣｅから出射する読出し
光ＲＬが被写体の光学像と対応して光強度が変化してい
る状態のものになっているから、光−光変換素子ＰＰＣ
ｅから出射した読出し光ＲＬをそのまま投影レンズによ
ってスクリーンに投影したり、光−光変換素子ＰＰＣｅ
から出射した読出し光ＲＬを光学系を介して光電変換器
に与えて電気信号に変換したり、あるいは光−光変換素
子ＰＰＣｅから出射した読出し光ＲＬを光学系を介して
光学的な記録媒体に与えて記録したりすることができる
のであり、従来の光−光変換素子からの読出し光のよう
に、それを検光子によって光強度の変化している光に変
換してから利用している場合に比べて、構成の簡単化が
容易になるとともに、光を効率的に使用することができ
るという利点が得られる。

なお、読出し光ＲＬの光源としては１ノーザ光源、白熱
灯、放電灯など、任意の光源からの光を用いることがで
きる。また、読出し光ＲＬは微小な径の光束でも、大面
積の光束でも使用できることはいうまでもない。

第７図は第２図に示されている撮像装置によって被写体
○の光学像情報と対応する電気信号を出力できるように
する場合の構成例を示したものであって、第７図におい
てＬＳは読出し光の光源として使用されるレーザ光源、
ＤＥＦは光偏向器、ＬＬ、Ｌ２はレンズ、ＰＤは光電変
換器であり、その他の構成部分は第１図や第２図示の実
施例中に同一の図面符号を使用して示されているものと
同じである。

第７図示の撮像装置において、撮像動作により被写体の
光学像と対応する電荷像が光−光変換素子ＰＰＣｅにお
ける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界
面（誘電体ミラーＤＭＬが使用されない場合には、光導
電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＨＬＬとして用いられ
ている高分子一液晶複合膜との境界面）に生じること、
読出し光ＲＬを光−光変換素子ＰＰＣｅにおける透明電
極Ｅｔ２側から入射して、その読出し光ＲＬは透明電極
Ｅｔ２→光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高
分子一液晶複合膜→誘電体ミラーＤＭＬの経路で誘電体
ミラーＤＭＬに達し、そこで反射された後に光変調材層
部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜→
透明電極Ｅｔ２の経路で光−光変換素子ＰＰＣｅから出
射されること。

ならびに、撮像動作によって光−光変換素子ＰＰＣｅに
おける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境
界面（誘電体ミラーＤＭＬが使用されない場合には、光
導ｔｍ部材ＰＣＬと光変調材層部材ＨＬＬとして用いら
れている高分子一液晶複合膜との境界面）に生じた被写
体の光学像と対応する電荷像の消去動作が、消去用の光
源ＥＬＳからの消去光ＥＬをレンズＬｅを介して光−光
変換素子ＰＰＣｅの透明電極Ｅｔ１側から光−光変換素
子ＰＰＣｅに入射させ、それの光導電層部材ＰＣＬの電
気抵抗値を低下させて行われることなどは既述のとおり
である。

第７図示の実施例において読出し光の光源として使用さ
れるレーザ光源ＬＳから読出し光ＲＬとして出射したレ
ーザ光束は、光偏向器ＤＥＦによって所定の偏向態様で
偏向された後にレンズＬ１を介して光−光変換素子ＰＰ
Ｃｅの透明電極Ｅｔｌ側から光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃ
ｓに入射される。

前記のように光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅに入射したレ
ーザ光束は透明電極Ｅｔ２→光変調材層部材ＨＬＬとし
て用いられている高分子一液晶複合膜→誘電体ミラーＤ
ＭＬの経路で誘電体ミラーＤＭＬに達し、そこで反射さ
れた後に光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高
分子一液晶複合膜→透明電極Ｅｔ２の経路で光−光変換
素子ＰＰＣｅから出射する。

前記の光−光変換素子ＰＰＣｅから出射したレーザ光束
は光変調材層部材ＨＬＬを通過する際に、それの光強度
が被写体の光学像と対応して変化しているものになって
いることは既述のとおりであり、そのレーザ光はレンズ
Ｌ２を介して光電変換器ＰＤに与えられ、光電変換器Ｐ
Ｄからは被写体○の光学像と対応している電気信号が出
力される。

前記の光電変換器ＰＤとしてはフォトトランジスタ、ラ
イン・イメージセンサ、２次元イメージセンサ、等、任
意の光電変換器が使用されうろことは勿論であるが、使
用されるべき光電変換器に応じて光偏向器ＤＥＦにおけ
る偏向態様が定められるべきことは当然である。

次に、第８図は第７図に示されている撮像装置における
光電変換器ＰＤの代わりに光学的な記録媒体Ｆを使用し
て、被写体Ｏの光学像と対応する像を光学的な記録媒体
Ｆに記録するようにした場合の実施例を示している。前
記した光学的な記録媒体Ｆとしては例えば写真フィルム
を使用することができる。なお、前記した光学的な記録
媒体として電荷像記録媒体を使用することもできる。電
荷像記録媒体が、それ自体に光導電層を備えていない構
成形態のものであれば、光導電体層部材を備えて構成さ
れている書込み素子を用いて電荷像記録媒体に電荷像と
して記録できるようにすればよい。

第１０図は撮像装置の光−光変換素子ＰＰＣｅにおける
２つの透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２に供給する電圧の極性
を撮像の対象にされている１画面毎に＋Ｖ、−Ｖのよう
に逆転させるようにして撮像装置を動作させる場合の説
明用チャートであり、また、第９図は前記のように撮像
の対象にされている１画面毎に２つの透明電極Ｅｔｌ、
　Ｅｔ２に供給する電圧の極性を＋Ｖ、−Ｖのように逆
転させうるような電源Ｖｂｘが光−光変換素子ＰＰＣｅ
の２つの透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２に接続されている状
態を示している図である。

光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高７分子−
液晶複合膜に連続的に直流電界が印加されると、液晶に
含まれているイオンによって性能が劣化することが起こ
るから、前記のように撮像の対象にされている１画面毎
に２つの透明型ｆｉ！Ｅ　ｔ　１ｙＥｔ２に供給する電
圧の極性が＋Ｖ、−Ｖのように逆転されるようにすると
、光変調材層部材ＨＬＬの性能の劣化を良好に防止でき
る。なお、第１０図においてＥは光−光変換素子ＰＰＣ
ａにおける光導電層部材ＰＣＬへの消去光の照射期間、
Ｗ。

Ｒは光−光変換素子ＰＰＣθにおける書込み期間と読出
し期間を示している。

次に、第３図乃至第６図に示されている実施例について
説明する。各図においてＰＰＣｍは光−光変換素子、ｖ
ｂは電源、ＷＬは書込み光（前記した第１図中に示され
ている被写体Ｏの光学像情報を撮像レンズＬを介して与
える光、あるいは撮像対象とされる情報を含む光）、Ｒ
Ｌは読出し光であり、また、第３図においてＨＥＣは加
熱用電源、第４図においてＬｅはレンズ、ＥＬＳは消去
用の光源、第６図においてＥＬＳΩは消去用のレーザ光
源、ＤＥＦは光偏向器、Ｍは反射鏡である。

第３図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍは透明
電極Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラーＤ
ＭＬと、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メ
モリ膜を用いて構成した光変調材層部材ＨＬＭと、透明
電極Ｅｔ２と、加熱層ＨＥＬ（この加熱層ＨＥＬと透明
電極Ｅｔ２とが兼用された構成のものとされもよい）と
を積層した構成態様のものとなされており、また、第４
図及び第６図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍ
は透明電極Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミ
ラーＤＭＬと、高分子材料に液晶を分散させた高分子一
液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材ＨＬＭと
、熱吸収層ＨＩＬと、透明電極Ｅｔ２とを積層した構成
態様のものとなされており、さらに、第５図中に示され
ている光−光変換素子ＰＰＣｍは透明電極Ｅｔｌと、光
導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラーＤＭＬと、熱吸収層
ＨＩＬと、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶
メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材ＨＬＭと、透
明電極Ｅｔ２とを積層した構成態様のものとなされてい
る。

なお、第３図及び第４図ならびに第６図中に示されてい
る光−光変換素子ＰＰＣｍでは、光導電層部材ＰＣＬと
、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜
を用いて構成した光変調材層部材ＨＬＭとの間に、誘電
体ミラーＤＭＬを設けているが、光導電層部材ＰＣＬが
読出し光ＲＬを反射するとともに、読出し光ＲＬに感度
を有しないものであれば、誘電体ミラーＤＭＬを省いて
もよく、また、第５図中に示されている光−光変換素子
ＰＰＣｍでは、光導電層部材ＰＣＬと、熱吸収層ＨＩＬ
との間に、誘電体ミラーＤＭＬを設けているが、熱吸収
層ＨＩＬと光導電層部材ＰＣＬとの一方のものが読出し
光ＲＬを反射するとともに、読出し光ＲＬに感度を有し
ないものであれば誘電体ミラーＤＭＬを省いてもよい。

第３図中に示されている光−光変換素子ＰＣＣｍにおけ
る加熱層ＨＥＬは、消去動作時に加熱用電＠ＨＥＣから
供給される電力によって発熱して、高分子材料に液晶を
分散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成されてい
る光変調材層部材ＨＬＭ中の液晶を溶融させる丸めのも
のであり、また、第４図乃至第５図中に示・されている
熱吸収層ＨＩＬは、消去動作時に消去用の光によって発
熱して、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メ
モリ膜を用いて構成されている光変調材層部材ＨＬＭ中
の液晶を溶融させるためのものである。

前記した第３図乃至第５図に示されている光−光変換素
子ＰＰＣｍにおける光変調材層部材ＨＬＭは、何れも高
分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜を用
いて構成されている。

前記した光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて光変調材層部
材ＨＬＭとして用いら九でいる高分子一液晶メモリ膜は
、第１図を参照して説明した光−光変換素子ＰＰＣｅに
おける光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分
子一液晶複合膜と同様に１例えば、メタクリル樹脂５ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニール
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂のような体
積抵抗率が１０１４Ω■以上の高分子材料中に、室温に
おいて液晶相を示し、かつ、高い体積抵抗率を有するネ
マティック液晶を分散させることによって構成させるこ
とができる。

そして、前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成の
ために使用される液晶としては、室温でネマチック相を
形成するものであれが、どのようなものが使用されても
よいが、体積抵抗率が高いもの、粘度が高いものが使用
されることは、情報を高いコントラスト比で再生させた
り、記録性能を高める上で良い結果を生じさせる。また
、前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成のために
使用される液晶としては高分子材料の融点よりも低い融
点のものが使用されることが必要である、ところで、前
記した光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて光変調材層部材
ＨＬ　Ｍとして用いられている高分子一液晶メモリ膜は
、第１図を参照して既述されている高分子一液晶複合膜
を使用して構成された光変調材層部材ＨＬＬが、それに
印加されている電界によって液晶の配向の状態が保持さ
れていたのとは異なり、光変調材層部材ＨＬＭに電界が
印加されて高分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向状態が
変化された後に、電界が除去されても高分子一液晶メモ
リ膜中の液晶の配向状態が変化しない、というメモリ機
能を備えているようなものとして作られるのである。

前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成要素の一つ
として用いられている液晶は、高分子一液晶メモリ膜Ｈ
ＬＭの他の構成要素として用いられている多孔質の高分
子材料膜中にランダムに分布している状態で形成されて
いる無数の微小な細孔中に封入された状態になされてい
るが、前記した高分子一液晶メモリ膜中の液晶によるメ
モリ機能は、液晶が閉じ込められている高分子材料中の
細孔の大きさを小さくして、高分子材料中の液晶に加え
られる細孔の壁の力が大きくすることによって得られる
ものと考えられており、前記の細孔が例えば０．５ミク
ロン程度以下の径のものとなされることは望ましい実施
の態様である。

前記のように高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高
分子材料膜中にランダムに分布して形成されている無数
の微小な細孔中に封入されている液晶に電界が印加され
て高分子一液晶メモリ膜が透明な状態になるような傾向
で液晶に生じた配向状態が前記した印加電界の除去後に
おいても保持され続けるというメモリ機能について補足
説明を行うと次の通りである。

細孔中に封入されている液晶分子は、細孔壁表面の力を
受けている状態で微小な細孔中にネマティック相の状態
で封入された状態になされている（細孔中に封入されて
いる液晶分子は細孔壁の表面の力を受けるが、細孔壁に
近い液晶分子になる程前記の力は大きく加わる。したが
って径の小さ′な細孔になる程−ｍ孔中に封入されてい
る液晶分子に加わる細孔壁の表面の力の影響が大になる
）が、前記のように細孔壁の表面の力を受けている状態
で細孔中に封入されている液晶に対して、ある閾値以上
の電界強度の電界が印加された場合には、細孔壁の表面
からの力を受けている状態で細孔中にネマティック相の
状態で封入されている液晶分子は、前記した細孔壁の表
面から加えられている力に抗して電界の方向に配向する
ように変位する。

そして電界の印加に対応して液晶分子に生じる変位の態
様は、印加される電界の強度に応じて変化し、液晶に印
加される電界が弱い状態のときは細孔壁の表面から加え
られている力が弱い液晶分子、すなわち、主として細孔
の中心部付近に位置する液晶分子だけが印加された電界
の方向に向くような傾向で変位し、液晶に印加される電
界の強度が次第に強くなるのにつれて、細孔壁の表面か
ら加えられている力が強い液晶分子、すなわち。

細孔壁に近くに位置する液晶分子も印加された電界の方
向に液晶の分子軸の方向が向くような傾向で変位すると
いう変位の態様で液晶分子が配向する。

それで、高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高分子
材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の微
小な細孔中にネマティック相の状態で封入されている液
晶分子は、電界の印加時に前記した細孔壁の表面から加
えられている力に抗して液晶の分子軸の方向が電界の方
向に向くような傾向で変位するような変位の態様で配向
されるが、前記のように印加された電界によって配向さ
れた液晶の分子は既述した細孔壁の表面の力によって、
そのままの姿態に保持されるから、前記分ように電界の
印加によって変化された液晶の配向の状態は印加された
電界が除去された後においても、そのままの状態に保持
されるためにメモリ機能を示すのである。

そして、液晶の配向の状態による情報の記憶状態を消去
するのには、光変調材層部材ＨＬＭとして使用されてい
る高分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と
高分子材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を
溶融させて等方性用とすることによって行うことが必要
とされ、前記のようにして溶融状態になされて等方性用
になっていた液晶は、時間の経過により冷却してネマテ
ィック相になり、その部分が不透明な状態に変化する。

まず、第３図に示されている本発明の撮像装置の実施例
において、光−光変換素子ＰＰＣｍの２つの透明電極Ｅ
ｔｌ、　ＥｔＺ間に電源ｖｂから電圧を与えて、散乱モ
ードで動作しうる光変調材層部材として構成されている
高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜に
よる光変調材層部材ＨＬＭ間に電界が加わるようにして
おき、また、光−光変換素子ＰＰＣｍにおける光導電層
部材ＰＣＬ側から図示されていない撮像レンズを介して
被写体の光学像を書込み光ＷＬとして光導電層部材ＰＣ
Ｌに結像させると、前記した光導電層部材ＰＣＬの電気
抵抗値はそれに到達した入射光による光学像と対応して
変化するために、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面には光導電層部材に結像した被写体の光
学像と対応した電荷像が生じる。

前記の状態において、電源ｖｂの電圧が印加されている
２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に、前記した光導電
層部材ＰＣＬに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜によ
る光変調材層部材ＨＬＭには、被写体の光学像と対応し
た電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。

この状態で光変調材層部材ＨＬＭとして用いられている
高分子一液晶メモリ膜では、前記の電荷像による電界に
より液晶の配向状態が変化し、被写体の電磁放射線像と
対応した液晶の配向状態の変化像が生じ、その配向の状
態が記憶される。

前記のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生じた電荷像による電界に基づき、光
変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜に被写体の電磁放射線像と対応して生じた液晶
の配向状態の変化像は、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとの境界面に生じている電荷像が除去されて
も、そのままの状態に保持されている。

第３図示の撮像装置において、それの光−光変換素子Ｐ
　Ｐ　Ｃｍにおける加熱層ＨＥＬ側から読出し光ＲＬを
図示されていないない光源から入射すると、その読出し
光ＲＬは加熱層ＨＥＬ→透明電極Ｅｔ２→光変調材層部
材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶メモリ膜→
誘電体ミラーＤＭＬの経路で誘電体ミラーＤＭＬに達し
、そこで反射された後に光変調材層部材ＨＬＭとして用
いられている高分子一液晶メモリ膜→透明電極Ｅｔ２の
経路で光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｍから出射する。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｍから出射され
た読出し光ＲＬは、光変調材層部材ＨＬＭとして用いら
れている高分子一液晶メモリ膜に生じている液晶の配向
状態の変化像と対応して光の強度が変化している状態の
ものになっている。

このように光−光変換素子ＰＰＣｍから出射する読出し
光ＲＬが被写体の光学像と対応して光強度が変化してい
る状態のものになっているから、光−光変換素子Ｐ　Ｐ
　Ｃｍから出射した読出し光ＲＬをそのまま投影レンズ
によってスクリーンに投影したり、光−光変換素子ＰＰ
Ｃｍから出射した読出し光ＲＬを光学系を介して光電変
換器に与えて電気信号に変換したり、あるいは光−光変
換素子ＰＰＣｍから出射した読出し光ＲＬを光学系を介
して光学的な記録媒体に与えて記録したりすることがで
きるのであり、従来の光−光変換素子からの読出し光の
ように、それを検光子によって光強度の変化している光
に変換してから利用している場合に比べて、構成の簡単
化が容易になるとともに、光を効率的に使用することが
できるという利点が得られる。

なお、読出し光ＲＬの光源としてはレーザ光源、白熱灯
、放電灯など、任意の光源からの光を用いることができ
る。また、読出し光ＲＬは微小な径の光束でも、大面積
の光束でも使用できることはいうまでもない。

次に、前記のようにして光変調材層部材ＨＬＭとして使
用されている高分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向の状
態によって記憶されている情報を消去するには、光変調
材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子一液晶メモ
リ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分子材料の融点と
の間の温度にまで・昇温しで、液晶を溶融させて等方性
相とすることによって行うことが必要とされるが、それ
は第３図示の実施例の撮像装置においては消去動作時に
加熱用電源ＨＥＣからの加熱用電力を光−光変換素子Ｐ
ＰＣｍの加熱層ＨＥＬ（この加熱層ＨＥＬと透明電極Ｅ
ｔ２とが兼用された構成のものとされもよい）に供給し
て加熱層ＨＥＬを発熱させ、光変調材層部材ＨＬＭとし
て使用されている高分子一液晶メモリ環を加熱して、高
分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分
子材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を溶融
させて等方性相とすることによって行うことができる。

なお、書込み動作時に光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（誘電体ミラーＤＭ
Ｌが使用されない場合には、電荷像は光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子
一液晶メモリ膜との境界面に生じることはいうまでもな
い）が残っている場合には、前記した加熱による高分子
一液晶メモリ膜における記憶の消去動作を行う以前に、
前記のその電荷像も消去することが必要であるが、前記
の電荷像の消去を行うためには例えば第２図に関して既
述したように、消去用の光源からの消去光をレンズを介
して透明電極Ｅｔｌ側から光−光変換素子ＰＰＣｍに入
射させて、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値を低下させ
るようにすればよく、この点は後述の第４図乃至第６図
示の実施例の場合でも同様である。なお、前記の消去動
作時に２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間を短絡した状
態にしておいても、あるいは開放状態にしておいても、
もしくは接地してもよい。

次に、第４図乃至第６図示の撮像装置の実施例において
は、それの構成部分に使用されている光−光変換素子Ｐ
ＰＣ：ｍの構成が、既述した第３図に示されている撮像
装置で使用している光−光変換素子ＰＰＣｍとは異なっ
ているが、第４図及び第６図に示されている撮像装置に
おける書込み動作と読出し動作とは、既述した第３図示
の実施例の撮像装置における書込み動作及び読出し動作
と同一であって、消去動作について異なるだけである。

すなわち、第４図乃至第６図示の撮像装置の実施例にお
いて使用されている光−光変換素子ＰＰＣｍでは、光変
調材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子一液晶メ
モリ膜中の液晶の配向の状態によって記憶されている情
報を消去するための消去動作に際して、光変調材層部材
ＨＬＭとして使用されている高分子一液晶メモリ膜中の
液晶をそれの融点の温度と高分子材料の融点との間の温
度にまで昇温させるための加熱作用が、消去光の照射に
よって生じる熱吸収ＭＨＩＬの昇温によって行われるよ
うな構成が採用されている点が既述の第３図示の撮像装
置の実施例において使用されている光−光変換素子ＰＰ
Ｃｍとは異なっているのである。

そして、第４図示の撮像装置における消去動作は、光−
光変換素子ＰＰＣｍにおける熱吸収ＭＨＩＬに、消去用
光源ＥＬＳからの消去光をレンズＬｅを介して照射する
ことにより行うようにしており、また、第５図示の撮像
装置における消去動作は、光−光変換素子ＰＰＣｍにお
ける熱吸収層ＨＩＬに、図示されていない消去用光源か
らの消去光ＥＬを透明電極Ｅｔｌと光導電層部材ＰＣＬ
とを介して照射することにより行うようにしており、さ
らに、第６図示の撮像装置における消去動作は、光−光
変換素子ＰＰＣｍにおける熱吸収層ＨＩＬに、消去用レ
ーザ光源ＥＬＳ　Ｑからの消去光を光偏向装置ＤＥＦに
よって所定の偏向態様で偏向し、それを反射鏡Ｍを介し
て照射することにより行うようにしている。

なお、第４図乃至第６図示の撮像装置中に使用されてい
る光−光変換素子ＰＰＣｍに設けるべき熱吸収層ＨＩＬ
は、それに生じた消去用の熱が変調材層部材ＨＬＭとし
て使用されている高分子−７液晶メモリ膜中の液晶を有
効に昇温できるようにできれば、光−光変換素子ＰＰＣ
ｍ中のどの部分に設けられていてもよいことは勿論であ
り、また前記の熱吸収１Ｉ（Ｉ”Ｌと電極とが兼用され
るような構成になされていてもよい。

これまでの実施例においては、撮像装置に使用されてい
る光−光変換素子における散乱モードで動作しうる光変
調材層部材として、高分子材料に高抵抗液晶を分散させ
た高分子一液晶複合膜を用いて構成した光変調材層部材
、及び高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモ
リ膜を用いて構成した光変調材層部材を使用した実施例
について説明したが、本発明の撮像装置の実施に際して
使用される光−光変換素子における散乱モードで動作し
うる光変調材層部材としては、例えばＰＬＺＴを用いて
構成した光変調材層部材が採用されてもよい。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の撮像装置は所定の電圧が印加された２枚の透明電極
の間に、少なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作
しろる光変調材層部材とによって構成した光−光変換素
子における光導電層部材側の透明電極を通して、撮像レ
ンズにより被写体の電磁放射線像を光導電層部材に結像
させて、光導電層部材と光変調材層部材との間に前記し
た被写体の電磁放射線像と対応する電荷像を生じさせる
手段と、前記の電荷像による電界によって前記した光変
調材層部材に光に対する散乱の度合いを生じさせる手段
と、電磁放射線を用いて前記した光変調材層部材におけ
る被写体の電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度
合いの変化像を読出す手段とを備えてなる撮像装置、及
び所定の電圧が印加された２枚の透明電極の間に、少な
くとも光導電層部材と、高分子材料に高抵抗液晶を分散
させた高分子一液晶複合膜を用いて構成した光変調材層
部材とによって構成した光−光変換素子における光導電
層部材側の透明電極を通して、撮像レンズにより被写体
の電磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光導電層
部材と光変調材層部材との間に前記した被写体の電磁放
射線像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電
荷像による電界によって前記した光変調材層部材の液晶
の配向状態を変化させて高分子一液晶複合膜に被写体の
電磁放射線像と対応した液晶の配向状態の変化像を生じ
させる手段と、電磁放射線を用いて前記した高分子一液
晶複合膜における被写体の電磁放射線像と対応した液晶
の配向状態の変化像を読出す手段と、消去用の電磁放射
線を用いて前記した電荷像を消去する手段とを備えてな
る撮像装置、ならびに所定の電圧が印加された２枚の透
明電極の間に、少なくとも光導電層部材と、高分子材料
に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成
した光変調材層部材とによって構成した光−光変換素子
における光導電層部材側の透明電極を通して撮像レンズ
により被写体の電磁放射線像を光導電層部材に結像させ
て、光導電層部材と光変調材層部材との間に前記した被
写体の電磁放射線像と対応する電荷像を生じさせる手段
と、前記の電荷像による電界によって前記した光変調材
層部材の高分子一液晶メモリ膜における液晶の配向状態
を変化させ、その変化した液晶の配向状態を高分子一液
晶メモリ膜に記憶させる手段と、前記した高分子一液晶
メモリ膜に記憶された被写体の電磁放射線像と対応した
液晶の配向状態の変化像を電磁放射線を用いて読出す手
段と、前記した前記した高分子一液晶メモリ膜における
液晶を溶融させるとともに、消去用の電磁放射線を用い
て前記した電荷像を消去する手段とを備えてなる撮像装
置であるから、この本発明の撮像装置では光−光変換素
子から出射する読出し光が被写体の光学像と対応して光
強度が変化している状態のものになっていて、光−光変
換素子から出射した読出し光をそのまま投影レンズによ
ってスクリーンに投影したり、光−光変換素子から出射
した読出し光を光学系を介して光電変換器に与えて電気
信号に変換したり、あるいは光−光変換素子から出射し
た読出し光を光学系を介して光学的な記録媒体に与えて
記録したりすることができるのであり。

従来の光−光変換素子からの読出し光のように、それを
検光子によって光強度の変化している光に変換してから
利用している場合に比べて、構成の簡単化が容易になる
とともに、光を効率的に使用することができるという利
点が得られ、また、良好な記憶機能を有する光−光変換
素子を用いていることにより、書込まれた情報を長時間
にわたって高解像度を有する静止画として出力すること
が可能であるという特徴を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第８図は本発明の撮像装置の実施例の側面図
、第９図は説明のための光−光変換素子の側面図、第１
０図は動画の撮像の説明に使用するタイミングチャート
である。 ０・・・被写体、Ｌ・・・撮像レンズ、ＰＰＣｅ、ＰＰ
Ｃｍ・・・光−光変換素子、Ｖｂ、Ｖｂｘ・・・電源、
ＷＬ・・・書込み光、ＲＬ・・・読出し光、Ｅｔｌ、Ｅ
ｔ２・・・透明電極、ＰＣＬ・・・光導電層部材、ＤＭ
Ｌ・・・誘電体ミラー、ＨＬＬ・・・高分子材料に高抵
抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成し
た光変調材層部材、ＥＬＳ・・・消去用の光源、ＥＬＳ
Ｑ・・・消去用のレーザ光源、ＬＳ・・・読出し光の光
源として使用されるレーザ光源、ＤＥＦ・・・光偏向器
、ＬＬ、Ｌ２・・・レンズ、ＰＤ・・・光電変換器、Ｌ
ｅ・・・レンズ、Ｆ・・・光学的な記録媒体、ＨＥＣ・
・・加熱用電源、ＥＬＳＩ２・・・消去用のレーザ光源
、Ｍ・・・反射鏡。 ＨＥＬ・・・加熱層、ＨＬＭ・・・高分子材料に液晶を
分散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変
調材層部材、ＨＩＬ・・・熱吸収層、ち８ の

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の電圧が印加された２枚の透明電極の間に、少
   なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変
   調材層部材とによって構成した光−光変換素子における
   光導電層部材側の透明電極を通して、撮像レンズにより
   被写体の電磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光
   導電層部材と光変調材層部材との間に前記した被写体の
   電磁放射線像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前
   記の電荷像による電界によって前記した光変調材層部材
   に光に対する散乱の度合いを生じさせる手段と、電磁放
   射線を用いて前記した光変調材層部材における被写体の
   電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度合いの変化
   像を読出す手段とを備えてなる撮像装置。 ２、所定の電圧が印加された２枚の透明電極の間に、少
   なくとも光導電層部材と、高分子材料に高抵抗液晶を分
   散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成した光変調材
   層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
   電層部材側の透明電極を通して、撮像レンズにより被写
   体の電磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光導電
   層部材と光変調材層部材との間に前記した被写体の電磁
   放射線像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の
   電荷像による電界によって前記した光変調材層部材の液
   晶の配向状態を変化させて高分子−液晶複合膜に被写体
   の電磁放射線像と対応した液晶の配向状態の変化像を生
   じさせる手段と、電磁放射線を用いて前記した高分子−
   液晶複合膜における被写体の電磁放射線像と対応した液
   晶の配向状態の変化像を読出す手段とを備えてなる撮像
   装置。 ３、所定の電圧が印加された２枚の透明電極の間に、少
   なくとも光導電層部材と、高分子材料に高抵抗液晶を分
   散させた高分子−液晶複合膜を用いて構成した光変調材
   層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
   電層部材側の透明電極を通して、撮像レンズにより被写
   体の電磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光導電
   層部材と光変調材層部材との間に前記した被写体の電磁
   放射線像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の
   電荷像による電界によって前記した光変調材層部材の液
   晶の配向状態を変化させて高分子−液晶複合膜に被写体
   の電磁放射線像と対応した液晶の配向状態の変化像を生
   じさせる手段と、電磁放射線を用いて前記した高分子−
   液晶複合膜における被写体の電磁放射線像と対応した液
   晶の配向状態の変化像を読出す手段と、消去用の電磁放
   射線を用いて前記した電荷像を消去する手段とを備えて
   なる撮像装置。 ４、所定の電圧が印加された２枚の透明電極の間に、少
   なくとも光導電層部材と、高分子材料に液晶を分散させ
   た高分子−液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部
   材とによって構成した光−光変換素子における光導電層
   部材側の透明電極を通して撮像レンズにより被写体の電
   磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光導電層部材
   と光変調材層部材との間に前記した被写体の電磁放射線
   像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電荷像
   による電界によって前記した光変調材層部材の高分子−
   液晶メモリ膜における液晶の配向状態を変化させ、その
   変化した液晶の配向状態を高分子−液晶メモリ膜に記憶
   させる手段と、前記した高分子−液晶メモリ膜に記憶さ
   れた被写体の電磁放射線像と対応した液晶の配向状態の
   変化像を電磁放射線を用いて読出す手段とを備えてなる
   撮像装置。 ５、所定の電圧が印加された２枚の透明電極の間に、少
   なくとも光導電層部材と、高分子材料に液晶を分散させ
   た高分子−液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部
   材とによって構成した光−光変換素子における光導電層
   部材側の透明電極を通して撮像レンズにより被写体の電
   磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光導電層部材
   と光変調材層部材との間に前記した被写体の電磁放射線
   像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電荷像
   による電界によって前記した光変調材層部材の高分子−
   液晶メモリ膜における液晶の配向状態を変化させ、その
   変化した液晶の配向状態を高分子−液晶メモリ膜に記憶
   させる手段と、前記した高分子−液晶メモリ膜に記憶さ
   れた被写体の電磁放射線像と対応した液晶の配向状態の
   変化像を電磁放射線を用いて読出す手段と、前記した前
   記した高分子−液晶メモリ膜における液晶を溶融させる
   とともに、消去用の電磁放射線を用いて前記した電荷像
   を消去する手段とを備えてなる撮像装置。