JPH0318813A - 電荷像記録媒体 - Google Patents

電荷像記録媒体

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JPH0318813A
JPH0318813A JP1153762A JP15376289A JPH0318813A JP H0318813 A JPH0318813 A JP H0318813A JP 1153762 A JP1153762 A JP 1153762A JP 15376289 A JP15376289 A JP 15376289A JP H0318813 A JPH0318813 A JP H0318813A
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Japan
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image recording
fatty acid
film
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JP1153762A
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English (en)
Inventor
Atsushi Nakano
淳 中野
Toshio Konno
昆野 俊男
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Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電荷像記録媒体に関する。
(従来の技術) 被写体を撮像して得た映像信号は、編集、トリミング、
その他の画像信号処理が容易であるとともに、記録再生
ならびに記録再生消去も容易であるという特徴を有して
いるために、放送の分野以外に多くの分野、例えば、印
刷、電子出版、計測などの多くの分野での利用も試みら
れるようになり、例えば動画のような複数の時間に対応
した光学像情報の撮像記録や、−枚の画像の撮像記録を
従来装置に比べて解像度が一層高い状態で行うことを可
能にする装置の出現が強く要望されるようになった。
しかし、撮像素子として各種の撮像管や各種の固体撮像
素子を使用している従来の一般的な撮像装置において、
撮像素子として撮像管を使用した撮像装置では、撮像管
における電子ビーム径の微小化に限界があって、電子ビ
ーム径の微小化による高解像度化が望めないということ
、及び、撮像管のターゲット容量はターゲット面積と対
応して増大するものであるために、ターゲット面積の増
大による高解像度化も実現できないこと、また、例えば
動画の撮像装置の場合には高解像度化に伴って映像信号
の周波数帯域が数十MHz〜数百MHz以上にもなるた
めにS/Nの点で問題になる。
等の理由によって、高画質・高解像度の再生画像を再生
させうるような映像信号を発生させることは困難であっ
たので、高画質・高解像度の再生画像を再生させつるよ
うな映像信号を良好に発生させることができる撮像装置
の出現が強く要望された。
また、各種の情報信号を高い記録密度で記録することに
ついての要望が高まるのにつれて、近年になって色々な
構成原理や動作原理に基づいて作られた記録媒体を用い
て情報信号の高密度記録再生が行われるようになり、従
来からピット形成型、泡あるいは凹凸形成型、光磁気型
、相変化型(熱エネルギにより光の透過率9反射率、吸
収率等に変化が生じる熱変態型)等のように大別できる
各種形式のものが提案されている他、記録、再生動作が
先具外のエネルギを用いて行われるようにする記録媒体
についての提案や、それらの記録媒体を用いた記録再生
装置についての各種提案もなされている。
そして1本出願人会社では先に、例えば被写体の光学像
に対応した光学像情報を撮像レンズにより可逆性を有す
る電荷像記録媒体に結像させて電荷像記録媒体に記録再
生の対象にされている情報を電荷像として記録し再生で
きるようにしたり、あるいは例えば記録の対象にされて
いる情報を電荷像記録媒体に高い解像度を有する電荷像
として記録し再生できるようにした各種の装置について
の提案を行っている。
第5図は電荷像記録媒体RMの従来例を例示するための
側面図であり、この第5図においてBPは電荷像記録媒
体RMの基板、Eは電極、IL。
(PMLQ)は絶縁性高分子材料膜(誘電体層)IL(
または、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶複
合膜を用いた光変調材層部材PMLQ)である。
前記した絶縁性高分子材料膜(誘電体層)ILとしては
、例えばメタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹
脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が1014Ω1以
上の高分子材料を用いて構成させると良く、また、高分
子材料に液晶を分散させた高分子一液晶複合膜よりなる
光変調材層部材PMLQとしては、例えば体積抵抗率が
I X 1013Ωlというように高い値を示すネマテ
ィック液晶を、体積抵抗率が1014Ω1以上の高分子
材料中に分散させて作った高分子一液晶複合膜が用いら
れるとよい。
第6図は電荷像記録媒体を用いて記録再生の対象にされ
ている情報を電荷像として記録する記録系の構成例を示
すブロック図であって、この第6図において1は被写体
、2は撮像レンズ、3は電源、WHは電極Etと光導電
層部材PCLとの積層構成からなる書込みヘッドであり
、また、RMは第5図を参照して既述したような構成態
様の電荷像記録媒体において、電荷の記録が誘電体層■
Lで行われるようになされている場合の電荷像記録媒体
であるとされている(第7図も同じ)。
前記した電極Et、Eはそれを例えば金属の薄膜、ネサ
膜などを用いて構成することができ、また光導電層部材
PCLとしては適当な光導電材料による薄膜によって構
成することができる。
第6図に示されている記録系において、前記した書込み
ヘッドWHにおける透明電極Etには電源3の負極が接
続されており、また、電荷像記録媒体RMの電極Eには
電源3の負極が接続されている。被写体1の光学像が撮
像レンズ2により書込みヘッドWHの光導電層部材PC
Lに結像されると、光導電層部材PCLの電気抵抗値は
、それに結像された被写体1の光学像に従って変化する
既述のように、前記した書込みヘッドWHにおける透明
電極Etと電荷像記録媒体RMにおける電極Eとの間に
は電13が接続されているから、前記のように光導電層
部材PCLの電気抵抗値が、それに結像された被写体】
、の光学像に従って変化することにより、書込みヘッド
WHの光導電層部材PCLと電荷像記録媒体RMにおけ
る誘電体層ILとの間の電圧が、前記した被写体1の光
学像に従って変化する。
そして書込みヘッドWHの光導電層部材PCLと電荷像
記録媒体RMにおける誘電体層ILとの間に生じる放電
によって電荷像記録媒体RMにおける誘電体層ILに形
成される電荷像は前記した被写体1の光学像に対応して
いるものになる。
第6図を参照して説明した記録系を用いるなどして記録
の対象にされている情報と対応する電荷像が記録された
電荷像記録媒体RMからの電荷像情報の読比しは、例え
ば、静電的な情報読出し手段あるいは光学的な情報読出
し手段を適用して行うことができる。
そして、前記した電荷像記録媒体RMからの電荷像情報
の読出しが、例えば光学的な情報読出し手段を適用して
行われる場合には、印加される電界強度により光の状態
が変化する光変調材を用いて構成された電荷像情報の読
取り素子(読取りヘッド)RHを用いて第7図に例示さ
れているようにして行われる。
電荷像記録媒体RMからの電荷像情報の読出しが光学的
な情報読出し手段の適用によって行われる光学的な情帽
読し装置iRAの構成例を示す第7図において、BPは
電荷像記録媒体RMの基板、Eは電荷像記録媒体の電極
、ILは電荷像記録媒体RMの誘電体層であり、前記の
電荷像記録媒体RMの誘電体層ILの面と対向する位置
には光学的な電荷像情報の読取り素子(読取りヘッド)
RHにおける誘電体ミラーDMLが位置されている。
第7図中に示されている読取りヘッドRHには、例えば
印加された電圧によって光の状態を変化させうるような
特性を有する光変調材層部材PML(例えば、電気光学
効果を有するニオブ酸すチュウム、あるいはツィステッ
ドネマチック液晶の層のような光変調用の材料層)の一
方の面に誘電体ミラーDMLを備えているとともに他方
の面に透明電極Etrを備えている読取り素子が設けら
れている。
第7図において前記した読取りヘッドRHの誘電体ミラ
ーDMLの面に電荷像記録媒体RMにおける誘電体N!
JILの面を近接させて、誘電体層IL上の電荷像の電
界が読取りヘッドRHの光変調材層部材PMLに与えら
れるようにし、また、読取りヘッドRHの透明電極Et
rから光変調材層部材PMLの他方の面から光を入射さ
せると、その光が光変調材層部材PMLを通過して誘電
体ミラーDMLで反射して、反射光が再び光変調材層部
材PMLを通過して入射した側の透明電極Etrから出
射する。
前記のように透明電極Etrから出射した光の状態(前
記の例の場合には偏光面の角度)と入射した光の状態(
前記の例の場合には偏光面の角度)とは、前記した電荷
像における電荷量と対応して変化しているものになって
いる。
それで、例えばレーザ光源4(またはハロゲンランプを
用いた光源4)から放射された光束を偏光子5に通過さ
せて直線偏光の光束としく前記の光源4が直線偏光のレ
ーザ光源の場合には偏光子5は使用しなくてもよい)で
から光偏向器6に入射させる。
そして、前記の光偏向器6では、それに入射された光束
をテレビジョン機器におけるデイスプレィで描かせるラ
スタのように直交する2方向に偏向している状態のもの
として出射させる。
前記のような状態のものとして光偏向器6から出射され
た光束は、入射光を平行光にして出射させるコリメータ
レンズ7により平行光となされて、その平行光束がビー
ムスプリッタ8に入射される。
ビームスプリッタ8に入射した光束はレンズ9で集光さ
れて前記した一読取りヘッドRHに入射される。そして
、前記した読取りヘッドRHにおける誘電体ミラーDM
L側には、記録情報を電荷像の形で記憶している電荷像
記録媒体RMにおける誘電体層ILの面が対面している
から、読取り素子における光変調材層部材PMLには前
記した誘電体ミラーDMLを介して電荷像記録媒体RM
における誘電体層ILの面に記録されている電荷像によ
る電界が与えられる。
それで、読取りヘッドRHにおける透明電極Etr側か
ら光が入射すると、その入射光は光変調材層部材PML
を通過して誘電体ミラーDMLにより反射して再び光変
調材層部材PMLを通過し、その光が透明電極Etrの
面から出射するが、前記した読取りヘッドからの出射光
の光の状態(前記の例の場合には偏光面の角度)は入射
光の光の状態(前記の例の場合には偏光面の角度)とは
、前記した電荷像記録媒体RMにおける電荷像の電荷量
と対応して変化しているものになっている。
前記のように読取りヘッドRHからの出射光は。
読取りヘッドへの入射光が記録情報を電荷像の形・で記
憶している電荷像記録媒体RMにおける電荷像の電荷量
に応じて偏光面の回転量が変化している状態のもので、
かつ、既述したコリメータレンズ7によって平行光の状
態になっている。
それで、読取りヘッドRHからの前記した出射光をレン
ズ9とビームスプリッタ8とを通過させてから集光レン
ズ10に入射させると、前記の集光レンズ10で集光さ
れた光束は常に同一の位置に集光する。
前記した集光レンズ10によって集光された光を、光学
的バイアスを設定するための波長板11と、偏光面の回
転量を明るさの変化に変換するための検光子12とを介
して、前記した集光レンズ10の集光点の位置に光電変
換器13を配置しておくと、前記の光電変換器13から
は電荷像記録媒体RMにおける二次元的な電荷像の各部
分の電荷量に応じて振幅が変化している映像信号が得ら
れる。
前記のように光電変換器13から出力される映像信号は
、電荷像記録媒体RMにおける高い精細度を有する二次
元的な電荷像における電荷量分布と対応しているものに
なっている。
なお、第5図に示されている電荷像記録媒体RMにおい
て電荷像の記録を行う構成部分が、高分子材料に液晶を
分散させた高分子一液晶複合膜を用いた光変調材層部材
PMLQの場合には、既述のように第7図に示されてい
る再生系における読取りヘッドRHは不用であるが、第
7図示の再生系は電荷像記録媒体RMからの反射光を読
取るような構成のものであるから、第7図示の再生系に
おける読取りヘッドRHを除去した状態で読取り動作が
行われるべき電荷像記録媒体RMの構成としては、電荷
像記録媒体RMに入射した光が高分子一液晶複合膜を用
いた光変調材層部材PML Qを一往復して集光レンズ
9に戻るように、電荷像記録媒体RMに反射部材(例え
ば誘電体ミラー)を備えているものが使用されるべきこ
とは勿論である。
(発明が解決しようとする課題) ところで、第6図及び第7図を参照して説明されている
ような記録再生動作が行われる!荷像記録媒体RMは、
それに電荷像が記録される部分の構成態様が誘電体層I
Lの場合でも、あるいは高分子材料に液晶を分散させた
高分子一液晶複合膜を用いた光変調材層部材PMLQの
場合でも、高い精細度の状態で電荷像を良好に記録でき
るのであるが、従来の電荷像記録媒体RMでは、それに
記録させた電荷像の電荷量が時間の経過によって次第に
減少して行き、例えば数時間乃至数日程度しか電荷像が
保持できないことも生じたので、長期間にわたって電荷
像を記憶しておくことのできる電荷像記録媒体の出現が
求められた。
(課題を解決するための手段) 本発明は少なくとも電極と絶縁性高分子材料膜とを積層
させてなる電荷像記録媒体における前記した絶縁性高分
子材料膜上に脂肪酸の薄膜または脂肪酸の金属塩の薄膜
を設けてなる電荷像記録媒体、及び、少なくとも電極と
高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶複合膜より
なる光変調材層部材とを積層させてなる電荷像記録媒体
における前記した光変調材層部材上に脂肪酸の薄膜また
は脂肪酸の金属塩の薄膜を設けてなる電荷像記録媒体を
提供する。
(作用) 絶縁性高分子材料膜上に設けられた脂肪酸の薄膜または
脂肪酸の金属塩の薄膜や、高分子材料に液晶を分散させ
た高分子一液晶複合膜よりなる光変調材層部材上に設け
られた脂肪酸の簿膜または脂肪酸の金属塩の薄膜が良好
な撥水作用を行って、前記した脂肪酸の薄膜または脂肪
酸の金属塩の薄膜上の電荷像を長期間にわたって保持さ
せる。
(実施例) 以下、添付図面を参照して本発明の電荷像記録媒体の具
体的な内容を詳細に説明する。第1図及び第2図は本発
明の電荷像記録媒体のそれぞれ異なる実施例の側面図、
第3図はLB法で作られたY膜の説明図、第4図は電荷
の保持特性を説明するための特性側図、第5図は従来の
電荷像記録媒体の側面図である。
第1図及び第2図に示されている本発明の電荷像記録媒
体において、BPは基板、Eは透明電極(例えばITO
膜)、CLは脂肪酸の薄膜または脂肪酸の金属塩の薄膜
(被膜CL)であり、また、第1図においてILは絶縁
性高分子材料膜(誘電体膜)であり、さらに第2図にお
いてPML Ilは高分子材料に液晶を分散させて構成
した高分子一液晶複合膜を用いた光変調材層部材である
そして、第1図及び第2図に示されている本発明の電荷
像記録媒体RMにおいて、前記した基板BPとしては、
適当な高分子材料が用いられるが、電荷像記録媒体が透
過型のものとして構成される場合には、基板BPは読出
し光に対して透明な材料が用いられ、また、電荷像記録
媒体が反射型のものとして構成される場合、すなわち、
光変調材層部材として用いられている高分子一液晶複合
膜中を読出し光が一往復できるように誘電体ミラーを備
えて電荷像記録媒体が構成される場合には、基板BPと
しては読出し光に対して不透明なものが使用されてもよ
い。
また第1図に示されている電荷像記録媒体RMにおける
絶縁性高分子材料膜(誘電体膜)ILとしては、例えば
アセテート、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニ
ル、塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリカーボネート
、ポリエステル、四弗化エチレン、ポリ弗化ビニル、ポ
リイミド、エチレン−酢酸ビニル重合体、ポリメチルメ
タクリレート、アクリロニトリル、スチレン共重合体、
ポリウレタン、ポリビニルブチラール、ポリ−4−メチ
ルペンテン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ジアリル
フタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリ弗化ビニリデン
、ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチ
レン、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ボリアリレ
ート、イソプレンゴム、スチレン−ブタジェンゴム、ブ
タジェンゴム、エチレン−プロピレンゴム、ブチルゴム
、三酢酸セルロース、アセチルブチルセルロース、AB
S樹脂、ポリブテン−1,メタクリル酸メチル−スチレ
ン共重合体、無水マレイン酸−スチレン共重合体などが
使用できる。
また、第2図に示されている電荷像記録媒体RMにおい
て光変調材層部材PMLQとして使用されている高分子
一液晶複合膜は1例えば、メタクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂
、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率
が10″4Ω1以上の高分子材料中に、室温において液
晶相を示し、かつ、高い体積抵抗率を有するネマティッ
ク液晶を分散させることによって構成されている。
前記した光変調材層部材PMLQとして用いられる高分
子一液晶複合膜の製作例について述べると次のとおりで
ある。
(1)英国BDH社製の室温ネマティック液晶E−44
を3グラム計量し、前記した3グラムの室温ネマティッ
ク液晶E−44を20グラムのPMMAのクロロホルム
10%溶液に添加して攪拌した後に静置する。
透明電極EとしてITOの膜を形成させた基板BPを充
分に洗浄し、前記した基板BPにおけるIT’O膜によ
る透明電極E上に、前記のように静置しておいた液晶を
含むPMMAのクロロホルム溶液をバーコータにより塗
布して高分子一液晶複合膜による光変調材層部材PML
Dを構成させる。
前記した高分子材料としては前記したP MMAの他に
、溶剤に溶けてフィルム状に塗布することができ、かつ
、高い体積抵抗率を有する高分子材料であれば何でもよ
いが、特に透明度の良好なポリカーボネート、PEIな
とは良好に使用できるのである(この点は後述されてい
る(2)、(3)の他の実施例についても同様である)
(2)チッソ株式会社製の室温ネマティック液晶LIX
ON5017(またはLIXON5028)を3グラム
計量し、前記した3グラムの室温ネマ−r イア ’)
液晶L I X0N5017(またはLIXON502
8 )を10重量%の20グラムノPMMAのクロロホ
ルム溶液に添加して攪拌した後に静置する。
透明電極EとしてITOの膜を形成させた基板BPを充
分に洗浄し、前記した基板BPにおけるITO膜による
透明電極E上に、前記のように静置しておいた液晶を含
むPMMAのクロロホルム溶液をバーコータによって8
ミクロンの厚さに塗布して高分子一液晶複合膜による光
変調材層部材PML Qを構成させる。
(3)メルク・ジャパン社製の室温ネマティック液晶Z
LI4277を3グラム計量し、前記した3グラムの室
温ネマティック液晶ZLI4277をを10重量%の2
0グラムのPMMAのクロロホルム溶液に添加して攪拌
した後に静置する。
透明電極EとしてITOの膜を形成させた基板BPを充
分に洗浄し、前記した基板BPにおけるITO膜による
透明電極E上に、前記のように静置しておいた液晶を含
むPMMAのクロロホルム溶液をバーコータによって8
ミクロンの厚さに塗布して高分子一液晶複合膜による光
変調材層部材PML Qを構成させる。
前記した(1)〜(3)の製作例の内で製作例の(2)
(3)で使用しているネマティック液晶は、それの比抵
抗がI X 10”Ω1というように高い値を示すもの
であるために、その液晶を分散させる高分子材料として
体積抵抗率が1014Ω1以上のものを用いて作られた
高分子一液晶複合膜による光変調材層部材PMLΩを備
えた電荷像記録媒体では高い解像度の画像情報の書込み
読比し動作を行うことができる。
すなわち、高分子一液晶複合膜を用いた光変調材層部材
において、多くのイオンを含んでいるために体積抵抗率
の低い液晶が用いられた場合には、光変調材層部材に印
加された電界によって液晶に含まれているイオンが移動
して、光変調材層部材に電界を与えている電荷像による
電界の強度を低下させるために、液晶分子の光学軸の傾
きが減少し、前記した液晶分子の光学軸の傾きの減少に
よって電荷像による電界が乱れて電荷像の解像度の劣化
が生じるのであるが、前記した実施例の(2)。
(3)で使用しているネマティック液晶のように、それ
の比抵抗がI X 1013Ω】というように高い値を
示すものであり、また、その液晶を分散させる高分子材
料として体積抵抗率が10”Ω1以上のものを用いて作
られた高分子一液晶複合膜にょる光変調材層部材PML
Rを備えた電荷像記録媒体では、液晶には多くのイオン
が含まれていないためにイオンによる前述のような不都
合な動作が行われず、したがって本発明の電荷像記録媒
体では、高い解像度の画像情報の書込み読出し動作が行
われるのである。
次に、第1図示されている本発明の電荷像記録媒体RM
における絶縁性高分子材料膜(M電体膜)IL上に設け
られる脂肪酸の薄膜または脂肪酸の金属塩の薄膜CL及
び第2図示されている本発明の電荷像記録媒体RMにお
ける高分子一液晶複合膜による光変調材層部材PMLQ
上に設けられる脂肪酸の薄膜または脂肪酸の金属塩の薄
膜CLとしては、例えば、ステアリン酸などの脂肪酸、
あるいはステアリン酸の金属塩などの薄膜を用いること
ができる。
第1図及び第2図に示されている本発明の電荷像記録媒
体RMにおける絶縁性高分子材料膜(誘電体膜)IL上
または高分子一液晶複合膜による光変調材層部材PML
Q上に脂肪酸あるいは脂肪酸の金属塩の薄膜CLを形成
させる方法について、第1図及び第2図に示されている
本発明の電荷像記録媒体RMにおける絶縁性高分子材料
膜(誘電体膜)IL上または高分子一液晶複合膜による
光変調材層部材PMLQ上に脂肪酸の金属塩の薄膜CL
を形成させる場合を例にして説明すると次のとおりであ
る。
(1)第1図及び第2図に示されている本発明の電荷像
記録媒体RMにおける絶縁性高分子材料膜IL上または
高分子一液晶複合膜による光変調材層部材PMLQ上に
、ステアリン酸鉄(m)の溶融塩を塗布した後に、余分
なステアリン酸鉄(m)の溶融塩を布などを用いてこす
り落すと、前記した絶縁性高分子材料膜IL上または高
分子一液晶複合膜による光変調材層部材PMLQ上には
厚さが数十人のステアリン酸鉄(m)の被11icLが
形成される。
(2)超純水に炭酸水素酸カリウム(KHCO,)を添
加してPHを6.4に調整し、これにCd(11゜を添
加して1.OXlo−3moQ/41の水溶液を作製し
てサブフェイズとする。
次に、充分に精製を繰返したステアリン酸のクロロホル
ム溶液を前記したサブフェイズに展開し、溶媒が蒸発し
たことを確認した後に、バリヤーを用いて表面圧が30
dyne/cmに達するまでゆっくりと圧縮を行う。
表面圧が30dyne/amに達した段階で、第1図及
び第2図に示されている本発明の電荷像記録媒体RMに
おける絶縁性高分子材料膜IL上または高分子一液晶複
合膜による光変調材層部材PMLQ上に4層構造のステ
アリン酸カドミウムのYlllを累積して被膜CLを形
成させる。
第3図は、第1図及び第2図に示されている本発明の電
荷像記録媒体RMにおける絶縁性高分子材料HIL上ま
たは高分子一液晶複合膜による光変調材層部材PMLQ
上に構成された4層構造のステアリン酸カドミウムのY
膜を模式化して示した図である。
ところで、第1図及び第2図に示されている本発明の電
荷像記録媒体RMにおける絶縁性高分子材料膜IL上ま
たは高分子一液晶複合膜による光変調材層部材PMLQ
上に、前記した(1)の方法によって厚さ数十人のステ
アリン酸鉄(m)の被膜CLを形成させた電荷像記録媒
体に、コロナ帯電器によってプラス電荷で889ボルト
に帯電させた後に、前記の電位が時間の経過につれてど
のように低下するのかをみたところ、第1図及び第2図
に示されている本発明の電荷像記録媒体RMにおける絶
縁性高分子材料膜IL上または高分子一液晶複合膜によ
る光変調材層部材PMLQ上に。
前記した(1)の方法によって厚さ数十人のステアリン
酸鉄(m)の被膜CLを形成させた電荷像記録媒体にお
ける表面電位の低下の状態は第4図中の曲線1Nのよう
になることが判かった。
第4図中の曲線Iは、電荷像記録媒体RMにおける絶縁
性高分子材料膜IL上に溶融塩による被膜CLを構成さ
せていない従来の電荷像記録媒体、(第5図参照)にコ
ロナ帯電器によってプラス電荷で889ボルトに帯電さ
せた後における時間の経過に対する表面電位の低下の状
態を示した図であり、この第4図中の曲線I、IIを比
較すれば、本発明の電荷像記録媒体RM、すなわち、絶
縁性高分子材料膜IL上または高分子一液晶複合膜によ
る光変調材層部材PMLQ上に、溶融塩による被膜CL
を構成させた電荷像記録媒体RMでは、従来の電荷像記
録媒体(第5図参照)に比べて、非常に長期間にわたり
電荷像の保持が良好に行われることが判かる。
また、第1図及び第2図に示されている本発明の電荷像
記録媒体RMにおける絶縁性高分子材料膜IL上または
高分子一液晶複合膜による光変調材層部材PMLQ上に
、前記した(2)の方法によって構成された4層構造の
ステアリン酸カドミウムのY膜による被膜CLを形成さ
せた電荷像記録媒体RMについて、コロナ帯電器によっ
てプラス電荷で889ボルトに帯電させた後に、前記の
電位が時間の経過につれてどのように低下するのかをみ
たところ、前記した(1)の方法によって電荷像記録媒
体RMにおける絶縁性高分子材料膜IL上または高分子
一液晶複合膜による光変調材層部材PMLi上に厚さ数
十人のステアリン酸鉄(III)の被膜CLを形成させ
た電荷像記録媒体における時間の経過に対する表面電位
の低下の状態に比べて、さらに表面電位の低下が少ない
という良好な結果が得られた。
前記したように、本発明の電荷像記録媒体RMにおける
絶縁性高分子材料1lIIL上または高分子一液晶複合
膜による光変調材層部材PMLfl上に。
脂肪酸または脂肪酸の金属塩の被膜CLを構成させた場
合に、前記した脂肪酸または脂肪酸の金属塩の被膜CL
を構成させていない構成の電荷像記録媒体に比べて、電
荷保持時間を極めて長くできるのは、脂肪酸または脂肪
酸の金属塩の被膜CLによる撥水性によるものと考えら
れる。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の電荷像記録媒体は少なくとも電極と絶縁性高分子材
料膜とを積層させてなる電荷像記録媒体における前記し
た絶縁性高分子材料膜上に脂肪酸の薄膜、または脂肪酸
の金属塩の薄膜を設けてなる電荷像記録媒体、及び少な
くとも電極と高分子材料に液晶を分散させた高分子一液
晶複合膜よりなる光変調材層部材とを積層させてなる電
荷像記録媒体における前記した光変調材層部材上に脂肪
酸の薄膜、または脂肪酸の金属塩の薄膜を設けてなる電
荷像記録媒体であるから、絶縁性高分子材料膜上に設け
られた脂肪酸の薄膜または脂肪酸の金属塩の薄膜や、高
分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶複合膜よりな
る光変調材層部材上に設けられた脂肪酸の薄膜または脂
肪酸の金属塩の薄膜が良好な撥水作用を行って5前記し
た脂肪酸の薄膜または脂肪酸の金属塩の薄膜上の電荷像
を長期間にわたって保持させることができるのであり、
既述した従来の電荷像記録媒体RMで。
それに記録させた電荷像の電荷量が時間の経過によって
次第に減少して行き、例えば数時間乃至数日程度しか電
荷像が保持できないという問題点は本発明によれば良好
に解決できる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の電荷像記録媒体のそれぞれ
異なる実施例の側面図、第3図はLB法で作られたYl
llの説明図、第4図は電荷の保持特性を説明するため
の特性側図、第5図は従来の電荷像記録媒体の側面図、
第6図は記録系のブロック図、第7図は再生系のブロッ
ク図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、少なくとも電極と絶縁性高分子材料膜とを積層させ
    てなる電荷像記録媒体における前記した絶縁性高分子材
    料膜上に脂肪酸の薄膜を設けてなる電荷像記録媒体 2、少なくとも電極と絶縁性高分子材料膜とを積層させ
    てなる電荷像記録媒体における前記した絶縁性高分子材
    料膜上に脂肪酸の金属塩の薄膜を設けてなる電荷像記録
    媒体 3、少なくとも電極と高分子材料に液晶を分散させた高
    分子−液晶複合膜よりなる光変調材層部材とを積層させ
    てなる電荷像記録媒体における前記した光変調材層部材
    上に脂肪酸の薄膜を設けてなる電荷像記録媒体 4、少なくとも電極と高分子材料に液晶を分散させた高
    分子−液晶複合膜よりなる光変調材層部材とを積層させ
    てなる電荷像記録媒体における前記した光変調材層部材
    上に脂肪酸の金属塩の薄膜を設けてなる電荷像記録媒体 5、脂肪酸または脂肪酸の金属塩の薄膜をラングミュア
    ・プロジェット法によって構成させた請求項1乃至4の
    何れかに記載の電荷像記録媒体
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05281530A (ja) * 1992-04-02 1993-10-29 Pilot Corp:The 手書き液晶ボードセット

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05281530A (ja) * 1992-04-02 1993-10-29 Pilot Corp:The 手書き液晶ボードセット
JP2580431B2 (ja) * 1992-04-02 1997-02-12 株式会社パイロット 手書き液晶ボードセット

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