JPH0325735A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は情報記録媒体に関する． （従来の技ｗ＃） 各種の情報信号を高い記録密度で記録することについて
の要望がＫまるのにつれて、近年になって色々な構成原
理や動作原理に基づいて作られた情報記録媒体を用いて
情報信号の高密度記録再生が行われるようになり、従来
から例えば情報記録媒体の記録層に情報信号によって強
度変調された記録用ビームを照射することにより、情報
記録媒体における記録層に情報信号に応じた物理変化あ
るいは化学変化を生じさせて情報信号の記録が行われる
ようにした情報記録媒体として、光学的及びまたは電気
的特性（光の透過率，反射率，吸収率，電気抵抗、その
他の特性）の異なる２つ以上の安定な構造状態を有して
おり，外部から光学的，１ｓ気的，熱的エネルギの印加
によって．前記した安定な構造状態間での転移を起こす
材料（無機材料，有機材料）を、基板上に蒸着法あるい
はスパッタリング法を適用して成膜して記録層に用いる
ようにした相変化型に属する情報記録媒体についても，
１回だけユーザが追加して記録できる光ディスク（追記
型光ディスク）や消去可能な光ディスクなどとして、オ
フィス用ファイルメモリ、その他の用途での実用化のた
めに盛んに研究開発が行われている他、光磁気型、ピッ
ト形或型，泡あるいは凹凸形成型，光磁気型等のように
大別できる各種形式のものが提案されていることは周知
のとおりであり、また，最近になって記録の対象にされ
ている情報信号を高解像度の電荷像として記録できる情
報記録媒体として光変調機能を有する電荷保持層を備え
たものについての提案もなされている．（発明が解決し
ようとする課題） ところが．従来の多くの情報記録媒体においては、真空
蒸着法．あるいはスパッタリング法などの適用により記
Ｓ層が成膜される必要があるために、製造設備が大掛か
りなものになるという問題点がある他に、所定の特性を
備えている情報記録媒体を歩留り良く大量生産すること
が簡単にはできないという点が問題になり、また，記録
層の構成に使用される記録材料が毒性を有していたり、
記録層の保存性（耐候性）が不良であったりする点など
の問題点も指摘されており、さらに情報記録媒体として
合金系の結晶間の転移を利用するものはエネルギの吸収
効率が悪く、記録感度が低いという欠点があり、さらに
また有機系の記録材料を用いたものでは良好な特性のも
のが得られないという点が問題になっている． また、記録の対象にされている情報信号を高解倣度の電
荷像として記録できる情報記録媒体として光変調機能を
有する電荷保持層を備えたものについても，電荷保持層
上に電荷が保持されていないと記録された電荷像を光学
像として読出すことができないが、電荷保持層上の電荷
を空気中において長期間にわたり保持させることが困難
であるために、それの改善策が求められた． （課題を解決するための手段） 本発明は記録の対象にされている情報と対応する強度を
有する電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前
記した印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が
保持される状態となされるように、高分子材料中に液晶
を分散させて構或した高分子−液晶メモリ膜を備えてな
る情報記録媒体を提供する． （作用） 記録の対象にされている情報と対応する強度を有する電
界を情報記録媒体に印加すると，情報記録媒体における
高分子一液晶メモリ膜における液晶は、それに印加され
た電界強度に応じた配向状態とされる．そして前記の配
向状態は前記した印加電界が除去された後においてもそ
のまま保持される． 前記のようにして記録の対象にされている情報が，情報
記録媒体における高分子一液晶メモリ膜における液晶の
配向状態として記憶されている記録済み記録媒体は、記
録の対象にされている情報と対応して光の透過状態（ま
たは反射状態）を変化させるから、情報記録媒体に読出
し光を投射すると、投射された読出し光が高分子一液晶
メモリ膜を通過した透過光（または高分子一液晶メモリ
膜からの反射光）は情報記録媒体における高分子一液晶
メモリ膜に記録されている情報に従って光量が変化して
いる状態の光として光学像情報が読出される． （実施例） 以下，添付図面を参照して本発明の情報記録媒体の具体
的な内容を詳細に説明する．第１図及び第２図は本発明
の情報記録媒体のそれぞれ異なる実施例の側面図、第３
図及び第４図は情報記録媒体に対する情報の記録動作を
説明するための記録系のブロック図，第５図は記録済み
記録媒体からの情報の再生動作を説明するためのブロッ
ク図である． 第１図及び第２図に示されている本発明の情報記録媒体
ＲＭにおいてＢＰは基板、Ｅは透明電極（例えばＩＴＯ
Ｗ４）．ＨＬＭは高分子−液晶メモリ膜であり、また、
第２図においてＩＬは誘電体層である， 前記した基板ＢＰとしては，適当な高分子材料が用いら
れるが、情報記録媒体ＲＭが透過型のものとして構成さ
れる場合には，基板ＢＰは読出し光に対して透明な材料
が用いられる．また、情報記録媒体ＲＭが反射型のもの
として構威される場合、すなわち、高分子一液晶メモリ
膜｝ｉ　Ｌ　Ｍ中を読出し光が一往復できるようにｉＷ
Ｗ１体ミラーを備えて情報記録媒体ＲＭが構成される場
合には、基板ＢＰとしては読出し光に対して不透明なも
のが使用されてもよい． また，前記した高分子一液晶メモリＷＡＨＬＭは，例え
ば，メタクリル樹脂，ポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ート’ＩＩ　ｆｆｉ！　．塩化ビニール樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリエチレンａｍ．ボリプロビレン樹脂２ポリ
スチレン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が１Ｏ
Ｌ４Ω信以上の高分子材料中に７室温において液晶相を
示し、かつ、高い体積抵抗率を有するネマティック液晶
を分散させることによって構成されている． また、前記した第２図中に示されている誘電体層ＩＬと
しても、例えば，メタクリル樹脂，ポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、塩化ビニール樹脂，ボリアミド
樹脂、ポリエチレン樹脂、ボリプロビレン樹脂、ボリス
チレン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が１．０
ｉ４Ω個以上の高分子材料による薄膜が使用されてもよ
い．次に、高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭとして用いられ
る本発明の情報記録媒体ＲＭの製作例について述べると
次のとおりである． （１）チッソ株式会社製の室温ネマティック液晶ＬＩＸ
ＯＮ５０１７（またはＬＩＸＯＮ５０２８）を３グラム
計量し、前記した３グラムの室温ネマティック液晶ＬＩ
ＸＯＮ５０１７（またはＬＩＸＯＮ５０２Ｂ　）を１０
重量％の２０グラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添
加して攪拌した後に静誼する． 透明電極ＥとしてＩＴＯの膜を形成させた基板Ｂ　Ｐを
充分に洗浄し、前記した基板ＢＰにおけるＩＴＯ膜によ
る透明１！極Ｅ上に、前記のように静置しておいた液晶
を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液をバーコータによっ
て８ミクロンの厚さに塗布して高分子一液晶メモリ膜Ｈ
　Ｌ　ＭをＩＮ威させる．前記した高分子材料としては
前記したＰＭＭＡの他に、溶剤に溶けてフィルム状に塗
布することがで゛き、かつ．高い体積抵抗率を有する高
分子材料であれば何でもよいが，特に透明度の良好なポ
リカーボネート，ポリエーテルイミドなどは良好に使用
できるのである（この点は後述されている（２）の実施
例についても同様である）．このようにして第１図に示
されている構戊態様の情報記録媒体ＲＭが作られる。ま
た第２図示の情報記録媒体ＲＭは，前記した第１図示の
清報記録媒体Ｒ　Ｍにおける高分ｒ一液晶メモリ膜ＨＬ
Ｍの上曲に例えばＰ　Ｍ　Ｍ　Ａの薄膜によって誘電体
層ＩＬ４を形成させることによって得られる６（２）メ
ルク・ジャパン社製の室温ネマティック液晶ＺＬＩ４２
７７を３グラム計量し、前記した３グラムの室温ネマテ
ィック液晶ＺＬＩ４２７７を１０重量％の２０グラムの
ＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添加して攪拌した後に静
霞する．透明１！極ＥとしてＩＴＯの膜を形成させた基
板ＢＰを充分に洗浄し、前記した基板ＢＰにおけるＩＴ
ＯＷ４による透明ｉｔｔ４Ｅ上に，前記のように静虹し
ておいた液晶を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液をバー
コータによって８ミクロンの厚さに塗布して高分子−液
晶メモリ膜ＨＬＭを構成させる．このようにして第ｌ図
に示されている構成態様の情報記録媒体ＲＭが作られる
。また、第２図示の情報記録媒体ＲＭは，前記した第ｌ
図示の情報記録媒体ＲＭにおける高分子−液晶メモリ［
ＨＬＭの上面に例えばＰＭＭＡの薄膜によって誘電体層
Ｉ　Ｔ，を形成させることによって得られる．前記した
高分子材料に液晶を分散させた高分子−液晶メモリ１１
！ＩＨＬＭは、大面積に成膜することも容易であるため
に、本発明の情報記録媒体ＲＭは従来の情報記録媒体Ｒ
Ｍに比べて製作が容易である．また、前記した（１），
　（２）の実施例で使用しているネマティック液晶は、
それの比抵抗がＬＸ１０１１Ωｃｍというように高い値
を示すものであるためしこ、その液晶を分散させる高分
子材料として体積抵抗率が１０１４Ω―以上のものを用
いて作られた高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭを備えた情報
記７録媒体ＲＭではコントラスト比の良好な画像情報の
書込み読出し動作を行うことができる．すなわち、高分
子一液晶メモリ膜が多くのイオンを含んでいるために体
積抵抗率の低い液晶が用いられた場合には、高分子−液
晶メモリ膜に印加された電界によって液晶に含まれてい
るイオンが移動して、高分子一液晶メモリ膜に電界を与
えている電荷像による電界の強度を低下させるために，
液晶分子の光学軸の傾きが減少し、前記した液晶分子の
光学軸の傾きの減少によってコントラスト比の劣化が生
じるのであるが，前記した実施例の（１），（２）で使
用しているネマティック液晶のように，それの比抵抗が
ＩＸＩＯ”Ω備というように高い値を示すものであり、
また、その液晶を分散させる高分子材料として体積抵抗
率が１０Ｌ４Ω備以上のものを用いて作られた高分子−
液晶メモリ膜を備えた情報記録媒体ＲＭでは、液晶には
多くのイオンが含まれていないためにイオンによる前述
のような不都合な動作が行われず、したがって本発明の
情報記録媒体ＲＭでは良好なコントラスト比で情報の書
込み読出し動作が行われるのである． 前記のようにして作られた本発明の情報記録媒体ＲＭに
おいて、それの高分子一液晶メモリｗＡＨＬＭの構或要
素の一つとして用いられている液晶は、高分子−液晶メ
モリ膜ＨＬＭの他の構成要素として用いられている多孔
質の高分子材料膜中にランダムに分布している状態で形
威されている無数の微小な細孔中に封入された状態にな
されている． そして，前記した高分子−液晶メモリ膜Ｈ　Ｌ　Ｍにお
いて液晶を封入させた状態でランダムに存在している高
分子材料膜における無数の微小な細孔は、情報記録媒体
ＲＭによって高密度記録再生が実現できるように前記の
細孔の径は小さい方がよく，前記の細孔が例えば０．５
ミクロン程度以下の径のものとなされることは望ましい
実施の態様である． また，前記した高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭの構或のた
めに使用される液晶としては，室温でネマチック相を形
成するものであれが，どのようなものが使用されてもよ
いが、体積抵抗率が高いもの，粘度が高いものが使用さ
れることは，情報記録媒体ＲＭに記録された記録情報を
高いコントラスト比で再生させたり、記録性能を高める
上で良い結果を生じさせる． さらに，前記した高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭの構成の
ために使用される液晶として、高分子材料の融点よりも
低い融点のものが使用されることは，情報記録媒体ＲＭ
に記録された情報が消去できるような情報記録媒体ＲＭ
を構成させる上で有利である．なお、前記した高分子一
液晶メモリ膜ＨＬＭの製作例の（１）で使用されていた
チッソ株式会社製の室温ネマティック液晶ＬＩＸＯＮ５
０１７の融点８工．６℃と，チッソ株式会社製の室温ネ
マティック液晶ＬＩＸＯＮ５０２８の融点１０２．３℃
とは、ともに高分子材料として使用されたＰＭＭＡの融
点よりも低いものである．次に、前記した本発明の情報
記録媒体ＲＭに対する情報信号の記録動作、情報記録媒
体ＲＭに記録された情報信号の再生動作、情報記録媒体
ＲＭに記録された情報信号の消去動作などについて順次
に説明する． まず、本発明の情報記録媒体ＲＭに対する情報信号の記
録動作について、第３図及び第４図に例示されている記
録系を参照して説明すると次のとおりである． 第３図は被写体０の光学像を記録再生の対象にされてい
る情報として情報記録媒体に記録させるようにする場合
の記録系の構成例を示すブロック図であり、また，第４
図は情報信号＠ＳＯから供給される情報信号を記録再生
の対象にされている情報として情報記録媒体に記録させ
るようにする場合の記録系の構或例を示すブロック図で
ある．第３図においてＯは被写体、Ｌは撮像レンズ、ｖ
ｂは電源、ＷＨは電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬとの
積層構或からなる書込みヘッド、ＲＭは情報記録媒体で
ある．なお，第３図及び第４図に示されている記録系で
は第１図示のような構或形態の情報記録媒体ＲＭに対し
て情報の記録動作が行われるものとして図示されている
が，第２図示の構成形態の情報記録媒体ＲＭに対する情
報の記録動作も同様に行われることはいうまでもない．
第３図に示されている記録系において、前記した書込み
ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗには電源ｖｂの正極
が接続されており，また、情報記録媒体ＲＭの電極Ｅに
は電源ｖｂの負極が接続されている． 被写体０の光学像が撮像レンズＬにより書込みヘッドＷ
Ｈの光導電層部材ＰＣＬに結像されると、光導電層部材
ＰＣＬの電気抵抗値は，それに結像された被写体Ｏの光
学像に従って変化する．既述のように，前記した書込み
ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔと情報記録媒体ＲＭに
おける電極Ｅとの間には電源ｖｂが接続されているから
、前記のように光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、そ
れに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化すること
により、書込みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬと情報
記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間の電界強度分布は被
写体Ｏの光学像と対応しているものとなる． それで、前記のように書込みヘッドＷＨの光導電層部材
ＰＣＬと情報記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間の電界
中に置かれている情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモ
リＩＩ！ＨＬＭには、被写体Ｏの光学像と対応している
強度分布を示す電界が印加されることになるから、情報
記録媒体ＲＭの高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭにおけるネ
マテイック液晶、すなわち、情報記録媒体ＲＭの高分子
−液晶メモリＩＩＨＬＭにおける多孔貿の高分子材料膜
中にランダムに分布して形成されている無数の微小な細
孔のそれぞれの中に封入された状態のネマティック液晶
は、それに印加される電界強度がある閾値を超えている
状態において、それに印加される電界強度が大きくなる
のに従って高分子一液晶メモリＩＩＨＬＭの透明度が増
加している状態となるように電界強度の大きさに従って
配向の状態が変化する． 前記のように高分子一液晶メモリＩＩＩＨＬＭに印加さ
れた電界によって変化した細孔中の液晶の配向の状態は
、前記した電界が除去されてもそのままの状態に保持さ
れる． すなわち、本発明の情報記録媒体ＲＭにおいて、それの
高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭにおける多孔質の高分子材
料膜中にランダムに分布して形成されている無数の微小
な細孔のそれぞれの中に封入されているネマティック液
晶は、それにある閾値以上の電界が印加される以前には
、細孔壁表面の力を大きく受けている液晶分子も含めて
全体としてネマティック相の状態で微小な細孔中に封入
された状態になされている（細孔中に封入されている液
晶分子は細孔壁の表面の力を受けるが、細孔壁に近い液
晶分子になる程前記の力は大きく加わる．したがって径
の小さな細孔になる程，細孔中に封入されている液晶分
子に加わる細孔壁の表面の力の影響が大になる）． 前記のように細孔壁の表面の力を受けている状態で細孔
中に封入されている液晶に対して、ある閾値以上の電界
強度の電界が印加された場合には、細孔壁の表面からの
力を受けている状態で細孔中にネマティック相の状態で
封入されている液晶分子は、前記した細孔壁の表面から
加えられている力に抗して電界の方向に配向するように
変位する．そして電界の印加に対応して液晶分子に生じ
る変位の態様は、印加される電界の強度に応じて変化し
，液晶に印加される電界が弱い状態のときは細孔壁の表
面から加えられている力が弱い液晶分子、すなわち、主
として細孔の中心部付近に位置する液晶分子だけが印加
された電界の方向に向くような傾向で変位し、液晶に印
加される電界の強度が次第に強くなるのにつれて、細孔
壁の表面から加えられている力が強い液晶分子、すなわ
ち、細孔壁に近くに位置する液晶分子も印加された電界
の方向に液晶の分子軸の方向が向くような傾向で変位す
るという変位の態様で液晶分子が配向する． このように本発明の情報記録媒体ＲＭでは，それの高分
子−液晶メモリ膜Ｈ　Ｌ　Ｍにおけるネマティック液晶
，すなわち，情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリ膜
Ｈ　Ｌ　Ｍにおける多孔質の高分子材料膜中にランダム
に分布して形成されている無数の微小な細孔中にネマテ
ィック相の状態で封入されている液晶分子は、電界の印
加時に前記した細孔壁の表面から加えられている力に抗
して液晶の分子軸の方向が電界の方向に向くような傾向
で変位するような変位の態様で配向されるが，前記のよ
うに印加された電界によって配向された液晶の分子は既
述した細孔壁の表面の力によって、そのままの姿態に保
持されるから、前記のように電界の印加によって変化さ
れた液晶の配向の状態は印加された電界が除去された後
においても、そのままの状態に保持されるのであり．本
発明の情報記録媒体ＲＭでは記録の対象にされている情
報が電界強度の変化の形で与えられることにより、その
記録の対象にされている情報を高分子一液晶メモリ膜Ｈ
　Ｌ　Ｍにおける多孔質の高分子材料膜中にランダムに
分布して形成されている無数の微小な細孔中にネマテイ
ック相の状態で封入されている液晶分子の配尚の状態と
して記憶できるのである８次に、第４図に例示されてい
る記録系の動作にいて説明する．第４図に例示した記録
系は第１図示のような構或態様を有する本発明の情報記
録媒体ＲＭに、情報信号源ＳＯから供給される情報｛１
号を記録再生の対象にされている情報として情報記録媒
体に記録させるようにする場合の記録系の構成例を示す
ブロック図であり、図においてＥｓは記録針（記録電極
）である。

この第４図示の記録系では、情報信号＠　Ｓ　Ｇから例
えばアナログ信号形態の記録信号、あるいはデジタル信
号形態の記録信号が記録針Ｅｓに供給されることにより
、記録針Ｅｓと情報記録媒体ＲＭの電極Ｅとの間に記録
の対象にされている情報と対応して強度が変化する電界
が印加されるごとにより、情報記録媒体ＲＭの高分子一
液晶メモリ＠　Ｈ　Ｌ　Ｍにおけるネマテイツク液晶、
すなわち７情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリ膜Ｈ
ＬＭにおける多孔質の高分子材料膜中にランダムに分布
して形或されている無数の微小な細孔のそれぞれの中に
封入された状態のネマテイック液晶は、それに印加され
る電界強度がある閾値を超えている状態において，それ
に印加される電界強度が大きくなるのに従って高分子−
液晶メモリＩＩＨＬＭの透明度が増加している状態とな
るように電界強度の大きさに従って配向の状態が変化し
，第３図を参照して説明した記録系による場合と同様に
、記録の対象にされている情報は，情報記録媒体ＲＭの
高分子一液晶メモリｉｌｌ　Ｈ　Ｌ　Ｍにおける多孔質
の高分子材料膜中にランダムに分布して形威されている
無数の微小な細孔中にネマテイック相の状態で封入され
ている液晶分子の配向の状態として記憶できるのである
． なお、第４図における記録針Ｅｓと情報記録媒体ＲＭと
は、情報信号の記録時に所定の走査態様となるように相
対的に変位されるものであることはいうまでもない． 前記のようにして記録の対象にされている情報が記録さ
れた記録済み情報記録媒体ＲＭからの記録情報の再生（
読出し）は、記録済み情報記録媒体ＲＭに再生光ＲＬを
照射させることによっ’Ｔ．．　ｔ’ｒうこεができる
． 第５図は記録済み情報記録媒体ＲＭに再生光ＲＭを照射
し丁、、記録済み情報記録媒体ＲＭからの透過光を光電
変換装置ＰＥＣによって電気信＞）・＆：．変換するよ
うレニした場合の再生系の構威例を示すブロック図であ
る． なお、情報の再生に際しては再生光ＲＭを大面積のもの
とし，光電変換装Ｗ　ＩＮ　Ｅ　Ｃとして２次元イメー
ジセンサを用いたり，または，再生光Ｒ　Ｌを微小面積
のものとして情報記録媒体ＲＭを所定の走査態様で走査
して光電変換装置ＰＥＧに与えたり、あるいは再生光Ｒ
Ｌを記録済み情報記録媒体ＲＭに照射させて得た記録済
み情報記録媒体ＲＭからの反射光を光電変換装置Ｐ　Ｅ
　Ｃに供給したりするなどして、情報を電気イ＃ｔ号の
形態で得て利用したり、再生光ＲＬを記録済み情報記録
媒体ＲＭに照射させて得た記録済み情報記録媒体ＲＭか
らの透過光、または再生光ＲＬを記録済み情報記録媒体
ＲＭに照射させて得た記録済み情報記録媒体ＲＭからの
反射光などを光情報出力として利用したりすることがで
きる。

次に、前記した記録済み情報記録媒体ＲＭに記録された
情報は、記録済み情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモ
リ膜ＨＬＭにおける多孔質の高分子材料膜中にランダム
に分布して形或されている無数の微小な細孔中に封入さ
れている液晶が、その液晶の融点以上で、かつ，高分子
材料の融点よりも低い温度に加熱されるようにして，前
記の液晶を等方性相の状態に戻し、それが冷却された状
態でネマティック相に戻されることにより消去できる． すなわち、前記のように記録済み情報記録媒体ＲＭの高
分子一液晶メモリ膜Ｈ　Ｌ　Ｍにおける多孔質の高分子
材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の微
小な細孔中に封入されている液晶かを、その液晶の融点
以上で、かつ，高分子材料の融点よりも低い温度に加熱
すると、液晶分子は細孔壁の表面からの力に打勝つ活発
な熱運動によって等方性相の状態になされ、それが冷却
されてネマティック相の状態に戻されることにより記録
済み記録媒体ＲＭの消去動作が行われるのであり、情報
記録媒体ＲＭの高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭは不透明状
態に戻される． （発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように本発明
の情報記録媒体は、記録の対象にされている情報と対応
する強度を有する電界の印加に応じた配向状態となされ
，かつ、前記した印加電界が除去された状態でも前記の
配向状態が保持される状態となされるように，高分子材
料中に液晶を分散させて構威した高分子一液晶メモリ膜
を備えてなる情報記録媒体、及び記録の対象にされてい
る情報と対応する強度を有する電界の印加に応じた配向
状態となされ、かつ，前記した印加電界が除去された状
態でも前記の配向状態が保持される状態となされるよう
に、高分子材料中に前記の高分子材料よりも低い融点を
有する液晶を分散させて構威した高分子一液晶メモリ膜
を備えてなる情報記録媒体であるから、本発明の情報記
録媒体ＲＭでは、それの高分子−液晶メモリｌｌｉＨＬ
Ｍにおけるネマテイック液晶、すなわち、情報記録媒体
Ｒ　Ｍの高分子−液晶メモリ膜ＨＬＭにおける多孔質の
高分子材料膜中にランダムに分布して形威されている無
数の微小な細孔中にネマテイツク相の状態で封入されて
いる液晶分子は，電界の印加時に前記した細孔壁の表面
から加えられている力に抗して液晶の分子軸の方向が電
界の方向に向くような傾向で変位するような変位の態様
で配向されるが、前記のように印加された電界によって
配向された液晶の分子は既述した細孔壁の表面の力によ
って，そのままの姿態に保持されるから，前記のように
電界の印加によって変化された液晶の配向の状態は印加
された電界が除去された後においても、そのままの状態
に保持されるのであり、本発明の情報記録媒体ＲＭでは
、記録の対象にされている情報が電界強度の変化の形で
与えられることにより，その記録の対象にされている情
報を高分子−液晶メモリｆｉＨＬＭにおける多孔質の高
分子材料膜中にランダムに分布して形成されている無数
の微小な細孔中にネマティック相の状態で封入されてい
る液晶分子の配向の状態として記憶できるのであり、ま
た、前記した記録済み情報記録媒体ＲＭに記録された情
報は、そられに光を照射することにより情報によって光
が強度変調された状態の信号として容易に再生でき、さ
らに、前記した記録済み情報記録媒体ＲＭに記録された
情報は、記録済み情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモ
リＩＩＩＨＬＭにおける多孔貿の高分子材料膜中にラン
ダムに分布して形成されている無数の微小な細孔中に封
入されている液晶が、その液晶の融点以上で、かつ、高
分子材料の融点よりも低い温度に加熱されるようにする
ことにより前記の液晶を等方性相としてから冷却してネ
マテイック相の状態に戻して消去することができ、さら
にまたネマティック液晶として、それの比抵抗がｌ　Ｘ
　１　０”Ωａというように高い値を示すものを使用し
，その液晶を分散させる高分子材料として体積抵抗率が
１０”Ω０以上のものを用いて構成させた高分子一液晶
メモリ膜ＨＬＭを備えた情報記録媒体ＲＭでは、液晶に
多くのイオンが含まれていないためにイオンによる前述
のような不都合な動作が行われず，良好なコントラスト
比で情報の書込み読出し動作が行われるのである． このように本発明の情報記録媒体によれば、既述した諸
問題点が良好に解決される情報記録媒体を容易に提供す
ることができる．

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の情報記録媒体のそれぞれ異
なる実施例の側面図，第３図及び第４図は情報記録媒体
に対する情報の記録動作を説明するための記録系のブロ
ック図、第５図は記録済み記録媒体からの情報の再生動
作を説明するためのブロック図である． ＲＭ・・・情報記録媒体．ＢＰ・・・基板．Ｅ，Ｅｔｗ
・・・透明電極、ＨＬＭ・・・高分子一液晶メモリ膜、
ＩＬ・・・誘電体層，Ｏ・・・被写体，Ｓａ・・・情報
信号源．Ｌ・・・撮像レンズ，■ｂ・・・電源．ＷＨ・
・・書込みヘッド、ｐｃｒ＝・・・光導電層部材、ＰＥ
Ｃ・・・光電変換装誼、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、記録の対象にされている情報と対応する強度を有す
   る電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前記し
   た印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が保持
   される状態となされるように、高分子材料中に液晶を分
   散させて構成した高分子−液晶メモリ膜を備えてなる情
   報記録媒体 ２、記録の対象にされている情報と対応する強度を有す
   る電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前記し
   た印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が保持
   される状態となされるように、高分子材料中に前記の高
   分子材料よりも低い融点を有する液晶を分散させて構成
   した高分子−液晶メモリ膜を備えてなる情報記録媒体 ３、液晶を分散させる高分子材料として体積抵抗率が１
   ０＾２＾４Ωｃｍ以上のものを用いた請求項１または２
   に記載の情報記録媒体 ４、高分子材料中に分散させる液晶として、ネマティッ
   ク型で室温で液晶相を示し、かつ、体積抵抗率が１０＾
   １＾２Ωｃｍ以上のものを用いた請求項１または２に記
   載の情報記録媒体