JP2004103203A - 両面高密度情報記憶媒体 - Google Patents

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廖 文 毅
Chih-Ming Lin
林 志 銘
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Abstract

【課題】高密度で高容量の両面高密度情報記録媒体を提供する。
【解決手段】青色光と同等かより短い波長の短波長レーザー・ピックアップヘッドを使用して読み書きされる両面高密度情報記憶媒体であって、両面にランドアンドグルーブ表面を有する基板100と、基板100の第1の面のランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第1記録スタック110と、基板100の第2の面のランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第2記録スタック120と、第1記録スタック110および第2記録スタック120をそれぞれ覆うカバー層130とを有することを特徴とする両面高密度情報記憶媒体。
【選択図】      図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報記憶媒体に関し、特に、短波長レーザー・ピックアップヘッドを用いてデータの読み込みおよび書き込みを行う両面高密度情報記憶媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
コンピュータ、通信、一般電子機器など、いわゆる3C製品に用いられる記憶媒体は、高密度化し、また記録容量が増加している。
【0003】
光学情報記憶媒体の一つとして、1982にフィリップスとソニーによってそのスペックが提案されたコンパクトディスク(CD)は、広く受け入れられて使用されている。
【0004】
マルチメディアは、来たるべきデジタル時代におけるオーディオ/ビデオ(AV)などを含むアプリケーションとして、ユーザーから期待されている。
【0005】
このための情報記録媒体として、データ記録領域の高記憶密度化、および記録容量の高容量化の要求が高まっている。
【0006】
特に、従来のCDスペックは、デジタルAVにもはや充分でない。たとえば、ビデオコンパクトディスク(VCD)は、1時間のAV情報を記録することができるだけであり、しかも画像品質は、通常のビデオテープよりはるかに悪い。
【0007】
フィリップスおよびソニーは合意に達して、他会社とともに、1996年4月に、デジタル多用途ディスク(DVD)のスペックを提案した。
【0008】
このDVDスペックによれば、単一のDVDにおけるデータ記憶容量が4.7GBであり、通常のCDの容量である650MBをはるかに超える。そして、このDVDを読み込んで再生するためのハードウェアが、その規格の機器として発売されている。また、多くの関連したDVDスペックが、開発されている。
【0009】
一方、画像信号を集積化し、より高いAV品質を追求するために、高解像度テレビジョン(HDTV)の技術が開発され、このための高品質なHDTV信号を扱うための新しいAV規格が誕生した。
【0010】
HDTVは、1920×1080の解像度、16:9を使用するディスプレイスクリーン、30または60スクリーン/秒のリフレッシュレート(従来のテレビシステムのリフレッシュレートは24または30スクリーン/秒である)を採用した新規なビデオ信号画像スペックをサポートしている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、HDTV信号を扱う場合、光ディスクの記憶容量がボトルネックとなる。
【0012】
4.7GBのDVDがHDTVのための高品質のAV信号に使われる場合、一枚のディスクには40分の情報しか記録することができない。
【0013】
このため、DVDの使用は、このようなHDTV時代において非常に制約されるものとなる。
【0014】
また、光学情報記憶媒体のためのピックアップ光源としては、これまで赤色レーザーが通常使われている。しかし、赤色レーザーは光学干渉のために記憶密度に対しての制限がある。
【0015】
光ピックアップ・ヘッドの焦点スポット・サイズと波長は相関がある。ピックアップ・レーザ光源の波長を短くすると、焦点スポット・サイズは小さくすることができる。そして、ディスクの単位領域当たりの記録容量が増加する。
【0016】
高容量の光学情報記憶媒体のための規格、たとえば高密度のDVD(HD−DVD)の規格として、青または紫色のより短い波長を有するレーザー光を用いた光ピックアップ・ヘッドが、さまざまな会社から提案されている。
【0017】
これらのことから、短波長レーザーを使用する光ディスク規格とその構成が、今後の光学情報記憶媒体を開発する主なストリームであることがわかる。
【0018】
そこで本発明の目的は、青または紫色などのより短い波長を有するレーザー光を用いた光ピックアップ・ヘッドをデータの読み書きに利用した高密度で高容量の両面高密度情報記録媒体を提供することである。
【0019】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の構成により達成される。
【0020】
(1)青色光と同等かより短い波長の短波長レーザー・ピックアップヘッドを使用して読み書きされる両面高密度情報記憶媒体であって、両面にランドアンドグルーブ表面を有する基板と、前記基板の第1の面のランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第1記録スタックと、前記基板の第2の面のランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第2記録スタックと、を有することを特徴とする両面高密度情報記憶媒体。
【0021】
(2)前記基板は、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリマー樹脂、ガラス、およびアルミニウムからなる群から選択された少なくとも一つの材料よりなることを特徴とする。
【0022】
(3)前記基板の厚みが0.85〜1.3mmであることを特徴とする。
【0023】
(4)前記基板の厚みが0.95〜1.1mmであることを特徴とする。
【0024】
(5)前記基板は、片方の面にランドアンドグルーブ表面を有する2枚の基板を張り合わせたものであることを特徴とする。
【0025】
(6)前記2枚の基板の厚みは、それぞれが0.4〜0.65mmであることを特徴とする。
【0026】
(7)前記2枚の基板の厚みは、それぞれが0.45〜0.55mmであることを特徴とする。
【0027】
(8)前記第1記録スタックおよび第2記録スタックの表面には、カバー層が設けられていることを特徴とする。
【0028】
(9)前記情報記録層は、相転移材料、有機材料、および光磁気材料からなる群から選択された少なくと一つを有することを特徴とする。
【0029】
(10)前記情報記録層は、光学的および/または熱的に強化された層をさらに有することを特徴とする。
【0030】
(11)青色光と同等かより短い波長の短波長レーザー・ピックアップヘッドを使用して読み書きされる4つの記録層を有する両面高密度情報記憶媒体であって、第1の面に第1ランドアンドグルーブ表面を有し、第2の面に第2ランドアンドグルーブ表面を有する基板と、前記基板の前記第1の面の前記第1ランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第1記録スタックと、前記第1記録スタック上に形成され、その表面に第3ランドアンドグルーブ表面を有する第1セパレータ層と、前記第1セパレータ層上の前記第3ランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第2記録スタックと、前記基板の前記第2の面の前記第2ランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第3記録スタックと、前記第3記録スタック上に形成され、その表面に第4ランドアンドグルーブ表面を有する第2セパレータ層と、前記第2セパレータ層上の前記第4ランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第4記録スタックと、を有することを特徴とする両面高密度情報記憶媒体。
【0031】
(12)前記基板は、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリマー樹脂、ガラス、およびアルミニウムからなる群から選択された少なくとも一つの材料よりなることを特徴とする。
【0032】
(13)前記基板の厚みが0.85〜1.3mmであることを特徴とする。
【0033】
(14)前記基板の厚みが0.95〜1.1mmであることを特徴とする。
【0034】
(15)前記基板は、片方の面にランドアンドグルーブ表面を有する2枚の基板を張り合わせたものであることを特徴とする。
【0035】
(16)前記2枚の基板の厚みは、それぞれが0.4〜0.65mmであることを特徴とする。
【0036】
(17)前記2枚の基板の厚みは、それぞれが0.45〜0.55mmであることを特徴とする。
【0037】
(18)前記第1セパレータ層および第2セパレータ層の厚みは、0.1〜100μmであることを特徴とする。
【0038】
(19)前記第1セパレータ層および第2セパレータ層の厚みは、10〜40μmであることを特徴とする。
【0039】
(20)前記第2記録スタックおよび第4記録スタックの表面には、カバー層が設けられていることを特徴とする。
【0040】
(21)前記情報記録層は、相転移材料、有機材料、および光磁気材料からなる群から選択された少なくと一つを有することを特徴とする。
【0041】
(22)前記情報記録層は、光学的および/または熱的に強化された層をさらに有することを特徴とする。
【0042】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態における両面高密度情報記録媒体を示す図面である。
【0043】
この両面高密度情報記録媒体は、その両面にランドアンドグルーブ表面を有する基板100を有する。ランドアンドグルーブは、レーザートラッキングのためのもので、溝(グルーブ)と、この溝に対して相対的に突出した凸部(ランド)により構成されている。なお、基板100の一方の面を第1の面、他方の面を第2の面と称する(以下、他の実施の形態においても同様とする。)。
【0044】
基板100の第1の面のランドアンドグルーブ表面には第1記録スタック110を有し、基板100の第2の面のランドアンドグルーブ表面には第2記録スタック120を有する。
【0045】
第1記録スタック110および第2記録スタック120は、両方とも少なくとも一つの情報記録層を含む。
【0046】
第1記録スタック110および第2記録スタック120は、いずれもその上にカバー層130を有し、このカバー層130により保護されている。
【0047】
カバー層130の厚みは、たとえば、70〜125μmである。また、基板100の厚みは、たとえば、0.85〜1.3mm、より好ましくは0.95〜1.1mmである。
【0048】
以上のように、本第1の実施の形態は2つの記録層を持つ両面高密度情報記憶媒体が得られる。この2つの記録層を持つ両面高密度情報記憶媒体は、青色光と同等かより短い波長の短波長レーザーを使用するピックアップヘッドを用いてデータの読み書きが行われる。
【0049】
(第2の実施の形態)
図2は、本発明の第2の実施の形態である、4つの記録層を有する両面高密度情報記憶媒体を示す図面である。
【0050】
この4つの記録層を有する両面高密度情報記憶媒体は、両側にランドアンドグルーブ表面を有する基板200を用いている。ここで、基板200の第1の面側のランドアンドグルーブ表面を第1ランドアンドグルーブ表面とし、第2の面側のランドアンドグルーブ表面を第2ランドアンドグルーブ表面とする。
【0051】
基板200の第1の面側の第1ランドアンドグルーブ表面には第1記録スタック210を有し、さらにこの第1記録スタック210の上に第1セパレータ層220が形成されている。
【0052】
そして、第1セパレータ層220の上には、型を用いて第3ランドアンドグルーブ表面が形成されていて、その上に第2記録スタック230が形成されている。
【0053】
一方、基板200の第2の面側の第2ランドアンドグルーブ表面には、第3記録スタック240が形成されている。
【0054】
この第3記録スタック240上にも、前記同様に第2セパレータ層250が形成されている。
【0055】
そして、第2セパレータ層250上にはさらに第4ランドアンドグルーブ表面が形成されて、そこに第4記録スタック260が形成されている。
【0056】
第1〜第4記録スタックは、いずれも少なくとも一つの情報記録層を含む。
【0057】
第1の面側の第2記録スタック230、および第2の面側の第4記録スタック260は、いずれもカバー層270でおおわれて保護されている。
【0058】
カバー層の厚みは、たとえば70〜125μmである。また、基板200の厚みは、前記第1の実施の形態と同様に、たとえば、0.85〜1.3mm、好ましくは0.95〜1.1mmである。さらに、前記第1セパレータ層220および第2セパレータ層250の厚みは、0.1〜100μm、より好ましくは10〜40μmである。
である。
【0059】
以上のように本第2の実施の形態は、4つの記録層を有する両面高密度情報記憶媒体である。この4つの記録層を有する両面高密度情報記憶媒体は、青色光と同等かより短い波長の短波長レーザー・ピックアップヘッドを使用して読み書きされる。
【0060】
(第3の実施の形態)
図3は、本発明による第3の実施の形態による両面高密度情報記憶媒体を示す図面である。
【0061】
本第3の実施の形態では、一方の表面のみにランドアンドグルーブ表面を有する基板300を2枚使用する。この2枚の基板の厚みは、それぞれがたとえば、0.4〜0.65mm、好ましくは、0.45〜0.55mmである。
【0062】
それぞれの基板300のランドアンドグルーブ表面には、少なくとも一つの情報記録層を含む記録スタック310がそれぞれ形成されている。それぞれの記録スタック310上はカバー層320によって保護されている。
【0063】
このカバー層320の厚みは、たとえば、70〜125μmである。
【0064】
この2枚の基板300は、それぞれのランドアンドグルーブ表面が互いに表面となるように配置され、ランドアンドグルーブ表面が形成されていない面同士が接着材層330によって貼り合わされて、2つの記録層を有する両面高密度情報記憶媒体となる。この両面高密度情報記憶媒体は青色光と同等かより短い波長の短波長レーザー・ピックアップヘッドを使用して読み書きされる。
【0065】
(第4の実施の形態)
図4は、本発明の第4の実施の形態である、4つの記録層を有する両面高密度情報記憶媒体を示す図面である。
【0066】
本第4の実施形態は、図4に示すように、4つの記録層を有する両面高密度情報記憶媒体である。
【0067】
本第4の実施の形態では、片面のみにランドアンドグルーブ表面を有する2枚の基板400を使用し、各基板400のランドアンドグルーブ表面上には、それぞれ記録スタック410を形成している。
【0068】
2枚の基板の厚みは、それぞれがたとえば、0.4〜0.65mm、好ましくは、0.45〜0.55mmである。
【0069】
それぞれの記録スタック410上にはさらにセパレータ層420が設けられていて、各セパレータ層420は、その表面に型を使用してランドアンドグルーブ表面が形成されている。各セパレータ層の厚みは、0.1〜100μm、より好ましくは10〜40μmである。
【0070】
そして、セパレータ層420上のランドアンドグルーブ表面には、それぞれ記録スタック430が形成されている。
【0071】
セパレータ層420によって分離されている各記録スタック410および430はそれぞれ少なくとも一つの情報記録層を含む。
【0072】
そして、各基板400は、外部にランドアンドグルーブ表面が向くようにして接着材層450を使用して結合されている。
【0073】
また、それぞれの記録スタック430の表面は、カバー層440によって保護されている。
【0074】
これにより、4つの記録層を持つ両面高密度情報記憶媒体が提供される。
【0075】
以上4つの実施の形態を説明したが、これら実施の形態において共通して使用される部材について以下に説明する。
【0076】
まず、基板は、たとえば、ポリカーボネート(PC)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリマー樹脂、ガラスまたはアルミニウムから選ばれる少なくとも一つの材料を用いることができる。
【0077】
片面に複数の記録スタックを設ける場合(第2および第4の実施の形態)に設けられている、各記録スタックを切り離すためのセパレータ層は、たとえば、エポキシ、PMMA、またはポリエステルなどが使用される。
【0078】
また、基板は、射出成形技術を使用して製造されることができる。
【0079】
そして、基板上、およびセパレータ層上のランドアンドグルーブ表面は、型コピーを使用して製造される。
【0080】
各々の記録スタックは、少なくとも一つの情報記録層を有する。
【0081】
情報記録層は、さまざまな種類の材料により作ることができる。
【0082】
たとえば、情報記録層は、複数回の記録、再生を達成するためには相転移材料、有機材料または光磁気材料から選択することができる。
【0083】
さらに、情報記録層には、光学的および/または熱的に強化された層(たとえば誘電層、金属層、および熱支援層)を差し込むことができる。
【0084】
金属層の材料は、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、およびシリコンの何か、またはこれらを組み合わせた合金から選択される。
【0085】
ここで、このような記録スタックの構造例を説明する。
【0086】
図5は、記録スタックの一例として、前述した第2の実施の形態における第1記録スタックの構造を示す図面である。
【0087】
この記録スタックは、基板200の上に、厚さ20〜200nmの金属層211、厚さ10〜150nmの誘電層212、厚さ3〜30nmの相転移材料記録層213、および厚さ10〜150nmの誘電層214を積層した構造となっている。
【0088】
このような記録スタックにおいて、レーザー光線は、誘電層214、相転移材料記録層213、誘電層212を通過して、最後に金属層211に達する。
【0089】
各実施の形態における情報記録媒体の製造には、短波長レーザー・ピックアップヘッドにより読み書きされる情報記憶媒体を作るために利用可能な光ディスク製造プロセスを利用する。
【0090】
【発明の効果】
以上説明した本発明によれば、短波長レーザー・ピックアップヘッドを使用してデータの読み書きを行うことのできる、高密度、高容量の情報記録媒体を提供することができる。
【0091】
特に、4つの記録スタックを有する記憶媒体媒体は、単位媒体領域当たりのデータ記憶容量を増加させで、情報記憶容量をよりいっそう高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における情報記録媒体を説明するための図面である。
【図2】本発明の第2の実施の形態における情報記録媒体を説明するための図面である。
【図3】本発明の第3の実施の形態における情報記録媒体を説明するための図面である。
【図4】本発明の第4の実施の形態における情報記録媒体を説明するための図面である。
【図5】記録スタックの構造の一例を示す図面である。
【符号の説明】
100、200、300、400…基板
110、210…第1記録スタック
120、230…第2記録スタック
220…第1セパレータ層
212、214…誘電層
213…相転移材料記録層
240…第3記録スタック
250…第2セパレータ層
260…第4記録スタック
130、270、320、440…カバー層
310、410、430…記録スタック
330、450…接着材層
420…セパレータ層

Claims (22)

  1. 青色光と同等かより短い波長の短波長レーザー・ピックアップヘッドを使用して読み書きされる両面高密度情報記憶媒体であって、
    両面にランドアンドグルーブ表面を有する基板と、
    前記基板の第1の面のランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第1記録スタックと、
    前記基板の第2の面のランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第2記録スタックと、
    を有することを特徴とする両面高密度情報記憶媒体。
  2. 前記基板は、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリマー樹脂、ガラス、およびアルミニウムからなる群から選択された少なくとも一つの材料よりなることを特徴とする請求項1記載の両面高密度情報記憶媒体。
  3. 前記基板の厚みが0.85〜1.3mmであることを特徴とする請求項1または2記載の両面高密度情報記憶媒体。
  4. 前記基板の厚みが0.95〜1.1mmであることを特徴とする請求項1または2記載の両面高密度情報記憶媒体。
  5. 前記基板は、片方の面にランドアンドグルーブ表面を有する2枚の基板を張り合わせたものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の両面高密度情報記憶媒体。
  6. 前記2枚の基板の厚みは、それぞれが0.4〜0.65mmであることを特徴とする請求項5記載の両面高密度情報記憶媒体。
  7. 前記2枚の基板の厚みは、それぞれが0.45〜0.55mmであることを特徴とする請求項5記載の両面高密度情報記憶媒体。
  8. 前記第1記録スタックおよび第2記録スタックの表面には、カバー層が設けられていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の両面高密度情報記憶媒体。
  9. 前記情報記録層は、相転移材料、有機材料、および光磁気材料からなる群から選択された少なくと一つを有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の両面高密度情報記憶媒体。
  10. 前記情報記録層は、光学的および/または熱的に強化された層をさらに有することを特徴とする請求項9記載の両面高密度情報記憶媒体。
  11. 青色光と同等かより短い波長の短波長レーザー・ピックアップヘッドを使用して読み書きされる4つの記録層を有する両面高密度情報記憶媒体であって、
    第1の面に第1ランドアンドグルーブ表面を有し、第2の面に第2ランドアンドグルーブ表面を有する基板と、
    前記基板の前記第1の面の前記第1ランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第1記録スタックと、
    前記第1記録スタック上に形成され、その表面に第3ランドアンドグルーブ表面を有する第1セパレータ層と、
    前記第1セパレータ層上の前記第3ランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第2記録スタックと、
    前記基板の前記第2の面の前記第2ランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第3記録スタックと、
    前記第3記録スタック上に形成され、その表面に第4ランドアンドグルーブ表面を有する第2セパレータ層と、
    前記第2セパレータ層上の前記第4ランドアンドグルーブ表面上に形成され、少なくとも一つの情報記録層を有する第4記録スタックと、
    を有することを特徴とする両面高密度情報記憶媒体。
  12. 前記基板は、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリマー樹脂、ガラス、およびアルミニウムからなる群から選択された少なくとも一つの材料よりなることを特徴とする請求項11記載の両面高密度情報記憶媒体。
  13. 前記基板の厚みが0.85〜1.3mmであることを特徴とする請求項11または12記載の両面高密度情報記憶媒体。
  14. 前記基板の厚みが0.95〜1.1mmであることを特徴とする請求項11または12記載の両面高密度情報記憶媒体。
  15. 前記基板は、片方の面にランドアンドグルーブ表面を有する2枚の基板を張り合わせたものであることを特徴とする請求項11〜14のいずれか一つに記載の両面高密度情報記憶媒体。
  16. 前記2枚の基板の厚みは、それぞれが0.4〜0.65mmであることを特徴とする請求項15記載の両面高密度情報記憶媒体。
  17. 前記2枚の基板の厚みは、それぞれが0.45〜0.55mmであることを特徴とする請求項15記載の両面高密度情報記憶媒体。
  18. 前記第1セパレータ層および第2セパレータ層の厚みは、0.1〜100μmであることを特徴とする請求項11〜17のいずれか一つに記載の両面高密度情報記憶媒体。
  19. 前記第1セパレータ層および第2セパレータ層の厚みは、10〜40μmであることを特徴とする請求項11〜17のいずれか一つに記載の両面高密度情報記憶媒体。
  20. 前記第2記録スタックおよび第4記録スタックの表面には、カバー層が設けられていることを特徴とする請求項11〜19のいずれか一つに記載の両面高密度情報記憶媒体。
  21. 前記情報記録層は、相転移材料、有機材料、および光磁気材料からなる群から選択された少なくと一つを有することを特徴とする請求項11〜20のいずれか一つに記載の両面高密度情報記憶媒体。
  22. 前記情報記録層は、光学的および/または熱的に強化された層をさらに有することを特徴とする請求項1〜21のいずれか一つに記載の両面高密度情報記憶媒体。
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