JP3466650B2 - 書き換え可能光記録方法 - Google Patents
書き換え可能光記録方法Info
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- JP3466650B2 JP3466650B2 JP05228593A JP5228593A JP3466650B2 JP 3466650 B2 JP3466650 B2 JP 3466650B2 JP 05228593 A JP05228593 A JP 05228593A JP 5228593 A JP5228593 A JP 5228593A JP 3466650 B2 JP3466650 B2 JP 3466650B2
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- Japan
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- light
- optical recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書き換え可能な光記録
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光メモリの記録密度の向上を目的とし
て、超解像技術、ピットエッジ記録、Ｖ溝方式等様々な
試みが行われている。しかし、これらはいずれもヒート
モード記録方式を用いているため、高密度化は限界に達
している。近年、ヒートモード記録方式の限界を破ると
期待されているのが、光エネルギーをそのまま光記録に
用いるフォトンモード記録である。フォトンモード記録
では、波長多重、偏光多重が可能となるため同一ピット
内に複数個の記録を行うことができ、より高密度化を達
成することができる。
て、超解像技術、ピットエッジ記録、Ｖ溝方式等様々な
試みが行われている。しかし、これらはいずれもヒート
モード記録方式を用いているため、高密度化は限界に達
している。近年、ヒートモード記録方式の限界を破ると
期待されているのが、光エネルギーをそのまま光記録に
用いるフォトンモード記録である。フォトンモード記録
では、波長多重、偏光多重が可能となるため同一ピット
内に複数個の記録を行うことができ、より高密度化を達
成することができる。
【０００３】しかしながら、波長多重の場合、吸収波長
の異なる多数個のフォトクロミック材料を得ることは困
難であり、せいぜい５倍程度の記録密度の向上しか期待
されない。偏光多重の場合も２倍程度の記録密度の向上
しか望めない。また、フォトケミカルホールバーニング
の場合は、１００倍以上の多重化が可能であるが、７７
Ｋ以下の低温を必要とするという欠点を有している。
の異なる多数個のフォトクロミック材料を得ることは困
難であり、せいぜい５倍程度の記録密度の向上しか期待
されない。偏光多重の場合も２倍程度の記録密度の向上
しか望めない。また、フォトケミカルホールバーニング
の場合は、１００倍以上の多重化が可能であるが、７７
Ｋ以下の低温を必要とするという欠点を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらを克服するため
に、記録方式にＳＴＭによる電界効果と電磁波照射を用
いること（特開平２−９８８４９号公報参照）あるいは
エバネッセント光による光磁気記録（Ｅ．Ｂｅｔｚｉｇ
ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６
１，１４２（１９９２）参照）が提案されている。
に、記録方式にＳＴＭによる電界効果と電磁波照射を用
いること（特開平２−９８８４９号公報参照）あるいは
エバネッセント光による光磁気記録（Ｅ．Ｂｅｔｚｉｇ
ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６
１，１４２（１９９２）参照）が提案されている。
【０００５】しかしながら、これらの方式は、電界を印
加するための電極あるいは光磁気記録のための磁石が必
要であり、装置が複雑になるという欠点を有している。
加するための電極あるいは光磁気記録のための磁石が必
要であり、装置が複雑になるという欠点を有している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような事
情を鑑みてなされたものであって、その目的とするとこ
ろは、電極あるいは磁石を用いることなく、高密度記録
が可能な光記録方式の開発にある。即ち、本発明の要旨
は、波長よりも微小なサイズのエバネッセント光を記録
光源とし、フォトクロミック材料としてジアリールエテ
ン誘導体を記録媒体として用いることを特徴とする書き
換え可能光記録方法に存する。
情を鑑みてなされたものであって、その目的とするとこ
ろは、電極あるいは磁石を用いることなく、高密度記録
が可能な光記録方式の開発にある。即ち、本発明の要旨
は、波長よりも微小なサイズのエバネッセント光を記録
光源とし、フォトクロミック材料としてジアリールエテ
ン誘導体を記録媒体として用いることを特徴とする書き
換え可能光記録方法に存する。
【０００７】電極あるいは磁石を用いることなく、エバ
ネッセント光により光記録をするには、記録媒体自身が
他の物理的・化学的摂動がなくてもその光源によっての
み可逆的に２状態間で色変化し、なおかつ両状態が熱的
に安定であることが必要である。このような媒体を光記
録媒体とし、波長よりも微小なサイズのエバネッセント
光を記録・再生・消去光源として用いると、現状の記録
ピットサイズの１／１０〜１／１００のサイズの記録ピ
ツトの形成が可能になり、記録密度を現状の１００〜１
００００倍に向上させることができる。
ネッセント光により光記録をするには、記録媒体自身が
他の物理的・化学的摂動がなくてもその光源によっての
み可逆的に２状態間で色変化し、なおかつ両状態が熱的
に安定であることが必要である。このような媒体を光記
録媒体とし、波長よりも微小なサイズのエバネッセント
光を記録・再生・消去光源として用いると、現状の記録
ピットサイズの１／１０〜１／１００のサイズの記録ピ
ツトの形成が可能になり、記録密度を現状の１００〜１
００００倍に向上させることができる。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて使用する記録媒体としては、記録媒体自身が他の
物理的・化学的摂動がなくてもその光源によってのみ可
逆的に２状態間で色変化し、なおかつ両状態が熱的に安
定な、熱不可逆性を有するフォトクロミック材料を用い
る。熱不可逆性を有するフォトクロミック材料として
は、例えば、ジアリールエテン誘導体、フルギド誘導
体、シクロファン誘導体等が挙げられるが、熱安定性、
繰り返し耐久性、長波長域感受性の点から、ジアリール
エテン誘導体がより好ましい。なかでもヘテロ５員環を
含む置換ベンゾチオフェンあるいは置換インドールをア
リール基とする対称又は非対称のジアリールマレイミ
ド、対称又は非対称のジアリール酸無水物あるいは対称
又は非対称のジアリールペルフルオロシクロペンテンが
特に好ましい。
おいて使用する記録媒体としては、記録媒体自身が他の
物理的・化学的摂動がなくてもその光源によってのみ可
逆的に２状態間で色変化し、なおかつ両状態が熱的に安
定な、熱不可逆性を有するフォトクロミック材料を用い
る。熱不可逆性を有するフォトクロミック材料として
は、例えば、ジアリールエテン誘導体、フルギド誘導
体、シクロファン誘導体等が挙げられるが、熱安定性、
繰り返し耐久性、長波長域感受性の点から、ジアリール
エテン誘導体がより好ましい。なかでもヘテロ５員環を
含む置換ベンゾチオフェンあるいは置換インドールをア
リール基とする対称又は非対称のジアリールマレイミ
ド、対称又は非対称のジアリール酸無水物あるいは対称
又は非対称のジアリールペルフルオロシクロペンテンが
特に好ましい。
【０００９】本発明においては、これらのフォトクロミ
ック材料を高分子に分散させたものを記録媒体とするこ
とが好ましい。例えば、これらのフォトクロミック材料
を、必要に応じて四塩化炭素、ベンゼン、シクロヘキサ
ン、メチルエチルケトン、テトラクロロエタン等の溶媒
と共に、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビ
ニルブチラール樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸ブチ
ル、ポリ酢酸ビニル、酢酸セルロース、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂等の高分子に分散又は溶解させることに
より記録媒体とすることができる。
ック材料を高分子に分散させたものを記録媒体とするこ
とが好ましい。例えば、これらのフォトクロミック材料
を、必要に応じて四塩化炭素、ベンゼン、シクロヘキサ
ン、メチルエチルケトン、テトラクロロエタン等の溶媒
と共に、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビ
ニルブチラール樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸ブチ
ル、ポリ酢酸ビニル、酢酸セルロース、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂等の高分子に分散又は溶解させることに
より記録媒体とすることができる。
【００１０】また、これらのフォトクロミック材料を上
述の様な高分子媒体や溶媒に分散又は溶解させて適当な
基板上に塗布して記録層を形成したものを記録媒体とす
ることもできる。或いは、フォトクロミック化合物を公
知の蒸着法又は他の化合物との共蒸着法によって適当な
基板上に蒸着して記録層を形成したもの、又は、フォト
クロミック材料を上述の様な溶媒に溶解し、ガラスセル
等に封入したものを記録媒体とすることもできる。上述
の基板としては、ガラス、プラスチック、紙、板状又は
箔状の金属等の、一般的な記録媒体の支持体が挙げられ
る。基板上に記録層を形成する場合は、必要に応じて、
反射層、下引き層、保護層を設けることができる。
述の様な高分子媒体や溶媒に分散又は溶解させて適当な
基板上に塗布して記録層を形成したものを記録媒体とす
ることもできる。或いは、フォトクロミック化合物を公
知の蒸着法又は他の化合物との共蒸着法によって適当な
基板上に蒸着して記録層を形成したもの、又は、フォト
クロミック材料を上述の様な溶媒に溶解し、ガラスセル
等に封入したものを記録媒体とすることもできる。上述
の基板としては、ガラス、プラスチック、紙、板状又は
箔状の金属等の、一般的な記録媒体の支持体が挙げられ
る。基板上に記録層を形成する場合は、必要に応じて、
反射層、下引き層、保護層を設けることができる。
【００１１】図１は、本発明で用いられる記録・再生・
消去装置の一例を示す概略構成図である。波長よりも微
小なサイズの光源は、微小電極用キャピラリー（波長よ
りも微小なサイズの孔径を有するもの、例えば、孔径
０．５μｍ以下、好ましくは孔径０．２μｍ以下、より
好ましくは孔径０．１μｍ以下）へＨｅ−Ｎｅレーザ
光、Ａｒレーザ光あるいは半導体レーザ光をガラスファ
イバーにより導入する、あるいはＥＬ素子を微小電極用
キャピラリー中に構築することにより得ることができ
る。記録・再生・消去には近視野光走査顕微鏡（フォト
ンＳＴＭ）の原理を採用する。即ち、記録には上記光源
を電歪素子中に装着し、まずＺ軸方向から記録媒体へ接
近させ（通常０．１μｍ以下の距離）、その後Ｘ、Ｙ軸
方向へ走査し、入力情報に従い光源をＯＮ・ＯＦＦして
記録する。この記録により、媒体の吸光度の変化が誘起
される。
消去装置の一例を示す概略構成図である。波長よりも微
小なサイズの光源は、微小電極用キャピラリー（波長よ
りも微小なサイズの孔径を有するもの、例えば、孔径
０．５μｍ以下、好ましくは孔径０．２μｍ以下、より
好ましくは孔径０．１μｍ以下）へＨｅ−Ｎｅレーザ
光、Ａｒレーザ光あるいは半導体レーザ光をガラスファ
イバーにより導入する、あるいはＥＬ素子を微小電極用
キャピラリー中に構築することにより得ることができ
る。記録・再生・消去には近視野光走査顕微鏡（フォト
ンＳＴＭ）の原理を採用する。即ち、記録には上記光源
を電歪素子中に装着し、まずＺ軸方向から記録媒体へ接
近させ（通常０．１μｍ以下の距離）、その後Ｘ、Ｙ軸
方向へ走査し、入力情報に従い光源をＯＮ・ＯＦＦして
記録する。この記録により、媒体の吸光度の変化が誘起
される。
【００１２】再生は、以下のように行う。光源は上記と
同様のものを用いる。ただし、同一キャピラリー中に記
録用とは異なった波長の光を導入して用いてもよい。再
生用光源を強度変調する、あるいはＺ軸方向において位
置変調することにより記録面からの反射光（この場合
は、記録面の下に反射膜をつける。）あるいは透過光を
記録面前面あるいは後面に置いた光電変換素子により検
出する。また、このような変調をせずに直接検出しても
よい。記録により、吸光度の変化した部分からの反射光
あるいは透過光は変化していることから、記録されたピ
ットとされていないピットとの違い、即ち記録情報は、
反射光あるいは透過光強度の違いから読み取ることがで
きる。
同様のものを用いる。ただし、同一キャピラリー中に記
録用とは異なった波長の光を導入して用いてもよい。再
生用光源を強度変調する、あるいはＺ軸方向において位
置変調することにより記録面からの反射光（この場合
は、記録面の下に反射膜をつける。）あるいは透過光を
記録面前面あるいは後面に置いた光電変換素子により検
出する。また、このような変調をせずに直接検出しても
よい。記録により、吸光度の変化した部分からの反射光
あるいは透過光は変化していることから、記録されたピ
ットとされていないピットとの違い、即ち記録情報は、
反射光あるいは透過光強度の違いから読み取ることがで
きる。
【００１３】消去は、やはり上記と同様の光源により、
吸光度の変化した波長のエバネッセント光を用いて行
う。以上のように、熱安定性を有するフォトクロミック
材料を記録材料とし、波長よりも微小なサイズのエバネ
ッセント光を記録・再生・消去光源として用いることに
より、エバネッセント光のサイズが０．１μｍであれば
現行の光記録の１００倍の密度、またそれが０．０１μ
ｍであれば現行の光記録の１００００倍の密度の記録が
可能になる。
吸光度の変化した波長のエバネッセント光を用いて行
う。以上のように、熱安定性を有するフォトクロミック
材料を記録材料とし、波長よりも微小なサイズのエバネ
ッセント光を記録・再生・消去光源として用いることに
より、エバネッセント光のサイズが０．１μｍであれば
現行の光記録の１００倍の密度、またそれが０．０１μ
ｍであれば現行の光記録の１００００倍の密度の記録が
可能になる。
【００１４】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。 実施例１ 下記のジアリールエテン誘導体化合物を、５重量％の濃
度でポリスチレン樹脂に分散したものを記録媒体とし、
図１の装置（微小電極用キャピラリーの孔径約０．１μ
ｍ）を用いて記録・再生を行った。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。 実施例１ 下記のジアリールエテン誘導体化合物を、５重量％の濃
度でポリスチレン樹脂に分散したものを記録媒体とし、
図１の装置（微小電極用キャピラリーの孔径約０．１μ
ｍ）を用いて記録・再生を行った。
【００１５】
【化１】
【００１６】まず、全面を紫外光（３００ｎｍ＜波長λ
＜４００ｎｍ）によって着色状態にした後、Ｈｅ−Ｎｅ
レーザ光（波長λ＝６３３ｎｍ）をにより書き込みを行
ない、ついで、同じＨｅ−Ｎｅレーザ光により再生した
ところ、０．２μｍ径の記録ピットを形成することがで
きた。その後、同じＨｅ−Ｎｅレーザ光を長時間照射す
ることにより、記録の消去ができた。 実施例２ 下記のジアリールエテン誘導体化合物を、５重量％の濃
度でポリスチレン樹脂に分散したものを記録媒体とし、
図１の装置を用いて記録・再生を行った。
＜４００ｎｍ）によって着色状態にした後、Ｈｅ−Ｎｅ
レーザ光（波長λ＝６３３ｎｍ）をにより書き込みを行
ない、ついで、同じＨｅ−Ｎｅレーザ光により再生した
ところ、０．２μｍ径の記録ピットを形成することがで
きた。その後、同じＨｅ−Ｎｅレーザ光を長時間照射す
ることにより、記録の消去ができた。 実施例２ 下記のジアリールエテン誘導体化合物を、５重量％の濃
度でポリスチレン樹脂に分散したものを記録媒体とし、
図１の装置を用いて記録・再生を行った。
【００１７】
【化２】
【００１８】Ａｒレーザ光（波長λ＝４８８ｎｍ）によ
り書き込みを行なった。その後、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光に
より再生したところ、０．１μｍ径のピットの形成が確
認された。このピットは、同じＨｅ−Ｎｅレーザ光照射
により消去することができた。この繰り返しは、５００
回以上可能であった。
り書き込みを行なった。その後、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光に
より再生したところ、０．１μｍ径のピットの形成が確
認された。このピットは、同じＨｅ−Ｎｅレーザ光照射
により消去することができた。この繰り返しは、５００
回以上可能であった。
【００１９】
【発明の効果】本発明の書き換え可能光記録方法によれ
ば、例えば、現状の記録ピットサイズの１／１０〜１／
１００のサイズの記録ピツトの形成が可能になるため、
記録密度を現状の１００〜１００００倍とすることがで
き、工業的に非常に有用である。
ば、例えば、現状の記録ピットサイズの１／１０〜１／
１００のサイズの記録ピツトの形成が可能になるため、
記録密度を現状の１００〜１００００倍とすることがで
き、工業的に非常に有用である。
【図１】 本発明で用いられる記録・再生・消去装置の
一例を示す概略構成図。
一例を示す概略構成図。
１ Ｈｅ−Ｎｅレーザ
２ Ａｒレーザ
３ ハーフミラー
４ ガラスファイバー
５ 電歪素子（Ｘ、Ｙ、Ｚ軸制御用）
６ 光電素子（検出器）
７ 位置制御回路
８ 読出信号処理回路
９ 記録媒体
10 微小電極用キャピラリー
Claims (3)
- 【請求項１】 波長よりも微小なサイズのエバネッセン
ト光を記録光源とし、フォトクロミック材料としてジア
リールエテン誘導体を記録媒体として用いることを特徴
とする書き換え可能光記録方法。 - 【請求項２】 エバネッセント光を再生又は消去光源に
用いる請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 記録媒体として、ジアリールエテン誘導
体の高分子分散媒体を用いる請求項１又は２に記載の書
き換え可能光記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05228593A JP3466650B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 書き換え可能光記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05228593A JP3466650B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 書き換え可能光記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267071A JPH06267071A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3466650B2 true JP3466650B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=12910532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05228593A Expired - Fee Related JP3466650B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 書き換え可能光記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3466650B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4145985B2 (ja) | 1998-02-10 | 2008-09-03 | セイコーインスツル株式会社 | 情報記録装置 |
| US6479604B1 (en) | 1998-08-17 | 2002-11-12 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Diarylethene compound, photochromic diarylethene type copolymer and method for the production of the same |
| US6884553B2 (en) | 1999-03-11 | 2005-04-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Near-field optical recording medium and near-field optical recording method |
| KR100549445B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2006-02-07 | 한국전자통신연구원 | 고집적 고속 정보기록판독장치 |
| KR100424862B1 (ko) | 2001-03-06 | 2004-03-31 | 한국화학연구원 | 이속사졸기로 치환된 신규한 광변색성 디아릴에텐계 화합물 |
| US7294446B2 (en) * | 2001-10-29 | 2007-11-13 | Eastman Kodak Company | Digital analog recording using near field optical imaging |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP05228593A patent/JP3466650B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06267071A (ja) | 1994-09-22 |
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Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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