JPS615987A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS615987A JPS615987A JP59125220A JP12522084A JPS615987A JP S615987 A JPS615987 A JP S615987A JP 59125220 A JP59125220 A JP 59125220A JP 12522084 A JP12522084 A JP 12522084A JP S615987 A JPS615987 A JP S615987A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information
- layer
- recording medium
- electron
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
- B41M5/40—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
- B41M5/42—Intermediate, backcoat, or covering layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野］
本発明は、情報信号に応じたレーザ等の照射により情報
が記録される情報記録媒体に関し、より詳細には、半導
体レーザのような低出力のレーザビームにより情報を書
込むことができる高感度な情報記録媒体に関する。
が記録される情報記録媒体に関し、より詳細には、半導
体レーザのような低出力のレーザビームにより情報を書
込むことができる高感度な情報記録媒体に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
近年、各種の大量の情報を高密度に記録し保存すること
が要求されており、これに対応するためレーザビームを
利用して情報の高密度記録・非接触による記録再生・ビ
ットあたりの低コスト化を実現する光ディスクの開発が
盛んに行なわれている。
が要求されており、これに対応するためレーザビームを
利用して情報の高密度記録・非接触による記録再生・ビ
ットあたりの低コスト化を実現する光ディスクの開発が
盛んに行なわれている。
光ディスクへの情報の書込み方法としては一般的にヒー
トモード記録が採用されている。ヒートモード記録には
、基盤上に形成された金属又は金属化合物の薄膜に情報
信号に応じてレーザビームを照射しその照射部分の薄膜
を溶融、蒸発させて孔を開ける方式、又は、レーザビー
ムの熱エネルギーを薄膜に吸収させて膜の反射率を変化
させる方式などが適用されている。
トモード記録が採用されている。ヒートモード記録には
、基盤上に形成された金属又は金属化合物の薄膜に情報
信号に応じてレーザビームを照射しその照射部分の薄膜
を溶融、蒸発させて孔を開ける方式、又は、レーザビー
ムの熱エネルギーを薄膜に吸収させて膜の反射率を変化
させる方式などが適用されている。
この孔開は方式の書込みに使用するレーザは、膜を溶融
、蒸発させるだけの高出力が要求され、一般的に高出力
ガスレーザが使用されている。しかしながら、ガスレー
ザ装置は大型で高価格であるという欠点を有している。
、蒸発させるだけの高出力が要求され、一般的に高出力
ガスレーザが使用されている。しかしながら、ガスレー
ザ装置は大型で高価格であるという欠点を有している。
一方、小型で低価格であるレーザとして半導体レーザが
あるが、半導体レーザは一般、に低出力であるため孔開
は方式の情報書込みに必ずしも有効ではないという欠点
を４１している。
あるが、半導体レーザは一般、に低出力であるため孔開
は方式の情報書込みに必ずしも有効ではないという欠点
を４１している。
ヒートモード記録において使用される記録膜材料として
は例えば、Ｔｅ、Ｂｉなどの金属やＴｅＯｘ 。
は例えば、Ｔｅ、Ｂｉなどの金属やＴｅＯｘ 。
ＴｅＣのような金属化合物が使用されている。しかしな
がら、これらＴｅなどから成る記録膜は記録感度が低い
ので、リアルタイムで情報の記録書再生を行なうシステ
ムに適していないという欠点を有している。
がら、これらＴｅなどから成る記録膜は記録感度が低い
ので、リアルタイムで情報の記録書再生を行なうシステ
ムに適していないという欠点を有している。
このような状況にあるため、低出力のレーザでも記録で
きる高感度な情報記録媒体の開発が望まれている。
きる高感度な情報記録媒体の開発が望まれている。
［発明の目的］
本発明は、上記したヒートモード記録における問題点を
解消し、低出力レーザを用いても書込み可能な高感度の
情報記録媒体の提供を目的とする。
解消し、低出力レーザを用いても書込み可能な高感度の
情報記録媒体の提供を目的とする。
［発明の概要］
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、情報記録媒体の記
録Ｍ層として、電子供与体物質からなる薄膜と電子受容
体物質からなる薄膜とを交互に多数層積層させたものを
使用すれば、低出力のレーザビームを該記録膜層に照射
した際に、照射部分でレーザビームの熱エネルギーによ
り電子受容体物質と電子供与体物質が相互作用して電荷
移動錯体が形成され、その電荷移動錯体が形成されてい
る箇所はレーザビーム非照射部分と比較して非常に強い
光吸収即ち電荷移動吸収を示すという事実を見出し本発
明の情報記録媒体を完成するに到った。
録Ｍ層として、電子供与体物質からなる薄膜と電子受容
体物質からなる薄膜とを交互に多数層積層させたものを
使用すれば、低出力のレーザビームを該記録膜層に照射
した際に、照射部分でレーザビームの熱エネルギーによ
り電子受容体物質と電子供与体物質が相互作用して電荷
移動錯体が形成され、その電荷移動錯体が形成されてい
る箇所はレーザビーム非照射部分と比較して非常に強い
光吸収即ち電荷移動吸収を示すという事実を見出し本発
明の情報記録媒体を完成するに到った。
すなわち、本発明情報記録媒体は、少なくとも電子供与
体層と電子受容体層とから成る情報記録媒体であって、
該電子供与体層と該電子受容体層とが交互に積層された
多層構造の記録膜層を有することを特徴とする。
体層と電子受容体層とから成る情報記録媒体であって、
該電子供与体層と該電子受容体層とが交互に積層された
多層構造の記録膜層を有することを特徴とする。
本発明の情報記録媒体は、基本的には、ガラス、アクリ
ル樹脂などの物質からなる基盤のＨに情報が記録される
べき記録ｇ層が形成されている構造をとるが、第１図に
示す如く、情報記録媒体の光学的性質を改良することを
目的として基盤１と多層構造である記録膜層２どの間に
アクリルポリマーなどの物質からなる下地Ｍ３を設けた
ものであってもよく、また、第２図に示す如く、全体の
記録膜層２を保護することを目的として記録膜層２の上
にアクリルポリマーなどの物質からなる保護層４を設け
たものであってもよい。
ル樹脂などの物質からなる基盤のＨに情報が記録される
べき記録ｇ層が形成されている構造をとるが、第１図に
示す如く、情報記録媒体の光学的性質を改良することを
目的として基盤１と多層構造である記録膜層２どの間に
アクリルポリマーなどの物質からなる下地Ｍ３を設けた
ものであってもよく、また、第２図に示す如く、全体の
記録膜層２を保護することを目的として記録膜層２の上
にアクリルポリマーなどの物質からなる保護層４を設け
たものであってもよい。
記録Ｍ／１２は、電子受容体層５と電子供与体層６とか
ら構成されており、該電子受容体層５と該電子供与体層
６とが交互に多数積層された多層構造として形成されて
いる。記録膜層３の層厚は記録Ｍ暦に書込まれた情報を
容易に読出すため０．０１〜１ｐｍであり、好ましくは
０．０５〜０．２ｕ ｍである。
ら構成されており、該電子受容体層５と該電子供与体層
６とが交互に多数積層された多層構造として形成されて
いる。記録膜層３の層厚は記録Ｍ暦に書込まれた情報を
容易に読出すため０．０１〜１ｐｍであり、好ましくは
０．０５〜０．２ｕ ｍである。
記録膜層３を構成する電子受容体層５と電子供与体＠６
は後述する方法により交互に積層される。この場合、電
子受容体層５と電子供与体層６が低出力のエネルギーに
より相互作用を起し易くするために、電子受容体層５及
び電子供与体層６はそれぞれ超薄膜状に形成されている
ことが好適で１例えば、その膜厚は５〜５００人であり
、好丈しくは５０〜２００ Ａである。
は後述する方法により交互に積層される。この場合、電
子受容体層５と電子供与体層６が低出力のエネルギーに
より相互作用を起し易くするために、電子受容体層５及
び電子供与体層６はそれぞれ超薄膜状に形成されている
ことが好適で１例えば、その膜厚は５〜５００人であり
、好丈しくは５０〜２００ Ａである。
本発明において、電子供与体層を構成する物質としては
、電子受容体との相互作用の際に電子を供与して電荷移
動錯体を形成する有機電子供与体物質であればよく、置
換基として−ＣＨ３，−ＯＨ。
、電子受容体との相互作用の際に電子を供与して電荷移
動錯体を形成する有機電子供与体物質であればよく、置
換基として−ＣＨ３，−ＯＨ。
−０ｆＪ３．−Ｎ）Ｉ２．−Ｎ（ＣＨ３）、、などをも
っ縮合多環化合物などを代表的なものとしてあげること
ができる。
っ縮合多環化合物などを代表的なものとしてあげること
ができる。
本発明に適用可能な具体的な電子供与体層寅としては、
テトラチオフルバレン、シス−ジメチルテトラチオフル
バレン、テトラメチルチオフルバレン、ジシクロペンテ
ニルテトラチオフルバレン。
テトラチオフルバレン、シス−ジメチルテトラチオフル
バレン、テトラメチルチオフルバレン、ジシクロペンテ
ニルテトラチオフルバレン。
ジベンゾテトラチオフルバレン、テトラセレノフルバレ
ン及びその誘導体、Δ−４，４゛−どチオビラン、テト
ラアリルビビラン−４−イリデン及びその誘導体、フェ
ナジウム類、ペリレン類、ポルフィリン類、フタロシア
ニン類、ジペンツテトラアザアヌレン、ジエチルアミン
類、ｐ−フェニレンジアミン、テトラメチル−Ｐ−フェ
ニレンジアミン。
ン及びその誘導体、Δ−４，４゛−どチオビラン、テト
ラアリルビビラン−４−イリデン及びその誘導体、フェ
ナジウム類、ペリレン類、ポルフィリン類、フタロシア
ニン類、ジペンツテトラアザアヌレン、ジエチルアミン
類、ｐ−フェニレンジアミン、テトラメチル−Ｐ−フェ
ニレンジアミン。
Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリンなどがあげられる。
電子受容体層を構成する物質としては、電子供与体との
相互作用の際に電子を受容する有機電子受容体物質であ
ればよく、置換基として、 −ＮＯ２゜−ＣＮ、−Ｘ
（ハロゲン）などをもつ縮合環化合物などを代表的なも
のとしてあげることができる０本発明に適用可能な具体
的な電子受容体物質として、テトラシアノキノジメタン
、テトラシアノエチレン、テトラシアノナフトキノンメ
タン、クロルアニル、ブロムアニル、ヨードアニル、ジ
チオレン誘導体金属錯体などがあげられる。
相互作用の際に電子を受容する有機電子受容体物質であ
ればよく、置換基として、 −ＮＯ２゜−ＣＮ、−Ｘ
（ハロゲン）などをもつ縮合環化合物などを代表的なも
のとしてあげることができる０本発明に適用可能な具体
的な電子受容体物質として、テトラシアノキノジメタン
、テトラシアノエチレン、テトラシアノナフトキノンメ
タン、クロルアニル、ブロムアニル、ヨードアニル、ジ
チオレン誘導体金属錯体などがあげられる。
上記した物質の中から電子供与体物質と電子受容体物質
とを適宜に選定して種々組合せることにより、後述する
電荷移動錯体の形成に要するレーザ等の出力を変化させ
ることができ、異なる電荷移動吸収波長を示す電荷移動
錯体を得ることができる。
とを適宜に選定して種々組合せることにより、後述する
電荷移動錯体の形成に要するレーザ等の出力を変化させ
ることができ、異なる電荷移動吸収波長を示す電荷移動
錯体を得ることができる。
本発明情報記録媒体の製造は、基盤上に又は基盤上に形
成された下地層の上に、蒸着法等の薄膜形成方法により
、上記した電子供与体物質と電子受容体物質とを上記し
た膜厚で超薄膜状に交互に積層させ、この積層プロセス
を例えば数十回繰返すことにより行なわれる。
成された下地層の上に、蒸着法等の薄膜形成方法により
、上記した電子供与体物質と電子受容体物質とを上記し
た膜厚で超薄膜状に交互に積層させ、この積層プロセス
を例えば数十回繰返すことにより行なわれる。
本発明情報記録媒体は、情報信号に応じたレーザビーム
又は電子ビームの照射により情報記録媒体に情報の書込
みを行ない、レーザ光等で情報の読出しを行なうシステ
ムに適用することができる。
又は電子ビームの照射により情報記録媒体に情報の書込
みを行ない、レーザ光等で情報の読出しを行なうシステ
ムに適用することができる。
このようなシステムに本発明情報記録媒体を適用した場
合、情報の書込みにおいては、情報信号に応じてレーザ
ビームを本発明情報記録媒体に照射すれば、ビーム照射
部分においてはレーザビームエネルギーの一部が熱エネ
ルギーに変換してその部分が加熱される。この熱エネル
ギーにより照射部分の電子供与体層と電子受容体層とが
相ｑ−作用を起し電荷移動錯体が形成される。
合、情報の書込みにおいては、情報信号に応じてレーザ
ビームを本発明情報記録媒体に照射すれば、ビーム照射
部分においてはレーザビームエネルギーの一部が熱エネ
ルギーに変換してその部分が加熱される。この熱エネル
ギーにより照射部分の電子供与体層と電子受容体層とが
相ｑ−作用を起し電荷移動錯体が形成される。
しかしながら、記録膜層を構成する電子供与体層と電子
受容体層がそれぞれ単層であって多層構造をなしていな
い場合には、上述の相仏作用を起すのに要する熱エネル
ギーは本発明の場合よりも格段に大きくなり、低出力の
レーザビームを照射しただけでは電荷移動錯体が形成さ
れない。
受容体層がそれぞれ単層であって多層構造をなしていな
い場合には、上述の相仏作用を起すのに要する熱エネル
ギーは本発明の場合よりも格段に大きくなり、低出力の
レーザビームを照射しただけでは電荷移動錯体が形成さ
れない。
本発明の如く、記録ＷＡ層が電子受容体層と電子供り一
体層とからなり、これらが交互に多数積層された多層構
造に形成されている場合には、上述の相匂作用を起すの
に要する熱エネルギーは低エネルギーで十分であり、低
出力のレーザビームの照射であっても電荷移動錯体が十
分に形成される。
体層とからなり、これらが交互に多数積層された多層構
造に形成されている場合には、上述の相匂作用を起すの
に要する熱エネルギーは低エネルギーで十分であり、低
出力のレーザビームの照射であっても電荷移動錯体が十
分に形成される。
従って、本発明情報記録媒体の記録感度をより向トさせ
るためには、記録膜層内の電子供与体層及び電子受容体
層の厚さを出来るだけ薄く形成し、植層数をできるだけ
多くするとよい０本発明の情報記録媒体は、上述の如き
多層構造を有しており、低出力のレーザビームで情報の
書込みが可能であるため、記録感度が向上される。
るためには、記録膜層内の電子供与体層及び電子受容体
層の厚さを出来るだけ薄く形成し、植層数をできるだけ
多くするとよい０本発明の情報記録媒体は、上述の如き
多層構造を有しており、低出力のレーザビームで情報の
書込みが可能であるため、記録感度が向上される。
以１−にように、本発明情報記録媒体の情報の書込みに
おいては、低出力のレーザビームで情報の、Ｉ：込みを
行なうことが可能であり、ｌ＋ｓＷ以上の出力をイーＳ
するレーザビームであればよく、好ましくは４〜８ｍＷ
がよい、したがって１本発明情報記録媒体を使用すれば
、小型で安価な低出力半導体レーザの情報書込みへの適
用が可能となる。
おいては、低出力のレーザビームで情報の、Ｉ：込みを
行なうことが可能であり、ｌ＋ｓＷ以上の出力をイーＳ
するレーザビームであればよく、好ましくは４〜８ｍＷ
がよい、したがって１本発明情報記録媒体を使用すれば
、小型で安価な低出力半導体レーザの情報書込みへの適
用が可能となる。
低出力レーザビームで情報が書込まれた本発明情報記録
媒体の情報の読出しにおいては、各種の半導体レーザな
どにより読取りレーザ光を本発明情報記録媒体に照射す
れば、電荷移動錯体の形成箇所が電荷移動錯体非形成箇
所に比べて強い光吸収即ち電荷移動吸収を示すので、電
荷移動錯体の形成箇所では非形成箇所と比較して読取り
レーザ光の反射率又は透過率が非常に異なっているので
、この反射率又は透過率の相違を検知することにより記
録された情報を読取ることができる。
媒体の情報の読出しにおいては、各種の半導体レーザな
どにより読取りレーザ光を本発明情報記録媒体に照射す
れば、電荷移動錯体の形成箇所が電荷移動錯体非形成箇
所に比べて強い光吸収即ち電荷移動吸収を示すので、電
荷移動錯体の形成箇所では非形成箇所と比較して読取り
レーザ光の反射率又は透過率が非常に異なっているので
、この反射率又は透過率の相違を検知することにより記
録された情報を読取ることができる。
［発明の実施例］
電子供与体層物質としてテトラフェニル上ピラン−４−
イリデン、電子受容体層物質としてテトラシアノキノジ
メタンを用意した。ガラス基盤」−に、蒸着法によりま
ず膜厚 １００人のテトラフェニルビビランー４−イリ
デンの薄膜層を形成し、さらにその上に蒸着法により膜
厚 １００人のテトランアノキノジメタンの薄膜層を形
成するというユニットプロセスを２０回繰返して全体と
しての厚さ４０００Ａの記録膜層を形成した。
イリデン、電子受容体層物質としてテトラシアノキノジ
メタンを用意した。ガラス基盤」−に、蒸着法によりま
ず膜厚 １００人のテトラフェニルビビランー４−イリ
デンの薄膜層を形成し、さらにその上に蒸着法により膜
厚 １００人のテトランアノキノジメタンの薄膜層を形
成するというユニットプロセスを２０回繰返して全体と
しての厚さ４０００Ａの記録膜層を形成した。
この記録膜層の光吸収スペクトルを波長４００〜＋５０
０ｎｍの範囲で測定したところ、 ５２０ｎ腸以下の波
長でのみ光吸収が観測され、読出しレーザとして通常使
用される半導体レーザの発振波長ＳＯＯ〜８００ｎｍの
範囲には光吸収が観測されなかった。
０ｎｍの範囲で測定したところ、 ５２０ｎ腸以下の波
長でのみ光吸収が観測され、読出しレーザとして通常使
用される半導体レーザの発振波長ＳＯＯ〜８００ｎｍの
範囲には光吸収が観測されなかった。
この記録膜層上に光ビーム径約１ｇｍに絞った半導体レ
ーザを約１ｍＷの出力で照射した。レーザ照射部分の光
吸収スペクトルを測定したところ、８８０ｎｍまで光吸
収が観測された。
ーザを約１ｍＷの出力で照射した。レーザ照射部分の光
吸収スペクトルを測定したところ、８８０ｎｍまで光吸
収が観測された。
［発明の効果］
以上、詳述した如く１本発明情報記録媒体は、高感度な
情報記録媒体であり、低出力のエネルギービームによる
情報書込みを可能とする。従って、本発明は従来使用で
きなかった低出力半導体レーザの情報書込みへの適用を
可能にし、情報書込み装置の小型化、低価格化を実現可
能にする。
情報記録媒体であり、低出力のエネルギービームによる
情報書込みを可能とする。従って、本発明は従来使用で
きなかった低出力半導体レーザの情報書込みへの適用を
可能にし、情報書込み装置の小型化、低価格化を実現可
能にする。
また、本発明情報記録媒体は高感度であるため、リアル
タイムで情報の記録・再生を行なうシステムに適用可能
である。
タイムで情報の記録・再生を行なうシステムに適用可能
である。
第１図は下地層を付設した本発明情報記録媒体の断面を
示す模式図、第２図は保１１１１１と下地層を付設した
本発明情報記録媒体の断面を示す模式図である。
示す模式図、第２図は保１１１１１と下地層を付設した
本発明情報記録媒体の断面を示す模式図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも電子供与体層と電子受容体層とから成る
情報記録媒体であって、該電子供与体層と該電子受容体
層とが交互に積層された多層構造の記録膜層を有するこ
とを特徴とする情報記録媒体。 ２、該電子供与体層及び該電子受容体層の厚さがそれぞ
れ５〜５００Åである特許請求の範囲第１項記載の情報
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125220A JPS615987A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125220A JPS615987A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615987A true JPS615987A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14904818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125220A Pending JPS615987A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615987A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62221593A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-29 | Toshiba Corp | 光学的情報記録装置の情報書込み方法 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP59125220A patent/JPS615987A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62221593A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-29 | Toshiba Corp | 光学的情報記録装置の情報書込み方法 |
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