JPH02222924A - 記録媒体及び記録，再生方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は記録媒体−及び記録、再生方式、特に。

画像の印刷応用、電子編集用などの目的に対して有効に
使用できる高品質の画像の記録再生が可能な記録媒体及
び記録、再生方式に関する。

（従来の技術） 被写体の光学像をカラー撮像装置により撮像して得た映
像信号は、編集、トリミング、その他の画像処理が電気
信号の形態で容易に行えるとともに、既記緑信号を消去
できる可逆性を有する記録部材を使用して記録再生が容
易に行えるという特徴を有しているために、従来からテ
レビジョン放送や磁気録画装置などに広く用いられてき
ている。

近年になって高画質・高解像度の再生画像に対する要望
が高まるのに応じて、テレビジョン方式について、いわ
ゆるＥＤＴＶ、ＨＤＴＶなどの新しい諸方式が提案され
るようになり、また、高画質・高解像度の再生画像を再
現できる映像信号を用いた電子映像システムは、印刷や
電子出版などの分野にも用途が拡大されようとしている
。

そして、従来の電子映像システムの代表的なものとして
は（１）３管式あるいは単管式のカラーＴＶカメラで発
生させたカラー映像信号をＶＴＲ。

半導体メモリ、磁気ディスクなどの記録媒体に記録し、
それを再生してカラー映像信号を得る方式、（２）３板
式あるいは単板式のカラーＴＶカメラで発生させたカラ
ー映像信号をＶＴＲ，半導体メモリ、磁気ディスクなど
の記録媒体に記録し、それを再生してカラー映像信号を
得る方式、（３）写真機によって被写体を撮影したカラ
ーフィルムの記録カラー画像をレーザ・テレシネを用い
て映像信号を得る方式、などがあるが、電子映像システ
ムによって得られる電子画像を印刷の分野等で利用でき
るようにするためには、′Ｗ１子画像として４０００Ｘ
４０００画素程度の解像度を有するものが必要とされる
が、撮像管または固体撮像板と記録系とに高い解像度を
得難くさせている問題点があるために、ＨＤＴＶで得ら
れている１０００ｘ２０００画素程度の解像度を得るの
が限界である。

すなわち、映像信号の発生のために従来から一般的に使
用されて来ているカラーＴ　Ｖカメラは、撮像レンズを
通した被写体の光学像を色分解光学系を介して撮像素子
における光電変換部に結像させ、撮像素子の光電変換部
で被写体の光学像に対応する電気的な画像情報に変換し
、その電気的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号
として出力させうるような構成形態のものであり、前記
のような構成形態のカラーＴＶカメラの構成に当ってそ
れに使用される撮像素子には従来から各種の撮像管や各
種の固体撮像素子が使用されている。

ところで、高画質・高解像度の再生画像が得られるよう
にするためには、高画質・高解像度の再生画像を再生さ
せつるような映像信号を発生させることのできる撮像素
子が必要とされるが、撮像素子が撮像管の場合には、撮
像管における電子ビーム径の微小化に限界があるために
、電子ビーム径の微小化による高解像度化が望めないこ
と、及び撮像管のターゲット容量はターゲット面積と対
応して増大するものであるために、ターゲット面積の増
大による高解像度化も実現することができないこと、ま
た、例えば動画のカラー撮像装置の場合には高解像度化
に伴って映像信号の周波数帯域が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨ
ｚ以上にもなるためにＳ／Ｎの点で問題になる１等の理
由によって、カラー撮像装置により高画質・高解像度の
再生画像を再生させうるような映像信号を発生させるこ
とは困難である。

このように、従来のカラーＴＶカメラにおいては、それ
に使用されている撮像素子が、せいぜい１０００ｘ２０
００画素程度の解像度を示すＨＤＴＶ方式による画像の
解像度を達成するのが限界であって、電子画像として必
要とされる４０００Ｘ４０００画素程度の解像度を有す
る画像を再現できるような映像信号を発生させることは
できなかったので、前記した（１）〜（３）で示した従
来の電子映像システムによっては良好な高画質・高解像
度の再生画像が得られるような映像信号を得ることがで
きなかった。

本出願人会社では前記した従来の諸問題点を解決するた
めに、先に、高い解像度で画像の撮像、記録、再生の可
能な電荷像による撮像、記録再生方式を提案した。第５
０図及び第５１図は本出願人会社によって先に提案され
た撮像、記録再生方式による撮像、記録再生装置の概略
構成を示すブロック図であり、第５０図には撮像記録系
を示し、また、５１図には再生系を示している。

第５０図に示されている撮像記録系において記録媒体Ｒ
Ｍは誘電体層部材ＩＬと電極Ｅとによって構成されてお
り、前記した記録媒体ＲＭの誘電体層部材ＩＬの面と微
小な間隙を隔てて、記録ヘッド（書込みヘッド）ＷＨの
光導電層部材ＰＣＬｗの面が対向されている。

記録動作に当り、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部
材ＰＣＬｗと透明電極Ｅｔｗとが積層されて構成されて
いる記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗと、前記し
た記録媒体ＲＭの電極Ｅとの間には電源ｖｂを接続して
、記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗ側に撮像レンズＬを
介して被写体０の光学像を与える。

第５０図示の撮像記録系において、被写体０の光学像が
撮像レンズＬによって記録ヘッドＷＨにおける透明電極
Ｅｔｗを介して光導ｆ１層部材ＰＣＬｗに結像されると
光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値は、それに結像され
た被写体Ｏの光学像に従って変化するが、既述のように
、前記した記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗと電極Ｅと
の間には透明電極Ｅｔｗ側に負極が接続されるような接
続極性で電源ｖｂが接続されているから、前記のように
光導電層部材ＰＱＬｗの電気抵抗値が、それに結像され
た被写体Ｏの光学像に従って変化することにより、前記
した記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗと電極Ｅとの間に
直列的に存在している各構成部材のそれぞれに対して印
加される電圧配分が被写体Ｏの光学像に従って変化して
いるものになる。

それで、記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬＷの表面
と記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬの表面との間
の空隙では被写体０の光学像と対応して気中放電が生じ
、記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬの表面には被
写体０の光学像と対応する負電荷像が形成される。

第５０図を参照して説明されたようにして記録媒体ＲＭ
に記録された電荷像は高い解像度を有するものであり、
前記した記録媒体ＲＭに記録されている電荷像は例えば
第５１図に例示されているような構成態様の再生系（電
荷像読取り系）によって再生される。

第５１図中においてＥは記録媒体ＲＭにおける電極であ
り、記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬの面と対向
する位置には再生ヘッド（電荷像読取りヘッド）ＲＨに
おける誘電体ミラーＤＭＬが位置されている。

再生ヘッドＲＨには、例えば、印加された電圧によって
光の状態を変化させつるような特性を示す光変調材層部
材ＰＭＬ（例えば、電気光学効果を有するニオブ酸すチ
ュウム、あるいはネマチック液晶の層のような光変調用
の材料層）の一方の面に誘電体ミラーＤＭＬを備えてい
るとともに他方の面に透明電極Ｅｔｒを備えている。

そして、前記した読取りヘッドＲＨの誘電体ミラーＤＭ
Ｌの側に記録媒体ＲＭに記録されている電荷による電界
を与え、また、光変調材層部材ＰＭＬにおける他方の面
から光を入射させると、その入射光が光変調材層部材Ｐ
ＭＬを通過して誘電体ミラーＤＭＬにより反射し、その
反射光が再び光変調材層部材ＰＭＬを通過して、その光
が入射した側の光変調材層部材ＰＭＬの面から出射する
が、その出射光の光の状態（前記の例の場合には偏光面
の角度）は入射光の光の状態（＃記の例の場合には偏光
面の角度）とは、前記した電荷像における電荷量と対応
して変化したものになっている。

それで１例えばレーザ光ｉ［１４（またはハロゲンラン
プを用いた光源１４）から放射された光を偏光子１５に
通過させて直線偏光の光束としく前記の光［１４が直線
偏光のレーザ光源の場合には偏光子１５は使用しなくて
もよい）でから光偏向器１６に入射させる６ 前記の光偏向器１６では、それに入射された光束をテレ
ビジョン機器におけるデイスプレィで描かせるラスタの
ように直交する２方向に偏向している状態のものとして
出射させる。

前記のような状態のものとして前記の光偏向器１６から
出射された光束は、入射光を平行光にして出射させるコ
リメータレンズ１７によって平行光となされて、その平
行光束がビームスプリッタ１８に入射される。

ビームスプリッタ１８に入射した光束はレンズ１９で集
光されて前記した読取りヘッドＲＨに入射される。そし
て、前記した読取りヘッドＲＨにおける誘電体ミラーＤ
ＭＬ側には、記録情報を電荷像の形で記憶している記録
媒体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬの面が対面している
から、読取りヘッドＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬ
には前記した誘電体ミラーＤＭＬを介して記録媒体ＲＭ
における誘電体層部材ＩＬに記録されている電荷像によ
る電界が与えら扛る。

それで、読取りヘッドＲＨにおける透明電極Ｅｔｒ側か
ら光が入射すると、その入射光は光変調材層部材ＰＭＬ
を通過して誘電体ミラーＤ　Ｍ　Ｌにより反射して再び
光変５４材層部ＨＰＭＬを通過し、その光が透明電極Ｅ
ｔｒの面から出射するが、前記した読取りヘッドＲＨか
らの出射光の光の状態（前記の例の場合には偏光面の角
度）は入射光の光、の状態（前記の例の場合には偏光面
の角度）とは、前記した記録媒体ＲＭにおける電荷像の
電荷量と対応して変化しているものになっている。

前記のように読取りヘッドＲＨからの出射光は、読取り
ヘッドＲＨへの入射光が記録情報を電荷像の形で記憶し
、でいる記録媒体ＲＭにおける電荷像の電荷量に応じて
偏光面の回転量が変化している・状態のもので、かつ、
既述したコリメータレンズ１７によって平行光の状態に
なっている。

それで、読取りヘッドＲＨからの前記した出射光をレン
ズ１９とビームスプリッタ１８とを通過させてから集光
レンズ２０に入射させると、前記の集光レンズ２０で集
光された光束は常に同一の位置に集光する。

それで、前記した集光レンズ２０によって集光された光
を、光学的バイアスを設定するための波長板２１と、偏
光面の回転量を明るさの変化に変換するための検光子２
２とを介して、前記した集光レンズ２０の集光点の位置
に光ｆＩ！変換器２３を配置しておくと、前記の光電変
換器２３からは記録媒体ＲＭにおける二次元的な電荷像
の各部分の電荷量に応じて振幅が変化している映像信号
が得られる。

前記のように光電変換器２３から出力される映像信号は
、記録媒体ＲＭにおける高い精細度を有する二次元的な
電荷像における電荷量分布と対応しているものになって
いる。それで読出し光として、直径の小さなレーザ光束
を使用した場合には、高い解像度と対応する映像信号が
発生できる。

（発明が解決しようとする課題） ところで、第５１図を参照して説明した再生系において
、電荷像が記録されている状態の記録済み記録媒体ＲＭ
からの電荷像の再生に際し、再生ヘッドＲＨは既述のよ
うに、それの誘電体ミラーＤＭＬの面が記録済み記録媒
体ＲＭの誘電体層部材ＩＬと対面するような状態に配置
されて、記録媒体ＲＭに記録されている電荷像による電
界が再生ヘッドＲＨの変調材層部材ＰＭＬに与えられる
ことによって行われるが、その際に再生ヘッドＲＨにお
ける変調材層部材ＰＭＬと記録媒体ＲＭの誘電体層部材
ＩＬとの間には多少の距離が生じるために電荷から生じ
る電気力線の拡がりの影響により読取り感度の低下が生
じたり、読取り解像度の劣化が生じたりすることが問題
になる。

（課題を解決するための手段） 本発明は少なくとも光変調材層部材と電荷像形成層部材
との積層構成部分を備えて構成してなる記録媒体、また
は少なくとも光変調材層部材と光導電層部材との積層構
成部分を備えて構成してなる記録媒体、あるいは光変調
材層部材としてエレクトロクロミック材層部材を用いた
記録媒体のように、再生動作時に使用される光変調材層
部材を記録媒体の構成部材として用いることにより、再
生動作時にも感度の低下や解像度の劣化が生じないよう
にした記録媒体と、前記した構成の記録媒体を用いて行
われる記録、再生、転写方式を提供する。

（作用） 少なくとも光変調材層部材と電荷像形成層部材との積層
構成部分を備えて構成された記録媒体では、電荷像形成
層部材に形成させた電荷像の電界により光変調材層部材
の状態が変化された状態で電荷像記録が行われ、また、
少なくとも光変調材層部材と光導電層部材との積層構成
部分を備えて構成してなる記録媒体では光導電層部材と
光変調材層部材との境界に形成された電荷像の電界によ
り光変調材層部材の状態が変化された状態で電荷像記録
が行われ、さらに、少なくともエレクトロクロミック材
層部材と電荷像形成層部材との積層構成部分を備えて構
成された記録媒体では、電荷像形成層部材に形成させた
電荷像の電界によりエレクトロクロミック材層部材に着
色像を生じさせた状態で電荷像記録が行われ、さらにま
た少なくともエレクトロクロミック材層部材と光導電層
部材との積層構成部分を備えて構成してなる記録媒体で
は光導電層部材と光変調材層部材との境界に形成された
電荷像の電界によりエレクトロクロミック材層部材に着
色像を生じさせた状態で電荷像記録が行われるように、
前記の記録媒体に対する電荷像の記録動作時には、記録
媒体における構成部材の積層方向に予め所定の強度の電
界を印加して、記録の対象にされいている情報によって
強度が変調されている光を入射させる。

記録済みの記録媒体からの再生動作時には記録済みの記
録媒体に記録情報の読取り用の光を入射させ、また、記
録済みの記録媒体に記録され、ている記録情報を他の記
録媒体に転写するのには、記録済みの第１の記録媒体と
、第２の記録媒体とを対向させて配置し、第２の記録媒
体における各構成部材の積層方向に予め所定の強度の電
界を印加し、前記した記録済みの第１の記録媒体を透過
させた光を第２の記録媒体における光導電層部材に入射
させる。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の記録媒体及び記録、
再生装置の具体的な内容について詳細に説明する。第１
図乃至第２８図及び第５２図乃至第５５図は本発明の記
録媒体の代表例の一部の側断面図、第２９図乃至第３４
図は本発明の記録媒体を用いて記録再生の対象にされて
いる情報を記録する記録系の構成例を示すブロック図、
第３５図乃至第４１図は本発明の記録媒体に記録されて
いる情報を再生する再生系の構成例を示すブロック図、
第４２図は静止画像の記録再生装置の構成例を示すブロ
ック図、第４３図は動画像の記録再生Ｍ置の構成例を示
すブロック図、第４４図は記録態様を示す平面図、第４
５図は３色分解光学系の一例構成の平面図、第４６図は
３色分解光学系の一例構成の斜視図、第４７図は光−光
変換素子の構成例を示す側面図、第４８図は光−光変換
素子における光変調材部材の光透過率特性例図、第４９
図は転写装置の構成例のブロック図である。

第１図乃至第２８図及び第５２図乃至第５５図は本発明
の記録媒体のそれぞれ異なる実施例の一部の側断面図で
ある。第１図に示す記録媒体は光変調材層部材Ｐ　Ｍ　
Ｌと電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌとを積層して構成した記
録媒体ＲＭであり、第２図に示す記録媒体は光変調材層
部材ＰＭＬと電荷像形成層部材ＣＦＬとを積層して構成
した第１図示の記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材Ｐ
　Ｍ　Ｌの面に電極Ｅｔ（電極Ｅｔは必要に応じて透明
電極とされる５この点は他の図についても同じ）を付着
形成させた構成のものである。

第１図に示されている記録媒体ＲＭにおいて、光変調材
層部材ＰＭＬはそれを通過する光の状態を変化させるこ
とができる性質を有する材料によっ゛Ｃ構成させた部材
であり、この光変調材層部材ＰＭＬは、電気光学効果を
有するニオブ酸すチュウム、ＢＳＯ，ＰＬＺＴあるいは
液晶、などを用いて構成できるのであり、この点は第２
図乃至第１３図の各回に示されている記録媒体ＲＭにお
ける光変調材層部材ＰＭＬについても同様である。

第５２図乃至第５５図に示されている記録媒体ＲＭは、
それの構成に用いられている光変調材層部材ＰＭＩ、と
して、散乱モードで動作しうる光変調材として高分子一
液晶複合膜を用いた場合の例を示している。

また、第１４図乃至第２８図に示されている記録媒体は
、第１図乃至第１３図及び第５２図乃至第５５図に示さ
れている記録媒体における光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌを
、エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに変更した実施
例である。

電荷像形成層部材ＣＦＬは例えば誘電体物質の層で構成
されるもので、電荷像形成層部材ＣＦＬの構成材料とし
ては例えば高分子有機材料の内から適当な材料を選択し
て使用できる。

前記した第１図に示されている記録媒体ＲＭは、それら
の各構成層の各構成部材を順次に蒸着法またはスパッタ
リング法２その他の手段によって順次に成膜することに
より構成することができ、また、前記した電荷像記録媒
体ＲＭは、ディスク状、シート状、テープ状、カード状
、その他、どのような構成形態のものとして構成されて
もよい（第２図乃至第２８図の各図に示されている記録
媒体ＲＭについても同じ）。

なお、第５２図乃至第５５図に示されている記録媒体Ｒ
Ｍにおいて、散乱モードで動作しつる光変調材として用
いられている高分子一液晶複合膜の具体的な構成や製法
などについては後述されている。

第１図に示す記録媒体ＲＭは光変調材層部材ＰＭＬと電
荷像形成層部材ＣＦＬとを積層させた構成のものである
から、この記録媒体ＲＭに記録の対象にされるべき情報
の記録を行う場合には、第２９図の（ａ）に例示されて
いる記録系のように、記録媒体ＲＭにおける光変調材層
部材ＰＭＬの面に電極Ｅｗを密着させ、また、記録媒体
ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬの前面に透明電極
Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬｗとからなる記録ヘッドＷ
Ｈを配置し、前記した［極Ｅｗと記録ヘッドＷＨにおけ
る透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂを接続し、被写体０の光
学像を撮像レンズ丁、によって記録ヘッドＷＨにおける
光導電層部材Ｐ　ＣＥ、　ｗに結像させる。

前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材Ｐｃｔ、Ｗの電
気抵抗値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従っ
て変化するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極
Ｅ　ｔ−ｗと記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭ
Ｌの面に密着させた電極ＥＷとの間には電源ｖｂが接続
されているから、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部
材ＰＣＬｗの面と記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部
材ＣＦＬとの間の電界強度は、前記した記録ヘッドＷ！
（の光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値の変化パターン
に従って変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの間
の放電によって記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬ
に形成される電荷像は被写体０の光学像に対応する電荷
像となされる。

次に、第２図に示す記録媒体ＲＭは、既述のように光変
調材層部材ＰＭＬと電荷像形成層部材ＣＦＬとを積層さ
せた構成の第１図に示されている構成の記録媒体ＲＭに
おける光変調材層部材ＰＭＬの面にｔ！ｔＦｊＡＥｔを
付着形成させた構成のものであるから、この記録媒体Ｒ
Ｍに記録の対象にされるべき情報の記録を行う場合には
第２９図の（ｂ）に例示されている記録系のように、記
録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＩ、の前面に
透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬｗとからなる記録
ヘッドＷＨを配置し、前記した記録媒体ＲＭにおける光
変調材層部材ＰＭＬの面に設けである電極Ｅｔと記録ヘ
ッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂを接続し
、被写体○の光学像を撮像レンズＬによって記録ヘッド
ＷＨにおける光導電層部材ＰＣＬｗに結像させる。

前記した光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値は、それに
結像された被写体Ｏの光学像に従って変化するが、前述
のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗと記録媒体Ｒ
Ｍにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に設けである電極
Ｅｔとの間には電源Ｖｂが接続されているから、前記し
た記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗの面と記録媒
体Ｒ，Ｍにおける電荷像形成層部材ＣＦＬとの間の電界
強度が、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬ
ｗの電気抵抗値の変化パターンに従って変化し。

記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの間の放電によって記
録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬに形成される電荷
像は被写体０の光学像に対応する電荷像となされる。

第１図及び第２図に示されている本発明の記録媒体ＲＭ
は、第２９図に例示されているような記録系により記録
媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像が形
成されると、その電荷像による電界が光変調材層部材Ｐ
ＭＬに加わるために、記録媒体ＲＭにおける光変調材層
部材ＰＭＬには記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬ
に形成された電荷像と対応した状態の変化が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像が記録された
状態の第１図及び第２図示の記録媒体ＲＭにおける光変
調材層部材ＰＭＬに一定の光強度の読取り光（再生光）
を照射すると、光変調材層部材Ｐ　Ｍ　［、の透過光ま
たは反射光は電荷像形成層部材ＣＦＩ、に形成されてい
る電荷像の情報を有しているものになっていることは明
らかである。

前記した第１図及び第２図示の記録媒体ＲＭにおける電
荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して透
明な構成材料で構成されていた場合には、記録媒体ＲＭ
に照射させた読取り光（再生光）における記録媒体ＲＭ
の透過光を記録情報の再生用の光として用い、また、第
１図及び第２図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層
部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して不透明な構成
材料で構成されていた場合には、記録媒体ＲＭにおける
光変調材層部材ＰＭＬ側に入射させ、光変調材層部材Ｐ
　Ｍ　Ｌを往復して透過して光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌ
から出射した読取り光（再生光）の反射光を記録情報の
再生用の光として用いることができる。

第１図及び第２図示の記録媒体ＲＭにおける光変調材層
部材ＰＭＬが、既述のように電気光学効果を有するニオ
ブ酸すチュウム、ＢＳＯ，ＰＬＺＴあるいは液晶、など
を用いて構成されていた場合には、記録媒体ＲＭの電荷
像形成層部材ＣＦ　Ｌに形成された電荷像と対応した状
態の変化が生じている記録媒体ＲＭにおける光変調材層
部材ＰＭＬに特定な偏光面を有する読取り光（再生光）
を透過させ、前記の光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌによって
偏光の状態が変化している記録情報の再生用の光を検光
子に通すことに尖り、記録媒体ＲＭに記録されていた電
荷像に対応して光量が変化している光として利用するこ
とができる。

なお、光変調材層部材ＰＭＬとして光散乱効果とメモリ
効果とを有するＰＬＺＴや第５２図乃至第５５図に例示
されている記録媒体ＲＭのように光変調材層部材ＰＭＬ
として光散乱効果とメモリ効果とを有する高分子一液晶
メモリ膜が使用されたときは、光変調材層部材ＰＭＬの
散乱効果により読取り光（再生光）に散乱量の変化によ
る光量の変化が生じた光が得られるから、この場合には
検光子を介して再生光を取出す必要はない。

前記した第１図及び第２図示の記録媒体ＲＭにおける電
荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して不
透明な構成材料で構成されていた場合には、既述のよう
に記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌ側に
入射させ、光変調材層部材ＰＭＬを往復して透過して光
変調材層部材ＰＭＩ、から出射した読取り光（再生光）
の反射光を記録情報の再生用の光として用いるようにす
るのであるが、この場合に光変調材層部材ＰＭＬに入射
して光変調材層部材ＰＭＬ中を通過し、光変調材層部材
ＰＭＬと電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌとの境界面で反射し
て再び光変調材層部材ＰＭＬ中を通過して光変調材層部
材ＰＭＬから出射する再生光の強度を大にするためには
、光変調材層部材ＰＭＬと電荷像形成層部材ＣＦＬとの
境界面での反射率が大きいことが必要とされる。

第３図及び第４図にそれぞれ示されている記録媒体ＲＭ
は、第１図及び第２図について説明した構成態様の記録
媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬと電荷像形成層
部材ＣＦＬとの境界面に誘電体ミラーＤＭＬを設けた構
成態様のものであり。

この第３図及び第４図にそれぞれ示されている記録媒体
ＲＭは、それの電荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再
生光）に対して不透明な構成材料で構成されていて、記
録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬ側に入射させ
た光を、光変調材層部材ＰＭＬ中で往復して透過させて
、光変調材層部材Ｐ　Ｍ、　Ｌから出射した読取り光（
再生光）を記録情報の再生用の光として用いるようにし
た場合にも。

光変調材層部材ＰＭＬに入射して光変調材層部材Ｐ　Ｍ
　Ｌ中を通過した光が誘電体ミラーＤＭＬで良好に反射
して光変調材層部材ＰＭＬ中を通過して光変調材層部材
ＰＭＬから出射するために再生光の強度が大にできるの
である。

第３図及び第４図にそれぞれ示されている記録媒体ＲＭ
に対する情報の記録時に使用されるべき記録系は、第１
図及び第２図にそれぞれ示されている記録媒体ＲＭに対
する情報の記録時に使用された第２９図示のような構成
態様の記録系と同様であってもよい。

なお、記録媒体ＲＭに情報を記録するための記録系とし
ては、第２９図に示されているように電源ｖｂの電圧が
加えられている電極間に設けられている記録媒体ＲＭに
おける構成部材の積層方向に電界を印加した状態で記録
動作が行われるようにする他に、他の構成形態の記録媒
体に対する記録動作のように、記録媒体ＲＭに帯電器Ｃ
Ｔから電荷を与えて記録媒体ＲＭにおける構成部材の積
層方向に電界が印加された状態で記録動作が行われるよ
うにされてもよい。この点は他の構成態様の記録媒体に
ついても同様である。

次に、第５図に示されている記録媒体ＲＭは光変調材層
部材Ｐ　Ｍ　Ｌと電荷像形成層部材ＣＦＬとを積層させ
た構成のものにおける電荷像形成層部材ＣＦＬが、電荷
移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとを積層した
構成態様のものとした場合の実施例を示している。

前記した第５図に示されている記録媒体ＲＭにおいて電
荷像形成層部材ＣＦＬを構成するのに使用されている電
荷移動抑止層部材ＥＳＬは、それに大きな電界が加えら
れたときに、トンネル効果によりトンネル電流が流れる
ような薄い誘電体膜で構成されているものであって、こ
の電荷移動抑止層部材ＥＳＬは、例えば、二酸化シリコ
ンの薄層、あるいはアルミナの薄層などを用いて構成し
たものを使用できる。

前記した第５図に示されている記録媒体ＲＭは、それら
における各構成層を積層させるのに、順次の各構成部材
を順次に蒸着法またはスパッタリング法、その他の手段
によって順次に成膜することにより構成することができ
る。

この第５図示の記録媒体ＲＭに情報の記録を行うのには
、第１図示の記録媒体Ｒ，Ｍに対する情報のｇ録動作の
ために使用された第２９図の（ａ）に示されているよう
な構成の記録系を用いることができる。

すなわち、第５回に示す記録媒体ＲＭに記録の対象にさ
れるべき情報の記録を行う場合にｔ±、第２９図の（ａ
）に例示されている記録系のように、記録媒体ＲＭにお
ける光変調材層部材ＰＭＵ、の而に電極Ｅｗを密着させ
、また、記録媒体ＲＭの電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘
電体°層部材ＩＬとを積層した構成態様の電荷像形成層
部材ＣＦＬにおける電荷移動抑止層部材ＥＳＬの前面に
透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬｗとからなる記録
ヘッドＷＨを配置し、前記した電極Ｅｗと記録ヘッドＷ
Ｈにおける透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂを接続し、被写
体０の光学像を撮像レンズＬによって記録ヘッドＷＨに
おける光導電層部材ＰＣＬｗに結像させる。

前記した記録ヘッドＷ　Ｈの光導電層部材ＰＣＬＷの電
気抵抗値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従っ
て変化するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極
ＥｔＷと記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材Ｐ　Ｍ　
Ｌの面に密着させた電極ＥＷとの間には電源ｖｂが接続
されているから、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部
材ＰＣＬｗの面と記録媒体ＲＭの電荷移動抑止層部材Ｅ
　Ｓ　Ｌと誘電体層部材ＩＬとを積層した構成態様の電
荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移動抑止層部材ＥＳ
Ｌとの間の電界強度は、前記した記録ヘッドＷＨの光導
電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値の変化パターンに従って
変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの間の放電に
よって記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬにおける
電荷移動抑止層部材Ｅ　Ｓ　Ｌの面に被写体○の光学像
に対応する電荷像が形成される。

それで、前記した電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層
部材Ｉ　Ｌとの間の電界の大きさが、前記した被写体○
の光学像に対応しているものになり、電荷移動抑止層部
材Ｅ　Ｓ　Ｌにはトンネル効果によって電流が流れて、
電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界
に被写体Ｏの光学像に対応する電荷像が記録される。

前記のように記録媒体ＲＭの内部に位置している電荷移
動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に記録
された電荷像は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材ＥＳＬ
と誘電体層部材ＩＬとによって包囲されているために長
期間にわたり安定に保持された状態となされる。

第５図に示されている本発明の記録媒体ＲＭは、第２９
図に例示されているような記録系により記録媒体ＲＭに
おける電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌにおける電荷移動抑止
層部材ＥＳＬと誘電体層部打丁■、との境界に電荷像が
形成されると、その電荷像による電界が光変調材層部材
１”　Ｍ　Ｌに加オ）るために、記録媒体ＲＭにおける
光変調材層部材ＰＭＬには記録媒体ＲＭの電荷像形成層
部材ＣＦ　Ｔ、における電荷移動抑止層部組Ｅ　Ｓ　Ｉ
、と誘電体層部材■Ｌとの境界に電荷像と対応した状態
の変化が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移動抑止
層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に電荷像が記
録された状態の第５図示の記録媒体ＲＭにおける光変調
材層部材１）　Ｍ　Ｌに一定の光強度の読取り光（再生
光）を照射すると、光変調材層部材ＰＭＬの透過光また
は反射光は電荷像形成層部材ＣＦＬに形成されている電
荷像の情報を有しているものになっていることは明らか
である。

前記した第５図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層
部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して透明な構成材
料で構成されていた場合には、記録媒体ＲＭに照射させ
た読取り光（再生光）における記録媒体ＲＭの透過光を
記録情報の再生用の光として用い、また、第５図示の記
録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光
（再生光）に対して不透明な構成材料で構成されていた
場合には、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材Ｐ　Ｍ
　Ｌ側に入射させ、光変調材層部材ＰＭＬを往復して透
過して光変調材層部材ＰＭＬから出射した読取り光（再
生光）の反射光を記録情報の再生用の光として用いるこ
とができる。

第５図示の記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材Ｐ　Ｍ
　Ｌが、既述のように電気光学効果を有するニオブ酸す
チュウム、Ｂ５０１Ｐ　Ｌ　Ｚ　Ｔあるいは液晶、など
を用いて構成されていた場合には、記録媒体ＲＭの電荷
像形成層部材ＣＦＴ−に形成された電荷像と対応した状
態の変化が生じている記録媒体ＲＭにおける光変調材層
部材ＰＭＬに特定な偏光面を有する読取り光（再生光）
を透過させ、前記の光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌによって
偏光の状態が変化している記録情報の再生用の光を検光
子に通すことにより、記録媒体ＲＭに記録されていた電
荷像に対応して光量が変化している光として利用するこ
とができる。

前記した第５図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層
部材ＣＦ　１．が聞取り光（再生光）に対して不透明な
構成材料で構成されていた場合には、農述のように記録
媒体ＲＭに才ノける光変調材層部材ＰＭＬ側に入射させ
、光変調材層部材Ｐ　ＭＬを往復して透過して光変調材
層部材ＰＭＬから出射した読取り光（再生光）の反射光
を記録情報の再生用の光として用いるようにするのであ
るが、この場合に光変調材層部材ＰＭＥ、に入射して光
変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌ中を通過し、光変調材層部材Ｐ
ＭＬと電荷像形成層部材ＣＦ　Ｉ、との境界面で反射し
て再び光変調材層部材ＰＭＬ中を通過して光変調材層部
材ＰＭＬから出射する再生光の強度を大にするためには
、光変調材層部材Ｐ　Ｍ、　Ｌと電荷像形成層部材ＣＦ
Ｌとの境界面での反射率が大きいことが必要とされる。

第６図に示されている記録媒体ＲＭは、第５図について
説明した構成態様の記録媒体ＲＭの光変調材層部材ＰＭ
Ｌと電荷像形成層部材ＣＦＬにおける誘電体層部材ＩＬ
との境界面に１！電体ミラーＤ　Ｍ　Ｌを設けた構成態
様のものであり、この第６図に示されている記録媒体Ｒ
Ｍは、それの電荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生
光）に対して不透明な植成材料で構成されていて、記録
媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬ、側に入射させ
た光を、光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌ中で往復して透過さ
せて、光変調材層部材ＰＭＬから出射した読取り光（再
生光）を記録情報の再生用の光として用いるようにした
場合にも、光変調材層部材ＰＭＬに入射して光変調材層
部材ＰＭＬ中を通過した光が誘電体ミラーＤＭＬで良好
に反射して光変調材層部材ＰＭＬ中を通過して光変調材
層部材１）　Ｍ　Ｌから出射するために再生光の強度が
大にできるのである。

第６図におけるＥｔは電極である。

次に、第７図に示されている記録媒体ＲＭは光変調材層
部材ＰＭＬと電荷像形成層部材ＣＦＬとを積層させた構
成のものにおける電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌとして、光
導電体の微粒子ＰＣＧの層を内在させである誘電体層部
材ＩＬを用いているものである。

この第７図示の記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材Ｉ　
Ｔ、は、高い絶縁抵抗値を有する誘電体材料、例えば、
適当な高分子材料膜を用いて構成されたものが使用され
、また、前記した記録媒体ＲＭにおける光導電体の微粒
子ＰＣＧの層は、例えば。

高い絶縁抵抗値を有する誘電体材料を使用して構成され
ている誘電体層部材■Ｌの面上に適当な手段により無数
の光導電体の微粒子ＰＣＧが互いに分離して分布してい
る状態とさせた後に、その上に誘電体材料の薄膜を例え
ば蒸着法あるいはスパッタリング法により被着させるこ
とによって構成できる。なお、前記した光導電体の微粒
子ＰＣＧを互いに分・離しで分布している状態にさせる
のには、例えばマスクパターンを介して光導電体材料を
蒸着またはスパッタリングさせるようにしてもよい。

前記した記録媒体ＲＭは、それらにおける各構成層を￥
＊Ｍさせるのに、順次の各構成部材を順次に蒸着法また
はスパッタリング法、その他の手段によって順次に成膜
することにより構成することができる。

第７図示の記録媒体ＲＭに情報の記録を行う場合にも、
第１図示の記録媒体ＲＭに対する悄帽の記録動作のため
に使用された第２９図の（ａ）に示されているような構
成の記録系を用いることができる。

すなわち、第７図に示す記録媒体ＲＭに記録の対象にさ
れるべき情報の記録を行う場合には、第２９図の（ａ）
に例示されている記録系のように、記録媒体ＲＭにおけ
る光変調材層部材ＰＭＬの而に電極Ｅｗを密着させ、ま
た、記録媒体ＲＭの光導電体の微粒子ＰＣＧの層を内在
させである誘電体層部材ＩＬよりなる電荷像形成層部材
ＣＦＬの前面に透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬｗ
とからなる記録ヘッドＷＨを配置し、前記した電極Ｅｗ
と記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂ
を接続し、被写体０の光学像を撮像レンズＬ４によって
記録ヘッドＷＺ＋における光導電層部材ＰＣＬｗに結像
させる。

前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬＷの電気
抵抗値は、それに結像された被写体０の光学像に従って
変化するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅ
ｔｗと記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの面
に密着させた電極ＥＷとの間には電源ｖｂが接続されて
いるから、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材Ｐ　
ＣＬｗの面と記録媒体ＲＭの光導電体の微粒子ＰＣＧの
層を内在させである誘電体層部材ＩＬよりなる電荷像形
成層部材ＣＦＬの面との間の電界強度は、前記し、た記
録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値の変
化パターンに従って変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体
ＲＭとの間の気中放電によって記録媒体ＲＭの電荷像形
成層部材ＣＦ　Ｉ、の表面に電荷像（第２９図示の例で
は負電荷像）が形成される。

前記のように記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ｃ　ＦＬ
の表面に負電荷像が形成された記録媒体ＩくＭにおける
電荷像形成層部材ＣＦＬの面に記憶用光源からメモリ光
を照射させると、前記の照射光が電荷像形成層部材ＣＦ
　Ｌを構成している誘電体層部材ＩＬ中に埋設されてい
る光導電体の微粒子ＰＣＧに到達することにより前記の
光導電体の微粒子ＰＣＧには電子−正孔対が発生する。

なお。

電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体層部材Ｉ
Ｌは、前記したメモリ光に対しτは透明であっても、後
述されている読取り光（再生光）に対しては不透明にな
される場合もある。

そして、前記した光導電体の微粒子ＰＣＧ中に発生した
電子−正孔対と、被写体０の光学像と対応して記録媒体
ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘
電体層部材ＩＬの表面に形成されている負電荷像との間
の電界によって、前記した記録媒体ＲＭにおける電荷像
形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体層部材ＩＬの表
面に形成されている負電荷像の負電荷は、トンネル効果
によりトンネル電流として誘電体層部材ｉ　Ｌを突抜け
て、誘電体層部材ＩＬに埋設されている光導電体の微粒
子ＰＣＧよりなる構成層の光導電体の微粒子ＰＣＧに達
し、前記した光導電体の微粒子ＰＣＧ中の電子−正孔対
における正孔と中和して、前記した光導電体の微粒子Ｐ
ＣＧは負に帯電した状態となされて、被写体０の光学像
に対応する電荷像が光導電体の微粒子ＰＣＧによって記
録された状態になされる。

前記のように記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬを
構成している誘電体層部材ＩＬに内在されている光導電
体の微粒子Ｉ）　ＣＧに記録された電荷像は誘電体層部
材１．　Ｌによって包囲されているために長期間にわた
り安定に保持された状態となされる。

第７図に示されている本発明の記録媒体ＲＭは、第２９
図に例示されているような記録系により記録媒体ＲＭの
電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体層部材Ｉ
Ｌに内在されている光導電体の微粒子ＰＣＧに電荷像が
形成されると、その電荷像による電界が光変調材層部材
ＰＭＬに加わるために、記録媒体ＲＭにおける光変調材
層部材ＰＭ　Ｌには記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材Ｃ
ＦＬを構成している誘電体層部材ＩＬに内在されている
光導電体の微粒子ＰＣＧの電荷像と対応した状態の変化
が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体
層部材ＩＬに内在されている光導電体の微粒子ＰＣＧの
電荷像が記録された状態の第７図示の記録媒体ＲＭにお
ける光変調材層部材ＰＭＬに一定の光強度の読取り光（
再生光）を照射すると、光変調材層部材ＰＭＬの透過光
または反射光は電荷像形成層部材ＣＦＬに形成されてい
る電荷像の情報を有しているものになっていることは明
らかである。

前記した第７図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層
部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して透明な構成材
料で構成されていた場合には、記録媒体ＲＭに照射させ
た読取り光（再生光）における記録媒体ＲＭの透過光を
記録情報の再生用の光として用い、また、第７図示の記
録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌが読取り
光（再生光）に対して不透明な構成材料で構成されてい
た場合には、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭ
Ｌ側に入射させ、光変調材層部材ＰＭＬを往復して透過
して光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌから出射した読取り光（
再生光）の反射光を記録情報の再生用の光として用いる
ことができる。

第７図示の記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬ
が、既述のように電気光学効果を有するニオブ酸すチュ
ウム、ＢＳＯ，ＰＬＺＴあるいは液晶、などを用いて構
成されていた場合には、記録媒体ＲＭの電荷像形成層部
材ＣＦＬを構成している誘電体層部材ＩＬに内在されて
いる光導電体の微粒子ＰＣＧの電荷像と対応した状態の
変化が生じている記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材
ＰＭＬに特定な偏光面を有する読取り光（再生光）を透
過させ、前記の光変調材層部材ＰＭＬによって偏光の状
態が変化している記録情報の再生用の光を検光子に通す
ことにより、記録媒体ＲＭに記録されていた電荷像に対
応して光量が変化している光として利用することができ
る。

前記した第７図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層
部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して不透明な構成
材料で構成されていた場合には、既述のように記録媒体
ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬ側に入射させ、光変
調材層部材ＰＭＬを往復して透過して光変調材層部材Ｐ
ＭＬから出射した読取り光（再生光）の反射光を記録情
報の再生用の光として用いるようにするのであるが、こ
の場合に光変調材層部材ＰＭＬに入射して光変調材層部
材ＰＭＬ中を通過し、光変調材層部材ＰＭＬと電荷像形
成層部材ＣＦＬとの境界面で反射して再び光変調材層部
材ＰＭＬ中を通過して光変調材層部材ＰＭＬから出射す
る再生光の強度を大にするためには、光変調材層部材Ｐ
ＭＬと電荷像形成層部材ＣＦＬとの境界面での反射率が
大きいことが必要とされる。

第８図に示されている記録媒体ＲＭは、第７１閑につい
て説明した構成態様の記録媒体ＲＭの光変調材層部材Ｐ
ＭＬと電荷像形成層部材ＣＦＬにおける誘電体層部材Ｉ
Ｌとの境界面にｖｌ電体ミラーＤＭＬを設けた構成層様
のものであり、この第８図に示されている記録媒体ＲＭ
は、それの電荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生光
）に対して不透明な構成材料で構成されていて、記録媒
体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬ側に入射させた光
を、光変調材層部材ＰＭＬ中で往復して透過させて、光
変調材層部材ＰＭＬから出射した読取り光（再生光）を
記録情報の再生用の光として用いるようにした場合にも
、光変調材層部材ＰＭＬに入射して光変調材層部材ＰＭ
Ｌ中を通過した光が誘電体ミラーＤＭＬで良好に反射し
て光変調材層部材ＰＭＬ中を通過して光変調材層部材Ｐ
ＭＬから出射するために再生光の強度が大にできるので
ある。

第８図におけるＥｔは電極である。

次に、第９図乃至第１３図に示されている記録媒体ＲＭ
について説明する。第９図乃至第１３図にそれぞれ示さ
れている記録媒体ＲＭは、これまで第１図乃至第８図を
参照して説明して来た記録媒体ＲＭ、すなわち、少なく
とも光変調材層部材ＰＭＬと電荷像形成層部材ＣＦ　Ｔ
、との積層構成を含んで構成されている記録媒体ＲＭに
おける電荷像形成層部材ＣＦＬを光導電層部材ＰＣＬに
変更したような構成形態とした記録媒体ＲＭである。

第９図に示されている記録媒体ＲＭは光変調材層部材Ｐ
ＭＬと光導電層部材ＰＣＬとを積層した構成の記録媒体
ＲＭであり、また、第１０図レコ示されている記録媒体
ＲＭは前記した第９図に示されている構成態様の記録媒
体ＲＭにおける光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌの面に電極Ｅ
ｔを付着形成させた構成態様の記録媒体ＲＭであり、さ
らに、第１１図は前記した第９図に示されている構成の
記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に電極
Ｅｔｌを付着形成させるとともに、光導電層部材Ｐｃ　
ｒ＝の面にも電極Ｅｔ２を付着形成させた構成態様の記
録媒体ＲＭであり、さらにまた、第１２図は前記した第
９図に示されている構成の記録媒体ＲＭにおける光変調
材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌと光導電層部材ＰＣＬとの間に誘電
体ミラーＤＭＬを設けた構成態様の記録媒体ＲＭであり
、また、第１３図は前記した第９図に示されている構成
の記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材Ｐ　Ｍ、　Ｌと
光導電層部材ＰＣＬとの間に誘電体層部材ＩＬｔ−設け
た構成態様の記録媒体ＲＭである。

第９図に示されている記録媒体Ｒ，Ｍに情報の記録を行
う場合には、第３０図の（ａ）に例示されている記録系
のように、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬ
の面に電極Ｅｗを密着させ、また、記録媒体Ｒ，Ｍにお
ける光導電層部材Ｐ　ＣＬの前面に透明電極Ｅｔｗから
なる記録ヘッドＷＨを配置し、前記した電極Ｅｗと記録
ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅ　ｔ　Ｗとに電源ｖｂを
接続し、被写体０の光学像を撮像レンズＬ、によって記
録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗを介して記録媒体ＲＭの
光導電層部材Ｐ　ＣＬ　ｗに結像させる。

前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化
するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗ
と記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に密
着させた電極Ｅｗとの間には電源ｖｂが接続されている
から、前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの面
と記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬとの間の
電界強度は、前記した光導電層部材ｐ　ｃ　ｒ、の電気
抵抗値の変化パターンに従って変化し、記録ヘッドＷ’
Ｈの透明電極Ｅｔｗとの間の放電によって記録媒体ＲＭ
の光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとの境界
に形成される電荷像は被写体Ｏの光学像に対応する電荷
像となされる。

次に、第１０図に示す記録媒体ＲＭは、既述のように光
変調材層部材ＰＭＬと光導電層部材ＰＣＬとを積層させ
た構成の第９図に示されている構成の記録媒体ＲＭにお
ける光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌの面に電極Ｅｔを付着形
成させた構成のものであるから、この記録媒体ＲＭに記
録の対象にされるべき情報の記録を行う場合には、第３
０図の（ｂ）に例示されている記録系のように、記録媒
体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬの前面に透明電極Ｅ
ｔｗからなる記録ヘッドＷＨを配置し、前記した記録媒
体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に設けである
電極Ｅｔと記録ヘッドＷＥ（における透明電極Ｅｔｗと
に電源ｖｂを接続し、被写体Ｏの光学像を撮像レンズＬ
によって記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗを介して記録
媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬに結像させる。

前記した光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値は、それに結
像された被写体Ｑの光学像に従って変化するが、前述の
ように記録ヘッドＷ　Ｈの透明電極Ｅ　ｔ、　ｗと記録
媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に設けであ
る電極Ｅｔとの間には電源Ｖｂが接続されているから、
前記し・た記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬＯ面と光
変調材層部材ＰＭＬどの間の電界強度が、前記した光導
電層部材ＰＣＬの電気抵抗値の変化パターンに従って変
化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの間の放電によ
って記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬに形成される電
荷像は被写体０の光学像に対応する電荷像となされる。

第９図及び第１０図に示されている本発明の記録媒体Ｒ
Ｍは、第３０図に例示されているような記録系により記
録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部
材Ｐ　Ｍ　Ｔ−どの境界面に電荷像が形成されると、そ
の電荷像による電界が光変調材層部材ＰＭＬに加わるた
めに、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材Ｐ　Ｍ、　
Ｌには記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬに形成された
電荷像と対応した状態の変化が生じる。

それで、光導電層部材Ｐ　ＣＬに電荷像が記録された状
態の第９図及び第１０図示の記録媒体ＲＭにおける光変
調材層部材ＰＭＬに一定の光強度の読取り光（再生光）
を照射すると、光変調材層部材ＰＭＬの透過光または反
射光は光導＠層部材ＰＣＬに形成されている電荷像の情
報を有しているものになっていることは明らかである。

前記した読取り光（再生光）として記録媒体ＲＭの光導
電層部材ＰＣＬに吸収されない波長帯の光を使用すれば
、前記した読取り光（再生光）により光導電層部材ＰＣ
Ｌが低抵抗の状態になって記録媒体ＲＭにおける光導電
層部材ＰＣＬと光変調材層部材Ｐ　Ｍ、　Ｌとの境界面
の電荷像が失われるようなことは起こらない。

第１１図に示されている記録媒体ＲＭは光変調材層部材
ＰＭＬと光導電層部材ＰＣＬとを積層させた構成の第９
図に示されている構成の記録媒体ＲＭにおける光導電層
部材ＰＣＬの面に電極Ｅｔ１を付着形成させるとともに
、光変調材層部材ＰＭ、　Ｌの面に電極Ｅｔ、２を付着
形成させた構成のものであるから、この記録媒体ＲＭに
記録の対象にされるべき情報の記録を行う場合には、第
３Ｌ１２Ａに例示されている記録系のように、記録媒体
ＲＭ。

に対する情報の記録動作に際して記録ヘッドＷＨを必要
としない。

第３１図に例示されている記録系において、第１１図示
のような構成態様の記録媒体ＲＭにおける光導電層部材
ＰＣＬの面に設けられている電極Ｅｔｌ　と、光変調材
層部材ＰＭＬの面に設けである電極Ｅｔ２とに電源ｖｂ
を接続し、被写体○の光学像を撮像レンズＬによって記
録媒体Ｒ，Ｍの電極Ｅｔｌを介Ｌ５て記録媒体ＲＭの光
導ｔ１ｔＭ部材ＰＣＬに結像させる。

前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値は、それに結像された被写体０の光学像に従って変化
するが、前述のように記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣ
Ｌの面に設けられている電極ＥｔＩと、光変調材層部材
ＰＭＬの面に設けてあ６ｆｆｉ極Ｅｔ２との間にはｉｔ
ｇｖｂが接続されているから、前記した記録媒体ＲＭの
光導電層部材ＰＣＬの面と光変調材層部材ＰＭＬとの間
の電界強度が、前記した光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値の変化パターンに従って変化し、記録媒体Ｒ，Ｍの記
録媒体ＲＭの光導電層部材ｐ　ｃ　ｒ、と光変調材層部
材ＰＭＬとの境界面には被写体０の光学像に対応する電
荷像が形成される。

前記した第１１図に示されている本発明の記録媒体Ｒ，
Ｍは、第３１図に例示されているような記録系により記
録媒体ＲＭにおける光導電層部材ト）ＣＬと光変調材層
部材Ｐ　Ｍ、　Ｌとの境界面に電荷像が形成されると、
その電荷像による電界が光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌに加
わるために、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭ
Ｌには記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬに形成された
電荷像と対応した状態の変化が生じる。

それで、記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬと光
変調材層部材ＰＭＬとの境界面に電荷像が形成された状
態の第１１図示の記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材
ＰＭＬに一定の光強度の読取り光（再生光）を照射する
と、光変調材層部材ＰＭ　Ｌの透過光または反射光は光
導電層部材Ｐ　ＣＩ。

に形成されている電荷像の情報を有しているものになっ
ていることは明らかである。

そして、前記した読取り光（再生光）として記録媒体Ｒ
Ｍの光導電層部材ＰＣＬに吸収されない波長帯の光を使
用すれば、前記した読取り光（再生光）により光導電層
部材ＰＣＬが低抵抗の状態になって記録媒体ＲＭにおけ
る光導電層部材Ｐ　ＣＩ。

と光変調材層部材ＰＭＬとの境界面の電荷像が失われる
ようなことは起こらない。

次に、第１２図示の記録媒体ＲＭは前記した第９図に示
されている構成の記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材
ＰＭＬと光導電層部材ＰＣＬとの間にｖｉ電体ミラーＤ
ＭＬを設けた構成態様の記録媒体ＲＭであるから、この
第１２図示の構成態様の記録媒体ＲＭにおいては既述し
・た第９図乃至第１１図を参照して説明した記録媒体Ｒ
Ｍの場合のように、読取り光（再生光）を特定な波長帯
の光に選定する必要がなくなる。

第１２図示の構成態様の記録媒体ＲＭに対する情報の記
録時には、第５′）図示の記録媒体ＲＭに対する情報の
記録時と同様な記録系、すなわち、第３０図の（ａ）に
例示さ、ｌｔている記録系が使用される。

なお、第１２図示の記録媒体Ｒ，Ｍにおける光変調材層
部材Ｐ　Ｍ、　Ｌの面に第１０図示の記録媒体ＲＭのよ
うに電極Ｅｔを付着した構成の記録媒体ＲＭとし°Ｃ本
発明を実施したり、あるいは第１２図示の記録媒体ＲＭ
における光導電層部材ＰＣＬの面と光変調材層部材ＰＭ
Ｌの面とに第１１図示の記録媒体ＲＭのように電極Ｅｔ
ｌ、Ｅｔ２とを付着した構成の記録媒体ＲＭとして本発
明を実施してもよいことは勿論であって、前記した各変
形実施態様の記録媒体ＲＭに対する情報の記録動作時に
は、それぞれ第３０図の（ｂ）に例示されている記録系
、あるいは第３１図に示されている記録系が使用される
。

次に第１３図に示されている記録媒体ＲＭは前記した第
９図に示されている構成の記録媒体ＲＭにおける光変調
材層部材ＰＭＬと光導電層部材ＰＣＬとの間に誘電体層
部材ＩＬを設けた構成態様の記録媒体ＲＭである。

第１３図に示されている記録媒体ＲＭに情報の記録を行
う場合には、第３０図の（ａ）に例示されている記録系
のように、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材Ｐ　Ｍ
　Ｌの面に電極Ｅｗを密着させ、また、記録媒体ＲＭに
おける光導電層部材ＰＣＬの前面に透明電極Ｅｔｗから
なる記録ヘッドＷＨを配置し、前記した電極Ｅｗと記録
ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂを接続
し、被写体０の光学像を搬像レンズ１、によって記録ヘ
ッドＷＨの透明電極Ｅｔｗを介して記録媒体ＲＭの光導
電層部材ＰＣＬｗに結像させる。

前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値は、それに結像された被写体○の光学像に従って変化
するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗ
と記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に密
着させた電極Ｅｗとの間には電源ｖｂが接続されている
から、前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの面
と誘電体層部材ＩＬとの間の電界強度は、前記した光導
電層部材ＰＣＬの電気抵抗値の変化パターンに従って変
化し、記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗとの間の放電に
よって記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部
材Ｉ　Ｌとの境界に形成される電荷像は被写体０の光学
像に対応する電荷像となされる。

それで、第１３図に丞されている本発明の記録媒体ＲＭ
は、第３０図に例示されているような記録系により記録
媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部材Ｉ
Ｌとの境界面に電荷像が形成されると、その電荷像によ
る電界が光変調材層部材ＰＭＬに加わるために、記録媒
体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＩ、には記録媒体Ｒ
Ｍの光導電層部材Ｐ　ＣＬに形成された電荷像と対応し
た状態の変化が生じる。

それで、光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部材■Ｌとの境
界面に電荷像が記録された状態の第１３図示の記録媒体
ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬに一定の光強度の読
取り光（再生光）を照射すると、光変調材層部材Ｐ　Ｍ
　Ｌの透過光または反射光は光導電層部材ＰＣＬに形成
されている電荷像の情報を有しているものになっている
ことは明らかである。

前記した読取り光（再生光）として記録媒体ＲＭの光導
電層部材ＰＣＬに吸収されない波長帯の光を使用すれば
、前記した読取り光（再生光）により光導電層部材ＰＣ
Ｌが低抵抗の状態になって記録媒体ＲＭにおける光導電
層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとの境界面の電荷
像が失われるようなことは起こらない。

なお、第１３図示の記録媒体ＲＭの変形実施態様として
は、例えば、第１３図示の記録媒体ＲＭにおける一方の
面に電極を付着形成させたり、あるいは第１，３図示の
記録媒体ＲＭにおける両面にそれぞれ電極を付着形成さ
せたり、もしくは第１３図中で誘電体層部材Ｉ　Ｌとし
て示している部分を第５図及び第７図中で電荷像形成層
部材ＣＦＬとして示しているような構成のものに変更し
て実施されてもよく、また、構成に当って誘電体ミラー
　Ｄ　Ｍ　Ｌが設けられてもよい。

前記した各変形態様の記録媒体ＲＭに対する記録系の構
成態様は、第１図乃至第１３図について説明された記録
系に関する記載内容から容易に判かるところである。

既述もしたように、実施例の記録媒体ＲＭに設けられる
電極Ｅ　ｔ　、　Ｅｔｌ、　Ｅｔ２としては、必要に応
じて所要の波長域の光を透過させうるようなものとして
構成されるべきことは勿論であり、この点は本発明の実
施例のすべてに共通である。

第３２図は光導電層部材ＰＣＬを備えているとともに、
被写体に面する側とは反対側の面に電極Ｅ　ｔ、　（電
極は透明電極、不透明な電極のどちらでもよい）を備え
ているような記録媒体ＲＭにおける被写体に面する側の
全面に対して、帯電器ＣＴから予め所定の極性の電荷を
付着させておき、その面に被写体の光学像を結像させる
ようにした記録系を例示したものであり、また、第３３
図は構成部材中に光導電層部材を備えてなく、また被写
体に面する側とは反対側の面に電極Ｅｔ（電極は透明電
極、不透明な電極のどちらでもよい）を備えているよう
な記録媒体ＲＭにおける被写体に面する側の全面に対し
て、帯電器ＣＴから予め所定の極性の電荷を付着させて
消去を行った後に、透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣ
Ｌｗとからなる記録ヘッドＷＨを用いて記録媒体ＲＭに
電荷像を形成させるようにした記録系を例示したもので
ある。第３２図及び第３３図に示されている構成の記録
系のように、帯電器を用いて記録媒体に電荷を付着させ
るようにした記録系は、前記した構成形態以外の構成形
態の記録媒体にも適用できる。

次に、散乱モードで動作する光変調材層部材ＰＭＬを用
いて構成させた記録媒体ＲＭについて説明する。散乱モ
ードで動作する光変調材層部材ＰＭＬとしては、電界に
より光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ（例えばＰ
　Ｌ　ＺＴ８／７０／３０）を光変調材層部材として構
成させた記録媒体ＲＭが用いられても構成できる。前記
した光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ（例えばＰ
ＬＺＴ８／７０／３０）を光変調材層部材として用いた
記録媒体ＲＭの場合における消去動作は加熱によって行
われる。

第５２図乃至第５５図は散乱モードで動作する光変調材
層部材ＰＭＬとして高分子材料に高抵抗液晶を分散させ
た高分子一液晶複合膜を用いて構成した記録媒体ＲＭを
示している。

まず、第５２図示の記録媒体ＲＭは電荷像形成層部材Ｃ
ＦＬと高分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子−液
晶複合膜を用いて構成した光変調材層部材ＰＭＬとを積
層した構成態様の記録媒体ＲＭであり、また、第５３図
示の記録媒体ＲＭは電荷像形成層部材ＣＦＬと高分子材
料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用い
て構成した光変調材層部材ＰＭＬと電極Ｅｔとを積層し
た構成態様の記録媒体ＲＭであり、さらに第５４図示の
記録媒体ＲＭは光導電層部材ＰＣＬと、高分子材料に高
抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成
した光変調材層部材ＰＭＬとを積層した構成態様の記録
媒体ＲＭであり、さらにまた、第５５図示の記録媒体Ｒ
Ｍは光導電層部材ＰＣＬと高分子材料に高抵抗液晶を分
散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成した光変調材
層部材ＰＭＬと電極Ｅｔとを積層した構成態様の記録媒
体ＲＭであり、各図中に示されている１２．Ｑ・・・は
高分子一液晶複合膜中に分散されている状態の液晶（細
孔中の液晶）を示している。

ここで、前記した記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材
ＰＭＬとして用いられている高分子一液晶複合膜につい
て説明する。

前記の光変調材層部材ＰＭＬとして使用されている高分
子一液晶複合膜は９例えば、ポリエステル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリアミド樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン
樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が１０１４Ω１
以上の高分子材料中に、室温において液晶相を示し、か
つ、高い体積抵抗率を有するネマティック液晶を分散さ
せることによって構成されている。

次に、前記した記録媒体ＲＭにおける高分子一液晶複合
膜による光変調材層部材ＰＭＬの製作例について述べる
と、（１）英国ＢＤＨ社製の室温ネマティック液晶Ｅ−
４４を３グラム計量し、前記した３グラムの室温ネマテ
ィック液晶Ｅ−４４を２０グラムのＰＭＭＡのクロロホ
ルム１０％溶液に添加して攪拌した後に静置する。

電荷像形成層部材ＣＦＬとして使用される高分子材料膜
または、光導電層部材ＰＣＬの面を充分に洗浄し、前記
した高分子材料膜または、光導電層部材ＰＣＬの面上に
、前記のように静置しておいた液晶を含むＰＭＭＡのク
ロロホルム溶液をバーコータによって塗布して高分子一
液晶複合膜による光変調材層部材ＰＭＬを構成させる。

前記した高分子材料としては前記したＰ　ＭＭＡの他に
、溶剤に溶けてフィルム状に塗布することができ、かつ
、高い体積抵抗率を有する高分子材料であれば何でもよ
いが、特に透明度の良好なポリカーボネート、ＰＥＴな
どは良好に使用できるのである（この点は後述されてい
る（２）、（３）の他の製作例についても同様である）
。

（２）チッソ株式会社製の室温ネマティック液晶ＬＩＸ
ＯＮ５０１７（またはＬＩＸＯＮ５０２８）を３グラ１
１計量し、前記した３グラムの室温ネマティッ’）液晶
ＬＩＸＯＮ５０１７（またはＬＩＸＯＮ５０２８　）を
１０重量％の２０グラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液
に添加して攪拌した後に静置する。

電荷像形成層部材ＣＦＬとして使用される高分子材料膜
または、光導電層部材ＰＣＬの面を充分に洗浄し、前記
した高分子材料膜または、光導電層部材ＰＣＬの面上に
、前記のように静置しておいた液晶を含むＰＭＭＡのク
ロロホルム溶液をバーコータによって塗布して高分子一
液晶複合膜による光変調材層部材ＰＭＬを構成させる。

（３）メルク・ジャパン社製の室温ネマティック液晶Ｚ
ＬＩ４２７７を３グラム計量し、前記した３グラムの室
温ネマティック液晶ＺＬＩ４２７７を１０重量％の２０
グラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添加して攪拌し
た後に静置する。

電荷像形成層部材ＣＦＬとして使用される高分子材料膜
または、光導電層部材ＰＣＬの面を充分に洗浄し、前記
した高分子材料膜または、光導電層部材ＰＣＬの面上に
、前記のように静置しておいた液晶を含むＰＭＭＡのク
ロロホルム溶液をバーコータによって塗布して高分子一
液晶複合膜による光変調材層部材ＰＭＬを構成させる。

前記のようにして製作された高分子一液晶複合膜による
光変調材層部材ＰＭＬにおける細孔中の液晶Ｑ、Ｑ・・
・は、高分子材料中に存在する無数の細孔中に閉じ込め
られた状態となされている。

前記した（１）〜（３）の製作例の内でＩＩＱ例の（２
）。

（３）で使用しているネマティック液晶は、それの比抵
抗がＩ　Ｘ　１０”Ω１というように高い値を示すもの
であるために、その液晶を分散させる高分子材料として
体積抵抗率が１０１４Ω１以上のものを用いて作られた
高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＰＭＬを備え
た記録媒体ＲＭでは高い解像度の画像情報の杏込み読出
し動作を行うことができ、また、光変調材層部材ＰＭＬ
として用いられている高分子一液晶複合膜に与えられる
電界は直流電界であっても、液晶として高抵抗のもの（
イオンの混入量が極めて少い液晶）が使用されているこ
とにより、長時間の経過によっても画像の解像度の低下
が生じないようにできる。

すなわち、高分子一液晶複合膜を用いた光変調材層部材
において、多くのイオンを含んでいるために体積抵抗率
の低い液晶が用いられた場合には。

光変調材層部材に印加された電界によって液晶に含まれ
ているイオンが移動して、光変調材層部材に電界を与え
ている電荷像による電界の強度を低下させるために、液
晶分子の光学軸の傾きが減少し、前記した液晶分子の光
学軸の傾きの減少によって電荷像による電界が乱れて電
荷像の解像度の劣化が生じるのであるが、前記した製作
例の（２）。

（３）で使用しているネマティック液晶のように、それ
の比抵抗がｌＸｌ０”Ω１というように高い値を示すも
のであり、また、その液晶を分散させる高分子材料とし
て体積抵抗率が１ＯＬ４Ω１以上のものを用いて作られ
た高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＰＭＬを備
えた記録媒体ＲＭでは、液晶には多くのイオンが含まれ
ていないためにイオンによる前述のような不都合な動作
が行われず、したがって前記した構成の記録媒体ＲＭで
は、高い解像度の画像情報の記録、再生動作が行われる
のである。

さて、散乱モードで動作しうる光変調材層部材として構
成されている高分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分
子一液晶複合膜による光変調材層部材ＰＭＬに電荷像の
電荷分布に応じた強度分布の電界が加わると、光変調材
層部材ＰＭＬとして用いられている高分子一液晶複合膜
では、前記の電荷像による電界と対応した液晶の配向状
態の変化像が生じる。

前記のようにして光変調材層部材ＰＭＬとして用いられ
ている高分子一液晶複合膜に電荷像と対応して生じた液
晶の配向状態の変化像は、前記した電荷像が存在してい
る限りそのままの状態に保持されているが、高分子一液
晶複合膜中に分散されている細孔の大きさが大きなもの
の場合には、電荷像が除去されると光変調材層部材ＰＭ
Ｌとして用いられている高分子一液晶複合膜に与えられ
る電界がなくなるために高分子一液晶複合膜中の液晶が
等方性相になって消去が行われる。

しかし、光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌとして用いられてい
る高分子一液晶複合膜中に分散されている細孔の大きさ
が例えば０．５ミクロン程度以下の径の小さなものの場
合には、電荷像が除去されて光変調材層部材ＰＭＬとし
て用いられている高分子・一液晶複合膜に与えられる電
界がなくなっても、高分子一液晶複合膜中の液晶に電荷
像と対応して生じていた液晶の配向状態の変化像がその
ままの状態で保持されるようなメモリ機能が生じる。

すなわち、高分子一液晶メモリ膜ＰＭＬの構成要素の一
つとして用いられている液晶は、高分子一液晶メモリ膜
ＰＭＬの他の構成要素として用いられている多孔質の高
分子材料膜中にランダムに分布している状態で形成され
ている無数の微小な細孔中に封入された状態になされて
いるが、液晶が閉じ込められている高分子材料中の細孔
の大きさを小さくして、高分子材料中の液晶に加えられ
る細孔の壁の力が大きくなるようにされると、前記した
高分子一液晶メモリ膜中の液晶に電界が印加されて高分
子一液晶メモリ膜が透明な状態になるような傾向で液晶
に生じた配向状態が前記した１加電界の除去後において
も保持され続けるようになるが、このようなメモリ機能
について補足説明を行うと次の通りである。

細孔中に封入されている液晶分子は、細孔壁表面の力を
受けている状態で微小な細孔中にネマティック相の状態
で封入された状態になされている（細孔中に封入されて
いる液晶分子は細孔壁の表面の力を受けるが、細孔壁に
近い液晶分子になる桿菌記の力は大きく加わる。したが
って径の小さな細孔になる程、細孔中に封入されている
液晶分子に加わる細孔壁の表面の力の影響が大になる）
が、前記のように細孔壁の表面の力を受けている状態で
細孔中に封入されている液晶に対して、ある閾値以上の
電界強度の電界が印加された場合には、細孔壁の表面か
らの力を受けている状態で細孔中にネマティック相の状
態で封入されている液晶分子は、前記した細孔壁の表面
から加えられている力に抗して電界の方向に配向するよ
うに変位する。

そして電界の印加に対応して液晶分子に生じる変位の態
様は、印加される電界の強度に応じて変化し、液晶に印
加される電界が弱い状態のときは細孔壁の表面から加え
られている力が弱い液晶分子、すなわち、主として細孔
の中心部付近に位置する液晶分子だけが印加された電界
の方向に向くような傾向で変位し、液晶に印加される電
界の強度が次第に強くなるのにつれて、細孔壁の表面か
ら加えられている力が強い液晶分子、すなわち。

細孔壁に近くに位置する液晶分子も印加された電界の方
向に液晶の分子軸の方向が向くような傾向で変位すると
いう変位の態様で液晶分子が配向する。

それで、高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高分子
材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の微
小な細孔中にネマティック相の状態で封入されている液
晶分子は、電界の印加時に前記した細孔壁の表面から加
えられている力に抗して液晶の分子軸の方向が電界の方
向に向くような傾向で変位するような変位の態様で配向
されるが、前記のように印加された電界によって配向さ
れた液晶の分子は既述した細孔壁の表面の力によって、
そのままの姿態に保持されるから、前記のように電界の
印加によって変化された液晶の配向の状態は印加された
電界が除去された後においても、そのままの状態に保持
されるためにメモリ機能を示すのである。

そして、液晶の配向の状態による情報の記憶状態を消去
するのには、光変調材層部材ＰＭＬとして使用されてい
る高分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と
高分子材料の融点との間の温度にまで昇臥して、液晶を
溶融させて等方性相とすることによって行うことが必要
とされ、前記のようにして溶融状態になされて等方性相
になっていた液晶は、時間の経過により冷却してネマテ
ィック相になり、その部分が不透明な状態に変化して消
去される。前記の消去動作は例えば記録媒体ＲＭに加熱
層を設けておき、消去動作時に前記の加熱層に消去用電
力が供給されるようにすればよい、前記した加熱層が電
極Ｅｔと兼用されるようにして実施されてもよいことは
勿論である。

第５２図に示す記録媒体ＲＭは光変調材層部材ＰＭＬと
して用いられている高分子一液晶複合膜と電荷像形成層
部材ＣＦＬとを積層させた構成のものであるが、この記
録媒体ＲＭに記録の対象にされるべき情報の記録を行う
場合には、第２９図の（ａ）に例示されている記録系の
ように、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの
面に電極Ｅｗを密着させ、また、記録媒体ＲＭにおける
電荷像形成層部材ＣＦＬの前面に透明電極Ｅｔｗと光導
電層部材ＰＣＬｗとからなる記録ヘッドＷＨを配置し、
前記した電極Ｅｗと記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅ
ｔｗとに電源ｖｂを接続し、被写体Ｏの光学像を撮像レ
ンズＬによって記録ヘッドＷＨにおける光導電層部材Ｐ
ＣＬｗに結像させる。

前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬＷの電気
抵抗値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って
変化するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅ
ｔｗと記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの面
に密着させた電極ＥＷとの間には電源ｖｂが接続されて
いるから、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材Ｐ　
ＣＬ　ｗの面と記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材
ＣＦＬとの間の電界強度は、前記した記録ヘッドＷＨの
光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値の変化パターンに従
って変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの間の放
電によって記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬに形
成される電荷像は被写体Ｏの光学像に対応する電荷像と
なされる。

吹に、第５３図に示す記録媒体ＲＭは、既述のように光
変調材層部材ＰＭＬとして用いられている高分子一液晶
複合膜と電荷像形成層部材ＣＦＬとを積層させた構成の
第５２図に示されている構成の記録媒体ＲＭにおける光
変調材層部材ＰＭＬの面に電極Ｅｔを付着形成させた構
成のものであるから、この記録媒体ＲＭに記録の対象に
されるべき情報の記録を行う場合には第２９図の（ｂ）
に例示されている記録系のように、記録媒体ＲＭにおけ
る電荷像形成層部材ＣＦＬの前面に透明電極Ｅｔｗと光
導電層部材ＰＣＬｗとからなる記録ヘッドＷＨを配置し
、前記した記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬ
の面に設けである電極Ｅｔと記録ヘッドＷＨにおける透
明電極Ｅｔｗとに′電１ｖｂを接続し、被写体Ｏの光学
像を撮像レンズＬによって記録ヘッドＷＨにおける光導
電層部材ＰＣＬｗに結像させる。

前記した光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値は、それに
結像された被写体０の光学像に従って変化するが、前述
のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗと記録媒体Ｒ
Ｍにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に設けである電極
Ｅｔとの間には電源■ｂが接続されているから、前記し
た記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗの面と記録媒
体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬとの間の電界強
度が、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ｐｃＬｗ
の電気抵抗値の変化パターンに従って変化し、記録ヘッ
ドＷＨと記録媒体ＲＭとの間の放電によって記録媒体Ｒ
Ｍの電荷像形成層部材ＣＦＬに形成される電荷像は被写
体Ｏの光学像に対応する電荷像となされる。

第５２図及び第５３図に示されている本発明の記録媒体
ＲＭは、第２９図に例示されているような記録系により
記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像
が形成されると、その電荷像による電界が光変調材層部
材ＰＭＬとして用いられている高分子一液晶複合膜に加
わるために、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭ
Ｌとして用いられている高分子一液晶複合膜には記録媒
体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬに形成された電荷像と
対応した状態の変化が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌに電荷像が記録され
た状態の第５２図及び第５３図示の記録媒体ＲＭにおけ
る光変調材層部材ＰＭＬとして用いられている高分子一
液晶複合膜に一定の光強度の読取り光（再生光）を照射
すると、光変調材層部材ＰＭＬの透過光または反射光は
電荷像形成層部材ＣＦＬに形成されている電荷像の情報
を有しているものになっていることは明らかである。

前記した第５２図と第５３図に示されている記録媒体Ｒ
Ｍにおける電荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生光
）に対して透明な構成材料で構成されていた場合には、
記録媒体ＲＭに照射させた読取り光（再生光）における
記録媒体ＲＭの透過光を記録情報の再生用の光として用
い、また、第５２図及び第５３図示の記録媒体ＲＭにお
ける電荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対
して不透明な構成材料で構成されていた場合には、記録
媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬ側に入射させ、
光変調材層部材ＰＭＬを往復して透過して光変調材層部
材ＰＭＬがら出射した読取り光（再生光）の反射光を記
録情報の再生用の光として用いることができる。

そして、光変調材層部材ＰＭＬとして光散乱効果とメモ
リ効果とを有するＰＬＺＴや第５２図乃至第５５図に例
示されている記録媒体ＲＭのように光変調材層部材ＰＭ
Ｌとして光散乱効果とメモリ効果とを有する高分子一液
晶メモリ膜が使用されたときは、光変調材層部材ＰＭＬ
の散乱効果により読取り光（再生光）に散乱量の変化に
よる光量の変化が生じた光が得られるがら検光子を介し
て再生光を取出す必要はない。

次に、第５４＠に示されている記録媒体ＲＭは光変調材
層部材ＰＭＬとして用いられている高分子一液晶複合膜
と光導電層部材ＰＣＬとを積層した構成の記録媒体ＲＭ
であり、また、第５５図に示されている記録媒体ＲＭは
前記した第５４図に示されている構成態様の記録媒体Ｒ
Ｍにおける光変調材層部材ＰＭＬとして用いられている
高分子一液晶複合膜の面に電極ｇｔを付着形成させた構
成態様の記録媒体ＲＭである。

まず、第５４図に示されている記録媒体ＲＭに情報の記
録を行う場合には、第３０図の（ａ）に例示されている
記録系のように、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材
ＰＭＬの面に電極ＥＶを密着させ、また、記録媒体ＲＭ
における光導電層部材ＰＣＬの前面に透明電極Ｅ　ｔ、
　ｗからなる記録ヘッドＷＨを配置し、前記した電極Ｅ
ｗと記録ヘッドＷ　１−１における透明電極Ｅ　ｔ、　
Ｗとに電源ｖｂを接続し、被写体０の光学像を撮像レン
ズＬによって記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗを介して
記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬｗに結像させる。

前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値は、それに結像された被写体０の光学像に従って変化
するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗ
と記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に密
着させた電極ＥＶとの間には電源ｖｂが接続されている
から、前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの面
と記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬとの間の
電界強度は、前記した光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値
の変化パターンに従って変化し、記録ヘッドＷＨの透明
電極Ｅｔｗとの間の放電によって記録媒体ＲＭの光導電
層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとの境界に形成さ
れる電荷像は被写体０の光学像に対応する電荷像となさ
れる。

次に、第５５図に示す記録媒体ＲＭは、既述のように光
変調材層部材ＰＭＬとして用いられている高分子一液晶
複合膜と光導電層部材Ｐ　Ｃ１，、とを積層させた構成
の第５４図に示されている構成の記録媒体ＲＭにおける
光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌの面に電極Ｅｔを付着形成さ
せた構成のものであるから、この記録媒体ＲＭに記録の
対象にされるべき情報の記録を行う場合には、第３０図
の（ｂ）に例示されている記録系のように、記録媒体Ｒ
Ｍにおける光導電層部材ＰＣＬの前面に透明電極Ｅｔｗ
からなる記録ヘッドＷＨを配置し、前記した記録媒体Ｒ
Ｍにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に設けである電極
Ｅｔと記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗとに電源
ｖｂを接続し、被写体０の光学像を撮像レンズＬによっ
て記録ヘッドＷＨの透明電極ＥｔＷを介して記録媒体Ｒ
Ｍの光導電層部材ＰＣＬに結像させる。

前記した光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値は。

それに結像された被写体０の光学像に従って変化するが
、前述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗと記録
媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬの面に設けであ
る電極Ｅｔとの間には電源Ｖｂが接続されているから、
前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの面と光変
調材層部材ＰＭＬどの間の電界強度が、前記した光導電
層部材ＰＣＬの電気抵抗値の変化パターンに従って変化
し。

記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの間の放電によって記
録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬに形成される電荷像は
被写体０の光学像に対応する電荷像となされる。

第５４図及び第５５図に示されている本発明の記録媒体
ＲＭは、第３０図に例示されているような記録系により
記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬと光変調材層
部材ＰＭＬとの境界面に電荷像が形成されると、その電
荷像による電界が光変調材層部材ＰＭＬに加わるために
、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬには記録
媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬに形成された電荷像と対
応した状態の変化が生じる。

それで、光導電層部材ＰＣＬに電荷像が記録された状態
の第５４図及び第５５図示の記録媒体ＲＭにおける光変
調材層部材ＰＭＬに一定の光強度の読取り光（再生光）
を照射すると、光変調材層部材ＰＭＬの透過光または反
射光は光導電層部材ＰＣＬに形成されている電荷像の情
報を有しているものになっていることは明らかである。

前記した第５２図乃至第５５図に例示されている記録媒
体ＲＭは、それの光変調材層部材ＰＭＬとして用いられ
ている高分子一液晶複合膜における細孔の径の大小に応
じてメモリ効果が異なり。

それに従って消去の仕方も異ることは既述したとおりで
ある。

次に、第１４乃至第２８図に例示されている記録媒体Ｒ
Ｍ、すなわち、これまでに説明して来た第１図乃至第１
３図及び第５２図乃至第５５図に示されている記録媒体
ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬとしてエレクトロク
ロミック材層部材ＥＣＬを用いた場合の実施例について
説明する。

前記したエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬは、「エ
レクトロクロミズム」すなわち「電圧印加による酸化還
元反応により物質の色が可逆的に変化する現象」を利用
した部材である。

ところで、エレクトロクロミズムを利用した素子として
、従来からエレクトロクロミック表示素子（ＥＣＤ）が
提案されて来ていることは周知のとおりであり、酸化タ
ングステン膜（ＷＯ３［［１）を用いた固体薄膜型ＥＣ
Ｄについての研究も進められていて１例えば、酸化タン
グステンＩＩＩ（ＷＯ３ｍ）と誘電体薄１１ｍ（例えば
Ｃｒ２Ｏ７，ＬｉＦ、Ｃａ　Ｆ２゜ＭｇＦ２．Ｓｉｎ、
ＺｒＯ２，Ｔａ２０５その他の物質の薄膜）との積層構
成を含んで構成したもの。

酸化タングステン膜（ＷＯ３膜）と固体電解質膜（例え
ばＲｂＡｇ４Ｉ５．固体系プロトン導電体、その他）２
．　Ｔ　ａ　２０５）との積層構成を含んで構成したも
の、その他、各種の構成形態の固体薄膜型ＥＣＤについ
ての研究発表も数多く行われている。

エレクトロクロミズムを利用した素子（ＥＣＤ）は色彩
が鮮明で、また、電気量と光学濃度とが比例し、視野角
も広く、記憶機能もある。などの特徴があるために、例
えば、画像の記録媒体に利用しようとする試みもなされ
たが、エレクトロクロミズムを利用した素子（ＥＣＤ）
は物質の色の可逆変化が電圧印加によって生じる酸化還
元反応によるために応答速度が遅い、という点がエレク
トロクロミズムを利用した素子を記録媒体に利用する場
合の大きなネックになっていた。

ところが、第１図乃至第１３図を参照して説明した記録
媒体ＲＭのように、記録の対象にされている情報を−た
ん電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像として形成し、その
電荷像の電界により光変調材層部材ＰＭＬの状態が変化
されるようになされている構成態様の記録媒体ＲＭや、
記録の対象にされている情報を−たん光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＰＭＬとの間の部分に電荷像とじて
形成し、その電荷像の電界により光変調材層部材ＰＭＬ
の状態が変化されるようになされている構成態様の記録
媒体ＲＭなとの場合には、　（１）記録媒体ＲＭで記録
の対象にされている情報の電荷像形成層部材ＣＦＬへの
電荷像の形成動作、あるいは記録媒体ＲＭにおける光導
電層部材ＰＣＬと光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌとの間の部
分への電荷像の形成動作は極めて短時間に行われること
、（２）前記のように形成された電荷像の電界による光
変調材層部材ＰＭＬの状態の変化は、それが瞬時に生じ
なくても記録媒体ＲＭから記録情報の読取り動作が行わ
れるまでの間に、前記のように形成された電荷像の電界
による光変調材層部材ＰＭＬの状態の変化が生じていれ
ば、記録再生動作は良好に行われるものであるから、前
記した第１図乃至第１３図を参照して説明した記録媒体
ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬとして１色彩が鮮明
で、電気量と光学濃度とが比例し、記憶機能があるエレ
クトロクロミズム素子によるエレクトロクロミック材層
部材ＥＣＬを用いて記録媒体を構成すれば、物質の色の
可逆変化が電圧印加によって生じる酸化還元反応による
ために応答速度が遅い、というエレクトロクロミズムを
利用した素子のもつ問題点も何等問題にならないから、
前記した構成態様の記録媒体は記録性能に優れていると
ともに、記録済み記録媒体からの情報信号の読取り動作
も容易で、記録、再生装置としても構成が簡単なものを
使用できる。というような実用上で優れた諸特性を有す
るものとなるのである。

さて、第１４図乃至第２８図の各図に示されでいる記録
媒体ＲＭにおいてＥ　ＣＬはエレクトロクロミック材層
部材ＥＣＬであり、このエレクトロクロミック材層部材
ＥＣＬは、例えば酸化タングステンｒｌＡ（ＷＯ３膜）
を用いた固体薄膜型の素子構造とされてもよく１例えば
、酸化タングステン膜（ＷＯ３膜）と誘電体薄膜（例え
ばＣｒ２Ｏ７，Ｌｊ、Ｆ　。

ＣａＦ２．ＭｇＦ２．Ｓｉｎ、ＺｒＯ２，Ｔａ２０５そ
の他の物質の簿膜）との積層構成を含んだ構成態様、あ
るいは、酸化タングステン［（ＷＯ２眼）と固体電解質
＠（例えばＲｂＡｇ４１５．固体系プロトン導電体、そ
の他）２．　Ｔ　ａ　２０５）との積層構成を含んだ構
成態様のものとされてもよい。

まず、第１４図に示す記録媒体はエレクトロクコミック
材層部材ＥＣＬと電荷像形成層部材ＣＦＬとを積層して
構成した記録媒体ＲＭであり、また、第１５図に示す記
録媒体はエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷像
形成層部材ＣＦＬとを積層して構成した第１４図示の記
録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣ
Ｌの面に電極Ｅｔ（電極Ｅｔは必要に応じて透明電極と
される。この点は他の図についても同様である）を付着
形成させた構成のである７ 電荷像形成層部材ＣＦＬは例えば誘電体物質の層で構成
されるもので、電荷像形成層部材ＣＦＬの構成材料とし
ては例えば高分子有機材料の内から適当な材料を選択し
て使用できる。

前記した第１４図に示されている記録媒体ＲＭは、それ
らの各構成層の各構成部材を順次に蒸着法またはスパッ
タリング法、その他の手段によって順次に成膜すること
により構成することができ、また、前記した電荷像記録
媒体ＲＭは、ディスク状、シート状、テープ状、カード
状、その他、どのような構成形態のものとして構成され
てもよい（この点は第１５図乃至第２８図の各回に示さ
れている記録媒体ＲＭについても同様である）。

第１４図に示す記録媒体ＲＭはエレクトロクロミック層
部材Ｅ　ＣＬと電荷像形成層部材ＣＦＬとを積層させた
構成のものであるから、この記録媒体ＲＭに記録の対象
にされるべき情報の記録を行う場合には、第２９図の（
ａ）に例示されている記録系のように、記録媒体ＲＭに
おけるエレクトロクロミック層部材ＥＣＬの面に電極Ｅ
ｗを密着させ、また、記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬの前面に透明電極Ｅｔｗと光導電層部材Ｐ
ＣＬｗとからなる記録ヘッドＷＨを配置し、前記した電
極Ｅｗと記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅ　ｔ、　ｗ
とに電源ｖｂを接続し、被写体Ｏの光学像を撮像レンズ
Ｌによって記録ヘッドＷＨにおける光導電層部材ＰＣＬ
ｗに結像させる。

前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬＷの電気
抵抗値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って
変化するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅ
ｔｗと記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック層部
材ＥＣＬの面に密着させた電極Ｅｗとの間には電源ｖｂ
が接続されているから、前記した記録ヘッドＷＨの光導
電層部材ＰＣＬｗの面と記録媒体ＲＭにおける電荷像形
成層部材ＣＦＬとの間の電界強度は、前記した記録ヘッ
ドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値の変化パタ
ーンに従って変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭと
の間の放電によって記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材Ｃ
ＦＬに形成される電荷像は被写体０の光学像に対応する
電荷像となされる。

次に、第１５図に示す記録媒体ＲＭは、既述のようにエ
レクトロクロミック層部材ＥＣＬと電荷像形成層部材Ｃ
ＦＬとを積層させた構成の第１４図に示されている構成
の記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック層部材Ｅ
ＣＬの面に電極Ｅ、ｔを付着形成させた構成のものであ
るから、この記録媒体ＲＭに記録の対象にされるべき情
報の記録を行う場合には第２９図の（ｂ）に例示されて
いる記録系のように、記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬの前面に透明電極Ｅｔｗと光導電層部材Ｐ
ＣＬｗとからなるＥ録ヘッドＷ）Ｉを配置し、前記した
記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック層部材ＥＣ
Ｌの面に設けである電極Ｅｔと記録ヘッドＷＨにおける
透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂを接続し、被写体Ｏの光学
像を撮像レンズＬによって記録ヘッドＷＨにおける光導
電層部材ＰＣＬｗに結像させる。

前記した光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値は、それに
結像された被写体０の光学像に従って変化するが、前述
のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗと記録媒体Ｒ
Ｍにおけるエレクトロクロミック層部材ＥＣＬの”面に
設けである電極Ｅｔとの間には電源ｖｂが接続されてい
るから、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬ
ｗの面と記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬ
との間の電界強度が、前記した記録ヘッドＷ）（の光導
電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値の変化パターンに従って
変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの間の放電に
よって記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬに形成さ
れる電荷像は被写体Ｏの光学像に対応する電荷像となさ
れる。

第１４図及び第１５図に示されている本発明の記録媒体
ＲＭは、第２９図に例示されているような記録系により
記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像
が形成されると、その電荷′像による電界がエレクトロ
クロミック層部材ＥＣＬに加わるために、記録媒体ＲＭ
におけるエレクトロクロミック層部材ＥＣＬには記録媒
体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬに形成された電荷像と
対応した着色像が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像が記録された
状態の第１４図及び第１５図示の記録媒体ＲＭにおける
エレクトロクロミック層部材ＥＣＬに一定の光強度の読
取り光（再生光）を照射する。

と、エレクトロクロミック層部材ＥＣＬの透過光または
反射光は電荷像形成層部材ＣＦＬに形成されている電荷
像の情報に応じて光強度が変化しているものになること
は明らかである。

前記した第１４図及び第１５図示の記録媒体ＲＭにおけ
る電荷像形成層部材ＣＦＬが、読取り光（再生光）に対
して透明な構成材料で構成されていた場合には、記録媒
体ＲＭに照射させた読取り光（再生光）における記録媒
体ＲＭの透過光を記録情報の再生用の光として用い、ま
た、第１４図及び第１５図示の記録媒体ＲＭにおける電
荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して不
透明な構成材料で構成されていた場合には、記録媒体Ｒ
Ｍにおけるエレクトロクロミック層部材ＥＣＬ側に入射
させ、エレクトロクロミック層部材ＥＣＬを往復して透
過してエレクトロクロミック層部材ＥＣＬから出射した
読取り光（再生光）の反射光を記録情報の再生用の光と
して用いることができる。

それで、前記した第１４図及び第１５図示の記録媒体Ｒ
Ｍにおける電荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生光
）に対して透明な構成材料で構成されていた場合には、
記録媒体ＲＭに照射させた読取り光（再生光）における
記録媒体ＲＭの透過光を記録情報の再生用の光として用
い、また、第１４図及び第１５図示の記録媒体ＲＭにお
ける電荷像形成層部材ＣＦ　Ｔ、が読取り光（再生光）
に対して不透明な構成材料で構成されていた場合には、
記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材Ｅ
ＣＬ側に入射させ、エレクトロクロミック材層部材ＥＣ
Ｌを往復して透過してエレクトロクロミック材層部材Ｅ
ＣＬから出射した読取り光（再生光）の反射光を記録情
報の再生用の光として用いることができる。

第１４図及び第１５図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像
形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して不透明
な構成材料で構成されていた場合には、既述のように記
録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣ
Ｌ側に入射させ、エレクトロクロミック材層部材Ｅ　Ｃ
Ｌを往復して透過してエレクトロクロミック材層部材Ｅ
ＣＬから出射した読取り光（再生光）の反射光を記録情
報の再生用の光として用いるようにするのであるが、こ
の場合にエレクトロクコミック材層部材ｉ−，ＣＬに入
射してエレクトロクロミック材層部材Ｅ　ＣＬ中を通過
し、エレクトロクロミック材層部材Ｅ　ＣＬど電荷像形
成層部材ＣＦ　Ｌとの境界面で反射して再びエレクトロ
クコミック材層部材Ｉ−，ＣＩ、中を通過してエレクト
ロクロミック材層部材Ｅ　ＣＬから出射する再生光の強
度を大にするためには、エレクトロクロミック材層部材
ＥＣＬと電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌとの境界面での反射
率が大きいことが必要とされる。

第１６図及び第１７図にそれぞれ示されている記録媒体
ＲＭは、第１４図及び第１５図について説明した構成態
様の記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部
材ＥＣＬと電荷像形成層部材ＣＦＬとの境界面に誘電体
ミラーＤＭＬを設けた構成態様のもので−あり、この第
１６図及び第１７図にそれぞれ示されている記録媒体Ｒ
Ｍは、それの電荷像形成層部材ＣＦＬが読取り光（再生
光）に対して不透明な構成材料で構成されていて、記録
媒体ＲＭにおけるエレクトロクコミック材層部材ＥＣＬ
側に入射させた光を、エレクトロクロミック材層部材Ｅ
ＣＬ中で往復して透過させて、エレクトロクロミック材
層部材ＥＣＬから出射した読取り光（再生光）を記録情
報の再生用の光として用いるようにした場合にも、エレ
クトロクコミック材層部材ＥＣＬに入射してエレクトロ
クロミック材層部材ＥＣＬ中を通過した光が誘電体ミラ
ーＤＭＬで良好に反射してエレクトロクロミック材層部
材ＥＣＬ中を通過してエレクトロクロミック材層部材Ｅ
ＣＬから出射するために再生光の強度が大にできるので
ある。

第１６図及び第１７図にそれぞれ示されている記録媒体
ＲＭに対する情報の記録時に使用されるべき記録系は、
第１４図及び第１５図にそれぞれ示されている記録媒体
ＲＭに対する情報の記録時に使用された第２９図示のよ
うな構成層様の記録系と同様であってもよい。

なお、記録媒体ＲＭに情報を記録するための記録系とし
ては、第２９図に示されているように電ｍｖｂの電圧が
加えられている電極間に設けられている記録媒体ＲＭに
おける構成部材の積層方向に電界を印加した状態で記録
動作が行われるようにする他に、記録媒体ＲＭに？ｌＦ
電器ＣＴから電荷を与えて記録媒体ＲＭにおける構成部
材の積層方向に電界が印加された状態で記録動作が行わ
れるようにされてもよい。

次に、第１８図に示されている記録媒体ＲＭはエレクト
ロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷像形成層部材ＣＦＬ
とを積層させた構成のものにおける電荷像形成層部材Ｃ
ＦＬが、電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬ
とを積層した構成態様のものとした場合の実施例を示し
ている。

前記した第１８図に示されている記録媒体ＲＭにおいて
電荷像形成層部材ＣＦＬを構成するのに使用されている
電荷移動抑止層部材ＥＳＬは、それに大きな電界が加え
られたときに、トンネル効果によりトンネル電流が流れ
るような薄い誘電体膜で構成されているものであって、
この電荷移動抑止層部材ＥＳＬは、例えば、二酸化シリ
コンの薄層、あるいはアルミナの薄層などを用いて構成
したものを使用できる。

前記した第１８図に示されている記録媒体ＲＭは、それ
らにおける各構成層を積層させるのに、順次の各構成部
材を順次に蒸着法またはスパッタリング法、その他の手
段によって順次に成膜することにより構成することがで
きる。

そして、この第１８図示の記録媒体ＲＭに情報の記録を
行うのには、第１４図示の記録媒体ＲＭに対する情報の
記録動作のために使用された第２９図の（ａ）に示され
ているような構成の記録系を用いることができる。

すなわち、第１８図に示す記録媒体ＲＭに記録の対象に
されるべき情報の記録を行う場合には、第２９図の（ａ
）に例示されている記録系のように。

記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材Ｅ
ＣＬの面に電極Ｅｗを密着させ、また、記録媒体ＲＭの
電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとを積層
した構成態様の電荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移
動抑止層部材ＥＳＬの前面に透明電極Ｅｔｗと光導電層
部材ＰＣＬＷとからなる記録ヘッドＷＨを配置し、前記
した電極Ｅｗと記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗ
とに電源ｖｂを接続し、被写体０の光学像を撮像レンズ
Ｌによって記録ヘッドＷＨにおける光導電層部材ＰＣＬ
ｗに結像させる。

前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬＷの電気
抵抗値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って
変化するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅ
ｔｗと記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層
部材ＥＣＬの面に密着させた電極Ｅｗとの間には電源ｖ
ｂが接続されているから、前記した記録ヘッドＷＨの光
導電層部材ＰＣＬｗの面と記録媒体ＲＭの電荷移動抑止
層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとを積層した構成態様
の電荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移動抑止層部材
ＥＳＬとの間の電界強度は、前記した記録ヘッドＷＨの
光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値の変化パターンに従
って変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの間の放
電によって記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬにお
ける電荷移動抑止層部材ＥＳＬの面に被写体Ｏの光学像
に対応する電荷像が形成される。

それで、前記した電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層
部材ＩＬとの間の電界の大きさが、前記した被写体Ｏの
光学像に対応しているものになり。

電荷移動抑止層部材ＥＳＬにはトンネル効果によって電
流が流れて、電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材
ＩＬとの境界に被写体０の光学像に対応する電荷像が記
録される。

前記のように記録媒体ＲＭの内部に位置している電荷移
動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に記録
された電荷像は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材ＥＳＬ
と誘電体層部材ＩＬとによって包囲されているために長
期間にわたり安定に保持された状態となされる。

第１８図に示されている本発明の記録媒体ＲＭは、第２
９図に例示されているような記録系により記録媒体ＲＭ
における電荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移動抑止
層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に電荷像が形
成されると、その電荷像による電界がエレクトロクロミ
ック材層部材ＥＣＬに加わるために、記録媒体Ｒ，Ｍに
おけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬには記録媒
体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移動抑止
層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に形成された
電荷像と対応した着色像が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移動抑止
層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に電荷像が記
録された状態の第１８図示の記録媒体ＲＭにおけるエレ
クトロクロミック材層部材ＥＣＬに一定の光強度の読取
り光（再生光）を照射すると、エレクトロクロミック材
層部材ＥＣＬの透過光または反射光は電荷像形成層部材
ＣＦＬに形成されている電荷像の情報を有しているもの
になっていることは明らかである。

前記した第１８図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して透明な構成
材料で構成されていた場合には、記録媒体ＲＭに照射さ
せた読取り光（再生光）における記録媒体ＲＭの透過光
を記録情報の再生用の光として用い、また、第１８図示
の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬが読取
り光（再生光）に対して不透明な構成材料で構成されて
いた場合には、記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミ
ック材層部材ＥＣＬ側に入射させ、エレクトロクロミッ
ク材層部材Ｅ　ＣＬを往復して透過してエレクトロクロ
ミック材層部材ＥＣＬから出射した読取り光（再生光）
の反射光を記録情報の再生用の光として用いることがで
きるのである。

前記した第１８図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して不透明な構
成材料で構成されていた場合には、既述のように記録媒
体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬ側
に入射させ、エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬを往
復して透過してエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬか
ら出射した読取り光（再生光）の反射光を記録情報の再
生用の光として用いるようにするのであるが、この場合
にエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに入射してエレ
クトロクロミック材層部材ＥＣＬ中を通過し、エレクト
ロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷像形成層部材ＣＦＬ
との境界面で反射して再びエレクトロクロミック材層部
材ＥＣＬ中を通過してエレクトロクロミック材層部材Ｅ
ＣＬから８射する再生光の強度を大にするためには、エ
レクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷像形成層部材
ＣＦＬとの境界面での反射率が大きいことが必要とされ
る。

前記のようにエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電
荷像形成層部材ＣＦ　Ｌとの境界面での反射率を大きく
するのには、第１８図に示されている記録媒体ＲＭのエ
レクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷像形成層部材
ＣＦＬにおける誘電体層部材ＩＬとの境界面に誘電体ミ
ラーＤ　Ｍ　Ｌを設けた構成態様とすればよい。

なお、第１８図示の記録媒体ＲＭの一方の面または双方
の面に電極を設けた構成の記録媒体としてもよいことは
勿論であり、その際におけるｍ極は必要に応じて所定の
波長域の光が透過できるようにする。

次に、第１９図に示されている記録媒体ＲＭはエレクト
ロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷像形成層部材ＣＦＬ
とを積層させた構成のものにおける電荷像形成層部材Ｃ
ＦＬとして、光導電体の微粒子ＰＣＧの層を内在させで
ある誘電体層部打丁りを用いているものである。

この第１９図示の記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材Ｉ
Ｌは、高い絶縁抵抗値を有する誘電体材料、例えば、適
当な高分子材料膜を用いて構成されたものが使用され、
また、前記した記録媒体ＲＭにおける光導電体の微粒子
ＰＣＧの層は、例えば、高い絶縁抵抗値を有する誘電体
材料を使用して構成されている誘電体層部材ＩＬの面上
に適当な手段により無数の光導電体の微粒子ＰＣＧが互
いに分離して分布している状態とさせた後に、その上に
誘電体材料の薄膜を例えば蒸着法あるいはスパッタリン
グ法により被着させることによって構成できる。なお、
前記した光導電体の微粒子ＰＣＧを互いに分離して分布
している状態にさせるのには、例えばマスクパターンを
介して光導電体材料を蒸着またはスパッタリングさせる
ようにしてもよい。

前記した記録媒体ＲＭは、それらにおける各構成層を積
層させるのに、順次の各構成部材を順次に蒸着法または
スパッタリング法、その他の手段によって順次に成膜す
ることにより構成することができる。

第１９図示の記録媒体ＲＭに情報の記録を行う場合にも
、第１４図示の記録媒体ＲＭに対する情報の記録動作の
ために使用された第２９図の（ａ）に示されているよう
な構成の記録系を用いることができる。

すなわち、第１９図に示す記録媒体ＲＭに記録の対象に
されるべき情報の記録を行う場合には。

第２９図の（ａ）に例示されている記録系のように、記
録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣ
Ｌの面に電極Ｅｗを密着させ、また、記録媒体ＲＭの光
導電体の微粒子ｐｃａＯ層を内在させである誘電体層部
材ＩＬよりなる電荷像形成層部材ＣＦＬの前面に透明電
極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬｗとからなる記録ヘッド
ＷＨを配置し、前記した電極Ｅｗと記録ヘッドＷｆ（に
おける透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂを接続し、被写体０
の光学像を撮像レンズＬによって記録ヘッドＷＨにおけ
る光導電層部材ＰＣＬｗに結像させる。

前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬＷの電気
抵抗値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って
変化するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅ
ｔｗと記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層
部材ＥＣＬの面に密着させた電極Ｅｗとの間には電源ｖ
ｂが接続されているから、前記した記録ヘッドＷＨの光
導電層部材ＰＣＬｗの面と記録媒体ＲＭの光！！誘電体
微粒子ＰＣＧの層を内在させである誘電体層部材ＩＬよ
りなる電荷像形成層部材ＣＦＬの面との間の電界強度は
、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗの電
気抵抗値の変化パターンに従って変化し、記録ヘッドＷ
Ｈと記録媒体ＲＭとの間の気中放電によって記録媒体Ｒ
Ｍの電荷像形成層部材ＣＦＬの表面に電荷像（第２９図
示の例では負電荷像）が形成される。

前記のように記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬの
表面に負電荷像が形成された記録媒体ＲＭにおける電荷
像形成層部材ＣＦＬの面に記憶用光源からメモリ光を照
射させると、前記の照射光が電荷像形成層部材ＣＦＬを
構成している誘電体層部材ＩＬ中に埋設されている光導
電体の微粒子ＰＣＧに到達することにより前記の光導電
体の微粒子ＰＣＧには電子−正孔対が発生する。・なお
。

電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体層部材Ｉ
Ｌは、前記したメモリ光に対しては透明であっても、後
述されている読取り光（再生光）に対しては不透明にな
される場合もある。

そして、前記した光導電体の微粒子ＰＣＧ中に発生した
電子−正孔対と、被写体０の光学像と対応して記録媒体
ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘
電体層部材ＩＬの表面に形成されている負電荷像との間
の電界によって、前記した記録媒体ＲＭにおける電荷像
形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体層部材ＩＬの表
面に形成されている負電荷像の負電荷は、トンネル効果
によりトンネル電流として誘電体層部材ＩＬを突抜けて
、誘電体層部材ＩＬに埋設されている光導電体の微粒子
ＰＣＧよりなる構成層の光導電体の微粒子ＰＣＧに達し
、前記した光導電体の微粒子ＰＣＧ中の電子−正孔対に
おける正孔と中和して、前記した光導電体の微粒子ＰＣ
Ｏは負に帯電した状態となされて、被写体Ｏの光学像に
対応する電荷像が光導電体の微粒子ＰＣＧによって記録
された状態になされる。

前記のように記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬを
構成している誘電体層部材ＩＬに内在されている光導電
体の微粒子ＰＣ（Ｅに記録された電荷像は誘電体層部材
ＩＬによって包囲されているために長期間にわたり安定
に保持された状態となされる。

第１９図に示されている本発明の記録媒体ＲＭは、第２
９図に例示されているような記録系により記録媒体ＲＭ
の電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体層部材
ＩＬに内在されている先導電体の微粒子ＰＣＧに電荷像
が形成されると、その電荷像による電界がエレクトロク
ロミック材層部材ＥＣＬに加わるために、記録媒体ＲＭ
におけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬには記録
媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘電
体層部材ＩＬに内在されている光導電体の微粒子ＰＣＧ
の電荷像と対応した着色像が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体
層部材ＩＬに内在されている光導電体の微粒子ＰＣＧの
電荷像が記録された状態の第１９図示の記録媒体ＲＭに
おけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに一定の光
強度の読取り光（再生光）を照射すると、エレクトロク
ロミック材層部材ＥＣＬの透過光または反射光は電荷像
形成層部材ＣＦＬに形成されている電荷像の情報を有し
ているものになっているととは明らかである。

前記した第１９図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して透明な構成
材料で構成されていた場合には、記録媒体ＲＭに照射さ
せた読取り光（再生光）における記録媒体ＲＭの透過光
を記録情報の再生用の光として用い、また、第１９図示
の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌが読
取り光（再生光）に対して不透明な構成材料で構成され
ていた場合には、記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロ
ミック材層部材ＥＣＬ側に入射させ、エレクトロクロミ
ック材層部材Ｅ　ＣＬを往復して透過してエレクトロク
ロミック材層部材Ｅ　ＣＬから出射した読取り光（再生
光）の反射光を記録情報の再生用の光として用いること
ができる。

前記した第１９図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して不透明な構
成材料で構成されていた場合には、既述のように記録媒
体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材Ｅ　ＣＬ
側に入射させ、エレクトロクロミック材層部材Ｅ　ＣＬ
を往復して透過してエレクトロクコミック材層部材Ｅ　
ＣＬから出射した読取り光（再生光）の反射光を記録情
報の再生用の光として用いるようにするのであるが、こ
の場合にエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに入射し
でエレクトロクロミック材層部材Ｅ　ＣＬ　中を通過し
、エレクトロクロミック材層部材Ｅ　ＣＬと電荷像形成
層部材ＣＦＬとの境界面で反射して再びエレクトロクロ
ミック材層部材ＥＣＬ中を通過してエレクトロクロミッ
ク材層部材ＥＣＬから出射する再生光の強度を大にする
ためには、エレクトロクロミック材層部材Ｅ　Ｃｌ、と
電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌとの境界面での反射率が大き
いことが必要とされる。

前記のようにエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電
荷像形成層部材ＣＦ　Ｔ、との境界面での反射率を大き
くするのには、第１９図に示されている記録媒体ＲＭの
エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷像形成層部
材ＣＦ　Ｌにおけろ誘電体層部材ＩＬとの境界面に誘電
体ミラーＤ　Ｍ　Ｌを設けた構成態様とすればよい。

なお、第１９図示の記録媒体ＲＭの一方の面または双方
の面に電極を設けた構成の記録媒体としてもよいことは
勿論であり、その際における電極は必要に応じて所定の
波長域の光が透過できるようにする。

次に、第２０図乃至第２８図に示されている記録媒体Ｒ
Ｍについて説明する。第２０図乃至第２８図にそれぞれ
示されている記録媒体ＲＭは、これまで第１４図乃至第
１９図を参照して説明して来た記録媒体ＲＭ、すなわち
、少なくともエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電
荷像形成層部材ＣＦＬとの積層構成を含んで構成されて
いる記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌを
光導電層部材ＰＣＬに変更したような構成形態とした記
録媒体ＲＭである。

第２０図に示されている記録媒体ＲＭはエレクトロクロ
ミック材層部材ＥＣＬと光導電層部材ＰＣＬとを積層し
た構成の記録媒体ＲＭであり、また、第２１図に示され
ている記録媒体ＲＭは前記した第２０図に示されている
構成態様の記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック
材層部材ＥＣＬの面に電極Ｅｔを付着形成させた構成態
様の記録媒体ＲＭであり、さらに、第２２図は前記した
第２０図に示されている構成の記録媒体Ｒ，Ｍにおける
エレクトロクロミック材層部材Ｅ　ＣＬの面に電極Ｅｔ
２を付着形成させるとともに、光導電層部材ＰＣＬの面
にも電極Ｅｔｌを付着形成させた構成態様の記録媒体Ｒ
Ｍであり、さらにまた、第２３図は前記した第２１図に
示されている構成の記録媒体ＲＭにおけるエレクトロク
ロミック材層部材ＥＣＬと光導電層部材ＰＣＬとの間に
誘電体ミラーＤＭＬを設けた構成態様の記録媒体ＲＭで
あり、また、第２４図は前記した第２３図に示されてい
る構成の記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬの面
にも電極Ｅｔｌを付着形成させた構成態様の記録媒体Ｒ
Ｍである。

第２０図に示されている記録媒体ＲＭに情報の記録を行
う場合には、第３０図の（ａ、）に例示されている記録
系のように、記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミッ
ク材層部材Ｅ　ＣＬの面に電極ＥＷを密着させ、また、
記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬの前面に透明
電極Ｅｔｗからなる記録ヘッドＷＨを配置し、前記した
電極Ｅｗと記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗとに
電源Ｖｂを接続し、被写体Ｏの光学像を撮像レンズＬに
よって記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗを介して記録媒
体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬｗに結像させる。

前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値は、それに結像された被写体０の光学像に従って変化
するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗ
と記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材
ＥＣＬの面に密着させた電極Ｅｗとの間には電源ｖｂが
接続されているから、前記した記録媒体ＲＭの光導電層
部材ＰＣＬの面と記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロ
ミック材層部材ＥＣＬとの間の電界強度は、前記した光
導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値の変化パターンに従って
変化し、記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗとの間の放電
によって記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬとエレクト
ロクロミック材層部材ＥＣＬとの境界に形成される電荷
像は被写体０の光学像に対応する電荷像となされる。

次に、第２１図に示す記録媒体ＲＭは、既述のようにエ
レクトロクロミック材層部材ＥＣＬと光導電層部材ＰＣ
Ｌとを積層させた構成の第２０図に示されている構成の
記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材Ｅ
　ＣＬの面に電極Ｅｔを付着形成させた構成のものであ
るから、この記録媒体ＲＭに記録の対象にされるべき情
報の記録を行う場合には、第３０図の（ｂ）に例示され
ている記録系のように、記録媒体ＲＭにおける光導電層
部材ＰＣＬの前面に透明電極Ｅｔｗからなる記録ヘッド
ＷＨを配置し、前記した記録媒体ＲＭにおけるエレクト
ロクロミック材層部材ＥＣＬの面に設けである電極Ｅｔ
と記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂ
を接続し、被写体０の光学像を撮像レンズＬによって記
録ヘッドＷＨの透明電極Ｅ　ｔ、　ｗを介して記録媒体
ＲＭの光導電層部材ＰＣＬに結像させる。

前記した光導電層部−材ＰＣＬの電気抵抗値は、それに
結像された被写体０の光学像に従って変化するが、前述
のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗと記録媒体Ｒ
Ｍにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬの面に
設けである電極Ｅｔとの間には電源ｖｂが接続されてい
るから、前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの
面とエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬとの間の電界
強度が、前記した光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値の変
化パターンに従って変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体
ＲＭとの間の放電によって記録媒体ＲＭの光導電層部材
ＰＣＬに形成される電荷像は被写体Ｏの光学像に対応す
る電荷像となされる。

第２０図及び第２１図に示されている本発明の記録媒体
ＲＭは、第３０図に例示されているような記録系により
記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬとエレクトロ
クロミック材層部材ＥＣＬとの境界面に電荷像が形成さ
れると、その電荷像による電界がエレクトロクロミック
材層部材ＥＣＬに加わるために、記録媒体ＲＭにおける
エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬには記録媒体ＲＭ
の光導電層部材ＰＣＬに形成された電荷像と対応した着
色像が生じる。

それで、光導電層部材ＰＣＬに電荷像が記録された状態
の第２０図及び第２１図示の記録媒体ＲＭにおけるエレ
クトロクロミック材層部材ＥＣＬに一定の光強度の読取
り光（再生光）を照射すると。

エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬの透過光または反
射光は光導電層部材ＰＣＬに形成されている電荷像と対
応した強度変化の光とされることは明らかである。

前記した読取り光（再生光）として記録媒体ＲＭの光導
電層部材ＰＣＬに吸収されるような波長帯の光が使用さ
れた場合には、前記の読取り光（再生光）により光導電
層部材ＰＣＬが低抵抗の状態になって記録媒体ＲＭにお
ける光導電層部材ＰＣＬとエレクトロクロミック材層部
材ＥＣＬとの境界面の電荷像が失わ−れるが、前記のよ
うに記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬとエレク
トロクロミック材層部材・ＥＣＬとの境界面の電荷像が
失われたとしても、エレクトロクロミック材層部材ＥＣ
Ｌにおける着も像はそのまま残された状態になっている
から、読取り光としてどのような波長域の光を使用して
−も記録媒体に対して非破壊的に良好な再生動作を繰返
し行うことができる。

なお、記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬとエレ
クトロクロミック材層部材ＥＣＬとの境界面の電荷像が
再生動作時に失われないような動作態様となされた場合
には、エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬにおける着
色像の記憶性能は一層向上されることになる。

前記した第２２図に示されている記録媒体ＲＭはエレク
トロクロミック材層部材ＥＣＬと光導電層部材ＰＣＬと
を積層させた構成の第２０図に示されている構成の記録
媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬの面に電極Ｅｔｌ
　を付着形成させるとともに、エレクトロクロミック材
層部ｌ’　Ｅ　ＣＬの面に電１１Ｅ　ｔ２を付着形成さ
せた構成のものであるから、この記録媒体ＲＭに記録の
対象にされるべき情報の記録を行う場合には、第３１図
に例示されている記録系のように、記録媒体ＲＭに対す
る情報の記録動作に際して記録ヘッドＷＨを必要としな
い。

第３１図に例示されている記録系においては、第２２図
示のような構成態様の記録媒体ＲＭにおける光導電層部
材ＰＣＬの面に設けられている電極Ｅｔｌ　と、エレク
トロクロミック材層部材ＥＣＬの面に設けであるｆ！を
極ＥｔＺとに＠源ｖｂを接続し、被写体Ｏの光学像を撮
像レンズＬによって記録媒体ＲＭの電極Ｅｔｌを介して
記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬに結像させる。

前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化
するが、前述のように記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣ
Ｌの面に設けられている電極Ｅｔｌ　と、エレクトロク
ロミック材層部材ＥＣＬの面に設けである電極Ｅｔ２と
の間には電源ｖｂが接続されているから、前記した記録
媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの面とエレクトロクロミ
ック材層部材ＥＣＬとの間の電界強度が、前記した光導
電層部材Ｐ　ＣＬの電気抵抗値の変化パターンに従って
変化し、記録媒体ＲＭの記録媒体ＲＭの光導電層部材Ｐ
ＣＬとエレクトロクロミック材層部材Ｅ　ＣＬとの境界
面には被写体○の光学像に対応する電荷像が形成される
。

前記した第２２図に示されている本発明の記録媒体ＲＭ
は、第３１図に例示されているような記録系により記録
媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬとエレクトロクロ
ミック材層部材ＥＣＬとの境界面に電荷像が形成される
と、その電荷像による電界がエレクトロクロミック材層
部材ＥＣＬに加わるために、記録媒体ＲＭにおけるエレ
クトロクロミック材層部材ＥＣＬには記録媒体ＲＭの光
導電層部材ＰＣＬに形成された電荷像と対応した着色像
が生じる。

それで、記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬとエ
レクトロクロミック材層部材ＥＣＬとの境界面に電荷像
が形成された状態の第２２図示の記録媒体ＪＭにおける
エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに一定の光強度の
読取り光（再生光）を照射すると、エレクトロクロミッ
ク材層部材ＥＣＬの透過光または反射光は光導電層部材
ＰＣＬに形成されている電荷像と対応した強度変化を有
するものになることは明らかである。

次に、第２３図示の記録媒体ＲＭは前記した第２１図に
示されている構成の記録媒体ＲＭにおけるエレクトロク
ロミック材層部材ＥＣＬと光導電層部材ＰＣＬとの間に
誘電体ミラーＤ　Ｍ　Ｅ、を設けた構成態様の記録媒体
ＲＭに対する情報の記録時には、第２１図示の記録媒体
ＲＭに対する情報の記録時と同様な記録系、すなわち第
３０図の（ｂ）に例示されている記録系が使用される。

第２４図示の記録媒体ＲＭは前記した第２３図示の記録
媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬの面に電極Ｅｔｌ
を付着した構成の記録媒体ＲＭであり、この第２４図示
の記録媒体ＲＭに対する情報の記録動作時には第３１図
に示されている記録系が使用される。

次に第２５図に示され°Ｃいる記録媒体ＲＭは前記した
第２０図に示されている構成の記録媒体ＩくＭにおける
エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと光導電層部材Ｐ
ＣＬとの間に電荷像形成層部材ＣＦＬを設けた構成態様
の記録媒体ＲＭである。

この第２５図に示されている記録媒体ＲＭに情報の記録
を行う場合には、第３０図の（ａ）に例示されている記
録系のように、記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミ
ック材層部材ＥＣＬの面に電極Ｅｗを密着させ、また、
記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬの前面に透明
電極Ｅｔｗからなる記録ヘッドＷＨを配置し、前記した
電極Ｅｗと記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗとに
電源ｖｂを接続し、被写体０の光学像を撮像レンズＬに
よって記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗを介して記録媒
体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬｗに結像させる。

前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値は、それに結像された被写体０の光学像に従って変化
するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗ
と記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材
ＥＣＬの面に密着させた電極Ｅｗとの間には電源ｖｂが
接続されているから、前記した記録媒体ＲＭの光導電層
部材ＰＣＬの面と電荷像形成層部材ＣＦＬとの間の電界
強度は、前記した光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値の変
化パターンに従って変化し、記録ヘッドＷＨの透明電極
ＥｔＷとの間の放電によって記録媒体ＲＭの光導電層部
材ＰＣＬと電荷像形成層部材ＣＦＬとの境界に形成され
る電荷像は被写体０の光学像に対応する電荷像となされ
る。

それで、第２５図に示されている本発明の記録媒体ＲＭ
は、第３０図に例示されているような記録系により記録
媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬと電荷像形成層部
材ＣＦＬとの境界面に電荷像が形成されると、その電荷
像による電界がエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに
加わるために。

記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材Ｅ
Ｃ，Ｌには記録媒体ＲＭの光導電層部材ｐｃＬに形成さ
れた電荷像と対応した状態の着色像が生じる。

それで、光導電層部材ＰＣＬと電荷像形成層部材ＣＦＬ
との境界面に電荷像が記録された状態の第２５図示の記
録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣ
〜Ｌに一定の光強度の読取り光（再生光）を照射すると
、エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬの透過光または
反射光は光導電層部材ＰＣＬに形成されている電荷像と
対応した強度を有してものになっていることは明らかで
ある。

前記した読取り光（再生光）として記録媒体ＲＭの光導
電層部材ＰＣＬに吸収されない波長帯の光を使用すれば
、前記した読取り光（再生光）により光導電層部材ＰＣ
Ｌが低抵抗の状態になって記録媒体ＲＭにおける光導電
層部材ＰＣＬとエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと
の境界面の電荷像が失われるようなことは起こらず、既
述のようにエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに着色
像として記憶されている記憶情報の記憶期間を一層長く
できる。

第２６図は第２５図を参照して説明した前記の記録媒体
ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに電
極Ｅｔを付着形成させた構成態様の記録媒体ＲＭである
。

また、第２７図及び第２８図は第２５＠を参照して説明
した構成の記録媒体ＲＭ、すなわち、第２０図に示され
ている構成の記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミッ
ク材層部材ＥＣＬと光導電層部材ＰＣＬとの間に電荷像
形成層部材ＣＦＬを設けた構成態様の記録媒体ＲＭにお
ける電荷像形成層部材ＣＦＬとして第２７図示の記録媒
体ＲＭでは電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材Ｉ
Ｌとを積層した構成態様のものを用いている場合の実施
例であり、また、第２８図示の記録媒体ＲＭでは第２０
図に示されている構成の記録媒体ＲＭにおけるエレクト
ロクロミック材層部材ＥＣＬと光導電層部材ＰＣＬとの
間に電荷像形成層部材ＣＦＬを設けた構成態様の記録媒
体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬとして光導電体
の微粒子ＰＣＧの層を内在させである誘電体層部材ＩＬ
を用いている場合の実施例である。

まず、第２７図示の記録媒体ＲＭにおいて電荷像形成層
部材ＣＦＬを構成するのに使用されている電荷移動抑止
層部材ＥＳＬは、それに大きな電界が加えられたときに
、トンネル効果によりトンネル電流が流れるような薄い
誘電体膜で構成されているものであって、この電荷移動
抑止層部材ＥＳＬは、例えば、二酸化シリコンの薄層、
あるいはアルミナの薄層などを用いて構成したものを使
用できる。

前記した第２７図に示されている記録媒体ＲＭは、それ
らにおける各構成層を積層させるのに、順次の各構成部
材を順次に蒸着法またはスパッタリング法、その他の手
段によって順次に成暎することにより構成することがで
きるのであり、この第２７図示の記録媒体ＲＭに情報の
記録を行うのには、第３０図の（ａ）に示されているよ
うな構成の記録系を用いることができる２ すなわち、第２７図に示す記録媒体ＲＭに記録の対象に
されるべき情報の記録登行う場合には。

第３０図の（ａ）に例示されている記録系のように、記
録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣ
Ｌの面に電極Ｅｗを密着させ、また、記録媒体ＲＭの電
荷移動抑止層部材Ｅ　Ｓ　Ｌと誘電体層部材ＩＬとを積
層した構成態様の電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌに積層した
光導電層部材ＰＣＬの前面に透明電極Ｅｔｗからなる記
録ヘッドＷＨを配置し、前記した電極Ｅｗと記録ヘッド
ＷＨにおける透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂを接続し、被
写体０の光学像を撮像レンズＬによって記録媒体ＲＭに
おける光導電層部材ＰＣＬに結像させる。

前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材Ｉ）　ＣＬのｍｉ
抵抗値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って
変化するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅ
ｔｗと記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層
部材ＥＣＬの面に密着させた電極Ｅｗとの間シこは電源
ｖｂが接続されでいるから、前記した記録ヘッドＷＨの
透明電極Ｅ　ｔ。

Ｗと記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬにおける電
荷移動抑止層部材Ｅ　Ｓ　Ｌの面との間の電界強度が、
前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＩ、の電気抵
抗値の変化バター・ンに従って変化し、記録ヘッドＷＨ
と記録媒体ＲＭどの間の放電によって記録媒体ＲＭの電
荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移動抑止層部材ＥＳ
Ｌの面に被写体Ｏの光学像に対応する電荷像が形成され
る。

それで、前記した電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層
部材ＴＬとの間の電界の大きさが、前記した被写体Ｏの
光学像に対応しているものになり、電荷移動抑止層部材
ＥＳＬにはトンネル効果によって電流が流れて、電荷移
動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に被写
体Ｏの光学像に対応する電荷像が記録される。

前記のように記録媒体ＲＭの内部に位置している電荷移
動抑止層部材Ｅ　Ｓ　Ｌと誘電体層部材ＩＬどの境界に
記録された電荷像は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材Ｅ
　Ｓ　Ｌと誘電体層部材Ｉｒ−とによって包囲されてい
るために長期間にわたり安定に保持された状態となされ
る。

第２７図に示されている本発明の記録媒体ＲＭは、第７
３０図に例示されているような記録系により記録媒ＡＲ
Ｍにおける電荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移動抑
止層部材ＥＳＬとｖｉｔ体層部材Ｉ　Ｌとの境界に電荷
像が形成されると、その電荷像による電界がエレクトロ
クロミック材層部材Ｅ　ＣＬに加わるために、記録媒体
ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬには
記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬにおける電荷移
動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部材１．　Ｌとの境界に
形成された電荷像と対応した着色像が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌにおける電荷移動抑
止層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に電荷像が
記録された状態の第２７図示の記録媒体ＲＭにおけるエ
レクトロクロミック材層部材ＥＣＬに一定の光強度の読
取り光（再生光）を照射すると、エレクトロクコミック
材層部材ＥＣＬの透過光または反射光は電荷像形成層部
材ＣＦＬに形成されている電荷像と対応した強度変化を
示すものになっていることは明らかである。

前記した第２７図示の記録媒体ＲＭにおけろ電荷像形成
層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して透明な構成
材料で構成されていた場合には、記録媒体ＲＭに照射さ
せた読取り光（再生光）における記録媒体ＲＭの透過光
を記録情報の再生用の光として用い、また、第２７図示
の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌが読
取り光（再生光）に対して不透明な構成材料で構成され
ていた場合には、記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロ
ミック材層部材ＥＣＬ側に入射させ、エレクトロクロミ
ック材層部材ＥＣＬを往復して透過してエレクトロクロ
ミック材層部材ＥＣＬから出射した読取り光（再生光）
の反射光を記録情報の再生用の光として用いることかで
°きるのである。

前記した第２７図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して不透明な構
成材料で構成されていた場合には。

既述のように記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミッ
ク材層部材ＥＣＬ側に入射させ、エレクトロクロミック
材層部材ＥＣＬを往復して透過してエレクトロクロミッ
ク材層部材ＥＣＬから出射した読取り光（再生光）の反
射光を記録情報の再生用の光として用いるようにするの
であるが、この場合にエレクトロクロミック材層部材Ｅ
ＣＬに入射してエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬ中
を通過し、エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷
像形成層部材ＣＦＬとの境界面で反射して再びエレクト
ロクロミック材層部材ＥＣＬ中を通過してエレクトロク
ロミック材層部材ＥＣＬがら出射する再生光の強度を大
にするためには、エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬ
と電荷像形成層部材ＣＦＬとの境界面での反射率が大き
いことが必要とされる。

前記のようにエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電
荷像形成層部材ＣＦＬとの境界面での反射率を大きくす
るのには、第２７図に示されている記録媒体ＲＭのエレ
クトロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷像形成層部材Ｃ
ＦＬにおける誘電体層部材ＩＬとの境界面に誘電体ミラ
ーＤＭＬを設けた構成態様とすればよい。

なお、第２７図示の記録媒体ＲＭの一方の面または双方
の面に電極を設けた構成の記録媒体としてもよいことは
勿論であり、その際における電極は必要に応じて所定の
波長域の光が透過できるようにする。

次に、第２８図に示されている記録媒体ＲＭはエレクト
ロクロミック材層部材ＥＣＬと光導電層部材ＰＣＬとの
間に設ける電荷像形成層部材ＣＦＬとして、光導電体の
微粒子ＰＣＧの層を内在させである誘電体層部材ＩＬを
用いているものであるが、前記した誘電体層部材ＩＬは
高い絶縁抵抗値を有する誘電体材料、例えば、適当な高
分子材料膜を用いて構成されたものが使用され、また、
前記した記録媒体ＲＭにおける光導電体の微粒子ＰＣＧ
の層は、例えば、高い絶縁抵抗値を有する誘電体材料を
使用して構成されている誘電体層部材■Ｌの面上に適当
な手段により無数の光導電体の微粒子ＰＣＧが互いに分
離して分布している状態とさせた後に、その上に誘電体
材料の薄膜を例えば蒸着法あるいはスパッタリング法に
より被着させることによって構成できる。なお、前記し
た光導電体の微粒子ＰＣＧを互いに分離して分布してい
る状態にさせるのには、例えばマスクパターンを介して
光導電体材料を蒸着またはスパッタリングさせるように
してもよい。

前記した記録媒体ＲＭは、それらにおける各構成層を積
層させるのに、順次の各構成部材を順次に蒸着法または
スパッタリング法、その他の手段によって順次に成膜す
ることにより構成することができる。

第２８図示の記録媒体ＲＭに情報の記録を行う場合にも
、第２７図示の記録媒体ＲＭに対する情報の記録動作の
ために使用された第３０図の（ａ）に示されているよう
な構成の記録系を用いることができる。

すなわち、第２８図に示す記録媒体ＲＭに記録の対象に
されるべき情報の記録を行う場合には、第３０図の（ａ
）に例示されている記録系のように、記録媒体ＲＭにお
けるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬの面に電極Ｅ
ｗを密着させ、また、記録媒体ＲＭの光導電体の微粒子
ＰＣＧの層を内在させである誘電体層部材ＩＬよりなる
電荷像形成層部材ＣＦＬに積層されている光導電層部材
ｐｃＬの前面に透明電極Ｅｔｗよりなる記録ヘッドＷＨ
を配置し、前記した電極Ｅｗと記録ヘッドＷＨにおける
透明電極Ｅｔｗとに電源ｖｂを接続し。

被写体Ｏの光学像を撮像レンズＬによって記録媒体ＲＭ
における光導電層部材ＰＣＬに結像させる。

前記した記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値は、それに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化
するが、既述のように記録ヘッドＷＨの透明電極Ｅｔｗ
と記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック材層部材
ＥＣＬの面に密着させた電極Ｅｗとの間には電源ｖｂが
接続されているから、前記した記録ヘッドＷＨの透明電
極ＥｔＷと記録媒体ＲＭの光導電体の微粒子ＰＣＧの層
を内在させである誘電体層部材ＩＬよりなる電荷像形成
層部材ＣＦＬの面との間の電界強度は、前記した記録媒
体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値の変化パター
ンに従って変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの
間の気中放電によって記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣ
Ｌの表面に電荷像（第３０図示の例では負電荷像）が形
成され、その負の電荷像は低抵抗になった光導電層部材
ｐｃＬを通って電荷像形成層部材ＣＦＬの表面に達する
。

前記のように記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬの
表面に負電荷像が形成された記録媒体ＲＭには記憶用光
源からメモリ光を照射させると。

前記の照射光が電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している
誘電体層部材ＩＬ中に埋設されている光導電体の微粒子
ＰＣＧに到達することにより前記の光導電体の微粒子Ｐ
ＣＧには電子−正孔対が発生する。なお、電荷像形成１
部材ＣＦＬを構成している誘電体層部材ＩＬは、前記し
たメモリ光に対しては透明であっても、後述されている
読取り光（再生光）に対しては不透明になされる場合も
ある。

そして、前記した光導電体の微粒子ＰＣＧ中に発生した
電子−正孔対と、被写体Ｏの光学像と対応して記録媒体
ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘
電体層部材ＩＬの表面に形成されている負電荷像との間
の電界によって、前記した記録媒体ＲＭにおける電荷像
形成層部材ＣＦＬを構成しているｆｌｌＩ重体層部材Ｉ
Ｌの表面に形成されている負電荷像の負電荷は、トンネ
ル効果によりトンネル電流として誘電体層部材ＩＬを突
抜けて、誘電体層部材ＩＬに埋設されている光導電体の
微粒子ＰＣＧよりなる構成層の光導電体の微粒子ＰＣＧ
に達し、前記した光導電体の微粒子ＰＣＧ中の電子−正
孔対における正孔と中和して、前記した光導電体の微粒
子ＰＣＧは負に帯電した状態となされて、被写体０の光
学像に対応する電荷像が光導電体の微粒子ＰＣＧによっ
て記録された状態になされる。

前記のように記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬを
構成している誘電体層部材ＩＬに内在されている光Ｒ電
体の微粒子ＰＣＧに記録された電荷像は誘電体層部材Ｉ
　Ｌ、によって包囲されているために長期間にわたり安
定に保持された状態となされる。

第２８回に示されている本発明の記録媒体ＲＭは、第３
０＠に例示されているような記録系により記録媒体ＲＭ
の電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体層部材
ＩＬに内在されている光導電体の微粒子ＰＣＧに電荷像
が形成されると、その電荷像による電界がエレクトロク
ロミック材層部材Ｅ　ＣＬに加わるために、記録媒体Ｒ
Ｍにおけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬには記
録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘
電体層部材ＩＬに内在されている光導電体の微粒子ＰＣ
Ｇの電荷像と対応した着色像が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦＬを構成している誘電体
層部材ＩＬに内在されている光導電体の微粒子ＰＣＧの
電荷像が記録された状態の第２８図示の記録媒体ＲＭに
おけるエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに一定の光
強度の読取り光（再生光）を照射すると、エレクトロク
ロミック材層部材ＥＣＬの透過光または反射光は電荷像
形成層部材ＣＦ　Ｌに形成されている電荷像の情報を有
しているものになっていることは明らかである。

前記した第２８図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して透明な構成
材料で構成されていた場合には、記録媒体ＲＭに照射さ
せた読取り光（再生光）における記録媒体ＲＭの透過光
を記録情報の再生用の光として用い、また、第２８図示
の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬが読取
り光（再生光）に対して不透明な構成材料で構成されて
いた場合には、記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミ
ック材層部材ＥＣＬ側に入射させ、エレクトロクロミッ
ク材層部材ＥＣＬを往復して透過してエレクトロクロミ
ック材層部材ＥＣＬから出射した読取り光（再生光）の
反射光を記録情報の再生用の光として用いることができ
る。

前記した第２８図示の記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬが読取り光（再生光）に対して不透明な構
成材料で構成されていた場合には。

既述のように記録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミッ
ク材層部材ＥＣＬ側に入射させ、エレクトロクロミック
材層部材ＥＣＬを往復して透過してエレクトロクロミッ
ク材層部材ＥＣＬから出射した読取り光（再生光）の反
射光を記録情報の再生用の光として用いるようにするの
であるが、この場合にエレクトロクロミック材層部材Ｅ
ＣＬに入射してエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬ中
を通過し、エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷
像形成層部材ＣＦＬとの境界面で反射して再びエレク１
−ロクロミック材層部材ＥＣＬ中を通過してエレクトロ
クロミック材層部材ＥＣＬから出射する再生光の強度を
大にするためには、エレクトロクロミック材層部材ＥＣ
Ｌと電荷像形成層部材ＣＦＬとの境界面での反射率が大
きいことが必要とされる。

前記のようにエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬと電
荷像形成層部材ＣＦＬとの境界面での反射率を大きくす
るのには、第２８図に示されている記録媒体ＲＭのエレ
クトロクロミック材層部材ＥＣＬと電荷像形成層部材Ｃ
ＦＬにおける誘電体層部材ＩＬとの境界面に誘電体ミラ
ーＤＭＬを設けた構成態様とすればよい。

なお、第２８図示の記録媒体ＲＭの一方の面または双方
の面に電極を設けた構成の記録媒体としてもよいことは
勿論であり、その際における電極は必要に応じて所定の
波長域の光が透過できるようにする。

これまで、第１図乃至第２８図を参照して本発明の記録
媒体、すなわち、少なくとも光変調材層部材と電荷像形
成層部材との積層構成部分を備えて構成し、電荷像形成
層部材に形成させた電荷像の電界により光変調材層部材
の状態が変化された状態で電荷像記録が行われるように
した記録媒体と、少なくとも光変調材層部材と光導電層
部材との積層構成部分を備えて構成し、光導電層部材と
光変調材層部材との境界に形成された電荷像の電界によ
り光変調材層部材の状態が変化された状態で電荷像記録
が行われるようにした記録媒体、及び、少なくともエレ
クトロクロミック材層部材と電荷像形成層部材との積層
構成部分を備えて構成し、電荷像形成層部材に形成させ
た電荷像の電界によりエレクトロクロミック材層部材に
着色像を生じさせた状態で電荷像記録が行われるように
した記録媒体、ならびに少なくともエレクトロクロミッ
ク材層部材と光導電層部材との積層構成部分を備えて構
成し、光導電層部材と光変調材層部材との境界に形成さ
れた電荷像の電界によりエレクトロクロミック材層部材
に着色像を生じさせた状態で電荷像記録が行われるよう
にした記録媒体などの代表的な実施例についての説明を
行って来たが、これまでの記載から明らかなように、本
発明の記録媒体では記録の対象にされている情報を−た
ん電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像として形成し、その
電荷像の電界により光変調材層部材ＰＭＬの状態が変化
されるようになされている構成態様の記録媒体や、記録
の対象にされている情報を−たん光導電層部材ＰＣＬと
光変調材層部材ＰＭＬとの間の部分に電荷像として形成
し、その電荷像の電界により光変調材層部材ＰＭＬの状
態が変化されるようになされている構成態様の記録媒体
として、記録の対象とされる情報の記録動作が電荷像の
形成動作によって迅速に行われ、また、その記録された
電荷像による電界によって光変調材層部材の状態が変化
されることにより、記録媒体からの情報の読取り動作に
際しては特別な読取りヘッドを必要とすることもなく、
記録媒体に再生光を入射させて透過光または反射光を用
いて容易に記録情報を再生することができるので、高解
像度での記録再生が高感度に行えるようにできるのであ
り、また、前記のように記録の対象にされている情報を
−たん電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像として形成し、
その電荷像の電界により光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌの状
態が変化されるようになされている構成態様の記録媒体
や、記録の対象にされている情報を−たん光導電層部材
ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとの間の部分に電荷像と
して形成し、その電荷像の電界により光変調材層部材Ｐ
ＭＬの状態が変化されるようになされている構成態様の
記録媒体であるために、　（１）記録媒体ＲＭで記録の
対象にされている情報の電荷像形成層部材ＣＦＬへの電
荷像の形成動作、あるいは記録媒体ＲＭにおける光導電
層部材Ｐ　Ｃ１，と光変調材層部材ＰＭＴ、との間の部
分への電荷像の形成動作は極めて短時間に行われること
、　（２）前記のように形成された電荷像の電界による
光変調材層部材ＰＭＬの状態の変化は、それが瞬時に生
じなくても記録媒体ＲＭから記録情報の読取り動作が行
われるまでの間に、前記のように形成された電荷像の電
界による光変調材層部材ＰＭＬの状態の変化が生じてい
れば、記録再生動作は良好に行われる。ということに着
目し、記録媒体ＲＭにおける光変調材層部材ＰＭＬとし
て、色彩が鮮明で、電気量と光学濃度とが比例し、記憶
機能があるエレクトロクロミズム素子によるエレクトロ
クロミック材層部材ＥＣＬを用いて記録媒体を構成して
も、物質の色の可逆変化が電圧印加によって生じる酸化
還元反応によるために応答速度が遅い、というエレクト
ロクロミズムを利用した素子のもつ問題点も何等問題に
ならずに、記録済み記録媒体からの情報信号の読取り動
作も容易で、記録、再生装置としても構成が簡単なもの
を使用できる、という優れた諸特性を有する記録媒体が
実現できるのである。

なお、少なくとも光変調材層部材と電荷像形成層部材と
の積層構成部分を備えて構成した記録媒体と、少なくと
も光変調材層部材と光導電層部材との積層構成部分を備
えて構成した記録媒体とを比較すると前者の方が記録性
能が優れており、また、少なくともエレクトロクロミッ
ク材層部材と電荷像形成層部材との積層構成部分を備え
て構成した記録媒体と、少なくともエレクトロクロミッ
ク材層部材と光導電層部材との積層構成部分を備えて構
成した記録媒体とを比較すると前者の方が記録性能が優
れている。

次に、第３４図乃至第４８図を参照して前記した本発明
の記録媒体ＲＭに記録された情報の再生（読取り）方式
について説明する。まず、第３４図の（ａ）〜（ｄ）の
各回は、記録済み記録媒体ＲＭが透過型の場合と反射型
の場合とのそれぞれの場合に、再生信号を電気信号で得
るようにしたり、あるいは光学像で得るようにしたりで
きるということを単に図示説明するための図であり、こ
の第３４図には記録の対象にされている情報が記録され
ている状態の本発明の記録媒体ＲＭ（記録済み記録媒体
）に再生用（読取り用）の光を透過させ、その透過光を
光電変換して電気信号を得るようにした再生方式（第３
４図の（ａ））と、記録の対象にされている情報が記録
されている状態の本発明の記録媒体ＲＭ（記録済み記録
媒体）に投射した再生用（読取り用）の光の反射光を光
電変換して電気信号を得るようにした再生方式（第３４
図の（ｂ））と、記録の対象にされている情報が記録さ
れている状態の本発明の記録媒体ＲＭ（記録済み記録媒
体）に再生用（読取り用）の光を透過させ、その透過光
を投影光学系を用いてスクリーンに投射するようにした
再生方式（第３４図の（Ｃ））と、記録の対像にされて
いる情報が記録されている状態の本発明の記録媒体ＲＭ
　（記録済み記録媒体）に投射した再生用（読取り用）
の光の反射光を投影光学系を用いてスクリーンに投射す
るようにした再生方式（第３４図の（ｄ））とを示して
いる。

＠３４図において、ＲＭは記録済み記録媒体、ＬＳは光
源であり、またＭＳ３４図の（ａＬ　（ｂ）においてＰ
Ｄは光電変換器、第３４図の（Ｃ）、（ｄ）においてＬ
ｐは投影光学系、Ｓはスクリーン、第３４図の（ｂ）、
（ｄ）においてＢＳはビームスプリッタである。第３４
図中には光の偏向系、その他の具体的な構成部分の図示
は省略されている。

なお、再生系の説明を簡単にするために、以下の再生系
の説明においては、再生系で記録情報が再生されるべき
記録済記録媒体ＲＭは第２４＠乃至第２８図に例示され
ているような構成態様のもの、すなわち、記録媒体ＲＭ
における光変調材層部材がエレクトロクロミック材層部
材ＥＣＬによって構成されていて、エレクトロクロミッ
ク材層部材ＥＣＬに記録情報による着色像が形成されて
いるものが使用されているものとされている（光変調材
層部材ＰＭＬとして１例えば液晶または例えばニオブ酸
リチウムのようなものが使用されている第１＠乃至第１
３図に例示されている記録媒体からの記録情報の再生に
際しては、既述のように、特定な偏光面を有する光を記
録済み記録媒体に入射させ、記録済み記録媒体の透過光
や反射光を検光子を介して取り出して利用する）。

第３５図に例示しである再生系は、光［ＬＳから放射さ
れた再生光を、光偏向器ＰＤＥＦｘｙにより横方向Ｘと
縦方向Ｙとの両方向に偏向した後にレンズＬ１を介して
記録済み記録媒体ＲＭに投射し、静止状態になされてい
る記録済み記録媒体Ｒ７Ｍが２次元的に走査されるよう
にする。

そして、記録済み記＃１媒体ＲＭを透過した光をレンズ
Ｌ２で集光して光電変換器ＦＤに与え、光電変換器ＰＤ
から記録済み記録媒体ＲＭに記録されていた情報と対応
する電気信号を出力させるように構成したものである。

この第３５図に示されている再生系では、記録済み記録
媒体ＲＭが光偏向器ＰＤＥＦｘｙにおける縦方向Ｙの偏
向周期と同期して図中の矢印Ｙ方向に間欠的に駒送りさ
れている。

次に第３６図に例示しである再生系は、光源ＬＳから放
射された再生光を、光偏向器ＰＤＥ　Ｆ　ｘにより横方
向Ｘに偏向した後にレンズＬ３を介して記録済み記録媒
体ＲＭに投射し、図中のＹ方向に副走査のために移動さ
れている記録済み記録媒体ＲＭを横方向Ｘに走査される
ようにする。

そして、記録済み記録媒体ＲＭを透過した光をレンズＬ
４で集光して光電変換器ＰＤに与え、光電変換器ＰＤか
ら記録済み記録媒体ＲＭに記録されていた情報と対応す
る電気信号を出力させるように構成したものである。

第３７図に例示しである再生系は、光源ＬＳから放射さ
れた再生光を、光偏向器ＰＤＥＦｘにより横方向Ｘに偏
向した後にレンズＬ３を介して記録済み記録媒体ＲＭに
投射し１図中のＹ方向に副走査のために移動されている
記録済み記録媒体ＲＭを横方向Ｘに走査されるようにし
、記録済み記録媒体ＲＭを透過した光をレンズＬ４で集
光してライン・イメージセンサｌ５Ｉ（例えば、ＣＣＤ
ライン・イメージセンサ）に与え、ライン・イメージセ
ンサＩＳＩから記録済み記録媒体ＲＭに記録されていた
情報と対応する電気信号を出力させるように構成したも
のである。なお、第３７図示の再生系において光偏向器
ＰＤＥＦｘを除去するとともに、光源ＬＳから放射させ
た横の一直線状の光によって記録済み記録媒体ＲＭが照
射されるようにしてもよい。

次に、第３８図示の再生系は、光源ＬＳから放射された
再生光を、光偏向器ＰＤＥＦｘｙにより横方向又と縦方
向Ｙとの両方向に偏向した後にレンズＬ１を介して記録
済み記録媒体ＲＭに投射し、静止状態になされている記
録済み記録媒体ＲＭが２次元的に走査されるようにする
。

そして記録済み記録媒体ＲＭを透過した光をレンズＬ２
で集光してライン・イメージセンサｌ５Ｉ（例えば、Ｃ
ＣＤライン・イメージセンサ）に与え、ライン・イメー
ジセンサＩＳＩから記録済み記録媒体ＲＭに記録されて
いた情報と対応する電気信号を出力させるように構成し
たものである。

この第３８図示の再生系で使用されているライン・イメ
ージセンサＩＳＬは、光偏向＠ＰＤＥＦｘｙにおける縦
方向Ｙの′偏向動作と同期して図中のＹ方向に副走査の
ために移動できるようになされており、また、記録済み
記録媒体ＲＭは光偏向器ＰＤＥＦｘｙにおける縦方向Ｙ
の偏向周期と同期して図中の矢印Ｙ方向に間欠的に駒送
りされる。

なお、この第３８図示の再生系におけるライン・イメー
ジセンサｌ５Ｉ（例えば、ＣＣＤライン・イメージセン
サ）の代わりに、静止している２次元イメージセンサ（
例えば、撮像管、固体撮像板）が用いられてもよい。

第３９図は投影光学系を使用した再生系であり、光源Ｌ
Ｓから放射された再生光をレンズＬＬを介し、連続的に
図中のＹ方向に副走査のために移動されている記録済み
記録媒体ＲＭに投射し、記録済み記録媒体ＲＭを透過し
た光をレンズＬ２で集光してライン・イメージセンサＩ
ＳＩ＜例えば、ＣＣＤライン・イメージセンサ）に与え
、ライン・イメージセンサＩＳｌから記録済み記録媒体
ＲＭに記録されていた情報と対応する電気信号を出力さ
せるように構成したものである。

第４０図は投影光学系を使用した再生系であり、光源Ｌ
Ｓから放射された再生光をレンズＬ＋　を介し、間欠的
に図中のＹ方向に副走査のために駒送りされている記録
済み記録媒体ＲＭに投射し、記録済み記録媒体ＲＭを透
過した光をレンズＬ２で集光して２次元イメージセンサ
（例えば、撮像管。

固体撮像板ＨＳ２に与え、２次元イメージセンサＩＳ２
から記録済み記録媒体ＲＭに記録されていた情報と対応
する電気信号を出力させるように構成したものである。

また、第４１図は記録済み記録媒体ＲＭを副走査のため
に図中のＹ方向に移動させておき、前記の記録済み記録
媒体ＲＭの副走査方向と直交する方向に主走査が行われ
るようなライン・イメージセンサｌ５Ｉ（例えば、ＣＣ
Ｄライン・イメージセンサ）を記録済み記録媒体ＲＭと
密着させておき。

ライン・イメージセンサＩＳＩに記録済み記録媒体ＲＭ
の透過光を与えて、記録済み記録媒体ＲＭに記録されて
いた情報と対応する電気信号がライン・イメージセンサ
ＩＳＩから得られるようにしたものである。

第４２図は本発明の記録媒体ＲＭを使用して構成したカ
ラー・スチル・カメラの一例構成を示すブロック図であ
り、また、第４３図は本発明の記録媒体ＲＭを使用し−
て構成したカラー・動画カメラの一例構成を示すブロッ
ク図である。第４４図は第４３図に示されているカラー
・動画カメラによって記録媒体ＲＭに記録された３つの
原色像の記録状態の説明用の平面図である。

第４２図において、１．３は記録媒体Ｒ１ｖｉ（以下の
説明においては、第１５図を参照して既述したような構
成態様の記録媒体ＲＭであるとされている）を巻回しで
あるリール、２は接地ローラ、Ｃｅ　Ｔは消去用４Ｆ電
器、Ｖｅは消去用電源、ＷＨは記録ヘッド、０は被写体
、Ｌは撮像レンズ、Ｃ８Ａは３色分解光学系、ｖｂは記
録用電源であり、第４２図中の上方の一点鎖線枠内に示
されている前記の各部は撮像部を構成しており、また、
第４２図中の下方の一点鎖線枠内に示されている部分は
再生部を構成しており、再生部には光源ＬＳ、光偏向器
ＰＤＥＴｘｙ、レンズＬ＋、、Ｌ２、光電変換器ＰＤが
設けられている。

送り出しり−ル１から送り出された記録媒体ＲＭは、消
去用電源Ｖｅから所定の電圧が供給されている消去用帯
電器ＣＴから与えられた電荷によってそれに記録されて
いた既記縁情報が消去されてから、被写体Ｏの光学像が
記録されるべき位置の方へ図中の矢印Ｙ方向に移動され
る。

被写体Ｏの光学像は撮像レンズＬと３色分解光学系Ｃ８
Ａと記録媒体ＲＭとを介して記録ヘッドＷＨの光導電層
部材Ｐ　ＣＬ　ｗに結像する。記録媒体ＲＭの透明電極
Ｅｔは接地ローラ２によって接地されているから、前記
した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗
値は、それに結像された被写体０の光学像に従って変化
するが、記録ヘッドＷ　Ｉ−（の電極Ｅｗと記録媒体Ｒ
Ｍにおけるエレクトロクロミック層部材ＥＣＬの面に密
着されている透明電極Ｅｔとの間には電源ｖｂが接続さ
れているから５．前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部
材ＰＣＬｗの面と記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部
材ＣＦＬとの間の電界強度は、前記した記録ヘッドＷＨ
の光導ｔｉｔ層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値の変化パター
ンに従って変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの
間の放電によって記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦ
Ｌに形成される電荷像は被写体０の光学像に対応する電
荷像となされる。

前記のように記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材Ｃ
ＦＬに電荷像が形成されると、その電荷像による電界が
エレクトロクロミック層部材ＥＣＬに加わるために、記
録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック層部材ＥＣＬ
には記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬに形成され
た電荷像と対応した着色像が生じる。

それで、電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像が記録された
状態の記録媒体ＲＭが第４２図の下方に示されている再
生部で、光源ＬＳから放射されて光偏向器ＰＤＥＦｘｙ
により横方向Ｘと縦方向Ｙとの両方向に偏向された後に
レンズＬ１を介して記録済み記録媒体ＲＭに投射され、
静止状態になされている記録済み記録媒体ＲＭが２次元
的に走査されると、その２次元的な走査光は記録済み記
録媒体ＲＭにおけるエレクトロクロミック層部材ＥＣＬ
における着色像によって強度変調された状態で記録済み
記録媒体ＲＭを透過し、レンズＬ２で集光されて光電変
換ｉＰＤに与えられ、光電変換器ＰＤから記録済み記録
媒体ＲＭに記録されていた情報と対応する電気信号が出
力される。

次に、第４２図及び後述されている第４３図中に示され
ている３色分解光学系Ｃ８Ａの具体的な構成を第４５図
及び第４６図を参照して説明する。

まず、３色分解光学系Ｃ８Ａは、それの全体の斜視図が
第４６図に例示されており、また、それの構成原理の説
明用の平面図が第４５図に示されている。第４５図及び
第４６図においてＤＰは赤色光を反射し緑色光と青色光
とを透過するダイクロイックミラー（Ｒ面）と、青色光
を反射し緑色光と赤色光とを透過するダイクロイックミ
ラー（Ｂ面）とを直交させて構成したプリズム形態のダ
イクロイックミラー（ダイクロイックプリズムＤｐ）で
あり、またＰｒは全反射面Ｍｒを有するプリズム、ｐｂ
は全反射面Ｍｂを有するプリズムである。

第４５図において被写体０からの光が撮像レンズ１を介
して前記したダイクロイックプリズムＤｐに入射すると
、ダイクロイックプリズムＤｐへの入射光の内で、ダイ
クロイックミラー（Ｒ面）とダイクロイックミラー（Ｂ
面）との双方を通過した被写体の光学像の緑色光成分は
結像面Ｉｇに結像し、また、ダイクロイックプリズムＤ
Ｐへの入射光の内で、ダイクロイックミラーＲ面で反射
した被写体の光学像の赤色光成分は、プリズムＰｒの全
反射面で反射した後にプリズムＰｒ中を通過して、前記
した結像面１ｇと同一の平面内にあり。

かつ、前記した結像面Ｉｇに近接している結像面Ｉｒに
結像し、さらに、ダイクロイックプリズムＤｐへの入射
光の内で、ダイクロイックミラー８面で反射した被写体
の光学像の青色光成分は、プリズムｐｂの全反射面で反
射した後にプリズムＰｂ中を通過して、前記した結像面
Ｉｇ、Ｔ、ｒと同一の平面内にあり、かつ、前記した結
像面Ｔｇ。

Ｉｒに近接している結像面Ｉｂに結像する。

そして、前記した３つの結像面Ｉ　ｇ、Ｉ　ｒ、Ｉ　ｂ
は、既述のように同一の平面内に形成されているととも
に、−直線上に配置されているような配置態様のものと
して形成されるようになされている。

第４５図及び第４６図に示されている３色分解光学系Ｃ
５Ａにおいて、プリズムＰｒは赤色光の光路長を伸ばし
、また、プリズムｐｂは青色光の光路長を伸ばして、前
記したように緑色光の結像面Ｉｇと、赤色光の結像面Ｉ
ｒと、青色光の結像面Ｉｂとが、既述のように同一の平
面内で、かつ、−直線上に近接して配置されているよう
な状態にさせるのであり、前記したプリズムＰｒ、Ｐｂ
による光路長の伸び量又は、各色光の光軸のずれ量ａと
等しく、すなわち、Ｘ＝ａとなるようにされる。

前記したプリズムＰ’ｒ、Ｐｂによる光路長の伸び量又
は、プリズムＰｒ、Ｐｂ中の光路長をｄとし、プリズム
Ｐｒ、Ｐｂの構成物質の屈折率をｎとすると、　Ｘ　＝
　ｄ　（ｎ−１）　／　ｎ　　　で表わされるから、前
記したようにプリズムＰｒ、Ｐｂによる光路長の伸び量
又と各色光の光軸のずれ量ａとを等しくするには、プリ
ズムＰｒ、Ｐｂ中の光路長ｄと、プリズムＰｒ、Ｐｂの
構成材料の屈折率ｎとを変えることによって行うことが
できる。

前記の構成態様の３色分解光学系Ｃ８Ａのように、同一
平面内で一直線に近接して形成される３個の結像面Ｉｒ
、Ｉｇ、Ｉｂに個別の色に分解された被写体の光学像が
結像されるようになされた色分解光学系を用いると、前
記した複数の結像面の位置に記録媒体ＲＭを配置するこ
とにより、記録媒体ＲＭには第４４図に示゛されている
ように３色分解された状態の高い解像度の３つの画像Ｂ
ｌ。

Ｇｌ、　Ｒ１（Ｂ２．　Ｇ２．　Ｒ２，Ｂ３．　Ｇ３．
　Ｒ３・・・）が並列した状態で記録再生される。

次に、第４３図と第４４図とを参照して本発明の記録媒
体ＲＭを使用して構成されているカラー・動画カメラに
ついて説明する。第４３図において。

１．３は記録媒体ＲＭ（以下の説明においては、第１５
図を参照して既述したような構成態様の記録媒体ＲＭで
あるとされている）を巻回しであるリール、ＥＡは消去
装置、ＷＨは透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬｗと
からなる記録ヘッド、ｖｂは記録用電源、Ｏは被写体、
Ｌは撮像レンズ、Ｃ８Ａは３色分解光学系、ＰＰＣＡは
光−光変換素子、４は光源、５は偏光板、ＰＤＥＦｘｙ
は光偏向器、６はレンズ、７はビームスプリッタ、ＰＤ
ＥＦｙは光偏向器、８はレンズ、９は検光子である。

被写体０の光学像は撮像レンズＬと３色分解光学系Ｃ８
Ａとを介して、光−光変換素子Ｐ　Ｐ　ＣＡに与えられ
る。光−光変換素子ＰＰＣＡとしては、例えば第４７図
に示されているような構成態様のものが使用されてもよ
い。第４７図において１１゜１２は透明電極であり、そ
れは光学ガラス基板１０．１．３に設けられている。

第４７図中においてＰＣＬは光導電層、ＤＭＬは誘電体
ミラー、ＰＭＬは印加された電界の強度分布に応じて光
の状態を変化させる光学部材（例えばニオブ酸リチウム
単結晶または硅酸化ビスマス（ＢＳＯ）のような光変調
材層・・・以下の説明例は光変調材層がニオブ酸リチウ
ム単結晶を用いて構成されている場合について述べられ
ている）、ＷＬは書込み光、ＲＴ、は読出し光、ＥＬは
消去光である。

第４７図中では消去光ＥＬの入射方向と読出し光ＲＬの
入射方向とを同じに示しているが、これは第４７図示の
光−光変換素子ＰＰＣＡが、それの誘電体ミラーＤＭＬ
として、第４８図に例示しであるように波長λｌの読出
し光ＲＩ、を反射させ。

波長λ２の消去光ＥＬは透過させるような光の透過率特
性を有するものを使用しているものだからである。

さて、第４７図に示す光−光変換素子ＰＰＣＡで光学的
な情報の書込みを行う場合には、光−光変換素子））　
Ｉ）　ＣＡに対して電源Ｖｓと切換スイッチＳＷどから
なる回路を接続し、切換スイッチＳＷに切換制御＜４号
を供給して切換スイッチＳＷの可動接点を固定接点ＷＲ
側に切換えた状態にして前記Ｌ７た透明電極１１．１２
間にｆａｔ源Ｖｓの電圧を与え、光導ｆｔ層ＰＣＬの両
端間に電界が加わるようにし、でおいて、光−光変換素
子ＰＰＣＡにおける透明型＋＠１．１側から書込光Ｗｌ
、を入射させることにより光−光変換素子ＰＰＣＡに対
する光学的情報の書込みを行うのである。

すなわち、前記のように光−光変換素子Ｐ　Ｐ　ＣＡに
入射した書込み光ＷＬが透明電極１１を透過して光導電
層ＰＣＬに到達すると、光導電層ＰＣＬの電気抵抗値が
それに到達した入射光による光学像と対応して変化する
ために、光導電層１）　ＣＬとｖＩｔ体ミラーＤＭＬと
の境界面には光導電層ＰＣＬに到達した入射光による光
学像と対応した電荷像が生じる。

前記のようにして入射光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報の読出し動作を、書
込み光Ｖ／　Ｔ、、による書込み動作が行われ続けてい
る光−光変換素子ｒ　ｐ　ｃ　Ａについて実施する場合
には、切換スイッチＳＷの可動接点を固定接点ＷＲ側に
切換えた状態として、電源ＶＳの電圧が透明電極１１，
１２間に印加されている状態にしておいて、光−光変換
素子ＰＰＣＡにおける透明電極１２側に図示されていな
い光源から一定の光強度の読出し光ＲＬを投射すること
によって行うのである。

すなわち、既述のように入射光による光情報の書込みが
行われた光−光変換素子ＰＰＣＡにおける光導電層ＰＣ
Ｌと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には、光導電ｐａＰ
ＣＬに到達した入射光による光学像と対応した強度分布
を有する電荷像が生じているが、前記した光導電層Ｐ　
ＣＩ、に対して誘電体ミラーＤＭＬとともに直列的な関
係に設けられている光学部材ＰＭＬ（例えばニオブ酸リ
チウム単結晶ＰＭＬ　）には、入射光による光学像と対
応して生じた電荷像による電界が加わっている状態にな
っている。

そして、前記したニオブ酸リチウム単結晶ＰＭＬの屈折
率は１次電気光学効果により電界に応じて変化するから
、入射光による光学像と対応した強度分布を有する電荷
像の電界が加わっている状態の前記した光導電層ＰＣＬ
に対して誘電体ミラーＤＭＬとともに直列的な関係に設
けられているニオブ酸リチウムの結晶ＰＭＬの屈折率は
、既述した入射光による光情報の書込みにより光−光変
換素子ＰＰＣＡにおける光導電層ＰＣＬと誘電体ミラー
ＤＭＬとの境界面に光導電層ＰＣＬに到達した入射光に
よる光学像と対応して生じた電荷像に応じて変化してい
るものになる。

それで、透明電極１２側の光学ガラス基板１３に読出し
光ＲＬが投射された場合には、前記のように投射された
読出し光ＲＬが、光学ガラス基板１３→透明電極１２→
ニオブ酸リチウム単結晶ＰＭＬ→誘電体ミラーＤＭＬ→
のように進行して行き、次いで前記した読出し光ＲＬは
誘電体ミラーＤＭＬで反射して透明電極１２側の光学ガ
ラス基板１３の方に反射光として戻って行くが、ニオブ
酸リチウムの結晶ＰＭＬの屈折率は１次電気光学効果に
よって電界に応じて変化しているから、読出し光ＲＬの
反射光はニオブ酸リチウムの結晶ＰＭＬの１次電気光学
効果によりニオブ酸リチウムの結晶ＰＭＬに加わる電界
の強度分布に応じた画像情報を含んでいるものとなって
、透明電極１２側の光学ガラス基板１３には入射光によ
る光学像に対応した再生光学像を生じさせることになる
。

また、前記のようにして書込み光ＷＬによって書込まれ
た情報を消去するのには、前記した切換スイッチＳＷに
切換制御信号を供給して切換スイッチＳＷの可動接点を
固定接点Ｅｒ側に切換えて光−光変換素子ＰＰＣＡにお
ける透明電極１１゜１２間に電界が生じないようにして
から透明電極１２側から−様な強度分布の消去光ＥＬを
入射させることによって行う。

第４３図において、前記のように撮像レンズＬと３色分
解光学系Ｃ８Ａとを介して光−光変換素子Ｉ）　Ｐ　Ｃ
Ａに被写体Ｏの光学像が書込み光ＷＬとして与えられた
光−光変換素子ＰＰＣＡは、３色分解光学系により色分
解された複数の光学像と対応する３個の電荷像を形成す
る。

前記のように光−光変換素子ＰＰＣＡに形成された３個
の電荷像は、読出し光によって読出されてから記録媒体
ＲＭへ第４４図に例示されているような状態で記録され
る。

すなわち、記録媒体ＲＭは第１５図を参照して低連した
ように、電極Ｅとエレクトロクロミック層部材ＥＣＬと
電荷像形成層・部材ＣＦＬとを積層させた構成のもので
あり、記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬの
前面に透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬｗとからな
る記録ヘッドＷＨを配置し、前記した記録媒体ＲＭにお
けるエレクトロクロミック層部材ＥＣＬの面に設けであ
る電極Ｅと記録ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗとに
電ｇｖｂを接続しであるが５読出し光による光−光変換
素子ＰＰＣＡからの電荷像の読出しが、光源４→偏光板
５→光偏向器ＰＤＥＦｘｙ→レンズ６→ビームスプリツ
タ７→光−光変換素子ＰＰＣＡの経路で光−光変換素子
ＰＰＣＡに縦横釦こ走査されている読出し光として与え
られ、それにより光−光変換素子ＰＰＣＡでは第４７図
を参照して既述したようにして電荷像が光像に変換され
て読出され、その光は光−光変換素子ＰＰＣＡ→光偏向
器Ｆｙ→レンズ８→検光子９→書込みヘッドＷＨの透明
電極Ｅｔｗ及び光導電層部材ＰＣＬｗに与えられると、
前記した光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値が、それに
結像された被写体Ｏの光学像に従って変化する。

前述のように記録ヘッド’ｌ１１７Ｈの透明電極Ｅｔｗ
と記録媒体ＲＭにおける一エレクトロクロミック層部材
ＥＣＬの面に設けである電極Ｅｔとの間には電源ｖｂが
接続されているから、前記した記録ヘッドＷＨの光導電
層部材ＰＣＬｗの面と記録媒体ＲＭにおける電荷像形成
層部材ＣＦＬとの間の電界強度が、前記した記録ヘッド
ＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値の変化パター
ンに従って変化し、記録ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの
間の放電によって記録媒体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦ
Ｌに形成される電荷像は被写体０の光学像に対応する電
荷像となされる。

記録媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦＬに電荷像
が形成されると、その電荷像による電界がエレクトロク
ロミック層部材ＥＣＬに加わるために、記録媒体ＲＭに
おけるエレク］・ロクロミック層部材ＥＣＬには記録媒
体ＲＭの電荷像形成層部材ＣＦＬに形成された電荷像と
対応した着色像が生じる。

第４４図は記録媒体ＲＭにおける記録の態様を例示した
図であり、図中のＢｌ、　０１．　Ｒ１，Ｂ２゜Ｇ２．
　Ｒ２、・・・などが、それぞれの３つの原色像である
。

次に第４９図を参照して記録済み記録媒体ＲＭＩから記
録媒体ＲＭ２に転写を行う場合について説明する。この
第４９図に示されている例においては、記録済の記録媒
体ＲＭ４．ＲＭ２の双方が、ともに転写用の照射光Ｌｔ
に対して透明なものとして構成されているものであり、
かつ、記録済の記録媒体ＲＭＩはそれの光変調材層部材
がエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬとなされていて
、記録情報が光学的な濃度情報として記録されているも
のであるとされている。

第４９図において記録済の記録媒体ＲＭＩと記録媒体Ｒ
Ｍ２とを互いに密着させた状態、あるいは離隔した状態
で対向させるとともに、記録媒体ＲＭ２に記録ヘッドＷ
Ｈを対向させて、記録ヘッドＷＨの電極Ｅｗと記録媒体
ＲＭ２の透明電極Ｅｔｔとに電源ｖｂを接続して、記録
済の記録媒体ＲＭ１を透過させた転写用の照射光Ｌｔで
記録媒体ＲＭ２を照射させると、記録済の記録媒体Ｒｔ
に記録されていた光学的な濃度情報によって強度変調さ
れている転写用の照射光Ｌｔが記録ヘッドＷＨの光導電
層部材ＰＣＬｗに与えられる。

なお、記録済の記録媒体ＲＭＩと記録媒体ＲＭ２とを離
隔させた状態で対向して転写を行うようにする場合には
、投射光学系を用いることにより離隔量の自由度を持た
せることができることはいうまでもない。

前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬＷの電気
抵抗値は、それに与えられた記録済の記録媒体ＲＭ　］
　に記録されていた光学的な濃度情報に従って変化する
が、記録ヘッドＷＨの電極Ｅｗと記録媒体ＲＭの透明電
極Ｅｔとの間には電源Ｖｂが接続されているから、前記
した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗの面と記録
媒体ＲＭにおける電荷像形成層部材ＣＦ　Ｌとの間の電
界強度は、前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣ
Ｌｗの電気抵抗値の変化パターンに従って変化し、記録
ヘッドＷＨと記録媒体ＲＭとの間の放電によって記録媒
体Ｒ１１４の電荷像形成層部材ＣＦＩ、に形成される電
荷像は記録済の記録媒体ＲＭＩに記録されていた光学的
な濃度情報に対応する電荷像となされる。すなわち、転
写が良好に行われるのである。

第４９図を参照して説明した転写方式は記録済の記録媒
体ＲＭＩを透過させた転写用の照射光Ｌｔで記録媒体を
照射して行うようにしたものであったが、記録済み記録
媒体から新たな記録媒体に記録情報の転写を行うのに、
転写用の照射光を照射することなく、記録済み記録媒体
の電荷像の電界を用いて行うようにもできることはいう
までもない（例えば特願昭６３−１８６９４７号を参照
されるとよい）。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明は少なくとも光変調材層部材と電荷像形成層部材との
積層構成部分を備えて構成し、電荷像形成層部材に形成
させた電荷像の電界により光変調材層部材の状態が変化
された状態で電荷像記録が行われるようにした記録媒体
と、少なくとも光変調材層部材と光導電層部材との積層
構成部分を備えて構成し５、光導電層部材と光変調材層
部材との境界に形成された電荷像の電界により光変調材
層部材の状態が変化された状態で電荷像記録が行われる
ようにした記録媒体、及び、少なくともエレクトロクロ
ミック材層部材と電荷像形成層部材との積層構成部分を
備えて構成し、電荷像形成層部材に形成させた電荷像の
電界によりエレクトロクロミック材層部材に着色像を生
じさせた状態で電荷像記録が行われるようにした記録媒
体、ならびに少なくともエレクトロクロミック材層部材
と光導電層部材との積層構成部分を備えて構成し、光導
電層部材と光変調材層部材との境界に形成された電荷像
の電界によりエレクトロクロミック材層部材に着色像を
生じさせた状態で電荷像記録が行われるようにした記録
媒体では、再生動作時に使用される光変調材層部材が記
録媒体の構成部材として用いられていることにより、再
生動作時にも感度の低下や解像度の劣化が生じない記録
媒体を容易に提供できるのであり、前記の記録媒体に対
する電荷像の記録動作時には、記録媒体における構成部
材の積層方向に予め所定の強度の電界を印加して、記録
の対象にされいている情報によって強度が変調されてい
る光を入射させることにより容易に記録が行われ、また
、記録済みの記録媒体からの再生動作時には記録済みの
記録媒体に記録情報の読取り用の光を入射させることに
より再生が良好に行われ、さらに、記録済みの記録媒体
に記録されている記録情報を他の記録媒体に転写する際
には、記録済みの第１の記録媒体と、第２の記録媒体と
を対向させて配置し、第２の記録媒体における各構成部
材の積層方向に予め所定の強度の電界を印加し、前記し
た記録済みの第１の記録媒体を透過させた光を第２の記
録媒体における光導電層部材側から入射させることによ
って容易に転写が行われる。

すなわち５本発明の記録媒体において、記録の対象にさ
れている情報を−たん電荷像形成層部材に電荷像として
形成し、その電荷像の電界により光変調材層部材の状態
が変化されるようになされている構成態様の記録媒体で
も、記録の対象にされている情報を−たん光導電層部材
と光変調材層部材との間の部分に電荷像として形成し、
その電荷像の電界により光変調材層部材の状態が変化さ
れるようになされていξ構成態様の記録媒体であっても
記録の対象とされる情報の記録動作が電荷像の形成動作
により迅速に行われ、その記録された電荷像による電界
によって光変調材層部材の状態が変化されることにより
、記録媒体からの情報の読取り動作に際しては特別な読
取りヘッドを必要とすることもなく、記録媒体に再生光
を入射させて透過光または反射光を用いて容易に記録情
報を再生したり転写したりすることができるので、高解
像度での記録、再生、転写が高感度に行えるのである。

また、前記のように記録の対象にされている情報を−た
ん電荷像形成層部材に電荷像として形成し、その電荷像
の電界により光変調材層部材の状態が変化されるように
なされている構成態様の記録媒体や、記録の対象にされ
ている情報を−たん光導電層部材と光変調材層部材との
間の部分に電荷像として形成し、その電荷像の電界によ
り光変調材層部材の状態が変化されるようになされてい
る構成態様の記録媒体であるために、（１）記録媒体Ｒ
Ｍで記録の対象にされている情報の電荷像形成層部材へ
の電荷像の形成動作、あるいは記録媒体における光導電
層部材と光変調材層部材との間の部分への電荷像の形成
動作は極めて短時間に行われること、（２）前記のよう
に形成された電荷像の電界による光変調材層部材の状態
の変化は、それが瞬時に生じなくても記録媒体から記録
情報の読取り動作が行われるまでの間に、前記のように
形成された電荷像の電界による光変調材層部材の状態の
変化が生じていれば、記録再生動作は良好に行われる。

ということに着目し、記録媒体における光変調材層部材
として、色彩が鮮明で、電気量と光学濃度とが比例し、
記憶機能があるエレクトロクロミズム素子によるエレク
トロクロミック材層部材Ｅ、ＣＬを用いて記録媒体を構
成しても、物質の色の可逆変化が電圧印加によって生じ
る酸化還元反応によるために応答速度が遅い、というエ
レクトロクロミズムを利用した素子のもつ問題点も何等
問題にならずに、記録済み記録媒体からの情報信号の読
取り動作も容易で、記録、再生装置としても構成が簡単
なものを使用できる、という優れた諸特性を有する記録
媒体が実現できるのであり、また、前記のように記憶機
能があるエレクトロクロミズム素子によるエレクトロク
ロミック材層部材ＥＣＬを用いて記録媒体を構成した場
合には、エレクトロクロミック材層部材ＥＣＬ自体によ
り長期間にわたる記憶動作が期待できる他に、電荷像形
成層に電荷が保持されているような構成態様の記録媒体
においては、その保持されている電荷像による電界がエ
レクトロクロミック材層部材ＥＣＬに印加されている状
態になるためにエレクトロクロミック材層部材ＥＣＬに
おける記憶がより一層長期間にわたった良好に保たれる
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第２８図及び第５２図乃至第５５図は本発明
の記録媒体の代表例の一部の側断面図、第２９図乃至第
３４図は本発明の記録媒体を用いて記録再生の対象にさ
れている情報を記録する記録系の構成例を示すブロック
図、第３５図乃至第４１図は本発明の記録媒体に記録さ
れている情報を再生する再生系の構成例を示すブロック
図、第４２図は静止画像の記録再生装置の構成例を示す
ブロック図、第４３図は動画像の記録再生装置の構成例
を示すブロック図、第４４図は記録態様を示す平面図、
第４５図は３色分解光学系の一例構成の平面図、第４６
図は３色分解光学系の一例構成の斜視図、第４７図は光
−光変換素子の構成例を示す側面図、第４８図は光−光
変換素子における光変調材部材の光透過率特性例図５第
４９図は転写装置の構成例のブロック図、第５０図は従
来例を説明するための記録系の側面図、第５１図は従来
例を説明するための再生系の側面図である。 ＲＭ・・・記録媒体、ＩＬ・・・誘電体層部材、Ｅ、Ｅ
ｔ。 Ｅ　ｔ　Ｗ、　Ｅｗ、　Ｅｔｌ、Ｅｔ２−・・電極、Ｐ
ＣＬ、ＰＣＬ　ｗ・・・光導電層部材、ＷＨ・・・記録
ヘッド、Ｏ・・・被写体、Ｌ・・・撮像レンズ、ｖｂ・
・・電源、ＲＨ・・・再生ヘッド（電荷像読取りヘッド
）、Ｅｔｒ・・・透明電極、ＣＦＬ・・・電荷像形成層
部材、ＥＳＬ・・・電荷移動抑止層部材、ＰＣＧ・・・
光導電体の微粒子、ＣＴ・・・帯電器、ＥＣＬ・・・エ
レクトロクロミック材層部材、ＰＤ・・・光電変換器、
Ｌｐ・・・投影光学系、Ｓ・・・スクリーン、ＢＳ・・
・ビームスプリッタ、ＬＳ・・・光源、ＰＤＥＦｘｙ、
ＰＤＥＦｘ−光偏向器、Ｌｌ−Ｌ４−・レンズ、ＩＳＳ
トライン・イメージセンサ、ＩＳ２・・２次元イメージ
センサ、ＣＴ　ｅ・・・消去用帯電器。 Ｖｅ・・・消去用電源、ＷＨは記録ヘッド、Ｃ８Ａ・・
・３色分解光学系、ｏｐ・・・ダイクロイックプリズム
。 Ｐｒ・・全反射面Ｍｒを有するプリズム、Ｐｂ・・・全
反射面Ｍｂを有するプリズム、ＥＡ・・消去装置。 ＰＰＣＡ・・・光−光変換素子、ＰＤＥＦｙ・・・光偏
向器、ＷＬ・・・書込み光、ＲＬ・・・読出し光、ＥＬ
・・・消去光、Ｖｓ・・・電源、ＳＷ・・切換スイッチ
、ＲＭＩ。 ＲＭ２・・記録媒体、１，３・・記録媒体ＲＭを巻回し
であるリール、２・・・接地ローラ、４・・光源、５・
・・偏光板、６・・・レンズ、７・・・ビームスプリッ
タ、８・・・レンズ、９・・・検光子、１１．１２・・
・透明電極。 １０．１３・・・光学ガラス基板、１４・・・レーザ光
源（またはハロゲンランプを用いた光［）、１５・偏光
子、１６・・・光偏向器、１７・・・コリメータレンズ
、１８・・・ビームスプリッタ、１９・・・レンズ、２
０・・・集光レンズ、２１・・・光学的バイアスを設定
するための波長板、２２・・・検光子、２３・・光電変
換器。 ＲＭ （ａ） （Ｃ） ３４図 Ｍ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも光変調材層部材と電荷像形成層部材との
   積層構成部分を備えて構成してなる記録媒体 ２、少なくとも光変調材層部材と光導電層部材との積層
   構成部分を備えて構成してなる記録媒体 ３、散乱モードで動作しうる光変調材層部材を備えた請
   求項１または２に記載の記録媒体 ４、光変調材層部材として高分子−液晶複合膜を用いた
   請求項１乃至３のいずれかに記載の記録媒体 ５、少なくともエレクトロクロミック材層部材と電荷像
   形成層部材との積層構成部分を備えて構成してなる記録
   媒体 ６、少なくともエレクトロクロミック材層部材と光導電
   層部材との積層構成部分を備えて構成してなる記録媒体 ７、記録媒体における光変調材層部材と電荷像形成量部
   材との積層方向に予め所定の強度の電界を印加させてお
   く手段と、前記した電荷像形成層部材に記録の対象にさ
   れる情報と対応する電荷像を形成させる手段とを備え、
   前記した電荷像形成層部材に形成された電荷像と対応し
   て記録の対象にされる情報を、光変調材層部材の光学的
   な状態変化の形態により記録再生させるようにした記録
   、再生方式 ８、記録媒体における光変調材層部材と、光導電層部材
   との積層方向に予め所定の強度の電界を印加させておく
   手段と、記録の対象にされている情報を光情報として前
   記した光導電層部材に入射させて少なくとも光導電層部
   材に電荷像を形成させる手段とを備え、前記の電荷像と
   対応して記録の対象にされる情報を光変調材層部材の光
   学的な状態変化の形態により記録再生させるようにした
   記録、再生方式 ９、記録媒体におけるエレクトロクロミック材層部材と
   電荷像形成層部材との積層方向に予め所定の強度の電界
   を印加させておく手段と、前記した電荷像形成層部材に
   記録の対象にされる情報と対応する電荷像を形成させる
   手段とを備え、前記した電荷像形成層部材に形成された
   電荷像と対応してエレクトロクロミック材層部材に記録
   の対象にされる情報を光学的な濃度情報の形態により再
   生させるようにした記録、再生方式 １０、記録媒体におけるエレクトロクロミック材層部材
   と光導電層部材との積層方向に予め所定の強度の電界を
   印加させておく手段と、記録の対象にされている情報を
   光情報として前記した光導電層部材に入射させて電荷像
   を形成させる手段とを備え、前記の電荷像と対応してエ
   レクトロクロミック材層部材に記録の対象にされる情報
   を光学的な濃度情報の形態により再生させるようにした
   記録、再生方式 １１、記録済みの第１の記録媒体と、少なくとも光導電
   層部材を備えて構成されている第２の記録媒体とを対向
   させて配置する手段と、前記した第２の記録媒体に予め
   所定の強度の電界を印加させておく手段と、前記した記
   録済みの第１の記録媒体を透過させた光を第２の記録媒
   体における光導電層部材に入射させて電荷像を形成させ
   る手段とを備え、記録済みの第１の記録媒体の記録情報
   を第２の記録媒体に転写させるようにした転写方式