JPH03121418A - 光―光変換素子と応用装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光−光変換素子と、光−光変換素子を応用して
構成された表示装置や撮像装置等の応用装置に関する。

（従来の技術） 表示装置としては従来からスライド投影機のように写真
フィルムを使用したもの、あるいは受像管上に画像信号
を映出するもの、その他、各種の構成形態のものが知ら
れており、また撮像装置としては撮像管や固体撮像素子
を用いて構成したもの等が知られている。

（発明が解決しようとする課題） 前記した従来の表示装置では高い解像度を有する画像を
表示できなかったので、高い解像度の両像表示が可能な
表示装置が求められており、また、撮像装置としても高
い解像度を有する撮像装置が求められた。

それで、高解像度の画像が表示できるように。

光−光変換素子を用いて高解像度の光学像を表示できる
ようにした表示装置や、光−光変換素子を用いて高解像
度の映像信号が発生できる撮像装置が考えられたが、従
来の光−光変換素子は、それの構成に用いられている光
変調材眉部材として、光変調材眉部材に印加された電界
強度に応じて光の偏光面の傾きの状態を変化させるよう
な動作を行うものが用いられていたから、光変調材眉部
材を通過することにより被写体の光学像と対応する電荷
像の電界強度に−より光の偏光面の傾きの状態が変化し
ている読出し光を、検光子によって光強度が変化してい
る状態の光として取り出すことが必要である他に、効率
が低いという欠点があった。

また、前記した光変調材眉部材としてツィステッドネマ
ティック液晶層による光変調材眉部材が使用された場合
には、スペーサを用いて作ったセルにツィステッドネマ
ティック液晶を注入しなければならないという複雑な工
程が必要とされるという欠点がある他に、大型な光−光
変換素子を作る場合には、均一な厚さのツィステッドネ
マティック液晶層による光変調材眉部材を構成させるこ
とが困難であり、さらに前記した光変調材眉部材として
例えばニオブ酸リチウムの単結晶、その他の固体素子が
使用された場合には、半波長電圧が高くまた。取扱いが
容易でない等の問題点があった。

（課題を解決するための手段） 本発明は所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少
なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変
調材眉部材とによって構成した光−光変換素子における
光導電層部材側の電極を渇して、撮像や表示の対象にさ
れている情報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて
、光導電層部材と光変調材眉部材との間に前記した表示
の対象にされている情報を含む電磁放射線と対応する電
荷像を生じさせる手段と、前記の電荷像による電界によ
って前記した光変調材眉部材に光に対する散乱の度合い
に変化を生じさせる手段と、電磁放射線を用いて前記し
た光変調材眉部材における表示の対象にされている情報
を含む電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度合い
の変化を読出して表示したり、読出された光学的な情報
を光電変換して出力するようにした表示装置や撮像装置
。

及び前記の装置の構成に−用いられる光−光変換素子を
提供する。

（作用） 光−光変換素子の２つの電極間に電圧を与えて。

散乱モードで動作しうる光変調材眉部材に電界が加わる
ようにしておき１．−また、光−光変換素子における光
導電層部材側の電極を通して、撮像や表示の対象にされ
ている情報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えると
、光導電層部材の電気抵抗値はそれに到達した撮像や表
示の対象にされている情報を含む電磁放射線と対応して
変化するために、光導電層部材とそれに接する部材との
境界面には光導電層部材に与えられた撮像や表示の対象
にされている情報を含む電磁放射線と対応した電荷像が
生じる。

前記の状態において、電源の電圧が印加されている２つ
の電極間に、前記した光導電層部材に対して直列的な関
係に設けられている光変調材眉部材には、撮像や表示の
対象にされている情報を含む電磁放射線と対応した電荷
像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。

この状態で光変調材眉部材はそれに印加された電界強度
に対応して光に対する散乱の度合いが変化しているから
、光変調材眉部材に読出し光を投射すると、光変調材眉
部材を通過する読出し光の透過状態が変化する。

それにより前記した表示の対象にされている情報を含む
電磁放射線に対応した電荷像に従って光量が変化してい
る状態の光として光変調材眉部材から出射して、光学像
による表示が行われるようにする。また、光学像を電気
信号に変換して映像信号を出力する。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の光−光変換素子と応
用装置の具体的な内容を詳細に説明する。

第１図乃至第７図は表示装置の実施例の側面図、第８図
乃至第１３図及び第１５図は光−光変換素子の説明に用
いられる側面図、第１４図及び第１６図乃至第１８図は
撮像装置の実施例の側面図である。

第１図に示されている表示装置において、Ｏは被写体、
Ｌは撮像レンズ、ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）は光−光変換素
子、ｖｂは電源、ＬＳは光源、Ｌｃはコリメーターレン
ズ、Ｌｐは投影レンズ、Ｓはスクリーンであって、この
第１図に示されている表示装置は被写体Ｏの光学像を、
光−光変換素子ＰＰｃ（ＰＰｍ）において高解像度の電
荷像に変換し、さらに、その電荷像を読出し光によって
読出した後に表示させるようにした構成形態のものであ
る。

ここで、まず、第８図及び第９図に示されている光−光
変換素子ＰＰＣａ、すなわち、電荷像によって情報の記
憶動作が行われるようになされている構成形態の光−光
変換素子ＰＰＣｅの構成態様、動作の概要と、第１０図
乃至第１３図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍ、
すなわち、光変調材眉部材として用いられている高分子
一液晶メモリ膜中の液晶の配向状態によって情報の記憶
動作が行われるようになされている構成形態の光−光変
換素子ＰＰＣｍの構成態様、動作の概要とについて説明
する。

まず、第８図においてＰＰＣａは光−光変換素子、ｖｂ
は電源あり、光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃａは透明電極Ｅ
ｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラーＤＭＬと
、高分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複
合膜を用いて構成した光変調材眉部材ＨＬＬと、透明電
極Ｅｔ２とを積層した構成態様のものとなされている（
第９図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣも、第８
図中に示されている光−光変換素子と同じ構成層のもの
である）。

なお、第８図及び第９図中に示されている光−光変換素
子では、光導電層部材ＰＣＬと、高分子材料に高抵抗液
晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成した光
変調材眉部材ＨＬＬとの間に、誘電体ミラーＤＭＬを設
けているが、光導電層部材ＰＣＬが読出し光ＲＬを反射
するとともに、読出し光ＲＬに感度を有しないものであ
れば、誘電体ミラーＤＭＬを省いてもよい、この点は第
１０図乃至第１３図中にＰＰＣｍの図面符号を用いて示
しである光−光変換素子における誘電体ミラーＤＭＬ及
び第１４図乃至第１８図中にＰＰＣｅｐの図面符号を用
いて示しである光−光変換素手における誘電体ミラーＤ
ＭＬについても同様である）。

ここで、第８図を参照して光−光変換素子ＰＰＣｓにお
ける光変調材眉部材ＨＬＬとして用いられている高分子
一液晶複合膜について説明する。

前記した光変調材眉部材ＨＬＬとして使用されている高
分子一液晶複合膜は１例えば、ポリエステル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が１０′４Ω
１以上の高分子材料中に、室温において液晶相を示し、
かつ、高い体積抵抗率を有するネマティック液晶を分散
させることによって構成されている。

次に、前記した高分子一液晶複合膜による光変調材眉部
材ＨＬＬを用いて構成されている光−光変換素子の製作
例について述べると、（１）英国ＢＤＨ社製の室温ネマ
ティック液晶Ｅ−４４を３グラム計量し、前記した３グ
ラムの室温ネマティック液晶Ｅ−４４を２０グラムのＰ
ＭＭＡのクロロホルム１０％溶液に添加して攪拌した後
に静置する。

一方の面に透明電極Ｅｔ２として例えばＩＴＯの膜を形
成させたガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略
されている）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけ
るＩＴＯ膜による透明電極Ｅｔ２上に、前記のように静
置しておいた液晶を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液を
バーコータによって塗布して高分子一液晶複合膜による
光変調材眉部材ＨＬＬを構成させる。

前記した高分子材料としては前記したＰＭＭＡの他、に
、溶剤に溶けてフィルム状に塗布することができ、かつ
、高い体積抵抗率を有する高分子材料であれば何でもよ
いが、特に透明度の良好なポリカーボネート、ＰＥＴな
どは良好に使用できるのである（この点は後述されてい
る（２）　、　（３）の他の製作例についても同様であ
る）。

前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材眉部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち、ガラス板（第８図及び第
９図中では図示が省略されている）と透明電極Ｅｔｌと
光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラー［）ＭＬとが積層さ
れた構造体とを、単に貼り合わせると第８図及び第９図
中に示されるような光−光変換素子が構成できる。

（２）チッソ株式会社製の室温ネマティック液晶Ｌ　Ｉ
　Ｘ　ＯＮ　５０　召−Ｈ−（またはＬＩＸＯＮ５０た
はＬＩＸＯＮ５０２８　）を１０重量％の２０グラムの
ＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添加して攪拌した後に静
置する。

一方の面に透明電極Ｅｔ２としてＩＴＯの膜を形成させ
たガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略されて
いる）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけるＩＴ
Ｏ膜による透明電極ＥｔＺ上に、前記のように静置して
おいた液晶を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液をバーコ
ータによって塗布して高分子一液晶複合膜による光変調
材眉部材ＨＬＬを構成させる。

前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材眉部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち。

ガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略されてい
る）と透明電極Ｅｔｌと光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとが積層された構造体とを。

単に貼り合わせると第８図及び第９図に示されるような
構成の光−光変換素子が得られることになる。

（３）メルク・ジャパン社製の室温ネマティック液晶Ｚ
ＬＩ４２７７を３グラム計量し、前記した３グラムの室
温ネマティック液晶ＺＬＩ４２７７を１０重量％の２０
グラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添加して攪拌し
た後に静置する、一方の面に透明電極Ｅｔ２としてＩＴ
Ｏの膜を形成させたガラス板（第８図及び第９図中では
図示が省略されている）を充分に洗浄し、前記したガラ
ス板におけるＩＴＯ膜による透明電極ＥｔＺ上に。

前記のように静置しておいた液晶を含むＰＭＭＡのクロ
ロホルム溶液をバーコータによって塗布して高分子一液
晶複合膜による光変調材眉部材ＨＬＬを構成させる。

前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材眉部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち、ガラス板と透明電極Ｅｔ
ｌと光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとが積層
された構造体とを。

単に貼り合せると第８図及び第９図に示されるような構
成の光−光変換素子が得られることになる。

前記した高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶複
合膜は、それの膜厚のばらつきが±０゜１ミクロンの範
囲となるように成膜することは容易であり、従来の光−
光変換素子に比べて製作が＼ 容易である。

前記のようにして製作された高分子一液晶複合膜による
光変調材眉部材ＨＬＬにおける液晶は、高分子材料中に
存在する無数の細孔中に閉じ込められた状態となされて
いるが、前記した光変調材眉部材ＨＬＬとして使用され
る高分子一液晶複合膜における前記の細孔は、第１Ｏ図
乃至第１３図を参照して後述されている実施例中に示さ
れている光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて、それの光変
調材眉部材ＨＬＭとして使用されている高分子一液晶複
合膜で高分子材料中に液晶を閉じ込めている無数の細孔
に比べて寸法が大きなものとされている。

また、前記した（１）〜（３）の製作例の内で製作例の
（２）　、　（３）で使用しているネマティック液晶は
、それの比抵抗がＩ　Ｘ　１０”Ω１というように高い
値を示すものであるために、その液晶を分散させる高分
子材料として体積抵抗率が１０１４Ω１以上のものを用
いて作られた高分子一液晶複合膜による光変調材眉部材
ＨＬＬを備えた光−光変換素子では高い解像度の画像情
報の書込み読出し動作を行うことができ、また、光変調
材眉部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合
膜に与えられる電界は直流電界であっても、液晶として
高抵抗のもの（イオンの混入量が極めて少い液晶）が使
用されていることにより、長時間の経過によっても画像
の解像度の低下が生じないようにできる。

すなわち、高分子一液晶複合膜を用いた光変調材眉部材
において、多くのイオンを含んでいるために体積抵抗率
の低い液晶が用いられた場合には。

光変調材眉部材に印加された電界によって液晶に含まれ
ているイオンが移動して、光変調材眉部材に電界を与え
ている電荷像による電界の強度を低下させるために、液
晶分子の光学軸の傾きが減少し、前記した液晶分子の光
学軸の傾きの減少によって電荷像による電界が乱れて電
荷像の解像度の劣化が生じるのであるが、前記した製作
例の（２）。

（Ｅｔｌ）で使用しているネマティック液晶のように。

それの比抵抗が１×１０″２Ω１というように高い値を
示すものであり、また、その液晶を分散させる高分子材
料として体積抵抗率が１０１４０１以上のものを用いて
作られた高分子一液晶複合膜による光変調材眉部材ＨＬ
Ｌを備えた光−光変換素子では、液晶には多くのイオン
が含まれていないためにイオンによる前述のような不都
合な動作が行われず、したがって前記した構成の光−光
変換素子では、高い解像度の画像情報の書込み読出し動
作が行われるのである。

さて、第８図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｅに
おいて、それの２つの透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔｌ間に電
源ｖｂから電圧を与えて、散乱モードで動作しうる光変
調材眉部材として構成されている高分子材料に高抵抗液
晶を分散させた高分子一液晶複合膜による光変調材眉部
材ＨＬＬ間に電界が加わるようにしておき、また、光−
光変換素子ＰＰＣａにおける光導電層部材ＰＣＬ側に書
込み光ＷＬを光導電層部材ＰＣＬに与えると、前記した
光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入射
光と対応して変化するために、光導電層部材ＰＣＬと誘
電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材に結与え
られた光と対応した電荷像が生じる。

前記の状態において、電源ｖｂの電圧が印加されている
２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に、前記した光導電
層部材ＰＣＬに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜
による光変調材眉部材ＨＬＬには、書込み光と対応した
電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。

この状態で光変調材眉部材ＨＬＬとして用いられている
高分子一液晶複合膜では、前記の電荷像による電界によ
り液晶の配向状態が変化して書込み光と対応した液晶の
配向状態の変化像が生じる。

前記のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生じた電荷像による電界に基づいて、
光変調材眉部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液
晶複合膜に書込み光と対応して生じた液晶の配向状態の
変化像は、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬと
の境界面に生じている電荷像が存在している限り、その
ままの状態に保持されている。

すなわち、前記した電荷像によって光変調材眉部材ＨＬ
Ｌとして用いられている高分子一液晶複合膜に与えられ
る電界は直流電界であるが、液晶として高抵抗のもの（
イオンの混入量が極めて少い液晶）が使用されているこ
とにより、既述のように長時間の経過によっても画像の
解像度の低下が生じないようにできる。

なお、第８図示の光−光変換素子ＰＰＣｅにおける２つ
の透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に接続する電源として交
流電源を用いても記録、再生動作を行うことができるこ
とはいうまでもないが、透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に
交流電源を接続して記録動作を行った場合には、前記し
たような電荷像の記録が行われないために記録動作と同
時に再生動作を行うことが必要とされる。

次に前述のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（誘電体ミラーＤＭ
Ｌが使用されない場合には、電荷像は光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材眉部材ＨＬＬとして用いられている高分子
一液晶複合膜との境界面に生じることはいうまでもない
）を消去すると、光変調材眉部材ＨＬＬとして用いられ
ている高分子一液晶複合膜に与えられる電界がなくなる
ために高分子一液晶複合膜中の液晶が等方性相になって
読出し光ＲＬを光変調材眉部材ＨＬＬに入射させても画
像情報は再生されない、すなわち。

消去が行われることになる。

それで、消去動作としては前記のように光導電層部材Ｐ
ＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（
誘電体ミラーＤＭＬが使用されない場合には、電荷像は
光導電層部材ＰＣＬと光変調材眉部材ＨＬＬとして用い
られている高分子一液晶複合膜との境界面に生じること
はいうまでもない）が消去されるようにすればよく、そ
のためには例えば第９図に例示されているように、消去
用の光源ＥＬＳからの消去光ＥＬをレンズＬａを介して
光−光変換素子ＰＰＣａの透明電極Ｅｔｌ側から光−光
変換素子ＰＰＣａに入射させて、それの光導電層部材Ｐ
ＣＬの電気抵抗値を低下させるようにすればよい、なお
、前記の消去動作時における光−光変換素子ＰＰＣｅの
２つの透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２は、前記した両者間が
短絡された状態にされていても、あるいは両者が接地さ
れていてもよい。

第８図を参照して既述したように、書込み光と対応する
電荷像が光−光変換素子ＰＰＣｅにおける光導電層部材
ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面（誘電体ミラー
ＤＭＬが使用されない場合には、光導電層部材ＰＣＬと
光変調材眉部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液
晶複合膜との境界面）に生じて、その電荷像による電界
が光変調材眉部材ＨＬＬに印加されている状態において
。

光−光変換素子ＰＰＣａにおける透明電極Ｅｔ２側から
読出し光ＲＬを図示されていないない光源がら入射する
と、その読出し光ＲＬは透明電極Ｅｔ２→光変調材眉部
材ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜→誘
電体ミラーＤＭＬの経路で誘電体ミラーＤＭＬに達し、
そこで反射された後に光変調材眉部材ＨＬＬとして用い
られている高分子一液晶複合膜→透明電極Ｅｔ２の経路
で光−光変換素子ＰＰＣａから出射する。

前記のようにして光−光変準素子ＰＰＣａから出射され
た読出し光ＲＬは、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラー
ＤＭＬとの境界面（誘電体ミラーＤＭＬが使用されない
場合には、光導電層部材ＰＣＬと光変調材眉部材ＨＬＬ
として用いられている高分子一液晶複合膜との境界面）
に生じている電荷像による電界と対応して光の強度が変
化している状態のものになっている。

すなわち、光変調材眉部材ＨＬＬとして用いられている
高分子一液晶複合膜における液晶に、被写体の光学像と
対応した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加
わることにより、前記の液晶がそれに印加された電界強
度と対応して配向の状態を変化して、光変調材眉部材Ｈ
ＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜中を前記
のように往復通過する読出し光ＲＬに対して異なる散乱
動作を行うから、光変調材眉部材ＨＬＬに読出し光を投
射すると、光変調材眉部材ＨＬＬを通過した後に出射し
た読出し光ＲＬは、それの光強度が被写体の光学像と対
応して変化しているものになるのである。

このように光−光変換素子ＰＰＣｅから出射する読出し
光ＲＬが書込み光と対応して光強度が変化している状態
のものになっているから、それを検光子によって光強度
の変化している光に変換してから利用している場合に比
べて、構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的
に使用することができるという利点が得られる。

読出し光ＲＬの光源としてはレーザ光源、白熱灯、放電
灯など、任意の光源からの光を用いることができる。ま
た、読出し光ＲＬは微小な径の光束でも、大面積の光束
でも使用できることはいうまでもない。

これまでに説明した光−光変換素子における散乱モード
で動作しうる光変調材眉部材としては、高分子材料に高
抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成
した光変調材眉部材、及び高分子材料に液晶を分散させ
た高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材眉部
材を使用した実施例について説明したが、本発明は電界
により光の散乱状態繰返し変化するＰＬＺＴ（例えばＰ
ＬＺＴ８／７０／３０　）を光変調材眉部材として構成
させた光−光変換素子が用いられてもよい。

なお、電界により光の散乱状態繰返し変化するＰＬＺＴ
（例えばＰＬＺＴ８／７０／３０）が光変調材眉部材と
して用いられた光−光変換素子の場合には、消去は加熱
ではなく消去光を光−光変換素子に入射させて行うよう
にされる。

次に、第１０図乃至第１３図に示されている光−光変換
素子について説明する。各回においてＰＰＣｍは光−光
変換素子、ｖｂは電源、ＷＬは書込み光、ＲＬは読出し
光であり、また、第１０図においてＨＥＣは加熱用電源
、第１１図においてＬｅはレンズ、ＥＬＳは消去用の光
源、第１３図においてＥＬＳ　ｎは消去用のレーザ光源
、ＤＥＦは光偏向器１Ｍは反射鏡である。

第１０図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍは透
明電極Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと。

誘電体ミラーＤＭＬと、高分子材料に液晶を分散させた
高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材眉部材
ＨＬＭと、透明電極Ｅｔ２と、加熱層ＨＥＬ（この加熱
層ＨＥＬと透明電極Ｅｔ２とが兼用された構成のものと
されもよい）とを積層した構成態様のものとなされてお
り、また、第１１図及び第１３図中に示されている光−
光変換素子ＰＰＣｍは透明電極Ｅｔｌと、光導電層部材
ＰＣＬと。

誘電体ミラーＤＭＬと、高分子材料に液晶を分散させた
高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材眉部材
ＨＬＭと、熱吸収層ＨＩＬと、透明電極Ｅｔ２とを積層
した構成態様のものとなされており、さらに、第１２図
中に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍは透明電極Ｅ
ｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラーＤＭＬと
、熱吸収層ＨＩＬと、高分子材料に液晶を分散させた高
分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材眉部材Ｈ
ＬＭと、透明電極Ｅｔ２とを積層した構成態様のものと
なされている。

なお、第１０図及び第１１図ならびに第１３図中に示さ
れている光−光変換素子ＰＰＣｍでは、光導電層部材Ｐ
ＣＬと、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メ
モリ膜を用いて構成した光変調材眉部材ＨＬＭとの間に
、誘電体ミラーＤＭＬを設けているが、光導電層部材Ｐ
ＣＬが読出し光ＲＬを反射するとともに、読出し光ＲＬ
に感度を有しないものであれば、誘電体ミラーＤＭＬを
省いてもよく、また、第１２図中に示されている光−光
変換素子ＰＰＣｍでは、光導電層部材ｐｃＬと、熱吸収
層ＨＩＬとの間に、誘電体ミラーＤＭＬを設けているが
、熱吸収層ＨＩＬと光導電層部材ＰＣＬとの一方のもの
が読出し光ＲＬを反射するとともに、読出し光ＲＬに感
度を有しないものであれば誘電体ミラーＤＭＬを省いて
もよい。

第１０図中に示されている光−光変換素子ＰＣＣｍにお
ける加熱層ＨＥＬは、消去動作時に加熱用型［ＨＥＣか
ら供給される電力によって発熱して、高分子材料に液晶
を分散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成されて
いる光変調材眉部材ＨＬＭ中の液晶を溶融させるための
ものであり。

また、第１１図乃至第１２図中に示されている熱吸収層
ＨＩＬは、消去動作時に消去用の光によって発熱して、
高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜を
用いて構成されている光変調材眉部材ＨＬＭ中の液晶を
溶融させるためのものである。

前記した第１０図乃至第１２図に示されている光−光変
換素子ＰＰＣｍにおける光変調材眉部材ＨＬＭは、何れ
も高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜
を用いて構成されている。

前記した光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて光変調材眉部
材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶メモリ膜は
、第８図を参照して説明した光−光変換素子ＰＰＣｅに
おける光変調材眉部材ＨＬＬとして用いられている高分
子一液晶複合膜と同様に１例えば、メタクリル樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニール
樹脂。

ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗
率が１０１４０１以上の高分子材料中に、室温において
液晶相を示し、かつ、高い体積抵抗率を有するネマティ
ック液晶を分散させることによって構成させることがで
きる。

そして、前記した高分子一液晶メモリ瞑ＨＬＭの構成の
ために使用される液晶としては、室温でネマチック相を
形成するものであれが、どのようなものが使用されても
よいが、体積抵抗率が高いもの、粘度が高いも−のが使
用されることは、情報を高いコントラスト比で再生させ
たり、記録性能を高める上で良い結果を生じさせる。ま
た、前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成のため
に使用される液晶としては高分子材料の融点よりも低い
融点のものが使用されることが必要である。

ところで、前記した光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて光
変調材眉部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜は、第８図を参照して既述されている高分子一
液晶複合膜を使用して構成された光変調材眉部材ＨＬＬ
が、それに印加されている電界によって液晶の配向の状
態が保持されていたのとは異なり、光変調材眉部材ＨＬ
Ｍに電界が印加されて高分子一液晶メモリ膜中の液晶の
配向状態が変化された後に、電界が除去されても高分子
一液晶メモリ膜中の液晶の配向状態が変化しない、とい
うメモリ機能を備えているようなものとして作られるの
である。

前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成要素の一つ
として用いられている液晶は、高分子一液晶メモリ膜Ｈ
ＬＭの他の構成要素として用いられている多孔質の高分
子材料膜中にランダムに分布している状態で形成されて
いる無数の微小な細孔中に封入された状態になされてい
るが、前記した高分子一液晶メモリ膜中の液晶によるメ
モリ機能は、液晶が閉じ込められている高分子材料中の
細孔の大きさを小さくして、高分子材料中の液晶に加え
られる細孔の壁の力が大きくすることによって得られる
ものと考えられており、前記の細孔が例えば０．５ミク
ロン程度以下の径のものとなされることは望ましい実施
の態様である。

前記のように高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高
分子材料膜中にランダムに分布して形成されている無数
の微小な細孔中に封入されている液晶に電界が印加され
て高分子一液晶メモリ膜が透明な状態になるような傾向
で液晶に生じた配向状態が前記した印加電界の除去後に
おいても保持され続けるというメモリ機能について補足
説明を行うと次の通りである。

細孔中に封入されている液晶分子は、細孔壁表面の力を
受けている状態で微小な細孔中にネマティック相の状態
で封入された状態になされている（細孔中に封入されて
いる液晶分子は細孔壁の表面の力を受けるが、細孔壁に
近い液晶分子になる程前記の力は大きく加わる。したが
って径の小さな細孔になる程、細孔中に封入されている
液晶分子に加わる細孔壁の表面の力の影響が大になる）
が、前記のように細孔壁の表面の力を受けている状態で
細孔中に封入されている液晶に対して、ある閾値以上の
電界強度の電界が印加された場合には、細孔壁の表面か
らの力を受けている状態で細孔中にネマティック相の状
態で封入されている液晶分子は、前記した細孔壁の表面
から加えられている力に抗して電界の方向に配向するよ
うに変位する。

そして電界の印加に対応して液晶分子に生じる変位の態
様は、印加される電界の強度に応じて変化し、液晶に印
加される電界が弱い状態のときは細孔壁の表面から加え
られている力が弱い液晶分子、すなわち、主として細孔
の中心部付近に位置する液晶分子だけが印加された電界
の方向に向くような傾向で変位し、液晶に印加される電
界の強度が次第に強くなるのにつれて、細孔壁の表面か
ら加えられている力が強い液晶分子、すなわち、細孔壁
に近くに位置する液晶分子も印加された電界の方向に液
晶の分子軸の方向が向くような傾向で変位するという変
位の態様で液晶分子が配向する。

それで、高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高分子
材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の微
小な細孔中にネマティック相の状態で封入されている液
晶分子は、電界の印加時に前記した細孔壁の表面から加
えられている力に抗して液晶の分子軸の方向が電界の方
向に向くような傾向で変位するような変位の態様で配向
されるが、前記のように印加された電界によって配向さ
れた液晶の分子は既述した細孔壁の表面の力によって、
そのままの姿態に保持されるから、前記のように電界の
印加によって変化された液晶の配向の状態は印加された
電界が除去された後においても、そのままの状態に保持
されるためにメモリ機能を示すのである。

そして、液晶の配向の状態による情報の記憶状態を消去
するのには、光変調材眉部材ＨＬＭとして使用されてい
る高分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と
高分子材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を
溶融させて等方性相とすることによって行うことが必要
とされ、前記のようにして溶融状態になされて等方性相
になっていた液晶は、時間の経過により冷却してネマテ
ィック相になり、その部分が不透明な状態に変化する。

まず、第１０図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍ
の２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に電源Ｖｂから電
圧を与えて、散乱モードで動作しつる光変調材眉部材と
して構成されている高分子材料に液晶を分散させた高分
子一液晶メモリ膜による光変調材眉部材ＨＬＭ間に電界
が加わるようにしておき、また、光−光変換素子ＰＰＣ
ｍにおける光導電層部材ＰＣＬ側から図示されていない
撮像レンズを介して被写体の光学像を書込み光ＷＬとし
て光導電層部材ＰＣＬに結像させると、前記した光導電
層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入射光によ
る光学像と対応して変化するために、光導電層部材ＰＣ
Ｌと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材に
結像した被写体の光学像と対応した電荷像が生じる。

前記の状態において、電源ｖｂの電圧が印加されている
２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に、前記した光導電
層部材ＰＣＬに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜によ
る光変調材眉部材ＨＬＭには、被写体の光学像と対応し
た電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。

この状態で光変調材眉部材ＨＬＭとして用いられている
高分子一液晶メモリ膜では、前記の電荷像による電界に
より液晶の配向状態が変化し、被写体の電磁放射線像と
対応した液晶の配向状態の変化像が生じ、その配向の状
態が記憶される。

前記のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生じた電荷像による電界に基づき、光
変調材眉部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜に被写体の電磁放射線像と対応して生じた液晶
の配向状態の変化像は、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとの境界面に生じている電荷像が除去されて
も、そのままの状態に保持されている。

第１０図示の光−光変換素子ＰＰＣｍにおける加熱層Ｈ
ＥＬ側から読出し光ＲＬを図示されていないない光源か
ら入射すると、その読出し光ＲＬは加熱層ＨＥＬ→透明
電極Ｅｔ２→光変調材眉部材ＨＬＭとして用いられてい
る高分子一液晶メモリ膜→誘電体ミラーＤＭＬの経路で
誘電体ミラーＤＭＬに達し、そこで反射された後に光変
調材眉部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶メ
モリ膜→透明電極Ｅｔ２の経路で光−光変換素子ｐｐＣ
ｍから出射する。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｍから出射され
た読出し光ＲＬは、光変調材眉部材ＨＬＭとして用いら
れている高分子一液晶メモリ膜に生じている液晶の配向
状態の変化像と対応して光の強度が変化している状態の
ものになっている。

このように光−光変換素子ＰＰＣｍから出射する読出し
光ＲＬは書込み光と対応して光強度が変化している状態
のものになっているから、従来の光−光変換素子からの
読出し光のように、それを検光子によって光強度の変化
している光に変換してから利用している場合に比べて、
構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的に使用
することができるという利点が得られる。

なお、読出し光ＲＬの光源としてはレーザ光源、白熱灯
、放電灯など、任意の光源からの光を用いることができ
る。また、読出し光ＲＬは微小な径の光束でも、大面積
の光束でも使用できることはいうまでもない。

次に、前記のようにして光変調材眉部材ＨＬＭとして使
用されている高分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向の状
態によって記憶されている情報を消去するには、光変調
材眉部材ＨＬＭとして使用されている高分子一液晶メモ
リ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分子材料の融点と
の間の温度にまで昇温しで、液晶を溶融させて等方性相
とすることによって行うことが必要とされるが、それは
第１０図示の実施例の表示装置においては消去動作時に
加熱用電源ＨＥＣからの加熱用電力を光−光変換素子Ｐ
ＰＣｍの加熱層ＨＥＬ（この加熱層ＨＥＬと透明電極Ｅ
ｔ２とが兼用された構成のものとされもよい）に供給し
て加熱層ＨＥＬを発熱させ、光変調材眉部材Ｉ（ＬＭと
して使用されている高分子一液晶メモリ膜を加熱して、
高分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と高
分子材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を溶
融させて等方性相とすることによって行うことができる
。

なお、書込み動作時に光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（誘電体ミラーＤＭ
Ｌが使用されない場合には、電荷像は光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材眉部材ＨＬＭとして用いられている高分子
一液晶メモリ膜との境界面に生じることはいうまでもな
い）が残っている場合には、前記した加熱による高分子
一液晶メモリ膜における記憶の消去動作を行う以前に、
前記のその電荷像も消去することが必要であるが。

前記の電荷像の消去を行うためには例えば第９図に関し
て既述したように、消去用の光源からの消去光をレンズ
を介して透明電極Ｅｔｌ側から光−光変換素子ＰＰＣｍ
に入射させて、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値を低下
させるようにすればよい。

なお、前記の消去動作時に２つの透明電極Ｅｔｌ。

ＥｔＺ間を短絡した状態にしておいても、あるいは開放
状態にしておいても、もしくは接地してもよい。

次に、第１１図乃至第１３図示の光−光変換素子ＰＰＣ
ｍの構成は、既述した第１０図に示されている光−光変
換素子ＰＰＣｍとは異なっているが、第１１図及び第１
３図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍにおける書
込み動作と読出し動作とは、既述した第１０図示の光−
光変換素子ＰＰ　Ｃｍにおける書込み動作及び読出し動
作と同一であって、消去動作について異なるだけである
。

すなわち、第１１図乃至第１３図示の光−光変換素子Ｐ
ＰＣｍでは、光変調材眉部材ＨＬＭとして使用されてい
る高分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向の状態によって
記憶されている情報を消去するための消去動作に際して
、光変調材眉部材ＨＬＭとして使用されている高分子一
液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分子材料
の融点との間の温度にまで昇温させるための加熱作用が
、消去光の照射によって生じる熱吸収層ＨＩＬの昇温に
よって行われるような構成が採用されている点が既述の
第１０図示の光−光変換素子ＰＰＣｍとは異なっている
のである。

そして、第１１図示の光−光変換素子ＰＰＣｍの消去動
作は、それの熱吸収層ＨＩＬに、消去用光源ＥＬＳから
の消去光をレンズＬｅを介して照射することにより行う
ようにしており、また、第１２図示の光−光変換素子Ｐ
ＰＣｍの消去動作は、それの熱吸収層ＨＩＬに、図示さ
れていない消去用光源からの消去光ＥＬを透明電極Ｅｔ
ｌと光導電層部材ＰＣＬとを介して照射することにより
行うようにしており、さらに、第１３図示の光−光変換
素子ＰＰＣｍの消去動作は、光−光変換素子ＰＰＣｍに
おける熱吸収層ＨＩＬに、消去用レーザ光源ＥＬＳΩか
らの消去光を光偏向装置ＤＥＦによって所定の偏向態様
で偏向し、それを反射鏡Ｍを介して照射することにより
行うようにしている。

なお、第１１図乃至第１３図示の光−光変換素子ＰＰＣ
ｍに設けるべき熱吸収層ＨＩＬは、それに生じた消去用
の熱が変調材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子
一液晶メモリ膜中の液晶を有効に昇温できるようにで・
きれば、光−光変換素子ＰＰＣｍ中のどの部分に設けら
れていてもよいことは勿論であり、また前記の熱吸収層
ＨＩＬと電極とが兼用されるような構成になされていて
もよい。

さて、前記したように散乱モードで動作しろる光変調材
眉部材を備えている光−光変換素子ＰＰＣｅ（または光
変換素子ＰＰＣｍ）を備えている本発明の表示装置にお
いて、まず、第１図に示されている実施例の表示装置で
は、光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）に対し
て被写体０の光学像が撮像レンズＬによって光−光変換
素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）における光導電層部材
に結像されて、それに対応する電荷像が第８図乃至第１
３図を参照して既述したように、光−光変換素子ＰＰＣ
ｅ（またはＰＰＣｍ）における光導電層部材ＰＣＬにお
ける透明電極Ｅｔｌ側とは反対側の面と他の部材との境
界面に生じて、その電荷像による電界が光変調材眉部材
ＨＬＬ（またはＨＬＭ）に印加されることによって、光
変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられて
いる高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜
）中の液晶の配向の状態は、それに印加された電界強度
と対応して変化して、その配向状態が保持される。

それで、光源ＬＳからコリメータレンズＬｃを介して読
出し光を光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ　）
における透明電極ＥｔＺ側に入射させると、その読出し
光は透明電極Ｅｔ２→光変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨ
ＬＭ）として用いられている高分子一液晶複合膜（また
は高分子一液晶メモリ膜）→誘電体ミラーＤＭＬの経路
で誘電体ミラーＤＭＬに達し、そこで反射された後に光
変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられて
いる高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜
）→透明電極Ｅｔ２の経路で光−光変換素子ＰＰＣｅ（
またはＰＰＣｍ）から出射する。

（なお、前記した光−光変換素子中における読出し光の
光路についての説明は、光−光変換素子における読出し
光の光路中に加熱層ＨＥＬや熱吸収層ＨＩＬを備えてい
ない構成の光−光変換素子に関するものであるが、光−
光変換素子におけろ読出し光の光路中に加熱層ＨＥＬや
熱吸収層ＨＩＬを備えている構成の光−光変換素子にお
ける読出し光の光路中には加熱層ＨＥＬや熱吸収層ＨＩ
Ｌが含まれることはいうまでもない）。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ）から出射された読出し光は、既述した光導電層部
材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像に・
よる電界と対応して光の強度が変化している状態のもの
になっている。

すなわち、光変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）とし
て用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子一
液晶メモリ膜）における液晶に、被写体の光学像と対応
した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる
ことにより、前記の液晶がそれに印加された電界強度と
対応して配向の状態を変化して、光変調材眉部材ＨＬＬ
（またはＨＬＭ　）として用いられている高分子一液晶
複合膜（または高分子一液晶メモリ膜）中を前記のよう
に往復通過する読出し光ＲＬに対して異なる散乱動作を
行うから、光変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ　）に
読出し光を投射すると、光変調材眉部材ＨＬＬ（または
ＨＬＭ）を通過した後に出射した読出し光は、それの光
強度が被写体の光学像と対応して変化しているものにな
るのである。

このように光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）
から出射する読出し光が書込み光と対応して光強度が変
化している状態のものになっているから、それを検光子
によって光強度の変化している光に変換してから利用し
ている場合に比べて、構成の簡単化が容易になるととも
に、光を効率的に使用することができるという利点が得
られるのであり、光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅ　（またはＰ
ＰＣｍ）から出射した読出し光は投影レンズＬｐを介し
てスクリーンＳに結像されて、スクリーンＳに被写体Ｏ
の光学像を表示させることができる。

前記したスクリーンＳ上の光学像は、読出し光の光源Ｌ
Ｓの光出力を大にすれば高輝度にできる。

前記の読出し光の光源としてはレーザ光源、白熱灯、放
電灯など、任意の光源からの光を用いることができる。

前記した第１図に示す表示装置には、消去手段について
の図示な省略（この点は第２図乃至第７図についても同
じ）されているが、消去動作は第９図乃至第１３図を参
照して既述したような消去手段を適用することによって
行うことができる。

次に、第２図乃至第７図にそれぞれ示されている実施例
の表示装置について説明する。第２図乃至第７図示の各
実施例の表示装置において、光−光変換素子ＰＰＣｅ（
ＰＰＣｍ）に対する書込み動作は表示の対象にされてい
る情報によって強度変調されているレーザ光によって行
われるようになされている（第２図乃至第７図に示され
ている表示装置においても、それに使用されるべき光−
光変換素子が、第２図乃至第７図示の各実施例の表示装
置で用いられるとして図中に示されている光−光変換素
子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）の代わりに、第１４図乃至第１
８図中に図面符号Ｐ　Ｐ　Ｃｓ　ｐとして示されている
光−光変換素子ＰＰＣｅｐ、すなわち、印加された電界
によって光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器が
光変調材眉部材として用いられているものであってもよ
いことは勿論である）。

第２図乃至第７図の各回において、ＬＳｆｆｉは表示の
対象にされている情報によって強度変調されているレー
ザ光を出射するレーザ光源、Ｌｌ、　Ｌ２はレンズ、Ｄ
ＥＦは光偏向器であって１表示の対象にされている情報
によって強度変調されているレーザ光を出射するレーザ
光源ＬＳＱから出射されたレーザ光は、光偏向器ＤＥＦ
によって所定の偏向態様で偏向された書込み光として光
−光変換素子ＰＰｃ（ＰＰｍ）に与えられて、光−光変
換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）に書込まれる。

第２図示の表示装置において、ｖｂは電源、ＬＳは光源
（読出しの光源）、Ｌｃはコリメーターレンズ、Ｌｐは
投影レンズ、Ｓはスクリーンであって、この第２図示の
表示装置では表示の対象にされている情報によって強度
変調されているレーザ光が光−光変換素子ＰＰＣａ（ま
たはＰＰＣｍ）に対して与えられると、その書込み光は
光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）における光
導電層部材に結像されて、それに対応する電荷像が第８
図乃至第１３図を参照して既述したように、光−光変換
素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）における光導電層部材
ＰＣＬにおける透明電極Ｅｔｌ側とは反対側の面と他の
部材との境界面に生じて、その電荷像による電界が光変
調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ　）に印加されること
によって、光変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）とし
て用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子一
液晶メモリ膜）中の液晶の配向の状態は、それに印加さ
れた電界強度と対応して変化し、その配向状態が保持さ
れるから、光源ＬＳからコリメータレンズＬａを介して
読出し光をカー光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）
における透明電極Ｅｔ２側に入射させると、その読出し
光は第１図示の表示装置の場合と同様に光変調材眉部材
ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられている高分子一
液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜）→誘電体ミ
ラーＤＭＬを往復して光−光変換素子ＰＰＣｅ（または
ＰＰＣｍ）から出射する。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰ
Ｃｍ　）から出射された読出し光は、既述した光導電層
部材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像に
よる電界と対応して光の強度が変化している状態のもの
になっているから、光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣ
ｍ）から出射した読出し光は投影レンズＬｐを′介して
スクリーンＳに結像されて、スクリーンＳに被写体０の
光学像を表示させることができる。

次に第３図及び第４図ならびに第６図にそれぞれ示され
ている表示装置は、それに使用されている光−光変換素
子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）が。

読出し光を透過させうるような構成形態のものとされて
いて、読出し光が書込み光の入射側と同じ側から光−光
変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）に与えられるよう
にされている場合の実施例であり、前記した第３図及び
第４図ならびに第６図にそれぞれ示されている表示装置
において使用されている光−光変換素子ＰＰＣｅ（また
はＰＰＣｍ）としては１例えば読出し光を反射させる誘
電体ミラーを備えてなく、また、読出し光に感度を有し
ない光導電層部材が用いられる。

まず、第３図示の表示装置において、ｖｂは電源、ＬＳ
は光源（読出しの光源）、Ｌｃはコリメーターレンズ、
ＬＰは投影レンズ、Ｓはスクリーンであって１表示の対
象にされている情報によって強度変調されているレーザ
光が光−光変換素子ＰＰ　Ｃｅ　（またはＰＰＣｍ）に
対して与えられると。

その書込み光は光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣ
ｍ）における光導電層部材に結像されて、それに対応す
る電荷像が光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）
における光導電層部材ＰＣＬにおける透明電極Ｅｔｌ側
とは反対側の面と他の部材との境界面に生じて、その電
荷像による電界が光変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ
）に印加されることによって、光変調材眉部材ＨＬＬ（
またはＨＬＭ）として用いられている高分子一液晶複合
膜（または高分子一液晶メモリ膜）中の液晶の配向の・
状態は、それに印加された電界強度と対応して変化して
、その配向状態が保持される。

光源ＬＳからコリメータレンズＬｃを介して読出し光を
光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）における透
明電極Ｅｔｌ側に入射させると、そ′の続出し光は光導
電層部材と光変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）とし
て用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子一
液晶メモリｍ＞とを透過して透明電極Ｅｔ２側から光−
光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）を出射する。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰ
Ｃｍ　）から出射した読出し光は、既述した光導電層部
材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像によ
る電界と対応して光の強度が変化している状□態のもの
になっているから、光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣ
ｍ）より出射した読出し光は投影レンズＬＰを介してス
クリーンＳに結像されて、スクリーンＳには書込み情報
と対応する光学像が表示できる。

第４図に示す表示装置は、前記した第２図及び第３ＴＩ
！ｉについて説明した表示装置の場合と同様に光−光変
換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）に書込みが行われた
後に、書込み光の入射側からバックライトＬｂで照射し
て、その光を光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ
）の光導電層部材と光変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬ
Ｍ）として用いられている高分子一液晶複合膜（または
高分子一液晶メモリ膜）とを透過させて透明電極Ｅｔ２
側から出射させるようにし、その出射光を直視するよう
にした表示装置である。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ）から出射したバックライトＬｂによる読出し光は
、既述した光導電層部材ＰＣＬと他の部材との境界面に
生じている電荷像による電界と対応して光の強度が変化
している状態のものになっているから、光変換素子Ｐ　
Ｐ　Ｃａ　（またはＰＰＣｍ　）より出射した読出し光
を直視することにより表示の目的が達成されるのである
。

また、第５図に示す表示装置は、前記した第２図につい
て説明した表示装置の場合と同様に反射型の光−光変換
素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）を備えて構成されてい
るから、光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）に
対して第２図乃至第４図について述べたと同様にしてに
書込み動作を行った後に、透明電極Ｅｔ２側から読出し
光ＲＬを照射して、その光が光−光変換素子ＰＰＣｅ（
またはＰＰＣｍ）の光変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬ
Ｍ）として用いられている高分子一液晶複合膜（または
高分子一液晶メモリ膜）を往復して透明電極Ｅｔ２側か
ら出射させるようにし、その出射光を直視するようにし
た表示装置である。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ　）から出射した読出し光は、既述した光導電層部
材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像によ
る電界と対応して光の強度が変化している状態のものに
なっているから、光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ
）より出射した読出し光を直視することにより表示の目
的が達成されるのである。

次に、第６図及び第７図は光−光変換素子ＰＰＣａ（ま
たはＰＰＣｍ）に対して書込まれた情報を読出すための
光学系としてシュリーレン光学系を用いた表示装置であ
り、第６図及び第７図において１はシュリーレン入力マ
スク、２はレンズ、３はシュリーレン出力マスクである
。

第６図示の表示装置は、それに使用されている光−光変
換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）が、読出し光を透過
させうるような構成形態のものとされていて、光−光変
換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）に対して書込まれた
情報を読出すための光学系としてシュリーレン光学系を
用いた表示装置であり、第６図示の表示装置において１
表示の対象にされている情報によって強度変調されてい
るレーザ光を出射するレーザ光源ＬＳｊｌから出射され
たレーザ光は、光偏向＠ＤＥＦによって所定の偏向態様
で偏向された後にダイクロイックミラー４によって反射
されて書込み光として光−光変換素子ＰＰｃ（ＰＰｍ）
に与えられ、光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）に書
込まれる。

第６図（及び後述の第７図）示の表示装置においてｖｂ
は電源、ＳＷはスイッチであり、表示装置の光−光変換
素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）が書込み動作を行って
いる状態においては、スイッチＳＷの可動接点が電源ｖ
ｂ側に切換えられて光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰ
ＰＣｍ）の透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２に電圧を供給し、
また、書込み動作時以外の動作状態においては前記した
スイッチＳＷの可動接点によって光−光変換素子ＰＰＣ
ａ（またはＰＰＣｍ　）の透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間
を短絡状態になされる。

第６図に示す表示装置は、透過型の光−光変換素子ＰＰ
Ｃａ（またはＰＰＣｍ）に対し、前記した第２図乃至第
５図示の表示装置について説明した場合と同様に書込み
光により書込み動作が行われた後に、読出し光ＲＬがシ
ュリーレン光学系のシュリーレン入力マスク１とレンズ
２とを介して光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ
）の透明電極Ｅｔｌ側から入射される。

透過型の光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）の
透明電極Ｅｔｌ側から入射した前記した読出し光は光−
光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）の光導電層部材
と光変調材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ　）として用い
られている高分子一液晶複合ＩＩＩ（または高分子一液
晶メモリ膜）とを透過して透明電極Ｅｔ２側から出射し
、シュリーレン光学系の出力マスク３と投影レンズＬｐ
とを介してスクリーンＳに投影され、スクリーンＳに表
示の対象にされている情報を映出させる。

第７図に示す表示装置は、反射型の光−光変換素子ＰＰ
Ｃａ（またはＰＰＣｍ）に対し、前記した第２図乃至第
５図示の表示装置について説明した場合と同様に書込み
光により書込み動作が行われた後に、読出し光ＲＬがシ
ュリーレン光学系のシュリーレン入力マスク１とレンズ
２とを介して光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ
）の透明電極Ｅｔ２側から入射される。

反射型の光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）の
透明電極Ｅｔ２側から入射した前記した読出し光は光−
光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅ　（またはＰＰＣｍ）の光変調
材眉部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられている
高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜）を
往復して透明電極Ｅｔ２側から出射し、シュリーレン光
学系の出力マスク３と投影レンズＬＰとを介してスクリ
ーンＳに投影され、スクリーンＳに表示の対象にされて
いる情報を映出させる。

次に、光−光変換素子ＰＰＣθｐを用いて構成されてい
る撮像装置の具体的な内容について第１４図乃至第１８
図を参照して説明する。

各図中に示されている光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅｐは
少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によって光
の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による光変調
材眉部材とを含んで構成されているものであって、各回
においてＥｔｌ、　Ｅｔ２は透明電極、ＰＣＬは光導電
層部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、ＰＬＺＴは電界によっ
て光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による光
変調材眉部材である。

また、各回においてＷＬは書込み光、ＲＬは読出し光、
ＥＬは消去光を示している。

まず、第１４図に示す撮像装置においてＬは撮像レンズ
であり、被写体の光学像が撮像レンズＬによって光導電
層部材ＰＣＬに結像される。光−光変換素子ＰＰＣｅｐ
に光学的な情報の書込みが行われる場合には、光−光変
換素子のＰＰＣｅｐの電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２に対して電
源ｖｂの電圧が切換スイッチＳＷの可動接点Ｖと固定接
点ＷＲとを介して供給される状態になされて、光導電層
部材ＰＣＬ７の両端間に電界が加えられる。

光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃａ　ｐに入射した書込み光Ｗ
Ｌが透明電極Ｅｔｌを透過して光導電層部材ｐｃＬに到
達すると、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値がそれに到
達した入射光による光学像と対応して変化するために、
光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に
は光導電層部材ＰＣＬに到達した入射光による光学像と
対応した電荷像が生じる。

前記のようにして入射光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報を光−光変換素子Ｐ
ＰＣａｐから再生するのには、切換スイッチＳＷの可動
接点Ｖを固定接点ＷＲ側に切換えた状態として、電源ｖ
ｂの電圧が透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に印加されてい
る状態にしておいて。

図示されていない光源からの一定の光強度の読出し光Ｒ
Ｌを投射することによって行うことができる。

既述のように入射光による光情報の書込みが行われた光
−光変換素子ＰＰＣａｐにおける光導電層部材ＰＣＬと
誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材ＰＣＬ
に到達した入射光による光学像と対応した電荷像が生じ
ているから、前記した光導電層部材ＰＣＬに対して誘電
体ミラーＤＭＬとともに直列的な関係に設けられている
光変調材眉部材ＰＬＺＴには、入射光による光学像と対
応した強度分布の電界が加わっている状態になされてい
る。

そして、前記した光変調材眉部材ＰＬＺＴは電気光学効
果により電界に応じて変化するから、入射光による光学
像と対応した強度分布の電界が加わっている状態に前記
した光導電層部材ＰＣＬに対して誘電体ミラーＤＭＬと
ともに直列的な関係に設けられている光変調材眉部材Ｐ
ＬＺＴの屈折率は、既述した入射光による光情報の書込
みにより光−光変換素子における光導電層部材ＰＣＬと
誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に光導電層部材ＰＣＬに
到達した入射光による光学像と対応して生じた電荷像に
応じて変化しているものになる。

それで、読出し光ＲＬが投射された場合には。

読出し光ＲＬが、透明電極Ｅｔ２→光変調材眉部材ＰＬ
ＺＴ→誘電体ミラーＤＭＬ→のように進行して行き１次
いで前記した読出し光ＲＬは誘電体ミラーＤＭＬで反射
して透明電極ＥｔＺ側に反射光として戻って行くが、読
出し光ＲＬの反射光は光変調材眉部材ＰＬＺＴの電気光
学効果により光変調材眉部材ＰＬＺＴに加わる電界の強
度分布に応じた画像情報を含むものとなって、透明電極
ＥｔＺ側に入射光による光学像に対応した再生光学像を
生じさせる。

前記の説明から明らかなように、光−光変換素子ＰＰＣ
ｅｐにおける誘電体ミラーＤＭＬは、透明電極Ｅｔ２側
から光変調材眉部材ＰＬＺＴに入射した読出し光ＲＬを
反射させて、読出し光ＲＬが光変調材眉部材ＰＬＺＴか
ら光導電体層部材ｐｃＬに透過しないようにしている。

それにより、読出し光ＲＬが光変調材眉部材ＰＬＺＴか
ら光導電層部材ＰＣＬに透過することによって生じる問
題、すなわち、読出し光ＲＬが光変調材眉部材ＰＬＺＴ
から光導電層部材ＰＣＬに透過することにより光導電層
部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界に存在してい
る電荷像が乱されてしまうという問題点が生じないよう
にできる。

前記のようにして書込み光ＷＬによって書込まれた情報
を消去するのには、前記した切換スイッチＳＷにおける
可動接点Ｖを固定接点Ｅ側に切換え、光−光変換素子Ｐ
ＰＣａｐにおける透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に電界が
生じないようにしてから、書込み光ＷＬの入射側とされ
ている透明電極Ｅｔｌから−様な強度分布の消去光ＥＬ
を入射させて行う。

第１５図に示されている撮像装置は撮像レンズＬを通過
した光が光−光変換素子ＰＰＣａｐに供給されないよう
にする光学シャッタＳＴを備えているもので、光学シャ
ッタＳＴを開いて被写体の光学像を光−光変換素子ＰＰ
Ｃｅｐの光導電層部材ＰＣＬに結像させてから、光学シ
ャッタＳＴを閉じると、第１４図を参照して説明したよ
うにして光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃａ　ｐにおける光導
電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に被写
体の光学像と対応して生じた電荷像を長期間にわたって
保持することもできる。

また、前記した光学シャッタＳＴを用いて時間を区切っ
て被写体の光学像を光−光変換素子ｐｐＣａｐの光導電
層部材ＰＣＬに結像させ、光−光変換素子ＰＰＣｅｐに
おける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境
界面に被写体の光学像と対応する電荷像を生じさせ、入
力した画像情報を走査して読出すようにすることもでき
る。

第１６図に示す撮像装置は、既述のように入射光による
光情報の書込みが行われて光−光変換素子ＰＰＣｅｐに
おける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境
界面に被写体の光学像と対応した電荷像の読取りを行う
のに、読出し光ＲＬとしてレーザ光源ＬＳＱからの光を
光偏向器ＤＥＦによって偏向した後にレンズ５とビーム
スプリッタＢＳを介して光−光変換素子ＰＰＣｅｐの透
明電極Ｅｔ２側から入射させ、光−光変換素子ＰＰＣａ
ｐの透明電極Ｅｔ２側から出射した再生光をビームスプ
リッタＢＳを介してレンズ６に与え、光電変換器ＰＤに
よって映像信号に変換して出力端子７に送出するように
した構成のものである。

第１６図に示す撮像装置中の光電変換器ＰＤとしては、
光偏向器ＤＥＦにおける偏向態様に応じて、それぞれ適
当な形式のもの（フォトダイオード、１次元イメージセ
ンサ）が使用される。

なお、前記したレンズ６から出射した光を光電変換せず
に、光の状態のままで光信号処理装置に供給して所望の
信号処理が行われるようにしてもよい（この点は第１７
図示の撮像装置についても同様である）、第１６図にお
いてＥＳＬは消去光ＥＬの光源である（第１７図及び第
１８図についても同じ）。

第１７図に示す撮像装置は、既述のように入射光による
光情報の書込みが行われて光−光変換素子ＰＰＣｅｐに
おける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境
界面に被写体の光学像と対応した電荷像の読取りを行う
のに、読出し光ＲＬとして再生先源７から放射された再
生光をレンズ８によって大面積の光束としてから、ビー
ムスプリッタＢＳを介して光−光変換素子ＰＰＣｅｐの
透明電極Ｅｔ２側から入射させ、光−光変換素子ＰＰＣ
ｅｐの透明電極Ｅｔ２側から出射した再生光をビームス
プリッタＢＳを介してレンズ９に与え。

２次元イメージセンサ１０によって映像信号に変換する
ようにした構成のものである。

また、第１８図に示す撮像装置は、既述のように入射光
による光情報の書込みが行われて光−光変換素子ＰＰＣ
ｅｐにおける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬ
との境界面に被写体の光学像と対応した電荷像の読取り
を行うのに、読出し光ＲＬとしてレーザ光源ＬＳｎから
の光を光偏向器ＤＥＦによって偏向した後にレンズ５と
ビームスプリッタＢＳを介して光−光変換素子ＰＰＣｅ
ｐの透明電極Ｅｔ２側から入射させ、光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅｐの透明電極Ｅｔ２側から出射した再生光をビー
ムスプリッタＢＳを介してレンズ１１に与え、レンズ１
１から出射した光を記録媒体Ｆに結像させて記録媒体Ｆ
に記録させるようにした構成のものである。

第・１８図中において１３．１４は記録媒体Ｆの巻取リ
リール及び送り出しリールであり、また１５は記録媒体
の副走査方向を示している。記録媒体Ｆとしては光学的
な記録媒体、あるいは光学像を電荷像として記録する記
録媒体等、任意のものを使用することができる。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明の表示装置は所定の電圧が印加された２枚の透明電極
の間に、少なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作
しうる光変調材眉部材とによって構成した光−光変換素
子における光導電層部材側の透明電極を通して、表示や
撮像の対象にされている情報を含む電磁放射線を光導電
層部材に与えて、光導電層部材と光変調材眉部材との間
に前記した表示の対象にされている情報を含む電磁放射
線と対応する電荷像を生じさせる手段と。

前記の電荷像による電界によって前記した光変調材眉部
材に光に対する散乱の度合いに変化を生じさせる手段と
、電磁放射線を用いて前記した光変調材眉部材における
電磁放射線情報と対応する光に対する散乱の度合いの変
化を読出して表示したり、読出した光学情報を電気信号
に変換する手段とを備えてなる光−光変換素子の応用装
置であるから、この本発明の光−光変換素子の応用装置
では光−光変換素子から出射する読出し光が表示の対象
にされている情報と対応して光強度が変化している状態
になっていて、光−光変換素子から出射した読出し光を
そのまま投影レンズによってスクリーンに投影すること
ができ、従来の光−光変換素子から出射した読出し光の
ように、それを検光子によって光強度の変化している光
に変換してから利用するようにしている場合に比べて、
構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的に使用
でき、また、高解像度の画像情報を良好な記憶機能を有
する光−光変換素子を用いて表示の対象にされている情
報が短時間だけ与えられた場合でも、高い解像度で長時
間にわたって良好に表示することができるのであり、ま
た１本発明の光−光変換素子の応用装置が撮像装置とし
て実施された場合には高解像度の映像信号が容易に発生
できるのであり、さらに、電界の印加により光の散乱状
態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器を光変調材眉部材とし
て用いた光−光変換素子は光変調材眉部材を構成してい
るＰＬＺＴ磁器が高インピーダンスのために、電荷像の
保持性能が高く、読出し動作を繰返して静止画を表示さ
せる場合に有利であり。

また、光学シャッタを設けた撮像装置とすれば時第１図
乃至第７図は表示装置の実施例の側面図。

第８図乃至第１３図及び第１５１！ｌは光−光変換素子
の説明用の側面図、第１４図及び第１６図乃至第１８図
は撮像装置の実施例の側面図である。

０・・・被写体、Ｌ・・・撮像レンズ、ＰＰＣａ、ＰＰ
Ｃｍ、ＰＰＣｅｐ・・・光−光変換素子、ｖｂ・・・電
源、ＷＬ・・・書込み光、ＲＬ・・・読出し光、Ｅｔｌ
、Ｅｔ２・・・透明電極、ＰＣＬ・・・光導電層部材、
ＤＭＬ・・・誘電体ミラー、ＨＬＬ・・・高分子材料に
高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構
成した光変調材眉部材、ＥＬＳ・・・消去用の光源、Ｅ
ＬＳｆｆｉ・・・消去用のレーザ光源、ＬＳ・・・読出
し一光の光源、ＤＥＦ・・・光偏向器、ＬＬ、Ｌ２．２
，５，６，８゜９．１１・・・レンズ、Ｌｅ・・・レン
ズ、ＨＥＣ・・・加熱用電源、ＥＬＳＱ・・・消去用の
レーザ光源１Ｍ・・・反射鏡、ＨＥＬ・・・加熱層、Ｈ
ＬＭ・・・高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶
メモリ膜を用いて構成した光変調材眉部材、ＰＬＺＴ・
・・電界の印加によって光の散乱状態が繰返し変化する
ＰＬＺＴ磁器を用いて構成した光変調材眉部材、ＢＳ・
・・ビームスプリッタ、Ｆ・・・記録媒体、ＨＩＬ・・
・熱吸収層。

Ｓ・・・スクリーン、１・・・シュリーレン入力マスク
、３・・・シュリーレン出力マスク、４・・・ダイクロ
イックミラー　７・・・出力端子、１０・・・２次元イ
メージセンサ、１３．１４・・・リール、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
   層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
   電層部材側の電極を通して、表示の対象にされている情
   報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層
   部材と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にさ
   れている情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じ
   させる手段と、前記の電荷像による電界によって前記し
   た光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を生
   じさせる手段と、電磁放射線を用いて前記した光変調材
   層部材における電磁放射線情報と対応する光に対する散
   乱の度合いの変化を読出して表示する手段とを備えてな
   る表示装置 ２、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、高分子材料に高抵抗液晶を分散さ
   せた高分子−液晶複合膜を用いて構成した光変調材層部
   材とによって構成した光−光変換素子における光導電層
   部材側の電極を通して、表示の対象にされている情報を
   含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材
   と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にされて
   いる情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせ
   る手段と、前記の電荷像による電界によって前記した光
   変調材層部材の液晶の配向状態を変化させて高分子−液
   晶複合膜に表示の対象にされている情報を含む電磁放射
   線と対応した液晶の配向状態の変化像を生じさせる手段
   と、電磁放射線を用いて前記した高分子−液晶複合膜に
   おける表示の対象にされている情報を含む電磁放射線と
   対応した液晶の配向状態の変化像を読出して表示する手
   段とを備えてなる表示装置 ３、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、高分子材料に高抵抗液晶を分散さ
   せた高分子−液晶複合膜を用いて構成した光変調材層部
   材とによって構成した光−光変換素子における光導電層
   部材側の電極を通して、表示の対象にされている情報を
   含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材
   と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にされて
   いる情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせ
   る手段と、前記の電荷像による電界によって前記した光
   変調材層部材の液晶の配向状態を変化させて高分子−液
   晶複合膜に表示の対象にされている情報を含む電磁放射
   線と対応した液晶の配向状態の変化像を生じさせる手段
   と、電磁放射線を用いて前記した高分子−液晶複合膜に
   おける表示の対象にされている情報を含む電磁放射線と
   対応した液晶の配向状態の変化像を読出して表示する手
   段と、消去用の電磁放射線を用いて前記した電荷像を消
   去する手段とを備えてなる表示装置 ４、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、高分子材料に液晶を分散させた高
   分子−液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材眉部材と
   によって構成した光−光変換素子における光導電層部材
   側の電極を通して表示の対象にされている情報を含む電
   磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材と光変
   調材層部材との間に前記した表示の対象にされている情
   報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせる手段
   と、前記の電荷像による電界によって前記した光変調材
   層部材の高分子−液晶メモリ膜における液晶の配向状態
   を変化させ、その変化した液晶の配向状態を高分子−液
   晶メモリ膜に記憶させる手段と、前記した高分子−液晶
   メモリ膜に記憶された表示の対象にされている情報を含
   む電磁放射線と対応した液晶の配向状態の変化像を電磁
   放射線を用いて読出して表示する手段とを備えてなる表
   示装置 ５、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、高分子材料に液晶を分散させた高
   分子−液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材と
   によって構成した光−光変換素子における光導電層部材
   側の電極を通して表示の対象にされている情報を含む電
   磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材と光変
   調材層部材との間に前記した表示の対象にされている情
   報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせる手段
   と、前記の電荷像による電界によって前記した光変調材
   層部材の高分子−液晶メモリ膜における液晶の配向状態
   を変化させ、その変化した液晶の配向状態を高分子−液
   晶メモリ膜に記憶させる手段と、前記した高分子−液晶
   メモリ膜に記憶された表示の対象にされている情報を含
   む電磁放射線と対応した液晶の配向状態の変化像を電磁
   放射線を用いて読出して表示する手段と、前記した前記
   した高分子−液晶メモリ膜における液晶を溶融させると
   ともに、消去用の電磁放射線を用いて前記した電荷像を
   消去する手段とを備えてなる表示装置 ６、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によっ
   て光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による光
   変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子 ７、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によっ
   て光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による光
   変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子に
   おける前記した光導電層部材に対して書込み用の電磁放
   射線を入射させて、前記した書込み用の電磁放射線に対
   応した電荷像を発生させる手段と、前記した電荷像によ
   る電界が印加された光変調材層部材に読出し用の電磁放
   射線を入射させる手段と、電界によって光の散乱状態が
   繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による光変調材層部材から
   読出し用の電磁放射線を出射させる手段とを備えた撮像
   装置 ８、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によっ
   て光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による光
   変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子に
   おける光導電層部材側の電極を通して、表示の対象にさ
   れている情報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて
   、光導電層部材と電界によって光の散乱状態が繰返し変
   化するＰＬＺＴ磁器による光変調材層部材との間に前記
   した表示の対象にされている情報を含む電磁放射線と対
   応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電荷像による
   電界によってＰＬＺＴ磁器による前記した光変調材層部
   材に光に対する散乱の度合いに変化を生じさせる手段と
   、電磁放射線を用いて前記したＰＬＺＴ磁器による光変
   調材層部材における電磁放射線情報と対応する光に対す
   る散乱の度合いの変化を読出して表示する手段とを備え
   てなる表示装置