JPH0453922A - 光―光変換素子を用いた表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は光−光変換素子を用いて構成された表示装置に
関する。

【従来の技術】

高い解像度を有する画像を表示させることのできる表示
装置の一つとして、光−光変換素子を用いて構成した表
示装置が提案されて来て−）るカス、複屈折特性を利用
したツィステッドネマティック液晶や各種の電気光学結
晶を光変調材層部材として用いて構成された光−光変換
素子は、光変調材層部材に印加された電界強度に応じて
、偏光の状態や、旋光の状態が変化するような態様での
変調動作を光変調材層部材に行なわせるものであったか
ら、前記のように偏光の状態や、旋光の状態力を変化す
るような態様で変調されてし）る読出し光を光強度が変
化している状態の光として利用するためには、偏光子や
検光子を光学系中に設しプな（すればならないが、偏光
子や検光子を使用すると２・熱的に効率が低下したり、
シエーデイング力１発生するという問題が生じる。 また、前記のように光変調材層部材として、複屈折特性
を利用したツィステッドネマティック液晶や各種の電気
光学結晶が用いられている場合には、光変調材層部材に
よる光変調作用が液晶や結晶の光学軸の方向に依存して
いるために、光変調材層部材の面の法線以外の方向から
読出し光を入射させると著るしく効率が低下するために
、光変調材層部材への読出し光の入射方向は光変調材層
部材の面の法線方向とされるから、反射型の光−光変換
素子においては入射させた読出し光と、光−光変換素子
から出射する読出し光とが分離できるように、光路中に
ハーフミラ−１あるいは偏光ビームスプリッタ等の光学
部材を設けることが行われるが１周知のように前記のハ
ーフミラ−１あるいは偏光ビームスプリッタ等の光学部
材の使用は光の利用効率を低下させる他、書込み光によ
って画像情報が書込まれるようになされるような場合に
は、書込み光の漏れが読出されるというようなことも起
こる。 さらに、前記した光変調材層部材としてツィステッドネ
マティック液晶層による光変調材層部材が使用された場
合には、スペーサを用いて作ったセルにツィステッドネ
マティック液晶を注入しなければならないという複雑な
工程が必要とされるという欠点がある他に、大型な光−
光変換素子を作る場合には、均一な厚さのツィステッド
ネマティック液晶層による光変調材層部材を構成させる
ことが困難であり、さらにまた、前記した光変調材層部
材として例えばニオブ駿リチウムの単結晶、その他の固
体素子が使用された場合には、半波長電圧が高く、また
、取扱いが容易でない等の間層点があり、さらにまた光
−光変換素子が平面状のものとして構成されている場合
には、レーザ光の偏向等の手段により、光−光変換素子
の全面に画像情報の書込みが行われるようにするときに
ｆθレンズ等の複雑な偏向光学系が必要とされる等の問
題点があった。 それで前記した問題点の無い光−光変換装置を構成させ
るのに、印加された電界強度に応じて光の散乱状態が変
化するような動作を行なう光変調材層部材を用いて構成
された光−光変換素子を備えた光−光変換素子の応用装
置が提案された（例えば特願平１−３１００３３号明細
書参照）。 第７図（または第８図）は前記したように電界強度に応
じて光の散乱状態を変化させるような光変調材層部材を
用いた光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはｐｐｃｍ）の構
成例を示しているものである。 第７図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｅにおいて
、それの２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に電源ｖｂ
から電圧を与えて、高分子一液晶複合膜による光変調材
層部材ＨＬＬ間に電界が加わるようにしておき、光−光
変換素子ＰＰＣｅにおける光導電層部材ＰＣＬ側に書込
み光ＷＬを光導電層部材ＰＣＬに与えると、前記した光
導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入射光
と対応して変化し、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラー
ＤＭＬとの境界面に書込み光ＷＬと対応した電荷像が生
じる。 前記の状態において、高分子一液晶複合膜による光変調
材層部材ＨＬＬには、書込み光と対応した電荷像の電荷
分布に応じた強度分布の電界が加わり、高分子一液晶複
合膜中の液晶の配向状態が。 前記の電荷像による電界によって変化し、書込み光と対
応した液晶の配向状態の変化像が生じる。 光−光変換素子ＰＰＣｅにおける光導電層部材ＰＣＬと
誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に書込み光と対応して生
じた電荷像による電界が光変調材層部材ＨＬＬに印加さ
れている状態において、光−光変換素子ＰＰＣｅにおけ
る透明電極Ｅｔ２側から読出し光ＲＬを入射させると、
その読出し光ＲＬは透明電極Ｅｔ２→光変調材層部材Ｈ
ＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜→誘電体
ミラーＤＭＬの経路で誘電体ミラーＤＭＬに達し、そこ
で反射された後に光変調材層部材ＨＬＬとして用いられ
ている高分子一液晶複合膜→透明電極Ｅｔ２の経路で光
−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅがら出射するが、前記のよう
にして光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅがら出射された読出
し光ＲＬは、前記した電荷像による電界と対応して光の
強度が変化している状態のものになっている。 次に第８図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍにお
いて、ｖｂは電源、ＷＬは書込み光、ＲＬは読出し光、
ＨＥＣは加熱用電源であり、光−光変換素子ＰＰＣｍは
透明電極Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラ
ーＤＭＬと、メモリ機能を有する高分子一液晶複合膜を
用いて構成した光変調材層部材ＨＬＭと、透明電極Ｅｔ
２と、加熱層ＨＥＬ（加熱層ＨＥＬと透明電極Ｅｔ２と
が兼用された構成のものとされもよい−）とを積層した
構成態様のものとなされていて、加熱層ＨＥＬは、消去
動作時に加熱用電源ＨＥＣから供給される電力によって
発熱して、高分子材料に液晶を分散させたメモリ機能を
有する高分子一液晶複合膜を用いて構成されている光変
肩材層部材ＨＬＭ中の液晶を等労相とする。 光変調材層部材ＨＬＭとして用いられているメモリ機能
を有する高分子一液晶複合膜は、第７８！！Ｉを参照し
て既述されている高分子一液晶複合膜を使用して構成さ
れた光変調材層部材ＨＬＬが、それに印加されている電
界によって液晶の配向の状態が保持されていたのとは異
なり、光変調材層部材ＨＬＭに電界が印加されて高分子
一液晶複合膜中の液晶の配向状態が変化された後に、電
界が除去されても高分子一液晶複合膜中の液晶の配向状
態が変化しない、というメモリ機能を備えているような
ものとして作られる。 第８図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍの２つの
透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に電源ｖｂから電圧を与え
て、散乱モードで動作しろる光変調材層部材として構成
されている高分子材料に液晶を分散させたメモリ機能を
有する高分子−液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＭ
間に電界が加わるようにしておき、光導電層部材Ｐ　Ｃ
Ｌ側から書込み光ＷＬを入射させると、前記した光導電
層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入射光によ
る光学像と対応して変化するために、光導電層部材ＰＣ
Ｌと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層□部材
に結像した被写体の光学像と対応した電荷像が生じ、そ
の電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が光変調材
層部材ＨＬＭとして用いられているメモリ機能を有する
高分子一液晶複合膜に印加されることにより液晶の配向
状態が変化し、その配向の状態が記憶される。 前記のようにして生じた液晶の配向状態の変化像は、光
導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に生
じている電荷像が除去されても、そのままの状態に保持
されている。そして、第８図示の光−光変換素子ＰＰＣ
ｍにおける加熱層ＨＥＬ側から読出し光ＲＬを入射する
と、その読出し光ＲＬは加熱層ＨＥＬ→透明電極Ｅｔ２
→光変調材層部材ＨＬＭとして用いられているメモリ機
能を有する高分子一液晶複合膜→誘電体ミラーＤＭ乙の
経路で誘電体ミラーＤＭＬに達し、そこで反射された後
に光変調材層部材ＨＬＭとして用いられているメモリ機
能を有する高分子一液晶複合膜→透明電［＋Ｅｔ２の経
路で光−光変換素子ＰＰＣｍから出射するが、この光−
光変換素子ＰＰＣｍから出射された読出し光ＲＬは、光
変調材層部材ＨＬＭとして用いられているメモリ機能を
有する高分子一液晶複合膜に生じている液晶の配向状態
の変化像と対応して光の強度が変化している状態のもの
になっている。　前記のようにして光変調材層部材ＨＬ
Ｍとして使用されているメモリ機能を有する高分子一液
晶複合膜中の液晶の配向の状態によって記憶されている
情報を消去するには、加熱用電源ＨＥＣからの加熱用電
力を光−光変換素子ＰＰＣｍの加熱層ＨＥＬ（この加熱
層ＨＥＬと透明電極Ｅｔ２とが兼用された構成のものと
されもよい）に供給して加熱層ＨＥＬを発熱させ、光変
調材層部材ＨＬＭとして使用されているメモリ機能を有
する高分子一液晶複合膜を加熱して、メモリ機能を有す
る高分子一液晶複合膜中の液晶をそれの等吉相転移点と
高分子材料の熱変形温度との間の温度にまで昇温しで、
液晶を等労相とすることによって行うことができる。 第７図（及び第８図）を参照して説明した光−光変換素
子Ｐ　Ｐ　Ｃｅ　（Ｐ　Ｐ　Ｃｍ　）から出射する読出
し光ＲＬが書込み光と対応して光強度が変化している状
態のものになっているから、それを検光子によって光強
度の変化している光に変換してから利用している場合に
比べて、構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率
的に使用することができるという利点が得られる。 前記した第７図及び第８図を参照して説明した光−光変
換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）は、電界強度に応じ
て光の散乱状態を変化させるような光変調材層部材を使
用して構成されているために、読出し光ＲＬの入射方向
を光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）の法線方
向以外の方向にしても読出すことができるので、高い光
の利用効率で情報の読出しができる。

【発明が解決しようとする課題】

しかし、読出し光ＲＬの入射方向が光−光変換素子ｐＰ
Ｃｅ（またはＰＰＣｍ）の法線方向以外の方向にされた
場合には、例えば第９図及び第１０図に示されているよ
うな構成の表示装置では、光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅ
　（Ｐ　ＰＣｍ）の面に対して投影レンズＬＰの主平面
を傾斜させたり、あるいは例えば第１１図に示されてい
るような構成の表示装置のように、光−光変換素子ＰＰ
Ｃｅ（ＰＰＣｍ）の面と投影レンズＬｐの主平面とスク
リーンＳとを平行にした上で、前記の光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅ（ＰＰＣｍ）と投影レンズＬＰとスクリーンＳと
を面方向でずらした状態にするなどの構成形態にされる
。 第９図乃至第１１図において、ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）は
光−光変換素子、Ｌｐは投影レンズ、Ｓはスクリーン、
ｖｂは電源、ＲＬは読出し光であり、光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅ（ＰＰＣｍ）には第７図及び第８図について既述
したように書込み光ＷＬによって表示の対象にされてい
る情報が書込まれる。 ところで１表示装置において第１０図に示されているよ
うに光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）が投影レンズ
Ｌｐに対して傾斜させられている場合や、第１１図に示
されているように光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）
の光軸が投影レンズＬｐの光軸からずれている場合には
スクリーンＳ上に映出される画像に劣化が生じる。 それで、第９図乃至第１１図に例示されている表示装置
において、高輝度で歪の無い良好な画像をスクリーンＳ
上に映出できるようにするためには、超高性能のレンズ
、あるいは非球面レンズのような加工の困難な高価なレ
ンズを用いることが必要とされる。

【課題を解決するための手段】

本発明は所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少
なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作しろる光変
調材層部材とを含んで構成されており、前記の光導電層
部材側の電極を通して光導電層部材に与えた書込み光と
対応して光導電層部材と光変調材層部材との間に生じさ
せた電荷像による電界により、前記した光変調材層部材
を通過する読出し光に散乱の度合いの変化を与えるよう
にされている光−光変換素子を用いた表示装置であって
、光−光変換素子における光変調材層部材側の電極面の
法線方向以外の方向に主光軸を有する読出し光の光路中
に、光−光変換素子に入射した後に光変調材層部材を往
復して出射する読出し光の主光軸が光−光変換素子の光
軸と略々平行な状態にさせる光学部材を設けてなる光−
光変換素子を用いた表示装置を提供する。 ［作用］ 散乱モードで動作しうる光変調材層部材を含んで構成さ
れている光−光変換素子に対して、それの法線方向以外
の方向の主光軸を有する読出し光を用いて前記した光変
調材層部材の光に対する散乱の度合いの変化を読出すよ
うにした光−光変換素子を用いた表示装置における光−
光変換素子の光変調材層部材側の電極面までの読出し光
の光路中に設けたプリズムによって、光−光変換素子に
入射した後に光変調材層部材を往復して出射する読出し
光の主光軸を光−光変換素子の光軸と略々平行な状態に
させる。 【実施例１ 以下、添付図面を参照しながら本発明の光−光変換素子
を用いた表示装置の具体的な内容を詳細に説明する。第
１図及び第３図乃至第５図は本発明の光−光変換素子を
用いた表示装置の多異なる実施例のブロック図であり、
また、第２図及び第６図は光−光変換素子を用いた表示
装置の一部の構成部材の平面図である。 第１図及び第３図乃至第５図においてＰＰＣｅ（Ｐ　Ｐ
　Ｃｍ）は光−光変換素子、ＰＡはプリズム、Ｌｐは投
影レンズ、Ｓはスクリーン、ＬＳは読出し光ＲＬの光源
、Ｌｃはコンデンサレンズ、ｖｂは電源である。なお、
第２図においてＯは被写体、Ｌは撮像レンズ、第３図に
おいてＬＳＱはレーザ光源、ＬＬ、Ｌ２はレンズ、ＰＤ
ＥＦは光偏向器である。 第１図及び第３図乃至第５図に示されている表示装置に
おいて、書込み光ＷＬが光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰ
Ｃｍ）における結像面に結像されると、光−光変換素子
ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）には書込み光ＷＬによって、第７
図及び第８図について既述したようにして書込み動作が
行われる。 第１図に示されている表示装置において、ＦＡはプリズ
ムであって、このプリズムＰＡは光−光変換素子ＰＰＣ
ｅ（ＰＰＣｍ）における光変調材層部材側の電極面Ｃの
前方にＢ面が平行となるようにして設けられている。 前記したプリズムＰＡは光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰ
Ｃｍ）における光変調材層部材側の電極面Ｃに、光−光
変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅ　（Ｐ　Ｐ　Ｃｍ）における光変
調材層部材側の電極面の法線方向以外の方向に主光軸を
有する読出し光ＲＬが入射される際に、読出し光ＲＬの
進行方向を光−光変換素子ＰＰ　Ｃｅ　（Ｐ　Ｐ　Ｃｍ
）における略々主軸の方向に変更して光−光変換素子Ｐ
　Ｐ　Ｃｅ　（Ｐ　Ｐ　Ｃｍ　）に入射させるようにす
るとともに、前記した光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣ
ｍ）における光変調材層部材を往復して光−光変換素子
ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）から出射する読出し光ＲＬを、光
−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）の光軸と略々平行な
状態の光として出射させるようにするために設けられた
ものである。 さて、プリズムＰＡのＢ面が光−光変換素子ＰＰＣｅ（
ＰＰＣｍ）における光変調材層部材側の電極面Ｃと平行
にされている状態において、読出し光が光−光変換素子
ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）の光軸に対してφの角度でプリズ
ムＰＡのＡ面に入射された場合に、前記した読出し光Ｒ
Ｌの進行方向を光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）に
おける略々主軸の方向に変更して光−光変換素子ＰＰＣ
ｅ（ＰＰＣｍ）に入射させるようにするとともに、前記
した光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における光変
調材層部材を往復して光−光変換素子ｐｐｃｅ（ＰＰＣ
ｍ）から出射する読出し光ＲＬを、光−光変換素子ＰＰ
Ｃｅ（ＰＰＣｍ）の光軸と略々平行な状態の光として出
射させるようにするプリズムＰＡとしては、第２図中に
θとして示されているＡ面とＢ面とのなす角θは、プリ
ズムの構成材料の屈折率をｎｌとし、また、空気の屈折
率をｎｌとすると、スネルの法則から次式によって示さ
れるものになる。 ｓｉｎ　（θ＋φ）／５ｉｎ（θ士θ’）＝ｎｌ／ｎ２
ｓｉｎθ／ｓｉｎθ’＝ｎｌ／ｎ２ なお、プリズムＰＡのＢ面を光−光変換素子ＰＰＣｅ（
ＰＰＣｍ）における光変調材層部材側の電極面Ｃに対し
て平行で無い状態にプリズムＰＡを配置した状態で本発
明を実施することもできる。 ただし、その場合に使用されるプリズムＰＡはプリズム
ＦＡのＢ面が光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣ：ｍ）に
おける光変調材層部材側の電極面Ｃに対して平行に配置
しされた状態で使用されるプリズムＰＡとは異なる角度
θを有するものが使用される。 第１図に示されている光−光変換素子を用いた表示装置
においては光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅ　（ＰＰＣｍ）
とプリズムＰＡとを両者間に空隙を介在させた状態で配
置しているが、第３図及び第４図に示す光−光変換素子
を用いた表示装置においては、光−光変換素子ＰＰＣｅ
（ＰＰＣｍ）とプリズムＰＡとを両者間に空隙を介在さ
せることなく両者が一体化された構成となされている。 この第３図及び第４図に例示されている表示装置では第
１図示の表示装置において光−光変換素子ＰＰＣｅ（Ｐ
ＰＣｍ）とプリズムＰＡとの間の空隙によって生じてい
た光の反射による悪影響をなくすることができる。 また、第５図に例示する光−光変換素子を用いた表示装
置は、第６図に例示されているように、光−光変換素子
ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における透明基板とプリズムＰＡ
とを兼用した構成のものを用いた表示装置である。第６
図において１，２は反射防止膜、ＢＰは透明基板である
。 第１図及び第３図乃至第５図に示されている本発明の光
−光変換素子を用いた表示装置において、光−光変換素
子Ｐ　Ｐ　Ｃｅ　（Ｐ　Ｐ　Ｃｍ　）における光変調材
層部材側の電極面Ｃまでの読出し光ＲＬの光路中に設け
られているプリズムＰＡは、光−光変換素子ＰＰＣｅ（
ＰＰＣｍ）における光変調材層部材側の電極面Ｃに、光
−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における光変調材層
部材側の電極面の法線方向以外の方向に主光軸を有する
読出し光ＲＬが入射される際に、読出し光ＲＬの進行方
向を光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における略々
主軸の方向に変更して光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰ　
Ｃｍ　）に入射させるようにするとともに、前記した光
−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における光変調材層
部材を往復して光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）か
ら出射する読出し光ＲＬを、光−光変換素子ＰＰＣｅ（
ＰＰＣｍ）の光軸と略々平行な状態の光として出射させ
るので、光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における
光変調材層部材によって光変調された読出し光は、それ
の主光軸が投影レンズＬｐの光軸と略々一致する状態で
投影レンズＬｐに入射されるために、投影レンズＬｐに
よってスクリーンＳに結像される画像は、高輝度で歪の
無い良好な画像となされる。 【発明の効果１ 以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明は散乱モードで動作しうる光変調材層部材を含んで構
成されている光−光変換素子に対して、それの法線方向
以外の方向の主光軸を有する読出し光を用いて前記した
光変調材層部材の光に対する散乱の度合いの変化を読出
すようにした光−光変換素子を用いた表示装置における
光−光変換素子の光変調材層部材側の電極面までの読出
し光の光路中に設けたプリズムによって、光−光変換素
子に入射した後に光変調材層部材を往復して出射する読
出し光の主光軸を光−光変換素子の光軸と略々平行な状
態の光として出射させるので、光−光変換素子ＰＰＣｅ
（ＰＰＣｍ）における光変調材層部材によって光変調さ
れた読出し光は、それの主光軸が投影レンズＬｐの光軸
と略々一致する状態で投影レンズＬＰに入射されるため
に、投影レンズＬｐによってスクリーンＳに結像される
画像は、高輝度で歪の無い良好な画像となされるのであ
り１本発明によれば既述した従来の間麗点はすべて良好
に解決できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第３図乃至第５図は本発明の光−光変換素子
を用いた表示装置の多異なる実施例のブロック図、第２
図及び第６図は光−光変換素子を用いた表示装置の一部
の構成部材の平面図、第７図及び第８図は光−光変換素
子の構成例を示す側面図、第９図乃至第１１図は従来の
光−光変換素子を用いた表示装置のブロック図である。 Ｅｔｌ・・−透明電極、ＰＣＬ・・・光導電層部材、Ｄ
ＭＬ・・・誘電体ミラー、ＨＬＬ、ＨＬＭ・・・高分子
材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用
いて構成した光変調材層部材、ＷＬ・・・書込み光、Ｒ
Ｌ・・・読出し光、ＨＥＣ・・・加熱用電源、ＨＥＬ・
・・加熱層、ＰＰＣｅ、ＰＰＣｍ・・・光−光変換素子
、ＰＡ・・・プリズム、ＬＰ・・・投影レンズ、Ｓ・・
・スクリーン、ＬＳ・・・読出し光ＲＬの光源、Ｌｃ・
・・コンデンサレンズ、ｖｂ・・・電源、Ｏ・・・被写
体、Ｌ・・・撮像レンズ、ＬＳ！・・・レーザ光源、Ｌ
ｌ、　Ｌ２・・・レンズ。 ＰＤＥＦ・・・光偏向器、ＢＰ・・・透明基板、特許出
願人　　日本ビクター株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なくとも
   光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材層部
   材とを含んで構成されており、前記の光導電層部材側の
   電極を通して光導電層部材に与えた書込み光と対応して
   光導電層部材と光変調材層部材との間に生じさせた電荷
   像による電界により、前記した光変調材層部材を通過す
   る読出し光に散乱の度合いの変化を与えるようにされて
   いる光−光変換素子を用いた表示装置であって、光−光
   変換素子における光変調材層部材側の電極面の法線方向
   以外の方向に主光軸を有する読出し光の光路中に、光−
   光変換素子に入射した後に光変調材層部材を往復して出
   射する読出し光の主光軸が光−光変換素子の光軸と略々
   平行な状態にさせる光学部材を設けてなる光−光変換素
   子を用いた表示装置