JPH03121419A - 光―光変換素子の応用装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光−光変換素子と、光−光変換素子を応用して
構成された表示装置や撮像装置等の応用装置に関する。

（従来の技術） 表示装置としては従来からスライド投影機のように写真
フィルムを使用したもの、あるいは受像管上に画像信号
を映出するもの、その他、各種の構成形態のものが知ら
れており、また撮像装置としては撮像管や固体撮像素子
を用いて構成したもの等が知られている。

（発明が解決しようとする課題） 前記した従来の表示装置では高い解像度を有する画像を
表示できなかったので、高い解像度の画像表示が可能な
表示装置が求められており、また、撮像装置としても高
い解像度を有する撮像装置が求められた。

それで、高解像度の画像が表示できるように。

光−光変換素子を用いて高解像度の光学像を表示できる
ようにした表示装−や、光−光変換素子を用いて高解像
度の映像信号が発生できる撮像装置が考えられたが、従
来の光−光変換素子では、それの構成に用いるべき光変
調材層部材として、複屈折特性を利用したツィステッド
ネマティック液晶や各種の電気光学結晶を用いて、光変
調材層部材に印加された電界強度に応じて光の偏光面の
傾きの状態が変化するような動作を光変調材層部材に行
わせていたから、光変調材層部材を通過することにより
被写体の光学像と対応する電荷像の電界強度により光の
偏光面の傾きの状態が変化した読出し光を、検光子によ
って光強度の変化している状態の光として取り出すこと
が必要であるために、光学系中に備える偏光子や検光子
の存在によって必然的に効率が低下したり、シェーディ
ングが発生するという欠点があった。

また、前記のように光変調材層部材として、複屈折特性
を利用したツィステッドネマティック液晶や各種の電気
光学結晶を用いた場合には、光変調材層部材による光変
調作用が結晶の光学軸の方向に依存しているために、光
変調材層部材の面の法線以外の方向から読出し光を入射
させると著るしく効率が低下するために、光変調材層部
材への読出し光の入射方向は光変調材層部材の面の法線
方向とされるから１反射型の光−光変換素子においては
入射させた読出し光と、光−光変換素子から出射する読
出し光とが分離できるように、光路中にハーフミラ−１
あるいは偏光ビームスプリッタ等の光学部材を設けるこ
とが行われるが、周知のように前記のような光学部材の
使用は光の利用効率を低下させる他、書込光によって画
像情報が書込まれるようになされるような場合には、書
込み光の漏れが読出されるというようなことも起こる。

さらに、前記した光変調材層部材としてツイステッドネ
マテインク液晶層による光変調材層部材が使用された場
合には、スペーサを用いて作ったセルにツィステッドネ
マティック液晶を注入しなければならないという複雑な
工程が必要とされるという欠点がある他に、大型な光−
光変換素子を作る場合には、均一な厚さのツィステッド
ネマテインク液晶層による光変調材層部材を構成させる
ことが困難であり、さらにまた、前記した光変調材層部
材として例えばニオブ酸リチウムの単結晶、その他の固
体素子が使用された場合には、半波長電圧が高く、また
、取扱いが容易でない等の問題点があった。

さらにまた光−光変換素子が平面状のものとして構成さ
れている場合には、レーザ光の偏向等の手段により、光
−光変換素子の全面に画像情報の書込みが行われるよう
にするときにｆθレンズ等の複雑な偏向光学系が必要と
される。

（課題を解決するための手段） 本発明は所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少
なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変
調材層部材とによって構成した光−光変換素子における
光導電層部材側の電極を通して、撮像や表示の対象にさ
れている情報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて
、光導電層部材と光変調材層部材との間に前記した表示
の対象にされている情報を含む電磁放射線と対応する電
荷像を生叫させる手段と、前記の電荷像による電界によ
って前記した光変調材層部材に光に対する散乱の度合い
に変化を生じさせる手段と、電磁放射線を用いて前記し
た光変調材層部材における表示の対象にされている情報
を含む電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度合い
の変化を読出して表示したり、読出された光学的な情報
を光電変換して出力するようにした表示装置や撮像装置
。

及び前記の装置の構成に用いられる光−光変換素子を提
供する。

（作用） 光−光変換素子の２つの電極間に電圧を与えて、散乱モ
ードで動作しうる光変調材層部材に電界が加わるように
しておき、また、光−光変換素子における光導電層部材
側の電極を通して、撮像や表示の対象にされている情報
を含む電磁放射線を光導電層部材に与えると、光導電層
部材の電気抵抗値はそれに到達した撮像や表示の対象に
されている情報を含む電磁放射線と対応して変化するた
めに、光導電層部材とそれに接する部材との境界面には
光導電層部材に与えられた撮像や表示の対象にされてい
る情報を含む電磁放射線と対応した電、荷像が生じる。

前記の状態において、電源の電圧が印加されている２つ
の電極間に、前記した光導電層部材に対して直列的な関
係に設けられている光変調材層部材には、撮像や表示の
対象にされている情報を含む電磁放射線と対応した電荷
像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。

この状態で光変調材層部材はそれに印加された電界強度
に対応して光に対する散乱の度合いが変化しているから
、光変調材層部材に読出し光を投射すると、光変調材層
部材を通過する読出し光の透過状態が変化する。

それにより前記した表示の対象にされている情報を含む
電磁放射線に対応した電荷像に従って光量が変化してい
る状態の光として光変調材層部材から出射して、光学像
による表示が行われるようにする。また、光学像を電気
信号に変換して映像信号を出力する。

表示装置や撮像装置における光−光変換素子に入射させ
るべき読出し用の電磁放射線を、それの主光軸が光−光
変換素子の法線方向とは異なるようにして光−光変換素
子に入射させるようにすることにより、光の利用効率の
向上された装置が構成でき、また、表示装置や撮像装置
における光−光変換素子として光の入射面及び光の出射
面が曲面状に構成されているものを使用することにより
光学系の構成を簡単化できる。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の光−光変換素子と応
用装置の具体的な内容を詳細に説明する。

第１図乃至第７図及び第２０図乃至第２４図は表示装置
の実施例の側面図、第８図乃至第１３図及び第１５図な
らびに第１９図は光−光変換素子の説明に用いられる側
面図、第１４図と第１６図乃至第１８図及び第２５図乃
至第２７図は撮像装置の実施例の側面図である。

第１図に示されている表示装置において、０は被写体、
Ｌは撮像レンズ、ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）は光−光変換素
子、ｖｂは電源、ＬＳは光源、Ｌｃはコリメーターレン
ズ、Ｌｐは投影レンズ、Ｓはスクリーンであって、この
第１Ｈに示されている表示装置は被写体０の光学像を、
光−光変換素子ＰＰｃ（ＰＰｍ）において高解像度の電
荷像に変換し、さらに、その電荷像を読出し光によって
読出した後に表示させるようにした構成形態のものであ
る。

ここで、まず、第８図及び第９図に示されている光−光
変換素子ＰＰＣｅ、すなわち、電荷像によって情報の記
憶動作が行われるようになされている構成形態の光−光
変換素子ＰＰＣｅの構成態様、動作の概要と、第１０図
乃至第１３図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍ、
すなわち、光変調材層部材として用いられている高分子
一液晶メモリ膜中の液晶の配向状態によって情報の記憶
動作が行われるようになされている構成形態の光−光変
換素子ＰＰＣｍの構成態様、動作の概要とについて説明
する。

まず、第８図においてＰ　Ｐ　Ｃｅは光−光変換素子、
ｖｂは電源であり、光−光変換素子ＰＰＣｅは透明電極
Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラーＤＭＬ
と、高分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶
複合膜を用いて構成した光変調材層部材ＨＬＬと、透明
電極Ｅｔ２とを積層した構成態様のものとなされている
（第９図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣも、第
８図中に示されている光−光変換素子と同じ構成層のも
のである）。

なお、第８図及び第９図中に示されている光−光変換素
子では、光導電層部材ＰＣＬと、高分子材料に高抵抗液
晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成した光
変調材層部材ＨＬＬとの間に、誘電体ミラーＤＭＬを設
けているが、光導電層部材ＰＣＬが読出し光ＲＬを反射
するとともに、読出し光ＲＬに感度を有しないものであ
れば、誘電体ミラーＤＭＬを省いてもよい、この点は第
１０図乃至第１３図中にＰＰＣｍの図面符号を用いて示
しである光−光変換素子における誘電体ミラーＤＭＬ及
び第１４図乃至第１８図中にＰＰＣａｐの図面符号を用
いて示しである光−光変換素子における誘電体ミラーＤ
ＭＬについても同様である）。

ここで、第８図を参照して光−光変換素子ｐｐＣｅにお
ける光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子
一液晶複合膜について説明する。

前記した光変調材層部材ＨＬＬとして使用されている高
分子一液晶複合膜は、例えば、ポリエステル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリエチレン樹脂、ポリ゛プロピレン樹脂、ポリスチ
レン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が１０１４
Ω１以上の高分子材料中に、室温において液晶相を示し
、かつ、高い体積抵抗率を有するネマティック液晶を分
散させることによって構成されている。

次に、前記した高分子一液晶複合膜による光変調材層部
材ＨＬＬを用いて構成されている光−光変換素子の製作
例について述べると、（１）英国ＢＤＨ社製の室温ネマ
ティック液晶Ｅ−４４を３グラム計量し、前記した３グ
ラムの室温ネマティック液晶Ｅ−４４を２０グラムのＰ
ＭＭＡのクロロホルム１０％溶液に添加して攪拌した後
に静置する。

一方の面に透明電極Ｅｔ２として例えばＩＴＯの膜を形
成させたガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略
されている）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけ
るＩＴＯ膜による透明電極Ｅｔｚ上に、前記のように静
置しておいた液晶を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液を
バーコータによって塗布して高分子一液晶複合膜による
光変調材層部材ＨＬＬを構成させる。

前記した高分子材料としては前記したＰＭＭＡの他に、
溶剤に溶けてフィルム状に塗布することができ、かつ、
高い体積抵抗率を有する高分子材料であれば何でもよい
が、特に透明度の良好なポリカーボネート、ＰＥＴなと
は良好に使用できるのである（この点は後述されている
（２）　、　（３）の他の製作例についても同様である
）。

前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち、ガラス板（第８図及び第
９図中では図示が省略されている）と透明電極Ｅｔｌと
光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとが積層され
た構造体とを、単に貼り合わせると第８図及び第９図中
に示されるような光−光変換素子が構成できる。

（２）チッソ株式会社製の室温ネマティック液晶ＬＩＸ
ＯＮ５０１７（またはＬＩＸＯＮ５０２８）を３グラム
計量し、前記した３グラムの室温ネマティック液晶ＬＩ
ＸＯＮ５０１７（またはＬＩＸＯＮ５０２８　）を１０
重量％の２０グラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添
加して攪拌した後に静置する。

一方の面に透明型−極Ｅｔ２としてＩＴＯの膜を形成さ
せたガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略され
ている）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけるＩ
ＴＯ膜による透明電極ＥｔＺ上に。

前記のように静置しておいた液晶を含むＰＭＭＡのクロ
ロホルム溶液をバーコータによって塗布して高分子一液
晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬを構成させる。

前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち、ガラス板（第８図及び第
９図中では図示が省略されている）と透明電極Ｅｔｌと
光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとが積層され
た構造体とを、単に貼り合わせると第８図及び第９図に
示されるような構成の光−光変換素子が得られることに
なる。

（３）メルク・ジャパン社製の室温ネマティック液晶Ｚ
ＬＩ４２７７を３グラム計量し、前記した３グラムの室
温ネマティック液晶ＺＬＩ４２７７を１０重量％の２０
グラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添加して攪拌し
た後に静置する。

一方の面に透明電極Ｅｔ２としてＩＴＯの膜を形成させ
たガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略されて
いる）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけるＩＴ
Ｏ膜による透明型１ＥｔＺ上に、前記のように静置して
おいた液晶を含むＰ　ＭＭＡのクロロホルム溶液をバー
コータによって塗布して高分子一液晶複合膜による光変
調材層部材ＨＬＬを構成させる。

前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によつ
°て作られた構造体、すなわち、ガラス板と透明電極Ｅ
ｔｌと光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとが積
層された構造体とを、単に貼り合せると第８図及び第９
図に示されるような構成の光−光変換素子が得られるこ
とになる。

前記した高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶複
合膜は、それの膜厚のばらつきが±０゜１ミクロンの範
囲となるように成膜することは容易であり、従来の光−
光変換素子に比べて製作が容易である。

前記のようにして製作された高分子一液晶複合膜による
光変調材層部材ＨＬＬにおける液晶は。

高分子材料中に存在する無数の細孔中に閉じ込められた
状態となされているが、前記した光変調材層部材ＨＬＬ
として使用される高分子一液晶複合膜における前記の細
孔は、第１０図乃至第１３図を参照して後述されている
実施例中に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍにおい
て、それの光変調材層部材ＨＬＭとして使用されている
高分子一液晶複合膜で高分子材料中に液晶を閉じ込めて
いる無数の細孔に比べて寸法が大きなものとされている
。

また、前記した（１）〜（３）の製作例の内で製作例の
（２）　、　（３）で使用しているネマティック液晶は
、それの比抵抗がＩ　Ｘ　１０”Ω１というように高い
値を示すものであるために、その液晶を分散させる高分
子材料として体積抵抗率が１０１１０１以上のものを用
いて作られた高分子一液晶複合膜による光変調材層部材
ＨＬＬを備えた光−光変換素子では高い解像度の画像情
報の書込み読出し動作を行うことができ、また、光変調
材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合
膜に与えられる電界は直流電界であっても、液晶として
高抵抗のもの（イオンの混入量が極めて少い液晶）が使
用されていることにより、長時間の経過によっても画像
の解像度の低下が生じないようにできる。

すなわち、高分子一液晶複合膜を用いた光変調材層部材
において、多くのイオンを含んでいるために体積抵抗率
の低い液晶が用いられた場合には、光変調材層部材に印
加された電界によって液晶に含まれているイオンが移動
して、光変調材層部材に電界を与えている電荷像による
電界の強度を低下させるために、液晶分子の光学軸の傾
きが減少し、前記した液晶分子の光学軸の傾きの減少に
よって電荷像による電界が乱れて電荷像の解像度の劣化
が生じるのであるが、前記した製作例の（２）。

（３）で使用しているネマティック液晶のように、それ
の比抵抗がｌ　Ｘ　１０”Ω１というように高い値を示
すものであり、また、その液晶を分散させる高分子材料
として体積抵抗率が１０１４０１以上のものを用いて作
られた高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬ
を備えた光−光変換素子では、液晶には多くのイオンが
含まれていないためにイオンによる前述のような不都合
な動作が行われず、したがって前記した構成の光−光変
換素子では、高い解像度の画像情報の書込み読出し動作
が行われるのである。

さて、第８図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｅに
おいて、それの２つの透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２間に電
源ｖｂから電圧を与えて、散乱モードで動作しうる光変
調材層部材として構成されている高分子材料に高抵抗液
晶を分散させた高分子一液晶複合膜による光変調材層部
材ＨＬＬ間に電界が加わるようにしておき、また、光−
光変換素子ＰＰＣｅにおける光導電層部材ＰＣＬ側に書
込み光ＷＬを光導電層部材ＰＣＬに与えると、前記した
光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入射
光と対応して変化するために、光導電層部材ＰＣＬと誘
電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材に結与え
られた光と対応した電荷像が生じる。

前記の状態において、電源ｖｂの電圧が印加されている
２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に、前記した光導電
層部材ＰＣＬに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜
による光変調材層部材ＨＬＬには、書込み光と対応した
電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。

この状態で光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている
高分子一液晶複合膜では、前記の電荷像による電界によ
り液晶の配向状態が変化して書込み光と対応した液晶の
配向状態の変化像が生じる。

前記のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生じた電荷像による電界に基づいて、
光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液
晶複合膜に書込み光と対応して生じた液晶の配向状態の
変化像は、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬと
の境界面に生じている電荷像が存在している限り、その
ままの状態に保持されている。

すなわち、前記した電荷像によって光変調材層部材ＨＬ
Ｌとして用いられている高分子一液晶複合膜に与えられ
る電界は直流電界であるが、液晶として高抵抗のもの（
イオンの混入量が極めて少い液晶）が使用されているこ
とにより、既述のように長時間の経過によっても画像の
解像度の低下が生じないようにできる。

なお、第８図示の光−光変換素子ＰＰＣｅにおける２つ
の透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に接続する電源として交
流電源を用いても記録、再生動作を行うことができるこ
とはいうまでもないが、透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔｚ間に
交流電源を接続して記録動作を行った場合には、前記し
たような電荷像の記録が行われないために記録動作と同
時に再生動作を行うことが必要とされる。

次に前述のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（誘電体ミラーＤＭ
Ｌが使用されない場合には、電荷像は光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子
一液晶複合膜との境界面に生じることはいうまでもない
）を消去すると、光変調材層部材ＨＬＬとして用いられ
ている高分子一液晶複合膜に与えられる電界がなくなる
ために高分子一液晶複合膜中の液晶が等方性相になって
読出し光ＲＬを光変調材層部材ＨＬＬに入射させても画
像情報は再生されない、すなわち。

消去が行われることになる。

それで、消去動作としては前記のように光導電層部材Ｐ
ＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（
誘電体ミラーＤＭＬが使用されない場合には、電荷像は
光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＨＬＬとして用い
られている高分子一液晶複合膜との境界面に生じること
はいうまでもない）が消去されるようにすればよく、そ
のためには例えば第９図に例示されているように、消去
用の光源ＥＬＳからの消去光ＥＬをレンズＬｅを介して
光−光変換素子ＰＰＣａの透明電極Ｅｔｌ側から光−光
変換素子ＰＰＣａに入射させて、それの光導電層部材Ｐ
ＣＬの電気抵抗値を低下させるようにすればよい、なお
、前記の消去動作時における光−光変換素子ＰＰＣａの
２つの透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２は、前記した両者間が
短絡された状態にされていても、あるいは両者が接地さ
れていてもよい。

第８図を参照して既述したように、書込み光と対応する
電荷像が光−光変換素子ＰＰＣｅにおける光導電層部材
ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面（誘電体ミラー
ＤＭＬが使用されない場合には、光導電層部材ＰＣＬと
光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液
晶複合膜との境界面）に生じて、その電荷像による電界
が光変調材層部材ＨＬＬに印加されている状態において
、光−光変換素子ＰＰＣｅにおける透明電極Ｅｔ２側か
ら読出し光ＲＬを図示されていないない光源から入射す
ると、その読出し光ＲＬは透明電極Ｅｔ２→光変調材層
部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜→
誘電体ミラーＤＭＬの経路で誘電体ミラーＤＭＬに達し
、そこで反射された後に光変調材層部材ＨＬＬとして用
いられている高分子一液晶複合膜→透明型［１Ｅｔ２の
経路で光−光変換素子ＰＰＣｅから出射する。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣａから出射され
た読出し光ＲＬは、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラー
ＤＭＬとの境界面（誘電体ミラーＤＭＬが使用されない
場合には、光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＨＬＬ
として用いられている高分子一液晶複合膜との境界面）
に生じている電荷像による電界と対応して光の強度が変
化している状態のものになっている。

すなわち、光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている
高分子一液晶複合膜における液晶に、被写体の光学像と
対応した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加
わることにより、前記の液晶がそれに印加された電界強
度と対応して配向の状態を変化して、光変調材層部材Ｈ
ＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜中を前記
のように往復通過する読出し光ＲＬに対して異なる散乱
動作を行うから、光変調材層部材ＨＬＬに読出し光を投
射すると、光変調材層部材ＨＬＬを通過した後に出射し
た読出し光ＲＬは、それの光強度が被写体の光学像と対
応して変化しているものになるのである。

このように光−光変換素子ＰＰＣａから出射する読出し
光ＲＬが書込み光と対応して光強度が変化している状態
のものになっているから、そ九を検光子によって光強度
の変化している光に変換してから利用している場合に比
べて、構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的
に使用することができるという利点が得られる。

読出し光ＲＬの光源としてはレーザ光源、白熱灯、放電
灯など、任意の光源からの光を用いることができる。ま
た、読出し光ＲＬは微小な径の光束でも、大面積の光束
でも使用できることはいうまでもない。

これまでに説明した光−光変換素子における散乱モード
で動作しうる光変調材層部材としては、高分子材料に高
抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成
した光変調材層部材、及び高分子材料に液晶を分散させ
た高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部
材を使用した実施例について説明したが１本発明は電界
により光の散乱状態繰返し変化するＰＬＺＴ（例えばＰ
ＬＺＴ８／７０／３０　）を光変調材層部材として構成
させた光−光変換素子が用いられてもよい。

なお、電界により光の散乱状態繰返し変化するＰＬＺＴ
（例えばＰＬＺＴ８／７０／３０）が光変調材層部材と
して用いられた光−光変換素子の場合には、消去は加熱
ではなく消去光を光−光変換素子に入射させて行うよう
にされる。

次に、第１０図乃至第１３図に示されている光−光変換
素子について説明する。各回においてＰＰＣｍは光−光
変換素子、ｖｂは電源、ＷＬは書込み光、ＲＬは読出し
光であり、また、第１０図においてＨＥＣは加熱用電源
、第１１図においてＬａはレンズ、ＥＬＳは消去用の光
源、第１３図においてＥＬＳＩは消去用のレーザ光源、
ＤＥＦは光偏向器、Ｍは反射鏡である。

第１０図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍは透
明電極Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラー
ＤＭＬと、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶
メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材ＨＬＭと、透
明電極Ｅｔ２と、加熱層ＨＥＬ（この加熱層ＨＥＬと透
明電極Ｅｔ２とが兼用された構成のものとされもよい）
とを積層した構成態様のものとなされており、また、第
１１図及び第１３図中に示されている光−光変換素子Ｐ
ＰＣｍは透明電極Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘
電体ミラーＤＭＬと、高分子材料に液晶を分散させた高
分子一液晶メモリ膜を用いて構成−した光変調材層部材
ＨＬＭと、熱吸収層）ＩＩＬと、透明電極Ｅｔ２とを積
層した構成態様のものとなされており、さらに、第１２
図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍは透明電極
Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラーＤＭＬ
と、熱吸収層ＨＩＬと、高分子材料に液晶を分散させた
高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材
ＨＬＭと、透明電極Ｅｔ２とを積層した構成態様のもの
となされている。

なお、第１０図及び第１１図ならびに第１３図中に示さ
れている光−光変換素子ＰＰＣｍでは。

光導電層部材ＰＣＬと、高分子材料に液晶を分散させた
高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材
ＨＬＭとの間に、誘電体ミラーＤＭＬを設けているが、
光導電層部材ＰＣＬが読出し光ＲＬを反射するとともに
、読出し光ＲＬに感度を有しないものであれば、誘電体
ミラーＤＭＬを省いてもよく、また、第１２図中に示さ
れている光−光変換素子ＰＰＣｍでは、光導電層部材ｐ
ｃＬと、熱吸収層ＨＩＬとの間に、誘電体ミラーＤＭＬ
を設けているが、熱吸収層ＨＩＬと光導電層部材ＰＣＬ
との一方のものが読出し光ＲＬを反射するとともに、読
出し光ＲＬに感度を有しないものであれば誘電体ミラー
ＤＭＬを省いてもよい。

第１０図中に示されている光−光変換素子ＰＣＣｍにお
ける加熱層）ＩＥＬは、消去動作時に加熱用電源ＨＥＣ
から供給される電力によって発熱して、高分子材料に液
晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成され
ている光変調材層部材ＨＬＭ中の液晶を溶融させるため
のものであり、また、第１１図乃至第１２図中に示され
ている熱吸収層ＨＩＬは、消去動作時に消去用の光によ
って発熱して、高分子材料に液晶を分散させた高分子一
液晶メモリ膜を用いて構成されている光変調材層部材Ｈ
ＬＭ中°の液晶を溶融させるためのものである。

前記した第１０図乃至第１２図に示されている光−光変
換素子ＰＰＣｍにおける光変調材層部材ＨＬＭは、何れ
も高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜
を用いて構成されている。

前記した光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて光変調材層部
材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶メモリ膜は
、第８図を参照して説明した光−光変換素子ＰＰＣａに
おける光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分
子一液晶複合膜と同様に、例えば、メタクリル樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニール
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂のような体
積抵抗率が１０１４Ω１以上の高分子材料中に、室温に
おいて液晶相を示し、かつ、高い体積抵抗率を有するネ
マティック液晶を分散させることによって構成させるこ
とができる。

そして、前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成の
ために使用される液晶としては、室温でネマチック相を
形成するものであれが、どのようなものが使用されても
よいが、体積抵抗率が高いもの、粘度が高いものが使用
されることは、情報を高いコントラスト比で再生させた
り、記録性能を高める上で良い結果を生じさせる。また
、前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成のために
使用される液晶としては高分子材料の融点よりも低い融
点のものが使用されることが必要である。

ところで、前記した光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて光
変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜は、第８図を参照して既述されている高分子一
液晶゛複合膜を使用して構成された光変調材層部材ＨＬ
Ｌが、それに印加されている電界によって液晶の配向の
状態が保持されていたのとは異なり、光変調材層部材Ｈ
ＬＭに電界が印加されて高分子一液晶メモリ膜中の液晶
の配向状態が変化された後に、電界が除去されても高分
子一液晶メモリ膜中の液晶の配向状態が変化しない、と
いうメモリ機能を備えているようなものとして作られる
のである。

前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成要素の一つ
として用いられている液晶は、高分子一液晶メモリ膜Ｈ
ＬＭの他の構成要素として用いられている多孔質の高分
子材料膜中にランダムに分布している状態で形成されて
いる無数の微小な細孔中に封入された状態になされてい
るが、前記した高分子一液晶メモリ膜中の液晶によるメ
モリ機能は、液晶が閉じ込められている高分子材料中の
細孔の大きさを小さくして、高分子材料中の液晶に加え
られる細孔の壁の力が大きくすることによって得られる
ものと考えられており、前記の細孔が例えば０．５ミク
ロン程度以下の径のものとなされることは望ましい実施
の態様である。

前記のように高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高
分子材料膜中にランダムに分布して形成されている無数
の微小な細孔中に封入されている液晶に電界が印加され
て高分子一液晶メモリ膜が透明な状態になるような傾向
で液晶に生じた配向状態が前記した印加電界の除去後に
おいても保持され続けるというメモリ機能について補足
説明を行うと次の通りである。

細孔中に封入されている液晶分子は、細孔壁表面の力を
受けている状態で微小な細孔中にネマティック相の状態
で封入された状態になされている（細孔中に封入されて
いる液晶分子は細孔壁の表面の力を受けるが、細孔壁に
近い液晶分子になる程前記の力は大きく加わる。したが
って径の小さな細孔になる程、細孔中に封入されている
液晶分子に加わる細孔壁の表面の力の影響が大になる）
が、前記のように細孔壁の表面の力を受けている状態で
細孔中に封入されている液晶に対して、ある閾値以上の
電界強度の電界が印加された場合には、細孔壁の表面か
らの力を受けている状態で細孔中にネマティック相の状
態で封入されている液晶分子は、前記した細孔壁の表面
から加えられている力に抗して電界の方向に配向するよ
うに変位する。

そして電界の印加に対応して液晶分子に生じる変位の態
様は、印加される電界の強度に応じて変化し、液晶に印
加される電界が弱い状態のときは細孔壁の表面から加え
られている力が弱い液晶分子、すなわち、主として細孔
の中心部付近に位置する液晶分子だけが印加された電界
の方向に向くような傾向で変位し、液晶に印加される電
界の強度が次第に強くなるのにつれて、細孔壁の表面か
ら加えられている力が強い液晶分子、すなわち。

細孔壁に近くに位置する液晶分子も印加された電界の方
向に液晶の分子軸の方向が向くような傾向で変位すると
いう変位の態様で液晶分子が配向する。

それで、高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高分子
材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の微
小な細孔中にネマティック相の状態で封入されている液
晶分子は、電界の印加時に前記した細孔壁の表面から加
えられている力に抗して液晶の分子軸の方向が電界の方
向に向くような傾向で変位するような変位の態様で配向
されるが、前記のように印加された電界によって配向さ
れた液晶の分子は既述した細孔壁の表面の力によって、
そのままの姿態に保持されるから、前記のように電界の
印加によって変化された液晶の配向の状態は印加された
電界が除去された後においても、そのままの状態に保持
されるためにメモリ機能を示すのである。

そして、液晶の配向の状態による情報の記憶状態を消去
するのには、光変調材層部材ＨＬＭとして使用されてい
る高分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と
高分子材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を
溶融させて等方性相とすることによって行うことが必要
とされ、前記のようにして溶融状態になされて等方性相
になっていた液晶は１時間の経過により冷却してネマテ
ィック相になり、その部分が不透明な状態に変化する。

まず、第１０図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍ
の２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に電源Ｖｂから電
圧を与えて、散乱モードで動作しうる光変調材層部材と
して構成されている高分子材料に液晶を分散させた高分
子一液晶メモリ膜による光変調材層部材ＨＬＭ間に電界
が加わるようにしておき、また、光−光変換素子ＰＰＣ
ｍにおける光導電層部材ＰＣＬ側から図示されていない
撮像レンズを介して被写体の光学像を書込み光ＷＬとし
て光導電層部材ＰＣＬに結像させると、前記した光導電
層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入射光によ
る光学像と対応して変化するために。

光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に
は光導電層部材に結像した被写体の光学像と対応した電
荷像が生じる。

前記の状態において、電源ｖｂの電圧が印加されている
２つの透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に、前記した光導電
層部材ＰＣＬに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜によ
る光変調材層部材ＨＬＭには、被写体の光学像と対応し
た電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。

この状態で光変調材層部材ＨＬＭとして用いられている
高分子一液晶メモリ膜では、前記の電荷像による電界に
より液晶の配向状態が変化し、被写体の電磁放射線像と
対応した液晶の配向状態の変化像が生じ、その配向の状
態が記憶される。

前記のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生じた電荷像による電界に基づき、光
変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜に被写体の電磁放射線像と対応して生じた液晶
の配向状態の変化像は、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとの境界面に生じている電荷像が除去されて
も、そのままの状態に保持されている。

第１０図示の光−光変換素子ＰＰＣｍにおける加熱層Ｈ
ＥＬ側から読出し光ＲＬを図示されていないない光源か
ら入射すると、その読出し光ＲＬは加熱層ＨＥＬ→透明
電極Ｅｔ２→光変調材層部材ＨＬＭとして用いられてい
る高分子一液晶メモリ膜→誘電体ミラーＤＭＬの経路で
誘電体ミラーＤＭＬに達し、そこで反射された後に光変
調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶メ
モリ膜→透明電極Ｅｔ２の経路で光−光変換素子ＰＰＣ
ｍから出射する。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｍから出射され
た読出し光ＲＬは、光変調材層部材ＨＬＭとして用いら
れている高分子一液晶メモリ膜に生じている液晶の配向
状態の変化像と対応して光の強度が変化している状態の
ものになっている。

このように光−光変換素子ＰＰＣｍから出射する読出し
光ＲＬは書込み光と対応して光強度が変化している状態
のものになっているから、従来の光−光変換素子からの
読出し光のように、それを検光子によって光強度の変化
している光に変換してから利用している場合に比べて、
構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的に使用
することができるという利点が得られる。

なお、読出し光ＲＬの光源としてはレーザ光源。

白熱灯、放電灯など、任意の光源からの光を用いること
ができる。また、読出し光ＲＬは微小な径の光束でも、
大面積の光束でも使用できることはいうまでもない。

次に、前記のようにして光変調材層部材ＨＬＭとして使
用されている高分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向の状
態によって記憶されている情報を消去するには、光変調
材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子一液晶メモ
リ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分子材料の融点と
の間の温度にまで昇温しで、液晶を溶融させて等方性相
とすることによって行うことが必要とされるが、それは
第１０図示の実施例の表示装置においては消去動作時に
加熱用電源ＨＥＣからの加熱用電力を光−光変換素子Ｐ
ＰＣｍの加熱層ＨＥＬ（この加熱層ＨＥＬと透明電極Ｅ
ｔ２とが兼用された構成のものとされもよい）に供給し
て加熱層ＨＥＬを発熱させ、光変調材層部材ＨＬＭとし
て使用されている高分子一液晶メモリ膜を加熱して、高
分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分
子材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を溶融
させて等方性相とすることによって行うことができる。

なお、書込み動作時に光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（誘電体ミラーＤＭ
Ｌが使用されない場合には、電荷像は光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子
一液晶メモリ膜との境界面に生じることはいうまでもな
い）が残っている場合には、前記した加熱による高分子
一液晶メモリ膜における記憶の消去動作を行う以前に。

前記のその電荷像も消去することが必要であるが、前記
の電荷像の消去を行うためには例えば第９図に関して既
述したように、消去用の光源からの消去光をレンズを介
して透明電極Ｅｔｌ側から光−光変換素子ＰＰＣｍに入
射させて、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値を低下させ
るようにすればよい。

また、前記の消去動作時に２つの透明電極Ｅｔｌ。

ＥｔＺ間を短絡した状態にしておいても、あるいは開放
状態にしておいても、もしくは接地してもよい。

第２９図は高分子一液晶メモリ膜を光変調材層部材）（
ＬＭ−とじて使用している光−光変換素子ＰＰＣｍの具
体的な構成例を示す斜視図であり、この図においてＥｔ
ｌ、　Ｅｔ２は透明電極、ＰＣＬは光導電層部材、ＤＭ
Ｌは誘電体ミラー、ＨＬＭは光変調材層部材として使用
されている高分子一液晶メモリ膜、１６．１８は電極、
１７はＰ型半導体部材、１９はｎ型半導体部材、２０．
２１は電源である。

第２８図は前記した第２９図中に示されている光−光変
換素子ＰＰＣｍにおける光変調材層部材ＨＬＭを構成し
ている高分子一液晶メモリ膜を液晶の融点の温度と高分
子材料の融点との間の温度にまで加熱して液晶を溶融さ
せて等方性相とし。

光変調材層部材ＨＬＭの記憶内容を消去させるようにす
るための構成部分の斜視図であり、第３０図は第２９図
示の光−光変換素子ＰＰＣｍにおける消去、書込み、読
出しの各動作のタイムチャートである。

第２８図は、第２９図に示しである光−光変換素子ＰＰ
Ｃｍにおける透明電極Ｅｔ２の部分及び加熱、冷却素子
の部分を特に取出して示したものであって、第２９図示
の光−光変換素子ＰＰＣｍは、それの透明電極Ｅｔ２の
一端部にはＰ型半導体部材１７が、またそれの他端部に
はｎ型半導体部材１９が設けられており、さらに前記し
たＰ型半導体部材１７上には電極１６が設けられ、さら
にまたｎ型半導体部材１９には電極１８が設けられてい
る。

前記した透明電極Ｅｔ２としては、熱伝導率の面から考
えて金（Ａｕ）の薄膜を使用することは望ましい実施の
態様である。また前記したＰ型、ｎ型の半導体部材１７
．１９としては、例えばＳｌ。

ａ−８ｉ、Ｂｉ２Ｔａ３．ＰｂＴｅ、ＦｅＳｉ２などが
使用されてもよいのであり、前記した半導体部材１７゜
１９としては１例えばｎ　１１１　ａ　−Ｓ　ｉとＰ型
ａ−５ｉとの組合わせ、というような使用材料の選択が
行なわれる。

また、前記した電極１６．１８としては、前記したＰ型
、ｎ型の各半導体部材１７．１９に対して、オーミック
コンタクトがとれる金属１例えばアルミニウム、錫、金
（Ａｕ）などの内から適当なものが選択使用されてよい
。

高分子一液晶メモリ膜を光変調材層部材ＨＬＭとして使
用している第２９図示の光−光変換素子ＰＰＣｍにおい
て、透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２には電源２１が接続され
ており、また、電極１６．１８には電源２０が接続され
ている。

前記した電＠２０．２１は光−光変換素子ＰＰＣｍにお
ける各動作モードに従って、それぞれ接続されている電
極１６．１８間、または透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に
第３０図に例示されているような電圧を供給する。

光−光変換素子ＰＰＣｍに対して新たな書込み動作が行
なわれるときには、前記の新たな書込み動作の開始に先
立って光−光変換素子ＰＰＣｍの光変調材層部材ＨＬＭ
に記憶されている情報を消去するために、電源２０から
電極１６→Ｐ型半導体部材１７→透明電極Ｅｔ２→ｎ型
半導体部材１９→電極１８→電源２０の回路に電流が流
されると、前記したＰ型半導体部材１７とｎ型半導体部
材１９とにオーミックコンタクトしている透明電極Ｅｔ
２が加熱されて、それにより光変調材層部材ＨＬＭに使
用されている高分子一液晶メモリ膜における液晶が溶融
して等方性晶になされる。

電源２０の電圧の極性が前記した消去期間の終７時に反
転されて、電源２０から電極１８→ｎ型半導体部材１９
→透明電極Ｅｔ２→Ｐ型半導体部材１７→電極１６→電
源２０の回路に電流が流されると、前記したＰ型半導体
部材１７とｎ型半導体部材１９とにオーミックコンタク
トしている透明電極Ｅｔ２が冷却されて、光変調材層部
材ＨＬＭに使用されている高分子一液晶メモリ膜におけ
る液晶が等方性晶からネマティック相に戻される。

前記した電源２０から電極１６．１８間に流される電流
の方向は、既述した消去動作時だけに透明電極Ｅｔ２が
発熱される状態となされるような電流の方向、すなわち
、Ｐ型半導体部材１７の方からｎ型半導体部材１９に向
って電流が流れるようになされ、また、前記した消去動
作以外の動作モードには常にｎ型半導体部材１９の方か
らＰ型半導体部材１７に向って電流が流されて透明電極
Ｅｔ２が冷却される状態になされている。

第２９図示の光−光変換素子ＰＰＣｍが書込み動作を行
なう場合には、電源２１から透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ
間に電圧を与えて、散乱モードで動作しうる光変調材層
部材として構成されている高分子材料に液晶を分散させ
た高分子一液晶メモリ膜による光変調材層部材ＨＬＭ間
に電界が加わるようにしておき、光−光変換素子ＰＰＣ
ｍにおける光導電層部材ＰＣＬ側から書込み光を入射さ
せて光導電層部材ＰＣＬに結像させると、前記した光導
電層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入射光に
よる光学像と対応して変化し、光導電層部材ＰＣＬと誘
電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材に結像し
た被写体の光学像と対応した電荷像が生じ、それにより
高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜に
よる光変調材層部材ＨＬＭには、被写体の光学像と対応
した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わり
。

高分子一液晶メモリ膜における液晶の配向状態が変化し
、被写体の電磁放射線像と対応した液晶の配向状態の変
化像が生じ、その配向の状態が記憶される。

前記のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生じた電荷像による電界に基づき、光
変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜に被写体の電磁放射線像と対応して生じた液晶
の配向状態の変化像は、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとの境界面に生じている電荷像が除去されて
も、そのままの状態に保持されている。

次に、第２９図示の光−光変換素子ＰＰＣｍにおける透
明電極Ｅｔ２側から読出し光を図示されていないない光
源から入射すると、その読出し光が透明電極Ｅｔ２→光
変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜→誘電体ミラーＤＭＬの経路で誘電体ミラーＤ
ＭＬに達し、そこで反射された後に光変調材層部材ＨＬ
Ｍとして用いられている高分子一液晶メモリ膜→透明電
極Ｅｔ２の経路で光−光変換素子ＰＰＣｍから出射する
。

次に、第１１図乃至第１３図示の光−光変換素子ＰＰＣ
ｍの構成は、既述した第１０図に示されている光−光変
換素子ＰＰＣｍとは異なっているが、第１１図及び第１
３図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍにおける書
込み動作と読出し動作とは、既述した第１０図示の光−
光変換素子ＰＰＣｍにおける書込み動作及び読出し動作
と同一であって、消去動作について異なるだけである。

すなわち、第１１図乃至第１３図示の光−光変換素子Ｐ
ＰＣｍでは、光変調材層部材ＨＬＭとして使用されてい
る高分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向の状態によって
記憶されている情報を消去するための消去動作に際して
、光変調材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子一
液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分子材料
の融点との間の温度にまで昇温させるための加熱作用が
、消去光の照射によって生じる熱吸収層ＨＩＬの昇温に
よって行われるような構成が採用されている点が既述の
第１０図示の光−光変換素子ＰＰＣｍとは異なっている
のである。

そして、第１１図示の光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｍの消
去動作は、それの熱吸収層ＨＩＬに、消去用光源ＥＬＳ
からの消去光をレンズＬｅを介して照射することにより
行うようにしており、また、第１２図示の光−光変換素
子ＰＰＣｍの消去動作は。

それの熱吸収ＭＨＩＬに、図示されていない消去用光源
からの消去光ＥＬを透明電極Ｅｔｌと光導電層部材ＰＣ
Ｌとを介して照射することにより行うようにしており、
さらに、第１３図示の光−光変換素子ＰＰＣｍの消去動
作は、光−光変換素子ＰＰＣｍにおける熱吸収層ＨＩＬ
に、消去用レーザ光源ＥＬＳＱからの消去光を光偏向装
ｆｉＤＥＦによって所定の偏向態様で偏向し、それを反
射鏡Ｍを介して照射することにより行うようにしている
。

なお、第１１図乃至第１３図示の光−光変換素子ＰＰＣ
ｍに設けるべき熱吸収層ＨＩＬは、それに生じた消去用
の熱が変調材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子
一液晶メモリ膜中の液晶を有効に昇温できるようにでき
れば、光−光変換素子ＰＰＣｍ中のどの部分に設けられ
ていてもよいことは勿論であり、また前記の熱吸収［Ｈ
ＩＬと電極とが兼用されるような構成になされていても
よい。

さて、前記したように散乱モードで動作しうる光変調材
層部材を備えている光−光変換素子ｐｐＧｏ（または光
変換素子ＰＰＣｍ）を備えている本発明の表示装置にお
いて、まず、第１図に示されている実施例の表示装置で
は、光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）に対し
て被写体０の光学像が撮像レンズＬによって光−光変換
素子ＰＰＣθ（またはＰＰＣｍ）における光導電層部材
に結像されて、それに対応する電荷像が第８図乃至第１
３図を参照して既述したように、光−光変換素子ＰＰＣ
ｅ（またはＰＰＣｍ）における光導電層部材ＰＣＬにお
ける透明電極Ｅｔｌ側とは反対側の面と他の部材との境
界面に生じて、その電荷像による電界が光変調材層部材
ＨＬＬ（またはＨＬＭ）に印加されることによって、光
変調材層部材ＨＬ　Ｌ（またはＨＬＭ）として用いられ
ている高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ
膜）中−の液晶の配向の状態は、それに印加された電界
強度と対応して変化して、その配向状態が保持される。

それで、光源ＬＳからコリメータレンズＬｃを介して読
出し光を光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ　）
における透明電極Ｅｔ２側に入射させると、その読出し
光は透明電極Ｅｔ２→光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨ
ＬＭ）として用いられている高分子一液晶複合膜（また
は高分子一液晶メモリ膜）→誘電体ミラーＤＭＬの経路
で誘電体ミラーＤＭＬに達し、そこで反射された後に光
変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられて
いる高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜
）→透明電極Ｅｔ２の経路で光−光変換素子ＰＰＣｅ　
（またはＰＰＣｍ）から出射する。

（なお、前記した光−光変換素子中における読出し光の
光路についての説明は、光−光変換素子における読出し
光の光路中に加熱層ＨＥＬや熱吸収層ＨＩＬを備えてい
ない構成の光−光変換素子に関するものであるが、光−
光変換素子における読出し光の光路中に加熱層ＨＥＬや
熱吸収層ＨＩＬを備えている構成の光−光変換素子にお
ける読出し光の光路中には加熱層ＨＥＬや熱吸収層ＨＩ
Ｌが含まれることはいうまでもない）。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ）から出射された読出し光は、既述した光導電層部
材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像によ
る電界と対応して光の強度が変化している状態のものに
なっている。

すなわち、光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）とし
て用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子一
液晶メモリ膜）における液晶に、被写体の光学像と対応
した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる
ことにより、前記の液晶がそれに印加された電界強度と
対応して配向の状態を変化して、光変調材層部材ＨＬＬ
（またはＨＬＭ　）として用いられている高分子一液晶
複合ｌ１ｌ（または高分子一液晶メモリ膜）中を前記の
ように往復通過する読出し光ＲＬに対して異なる散乱動
作を行うから、光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ　
）に読出し光を投射すると、光変調材層部材ＨＬＬ（ま
たはＨＬＭ）を通過した後に出射した読出し光は、それ
の光強度が被写体の光学像と対応して変化しているもの
になるのである。

このように光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）
から出射する読出し光が書込み光と対応して光強度が変
化している状態のものになっているから、それを検光子
によって光強度の変化している光に変換してから利用し
ている場合に比べて、構成の簡単化が容易になるととも
に、光を効率的に使用することができるという利点が得
られるのであり、光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ
）から出射した読出し光は投影レンズＬｐを介してスク
リーンＳに結像されて、スクリーンＳに被写体０の光学
像を表示させることができる。

前記したスクリーンＳ上の光学像は、読出し光の光源Ｌ
Ｓの光出力を大にすれば高輝度にできる。

前記の読出し光の光源としてはレーザ光源、白熱灯、放
電灯など、任意の光源からの光を用いることができる。

前記した第１図に示す表示装置では、消去手段について
の図示が省略（この点は第２図乃至第７図についても同
じ）されているが、消去動作は第、９図乃至第１３図を
参照して既述したような消去手段を適用することによっ
て行うことができる。

次に、第２図乃至第７図にそれぞれ示されている実施例
の表示装置゛について説明する。第２図乃至第７図示の
各実施例の表示装置において、光−光変換素子ＰＰＣｅ
（ＰＰＣｍ）に対する書込み動作は表示の対象にされて
いる情報によって強度変調されているレーザ光によって
行われるようになされている（第２図乃至第７図に示さ
れている表示装置においても、それに使用されるべき光
−光変換素子が、第２図乃至第７図示の各実施例の表示
装置で用いられるとして図中に示されている光−光変換
素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）の代わりに、第１４図乃至第
１８図中に図面符号ＰＰＣａｐとして示されている光−
光変換素子ＰＰＣｅｐ、すなわち、印加された電界によ
って光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器が光変
調材層部材として用いられているものであってもよいこ
とは勿論である）。

第２図乃至第７図の各回において、ＬＳΩは表示の対象
にされている情報によって強度変調されているレーザ光
を出射するレーザ光源、Ｌｌ、　Ｌ２はレンズ、ＤＥＦ
は光偏向器であって、表示の対象にされている情報によ
って強度変調されているレーザ光を出射するレーザ光源
ＬＳＩから出射されたレーザ光は、光偏向器ＤＥＦによ
って所定の偏向態様で偏向された書込み光として光−光
変換素子ＰＰｃ（ＰＰｍ）に与えられて、光−光変換素
子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）に書込まれる。

第２図示の表示装置において、ｖｂは電源、ＬＳは光源
（読出しの光源）、Ｌｃはコリメーターレンズ、Ｌｐは
投影レンズ、Ｓはスクリーンであって、この第２図示の
表示装置では表示の対象にされている情報によって強度
変調されているレーザ光が光−光変換素子ＰＰＣａ（ま
たはＰＰＣｍ）に対して与えられると、その書込み光は
光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）における光
導電層部材に結像されて、それに対応する電荷像が第８
図乃至第１３図を参照して既述したように、光−光変換
素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）における光導電層部材
ＰＣＬにおける透明電極Ｅｔｌ側とは反対側の面と他の
部材との境界面に生じて、その電荷像による電界が光変
調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ　）に印加されること
によって、光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）とし
て用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子一
液晶メモリ膜）中の液晶の配向の状態は、それに印加さ
れた電界強度と対応して変化し、その配向状態が保持さ
れるから、光源ＬＳからコリメータレンズＬｃを介して
読出し光を光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ　
）における透明電極ＥｔＺ側に入射させると、その読出
し光は第１図示の表示装置の場合と同様に光変調材層部
材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられている高分子
一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜）→誘電体
ミラーＤＭＬを往復して光−光変換素子ＰＰＣｅ（また
はＰＰＣｍ）から出射する。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰ
Ｃｍ　）から出射された読出し光は、既述した光導電層
部材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像に
よる電界と対応して光の強度が変化している状態のもの
になっているから、光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣ
ｍ）から出射した読出し光は投影レンズＬｐを介してス
クリーンＳに゛結像されて、スクリーンＳに被写体０の
光学像を表示させることができる。

次に第３図及び第４図ならびに第６図にそれぞれ示され
ている表示装置は、それに使用されている光−光変換素
子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）が。

読出し光を透過させうるような構成形態のものとされて
いて、読出し光が書込み光の入射側と同じ側から光−光
変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）に与えられるよう
にされている場合の実施例であり、前記した第３図及び
第４図ならびに第６図にそれぞれ示されている表示装置
において使用されている光−光変換素子ＰＰＣｅ（また
はＰＰＣｍ）としては１例えば読出し光を反射させる誘
電体ミラーを備えてなく、また、読出し光に感度を有し
ない光導電層部材が用いられる。

まず、第３図示の表示装置において、ｖｂは電源、ＬＳ
は光源（読出しの光源）、Ｌｃはコリメーターレンズ、
Ｌｐは投影レンズ、Ｓはスクリーンであって、表示の対
象にされている情報によって強度変調されているレーザ
光が光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはｐｐｃｍ）に対し
て与えられると、その書込み光は光−光変換素子ＰＰＣ
ｅ（またはＰＰＣｍ）における光導電層部材に結像され
て、それに対応する電荷像が光−光変換素子ＰＰＣｅ（
またはＰＰＣｍ）における光導電層部材ＰＣＬにおける
透明電極Ｅｔｌ側とは反対側の面と他の部材との境界面
に生じて、その電荷像による電界が光変調材層部材ＨＬ
Ｌ（またはＨＬＭ）に印加されることによって、光変調
材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられている
高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜）中
の液晶の配向の状態は、それに印加された電界強度と対
応して変化して、その配向状態が保持される。

光源ＬＳからコリメータレンズＬｃを介して読出し光を
光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）における透
明電極Ｅｔｌ側に入射させると、その読出し光は光導電
層部材と光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として
用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子一液
晶メモリ膜）とを透過して透明電極Ｅｔ２側から光−光
変換素子ｐｐｃｅ（またはＰＰＣｍ）を出射する。

前記のようにして光−光変換素子ｐｐｃａ（！！：たは
ＰＰＣｍ　）から出射した読出し光は、既述した光導電
層部材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像
による電界と対応して光の強度が変化している状態のも
のになっているから、光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ）より出射した読出し光は投影レンズＬＰを介して
スクリーンＳに結像されて、スクリーンＳには書込み情
報と対応する光学像が表示できる。

第４図に示す表示装置は、前記した第２図及び第３図に
ついて説明した表示装置の場合と同様に光−光変換素子
ｐｐｃｅ（またはＰＰＣｍ）に書込みが行われた後に、
書込み光の入射側からバックライトＬｂで照射して、そ
の光を光−光変換素子ＰＰＣθ（またはＰＰＣｍ）の光
導電層部材と光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）と
して用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子
一液晶メモリ膜）とを透過させて透明電極Ｅｔ２側から
出射させるようにし、その出射光を直視するようにした
表示装置である。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ　）から出射したバックライトＬｂによる読出し光
は、既述した光導電層部材ＰＣＬと他の部材との境界面
に生じている電荷像による電界と対応して光の強度が変
化している状態のものになっているから、光変換素子Ｐ
　Ｐ　Ｃｅ　（またはＰＰＣｍ　）より出射した読出し
光を直視することにより表示の目的が達成されるのであ
る。

また、第５図に示す表示装置は、前記した第２図につい
て説明した表示装置の場合と同様に反射型の光−光変換
素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）を備えて構成されてい
るから、光−光・変換素子ＰＰＣｏ（またはＰＰＣｍ）
に対して第２図乃至第４図について述べたと同様にして
に書込み動作を行った後に、透明電極Ｅｔ２側から読出
し光ＲＬを照射して、その光が光−光変換素子ＰＰＣａ
（またはＰＰＣｍ）の光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨ
ＬＭ）として用いられている高分子一液晶複合ＷＡ（ま
たは高分子一液晶メモリ膜）を往復して透明電極Ｅｔ２
側から出射させるようにし、その出射光を直視するよう
にした表示装置である。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ　）から出射した読出し光は、既述した光導電層部
材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像によ
る電界と対応して光の強度が変化している状態のものに
なっているから、光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ
）より出射した読出し光を直視することにより表示の目
的が達成されるのである。

次に、第６図及び第７図は光−光変換素子ｐｐＣｏ（ま
たはＰＰＣｍ）に対して書込まれた情報を読出すための
光学系としてシュリーレン光学系を用いた表示装置であ
り、第６図及び第７図において１はシュリーレン入力マ
スク、２はレンズ、３はシュリーレン出力マスクである
。

第６図示の表示装置は、それに使用されている光−光変
換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）が、読出し光を透過
させうるような構成形態のものどされていて、光−光変
換素子ＰＰＣ５（またはＰＰＣｍ）に対して書込まれた
情報を読出すための光学系としてシュリーレン光学系を
用いた表示装置であり、第６図示の表示装置において、
表示の対象にされている情報によって強度変調されてい
るレーザ光を出射するレーザ光源ＬＳｆｌから出射され
たレーザ光は、光偏向器ＤＥＦによって所定の偏向態様
で偏向された後にダイクロイックミラー４によって反射
されて書込み光として光−光変換素子ＰＰｃ（ＰＰｍ）
に与えられ、光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）に書
込まれる。

第６図（及び後述の第７図）示の表示装置においてｖｂ
は電源、ＳＷはスイッチであり１表示装置の光−光変換
素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）が書込み動作を行って
いる状態においては、スイッチＳＷの可動接点が電源ｖ
ｂ側に切換えられて光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰ
ＰＣｍ）の透明電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２に電圧を供給し、
また、書込み動作時以外の動作状態においては前記した
スイッチＳＷの可動接点によって光−光変換素子Ｐ　Ｐ
　Ｃｅ　（またはＰＰＣｍ　）の透明電極Ｅｔｌ、　Ｅ
ｔ２間を短絡状態になされる。

第６図に示す表示装置は、透過型の光−光変換素子ＰＰ
Ｃｅ（またはＰＰＣｍ）に対し、前記した第２図乃至第
５図示の表示装置について説明した場合と同様に書込み
光により書込み動作が行われた後に、読出し光ＲＬがシ
ュリーレン光学系のシュリーレン入力マスク１とレンズ
２とを介して光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ
）の透明電極Ｅｔｌ側から入射される。

透過型の光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）の
透明電極Ｅｔｌ側から入射した前記した読出し光は光−
光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）の光導電層部材
と光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ　）として用い
られている高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メ
モリ膜）とを透過して透明電極Ｅｔ２側から出射し、シ
ュリーレン光学系の出力マスク３と投影レンズＬｐとを
介してスクリーンＳに投影され、スクリーンＳに表示の
対象にされている情報を映出させる。

第７図に示す表示装置は１反射型の光−光変換素子ＰＰ
Ｃａ（またはＰＰＣｍ）に対し、前記した第２図乃至第
５図示の表示装置について説明した場合と同様に書込み
光により書込み動作が行われた後に、読出し光ＲＬがシ
ュリーレン光学系のシュリーレン入力マスク１とレンズ
２とを介して光−光・変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣ
ｍ）の透明電極Ｅｔ２側から入射される。

反射型の光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）の
透明電極Ｅｔ２側から入射した前記した読出し光は光−
光変換素子ＰＰＣｅ（またはｐｐｃｍ）の光変調材層部
材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられている高分子
一液晶複合膜（または高分子ｉ液晶メモリＩＩＩ）を往
復して透明電極Ｅｔ２側から出射し、シュリーレン光学
系の出力マスク３と投影レンズＬｐとを介してスクリー
ンＳに投影され、スクリーンＳに表示の対象にされてい
る情報を映出させる。

これまでの説明から明らかなように、表示装置中に使用
されている光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃｅ　（またはＰＰ
Ｃｍ　）は、それに入射された読出し光を光変調材層部
材中において光導電層部材ＰＣＬと他の部材との境界面
に生じている電荷像による電界と対応して異なった散乱
状態の光、すなわち、光強度が被写体の光学像と対応し
て変化している状態の光として光−光変換素子ＰＰＣｅ
（またはＰＰＣｍ　）から出射させるから、従来の光−
光変換素子のように光−光変換素子から出射した光を検
光子によって光強度の変化している光に変換してから利
用している場合に比べて、光を効率的に使用することが
できるという利点が得られ、また。

読出し光を光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃａ　（またはＰＰ
Ｃｍ）に対して、光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ）面の法線以外の方向から入射させてもよく、その
ために読出し光の光路中にハーフミラ−や偏光ビームス
プリッタ等を設けなくてもよいから装置の構成の簡単化
が容易になるという利点が得られる。この点は後述され
ている撮像装置についても同様である。

ところが、例えば第１図及び第２図に示されているよう
に、光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）面の法線以外
の方向から入射させた読出し光が被写体の光学像と対応
して光強度の変化している状態の光として光−光変換素
子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ　）から出射されて投影レ
ンズＬｐによりスクリーンＳ上に投影されたスクリーン
Ｓ上の画像は、スクリーンＳの各部における結像の状態
が異なっていると同時に、スクリーンＳの各部における
像倍率が異なっているものとなる。

第２０図は光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）の面の
法線以外の方向から光−光変換素子ＰＰｃｅ（ＰＰＣｍ
）に読出し光ＲＬを入射させた場合でも、スクリーンＳ
上の全面にわたって同一の倍率で、かつ、良好な結像状
態の画像がスクリーンＳ上に投影できるようにした場合
の構成例を示しており、第２０図においてＬＳは光源、
Ｌｃｎはコンデンサレンズ、Ｌｐは投影レンズ、Ｓはス
クリーンである。

第２０図において光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ　
）と投影レンズＬｐとスクリーンＳとは、光−光変換素
子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）の結像面と、投影レンズＬｐの
主平面と、スクリーンＳとが平行な状態で、光−光変換
素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）の結像面の中心と投影レンズ
Ｌｐの主点とスクリーンＳの中心とが１直線上に位置し
ているような状態となるように配置されている。

光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）と投影レンズＬＰ
とスクリーンＳとが、前述のような条件を満足するよう
にして配置された場合には、光源ＬＳからコンデンサレ
ンズＬｃｎを介して読出し光が光−光変換素子ＰＰＣｅ
（またはＰＰＣｍ）の面に対して斜めから入射させても
、スクリーンＳ上にはスクリーンＳの全面にわたって良
好な結像状態で、かつ、スクリーンＳ上のどの部分にも
同一の倍率の画像が投影された状態になされるのである
。

次に、第１９図は光の入射面と光の出射面とを曲面状に
構成させた光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ　）を示
している。この第１９図においてＢＰｉ、ＢＦ２は１例
えばガラス板のような支持基板である。

第１９図に例示されている光−光変換素子ＰＰＣｏ（Ｐ
ＰＣｍ）は、支持基板ＢＰＩに対して反射ＩＩｔＭＱ、
透明電極Ｅｔｌ、光変調材層部材ＨＬＬ（ＨＬＭ）、光
導電層部材ＰＣＬ、透明電極Ｅｔ２゜支持基板ＢＰ２が
順次に積層されて構成されているｅ　Ｖ　ａ　ｃは前記
した電極Ｅｔｌ、ＥｔＺ間に接続されている電源である
。

そして、光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）として、
それの光の入射面と光の出射面とが曲面状に構成された
光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）では、光学系の構
成を簡単化することも可能となる。

なお、前記した光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）の
光の入射面と光の出射面とに形成させるべき曲面の形態
は、例えば球面の一部、あるいは例えば回転楕円体面の
一部、シリントリヵリル状、その他任意の曲面状であっ
てもよい。

例えば、第１９図の側縦断面図に例示されている光−光
変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）のように凹面鏡状の面を
備えている光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）は、光
−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）自体の曲面形状によ
る集光作用を利用することにより、他に投影レンズを用
いることなく第２１図に例示されている表示装置のよう
にスクリーンＳに画像を結像させることもできる。

第２１図においてＬＳは光源、Ｌｃｎはコンデンサレン
ズであり、また、ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）は例えば第１９
図に例示されているような凹面鏡状の面を備えている光
−光変換素子である。

既述のようにして書込みが行われている光−光変換素子
ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）に対して、光源ＬＳから放射され
た読出し光をコンデンサレンズＬｃｎを介して凹面鏡状
の面を備えている光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）
に入射させると、その入射光は光変調材層部材を往復す
る際に、書込まれている情報に応じて強度変調されてい
る状態の光として凹面鏡状の面から出射してスクリーン
Ｓ上に結像させることができる。

第２２図は凹面鏡状の面を備えている光−光変換素子Ｐ
ＰＣａ（ＰＰＣｍ）に対する書込み光の入射と読出し光
ＲＬとの入射が、光−光変換素子ＰＰＣｓ（ＰＰＣｍ）
における同じ面から行われるようにされた場合の実施例
であるが、前記の光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）
は、それの光導電層部材として書込み光の波長域の光に
対しては感度を有するが、読出し光の波長域の光に対し
ては不感なものを用いて構成されているもの用いられて
いる。

第２２図示の表示装置においてＬＳｆｌは書込み信号に
よって強度変調された状態のレーザ光を放射するレーザ
光源、ＤＥＦは光偏向器、ＲＬは図示されていない光源
から放射されている読出し光、Ｌｐは表示の対象にされ
ている情報によって強度変調された状態で光−光変換素
子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ　）から出射された読出し光をス
クリーンＳに結像させる投影レンズである。

第２３図は光の入射面と光の出射面とを曲面状に構成さ
せた光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における凹面
側から書込み光を入射させるとともに、凸面側から読出
し光を入射させるようにした光−光変換素子ＰＰＣｅ（
ＰＰＣｍ）を備えて構成されている表示装置の実施例で
ある。

第２３図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣｏ（Ｐ
ＰＣｍ）は、支持基板ＢＰＩに対して透明電極Ｅｔ１．
光導電層部材ＰＣＬ、誘電体ミラーＤＭＬ、光変調材層
部材ＨＬＬ（ＨＬＭ）、透明電極Ｅｔ２、支持基板ＢＰ
２が順次に積層されて構成されているｓ　Ｖ　ａ　ｃは
前記した電極Ｅｔｌ、ＥｔＺ間に接続されている電源で
ある。

第２３図においてＬＳｆｆｉは書込み信号によって強度
変調された状態のレーザ光を放射するレーザ光源であり
、またＬｌはレンズ、ＤＥＦは光偏向器であり、またＬ
Ｓは読出し光を放射する光源、Ｌｃｎはコンデンサレン
ズ、ＬＰは表示の対象にされている情報によって強度変
調された状態で光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）か
ら出射された読出し光をスクリーンＳに結像させる投影
レンズである。

第２４図は光の入射面と光の出射面とを曲面状に構成さ
せた光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における凹面
側から書込み光と読出し光とを入射させるとともに、凸
面側から読出し光を出射させて投影レンズＬｐによって
スクリーンＳに結像させるようにした実施例であって、
図中においてＬＳｎはＬＳｎは書込み信号によって強度
変調された状態のレーザ光を放射するレーザ光源であり
、また、ＤＥＦは光偏向器であり、ＬＳは読出し光を放
射する光源、Ｌｃｎはコンデンサレンズである。

そして、この第２４図に示されている表示装置では透過
型の光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）となされてい
るが、この光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）は、そ
れの光導電層部材として書込み光の波長域の光に対して
は感度を有するが、読出し光の波長域の光に対しては不
感なものを用いて構成されたものが使用される。

光の入射面と光の出射面とを曲面状に構成させた光−光
変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における書込み光と読出
し光との入射方向の組合わせ態様としては、前記した各
実施例で例示されたもの以外に、■光−光変換素子ＰＰ
Ｃａ（ＰＰＣｍ）が反射型の場合には、書込みを凸面側
から行い読出しを凹面側から行う、書込みと読出しとの
双方を凸面側から行う、■・光−光変換素子ＰＰＣｅ（
ＰＰＣｍ）が透過型の場合には、書込みを凸面側から行
い読出しを凹面側から行う、書込みと読出しとの双方を
凸面側から行う、書込みと読出しとの双方を凹面側から
行う１等の組合わせ態様が考えられる。また、これまで
の記載では光源がレーザ光源であるとされていたが、光
源としてＬＥＤその他、任意の光源が使用されてもよい
ことは勿論である。

次に、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によ
って光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による
光変調材層部材とを含んで構成されている光−光変換素
子ＰＰＣｅｐを用いて構成されている撮像装置の具体的
な内容について第１４図乃至第１８図を参照して説明す
る。各図においてＥｔｌ、　Ｅｔ２は透明電極、ＰＣＬ
は光導電層部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、ＰＬＺＴは電
界によって光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器
による光変調材層部材であり、またＷＬは書込み光、Ｒ
Ｌは読出し光、ＥＬは消去光を示している。

第１４図に示す撮像装置においてＬは撮像レンズであり
、被写体の光学像が撮像レンズＬにより光導電層部材Ｐ
ＣＬに結像される。光−光変換素子ＰＰＣｅｐに光学的
な情報の書込みが行われる場合に、光−光変換素子のＰ
ＰＣａｐの電極Ｅｔｌ。

Ｅｔ２に電源ｖｂの電圧が切換スイッチＳＷの可動接点
Ｖと固定接点ＷＲとを介して供給されて、光導電層部材
ＰＣＬ７の両端間に電界が加えられる。

光−光変換素子ＰＰＣａｐに入射した書込み光ＷＬが透
明電極Ｅｔｌを透過して光導電層部材ＰＣＬに到達する
と、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値がそれに到達した
入射光による光学像と対応して変化するために、光導電
層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導
電層部材ＰＣＬに到達した入射光による光学像と対応し
た電荷像が生じる。

前記のようにして入射光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報を光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅｐから再生するのには、切換スイッチＳＷの可動
接点Ｖを固定接点ＷＲ側に切換えた状態として、電源ｖ
ｂの電圧が透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に印加されてい
る状態にしておいて、図示されていない光源からの一定
の光強度の読出し光ＲＬを投射することによって行うこ
とができる。

既述のように入射光による光情報の書込みが行われた光
−光変換素子ＰＰＣａｐにおける光導電層部材ＰＣＬと
誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材ＰＣＬ
に到達した入射光による光学像と対応した電荷像が生じ
ているから、前記した光導電層部材ＰＣＬに対して誘電
体ミラーＤＭＬとともに直列的な関係に設けられている
光変調材層部材ＰＬＺＴには、入射光による光学像と対
応した強度分布の電界が加わっている状態になされてい
る。

そして、前記した光変調材層部材ＰＬＺＴは電、気光学
効果により電界に応じて変化するから、入射光による光
学像と対応した強度分布の電界が加わっている状態に前
記した光導電層部材ＰＣＬに対して誘電体ミラーＤＭＬ
とともに直列的な関係に設けられている光変調材層部材
ＰＬＺＴの屈折ボは、既述した入射光による光情報の書
込みにより光−光変換素子における光導電層部材ＰＣＬ
と誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に光導電層部材ＰＣＬ
に到達した入射光による光学像と対応して生じた電荷像
に応じて変化しているものになる。

それで、読出し光ＲＬが投射された場合には。

読出し光ＲＬが、透明電極Ｅｔ２→光変調材層部材ＰＬ
ＺＴ→誘電体ミラーＤＭＬ→のように進行して行き１次
いで前記した読出し光ＲＬは誘電体ミラーＤＭＬで反射
して透明電極Ｅｔ２側に反射光として戻って行くが、読
出し光ＲＬの反射光は光変調材層部材ＰＬＺＴの電気光
学効果により光変調材層部材ＰＬＺＴに加わる電界の強
度分布に応じた画像情報を含むものとなって、透明電極
Ｅｔ２側に入射光による光学像に対応した再生光学像を
生じさせる。

前記の説明から明らかなように、光−光変換素子ＰＰＣ
ａｐにおける誘電体ミラーＤＭＬは、透明電極Ｅｔ２側
から光変調材層部材ＰＬＺＴに入射した読出し光ＲＬを
反射させて、読出し光ＲＬが光変調材層部材ＰＬＺＴか
ら光導電体層部材ｐｃ乙に透過しないようにしている。

それにより、読出し光ＲＬが光変調材層部材ＰＬＺＴか
ら光導電層部材ＰＣＬに透過することによって生じる問
題、すなわち、読出し光ＲＬが光変調材層部材ＰＬＺＴ
から光導電層部材ＰＣＬに透過することにより光導電層
部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界に存在してい
る電荷像が乱されてしまうという問題点が生じないよう
にできる。

前記のようにして書込み光ＷＬによって書込まれた情報
を消去するのには、前記した切換スイッチＳＷにおける
可動接点Ｖを固定接点Ｅ側に切換え、光−光変換素子Ｐ
　Ｐ　Ｃｅ　ｐにおける透明電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に
電界が生じないようにしてから、書込み光ＷＬの入射側
とされている透明電極Ｅｔｌから−様な強度分布の消去
光ＥＬを入射させて行う。

第１５図に示されている撮像装置は撮像レンズＬを通過
した光が光−光変換素子ＰＰＣｅｐに供給されないよう
にする光学シャッタＳＴを備えているもので、光学シャ
ッタＳＴを開いて被写体の光学像を光−光変換素子ＰＰ
Ｃｅｐの光導電層部材ＰＣＬに結像させてから、光学シ
ャッタＳＴを閉じると、第１４図を参照して説明したよ
うにして光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃａ　ｐにおける光導
電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に被写
体の光学像と対応して生じた電荷像を長期間にわたって
保持することもできる。

また、前記した光学シャッタＳＴを用いて時間を区切っ
て被写体の光学像を光−光変換素子ｐｐＣｅｐの光導電
層部材ＰＣＬに結像させ、光−光変換素子ＰＰＣｅｐに
おける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境
界面に被写体の光学像と対応する電荷像を生じさせ、入
力した画像情報を走査して読出すようにすることもでき
る。

第１６図に示す撮像装置は、既述のように入射光による
光情報の書込みが行われて光−光変換素子ＰＰＣａｐに
おける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境
界面に被写体の光学像と対応した電荷像の読取りを行う
のに、読出し光ＲＬとしてレーザ光源ＬＳＤからの光を
光偏向器ＤＥＦによって偏向した後にレンズ５とビーム
スプリッタＢＳを介して光−光変換素子ＰＰＣｅｐの透
明電極Ｅｔ、２側から入射させ、光−光変換素子ＰＰＣ
ａｐの透明電極Ｅｔ２側から出射した再生光をビームス
プリッタＢＳを介してレンズ６に与え、光電変換器ＰＤ
によって映像信号に変換して出力端子７に送出するよう
にした構成のものである。

第１６図に示す撮像装置中の光電変換器ＰＤとしては、
光偏向器ＤＥＦにおける偏向態様に応じて、それぞれ適
尚な形式のもの（フォトダイオード、１次元イメージセ
ンサ）が使用される。

なお、前記したレンズ６から出射した光を光電変換せず
に、光の状態のままで光信号処理装置に供給して所望の
信号処理が行われるようにしてもよい（この点は第１７
図示の撮像装置についても同様である）、第１６図にお
いてＥＳＬは消去光ＥＬの光源である（第１７図及び第
１８図についても同じ）。

第１７図に示す撮像装置は、既述のように入射光による
光情報の書込みが行われて光−光変換素子ＰＰＣａｐに
おける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境
界面に被写体の光学像と対応した電荷像の読取りを行う
のに、読出し光ＲＬとして再生光源７から放射された再
生光をレンズ８によって大面積の光束としてから、ビー
ムスプリッタＢＳを介して光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃａ
　ｐの透明電極Ｅｔ２側から入射させ、光−光変換素子
ＰＰＣｅｐの透明電極Ｅｔ２側から出射した再生光をビ
ームスプリッタＢＳを介してレンズ９に与え。

２次元イメージセンサ１０によって映像信号に変換する
ようにした構成のものである。

また、第１８図に示す撮像装置は、既述のように入射光
による光情報の書込みが行われて光−光変換素子Ｐ　Ｐ
　Ｃｅ　ｐにおける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラー
ＤＭＬとの境界面に被写体の光学像と対応した電荷像の
読取りを行うのに、読出し光ＲＬとしてレーザ光源ＬＳ
Ｑからの光を光偏向器ＤＥＦによって偏向した後にレン
ズ５とビームスプリッタＢＳを介して光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅｐの透明電極Ｅｔ２側から入射させ、光−光変換
素子ＰＰＣａｐの透明電極Ｅｔ２側から出射した再生光
をビームスプリッタＢＳを介してレンズ１１に与え、レ
ンズ１１から出射した光を記録媒体Ｆに結像させて記録
媒体Ｆに記録させるようにした構成のものである。

第１８図中において１３．１４は記録媒体Ｆの巻取リリ
ール及び送り出しリールであり、また１５は記録媒体の
副走査方向を示している。記録媒体Ｆとしては光学的な
記録媒体、あるいは光学像を電荷像として記録する記録
媒体等、任意のものを使用することができる。

次に、第２５図乃至第２７図は読出し光を光−光変換素
子の面の法線以外の方向から光−光変換素子に入射させ
るようにした撮像装置の構成例を示している図であり、
まず、第２５図に示す撮像装置では書込み光が入射され
ている光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）の面とは反
対側の面に対して、その面の法線とは異なる方向に読出
し光を入射させるようにしている実施例であり、このよ
うにすることにより読出し光の光路中にハーフミラ−を
設けなくともよいから装置の構成の簡単化と光の利用率
の向上とが達成できる。

第２５図においてＯは被写体、Ｌは撮像レンズ、ＰＰＣ
ｅ（ＰＰＣｍ）は光−光変換素子、ＬＳＱは読出し光の
光源として用いられるレーザ光源、ＤＥＦは光偏向器、
ＰＤは光検出器である。なお。

読出し光の光源としては、レーザ以外の光源が用いられ
てもよいことは勿論である。

また、光ビームの走査によって情報の読出しを行う代わ
りに、大面積の読出し光を光−光変換素子ＰＰＣｅ（Ｐ
ＰＣｍ）の面に照射し、二次元イメージセンサにより映
像信号が得られるようになされてもよい。

第２６図及び第２７図は凹面鏡状の面を備えている光−
光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）を用いて構成させた撮
像装置の構成例を示したものであり。

第２６図は書込み光の入射と読出し光ＲＬとの入射が、
光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における同じ面か
ら行われるようにされた場合の実施例であり、この実施
例の場合には光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）にお
ける光導電層部材として書込み光の波長域の光に対して
は感度を有するが、読出し光の波長域の光に対しては不
感なものを用いて構成されたもの用いられる。

第２６図及び第２７図示の撮像装置においてＯは被写体
、Ｌは撮像レンズ、ＬＳＱは読出し光を放射するレーザ
光源、ＤＥＦは光偏向器、ＰＤは光検出器である。

また、第２７図に例示されている撮像装置は光の入射面
と光の出射面とを曲面状に構成させた光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における凸面側から被写体の光学情
報を有する書込み光を入射させるとともに、凹面側から
読出し光を入射させるようにした光−光変換素子ＰＰＣ
ｅ（ＰＰＣｍ）を備えて構成されている撮像装置の実施
例である。

なお１本発明は表示装置や撮像装置などの他に。

光コンピュータ等における光変調装置にも用いることが
できる。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の表示装置は所定の電圧が印加された２枚の透明電極
の間に、少なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作
しうる光変調材層部材とによって構成した光−光変換素
子における光導電層部材側の透明電極を通して、表示や
撮像の対象にされている情報を含む電磁放射線を光導電
層部材に与えて、光導電層部材と光変調材層部材との間
に前記した表示の対象にされている情報を含む電磁放射
線と対応する電荷像を生じさせる手段と。

前記の電荷像による電界によって前記した光変調材層部
材に光に対する散乱の度合いに変化を生じさせる手段と
、電磁放射線を用いて前記した光変調材層部材における
電磁放射線情報と対応する光に対する散乱の度合いの変
化を読出して表示したリ、読出した光学情報を電気信号
に変換する手段とを備えてなる光−光変換素子の応用装
置であるから、この本発明の光−光変換素子の応用装置
では光−光変換素子から出射する読出し光が表示の対象
にされている情報と対応して光強度が変化している状態
になっていて、光−光変換素子から出射した読出し光を
そのまま投影レンズによってスクリーンに投影すること
ができ、従来の光−光変換素子から出射した読出し光の
ように、それを検光子によって光強度の変化している光
に変換してから利用するようにしている場合に比べて、
構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的に使用
でき、また、高解像度の画像情報を良好な記憶機能を有
する光−光変換素子を用いて表示の対象にされている情
報が短時間だけ与えられた場合でも、高い解像度で長時
間にわたって良好に表示することができるのであり、ま
た、本発明の光−光変換素子の応用装置が撮像装置とし
て実施された場合には高解像度の映像信号が容易に発生
できるのであり、さらに、電界の印加により光の散乱状
態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器を光変調材層部材とし
て用いた光−光変換素子は光変調材層部材を構成してい
るＰＬＺＴ磁器が高インピーダンスのために、電荷像の
保持性能が高く、読出し動作を繰返して静止画を表示さ
せる場合に有利であり、また、光学シャッタを設けた撮
像装置とすれば時間を区切って入力した画像を走査して
読出すことができ、さらにまた、光−光変換素子に入射
させる読出し光を光−光変換素子の面の法線の方向とは
別の方向とすることにより光の利用効率を高め。

また、光の入射面と光の出射面とを曲面状に構成させた
光−光変換素子を用いることにより光学系の構成を簡単
化できる等１本発明によれば前記のような優れた効果を
奏することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第７図及び第２０図乃至第２４図は表示装置
の実施例の側面図、第８図乃至第１３図及び第１５図及
び第１９図は光−光変換素子の説明用の側面図、第１４
図と第１６図乃至第１８図及び第２５図乃至第２７図は
撮像装置の実施例の側面図、第２８図は光−光変換素子
の加熱、冷却機能を説明するための斜視図、第２９図は
加熱。 冷却機能を有する光−光変換素子の説明用の斜視図、第
３０図は第２９図示の光−光変換素子の動作説明用のタ
イムチャートである。 ０・・・被写体、Ｌ・・・牽機レンズ、ＰＰＣａ、ＰＰ
Ｃｍ、ＰＰＣｅｐ・・・光−光変換素子、ｖｂ・・・電
源。 ＷＬ・・・書込み光、ＲＬ・・・読出し光、Ｅ　ｔｌ、
　Ｅ　ｔ２・・・透明電極、ＰＣＬ・・・光導電層部材
、ＤＭＬ・・・誘電体ミラー、Ｍｆｉ・・・反射鏡、Ｈ
ＬＬ・・・高分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子
一液晶複合膜を用いて構成した光変調材層部材、ＥＬＳ
・・・消去用の光源、ＥＬＳＩ・・・消去用のレーザ光
源、ＬＳ・・・読出し光の光源、ＤＥＦ・・・光偏向器
、Ｌｅ・・・レンズ。 ＨＥＣ・・・加熱用電源、ＥＬＳΩ・・・消去用のレー
ザ光源、Ｍ・・・反射鏡、ＨＥＬ・・・加熱層、ＨＬＭ
・・・高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモ
リ膜を用いて構成した光変調材層部材、ＰＬＺＴ・・・
電界の印加によって光の散乱状態が繰返し変化するＰＬ
ＺＴ磁器を用いて構成した光変調材層部材、ＢＳ・・・
ビームスプリッタ、Ｆ・・・記録媒体、ＨＩＬ・・・熱
吸収層、Ｓ・・・スクリーン、ＰＤ・・・光検出器。 Ｌｃｎ・・・コンデンサレンズ、Ｌｐ・・・投影レンズ
、Ｌｌ、Ｌ２，１・・・シュリーレン入力マスク、２，
５゜６．８，９．１１・・・レンズ、３・・・シュリー
レン出力マスク、４・・・ダイクロイックミラー、７・
・・出力端子、１０・・・２次元イメージセンサ、１３
．１４・・・リール、ｉｓ、ｉｓ・・・電極、１７．１
９・・・半導体部材、２０．２１・・・電源

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも、光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調
   材層部材とによって構成した光−光変換素子における光
   導電層部材側の電極を通して、表示の対象にされている
   情報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電
   層部材と光変調材層部材との間に前記した表示の対象に
   されている情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生
   じさせる手段と、前記の電荷像による電界によって前記
   した光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を
   生じさせる手段と、電磁放射線を用いて前記した光変調
   材層部材における電磁放射線情報と対応する光に対する
   散乱の度合いの変化を読出して表示する手段とを備えて
   なる表示装置 ２、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、高分子材料に高抵抗液晶を分散さ
   せた高分子−液晶複合膜を用いて構成した光変調材層部
   材とによって構成した光−光変換素子における光導電層
   部材側の電極を通して、表示の対象にされている情報を
   含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材
   と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にされて
   いる情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせ
   る手段と、前記の電荷像による電界によって前記した光
   変調材層部材の液晶の配向状態を変化させて高分子−液
   晶複合膜に表示の対象にされている情報を含む電磁放射
   線と対応した液晶の配向状態の変化像を生じさせる手段
   と、電磁放射線を用いて前記した高分子−液晶複合膜に
   おける表示の対象にされている情報を含む電磁放射線と
   対応した液晶の配向状態の変化像を読出して表示する手
   段とを備えてなる表示装置 ３、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、高分子材料に高抵抗液晶を分散さ
   せた高分子−液晶複合膜を用いて構成した光変調材層部
   材とによって構成した光−光変換素子における光導電層
   部材側の電極を通して、表示の対象にされている情報を
   含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材
   と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にされて
   いる情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせ
   る手段と、前記の電荷像による電界によって前記した光
   変調材層部材の液晶の配向状態を変化させて高分子−液
   晶複合膜に表示の対象にされている情報を含む電磁放射
   線と対応した液晶の配向状態の変化像を生じさせる手段
   と、電磁放射線を用いて前記した高分子−液晶複合膜に
   おける表示の対象にされている情報を含む電磁放射線と
   対応した液晶の配向状態の変化像を読出して表示する手
   段と、消去用の電磁放射線を用いて前記した電荷像を消
   去する手段とを備えてなる表示装置 ４、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、高分子材料に液晶を分散させた高
   分子−液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材と
   によって構成した光−光変換素子における光導電層部材
   側の電極を通して表示の対象にされている情報を含む電
   磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材と光変
   調材層部材との間に前記した表示の対象にされている情
   報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせる手段
   と、前記の電荷像による電界によって前記した光変調材
   層部材の高分子−液晶メモリ膜における液晶の配向状態
   を変化させ、その変化した液晶の配向状態を高分子−液
   晶メモリ膜に記憶させる手段と、前記した高分子−液晶
   メモリ膜に記憶された表示の対象にされている情報を含
   む電磁放射線と対応した液晶の配向状態の変化像を電磁
   放射線を用いて読出して表示する手段とを備えてなる表
   示装置 ５、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、高分子材料に液晶を分散させた高
   分子−液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材と
   によって構成した光−光変換素子における光導電層部材
   側の電極を通して表示の対象にされている情報を含む電
   磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材と光変
   調材層部材との間に前記した表示の対象にされている情
   報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせる手段
   と、前記の電荷像による電界によって前記した光変調材
   層部材の高分子−液晶メモリ膜における液晶の配向状態
   を変化させ、その変化した液晶の配向状態を高分子−液
   晶メモリ膜に記憶させる手段と、前記した高分子−液晶
   メモリ膜に記憶された表示の対象にされている情報を含
   む電磁放射線と対応した液晶の配向状態の変化像を電磁
   放射線を用いて読出して表示する手段と、前記した前記
   した高分子−液晶メモリ膜における液晶を溶融させると
   ともに、消去用の電磁放射線を用いて前記した電荷像を
   消去する手段とを備えてなる表示装置 ６、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
   層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
   電層部材側の電極を通して、表示の対象にされている情
   報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層
   部材と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にさ
   れている情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じ
   させる手段と、前記の電荷像による電界によって前記し
   た光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を生
   じさせる手段と、読出し用の電磁放射線を用いて前記し
   た光変調材層部材における電磁放射線情報と対応する光
   に対する散乱の度合いの変化を読出して表示する手段と
   を備えてなる表示装置において、前記した光−光変換素
   子に入射させるべき読出し用の電磁放射線を、それの主
   光軸が光−光変換素子の法線方向とは異なるようにして
   光−光変換素子に入射させるようにしてなる表示装置 ７、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
   層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
   電層部材側の電極を通して、表示の対象にされている情
   報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層
   部材と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にさ
   れている情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じ
   させる手段と、前記の電荷像による電界によって前記し
   た光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を生
   じさせる手段と、読出し用の電磁放射線を用いて前記し
   た光変調材層部材における電磁放射線情報と対応する光
   に対する散乱の度合いの変化を読出して表示する手段と
   を備えてなる表示装置において、光−光変換素子として
   光の入射面及び光の出射面が曲面状に構成されているも
   のを使用してなる表示装置 ８、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
   層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
   電層部材側の電極を通して、撮像レンズにより被写体の
   電磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光導電層部
   材と光変調材層部材との間に前記した被写体の電磁放射
   線像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電荷
   像による電界によって前記した光変調材層部材に光に対
   する散乱の度合いに変化を生じさせる手段と、読出し用
   の電磁放射線を用いて前記した光変調材層部材における
   電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度合いの変化
   を読出す手段とを備えてなる撮像装置において、前記し
   た光−光変換素子に入射させるべき読出し用の電磁放射
   線を、それの主光軸が光−光変換素子の法線方向とは異
   なるようにして光−光変換素子に入射させるようにして
   なる撮像装置 ９、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
   とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
   層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
   電層部材側の電極を通して、撮像レンズにより被写体の
   電磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光導電層部
   材と光変調材層部材との間に前記した被写体の電磁放射
   線像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電荷
   像による電界によって前記した光変調材層部材に光に対
   する散乱の度合いに変化を生じさせる手段と、読出し用
   の電磁放射線を用いて前記した光変調材層部材における
   電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度合いの変化
   を読出す手段とを備えてなる撮像装置において、光−光
   変換素子として光の入射面及び光の出射面が曲面状に構
   成されているものを使用してなる撮像装置 １０、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によ
   って光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による
   光変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子 １１、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によ
   って光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による
   光変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子
   における前記した光導電層部材に対して書込み用の電磁
   放射線を入射させて、前記した書込み用の電磁放射線に
   対応した電荷像を発生させる手段と、前記した電荷像に
   よる電界が印加された光変調材層部材に読出し用の電磁
   放射線を入射させる手段と、電界によって光の散乱状態
   が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による光変調材層部材か
   ら読出し用の電磁放射線を出射させる手段とを備えた撮
   像装置 １２、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によ
   って光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による
   光変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子
   における光導電層部材側の電極を通して、表示の対象に
   されている情報を含む電磁放射線を光導電層部材に与え
   て、光導電層部材と電界によって光の散乱状態が繰返し
   変化するＰＬＺＴ磁器による光変調材層部材との間に前
   記した表示の対象にされている情報を含む電磁放射線と
   対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電荷像によ
   る電界によってＰＬＺＴ磁器による前記した光変調材層
   部材に光に対する散乱の度合いに変化を生じさせる手段
   と、電磁放射線を用いて前記したＰＬＺＴ磁器による光
   変調材層部材における電磁放射線情報と対応する光に対
   する散乱の度合いの変化を読出して表示する手段とを備
   えてなる表示装置