JPH03278342A

JPH03278342A - 記録方法

Info

Publication number: JPH03278342A
Application number: JP33611690A
Authority: JP
Inventors: Ryoyu Takanashi; 高梨　稜雄; Shintaro Nakagaki; 中垣　新太郎; Tsutae Asakura; 浅倉　伝; Masato Furuya; 正人古屋; Takehisa Koyama; 剛久小山; Yuji Uchiyama; 裕治内山; Hiromitsu Takenaka; 博満竹中
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1990-02-28
Filing date: 1990-11-30
Publication date: 1991-12-10
Anticipated expiration: 2013-01-28
Also published as: JP2705308B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は高解像度、高感度を目的とする記録方法に係り
、特に光導電層に電磁放射線束を入射させ、記録層に記
録する記録方法に関する。

（従来技術）従来、高解像度を目的とした記録方式に静電潜ＩＩ（電
荷像）を利用したものが見られる。

この記録方式は、記録媒体を誘電体層と電極によって構
成しておき、この誘電体層の面と微少なｍ隔を隔てて、
光１１電層の片面に透明電極を有する記録ヘッド（を込
ヘッド）を光導電層と誘電体層とが対向するように対向
配置させ、記録ヘッドの光導電層に被写体を光学レンズ
によって結像させるものである。光聯１層は入射光の強
弱（明暗）に応じて電気抵抗値が変化するため、結像に
よる明暗は光１１層の電気抵抗の変化を引き起すから、
記録ヘッドの透明電極と記録媒体の電極間に所定の電圧
を与えると、電気抵抗値の変化に応じた電界が誘電体と
光導電層間にかかることになり、誘電体層の表面には、
光導電層と誘電体層間の放電により被写体の光学像の明
暗に応じた電荷像が記録されることになる。再生に際し
ては、再生ヘッドが用いられるが、これは、透明電極面
と誘電体ミラー面とに挟持された光変ｇ１層によって構
成されている。光度ａｉｉは印加された電界の大きさに
応じて、そこに入射した光の物理的状態を変化させる特
性を有するもので、例えば、電気光学効梁を有するニオ
ブ酸リチウム、あるいはネマチック液晶の層が用いられ
ている。その再生の原理は、再生ヘッドと記録済みの記
録媒体を、誘電体ミラー面と誘電体層が微少＠隔を隔て
て配設舊ると、光変調層と透明電極間に、誘電体層に記
録された電荷像に応じた電界が誘電体ミラーを介して与
えられる。この時、再生ヘッドの透明電極側から例えば
レーザー光源から散開された光を偏光子を通過させて直
線偏光の光束としてから光偏向器により２方向に偏光し
ている状態のものとして出用させ、この光をコリメータ
レンズによって平行光とし、更にビームスプリッタに入
射した光束はレンズにて集光されて再生ヘッドの透明電
極側に読取光として入射させる。読取光は光変調層を通
過し、誘電体ミラーによって反射されるが、この反射光
は電荷像によって与えられた光変調層の電界中を通過す
ることになるため各部の電界の大きさに応じた偏光面の
回転量の変化（物理量の変化）を受けることになり、こ
の回転量の変化を、例えば検光子等を介して光の明暗に
変換することにより、記録媒体に記録された電荷像を映
像、あるいは映像に対応した電気信号に変換することが
出来る。

本出願人は、先に出願した特願昭６３−２８９７０７号
の優先権主張出願、特願平１−２９１６６０号において
、上記の高解像度を目的とした記録・再住方式に用いら
れる記録媒として、光度ＨＩＭ部材と電伺像形成層部材
を備えた２絃媒体、あるいはメモリー機能を有する光変
調層部材と光導電層部材を備えた新しいタイプの記録媒
体を提案した。

後者のタイプの記録媒体には、メモリー機能を有する光
度Ｗ４層部材として高分子−液晶複合膜を用いたもので
ある。こらば高分子一液晶複合膜に、例えば、ポリエス
テル樹脂・ポリカーボネート樹脂等の＾分子材料中に、
高い体積抵抗零を有するネマチック液晶を分散させるこ
とによって構成されている。

第９図は、高分子一液晶複合膜からなる光変調層と光導
電層を備えた２録媒体１０の断面図である。同図におい
て、１１は光度：Ｉｉ層であり、ポリエステル樹脂等か
らなる高分子材料１２と、高分子材料１２中の細孔に封
入された液晶１３とからなる。１４は光を導層であり、
光変調層１１の一方の面に形成されている。１５は光変
調層１２の他すの面に密省して形成された電極である。

上記の記録媒体１０は、高分子材Ｆ１１２中の細孔の大
きさを小さくして、高分子材１１２の液晶１３に加えら
れる細孔の９の力が大きくなるようになされると、光変
調層１１の液晶１３に電界が印加されて、光変調層１１
が透明な状態になるような傾向で液晶１３に生じた配向
状態が、前記した印加電界の除去後においても保持され
続けるようになるため、メモリ機能を有することになる
。

なお、液晶としてスメクチックタイプの液晶を用いても
よいことは勿論のことである。

第１０図は第９図に示す記録媒体を用いた記録時の動作
を説明するための説明図であり、以下同図を用いて説明
する。

同図において１６は、記録ヘッドであり、ガラス等から
なる透明基板１７面に透明電極１８が形成されている。

記録に際して、記録媒体１０は、その光導電１ｉ１４が
記録ヘッド１６の透明電極１８と微少間隔ｔだけはなれ
て対向する様に配設すると共に、透明電極１８と電極１
５とに直流型ｉｉｖ、を接続し、被写体１９の光学像を
撮像レンズ２０によって、記録ヘッド１６を介して光導
電１１４に結像させる。

光導電層１４の電気抵抗値は、結像された被写体１９の
光学像によって変化するが、記録ヘッド１６の透明電極
１８と光変調層１１の電極１５には直流電源■５が接続
されているため、光導電層１４と光変調層１１との界面
２１の電界強度は、光導電層１４の電気抵抗値の変化パ
ターンに従って変化し、光導電層１４と光変調層１１と
の界面２１に形成される電荷像は被写体１９の光学像に
対応する電荷像となる。

電荷像が形成されると、その電荷像による電界が光変調
＠１１に加わるために、光変調層１１には、これに対応
した液晶１３の変化が生じ、前記の理由から記録が行わ
れる。

再生に際して、記録媒体１０における光変調層１１に一
定の光強度の読取り光（再生光）を照射すると、光変調
層１１の透過光または反射光は光導電１１４に形成され
た電荷像の情報を有しているものになっていることは明
らかである。

（発明が解決しようとする課題）上述の様に、記録に際して透明電極１８と電極１５に一
定の直流電圧をかけた場合、光導電層１４は、結像の明
部においても、ある容量性を含む有限なインピーダンス
を有する等の理由から、光変調層１１にかかる電圧は、
時間の経過と共にある時定数を持って増加することにな
り、電圧印加時間を長くすると黒レベルの電圧が理想的
な黒レベルの電圧より高くなる結果、結像の明部が浮き
、結像の明部がつぶれた像が記録される等の不都合があ
った。

また、光変調層１１として高分子一液晶複合膜を用いた
場合には、光変調層１１のしきい値が電圧印加時間に依
存することから電圧中時間を変化させると光変調層の最
適動作点からずれを生じるという不都合があった。

また、光１３１層１４に電子輸送型あるいはホール輸送
型からなる材料を用いた場合、光導電層１４及び光変調
層１１が所定の厚さを有するため、直流電圧をかけると
電界の広がりが生じ、画質が劣化するなどの不都合があ
った。また、直流電圧のかわりに、交流電圧を用いた場
合、電荷が移動する方向の電界から逆の電界に交播した
場合、その期間においては電荷が移動しないため、実質
的な実効電界が小さくなるという欠点があった。

（課題を解決するための手段）本発明は上記問題点を解決するためにになされたもので
あり、少なくとも第１の電極層、光導電層、記録層及び
第２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を
前記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所
定の電圧を印加して、前記電磁放射線束に対応した像を
前記記録層に記録する記録方法において、前記電圧の印
加時間に対応して印加電圧レベルを設定したことを特徴
とする記録方法を提供しようとするものである。

また、少なくとも第１の電極層、光導電層、記録層及び
第２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を
前記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所
定の電圧を印加して、前記電磁放射線束に対応した像を
前記記録層に記録する記録方法において、前記記録層に
メモリ性を有する高分子−液晶膜を用いると共に前記光
聯電層に電子輸送型またはホール輸送型からなる光導電
層を用い、記録に際して、直流電圧と、振幅がこの直流
電圧より小さな交流電圧とを型口して加えることを特徴
とする記録方法を提供しようとするものである。

（実施例）［第１実施例］第１図は本発明になる記録方式の第１実施例の構成を説
明するための説明図であるが、前記従来例の構成要素と
同一構成要素には同一符号を付し、説明を省略する。同
図において、３０は本発明の第１実施例に用いられる記
録媒体であり、第８図に示す記録媒体１０を形成する光
導電１１１４の表面に透明電極３］を形成した構成とし
である。

ＡＶは本発明の要部である電圧印加部であり、透明電極
３１と電極１５１１１に接続されている。

記録に際しては、電圧印加！！ＩＩＩＡＶを作動させて
電極１５．３１１ｍに直流電圧を与えると共に、被写体
１９の光学像を撮像レンズ２０によって透明電極３１を
介して光導電１ｉ１４に結像させるが、本実施例におい
ては、電極１１．３１間に与える直流の印加電圧は常に
一定ではなく、光変調層に対する電圧印加時間の大きさ
に応じて変化させるものである。

第２図は本発明の詳細な説明するための説明図であり、
縦軸に光度１１１１１にかかる電圧（Ｖ）をとり、右方
向の横軸には電圧印加時間をとり、左方向の横軸には光
変調＠１１の透過率をとっである。

今、例えばｖｌｌなる印加電圧を電極＠１１゜３１門に
か１ブた簡、光導＠Ｍ１４は結像の明暗に応じて電気抵
抗値が変化するが、光導電１１１４は、結像の明暗部に
おいても容饅性のある有限なインピーダンスを有してい
るため、光変調１１１の明部及び暗部にかかる電圧は電
圧印加時間の経過と共にそれぞれ曲線３２ａ及び３２ｂ
に従って電圧が増加していく。

一方、光度：１層１１の透過率は、これに印加される電
圧と共に曲線３４に従って変化し、電圧Ｖｏから電圧の
増加と共に大きくなるが電圧ｖ１以上となるとそれ以上
人きくならない性質を有している。従って光変調層１１
の黒レベルの最適動作点がＰ（電圧■１．透過率Ｑ）で
ある時、光変調層１１の暗部の電圧が曲１ｉｔ３２ｂに
従って変化してＶ　となる電圧印加ｖｆ間ｔ１を電圧印
加時間として選択すれば、理想的な記像を行うことが出
来る。

また、上２のことを占い換えるなら、電圧印加時間をｔ
ｌとする時、印加電圧として上記の様な印加電圧Ｖ、を
選択すれば、理想的な記録を行うことが出来る。

更に説明を加えるなら、電圧印加時をｔｌより大きな電
圧印加時間ｔ２を電圧印加時間として選択したい時には
、印加電圧として光変調層の明部及び暗部にかかる電圧
が、曲線３３ａ、３３ｂに従って変化し、電圧印加時間
ｔ２で暗部の電圧がｖｌとなるような印加電圧ｖ１□を
選べばよいことになる。

このような印加電圧■１２は前記した印加電圧Ｖ　ｔｌ
ヨり小さくなる。ニーとは［１１３２ｂ、３３ｂの傾斜
の相違から明らかである。

第３図は本発明の印加電圧と電圧印加時間との関係を表
わすグラフであり、縦軸に印加電圧を横軸に電圧印加時
間をとっである。

印加開始ｖＩ間をｔ。とじた時、電圧印加時間１．１２
がｉ　１＜　１２なる時、これに対応する印加電圧をそ
れぞれ■ｔ１．Ｖ１２とする峙、■ｔ１〉Ｖ１２となる
ように印加電圧を設定すればよいことを示している。

第４図は、第１図に示す光度ＷＡ層として高分子一液晶
複合膜を用いた場合の透過率と電圧との関係を印加電圧
時間をパラメータとして示したグラフであり、縦軸に光
変調層１１の透過率、横軸に入力される電圧をとっであ
る。

同図において、曲１１３４．３５の電圧印加時間をそれ
ぞれｔ、、ｔ２とするとき、１１＞１．、なる関係があ
る。同図から明らかな様に、電圧が同じでも、それぞれ
の透過率はある電圧節回（Ｖｌからｖ４の区間）で異な
っており、透過率が電圧と電圧印加ＢＸｊ間の両りに依
存していることが分る。

このことは本発明の様に、印加電圧レベルを電圧印加時
間に対応して設定することが、記録的の最適動作点を保
つ上で有効なことが分る。

「第２実藻例］第５図は本発明になる記録方法の第２実施例の印加電圧
を示すグラフであり、縦軸に印加電圧、横軸に晴間をと
っである。この実施例においては印加電圧として繰り返
しパルスを用いるものであり、第４図で説明した様に、
高分子一液晶複合膜を用いた場合、透過率変化が印加電
圧値と、印加部間に依存していることから、印加ＮＨを
知いバルスに分割し、パルス印加回数を変えることによ
り、所定の印加時間における最適動作点での記録が可能
となる。

［第３実施例］第６図は本発明になる記録方法の第３実施例の印加電圧
を示すグラフである。

この実施例は、常に電極部３１，１５に直流バイアス電
圧Ｖｂをかけ、これに第５図に示すパルスを重督するも
ので、この場合、光１＃電層１４に一定レベル以上の電
界をかけることが出来るので感度が向上する。

但し、この場合直流バイアス電圧Ｖｂは光変調層１４が
飽和しない範囲にすることが必要である。

なお、上記第１〜第３実施例では、記録媒体として第１
図に示す記録媒体３０を用いた例で説明したが、これに
限られるものではなく、第８図に示す記録媒体１０と記
録ヘッド１６を用いた場合にも適用可能であることは言
うまでもない。

更に、第１図に示す実施例において、光導電層１４と光
変調層１１とを分離し、空間を隔てて対向させた構成に
おいても同様に用いることが出来る。

この時、記録媒体は光導電＠１４と電極１５とから構成
され、記録ヘッドは光導電層１４と透明電極３１から構
成されたものとなっている。

また、光変調層としては、メモリ性を有する高分子一液
晶複合膜以外にＰＬＩＴ＠を用いてもよい。

［第４実施例］第７図は本発明の第４実施例の記録方法で用いられる記
録媒体４０の断面図、第８図は第４実施例の印加電圧を
示すグラフであり、以下同図を用いて説明する。

この記録媒体においては、第７図に示す様に、光導電層
４１が電子輸送型あるいはホール輸送型からなる材料か
ら形成されており、メモリ性を有する光変調層１１は前
記同様、例えば、スメクチック液晶からなる液晶１３を
高分子材料１２に分散することにより形成されている。

そして、光導電層４１及び光度ＷＡ廟１１の各々の面に
透明電極３１．１５が形成されている。

この実施例においては、記録に際し、電ｌ４ｉ３１．１
５間に、第８図に示す様に、電圧印加時間ｔ。

〜ｔ１にわたって直流電圧４２と交流電圧４３とを重畳
した電圧４４が加えられる。この場合、交流電圧４３成
分の波形や周波数については任意に設定することができ
るが、振幅■ａについては直流電圧４２の絶対値Ｖｄを
越ない範囲に限定される。ｇ！！にえるなら、直流電圧
４２の絶対１１１Ｖｄと交流電圧４３の振幅Ｖａは、Ｖ
ｄ＞Ｖａとなる様に設定することが必要である。なを、
直流電圧の正負は電子輸送型かホール輸送型によって適
宜法められる。

記録に際して、上述の様な電圧４４を加えることにより
、従来、直流成分のみを加えた場合、電界に広がりが見
られたものが、交流成分が存在するために電界の広がり
が小さくなり、画質の劣化が低減され、良好な画像が得
られる。また、光導電ｊｉ１１が電子輸送型やホール輸
送型の材料から出来ている場合、交流成分のみを加え際
、整流作用により実効的な電界が小さくなる欠点も、直
流成分が存在し、しかも、Ｖｄ＞Ｖａを常に満すことか
ら電荷の移動が行なわれ、常に実効的な電圧が加わるか
ら、良好な画質の記像を行なうことが出来る。

（発明の効果）上述の様に、本発明によれば、少なくとも第１の電極層
、光導電層、記８層及び第２の電極を有し、記録対象に
対応した電磁ｔｌｉｇＦｌ線束を＠配光導電層に入射さ
せると共に、前２２つの電極に所定の電圧を印加して、
前記を磁ｆｉ銅線束に対応した像を前記記録層に記録す
る記録方法において、前記電圧の印加部間に対応して印
加電圧レベルを設定したため、光変調機能を有する記録
層にかかる電圧を常に最適なものとすることが出来、信
頼痕の高い記録方法の提供を可能とする。

また、少なくとも第１の電極層、光導電り記録層及び第
２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を前
記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所定
の電圧を印加して、前記電磁放射線束に対応した像を前
記２録層に記録する記録方法において、印加電圧を繰り
返しパルス電圧を与えたため、前記同様、光変調機能を
有する記録層の動作点を安定することが出来、信頼性の
高い記録方法の提供を可能とするものである。

また、少なくとも第１の電極層、光導電層、記録層及び
第２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を
前記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所
定の電圧を印加して、前記電磁放射１１束に対応した像
を前記記録層に記録する記録方法において、前記記録層
にメモリ性を有する高分子−液晶膜を用いると共に前記
光導電層に電子輸送型またはホール輸送型からなる光導
電層を用いた場合でも、記録に際して、直流電圧と、振
幅がこの直流電圧より小さな交流電圧とを重畳した電圧
を加えることにより電界の広がりが減少し、画質を劣化
させることなく良好な記像を行なうことが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になる記録方式の第１実膿例の構成を説
明するための説明図、第２図は本発明の詳細な説明する
ための説明図、第３図は本発明の印加電圧と電圧印加時
間との関係を表わすグラフ、第４図は第１図に示す光変
調層の透過率と電圧との関係を印加電圧をパラメータと
して示したグラフ、第５図は本発明になる２録方法の第
２実施例の印加電圧を示すグラフ、第６図は本発明にな
る記録方法の第３実施例の印加電圧を示すグラフ、第７
図は本発明の第４実施例の記録方法で用いられる記録媒
体４０の断面図、第８図は第４実施例の印加電圧を示す
グラフ、第９図は高分子一液晶複合膜からなる光度：Ｉ
層と光Ｓ電層を備えた記録媒体の断面図、第１０図は第
９図に示す記録媒体を用いた記録時の動作を説明するた
めの説明図である。１０．３０．４０−に録媒体、１１−・・光度ｗｉ層、
１２・・・高分子材料、１３・・・液晶、１４．４１・
・・光導電層、１５．３１・・・電極、１９・・・被写
体、２０・・・撮像レンズ、３１・・・透明電極、Ａｖ
・・・電圧印加部、３２ａ、３３ａ・・・明部の曲線、３２ｂ。３３ｂ・・・暗部の曲線。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少なくとも第１の電極層、光導電層、記録層及び
第２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を
前記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所
定の電圧を印加して、前記電磁放射線束に対応した像を
前記記録層に記録する記録方法において、前記電圧の印
加時間に対応して印加電圧レベルを設定したことを特徴
とする記録方法。
（２）記録層に光変調材を用いたことを特徴とする請求
項第１項記載の記録方法。
（３）少なくとも第１の電極層、光導電層、記録層及び
第２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を
前記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所
定の電圧を印加して、前記電磁放射線束に対応した像を
前記記録層に記録する記録方法において、印加電圧を繰
り返しパルス電圧を与えることを特徴とした記録方法。
（４）繰り返しパルスを光変調層が飽和しない範囲の直
流バイアス電圧に重畳して与えたことを特徴とする請求
項第２項記載の記録方法。
（５）少なくとも第１の電極層、光導電層、記録層及び
第２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を
前記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所
定の電圧を印加して、前記電磁放射線束に対応した像を
前記記録層に記録する記録方法において、前記記録層に
メモリ性を有する高分子−液晶膜を用いると共に前記光
導電層に電子輸送型またはホール輸送型からなる光導電
層を用い、記録に際して、直流電圧と、振幅がこの直流
電圧より小さな交流電圧とを重畳して加えることを特徴
とする記録方法。