JPH02260198A - 液晶電気光学メモリーデバイス - Google Patents
液晶電気光学メモリーデバイスInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶電気光学メモリー
デバイスに関するものである。
デバイスに関するものである。
この液晶電気光学メモリーデバイスは、液晶表示光コン
ピュータ、光プリンター、更には液晶情報表示パネル、
液晶プリンター、電子写真複写機、光情報処理装置、ニ
ューロ光コンピュータ、光ディスク等に使用できる。
ピュータ、光プリンター、更には液晶情報表示パネル、
液晶プリンター、電子写真複写機、光情報処理装置、ニ
ューロ光コンピュータ、光ディスク等に使用できる。
（従来の技術）
強誘電性液晶電気光学素子（Ｆ ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒ
ｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｏｐｔｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ ＝ＦＥ−ＬＣＤ）は、 （１）メモリー特性、とくにパイスタビリテイ 双安定
性と、 （２） １０μｓ〜１００μｓ位の高速度応答特性を
有し、通常のネマティックデバイスと比較して著しい特
徴を持っている（Ｎ、 Ｃ１ａｒｋ ａｎｄ ＳＬａ
ｇｅｒｗａｌｌ ： Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
、 ３６ （１９８０）８９９、 ）。
ｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｏｐｔｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ ＝ＦＥ−ＬＣＤ）は、 （１）メモリー特性、とくにパイスタビリテイ 双安定
性と、 （２） １０μｓ〜１００μｓ位の高速度応答特性を
有し、通常のネマティックデバイスと比較して著しい特
徴を持っている（Ｎ、 Ｃ１ａｒｋ ａｎｄ ＳＬａ
ｇｅｒｗａｌｌ ： Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
、 ３６ （１９８０）８９９、 ）。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら実際にデバイスを製作してみると、（１）
数１００ｍｚ〜数１００ ｃｍ２の面積をもつデバイス
の全域にわたって完全な双安定性を得ることは困難であ
る。
数１００ｍｚ〜数１００ ｃｍ２の面積をもつデバイス
の全域にわたって完全な双安定性を得ることは困難であ
る。
（２）分子配向が不完全なため表示に欠陥が生したりす
る。
る。
（３）情報表示等で常に要求される中間調（ｇｒａｙｓ
ｃａｌｅ）を出すことが出来ない、等かなり致命的な欠
点・困難さが出てくることが明らかになって来た。これ
らの困難は今日世界中の研究者や開発研究者が等しくか
かえている共通の問題である。
ｃａｌｅ）を出すことが出来ない、等かなり致命的な欠
点・困難さが出てくることが明らかになって来た。これ
らの困難は今日世界中の研究者や開発研究者が等しくか
かえている共通の問題である。
（４）従来、平面的な光情報（画像情報等）を液晶に照
射し、液晶中にアナログ像をメモリーする良い方法が知
られていない。
射し、液晶中にアナログ像をメモリーする良い方法が知
られていない。
本発明の課題は、情報表示等で要求される中間調を欠陥
なく出すことのできる液晶電気光学メモリーデバイスを
提供することである。
なく出すことのできる液晶電気光学メモリーデバイスを
提供することである。
本発明の課題は、光情報を入力して強誘電性液晶に良好
な潜像を形成でき、またこの潜像を好適に可視化できる
ような、液晶電気光学メモリーデバイスを提供すること
である。
な潜像を形成でき、またこの潜像を好適に可視化できる
ような、液晶電気光学メモリーデバイスを提供すること
である。
（課題を解決するための手段）
本発明は、誘電性液晶と；この強誘電性液晶の両側に相
対向して設けられかつ適度な導電性を有する分子配向膜
と；一定の電気容量を有しかつ電気抵抗が可変であるイ
ンピーダンス部と、；前記強誘電性液晶の両側に、前記
分子配向膜を挟むよう相対向して設けられた透明導電膜
と；前記透明導電膜に所定の信号電圧を与えるための信
号電圧発生手段とを有する液晶電気光学メモリーデバイ
スであって、前記インピーダンス部の電気抵抗を変化さ
せることにより強誘電性液晶のメモリー状態における光
透過率を制御できるように構成した液晶電気光学メモリ
ーデバイスに係るものである。
対向して設けられかつ適度な導電性を有する分子配向膜
と；一定の電気容量を有しかつ電気抵抗が可変であるイ
ンピーダンス部と、；前記強誘電性液晶の両側に、前記
分子配向膜を挟むよう相対向して設けられた透明導電膜
と；前記透明導電膜に所定の信号電圧を与えるための信
号電圧発生手段とを有する液晶電気光学メモリーデバイ
スであって、前記インピーダンス部の電気抵抗を変化さ
せることにより強誘電性液晶のメモリー状態における光
透過率を制御できるように構成した液晶電気光学メモリ
ーデバイスに係るものである。
こうしたインピーダンス部としては、例えばコンデンサ
と可変抵抗とを直列につなぎ、液晶セルと直列に接続し
たものがある。
と可変抵抗とを直列につなぎ、液晶セルと直列に接続し
たものがある。
本発明は、強誘電性液晶と；この強誘電性液晶の両側に
相対向して設けられかつ適度な導電性を有する分子配向
膜と；前記強誘電性液晶の少なくとも前記一方の側に設
けられ、一定の電気容量を有しかつ光照射により電気抵
抗が変化する光導電膜と、；前記強誘電性液晶の両側に
、前記分子配向膜及び前記光導電膜を挟むよう相対向し
て設けられた透明導電膜と；前記透明導電膜に所定の信
号電圧を与えるための信号電圧発生手段とを有する液晶
電気光学メモリーデバイスであって、前記一方の側に光
情報を入ノｊして前記光導電膜の電気抵抗を変化させか
つ前記入力と同期して前記透明導電膜に前記信号電圧を
与えることにより、前記強誘電性液晶に前記光情報の潜
像を形成できるように構成した液晶電気光学メモリーデ
バイスに係るものである。
相対向して設けられかつ適度な導電性を有する分子配向
膜と；前記強誘電性液晶の少なくとも前記一方の側に設
けられ、一定の電気容量を有しかつ光照射により電気抵
抗が変化する光導電膜と、；前記強誘電性液晶の両側に
、前記分子配向膜及び前記光導電膜を挟むよう相対向し
て設けられた透明導電膜と；前記透明導電膜に所定の信
号電圧を与えるための信号電圧発生手段とを有する液晶
電気光学メモリーデバイスであって、前記一方の側に光
情報を入ノｊして前記光導電膜の電気抵抗を変化させか
つ前記入力と同期して前記透明導電膜に前記信号電圧を
与えることにより、前記強誘電性液晶に前記光情報の潜
像を形成できるように構成した液晶電気光学メモリーデ
バイスに係るものである。
（実施例）
強誘電性液晶に光を入射し、潜像メモリーを形成するに
は、液晶メモリーデバイスに高い双安定性を与えると共
に、光の強弱に応してメモリー状態のコントラストを制
御し、中間調を与えるように構成する必要がある。本発
明者は、幾多の研究の結果、これらの問題を解決し、光
情報を入力して良好な潜像メモリーを形成し、またこれ
を再生できるような、画期的な液晶電気光学メモリーデ
バイスを開発した。
は、液晶メモリーデバイスに高い双安定性を与えると共
に、光の強弱に応してメモリー状態のコントラストを制
御し、中間調を与えるように構成する必要がある。本発
明者は、幾多の研究の結果、これらの問題を解決し、光
情報を入力して良好な潜像メモリーを形成し、またこれ
を再生できるような、画期的な液晶電気光学メモリーデ
バイスを開発した。
以下、本発明の実施の一例を図について順を追って説明
する。
する。
第２図は従来の液晶セルの構造を示す断面図である。こ
の液晶セル４０は、メルク社、チッソ、大日本インキ工
業などから市販されている強誘電性液晶１を透明導電膜
５および分子配向膜２をつけた２枚のガラス板の間に挟
んだ形のサンドウィッチ構造をなしている。ここで配向
１１！２は厚さ５００Ａ（５０ｎｍ）ポリイミド膜を用
い、それを機械的にこするラビング法を用いて液晶分子
に配向を与える。
の液晶セル４０は、メルク社、チッソ、大日本インキ工
業などから市販されている強誘電性液晶１を透明導電膜
５および分子配向膜２をつけた２枚のガラス板の間に挟
んだ形のサンドウィッチ構造をなしている。ここで配向
１１！２は厚さ５００Ａ（５０ｎｍ）ポリイミド膜を用
い、それを機械的にこするラビング法を用いて液晶分子
に配向を与える。
発明者は、（１）液晶分子配向膜２としてポリイミドの
ラングミア ブロジェット（ＬａｎｇｍｕｉｒＢ ｌｏ
ｄｇｅｔｔ ＝ Ｌ Ｂ ） ｌ＠を用いる。
ラングミア ブロジェット（ＬａｎｇｍｕｉｒＢ ｌｏ
ｄｇｅｔｔ ＝ Ｌ Ｂ ） ｌ＠を用いる。
（２）ポリイミド配向膜に電荷移動錯体（ＴＭＴＴＦＯ
ＤＴＣＮＱテトラメチル テトラチアフルバレン−オク
タデシルテトラシアノキノジメタン）を添加する、 （３）高分子配向膜にイオンを添加する、の３通りの方
法を採用して完全な双安定性を得ることに成功した。
ＤＴＣＮＱテトラメチル テトラチアフルバレン−オク
タデシルテトラシアノキノジメタン）を添加する、 （３）高分子配向膜にイオンを添加する、の３通りの方
法を採用して完全な双安定性を得ることに成功した。
このことは下記の刊行物に発表した。
１） Ｈ，Ｉｋｅｎｏ、 Ａ、 ｏｈ−５ａｋｉ、
Ｍ、 Ｎ１ｔｔａ。
Ｍ、 Ｎ１ｔｔａ。
Ｎ、０ｚａｋｉ、 Ｙ、 Ｙｏｋｏｙａｍａ＋ Ｋ、
Ｎａｋａｙａ。
Ｎａｋａｙａ。
ａｎｄ Ｓ、 ＫｏｂａｙａｓｈＬ Ｊｐｎ、
Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
Ｌ ｅｔｔ、 ２７ ＜１９８８） ４７５２） Ｋ
、 Ｎａｋａｙａ、Ｂａｔ＋ Ｙｉｎｇ ＺｈａｎｇＭ
Ｙｏｓｈｉｄａ、 Ｔ、 Ｔｓａ、 Ｓ、
５ｈｉｎｄｏｈＳ、 Ｋｏｂａｙａｓｈｉ、 Ｊ
ｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、田、＜１９８９
） Ｌｉ２Ｓ、）。
、 Ｎａｋａｙａ、Ｂａｔ＋ Ｙｉｎｇ ＺｈａｎｇＭ
Ｙｏｓｈｉｄａ、 Ｔ、 Ｔｓａ、 Ｓ、
５ｈｉｎｄｏｈＳ、 Ｋｏｂａｙａｓｈｉ、 Ｊ
ｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、田、＜１９８９
） Ｌｉ２Ｓ、）。
このようにして（１）〜（３）の方法により得られる電
気光学特性（印加電圧パルス対光透過率）を第３図（Ａ
）に示す。一方、従来のラビングされた厚さ５０（ｌ
Ａのポリイミド分子配向膜を用いた場合の電気光学特性
を第３図（Ｂ）に示す。第３図（Ａ）で上方部ば印加パ
ルス電圧波形Ｐ、下が光透過すなわち電気光学応答波形
Ｑ、、Ｑ２である。
気光学特性（印加電圧パルス対光透過率）を第３図（Ａ
）に示す。一方、従来のラビングされた厚さ５０（ｌ
Ａのポリイミド分子配向膜を用いた場合の電気光学特性
を第３図（Ｂ）に示す。第３図（Ａ）で上方部ば印加パ
ルス電圧波形Ｐ、下が光透過すなわち電気光学応答波形
Ｑ、、Ｑ２である。
パルス高＋３０■、パルス幅１ｍｓのパルス電圧に対し
てデバイスは明るい側にスウィッチされる。
てデバイスは明るい側にスウィッチされる。
このパルス電圧を切った後も明るい状態は保持される。
これがメモリー状態である。
この時通常のラビングされたポリイミド膜では第３図（
Ｂ）に示す様にメモリー特性の劣化がみられるが、ラン
グミアーブロジェット膜を用いた時は第３図（Ａ）に示
されるようにこの劣化が生じない。符号が逆転した一３
０Ｖのパルスを加えると今度はデバイスは暗の状態に転
じてその状態は保持される。この様に÷−両性を持つ電
圧印加パルスに対して等しくメモリー状態を示すのが双
安定性である。そして、第３図（Ｂ）に示すように、通
常のポリイミド膜ではメモリー状態のコントラストが低
下し、完全な双安定性は得られないのに対し、ラングミ
アーブロジェシト膜（又は電荷移動錯体を添加したポリ
イミド配向膜、イオンを添加した高分子配向膜）では完
全な双安定性が得られた。
Ｂ）に示す様にメモリー特性の劣化がみられるが、ラン
グミアーブロジェット膜を用いた時は第３図（Ａ）に示
されるようにこの劣化が生じない。符号が逆転した一３
０Ｖのパルスを加えると今度はデバイスは暗の状態に転
じてその状態は保持される。この様に÷−両性を持つ電
圧印加パルスに対して等しくメモリー状態を示すのが双
安定性である。そして、第３図（Ｂ）に示すように、通
常のポリイミド膜ではメモリー状態のコントラストが低
下し、完全な双安定性は得られないのに対し、ラングミ
アーブロジェシト膜（又は電荷移動錯体を添加したポリ
イミド配向膜、イオンを添加した高分子配向膜）では完
全な双安定性が得られた。
このように、双安定性の点は分子配向膜の介挿により解
決された。本発明者はこの結果を利用し、液晶メモリー
に中間調を出し、強弱、濃淡をつけることに、初めて成
功したのである。
決された。本発明者はこの結果を利用し、液晶メモリー
に中間調を出し、強弱、濃淡をつけることに、初めて成
功したのである。
まず、液晶分子配向膜２（第２図参照）としてポリイミ
ドのＬＢ膜または電荷移動錯体（例えばＴＭＴＴＦ−Ｏ
ＤＴＣＮＱ）添加のポリイミド膜を用いる（その時後者
はラビング処理をする必要がある）。
ドのＬＢ膜または電荷移動錯体（例えばＴＭＴＴＦ−Ｏ
ＤＴＣＮＱ）添加のポリイミド膜を用いる（その時後者
はラビング処理をする必要がある）。
次に、第１図に示す様に、液晶セル４０に外部インピー
ダンスＣＲを取付け、ＣとＲの値を変えて強誘電性液晶
セル４０のメモリー状態でのコントラストを制御するこ
とを考えた。結果としては第４図のようなデータが得ら
れた。コントラストはモデュレイションコントラストＭ
ＣＲで、ＭＣＲ−（Ｔ−１）／（Ｔ−１−１）で定義さ
れる。ここにＴはメモリー時の透過率（明時と暗時での
明るさルミナンスの比）である。第４図は外部キャパシ
ターＣの容量をパラメーターとし、横軸を外部抵抗Ｒの
値とした。この外部抵抗Ｒを５にΩ以上で変化させると
メモリー時でのコントラストを自由に変えることが出来
る。例えば、Ｃ＝１０００ｐＦに設定すると、Ｒを５０
〜１００ＯＫΩで変化さぜることにより、モデュレイシ
ョンコントラスト比を約０．２５〜０．７５程度の間で
変えることができる。
ダンスＣＲを取付け、ＣとＲの値を変えて強誘電性液晶
セル４０のメモリー状態でのコントラストを制御するこ
とを考えた。結果としては第４図のようなデータが得ら
れた。コントラストはモデュレイションコントラストＭ
ＣＲで、ＭＣＲ−（Ｔ−１）／（Ｔ−１−１）で定義さ
れる。ここにＴはメモリー時の透過率（明時と暗時での
明るさルミナンスの比）である。第４図は外部キャパシ
ターＣの容量をパラメーターとし、横軸を外部抵抗Ｒの
値とした。この外部抵抗Ｒを５にΩ以上で変化させると
メモリー時でのコントラストを自由に変えることが出来
る。例えば、Ｃ＝１０００ｐＦに設定すると、Ｒを５０
〜１００ＯＫΩで変化さぜることにより、モデュレイシ
ョンコントラスト比を約０．２５〜０．７５程度の間で
変えることができる。
このとき、電荷移動錯体添加ポリイミド膜（〜５０ ｋ
Ω／ｃｍ２）、ポリイミドＬＢＩＩＩ （２〜３０１０
７ｃｍ” ）を用いていることが重要であり、これによ
りポリイミド分子配向膜に適度の導電性（７０に０７０
ｍ”以下を持たせている。従来の高分子配向膜の抵抗値
は１０００１０７ｃｍ”内外であり、第４図から解るよ
うにモデュレイションコントラスト比は０．６以下とな
る。つまり、もともとからメモリー安定性が悪いので、
実用的に中間調を出すことは無理なのである。
Ω／ｃｍ２）、ポリイミドＬＢＩＩＩ （２〜３０１０
７ｃｍ” ）を用いていることが重要であり、これによ
りポリイミド分子配向膜に適度の導電性（７０に０７０
ｍ”以下を持たせている。従来の高分子配向膜の抵抗値
は１０００１０７ｃｍ”内外であり、第４図から解るよ
うにモデュレイションコントラスト比は０．６以下とな
る。つまり、もともとからメモリー安定性が悪いので、
実用的に中間調を出すことは無理なのである。
これに対し、本例では、上記の特別な配向膜を用いてい
るので、分子配向膜に適度の導電性を付与でき、もとも
とモデュレイションコントラスト比が高い。従って、こ
れに抵抗を外付けすることで、極めて広い幅に亘ってモ
デュレイションコントラスト比を制御でき、実用的に中
間調を出しうるのである。
るので、分子配向膜に適度の導電性を付与でき、もとも
とモデュレイションコントラスト比が高い。従って、こ
れに抵抗を外付けすることで、極めて広い幅に亘ってモ
デュレイションコントラスト比を制御でき、実用的に中
間調を出しうるのである。
なお、イオン添加高分子配向膜の抵抗は５〜７０に０７
０ｍ”とできる。また、ポリイミド以外の高分子を用い
た分子配向膜としてＬＢ配向膜を用いたり、電荷移動錯
体を添加することもできる。
０ｍ”とできる。また、ポリイミド以外の高分子を用い
た分子配向膜としてＬＢ配向膜を用いたり、電荷移動錯
体を添加することもできる。
以上が、インピーダンスＣＲを液晶セルに外付けした例
であるが、本発明者は、外部にコンデンサー、抵抗を加
える代りに、液晶電気光学素子内に新たにインピーダン
ス制御層として光導電層を新に設けたデバイスも開発し
た。そして、光情報をメモリーデバイスに人力し、この
光情報に従って定容量の光導電層の抵抗値パターンを変
化させると、この抵抗値パターンの変化に伴ってモデュ
レイションコントラスト比は第４図と同様に変化する。
であるが、本発明者は、外部にコンデンサー、抵抗を加
える代りに、液晶電気光学素子内に新たにインピーダン
ス制御層として光導電層を新に設けたデバイスも開発し
た。そして、光情報をメモリーデバイスに人力し、この
光情報に従って定容量の光導電層の抵抗値パターンを変
化させると、この抵抗値パターンの変化に伴ってモデュ
レイションコントラスト比は第４図と同様に変化する。
従って、光の強弱に応じてモデュレイションコントラス
ト比が変わるので、光情報に対応する潜像メモリーパタ
ーンを形成できるのである。
ト比が変わるので、光情報に対応する潜像メモリーパタ
ーンを形成できるのである。
この潜像メモリーの各部位は光の強弱に応じたモデュレ
イションコントラスト比を有している。しかし、この場
合光映像情報を電気的潜像メモリーとして液晶に記録す
るためには、光映像情報が液晶に入力すると同期して、
電源より所要の同期信号電圧を印加する必要がある。こ
の同期信号電圧により液晶中に潜像メモリーが記録でき
るので、この液晶に更に同期信号電圧と同期しない光が
照射されても液晶メモリーパターンは変化しない。
イションコントラスト比を有している。しかし、この場
合光映像情報を電気的潜像メモリーとして液晶に記録す
るためには、光映像情報が液晶に入力すると同期して、
電源より所要の同期信号電圧を印加する必要がある。こ
の同期信号電圧により液晶中に潜像メモリーが記録でき
るので、この液晶に更に同期信号電圧と同期しない光が
照射されても液晶メモリーパターンは変化しない。
第５図、第６図（Ａ）、同図（Ｂ）は、光導電層を設け
た液晶電気光学メモリーデバイス１０．２０３０を示す
ものである。
た液晶電気光学メモリーデバイス１０．２０３０を示す
ものである。
メモリーデバイス１０においては、強誘電性液晶１を挾
んで一組の分子配向膜２，２を設け、更に図面において
上方（書き込み側）に光反射膜（誘電体反射膜又は金属
膜）３を設け、更にこれらを挟んで一組の光導電膜４を
設け、これらを−組の透明導電１１９５で挟んだ構成と
しである。透明導電膜５はガラス基板６に固定し、また
液晶１の読み出し側と書き込み側と共に偏光板７を配置
する。
んで一組の分子配向膜２，２を設け、更に図面において
上方（書き込み側）に光反射膜（誘電体反射膜又は金属
膜）３を設け、更にこれらを挟んで一組の光導電膜４を
設け、これらを−組の透明導電１１９５で挟んだ構成と
しである。透明導電膜５はガラス基板６に固定し、また
液晶１の読み出し側と書き込み側と共に偏光板７を配置
する。
一対の透明導電膜（透明電極）５にはパルス電源８を接
続する。
続する。
メモリーデバイス２０においては、メモリーデバイス１
０から一対の偏光板７を除いた場合を示した。
０から一対の偏光板７を除いた場合を示した。
なお、偏光板７をこのメモリーデバイス２０の読み出し
側（図面において下側）のみに配置してもよく、書き込
み側のみに配置してもよい。偏光板７は液晶に記録され
た潜像メモリーを電気光学的に読み取る光学系に必要な
だけである。
側（図面において下側）のみに配置してもよく、書き込
み側のみに配置してもよい。偏光板７は液晶に記録され
た潜像メモリーを電気光学的に読み取る光学系に必要な
だけである。
メモリーデバイス３０においては、第６図（Ａ）のメモ
リーデバイス２０から、更に読み出し側（図面において
下側）の光導電膜を除いた構成としである。この他、光
反射膜３は必ずしも必要とせず、また、ガラス基板６も
必ずしも必要とせず、透明導電膜５に硬質の材料を使用
して基板としての機能を付与してもよい。
リーデバイス２０から、更に読み出し側（図面において
下側）の光導電膜を除いた構成としである。この他、光
反射膜３は必ずしも必要とせず、また、ガラス基板６も
必ずしも必要とせず、透明導電膜５に硬質の材料を使用
して基板としての機能を付与してもよい。
分子配向Ｉｔ！２としては、適度の導電性を有する高分
子配向膜（ポリイミド膜等）を使用できるが、上記のラ
ングミアーブロジェットポリイミド膜や、電荷移動錯体
添加ポリイミド膜が好ましい。これは強誘電性液晶１に
初期配向を与えるもので透明である。
子配向膜（ポリイミド膜等）を使用できるが、上記のラ
ングミアーブロジェットポリイミド膜や、電荷移動錯体
添加ポリイミド膜が好ましい。これは強誘電性液晶１に
初期配向を与えるもので透明である。
光導電膜４としては、例えばアモルファスシリコン等の
光導電性物質（感光材料）の膜としてよいが、また、フ
ォトトランジスター２次元アレイ、フォトダイオード２
次元アレイを用いることもできる。
光導電性物質（感光材料）の膜としてよいが、また、フ
ォトトランジスター２次元アレイ、フォトダイオード２
次元アレイを用いることもできる。
次に、強誘電性液晶に潜像メモリーパターンを書き込む
方法について述べる。
方法について述べる。
第６図（Ｂ）のメモリーデバイス３０を例にとると、ま
ず第７図に示すように、メモリーデバイス３０の前に実
像３１を配置する。これに光３２を当て、実像３１を通
して書き込み光ＬＷとする。この書き込み光■、Ｗを第
６図（Ｂ）において図面の上側からメモリーデバイス３
０に照射すると、透明導電膜５、光導電膜４を透過し、
光反射膜３で反射され、再び透明導電膜５、ガラス基板
６を通ってメモリーデバイス１外へと射出する。この光
照射と同時に、パルス電源８で同期電圧パルスを発生さ
せ、透明導電膜５に光情報の入射と同期して所要の同期
電圧を印加する。
ず第７図に示すように、メモリーデバイス３０の前に実
像３１を配置する。これに光３２を当て、実像３１を通
して書き込み光ＬＷとする。この書き込み光■、Ｗを第
６図（Ｂ）において図面の上側からメモリーデバイス３
０に照射すると、透明導電膜５、光導電膜４を透過し、
光反射膜３で反射され、再び透明導電膜５、ガラス基板
６を通ってメモリーデバイス１外へと射出する。この光
照射と同時に、パルス電源８で同期電圧パルスを発生さ
せ、透明導電膜５に光情報の入射と同期して所要の同期
電圧を印加する。
このとき、光導電膜４の作用が特に重要であって、光導
電膜４のうち強い光が照射された部分では、光導電膜４
の抵抗値が小さくなり、逆に弱い光が照射された部分で
は抵抗値が大きくなる。すなわち、像３３の濃淡に応じ
た抵抗パターンが光導電膜４に形成される。このとき同
期信号パルス電圧を印加すると、強誘電性液晶１は−様
には配向されず、第３図、第４図の結果から類推できる
ように、光導電膜４の抵抗パターンに応じて各部位でメ
モリーの度合が変り、液晶のメモリーパターンが変る。
電膜４のうち強い光が照射された部分では、光導電膜４
の抵抗値が小さくなり、逆に弱い光が照射された部分で
は抵抗値が大きくなる。すなわち、像３３の濃淡に応じ
た抵抗パターンが光導電膜４に形成される。このとき同
期信号パルス電圧を印加すると、強誘電性液晶１は−様
には配向されず、第３図、第４図の結果から類推できる
ように、光導電膜４の抵抗パターンに応じて各部位でメ
モリーの度合が変り、液晶のメモリーパターンが変る。
このメモリーパターンの分布によって、像３１、書き込
み光ＬＷの濃淡に相応した潜像メモリー３３が形成され
る。この潜像メモリー３３を消去したいときは、暗所で
透明導電膜５に電圧パルスを印加したり、強度が−様な
光をメモリーデバイス３０に照射しつつ電圧パルスを印
加すればよい。
み光ＬＷの濃淡に相応した潜像メモリー３３が形成され
る。この潜像メモリー３３を消去したいときは、暗所で
透明導電膜５に電圧パルスを印加したり、強度が−様な
光をメモリーデバイス３０に照射しつつ電圧パルスを印
加すればよい。
このようにしてメモリーデバイス３０に一度潜像メモリ
ー３３が形成されると外部を光があたっても変化なく、
次に同期パルス電圧を印加するまで保持される。
ー３３が形成されると外部を光があたっても変化なく、
次に同期パルス電圧を印加するまで保持される。
次に、潜像メモリー３３を再生する方法について述べる
。第８図はこの再生方法を示す概念図である。
。第８図はこの再生方法を示す概念図である。
まず−様な光３２をレンズ系３４に入射させ、更に偏光
板３５を透過させて所定の角度偏光された平行光線とす
る。この平行光線を光分配器３６を介して、第７図（Ｂ
）の書き込み側と反対方向からメモリーデバイス３０へ
と入射させる。この入射光はガラス基板６、強誘電性液
晶１、透明導電膜５、分子配向膜２を透過して光反射膜
３により反射され、再び強誘電性液晶１、分子配向膜２
等を透過してメモリーデバイス３０外へと射出する。こ
の出力光は、光分配器３６で反射され、偏光板３７を通
って再度偏光された光線がスクリーン３８上に投影され
る。
板３５を透過させて所定の角度偏光された平行光線とす
る。この平行光線を光分配器３６を介して、第７図（Ｂ
）の書き込み側と反対方向からメモリーデバイス３０へ
と入射させる。この入射光はガラス基板６、強誘電性液
晶１、透明導電膜５、分子配向膜２を透過して光反射膜
３により反射され、再び強誘電性液晶１、分子配向膜２
等を透過してメモリーデバイス３０外へと射出する。こ
の出力光は、光分配器３６で反射され、偏光板３７を通
って再度偏光された光線がスクリーン３８上に投影され
る。
このとき、強誘電性液晶１に潜像メモリー３３が形成さ
れているので、偏光が液晶ｌにより偏向面の回転を受け
る際、この照射位置によって回転角度が異なる。この結
果、出力光においては、各部位ごとに潜像メモリー３３
に応じて偏光面の回転角度が異なることになり、このパ
ターンが形成される。この液晶より出た出力光を偏光板
３７に透過させると、各部位ごとに偏光板３７を透過で
きる偏光成分の大きさが異なるため、出力光においては
、各部位ごとに光の強弱のパターンが形成される。
れているので、偏光が液晶ｌにより偏向面の回転を受け
る際、この照射位置によって回転角度が異なる。この結
果、出力光においては、各部位ごとに潜像メモリー３３
に応じて偏光面の回転角度が異なることになり、このパ
ターンが形成される。この液晶より出た出力光を偏光板
３７に透過させると、各部位ごとに偏光板３７を透過で
きる偏光成分の大きさが異なるため、出力光においては
、各部位ごとに光の強弱のパターンが形成される。
この液晶より出た出力光をスクリーン３８に投影すると
、光の強弱に応じた濃淡像３９がスクリーン３８上に形
成される。この濃淡像３９は、潜像メモリー３３の潜像
パターン即ちもとの実像３１の光の映像パターンと対応
しているものである。
、光の強弱に応じた濃淡像３９がスクリーン３８上に形
成される。この濃淡像３９は、潜像メモリー３３の潜像
パターン即ちもとの実像３１の光の映像パターンと対応
しているものである。
そして、第４図から類推できるように、光導電膜４のう
ち光の弱く当った高抵抗の部位ではモデュレイションコ
ントラスト比を小さく、強い光の照射された低抵抗の部
位ではこれを大きくできる。
ち光の弱く当った高抵抗の部位ではモデュレイションコ
ントラスト比を小さく、強い光の照射された低抵抗の部
位ではこれを大きくできる。
これにより、現像３１に対応した潜像メモリー３３の濃
淡パターンを復元できる０である。
淡パターンを復元できる０である。
第９図は、上記の潜像パターンを内蔵した液晶よりの出
ツノ光の他の処理方法を概念的に示したもので、この場
合は前記液晶よりの出力光をテレビジョン撮像管１９の
ターゲット（固体撮像素子Ｃ０Ｄ）に照射し、潜像メモ
リーのパターンを光の輝度パターンに変えて、更に固体
撮像素子の所テ電荷パターンに変換し、これを電子ビー
ムで走査して電荷パターンを電気信号に変換し、ブラウ
ン管上に表示し、又はＶＴＲに記録できるようにしたも
のである。
ツノ光の他の処理方法を概念的に示したもので、この場
合は前記液晶よりの出力光をテレビジョン撮像管１９の
ターゲット（固体撮像素子Ｃ０Ｄ）に照射し、潜像メモ
リーのパターンを光の輝度パターンに変えて、更に固体
撮像素子の所テ電荷パターンに変換し、これを電子ビー
ムで走査して電荷パターンを電気信号に変換し、ブラウ
ン管上に表示し、又はＶＴＲに記録できるようにしたも
のである。
第９図において、１８はレンズ系、１９は高感度撮像装
置２９の前面に設けた固体撮像素子（ＣＯＤ等の受像部
）、２１は撮像部、２２はプリアンプ回路、偏向回路、
高圧回路、カソード回路等を持った増幅部、２３は映像
増幅器、同期回路、シーケンス回路、定電圧電源回路等
を持ったテレビコントロール回路、２４および２５はそ
れぞれテレビコントロール回路に接続した画像メモリー
装置およびモニターを示し、２６は磁気テープ又は磁気
カード式のＶＴＲ等の記録装置、２７はモニターに映出
される画像２８を撮影するカメラを示す。
置２９の前面に設けた固体撮像素子（ＣＯＤ等の受像部
）、２１は撮像部、２２はプリアンプ回路、偏向回路、
高圧回路、カソード回路等を持った増幅部、２３は映像
増幅器、同期回路、シーケンス回路、定電圧電源回路等
を持ったテレビコントロール回路、２４および２５はそ
れぞれテレビコントロール回路に接続した画像メモリー
装置およびモニターを示し、２６は磁気テープ又は磁気
カード式のＶＴＲ等の記録装置、２７はモニターに映出
される画像２８を撮影するカメラを示す。
まず、出力光をレンズ系１８を介して高感度撮像管の前
面に設けた固体撮像素子（ＣＣＤ）等の受像部１９に投
影する。高感度撮像装置はＣＣＤターゲット高域度撮像
管又はカルニコンその他の高感度の撮像管を使用するも
ので、その受像管にはＣＣＤ板等が使われてこれに高電
圧がかかっている。この部分に光が当たると受光量に比
例した電荷の蓄積がされる。このシリコン板を撮像管の
電子ビームで走査すると電荷像に比例した電流が流れる
。高感度撮像装置２９をテレビカメラコンＩ・ロール回
路２３を介してスキャニングコンバーク等の画像メモリ
ー装置２４と接続し、これを切換器２５ａによりモニタ
ーと切換可能にしている。即ち切換器２５ａを手動又は
自動的に切換ることによって画像メモリー装置に画像し
、又はモニター２５のブラウン管受像面にモニター画像
２８を映出し、必要に応じてこの像を写真カメラ２７に
より撮影して記録してもよい。前記の画像１士り一回路
２４にはビデオテープレコーダーＶＴＲの代わりにデス
ク記憶装置等を接続すると、１枚のデスクごとに磁気記
録できるので記録再生に便利である。なお上述のＶＴＲ
の代わりにＡＤ変換装置を接続してこの出力をコンピュ
ーター回路に入力してコンピューター解析をすることも
できる。ビデオテープレコーダー、デスクに記録した画
像情報は、ＶＴＲプレーヤー、ビデオデスクプレーヤー
で再生すればよい。
面に設けた固体撮像素子（ＣＣＤ）等の受像部１９に投
影する。高感度撮像装置はＣＣＤターゲット高域度撮像
管又はカルニコンその他の高感度の撮像管を使用するも
ので、その受像管にはＣＣＤ板等が使われてこれに高電
圧がかかっている。この部分に光が当たると受光量に比
例した電荷の蓄積がされる。このシリコン板を撮像管の
電子ビームで走査すると電荷像に比例した電流が流れる
。高感度撮像装置２９をテレビカメラコンＩ・ロール回
路２３を介してスキャニングコンバーク等の画像メモリ
ー装置２４と接続し、これを切換器２５ａによりモニタ
ーと切換可能にしている。即ち切換器２５ａを手動又は
自動的に切換ることによって画像メモリー装置に画像し
、又はモニター２５のブラウン管受像面にモニター画像
２８を映出し、必要に応じてこの像を写真カメラ２７に
より撮影して記録してもよい。前記の画像１士り一回路
２４にはビデオテープレコーダーＶＴＲの代わりにデス
ク記憶装置等を接続すると、１枚のデスクごとに磁気記
録できるので記録再生に便利である。なお上述のＶＴＲ
の代わりにＡＤ変換装置を接続してこの出力をコンピュ
ーター回路に入力してコンピューター解析をすることも
できる。ビデオテープレコーダー、デスクに記録した画
像情報は、ＶＴＲプレーヤー、ビデオデスクプレーヤー
で再生すればよい。
なお、本発明者は光導電膜４としてアモルファスシリコ
ン膜を用い、原理的動作のＴ１１認を行った。
ン膜を用い、原理的動作のＴ１１認を行った。
即ち、第５図において、誘電体反射膜５としてＡｇＴｉ
（銀チタン）膜または金の蒸着膜を用いた。そして
書き込みおよび読み取り光としてＨｅＮｅ レーザーを
用いた。書き込み光をＯ〜１０ｍＷと変えることにより
メモリー時コントラスト比を０．７５から０．３まで変
えることが出来た。
（銀チタン）膜または金の蒸着膜を用いた。そして
書き込みおよび読み取り光としてＨｅＮｅ レーザーを
用いた。書き込み光をＯ〜１０ｍＷと変えることにより
メモリー時コントラスト比を０．７５から０．３まで変
えることが出来た。
同様に、光導電膜４をＭＯＳフォトトランジスター２次
元アレイ、フォトダイオード２次元アレイとした各方式
についても、すべて原理的動作の確認に成功している。
元アレイ、フォトダイオード２次元アレイとした各方式
についても、すべて原理的動作の確認に成功している。
フォＩ−）ランジスタリニアアレイ、フォトダイオード
リニアアレイを使用してもよい。
リニアアレイを使用してもよい。
以上、光導電膜にアナログ像を結像して駆動電圧パルス
を印加し、中間調の濃淡をもった像を蓄積表示する例に
ついて述べたが、これを投射表示やハードコピー表示に
供することも出来る。
を印加し、中間調の濃淡をもった像を蓄積表示する例に
ついて述べたが、これを投射表示やハードコピー表示に
供することも出来る。
光伝導層に一度セルを透過した光をフィードバックして
やればその後セルの光透過率が変わり学習が出来る。こ
の様にして光ニューロコンピューターが可能である。
やればその後セルの光透過率が変わり学習が出来る。こ
の様にして光ニューロコンピューターが可能である。
ダイオードまたはトランジスタの２次元アレイと本発明
の表示パネルを重ね合わせれば中間調を持った大容量の
次世代液晶表示が可能である。
の表示パネルを重ね合わせれば中間調を持った大容量の
次世代液晶表示が可能である。
（発明の効果）
本発明に係る液晶電気光学メモリーデバイスによれば、
適度な導電性を有する分子配向膜を設けているので、デ
バイスに高い双安定性を与えることができる。そして、
一定の電気容量を有しかつ電気抵抗が可変であるインピ
ーダンス部を設けているので、インピーダンス部の電気
抵抗を変化させることで、デバイスのモデュレイション
コントラスト比を高い値から順次低い値との間で制御す
ることが可能となる。従って、透明導電膜に所定の信号
電圧を与え、強誘電性液晶セルに光を照射することで、
中間調（グレイ・スケール）のメモリーを行うことがで
きる。
適度な導電性を有する分子配向膜を設けているので、デ
バイスに高い双安定性を与えることができる。そして、
一定の電気容量を有しかつ電気抵抗が可変であるインピ
ーダンス部を設けているので、インピーダンス部の電気
抵抗を変化させることで、デバイスのモデュレイション
コントラスト比を高い値から順次低い値との間で制御す
ることが可能となる。従って、透明導電膜に所定の信号
電圧を与え、強誘電性液晶セルに光を照射することで、
中間調（グレイ・スケール）のメモリーを行うことがで
きる。
本発明に係る液晶電気光学メモリーデバイスによれば、
強誘電性液晶の少なくとも一方の側に、一定の電気容量
を有しかつ光照射により電気抵抗が変化する光導電膜を
設けているので、前記一方の側に光情報を入力すると光
導電膜の抵抗値が光情報の光の強弱の分布に従って変化
し、抵抗値パターンが形成される。
強誘電性液晶の少なくとも一方の側に、一定の電気容量
を有しかつ光照射により電気抵抗が変化する光導電膜を
設けているので、前記一方の側に光情報を入力すると光
導電膜の抵抗値が光情報の光の強弱の分布に従って変化
し、抵抗値パターンが形成される。
また、適度な導電性を有する分子配向膜を設けているの
で、デバイスに高い双安定性を与えることができる。そ
して、前記光情報の入力と同期して透明導電膜に所定の
同期信号電圧を与えると、光導電膜の抵抗値の大小に応
じて強誘電性液晶内の液晶分子の配向状態が変化し、光
導電膜の抵抗値パターンに対応した配向パターンが生じ
る。この配向パターンに従い、デバイスのモデュレンシ
ョンコントラスト比は、順次高い値から低い値の間で制
御される。従って、光情報の潜像メモリーを良好に形成
、保持することができる。
で、デバイスに高い双安定性を与えることができる。そ
して、前記光情報の入力と同期して透明導電膜に所定の
同期信号電圧を与えると、光導電膜の抵抗値の大小に応
じて強誘電性液晶内の液晶分子の配向状態が変化し、光
導電膜の抵抗値パターンに対応した配向パターンが生じ
る。この配向パターンに従い、デバイスのモデュレンシ
ョンコントラスト比は、順次高い値から低い値の間で制
御される。従って、光情報の潜像メモリーを良好に形成
、保持することができる。
なお、この潜像メモリーは、単に光による再生が可能で
ある。
ある。
従って、本発明の液晶電気光学メモリーデバイスは液晶
表示パネル素子、光コンピユータ−、液晶光プリンター
、電子写真複写機、光情報処理装置等に広汎な応用分野
があり工業上極めて有用である。
表示パネル素子、光コンピユータ−、液晶光プリンター
、電子写真複写機、光情報処理装置等に広汎な応用分野
があり工業上極めて有用である。
第１図は外部インピーダンスをメモリーデバイスに接続
した状態を示す図、 第２図は従来の液晶電気光学メモリーデバイスを示す断
面図、 第３図（Ａ）はポリイミド ラングミア ブロジェット
配向膜（又は電荷移動錯体添加ポリイミド配向膜）を使
用した場合の電気光学特性を示すグラフ、同図（Ｂ）は
従来のポリイミド配向膜を使用した場合の電気光学特性
を示すグラフ、第４図は抵抗値とモデュレイションコン
トラスト比との相関を示すグラフ、 第５図、第６図（Ａ）、第６図（Ｂ）はそれぞれ液晶電
気光学メモリーデバイスを示す断面図、第７図（Ａ）は
メモリーデバイスの潜像メモリーの形成プロセスを説明
するための概念図、同図（Ｂ）はメモリーデバイスへの
書き込みを示す側面図、 第８図は潜像メモリーの再生プロセスを説明す２６一 るだめの概念図、 第９図はメモリーデバイスからの出力光を電気的に処理
するプロセスを示すブロック図である。 １・・・強誘電性液晶 ２・・・分子配向膜３・・
・光反射膜 ４・・・光導電膜５・・・透明導
電膜（透明電極） ６・・・ガラス基板 ７・・・偏光板８・・・パ
ルス電源 １０．２０．３０・・・液晶電気光学メモリーデバイス
３１・・・実像 ３３・・・潜像メモリー
３９・・・投影像 ４０・・・強誘電性液晶セル ＬＷ・・・書き込み光 ＬＲ・・・読み出し光 四足−田） （敲−′ｓ型）
した状態を示す図、 第２図は従来の液晶電気光学メモリーデバイスを示す断
面図、 第３図（Ａ）はポリイミド ラングミア ブロジェット
配向膜（又は電荷移動錯体添加ポリイミド配向膜）を使
用した場合の電気光学特性を示すグラフ、同図（Ｂ）は
従来のポリイミド配向膜を使用した場合の電気光学特性
を示すグラフ、第４図は抵抗値とモデュレイションコン
トラスト比との相関を示すグラフ、 第５図、第６図（Ａ）、第６図（Ｂ）はそれぞれ液晶電
気光学メモリーデバイスを示す断面図、第７図（Ａ）は
メモリーデバイスの潜像メモリーの形成プロセスを説明
するための概念図、同図（Ｂ）はメモリーデバイスへの
書き込みを示す側面図、 第８図は潜像メモリーの再生プロセスを説明す２６一 るだめの概念図、 第９図はメモリーデバイスからの出力光を電気的に処理
するプロセスを示すブロック図である。 １・・・強誘電性液晶 ２・・・分子配向膜３・・
・光反射膜 ４・・・光導電膜５・・・透明導
電膜（透明電極） ６・・・ガラス基板 ７・・・偏光板８・・・パ
ルス電源 １０．２０．３０・・・液晶電気光学メモリーデバイス
３１・・・実像 ３３・・・潜像メモリー
３９・・・投影像 ４０・・・強誘電性液晶セル ＬＷ・・・書き込み光 ＬＲ・・・読み出し光 四足−田） （敲−′ｓ型）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、強誘電性液晶と；この強誘電性液晶の両側に相対向
して設けられかつ適度な導電性を有する分子配向膜と；
一定の電気容量を有しかつ電気抵抗が可変であるインピ
ーダンス部と、；前記強誘電性液晶の両側に、前記分子
配向膜を挟むよう相対向して設けられた透明導電膜と；
前記透明導電膜に所定の信号電圧を与えるための信号電
圧発生手段とを有する液晶電気光学メモリーデバイスで
あって、前記インピーダンス部の電気抵抗を変化させる
ことにより強誘電性液晶のメモリー状態における光透過
率を制御できるように構成した液晶電気光学メモリーデ
バイス。 ２、強誘電性液晶と；この強誘電性液晶の両側に相対向
して設けられかつ適度な導電性を有する分子配向膜と；
前記強誘電性液晶の少なくとも前記一方の側に設けられ
、一定の電気容量を有しかつ光照射により電気抵抗が変
化する光導電膜と、；前記強誘電性液晶の両側に、前記
分子配向膜及び前記光導電膜を挟むよう相対向して設け
られた透明導電膜と；前記透明導電膜に所定の信号電圧
を与えるための信号電圧発生手段とを有する液晶電気光
学メモリーデバイスであって、前記一方の側に光情報を
入力して前記光導電膜の電気抵抗を変化させかつ前記入
力と同期して前記透明導電膜に前記信号電圧を与えるこ
とにより、前記強誘電性液晶に前記光情報の潜像を形成
できるように構成した液晶電気光学メモリーデバイス。 ３、前記強誘電性液晶の少なくとも前記一方の透過光を
偏光子に透過させることにより、潜像を可視化できるよ
うに構成した、請求項２記載の液晶電気光学メモリーデ
バイス。 ４、前記強誘電性液晶の前記一方の側と前記他方の側と
に、前記透明導電膜を挟みつつ相対向する透明ガラス基
板を設けた請求項１乃至３記載の液晶電気光学メモリー
デバイス。 ５、前記強誘電性液晶の少なくとも一方又は双方に偏光
板を配置した請求項１乃至４記載の液晶電気光学メモリ
ーデバイス。 ６、前記潜像の形成されている強誘電性液晶に偏光を透
過させ、次いでこの透過光を偏光子に透過させることに
より、前記潜像を可視化できるように構成した請求項２
乃至４記載の液晶電気光学メモリーデバイス。 ７、前記強誘電性液晶の前記他方の側に偏光を入射させ
、この偏光を前記潜像の形成されている強誘電性液晶に
透過させ、この透過光を前記光反射膜によって反射させ
、この反射光を前記強誘電性液晶に透過させ、次いでこ
の透過光を偏光子に透過さぜることにより、潜像を可視
化できるように構成した、請求項６記載の液晶電気光学
メモリーデバイス。 ８、前記偏光子を透過した偏光を投影媒体に投影して可
視像を形成できるように構成した請求項６又は７記載の
液晶電気光学メモリーデバイス。 ９、前記偏光子を透過した透過光を電気情報に変換し、
この電気情報に基いて可視像を形成できるように構成さ
れた、請求項６又は７記載の液晶電気光学メモリーデバ
イス。 １０、前記偏光子を透過した透過光を電気情報に変換し
、この電気情報を記録媒体に記録し、この記録に基いて
可視像を形成できるように構成された、請求項６又は７
記載の液晶電気光学メモリーデバイス。 １１、前記分子配向膜が、ポリイミドラングミアプロジ
ェット配向膜と電荷移動錯体を添 加したポリイミド配向膜との少なくとも一方である、請
求項１乃至１０記載の液晶電気光学メモリーデバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078672A JPH02260198A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 液晶電気光学メモリーデバイス |
| US07/496,527 US4984198A (en) | 1989-03-31 | 1990-03-20 | Liquid crystal electrooptic memory device |
| FR9004135A FR2645322B1 (fr) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Dispositif de memoire electro-optique a cristaux liquides |
| NL9000757A NL193760C (nl) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Elektro-optische geheugeninrichting van vloeibaar kristal. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078672A JPH02260198A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 液晶電気光学メモリーデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260198A true JPH02260198A (ja) | 1990-10-22 |
Family
ID=13668358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1078672A Pending JPH02260198A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 液晶電気光学メモリーデバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4984198A (ja) |
| JP (1) | JPH02260198A (ja) |
| FR (1) | FR2645322B1 (ja) |
| NL (1) | NL193760C (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04315896A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-06 | Takayama:Kk | 光メモリ |
| GB9108382D0 (en) * | 1991-04-19 | 1991-06-05 | Philips Electronic Associated | Opto-electronic memory system |
| JP3010392B2 (ja) * | 1991-07-08 | 2000-02-21 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 空間光変調器とその駆動方法 |
| DE4211502C2 (de) * | 1992-04-07 | 1995-04-13 | Nematel Dr Rudolf Eidenschink | Selektiv veränderbarer optischer Datenspeicher |
| US5416621A (en) * | 1992-06-11 | 1995-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Driving method for ferroelectric liquid crystal spatial light modulator |
| DE69316519T2 (de) * | 1992-10-22 | 1998-08-20 | Mitsubishi Chem Corp | Vorrichtung zur Verarbeitung optischer Informationen und Licht-zu-Licht Konverter |
| EP0617312B1 (en) * | 1993-03-26 | 2002-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A spatial light modulator and a method for driving the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448264A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of operating memory type liquid crystal display device by photoowriting |
| JPS5667821A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-08 | Fuji Xerox Co Ltd | Picture memory device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59216177A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-06 | 株式会社日立製作所 | 情報保持装置 |
| GB2181263B (en) * | 1985-10-02 | 1989-09-27 | Stc Plc | Optical storage medium |
| JPS634220A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Canon Inc | 光学的情報記録担体 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1078672A patent/JPH02260198A/ja active Pending
-
1990
- 1990-03-20 US US07/496,527 patent/US4984198A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-30 FR FR9004135A patent/FR2645322B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-30 NL NL9000757A patent/NL193760C/nl not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448264A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of operating memory type liquid crystal display device by photoowriting |
| JPS5667821A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-08 | Fuji Xerox Co Ltd | Picture memory device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL193760B (nl) | 2000-05-01 |
| FR2645322B1 (fr) | 1997-01-31 |
| NL9000757A (nl) | 1990-10-16 |
| FR2645322A1 (fr) | 1990-10-05 |
| US4984198A (en) | 1991-01-08 |
| NL193760C (nl) | 2000-09-04 |
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