JPH0317620A - 電荷像情報の読取り素子 - Google Patents

電荷像情報の読取り素子

Info

Publication number
JPH0317620A
JPH0317620A JP1152852A JP15285289A JPH0317620A JP H0317620 A JPH0317620 A JP H0317620A JP 1152852 A JP1152852 A JP 1152852A JP 15285289 A JP15285289 A JP 15285289A JP H0317620 A JPH0317620 A JP H0317620A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge image
resin
liquid crystal
layer member
charge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1152852A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2521150B2 (ja
Inventor
Atsushi Nakano
淳 中野
Toshio Konno
昆野 俊男
Tadayuki Shimada
忠之 島田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP1152852A priority Critical patent/JP2521150B2/ja
Priority to US07/530,701 priority patent/US5053889A/en
Priority to DE69016844T priority patent/DE69016844T2/de
Priority to EP90306485A priority patent/EP0403277B1/en
Publication of JPH0317620A publication Critical patent/JPH0317620A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2521150B2 publication Critical patent/JP2521150B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/135Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電荷像情報の読取り素子、特に、電荷像を光学
情報に変換して読出す電荷像情報の読取り素子に関する
(従来の技術) 被写体を撮像して得た映像信号は、編集、トリミング、
その他の画像信号処理が容易であるとともに、記録再生
ならびに記録再生消去が容易であるという特徴を有して
いるために、放送の分野以外に多くの分野,例えば,印
刷,電子出版、計測むどの多くの分野での利用も試みら
れるようになり、例えば動画のような複数の時間に対応
した光学像情報の撮像記録や,一枚の画像の撮像記録を
従来装置に比べて解像度が一層高い状態で行うことを可
能にする装置の出現が強く要望されるようになった. ところで、従来から一般的に使用されて来ている撮像装
置では、被写体の光学像を撮像レンズにより撮像素子の
光電変換部に結像させ、撮像素子で前記の被写体の光学
像を電気的な画像情報に変換して取出すようにしている
が、高画質・高解像度の再生画像を得るためには,それ
と対応した映像信号を発生させうる撮像装置が必要とさ
れるが.撮像素子として撮像管を使用した撮像装置では
、撮像管における電子ビーム径の微小化に限界があって
電子ビーム径の微小化による高解像度化が望めないこと
、及び、撮像管のターゲット・容量はターゲット面積と
対応して増大するものであるために、ターゲット面積の
増大による高解像度化も実現できないこと、ならびに、
例えば動画の撮像装置の場合には高解像度化に伴って映
像信号の周波数帯域が数十M H z〜数百M H z
以上にもなるためにS/Nの点で問題になる、等の理由
によって,高画質・高解像度の再生画像を再生させうる
ような映像信号を発生させることは困難である.このよ
うに、従来の撮像装置ではそれの構成に不可欠な撮像素
子の存在によって,高画質・高解像度の再生画像を再生
させうるような映像信号を良好に発生させることができ
なかったので、高画質・高解像度の再生画像を再生させ
うるような映像信号を良好に発生させることができるM
kfIj!装置の出現が望まれており、また、編集、ト
リミング,その他の画像信号処理が容易である他に、可
逆性を有する記録部材を使用して高い解像度を有する画
像の記録再生,ならびに記録再生消去をも容易に行える
という利点を有する映像信号を用いた機器を導入しよう
としている、例えば、印刷、電子出版,計測などの多く
の分野では、一枚の画像の撮倣記録を従来の撮像装置に
比べて一層解像度の高い状態で実現させうる撮像装置の
出現が強く要望された. 前記のような問題点の解決のために,本出願人会社では
先に,例えば被写体の光学像に対応した光学像情報を撮
像レンズにより可逆性を有する電荷像記録媒体に結像さ
せて電荷像記録媒体に記録再生の対象にされている情報
を電荷像として記録し再生できるようにしたり、あるい
は例えば記録の対象にされている情報を電荷像記録媒体
に高い解像度を有する電荷像として記録し再生できるよ
うにした各種の装置についての提案を行っている.第2
図は電荷像記録媒体を用いて記録再生の対象にされてい
る情報を電荷像として記録する記録系の構成例を示すブ
ロック図であって,この第2図においてlは被写体、2
は撮像レンズ、3は電源.WHは電極Etと光導電層部
材PCLとの積層構成からなる書込みヘッド、RMは電
荷保持層部材ILと電極Eとの積層構成からなる電荷像
記録媒体である。なお、第2図に例示した電荷像記録媒
体RMは、単に電荷保持層部材ILと電極Eとを積層し
た構成のものとされているが,電荷像記録媒体RMとし
ては電荷保持層部材ILと電極Eとを基板上に積層した
構威にされてもよい.前記した電極Et,Eはそれを例
えば金属の薄膜,ネサ膜などを用いて構成することがで
き、また光導電層部材PCLとしては適当な光導電材料
による薄膜によって構成することができる.また電荷保
持層部材ILは高い絶縁抵抗値を有する誘電体材料を使
用して構成されるものであり,それは例えば適当な高分
子材料膜を用いて構威されたものが使用される. 第2図に示されている記録系において,前記した書込み
ヘッドWHにおける透明電極Etには電g3の負極が接
続されており、また、電荷像記録媒体RMの電t4Eに
は電源3の負極が接続されている. 第2図の記録系において被写体1の光学像が撮像レンズ
2により書込みヘッドWHの光導電層部材PCLに結像
されると、光導電層部材PCLの電気抵抗値は、それに
結像された被写体lの光学像に従って変化する. 既述のように、前記した書込みヘッドWHにおける透明
電極Etと電荷像記録媒体RMにおける電極Eとの間に
は電源3が接続されているから、前記のように光導電層
部材PCLの電気抵抗値が,それに結像された被写体1
の光学倣に従って変化することにより、書込みヘッドW
Hの光導電層部材PCLと電荷像記録媒体RMにおける
電荷保持層部材ILとの間の電圧が、前記した被写体1
の光学像に従って変化する. そして、書込みヘッドWHの先導ffPP3部材PCL
と電荷豫記録媒体RMにおける電荷保持層部材ILとの
間に生じる放電によって電荷像記録媒体RMにおける電
荷保持層部材ILに形成される電荷像は前記した被写体
1の光学像に対応しているものになる。
第2図を参照して説明した記録系を用いるなどして記録
の対象にされている情報と対応する電荷像が記録された
電荷像記録媒体RMからの電荷像情報の読出しは,例え
ば、静電的な情報読出し手段あるいは光学的な情報読出
し手段を適用して行うことができる. そして、前記した電荷像記録媒体RMからの電荷像情報
の読出しが、例えば光学的な情報読出し手段を適用して
行われる場合には、印加される電界強度により光の状態
が変化する光変調材を用いて構成された電荷像情報の読
取り素子(読取りヘソド)RHを用いて第3図及び第4
図に例示されているようにして行われる. 第3図においてR Hは光学的な電荷像情報の読取り素
子(読取りヘッド)であり、また、RMは電荷像記録媒
体である.読取りヘッドRHはガラス板14,20、透
明電極15、配向膜19a,19b.スペーサ16.1
7.印加された電界の強度分布に応じて光の状態を変化
させる光変調材屑部材18(例えばシイステッドネマチ
ック液晶)とによって構成されている. 前記した読取りヘッドRHは、それのガラス板20の表
電に対して微小なlid隔を隔てて電荷像記録媒体RM
の電荷保持入゜ク部材ILの表面が位置するような状態
に配置される。R Lは微小な径の読出し光(例えばレ
ーザ光)であって、読取りヘッドRHのガラス板l4側
に入射した読出し光RLは、読取りヘッドRHと電荷像
記録媒体RMとの双方を透過した後に図示されていない
検光子を介して図示されていない光電変換器に与えられ
る。
既述のように読取りヘッドR Hにおけるガラス板20
の表面に対して微小な間隔を隔てて電荷像記録媒体RM
の電荷保持層部材I Lの表1fi■が位置するように
、読取りヘッドRHと電荷像記録媒体RMとが配置され
ていて、電荷像記録媒体R Mの電荷保持層部材ILに
記録されている電荷像による電界が、読取りヘッドR 
Hにおける光変調材層部材(ツイステンドネマティック
液晶層)18に与えられている状態における光変調材層
部材工8を構成するツイステッドネマチック液晶は、電
気光学効果により光変調材層部材l8に加えられた電界
強度に応じて、それの分子の光学軸が透明電極と平行で
なくなり復屈折の状態が変化する.それで読取りヘッド
RHにおけるガラス板14側に入射された直線偏光の状
態の読出し光RLは、ガラス板14→透明電極15→配
向膜19a→光変調材層部材(ツィステッドネマティッ
ク液晶層)18→配向[19b→ガラス板20→のよう
に進行して行くときに,読出し光RLは光変調材層部材
(ツイステッドネマテインク液晶R)18において、電
荷像記録媒体RMの電荷保持層部材ILに記録されてい
る電荷像による電界の強度に応じて旋先の程度が変化し
ている状態の光となされてガラス板20側から出射し、
次いで電荷像記録媒体RMを透過して図示されていない
検光子を介して図示されていない光電変換器に与えられ
る.また、電荷像記録媒体RMからの電荷像情報の読出
しが光学的な情報読出し手段の適川によって行われる光
学的な情報読し装置RAの構成例を示す第4図において
、BPj:t:電荷像記録媒体RMの基板、Eは電荷像
記録媒体の電極、I Lは電荷像記録媒体RMの電荷保
持層部材であり、前記の電荷像記録媒体RMの電荷保持
層部材ILの面と対向する位置には光学的な電荷像情報
の読取り素子(読取’JヘッF)R H ニオけルvI
fft体ミラ− D M [.が位置されている. 第4図中に示されている読取りヘッドR Hには、例え
ば印加された電圧によって光の状態を変化させうるよう
な特性を有する光変調材層部材PM−L(例えば,W1
気光学効果を有するニオブ酸リチュウム、あるいはツイ
ステッドネマチック液品の層のような光変調用の材料層
)の一方の面にan1体ミラーDMLを備えているとと
もに他方の面に透明電極Etrを備えている読取り素子
が設けられている. 第4図において前記した読取りヘッドRHの誘電体ミラ
ーDMLの面に電荷像記録媒体RMにおける電荷保持層
部材ILの面を近接させて、電荷保持層部材IL上の電
荷像の電界が読取りヘッドRHの光変調材層部材PML
に与えられるようにし,また、読取りヘッドRHの透明
電極Etrから光変調材層部材PMLの他方の面から光
を入射させると、その光が光変調材層部材PMLを通過
して誘電体ミラーDMLで反射して,反射光が再び光変
調材層部材PMLを通過して入射した側の透明電極Et
rから出射する. 前記のように透明電極Etrから出射した光の状態(前
記の例の場合には偏光面の角度)と入射した光の状態(
前記の例の場合には偏光面の角度)とは、前記した電荷
像における電荷量と対応して変化しているものになって
いる. それで,例えばレーザ光M4 (またはハロゲンランプ
を用いた光源4)から放射された光束を偏光子5に通過
させてIi!線偏光の光束とし(前記の光源4が直線偏
光のレーザ光源の場合には偏光子5は使用しなくてもよ
い)でから光偏向器6に入射させる. そして、前記の光偏向器6では、それに入射された光束
をテレビジョン機器におけるディスプレイで描かせるラ
スタのように直交する2方向に偏向している状態のもの
として出射させる。
前記のような状態のものとして光偏向器6から出射され
た光束は,入射光を平行光にして出射させるコリメータ
レンズ7により平行光となされて,その平行光束がビー
ムスプリッタ8に入射される。
ビームスプリッタ8に入射した光束はレンズ9で集光さ
れて前記した読取りヘッドRHに入射される。そして,
前記した読取りヘッドR Hにおける誘電体ミラーDM
L側には、記録情報を電荷像の形で記憶している電荷像
記録媒体RMにおける電荷保持層部材ILの面が対面し
ているから,読取り素子における光変調材層部材PML
には前記した誘電体ミラーDMLを介して電荷像記録媒
体RMにおける電荷保持層部材ILの面に記録されてい
る電荷像による電界が与えられる。
それで,読取りヘッドRHにおける透明電極Etr側か
ら光が入射すると、その入射光は光変調材層部材PML
を通過して誘電体ミラーDMLにより反射して再び光変
調材層部材PMLを通過し、その光が透明電極Etrの
面から出射するが,前記した読取りヘッドからの出射光
の光の状態(前記の例の場合には偏光面の角度)は入射
光の光の状1m(前記の例の場合には偏光面の角度)と
は,前記した電荷像記録媒体RMにおける電荷像の電荷
量と対応して変化しているものになっている.前記のよ
うに読取りヘッドRHからの出射光は、読取りヘッドへ
の入射光が記録情報を電荷像の形で記憶している電荷像
記録媒体RMにおける電荷像の電荷量に応じて偏光面の
回転量が変化している状態のもので、かつ、既述したコ
リメータレンズ7によって平行光の状態になっている.
それで、読取りヘッドRHからの前記した出射光をレン
ズ9とビームスプリッタ8とを通過させてから集光レン
ズ10に入射させると、前記の集光レンズ10で集光さ
れた光束は常に同一の位置に集光する. 前記した集光レンズ10によって集光された光を,光学
的バイアスを設定するための波長板11と、偏光面の回
転量を明るさの変化に変換するための検光子l2とを介
して,前記した集光レンズ10の集光点の位置に光市変
換器13を配置しておくと,前記の光電変換器13から
は電荷像記録媒体RMにおける二次元的な電荷像の各部
分の電荷量に応じて振幅が変化している映像信号が得ら
れる。
前記のように光電変換器13から出力される映像信号は
,電荷像記録媒体RMにおける高い精細度を有する二次
元的な電荷像における電荷量分布と対応しているものに
なっている。
(発明が解決しようとする課題) 既述のように電荷像記録媒体RMからの電荷像情報の読
出しが、光学的な電荷像情報の読取り素子(読取りヘッ
ド)を用いて行われる場合に,読取りヘッドRHの構成
部材として用いられる光変調材層部材としては、ニオブ
酸リチュウムのttL結晶や、ツイステッドネマティッ
ク液晶セルが用いられるが,光変調材層部材としてニオ
ブ酸リチュウムの単結晶が用いられた場合しこは、電荷
像の読取りを高感度で行うことが困難であり、また光変
調材層部材として感度の良いツイステッドネマティック
液晶セルが用いられた場合には、液晶セルの構成に不可
欠なガラス板として、厚さが300ミクロン以上のもの
が使用されないとガラス板14.20間の間陽を均一に
保持できるような機械的強度が得られないために、ガラ
ス板20としても例えば300ミクロン以上の厚さのも
のが用いられることになる。
そのために、光学的む電荷像情報の読取り素子(読取り
ヘッド)シこおける光変調材層部材としてツイステッド
ネマティック液品セルが用いられた場合には、電荷像記
録媒体RMにおける電荷保持層部材ILと,読取りヘッ
ドRHの光変調材層部材18として用いられているシイ
ステッドネマテインク液晶層18までの距離が大きくな
るために、電荷像記録媒体RMの電荷保持層部材IL上
の電荷像による電界がシイステッドネマテイツク液晶層
18を良好に動作させつるような大ぎさのものとしてツ
イステンドネマティック液品層l8に与えられないこと
が起こり、読取りヘットで良好な動作を行えないことが
生じる。
(課題を解決するための手段) 本発明は体積抵抗率が10140の以上の高分子材料に
液晶を分散させて構成した高分子一液品複合膜を光変調
材層部材として用いた電荷像情報の読取り素子を提供す
る。
(作用) 例えば、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂,塩化ビニール樹脂,ボリアミド樹脂、ポ
リエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹
脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が1014Ωの以
上の高分子材料に5室温において液晶相を示すネマティ
ック液品を分散させて得た高分子一液品複合膜を光変調
材層部材として用いて構成した光学的な電荷像情報の読
取り素子(読取りヘッド)では,従来のツイステソ1〜
ネマティック液晶セルの場合に必要とされていたガラス
板20が不要とされるために,電荷像記録媒体RMにお
ける電荷保持層部材ILと読取りヘントRHの光変調材
層部材として用いられているネマティック液晶層との距
離を極めて小さくでき,電荷像記録媒体RMの電荷保持
層部材IL上の電荷像による電界がネマテイック液晶層
を良好に動作させうるような大きさのものとしてネマテ
イツク液晶層に与えることができる。
(実施例) 以下、添付図面を参照して本発明の電荷像情報の読取り
素子の具体的な内容を詳細に説明する。
第1図は本発明の電荷像情報の読取り素子を用いて電荷
像の読取り動作を行っている状態を示している側面図で
ある. 第t図においてRHは本発明の電荷像情報の読取り素子
であって、この電荷像情報の読取り素子RHは支持基板
2lと,電極22と,体積抵抗率が10”Ω信以上の高
分子材料に液晶を分散させて構成した高分子一液晶複合
膜で構威した光変調材層部材23とを積層して構威され
ている。
前記した体積抵抗率が1014Ω信以上の高分子材料と
しては、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニール榴脂、ポリアミド樹脂、ポ
リエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹
脂、シリコン樹脂を用いることができる。前記した高分
子材料は透明な方が良いが半透明であってもよい, また,前記した高分子材料に分散させるべき液品として
は、室温において液晶相を示すものであれば、どのよう
なものであってもよいが、室温において液晶相を示すネ
マティンク液晶を用いることは望ましい実施例である。
次に、本発明の電荷像情報の読取り素子R I−{にお
ける光偏調材層部材23として用いられる高分子一液晶
複合膜の具体的な製作例を述べると,英国BDH社製の
室温ネマテイソク液品E−44を3グラム計量し、前記
した3グラムの室温ネマティック液晶E−44をPMM
AのクロロホルムtO%溶液に添加して攪拌した後に静
置する。
電極22としてIT○の膜を形或させたガラス基板21
を充分に洗浄し、前記したガラス基板21におけるIT
O膜による電極22上に、前記のように静置しておいた
液晶を含むPMMAのクロロホルム溶液をバーコータに
よって塗布して高分子一液品複合膜による光変調材層部
材23を構成させる. 第1図中に示されている本発明の光学的な電荷像情報の
読取り素子(読取りヘッドRH)は、第3図を参照して
既述した従来の読取りヘッドと同様に、読取りヘッドR
Hと電荷像記録媒体RMとに読出し光を直列的に透過さ
せて、電荷像記録媒体RMに記録されている電荷像情報
を光学情報に変換するようにしだ場合に使用される構成
態様の読取りヘッドであるが、本発明の光学的な電荷像
情報の読取り素子(読取りヘッド)RHとしては、第4
図を参照して既述した従来の読取りヘッド,すむおち、
電極Etrと光変調材層部材PMLとvI電体ミラーD
MLとを積層した構成とし、読取リヘッドRHにおける
誘電体ミラーDMLを電荷像記録媒体RMの電荷保持層
部材に近接させて、電極Etr側から読出し光を読取り
ヘッドRHに入射させたどきに、読取りヘッドRH内で
一往復して読取りヘッドRHから出射される前記の読出
し光を用いて電荷像記録媒体RMに記録されている電荷
像情報を光学情報に変換させるように動作する読取りヘ
ッドと同様な動作を行うことができる読取りヘッドとし
て実施されてもよいのであり,例えば、それは第1図中
に示されている読取りヘッドRHにおける高分子一液品
複合膜による光変調材層部材23上に誘電体ミラーを構
成させることにより実現できる。
次に、本発明の電荷像情報の読取り素子(読取りヘッド
)RHによって電荷像記録媒体RMに記録されている電
荷像情報の読取り動作について説明する. 第1図において本発明の電荷像情報の読取り素子(読取
りヘッド)RHにおける高分子一液品複合膜による光変
調材層部材23の表面を、電荷像記録媒体RMの電荷保
持層部材ILの面に極めて近接させた状態にして、読取
りヘッドRHの支持基板21側から微小な径の読出し光
(例えばレーザ光)RLを入射させると、読取りヘッド
RHの支持基板21側に入射した読出し光RLは,読取
りヘッドRHと電荷像記録媒体RMとの双方を透過した
後に図示されていない光電変換器に与えられる。
すなわち、読取りヘッドRHは、それの高分子−液晶複
合膜による光変調材層部材23の表面が微小な間隔を隔
てて電荷像記録媒体RMの電荷保持層部材ILの表面と
対面するように、読取りヘッドRHと電荷像記録媒体R
Mとが配置されていて,電荷倣記録媒体RMの電荷保持
層部材ILに記録されている電荷像による電界が、読取
りヘッドRHにおける高分子一液品複合膜による光変調
材層部材23に与えられている状態において、高分子一
液晶複合膜による光変調材層部材23におけるネマチッ
ク液晶は,電気光学効果により光変調材層部材23に加
えられた電界強度に応じて、それの分子の光学軸が透明
電極と垂直になり光の透過状態が変化する. それで読取りヘッドRHにおける支持基板2l側に入射
された読出し光RLは、支持基板2工→電極22→高分
子一液晶複合膜による光変調材層部材23→のように進
行して行くときに、読出し光RLは高分子一液晶複合膜
による光変調材層部材23において、電荷像記録媒体R
Mの電荷保持層部材ILに記録されている電荷像による
電界の強度に応じて散乱の程度が変化している状態の光
となされて高分子一液晶複合膜による光変調材層部材2
3から出射し、次いで電荷像記録媒体RMを透過して図
示されていない光電変換器に与えられる. 第1図を参照して説明した本発明の電荷像情報の読取り
素子(読取りヘッド)RHによる電荷像記録媒体RMに
記録′されている電荷像情報の読取り動作において,本
発明の電荷像情報の読取り素子(読取りヘッド)RHに
おける高分子一液晶複合膜による光変調材層部材23の
表面と、電荷像記録媒体RMの電荷保持層部材ILの面
とは極めて近接させた状態にできるために、電荷像記録
媒体RMの電荷保持層部材ILに形成されている電荷像
パターンによる電界が拡がらない状態で電荷像情報の読
取り素子(読取りヘッド)RHにおける高分子一液品複
合膜による光変調材層部材23に与えられ、したがって
本発明の電荷像情報の読取り素子(読取りヘッド)RH
では高感度で高解像度の読取り動作を行うことができる
. (発明の効果) 以上、詳細に説明したところから明らかなように,本発
明の電荷像情報の読取り素子は体積抵抗率が10”Ω信
以上の高分子材料に液晶を分散させて構成した高分子一
液品複合膜を光変調材層部材として用いることにより,
良好な特性を有する高分子一液晶複合膜た電荷像情報の
読取り素子が構成でき、また、電荷像情報の読取り素子
(読取りヘッド)RHによって電荷像記録媒体の電荷像
を読取る場合には、電荷像情報の読取り素子(読取りヘ
ッド)RHにおける高分子一液晶複合膜による光変調材
層部材23の表面と、電荷像記録媒体RMの電荷保持層
部材ILの面とを極めて近接させた状態にできるために
、電荷像記録媒体RMの電右f保持層部材ILに形成さ
れている電荷像パターンによる電界が拡がらない状態で
電荷像情報の読取り素子(読取りヘッド)RHにおける
高分子−液品複合膜による光変調材層部材23に与えら
れて、高感度で高解像度の読取り動作を行うことができ
るのであり、本発明によれば既述した従来の問題点が良
好に解決できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の電荷像情報の読取り素子を用いて電荷
像の読取り動作な行っている状態を示している側面図、
第2図は電荷像記録媒体を用いて記録再生の対象にされ
ている情報を電荷像として記録する記録系の構成例を示
すブロック図,第3図及びfIS4図は光学的な電荷像
情報の読取り素子を用いて行われる電荷像の読出し動作
の説明用のブロック図である。 DML・・・誘電体ミラー、PML,18・・・光変調
材M部材、WH・・・書込みヘッド.E,Et,Etr
・・・電ViA. PCL・・・光導電層部材、IL・
・・電荷保持層部材、RM・・・電荷像記録媒体、R 
I−1・・・光学的な電荷像情報の読取り素子(読取り
ヘッド)、RL・・微小な径の読出し光、1・・被写体
、2・・・級像レンズ、3・・・電源、4・・・レーザ
光源(またはハロゲンランプを用いた光源)、5・・偏
光子,6・・・光偏向器,7・・・コリメータレンズ、
8・・ビームスプリツタ,9・・・レンズ、10・・・
集光レンズ、l1・・・波長板,12・・・検光子、l
3・・・光電変換器、上4.20・・・ガラス板、15
・・・透明電極,16.17・・・スペーサ、19a,
19b・・・配向膜,21・・・支持基板、22・・・
電極、23・・・高分子材料に液晶を分敗゛させて構成
した高分子一液晶複合膜で構成した光変調材層部材、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、体積抵抗率が10^1^4Ωcm以上の高分子材料
    に液晶を分散させて構成した高分子−液晶複合膜を光変
    調材層部材として用いた電荷像情報の読取り素子 2、体積抵抗率が10^1^4Ωcm以上の高分子材料
    として、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカー
    ボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
    リエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹
    脂、シリコン樹脂を用いる請求項1に記載の電荷像情報
    の読取り素子 3、液晶材料として、室温において液晶相を示すネマテ
    ィック液晶を用いる請求項1に記載の電荷像情報の読取
    り素子
JP1152852A 1989-06-15 1989-06-15 電荷像情報の読取り素子 Expired - Lifetime JP2521150B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1152852A JP2521150B2 (ja) 1989-06-15 1989-06-15 電荷像情報の読取り素子
US07/530,701 US5053889A (en) 1989-06-15 1990-05-30 Charge latent image detecting device
DE69016844T DE69016844T2 (de) 1989-06-15 1990-06-14 Nachweisvorrichtung für latentes Ladungsbild.
EP90306485A EP0403277B1 (en) 1989-06-15 1990-06-14 Latent charge image detecting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1152852A JP2521150B2 (ja) 1989-06-15 1989-06-15 電荷像情報の読取り素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0317620A true JPH0317620A (ja) 1991-01-25
JP2521150B2 JP2521150B2 (ja) 1996-07-31

Family

ID=15549537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1152852A Expired - Lifetime JP2521150B2 (ja) 1989-06-15 1989-06-15 電荷像情報の読取り素子

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5053889A (ja)
EP (1) EP0403277B1 (ja)
JP (1) JP2521150B2 (ja)
DE (1) DE69016844T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995004791A1 (en) * 1993-08-06 1995-02-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light modulating device having a silicon-containing matrix
US5641426A (en) * 1994-04-29 1997-06-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light modulating device having a vinyl ether-based matrix
EP0933234A2 (en) 1998-01-29 1999-08-04 Araya Kogyo Kabushiki-Kaisya Spoke inserting apparatus

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0400490B1 (en) * 1989-05-29 1995-06-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Flat bed scanning type image reader
US5514504A (en) * 1991-01-31 1996-05-07 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Information recording medium, and information recording a reproducing method
US8352400B2 (en) 1991-12-23 2013-01-08 Hoffberg Steven M Adaptive pattern recognition based controller apparatus and method and human-factored interface therefore
US5495366A (en) * 1993-05-03 1996-02-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus and method for eliminating polarization sensitivity in transducers
WO1995029968A1 (en) * 1994-04-29 1995-11-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light modulating device having a matrix prepared from acid reactants
US5740549A (en) * 1995-06-12 1998-04-14 Pointcast, Inc. Information and advertising distribution system and method
US20020178051A1 (en) 1995-07-25 2002-11-28 Thomas G. Scavone Interactive marketing network and process using electronic certificates
US6264560B1 (en) 1996-01-19 2001-07-24 Sheldon F. Goldberg Method and system for playing games on a network
US9530150B2 (en) 1996-01-19 2016-12-27 Adcension, Llc Compensation model for network services
US5823879A (en) 1996-01-19 1998-10-20 Sheldon F. Goldberg Network gaming system
US6183092B1 (en) * 1998-05-01 2001-02-06 Diane Troyer Laser projection apparatus with liquid-crystal light valves and scanning reading beam
US7904187B2 (en) 1999-02-01 2011-03-08 Hoffberg Steven M Internet appliance system and method
US8775245B2 (en) 2010-02-11 2014-07-08 News America Marketing Properties, Llc Secure coupon distribution

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3951519A (en) * 1974-08-19 1976-04-20 Xerox Corporation Liquid crystal imaging system
JPS63144321A (ja) * 1986-12-08 1988-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 液晶表示素子及びその製造方法
US4831452A (en) * 1986-12-30 1989-05-16 Victor Company Of Japan Ltd. Image pickup device having a photoconductive optical modulator element
US4888126A (en) * 1987-08-28 1989-12-19 Linear Optics Company, Inc. Light modulating material and method for preparing same
GB2210703B (en) * 1987-10-06 1991-03-20 Gen Electric Co Plc Apparatus and process for producing microfilm and microfiche records.
KR930000514B1 (ko) * 1988-11-16 1993-01-21 니뽕 빅터 가부시끼가이샤 광학 정보 기록매체 및 기록/재생 시스템
JPH02178612A (ja) * 1988-12-28 1990-07-11 Victor Co Of Japan Ltd 光変調方法及び装置
JPH0631119A (ja) * 1992-07-20 1994-02-08 Nippondenso Co Ltd 濾過エレメントの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995004791A1 (en) * 1993-08-06 1995-02-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light modulating device having a silicon-containing matrix
US5585035A (en) * 1993-08-06 1996-12-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light modulating device having a silicon-containing matrix
US5641426A (en) * 1994-04-29 1997-06-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light modulating device having a vinyl ether-based matrix
EP0933234A2 (en) 1998-01-29 1999-08-04 Araya Kogyo Kabushiki-Kaisya Spoke inserting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
DE69016844D1 (de) 1995-03-23
US5053889A (en) 1991-10-01
EP0403277A2 (en) 1990-12-19
EP0403277B1 (en) 1995-02-15
EP0403277A3 (en) 1991-10-16
DE69016844T2 (de) 1995-06-08
JP2521150B2 (ja) 1996-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0317620A (ja) 電荷像情報の読取り素子
EP0356174B1 (en) Reproducing apparatus for charge latent image recording medium
JPH04240817A (ja) 光学素子
JP2705308B2 (ja) 記録方法
JPH0318824A (ja) 電荷像記録媒体
US5159456A (en) Photo-to-photo transducer and method of operation using a photo-moldulation member affected by a change distribution in a photoconductive member and a voltage applied across electrodes
CA2006800C (en) Photo-modulation method and system for reproducing charge latent image
US5304438A (en) Charge image recording medium
NL9000757A (nl) Elektro-optische geheugeninrichting van vloeibaar kristal.
JPH0522867Y2 (ja)
JPH0318813A (ja) 電荷像記録媒体
JPH03246560A (ja) 記録方法
JPH0352143A (ja) 電荷像情報の再生装置
EP0657764B1 (en) Photo-to-photo transducer
JPH04277716A (ja) 情報記録媒体及び情報記録装置
JPH02251813A (ja) 静電潜像の記録再生装置
JPH03246559A (ja) 記録方法
JPH0725865Y2 (ja) 電荷像による情報信号の記録再生装置
JPH03135523A (ja) 光―光変換素子と応用装置
JPH04277717A (ja) 電磁放射線情報記録装置
JPH0350971A (ja) 撮像装置
JPH0787555B2 (ja) 撮像装置
JPH04275520A (ja) 記録再生装置
JPH02267519A (ja) 画像情報の処理方法及び装置
JPH03247156A (ja) 電荷像の読取素子及び電荷像記録の記録再生装置