JPH02178612A - 光変調方法及び装置 - Google Patents
光変調方法及び装置Info
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- JPH02178612A JPH02178612A JP63334939A JP33493988A JPH02178612A JP H02178612 A JPH02178612 A JP H02178612A JP 63334939 A JP63334939 A JP 63334939A JP 33493988 A JP33493988 A JP 33493988A JP H02178612 A JPH02178612 A JP H02178612A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光変調方法及び電荷像の読取り装置に関する。
（従来の技術）
被写体を撮像して得た映像信号は、編集、トリミング、
その他の画像信号処理が容易であるとともに、記録再生
ならびに記録再生消去が容易であるという特徴を有して
いるために、放送の分野以外に多くの分野１例えば、印
刷、電子出版、計測などの多゛ぐの分野での利用も試み
られるようになり１例えば動画のような複数の時間に対
応した光学像情報の撮像記録や、−枚の画像の撮像記録
を従来装置に比べてＭ像度が一層高い状態で行うことを
可能にするｍｌ！の出現が強く要望されるようになった
。
その他の画像信号処理が容易であるとともに、記録再生
ならびに記録再生消去が容易であるという特徴を有して
いるために、放送の分野以外に多くの分野１例えば、印
刷、電子出版、計測などの多゛ぐの分野での利用も試み
られるようになり１例えば動画のような複数の時間に対
応した光学像情報の撮像記録や、−枚の画像の撮像記録
を従来装置に比べてＭ像度が一層高い状態で行うことを
可能にするｍｌ！の出現が強く要望されるようになった
。
ところで、従来から一般的に使用されて来ている撮像装
置では、被写体の光学像を撮像レンズにより撮像素子の
光電変換部に結像させるようにしていて、撮像素子で前
記の被写体の光学像を電気的な画像情報゛に変換し、そ
の電気的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号とし
て出方させるようにしており、撮像装置の構成に当って
使用されるべき撮像素子としては各種の撮像管や各種の
固体撮像素子が使用されていることは周知のとおりであ
る。
置では、被写体の光学像を撮像レンズにより撮像素子の
光電変換部に結像させるようにしていて、撮像素子で前
記の被写体の光学像を電気的な画像情報゛に変換し、そ
の電気的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号とし
て出方させるようにしており、撮像装置の構成に当って
使用されるべき撮像素子としては各種の撮像管や各種の
固体撮像素子が使用されていることは周知のとおりであ
る。
さて、高画質・高解像度の再生画像を得るためには、そ
れと対応した映像信号を発生させうる撮像装置が必要と
されるが、撮像素子として撮像管を使用した撮像装置で
は、撮像管における電子ビーム径の微小化に限界があっ
て電子ビーム径の微小化による高解像度化が望めないこ
と、及び、撮像管のターゲット容量はターゲット面積と
対応して増大するものであるために、ターゲット面積の
増大による高解像度化も実現できないこと、また、例え
ば動画の撮像装置の場合には高解像度化に伴って映像信
号の周波数帯域が数十Ｍ Ｈｚ〜数百ＭＨｚ以上にもな
るためにＳ／Ｎの点で問題になる。
れと対応した映像信号を発生させうる撮像装置が必要と
されるが、撮像素子として撮像管を使用した撮像装置で
は、撮像管における電子ビーム径の微小化に限界があっ
て電子ビーム径の微小化による高解像度化が望めないこ
と、及び、撮像管のターゲット容量はターゲット面積と
対応して増大するものであるために、ターゲット面積の
増大による高解像度化も実現できないこと、また、例え
ば動画の撮像装置の場合には高解像度化に伴って映像信
号の周波数帯域が数十Ｍ Ｈｚ〜数百ＭＨｚ以上にもな
るためにＳ／Ｎの点で問題になる。
等の理由によって、高画質・高解像度の再生画像を再生
させうるような映像信号を発生させることは困難である
。
させうるような映像信号を発生させることは困難である
。
このように、従来の撮像装置ではそれの構成に不可欠な
撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生画像
を再生させうるような映像信号を良好に発生させること
ができなかったので、高画質・高解像度の再生画像を再
生させつるような映像信号を良好に発生させることがで
きる撮像装置の出現が望まれており、また、編集、トリ
ミング、その他の画像信号処理が容易である他に、可逆
性を有する記録部材を使用して高い解像度を有する画像
の記録再生も容易に行えるという利点を有する映像信号
を用いた機器を導入しようとしている。
撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生画像
を再生させうるような映像信号を良好に発生させること
ができなかったので、高画質・高解像度の再生画像を再
生させつるような映像信号を良好に発生させることがで
きる撮像装置の出現が望まれており、また、編集、トリ
ミング、その他の画像信号処理が容易である他に、可逆
性を有する記録部材を使用して高い解像度を有する画像
の記録再生も容易に行えるという利点を有する映像信号
を用いた機器を導入しようとしている。
例えば、印刷、電子出版、計測などの多くの分野では、
−枚の画像の撮像記録を従来の撮像装置に比べて一層解
像度の高い状態で実現させうる撮像装置の出現が強く要
望された。
−枚の画像の撮像記録を従来の撮像装置に比べて一層解
像度の高い状態で実現させうる撮像装置の出現が強く要
望された。
前記のような問題点の解決のために、本出願人会社では
先に、被写体の光学像に対応した光学像情報を撮像レン
ズにより可逆性を有する電荷像記録媒体に結像させて記
録媒体に記録再生の対象にされている情報を電荷像とし
て記録し再生したり、時系列的な電気信号を電荷像とし
て記録再生したりできる撮像装置や記録再生装置を提案
している。
先に、被写体の光学像に対応した光学像情報を撮像レン
ズにより可逆性を有する電荷像記録媒体に結像させて記
録媒体に記録再生の対象にされている情報を電荷像とし
て記録し再生したり、時系列的な電気信号を電荷像とし
て記録再生したりできる撮像装置や記録再生装置を提案
している。
（発明が解決しようとする課Ｕ＞
そして、前記した既提案の撮像装置や記録再生装置の実
施により、前記したような従来の問題点が良好に解決で
き、高い精細度を有する画像情報が記録再生できる装置
を提供し得た。
施により、前記したような従来の問題点が良好に解決で
き、高い精細度を有する画像情報が記録再生できる装置
を提供し得た。
ところで、電荷像記録媒体に記録されている電荷像の読
取りは、従来から電荷像に基づいて生じる電界の強度を
各種の手段によって検出することによって行われて来て
いるが、前記の電界強度の各種の検出手段の内で、読取
りの対象にされている電荷像によって生じている電界の
強さに応じて光の状態を変化させる光変調材を含んで構
成されている光学的な電荷量の読取り部材を用いて、電
荷像に対応して光変調が行われている光を得て電荷像を
読取るようにする方法は、電荷量の検出時に用いられる
光学的な電荷量の読取り部材に入射させる光束として断
面積の小さなものを使用することにより容易に高い解像
度で電荷量を読取ることができるという特徴がある。
取りは、従来から電荷像に基づいて生じる電界の強度を
各種の手段によって検出することによって行われて来て
いるが、前記の電界強度の各種の検出手段の内で、読取
りの対象にされている電荷像によって生じている電界の
強さに応じて光の状態を変化させる光変調材を含んで構
成されている光学的な電荷量の読取り部材を用いて、電
荷像に対応して光変調が行われている光を得て電荷像を
読取るようにする方法は、電荷量の検出時に用いられる
光学的な電荷量の読取り部材に入射させる光束として断
面積の小さなものを使用することにより容易に高い解像
度で電荷量を読取ることができるという特徴がある。
ところで、読取りの対象にされている電荷像によって生
じている電界の強さに応じて光の状態を変化させる光変
調材を含んで構成されている光学的な電荷量の読取り部
材において使用される光変調材として液晶が採用された
場合には、光変調材として例えばニオブ酸リチウム単結
晶が用いられたような場合に比べて、著るしく高い検出
感度が得られるという利点を示すが、液晶を光変調材と
して用いた場合には電荷量の読取り動作時に液晶に交流
電界を加えることが必・要とされるために問題になった
。
じている電界の強さに応じて光の状態を変化させる光変
調材を含んで構成されている光学的な電荷量の読取り部
材において使用される光変調材として液晶が採用された
場合には、光変調材として例えばニオブ酸リチウム単結
晶が用いられたような場合に比べて、著るしく高い検出
感度が得られるという利点を示すが、液晶を光変調材と
して用いた場合には電荷量の読取り動作時に液晶に交流
電界を加えることが必・要とされるために問題になった
。
また、光学的な電荷量の読取り部材の構成に際しては、
例えば誘電体ミラー、遮光膜、内部の反射防止膜などの
各種の部材が用いられることがあるが、前記した各種の
部材は一般に抵抗とコンデンサとによる回路網で示され
るような等価回路で示されるものであって有限な電気的
なインピーダンスを有しているために、これらの部材の
使用によって電荷量の読取り時における解像度が低下し
てしまうことも問題になった。
例えば誘電体ミラー、遮光膜、内部の反射防止膜などの
各種の部材が用いられることがあるが、前記した各種の
部材は一般に抵抗とコンデンサとによる回路網で示され
るような等価回路で示されるものであって有限な電気的
なインピーダンスを有しているために、これらの部材の
使用によって電荷量の読取り時における解像度が低下し
てしまうことも問題になった。
さらに、電荷像記録媒体に記録されている電荷像によっ
て生じている電界は、光学的な電荷量の読取り部材に対
して直流的な電界として加わることになるが、読取りの
対象にされている電荷像によって生じている電界の強さ
に応じて光の状態を変化させる光変調材を含んで構成さ
れている光学的な電荷量の読取り部材と、電荷像記録媒
体との間に空隙が存在している場合には、電荷像記録媒
体に記録されている電荷像によって生じている電界が、
非常に高い抵抗値を示す空隙と光学的な電荷量の読取り
部材とに分圧された状態で光学的な電荷量の読取り部材
に加えられるから、光学的な電荷量の読取り部材におけ
る読取り感度が低いものになる。
て生じている電界は、光学的な電荷量の読取り部材に対
して直流的な電界として加わることになるが、読取りの
対象にされている電荷像によって生じている電界の強さ
に応じて光の状態を変化させる光変調材を含んで構成さ
れている光学的な電荷量の読取り部材と、電荷像記録媒
体との間に空隙が存在している場合には、電荷像記録媒
体に記録されている電荷像によって生じている電界が、
非常に高い抵抗値を示す空隙と光学的な電荷量の読取り
部材とに分圧された状態で光学的な電荷量の読取り部材
に加えられるから、光学的な電荷量の読取り部材におけ
る読取り感度が低いものになる。
それで、前記したような色々な問題点が解決できるよう
な光変調方法や、光変調方法を使用した電荷像の読取り
装置などの出現が求められた。
な光変調方法や、光変調方法を使用した電荷像の読取り
装置などの出現が求められた。
（課題を解決するための手段）
本発明は光変調材層部材に半導体層部材の空乏層変化に
よって電界変化が与えられた状態において光変調材層部
材による光変調が行われるようにした光変調方法、及び
読出しの対象にされている電荷像による電界が与えられ
ている光変調材層部材に、半導体層部材の空乏層変化に
よって電界変化が与えられた状態で光変調材層部材に光
を通過させて読取りの対象にされている電荷像によって
生じている電界の強さに応じて光の状態が変化されてい
る変調光を発生させるようにした電荷像の読取り装置を
提供するものである。
よって電界変化が与えられた状態において光変調材層部
材による光変調が行われるようにした光変調方法、及び
読出しの対象にされている電荷像による電界が与えられ
ている光変調材層部材に、半導体層部材の空乏層変化に
よって電界変化が与えられた状態で光変調材層部材に光
を通過させて読取りの対象にされている電荷像によって
生じている電界の強さに応じて光の状態が変化されてい
る変調光を発生させるようにした電荷像の読取り装置を
提供するものである。
（作用）
半導体層部材に交流電界を印加して空乏層を交流電界に
応じて変化させる。それにより読取りの対象にされてい
る電荷像による電界を前記した半・導体層部材における
空乏層の変化によって生じる静電容量値の変化により交
流的に変化されている状態として変調材層部材に与えら
れるようにする。
応じて変化させる。それにより読取りの対象にされてい
る電荷像による電界を前記した半・導体層部材における
空乏層の変化によって生じる静電容量値の変化により交
流的に変化されている状態として変調材層部材に与えら
れるようにする。
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明の光変調方法及び装置
の具体的な内容を詳細に説明する。第１図乃至第１０図
は本発明の光変調方法を用いて構成した電荷像の読取り
装置の各異なる実施例のブロック図、第１１図及び第１
２図は本発明の光変調方法の構成原理及び動作原理を説
明するための図、第１３図は電荷像記録媒体ＲＭに電荷
像を記録する際に使用される記録系の一例構成を示すブ
ロック図、第１４図は説明用の特性例図である。
の具体的な内容を詳細に説明する。第１図乃至第１０図
は本発明の光変調方法を用いて構成した電荷像の読取り
装置の各異なる実施例のブロック図、第１１図及び第１
２図は本発明の光変調方法の構成原理及び動作原理を説
明するための図、第１３図は電荷像記録媒体ＲＭに電荷
像を記録する際に使用される記録系の一例構成を示すブ
ロック図、第１４図は説明用の特性例図である。
まず、第１３図に例示されている記録系を参照し、電荷
像記録媒体ＲＭに記録の対象にされている情報信号を電
荷像として記録する場合について説明する。第１３図に
示されている記録系においてＲＭは電荷像記録媒体であ
り、０は被写体、Ｌは撮像レンズ、ＷＨは書込みヘッド
、Ｖｗは電源である。記録系で使用されている書込みヘ
ッドＷＨは、透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬｗと
を積層した構成態様のものであり、また、電荷像記録媒
体ＲＭは電極Ｅと電荷像保持部材ＣＨＬとを積層した構
成態様のものである。
像記録媒体ＲＭに記録の対象にされている情報信号を電
荷像として記録する場合について説明する。第１３図に
示されている記録系においてＲＭは電荷像記録媒体であ
り、０は被写体、Ｌは撮像レンズ、ＷＨは書込みヘッド
、Ｖｗは電源である。記録系で使用されている書込みヘ
ッドＷＨは、透明電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬｗと
を積層した構成態様のものであり、また、電荷像記録媒
体ＲＭは電極Ｅと電荷像保持部材ＣＨＬとを積層した構
成態様のものである。
第１３図に例示されている記録系において、前記した書
込みヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗには電源ＶＷの
正極が接続されており、また、電荷像記録媒体ＲＭの電
極Ｅには電源Ｖｗの負極が接続されている。
込みヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗには電源ＶＷの
正極が接続されており、また、電荷像記録媒体ＲＭの電
極Ｅには電源Ｖｗの負極が接続されている。
第１３図の記録系において被写体０の光学像が撮像レン
ズＬにより書込みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗに
結像されると、光導電層部材ｐｃＬｗの電気抵抗値は、
それに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化する。
ズＬにより書込みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗに
結像されると、光導電層部材ｐｃＬｗの電気抵抗値は、
それに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化する。
既述のように、前記した書込みヘッドＷＨにおける透明
電極Ｅｔｗと電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間
には電源Ｖｗが接続されているから、前記のように光導
電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値が、それに結像された被
写体Ｏの光学像に従って変化することにより、書込みヘ
ッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗと電荷像記録媒体ＲＭ
における電荷像保持部材ＣＨＬとの間の電圧が、前記し
た被写体０の光学像に従って変化する。
電極Ｅｔｗと電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間
には電源Ｖｗが接続されているから、前記のように光導
電層部材ＰＣＬｗの電気抵抗値が、それに結像された被
写体Ｏの光学像に従って変化することにより、書込みヘ
ッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗと電荷像記録媒体ＲＭ
における電荷像保持部材ＣＨＬとの間の電圧が、前記し
た被写体０の光学像に従って変化する。
そして、書込みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬｗと電
荷像記録媒体ＲＭにおける電荷像保持部材ＣＨＬとの間
に生じる放電によって電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷
像保持部材ＣＨＬに形成される電荷像は前記した被写体
Ｏの光学像に対応しているものになる。
荷像記録媒体ＲＭにおける電荷像保持部材ＣＨＬとの間
に生じる放電によって電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷
像保持部材ＣＨＬに形成される電荷像は前記した被写体
Ｏの光学像に対応しているものになる。
次に、第１１図及び第１２図を参照して本発明の光変調
方法の構成原理及び動作原理を説明する。
方法の構成原理及び動作原理を説明する。
第１１図の（ａ）においてＲＭは第１３図を参照して説
明したようにして電荷像が記録されている記録済記録媒
体であり、また、ＲＨは電荷像の光学的読取り装置（電
荷像の読取り装置）であって、前記した電荷像の光学的
読取り装置ｉ！ＲＨにおいてＥｔは透明電極、ＰＭＬは
光変調材層部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、Ｌｒは電荷像
の読出し光である。
明したようにして電荷像が記録されている記録済記録媒
体であり、また、ＲＨは電荷像の光学的読取り装置（電
荷像の読取り装置）であって、前記した電荷像の光学的
読取り装置ｉ！ＲＨにおいてＥｔは透明電極、ＰＭＬは
光変調材層部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、Ｌｒは電荷像
の読出し光である。
第１１図の（ａ）において電荷像の読取り装置ＲＨはそ
れの誘電体ミラーＤＭＬが電荷像記録媒体ＲＭにおける
電荷像保持部材ＣＨＬ面と接近して配置されていること
により、前記した電荷像記録媒体ＲＭの電荷像保持部材
ＣＨＬに記録されている電荷像による電界が光変調材層
部材ＰＭＬに印加されて、透明電極Ｅｔ側から電荷像の
読取り装置ＲＨに入射された電荷像の読出し光Ｌｒは、
光変調材層部材ＰＭＬ内を通過した後に誘電体ミラーＤ
ＭＬで反射して再び光変調材層部材ＰＭＬ内を通過して
透明電極Ｅｔから出射するが、前記した電荷像の読取り
装置ＦＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬが液晶を用い
て構成されていて、しかも、光変調材層部材ＰＭＬに交
流電界が印加されている場合には、電荷像記録媒体ＲＭ
の電荷像からの電気力線が誘電体ミラーＤＭＬを介して
光変調材層部材ＰＭＬを構成している液晶層に与えられ
ると、透明型［ｉＥｔ側から電荷像の読取り装ｗＲＨに
入射した電荷像の読出し光Ｌｒは液晶層を通過する際に
電荷像記録媒体ＲＭの電荷像からの電界の強度に応じて
旋光の程度が変化することになる。
れの誘電体ミラーＤＭＬが電荷像記録媒体ＲＭにおける
電荷像保持部材ＣＨＬ面と接近して配置されていること
により、前記した電荷像記録媒体ＲＭの電荷像保持部材
ＣＨＬに記録されている電荷像による電界が光変調材層
部材ＰＭＬに印加されて、透明電極Ｅｔ側から電荷像の
読取り装置ＲＨに入射された電荷像の読出し光Ｌｒは、
光変調材層部材ＰＭＬ内を通過した後に誘電体ミラーＤ
ＭＬで反射して再び光変調材層部材ＰＭＬ内を通過して
透明電極Ｅｔから出射するが、前記した電荷像の読取り
装置ＦＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬが液晶を用い
て構成されていて、しかも、光変調材層部材ＰＭＬに交
流電界が印加されている場合には、電荷像記録媒体ＲＭ
の電荷像からの電気力線が誘電体ミラーＤＭＬを介して
光変調材層部材ＰＭＬを構成している液晶層に与えられ
ると、透明型［ｉＥｔ側から電荷像の読取り装ｗＲＨに
入射した電荷像の読出し光Ｌｒは液晶層を通過する際に
電荷像記録媒体ＲＭの電荷像からの電界の強度に応じて
旋光の程度が変化することになる。
第１１図のＣｂ＞は第１１図の（ａ）に示されている電
荷像読取り装置の等価回路図であり、この第１１図の（
ｂ）においてｖｌは電荷像記録媒体ＲＭの電荷像保持部
材ＣＨＬに記録されている電荷像の電圧（電荷像記録媒
体ＲＭの電荷像保持部材ＣＨＬの部分で形成されている
静電容量の端子電圧）であり、またＧｏは電荷像の読取
り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬ以外の構成部
分１例えば誘電体ミラーＤＭＬや空隙等で形成される静
電容量であり、さらにＣｍは電荷像の読取り装置ＲＨに
おける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容
量であり、さらにまたＣ１＃Ｃ２は静電容量値が０１と
０２との間で可変な外部容量であって前記の各静電容量
は直列に接続されている。
荷像読取り装置の等価回路図であり、この第１１図の（
ｂ）においてｖｌは電荷像記録媒体ＲＭの電荷像保持部
材ＣＨＬに記録されている電荷像の電圧（電荷像記録媒
体ＲＭの電荷像保持部材ＣＨＬの部分で形成されている
静電容量の端子電圧）であり、またＧｏは電荷像の読取
り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬ以外の構成部
分１例えば誘電体ミラーＤＭＬや空隙等で形成される静
電容量であり、さらにＣｍは電荷像の読取り装置ＲＨに
おける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容
量であり、さらにまたＣ１＃Ｃ２は静電容量値が０１と
０２との間で可変な外部容量であって前記の各静電容量
は直列に接続されている。
ところで、第１１図の（ａ）に示されている電荷像読取
り装置の等価回路図を示す第１１図の（ｂ）において、
外部容量がＣ１φＣ２のように変化すると、電荷像の読
取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形
成される静電容量Ｃｍに印加される電圧値Ｖｍは周知の
ように変化するから、前記した外部容量を連続的に０１
φＣ２のような変化させると、電荷像の読取り装［ＲＨ
における光変調材層部材ＰＭＬの部分には第１１図の（
ｃ）に示されているようにＶ ｍ （ｐ−ｐ）の交流電
圧が印加されることになる。
り装置の等価回路図を示す第１１図の（ｂ）において、
外部容量がＣ１φＣ２のように変化すると、電荷像の読
取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形
成される静電容量Ｃｍに印加される電圧値Ｖｍは周知の
ように変化するから、前記した外部容量を連続的に０１
φＣ２のような変化させると、電荷像の読取り装［ＲＨ
における光変調材層部材ＰＭＬの部分には第１１図の（
ｃ）に示されているようにＶ ｍ （ｐ−ｐ）の交流電
圧が印加されることになる。
したがって、電荷像の読取り装［ＲＨにおける光変調材
層部材ＰＭＬとして液晶が用いられていても、前記のよ
うに外部容量を連続的にＣ１φＣ２のように変化させる
と、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材Ｐ
ＭＬの部分には第１１図の（Ｑ）に示されているように
Ｖ ｍ （ｐ−ｐ）の交流電圧が印加されるから、この
状態において透明電極Ｅｔ側から電荷像の読取り装置１
ＲＨに入射した電荷像の読出し光Ｌｒは液晶層を通過す
る際に電界の強度に応じて旋光の程度が変化することに
なる。
層部材ＰＭＬとして液晶が用いられていても、前記のよ
うに外部容量を連続的にＣ１φＣ２のように変化させる
と、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材Ｐ
ＭＬの部分には第１１図の（Ｑ）に示されているように
Ｖ ｍ （ｐ−ｐ）の交流電圧が印加されるから、この
状態において透明電極Ｅｔ側から電荷像の読取り装置１
ＲＨに入射した電荷像の読出し光Ｌｒは液晶層を通過す
る際に電界の強度に応じて旋光の程度が変化することに
なる。
次に、第１２図の（ａ）においてＲＭは第１１図の場合
と同様に電荷像が記録されている記録済記録媒体であり
、またＲＨも第１１図の場合と同様に電荷像の光学的読
取り装ｒＩｌ（電荷像の読取り装置りであって、前記し
た電荷像の光学的読取り装ＷＲＨにおいてＥｔは透明電
極、ＰＭＬは光変調材層部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、
Ｌｒは電荷像の読出し光である。
と同様に電荷像が記録されている記録済記録媒体であり
、またＲＨも第１１図の場合と同様に電荷像の光学的読
取り装ｒＩｌ（電荷像の読取り装置りであって、前記し
た電荷像の光学的読取り装ＷＲＨにおいてＥｔは透明電
極、ＰＭＬは光変調材層部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、
Ｌｒは電荷像の読出し光である。
第１２図の（ａ）において電荷像の読取り装！ｔ！ＲＨ
はそれの誘電体ミラーＤＭＬが電荷像記録媒体ＲＭにお
ける電荷像保持部材ＣＨＬ面と接近して配置されている
ことにより、前記した電荷像記録媒体ＲＭの電荷像保持
部材ＣＨＬに記録されている電荷像による電界が光変調
材層部材ＰＭＬに印加されて、透明電極Ｅｔ側から電荷
像の読取り装置ＲＨに入射された電荷像の読出し光Ｌｒ
は、光変調材層部材ＰＭＬ内を通過した後に誘電体ミラ
ーＤＭＬで反射して再び光変調材層部材Ｐ Ｍ Ｌ内を
通過して透明電極Ｅｔから出射するが、前記した電荷像
の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬが液晶
を用いて構成されていて、しかも、光変調材層部材ＰＭ
Ｌに交流電界が印加されている場合には、電荷像記録媒
体ＲＭの電荷像からの電気力線が誘電体ミラーＤＭＬを
介して光変調材層部材ＰＭＬを構成している液晶層に与
えられると、透明電極Ｅｔ側から電荷像の読取り装ＷＲ
Ｈに入射した電荷像の読出し光Ｌｒは液晶層を通過する
際に電荷像記録媒体ＲＭの電荷像からの電界の強度に応
じて旋光の程度が変化することになる。
はそれの誘電体ミラーＤＭＬが電荷像記録媒体ＲＭにお
ける電荷像保持部材ＣＨＬ面と接近して配置されている
ことにより、前記した電荷像記録媒体ＲＭの電荷像保持
部材ＣＨＬに記録されている電荷像による電界が光変調
材層部材ＰＭＬに印加されて、透明電極Ｅｔ側から電荷
像の読取り装置ＲＨに入射された電荷像の読出し光Ｌｒ
は、光変調材層部材ＰＭＬ内を通過した後に誘電体ミラ
ーＤＭＬで反射して再び光変調材層部材Ｐ Ｍ Ｌ内を
通過して透明電極Ｅｔから出射するが、前記した電荷像
の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬが液晶
を用いて構成されていて、しかも、光変調材層部材ＰＭ
Ｌに交流電界が印加されている場合には、電荷像記録媒
体ＲＭの電荷像からの電気力線が誘電体ミラーＤＭＬを
介して光変調材層部材ＰＭＬを構成している液晶層に与
えられると、透明電極Ｅｔ側から電荷像の読取り装ＷＲ
Ｈに入射した電荷像の読出し光Ｌｒは液晶層を通過する
際に電荷像記録媒体ＲＭの電荷像からの電界の強度に応
じて旋光の程度が変化することになる。
第１２図の（ｂ）、（ｄ）は電荷像記録媒体ＲＭの電荷
像保持部材ＣＨＬに記録されている電荷像の電圧（電荷
像記録媒体ＲＭの電荷像保持部材ＣＨＬの部分で形成さ
れている静電容量の端子電圧）が高い電圧ｖ１の場合（
第１２図の（ｂ））と低い電圧ｖ２の場合（第１２図の
（ｄ））とにおける電荷像読取り装置の等価回路図であ
り、第１２図の（ｂ）。
像保持部材ＣＨＬに記録されている電荷像の電圧（電荷
像記録媒体ＲＭの電荷像保持部材ＣＨＬの部分で形成さ
れている静電容量の端子電圧）が高い電圧ｖ１の場合（
第１２図の（ｂ））と低い電圧ｖ２の場合（第１２図の
（ｄ））とにおける電荷像読取り装置の等価回路図であ
り、第１２図の（ｂ）。
（ｄ）において、Ｃｏは既述した第１１図の場合と同様
に電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭ
Ｌ以外の構成部分１例えば誘電体ミラーＤＭＬや空隙等
で形成される静電容量であり。
に電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭ
Ｌ以外の構成部分１例えば誘電体ミラーＤＭＬや空隙等
で形成される静電容量であり。
また、Ｃｍは電荷像の読取り装［ＲＨにおける光変調材
層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容量である。
層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容量である。
また、第１２図の（ｂ）、（ｄ）において前記した静電
容量Ｃｏ、Ｃｍなどに直列に接続されており。
容量Ｃｏ、Ｃｍなどに直列に接続されており。
図中でＣｔφＣ２のように静電容量値が変化するものと
して示されている静電容量は、電荷像の読取り装置Ｉ！
ＲＨにおける透明電極Ｅｔと光変調層部材ＰＭＬとの間
隔を第１２図の（ａ）中の矢印Ｃ１ｃ＞Ｃ２のように変
化させることによって容量が変化する静電容量である。
して示されている静電容量は、電荷像の読取り装置Ｉ！
ＲＨにおける透明電極Ｅｔと光変調層部材ＰＭＬとの間
隔を第１２図の（ａ）中の矢印Ｃ１ｃ＞Ｃ２のように変
化させることによって容量が変化する静電容量である。
そして、第１２図の（ａ）に示されている電荷像読取り
装置の等価回路図を示す第１２図の（ｂ）において、電
荷像の読取り装置ＲＨにおける透明電極Ｅｔが変位する
ことによって静電容量値がＣ１φＣ２のように変化する
と、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材Ｐ
ＭＬの部分で形成される静電容量Ｃｍに印加される電圧
値Ｖｍｌは周知のように変化するから、前記した電荷像
の読取り装置ＲＨにおける透明電極Ｅｔと光変調層部材
ＰＭＬとの間隔を第１２図の（ａ）中の矢印Ｃ１φＣ２
のように変化させると、電荷像の読取り装！ＲＨにおけ
る光変調材層部材ＰＭＬの部分には第１２図の（ｃ）に
示されているようにｖ ｍ ｌ （ｐ−ｐ）の交流電圧
が印加されることになる。
装置の等価回路図を示す第１２図の（ｂ）において、電
荷像の読取り装置ＲＨにおける透明電極Ｅｔが変位する
ことによって静電容量値がＣ１φＣ２のように変化する
と、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材Ｐ
ＭＬの部分で形成される静電容量Ｃｍに印加される電圧
値Ｖｍｌは周知のように変化するから、前記した電荷像
の読取り装置ＲＨにおける透明電極Ｅｔと光変調層部材
ＰＭＬとの間隔を第１２図の（ａ）中の矢印Ｃ１φＣ２
のように変化させると、電荷像の読取り装！ＲＨにおけ
る光変調材層部材ＰＭＬの部分には第１２図の（ｃ）に
示されているようにｖ ｍ ｌ （ｐ−ｐ）の交流電圧
が印加されることになる。
また、第１２図の（ａ）に示されている電荷像読取り装
置の等価回路図を示す第１２図の（ｄ）において、前記
した電荷像の読取り装置ＲＨにおける透明電極Ｅｔと光
変調層部材ＰＭＬとの間隔を第１２図の（ａ）中の矢印
Ｃ１φＣ２のように変化させると、電荷像の読取り装置
ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される
静電容量Ｃｍに印加される電圧値Ｖｍ２は周知のように
変化するから、前記した透明電極Ｅｔを連続的にＣ１ａ
Ｃ２のように変位させると、電荷像の読取り装ＷＩＲＨ
における光変調材層部材ＰＭＬの部分には第１２図の（
ｅ）に示されているようにＶ ｍ ２（ｐ−ｐ）の交流
電圧が印加されることになる。
置の等価回路図を示す第１２図の（ｄ）において、前記
した電荷像の読取り装置ＲＨにおける透明電極Ｅｔと光
変調層部材ＰＭＬとの間隔を第１２図の（ａ）中の矢印
Ｃ１φＣ２のように変化させると、電荷像の読取り装置
ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される
静電容量Ｃｍに印加される電圧値Ｖｍ２は周知のように
変化するから、前記した透明電極Ｅｔを連続的にＣ１ａ
Ｃ２のように変位させると、電荷像の読取り装ＷＩＲＨ
における光変調材層部材ＰＭＬの部分には第１２図の（
ｅ）に示されているようにＶ ｍ ２（ｐ−ｐ）の交流
電圧が印加されることになる。
したがって、電荷像の読取り装置！ＲＨにおける光変調
材層部材ＰＭＬとして液晶が用いられていても、前記の
ように電荷像の読取り装置ｔ！ＲＨにおける透明電極Ｅ
ｔと光変調層部材ＰＭＬとの間隔を第１２図の（ａ）中
の矢印Ｃ１φＣ２のように連続的に変化させることによ
り、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材Ｐ
ＭＬの部分には第１２図の（ｃ）に示されているように
Ｖ ｍ １ （ｐ−ｐ）の交流電圧が印加されたり、あ
るいは、第１２図の（ａ）に示されているようにＶ ｍ
２（ｐ−ｐ）の交流電圧が印加されたりるから、この
状態において透明電極Ｅｔ側から電荷像の読取り装置！
ＲＨに入射した電荷像の読出し光Ｌｒは液晶層を通過す
る際に電界の強度に応じて旋光の程度が変化することに
なる。
材層部材ＰＭＬとして液晶が用いられていても、前記の
ように電荷像の読取り装置ｔ！ＲＨにおける透明電極Ｅ
ｔと光変調層部材ＰＭＬとの間隔を第１２図の（ａ）中
の矢印Ｃ１φＣ２のように連続的に変化させることによ
り、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材Ｐ
ＭＬの部分には第１２図の（ｃ）に示されているように
Ｖ ｍ １ （ｐ−ｐ）の交流電圧が印加されたり、あ
るいは、第１２図の（ａ）に示されているようにＶ ｍ
２（ｐ−ｐ）の交流電圧が印加されたりるから、この
状態において透明電極Ｅｔ側から電荷像の読取り装置！
ＲＨに入射した電荷像の読出し光Ｌｒは液晶層を通過す
る際に電界の強度に応じて旋光の程度が変化することに
なる。
そして、前記した電荷像の読取り装ＭＲＨから出射した
光は、それを検光子に通すことによ、り光強度の大小の
光となされることはいうまでもない。
光は、それを検光子に通すことによ、り光強度の大小の
光となされることはいうまでもない。
第１１図及び第１２図を参照して説明したところから明
らかなように、光変調材層部材に直列的に接続された状
態の静電容量の容量値を時間軸上で所定の速度で変化さ
せると、光変調材層部材ＰＭＬとして用いられている液
晶層に対して交流電圧を印加させることができることが
判かったが、本発明では光変調材層部材に直列的に接続
された状態の静電容量の容量値を時間軸上で所定の速度
で変化させるのに、半導体層部材の空乏層を時間軸上で
所定の速度で変化させるようにしているのである。
らかなように、光変調材層部材に直列的に接続された状
態の静電容量の容量値を時間軸上で所定の速度で変化さ
せると、光変調材層部材ＰＭＬとして用いられている液
晶層に対して交流電圧を印加させることができることが
判かったが、本発明では光変調材層部材に直列的に接続
された状態の静電容量の容量値を時間軸上で所定の速度
で変化させるのに、半導体層部材の空乏層を時間軸上で
所定の速度で変化させるようにしているのである。
そして１本発明において前記のように光変調材層部材に
直列的に接続された状態の静電容量の容量値を時間軸上
で所定の速度で変化させるのに。
直列的に接続された状態の静電容量の容量値を時間軸上
で所定の速度で変化させるのに。
半導体層部材の空乏層を時間軸上で所定の速度で変化さ
せるようにしたことにより、光学的な電荷像の読取り装
置において使用される光変調材として液晶が採用されて
いる場合でも、その液晶には実質的に交流電界が加えら
れるために良好に動作するし、また、光学的な電荷像の
読取り装置の構成中に、例えば誘電体ミラー、遮光膜、
内部の反射防止膜などの各種の部材が用いられていても
、電界が交流的なものとして加わるために、それらの部
材によって解像度が低下されることも防止でき、さらに
、電荷像記録媒体に記録されている電荷像によって生じ
ている電界が交流的なものとして加わるために、光学的
な電荷像の読取り装置と、電荷像記録媒体との間に空隙
が存在している場合でも、電荷像記録媒体に記録されて
いる電荷像によって生じている電界が、空隙と光学的な
電荷像の読取り装置との静電容量の比で分圧された状態
で光学的な電荷像の読取り装置に加えられるから、光学
的な電荷像の読取り装置における読取り感度が向上され
るのである。
せるようにしたことにより、光学的な電荷像の読取り装
置において使用される光変調材として液晶が採用されて
いる場合でも、その液晶には実質的に交流電界が加えら
れるために良好に動作するし、また、光学的な電荷像の
読取り装置の構成中に、例えば誘電体ミラー、遮光膜、
内部の反射防止膜などの各種の部材が用いられていても
、電界が交流的なものとして加わるために、それらの部
材によって解像度が低下されることも防止でき、さらに
、電荷像記録媒体に記録されている電荷像によって生じ
ている電界が交流的なものとして加わるために、光学的
な電荷像の読取り装置と、電荷像記録媒体との間に空隙
が存在している場合でも、電荷像記録媒体に記録されて
いる電荷像によって生じている電界が、空隙と光学的な
電荷像の読取り装置との静電容量の比で分圧された状態
で光学的な電荷像の読取り装置に加えられるから、光学
的な電荷像の読取り装置における読取り感度が向上され
るのである。
第１図は本発明の光変調方法、すなわち、光変調材層部
材に半導体層部材の空乏層変化によって電界変化が与え
られた状態において光変調材層部材による光変調が行わ
れるようにした光変調方法を適用して構成した光学的な
電荷像の読取り装置の一実施例のブロック図であり、こ
の第１図においてＲＭは第１３図を参照して既述したよ
うにして電荷像が記録されている電荷像記録媒体（記録
済記録媒体）であって、Ｅｔは透明電極、ＣＨＬは電荷
像保持部材であり、また、ＲＨは電荷像の光学的な読取
り装置（電荷像の読取り装置！りである。
材に半導体層部材の空乏層変化によって電界変化が与え
られた状態において光変調材層部材による光変調が行わ
れるようにした光変調方法を適用して構成した光学的な
電荷像の読取り装置の一実施例のブロック図であり、こ
の第１図においてＲＭは第１３図を参照して既述したよ
うにして電荷像が記録されている電荷像記録媒体（記録
済記録媒体）であって、Ｅｔは透明電極、ＣＨＬは電荷
像保持部材であり、また、ＲＨは電荷像の光学的な読取
り装置（電荷像の読取り装置！りである。
第１図中に例示されている電荷像の読取り装置ＲＨは、
電極Ｅと半導体層部材５ＣＬ（例えば。
電極Ｅと半導体層部材５ＣＬ（例えば。
シリコン基板が使用でき、導電型はＰ型でもＮ型でもど
ちらでもよい）と誘電体ミラーＤＭＬと光変調材層部材
ＰＭＬ（例えば、液晶、エレクトロクロミック材、ニオ
ブ酸リチウム単結晶、Ｂ５０１ＳＢＮ、その他の光変調
材の何れかが使用されてよい）との積層構成のものであ
る。前記した光変調材層部材ＰＭＬとして液晶が使用さ
れた場合には、２枚の透明基板の間に配向膜と液晶層と
を設けた周知の構成形態のものが使用されてよい。
ちらでもよい）と誘電体ミラーＤＭＬと光変調材層部材
ＰＭＬ（例えば、液晶、エレクトロクロミック材、ニオ
ブ酸リチウム単結晶、Ｂ５０１ＳＢＮ、その他の光変調
材の何れかが使用されてよい）との積層構成のものであ
る。前記した光変調材層部材ＰＭＬとして液晶が使用さ
れた場合には、２枚の透明基板の間に配向膜と液晶層と
を設けた周知の構成形態のものが使用されてよい。
そして、前記した電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷像保
持部材ＣＨＬと電荷像の読取り装置ｆＲＨの光変調材層
部材ＰＭＬとは極めて接近して配置されており、前記し
た電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷像保持部材ＣＨＬに
記録されている電荷像による電界が電荷像の読取り装置
！ＲＨの光変調材層部材ＰＭＬに印加されている状態に
なされている。
持部材ＣＨＬと電荷像の読取り装置ｆＲＨの光変調材層
部材ＰＭＬとは極めて接近して配置されており、前記し
た電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷像保持部材ＣＨＬに
記録されている電荷像による電界が電荷像の読取り装置
！ＲＨの光変調材層部材ＰＭＬに印加されている状態に
なされている。
第１図において電荷像記録媒体ＲＭの透明電極Ｅｔと電
荷像の読取り装５１ＲＨの電極Ｅとには電源Ｖｄ１ｌか
ら交番電圧１例えば適当な極性と繰返し周波数の矩形波
電圧が供給される。前記した矩形波電圧は、電荷像の読
取り装置！ＲＨの構成中に使用されている半導体層部材
ＳＣＬとして使用されている半導体基板の導電型がＰ型
である場合には正極性の電圧が使用され、また、電荷像
の読取り装置ＲＨの構成中に使用されている半導体層部
材ＳＣＬとして使用されている半導体基板の導電型がＮ
型である場合には負極性の電圧が使用されて、電源ｖｄ
Ｑから矩形波電圧が電荷像記録媒体ＲＭの透明電極Ｅｔ
と電荷像の読取り装置１ＲＨの電極Ｅとの間に供給さ九
たときに、矩形波電圧に応じて電荷像の読取り装ＭＲＨ
の構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬに空乏層
の厚さの変化が生じるようにされる。
荷像の読取り装５１ＲＨの電極Ｅとには電源Ｖｄ１ｌか
ら交番電圧１例えば適当な極性と繰返し周波数の矩形波
電圧が供給される。前記した矩形波電圧は、電荷像の読
取り装置！ＲＨの構成中に使用されている半導体層部材
ＳＣＬとして使用されている半導体基板の導電型がＰ型
である場合には正極性の電圧が使用され、また、電荷像
の読取り装置ＲＨの構成中に使用されている半導体層部
材ＳＣＬとして使用されている半導体基板の導電型がＮ
型である場合には負極性の電圧が使用されて、電源ｖｄ
Ｑから矩形波電圧が電荷像記録媒体ＲＭの透明電極Ｅｔ
と電荷像の読取り装置１ＲＨの電極Ｅとの間に供給さ九
たときに、矩形波電圧に応じて電荷像の読取り装ＭＲＨ
の構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬに空乏層
の厚さの変化が生じるようにされる。
すなわち前記した電荷像記録媒体ＲＭの透明電極Ｅｔと
電荷像の読取り装置１ＲＨの電極Ｅとに接続される電源
Ｖｄ１ｍは、電荷像の読取り装ｆｉＲＨの構成中に使用
されている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを
変化させるための電圧を供給するためのものである。
電荷像の読取り装置１ＲＨの電極Ｅとに接続される電源
Ｖｄ１ｍは、電荷像の読取り装ｆｉＲＨの構成中に使用
されている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを
変化させるための電圧を供給するためのものである。
前記のように構成されている第１図において、記録媒体
ＲＭの透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装置！ＲＨの電極
Ｅとに電源ＶｄＱから、所定の極性と繰返し周波数を有
する矩形波電圧が供給されると、電荷像の読取り装置Ｒ
Ｈの構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおけ
る空乏層の厚さが変化するために、第１図中の電荷像の
読取り装置ＲＨにおける電極Ｅと誘電体ミラーＤＭＬと
の間隔が前記した矩形波電圧に対応して実質的に変化す
る。
ＲＭの透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装置！ＲＨの電極
Ｅとに電源ＶｄＱから、所定の極性と繰返し周波数を有
する矩形波電圧が供給されると、電荷像の読取り装置Ｒ
Ｈの構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおけ
る空乏層の厚さが変化するために、第１図中の電荷像の
読取り装置ＲＨにおける電極Ｅと誘電体ミラーＤＭＬと
の間隔が前記した矩形波電圧に対応して実質的に変化す
る。
すなわち、第１図において電荷像記録媒体ＲＭの透明電
極Ｅｔと電荷像の読取り装［ＲＨの電極Ｅとに電源Ｖｄ
ａから、所定の極性と繰返し周波数を有する矩形波電圧
を供給した場合には電荷像の読取り装置ＲＨにおける前
記した透明電極Ｅの実質的な変位によって第１２図の（
ａ）を参照して既述した場合と同様に、静電容量値が０
１φＣ２のように変化して、電荷像の読取り装［ＲＨに
おける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容
量Ｃｍに印加される電圧値が矩形波電圧に従って変化す
るから、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部
材ＰＭＬは交流動作を行うことになり、電荷像記録媒体
ＲＭにおける電荷像保持部材ＣＨＬに記録されている電
荷像による電界も電荷像の読取り装置ＲＨの光変調材層
部材ＰＭＬに交流的なものとして与えられる。
極Ｅｔと電荷像の読取り装［ＲＨの電極Ｅとに電源Ｖｄ
ａから、所定の極性と繰返し周波数を有する矩形波電圧
を供給した場合には電荷像の読取り装置ＲＨにおける前
記した透明電極Ｅの実質的な変位によって第１２図の（
ａ）を参照して既述した場合と同様に、静電容量値が０
１φＣ２のように変化して、電荷像の読取り装［ＲＨに
おける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容
量Ｃｍに印加される電圧値が矩形波電圧に従って変化す
るから、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部
材ＰＭＬは交流動作を行うことになり、電荷像記録媒体
ＲＭにおける電荷像保持部材ＣＨＬに記録されている電
荷像による電界も電荷像の読取り装置ＲＨの光変調材層
部材ＰＭＬに交流的なものとして与えられる。
そこで、電荷像記録媒体ＲＭにおける透明電極Ｅｔ側か
ら読出し光Ｌｒを入射させると、その読出し光Ｌｒは透
明な電荷像保持部材ＣＨＬを透過した後に電荷像の読取
り装［ＲＨに入射して光変調材層部材ＰＭＬを通過した
後に誘電体ミラーＤＭＬで反射し、再び光変調材層部材
ＰＭＬを通過した後に光変調材層部材ＰＭＬを出射して
電荷像記録媒体ＲＭにおける透明な電荷像保持部材ＣＨ
Ｌと透明電極Ｅｔを透過して電荷像記録媒体ＲＭから出
射する。
ら読出し光Ｌｒを入射させると、その読出し光Ｌｒは透
明な電荷像保持部材ＣＨＬを透過した後に電荷像の読取
り装［ＲＨに入射して光変調材層部材ＰＭＬを通過した
後に誘電体ミラーＤＭＬで反射し、再び光変調材層部材
ＰＭＬを通過した後に光変調材層部材ＰＭＬを出射して
電荷像記録媒体ＲＭにおける透明な電荷像保持部材ＣＨ
Ｌと透明電極Ｅｔを透過して電荷像記録媒体ＲＭから出
射する。
前記した電荷像の読出し光Ｌｒは光変調材層部材ＰＭＬ
の液晶層を通過する際に電界の強度に応じて旋光の程度
が変化することになり、前記した電荷像の読取り装［Ｒ
Ｈから出射した光は、それを検光子に通すことにより光
強度の大小の光として検出されうるのである。
の液晶層を通過する際に電界の強度に応じて旋光の程度
が変化することになり、前記した電荷像の読取り装［Ｒ
Ｈから出射した光は、それを検光子に通すことにより光
強度の大小の光として検出されうるのである。
第１図に示した実施例においては、電荷像記録媒体ＲＭ
の透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装置ＲＨの電極Ｅとに
電源Ｖｄｆｌから、電荷像の読取り装置ＲＨの構成中に
使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚
さを変化させるための矩形波電圧を供給することにより
、電荷像の読取り装置ＲＨの構成中に使用されている半
導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化させて、
電荷像の読取り装置ＲＨにおける透明電極Ｅを実質的に
変位させたと等価の状態として、電荷像の読取り装置Ｒ
Ｈにおける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される静
電容量Ｃｍに印加される電圧値を矩形波電圧に従って変
化させ、電荷像の読取り装置１ＲＨにおける光変調材層
部材ＰＭＬが交流動作を行うことができるようにしてい
るものであるが、光変調材層部材ＰＭＬが例えば液晶を
使用して構成されているものである場合には、それに印
加される交流電圧と光の透過率とによって示される変調
特性は第１４図に例示されているように光変調のために
使用できる領域が図中の交流電圧のａからｂまでのよう
に限られている。
の透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装置ＲＨの電極Ｅとに
電源Ｖｄｆｌから、電荷像の読取り装置ＲＨの構成中に
使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚
さを変化させるための矩形波電圧を供給することにより
、電荷像の読取り装置ＲＨの構成中に使用されている半
導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化させて、
電荷像の読取り装置ＲＨにおける透明電極Ｅを実質的に
変位させたと等価の状態として、電荷像の読取り装置Ｒ
Ｈにおける光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される静
電容量Ｃｍに印加される電圧値を矩形波電圧に従って変
化させ、電荷像の読取り装置１ＲＨにおける光変調材層
部材ＰＭＬが交流動作を行うことができるようにしてい
るものであるが、光変調材層部材ＰＭＬが例えば液晶を
使用して構成されているものである場合には、それに印
加される交流電圧と光の透過率とによって示される変調
特性は第１４図に例示されているように光変調のために
使用できる領域が図中の交流電圧のａからｂまでのよう
に限られている。
それで、第１図示の実施例では電荷像の読取り装置ＲＨ
の構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける
空乏層の厚さを変化させるために電荷像記録媒体ＲＭの
透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装置ＲＨの電極Ｅとに電
源Ｖｄｊｌから供給される矩形波電圧が、光変調材層部
材ＰＭＬが良好な変調動作を行いつるような大きさのも
のに選定される必要があるが、前記した電圧値は電荷像
記録媒体ＲＭと電荷像の読取り装置ＲＨとの間隔の変化
によっても変化するために電圧値の設定が煩雑である。
の構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける
空乏層の厚さを変化させるために電荷像記録媒体ＲＭの
透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装置ＲＨの電極Ｅとに電
源Ｖｄｊｌから供給される矩形波電圧が、光変調材層部
材ＰＭＬが良好な変調動作を行いつるような大きさのも
のに選定される必要があるが、前記した電圧値は電荷像
記録媒体ＲＭと電荷像の読取り装置ＲＨとの間隔の変化
によっても変化するために電圧値の設定が煩雑である。
第２図示の実施例は、電荷像の読取り装置１ＲＨの構成
中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層
の厚さを変化させるために電荷像記録媒体ＲＭの透明電
極Ｅｔと電荷像の読取り装置ＲＨの電極Ｅとに矩形波電
圧を供給するための電源Ｖｄ１ｌと、光変調材層部材Ｐ
ＭＬが良好な変調動作を行いうるようにするためのバイ
アス電圧Ｖｂを発生する電源ｖｂとを直列的に設けて、
第１図示の実施例における前記の問題点が解決できるよ
うにしたものである。
中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層
の厚さを変化させるために電荷像記録媒体ＲＭの透明電
極Ｅｔと電荷像の読取り装置ＲＨの電極Ｅとに矩形波電
圧を供給するための電源Ｖｄ１ｌと、光変調材層部材Ｐ
ＭＬが良好な変調動作を行いうるようにするためのバイ
アス電圧Ｖｂを発生する電源ｖｂとを直列的に設けて、
第１図示の実施例における前記の問題点が解決できるよ
うにしたものである。
また、電荷像の読取り装置ＲＨの構成中に使用されてい
る半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化させ
るために第１図示の実施例のように電荷像記録媒体ＲＭ
の透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装置ＲＨの電極Ｅとに
電源ｖｄＱから矩形波電圧を供給するような構成とした
場合には１例えば電荷像記録媒体ＲＭと電荷像の読取り
装置ＲＨとの間隔が大きいと、電荷像の読取り装［ＲＨ
の構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにそれの
空乏層の厚さを変化させるために必要な電圧が半導体層
部材ＳＣＬに印加されるようにするために、電荷像記録
媒体ＲＭの透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装！！ＲＨの
電極Ｅとには電源Ｖｄｆｆ１から大きな矩形波電圧が供
給されることが必要となるが、このような場合に光変調
材層部材ＰＭＬにも必然的に大きな電圧が印加されるこ
とになり、その電圧により光変調材層部材ＰＭＬの特性
が変化して電荷像の読取り動作に悪影響が出るおそれも
生じる。
る半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化させ
るために第１図示の実施例のように電荷像記録媒体ＲＭ
の透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装置ＲＨの電極Ｅとに
電源ｖｄＱから矩形波電圧を供給するような構成とした
場合には１例えば電荷像記録媒体ＲＭと電荷像の読取り
装置ＲＨとの間隔が大きいと、電荷像の読取り装［ＲＨ
の構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにそれの
空乏層の厚さを変化させるために必要な電圧が半導体層
部材ＳＣＬに印加されるようにするために、電荷像記録
媒体ＲＭの透明電極Ｅｔと電荷像の読取り装！！ＲＨの
電極Ｅとには電源Ｖｄｆｆ１から大きな矩形波電圧が供
給されることが必要となるが、このような場合に光変調
材層部材ＰＭＬにも必然的に大きな電圧が印加されるこ
とになり、その電圧により光変調材層部材ＰＭＬの特性
が変化して電荷像の読取り動作に悪影響が出るおそれも
生じる。
第３図示の実施例は前述のような問題点が生じないよう
な構成とした実施例であり、第３図においてＥｓは所定
のパターンを有する電極であり、半導体層部材ＳＣＬに
は前記したパターン電極ＥＳと電ｐｉＥとに接続された
電源ＶｄΩから空乏層の厚さを変化させるための矩形波
電圧を印加して、空乏層の厚さを変化させるための矩形
波電圧が光変調層部材ＰＭＬに悪影響を及ぼさないよう
にしているのである。前記したパターン電極Ｅｓは絶縁
層中に埋設されている。パターン電極Ｅｓとしては例え
ば多数の金属の細条片を横方向あるいは縦方向に平行に
配列したり、あるいは多数の金属の細条片を縦横方向に
平行に配列したり、その他任意の構成形態のものが使用
できる。
な構成とした実施例であり、第３図においてＥｓは所定
のパターンを有する電極であり、半導体層部材ＳＣＬに
は前記したパターン電極ＥＳと電ｐｉＥとに接続された
電源ＶｄΩから空乏層の厚さを変化させるための矩形波
電圧を印加して、空乏層の厚さを変化させるための矩形
波電圧が光変調層部材ＰＭＬに悪影響を及ぼさないよう
にしているのである。前記したパターン電極Ｅｓは絶縁
層中に埋設されている。パターン電極Ｅｓとしては例え
ば多数の金属の細条片を横方向あるいは縦方向に平行に
配列したり、あるいは多数の金属の細条片を縦横方向に
平行に配列したり、その他任意の構成形態のものが使用
できる。
第４図及び第５図は第３図示の実施例のものに、それの
光変調材層部材ＰＭＬの動作点を設定するためのバイア
ス電源ｖｂを別に付加した構成態様の実施例であり、第
４図に示されている実施例はバイアス電源ｖｂをパター
ン電極Ｅｓと電荷像記録媒体ＲＭの透明電極Ｅｔとの間
に接続したちのであり、また、第５図に示されている実
施例はバイアス電源ｖｂを電荷像記録媒体ＲＭの透明電
極Ｅｔと電荷像の読取り装！！ＲＨの電極Ｅとの間に接
続したものである。
光変調材層部材ＰＭＬの動作点を設定するためのバイア
ス電源ｖｂを別に付加した構成態様の実施例であり、第
４図に示されている実施例はバイアス電源ｖｂをパター
ン電極Ｅｓと電荷像記録媒体ＲＭの透明電極Ｅｔとの間
に接続したちのであり、また、第５図に示されている実
施例はバイアス電源ｖｂを電荷像記録媒体ＲＭの透明電
極Ｅｔと電荷像の読取り装！！ＲＨの電極Ｅとの間に接
続したものである。
第１図乃至第５図を参照して既述した実施例は、空乏層
の厚さを変化させる半導体層部材ＳＣＬを電荷像の読取
り装置ｆＲＨの構成中に使用しているものであったが、
第６図乃至第９図に示されてい実施例は空乏層の厚さを
変化させる半導体層部材ＳＣＬを電荷像記録媒体ＲＭの
方に設けたものである。
の厚さを変化させる半導体層部材ＳＣＬを電荷像の読取
り装置ｆＲＨの構成中に使用しているものであったが、
第６図乃至第９図に示されてい実施例は空乏層の厚さを
変化させる半導体層部材ＳＣＬを電荷像記録媒体ＲＭの
方に設けたものである。
第６図及び第７図に示されている電荷像記録媒体ＲＭに
おいてＥは電極、ＳＣＬは半導体層部材、ＣＨＬは電荷
像保持部材であり、また、第８図及び第９図に示されて
いる電荷像記録媒体ＲＭにおいてＥは電極、ＳＣＬは半
導体層部材、ＣＨＬは電荷像保持部材、Ｅｓは電荷像保
持部材ＣＨＬ中に埋設されているパターン電極であって
、前記した各構成部分はそれぞれ積層されることにより
電荷像記録媒体ＲＭとなされている。第６図乃至第９図
中に例示されている電荷像記録媒体ＲＭにおける半導体
層部材ＳＣＬは例えば、シリコン基板が使用でき、導電
型はＰ型でもＮ型でもどちらでもよい。
おいてＥは電極、ＳＣＬは半導体層部材、ＣＨＬは電荷
像保持部材であり、また、第８図及び第９図に示されて
いる電荷像記録媒体ＲＭにおいてＥは電極、ＳＣＬは半
導体層部材、ＣＨＬは電荷像保持部材、Ｅｓは電荷像保
持部材ＣＨＬ中に埋設されているパターン電極であって
、前記した各構成部分はそれぞれ積層されることにより
電荷像記録媒体ＲＭとなされている。第６図乃至第９図
中に例示されている電荷像記録媒体ＲＭにおける半導体
層部材ＳＣＬは例えば、シリコン基板が使用でき、導電
型はＰ型でもＮ型でもどちらでもよい。
また、第６図乃至第９図中に示されている電荷像の読取
り装置は透明電極Ｅｔと光変調層部材ＰＭＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとを積層して構成されており、光変調材層部
材ＰＭＬとしては例えば、液晶、エレクトロクロミック
材、ニオブ酸リチウム単結晶、ＢＳＯ，ＳＢＮ、その他
の光変調材の何れかが使用されてよい、前記した光変調
材層部材ＰＭＬとして液晶が使用された場合には、２枚
の透明基板の間に配向塵と液晶層とを設けた周知の構成
形態のものが使用されてよい。
り装置は透明電極Ｅｔと光変調層部材ＰＭＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとを積層して構成されており、光変調材層部
材ＰＭＬとしては例えば、液晶、エレクトロクロミック
材、ニオブ酸リチウム単結晶、ＢＳＯ，ＳＢＮ、その他
の光変調材の何れかが使用されてよい、前記した光変調
材層部材ＰＭＬとして液晶が使用された場合には、２枚
の透明基板の間に配向塵と液晶層とを設けた周知の構成
形態のものが使用されてよい。
前記した電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷像保持部材Ｃ
ＨＬと、電荷像の読取り装［ＲＨの誘電体ミラーＤＭＬ
と光変調材層部材ＰＭＬとは極めて接近して配置されて
おり、前記した電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷像保持
部材ＣＨＬに記録されている電荷像による電界が電荷像
の読取り装置ＲＨの光変調材層部材ＰＭＬに印加されて
いる状態になされている。
ＨＬと、電荷像の読取り装［ＲＨの誘電体ミラーＤＭＬ
と光変調材層部材ＰＭＬとは極めて接近して配置されて
おり、前記した電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷像保持
部材ＣＨＬに記録されている電荷像による電界が電荷像
の読取り装置ＲＨの光変調材層部材ＰＭＬに印加されて
いる状態になされている。
第６図において電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅと電荷像の
読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとには電源Ｖｄａから交
番電圧、例えば適当な極性と繰返し周波数の矩形波電圧
が供給される。前記した矩形波電圧は、電荷像記録媒体
ＲＭの構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬとし
て使用されている半導体基板の導電型がＰ型である場合
には正極性の電圧が使用され、また、電荷像の読取り装
置ＲＨの構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬと
して使用されている半導体基板の導電型がＮ型である場
合には負極性の電圧が使用されて。
読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとには電源Ｖｄａから交
番電圧、例えば適当な極性と繰返し周波数の矩形波電圧
が供給される。前記した矩形波電圧は、電荷像記録媒体
ＲＭの構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬとし
て使用されている半導体基板の導電型がＰ型である場合
には正極性の電圧が使用され、また、電荷像の読取り装
置ＲＨの構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬと
して使用されている半導体基板の導電型がＮ型である場
合には負極性の電圧が使用されて。
電源ＶｄΩから矩形波電圧が電荷像記録媒体ＲＭの電極
Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとの間に供
給されたときに、矩形波電圧に応じて電荷像記録媒体Ｒ
Ｍの構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬに空乏
層の厚さの変化が生じるようにされる。
Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとの間に供
給されたときに、矩形波電圧に応じて電荷像記録媒体Ｒ
Ｍの構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬに空乏
層の厚さの変化が生じるようにされる。
すなわち前記した電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅと電荷像
の読取り装置ｔＲＨの透明電極Ｅｔとに接続される電源
Ｖｄｊｌは、電荷像記録媒体ＲＭの構成中に使用されて
いる半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化さ
せるための電圧を供給するためのものである。
の読取り装置ｔＲＨの透明電極Ｅｔとに接続される電源
Ｖｄｊｌは、電荷像記録媒体ＲＭの構成中に使用されて
いる半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化さ
せるための電圧を供給するためのものである。
前記のように構成されている第６図において、記録媒体
ＲＭの電極Ｅと電荷像の読取り装！ｔＲＨの透明電極Ｅ
ｔとに電源ＶｄＱから、所定の極性と繰返し周波数を有
する矩形波電圧が供給されると、電荷像記録媒体ＲＭの
構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空
乏層の厚さが変化するために、第６図中の電荷像記録媒
体ＲＭにおける電極Ｅと電荷像の読取り装置！ＲＨの誘
電体ミラーＤＭＬとの間隔が前記した矩形波電圧に対応
して実質的に変化する。
ＲＭの電極Ｅと電荷像の読取り装！ｔＲＨの透明電極Ｅ
ｔとに電源ＶｄＱから、所定の極性と繰返し周波数を有
する矩形波電圧が供給されると、電荷像記録媒体ＲＭの
構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空
乏層の厚さが変化するために、第６図中の電荷像記録媒
体ＲＭにおける電極Ｅと電荷像の読取り装置！ＲＨの誘
電体ミラーＤＭＬとの間隔が前記した矩形波電圧に対応
して実質的に変化する。
すなわち、第６図において電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅ
と電荷像の読取り装置ＥＲＨの透明電極Ｅｔとに電源Ｖ
ｄｌから、所定の極性と繰返し周波数を有する矩形波電
圧を供給した場合には電荷像記録媒体ＲＭにおける電極
Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの誘電体ミラーＤＭＬとの
間隔の実質的な変位によって第１２図の（ａ）を参照し
て既述した場合と同様に、静電容量値がＣ１＃Ｃ２のよ
うに変化して、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調
材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容量Ｃｍに印加
される電圧値が矩形波電圧に従って変化するから、電荷
像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬは交
流動作を行うことになり、電荷像記録媒体ＲＭにおける
電荷像保持部材ＣＨＬに記録されている電荷像による電
界も電荷像の読取り装置ＲＨの光変調材層部材ＰＭＬに
交流的なものとして与えられる。
と電荷像の読取り装置ＥＲＨの透明電極Ｅｔとに電源Ｖ
ｄｌから、所定の極性と繰返し周波数を有する矩形波電
圧を供給した場合には電荷像記録媒体ＲＭにおける電極
Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの誘電体ミラーＤＭＬとの
間隔の実質的な変位によって第１２図の（ａ）を参照し
て既述した場合と同様に、静電容量値がＣ１＃Ｃ２のよ
うに変化して、電荷像の読取り装置ＲＨにおける光変調
材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容量Ｃｍに印加
される電圧値が矩形波電圧に従って変化するから、電荷
像の読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬは交
流動作を行うことになり、電荷像記録媒体ＲＭにおける
電荷像保持部材ＣＨＬに記録されている電荷像による電
界も電荷像の読取り装置ＲＨの光変調材層部材ＰＭＬに
交流的なものとして与えられる。
そこで、電荷像の読取り装置！ＲＨにおける透明電極Ｅ
ｔ側から読出し光Ｌｒを入射させると、その読出し光Ｌ
ｒは光変調材層部材ＰＭＬを通過した後に誘電体ミラー
ＤＭＬで反射し、再び光変調材層部材ＰＭＬを通過した
後に透明電極Ｅｔを透過して電荷像の読取り装置ＲＨか
ら出射する。
ｔ側から読出し光Ｌｒを入射させると、その読出し光Ｌ
ｒは光変調材層部材ＰＭＬを通過した後に誘電体ミラー
ＤＭＬで反射し、再び光変調材層部材ＰＭＬを通過した
後に透明電極Ｅｔを透過して電荷像の読取り装置ＲＨか
ら出射する。
前記した電荷像の読出し光Ｌｒは光変調材層部材ＰＭＬ
の液晶層を通過する際に電界の強度に応じて旋光の程度
が変化することになり、前記した電荷像の読取り装置Ｒ
Ｈから出射した光は、それを検光子に通すことにより光
強度の大小の光として検出されうるのである。
の液晶層を通過する際に電界の強度に応じて旋光の程度
が変化することになり、前記した電荷像の読取り装置Ｒ
Ｈから出射した光は、それを検光子に通すことにより光
強度の大小の光として検出されうるのである。
第６図に示した実施例においては、電荷像記録媒体ＲＭ
の電極Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとに
電源Ｖｄｎから、電荷像記録媒体ＲＭの構成中に使用さ
れている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変
化させるための矩形波電圧を供給することにより、電荷
像記録媒体ＲＭの構成中に使用されている半導体層部材
ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化させて、電荷像記録
媒体ＲＭにおける電極Ｅを実質的に変位させたと等価の
状態として、電荷像の読取り装置！ＲＨにおける光変調
材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容量Ｃｍに印加
される電圧値を矩形波電圧に従って変化させ、電荷像の
読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬが交流動
作を行うことができるようにしているものであるが、光
変調材層部材ＰＭＬが例えば液晶を使用して構成されて
いるものである場合には、それに印加される交流電圧と
光の透過率とによって示される変調特性は第１４！！Ｉ
に例示されているように光変調のために使用できる領域
が図中の交流電圧のａからｂまでのように限られている
。
の電極Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとに
電源Ｖｄｎから、電荷像記録媒体ＲＭの構成中に使用さ
れている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変
化させるための矩形波電圧を供給することにより、電荷
像記録媒体ＲＭの構成中に使用されている半導体層部材
ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化させて、電荷像記録
媒体ＲＭにおける電極Ｅを実質的に変位させたと等価の
状態として、電荷像の読取り装置！ＲＨにおける光変調
材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容量Ｃｍに印加
される電圧値を矩形波電圧に従って変化させ、電荷像の
読取り装置ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬが交流動
作を行うことができるようにしているものであるが、光
変調材層部材ＰＭＬが例えば液晶を使用して構成されて
いるものである場合には、それに印加される交流電圧と
光の透過率とによって示される変調特性は第１４！！Ｉ
に例示されているように光変調のために使用できる領域
が図中の交流電圧のａからｂまでのように限られている
。
それで、第６Ｗｉ示の実施例では電荷像記録媒体ＲＭの
構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空
乏層の厚さを変化させるために電荷像記録媒体ＲＭの電
極Ｅと電荷像の読取り装置１ＲＨの透明電極Ｅｔとに電
源ＶｄＱから供給される矩形波電圧が、光変調材層部材
ＰＭＬが良好な変調動作を行いうるような大きさのもの
に選定される必要があるが、前記した電圧値は電荷像記
録媒体ＲＭと電荷像の読取り装置ＲＨとの間隔の変化に
よっても変化するために電圧値の設定が煩雑である。
構成中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空
乏層の厚さを変化させるために電荷像記録媒体ＲＭの電
極Ｅと電荷像の読取り装置１ＲＨの透明電極Ｅｔとに電
源ＶｄＱから供給される矩形波電圧が、光変調材層部材
ＰＭＬが良好な変調動作を行いうるような大きさのもの
に選定される必要があるが、前記した電圧値は電荷像記
録媒体ＲＭと電荷像の読取り装置ＲＨとの間隔の変化に
よっても変化するために電圧値の設定が煩雑である。
第７図示の実施例は、電荷像記録媒体ＲＭの構成中に使
用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さ
を変化させるために電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅと電荷
像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅとに矩形波電圧を供給
するための電ＷＶｄΩと、光変調材層部材ＰＭＬが良好
な変調動作を行いうるようにするためのバイアス電圧ｖ
ｂを発生する電源ｖｂとを直列的に設けて、第６図示の
実施例における前記の問題点が解決できるようにしたも
のである。
用されている半導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さ
を変化させるために電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅと電荷
像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅとに矩形波電圧を供給
するための電ＷＶｄΩと、光変調材層部材ＰＭＬが良好
な変調動作を行いうるようにするためのバイアス電圧ｖ
ｂを発生する電源ｖｂとを直列的に設けて、第６図示の
実施例における前記の問題点が解決できるようにしたも
のである。
また、電荷像記録媒体ＲＭの構成中に使用されている半
導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化させるた
めに第６図示の実施例のように電荷像記録媒体ＲＭの電
極Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとに電ｇ
Ｖｄｆｌから矩形波電圧を供給するような構成とした場
合には１例えば電荷像記録媒体ＲＭと電荷像の読取り装
！ＲＨとの間隔が大きいと、電荷像記録媒体ＲＭの構成
中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにそれの空乏層
の厚さを変化させるために必要な電圧が半導体層部材Ｓ
ＣＬに印加されるようにするために。
導体層部材ＳＣＬにおける空乏層の厚さを変化させるた
めに第６図示の実施例のように電荷像記録媒体ＲＭの電
極Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとに電ｇ
Ｖｄｆｌから矩形波電圧を供給するような構成とした場
合には１例えば電荷像記録媒体ＲＭと電荷像の読取り装
！ＲＨとの間隔が大きいと、電荷像記録媒体ＲＭの構成
中に使用されている半導体層部材ＳＣＬにそれの空乏層
の厚さを変化させるために必要な電圧が半導体層部材Ｓ
ＣＬに印加されるようにするために。
電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅと電荷像の読取り装！ＲＨ
の透明電極Ｅｔとには電源ＶｄＱから大きな矩形波電圧
が供給されることが必要となるが。
の透明電極Ｅｔとには電源ＶｄＱから大きな矩形波電圧
が供給されることが必要となるが。
このような場合に光変調材層部材ＰＭＬにも必然的に大
きな電圧が印加されることになり、その電圧により光変
調材層部材ＰＭＬの特性が変化して電荷像の読取り動作
に悪影響が出るおそれも生じる。
きな電圧が印加されることになり、その電圧により光変
調材層部材ＰＭＬの特性が変化して電荷像の読取り動作
に悪影響が出るおそれも生じる。
第７図示の実施例は前述のような問題点が生じないよう
な構成とした実施例であり、第７図においてＥｓは所定
のパターンを有する電極であり、半導体層部材ＳＣＬに
は前記したパターン電極ＥＳと電極Ｅとに接続された電
源ＶｄＮから空乏層の厚さを変化させるための矩形波電
圧を印加して。
な構成とした実施例であり、第７図においてＥｓは所定
のパターンを有する電極であり、半導体層部材ＳＣＬに
は前記したパターン電極ＥＳと電極Ｅとに接続された電
源ＶｄＮから空乏層の厚さを変化させるための矩形波電
圧を印加して。
空乏層の厚さを変化させるための矩形波電圧が光変調層
部材ＰＭＬに悪影響を及ぼさないようにしているのであ
る。前記したパターン電極Ｅｓは電荷保持部材ＣＨＬ中
に埋設されている。パターン電極Ｅｓとしては例えば多
数の金属の細条片を横方向あるいは縦方向に平行に配列
したり、あるいは多数の金属の細条片を縦横方向に平行
に配列したり、その他任意の構成形態のものが使用でき
る。
部材ＰＭＬに悪影響を及ぼさないようにしているのであ
る。前記したパターン電極Ｅｓは電荷保持部材ＣＨＬ中
に埋設されている。パターン電極Ｅｓとしては例えば多
数の金属の細条片を横方向あるいは縦方向に平行に配列
したり、あるいは多数の金属の細条片を縦横方向に平行
に配列したり、その他任意の構成形態のものが使用でき
る。
第８図及び第９図は第７図示の実施例のものに。
それの光変調材層部材ＰＭＬの動作点を設定するための
バイアス電源ｖｂを別に付加した構成態様の実施例であ
り、第８図に示されている実施例はバイアス電源ｖｂを
パターン電極Ｅｓと電荷像の読取り装！！ＲＨの透明電
極Ｅｔとの間に接続したものでまた。第９図に示されて
いる実施例はバイアス電源ｖｂを電荷像記録媒体ＲＭの
電極Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとの間
に接続したものである。
バイアス電源ｖｂを別に付加した構成態様の実施例であ
り、第８図に示されている実施例はバイアス電源ｖｂを
パターン電極Ｅｓと電荷像の読取り装！！ＲＨの透明電
極Ｅｔとの間に接続したものでまた。第９図に示されて
いる実施例はバイアス電源ｖｂを電荷像記録媒体ＲＭの
電極Ｅと電荷像の読取り装置ＲＨの透明電極Ｅｔとの間
に接続したものである。
これまでに説明した各実施例においては、半導体層部材
ＳＣＬの片面には必らず電極Ｅが付着されていたが、こ
の電極Ｅは半導体層部材ＳＣＬの面に均一な電圧を印加
するためのものであるから、前記した電極Ｅを省いて半
導体層部材ＳＣＬの端面が電極として使用されるように
してもよい。
ＳＣＬの片面には必らず電極Ｅが付着されていたが、こ
の電極Ｅは半導体層部材ＳＣＬの面に均一な電圧を印加
するためのものであるから、前記した電極Ｅを省いて半
導体層部材ＳＣＬの端面が電極として使用されるように
してもよい。
次に、第１０図は電荷像の読取り装置の一例構成を示す
ブロック図であって、この第１０図において１は読出し
光を放射する光源で、例えばレーザ光源が使用できる。
ブロック図であって、この第１０図において１は読出し
光を放射する光源で、例えばレーザ光源が使用できる。
２は偏光子、３はビームスプリッタ、４は波長板、Ｓは
検光子、６は光電変換器であり、光源１から放射された
光束は偏光子２が直線偏光とされてビームスプリッタ３
を透過して電荷像記録媒体ＲＭにおける透明電極Ｅｔ側
から読出し光として入射される。
検光子、６は光電変換器であり、光源１から放射された
光束は偏光子２が直線偏光とされてビームスプリッタ３
を透過して電荷像記録媒体ＲＭにおける透明電極Ｅｔ側
から読出し光として入射される。
前記の読出し光は透明な電荷像保持部材ＣＨＬを透過し
た後に電荷像の読取り装ＷＲＨに入射して光変調材層部
材ＰＭＬを通過した後に誘電体ミラーＤＭＬで反射し、
再び光変調材層部材ＰＭＬを通過した後に光変調材層部
材ＰＭＬを出射して電荷像記録媒体ＲＭにおける透明な
電荷像保持部材ＣＨＬと透明電極Ｅｔを透過して電荷像
記録媒体ＲＭから出射してビームスプリッタ３で反射し
て波長板４と検光子５とを通過して光電変換器６に与え
られて光電変換される。
た後に電荷像の読取り装ＷＲＨに入射して光変調材層部
材ＰＭＬを通過した後に誘電体ミラーＤＭＬで反射し、
再び光変調材層部材ＰＭＬを通過した後に光変調材層部
材ＰＭＬを出射して電荷像記録媒体ＲＭにおける透明な
電荷像保持部材ＣＨＬと透明電極Ｅｔを透過して電荷像
記録媒体ＲＭから出射してビームスプリッタ３で反射し
て波長板４と検光子５とを通過して光電変換器６に与え
られて光電変換される。
前記した電荷像の読出し光は光変調材層部材ＰＭＬの液
晶層を通過する際に電界の強度に応じて旋光の程度が変
化しているから、前記した電荷像の読取り装置ＲＨから
出射した光は、前記のように検光子５に通すことにより
光強度の大小の光となされ、前記した光電変換器からは
電荷像の電荷量と対応した電気信号が得られる。
晶層を通過する際に電界の強度に応じて旋光の程度が変
化しているから、前記した電荷像の読取り装置ＲＨから
出射した光は、前記のように検光子５に通すことにより
光強度の大小の光となされ、前記した光電変換器からは
電荷像の電荷量と対応した電気信号が得られる。
なお、第１０図中には図示説明が省略されているが、光
源１から放射された読出し光束を光偏向器によって一次
元的または二次元的に偏向させて電荷像を走査したり、
光電変換器としてラインイメージセンサや二次元イメー
ジセンサなどを用いて読取ったり、あるいは電荷像記録
媒体ＲＭと電荷像読取り装置！ＲＨとの相対的な位置を
変位させて走査を行ったりしてもよいことは勿論である
。
源１から放射された読出し光束を光偏向器によって一次
元的または二次元的に偏向させて電荷像を走査したり、
光電変換器としてラインイメージセンサや二次元イメー
ジセンサなどを用いて読取ったり、あるいは電荷像記録
媒体ＲＭと電荷像読取り装置！ＲＨとの相対的な位置を
変位させて走査を行ったりしてもよいことは勿論である
。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように本発明は光変調材層部材に
半導体層部材の空乏層変化によって電界変化が与えられ
た状態において光変調材層部材による光変調が行われる
ようにした光変調方法、及び続出しの対象にされている
電荷像による電界が与えられている光変調材層部材に、
半導体層部材の空乏層変化によって電界変化が与えられ
た状態で光変調材層部材に光を通過させて読取りの対象
にされている電荷像によって生じている電界の強さに応
じて光の状態が変化されている変調光を発生させるよう
にした電荷像の読取り装置であって、半導体層部材に交
流電界を印加して空乏層を交流電界に応じて変化させ、
それにより読取りの対象にされている電荷像による電界
を前記した半導体層部材における空乏層の変化によって
生じる静電容量値の変化により交流的に変化されている
状態として変調材層部材に与えられるようにしたもので
あるために、光学的な電荷像の読取り装置において使用
される光変調材として液晶が採用されている場合でも、
°その液晶には実質的に交流電界が加えられるために良
好に動作するし、また、−光学的な電荷像の読取り装置
の構成中に１例えば誘電体ミラー、遮光膜、内部の反射
防止膜などの各種の部材が用いられていても、電界が交
流的なものとして加わるために、それらの部材によって
解像度が低下されることも防止でき、さらに、電荷像記
録媒体に記録されている電荷像によって生じている電界
が交流的なものとして加わるために、光学的な電荷像の
読取り装置と、電荷像記録媒体との間に空隙が存在して
いる場合でも、電荷像記録媒体に記録されている電荷像
によって生じている電界が、空隙と光学的な電荷像の読
取り装置との静電容量の比で分圧された状態で光学的な
電荷像の読取り装置に加えられるから、光学的な電荷像
の読取り装置における読取り感度が向上されるのであり
、本発明によれば既述した従来の問題点はすべて良好に
解決できる。
半導体層部材の空乏層変化によって電界変化が与えられ
た状態において光変調材層部材による光変調が行われる
ようにした光変調方法、及び続出しの対象にされている
電荷像による電界が与えられている光変調材層部材に、
半導体層部材の空乏層変化によって電界変化が与えられ
た状態で光変調材層部材に光を通過させて読取りの対象
にされている電荷像によって生じている電界の強さに応
じて光の状態が変化されている変調光を発生させるよう
にした電荷像の読取り装置であって、半導体層部材に交
流電界を印加して空乏層を交流電界に応じて変化させ、
それにより読取りの対象にされている電荷像による電界
を前記した半導体層部材における空乏層の変化によって
生じる静電容量値の変化により交流的に変化されている
状態として変調材層部材に与えられるようにしたもので
あるために、光学的な電荷像の読取り装置において使用
される光変調材として液晶が採用されている場合でも、
°その液晶には実質的に交流電界が加えられるために良
好に動作するし、また、−光学的な電荷像の読取り装置
の構成中に１例えば誘電体ミラー、遮光膜、内部の反射
防止膜などの各種の部材が用いられていても、電界が交
流的なものとして加わるために、それらの部材によって
解像度が低下されることも防止でき、さらに、電荷像記
録媒体に記録されている電荷像によって生じている電界
が交流的なものとして加わるために、光学的な電荷像の
読取り装置と、電荷像記録媒体との間に空隙が存在して
いる場合でも、電荷像記録媒体に記録されている電荷像
によって生じている電界が、空隙と光学的な電荷像の読
取り装置との静電容量の比で分圧された状態で光学的な
電荷像の読取り装置に加えられるから、光学的な電荷像
の読取り装置における読取り感度が向上されるのであり
、本発明によれば既述した従来の問題点はすべて良好に
解決できる。
第１図乃至第１０図は本発明の光変調方法を用いて構成
した電荷像の読取り装置の各異なる実施例のブロック図
、第１１図及び第１２図は本発明の光変調方法の構成原
理及び動作原理を説明するための図、第１３図は電荷像
記録媒体ＲＭに電荷像を記録する際に使用される記録系
の一例構成を示すブロック図、第１４図は説明用の特性
例図である。 ＲＭ・・・電荷像記録媒体、０・・・被写体、Ｌ・・・
撮像レンズ、ＷＨ・・・書込みヘッド、Ｖｗ・・・電源
、ＥｔＷ・・・透明電極、ＰＣＬｗ・・・光導電層部材
、Ｅ・・・電極、ＣＨＬ・・・電荷像保持部材、ＲＨ・
・・電荷像の光学的読取り装！（電荷像の読取り装置）
、Ｅｔ・・・透明電極、ＰＭＬ・・・光変調材層部材、
ＤＭＬ・・・誘電体ミラー、Ｌｒ・・・電荷像の読出し
光、 Ｖｌ、 Ｖ２・・・電荷像記録媒体ＲＭの電荷像
保持部材ＣＵＲＬに記録されている電荷像の電圧（電荷
像記録媒体ＲＭの電荷像保持部材ＣＨＬの部分で形成さ
れている静電容量の端子電圧）、ＣＯ・・・電荷像の読
取り装［ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬ以外の構成
部分、例えば誘電体ミラーＤＭＬや空隙等で形成される
静電容量、Ｃｍ・・・電荷像の読取り装［ＲＨにおける
光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容量、Ｓ
ＣＬ・・・半導体層部材ＳＣＬ、Ｖｄｕ、ｖｂ・・・電
源、Ｅｓ・・・パターン電極、１・・・光源、２・・・
偏光子、３・・・ビームスプリッタ、４・・・波長板。 ５・・・検光子、６・・・光電変換器。 特許出願人 日本ビクター株式会社 篤１４ 図
した電荷像の読取り装置の各異なる実施例のブロック図
、第１１図及び第１２図は本発明の光変調方法の構成原
理及び動作原理を説明するための図、第１３図は電荷像
記録媒体ＲＭに電荷像を記録する際に使用される記録系
の一例構成を示すブロック図、第１４図は説明用の特性
例図である。 ＲＭ・・・電荷像記録媒体、０・・・被写体、Ｌ・・・
撮像レンズ、ＷＨ・・・書込みヘッド、Ｖｗ・・・電源
、ＥｔＷ・・・透明電極、ＰＣＬｗ・・・光導電層部材
、Ｅ・・・電極、ＣＨＬ・・・電荷像保持部材、ＲＨ・
・・電荷像の光学的読取り装！（電荷像の読取り装置）
、Ｅｔ・・・透明電極、ＰＭＬ・・・光変調材層部材、
ＤＭＬ・・・誘電体ミラー、Ｌｒ・・・電荷像の読出し
光、 Ｖｌ、 Ｖ２・・・電荷像記録媒体ＲＭの電荷像
保持部材ＣＵＲＬに記録されている電荷像の電圧（電荷
像記録媒体ＲＭの電荷像保持部材ＣＨＬの部分で形成さ
れている静電容量の端子電圧）、ＣＯ・・・電荷像の読
取り装［ＲＨにおける光変調材層部材ＰＭＬ以外の構成
部分、例えば誘電体ミラーＤＭＬや空隙等で形成される
静電容量、Ｃｍ・・・電荷像の読取り装［ＲＨにおける
光変調材層部材ＰＭＬの部分で形成される静電容量、Ｓ
ＣＬ・・・半導体層部材ＳＣＬ、Ｖｄｕ、ｖｂ・・・電
源、Ｅｓ・・・パターン電極、１・・・光源、２・・・
偏光子、３・・・ビームスプリッタ、４・・・波長板。 ５・・・検光子、６・・・光電変換器。 特許出願人 日本ビクター株式会社 篤１４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光変調材層部材に半導体層部材の空乏層変化によっ
て電界変化が与えられた状態において光変調材層部材に
よる光変調が行われるようにした光変調方法 ２、読取りの対象にされている電荷像によって生じてい
る電界の強さに応じて光の状態が変化される光変調材層
部材と半導体層部材との積層構造を含んで構成されてい
る光学的な電荷量の読取り部材における光変調材層部材
に電荷量が読取られるべき電荷像が記録されている電荷
像保持部材の電荷像による電界が与えられるようにする
手段と、前記した半導体層部材に空乏層の変化を生じさ
せるような時間軸上での電界の強さの変化を与えて前記
した光変調材層部材に半導体層部材の空乏層変化に応じ
た電界変化が与えられるようにする手段と、光変調材層
部材に光を通過させて読取りの対象にされている電荷像
によって生じている電界の強さに応じて光の状態が変化
されている変調光を発生させる手段とからなる電荷像の
読取り装置 ３、読取りの対象にされている電荷像によって生じてい
る電界の強さに応じて光の状態が変化される光変調材層
部材と所定のパターンを有する電極と絶縁層と半導体層
部材との積層構造を含んで構成されている光学的な電荷
量の読取り部材における光変調材層部材に電荷量が読取
られるべき電荷像が記録されている電荷像保持部材の電
荷像による電界が与えられるようにする手段と、前記し
た所定のパターンを有する電極と絶縁層と半導体層部材
との間に前記した半導体層部材に空乏層の変化を生じさ
せるような時間軸上での電界の強さの変化を与えて前記
した光変調材層部材に半導体層部材の空乏層変化に応じ
た電界変化が与えられるようにする手段と、光変調材層
部材に光を通過させて読取りの対象にされている電荷像
によって生じている電界の強さに応じて光の状態が変化
されている変調光を発生させる手段とからなる電荷像の
読取り装置 ４、読取りの対象にされている電荷像を保持している電
荷像保持部材と半導体層部材との積層構造を含んで構成
されている電荷像記録媒体と、前記した電荷像記録媒体
における電荷像保持部材に保持されている電荷像によっ
て生じている電界の強さに応じて光の状態が変化される
光変調材層部材を含んで構成されている光学的な電荷量
の読取り部材における光変調材層部材に電荷量が読取ら
れるべき電荷像が記録されている電荷像保持部材の電荷
像による電界が与えられるようにする手段と、前記した
半導体層部材に空乏層の変化を生じさせるような時間軸
上での電界の強さの変化を与えて前記した光変調材層部
材に半導体層部材の空乏層変化に応じた電界変化が与え
られるようにする手段と、光変調材層部材に光を通過さ
せて読取りの対象にされている電荷像によって生じてい
る電界の強さに応じて光の状態が変化されている変調光
を発生させる手段とからなる電荷像の読取り装置 ５、読取りの対象にされている電荷像を保持している電
荷像保持部材と所定のパターンを有する電極と半導体層
部材との積層構造を含んで構成されている電荷像記録媒
体と、前記した電荷像記録媒体における電荷像保持部材
に保持されている電荷像によって生じている電界の強さ
に応じて光の状態が変化される光変調材層部材を含んで
構成されている光学的な電荷量の読取り部材における光
変調材層部材に電荷量が読取られるべき電荷像が記録さ
れている電荷像保持部材の電荷像による電界が与えられ
るようにする手段と、前記した所定のパターンを有する
電極と半導体層部材との間に前記した半導体層部材に空
乏層の変化を生じさせるような時間軸上での電界の強さ
の変化を与えて前記した光変調材層部材に半導体層部材
の空乏層変化に応じた電界変化が与えられるようにする
手段と、光変調材層部材に光を通過させて読取りの対象
にされている電荷像によって生じている電界の強さに応
じて光の状態が変化されている変調光を発生させる手段
とからなる電荷像の読取り装置 ６、光変調材層部材の動作点を設定するためのバイアス
用電界も光変調材層部材に印加させるようにした請求項
の２乃至請求項の５のいずれかに記載の電荷像の読取り
装置
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334939A JPH02178612A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光変調方法及び装置 |
| KR1019890019221A KR940001909B1 (ko) | 1988-12-28 | 1989-12-22 | 전하잠상의 판독장치 |
| US07/457,367 US5095201A (en) | 1988-12-28 | 1989-12-27 | Photo-modulation method and system for reproducing charge latent image |
| EP89124024A EP0376282B1 (en) | 1988-12-28 | 1989-12-27 | Photo-modulation method and system for reproducing charge latent image |
| DE68922082T DE68922082D1 (de) | 1988-12-28 | 1989-12-27 | Verfahren zur optischen Modulation und Vorrichtung zur Wiedergabe eines latenten Ladungsbildes. |
| CA002006800A CA2006800C (en) | 1988-12-28 | 1989-12-28 | Photo-modulation method and system for reproducing charge latent image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334939A JPH02178612A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光変調方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178612A true JPH02178612A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18282920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63334939A Pending JPH02178612A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光変調方法及び装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5095201A (ja) |
| EP (1) | EP0376282B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02178612A (ja) |
| KR (1) | KR940001909B1 (ja) |
| CA (1) | CA2006800C (ja) |
| DE (1) | DE68922082D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04159514A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 記録再生装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2521150B2 (ja) * | 1989-06-15 | 1996-07-31 | 日本ビクター株式会社 | 電荷像情報の読取り素子 |
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