JPH02820A - 光―光変換素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は撮像装置や光書込み投影装置などに好適な光−
光変換素子に関する。

（従来の技術） 光学像を入力し、出力としても光学像が出力できるよう
に構成されている光−光変換素子としては、例えば液晶
型光変調器、光伝導電性ポッケルス効果素子、マイクロ
チャンネル型光変調器などのような空間変調素子、ある
いはフォトクロミック材を用いて構成された素子という
ように各種の構成形態のものが１例えば、光書込み投影
装置、光コンピュータの光並列処理のための素子、画像
の記録用の素子などとして従来から注目されて来ており
、また２本出願人会社では光−光変換素子を用いた高解
像度の撮像装置についての提案も行っている。

第８図は従来の光−光変換素子の構成例を示す側断面図
であり、この第８図に示されている光−光変換素子にお
いて１，２はガラス板、３，４は透明電極、５，６．１
１は端子、７は光導電層。

１２は遮光層、８は誘電体ミラー、９は印加された電界
の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学部材（例
えばネマチック液晶層）、ＷＬは書込み光、ＲＬは読出
し光、ＥＬは消去光である。

第８図に示す光−光変換素子において、それの端子５，
６間に電源１０と切換スイッチＳＷとからなる回路を接
続し、切換スイッチＳＷにおける切換制御信号の入力端
子１１に供給された切換制御信号により、切換スイッチ
ＳＷの可動接点を固定接点ＷＲ側に切換えた状態にし、
前記した透明電極３，４間に電源１ｏの電圧を与えて、
印加された電界の強度分布に応じて光の状態を変化させ
る光学部材（例えばネマチック液晶層）９の両端間に電
界が加わるようにし・・ておき、また、光−光変換素子
におけるガラス板１側から書込光ＷＬを入射させて、そ
の入射した書込み光ＷＬをガラス板１と透明電極３とに
透過させて光導電層７に到達させると、光導電層７の電
気抵抗値はそれに到達した入射光による光学像と対応し
て変化するために、光導電層７と遮光層１２との境界面
には光導電層７に到達した入射光による光学像と対応し
た電荷像が生じる。

前記のように切換スイッチＳＷの可動接点が固定接点Ｗ
Ｒ側に切換えられている状態において、電源１０の電圧
が端子５．６を介して印加されている透明電極１．２間
に、前記した光導電層７に対して遮光層１２と誘電体ミ
ラー８などとともに直列的な関係に設けられているネマ
チック液晶層９には、入射光による光学像と対応した強
度分布の電界が加わり、ネマチック液晶層９中の液晶は
、それの分子の光学軸が極板と平行でなくなってガラス
板２側に読出し光ＲＬが投射された場合には。

ネマチック液晶の電気光学効果により液晶層９に加わる
電界強度に応じた画像情報を含んでいる状態の反射光が
生じて、ガラス板２側には被写体の光学像に対応した光
学像が現われることになる。

すなわちガラス板２側に投射された読出し光ＲＬは、透
明電極４→ネマチック液晶層９→誘電体ミラー８→遮光
層１２のように進行し、その光の大部分は誘電体ミラー
８によりガラス板２側に反射光として戻って行くが、そ
の反射光はネマチック液晶の電気光学効果により液晶層
９に加わる電界強度に応じた画像情報を含んでいる状態
のものになっているので、ガラス板２側には被写体の光
学像に対応した光学像が現われることになる。

そして、前記のようにガラス板２側に投射され、透明電
極４→ネマチック液晶層９→誘電体ミラー８→遮光層１
２のように進行して行く読出し光ＲＬの内で誘電体ミラ
ー８で反射されなかった光は遮光層１２により光導ｆｆ
ｉ層７側には進行しないように遮光されるために、読出
し光ＲＬがガラス板２側に投射されても、それにより光
導電層７の電気抵抗値が変化するようなことはないから
、読出し光ＲＬの投射によっても光導電層７と遮光層１
２との境界面に入射光による光学像と対応して生じてい
る電荷像を変化させることがない。

（発明が解決しようとする問題点） ところで、前記のように書込み光ＷＬにより光−光変換
素子に書込まれた情報を消去するのには。

前記した切換スイッチＳＷにおける切換制御信号の入力
端子１１に切換制御信号を供給して切換スイッチＳＷの
可動接点を固定接点Ｅ側に切換え、光−光変換素子にお
ける端子５，６の電位を同じにして透明電極３，４間に
電界が生じないようにしてから、書込み光ＷＬの入射側
とされている前記したガラス板１側から−様な強度分布
の消去光ＥＬを入射させることにより、前記した消去光
ＥＬをガラス板１と透明電極３とを介して光導電層７に
与え、光導電層７の電気抵抗値を低下させた状態にして
光導電層７と遮光層１２との境界面に生じていた電荷像
を消去させるようにしていた。

このように、従来の光−光変換素子においては以前に書
込んだ光情報の消去を行う際に用いられる消去光の入射
側が書込み光ＷＬの入射側と同じにされているのは、読
出し光ＲＬの入射側と光導電層７との間には遮光層１２
があるために、読出し光ＲＬが入射される側から消去光
を入射させたところで、その消去光は前記した遮光層１
２で阻止されてしまって光導電層７には到達し得す、し
たがって、読出し光ＲＬが入射される側から消去光を入
射させたところで、光導電層７と遮光層１２との境界面
に生じている電荷像を消去できなし）からである。

前記の点は１例えば、書込み光ＷＴ、が入射される側に
撮像光学系を設けることが必要とされて塾）るような構
成の撮像装置、その他、書込み光ＷＬが入射される側に
消去光の入射装置を設けることが困難な事情のある構成
態様の装置に、光−光変換素子が用いられる際に大きな
問題になる。

また、印加された電界の強度分布に応じて光の状態を変
化させる光学部材を含んで構成されてし）る光−光変換
素子において、前記の印加された電界の強度分布に応じ
て光の状態を変化させる光学部材として、例えばニオブ
酸リチウム単結晶のような異方性結晶が用いられること
がある。

すなわち、ニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶
は、その中を通過りる常光線と異常光線との位相差が、
異方性結晶に印加した電界強度に応じて変化するという
性質を有しているから、光−光変換素子の構成部材とし
ても使用されうるのである。

ところが、異方性結晶中を通過する常光線と異常光線と
の位相差は、前記のように異方性結晶に印加された電界
強度に応じて変化するだけではなく、周知のように異方
性結晶の厚さによっても変化するものであるから、前記
のように印加された電界の強度分布に応じて光の状態を
変化させる光学部材として光−光変換素子において使用
される異方性結晶は、それの厚さが高い精度で一定なも
のとして作られていないと、光−光変換素子から読出さ
れた再生像にシェーディングを生じさせることが問題に
なるが、光−光変換素子から読出された再生像に前記の
原因によるシェーディングを生じさせないような均一な
厚さの異方性結晶を作り出すことは困難であるために、
それの解決策も求められた。

（問題点を解決するための手段） 本発明は透明電極と、光導電層と、読出光の波長域の光
を反射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させ
うるような波長選択性を有する光学部材と、印加された
電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学部材
と、透明電極とを積層してなる光−光変換素子、及び２
つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と、読出光
の波長域の光を反射させるとともに、消去光の波長域の
光を透過させうるような波長選択性を有する誘電体ミラ
ーと、印加された電界の強度分布に応じて光の状態を変
化させる光変調材層部材とを積層してなる光−光変換素
子における光導電層部材側に被写体からの光を入射させ
て光−光変換素子に被写体の光学像と対応する電荷像を
生成させる手段と、光−光変換素子の光変調材層部材側
から光−光変換素子に入射させた読出し光によって、前
記した被写体の光学像と対応する電荷像を光学像として
読出す手段と、前記した被写体の光学像と対応する電荷
像の消去手段とを備えてなる撮像装置、ならびに２つの
透明電極の間に少なくとも光導電層部材と、読出光の波
長域の光を反射させるとともに、消去光の波長域の光を
透過させうるような波長選択性を有する誘電体ミラーと
、印加された電界の強度分布に応じて光の状態を変化さ
せる光変調材層部材とを積層してなる光−光変換素子に
おける光導電層部材側に被写体からの光を入射させて光
−光変換素子に被写体の光学像と対応する電荷像を生成
させる手段と、光−光変換素子の光変調材層部材側から
光−光変換素子に入射させた読出し光によって、前記し
た被写体の光学像と対応する電荷像を光学像として読出
す手段と、前記した被写体の光学像と対応する電荷像の
消去手段とを備えてなる撮像装置において、前記した被
写体の光学像が与えられるべき光−光変換素子に対する
読出し光の入射光路中に、印加型界の強度分布に応じて
光の状態が変化する光変調材層部材を含んで構成されて
いるシェーディング補正用光学部材を設けるとともに、
前記した光−光変換素子における光変調材層部材の不所
望な複屈折状態と対応して再生光学像に生じる光のシェ
ーディングを補正できるようなシェーディング補正用電
界を前記したシェーディング補正用光学部材に与える補
正信号発生部とを備えてなる撮像装置を提供するもので
ある。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の光−光変換素子の具
体的な内容を詳細に説明する。第１図は本発明の光−光
変換素子の一実施例の側面図、第２図は読出光の波長域
の光を反射させるとともに、消去光の波長域の光を透過
させうるような波長選択性を有する光学部材の波長選択
特性例を示す特性曲線側図、第３図は第１図に示す本発
明の一実施例の光−光変換素子の動作説明用のブロック
図。

第４図及び第５図は本発明の一実施例の光−光変換素子
を用いて構成したそれぞれ異なる撮像装置の概略構成を
示す斜視図、第６図は第５図に示されている撮像装置の
動作原理を説明するための波形図、第７図は均一でない
厚さの異方性結晶を説明するための図である。

第１図において１，２はガラス板、３，４は透明電極、
５，６は端子、７は光導電層であり、また、８Ｒは読出
光の波長域の光を反射させるとともに、消去光の波長域
の光を透過させうるような波長選択性を有する光学部材
であって、この光学部材８Ｒとしては例えば５ｉ０２の
薄膜とＴｉＯ２の薄膜との多層膜によるダイクロイック
・フィルタによって構成させたものが使用できる。

また、９は印加された電界の強度分布に応じて光の状態
を変化させる光学部材（例えば、ニオブ酸リチウム単結
晶のような電気光学効果結晶、あるいはネマチック液晶
層によって構成させた光学部材）であり、図中でＷＬは
書込み光、ＲＬは読出し光、ＥＬは消去光をそれぞれ示
している。

第２図は、前記した読出光の波長域の光を反射させると
ともに、消去光の波長域の光を透過させうるような波長
選択性を有する光学部材８Ｒの波長選択性を例示した曲
線図であり、第２図において第２図の（ａ）に示されて
いる特性を有する光学部材８Ｒは光学的低域通過濾波器
として構成されていることを表わしており、また、第２
図の（ｂ）に示されている特性を有する光学部材８Ｒは
光学的高域通過濾波器としで構成されていることを表わ
しており、さらに、第２図の（ｃ）に示されている特性
を有する光学部材８Ｒは光学的帯域通過濾波器として構
成されていることを表わしており、さらにまた第２図の
（ｄ）に示されている特性を有する光学部材８Ｒは光学
的帯域消去濾波器として構成されていることを表わして
いる。

すなわち、第１図に示されている本発明の光−光変換素
子において、それの構成部分の一部として使用されてい
る光学部材８Ｒ，すなわち、読出光の波長域の光を反射
させるとともに、消去光の波長域の光を透過させうるよ
うな波長選択性を有する光学部材８Ｒは、第２図の（ａ
）〜（ｄ）に波長選択特性が例示されているような波長
選択性を有する光学部材８Ｒが使用できるのである。

第２図の（ａ）〜（ｄ）に例示されているような波長選
択特性を有する光学部材８Ｒを備えている本発明の光−
光変換素子においては、それに入射させるべき読出し光
として光学部材８Ｒにおける光の透過率の低い波長領域
の光を用い、また、それに入射させるべき消去光として
は光学部材８Ｒにおける光の透過率の高い波長領域の光
を用いるのであり、それにより、本発明の光−光変換素
子においては読出し光の入射側から消去光を入射させる
ようにすることを可能にしたのである。

さて、第１図に示されている構成を有する光−光変換素
子に光学的な情報の書込みを行う場合には、光−光変換
素子の端子５，６に第３図示のように電源１０と切換ス
イッチＳＷとからなる回路を接続し、切換スイッチＳＷ
における切換制御信号の入力端子１１に供給された切換
制御信号により、切換スイッチＳＷの可動接点を固定接
点ＷＲ側に切換えた状態にし、前記した透明電極３，４
問に電［１０の電圧を与えて、光導電層７の両端間に電
界が加わるようにしておいて、光−光変換素子における
ガラス板１側から書込光ＷＬを入射させることにより光
−光変換素子に対する光学的情報の書込みが行われるの
である。

すなわち、前記のように光−光変換素子に入射した書込
み光ＷＬがガラス板１と透明電極３とを透過して光導ｆ
！！層７に到達すると、光導電層７の電気抵抗値がそれ
に到達した入射光による光学像と対応して変化するため
に、光導電層７と光学部材８Ｒ（読出光の波長域の光を
反射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させう
るような波長選択性を有する光学部材８Ｒ）との境界面
には光導電層７に到達した入射光による光学像と対応し
た電荷像が生じる。

前記のようにして入射光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報を光−光変換素子か
ら再生するのには、切換スイッチＳＷの可動接点を固定
接点ＷＲ側に切換えた状態として、電＠１０の電圧が端
子５，６を介して透明電極１，２間に印加されている状
態にしておいて、ガラス板２側より図示されていない光
源からの一定の光強度の読出し光ＲＬを投射することに
よって行うことができる。

すなわち、既述のように入射光による光情報の書込みが
行われた光−光変換素子における光導電層７と光学部材
８Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去
光の波長域の光を透過させうるような波長選択性を有す
る光学部材８Ｒ）との境界面には光導電Ｍ７に到達した
入射光による光学像と対応した電荷像が生じているから
、前記した光導電層７に対して光学部材８Ｒとともに直
列的な関係に設けられている光学部材９（例えばニオブ
酸リチウム単結晶９）には、入射光による光学像と対応
した強度分布の電界が加わっている状態になされている
。

そして、前記したニオブ酸リチウム単結晶９の屈折率は
電気光学効果により電界に応じて変化するから、入射光
による光学像と対応した強度分布の電界が加わっている
状態に前記した光導電層７に対して光学部材８Ｒととも
に直列的な関係に設けられているニオブ酸リチウム単結
晶９の屈折率は、既述した入射光による光情報の書込み
により光−光変換素子における光導電層７と光学部材８
Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去光
の波長域の光を透過させうるような波長選択性を有する
光学部材８Ｒ）との境界面に光導電層７に到達した入射
光による光学像と対応して生じた電荷像に応じて変化し
ているものになる。

それで、ガラス板２側に読出し光ＲＬが投射された場合
には、前記のようにガラス板２側に投射された読出し光
ＲＬが、透明電極４→ニオブ酸リチウム単結晶９→光学
部材８Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとともに、
消去光の波長域の光を透過させうるような波長選択性を
有する光学部材８Ｒ）→のように進行して行く。

前記した読出し光ＲＬは読出光の波長域の光を反射させ
るとともに、消去光の波長域の光を透過させうるような
波長選択性を有する光学部材８Ｒによって反射してガラ
ス板２側に反射光として戻って行くが、ニオブ酸リチウ
ム単結晶９の屈折率は電気光学効果によって電界に応じ
て変化するから、読出し光ＲＬの反射光はニオブ酸リチ
ウム単結晶９の電気光学効果によりニオブ酸リチウム単
結晶９に加わる電界の強度分布に応じた画像情報を含む
ものとなって、ガラス板２側に入射光による光学像に対
応した再生光学像を生じさせる。

前記した再生動作においてガラス板２側から投射された
読出し光ＲＬは、既述のように、透明電極４→ニオブ酸
リチウム単結晶９→光学部材８Ｒ（読出光の波長域の光
を反射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させ
うるような波長選択性を有する光学部材８Ｒ）→のよう
に光導電層７の方に進行して行くが、前記の読出し光Ｒ
Ｌはそれが光導電層７に到達する以前に前記の光学部材
８Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去
光の波長域の光を透過させうるような波長選択性を有す
る光学部材８Ｒ）によって反射されることにより、ニオ
ブ酸リチウム単結晶９→透明電極４→ガラス板２のよう
な光路を辿るから、前記した読出し光ＲＬが先導［Ｍ７
に到達して書込まれた入射光による電荷像に悪影響を与
えるようなことはない。

このように、本発明の光−光変換素子では、ガラス板１
側から書込み光ＷＬを入射させることにより書込み動作
が行われ、また、ガラス板２側に読出し光ＲＬを入射さ
せることにより光学像の再生が行われる。

次に、第１図示の本発明の光−光変換素子に書込まれた
情報の消去法について説明する。第１図示の本発明の光
−光変換素子に運込まれた情報を消去する場合には、第
３図に示されている光−光変換素子の端子５．６間に接
続されている切換スイッチＳＷにおける切換制御信号の
入力端子１１に供給された切換制御信号により、切換ス
イッチＳＷの可動接点を固定接点Ｅ側に切換えた状態に
し、前記した透明型ＦＡ３．４間を電気的に短絡して透
明電極３，４を同電位にし、光導電層７の両端間に電界
が加わらないようにしてから、光−光変換素子における
ガラス板２側から消去光ＥＬを入射させるのである。

前記のように光−光変換素子のガラス板２側に入射した
消去光ＥＬは、ガラス板２→透明電極４→ニオブ酸リチ
ウム単結晶９→光学部材８Ｒ（読出光の波長域の光を反
射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させうる
ような波長選択性を有する光学部材８Ｒ）→光導電層７
のような経路で光導電層７に到達して、その消去光ＥＬ
により光導電層７の電気抵抗値を低下させ、光導電層７
と光学部材８Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとと
もに、消去光の波長域の光を透過させうるような波長選
択性を有する光学部材８Ｒ）との境界面に形成されてい
た電荷像を消去させる。

このように、本発明の光−光変換素子では書込み動作時
に光導電層７と光学部材８Ｒ（読出光の波長域の光を反
射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させうる
ような波長選択性を有する光学部材８Ｒ）との境界面に
形成されていた電荷像が、光−光変換素子における読出
し光ＲＬの入射側から光−光変換素子に入射される消去
光ＥＬによって消去させるようにしているから、書込み
光ＷＬが入射される側に撮像光学系を設けることが必要
とされているような構成の撮像装置、その他、書込み光
ＷＬが入射される側に消去光の入射装置を設けることが
国運な事情のある構成態様の装置にも容易に適用するこ
とができ１本発明によれば既述した従来の問題点を良好
に解決することができる。

第４図は、第１図乃至第３図髪参照して説明したような
構成を有する本発明の光−光変換素子を用いて構成させ
た撮像装置の一例の斜視図であり、この第４図において
ＰＰＣは本発明の光−光変換素子を示しているが、第４
図に示す光−光変換素子ＰＰＣにおいては、第１図及び
ｆｆ１３図などで図面符号ＷＬで示されている書込み光
ＷＬが入射されるガラス板１の表面側に図面符号１を付
し、また、第１図及び第３図などで図面符号ＲＬで示さ
れている読出し光ＲＬ及び図面符号ＥＬで示されている
消去光ＥＬが入射されるガラス板２の表面側に図面符号
２を付して、第１図及び第３図に示されている光−光変
換素子との対応関係を明らかにしているだけで、図示の
簡略化のために光−光変換素子における他の構成部分の
具体的な図示記載は省略しである。

第４図においてＯは被写体、Ｌは撮像レンズ、ＢＳＩ、
ＢＳ２はビーム・スプリッタ、ＰＳｒは読出し光の光源
（読出し光の光源ＰＳｒとしては、例えば、レーザ光に
よる飛点走査機を用いることができるのであり、第４図
示の撮像装置に関する以下の記載における読出し光の光
源ＰＳｒとしては、レーザ光を所定の態様で偏向させる
ような飛点走査機が用いられているものとされている）
、ｐｓｅは消去光の光源、ＰＬＰは偏光板、ＰＤは光検
出器であり、第４図に例示されている光−光変換素子Ｐ
ＰＣを用いて構成されている撮像装置においては、被写
体Ｏの光学像が撮像レンズＬによって光−光変換素子Ｐ
ＰＣに対して書込み光としてガラス板１側から入射され
る。

書込みモード及び読出しモードになされているときの光
−光変換素子ＰＰＣにおける透明電極３゜４には、第３
図に示すように可動接点が固定接点ＷＲ側に切換えられ
ている状態の切換スイッチＳＷを介して電源１０の電圧
が加えられているから、被写体Ｏの光学像と対応する光
が書込み光として撮像レンズＬを介してガラス板１側に
与えられる光−光変換素子ＰＰＣでは、第３図を参照し
て既述したように、それの光導電層７と光学部材８Ｒ（
読出光ＲＬの波長域の光を反射させるとともに。

消去光ＥＬの波長域の光を透過させうるような波長選択
性を有する光学部材８Ｒ）との境界面に光導電層７に到
達した入射光による光学像と対応した電荷像（第４図中
では、被写体Ｏのイの字の光学像に対して、光−光変換
素子ＰＰＣにおける光導電層７と光学部材８Ｒとの境界
面に逆さのイの字の電荷像として示しである）を生じる
。

前記のようにガラス板１側から書込み光による光情報の
書込みが行われて、光−光変換素子ＰＰＣの光導電層７
と光学部材８Ｒ（読出光ＲＬの波長域の光を反射させる
とともに、消去光ＥＬの波長域の光を透過させうるよう
な波長選択性を有する光学部材８Ｒ）との境界面に、入
射光による光学像と対応した電荷像が生じている状態の
光−光変換素子ＰＰＣにおける透明電極３，４間に切換
スイッチＳＷを介して電源１０の電圧が加えられている
状態において、レーザ光の飛点走査機として構成されて
いる読出し光の光源ＰＳｒがら放射された可干渉光の読
出し光ＲＬをビーム・スプリッタＢＳＩを透過させた後
にビーム・スプリッタＢＳ２で反射せて光−光変換素子
ＰＰＣにおけるガラス板２の側から投射すると、第３図
を参照して以遠したように、ガラス板２側に投射された
読出し光ＲＬは、透明電極４→ニオブ酸リチウム単結晶
シ〕→光学部材８Ｒ（読出光ＲＬの波長域の光を反射さ
せるとともに、消去光ＥＬの波長域の光を透過させうる
ような波長選択性を有する光学部材８Ｒ）→のように進
行して行く。

前記した読出し光ＲＬは読出光の波長域の光を反射させ
るとともに、消去光の波長域の光を透過させうるような
波長選択性を有する光学部材８Ｒで反射してガラス板２
側に反射光として戻って行くが、前記のように読出し光
ＲＬが往復するニオブ酸リチウム単結晶９の常光線と異
常光線とに対する屈折率は、ニオブ酸リチウム単結晶９
の電気光学効果によってニオブ酸リチウム単結晶９に印
加されている電界強度に応じてそれぞれ異なって変化す
るから、読出し光ＲＬの反射光はニオブ酸リチウム単結
晶９の電気光学効果によってニオブ酸リチウム単結晶９
に加わる電界の強度分布に応じた画像情報を含むもの−
となっており、したがって、ガラス板２側には入射光に
よる光学像に対応した再生光学像が生じることになる。

前記した読出し光ＲＬの光源ＰＳｒとしてレーザ光によ
る飛点走査機が用いられている場合に光−光変換素子Ｐ
ＰＣにおけるガラス板２側に現われる再生光学像は飛点
走査によって構成されたものになっているから、その再
生光学像の光がビーム・スプリッタＢＳ２と偏光板ＰＬ
Ｐとを透過して光検出器ＰＤに与えられることにより、
光検出器ＰＤからは被写体Ｏの光学像に対応している映
像信号が出力されることになる。

なお、使用されるべき前記した光検出器ＰＤとしては、
読出し光ＲＬの光源ＰＳｒにおけるレーザ光の偏向の態
様や、光検出器ＰＤが副走査方向に変位されるようにな
されているかなどの構成態様の如何に応じて、それぞれ
適当な構成態様のものが使用されるべきことは当然であ
る。

第４図示の撮像装置では時間軸上で予め定められた時間
長毎に、それぞれ異なる被写体の画像を書込み、読出し
て映像信号を発生させることが必要とされるが、前記の
ように時間軸上で予め定められた時間長毎に、それぞれ
異なる被写体の画像を書込み、読出すようにするために
は、前記の時間軸上で予め定められた時間長毎に新らた
な被写体の光学像が書込まれる前に、それまでに書込ま
れていた光学像と対応する電荷像を消去することが必要
とされる。

そして、撮像装置における前記した消去動作は。

時間軸上で相次ぐ新らたな光学像の書込みが行われる以
前における予め定められた時間中に行われるのであり、
それは光検出器ＰＤから出力させる映像信号における垂
直帰線消去期間と対応して行われるように、光検出器Ｐ
Ｄから出力させる映像信号における垂直帰線消去期間と
対応して、第３図について既述したように光−光変換素
子の端子５．６間に接続されている切換スイッチＳＷに
おける切換制御信号の入力端子１１に供給された切換制
御信号により、切換スイッチＳＷの可動接点を固定接点
Ｅ側に切換えた状態にし、前記した透明電極３，４間を
電気的に短絡して透明電極３゜４を同電位にし、光導電
層７の両端間に電界が加わらないようにするとともに、
消去光の光源ＰＳｅから消去光ＥＬを放射させ、その消
去光ＥＬがビームスプリッタＢＳＩ、ＢＳ２を介して光
−光変換素子ＰＰＣにおけるガラス板２側から入射され
るようにするのである。

前記のように光−光変換素子のガラス板２側に入射した
消去光ＥＬは、第３図について既述したようにガラス板
２→透明電極４→ニオブ酸リチウム単結晶９→光学部材
８Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去
光の波長域の光を透過させうるような波長選択性を有す
る光学部材８Ｒ）→光導電層７のような経路で光導電層
７に到達して、その消去光ＥＬにより光導電層７の電気
抵抗値を低下させ、光導電層７と光学部材８Ｒとの境界
面に形成されていた電荷像が消去される。

ところで１編集、トリミング、その他の画像信号処理が
容易であるとともに、低記録信号を消去できる可逆性を
有する記録部材を使用して記録再生が容易に行えるとい
う特徴を有している映像（ｉｔ号を発生させるための撮
像装置として、光−光変換素子を使用して構成された撮
像装置は、従来から一般的に使用されて来ている撮像装
置、すなわち、撮像レンズによって撮像管や固体撮像素
子のような撮像素子における光電変換部に結像された被
写体の光学像を映像信号に変換するようにしている撮像
装置に比べて、容易に高画質・高解像度の再生画像が得
られるのである。

すなわち、高画質・高解像度の再生画像を再生させうる
ような映像信号を発生させることのできる撮像装置にお
いて、撮像素子として撮像管が使用されている撮像装置
においては、撮像管における電子ビーム径の微小化に限
界があるために、電子ビーム径の微小化による高解像度
化が望めないこと、及び、撮像管のターゲット容量はタ
ーゲット面積と対応して増大するものであるために、タ
ーゲット面積の増大による高解像度化も実現することが
できないこと、また１例えば動画の撮像装置の場合には
高解像度化に伴って映像信号の周波数帯域が数十Ｍ　Ｈ
ｚ〜数百Ｍ　Ｈｚ以上にもなるためにＳ／Ｎの点で問題
になる、等の理由によって。

撮像装置により高画質・高解像度の再生画像を再生させ
うるような映像信号を発生させることは困難である。

前記の点を具体的に説明すると次のとおりである。撮像
素子として撮像管が使用されている撮像装置により高画
質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像信号
を発生させるのには、撮像管における電子ビーム径を微
小化したり、ターゲットとして大面積のものを使用した
りすることが考えられるが、撮像管の電子銃の性能、及
び集束系の構造などにより撮像管の電子ビーム径の微小
化には限界があるために電子ビーム径の微小化による高
解像度化には限界があり、また、撮像イメージサイズの
大きな撮像レンズを使用した上で、ターゲットの面積の
増大によって高解像度を得ようとした場合には、ターゲ
ット面積の増大による撮像管のターゲット容量の増大に
よる撮像管の出力信号における高域信号成分の低下によ
って、撮像管出力信号のＳ／Ｈの低下が著るしくなるこ
とにより、撮像管を使用した撮像装置によっては高画質
・高解像度の再生画像を再生させうるような映像信号を
良好に発生させることはできないのである。

また、撮像素子として固体撮像素子を使用した撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させるのには
１画素数の多い固体撮像素子を使用することが必要とさ
れるが、画素数の多い固体撮像素子はそれを駆動するた
めのクロックの周波数が高くなる（例えば、動画カメラ
の場合における固体撮像素子の駆動のためのクロックの
周波数は数百ＭＨｚとなる）とともに、駆動の対象にさ
れている回路の静電容量値は画素数の増大によって大き
くなっているために、そのような固体撮像装置は、固体
撮像素子のクロックの周波数の限界が２０　Ｍ　Ｈｚと
いわれている現状からすると実用的なものとして構成で
きないと考えられる。

このように、従来の撮像装置はそれの構成のために不可
欠な撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生
画像を再生させうるような映像信号を良好に発生させる
ことはできなかったのであるが、光−光変換素子を用い
た撮像装置においては、前記した従来の撮像装置におけ
る問題点がなく高画質・高解像度の再生画像が得られる
映像信号を容易に発生させ得るのである。

光−光変換素子を使用して構成した撮像装置については
１本出願人会社が昭和６１年１２月３０日に特許出願し
た「撮像装置」（特願昭６１−３１１３３３号）を参照
されるとよい。

第４図を参照して既述した撮像装置中で使用されていた
光−光変換素子においては、それの構成に必要とされて
いる複数の光学部材の内で、印加された電界の強度分布
に応じて光の状態を変化させる光学部材として、その光
学部材の中を通過する常光線と異常光線との位相差が結
晶に印加した電界強度に応じて変化するという性質を有
しているニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶を
用いていた。

ところが、ニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶
は、結晶中を通過する常光線と異常光線との位相差が、
異方性結晶に印加された電界強度に応じて変化するだけ
ではなく１周知のように異方性結晶の厚さによっても変
化するものであるから、印加された電界の強度分布に応
じて光の状態を変化させる光学部材としてニオブ酸リチ
ウム単結晶のような異方性結晶が使用されている光−光
変換素子を用いている第４図示の構成の撮像装置では、
前記した光−光変換素子で使用されているニオブ酸リチ
ウム単結晶のような異方性結晶を用いた光学部材の厚さ
を高い精度で一定なものとして作られていない場合に、
光−光変換素子から読出された再生像に、前記したニオ
ブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶を用いた光学部
材９の厚さのむらに対応したシェーディングが生じるこ
とは既述のとおりである。

第６図の（ａ）は、印加された電界の強度分布に応じて
光の状態を変化させる光学部材９としてニオブ酸リチウ
ム単結晶のような異方性結晶が使用されている光−光変
換素子ＰＰＣを用いて構成されている第４図示の撮像装
置において、前記した光−光変換素子ＰＰＣで使用され
ているニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶を用
いた光学部材９の厚さが、第７図に例示されているよう
に図中のＸ方向にｄだけの厚さむらを持っている場谷に
、ニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶を用いた
光学部材９を読出し光ＲＬにより図中のＸ方向に走査し
て電荷像を読出して得られる信号の波形例図であり、ま
た、第６図の（ｃ）はもともとの電荷像に対応している
信号の波形を例示したものである。

第６図の（ａ）、（ｃ）から判かるように、光−光変換
素子ＰＰＣで使用されているニオブ酸リチウム単結晶の
ような異方性結晶を用いた光学部材９の厚さが、第７図
に例示されているように図中のＸ方向にｄだけの厚さむ
らを持っている場合には、ニオブ酸リチウム単結晶のよ
うな異方性結晶を用いた光学部材９を読出し光ＲＬによ
り図中のＸ方向に走査して電荷像を読出して得られる１
水平走査期間（ＩＨ）の信号は、第６図の（Ｑ）に示さ
れている電荷像と対応しているもともとの信号とは異な
り、第６図の（Ｑ）に示されているもともとの電荷像に
対応している信号に、光−光変換素子ＰＰＣで使用され
ているニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶にお
けるＸ方向のｄだけの厚さむらと対応して発生した信号
との和の信号、すなわち第６図の（ａ）に示されている
ような波形の信号となるのである。

第５図に示されている撮像装置は、第４図示の撮像装置
における前記のような問題点が解決できるような構成と
した撮像装置、すなわち、２つの透明電極の間に少なく
とも光導電層部材と、読出光の波長域の光を反射させる
とともに、消去光の波長域の光を透過させうるような波
長選択性を有する誘電体ミラーと、印加された電界の強
度分布に応じて光の状態を変化させる光変調材層部材と
を積層してなる光−光変換素子における光導電層部材側
に被写体からの光を入射させて光−光変換素子に被写体
の光学像と対応する電荷像を生成させる手段と、光−光
変換素子の光変調材層部材側から光−光変換素子に入射
させた読出し光によって、前記した被写体の光学像と対
応する電荷像を光学像として読出す手段と、前記した被
写体の光学像と対応する電荷像の消去手段とを備えてな
る撮像装置において、前記した被写体の光学像が与えら
れるべき光−光変換素子に対する読出し光の入射光路中
に、印加電界の強度分布に応じて光の状態が変化する光
変調材層部材を含んで構成されているシェーディング補
正用光学部材を設けるとともに、前記した光−光変換素
子における光変調材層部材の不所望な複屈折状態と対応
して再生光学像に生じる光のシェーディングを補正でき
るようなシェーディング補正用電界を前記したシェーデ
ィング補正用光学部材に与える補正信号発生部とを備え
て構成させた撮像装置の一実施例を示したものであるが
、この第５図示の撮像装置では既述した第４図示の撮像
装置において問題になった再生像におけるシェーディン
グが発生しないようにできるのである。

第５図示の撮像装置において再生像にシェーディングが
生じないようできるのは次のような構成原理及び動作原
理による。

すなわち、第５図示の撮像装置においては、印加された
電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学部材
９としてニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶が
使用されている光−光変換素子ＰＰＣが用いられており
、かつ、前記した光−光変換素子ＰＰＣで使用されてい
るニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶を用いた
光学部材９の厚さが、第７図に例示されているように図
中のＸ方向にｄだけの厚さむらを持っているために、ニ
オブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶を用いた光学
部材９を読出し光ＲＬにより図中のＸ方向に走査して電
荷像を読出したときに第６図の（ａ）に示されるような
信号波形の信号が得られるような場合に、前記した光−
光変換素子ｒｐｃにおける電荷像の読出しのために用い
られる読出し光ＲＬの時間軸上での強度変化の態様を、
光−光変換素子ＰＰＣで使用されているニオブ酸リチウ
ム単結晶のような異方性結晶を用いた光学部材９の厚さ
の変化態様と対応させて設定しておくことにより、その
読出し光ＲＬによって第７図に例示されているように図
中のＸ方向にｄだけの厚さむらを持っているニオブ酸リ
チウム単結晶のような異方性結晶を用いた光学部材９を
読出し光ＲＬにより、図中のＸ方向に走査して電荷像を
読出したときに、１水平走査期間（ＩＨ）の信号として
第６図の（Ｑ）に示されている電荷像と対応しているも
ともとの信号が得られるようにしているのである。

第６図の（ｂ）は、読出し光ＲＬによって第７図に例示
されているように図中のＸ方向にｄだけの厚さむらを持
っているニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶を
用いた光学部材９を、読出し光ＲＬにより図中のＸ方向
に走査して電荷像を読出したときに発生される１水平走
査期間（ＩＨ）の信号として、第６図の（ｃ）に示され
ている電荷像と対応している信号波形の信号が得られる
ように、光−光変換素子ＰＰＣで使用されているニオブ
酸リチウム単結晶のような異方性結晶を用いた光学部材
９の厚さの変化態様と、前記した光−光変換素子ＰＰＣ
における電荷像の読出しのために用いられる読出し光Ｒ
Ｌの時間軸上での強度の変化態様とが対応しているもの
となるように、被写体の光学像が与えられるべき前記し
た光−光変換素子ＰＰＣに対して供給される読出し光Ｒ
Ｌの入射光路中に設けられる印加電界の強度分布に応じ
て光の状態が変化する光変調材層部材を含んで構成され
ているシェーディング補正用光学部材ＳＣＡに供給すべ
きシェーディング補正用電界（シェーディング補正用信
号電圧）の時間軸上での変化態様例を示したものである
。

第５図において、０は被写体、Ｌは撮像レンズ、ＢＳＩ
、ＢＳ２はビーム・スプリッタ、ＰＳｒは読出し光の光
源、ＰＳｅは消去光の光源、ＰＬＰは偏光板、ＰＤは光
検出器であり、また、ＳＣＡは印加電界の強度分布に応
じて光の状態が変化する光変調材層部材を含んで構成さ
れているシェーディング補正用光学部材であって、この
シェーディング補正用光学部材ＳＣＡは被写体の光学像
が与えられるべき光−光変換素子ＰＰＣに対する読出し
光ＲＬの入射光路中に設けられている。

前記したシェーディング補正用光学部材ＳＣＡとしては
、光の入射面に対して直交する方向に電極を位置させで
あるような構成態様の横型変調器（第５図中に示されて
いる形態のもの）が用いられても、あるいは光の入射面
に対して平行な方向に電極を位置させであるような構成
態様の縦型変調器が用いられてもよい。

前記した印加電界の強度分布に応じて光の状態が変化す
る光変調材層部材を含んで構成されているシェーディン
グ補正用光学部材ＳＣＡの電極１３．１４には、光−光
変換素子ＰＰＣにおける光変調材層部材として用いられ
ているニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶の厚
さのむらに基づいて異方性結晶に生じる不所望な複屈折
状態と対応して再生光学像に起こる光のシェーディング
を補正できるようなシェーディング補正用電圧が補正信
号発生部Ｃ８Ｇから供給されていて、・シェーディング
補正用光学部材ＳＣＡの電極１３．１４間には光−光変
換素子ＰＰＣにおける光変調材層部材として用いられて
いるニオブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶の厚さ
のむらに基づいて異方性結晶に生じる不所望な複屈折状
態と対応して再生光学像に生じる光のシェーディングを
補正できるようなシェーディング補正用電界が形成され
るようにしている。

前記した補正信号発生部Ｃ８Ｇから発生させるべきシェ
ーディング補正用電圧は１例えば、光−光変換素子ｐｐ
ｃに電荷像パターンが無い状態、すなわち、消去動作後
で無信号時における光−光変換素子ＰＰＣに読出し光Ｒ
Ｌを入射させて読出し動作を行って得た再生像の情報を
初期情報として記憶し、その情報を用いてシェーディン
グ補正用信号電圧を発生させるようにしたり、あるいは
。

従来から一般的な撮像装置において各種の補正信号の発
生手段によって各種の補正信号を発生させる場合と同様
な手段を適用してシェーディング補正用電圧が発生され
るようにすればよい。

また、シェーディング補正用光学部材ＳＣＡ電極１３．
１４間に設けられるべき印加電界の強度分布に応じて光
の状態が変化する如き光変調材層部材としては、液晶、
ニオブ酸リチウム単結晶、その他、所定の機能を有する
ものであればどのような材料が用いられても良いのであ
る。

第５図中におけるＰＤＥＦは光偏向器であり、この光偏
向器ＰＤＥ７は前記したシェーディング補正用光学部材
ＳＣＡから出射したレーザ光束を所定の態様で縦横に偏
向できるような機能を有するものとして構成されている
ものが使用されている。

光−光変換素子ＰＰＣを用いて構成されている第５図に
例示されている構成の撮像装置においては、被写体０の
光学像が撮像レンズＬによって光−光変換素子ＰＰＣに
対して書込み光としてガラス板１側から入射される。

第５図に例示されている構成を有する撮像装置において
、書込みモード及び読出しモードになされているときの
光−光変換素子ＰＰＣにお１する透明電極３，４には、
可動接点が固定接点ＷＲ側に切換えられている状態の切
換スイッチＳＷを介して電源１０の電圧が加えられてい
るから、被写体０の光学像と対応する光が書込み光とし
て撮像レンズＬを介してガラス板１側に与えられる光−
光変換素子ＰＰＣでは、第３図を参照して既述したよう
に、それの光導電層７と光学部材８Ｒ（読出光ＲＬの波
長域の光を反射させるとともに、消去光ＥＬの波長域の
光を透過させうるような波長選択性を有する光学部材８
Ｒ）との境界面に光導電層７に到達した入射光による光
学像と対応した電荷像（第５図中では、被写体Ｏのイの
字の光学像に対して、光−光変換素子ＰＰＣにおける光
導電層７と光学部材８Ｒとの境界面に逆さのイの字の電
荷像として示しである）が生じる。

前記のようにガラス板１側から書込み光による光情報の
書込みが行われて、光−光変換素子ＰＰＣの光導電層７
と光学部材８Ｒ（読出光ＲＬの波長域の光を反射させる
とともに、消去光ＥＬの波長域の光を透過させうるよう
な波長選択性を有する光学部材８Ｒ）との境界面に、入
射光による光学像と対応した電荷像が生じている状態の
光−光変換素子ＰＰＣにおける透明電極３，４間に切換
、スイッチＳＷを介して電源１０の電圧が加えられてい
る状態において、読出し光の光源ＰＳｒから放射された
可干渉光の読出し光ＲＬはビーム・スプリッタＢＳＩを
透過した後に、印加電界の強度分布に応じて光の状態が
変化する光変調材層部材を含んで構成されているシェー
ディング補正用光学部材ＳＣＡに入射される。

前記したシェーディング補正用光学部材ＳＣＡの電極１
３，１４には、光−光変換素子ＰＰＣにおける光変調材
層部材として用いられているニオブ酸リチウム単結晶の
ような異方性結晶の厚さのむらに基づいて異方性結晶に
生じる不所望な複屈折状態と対応して再生光学像に起こ
る光量のシェーディングを補正できるようなシェーディ
ング補正用電圧が補正信号発生部Ｃ８Ｇから供給されて
いるから、このシェーディング補正用光学部材ＳＣＡか
ら出射したレーザ光が光偏向器ＰＤＥＦによって所定の
態様で偏向された状態となされた後にビーム・スプリッ
タＢＳ２に入射し、そこで光−光変換素子ＰＰＣの方に
反射されて光−光変換素子ＰＰＣにおけるガラス板゛２
の側から入射すると、第３図を参照して既述したように
、ガラス板２側に入射した読出し光ＲＬは、透明電極４
→ニオブ酸リチウム単結晶９→光学部材８Ｒ（読出光Ｒ
Ｌの波長域の光を反射させるとともに、消去光ＥＬの波
長域の光を透過させうるような波長選択性を有する光学
部材８Ｒ）→のように進行して行く。

次いで、前記した読出し光ＲＬは読出光の波長、域の光
を反射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させ
うるような波長選択性を有する光学部材８Ｒで反射して
ガラス板２側に反射光として戻って行く。

前記のように読出し光ＲＬが往復する光−光変換素子Ｐ
ＰＣにおける光変調材層部材として用いられているニオ
ブ酸リチウム単結晶のような異方性結晶の常光線と異常
光線とに対する屈折率は、ニオブ酸リチウム単結晶９の
電気光学効果によってニオブ酸リチウム単結晶９に印加
されている電界強度に応じてそれぞれ異なる状態で変化
するが、ニオブ酸リチウム単結晶９の厚さが不均一の場
合には、厚さのむらに基づいて異方性結晶に生じる不所
望な複屈折状態が生じるが、第５図示の撮像装置におい
ては、ニオブ酸リチウム単結晶９の厚さむらに基づいて
異方性結晶に生じる不所望な複屈折状態が補正できるよ
うに、光−光変換素子ＰＰＣにおける光変調材層部材と
して用いられているニオブ酸リチウム単結晶を往復する
読出し光ＲＬとして、再生光学像に光のシェーディング
が生じないような状態となるように前以ってシエーディ
ング補正用光学部材ＳＣＡによって補正が行われるよう
にされているから、この第５図示の撮像装置においては
再生光学像にシェーディングが生じないようにできる。

前記の再生光学像の光はビーム・スプリッタＢＳ２と偏
光板ＰＬＰとを透過して光検出器ＰＤに与えられること
により、光検出器ＰＤからは被写体０の光学像に対応し
ている映像信号が出力されることになる。

第５図示の撮像装置でも既述した第４図示の撮像装置と
同様に時間軸上で予め定められた時間長毎に、それぞれ
異なる被写体の画像を書込み、読出して映像信号を発生
させることが必要とされるが、前記のように時間軸上で
予め定められた時間長毎に、それぞれ異なる被写体の画
像を書込み、読出すようにするためには、前記の時間軸
上で予め定められた時間長毎に新らたな被写体の光学像
が書込まれる前に、それまでに書込まれていた光学像と
対応する電荷像を消去することが必要とされる。

そして、撮像装置における前記した消去動作は、時間軸
上で相次ぐ新らたな光学像の書込みが行われる以前にお
ける予め定められた時間中に行われるのであり、それは
光検出器ＰＤから出力させる映像信号における垂直帰線
消去期間と対応して行われるように、光検出器ＰＤから
出力させる映像信号における垂直帰線消去期間と対応し
て、第３図を参照して既述したように光−光変換素子の
端子５．６間に接続されている切換スイッチＳＷにおけ
る切換制御信号の入力端子１１に供給された切換制御信
号により、切換スイッチＳＷの可動接点を固定接点Ｅ側
に切換えた状態にし、前記した透明電極３．４間を一電
気的に短絡して透明電極３゜４を同電位にし、光導電層
７の両端間に電界が加わらないようにするとともに、消
去光の光源ＰＳｅから消去光ＥＬを放射させ、その消去
光ＥＬがビームスプリッタＢＳＩ、ＢＳ２を介して光−
光変換素子ＰＰＣにおけるガラス板２側から入射される
ようにするのである。

前記のように光−光変換素子のガラス板２側に入射した
消去光ＥＬは、第３図について既述したようにガラス板
２→透明電極４→ニオブ酸リチウム単結晶９→光学部材
８Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去
光の波長域の光を透過させうるような波長選択性番有す
る光学部材８Ｒ）→光導電層７のような経路で光導電層
７に到達して、その消去光ＥＬにより光導電層７の電気
抵抗値を低下させ、光導電層７と光学部材８Ｒとの境界
面に形成されていた電荷像が消去される。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように本発明
は、透明電極と、光導電層と、読出光の波長域の光を反
射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させうる
ような波長選択性を有する光学部材と、印加された電界
の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学部材と、
透明電極とを積層してなる光−光変換素子、及び２つの
透明電極の間に少なくとも光導電層部材と、読出光の夜
長域の光を反射させるとともに、消去光の波長域の光を
透過させうるような波長選択性を有する誘電体ミラーと
、印加された電界の強度分布に応じて光の状態を変化さ
せる光変調材層部材とを積層してなる光−光変換素子に
おける光導電層部材側に被写体からの光を入射させて光
−光変換素子に被写体の光学像と対応する電荷像を生成
させる手段と、光−光変換素子の光変調材層部材側から
光−光変換素子に入射させた読出し光によって、前記し
た被写体の光学像と対応する電荷像を光学像として読出
す手段と、前記した被写体の光学像と対応する電荷像の
消去手段とを備えてなる撮像装置、ならびに２つの透明
電極の間に少なくとも光導電層部材と、読出光の波長域
の光を反射させるとともに、消去光の波長域の光を透過
させうるような波長選択性を有する誘電体ミラーと、印
加された電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる
光変調材層部材とを積層してなる光−光変換素子におけ
る光導電層部材側に被写体からの光を入射させて光−光
変換素子に被写体の光学像と対応する電荷像を生成させ
る手段と、光−光変換素子の光変調材層部材側から光−
光変換素子に入射させた読出し光によって、前記した被
写体の光学像と対応する電荷像を光学像として読出す手
段と、前記した被写体の光学像と対応する電荷像の消去
手段とを備えてなる撮像装置において、前記した被写体
の光学像が与えられるべき光−光変換素子に対する読出
し光の入射光路中に、印加電界の強度分布に応じて光の
状態が変化する光変調材層部材を含んで構成されている
シェーディング補正用光学部材を設けるとともに、前記
した光−光変換素子における光変調材層部材の不所望な
複屈折状態と対応して再生光学像に生じる光のシェーデ
ィングを補正できるようなシェーディング補正用電界を
前記したシェーディング補正用光学部材に与える補正信
号発生部とを備えてなる撮像装置であるから、本発明の
光−光変換素子は書込み光ＷＬが入射される側に撮像光
学系を設けることが必要とされているような構成の撮像
装置、その他、書込み光ＷＬが入射される側に消去光の
入射装置を設けることが困難な事情のある構成態様の装
置にも容易に適用することができ、本発明の光−光変換
素子によれば既述した従来の光−光変換素子における問
題点を良好に解決することができ、また、印加された電
界の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学部材を
含んで構成されている光−光変換素子において、印加さ
れた電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学
部材として、例えばニオブ酸リチウム単結晶のような異
方性結晶が用いられるような場合に、異方性結晶中を通
過する常光線と異常光線との位相差が、前記のように異
方性結晶に印加された電界強度に応じて変化するだけで
はなく１周知のように異方性結晶の厚さによっても変化
するということから、前記のように光−光変換素子にお
いて使用される異方性結晶の厚さが高い精度で一定なも
のとして作られていないと、光−光変換素子から読出さ
れた再生像にシェーディングを生じさせることが問題に
なるが、本発明の撮像装置では異方性結晶の厚さむらに
基づいて異方性結晶に生じる不所望な複屈折状態を補正
して再生光学像に光のシェーディングが生じないような
状態となるように、光−光変換索子ｒｐｃに対する読出
し光の入射光路中に、印加電界の強度分布に応じて光の
状態が変化する光変調材層部材を含んで構成されている
シェーディング補正用光学部材ＳＣＡを設置しておき、
そのシェーディング補正用光学部材ＳＣＡによって前以
って読出し光ＲＬに対して再生光学像に光のシェーディ
ングが生じないように補正するようにしたので、再生光
学像にシェーディングが生じないようにできるのである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光−光変換素子の一実施例の側面図、
第２図は読出光の波長域の光を反射させるとともに、消
去光の波長域の光を透過させうるような波長選択性を有
する光学部材の波長選択特性例を示す特性曲線例図、第
３図は第１図に示す本発明の一実施例の光−光変換素子
の動作説明用のブロック図、第４図及び第５図は本発明
の一実施例の光−光変換素子を用いて構成したそれぞれ
異なる撮像装置の概略構成を示す斜視図、第６図は動作
説明用の波形図、第７図は問題点を説明するための光学
部材の側面図、第８図は光−光変換素７・・・光導電層
、８・・・誘電体ミラー、８Ｒ・・・読出光の波長域の
光を反射させるとともに、消去光の波長域の光を透過さ
せうるような波長選択性を有する光学部材、９・・・印
加された電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる
光学部材、１０・・・電源、１１・・・端子、１２・・
・遮光層、ＷＬ・・・書込み光、ＲＬ・・・読出し光、
ＥＬ・・・消去光、ＳＷ・・・切換スイッチ、１３．１
４・・・電極、ＳＣＡ・・・印加電界の強度分布に応じ
て光の状態が変化する光変調材層部材を含んで構成され
ているシェーディング補正用光学部材、ｒｐｃ・・・光
−光変換素子、Ｃ５Ｇ・・・補正信号発生部、ＰＤＥＦ
・・・光偏向器、Ｌ・・・撮像レンズ、ＰＬＰ・・・偏
光板、 特許出願人　　日本ビクター株式会社 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 拓 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明電極と、光導電層と、読出光の波長域の光を反
   射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させうる
   ような波長選択性を有する光学部材と、印加された電界
   の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学部材と、
   透明電極とを積層してなる光−光変換素子 ２、２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と、
   読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去光の波
   長域の光を透過させうるような波長選択性を有する誘電
   体ミラーと、印加された電界の強度分布に応じて光の状
   態を変化させる光変調材層部材とを積層してなる光−光
   変換素子における光導電層部材側に被写体からの光を入
   射させて光−光変換素子に被写体の光学像と対応する電
   荷像を生成させる手段と、光−光変換素子の光変調材層
   部材側から光−光変換素子に入射させた読出し光によっ
   て、前記した被写体の光学像と対応する電荷像を光学像
   として読出す手段と、前記した被写体の光学像と対応す
   る電荷像の消去手段とを備えてなる撮像装置 ３、２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と、
   読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去光の波
   長域の光を透過させうるような波長選択性を有する誘電
   体ミラーと、印加された電界の強度分布に応じて光の状
   態を変化させる光変調材層部材とを積層してなる光−光
   変換素子における光導電層部材側に被写体からの光を入
   射させて光−光変換素子に被写体の光学像と対応する電
   荷像を生成させる手段と、光−光変換素子の光変調材層
   部材側から光−光変換素子に入射させた読出し光によっ
   て、前記した被写体の光学像と対応する電荷像を光学像
   として読出す手段と、前記した被写体の光学像と対応す
   る電荷像の消去手段とを備えてなる撮像装置において、
   前記した被写体の光学像が与えられるべき光−光変換素
   子に対する読出し光の入射光路中に、印加電界の強度分
   布に応じて光の状態が変化する光変調材層部材を含んで
   構成されているシェーディング補正用光学部材を設ける
   とともに、前記した光−光変換素子における光変調材層
   部材の不所望な複屈折状態と対応して再生光学像に生じ
   る光のシェーディングを補正できるようなシェーディン
   グ補正用電界を前記したシェーディング補正用光学部材
   に与える補正信号発生部とを備えてなる撮像装置