JPH02267519A - 画像情報の処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） 本発明は画像情報処理方法及び装置に関する。 （従来の技術） 被写体を撮像して得た映像信号は、ＩＩＩＡ集、トリミ
ング、その他の画像信号処理が容易であるとともに、記
録再生ならびに記録再生消去が容易であるという特徴を
有しているために、放送の分野以外に多くの分野、例え
ば、印刷、電子出版、計測などの多くの分野での利用も
試みられるようになり１例えば動画のような複数の時間
に対応した光学像情報の撮像記録や、−枚の画像の撮像
記録を従来装置に比べて解像度が一層高い状態で行うこ
とを可能にする装置の出現が強く要望されるようになづ
た・ ところで、従来から一般的に使用されて来ている撮像装
置では、被写体の光学像を撮像レンズにより撮像素子の
光電変換部に結像させるようにしていて、撮像素子で前
記の被写体の光学像を電気的な画像情報に変換し、その
電気的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号として
出力させるようにしており、撮像装置の構成に当って使
用されるべき撮像素子としては各種の撮像管や各種の固
体撮像素子が使用されていることは周知のとおりである
。 さて、高画質・高解像度の再生画像を得るためには、そ
れと対応した映像信号を発生させうる撮像装置が必要と
されるが、撮像素子として撮像管を使用した撮像装置で
は、撮像管における電子ビーム径の微小化に限界があっ
て電子ビーム径の微小化による高解像度化が望めないこ
と、及び、撮像管のターゲット容量はターゲット面積と
対応して増大するものであるために、ターゲット面積の
増大による高解像度化も実現できないこと、また、例え
ば動画の撮像装置の場合には高解像度化に伴って映像信
号の周波数帯域が数十Ｍ　Ｈｚ〜数百ＭＨｚ以上にもな
るためにＳ／Ｎの点で問題になる、等の理由によって、
高画質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像
信号を発生させることは困難である。 すなわち、撮像素子として撮像管が使用されている撮像
装置により高画質・高解像度の再生画像を再生させうる
ような映像信号を発生させるのには、撮像管における電
子ビーム径を微小化したり、ターゲットとして大面積の
ものを使用したりすることが考えられるが、撮像管の電
子銃の性能、及び集束系の構造などにより撮像管の電子
ビーム径の微小化には限界があるために電子ビーム径の
微小化による高解像度化には限界があり、また撮像イメ
ージサイズの大きな撮像レンズを使用した上で、ターゲ
ットの面積の増大によって高解像度を得ようとした場合
には、ターゲット面積の増大による撮像管のターゲット
容量の増大による撮像管の出力信号における高域信号成
分の低下によって、撮像管出力信号のＳ／Ｎの低下が著
るしくなることにより、撮像管を使用した撮像装置によ
っては、高画質・高解像度の再生画像を再生させうるよ
うな映像信号を良好に発生させることはできないのであ
る。 また、撮像素子として固体撮像素子を使用した撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させるのには
１画素数の多い固体撮像素子を使用することが必要とさ
れるが１画素数の多い固体撮像素子はそれを駆動するた
めのクロックの周波数が高くなる（例えば、動画カメラ
の場合における固体撮像素子の駆動のためのクロックの
周波数は数百Ｍ　Ｈｚとなる）とともに、駆動の対象に
されている回路の静電容量値は画素数の増大によって大
きくなっているために、そのような固体撮像装置は、固
体撮像素子のクロックの周波数の限界が２０ＭＨｚとい
われている現状からすると実用的なものとして構成でき
ないと考えられる。 このように、従来の撮像装置ではそれの構成に不可欠な
撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生画像
を再生させつるような映像信号を良好に発生させること
ができなかったので、高画質・高解像度の再生画像を再
生させうるような映像信号を良好に発生させることがで
きる撮像装置の出現が望まれており、また、ＳＷ集、ト
リミング。 その他の画像信号処理が容易である他に、可逆性を有す
る記録部材を使用して高い解像度を有する画像の記録再
生、ならびに記録再生消去をも容易に行えるという利点
を有する映像信号を用いた機器を導入しようとしている
、例えば、印刷、電子出版、計測などの多くの分野では
、−枚の画像の撮像記録を従来の撮像装置に比べて一層
解像度の高い状態で実現させうる撮像装置や記録再生装
置の出現が強く要望された。 前記のような問題点の解決のために、本出願人会社では
先に、被写体の光学像に対応した光学像情報を撮像レン
ズにより可逆性を有する電荷像記録媒体に結像させて記
録媒体に記録再生の対象にされている情報を電荷像とし
て記録し再生するとともに、前記の可逆性を有する電荷
像記録媒体に記録されている記録情報を消去する手段と
を備えている撮像装置を提案している。 （発明が解決しようとする課Ｍ） そして、前記した既提案の撮像装置の実施により、前記
したよう゛な従来の問題点が良好に解決でき、高い精細
度を有する画像情報の記録再生が可能な装置を提供し得
たのであるが、記録再生される超高解像度を有する画像
情報を時系列的な電気信号に変換した場合には極めて広
い周波数帯域を占有する電気信号となるのであり１例え
ば前記した既提案の装置によって１枚の画像が４０００
画素Ｘ４０００画素であるような画像情報として記録再
生した場合には、その画像情報を時系列信号に変換した
とすると、この時系列信号で必要とされる周波数帯域幅
は約ＩＧＨｚにもなるために。 そのような超広帯域の信号の画像情報の処理を行うこと
は容易ではないので、超高解像度を有する画像情報の処
理の容易な画像情報処理方法及び装置の出現が求められ
た。 （８題を解決するための手段） 本発明は電磁放射線情報の状態において光−光変換素子
を用いて画像情報処理を行う方法及び装置を提供するも
のである。 （作用） 光−光変換素子に電荷像として書込まれた情報を電磁放
射線情報として読出すのに使用される電磁放射線の強度
を変化させて電磁放射線による画像情報の利得調整を行
い、また、光−光変換素子の構成要素として用いられて
いる光変調材層部材の電気光学的な特性における動作点
の設定の仕方を変化させることにより、光−光変換素子
から読出される電磁放射線による画像情報を反転させた
り、光−光変換素子から読出される電磁放射線による画
像情報に非直線処理を施したりするなどの画像処理を電
磁放射線の状態で行う。 （実施例） 以下、＃ＩＡ付図面を参照して本発明の画像情報処理方
法及び装置の具体的な内容について詳細に説明する。第
１図は本発明の画像情報処理方法によって画像処理を行
う画像処理部を備えた画像情報処理系の一例構成のブロ
ッ図、第２図は画像処理部で行われる種々の画像処理機
能をそれぞれ個別のブロックによって示した画像処理部
のブロック図、第３図、第４図、第６図及び第８図なら
びに第１０図はそれぞれ異なる画像処理を行いつるよう
に構成された構成部分のブロック図、第５図、第７図及
び第９図ならびに第１１図は動作説明用の特性例または
波形側図、第１２図乃至第２５図は本発明の画像情報処
理方法を適用して構成した撮像装置の構成例を示すブロ
ック図、第２６図及び第２７図は光−光変換素子の構成
例を示す側断面図、第２８図は光−光変換素子の動作を
説明するために示した光−光変換素子を用いて構成した
撮像装置の側面図、第２９図及び第３１図ならびに第３
３図は電磁放射線像を記録媒体に電荷像として記録する
ようにした記録系の構成例を示す側面図、第３０図及び
第３２図ならびｌこ第３４図は電荷像を電磁放射線を用
いて読取るようにした再生系（読出し系）の構成例を示
す側面図である。 本発明の画像情報処理方法は光−光変換素子を用いた画
像情報の処理方法であるから、まず、第２６図乃至第２
８図を参照して本発明の画像情報処理方法の実施に際し
て用いられる光−光変換素子の構成や動作などについて
説明する。 第２６図及び第２７図は光−光変換素子ｒｐｃの構成例
を示す側断面図であり、また、第２８図は光−光変換素
子ＰＰＣの具体的な動作の説明のために示す光−光変換
素子ＰＰＣを用いて構成した撮像装置の側面図である。 第２６図及び第２７図に示されている光−光変換素子ｐ
ｐｃにおいて、Ｅｔｌ、Ｅｔ２は電極、ｐｃＬは第１の
所定の波長域の電磁放射線に感度を有する光導電層部材
、ＤＭＬは前記した第１の所定の波長域とは異なる第２
の所定の波長域の電磁放射線を反射させる誘電体ミラー
、ＰＭＬは電界の強度分布に応じて電磁放射線の状態を
変化させつる光変調材層部材（例えばニオブ酸リチウム
単結晶のような光変調材層、あるいはネマチック液晶層
）であり、また、ＷＬは光−光変換素子ＰＰＣに電磁放
射線像を電荷像として書込む電磁放射綿５ＲＬば光−光
変換素子ＰＰＣに形成された電荷像を読出すのに使用さ
れる電磁放射線である。 前記した電極Ｅｔｌは少なくとも前記した第１の所定の
波長域の電磁放射線に対して透明なものとして構成され
ており、また、電極Ｅｔ２は少なくとも前記した第２の
所定の波長域の電磁放射線に対して透明なものとして構
成されている。 前記した構成を有する第２６図に示す光−光変換素子ｒ
ｐｃは、それの電極Ｅ　ｔｌ　、　Ｅ　ｔ２に電源■ｂ
と切換スイッチＳＷとからなる回路を接続し、図示しな
い制御信号の入力端子に供給される切換制御信号により
、切換スイッチＳＷの可動接点が固定接点ＷＲ側に切換
えられた状態として、前記した電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間
に電源ｖｂの電圧を与えて、光導電層部材ＰＣＬの両端
間に電界が加わるようにし、光−光変換素子ＰＰＣにお
ける電極Ｅｔｌ側から第１の所定の波長域の電磁放射線
ＷＬを入射させると、前記のように光−光変換素子ＰＰ
Ｃに入射したｆｆｉ磁放射線ＷＬは電極Ｅｔｌを透過し
て光導電層部材ＰＣＬに到達する。 光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値がそれに到達した電磁
放射線ＷＬの強度分布と対応して変化するために、光導
電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光
導電層部材ＰＣＬに到達した第１の所定の波長域の電磁
放射線ＷＬの強度分布と対応した強度分布を有する電荷
像が生じる。 次に前記のようにして第１の所定の波長域の電磁放射＠
ＷＬの強度分布と対応する電荷像が形成された光−光変
換素子における電極Ｅｔｌ、ＥｔＺ間に接続されている
切換スイッチＳＷの可動接点が固定接点ＷＲ側に切換え
られていて、電ｆＸ　Ｖ　ｂの電圧が電ｆ４Ｅｔｌ、　
Ｅｔ２間に印加されている状態において、ｆｆｔ極Ｅｔ
２側より図示されていない電磁放射線源からの一定強度
の第２の所定の波長域の電磁放射ＭＲＬを入射させると
、その可視領域の電磁放射線ＲＬが光変調材層部材ＰＭ
Ｌ（例えばニオブ酸リチウム単結晶ＰＭＬ　）を通過し
た後に誘電体ミラーＤＭＬで反射し、再び光変調材層部
材ＰＭＬを通過して、光−光変換素子ＰＰＣにおける電
極Ｅｔ２から出射するが、この第２の所定の波長域の電
磁放射線ＲＬは光導電層部材ＰＣＬと１誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生成されているＭｉｆ記の電荷像の電
荷量分布と対応して電磁放射線の状態が変化しているも
のになっている。 すなわち、既述のように第１の所定の波長域の電磁放射
線ＷＬが入射されて、前記した第１の所定の波長域の電
磁放射線ＷＬの強度分布と対応する電荷像が光導電層部
材ｐ　ｃ　ｒ、と誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に形成
されている状態において、前記した光導電層部材ＰＣＬ
に対して誘電体ミラ−ＤＭＬとともに直列的な関係に設
けられている光変調材層部材ＰＭＬ（例えばニオブ酸リ
チウム単結晶ＰＭＬ）には、前記した電荷像の電荷分布
と対応した強度分布の電界が加わっている状態になされ
ている。 そして、前記した光変調材層部材ＰＭＬが例えばニオブ
酸リチウム単結晶ＰＭＬの場合には、それの屈折率が電
気光学効果により電界に応じて変化するから、前記した
電荷像と対応した強度分布の電界が加わっている状態の
前記した光変調材層部材として用いられているニオブ酸
リチウムの結晶ＰＭＬの屈折率は、前記した電荷像の電
荷像分布に応じて変化しているものになる。 それで、電１４Ｅｔ２側に第２の所定の波長域の電磁放
射線ＲＬが投射された場合には、その第２の所定の波長
域の電磁放射線ＲＬは、電極Ｅｔ２→光変調材層部材と
して用いられているニオブ酸リチウム単結晶ＰＭＬ→誘
電体ミラーＤＭＬ→のように進行して行き１次いで前記
した第２の所定の波長域の電磁放射線ＲＬは誘電体ミラ
ーＤ　Ｍ　Ｌで反射して電極Ｅｔ２側に戻って行くが、
光変調材層部材として用いられているニオブ酸リチウム
の結晶ＰＭＬの屈折率は電気光学効果によって電界に応
じて変化するから、ｖｔ電体ミラーＤＭＬで反射した第
２の所定の波長域の電磁放射線ＲＬは光変調材層部材と
して用いられているニオブ酸リチウムの結晶ＰＭＬの電
気光学効果により光変調材層部材として用いられている
ニオブ酸リチウムの結晶ＰＭＬに加わる電界の強度分布
に応じた情報を含むものとなって電極Ｅｔ２側から出射
する。 また、前記のようにして第１の所定の波長域の電磁放射
線ＷＬによって形成された電荷像を消去するのには、前
記した切換スイッチＳＷに切換制御信号を供給して切換
スイッチＳＷの可動接点を固定接点Ｅ側に切換え、光−
光変換素子Ｐ　））　Ｃにおける電極Ｅ　ｔｌ　、　Ｅ
　ｔＺ間の電位を同じにしてから−様な強度分布の電磁
放射線を入射させて光導電層部材ＰＣＬを通過させるこ
とにより行うことができる。 第２６図を参照して既述した光−光変換素子Ｐ１）　Ｃ
テは、それの電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２ニ電ｇｖｂと切換ス
イッチＳＷとからなる回路を接続し、書込み動作時及び
読出し動作時には、切換スイッチＳＷの可動接点を固定
接点ＷＲ側に切換えた状態とし、また、消去動作時には
切換スイッチＳＷの可動接点を固定接点Ｅ側に切換えた
状態として動作させていたが、第２７図に示されている
光−光変換素子））　Ｐ　Ｃは、光変調材層部材ＰＭＬ
として交流動作を行うものを使用し、光−光変換素子Ｐ
ＰＣの電極Ｅｔ、１．Ｅｔ２間に交流電源ＶＰを接続し
て書込み動作と読出し動作が行われるようにしている場
合の例を示している。 第２７図に示すように光−光変換素子ＰＰＣの電極Ｅ　
ｔｌ、　Ｅ　ｔ２間に交流電源ＶＰを接続して書込み動
作と読出し動作とが行われるようにされた場合には、光
−光変換素子ＰＰＣの電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２間に接続さ
れている交流電源ＶＰによって光導電層部材ＰＣＬと光
変調材層部材ＰＭＬとに交流電界が印加されていること
により、光−光変換素子Ｐｐｃの光導電層部材ＰＣＬに
入射された電磁放射線の強度に応じて光導′ＩＲ層部材
ＰＣＬ中に生じた電子−正孔対における電子と正孔とが
、光導電層部材ＰＣＬ中を往復移動している状態となさ
れるで、光導電層部材ＰＣＬのインピーダンスが光−光
変換素子ＰＰＣにおける光導電層部材ＰＣＬに入射され
た電磁放射線の強度に応じて変化された状態になされる
。 それにより光−光変換素子ＰＰｃの光変調材層部材ＰＭ
Ｌの両端に印加される電界強度が光−光変換素子ｒｐｃ
の光導電層部材ＰＣＬに入射された電磁放射線の強度に
対応しているものになる。 したがって、光−光変換素子Ｐｃｃに入射された読出し
光ＲＬが光変調材層部材ＰＭＬを通過するときに光変調
材層部材ＰＭＬの両端に印加される電界強度に応じて変
調されて光−□光変換素子Ｐｐｃから出射される そして、前記のように光−光変換素子ＰＰｃの電極Ｅ　
ｔｌ、　Ｅ　ｔ２間に交流電源ＶＰを接続して書込み動
作と読出し動作とが行われるようになされている場合に
は別に消去動作を行う必要はない。 第２８図は第２６図及び第２７図を参照して説明したよ
うな構成を有する光−光変換素子Ｐ　Ｐ　Ｃを用いて構
成した撮像装置のブロック図であり。 この第２８図においてＯは被写体、Ｌは撮像レンズであ
り、また、ＰＰＣは第２７図に示されているように２つ
の電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に交流電源ＶＰを接続させで
ある光−光変換素子である。 第２８図において光−光変換素子ＰＰＣには被写体Ｏか
らの第１の所定の波長域の電磁放射線像が撮像レンズＬ
を介して供給される。 また、前記の光−光変換索子ＰＰＣには図示されていな
い領域の電磁放射Ｍ源から必要に応じて設けられている
偏光板や電磁放射線の偏向装置、コリメータレンズ、ビ
ームスプリッタなどを介して、所定の偏向態様で２次元
的に偏向されている第２の所定の波長域の電磁放射線Ｒ
Ｑが供給されうるようになされている。 それで、第２８図に示されている光−光変換装置ｐｐｃ
において、それの電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２に接続された交
流電源ＶＰから前記した電極Ｅｔ１．　Ｅｔ２間に電圧
を与えて、光導電層部材ＰＣＬの両端間に電界が加わる
ようにしておいて、光−光変換素子ＰＰＣにおける電極
Ｅｔｌ側から撮像レンズＬを介して、被写体０からの第
１の所定の波長域の電磁放射線を入射させると、前記の
第１の所定の波長域の電磁放射線は電極Ｅｔｌを透過し
て光導電層部材ＰＣＬに到達する。 光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値がそれに到達した第１
の所定の波長域の電磁放射線の強度分布と対応して変化
するために、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬ
との境界面には光導電層部材ＰＣＬに到達した第１の所
定の波長域の電磁放射線の強度分布と対応した強度分布
を有する電荷像が生じる。 次に、図示されていない電磁放射線源から放射された一
定強度の第２の所定の波長域の電磁放射線を、必要に応
じて設けられている偏光板と、電磁放射線の偏向装置と
、コリメータレンズ、ビームスプリッタなどを介して、
所定の偏向態様で２次元的に偏向されている第２の所定
の波長域の読出し川の電磁放射線ＲＱとして光−光変換
素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から入射させると、前
記のようにして光−光変換素子ＰＰＣの電極Ｅｔ２側か
ら入射された第２の所定の波長域の電磁放射線ＲＱは光
変調材層部材ＰＭＬを通過した後に誘電体ミラーＤＭＬ
で反射し、再び光変調材層部材ＰＭＬを通過して、光−
光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２から出射するが、
この第２の所定の波長域の電磁放射線ＲＱは光導電層部
材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に生成されて
いる前記の電荷像の電荷量分布と対応して状態が変化し
ているものになっている。 すなわち電極ＥｔＺ側に第２の所定の波長域の一定強度
の読出し用の電磁放射線ＲＱが投射された場合には、そ
の第２の所定の波長域の電磁放射線ＲＱは、電極Ｅｔ２
→光変調材層部材ＰＭＬ→！Ｉ！！電体ミラーＤＭＬ→
のように進行して行き１次いで前記した第２の所定の波
長域の電磁放射線ＲＱは誘電体ミラーＤＭＬで反射して
電極ＥｔＺ側に戻って電極Ｅｔ２側から出射する。 前記のようにして電極Ｅｔ２側から出射した第２の所定
の波長域の電磁放射線ＲＱは、光−光変換索子ＰＰＣに
おける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境
界面に生じていた電荷像による電界が印加されている光
変調材層部材ＰＭ！−によって電磁放射線の状態が変化
していて、前記の光変調材層部材ＰＭＬに加わる電界の
強度分布に応じた情報を含むものとなって電極Ｅｔ２側
から出射する。 光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から出射じ
た第２の所定の波長域の電磁放射線ＲΩを検光子に供給
すると、検光子を通過した第２の所定の波長域の電磁放
射線ＲＩ２は、光−光変換素子ＰＰＣにおける光導電層
部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に生成され
ている電荷像の電荷量分布と対応して強度が変化してい
る状態の電磁放射線となされるのである。 第２６図乃至第２８図を参照して説明したところから明
らかなように、光−光変換索子ＰＰＣでは電磁放射線情
報と対応した電荷像を形成し、また、前記のように形成
された電荷像を電磁放射線を用いて電磁放射線情報とし
て読出すことができるのであるが、前記した光−光変換
素子ＰＰＣで行われているような電磁放射線情報と対応
した電荷像を形成させる動作は、例えば第２９図及び第
３１図ならびに第３３図に示されているような記録系に
よって電磁放射線情報と対応した電荷像を・電荷像記録
媒体ＲＭに形成させることができるのであり、また、電
荷像記録媒体ＲＭに記録形成さ′れた電荷像を電磁放射
線を用いて電磁放射線情報として読出すことも、例えば
第３０＠及び第３２図ならびに第３４図に示されている
ような再生系によって実現することができる。 第２９図及び第３１図ならびに第３３図において、Ｏは
被写体、Ｌは撮像レンズ、ＲＭは電荷像記録媒体であり
、また、第２９図及び第３１図においてＷＨは記録ヘッ
ドであって、記録ヘッドＷＨは電極Ｅｔｗと光導電層部
材ＰＣＬとを積層して構成されている。 第３３図に示されている記録系においては、第２９図及
び第３１図中に示されている記録ヘッドＷＨを構成して
いる電極と光導電層部材とを電荷像記録媒体ＲＭの構成
中に含むような構成態様の電荷像記録媒体ＲＭを使用し
ている。 第２９図に示されている記録系において、電荷像記録媒
体ＲＭとしては電極Ｅｔと誘電体層部材ＩＬとが積層さ
れた構成形態のものが使用されており、記録ヘッドＷＨ
の電極Ｅｔｗと電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅｔとには電
源ｖｂが接続されている。 第２９図に示されている記録系において、被写体Ｏの光
学像が撮像レンズＬによって記録ヘッドＷＨの電極Ｅｔ
ｗを通して光導電層部材ＰＣＬに結像されると、記録ヘ
ッドＷＨにおける光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値は、
前記した被写体Ｏの光学像と対応しているものになり、
前記した記録ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬの面と微
小な間隔を隔てて対面している電荷像記録媒体ＲＭの誘
電体層部材（電荷保持層部材）ＩＬの面との間に気中放
電が生じる。 それにより、第２９図に示されている記録系のように記
録ヘッドＷＨの電極Ｅｔｗに電源ｖｂの正極が接続され
ている場合には、電荷像記録媒体ＲＭの誘電体層部材（
電荷保持層部材）ＩＬの面に正電荷による電荷潜像が形
成される。 また、第３１図に示されている記録系において。 電荷像記録媒体ＲＭとしては電極Ｅｔと光変調材層部材
ＰＭＬと誘電体ミラーＤＭＬと誘電体層部材ＩＬとが積
層された構成形態のものが使用されており、記録ヘッド
ＷＨの電極Ｅｔｗと電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅｔとに
は電源ｖｂが接続されている。 第３１図に示されている記録系において、被写体Ｏの光
学像が撮像レンズＬによって記録ヘッドＷＨの電極Ｅｔ
ｗを通して光導電層部材ＰＣＬに結像されると、記録ヘ
ッドＷＨにおける光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値は、
前記した被写体Ｏの光学像と対応しているものになり、
前記した記録ヘッドＷ）Ｉの光導電層部材ＰＣＬの面と
微小な間隔を隔てて対面している電荷像記録媒体ＲＭの
誘電体層部材（電荷保持層部材）ＩＬの面との間に気中
放電が生じる。 それにより、第３１図に示されている記録系のように記
録ヘッドＷＨの電極ＥｔＷに電源ｖｂの正極が接続され
ている場合には、電荷像記録媒体ＲＭの誘電体層部材（
電荷保持層部材）ＩＬの面に正電荷による電荷潜像が形
成される。 さらに、第３３図に示されている記録系において、電荷
像記録媒体ＲＭとしては電極Ｅｔと光導電層部材ＰＣＬ
と光変調材層部材ＰＭＬと誘電体層部材ＩＬとが積層さ
れた構成形態のものが使用されており、記録系の電極Ｅ
と電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅｔとには電源ｖｂが接続
されている。 なお、この第３３図に示されている電荷像記録媒体ＲＭ
はそれの全体が後述されている読出し用の電磁放射線を
良好に透過させつるものとして構成されている。 第３３図に示されている記録系において、被写体Ｏの光
学像が撮像レンズＬによって電荷像記録媒体ＲＭの電極
Ｅｔを通して光導電層部材ＰＣＬに結像されると、電荷
像記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗
値は、前記した被写体Ｏの光学像と対応しているものに
なり、前記した電荷像記録媒体ＲＭにおける誘電体層部
材（電荷保持層部材）ＩＬの面と微小な間隔を隔てて対
面している記録系の電極Ｅの面との間に気中放電が生じ
、それにより電荷像記録媒体ＲＭの誘電体層部材（電荷
保持層部材）ＩＬの面には正電荷による電荷潜像が形成
される。 第２９図に例示されている記録系で電荷像記録媒体ＲＭ
の誘電体層部材（電荷保持層部材）ＩＬの面に形成され
た電荷像は、第３０図に例示されているような構成の再
生系によって電磁放射線情報として読出すことができる
。 第３０図において電荷像記録媒体ＲＭにおける誘電体層
部材（電荷保持層部材）ＩＬの面に近接して配置される
読出し部材（読取り部材）は、誘電体ミラーＤＭＬと光
変調材層部材ＰＭＬと電極Ｅｔｒとによって構成されて
いる。 第３０図中における読出し部材には１図示されていない
電磁放射線源から放射された一定強度の所定の波長域の
電磁放射線ＲＱを電極Ｅｔｒ側から入射させる。前記し
た一定強度の所定の波長域の電磁放射線Ｒｊ１は、それ
が大面積を有するものであっても、あるいは細いビーム
状のものが所定の偏向履様で偏向されている状態のもの
でもよい。 前記した読出し部材における電極Ｅｔｒと電荷像記録媒
体ＲＭの電極Ｅｔとを同電位にして、読出し部材におけ
る電極Ｅｔｒ側から読出し用の電磁放射線Ｒｆｆｉを入
射させると、前記の読出し用の電磁放射線ＲＱは光変調
材層部材ＰＭＬを通過した後に誘電体ミラーＤＭＬで反
射し、再び光変調材層部材ＰＭＬを通過して、ｉｔ電極
ｔｒから出射するが、この読出し用の電磁放射線Ｒｆｉ
は電荷像記録媒体ＲＭの誘電体層部材ＩＬに形成されて
いる前記の電荷像の電荷量分布と対応して状態が変化し
ているものになっている。 すなわち電極Ｅｔｒ側に所定の波長域の一定強度の読出
し用の電磁放射線ＲＪＩが投射された場合には、その所
定の波長域の電磁放射線ＲＩ２は、電極Ｅｔｒ→光変調
材層部材ＰＭＬ→誘電体ミラーＤＭＬ→のように進行し
て行き１次いで前記した所定の波長域の電磁放射線ＲＱ
は誘電体ミラーＤＭＬで反射して電極Ｅｔｒ側に戻って
電極Ｅｔｒ側から出射する。 前記のようにして読出し部材における電極Ｅｔｒ側から
出射した所定の波長域の電磁放射ＭＲａは、電荷像記録
媒体ＲＭの誘電体層部材ＩＬに形成されている電荷像に
よる電界が印加されている光変調材層部材ＰＭＬによっ
て電磁放射線の状態が変化していて、前記の光変調材層
部材ＰＭＬに加わる電界の強度分布に応じた情報を含む
ものとなって電極Ｅｔｒ側から出射する。 それで、前記のようにして読出し部材における電ｔｆ！
Ｅｔｒ側から出射した所定の波長域の電磁放射線Ｒａを
検光子に供給すると、検光子を通過した所定の波長域の
読出し用の電磁放射線ＲＱは、電荷像記録媒体ＲＭの誘
電体層部材ＩＬに形成されている電荷像の電荷量分布と
対応して強度が変化している状態の電磁放射線となされ
るのである。 次に、第３１図に例示されている記録系で電荷像記録媒
体ＲＭの誘電体層部材（電荷保持層部材）ＩＬの面に形
成された電荷像は、第３２図に例示されているような構
成の再生系によって電磁放射線情報として読出すことが
できる。 第３２図中に示されている電荷像記録媒体ＲＭは、誘電
体層部材（電荷保持層部材）ＩＬに誘電体ミラーＤＭＬ
と光変調材層部材Ｐ　Ｍ　Ｌと電極Ｅｔとが積層されて
いるから、電極Ｅと電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅｔとを
同電位にして、第３２図中に示されている電荷像記録媒
体ＲＭにおける電極Ｅｔ側から図示されていない電磁放
射線源から放射された一定強度の所定の波長域のｔｔｔ
磁放射１ｌＡＲ円を読出し用の電磁放射＃Ｒ１として入
射させると、前記の読出し用の電磁放射線ＲＱは光変調
材層部材ＰＭＬを通過した後に誘電体ミラーＤＭＬで反
射し、再び光変調材層部材ＰＭＬを通過して、電極Ｅｔ
から出射するが、この読出し用の電磁放射線ＲＱは電荷
像記録媒体ＲＭの誘電体層部材工りに形成されている前
記の電荷像の電荷量分布と対応して状態が変化している
ものになっている。 すなわち電極Ｅｔ側に所定の波長域の一定強度の読出し
用の電磁放射線ＲＩ２が投射された場合には、その所定
の波長域の電磁放射線ＲＱは、電極Ｅｔ→光変調材層部
材ＰＭＬ→誘電体ミラーＤＭＬ→のように進行して行き
、次いで前記した所定の波長域の電磁放射線Ｒｆｆｉは
誘電体ミラーＤＭＬで反射して電極Ｅｔ側に戻って電極
Ｅｔ側から出射する。 前記のようにして電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅｔ
側から出射した所定の波長域の電磁放射線ＲＪは、電荷
像記録媒体ＲＭの誘電体層部材ＩＬに形成されている電
荷像による電界が印加されている光変調材層部材ＰＭＬ
によって電磁放射線の状態が変化していて、前記の光変
調材層部材ＰＭＬに加わる電界の強度分布に応じた情報
を含むものとなって電極Ｅｔ側から出射する。 それで、前記のようにして電荷像記録媒体ＲＭにおける
電極Ｅｔ側から出射した所定の波長域の電磁放射線ＲＱ
を検光子に供給すると、検光子を通過した所定の波長域
の読出し用の電磁放射線Ｒ塁は、電荷像記録媒体ＲＭの
誘電体層部材ＩＬに形成されている電荷像の電荷量分布
と対応して強度が変化している状態の電磁放射線となさ
れるのである。 次いで、第３３図に例示されている記録系で電荷像記録
媒体ＲＭの誘電体層部材（電荷保持層部材）ＩＬの面に
形成された電荷像は、第３４図に例示されているような
構成の再生系によって電磁放射線情報として読出すこと
ができる。 第３４図中に示されている電荷像記録媒体ＲＭは、誘電
体層部材（電荷保持層部材）ＩＬに光変調材層部材ＰＭ
Ｌと光導電層部材ＰＣＬと電極Ｅｔとが積層されていて
、かつ、電荷像記録媒体ＲＭの全体が読出し用の電磁放
射線を良好に透過させうるちのとして構成されているか
ら、第３４図中の電極Ｅと電荷像記録媒体ＲＭの電極Ｅ
　ｔとに同電位にして、電荷像記録媒体ＲＭにおける誘
電体層部材ＩＬの面から図示されていない電磁放射線源
から放射された一定強度の所定の波長域の電磁放射線Ｒ
Ωを読出し用の電磁放射線ＲＱとして入射させると、前
記の読出し用の電磁放射線ＲＱは誘電体層部材（電荷保
持層部材）ＩＬと光変調材層部材ＰＭＬと光導電層部材
ＰＣＬと電極Ｅｔとを順次に通過して電極Ｅｔから出射
するが、この読出し用の電磁放射線Ｒｆｆは電荷像記録
媒体ＲＭの誘電体層部材ＩＬに形成されている前記の電
荷像の電荷量分布と対応して状態が変化しているものに
なっている。 すなわち電荷像記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬ
の面に所定の波長域の一定強度の読出し用の電磁放射線
ＲＱが投射された場合には、その所定の波長域の電磁放
射線Ｒｎは、誘電体層部材（電荷保持層部材）ＩＬ→光
変調材層部材ＰＭＬ→光導電層部材ＰＣＬ→電極Ｅｔ→
のように進行して出射する。 前記のようにして電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅｔ
側から出射した所定の波長域の電磁放射線Ｒａは、電荷
像記録媒体ＲＭの誘電体層部材ＩＬに形成されている電
荷像による電界が印加されている光変調材層部材ＰＭＬ
によって電磁放射線の状態が変化していて、前記の光変
調材層部材ＰＭＬに加わる電界の強度分布に応じた情報
を含むも−のどなって電極Ｅｔ側から出射する。 それで、前記のようにして電荷像記録媒体ＲＭにおける
電極Ｅｔ側から出射した所定の波長域の電磁放射線ＲＱ
を検光子に供給すると、検光子を通過した所定の波長域
の読出し用の電磁放射１ｉＲ１は、電荷像記録媒体ＲＭ
の誘電体層部材ＩＬに形成されている電荷像の電荷量分
布と対応して強度が変化している状態の電磁放射線とな
されるのである。 さて、第２６図乃至第３４を参照して説明した光−光変
換素子ｒｐｃに形成された超高解像度の電荷像や電荷像
記録媒体ＲＭに形成された超高解像度の電荷像は、読出
し用の電磁放射線によって超高解像度の画像情報を含む
電磁放射線として読出されつるが、前記した超解像液の
画像情報を含む情報についても、例えばマトリックス処
理、非直線処理１輪郭処理、利得調整（増幅、減衰）な
どのような各種の画像処理を施すことが行って所定の画
像情報とすることが必要とされる。 ところが、読出された画像情報が超高解像度の画像情報
を含む電磁放射線の場合に、前記した画像処理を超広帯
域な電気信号に変換して行ったのでは画像処理部の構成
が複雑で大掛かりなものになってコスト高になる。 そこで１本発明においては読出された超高解像度の画像
情報を含む電磁放射線に対して電磁放射線の状態のまま
で画像処理を施すようにするのであり、第１図に本発明
の画像情報処理方法によって画像処理を行う画像処理部
を備えた画像処理系の一例構成のブロック図を示す。 第１図において１は読出し用の電磁放射線ＲＪＩの発生
Ｗ（例えば、レーザ光源）、２はレンズ、ＢＳｌはビー
ムスプリッタ、３は読取り部（読出し部）、４は画像処
理部であって１図中の画像処理部４では例えば第２図に
示されているようにマトリックス処理、非直線処理、輪
郭強調、利得調整（増幅、減衰）等の画像処理機能を備
えているものである。 第１図中に示されている読取り部（読出し部）３は、第
２６図乃至第３４図を参照して既述したように超高解像
度の画像情報を含む電磁放射線を読出しうるような構成
のものが使用されている。 読出し用の電磁放射線ＲＱの発生源（例えば。 レーザ光源）から放射された電磁放射線ＲΩは、レンズ
２によって平行光にされた後に、ビームスプリッタＢＳ
Ｉによって読取り部（読出し部）３に供給される。 読取り部（読出し部）３では前記した読出し用の電磁放
射線Ｒ１を用いて超高解像度の画像情報を含む電磁放射
線を出力する。前記の読取り部（読出し部）３から出力
された超高解像度の画像情報を含む電磁放射線は画像処
理部４に供給され、画像処理部４ではそれに供給された
電磁放射線に対してマトリックス処理、非直線処理２輪
郭強調。 利得調整（増幅、減衰）等の所定の画像処理が施された
後に出力される。 第３図は光−光変換素子ＰＰＣを含んで構成されている
利得調整装置の一例構成に示しているブロック図であっ
て、この第３図においてＰＰＣは第２６図及び第２７図
を参照して既述したような構成を有する光−光変換素子
であり、　Ｅｔｌ、　Ｅｔ２は電極、ＰＣＬは光導電層
部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、ＰＭＬは光変調材層部材
、ＶＰは交流電源である。 前記した光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅ１１側か
らは利得調整の対象にされている電磁放射線が入射され
、また、光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側か
らは読出し用の電磁放射線の発生源ＰＳで発生された読
出し用の電磁放射線がビームスプリッタＢＳを介して入
射される。 ところで、前記した読出し用の電磁放射線の発生ｉ１ｇ
ＰＳは、それから出力される読出し用の電磁放射線の強
度を自由に調節して、任意の所定の強度に設定された電
磁放射線が出力できるような構成のものとなされている
から、第３図示の利得調整装置では前記した読出し用の
電磁放射線の発生源ｐｓから出力される電磁放射線の強
度を増減調節することによって、光−光変換素子ＰＰＣ
に人力された電磁放射線の利得を調整して出力すること
ができるのである。 次に、第４図は光−光変換素子ｒｐｃを含んで構成され
ている画像極性の反転装置の一例構成を示しているブロ
ック図であって、この第４図においてＰＰＣは第２６図
及び第２７図を参照して既述したような構成を有する光
−光変換素子であり、Ｅｔｌ、　Ｅｔ２は電極、ＰＣＬ
は光導電層部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、ＰＭＬは光変
調材層部材、Ｖｐは交流電源である。 前記した光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔｌ側か
らは画像極性の反転の対象にされている画像情報を含む
電磁放射線が入射され、また、光−光変換素子ＰＰＣに
おける電極Ｅｔ２側からは読出し用の電磁放射線の発生
源ＰＳで発生された読出し用の電磁放射線が偏光子ＰＬ
とビームスプリンタＢＳとを介して入射される。 前記した読出し用の電磁放射線の発生源ｐｓは、それか
ら出力される読出し用の電磁放射線の強度を自由に調節
して、任意の所定の強度に設定された電磁放射線が出力
できるような構成のものとなされていてもよい。 読出し用の電磁放射線の発生源ＰＳで発生されて光−光
変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から入射された読
出し用の電磁放射線は、光−光変換素子ＰＰＣにおける
電極Ｅｔｌ側から入射された画像極性の反転の対象にさ
れている画像情報を含む電磁放射線により光−光変換素
子ｒｐｃに形成されている電荷像により変調された状態
で光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から出射
された読出し用の電磁放射線はビームスプリンタＢＳを
透過した後に波長板ｗｐに供給される。 第５図は光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔｌ側か
ら入射される画像極性の反転の対象にされている画像情
報を含む電磁放射線の強度Ｉ（縦軸）と、光−光変換素
子ＰＰＣにおける光変調材層部材に印加される電圧Ｅｂ
（横軸）との関係を示す特性曲線側図、すなわち、光−
光変換素子ＰＰＣの電気光学効果特性を例示した図であ
り、この図から明らかなように、波長板ＷＰの調節によ
って光−光変換素子ｒｐｃにおける光変調材層部材の動
作点を図中におけるａ点からｂ点に変化させると。 光−光変換素子ＰＰＣにおける入出力の極性が反転する
ために入出力の画像極性を反転させることができる。 次に、第６図と第８図とは光−光変換素子ＰＰＣを含ん
で構成されている非直線処理（例えばガンマ補正処理）
装置のそれぞれ異なる構成１Ｍ様のものの構成例を示し
ているブロック図であり、また、第７図は第６図に示し
た非直線処理装置の構成原理及び動作原理の説明に使用
される特性曲線側図、第９図は第８図に示した非直線処
理装置の構成原理及び動作原理の説明に使用される特性
曲線側図である。 第６図及び第８図のそれぞれに示されている非直線処理
（例えばガンマ補正処理）装置において、ＰＰＣは第２
６図及び第２７図を参照して既述したような構成を有す
る光−光変換素子であって、Ｅｔｌ、　Ｅｔ２は電極、
ＰＣＬは光導電層部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、ＰＭＬ
は光変調材層部材、■ｐは交流電源である。 まず、第６図に示されている非直線処理（例えばガンマ
補正処理）装置において、前記した光−光変換素子ＰＰ
Ｃにおける電極Ｅｔｌ側からは非直線処理の対象にされ
ている画像情報を含む電磁放射線が入射され、また、光
−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側からは読出し
用の電磁放射線の発生源ＰＳで発生された読出し用の電
磁放射線が偏光子ＰＬとビームスプリッタＢＳとを介し
て入射される。 読出し用の電磁放射線の発生源ＰＳで発生されて光−光
変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から入射された読
出し用の電磁放射線は、光−光変換素子ＰＰＣにおける
電極Ｅｔｌ側から入射された非直線処理の対象にされて
いる画像情報を含む電磁放射線により光−光変換素子Ｐ
ＰＣに形成されている電荷像により変調さ九た状態で光
−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から出射され
た読出し用の電磁放射線はビームスプリッタＢＳを透過
した後に波長板ＷＰに供給される。 第７図は光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔｌ側か
ら入射される非直線処理の対象にされている画像情報を
含む電磁放射線の強度Ｉ（縦軸）と、光−光変換素子Ｐ
ＰＣにおける光変調材層部材に印加される電圧Ｅｂ（横
軸）との関係を示す特性曲線側図、すなわち、光−光変
換素子ＰＰＣの電気光学効果特性を例示した図であり、
この図から明らかなように、第６図に示されている非直
線処理（例えばガンマ補正処理）装置において波長板Ｗ
Ｐの調節により光−光変換素子ＰＰＣにおける光変調材
層部材の動作点を図中におけるａ点からｂ点に変化させ
ると、光−光変換素子ＰＰＣのＥｂ−■特性における直
線部分での動作から、光−光変換素子ｒｐｃのＥｂ−Ｉ
特性における非直線部分での動作に変わるために入出力
特性は非直線的なものになされる。 次に、第８図に示されている非直線処理（例えばガンマ
補正処理）装置において、前記した光−光変換索子ＰＰ
Ｃにおける電極Ｅｔｌ側からは非直線処理の対象にされ
ている画像情報を含む電磁放射線が入射され、また、光
−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側からは読出し
用の電磁放射線の発生源ＰＳで発生された読出し用の電
磁放射線が入射される。 読出し用の電磁放射線の発生源ＰＳで発生されて光−光
変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から入射された読
出し用の電磁放射線は、光−光変換索子ＰＰＣにおける
電極Ｅｔｌ側から入射された非直線処理の対象にされて
いる画像情報を含む電磁放射線により光−光変換素子Ｐ
ＰＣに形成されている電荷像により変調された状態で光
−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から出射され
た読出し用の電磁放射線はビームスプリッタＢＳを透過
して出力される。 第９図は光−光変換素子ｒｐｃの構成要素として用いら
れている光導電層部材ＰＣＬの露光量とインピーダンス
との関係を示す特性曲線側部であり、この図から明らか
なように、第８図に示されている非直線処理（例えばガ
ンマ補正処理）装置における光−光変換素子ＰＰＣの電
極Ｅｔｌ側から入射させる非直線処理の対象にされてい
る画像情報を含む電磁放射線の強度を変化させて、動作
点を第９図図中のａ点からｂ点に変更すると、光−光変
換素子ＰＰＣの光導電層部材ＰＣＬにおける露光量対イ
ンピーダンス特性における直線部分での動作から非直線
部分での動作に変わるために入出力特性は非直線的なも
のになされる 次に、第１０図は光−光変換素子ｐｐｃを含んで構成さ
れている輪郭強調装置の一例構成を示しているブロック
図であって、この第１Ｏ図において１５．１６は第２６
図及び第２７図を参照して既述したような構成船有する
光−光変換素子ｐｐＣであり、また、ＶＰは交流電源で
ある。 第１０図中に図面符号１５．１６で示されている光−光
変換素子ＰＰＣも他の各回に示されている光−光変換素
子ｒｐｃと同様な構成態様、すなわち、電極Ｅｔｌ、　
Ｅｔ２．光導電層部材ＰＣＬ、誘電体ミラーＤＭＬ、光
変調材層部材ＰＭＬなどによって構成されているもので
あるが、第１０図中では前記した各構成部分の図面符号
の記載が省略されている。 第１０図において５〜１１はビームスプリッタ、１３．
１４は全反射鏡、ＰＳは光−光変換素子１５．１６から
の情報の読出しに用いられる読出し川の電磁放射線の発
生源、ＷＰは光−光変換素子１５の光学的なバイアス調
節用の波長板、ＰＬは偏光子、ＡＬＬ、ＡＬ２は検光子
、ＰＬＰＦは光学的なローパスフィルタである。 第１０図に例示されている光−光変換素子ＰＰＣを含ん
で構成されている輪郭強調装置の一例構成を示している
ブロック図において、光−光変換索子１５と、読出し用
の電磁放射線の発生１ｐｓと、偏光子ＰＬと、ビームス
プリッタ７．９と。 波長板ＷＰと、瀬光子ＡＬとからなる構成部分は第４図
を参照して説明した画像極性の反転装置と同じ機能を有
する構成部分である。 第１０図に示す輪郭強調装置において、入力の電磁放射
線（第１Ｏ図中に（ａ）で示してあり、第１１図の（ａ
）に動作説明用の波形を例示している）はビームスプリ
ッタ５に入射されている。 前記したビームスプリッタ５を透過した人力の電磁放射
線の内でビームスプリッタ６を透過したものは光−光変
換素子１５に入射し、また、市記のビームスプリッタ６
で反射したものは光−光変換素子１６に入射する。 また、前記したビームスプリッタ５によって反射した入
力の電磁放射線は全反射鏡１２によって反射した後にビ
ームスプリッタ１１＆透過して出力されている。 前記した光−光変換素子１５には読出し用の電磁放射線
の発生ｇＰＳで発生された読出し用の電磁放射線が、読
出し用の電磁放射線の発生源ＰＳ→ビームスプリッタ９
→偏光子ＰＬ→ビームスプリッタ７→光−光変換素子１
５の経路で供給されており、また、前記した光−光変換
素子１６には読出し用の電磁放射線の発生源ＰＳで発生
された読出し用の電磁放射線が、読出し用のＷ１ｍ放射
線の発生［ＰＳ→ビームスプリッタ８→光−光変換素子
１６の経路で供給されている。 前記した光−光変換素子１６から読出されてビームスプ
リッタ８，１３．検光子ＡＬ２を介してビームスプリッ
タ１０に供給される電磁放射線像は、光−光変換素子１
６に入力された電磁放射線像と同極性のもの（第１１図
の（ｂ）参照）であり、また、前記した光−光変換素子
１５から読出されてビームスプリッタ（７）波長板ＷＰ
、検光子ＡＬＵ。 光学的ローパスフィルタＰＬＰＦを介してビームスプリ
ッタ１０に供給される電磁放射線像は、光−光変換素子
１５に入力された電磁放射線像とは逆極性のもの（第１
１図の（ｃ）参照）である。 それで前記したビームスプリッタ１０から出射される電
磁放射線像は、前記した第１１図の（ｂ）に示されてい
る波形と第１１図の（ｃ）に示されている波形とが加算
された第１１図の（ｄ）に示されている波形のものにな
ってビームスプリッタ１１に供給される。 前記したビームスプリッタ１１には既述のように入力の
電磁放射線（第１１図の（ａ）参照）が、前記したビー
ムスプリッタ５と全反射鏡１２とによって反射した後に
ビームスプリッタ１１に供給されているから、ビームス
プリッタ１１から出方される電磁放射線像は、前記した
第１．１図の（ａ）に示されている波形と第１１図の（
ｄ）に示されている波形とが加算された第１１図の（ｅ
）に示されている波形のもの、すなわち入力の電磁放射
線（第１１図の（ａ）参照）に輪郭強調を施した状態の
電磁放射線像になされるのである。 なお、前記した輪郭強調の量は読出し用の電磁放射線の
発生＠ｐｓで発生された読出し用の電磁放射線量を調整
することにより調整できることはいうまでもない、また
、第２図中に示されているマトリックス回路を構成する
のには、加算と減算（極性反転して加算）と利得！１１
整とによって実現できるのである。 次に、第１２図乃至第２５図を参照して本発明の画像情
報の処理方法を適用して構成した画像情報の処理装置に
ついて、画像情報の処理装置が撮像装置の場合を例にと
って説明する。 まず、第１２図の撮像装置においてＯは被写体、Ｌは撮
像レンズであり、また、ｐｐｃは第２６図を参照して既
述したように２つの電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２（第２６図参
照）間に電源ｖｂと切換スイッチＳＷとからなる回路を
接続し、図示しない制御信号の入力端子に供給される切
換制御信号により、切換スイッチＳＷの可動接点が固定
接点ＷＲ側に切換えられた状態として、前記した電極Ｅ
ｔｌ、　ＥｔＺ間に電源ｖｂの電圧を与えて、光導電層
部材ＰＣＬの両端間に電界が加わるようにし、光−光変
換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔｌ側から被写体からの電
磁放射線を入射させると、光−光変換素子ＰＰＣは第２
６図を参照して説明したような動作を行って、それの光
導電層部材と誘電体ミラーとの境界面には光導電層部材
に到達した入射電磁放射線の強度分布と対応した強度分
布を有する電荷像を生じさせる。 次に前記のようにして入射電磁放射線の強度分布と対応
する電荷像が形成された光−光変換素子における電極Ｅ
ｔｌ、　ＥｔＺ間に接続されている切換スイッチＳＷの
可動接点が固定接点ＷＲ側に切換えられていて、電源ｖ
ｂの電圧が電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に印加されている状
態において、電極Ｅｔ２側より読出し用の電磁放射線源
２１からの一定強度の読出し用の電磁放射線を入射させ
ると、前記のように光−光変換素子ＩＪ　Ｐ　Ｃにおけ
光導電層部材と誘電体ミラーとの境界面に生じている電
荷像が読出される。 第１２図示の撮像装置において、読出し用の電磁放射線
ｍ２１からの一定強度の読出し用のｉｆ！磁放耐放射線
必要に応じて用いられる偏光子ＰＬを介してレンズ２０
に供給される。レンズ２ｏがら出射した読出し用の電磁
放射線ＲＬは光−光変換素子ＰＰＣにおける読出し領域
における全情報を同時的に読出しうるような断面積を有
するものであり、それはビームスプリッタ１９．１５を
介して光−光変換素子ＰＰＣに供給される。 したがって、光−光変換素子ＰＰＣでは第２６図を参照
して既述したように、読出し用の電磁放射線ＲＬが光変
調材層部材（例えばニオブ酸リチウム単結晶）を通過し
た後に誘電体ミラーで反射し、再び光変調材層部材を通
過して、光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２から
出射する。 前記のように電極Ｅｔ２から出射した電磁放射線ＲＬは
光導電層部材と誘電体ミラーとの境界面に生成されてい
る前記の電荷像の電荷量分布と対応して電磁放射線の状
態が変化しているものになっている。それで、電極Ｅｔ
２側から出射された電磁放射線ＲＬがビームスプリッタ
１５を透過した後に検光子ＡＬに供給されると、前記し
た検光子ＡＬから出射する電磁放射線は光−光変換素子
ＰＰＣにおける光導電層部材と誘電体ミラーとの境界面
に生成されている前記の電荷像の電荷量分布と対応して
電磁放射線の強度分布が変化しているものになる。 前記した検光子ＡＬから出射した電磁放射線はビームス
プリッタ１６によって反射して画像処理部１７に供給さ
れるとともに、前記したビームスプリッタ１６を透過し
た電磁放射線は投影レンズ１８によってスクリーン上に
投影される６画像処理部１７は例えば第２図に示されて
いるようにマトリックス処理、非直線処理、輪郭強調、
利得調整（増幅、減衰）等の画像処理機能を備えている
ものである。 この第１２図示の撮像装置では超高解像度の画像情報を
含む電磁放射線を電気信号に変換しない状態で画像処理
するようにしているために、超高解像度の画像情報を簡
単な構成の画像処理装置によって処理することができる
。 第１２図において２３は消去用の電磁放射線源であり、
光−光変換素子ＰＰＣの電荷像の消去時には、切換スイ
ッチＳＷの可動接点を固定接点Ｅ側に切換えてから消去
用の電磁放射線源２３がらの消去用の電磁放射線ＥＬを
レンズ→ビームスプリッタ１９→ビームスプリッタ１５
→の経路で光−光変換素子ＰＰＣに入射させる。 これまでに説明して来た第１２図示の撮像装置は、光−
光変換素子ＰＰＣに供給する一定強度の読出し用の電磁
放射線が、光−光変換素子ｐｐｃにおける読出し領域に
おける全情報を同時的に読出しうるような断面積を有す
るものであったが。 第１３図に例示されている撮像装置は光−光変換素子Ｐ
ＰＣに供給されている一定強度の読出し用の電磁放射線
を細いものとして、偏向装置！２５により縦横に偏向し
て光−光変換素子ＰＰＣにおける読出し領域の全体が走
査されるようにしているものである。 第１３図の撮像装置においてＯは被写体、Ｌは撮像レン
ズであり、また、ＰＰＣは第２６図を参照して既述した
ように２つの電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２（第２６図参照）間
に電源ｖｂと切換スイッチＳＷとからなる回路を接続し
、図示しない制御信号の入力端子に供給される切換制御
信号により、切換スイッチＳＷの可動接点が固定接点Ｗ
Ｒ側に切換えられた状態として、前記した電極Ｅｔｌ、
　Ｅｔ２間に電源ｖｂの電圧１与えて、光導電層部材Ｐ
ＣＬの両端間に電界が加わるようにし、光−光変換素子
、ＰＰＣにおける１１極Ｅｔｌ側から被写体からの電磁
放射線を入射させると、光−光変換素子ＰＰＣは第２６
図を参照して説明したような動作を行って、それの光導
電層部材と誘電体ミラーとの境界面には光導電層部材に
到達した入射電磁放射線の強度分布と対応した強度分布
を有する電荷像を生じさせることは第１２図示の撮像装
置の場合と同様である。 次に前記のようにして入射電磁放射線の強度分布と対応
する電荷像が形成された光−光変換素子ニオケる電極Ｅ
ｔｌ、　ＥｔＺ間に接続されている切換スイッチＳＷの
可動接点が固定接点ＷＲ側に切換えられていて、電源ｖ
ｂの電圧が電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に印加されている状
態において、読出し川の電磁放射線源２１からの一定強
度の読出し用の電磁放射線は、必要に応じて用いられる
偏光子ＰＬを介して偏向装置２５に供給される。 前記の偏向装置２５はそれに供給された電磁放射線を所
定の偏向態様で偏向されている状態にしてからレンズ２
０に供給するレンズ２０から出射した読出し用の電磁放
射線ＲＬはビームスプリッタ１９．１５を介して光−光
変換素子ＰＰＣに供給されて光−光変換素子ＰＰＣにお
ける読出し領域の全体を縦横に走査する。 したがって、光−光変換素子１）　Ｉ）　Ｃでは第２６
図を参照して既述したように、読出し用のｔｙｔ磁放射
線ＲＬが光変調材層部材（例えばニオブ酸リチウム単結
晶）を通過した後に誘電体ミラーで反射し、再び光変調
材層部材を通過して、光−光変換素子ＰＰＣにおける電
１４Ｅｔ２から出射するが、この電極Ｅｔ２から出射し
た電磁放射線ＲＬは光導電層部材と誘電体ミラーとの境
界面に生成されている前記の電荷像の電荷量分布と対応
して電磁放射線の状態が変化しているものになっている
。 それで、電極Ｅｔ２側から出射された電磁放射線Ｉ＜Ｌ
がビームスプリッタ１５を透過した後ｌこ検光子ＡＬに
供給されると、前記した検光子ＡＬから出射する電磁放
射線は光−光変換素子ＰＰＣにおける光導電層部材と誘
電体ミラーとの境界面に生成されている前記の電荷像の
電荷量分布と対応して電磁放射線の強度分布が変化して
いるものになる。 前記した検光子ＡＬから出射した電磁放射線はレンズ１
８によって画像処理部１７に与えられるが、この画像処
理部１７は例えば第２図に示されているようにマトリッ
クス処理、非直線処理、輪郭強調、利得調整（増幅、減
衰）等の画像処理機能を備えているものである。 この第１３図示の撮像装置でも既述した第１２図示の撮
像装置の場合と同様に超高解像度の画像情報を含む電磁
放射線を電気信号に変換しない状態で画像処理するよう
にしているために、超高解像度の画像情報を簡単な構成
の画像処理装置によって処理することができる。 第１２図及び第１３図を参照して説明した撮像装置では
、既述した第２６図に示されている光−光変換素子ＰＰ
Ｃのように、光−光変換素子における２つの電極Ｅｔｌ
、　Ｅｔ２（第２６図参照）間に電源ｖｂと切換スイッ
チＳＷとからなる回路を接続したものを使用しているが
、第１４図及び第１５図に示されている撮像装置では、
既述した第２７図に示されている光−光変換素子ＰＰＣ
のように。 光−光変換素子における２つの電極Ｅｔａ、ＥｔＺ間に
２７図に示されているように交流電源Ｖｐを接続したも
のを使用しているものであり、この第１４図及び第１５
図に示されている撮像装置においても超高解像度の画像
情報を含む電磁放射線を電気信号に変換しない状態で画
像処理するようにしているために、超高解像度の画像情
報を簡単な構成の画像処理装置によって処理することが
できるのである。 次に、第１６図乃至第２５図にそれぞれ例示しである撮
像装置は、各図中に撮像部として示されている構成部分
から出力されている電磁放射線を電磁放射線の状態で画
像処理が行われるようになされている。 第１６図乃至第２５図中に撮像部として示されているも
のは、超高解像度の画像情報を含んでいる電磁放射線を
出力しつる構成のもの、例えば第第１２図乃至第１５図
、２６図、第２７図、第３０図、第３２図、第３４図に
示されているようなものでもよい。 第１６図乃至第１８図及び第２４図ならびに第２５図は
撮像部から時系列情報形態の電磁放射線を出力して処理
光学系（画像処理部）に供給するような構成の撮像装置
であり、また、第１９図乃至第２３図は撮像部から面情
報形態の電磁放射線を出力して処理光学系（画像処理部
）に供給するような構成の撮像装置である。 また、前記した第１６図と第１７図及びＰＰ５１９図な
らびに第２３図に示されている撮像装置では。 処理光学系（画像処理部）から時系列情報形態の電磁放
射線が出力されるようになされており、第１８図と第２
０図乃至第２２図及び第２４図ならびに第２５図に示さ
れている撮像装置では、処理光学系（画像処理部）から
面情報形態の電磁放射線が出力されるようになされてい
る。 さらに、第１６図と第１９図に示されている撮像装置で
は、処理光学系（画像処理部）から出力された時系列情
報形態の電磁放射線を光電変換器により光電変換して電
気信号で出力機塁に供給するようにしており、第１７図
と第１８図及び第２０図に示されている撮像装置では、
処理光学系（画像処理部）からの電磁放射線が、そのま
ま出力機器に供給されるようになされており、さらにま
た、第２１図と第２４図に示されている撮像装置では。 処理光学系（画像処理部）から出力された面情帽形態の
電磁放射線を２次元センサにより光電変換した電気信号
として出力機器に供給するようにしており、また、第２
２図と第２５図に示されている撮像装置では、処理光学
系（画像処理部）から出力された面情報形態の電磁放射
線を副走査方向に移動されるラインセンサによって光電
変換した電気信号として出力機器に供給するようにして
いる。 （発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように本発明
の画像情報の処理方法及び装置は光−光変換素子に電荷
像として書込まれた情報をｉ′Ｉ！磁放射線情帽として
読出すのに使用される電磁放射線の強度を変化させて電
磁放射線による画像情報の利得調整を行い、また、光−
光変換素子の構成要素として用いられている光変調材層
部材の電気光学的な特性における動作点の設定の仕方を
変化させることにより、光−光変換素子から読出される
ｔｔｔ磁放耐放射線る画像情報を反転させたり、光−光
変換素子から読出される電磁放射線による画像情報に非
直線処理を施したりするなどの画像処理を電磁放射線の
状態で行うようにするなど、光−光変換素子を用いて画
像情報の処理を行うようにしている画像情報の処理方法
及び画像情報の処理装置であるから１本発明によれば超
高解像度の画像情報の処理を簡単な構成の装置によって
良好に行うことが容易となる。 すなわち、従来は高い精細度を有する画像情報の記録再
生が可能な装置から記録再生される超高解像度を有する
画像情報を時系列的な電気信号に変換した状態で画像処
理を行っていたから、画像処理が極めて広い周波数帯域
を占有する電気信号によって行われるのであり、例えば
１枚の画像が４０００画素Ｘ４０００画素であるような
画像情報として記録再生した場合には、その画像情報を
時系列信号に変換したとすると、この場合における時系
列信号で必要とされる周波数帯域幅は約１Ｇｌｌｚにも
なるために、読出された画像情報が超高解像度の画像情
報を含む電磁放射線の場合に、前記した画像処理を超広
帯域な電気信号に変換して行ったのでは画像処理部の構
成が？Ｉ［雑で大掛かりなものになってコスト高になり
、そのような超広帯域の信号の画像情報の処理を行うこ
とは容易ではなかったが１本発明方法及び装置によれば
高解像度を有する画像情報の処理を容易に行うことがで
きるのである。 （４）

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の画像情報処理方法によって画像処理を
行う画像処理部を備えた画像情報処理系の一例構成のブ
ロッ図、第２図は画像処理部で行われる種々の画像処理
機能をそれ（れ個別のブロックによって示した画像処理
部のブロック図、第３図、第４図、第６図及び第８図な
らびに第１０図はそれぞれ異なる画像処理を行いうるよ
うに構成された構成部分のブロック図、第５図、第７図
及び第９図ならびに第１１図は動作説明用の特性側部ま
たは波形側部、第１２図乃至第２５図は本発明の画像情
報処理方法を適用して構成した撮像装置の構成例を示す
ブロック図、第２６図及び第２７図は光−光変換素子の
構成例を示す側断面図。 第２８図は光−光変換素子の動作を説明するために示し
た光−光変換素子を用いて構成した撮像装置の側面図、
第２９図及び第３１図ならびに第３３図は電磁放射線像
を記録媒体に電荷像として記録するようにした記録系の
構成例の側面図、第３０図及び第３２図ならびに第３４
図は電荷像を電磁放射線を用いて線取るようにした再生
系（読出し系）の構成例を示す側面図である。 ＷＬ・・・光−光変換素子ＰＰＣに電磁放射線像を電荷
像として書込む電磁放射線、Ｉ＜Ｌ、ＲＱ・・・光−光
変換素子ＰＰＣに形成された電荷像を読出すのに使用さ
れる電磁放射線、ＳＷ・・・切換スイッチ、ＰＰＣ，１
５，１６・・・光−光変換素子、ＰＣＩ、・・・光導電
層部材、ＤＭＬ・・・誘電体ミラー、ＰＭ［、、・・光
変調材層部材、Ｅｔｌ、　Ｅｔ２・・・電極、ｖｂ・・
・電源。 ｖｐ・・・交流電源、Ｏ・・・被写体、Ｌ・・・撮像レ
ンズ。 ＲＭ・・・電荷像記録媒体、ＷＨ・・・記録ヘッド、Ｉ
’Ｉ−・・・誘電体層部材（電荷保持層部材）、Ｅ、Ｅ
ｔ、Ｅｔ　ｗ、　Ｅｔｒ、　Ｅｔｌ、　Ｅｔ２−電極、
ＢＳ、ＢＳＩ−＝ビームスプリッタ、ＰＳ・・・読出し
用の電磁放射線の発生源、ＰＬ・・・偏光子、ＷＰ・・
・波長板、ＡＬ。 ＡＬＩ、ＡＬ２・・・検光子、ＰＬＰＦ・・・光学的な
ローパスフィルタ、１・・・読出し用の電磁放射線ＲＱ
の発生源（例えば、レーザ光源）、２・・・レンズ、３
・・・読取り部（読出し部）、４・・・画像処理部、５
〜１１・・・ビームスプリッタ、１３．１４・・・全反
射鏡。 特許出願人　　日本ビクター株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光−光変換素子を用いて画像情報の処理を行うよ
   うにした画像情報の処理方法 （２）少なくとも光導電層部材を含んで構成された光−
   光変換素子から読出された電磁放射線情報を光−光変換
   素子を用いて画像情報の処理を行うようにした光−光変
   換素子を用いた画像情報の処理方法 （３）少なくとも光変調材層部材を含んで構成された読
   取り素子を用いて電荷潜像と対応して読出された電磁放
   射線情報を光−光変換素子を用いて画像情報の処理を行
   うようにした光−光変換素子を用いた画像情報の処理方
   法 （４）少なくとも光変調材層部材を含んで構成された電
   荷像記録媒体自体を読取り素子に用いて電荷像記録媒体
   における電荷潜像と対応した電磁放射線情報を読出す請
   求項３に記載の光−光変換素子を用いた画像情報の処理
   方法 （５）光−光変換素子を用いて電磁波画像情報の非直線
   処理を行う画像情報処理方法 （６）光−光変換素子を用いて電磁波画像情報の利得調
   整を行う画像情報処理方法 （７）光−光変換素子を用いて電磁波画像情報の加減算
   処理を行う画像情報処理方法 （８）光−光変換素子を用いて電磁波画像情報の加減算
   処理を行う画像情報処理方法 （９）光−光変換素子を用いて電磁波画像情報の極性反
   転処理を行う画像情報処理方法 （１０）光−光変換素子を用いて電磁波画像情報の輪郭
   強調処理を行う画像情報処理方法（１１）光−光変換素
   子を用いた電磁波画像情報処理を並列的に行うようにし
   た光−光変換素子を用いた画像情報の処理方法 （１２）光−光変換素子を用いた電磁波画像情報処理を
   時系列的に行うようにした光−光変換素子を用いた画像
   情報の処理方法 （１３）２つの電極間に少なくとも光導電層部材と光変
   調層部材とを含んで構成された光−光変換素子から読出
   された電磁放射線情報を光−光変換素子を用いて画像情
   報を処理して出力する撮像装置。 （１４）２つの電極間に少なくとも光導電層部材と光変
   調層部材とを含んで構成された光−光変換素子から読出
   された電磁放射線情報を光−光変換素子を用いて画像情
   報を処理した後に電気信号に変換して出力する撮像装置
   。 （１５）画像情報の処理を並列的に行う請求項１２また
   は請求項１３の何れかに記載の撮像装置。 （１６）画像情報の処理を時系列的に行う請求項１２ま
   たは請求項１３の何れかに記載の撮像装置。 （１７）光−光変換素子における２つの電極間に交流電
   圧を供給する請求項１２乃至１５の何れかに記載の撮像
   装置。