JPS634220A - 光学的情報記録担体 - Google Patents
光学的情報記録担体Info
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- JPS634220A JPS634220A JP61145984A JP14598486A JPS634220A JP S634220 A JPS634220 A JP S634220A JP 61145984 A JP61145984 A JP 61145984A JP 14598486 A JP14598486 A JP 14598486A JP S634220 A JPS634220 A JP S634220A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 37
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光学的情報記録担体に関し、特に携帯性に優れ
ているカード状情報記録担体である光カード・メモリー
に関する。
ているカード状情報記録担体である光カード・メモリー
に関する。
［従来の技術］
近年、携帯性に優れ、かつ大きさに比べ大容量であるカ
ード状情報記録担体が注目され始めてきている。
ード状情報記録担体が注目され始めてきている。
従来、カード状情報記録担体としては、第６図および第
７図に示すものか多く使われている。
７図に示すものか多く使われている。
第６図に示すものはカート状基板ｌの裏面から、目的と
する文字に相当する金属性の物体である活字を強く押す
ことによって、文字３をカード状基板ｌより浮き出させ
るものである。
する文字に相当する金属性の物体である活字を強く押す
ことによって、文字３をカード状基板ｌより浮き出させ
るものである。
この従来のカード状メモリーにおいては、記録情報を目
で確認できる利点を有するが、記録情報は数十文字と非
常に少ないのが欠点であると共に機械的に情報を読み取
る手段に難点も合せ持っていた。
で確認できる利点を有するが、記録情報は数十文字と非
常に少ないのが欠点であると共に機械的に情報を読み取
る手段に難点も合せ持っていた。
次に、第７図は、カード状基板１に磁気テープ２を貼り
付けた磁気カードメモリーである。しかし、この磁気カ
ードメモリーは磁気テープ２には情報を磁気ストライプ
として記録するが、記録情報は １００バイト程度であ
り十分てはない。
付けた磁気カードメモリーである。しかし、この磁気カ
ードメモリーは磁気テープ２には情報を磁気ストライプ
として記録するが、記録情報は １００バイト程度であ
り十分てはない。
近年、この磁気カードメモリーに代わる情報記録担体と
して、光学的に情報の記録あるいは再生を行う光ファイ
ル、コンパクトディスク等の情報記録担体が大容量メモ
リーとして注目され、これらの技術を応用した光力−ト
メモリ−の提案もされ始めている。
して、光学的に情報の記録あるいは再生を行う光ファイ
ル、コンパクトディスク等の情報記録担体が大容量メモ
リーとして注目され、これらの技術を応用した光力−ト
メモリ−の提案もされ始めている。
第８図および第９図はレーザー光による情報の記録、あ
るいは再生を行う従来の情報記録担体の説明図である。
るいは再生を行う従来の情報記録担体の説明図である。
第８図において、半導体レーザー４より出た照明光線５
は照明光学系１１によって光カードに照射される。該光
カートは保！Ｉ層８、記録層９、基板ＩＯより構成され
る。記録層９は、半導体レーザー４の光線によって温度
上昇にともない機械的形状か変化する材料（例えば、フ
タロシアニン、低融点金属、カルコゲン、有機染料等が
ある。）によって構成される。照射光線５は記録層９に
よって反射され、反射光６となり結像光学系１２により
光センサ−７に葉先される。記録層９の表面は未記録状
態ては反射率か高く、記録は半導体レーザー４の出力パ
ワーを大きくすることにより、第８図に示すように形状
変化を生じさせる。この記録動作により、照明光線５は
記録層９によって散乱され、光センサ−７上の光量が減
少することによって情報の記録・再生を行うものである
。
は照明光学系１１によって光カードに照射される。該光
カートは保！Ｉ層８、記録層９、基板ＩＯより構成され
る。記録層９は、半導体レーザー４の光線によって温度
上昇にともない機械的形状か変化する材料（例えば、フ
タロシアニン、低融点金属、カルコゲン、有機染料等が
ある。）によって構成される。照射光線５は記録層９に
よって反射され、反射光６となり結像光学系１２により
光センサ−７に葉先される。記録層９の表面は未記録状
態ては反射率か高く、記録は半導体レーザー４の出力パ
ワーを大きくすることにより、第８図に示すように形状
変化を生じさせる。この記録動作により、照明光線５は
記録層９によって散乱され、光センサ−７上の光量が減
少することによって情報の記録・再生を行うものである
。
また、第９図は記録層１３が記録によって形状変化を起
こす材質てはなく、記録によって材質の光学的特性（反
射率あるいは透過率）のみが変化する材質（例えば、光
磁気材料や相転位材料）によって構成されている情報記
録担体の説明図である。
こす材質てはなく、記録によって材質の光学的特性（反
射率あるいは透過率）のみが変化する材質（例えば、光
磁気材料や相転位材料）によって構成されている情報記
録担体の説明図である。
この場合においても、記録によって記録層１３の反射率
あるいは透過率が変化するため情報の再生は光センサ−
７上の光量変化によって行うことができる。
あるいは透過率が変化するため情報の再生は光センサ−
７上の光量変化によって行うことができる。
しかしながら、第８図による従来例においては、記録層
の構造変化による記録のため、消去かできない欠点を有
している。
の構造変化による記録のため、消去かできない欠点を有
している。
また、第９図においても、材料の安定性等、特に熱的経
時変化に多くの問題点を有している。
時変化に多くの問題点を有している。
さらに、以上に述べた従来例による光力−トメモリ−担
体において、第６図の従来例を除き記録情報の内容を再
生装置を用いる以外に知るためには、ラベルを貼る必要
かあり、何度も情報を書き換えて使用する場合において
はラベルの書き換えも繁雑となる欠点も合せ持っている
。
体において、第６図の従来例を除き記録情報の内容を再
生装置を用いる以外に知るためには、ラベルを貼る必要
かあり、何度も情報を書き換えて使用する場合において
はラベルの書き換えも繁雑となる欠点も合せ持っている
。
［発明か解決しようとする問題点］
本発明の目的は、この様な従来例のカード状メモリーの
問題点を解決し、光学的に情報の記録・再生を行い、大
容量で、多機能な光学的情報記録担体を提供するもので
ある。
問題点を解決し、光学的に情報の記録・再生を行い、大
容量で、多機能な光学的情報記録担体を提供するもので
ある。
［問題点を解決するための手段］および［作用］即ち、
本発明は光学的手段によって情報の記録・再生を行う光
学的情報記録担体において、強誘電性液晶層と、前記強
誘電性液晶層に隣接する一方に偏光板および光を反射す
る下部高反射率電極を、他方に透明な光導電層を有し、
さらに前記光導電層の上に上部透明電極および偏光板を
順次積層してなることを特徴とする光学的情報記録担体
である。
本発明は光学的手段によって情報の記録・再生を行う光
学的情報記録担体において、強誘電性液晶層と、前記強
誘電性液晶層に隣接する一方に偏光板および光を反射す
る下部高反射率電極を、他方に透明な光導電層を有し、
さらに前記光導電層の上に上部透明電極および偏光板を
順次積層してなることを特徴とする光学的情報記録担体
である。
以下、本発明を図面に基いて説明する。
第１図は本発明の光学的情報記録担体の一例を示す説明
図である。同第１図において、８は保護層、１４．１４
’は偏光板、１５は上部透明電極、１６は光導電層、１
７は強誘電性液晶層（例えば、Ｓａｃ”。
図である。同第１図において、８は保護層、１４．１４
’は偏光板、１５は上部透明電極、１６は光導電層、１
７は強誘電性液晶層（例えば、Ｓａｃ”。
ＳｍＦ”、 ＳｍＨ”） 、 １８は下部高反射率電極
、１０は基板である。
、１０は基板である。
強誘電性液晶は第４図に示す様に、液晶分子に対し直交
する電界Ｅの方向によって、第４図（ａ）または第４図
（Ｃ）のような配向状態になり、その後電界Ｅを取り去
ってもその配向状態は維持される。つまりメモリー機能
を有する材料である。このような強誘電性液晶分子に対
し、光の進行方向に強誘電性液晶をはさみ込むように偏
光板を配置することによって、第４図（ａ）の分子配向
状態と、第４図（ｂ）の分子配向状態で光の透過率の差
を生ずる。この様に液晶分子の配向による透過光量の差
により情報の記録あるいは未記録に対応させるメモリー
担体として利用することができる。
する電界Ｅの方向によって、第４図（ａ）または第４図
（Ｃ）のような配向状態になり、その後電界Ｅを取り去
ってもその配向状態は維持される。つまりメモリー機能
を有する材料である。このような強誘電性液晶分子に対
し、光の進行方向に強誘電性液晶をはさみ込むように偏
光板を配置することによって、第４図（ａ）の分子配向
状態と、第４図（ｂ）の分子配向状態で光の透過率の差
を生ずる。この様に液晶分子の配向による透過光量の差
により情報の記録あるいは未記録に対応させるメモリー
担体として利用することができる。
また、強誘電性液晶に対し、−方に反射層を用い、他方
に偏光板を配置した反射型の場合も同様な効果を有する
。第１図は反射型の場合である。
に偏光板を配置した反射型の場合も同様な効果を有する
。第１図は反射型の場合である。
次にそのメモリー動作について説明する。
第２図および第３図に本発明による光カードの初期化（
消去）について示す。１９は消去電圧源である。第２図
において、消去電圧源１９は下部高反射率電極１８に正
電極、上部透明電極１５に負電極になる様に接続されて
いる。しかし、光導電層１６には光が照射されていない
ので絶縁体となっているため、強誘電性液晶層１７には
上部透明電極１５、下部高反射率電極１８による電界が
印加されるか、電極間の距離か光導電層１６が入り離れ
ているため、液晶分子の配向が変わるほど強くない。こ
の状態において、第３図のごとく、半導体レーザー４に
より記録に必要な大きさのレーザー光線をカート記録面
全面に照射するか、あるいはランプ等によって一度に全
面を照射することによって、光か当った光導電層１６は
導通状態となるため、強誘電性液晶層１７には光導電層
１６と下部高反射率電極１８の間で電界か印加される。
消去）について示す。１９は消去電圧源である。第２図
において、消去電圧源１９は下部高反射率電極１８に正
電極、上部透明電極１５に負電極になる様に接続されて
いる。しかし、光導電層１６には光が照射されていない
ので絶縁体となっているため、強誘電性液晶層１７には
上部透明電極１５、下部高反射率電極１８による電界が
印加されるか、電極間の距離か光導電層１６が入り離れ
ているため、液晶分子の配向が変わるほど強くない。こ
の状態において、第３図のごとく、半導体レーザー４に
より記録に必要な大きさのレーザー光線をカート記録面
全面に照射するか、あるいはランプ等によって一度に全
面を照射することによって、光か当った光導電層１６は
導通状態となるため、強誘電性液晶層１７には光導電層
１６と下部高反射率電極１８の間で電界か印加される。
この状態における電界は第２図の光を照射しない場合に
比べて強く、強誘電性液晶層１７の分子配向をすべて第
４図（ａ）の状態に変える。
比べて強く、強誘電性液晶層１７の分子配向をすべて第
４図（ａ）の状態に変える。
偏光板１４は反射光量か少なくなるように配置する。し
たがってカード全面の消去かできることになる。その後
、消去電圧源１９を取り去っても液晶分子の配向は乱れ
ることはない。
たがってカード全面の消去かできることになる。その後
、消去電圧源１９を取り去っても液晶分子の配向は乱れ
ることはない。
次に情報の記録方法について第５図に示す。記録の場合
には、印加する記Ｂ電圧源２０の向きは、消去の場合と
は逆に上部透明電極１５には正電極、下部高反射率電極
１８には負電極を接続する。そこて情報を記録する場所
に半導体レーザー４により記録に必要な大きさのレーザ
ー光線を照射すると、その領域の光導電層１６は導通し
、消去状態とは逆の電界が強誘電性液晶に印加され、液
晶分子の配向は第４図（ｂ）の状態に変化する。この分
子配向状態は同様に半導体レーザー光を止めても維持さ
れ、情報の記録か可能となる。分子配向か第４図（ｂ）
の状態、つまり記録された領域ては、偏光板１４によっ
て直線偏光となった光の偏波面が回転するため、下部高
反射率電極１８によって反射した光は再び偏光板１４を
通り光センサ−７に戻る。
には、印加する記Ｂ電圧源２０の向きは、消去の場合と
は逆に上部透明電極１５には正電極、下部高反射率電極
１８には負電極を接続する。そこて情報を記録する場所
に半導体レーザー４により記録に必要な大きさのレーザ
ー光線を照射すると、その領域の光導電層１６は導通し
、消去状態とは逆の電界が強誘電性液晶に印加され、液
晶分子の配向は第４図（ｂ）の状態に変化する。この分
子配向状態は同様に半導体レーザー光を止めても維持さ
れ、情報の記録か可能となる。分子配向か第４図（ｂ）
の状態、つまり記録された領域ては、偏光板１４によっ
て直線偏光となった光の偏波面が回転するため、下部高
反射率電極１８によって反射した光は再び偏光板１４を
通り光センサ−７に戻る。
該光センサ−７に戻る光量は、消去状態の光量よりも多
くなり情報を読み取ることかできる。
くなり情報を読み取ることかできる。
記録情報の再生時には記録電圧源２０は必要ない。
尚、第２図、第３図および第５図において、偏光板１４
’の表示は省略しである。
’の表示は省略しである。
［実施例］
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
たて５４ｍｍ、よこ８５ｍｍ、厚さ０．４１のガラス基
板とに、厚さ約０．５４ｍのアルミニウム蒸着膜からな
る下部高反射率電極、厚さ約１００涛■の偏光板、厚さ
約１ｇｍのＳ■Ｃからなる強誘電性液晶層、厚さ約Ｌ１
の ＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）からなる
光導電層、厚さ約１．■のＩＴＯからなる上部透明電極
、厚さ約１００１の偏光板を順次積層し、さらに最外層
に厚さ０．４１の保護層を設け、第１図に示す構成の光
学的情報記録担体を作製した。
板とに、厚さ約０．５４ｍのアルミニウム蒸着膜からな
る下部高反射率電極、厚さ約１００涛■の偏光板、厚さ
約１ｇｍのＳ■Ｃからなる強誘電性液晶層、厚さ約Ｌ１
の ＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）からなる
光導電層、厚さ約１．■のＩＴＯからなる上部透明電極
、厚さ約１００１の偏光板を順次積層し、さらに最外層
に厚さ０．４１の保護層を設け、第１図に示す構成の光
学的情報記録担体を作製した。
該光学的情報記録担体の上部透明電極と下部高反射率電
極間に記録電圧源から５ｖの電圧を印加し、ビーム径５
鉢■、ｌＯｍＷの半導体レーザー光を照射して情報の記
録を行った。
極間に記録電圧源から５ｖの電圧を印加し、ビーム径５
鉢■、ｌＯｍＷの半導体レーザー光を照射して情報の記
録を行った。
記録後、ビーム径５終１．１ｍＷの半導体レーザー光で
再生を行ったところ、良好な結果が得られた。
再生を行ったところ、良好な結果が得られた。
次に、前記光学的情報記録担体に消去電圧源から２５Ｖ
の電圧を印加したところ、前記の記録された情報は完全
に消去された。
の電圧を印加したところ、前記の記録された情報は完全
に消去された。
［発明の効果］
以上、説明したように本発明の光学的情報記録担体は情
報の消去、記録を何度でも行うことかでき、また、半導
体レーザー光は数ミクロンメートル程度に集光させるこ
とが回旋なため、非常に記録密度を上げることかでき、
カード−枚で数メガバイトの情報を記録することができ
る等の優れた効果がある。
報の消去、記録を何度でも行うことかでき、また、半導
体レーザー光は数ミクロンメートル程度に集光させるこ
とが回旋なため、非常に記録密度を上げることかでき、
カード−枚で数メガバイトの情報を記録することができ
る等の優れた効果がある。
第１図は本発明の光学的情報記録担体の一例を示す説明
図、第２図および第３図は消去電圧を印加した状態を示
す説明図、第４図は強誘電性液晶の記録、消去状態の液
晶分子の配向を示す説明図、第５図は本発明の光学的情
報記録担体の記録方法を示す説明図、第６図は従来の文
字押し出し型カードメモリーを示す説明図、第７図は磁
気カードメモリーを示す説明図、第８図は記録層の構造
変化によって情報の記録を行う方式の光カードメモリー
を示す説明図、第９図は相転位によって記録層の反射率
変化によって情報の記録を行う方式の光カードメモリー
を示す説明図である。 ｌ・・・カード状基板 ２・・・磁気テープ３・
・・文字 ４・・・半導体レーザー５・
・・照明光線 ６・・・反射光７・・・光セ
ンサ−８・・・保護層 ９．１］−・・記録層 １０−・・基板１１−
・・照明光学系 １２−・・結像光学系１４．
１４’−・・偏光板 １５−・・上部透明電極
１６・・・光導電層 １７−・・強誘電性液
晶層１８・・・下部高反射率電極 １９−・・消去電
圧源２０−・・記録電圧源 ２１・・・液晶分
子第１図 第３図 第４図 第６図
図、第２図および第３図は消去電圧を印加した状態を示
す説明図、第４図は強誘電性液晶の記録、消去状態の液
晶分子の配向を示す説明図、第５図は本発明の光学的情
報記録担体の記録方法を示す説明図、第６図は従来の文
字押し出し型カードメモリーを示す説明図、第７図は磁
気カードメモリーを示す説明図、第８図は記録層の構造
変化によって情報の記録を行う方式の光カードメモリー
を示す説明図、第９図は相転位によって記録層の反射率
変化によって情報の記録を行う方式の光カードメモリー
を示す説明図である。 ｌ・・・カード状基板 ２・・・磁気テープ３・
・・文字 ４・・・半導体レーザー５・
・・照明光線 ６・・・反射光７・・・光セ
ンサ−８・・・保護層 ９．１］−・・記録層 １０−・・基板１１−
・・照明光学系 １２−・・結像光学系１４．
１４’−・・偏光板 １５−・・上部透明電極
１６・・・光導電層 １７−・・強誘電性液
晶層１８・・・下部高反射率電極 １９−・・消去電
圧源２０−・・記録電圧源 ２１・・・液晶分
子第１図 第３図 第４図 第６図
Claims (2)
- （１）光学的手段によって情報の記録・再生を行う光学
的情報記録担体において、強誘電性液晶層と、前記強誘
電性液晶層に隣接する一方に偏光板および光を反射する
下部高反射率電極を、他方に透明な光導電層を有し、さ
らに前記光導電層の上に上部透明電極および偏光板を順
次積層してなることを特徴とする光学的情報記録担体。 - （２）光学的情報記録担体が光カードである特許請求の
範囲第１項記載の光学的情報記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61145984A JPS634220A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 光学的情報記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61145984A JPS634220A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 光学的情報記録担体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634220A true JPS634220A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15397497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61145984A Pending JPS634220A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 光学的情報記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2645322A1 (fr) * | 1989-03-31 | 1990-10-05 | Univ Tokyo Agriculture | Dispositif de memoire electro-optique a cristaux liquides |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP61145984A patent/JPS634220A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2645322A1 (fr) * | 1989-03-31 | 1990-10-05 | Univ Tokyo Agriculture | Dispositif de memoire electro-optique a cristaux liquides |
| NL9000757A (nl) * | 1989-03-31 | 1990-10-16 | Univ Tokyo Agriculture | Elektro-optische geheugeninrichting van vloeibaar kristal. |
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