JPH084067B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH084067B2 JP60221891A JP22189185A JPH084067B2 JP H084067 B2 JPH084067 B2 JP H084067B2 JP 60221891 A JP60221891 A JP 60221891A JP 22189185 A JP22189185 A JP 22189185A JP H084067 B2 JPH084067 B2 JP H084067B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造方法、特に絶縁体上に
半導体単結晶膜を形成し、これを基板としてトランジス
タを形成する方法の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体装置の高速化，高密度化のため、回路素子を誘
電体で分離して浮遊容量の少ない半導体集積回路を製造
する試み，また、回路素子を立体的に積層する、いわゆ
る三次元回路素子を製造する試みがなされており、その
一方法として絶縁体上に半導体層を形成し、その半導体
結晶中に回路素子を構成する方法がある。この半導体結
晶層を形成する方法として、絶縁体上に多結晶または非
晶質の半導体層を堆積し、その表面にレーザ光または電
子線等のエネルギー線を照射することによって表面層の
みを加熱し、単結晶の半導体層を形成する方法がある。
従来、絶縁体層上に半導体単結晶を製造する方法とし
て第２図に示すものがあった。第２図において、11は単
結晶シリコン基板、12は厚さ１μｍの酸化シリコン膜、
13は厚さ0.5μｍの多結晶シリコン膜、14は多結晶シリ
コン膜13上に堆積され、幅５μm,間隔10μｍでパターニ
ングされた厚さ500Åのシリコン窒化膜である。酸化シ
リコン膜12は熱酸化法で、多結晶シリコン膜13及びシリ
コン窒化膜14は化学的気相成長法（以下CVD法と称す
る）で形成されている。多結晶シリコン膜13は、直径10
0μｍに絞られたアルゴンレーザ光を走査速度25cm/sで
シリコン窒化膜14のストライプに並行に走査しながら照
射することによって溶融，再結晶化する。この際、シリ
コン窒化膜14はアルゴンレーザ光の反射防止膜として働
くため、シリコン窒化膜14の下の多結晶シリコン膜13の
温度は、シリコン窒化膜14のない領域の多結晶シリコン
膜13の温度より高く保たれる。多結晶シリコン膜13の固
化再結晶化は、温度の低いシリコン窒化膜14のない領域
から連続して起こり、シリコン窒化膜14のストライプに
はさまれた領域の多結晶シリコン膜13は単結晶化する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように従来の絶縁体層上の半導体層にエネルギー
線を照射して単結晶化する方法においては、従来トラジ
スタなどのデバイスを作製する半導体層に直接エネルギ
ー線が照射されるので、エネルギー線のパワーのゆらぎ
によって半導体層中の温度分布がみだれ、その領域の所
定の位置以外に結晶粒界や欠陥が発生することのほか、
パワーが一定であっても、照射後の半導体層上には凹凸
が発生するなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので，表面が平坦であり、かつ大面積にわたって
単結晶の半導体層を絶縁体層上に形成することのできる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造方法は、従来デバイ
スを作製する第１の絶縁体層の全体面上に形成された第
１の半導体層の全表面上に、第２の絶縁体層を介して第
２の半導体層を設け、この第２の半導体層上に所定パタ
ーンからなる第３の膜を形成した後、エネルギー線を照
射し、その後上記第２の絶縁体層，第２の半導体層及び
第３の膜を除去してから上記第１の半導体層上にトラン
ジスタを形成するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、上層の第２の半導体層はエネル
ギー線からのパワーを均質化し、ゆらぎを減衰させて下
層の第１の半導体層に伝達し、これを溶融，再結晶化さ
せるから、該第１の半導体層においては結晶粒界，結晶
欠陥の発生がなくなる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図において、11は半導体シリコン基板12は厚さ１μｍ
の酸化シリコン膜（第１の絶縁体層）、13は厚さ0.3μ
ｍの多結晶シリコン膜（第１の半導体層）、21は厚さＹ
＝0.5μｍ（ただし0.05μｍ≦Ｙ≦0.8μｍも可）の酸化
シリコン膜（第２の絶縁体膜）、22は厚さＸ＝0.5μｍ
（ただし0.2μｍ≦Ｘ≦１μｍも可）の多結晶シリコン
膜（第２の半導体層）、14は幅５μm,間隔10μｍにパタ
ーニングされた厚さＺ＝500Å（ただし0.035μｍ≦Ｚ≦
0.8μｍも可）のシリコン窒化膜（第３の膜）である。
酸化シリコン膜12は熱酸化法で、酸化シリコン膜21およ
び多結晶シリコン膜13,22およびシリコン窒化膜14はCVD
法によって形成された膜である。
上記のような構造を有する半導体基板上に、直径100
μｍに絞った連続発振のアルゴンレーザ光を窒化シリコ
ン膜14のストライプに並行に第１図中に示した矢印の方
向に速度25cm/secで走査しながら照射する。すると厚さ
Ｚ＝500Å（ただし0.035μｍ≦Ｚ≦0.8μｍも可）のシ
リコ窒化膜14はアルゴンレーザ光の反射防止膜として働
くため、シリコン窒化膜14の下の多結晶シリコン膜の温
度はシリコン窒化膜14のない領域の多結晶シリコン膜22
の温度より高く保たれる。またこの際、レーザ光のパワ
ーのゆらぎは、多結晶シリコン層22の熱伝導率が大きい
ため減衰し、多結晶シリコン層22の温度分布は、窒化シ
リコン膜14のストライプによって作られたものとなる。
多結晶シリコン膜22中に吸収された熱は酸化シリコン膜
21を通って多結晶シリコン膜13を加熱する。この際、ス
トライプ状にパターニングされた窒化シリコン膜14によ
る多結晶シリコン膜22中の温度分布がそのまま多結晶シ
リコン膜13に転写されるため、固化際結晶化は温度の低
い窒化シリコン膜14のない領域の多結晶シリコン膜13か
ら連続して起るため、多結晶シリコン膜13は大面積の単
結晶に成長する。さらに、多結晶シリコン膜13はウエハ
全面にわたって、酸化シリコン膜21,多結晶シリコン膜2
2によって押さえられているため、表面の凹凸も低減で
きる。
そしてレーザ光照射後、シリコン窒化膜14、多結晶シ
リコン膜22、酸化シリコン膜21はエッチングによって除
去され、単結晶化した多結晶シリコン13上にトランジス
タなどのデバイスが作製される。
なお、上記実施例では、多結晶シリコン膜13と多結晶
シリコン膜22の間の絶縁膜として酸化シリコン膜21を形
成したが、これはシリコン窒化膜と酸化シリコン膜の二
重膜であってもよく、その場合はシリコン窒化膜は酸化
シリコン膜の上にあることが望ましい。またエネルギー
線は電子線であってもよく、この場合はレーザ光照射の
際と反対に厚さｂ（0.05μｍ≦ｂ≦１μｍ）のタングス
テンと厚さａ（0.01μｍ≦ａ≦0.3μｍ）の酸化シリコ
ン膜等の二重構造を持った反射膜をストライプ状にパタ
ーニングしてもよく、また絶縁体と高融点金属のシリサ
イド膜との二重構造を持った膜を反射膜としてもよい。
さらに電子線自体に、周辺が高く中央部分が小さい強度
分布を形成しても同様の効果を奏する。
また上記実施例では半導体基板上に第１の絶縁体層，
第２の半導体層等を形成していく場合を説明したが、三
次元回路素子を形成する場合にはすでにデバイス構造を
有する半導体ウエハ上に第１の絶縁体層、第１の半導体
層等を形成していけばよく、この場合本発明の工程によ
り第２の絶縁体層，第２の半導体層，第３の膜を除去し
たのち、第１の半導体層を再結晶化した領域にトランジ
スタを形成することになる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、従来デバイスを作
製する第１の絶縁体層の全表面上に形成された第１の半
導体層の全表面上に、第２の絶縁膜を介してさらに第２
の半導体層を設け、この第２の半導体層上に所定パター
ンからなる第３の膜を形成した後、エネルギー線を照射
するようにしたので、第１の半導体層にはエネルギー線
の強度のゆらぎによる結晶粒界，結晶欠陥が発生せず、
また表面の凹凸の少ない第１の半導体層が第１の絶縁体
層上に得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ），（ｂ）はこの発明の一実施例による半導
体装置の製造方法における再結晶化工程の際の半導体基
板の断面図および平面図、第２図（ａ），（ｂ）は従来
の方法の再結晶化工程の際の半導体基板の断面図および
平面図である。 11は半導体基板、12は酸化シリコン膜（第１の絶縁体
層）、13は多結晶シリコン膜（第１の半導体層）、14は
シリコン窒化膜（第３の膜）、21は酸化シリコン膜（第
２の絶縁体層）、22は多結晶シリコン膜（第２の半導体
層）。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審判の合議体 審判長 遠藤 政明 審判官 関根 恒也 審判官 岡田 宏之 (56)参考文献 電子材料 1985年１月号 Ｐ．78−82 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏ ｌ．44，Ｎｏ．10 Ｐ．994−996 第32回応用物理学関係連合講演会講演予 稿集 Ｐ．472 講演番号299−Ｃ−６ 第45回応用物理学会学術講演会講演予稿 集 Ｐ．444 講演番号129−Ｃ−10

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上又はすでにデバイス構造を有
    する半導体ウエハ上に第１の絶縁体層を形成する工程、 この第１の絶縁体層の全表面上に非晶質又は多結晶の第
    １の半導体層を形成する工程、 この第１の半導体層の全表面上に第２の絶縁体層を形成
    する工程、 この第２の絶縁体層の全表面上に第２の非晶質又は多結
    晶の半導体層を形成する工程、 この第２の半導体層上に、照射されるべきエネルギー線
    の反射防止膜としての絶縁体膜又は反射膜としての絶縁
    体と高融点金属あるいはそのシリサイド膜との二重構造
    膜からなり、所定のパターンからなる第３の膜を形成す
    る工程、 この第３の膜を備えた上記第２の半導体層上にエネルギ
    ー線を照射する工程、 上記第２の絶縁体層、第２の半導体層、及び第３の膜を
    除去する工程、および 上記第１の半導体層を再結晶化した領域にトランジスタ
    を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  2. 【請求項２】上記半導体層は多結晶シリコンからなり、
    上記第２の半導体層の厚さＸは0.2μｍ≦Ｘ≦１μｍで
    あり、上記第２の絶縁体層は酸化シリコン層であってそ
    の厚さＹは0.05μｍ≦Ｙ≦0.8μｍであることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方
    法。
  3. 【請求項３】上記エネルギー線は連続発振のアルゴンイ
    オンレーザであり、上記第３の膜は窒化シリコン膜から
    なる反射防止膜であってその厚さＺは0.35μｍ≦Ｚ≦0.
    16μｍであることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
    たは第２項記載の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】上記エネルギー線は電子線であり、上記第
    ３の膜は絶縁体と高融点金属がそれぞれシリコン酸化膜
    とタングステンからなる反射膜であり、それぞれの厚さ
    a,bが0.01μｍ≦ａ≦0.3μm,0.05μｍ≦ｂ≦１μｍであ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
    記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】上記第３の膜はストライプ状にパターニン
    グしたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項ないし第４項のいずれかに記載の半導体装置の製造方
    法。
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63306617A (ja) * 1987-06-08 1988-12-14 Agency Of Ind Science & Technol 半導体結晶の再結晶化方法
JPS6480017A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Agency Ind Science Techn Manufacture of semiconductor single crystal layer
JP2526380B2 (ja) * 1987-12-04 1996-08-21 工業技術院長 多層半導体基板の製造方法
JPH027415A (ja) * 1988-06-27 1990-01-11 Agency Of Ind Science & Technol Ｓｏｉ薄膜形成方法
US5315147A (en) * 1989-09-25 1994-05-24 Grumman Aerospace Corporation Monolithic focal plane array
NL9000324A (nl) * 1990-02-12 1991-09-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US5444302A (en) 1992-12-25 1995-08-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor device including multi-layer conductive thin film of polycrystalline material
US5372974A (en) * 1993-03-19 1994-12-13 Micron Semiconductor, Inc. Approach to avoid buckling in BPSG by using an intermediate barrier layer
US6690044B1 (en) * 1993-03-19 2004-02-10 Micron Technology, Inc. Approach to avoid buckling BPSG by using an intermediate barrier layer
US5493096A (en) * 1994-05-10 1996-02-20 Grumman Aerospace Corporation Thin substrate micro-via interconnect
JPH07308788A (ja) * 1994-05-16 1995-11-28 Sanyo Electric Co Ltd 光加工法及び光起電力装置の製造方法
US5621193A (en) * 1995-05-23 1997-04-15 Northrop Grumman Corporation Ceramic edge connect process
US6555449B1 (en) * 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
CA2256699C (en) * 1996-05-28 2003-02-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Crystallization processing of semiconductor film regions on a substrate, and devices made therewith
US6830993B1 (en) * 2000-03-21 2004-12-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method
AU2002211507A1 (en) * 2000-10-10 2002-04-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and apparatus for processing thin metal layers
JP4583709B2 (ja) * 2000-11-27 2010-11-17 ザ・トラスティーズ・オブ・コロンビア・ユニバーシティ・イン・ザ・シティ・オブ・ニューヨーク 基板上の半導体膜領域のレーザー結晶化処理のための方法及びマスク投影装置
KR100916281B1 (ko) * 2001-08-27 2009-09-10 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 미세구조의 임의 배치를 통하여 다결정성 박막 트랜지스터균일성을 향상시키는 방법
TW589667B (en) * 2001-09-25 2004-06-01 Sharp Kk Crystalline semiconductor film and production method thereof, and semiconductor device and production method thereof
AU2003220611A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-20 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a thin film
US20040093263A1 (en) * 2002-05-29 2004-05-13 Doraisamy Malchiel A. Automated Interview Method
TWI331803B (en) 2002-08-19 2010-10-11 Univ Columbia A single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns
AU2003258288A1 (en) * 2002-08-19 2004-03-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Process and system for processing a thin film sample and thin film structure
KR101058464B1 (ko) * 2002-08-19 2011-08-24 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 기판상의 필름영역과 그 에지영역에서의 실질적인 균일성을제공하기 위한 필름영역의 레이저 결정 가공을 위한 방법과 시스템 및 그 필름영역을 가진 구조물
AU2003272222A1 (en) * 2002-08-19 2004-03-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions
KR100470274B1 (ko) * 2002-11-08 2005-02-05 진 장 덮개층을 이용한 비정질 물질의 상 변화 방법
JP4969024B2 (ja) * 2003-01-21 2012-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101191837B1 (ko) * 2003-02-19 2012-10-18 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 순차적 측면 고상화 기술을 이용하여 결정화되는 복수의 반도체 박막을 가공하는 방법 및 장치
US20050048706A1 (en) * 2003-08-27 2005-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2005029549A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for facilitating bi-directional growth
WO2005029546A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
WO2005029547A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Enhancing the width of polycrystalline grains with mask
WO2005029548A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York System and process for providing multiple beam sequential lateral solidification
US7364952B2 (en) * 2003-09-16 2008-04-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing thin films
WO2005029550A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for producing crystalline thin films with a uniform crystalline orientation
TWI359441B (en) 2003-09-16 2012-03-01 Univ Columbia Processes and systems for laser crystallization pr
US7318866B2 (en) * 2003-09-16 2008-01-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths
US7164152B2 (en) * 2003-09-16 2007-01-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Laser-irradiated thin films having variable thickness
US7311778B2 (en) 2003-09-19 2007-12-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Single scan irradiation for crystallization of thin films
JP2005175211A (ja) * 2003-12-11 2005-06-30 Sharp Corp 半導体膜の製造方法および製造装置
US7645337B2 (en) 2004-11-18 2010-01-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films
US8221544B2 (en) 2005-04-06 2012-07-17 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Line scan sequential lateral solidification of thin films
US7560365B2 (en) * 2005-09-14 2009-07-14 Industrial Technology Research Institute Method of semiconductor thin film crystallization and semiconductor device fabrication
CN101617069B (zh) 2005-12-05 2012-05-23 纽约市哥伦比亚大学理事会 处理膜的系统和方法以及薄膜
TW200942935A (en) 2007-09-21 2009-10-16 Univ Columbia Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors and systems and methods for making same
KR20100074179A (ko) 2007-09-25 2010-07-01 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 측방향으로 결정화된 박막상에 제조된 박막 트랜지스터 장치에 높은 균일성을 생산하기 위한 방법
KR20100105606A (ko) 2007-11-21 2010-09-29 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 에피택셜하게 텍스쳐화된 후막의 제조를 위한 시스템 및 방법
US8012861B2 (en) 2007-11-21 2011-09-06 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
WO2009067688A1 (en) 2007-11-21 2009-05-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
US8569155B2 (en) 2008-02-29 2013-10-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Flash lamp annealing crystallization for large area thin films
US8802580B2 (en) 2008-11-14 2014-08-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for the crystallization of thin films
US9646831B2 (en) 2009-11-03 2017-05-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Advanced excimer laser annealing for thin films
US8440581B2 (en) 2009-11-24 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification
US9087696B2 (en) 2009-11-03 2015-07-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3600237A (en) * 1969-12-17 1971-08-17 Us Navy Controlled nucleation in zone recrystallized insb films
US4330363A (en) * 1980-08-28 1982-05-18 Xerox Corporation Thermal gradient control for enhanced laser induced crystallization of predefined semiconductor areas
JPS58500048A (ja) * 1981-02-04 1983-01-06 ウエスタ−ン　エレクトリツク　カムパニ−，インコ−ポレ−テツド ４族半導体材料を基礎とした構造の成長
JPS58194799A (ja) * 1982-05-07 1983-11-12 Hitachi Ltd 単結晶シリコンの製造方法
JPS59108313A (ja) * 1982-12-13 1984-06-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体単結晶層の製造方法
JPS59121829A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Agency Of Ind Science & Technol 単結晶シリコン薄膜の製造方法
US4444620A (en) * 1983-09-12 1984-04-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Growth of oriented single crystal semiconductor on insulator
JPS60150618A (ja) * 1984-01-17 1985-08-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．１０Ｐ．９９４−９９６
第３２回応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ｐ．４７２講演番号２９９−Ｃ−６
第４５回応用物理学会学術講演会講演予稿集Ｐ．４４４講演番号１２９−Ｃ−１０
電子材料１９８５年１月号Ｐ．７８−８２

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Publication number Publication date
US4870031A (en) 1989-09-26
JPS6281709A (ja) 1987-04-15

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