JPH0611025B2 - 半導体単結晶膜の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体単結晶膜の製造方法、特に半導体単結
晶基板主面上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に下地単
結晶基板を種結晶として半導体単結晶層を形成する方法
の改良に関する。

［従来の技術］ 半導体装置の高速化，高密度化のため、回路素子を誘電
体で電気的に分離して浮遊容量の少ない半導体集積回路
を製造する試み、また回路素子を立体的に積層するいわ
ゆる３次元回路素子を製造する試みがなされており、そ
の一方法として絶縁体上に単結晶半導体層を形成し、そ
の半導体単結晶中に回路素子を構成する方法がある。こ
の半導体単結晶層を形成する方法として、半導体上に多
結晶または非晶質の半導体層を堆積し、その表面にレー
ザ光，電子線などのエネルギー線を照射することによっ
て表面半導体層のみを加熱溶融して単結晶の半導体層を
形成する方法がある。

第６Ａ図ないし第６Ｃ図は従来の、絶縁体膜上に単結晶
半導体膜を製造する方法を説明するための図であり、第
６Ａ図は、単結晶膜製造工程において基体として用いら
れる半導体装置の平面配置を示す図であり、第６Ｂ図は
第６Ａ図のＩ−Ｉ線に沿った断面構造およびレーザ光走
査方向を示し、第６Ｃ図は、第６Ａ図のII−II線に沿っ
た断面構造を示す図である。以下、第６Ａ図ないし第６
Ｂ図を参照して基体として用いられる半導体装置の構成
について説明する。

基体として用いられる半導体装置は、｛００１｝面
（（００１）面またはその等価な結晶面）を主面とする
単結晶シリコン基体１１と、単結晶シリコン基板１１の
主面上に少なくともその一部に基板１１の主面に達する
長手状開口部２３を有する二酸化シリコン膜からなる厚
い酸化膜１２と、厚い酸化膜上および開口部２３上に形
成されてレーザ光１５により溶融されるべき多結晶シリ
コン膜１３と、多結晶シリコン膜１３上にストライプ状
に形成され、レーザ光１５照射時に多結晶シリコン膜１
３に所望の温度分布を与える反射防止膜となるシリコン
窒化膜４１とから構成される。厚い酸化膜１２に設けら
れた長手状開口部２３は、シリコン基板１１の主面上の
＜１１０＞方向またはその等価な方向（以下、単に＜１
１０＞方向と記す）に設けられ、この部分で単結晶シリ
コン基板１１主面が厚い酸化膜１２表面まで露出する。
多結晶シリコン膜１３は化学的気相成長法（以下、ＣＶ
Ｄ法と称する）で形成される。ストライプ状のシリコン
窒化膜４１は、そのストライプの長さ方向が＜１１０＞
方向（正確には＜１１０＞方向）に設定され、レーザ光
１５照射時に多結晶シリコン膜１３内の温度分布を制御
するために、ＣＶＤ法を用いて膜厚５５０Åに堆積され
る。レーザ光１５は第６Ｂ図の矢印Ｘ方向、すなわちス
トライプの長さ方向＜１１０＞に沿って走査される。

次に単結晶半導体膜を絶縁膜である厚い酸化膜１２上に
形成する方法について説明する。長手状開口部２３上お
よび厚い酸化膜１２上の多結晶シリコン膜１３をレーザ
光１５の照射によって溶融して溶融部３０を形成し、こ
の溶融を長手状開口部２３の単結晶シリコン基板１１の
主面まで及ばせることにより、固化，再結晶化の際に開
口部２３の下地単結晶シリコン基板１１を種結晶とする
エピタキシャル成長が生じ、多結晶シリコン膜１３が単
結晶化して単結晶シリコン膜１４が形成される。したが
って、レーザ光１５で多結晶シリコン膜１３を照射しな
がら矢印Ｘ方向、すなわち基板１１の主面上の＜１１０
＞方向に走査すると、多結晶シリコン膜１３は溶融され
て溶融部３０が形成され、この溶融部３０が固化，再結
晶化する際に下地の単結晶シリコン基板１１主面の面方
位をなぞって単結晶化し、この溶融部３０を通じてレー
ザ光１５の走査方向Ｘに沿ってエピタキシャル成長が連
続して生じ、絶縁膜としての厚い酸化膜１２上にまで半
導体単結晶膜１４が成長する。ここで、酸化膜１２上の
多結晶シリコン膜１３上に設けられたストライプ状のシ
リコン窒化膜４１は、レーザ光１５の走査方向に対し横
方向の温度を上昇させる。すなわち反射防止膜４１が形
成されている領域下の多結晶シリコン膜１３の温度は反
射防止膜であるシリコン窒化膜４１が形成されていない
領域下の多結晶シリコン膜１３の温度より高くなり、レ
ーザ光１５照射領域内に周期的な横方向（レーザ光走査
方向に対し）温度分布が形成され、これにより多結晶シ
リコン膜１３が溶融部３０を介して再結晶化する際、開
口部２３からのエピタキシャル結晶成長のみが生じるよ
うに設けられている。このレーザ光１５を多結晶シリコ
ン層上全面にわたって走査した後、シリコン窒化膜４１
を除去し、単結晶化した半導体層１４上にトランジスタ
などの素子を作成する。

［発明が解決しようとする問題点］ 上述のような従来の単結晶膜を製造する方法において
は、シリコン基板１１の主面上の＜１１０＞方向に設け
られた長手状開口部２３から長手状開口部２３に垂直な
＜１１０＞（正確には＜１０＞方向）方向にレーザ光
１５を走査しているので、多結晶シリコン膜１３が単結
晶化する際のエピタキシャル成長方向は＜１１０＞方向
となる。しかし、この結晶における＜１１０＞方向への
固有の結晶成長速度は小さいため、スループットを考慮
してレーザ光の走査速度を速くすると、単結晶エピタキ
シャル成長がレーザ光の走査に追随することができず、
開口部２３端部から１００ないし２００μｍ程度の距離
でエピタキシャル成長が止まってしまい、以後は他の結
晶軸を持った結晶が成長してしまうなどの問題点があっ
た。

また、絶縁体である酸化膜上への単結晶エピタキシャル
成長距離を増大させるために、窒化シリコン膜４１のス
トライプの長さ方向をこの結晶固有の結晶成長速度が大
きい＜５１０＞方向またはその近傍に設け、レーザ光を
この窒化シリコン膜４１のストライプに平行に走査させ
るという方法も考えられている。しかし、結晶成長速度
の大きい方向にレーザ光を走査させたとしても、溶融さ
れるべき多結晶シリコン膜１３と下地の酸化シリコン膜
１２とでは熱膨張率が異なるなどの原因により、レーザ
光による溶融，再結晶化時に多結晶シリコン膜１３と下
地の酸化シリコン膜１２との界面に歪が発生して蓄積さ
れ、この歪により単結晶エピタキシャル成長が阻害され
ることがあった。

それゆえ、この発明は上述のような問題点を解消し、絶
縁体上に下地単結晶半導体基板と同一の結晶軸配向を有
する高品質かつ大面積の半導体単結晶層を速いエネルギ
ー線走査速度でも得ることのできる単結晶半導体膜の製
造方法を提供することである。

［問題点を解決するための手段］ この発明にかかる半導体単結晶膜の製造方法は、多結晶
または非晶質シリコン膜上にストライプ状に形成される
反射防止膜または反射膜のストライプの長さ方向が基板
主面における［１１０］方向、［１０］方向、［１
０］方向、および［▲▼０］方向のうちの１方向か
ら反時計方向に２０度以上６０度以下の範囲内の角度を
なすように形成し、さらにレーザ光を反射防止膜または
反射膜のストライプの長さ方向と異なる方向、好ましく
はほぼストライプの長さ方向に走査するようにしたもの
である。ここで、＜１１０＞方向は、半導体ウエハのオ
リエンテーションフラット面に最小角度をもって交わる
（１１０）面と主面との交線で与えられるものとする。

［作用］ この発明における、＜１１０＞方向またはその等価な方
向に対し所定の角度、好ましくは２０°から６０°の範
囲の角度で形成されたストライプ状の反射防止膜または
反射膜は、結晶成長速度の大きい方向に半導体層の単結
晶化を行なわせ、かつレーザ光の走査方向がストライプ
の長さ方向と異なる方向であるため、レーザ光の１回の
走査では、その単結晶化が数１０μｍの距離までにしか
及ばないことによって多結晶シリコン膜と下地の酸化シ
リコン膜との界面に発生する歪が抑制される。

［発明の実施例］ 以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
但し以下の説明において従来の技術の説明と重複する部
分については適宜その説明を省略する。

第１Ａ図および第１Ｂ図はこの発明の一実施例である単
結晶半導体膜の製造工程において基体として用いられる
半導体装置の概略構成を示す図であり、第１Ａ図はその
平面配置を示し、第１Ｂ図は第１Ａ図のＩ−Ｉ線に沿っ
た断面構造を示す。第１Ａ図および第１Ｂ図において、
この発明の特徴として、反射防止膜である窒化シリコン
膜４１ａが＜１０＞方向に対して３５°の角度をなす
方向に膜厚５５０Åのストライプ状にパターニングされ
る。このストライプの幅はたとえば約４μｍであり、間
隔は約１０μｍである。また、酸化シリコン膜１２を囲
むように長手状開口部が＜１１０＞方向および＜１１０
＞方向に設けられる。これは、半導体ウエハ上のチップ
領域を規定するとともにレーザ光の走査方向を一方方向
のみに限定することなく双方向の走査も可能なようにす
る目的で設けられる。長手状開口部２３の長さは両方向
共に１mm以上にされる。他の構成は従来と同様である。
レーザ光、たとえばアルゴンレーザ光を、ビーム径１０
０μｍに調節して、図中矢印で示した＜１１０＞方向ま
たはその近傍へ走査速度２５cm／秒で走査しながら照射
する。１回の走査が終了するとレーザ光を走査方向と直
角な方向へ４０μｍ移動した後、前回の走査と同様２５
cm／秒の走査速度で＜１１０＞方向へ走査しながら照射
する。

第２Ａ図および第２Ｂ図は第１Ａ図および第１Ｂ図に示
される基体を用いて半導体単結晶膜を製造する方法を示
す平面図である。以下、第２Ａ図および第２Ｂ図を参照
して多結晶シリコン膜の単結晶化の機構について詳細に
説明する。

ビーム径１００μｍのたとえばアルゴンレーザからのレ
ーザ光１５は、ビームの中心を図中で示した破線に沿
って破線矢印方向に走査される。レーザ光１５は通常中
心部で高くその周辺部で低いいわゆるガウス型の強度分
布を持っているので、溶融した多結晶シリコン膜１３は
温度の低いビームの周辺部から固化再結晶化し始める。
一方、多結晶シリコン膜１３上には反射防止膜であるシ
リコン窒化膜４１ａがストライプ状にパターニングされ
ているため、シリコン窒化膜４１ａの下の多結晶シリコ
ン膜１３の温度は、シリコン窒化膜４１ａのない領域の
多結晶シリコン膜１３の温度より高く保たれる。この結
果、溶融した多結晶シリコン１３は、レーザ光１５の強
度分布と反射防止膜４１ａとの両方の効果により、図の
矢印方向、すなわち温度の低いシリコン窒化膜４１の形
成されていない領域の中心から、シリコン窒化膜４１ａ
が形成されている温度の高い領域へ向かい、かつレーザ
光１５の周辺から中心に向かって固化，再結晶化する。
この場合、レーザ光１５の走査方向に向かって右側の領
域（第２Ａ図においての領域）ではレーザ光１５の端
部にあたる領域に長手状開口部２３が設けられているた
め、この開口部２３を通じて下地単結晶シリコン基板１
１を種結晶とするエピタキシャルな結晶成長が生じる。
このエピタキシャル成長は窒化シリコン膜４１ａのない
多結晶シリコン膜領域へ向かって連続的に生じ、領域
の多結晶シリコン膜１３はすべて（００１）面方位を持
った単結晶に成長する。このとき、結晶化の方向は、反
射防止膜であるシリコン窒化膜４１ａによって結晶成長
速度の大きい＜１１０＞方向に対し３５°の方向、すな
わち＜５１０＞方向に制御されているため、単結晶エピ
タキシャル成長はレーザ光１５の走査に追随することが
でき、このため積層欠陥などの結晶欠陥の少ない高品質
な単結晶層が得られる。

一方、レーザビーム１５の走査方向に向かって左側の領
域（第２Ａ図のの領域）においては、多結晶シリコン
膜１３の固化，再結晶化はまだレーザ光１５の走査を受
けていない領域の隣接する（第２Ａ図においては上側）
多結晶シリコン膜を種として結晶化が生じるため、様々
な結晶面を有する結晶の集合体となり、領域と領域
との境界（すなわち図中の破線）には破線に平行な
結晶粒界が発生する。

次に第２Ｂ図について説明する。レーザ光１５の１回目
の走査が終了すると、再びレーザ光１５の中心を前回の
走査に対し走査方向と垂直な方向に４０μｍほど図の上
の方向に移動させる（図中の位置）。そして再びレー
ザ光１５を照射しながら走査する。このとき、図中１点
鎖線に沿ったレーザ光１５の走査による多結晶シリコ
ン膜１３の溶融は領域にまで達する。この２回目のレ
ーザ光１５の走査により、図中の領域および領域が
溶融再結晶化される。領域においては、前回のレーザ
光１５の走査により領域はすべて単結晶化されてお
り、かつ２回目のレーザ光１５の走査（図中１点鎖線
に沿った走査）においては溶融領域が領域にまで達す
るようにされているため、領域の多結晶シリコン膜１
３は領域の単結晶層を種結晶として単結晶エピタキシ
ャル成長する。一方、領域の多結晶シリコン１３は第
２Ｂ図の上側の多結晶シリコン膜１３を種として結晶化
するため様々な結晶面を有する結晶の集合体となり、再
び領域と領域との境界（図中１点鎖線）には結晶
粒界が発生する。この重ね合わせ走査、すなわちレーザ
光１５の走査領域が適当に重ねあわさるような走査を繰
返し行なうことにより、酸化シリコン膜１２上の多結晶
シリコン膜１３は全て下地単結晶シリコン基板１１と同
一の（００１）面を持った単結晶に成長する。このと
き、１回のレーザ光１５の走査によって単結晶化する多
結晶シリコン膜１３の距離は＜１１０＞方向（図面上下
方向）にレーザ光１５のビーム径の半分すなわち５０μ
ｍ、反射防止膜である窒化シリコン膜４１ａのストライ
プの長さ方向に平行には６０μｍ程度と短距離に限定さ
れるため、多結晶シリコン膜１３と下地酸化シリコン膜
１２との界面には両者の熱膨張率の差によって発生する
歪が蓄積されないため、単結晶成長は阻害されない。し
たがって、単結晶成長方向はストライプの長さ方向とほ
ぼ平行となり、かつその結晶成長距離は１回のレーザ光
走査によっては短距離に限定されるため、レーザ光１５
の速い走査に単結晶成長が追随することができ、かつ多
結晶シリコン膜と酸化シリコン膜１２との界面に発生す
る歪による単結晶成長の阻害を防止することができるの
で、高品質かつ大面積の半導体単結晶層を短時間で得る
ことができる。

なお、上記実施例においては、反射防止膜として窒化シ
リコン膜４１ａ（膜厚５５０Å）を用いているが、反射
防止膜の機能、すなわち多結晶シリコン膜中にレーザ光
照射時に所望の温度分布を作るような膜の構成であれば
どのような構成であってもよく、たとえば第３Ａ図およ
び第３Ｂ図に示されるように、多結晶シリコン膜１３上
に膜厚１６００Åのシリコン酸化膜４２をＣＶＤ法を用
いて堆積し、このシリコン酸化膜４２上に膜厚５５０Å
のシリコン窒化膜４１ａをストライプ状にパターニング
した２層構造の絶縁体反射防止膜であっても同様の効果
が得られる。

さらに、第４Ａ図および第４Ｂ図に示されるように、多
結晶シリコン膜１３上に、シリコン酸化膜４２をＣＶＤ
法を用いて膜厚２０００Å堆積し、このシリコン酸化膜
４２上に、ストライプ状の多結晶シリコン層５１を形成
するようにしてもよい。この場合は、ストライプ状の多
結晶シリコン層５１はレーザ光のエネルギーを吸収する
ため、多結晶シリコンのストライプのある領域の下の多
結晶シリコン１３の温度は、多結晶シリコンストライプ
５１が形成されていない領域の多結晶シリコン膜１３の
温度よりも低くなる。

さらに、第５Ａ図および第５Ｂ図に示されるように、多
結晶シリコン膜１３上にＣＶＤ法を用いて膜厚２０００
Åのシリコン酸化膜４２を形成し、このシリコン酸化膜
４２上に膜厚４０００Åの多結晶シリコン膜６１、およ
び膜厚５５０Åのシリコン窒化膜４１ａをそれぞれＣＶ
Ｄ法を用いて形成し、このシリコン窒化膜４１ａをスト
ライプ状にパターニングする構成にしてもよい。この場
合は、多結晶シリコン膜６１がレーザ光の熱を吸収して
溶融し、この多結晶シリコン６１の溶融による熱で間接
的に多結晶シリコン膜１３を溶融するものである。

さらに、同様の温度分布を溶融されるべき多結晶シリコ
ン膜内に形成するものであるが、高融点金属からなる反
射膜をストライプ状に形成しても同様の効果が得られ
る。

さらに絶縁膜である酸化シリコン膜１２に設けられた長
手状開口部の方向は＜１１０＞方向に必ずしも平行であ
る必要はなく、また＜１１０＞方向および＜１０＞方
向の両方の方向に開口部２３を設けて溶融させるべき多
結晶または非晶質の半導体層を囲む必要もない。すなわ
ち、１回目のレーザ光走査時に多結晶または非晶質シリ
コン膜が固化，再結晶化する際に下地半導体単結晶基板
を種結晶とするエピタキシャル成長が生じるように設け
られていれば同様の効果を得ることができる。

さらに、反射防止膜または反射膜のストライプの長さ方
向は＜１１０＞方向またはその等価な方向と３５°の方
向に形成する必要もなく、＜１１０＞方向またはその等
価な方向と２０°ないし６０°の間の角度をなす方向に
ストライプの長さ方向を形成するようにしても同様の効
果が得られる。

またレーザ光の走査方向も＜１１０＞方向に厳密に設定
する必要もなく、＜１１０＞方向と±１０°の範囲の方
向であればよい。ここで、＜１１０＞方向は、半導体ウ
エハのオリエンテーションフラット面に最小角度をもっ
て交わる（１１０）面とウエハ主面との交線で与えられ
るものとする。

さらに、上記実施例においては多結晶または非晶質のシ
リコン膜を溶融させるためにアルゴンレーザを用いてい
るが、この多結晶または非晶質シリコンを溶融させるた
めのエネルギー線はアルゴンレーザに限定されることな
く他のレーザ光や電子線等を用いても同様の効果が得ら
れる。

［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、（００１）またはこれ
と等価な結晶面を主面とする単結晶半導体基板と、この
基板上に形成され、少なくともその一部分に単結晶半導
体基板主面に達する長手状開口部を有する絶縁膜とから
構成される半導体装置を基体とし、この基体上に多結晶
または非晶質半導体層を形成し、この多結晶または非晶
質半導体層をエネルギー線を用いて溶融，再結晶化させ
ることにより絶縁膜上に半導体単結晶膜を形成する製造
方法において、多結晶または非晶質の半導体層上にエネ
ルギー線に対する反射防止膜または反射膜をその長さ方
向が基板主面における［１１０］方向、［１０］方
向、［１０］方向、および［▲▼０］方向のうち
の１方向から反時計方向に２０度以上６０度以下の範囲
内の角度をなす方向にストライプ状にパターニングして
形成し、さらにエネルギー線を反射膜または反射防止膜
のストライプの長さ方向と異なる方向に適当に重ね合わ
せて走査しながら照射するようにしたので、高品質でか
つ大面積の半導体単結晶膜を絶縁膜上に形成することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図および第１Ｂ図はこの発明の一実施例である半
導体単結晶膜の製造方法を説明するための図であり、第
１Ａ図は基体として用いられる半導体装置の平面配置を
示す図であり、第１Ｂ図は第１Ａ図の線Ｉ−Ｉ線に沿っ
た断面構造を示す図である。第２Ａ図および第２Ｂ図は
この発明の一実施例である半導体単結晶膜の製造方法の
工程を示す図であり、第２Ａ図は１回目のエネルギー線
照射時の状態を示す平面図であり、第２Ｂ図は２回目の
エネルギー線照射時の状態を示す平面図である。第３Ａ
図および第３Ｂ図はこの発明の他の実施例である半導体
単結晶膜の製造方法に用いられる基体となる半導体装置
の構成を示す図であり、第３Ａ図はその平面配置を示
し、第３Ｂ図は第３Ａ図のＩ−Ｉ線に沿った断面構造を
示す図である。第４Ａ図および第４Ｂ図はこの発明の一
実施例である半導体単結晶膜の製造方法において基体と
して用いられる半導体装置のさらに他の構成を示す図で
あり、第４Ａ図はその平面配置を示し、第４Ｂ図は第４
Ａ図のＩ−Ｉ線に沿った断面構造を示す図である。第５
Ａ図および第５Ｂ図はこの発明の一実施例である半導体
単結晶膜の製造方法において基体として用いられる半導
体装置のさらに他の構成を示す図であり、第５Ａ図はそ
の平面配置を示す図であり、第５Ｂ図は第５Ａ図のＩ−
Ｉ線に沿った断面構造を示す図である。第６Ａ図ないし
第６Ｃ図は従来の半導体単結晶膜の製造方法を説明する
ための図であり、第６Ａ図は従来の製造方法において基
体として用いられる半導体装置の平面配置を示す図であ
り、第６Ｂ図は第６Ａ図の線Ｉ−Ｉ線に沿った断面構造
および単結晶膜製造工程の概略を示す図であり、第６Ｃ
図は第６Ａ図のII−II線に沿った断面構造を示す図であ
る。 図において、１１は（００１）面またはその等価な結晶
面を主面とする単結晶半導体基板、１２は絶縁膜である
酸化シリコン膜、１３は溶融されるべき多結晶シリコン
膜、２３は開口部、１５はレーザ光、４１，４１ａはス
トライプ状に形成された反射防止膜となる窒化シリコン
膜、４２は第２の酸化シリコン膜、５１はストライプ状
に形成される多結晶シリコン膜、６１は第２の多結晶シ
リコン膜である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】実質的に（００１）面の結晶面を主面とす
   る半導体単結晶基板と、前記半導体単結晶基板の前記主
   面上に形成されかつその少なくとも一部分に前記半導体
   単結晶基板主面に達する開口部を有する第１の絶縁膜と
   を基体とし、前記基体上に形成される非単結晶の第１の
   半導体層をエネルギ線の走査および照射により溶融し再
   結晶化させることにより前記開口部を通じて前記半導体
   単結晶基板を種結晶として前記半導体単結晶基板主面と
   同一の結晶軸配向を有する半導体単結晶層を前記第１の
   絶縁層上に形成する製造方法であって、 少なくとも１層からなり、その最上層が予め定められた
   幅および間隔を有し、かつその長さ方向が前記半導体単
   結晶基板主面における［１１０］方向、［１０］方
   向、［１０］方向、および［▲▼０］方向のうち
   の１方向から反時計方向に２０度以上６０度以下の範囲
   内の角度θをなすストライプ状の形状を有し、前記エネ
   ルギ線に対し前記ストライプ状の反射率変化を与えるス
   トライプ層を形成するステップと、 前記エネルギ線を前記ストライプの前記長さ方向と異な
   る方向に沿って照射して前記第１の半導体層を溶融させ
   るステップとを含む、半導体単結晶膜の製造方法。
2. 【請求項２】前記エネルギ線の走査方向が前記１方向と
   なす角度θ２は、反時計方向に測定して−１０度以上１
   ０度以下の範囲内の大きさを有する、特許請求の範囲第
   １項記載の半導体単結晶膜の製造方法。
3. 【請求項３】前記ストライプ層は、前記ストライプ状に
   形成される第２の絶縁物層のみで構成される、特許請求
   の範囲第１項記載の半導体単結晶膜の製造方法。
4. 【請求項４】前記第２の絶縁物層はシリコン窒化膜で構
   成される、特許請求の範囲第３項記載の半導体単結晶膜
   の製造方法。
5. 【請求項５】前記第２の絶縁物層は二酸化シリコン膜と
   前記二酸化シリコン膜上に前記ストライプ状に形成され
   るシリコン窒化膜とから構成される、特許請求の範囲第
   ３項記載の半導体単結晶膜の製造方法。
6. 【請求項６】前記ストライプ層は、予め定められた膜厚
   を有する第２の絶縁物層と、前記第２の絶縁物層上に前
   記ストライプ状に形成される多結晶または非晶質の第２
   の半導体層とから構成される、特許請求の範囲第１項記
   載の半導体単結晶膜の製造方法。
7. 【請求項７】前記第２の絶縁層は、二酸化シリコンで構
   成され、前記第２の半導体層は非晶質または多結晶シリ
   コンで構成される、特許請求の範囲第６項記載の半導体
   単結晶膜の製造方法。
8. 【請求項８】前記ストライプ層は、予め定められた膜厚
   を有して前記第１の半導体層上に形成される第２の絶縁
   物層と、前記第２の絶縁物層上に予め定められた膜厚を
   有して形成される多結晶または非晶質の第２の半導体層
   と、前記第２の半導体層上に前記ストライプ状に形成さ
   れる第３の絶縁物層とから構成される、特許請求の範囲
   第１項記載の半導体単結晶膜の製造方法。
9. 【請求項９】前記第２の絶縁物層は二酸化シリコン層で
   構成され、前記第２の半導体層は多結晶または非晶質の
   シリコン層で構成され、かつ前記第３の絶縁物層はシリ
   コン窒化物層で構成される、特許請求の範囲第８項記載
   の半導体単結晶膜の製造方法。
10. 【請求項１０】前記第２の絶縁物層は二酸化シリコン層
    で構成され、前記第２の半導体層は多結晶または非晶質
    のシリコン層で構成され、前記第３の絶縁物層は二酸化
    シリコン膜およびシリコン窒化膜で構成される、特許請
    求の範囲第８項記載の半導体単結晶膜の製造方法。
11. 【請求項１１】前記エネルギ線は連続発振アルゴンレー
    ザ光である、特許請求の範囲第１項ないし第１０項のい
    ずれかに記載の半導体単結晶膜の製造方法。