JPH10244390A - レーザ加工方法及びその装置 - Google Patents

レーザ加工方法及びその装置

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JPH10244390A
JPH10244390A JP9048950A JP4895097A JPH10244390A JP H10244390 A JPH10244390 A JP H10244390A JP 9048950 A JP9048950 A JP 9048950A JP 4895097 A JP4895097 A JP 4895097A JP H10244390 A JPH10244390 A JP H10244390A
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laser
mask
signal
pump
photorefractive crystal
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JP9048950A
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Atsushi Takada
淳 高田
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、マスクの耐久性に影響されず、かつ
レーザビームの強度を低く設定しなくてもレーザマーキ
ングを行う。 【解決手段】レーザビームＡを偏光ビームスプリッタ２
により２つのレーザビームＢ、Ｃに分離し、このうち一
方のシグナルビームＢをマスク４を透過してフォトリフ
ラクティブ結晶６に入射し、これと共に他方のポンプビ
ームＣをλ／２板８を通してフォトリフラクティブ結晶
６に入射し、このフォトリフラクティブ結晶６において
シグナルビームＢをポンプビームＣにより増幅して加工
材料１１に結像する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレーザビー
ムをマスクに透過させて加工材料に照射することにより
マスクパターンを被加工物にマーキングする際に用いら
れるレーザ加工方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】被加工物となる加工材料に対するレーザ
マスクマーキング方法は、レーザ発振装置から出力され
たレーザビームをマスクに通し、このマスクを透過した
レーザビームを加工材料に照射することにより、加工材
料に対してマスクパターンをマーキングしている。
【０００３】このようなレーザマスクマーキング方法で
は、マスクにレーザビームを透過させる為、マスク材で
のレーザビームの吸収で生じる発熱に対するマスクの耐
久性に問題があり、マスクのレーザ吸収を少なくする必
要がある。
【０００４】そこで、レーザ吸収の少ないマスクとして
は、例えば特開昭６２−２４８５９０号公報に開示され
ているものがある。このマスクは、そのマスク材として
例えばガラスを用い、このガラス面にマスクパターン形
成用の光透過部を形成するとともに、この光透過部以外
をレーザビームを散乱させる散乱部、例えばガラス面の
表面を粗く加工してスリガラス化したものとなってい
る。
【０００５】このようなマスクであれば、マスクパター
ン形状に従ってレーザビームが透過し、かつスリガラス
とされた部分でレーザビームが散乱し、マスクとしての
機能を持たったものとなる。
【０００６】一方、上記レーザマスクマーキング方法で
は、マスクを作製するのに時間がかかり、短時間でのマ
スクパターン変更が困難となっている。このような実情
から、マスクパターン変更を容易とする方法として例え
ば特公平４−１６７７９号公報に開示されている技術が
ある。この技術は、マスクとして透過型液晶表示装置を
使用し、この透過型液晶表示装置を液晶ドライバにより
駆動して所望するマスクパターンを表示することによ
り、マスクパターンの変更を短時間で行うものとなって
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、レーザ
吸収で生じる発熱によるマスクの耐久性に問題があるた
めに、マスクとして例えばガラス面にマスクパターン形
成用の光透過部及びガラス面を粗く形成した散乱部を形
成したものがあるが、これでもマスクにレーザ吸収があ
り、マスクの耐久性に問題がある。
【０００８】特にマスクとして透過型液晶表示装置を用
いたものでは、レーザビームを吸収しやすく、レーザビ
ームの強度を低く設定しなければならない。そこで本発
明は、マスクの耐久性に影響されず、かつレーザビーム
の強度を低く設定しなくてもレーザマーキングができる
レーザ加工方法及びその装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】又、本発明は、マスクの耐久性に影響され
ず、かつレーザビームの強度を低く設定しなくてもレー
ザマーキングができ、そのうえ加工材料に応じてレーザ
ビームの強度を制御できるレーザ加工方法及びその装置
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、レー
ザビームを２つのレーザビームに分離し、一方のレーザ
ビームをシグナルビームとしてマスクを透過させた後に
フォトリフラクティブ結晶に入射し、これと共に他方の
レーザビームをポンプビームとしてフォトリフラクティ
ブ結晶に入射し、このフォトリフラクティブ結晶におけ
る一方のレーザビームと他方のレーザビームとを混合す
ることによりシグナルビームをポンプビームで増幅して
被加工物に照射するレーザ加工方法である。
【００１１】このようなレーザ加工方法であれば、マス
クを透過するシグナルビームの強度を高くする必要がな
く、マスク材でのレーザ吸収で生じる発熱によるマスク
の耐久性に問題は生ぜず、かつマスクを透過した後のシ
グナルビームを増幅することにより被加工物に照射する
レーザビームの強度を高くできる。
【００１２】請求項２によれば、請求項１記載のレーザ
加工方法において、フォトリフラクティブ結晶に入射す
るシグナルビームとポンプビームとの強度比を制御す
る。このようなレーザ加工方法であれば、シグナルビー
ムとポンプビームとの強度比を制御することによって、
被加工物に照射するレーザビームの強度を制御できる。
【００１３】請求項３によれば、レーザビームを２つの
レーザビームに分離するビームスプリッタと、このビー
ムスプリッタにより分離された一方のレーザビームをシ
グナルビームとしてマスクを透過させるシグナルビーム
光学系と、マスクを透過したシグナルビームを入射する
と共に他方のレーザビームをポンプビームとして入射
し、シグナルビームをポンプビームにより増幅するフォ
トリフラクティブ結晶と、このフォトリフラクティブ結
晶により増幅されたシグナルビームを被加工物に結像す
る加工光学系と、を備えたレーザ加工装置である。
【００１４】このようなレーザ加工装置であれば、レー
ザビームは２つのレーザビームに分離され、このうち一
方のレーザビームがシグナルビームとしてマスクを透過
してフォトリフラクティブ結晶に入射し、これと共に他
方のレーザビームがポンプビームとしてフォトリフラク
ティブ結晶に入射する。そして、このフォトリフラクテ
ィブ結晶においてシグナルビームがポンプビームにより
増幅され、被加工物に結像される。
【００１５】従って、上記同様に、マスクを透過するシ
グナルビームの強度を高くする必要がなく、マスク材で
のレーザ吸収で生じる発熱によるマスクの耐久性に問題
は生ぜず、かつマスクを透過した後のシグナルビームを
増幅することにより被加工物に照射するレーザビームの
強度を高くできる。
【００１６】請求項４によれば、請求項３記載のレーザ
加工装置において、ビームスプリッタの前段側に、レー
ザビームの偏光方向の回転角度を制御する偏光制御光学
系を配置し、シグナルビームとポンプビームとの強度比
を制御する。
【００１７】このようなレーザ加工装置であれば、レー
ザビームの偏光方向の回転角度を制御することにより、
フォトリフラクティブ結晶に入射するシグナルビームと
ポンプビームとの強度比が変わり、これによって被加工
物に照射するレーザビームの強度を制御できるものとな
る。
【００１８】請求項５によれば、請求項３記載のレーザ
加工装置において、フォトリフラクティブ結晶を複数段
配置してシグナルビームをポンプビームにより増幅す
る。このようなレーザ加工装置であれば、シグナルビー
ムをポンプビームにより複数段で増幅し、シグナルビー
ムの増幅率を大きくできる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
(1) 以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参
照して説明する。この発明のレーザ加工方法は、レーザ
ビームを２つのレーザビームに分離し、一方のレーザビ
ームをシグナルビームとしてマスクを透過させた後にフ
ォトリフラクティブ結晶に入射し、これと共に他方のレ
ーザビームをポンプビームとしてフォトリフラクティブ
結晶に入射し、このフォトリフラクティブ結晶における
双方のレーザビームの混合によりシグナルビームをポン
プビームで増幅して加工材料に照射するものである。
【００２０】そして、フォトリフラクティブ結晶に入射
するシグナルビームとポンプビームとの強度比を制御す
ることにより、シグナルビームの増幅率を可変するもの
となっている。
【００２１】図１はかかるレーザマスクマーキング方法
を適用したレーザマスクマーキング装置の構成図であ
る。レーザ発振装置１は、例えばＹＡＧレーザ、可視光
レーザとして色素レーザ、ＹＡＧレーザの第２高調波が
用いられる。
【００２２】このレーザ発振装置１から出力されるレー
ザビームＡの光路上には、偏光ビームスプリッタ２が配
置されている。この偏光ビームスプリッタ２は、レーザ
発振装置１から出力されたレーザビームＡを２つのレー
ザビーム、すなわちシグナルビームＢとポンプビームＣ
とに分離する機能を有している。
【００２３】このうちシグナルビームＢの光路上には、
ミラー等のシグナルビーム光学系３を介してマスク４が
配置され、シグナルビームＢがシグナルビーム光学系３
によりマスク４に導かれるようになっている。
【００２４】このマスク４を透過したシグナルビームＢ
の光路上には、集光レンズ５を介してフォトリフラクテ
ィブ結晶６が配置されている。一方、ポンプビームＣの
光路上には、ミラー等のポンプビーム光学系７、λ／２
板８、及び集光レンズ９を介してフォトリフラクティブ
結晶６が配置されている。
【００２５】すなわち、シグナルビームＢとポンプビー
ムＣとは、それぞれシグナルビーム光学系３、ポンプビ
ーム光学系７により光路の向きが変更されてフォトリフ
ラクティブ結晶６に対して所定の角度で入射し、かつフ
ォトリフラクティブ結晶６内で両ビームＢ、Ｃが重なる
ようにシグナル及びポンプビーム光学系３、７により調
整されている。
【００２６】フォトリフラクティブ結晶６は、例えばＢ
ａＴｉＯ2 （チタン酸バリウム）により形成されるもの
で、シグナルビームＢとポンプビームＣとがそれぞれ所
定の角度で入射すると、その結晶内の２光波混合作用に
より、マスク４を透過したシグナルビームＢを増幅する
性質を有している。
【００２７】すなわち、フォトリフラクティブ結晶６
は、シグナルビームＢとポンプビームＣとがそれぞれ所
定の角度で入射すると、両ビームが互いに干渉して３次
元的干渉パターンを生じ、この干渉パターンに応じた屈
折率分布がフォトリフラクティブ結晶６内に発生し、こ
の屈折率分布によりポンプビームＣはシグナルビームＢ
と同一方向に回折し、増幅したシグナルビームＤを出力
する性質を有している。
【００２８】このフォトリフラクティブ結晶６での増幅
率は、次の式により表される。 増幅率＝Ｉsout／Ｉsin ＝ (1+m)ｅｘｐ(-αL)／ (1+m*ｅｘｐ(-γL)) …(1) ここで、Ｉsoutはフォトリフラクティブ結晶６から出射
するシグナルビームＢの強度、Ｉsin はフォトリフラク
ティブ結晶６に入射するシグナルビームＢの強度、ｍは
シグナルビームＢの強度とポンプビームＣの強度との比
（ポンプビーム強度／シグナルビーム強度）、αはフォ
トリフラクティブ結晶６の吸収係数、Ｌはフォトリフラ
クティブ結晶６の長さ、γはフォトリフラクティブ結晶
６の結合係数で結晶の特性とビームの入射角によって決
まっている。
【００２９】このフォトリフラクティブ結晶６により増
幅出力されたシグナルビームＤの光路上には、加工光学
系１０が配置されている。この加工光学系１０は、レン
ズ等により形成され、シグナルビームＤを加工材料１１
の表面に照射するもので、この際にマスクパターンを加
工材料１１の表面に結像するものとなっている。
【００３０】なお、フォトリフラクティブ結晶６から出
射されたポンプビームＣの光路上には、遮光板１２が配
置され、ポンプビームＣの他の機器等への影響を無くし
ている。
【００３１】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。レーザ発振装置１からレーザビームＡが
出力されると、このレーザビームＡは偏光ビームスプリ
ッタ２に入射し、ここでシグナルビームＢとポンプビー
ムＣとの分離される。このときシグナルビームＢとポン
プビームＣとは、それぞれ偏光方向が互いに直交する方
向となっている。
【００３２】このうちシグナルビームＢは、シグナルビ
ーム光学系３を経てマスク４に照射され、このマスク４
を透過して集光レンズ５により集光されてフォトリフラ
クティブ結晶６に入射する。
【００３３】一方、ポンプビームＣは、ポンプビーム光
学系７を経てλ／２板８に入射し、このλ／２板８によ
り偏光方向が９０°回転されて偏光方向をシグナルビー
ムＢの偏光方向と同一にされ、さらに集光レンズ９によ
り集光されてフォトリフラクティブ結晶６に入射する。
【００３４】このフォトリフラクティブ結晶６は、シグ
ナルビームＢとポンプビームＣとがそれぞれ所定の角度
で入射すると、その結晶内の２光波混合作用により、マ
スク４を透過したシグナルビームＢがポンプビームＣか
らエネルギーを与えられて増幅される。
【００３５】すなわち、フォトリフラクティブ結晶６
は、シグナルビームＢとポンプビームＣとがそれぞれ所
定の角度で入射すると、両ビームの干渉によって生じる
フォトリフラクティブ結晶６内の屈折率分布によりンプ
ビームＣがシグナルビームＢと同一方向に回折し、増幅
したシグナルビームＤを出力する。
【００３６】なお、高い増幅率を得るために、各集光レ
ンズ５、９によりそれぞれシグナルビームＢとポンプビ
ームＣとをフォトリフラクティブ結晶６内に集光してい
る。このようにフォトリフラクティブ結晶６において増
幅されたシグナルビームＤは、加工光学系１０により加
工材料１１の表面にマスクパターンを結像して照射す
る。これにより、加工材料１１には、マスクパターンが
マーキングされる。
【００３７】このように上記第１の実施の形態において
は、レーザビームＡを偏光ビームスプリッタ２により２
つのレーザビームＢ、Ｃに分離し、このうち一方のシグ
ナルビームＢをマスク４を透過してフォトリフラクティ
ブ結晶６に入射し、これと共に他方のポンプビームＣを
λ／２板８を通してフォトリフラクティブ結晶６に入射
し、このフォトリフラクティブ結晶６においてシグナル
ビームＢをポンプビームＣにより増幅して加工材料１１
に結像するようにしたので、マスク４を透過するシグナ
ルビームＢの強度を高くする必要がなく、マスク材での
レーザ吸収で生じる発熱によるマスク４の耐久性に問題
は生ぜず、かつマスク４を透過した後のシグナルビーム
Ｂを増幅することにより加工材料１１に照射するレーザ
ビームＤの強度を高くできる。
【００３８】すなわち、マスク４を透過するシグナルビ
ームＢのレーザ強度を減少でき、マスク４の損傷を防ぐ
ことができ、例えばレーザ吸収性の大きい透過型液晶表
示装置を用いてマーキングができる。 (2) 次に本発明の第２の実施の形態について説明する。
なお、図１と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。
【００３９】図２はレーザマスクマーキング装置の構成
図である。レーザ発振装置１の出力光路上でかつ偏光ビ
ームスプリッタ２の前段側には、レーザ発振装置１から
出力されたレーザビームＡの偏光方向の回転角度を制御
する偏光制御光学系としての偏光ビームスプリッタ２０
及びλ／２板２１が配置されている。
【００４０】偏光ビームスプリッタ２０は、図３に示す
ようにレーザ発振装置１から出力されたレーザビームＡ
を偏光方向の直交する２つレーザビームに分離するもの
であり、λ／２板２１は偏光ビームスプリッタ２０によ
り分離されたいずれか一方のレーザビームの偏光方向を
回転させるものとなっている。
【００４１】なお、図３において「・」「｜」はそれぞ
れ偏光方向を示し、「・」は図面の表裏の方向、「｜」
は図面の上下方向の各偏光方向を示している。従って、
λ／２板２１により偏光方向の回転したレーザビームＥ
が偏光ビームスプリッタ２に入射するので、このレーザ
ビームＥのｓ偏光成分が偏光ビームスプリッタ２を透過
してシグナルビームＢとなり、ｐ偏光成分が偏光ビーム
スプリッタ２を透過してポンプビームＣとなる。
【００４２】従って、λ／２板２１を回転させて偏光方
向を回転させれば、シグナルビームＢとポンプビームＣ
との強度比を制御するものとなり、これらビームＢ、Ｃ
の強度比を変えることによりフォトリフラクティブ結晶
６で増幅率を制御するものとなる。
【００４３】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。レーザ発振装置１からレーザビームＡが
出力されると、このレーザビームＡは偏光ビームスプリ
ッタ２０に入射し、ここで互いに直交する偏光方向の各
レーザビームに分離され、このうち一方の偏光方向のレ
ーザビームがλ／２板２１を透過することにより偏光方
向が回転される。
【００４４】このλ／２板２１により偏光方向の回転を
受けたレーザビームＥは、偏光ビームスプリッタ２に入
射し、ここでｓ偏光成分がシグナルビームＢとして出射
され、ｐ偏光成分がポンプビームＣとして出射される。
【００４５】ここで、λ／２板２１による偏光方向の回
転角度を制御することにより、シグナルビームＢとポン
プビームＣとの強度比が変わる。このうちシグナルビー
ムＢは、シグナルビーム光学系３を経てマスク４に照射
され、このマスク４を透過して集光レンズ５により集光
されてフォトリフラクティブ結晶６に入射する。
【００４６】一方、ポンプビームＣは、ポンプビーム光
学系７を経てλ／２板８により偏光方向が９０°回転さ
れ、さらに集光レンズ９により集光されてフォトリフラ
クティブ結晶６に入射する。
【００４７】このフォトリフラクティブ結晶６は、上記
同様に、シグナルビームＢとポンプビームＣとがそれぞ
れ所定の角度で入射すると、その結晶内の２光波混合作
用により、マスク４を透過したシグナルビームＢをポン
プビームＣからエネルギーを与えて増幅する。
【００４８】すなわち、フォトリフラクティブ結晶６
は、シグナルビームＢとポンプビームＣとがそれぞれ所
定の角度で入射すると、両ビームの干渉によってフォト
リフラクティブ結晶６内に生じる屈折率分布によりポン
プビームＣがシグナルビームＢと同一方向に回折し、増
幅したシグナルビームＤを出力する。
【００４９】このようにフォトリフラクティブ結晶６に
おいて増幅されたシグナルビームＤは、加工光学系１０
により加工材料１１の表面にマスクパターンを結像して
照射する。これにより、加工材料１１には、マスクパタ
ーンがマーキングされる。
【００５０】このように上記第２の実施の形態によれ
ば、上記第１の実施の形態と同様にマスク４を透過する
シグナルビームＢの強度を高くする必要がなく、マスク
材でのレーザ吸収で生じる発熱によるマスク４の耐久性
に問題は生ぜず、かつマスク４を透過した後のシグナル
ビームＢを増幅することにより加工材料１１に照射する
レーザビームＤの強度を高くでき、かつ偏光ビームスプ
リッタ２の前段側に偏光ビームスプリッタ２０及びλ／
２板２１を配置してシグナルビームＢとポンプビームＣ
との強度比を制御するようにしたので、フォトリフラク
ティブ結晶６に入射するシグナルビームＢとポンプビー
ムＣとの強度比を変えて、加工材料１１に照射するレー
ザビームＤの強度を例えば加工材料１１の材質に応じて
最適値に制御できる。 (3) 次に本発明の第３の実施の形態について説明する。
なお、図２と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。
【００５１】図４はレーザマスクマーキング装置の構成
図である。フォトリフラクティブ結晶６により増幅され
たシグナルビームＤの光路上には、もう１つのフォトリ
フラクティブ結晶３０が配置され、多段増幅の構成とな
っている。
【００５２】このフォトリフラクティブ結晶３０は、例
えばＢａＴｉＯ2 （チタン酸バリウム）により形成され
るもので、シグナルビームＤとポンプビームＦとがそれ
ぞれ所定の角度で入射すると、その結晶内の２光波混合
作用により、既にフォトリフラクティブ結晶６により増
幅されたシグナルビームＤをさらに増幅する性質を有し
ている。
【００５３】一方、偏光ビームスプリッタ２０は、レー
ザ発振装置１から出力されたレーザビームＡを偏光方向
の直交する２つレーザビームに分離し、一方のレーザビ
ームをλ／２板２１に送り、他方のレーザビームをポン
プビームＦとして分離する機能を有している。
【００５４】このポンプビームＦの光路上には、ミラー
等のポンプビーム光学系３１、λ／２板３２、及び集光
レンズ３３を介してフォトリフラクティブ結晶３０が配
置されている。
【００５５】すなわち、ポンプビームＦは、ポンプビー
ム光学系３１により光路の向きが変更されてフォトリフ
ラクティブ結晶３０に対して所定の角度で入射し、かつ
フォトリフラクティブ結晶３９内で各ビームＤ、Ｆが重
なるようにポンプビーム光学系３１が調整されている。
【００５６】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。レーザ発振装置１からレーザビームＡが
出力されると、このレーザビームＡは偏光ビームスプリ
ッタ２０に入射し、ここで互いに直交する偏光方向の各
レーザビームに分離され、このうち一方の偏光方向のレ
ーザビームがλ／２板２１を透過することにより偏光方
向が回転される。
【００５７】この偏光方向の回転を受けたレーザビーム
Ｅは、偏光ビームスプリッタ２に入射し、ここでｓ偏光
成分がシグナルビームＢとして出射され、ｐ偏光成分が
ポンプビームＣとして出射される。
【００５８】ここで、上記同様に、λ／２板２１による
偏光方向の回転角度を制御することにより、シグナルビ
ームＢとポンプビームＣとの強度比が変わる。このうち
シグナルビームＢは、シグナルビーム光学系３を経てマ
スク４に照射され、このマスク４を透過して集光レンズ
５により集光されてフォトリフラクティブ結晶６に入射
する。
【００５９】一方、ポンプビームＣは、ポンプビーム光
学系７を経てλ／２板８により偏光方向が９０°回転さ
れ、さらに集光レンズ９により集光されてフォトリフラ
クティブ結晶６に入射する。
【００６０】このフォトリフラクティブ結晶６は、上記
同様に、シグナルビームＢとポンプビームＣとがそれぞ
れ所定の角度で入射すると、その結晶内の２光波混合作
用により、マスク４を透過したシグナルビームＢをポン
プビームＣからエネルギーを与えて増幅する。
【００６１】このようにフォトリフラクティブ結晶６に
おいて増幅されたシグナルビームＤは、集光レンズ３４
で集光されて、次に配置された２段目のフォトリフラク
ティブ結晶３０に所定の角度で入射する。
【００６２】これと共に、偏光ビームスプリッタ２０に
より分離された他方のレーザビームは、ポンプビームＦ
として、ポンプビーム光学系３１を経てλ／２板３２に
より偏光方向が９０°回転され、さらに集光レンズ３３
により集光されて２段目のフォトリフラクティブ結晶３
０に入射する。
【００６３】このフォトリフラクティブ結晶３０は、シ
グナルビームＤとポンプビームＦとがそれぞれ所定の角
度で入射すると、その結晶内の２光波混合作用により、
フォトリフラクティブ結晶６により増幅されたシグナル
ビームＤをポンプビームＦからエネルギーを与えて増幅
する。
【００６４】このようにフォトリフラクティブ結晶３０
において増幅されたシグナルビームＧは、加工光学系１
０により加工材料１１の表面にマスクパターンを結像し
て照射される。これにより、加工材料１１には、マスク
パターンがマーキングされる。
【００６５】このように上記第３の実施の形態によれ
ば、上記第２の実施の形態と同様の効果を奏することは
言うまでもなく、さらに加工材料１１に照射するレーザ
ビームＧの強度を高くできる。
【００６６】なお、本発明は、上記第１〜第３の実施の
形態に限定されるものでなく次の通り変形してもよい。
例えば、各偏光ビームスプリッタ２、２９は、単なるビ
ームスプリッタでもよく、この場合にはλ／２板８、３
２を配置する必要がない。
【００６７】又、多段増幅の構成とする場合、偏光ビー
ムスプリッタ２０により分離されたレーザビームを用い
るに限らず、各フォトリフラクティブ結晶６、３０を透
過した各ポンプビームＣ、Ｆを再度ポンプビームとして
用いしてもよい。
【００６８】
【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項１、
２によれば、マスクの耐久性に影響されず、かつレーザ
ビームの強度を低く設定しなくてもレーザマーキングが
できるレーザ加工方法を提供できる。
【００６９】又、本発明の請求項２によれば、マスクの
耐久性に影響されず、かつレーザビームの強度を低く設
定しなくてもレーザマーキングができ、そのうえ加工材
料に応じてレーザビームの強度を制御できるレーザ加工
方法を提供できる。
【００７０】又、本発明の請求項３〜５によれば、マス
クの耐久性に影響されず、かつレーザビームの強度を低
く設定しなくてもレーザマーキングができるレーザ加工
装置を提供できる。
【００７１】又、本発明の請求項４によれば、マスクの
耐久性に影響されず、かつレーザビームの強度を低く設
定しなくてもレーザマーキングができ、そのうえ加工材
料に応じてレーザビームの強度を制御できるレーザ加工
装置を提供できる。又、本発明の請求項５によれば、マ
スクの耐久性に影響されず、加工材料に応じてレーザビ
ームの強度をさらに高くできるレーザ加工装置を提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わるレーザ加工装置の第１の実施の
形態を示す構成図。
【図２】本発明に係わるレーザ加工装置の第２の実施の
形態を示す構成図。
【図３】同装置における増幅率の制御作用を示す図。
【図４】本発明に係わるレーザ加工装置の第３の実施の
形態を示す構成図。
【符号の説明】
１…レーザ発振装置、 ２…偏光ビームスプリッタ、 ４…マスク、 ６，３０…フォトリフラクティブ結晶、 ８，２１…λ／２板、 ９…集光レンズ、 １０…加工光学系、 １１…加工材料、 ２０…偏光ビームスプリッタ。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レーザビームを２つのレーザビームに分
    離し、一方のレーザビームをシグナルビームとしてマス
    クを透過させた後にフォトリフラクティブ結晶に入射
    し、これと共に他方のレーザビームをポンプビームとし
    て前記フォトリフラクティブ結晶に入射し、このフォト
    リフラクティブ結晶における前記一方のレーザビームと
    前記他方のレーザビームとを混合することにより前記シ
    グナルビームを前記ポンプビームで増幅して被加工物に
    照射することを特徴とするレーザ加工方法。
  2. 【請求項２】 前記フォトリフラクティブ結晶に入射す
    る前記シグナルビームと前記ポンプビームとの強度比を
    制御することを特徴とする請求項１記載のレーザ加工方
    法。
  3. 【請求項３】 レーザビームを２つのレーザビームに分
    離するビームスプリッタと、 このビームスプリッタにより分離された一方のレーザビ
    ームをシグナルビームとしてマスクを透過させるシグナ
    ルビーム光学系と、 前記マスクを透過した前記シグナルビームを入射すると
    共に前記他方のレーザビームをポンプビームとして入射
    し、前記シグナルビームを前記ポンプビームにより増幅
    するフォトリフラクティブ結晶と、 このフォトリフラクティブ結晶により増幅された前記シ
    グナルビームを被加工物に結像する加工光学系と、を具
    備したことを特徴とするレーザ加工装置。
  4. 【請求項４】 前記ビームスプリッタの前段側に、前記
    レーザビームの偏光方向の回転角度を制御する偏光制御
    光学系を配置し、前記シグナルビームと前記ポンプビー
    ムとの強度比を制御することを特徴とする請求項３記載
    のレーザ加工装置。
  5. 【請求項５】 前記フォトリフラクティブ結晶を複数段
    配置して前記シグナルビームを前記ポンプビームにより
    増幅することを特徴とする請求項３記載のレーザ加工装
    置。
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